JP3409356B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JP3409356B2 JP3409356B2 JP08289893A JP8289893A JP3409356B2 JP 3409356 B2 JP3409356 B2 JP 3409356B2 JP 08289893 A JP08289893 A JP 08289893A JP 8289893 A JP8289893 A JP 8289893A JP 3409356 B2 JP3409356 B2 JP 3409356B2
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は平面光源や表示に使用さ
れる有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子に関す
るものである。
れる有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】有機物質を使用したＥＬ素子は、固体発
光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が
有望視され、多くの開発が行われている。一般にＥＬ素
子は、発光層および該層をはさんだ一対の対向電極から
構成されている。発光は、両電極間に電界が印加される
と、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入
され、この電子が発光層において正孔と再結合し、エネ
ルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギー
を光として放出する現象である。
光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が
有望視され、多くの開発が行われている。一般にＥＬ素
子は、発光層および該層をはさんだ一対の対向電極から
構成されている。発光は、両電極間に電界が印加される
と、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入
され、この電子が発光層において正孔と再結合し、エネ
ルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギー
を光として放出する現象である。
【０００３】従来の有機ＥＬ素子は、無機ＥＬ素子に比
べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。
また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。
近年、１０Ｖ以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率
を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機ＥＬ
素子が報告され、関心を集めている（アプライド・フィ
ジクス・レターズ、５１巻、９１３ページ、１９８７年
参照）。この方法では、金属キレート錯体を蛍光体層、
アミン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の緑色
発光を得ており、６〜７Ｖの直流電圧で輝度は数１００
ｃｄ／ｍ2、最大発光効率は１．５ｌｍ／Ｗを達成し
て、実用領域に近い性能を持っている。しかしながら、
現在までの有機ＥＬ素子は、構成の改善により発光強度
は改良されているが、未だ充分な発光輝度は有していな
い。また、繰り返し使用時の安定性に劣るという大きな
問題を持っている。従って、より大きな発光輝度を持
ち、繰り返し使用時での安定性の優れた有機ＥＬ素子の
開発が望まれているのが現状である。
べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。
また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。
近年、１０Ｖ以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率
を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機ＥＬ
素子が報告され、関心を集めている（アプライド・フィ
ジクス・レターズ、５１巻、９１３ページ、１９８７年
参照）。この方法では、金属キレート錯体を蛍光体層、
アミン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の緑色
発光を得ており、６〜７Ｖの直流電圧で輝度は数１００
ｃｄ／ｍ2、最大発光効率は１．５ｌｍ／Ｗを達成し
て、実用領域に近い性能を持っている。しかしながら、
現在までの有機ＥＬ素子は、構成の改善により発光強度
は改良されているが、未だ充分な発光輝度は有していな
い。また、繰り返し使用時の安定性に劣るという大きな
問題を持っている。従って、より大きな発光輝度を持
ち、繰り返し使用時での安定性の優れた有機ＥＬ素子の
開発が望まれているのが現状である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、発光
強度が大きく、繰り返し使用時での安定性の優れた有機
ＥＬ素子の提供にある。本発明者らが鋭意検討した結
果、一般式［２］で表される有機化合物を使用した有機
ＥＬ素子が、発光強度が大きく、繰り返し使用時での安
定性も優れていることを見いだし、本発明に至った。
強度が大きく、繰り返し使用時での安定性の優れた有機
ＥＬ素子の提供にある。本発明者らが鋭意検討した結
果、一般式［２］で表される有機化合物を使用した有機
ＥＬ素子が、発光強度が大きく、繰り返し使用時での安
定性も優れていることを見いだし、本発明に至った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】即ち、第一の発明は、下
記一般式［２］で示される有機エレクトロルミネッセン
ス素子の発光材料である。
記一般式［２］で示される有機エレクトロルミネッセン
ス素子の発光材料である。
【０００６】
【０００７】一般式［２］
【化４】
【０００８】［式中、Ａ 2 は、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｎ
Ｒ 25 、ＰＲ 26 、ＳＯ 2 、ＣＨ 2 、ＣＨ＝ＣＨ、Ｃ＝Ｃ（Ｃ
Ｎ） 2 、Ｃ＝Ｘ、ＣＲ 28 Ｒ 29 を示し、Ｂ 2 は、Ｏ、Ｓ、Ｓ
ｅ、Ｔｅ、ＮＲ 25 、ＰＲ 26 、ＣＨ 2 、ＣＨ＝ＣＨ、ＣＲ
28 Ｒ 29 を示す。また、Ａ 2 もしくはＢ 2 は、Ａ 2 もしくは
Ｂ 2 を介在することなしに直接結合していてもよい。こ
こで、Ｒ 9 ないしＲ 29 は、それぞれ独立に、水素原子、
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エステ
ル基、モノまたはジ置換アミノ基、アシルアミノ基、水
酸基、アルコキシ基、メルカプト基、アルキルオキシ
基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ
基、シロキシ基、アシル基、シクロアルキル基、カルバ
モイル基、カルボン酸基、スルフォン酸基、置換もしく
は未置換の脂肪族基、置換もしくは未置換の脂肪族式環
基、置換もしくは未置換の炭素環式芳香族環基、置換も
しくは未置換の複素環式芳香族環基、置換もしくは未置
換の複素環基を表す。ＸはＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅを表
す。］
Ｒ 25 、ＰＲ 26 、ＳＯ 2 、ＣＨ 2 、ＣＨ＝ＣＨ、Ｃ＝Ｃ（Ｃ
Ｎ） 2 、Ｃ＝Ｘ、ＣＲ 28 Ｒ 29 を示し、Ｂ 2 は、Ｏ、Ｓ、Ｓ
ｅ、Ｔｅ、ＮＲ 25 、ＰＲ 26 、ＣＨ 2 、ＣＨ＝ＣＨ、ＣＲ
28 Ｒ 29 を示す。また、Ａ 2 もしくはＢ 2 は、Ａ 2 もしくは
Ｂ 2 を介在することなしに直接結合していてもよい。こ
こで、Ｒ 9 ないしＲ 29 は、それぞれ独立に、水素原子、
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エステ
ル基、モノまたはジ置換アミノ基、アシルアミノ基、水
酸基、アルコキシ基、メルカプト基、アルキルオキシ
基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ
基、シロキシ基、アシル基、シクロアルキル基、カルバ
モイル基、カルボン酸基、スルフォン酸基、置換もしく
は未置換の脂肪族基、置換もしくは未置換の脂肪族式環
基、置換もしくは未置換の炭素環式芳香族環基、置換も
しくは未置換の複素環式芳香族環基、置換もしくは未置
換の複素環基を表す。ＸはＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅを表
す。］
【０００９】また、第二の発明は、一対の電極間に一層
または複数層の有機化合物薄膜よりなる発光層を備えた
