JP3215074B2 - 半導体製造排ガスの除害方法と除害装置 - Google Patents
半導体製造排ガスの除害方法と除害装置Info
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Description
VDから時間周期をとりながら排出されるデポジット用
排ガス,クリーニング用排ガスを1台で除害することの
できる除害方法及び除害装置に関するものである。
ハ高次加工の生産性は向上した。枚葉式CVDを使用し
た場合、SiH4等のデポジット用ガスとNF3等のクリ
ーニング用ガスが時間間隔をもって各エレメントから排
気される。
ながら順次工程を進めるため、ある処理エレメントから
はデポジット用排ガスが排出され、別の処理エレメント
からはクリーニング用排ガスが排出される。
SiH4濃度が0.66〜95.3%の広範囲において爆発組成
を形成するので、各処理エレメントからの排ガスをまと
めて同時に除害処理することができない。
受けて複数の除害装置にて処理するか、又は夫々の排ガ
スをN2ガスで包含し、相互に混合しないようにして除
害機に送り込んで処理するようにしていた。
かさみ処理費用の上昇の原因となっている。
ポジット用排ガス、クリーニング用排ガス共、夫々別個
に固体吸着剤による吸着除害、火炎燃焼方式による熱分
解除害、更には電熱加熱方式による酸化加熱除害等が用
いられる。
着剤の交換に伴うコスト高が問題とされる。又、火炎燃
焼方式の場合も燃料となるH2又はプロパンの使用コス
ト及び安全性が問題となる。
スとクリーニング用排ガスの別個除害のシステムでは除
害装置が複数台必要となり、設備費用や設備の複雑化に
伴う諸々の問題点を抱えている。
CVDより排出されるデポジット用排ガスとクリーニン
グ用排ガスを同時に除害でき、しかも反応筒に至るまで
の配管中において両排ガスを爆発混合組成に至らしめる
ことがない電熱加熱方式の半導体製造排ガスの除害方法
及び除害装置が求められている。
半導体製造排ガスの除害装置(1)は、排ガスを加熱酸化
分解するための1つの反応筒と、枚葉式CVDの各処理
エレメント(E1〜E4)からの排ガスを前記反応筒に導く
ための独立した配管及び外部空気を導入する配管(L1〜
L4)とを有し、前記各配管(L 1 〜L 4 )は反応筒に直接接
続されており、反応筒は外筒(2)と該外筒(2)内に配置さ
れた内筒(3)とからなり、少なくとも内筒(3)にはセラミ
ックヒータが備えられており、前記各配管(L 1 〜L 4 )は
排ガス及び空気が内筒(3)と外筒(2)との間で管壁に沿っ
て渦巻き状に回転するように外筒(2)に接続され、か
つ、内筒(3)と外筒(2)との間にかき落とし板がこれらの
間に沿って回転可能に懸垂されていることを特徴とす
る。
式CVDの各処理エレメント(E1〜E4)からの排ガス
を、各処理エレメント(E1〜E4)と反応筒とを直接接続
する独立した配管(L1〜L4)により、外筒(2)と該外筒
(2)内に配置された内筒(3)とからなり、少なくとも内筒
(3)にはセラミックヒータが備えられた反応筒に導入す
ると共に外部空気を反応塔に導入し、導入された外部空
気によって排ガスを加熱酸化分解する半導体製造排ガス
の除害方法であって、各配管(L1〜L4)内でデポジット
用の排ガスとクリーニング用の排ガスが混在しないよう
に、デポジット用の排ガスの排出とクリーニング用の排
ガスの排出の間に配管(L 1 〜L 4 )内にN2ガスを流して
配管(L1〜L4)内を洗浄すると共に排ガス及び空気が内
筒(3)と外筒(2)との間で管壁に沿って渦巻き状に回転す
るように外筒(2)に導入され、且つ、 内筒(3)と外筒(2)
との間にかき落とし板がこれらの間に沿って回転可能に
懸垂されていることを特徴とする。
の除害装置(1)は、請求項1記載の半導体製造排ガスの
除害装置において、反応筒での加熱酸化処理により生じ
た加水分解性ガス又は水溶性ガス又は粉塵の少なくとも
いずれかを水洗除去するための水スクラバ(5)が、反応
筒(2),(3)と排気口(8)との間に備えられていることを
特徴とする。
処理エレメントと除害装置とが独立した配管により直接
に接続される。それ故、処理エレメントの数と同数の配
管が、除害装置に接続されることになる。
ものではないが、以下にエレメント数が4の場合を例示
して説明する。図1は4室の処理エレメントより構成さ
れた枚葉式CVDを使用した場合の除害装置との配管系
統を示した図である。各エレメントE1,E2,E3,E4
と除害装置(1)との間はそれぞれの配管L1,L2,L3,
L4で接続されている。P1〜P4はN2パージ(洗浄)用