有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層に
含まれる発光材料が上記発光材料である有機エレクトロ
ルミネッセンス素子である。
または複数層の有機化合物薄膜よりなる発光層を備えた
有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層に
含まれる発光材料が上記発光材料である有機エレクトロ
ルミネッセンス素子である。
【００１０】本発明における一般式［２］で示される化
合物の基、および、その基に付加する置換原子または置
換基の例としては、水素原子、ハロゲン原子、シアノ
基、ニトロ基、アミノ基、カルボキシ基、スルフォン
基、アミノ基、アシルアミノ基、エステル基、モノまた
はジ置換アミノ基、アルコキシ基、メルカプト基、また
はメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｓｅｃ
−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシ
ル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリク
ロロメチル基、アミノメチル基、アセトオキシメチル
基、アセトオキシエチル基、アセトオキシプロピル基、
アセトオキシブチル基、ヒドロキシメチル基、ヒドロキ
シルエチル基、ヒドロキシルプロピル基、ヒドロキシル
ブチル基、ビニル基、スチリル基、アセチレン基、アル
コキシ基、メルカプト基、アルキルオキシ基、アルキル
チオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、シロキシ
基、アシル基、シクロアルキル基、カルバモイル基等の
置換基および置換もしくは未置換の非環式炭化水素基、
シクロプロピル基、シクロヘキシル基、１，３−シクロ
ヘキサジエニル基、２−シクロペンテン−１−イル基、
２，４−シクロペンタジエン−１−イリデニル基、フェ
ニル基、ビフェニレニル基、トリフェニレニル基、テト
ラフェニレニル基、２−メチルフェニル基、３−ニトロ
フェニル基、４−メチルチオフェニル基、３，５−ジシ
アノフェニル基、ｏ−，ｍ−およびｐ−トリル基、キシ
リル基、ｏ−，ｍ−およびｐ−クメニル基、メシチル基
等の置換もしくは未置換の単環式炭化水素基、ペンタレ
ニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘ
プタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、
フルオレニル基、アントリル基、アントラキノニル基、
３−メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェ
ニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、２−エチル−
１−クリセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、６−ク
ロロペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル
基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサ
セニル基、ルビセニル基、コロネニル基、トリナフチレ
ニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラント
レニル基、オバレニル基等の置換もしくは未置換の縮合
多環式炭化水素、チエニル基、フリル基、ピロリル基、
イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピラジニ
ル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、インドリル
基、キノリル基、イソキノリル基、フタラジニル基、キ
ノキサリニル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、ア
クリジニル基、フェナジニル基、フルフリル基、イソチ
アゾリル基、イソキサゾリル基、フラザニル基、フェノ
キサジニル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリ
ル基、ベンズイミダゾリル基、２−メチルピリジル基、
３−シアノピリジル基等の置換もしくは未置換の複素環
基または置換もしくは未置換の芳香族復素環基、水酸
基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペン
チルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ステアリルオキシ
基、フェノキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、プロ
ピルチオ基、ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔ
ｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ
基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、フェニルチオ
基、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エ
チルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ
基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス（ア
セトオキシメチル）アミノ基、ビス（アセトオキシエチ
ル）アミノ基、ビス（アセトオキシプロピル）アミノ
基、ビス（アセトオキシブチル）アミノ基、ジベンジル
アミノ基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファ
モイル基、エチルスルファモイル基、ジエチルスルファ
モイル基、プロピルスルファモイル基、ブチルスルファ
モイル基、フェニルスルファモイル基、ジフェニルスル
ファモイル基、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバ
モイル基、エチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイ
ル基、プロピルカルバモイル基、ブチルカルバモイル
基、フェニルカルバモイル基、メチルカルボニルアミノ
基、エチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルア
ミノ基、ブチルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニ
ルアミノ基、メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカ
ルボニルアミノ基、プロポキシカルボニルアミノ基、ブ
トキシカルボニルアミノ基、フェノキシカルボニル基、
２−（２−エトキシエトキシ）エトキシ基、２−（２−
エトキシエトキシ）エチルチオ基、２−〔２−（２−メ
トキシエトキシ）エトキシ〕エチルチオ基等であるが、
これらの置換基に限定されるものではない。
合物の基、および、その基に付加する置換原子または置
換基の例としては、水素原子、ハロゲン原子、シアノ
基、ニトロ基、アミノ基、カルボキシ基、スルフォン
基、アミノ基、アシルアミノ基、エステル基、モノまた
はジ置換アミノ基、アルコキシ基、メルカプト基、また
はメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｓｅｃ
−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシ
ル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリク
ロロメチル基、アミノメチル基、アセトオキシメチル
基、アセトオキシエチル基、アセトオキシプロピル基、
アセトオキシブチル基、ヒドロキシメチル基、ヒドロキ
シルエチル基、ヒドロキシルプロピル基、ヒドロキシル
ブチル基、ビニル基、スチリル基、アセチレン基、アル
コキシ基、メルカプト基、アルキルオキシ基、アルキル
チオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、シロキシ
基、アシル基、シクロアルキル基、カルバモイル基等の
置換基および置換もしくは未置換の非環式炭化水素基、
シクロプロピル基、シクロヘキシル基、１，３−シクロ
ヘキサジエニル基、２−シクロペンテン−１−イル基、
２，４−シクロペンタジエン−１−イリデニル基、フェ
ニル基、ビフェニレニル基、トリフェニレニル基、テト
ラフェニレニル基、２−メチルフェニル基、３−ニトロ
フェニル基、４−メチルチオフェニル基、３，５−ジシ
アノフェニル基、ｏ−，ｍ−およびｐ−トリル基、キシ
リル基、ｏ−，ｍ−およびｐ−クメニル基、メシチル基
等の置換もしくは未置換の単環式炭化水素基、ペンタレ
ニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘ
プタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、
フルオレニル基、アントリル基、アントラキノニル基、
３−メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェ
ニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、２−エチル−
１−クリセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、６−ク
ロロペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル
基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサ
セニル基、ルビセニル基、コロネニル基、トリナフチレ
ニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラント
レニル基、オバレニル基等の置換もしくは未置換の縮合
多環式炭化水素、チエニル基、フリル基、ピロリル基、
イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピラジニ
ル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、インドリル
基、キノリル基、イソキノリル基、フタラジニル基、キ
ノキサリニル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、ア
クリジニル基、フェナジニル基、フルフリル基、イソチ
アゾリル基、イソキサゾリル基、フラザニル基、フェノ
キサジニル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリ
ル基、ベンズイミダゾリル基、２−メチルピリジル基、
３−シアノピリジル基等の置換もしくは未置換の複素環
基または置換もしくは未置換の芳香族復素環基、水酸
基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペン
チルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ステアリルオキシ
基、フェノキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、プロ
ピルチオ基、ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔ
ｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ
基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、フェニルチオ
基、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エ
チルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ
基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス（ア
セトオキシメチル）アミノ基、ビス（アセトオキシエチ
ル）アミノ基、ビス（アセトオキシプロピル）アミノ
基、ビス（アセトオキシブチル）アミノ基、ジベンジル
アミノ基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファ
モイル基、エチルスルファモイル基、ジエチルスルファ
モイル基、プロピルスルファモイル基、ブチルスルファ
モイル基、フェニルスルファモイル基、ジフェニルスル
ファモイル基、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバ
モイル基、エチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイ
ル基、プロピルカルバモイル基、ブチルカルバモイル
基、フェニルカルバモイル基、メチルカルボニルアミノ
基、エチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルア
ミノ基、ブチルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニ
ルアミノ基、メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカ
ルボニルアミノ基、プロポキシカルボニルアミノ基、ブ
トキシカルボニルアミノ基、フェノキシカルボニル基、
２−（２−エトキシエトキシ）エトキシ基、２−（２−
エトキシエトキシ）エチルチオ基、２−〔２−（２−メ
トキシエトキシ）エトキシ〕エチルチオ基等であるが、
これらの置換基に限定されるものではない。
【００１１】本発明に用いる一般式［２］の化合物の置
換原子または置換基の種類、数、および位置は特に限定
されるものではない。本発明の一般式［２］の化合物
は、ジフェニルアミン−２−カルボン酸の酸性試薬を用
いた閉環法、およびその二量化による合成法が一般的で
ある（Ｏｒｇ．Ｓｙｎ．Ｃｏｌ．Ｖｏｌ．２，Ｐ１５参
照）。この他には、サリチル酸アニリド、アントラニル
酸アニリドからの合成、アクリジン−Ｎ−オキシドと無
水酢酸からの光化学反応による合成、Ｎ−置換芳香族ア
ミン、ｎ−ブチルリチウム、炭酸ガスからの環形成があ
る。また、アクリドン、アクリジン、アクリダン、置換
アクリジンの相互変換も容易に行なうことができる。以
下に、本発明で使用する一般式［２］の化合物の代表例
を、表１に具体的に例示するが、本発明は以下の代表例
に限定されるものではない。
換原子または置換基の種類、数、および位置は特に限定
されるものではない。本発明の一般式［２］の化合物
は、ジフェニルアミン−２−カルボン酸の酸性試薬を用
いた閉環法、およびその二量化による合成法が一般的で
ある（Ｏｒｇ．Ｓｙｎ．Ｃｏｌ．Ｖｏｌ．２，Ｐ１５参
照）。この他には、サリチル酸アニリド、アントラニル
酸アニリドからの合成、アクリジン−Ｎ−オキシドと無
水酢酸からの光化学反応による合成、Ｎ−置換芳香族ア
ミン、ｎ−ブチルリチウム、炭酸ガスからの環形成があ
る。また、アクリドン、アクリジン、アクリダン、置換
アクリジンの相互変換も容易に行なうことができる。以
下に、本発明で使用する一般式［２］の化合物の代表例
を、表１に具体的に例示するが、本発明は以下の代表例
に限定されるものではない。
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】表１
【００１６】
【００１７】図１〜３に、本発明で使用される有機ＥＬ
素子の模式図の一例を示した。図中、一般的に電極Ａで
ある２は陽極であり、電極Ｂである６は陰極である。ま
た、これらの層構成以外にも、（電極Ａ／発光層／電子
注入層／電極Ｂ）の順で積層した有機ＥＬ素子があり、
一般式［２］の化合物は、この素子構成においても好適
に使用することが出来る。一般式［２］の化合物は、強
い発光と大きなキャリア輸送能力を合わせもっているの
で、発光層４に発光物質、発光補助剤として使用でき
る。
素子の模式図の一例を示した。図中、一般的に電極Ａで
ある２は陽極であり、電極Ｂである６は陰極である。ま
た、これらの層構成以外にも、（電極Ａ／発光層／電子
注入層／電極Ｂ）の順で積層した有機ＥＬ素子があり、
一般式［２］の化合物は、この素子構成においても好適
に使用することが出来る。一般式［２］の化合物は、強
い発光と大きなキャリア輸送能力を合わせもっているの
で、発光層４に発光物質、発光補助剤として使用でき
る。
【００１８】図１の発光層４には、必要があれば、本発
明の一般式［２］の化合物に加えて、発光物質、発光補
助材料、キャリア輸送を行う正孔輸送材料や電子輸送材
料を使用することもできる。図２の構造は、発光層４と
正孔注入層３を分離している。この構造により、正孔注
入層３から発光層４への正孔注入効率が向上して、発光
輝度や発光効率を増加させることができる。この場合、
発光効率のためには、発光層に使用される発光物質自身
が電子輸送性であること、または発光層中に電子輸送輸
送材料を添加して発光層を電子輸送性にすることが望ま
しい。
明の一般式［２］の化合物に加えて、発光物質、発光補
助材料、キャリア輸送を行う正孔輸送材料や電子輸送材
料を使用することもできる。図２の構造は、発光層４と
正孔注入層３を分離している。この構造により、正孔注
入層３から発光層４への正孔注入効率が向上して、発光
輝度や発光効率を増加させることができる。この場合、
発光効率のためには、発光層に使用される発光物質自身
が電子輸送性であること、または発光層中に電子輸送輸
送材料を添加して発光層を電子輸送性にすることが望ま
しい。
【００１９】図３の構造は、正孔注入層３に加えて電子
注入層５を有し、発光層４での正孔と電子の再結合の効
率を向上させている。このように、有機ＥＬ素子を多層