のポンプである。
とクリーニング工程の切り替えに当たっては必ずN2パ
ージとしてN2ガスを導入する。これによりそれまでの
工程で使用していたガスを排出し、次の工程において両
ガスが混合しないようにしている。
ト工程が進行していた場合、次のクリーニング工程に移
る前にN2ガスを配管内洗浄として流すため、その初期
には微量のSiH4が混入したN2が排出され、次第にN
2単独ガスが除害装置に導入されることになる。
えばNF3単独のクリーニング用の排ガスが排出され、
その排出が終了した後にN2ガスで洗浄される。
と段階的にデポジット工程とクリーニング工程とを反復
させて作業を進める。つまり、第1段階においてエレメ
ントE1でデポジット工程が行われ、第2段階において
エレメントE2でデポジット工程が行われるとともにエ
レメントE1でN2パージが行われる。そして第3段階に
おいてエレメントE3でデポジット工程が行われ、エレ
メントE2でN2パージが行われ、エレメントE1でクリ
ーニング工程が行われる。更に次の第4段階においては
エレメントE4でデポジット工程が行われ、エレメント
E3でN2パージが行われ、エレメントE2でクリーニン
グ工程が行われる。その後も同様にして段階的に各工程
が進められる。
経過との関係の例を示した図である。まずNF3でクリ
ーニングした後、N2ガスを導入し配管内をガス洗浄し
た後、次いでSiH4を流している。すなわち配管内に
おいては同時にNF3とSiH4とが混在することがな
く、両者はN2ガスで遮断されている。
各処理エレメントからの排ガスが導かれるため、熱源の
場としての反応筒内においてのみデポジット用とクリー
ニング用の排ガスの併存が有り得る。
下で初めて酸化加熱分解に供される。反応筒内において
は例えばSiH4は外部空気の存在下で酸化分解され、
その反応温度域に例えばNF3が導入され、爆発するこ
となく加熱分解される。
系においてのみ爆発することなく加熱分解する現象を利
用しているので、反応筒内で爆発が生じることはない。
ット用排ガスは、SiH4,SiH6,SiH2Cl2,T
EOS等の有機ケイ素化合物、更にPH3,B2H6等の
ドーパント用ガスも含まれ、それらがデポジット用排ガ
ス単体として、あるいはクリーニング用排ガスとの共存
において酸化分解しSiO2,P2O5,B203等の酸化
物となって除害される。
C2F6,CF4等のフッ化化合物の単独又はCVD内で
の分解ガスとして排出され、例えばSiF4,F2,CO
X,N2等が未分解のフッ化化合物と共存して除害装置に
導入される。
と除害装置の反応筒内で共存下において、外部空気との
混合系において酸化分解される。
説明するための平面断面図である。被処理対象となる排
ガスは除害装置(1)の反応筒の内筒(3)と外筒(2)のセラ
ミックヒータ間の空間に接線方向に導入される。
必要な理論量より常に2倍以上過剰の量が外部空気導入
管(4)を通って、内筒(3)と外筒(2)のセラミックヒータ
間の空間に接線方向に導入される。
部空気は図中に矢印で示すように、内筒(3)と外筒(2)の
間の空間を管壁に沿って渦巻き状に回転することとな
る。
管(L1〜L4)と外部空気導入管(4)が外筒(2)に等間隔
になるよう設置した例を示している。
示した図である。
状のセラミックヒータが外筒(2)の中心に配置されてい
る。セラミックヒータは、表面がアルミナ質又はムライ
ト質で覆われ、内部に発熱電線を有している。
質よりなるセラミックで覆われた構造であり、外筒(2)
そのものがセラミックヒータで構成されている場合もあ
る。この場合は外筒(2)と内筒(3)とが共にセラミックヒ
ータで構成されるので、反応筒の空間に導入される排ガ
スの熱輻射,熱伝導の効率は極めて高い。
(7)が設置されており、この排気ファン(7)の働きにより
除害装置内が減圧され、CVDの各処理エレメントから
の排ガスが導入される。
吸引された排ガスは、外部空気導入管(4)から導入され
た外部空気と混合されながらセラミックヒータの表面
(管壁)に沿って渦巻き状の流れとなって上昇し、次い
で内筒(3)の内側空間を通って下方より引き出される。
は600〜1000℃としている。この温度に設定された空間
を通過する間にデポジット用排ガス及びクリーニング用
排ガスは酸化加熱分解される。
水スクラバー(5)を通り冷却と洗浄を受け、排気口(8)よ
り大気に放出される。水スクラバ(5)においては、反応
筒にて生成された酸化物粉塵及びクリーニング用ガスの
除害にて生成したF2,HFのごときフッ素系の水溶性
ガスや、加水分解性ガスや粉塵が洗浄除害される。図中
(6)は洗浄水液槽である。