構造にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命
の低下を防ぐことができる。図２および図３の素子にお
いても、必要があれば、発光物質、発光補助材料、キャ
リア輸送を行う正孔輸送材料や電子輸送材料を組み合わ
せて使用することが出来る。
注入層５を有し、発光層４での正孔と電子の再結合の効
率を向上させている。このように、有機ＥＬ素子を多層
構造にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命
の低下を防ぐことができる。図２および図３の素子にお
いても、必要があれば、発光物質、発光補助材料、キャ
リア輸送を行う正孔輸送材料や電子輸送材料を組み合わ
せて使用することが出来る。
【００２０】有機ＥＬ素子の陽極に使用される導電性物
質としては、４ｅＶより大きな仕事関数を持つものが好
適であり、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバ
ルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジ
ウム等およびそれらの合金、ＩＴＯ基板、ＮＥＳＡ基板
と称される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さ
らにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹
脂が用いられる。陰極に使用される導電性物質として
は、４ｅＶより小さな仕事関数を持つものが好適であ
り、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、
イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン等およ
びそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるも
のではない。
質としては、４ｅＶより大きな仕事関数を持つものが好
適であり、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバ
ルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジ
ウム等およびそれらの合金、ＩＴＯ基板、ＮＥＳＡ基板
と称される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さ
らにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹
脂が用いられる。陰極に使用される導電性物質として
は、４ｅＶより小さな仕事関数を持つものが好適であ
り、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、
イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン等およ
びそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるも
のではない。
【００２１】有機ＥＬ素子では、効率良く発光させるた
めに、２で示される電極Ａまたは６で示される電極Ｂの
うち、少なくとも一方は素子の発光波長領域において充
分透明にすることが望ましい。また、基板１も透明であ
ることが望ましい。透明電極は、上記した導電性物質を
使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光
性が確保するように設定する。発光を取り出す電極は、
光透過率を１０％以上にすることが望ましい。
めに、２で示される電極Ａまたは６で示される電極Ｂの
うち、少なくとも一方は素子の発光波長領域において充
分透明にすることが望ましい。また、基板１も透明であ
ることが望ましい。透明電極は、上記した導電性物質を
使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光
性が確保するように設定する。発光を取り出す電極は、
光透過率を１０％以上にすることが望ましい。
【００２２】基板１は、機械的、熱的強度を有し、透明
なものであれば限定されるものではないが、例示する
と、ガラス基板、ポリエチレン板、ポリエーテルサルフ
ォン板、ポリプロピレン板等の透明樹脂があげられる。
本発明に係わる有機ＥＬ素子の各層の形成は、真空蒸
着、スパッタリング等の乾式成膜法やスピンコーティン
グ、ディッピング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用
することができる。膜厚は特に限定されるものではない
が、各層は適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚
すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が
必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホー
ル等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得
られない。通常の膜厚は１０ｎｍから１０μｍの範囲で
あり、好ましくは１００オングストロームから２０００
オングストロームの範囲である。
なものであれば限定されるものではないが、例示する
と、ガラス基板、ポリエチレン板、ポリエーテルサルフ
ォン板、ポリプロピレン板等の透明樹脂があげられる。
本発明に係わる有機ＥＬ素子の各層の形成は、真空蒸
着、スパッタリング等の乾式成膜法やスピンコーティン
グ、ディッピング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用
することができる。膜厚は特に限定されるものではない
が、各層は適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚
すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が
必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホー
ル等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得
られない。通常の膜厚は１０ｎｍから１０μｍの範囲で
あり、好ましくは１００オングストロームから２０００
オングストロームの範囲である。
【００２３】湿式成膜法の場合、各層を形成する材料
を、クロロフォルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン
等の適切な溶媒に溶解または分散させた液を使用して薄
膜を形成するが、その溶媒はいずれであっても良い。ま
た、いずれの有機層においても、成膜性向上、膜のピン
ホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用しても良
い。このような樹脂としては、ポリスチレン、ポリカー
ボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミ
ド、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリ
メチルアクリレート等の絶縁性樹脂、ポリ−Ｎ−ビニル
カルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオ
フェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げることがで
きる。
を、クロロフォルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン
等の適切な溶媒に溶解または分散させた液を使用して薄
膜を形成するが、その溶媒はいずれであっても良い。ま
た、いずれの有機層においても、成膜性向上、膜のピン
ホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用しても良
い。このような樹脂としては、ポリスチレン、ポリカー
ボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミ
ド、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリ
メチルアクリレート等の絶縁性樹脂、ポリ−Ｎ−ビニル
カルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオ
フェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げることがで
きる。
【００２４】本有機ＥＬ素子は、発光層、正孔注入層、
電子注入層において、必要があれば、一般式［２］の化
合物に加えて、公知の発光物質、発光補助材料、正孔輸
送材料、電子輸送材料を使用することもできる。その場
合、一般式［２］の化合物を主発光物質として、下記公
知の発光補助材料をドーピングして、または、下記公知
の発光補助材料を主発光物質として一般式［２］の化合
物をドーピングして、適切な発光輝度、発光波長を有す
る有機ＥＬ素子を得ることができる。発光補助材料のド
ーピング量は、それぞれの材料によって異なり、いずれ
の量であっても良いが、発光物質１００重量部に対して
発光補助材料は０．１〜５０重量部、好ましくは０．５
〜１０重量部のドーピング量が望ましい。
電子注入層において、必要があれば、一般式［２］の化
合物に加えて、公知の発光物質、発光補助材料、正孔輸
送材料、電子輸送材料を使用することもできる。その場
合、一般式［２］の化合物を主発光物質として、下記公
知の発光補助材料をドーピングして、または、下記公知
の発光補助材料を主発光物質として一般式［２］の化合
物をドーピングして、適切な発光輝度、発光波長を有す
る有機ＥＬ素子を得ることができる。発光補助材料のド
ーピング量は、それぞれの材料によって異なり、いずれ
の量であっても良いが、発光物質１００重量部に対して
発光補助材料は０．１〜５０重量部、好ましくは０．５
〜１０重量部のドーピング量が望ましい。
【００２５】公知の発光物質または発光物質の補助材料
としては、アントラセン、ナフタレン、フェナントレ
ン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオ
レセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレ
ン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジ
フェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマ
リン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサ
ゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエ
ン、オキシン、アミノキノリン、イミン、ジフェニルエ
チレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、
ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミ
ダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリドン
等およびそれらの誘導体があるが、これらに限定される
ものではない。
としては、アントラセン、ナフタレン、フェナントレ
ン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオ
レセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレ
ン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジ
フェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマ
リン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサ
ゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエ
ン、オキシン、アミノキノリン、イミン、ジフェニルエ
チレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、
ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミ
ダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリドン
等およびそれらの誘導体があるが、これらに限定される
ものではない。
【００２６】正孔輸送材料としては、正孔を輸送する能
力を持ち、発光層または発光物質に対して優れた正孔注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層ま
たは電子輸送材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。具体的には、フタロシアニ
ン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、ポルフィリン
系化合物、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾ
ール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリ
ン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾ
ール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾ
ン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、
ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型ト
リフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等
と、それらの誘導体、およびポリビニルカルバゾール、
ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料等があるが、
これらに限定されるものではない。
力を持ち、発光層または発光物質に対して優れた正孔注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層ま
たは電子輸送材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。具体的には、フタロシアニ
ン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、ポルフィリン
系化合物、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾ
ール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリ
ン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾ
ール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾ
ン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、
ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型ト
リフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等
と、それらの誘導体、およびポリビニルカルバゾール、
ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料等があるが、
これらに限定されるものではない。
【００２７】電子輸送材料としては、電子を輸送する能
力を持ち、発光層または発光物質に対して優れた電子注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層ま
たは正孔輸送材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。例えば、フルオレノン、ア
ントラキノジメタン、ジフェニルキノン、チオピランジ
オキシド、オキサジアゾール、ペリレンテトラカルボン
酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、
アントロン等とそれらの誘導体があるが、これらに限定
されるものではない。また、正孔輸送材料に電子受容物
質を、電子輸送材料に電子供与性物質を添加することに
より増感させることもできる。
力を持ち、発光層または発光物質に対して優れた電子注
入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層ま
たは正孔輸送材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の
優れた化合物が挙げられる。例えば、フルオレノン、ア
ントラキノジメタン、ジフェニルキノン、チオピランジ
オキシド、オキサジアゾール、ペリレンテトラカルボン
酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、
アントロン等とそれらの誘導体があるが、これらに限定
されるものではない。また、正孔輸送材料に電子受容物
質を、電子輸送材料に電子供与性物質を添加することに
より増感させることもできる。
【００２８】図１，２および３に示される有機ＥＬ素子
において、一般式［２］の化合物は、発光層に使用する
ことができ、発光物質、発光補助材料、正孔輸送材料お
よび電子輸送材料の少なくとも１種が同一層に含有され