部空気の導入位置等は一例であり、本発明は必ずしもこ
のような例に限定されるものではない。
においてはSiO2を主成分とした粉塵が発生してセラ
ミックヒータの表面に付着し、伝熱効果を低下させると
共に、排ガスの通気抵抗を高めることになり、結果とし
て除害効率の低下を招く。
ラミックヒータの内外表面及び外筒セラミックヒータの
内面に約2mmの間隔をおいて表面付着物をかき落とす機
構を設けることが効果的である。かき落としにはアルミ
ナ質又はムライト質のセラミック製短冊板(厚み2〜3
mm)、又はNi,Cr高含有Fe合金よりなる板を使用
するのがこのましい。このかき落とし手段は回転により
反応筒内に乱流を起こすので、被処理ガスの撹拌にも寄
与する。
を使用し、デポジット用ガスとしてSiH4が1リット
ル/min 、キャリアN2 が200リットル/min(導入ガス
SiH4濃度5000ppm)の流量で排出されるガスと、NF
3が4 リットル/min 、キャリアN2 が120リットル/m
in(導入ガスNF3濃度 3.2%)の流量で排出されるガ
スとを7minで切り替え作業をした。
n導入し、内筒ヒータのみを稼働させ、表面温度を80
0℃に設定した。
スとの切り替えに当たっては、200リットル/min のN2
ガスを2分間流した。又、処理ガスは10リットル/mi
nの水量の水スクラバで処理ガスの冷却と随伴粉塵の排
除及び副生F2を主成分とするフッ素化合物の洗浄を行
った。
バ処理後の排ガスの分析を行ったところ、SiH4は1p
pm以下、NF3は5ppmの値であった。すなわち、枚葉式
CVDにおいて夫々のチャンバに独立した排ガス配管を
経て除害装置に導入し、爆発の現象なしに安全にSiH
4とNF3の両ガスをTLV(排気基準)以下の値まで除
害することができた。
件において内筒ヒータの外周及び内周にSUS304製の厚み
2mm 、20×150mmの板を夫々3枚懸垂させ、それを 20r
pmの回転速度でセラミックヒータの回りをヒータ表面と
2mmの間隔を維持させつつ回転させた。
処理後の排ガスの分析を行ったところ、SiH4は1ppm
以下、NF3は3ppmの値であった。実施例1よりも除害
効率がよいのは、前述したような撹拌による乱流効果等
によるものと考えられる。
あり、実施例1において1時間経過後の水中スラッジ
(SiO2粉体)の採取量は乾燥ベースで0.7〜1g/リ
ットルH2Oであったのに対し、本実施例の1時間後の採
取量は2g/リットルH2Oであった。すなわち、本実施
例のかき落とし機構によりSiO2粉体のヒータ表面上
への滞積を有効に抑制することができたことがわかる。
CVDを使用し、デポジット用ガスとしてTEOSをエ
バポレータで気化させ、N2キャリアガスで希釈させ、
風量200リットル/min、TEOS濃度2,000ppmで排出さ
せた。
N2キャリアガスで250リットル/minで希釈させて3,000
ppm濃度で排出させた。
スとの切り替え時間を5分間とし、その切り替えに当た
っては300リットル/minのN2ガスを1分間流した。外
部空気は250リットル/min 除害装置に導入した。
せ、表面温度を900℃に設定した。水スクラバは15リッ
トル/minの水量で処理し、ガスの洗浄と冷却とを行っ
た。
組成分析を行ったところ、TEOSは3ppm、C2F6は8
0ppmであった。また、処理工程中において爆発を含む異
常現象は全く生じなかった。
製造において枚葉式CVDから時間周期をとりながら排
出されるデポジット用排ガス、クリーニング用排ガスを
1台の除害装置で除害することができるようになった。
図。
図。
めの平面断面図。
Claims (3)
- 【請求項1】 排ガスを加熱酸化分解するための1
つの反応筒と、枚葉式CVDの各処理エレメントからの
排ガスを前記反応筒に導くための独立した配管及び外部
空気を導入する配管とを有し、前記各配管は反応筒に直
接接続されており、反応筒は外筒と該外筒内に配置され
た内筒とからなり、少なくとも内筒にはセラミックヒー
タが備えられており、前記各配管は排ガス及び空気が内
筒と外筒との間で管壁に沿って渦巻き状に回転するよう
に外筒に接続され、かつ、内筒と外筒との間にかき落と
し板がこれらの間に沿って回転可能に懸垂されているこ
とを特徴とする半導体製造排ガスの除害装置。 - 【請求項2】 枚葉式CVDの各処理エレメントか
らの排ガスを、各処理エレメントと反応筒とを直接接続
する独立した配管により、外筒と該外筒内に配置された
内筒とからなり、少なくとも内筒にはセラミックヒータ
が備えられた反応筒に導入すると共に外部空気を反応塔
に導入し、導入された外部空気によって排ガスを加熱酸