てもよい。また、本発明により得られた有機ＥＬ素子
の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のため
に、素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル等
を封入して素子全体を保護することも可能である。以上
のように、本発明では有機ＥＬ素子に一般式［２］の化
合物を用いたため、発光効率と発光輝度を高くできた。
また、この素子は熱や電流に対して非常に安定であり、
さらには低い駆動電圧で実用的に使用可能の発光輝度が
得られるため、従来まで大きな問題であった劣化も大幅
に低下させることができた。本発明の有機ＥＬ素子は、
壁掛けテレビ等のフラットパネルディスプレイや、平面
発光体として、複写機やプリンター等の光源、液晶ディ
スプレイや計器類等の光源、表示板、標識灯等へ応用が
考えられ、その工業的価値は非常に大きい。
において、一般式［２］の化合物は、発光層に使用する
ことができ、発光物質、発光補助材料、正孔輸送材料お
よび電子輸送材料の少なくとも１種が同一層に含有され
てもよい。また、本発明により得られた有機ＥＬ素子
の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のため
に、素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル等
を封入して素子全体を保護することも可能である。以上
のように、本発明では有機ＥＬ素子に一般式［２］の化
合物を用いたため、発光効率と発光輝度を高くできた。
また、この素子は熱や電流に対して非常に安定であり、
さらには低い駆動電圧で実用的に使用可能の発光輝度が
得られるため、従来まで大きな問題であった劣化も大幅
に低下させることができた。本発明の有機ＥＬ素子は、
壁掛けテレビ等のフラットパネルディスプレイや、平面
発光体として、複写機やプリンター等の光源、液晶ディ
スプレイや計器類等の光源、表示板、標識灯等へ応用が
考えられ、その工業的価値は非常に大きい。
【００２９】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に
説明する。例中で部とは重量部を表す。 （合成例）
説明する。例中で部とは重量部を表す。 （合成例）
【００３０】化合物（２２）の合成
フラスコ中に、Ｎ−メチル−９−ヒドロアクリジン１
９．５部、Ｎ−ブロモコハク酸イミド１７．８部、ベン
ゾイルパーオキサイド３部、四塩化炭素３００部を入れ
て、６０℃で５時間加熱する。えられた化合物をろ過水
洗して１６．３部の化合物を得た。化学分析の結果、９
−ヒドロ−９−ブロモ−Ｎ−メチルアクリジンであるこ
とを確認した。次に、フラスコ中に、９−ヒドロ−９−
ブロモ−Ｎ−メチルアクリジン１０部、Ｎ−メチルアク
リドン７．１部、トリエチルフォスファイト３０部を入
れて、１００℃で１０時間加熱する。得られた化合物を
ろ過水洗して１２．６部の化合物を得た。化学分析の結
果、化合物（２２）であることを確認した。
９．５部、Ｎ−ブロモコハク酸イミド１７．８部、ベン
ゾイルパーオキサイド３部、四塩化炭素３００部を入れ
て、６０℃で５時間加熱する。えられた化合物をろ過水
洗して１６．３部の化合物を得た。化学分析の結果、９
−ヒドロ−９−ブロモ−Ｎ−メチルアクリジンであるこ
とを確認した。次に、フラスコ中に、９−ヒドロ−９−
ブロモ−Ｎ−メチルアクリジン１０部、Ｎ−メチルアク
リドン７．１部、トリエチルフォスファイト３０部を入
れて、１００℃で１０時間加熱する。得られた化合物を
ろ過水洗して１２．６部の化合物を得た。化学分析の結
果、化合物（２２）であることを確認した。
【００３１】
【００３２】
【００３３】
【００３４】
【００３５】実施例１
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、Ｎ，Ｎ'―ジフ
ェニル―Ｎ，Ｎ'―（３―メチルフェニル）―１，１'―
ビフェニル―４，４'―ジアミンを真空蒸着して、３０
０オングストロームの膜厚の正孔注入層を得た。次い
で、真空蒸着法により化合物（２３）の膜厚５００オン
グストロームの発光層を作成し、その上に、マグネシウ
ムと銀を１０：１で混合した合金で１５００オングスト
ロームの膜厚の電極を形成して図２に示す有機ＥＬ素子
を得た。正孔注入層および発光層は１０-6Ｔｏｒｒの真
空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子
は、直流電圧１０Ｖで約１９０ｃｄ／ｍ2の発光が得ら
れた。この結果から、本発明の化合物は電子輸送をする
発光物質であることが解る。
ェニル―Ｎ，Ｎ'―（３―メチルフェニル）―１，１'―
ビフェニル―４，４'―ジアミンを真空蒸着して、３０
０オングストロームの膜厚の正孔注入層を得た。次い
で、真空蒸着法により化合物（２３）の膜厚５００オン
グストロームの発光層を作成し、その上に、マグネシウ
ムと銀を１０：１で混合した合金で１５００オングスト
ロームの膜厚の電極を形成して図２に示す有機ＥＬ素子
を得た。正孔注入層および発光層は１０-6Ｔｏｒｒの真
空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子
は、直流電圧１０Ｖで約１９０ｃｄ／ｍ2の発光が得ら
れた。この結果から、本発明の化合物は電子輸送をする
発光物質であることが解る。
【００３６】
【００３７】比較例１化合物（２３）の化合物の代わりに、下記化合物（２
６）を用いる以外は、実施例１と同様の方法で有機ＥＬ
素子を作製した。有機膜は透明ではなく濁っていた。こ
の素子は、直流電圧１０Ｖで８０ｃｄ／ｍ 2 の発光輝度
が得られたが、均一な面発光ではなかった。 実施例２ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（２５）
をクロロフォルムに溶解分散させ、スピンコーティング
法により発光層を形成して、５００オングストロームの
膜厚の発光層を得た。その上に、マグネシウムと銀を１
０：１で混合した合金で１５００オングストロームの膜
厚の電極を形成して図１に示す有機ＥＬ素子を得た。こ
の素子は、直流電圧１０Ｖで約２５ｃｄ／ｍ 2 の発光が
得られた。 実施例３ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（２２）
の発光層を真空蒸着法により形成させて、有機ＥＬ素子
を作製した。発光層は１０ -6 Ｔｏｒｒの真空中で、基板
温度室温の条件下で蒸着した。その上に、マグネシウム
と銀を１０：１で混合した合金で１５００オングストロ
ームの膜厚の電極を形成して図１に示す有機ＥＬ素子を
得た。この素子は、直流電圧１０Ｖで約４５ｃｄ／ｍ 2
の発光が得られた。 実施例４ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（２
４）、Ｎ，Ｎ'―ジフェニル―Ｎ，Ｎ'―（３―メチルフ
ェニル）―１，１'―ビフェニル―４，４'―ジアミン、
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールを３：２：５の比率でク
ロロフォルムに溶解分散させ、スピンコーティング法に
より５００オングストロームの膜厚の発光層を得た。そ
の上に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で
１５００オングストロームの膜厚の電極を形成して図１
に示す有機ＥＬ素子を得た。この素子は、直流電圧１０
Ｖで約８０ｃｄ／ｍ 2 の発光が得られた。 実施例５ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、Ｎ，Ｎ'―ジフ
ェニル―Ｎ，Ｎ'―（３―メチルフェニル）―１，１'―
ビフェニル―４，４'―ジアミンを真空蒸着して、３０
０オングストロームの膜厚の正孔注入層を得た。次い
で、真空蒸着法により化合物（２１）の膜厚５００オン
グストロームの発光層を作成し、その上に、マグネシウ
ムと銀を１０：１で混合した合金で１５００オングスト
ロームの膜厚の電極を形成して図２に示す有機ＥＬ素子
を得た。正孔注入層および発光層は１０ -6 Ｔｏｒｒの真
空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子
は、直流電圧１０Ｖで約１５０ｃｄ／ｍ 2 の発光が得ら
れた。この結果から、本発明の化合物は電子輸送をする
発光物質であることが解る。 実施例６ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、Ｎ，Ｎ'―ジフ
ェニル―Ｎ，Ｎ'―（３―メチルフェニル）―１，１'―
ビフェニル―４，４'―ジアミンを真空蒸着して、３０
０オングストロームの膜厚の正孔注入層を得た。次い
で、真空蒸着法によりトリス（８−アルミキノリノー
ル）錯体および化合物（２２）を、２０：１の割合で、
１０ -6 Ｔｏｒｒの真空中で共蒸着して膜厚５００オング
ストロームの発光層を作成し、その上にマグネシウムと
銀を１０：１で混合した合金で１５００オングストロー
ムの膜厚の電極を形成して、図２に示す有機ＥＬ素子を
得た。この素子は直流電圧１０Ｖで約３４０ｃｄ／ｍ 2
の発光が得られた。 比較例２ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、Ｎ，Ｎ'―ジフ
ェニル―Ｎ，Ｎ'―（３―メチルフェニル）―１，１'―
ビフェニル―４，４'―ジアミンを真空蒸着して、３０
０オングストロームの膜厚の正孔注入層を得た。次い
で、真空蒸着法によりトリス（８−アルミキノリノー
ル）錯体を１０ -6 Ｔｏｒｒの真空中で共蒸着して膜厚５
００オングストロームの発光層を作成し、その上にマグ
ネシウムと銀を１０：１で混合した合金で１５００オン
グストロームの膜厚の電極を形成して、図２に示す有機
ＥＬ素子を得た。この素子は直流電圧１０Ｖで約１２０
ｃｄ／ｍ 2 の発光が得られた。
６）を用いる以外は、実施例１と同様の方法で有機ＥＬ
素子を作製した。有機膜は透明ではなく濁っていた。こ
の素子は、直流電圧１０Ｖで８０ｃｄ／ｍ 2 の発光輝度
が得られたが、均一な面発光ではなかった。 実施例２ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（２５）
をクロロフォルムに溶解分散させ、スピンコーティング
法により発光層を形成して、５００オングストロームの
膜厚の発光層を得た。その上に、マグネシウムと銀を１
０：１で混合した合金で１５００オングストロームの膜
厚の電極を形成して図１に示す有機ＥＬ素子を得た。こ
の素子は、直流電圧１０Ｖで約２５ｃｄ／ｍ 2 の発光が
得られた。 実施例３ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（２２）
の発光層を真空蒸着法により形成させて、有機ＥＬ素子
を作製した。発光層は１０ -6 Ｔｏｒｒの真空中で、基板
温度室温の条件下で蒸着した。その上に、マグネシウム
と銀を１０：１で混合した合金で１５００オングストロ
ームの膜厚の電極を形成して図１に示す有機ＥＬ素子を
得た。この素子は、直流電圧１０Ｖで約４５ｃｄ／ｍ 2
の発光が得られた。 実施例４ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（２
４）、Ｎ，Ｎ'―ジフェニル―Ｎ，Ｎ'―（３―メチルフ
ェニル）―１，１'―ビフェニル―４，４'―ジアミン、
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールを３：２：５の比率でク
ロロフォルムに溶解分散させ、スピンコーティング法に
より５００オングストロームの膜厚の発光層を得た。そ
の上に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で
１５００オングストロームの膜厚の電極を形成して図１
に示す有機ＥＬ素子を得た。この素子は、直流電圧１０
Ｖで約８０ｃｄ／ｍ 2 の発光が得られた。 実施例５ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、Ｎ，Ｎ'―ジフ
ェニル―Ｎ，Ｎ'―（３―メチルフェニル）―１，１'―
ビフェニル―４，４'―ジアミンを真空蒸着して、３０
０オングストロームの膜厚の正孔注入層を得た。次い
で、真空蒸着法により化合物（２１）の膜厚５００オン
グストロームの発光層を作成し、その上に、マグネシウ
ムと銀を１０：１で混合した合金で１５００オングスト
ロームの膜厚の電極を形成して図２に示す有機ＥＬ素子
を得た。正孔注入層および発光層は１０ -6 Ｔｏｒｒの真
空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子
は、直流電圧１０Ｖで約１５０ｃｄ／ｍ 2 の発光が得ら
れた。この結果から、本発明の化合物は電子輸送をする
発光物質であることが解る。 実施例６ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、Ｎ，Ｎ'―ジフ
ェニル―Ｎ，Ｎ'―（３―メチルフェニル）―１，１'―
ビフェニル―４，４'―ジアミンを真空蒸着して、３０
０オングストロームの膜厚の正孔注入層を得た。次い
で、真空蒸着法によりトリス（８−アルミキノリノー
ル）錯体および化合物（２２）を、２０：１の割合で、
１０ -6 Ｔｏｒｒの真空中で共蒸着して膜厚５００オング
ストロームの発光層を作成し、その上にマグネシウムと
銀を１０：１で混合した合金で１５００オングストロー
ムの膜厚の電極を形成して、図２に示す有機ＥＬ素子を
得た。この素子は直流電圧１０Ｖで約３４０ｃｄ／ｍ 2
の発光が得られた。 比較例２ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、Ｎ，Ｎ'―ジフ
ェニル―Ｎ，Ｎ'―（３―メチルフェニル）―１，１'―
ビフェニル―４，４'―ジアミンを真空蒸着して、３０
０オングストロームの膜厚の正孔注入層を得た。次い
で、真空蒸着法によりトリス（８−アルミキノリノー
ル）錯体を１０ -6 Ｔｏｒｒの真空中で共蒸着して膜厚５
００オングストロームの発光層を作成し、その上にマグ
ネシウムと銀を１０：１で混合した合金で１５００オン
グストロームの膜厚の電極を形成して、図２に示す有機
ＥＬ素子を得た。この素子は直流電圧１０Ｖで約１２０
ｃｄ／ｍ 2 の発光が得られた。
【００３８】実施例６および比較例２の結果から、本発
明の化合物を、他の公知発光物質の発光補助材料とし
て、発光層中にドーピングすることによって、発光輝度
を大幅に改良出来ることが解った。さらには１ｍＡ／ｃ
ｍ2で連続発光させたところ、発光時間も５倍以上改良
されていることが解った。
明の化合物を、他の公知発光物質の発光補助材料とし
て、発光層中にドーピングすることによって、発光輝度
を大幅に改良出来ることが解った。さらには１ｍＡ／ｃ
ｍ2で連続発光させたところ、発光時間も５倍以上改良
されていることが解った。
【００３９】実施例７
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、Ｎ，Ｎ'―ジフ
ェニル―Ｎ，Ｎ'―（３―メチルフェニル）―１，１'―
ビフェニル―４，４'―ジアミンを真空蒸着して、膜厚
３００オングストロームの正孔注入層を得た。次いで、
真空蒸着法により化合物（２５）の膜厚２００オングス
トロームの発光層を作成し、さらに真空蒸着法により
［２−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（ビフ
ェニル）−１，３，４−オキサジアゾール］の膜厚２０
０オングストロームの電子注入層を得た。その上に、マ
グネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜厚１５０
０オングストロームの電極を形成して図３に示す有機Ｅ
Ｌ素子を得た。この素子は、直流電圧１０Ｖで約２９０
ｃｄ／ｍ2の発光が得られた。比較例３ 化合物（２５）の化合物の代わりに、下記化合物（２
７）を用いる以外は、実施例７と同様の方法で有機ＥＬ
素子を作製した。この素子は、直流電圧１０Ｖで１４０
ｃｄ／ｍ 2 の発光輝度が得られたが、１ｍＡ／ｃｍ 2 で連
続発光させたところ、約４００時間で輝度が半減した。
ェニル―Ｎ，Ｎ'―（３―メチルフェニル）―１，１'―
ビフェニル―４，４'―ジアミンを真空蒸着して、膜厚
３００オングストロームの正孔注入層を得た。次いで、
真空蒸着法により化合物（２５）の膜厚２００オングス
トロームの発光層を作成し、さらに真空蒸着法により
［２−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（ビフ
ェニル）−１，３，４−オキサジアゾール］の膜厚２０
０オングストロームの電子注入層を得た。その上に、マ
グネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜厚１５０
０オングストロームの電極を形成して図３に示す有機Ｅ
Ｌ素子を得た。この素子は、直流電圧１０Ｖで約２９０
ｃｄ／ｍ2の発光が得られた。比較例３ 化合物（２５）の化合物の代わりに、下記化合物（２
７）を用いる以外は、実施例７と同様の方法で有機ＥＬ
素子を作製した。この素子は、直流電圧１０Ｖで１４０
ｃｄ／ｍ 2 の発光輝度が得られたが、１ｍＡ／ｃｍ 2 で連
続発光させたところ、約４００時間で輝度が半減した。
【００４０】本実施例で示された全ての有機ＥＬ素子に
ついて、１ｍＡ／ｃｍ2で連続発光させたところ、１０
００時間以上安定な発光を観測することができた。本発
明の有機ＥＬ素子は発光効率、発光輝度の向上と長寿命
化を達成するものであり、併せて使用される発光物質、
発光補助材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、増感剤、
樹脂、電極材料等および素子作製方法を限定するもので
はない。
ついて、１ｍＡ／ｃｍ2で連続発光させたところ、１０
００時間以上安定な発光を観測することができた。本発
明の有機ＥＬ素子は発光効率、発光輝度の向上と長寿命
化を達成するものであり、併せて使用される発光物質、