化分解する半導体製造排ガスの除害方法であって、 各配管内でデポジット用の排ガスとクリーニング用の排
ガスが混在しないように、デポジット用の排ガスの排出
とクリーニング用の排ガスの排出の間に配管内にN2ガ
スを流して配管内を洗浄すると共に排ガス及び空気が内
筒と外筒との間で管壁に沿って渦巻き状に回転するよう
に外筒に導入され、且つ、 内筒と外筒との間にかき落とし板がこれらの間に沿って
回転可能に懸垂されている ことを特徴とする半導体製造
排ガスの除害方法。 - 【請求項3】 反応筒での加熱酸化処理により生じ
た加水分解性ガス又は水溶性ガス又は粉塵の少なくとも
いずれかを水洗除去するための水スクラバが、反応筒と
排気口との間に備えられていることを特徴とする請求項
1記載の半導体製造排ガス除害装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17319097A JP3215074B2 (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | 半導体製造排ガスの除害方法と除害装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17319097A JP3215074B2 (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | 半導体製造排ガスの除害方法と除害装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH118200A JPH118200A (ja) | 1999-01-12 |
JP3215074B2 true JP3215074B2 (ja) | 2001-10-02 |
Family
ID=15955772
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17319097A Expired - Fee Related JP3215074B2 (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | 半導体製造排ガスの除害方法と除害装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3215074B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006150282A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Kanken Techno Co Ltd | 半導体製造装置の排ガス除害装置 |
US20060176928A1 (en) | 2005-02-08 | 2006-08-10 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, control method adopted in substrate processing apparatus and program |
CN100397569C (zh) * | 2005-02-08 | 2008-06-25 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置、基板处理装置的控制方法 |
GB0513867D0 (en) * | 2005-07-06 | 2005-08-10 | Boc Group Plc | Method of treating an exhaust gas |
JP2010207771A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | 排ガス処理装置および排ガス処理方法 |
JP5699022B2 (ja) * | 2011-04-07 | 2015-04-08 | 岩谷産業株式会社 | 排ガス処理装置及び排ガス処理方法 |
CN113430502B (zh) * | 2021-06-18 | 2022-07-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备及其混合进气装置 |
-
1997
- 1997-06-13 JP JP17319097A patent/JP3215074B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH118200A (ja) | 1999-01-12 |
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