発光補助材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、増感剤、
樹脂、電極材料等および素子作製方法を限定するもので
はない。
【００４１】
【発明の効果】本発明により、従来に比べて高発光効
率、高輝度であり、長寿命の有機ＥＬ素子を得ることが
できた。
率、高輝度であり、長寿命の有機ＥＬ素子を得ることが
できた。
【００４２】
【図１】実施例１、２、３で使用した有機ＥＬ素子の概
略構造を表す断面図
略構造を表す断面図
【図２】実施例４、５、６および比較例１で使用した有
機ＥＬ素子の概略構造を表す断面図
機ＥＬ素子の概略構造を表す断面図
【図３】実施例７で使用した有機ＥＬ素子の概略構造を
表す断面図
表す断面図
１．基板
２．電極Ａ
３．正孔注入層
４．発光層
５．電子注入層
６．電極Ｂ
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平５−70773（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−177486（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−255190（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−62584（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−37884（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−28197（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−237993（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−230997（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−302081（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−206865（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−311591（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−220441（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−220440（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−184532（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−271846（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−244042（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−136860（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C09K 11/06
H05B 33/14
H05B 33/22
G03G 5/06
ＣＡ（ＳＴＮ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (2)
- 【請求項１】下記一般式［２］で示される有機エレクト
ロルミネッセンス素子の発光材料。 一般式［２］ 【化１】 ［式中、Ａ2は、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＮＲ25、Ｐ
Ｒ26、ＳＯ2、ＣＨ2、ＣＨ＝ＣＨ、Ｃ＝Ｃ（ＣＮ）2、
Ｃ＝Ｘ、ＣＲ28Ｒ29を示し、Ｂ2は、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔ
ｅ、ＮＲ25、ＰＲ26、ＣＨ2、ＣＨ＝ＣＨ、ＣＲ28Ｒ29
を示す。また、Ａ2もしくはＢ2は、Ａ2もしくはＢ2を介
在することなしに直接結合していてもよい。ここで、Ｒ
9ないしＲ29は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン
原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エステル基、モ
ノまたはジ置換アミノ基、アシルアミノ基、水酸基、ア
ルコキシ基、メルカプト基、アルキルオキシ基、アルキ
ルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、シロキ
シ基、アシル基、シクロアルキル基、カルバモイル基、
カルボン酸基、スルフォン酸基、置換もしくは未置換の
脂肪族基、置換もしくは未置換の脂肪族式環基、置換も
しくは未置換の炭素環式芳香族環基、置換もしくは未置
換の複素環式芳香族環基、置換もしくは未置換の複素環
基を表す。ＸはＯ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅを表す。］ - 【請求項２】 一対の電極間に一層または複数層の有機
化合物薄膜よりなる発光層を備えた有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、発光層に含まれる発光材料が
請求項１記載の発光材料であることを特徴とする請求項
１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08289893A JP3409356B2 (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08289893A JP3409356B2 (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06293883A JPH06293883A (ja) | 1994-10-21 |
| JP3409356B2 true JP3409356B2 (ja) | 2003-05-26 |
Family
ID=13787085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08289893A Expired - Fee Related JP3409356B2 (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3409356B2 (ja) |
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| US6291442B1 (en) | 1998-02-03 | 2001-09-18 | The General Hospital Corporation | Pharmacological modulators of voltage-gated potassium ion channels |
| KR101243918B1 (ko) * | 2006-01-03 | 2013-03-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 청색 발광 고분자, 그 제조방법 및 이를 채용한 유기 전계발광 소자 |
| WO2009047147A1 (de) | 2007-10-02 | 2009-04-16 | Basf Se | Verwendung von acridinderivaten als matrixmaterialien und/oder elektronenblocker in oleds |
| CN103012098B (zh) * | 2012-12-18 | 2016-02-03 | 华东师范大学 | 芴的衍生物及其制备方法 |
| JP6552201B2 (ja) * | 2015-01-19 | 2019-07-31 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子 |
| JP6471998B2 (ja) * | 2015-01-20 | 2019-02-20 | Jnc株式会社 | アクリジン系化合物およびこれを用いた有機薄膜デバイス |
| US10680184B2 (en) | 2016-07-11 | 2020-06-09 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
-
1993
- 1993-04-09 JP JP08289893A patent/JP3409356B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06293883A (ja) | 1994-10-21 |
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|---|---|---|---|
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