JP3402185B2 - Method of forming metallized layer of pedestal for semiconductor pressure sensor - Google Patents
Method of forming metallized layer of pedestal for semiconductor pressure sensorInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイアフラムの形
成された半導体圧力センサチップと台座とを接合してな
る半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法に
関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a metallized layer of a semiconductor pressure sensor pedestal, which is formed by joining a semiconductor pressure sensor chip having a diaphragm and a pedestal.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体圧力センサは微圧領域の
圧力の測定を行うものであり、図４に示すように、凹部
を形成することにより薄肉状に形成されたダイアフラム
１１を有する半導体圧力センサチップ１がガラス台座２
に陽極接合等により接合され、中心にコバール製又は４
２アロイ等の金属パイプ４が配置されたＰＰＳやＰＢＴ
等のプラスチックパッケージ３内に設置される。半導体
圧力センサチップ１表面のアルミパッドとリード５とは
金又はアルミ製のワイヤ６で接続されている。なお、７
はプラスチックパッケージ３の蓋であり、１２は半導体
圧力センサチップ１に形成された歪みゲージ抵抗であ
り、１３は半導体圧力センサチップ１の表面を保護する
オーバーコートである。ガラス台座２の材料としては、
例えばパイレックスガラス（コーニング社製、品番♯７
７４０等）が用いられる。2. Description of the Related Art Generally, a semiconductor pressure sensor measures a pressure in a low pressure region, and as shown in FIG. 4, a semiconductor pressure sensor having a diaphragm 11 formed in a thin shape by forming a recess. Chip 1 is glass pedestal 2
To the center by anodic bonding, etc.
PPS or PBT with metal pipe 4 such as 2 alloy
Etc. are installed in the plastic package 3. The aluminum pad on the surface of the semiconductor pressure sensor chip 1 and the lead 5 are connected by a wire 6 made of gold or aluminum. In addition, 7
Is a lid of the plastic package 3, 12 is a strain gauge resistor formed on the semiconductor pressure sensor chip 1, and 13 is an overcoat for protecting the surface of the semiconductor pressure sensor chip 1. As the material of the glass pedestal 2,
For example, Pyrex glass (made by Corning, product number # 7
740) is used.
【０００３】ガラス台座２の中心部には、半導体圧力セ
ンサチップ１のダイアフラム１１に圧力を印加するため
の貫通孔２１が形成され、ガラス台座２はこの貫通孔２
１と金属パイプ４の貫通孔４１とが対向するような配置
で、金属パイプ４に接合される。ガラス台座２と金属パ
イプ４とを接合するために、ガラス台座２の半導体圧力
センサチップ１と接合しない側の面にはメタライズ層８
が形成される。A through hole 21 for applying pressure to the diaphragm 11 of the semiconductor pressure sensor chip 1 is formed in the center of the glass pedestal 2, and the glass pedestal 2 has this through hole 2
1 and the through hole 41 of the metal pipe 4 are arranged to face each other and are joined to the metal pipe 4. In order to bond the glass pedestal 2 and the metal pipe 4, the metallization layer 8 is formed on the surface of the glass pedestal 2 which is not bonded to the semiconductor pressure sensor chip 1.
Is formed.
【０００４】ガラス台座２へのメタライズ層８の形成
は、まず、図５（ａ）に示すように、メタライズ層８を
形成すべき面の表面粗化を行い、次に、図５（ｂ）に示
すように、ガラス台座２を平面プレート１０上に密着し
て設置し、スパッタリングや蒸着により表面粗化した面
にメタライズ層８を形成する。メタライズ層８の例とし
ては、Ｃｒ（最下層）／Ｎｉ／Ａｕ（最上層）、Ｔｉ
（最下層）／Ｎｉ／Ａｕ（最上層）、Ｔｉ（最下層）／
Ｐｔ／Ａｕ（最上層）等が挙げられる。その後、図５
（ｃ）に示すように、ガラス台座２を平面プレート１０
から取り外す。To form the metallized layer 8 on the glass pedestal 2, first, as shown in FIG. 5 (a), the surface on which the metallized layer 8 is to be formed is roughened, and then, as shown in FIG. 5 (b). As shown in FIG. 3, the glass pedestal 2 is placed in close contact with the flat plate 10, and the metallized layer 8 is formed on the surface roughened by sputtering or vapor deposition. Examples of the metallized layer 8 include Cr (lowermost layer) / Ni / Au (uppermost layer), Ti
(Bottom layer) / Ni / Au (top layer), Ti (bottom layer) /
Examples include Pt / Au (uppermost layer). After that, FIG.
As shown in (c), the glass pedestal 2 is attached to the flat plate 10
Remove from.
【０００５】そして、金属パイプ４とガラス台座２とが
メタライズ層８を介して半田（錫、錫−アンチモン合
金、鉛、錫−鉛合金、金−シリコン合金、錫−銀合金
等）９により接合される。メタライズ層８の最上層のＡ
ｕの表面には半田９が塗れるのである。Then, the metal pipe 4 and the glass pedestal 2 are joined by a solder (tin, tin-antimony alloy, lead, tin-lead alloy, gold-silicon alloy, tin-silver alloy, etc.) 9 via the metallized layer 8. To be done. A of the uppermost layer of the metallized layer 8
Solder 9 can be applied to the surface of u.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようなガラス台座２へのメタライズ層８の形成方法によ
れば、ガラス台座２の平面プレート１０に接している方
の面はメタライズされることはないが、貫通孔２１の内
壁にはメタル粒子が付着し、メタライズ層８が形成され
てしまう。However, according to the method of forming the metallized layer 8 on the glass pedestal 2 as described above, the surface of the glass pedestal 2 which is in contact with the flat plate 10 is not metallized. However, the metal particles adhere to the inner wall of the through hole 21 and the metallized layer 8 is formed.
【０００７】貫通孔２１の内壁にメタライズ層８が形成
されてしまうと、図６に示すように、ガラス台座２と半
導体圧力センサチップ１とを陽極接合する場合、高温
（約３００℃から４００℃）中で、高バイアス（約５０
０Ｖから８００Ｖ）が印加されるため、半導体圧力セン
サチップ１のガラス台座２との接合面の貫通孔２１に近
い個所と、貫通孔２１の内壁の上端部に形成されたメタ
ライズ層８との間で放電が生じ、半導体圧力センサチッ
プ１が破壊してしまうという問題があった。When the metallized layer 8 is formed on the inner wall of the through hole 21, as shown in FIG. 6, when the glass pedestal 2 and the semiconductor pressure sensor chip 1 are anodically bonded, a high temperature (about 300 to 400 ° C.) is obtained. ), High bias (about 50
Since 0 V to 800 V) is applied, between the portion of the bonding surface of the semiconductor pressure sensor chip 1 with the glass pedestal 2 near the through hole 21 and the metallization layer 8 formed on the upper end of the inner wall of the through hole 21. However, there is a problem in that the semiconductor pressure sensor chip 1 is destroyed due to discharge.
【０００８】このような問題を改善するために、メタラ
イズ層８の形成に際して、図７に示すように、ガラス台
座２の貫通孔２１内にワックス２０を充填する方法があ
る。つまり、図７（ａ）に示すように、メタライズ層８
を形成すべき面の表面粗化を行い、図７（ｂ）に示すよ
うに、ガラス台座２を平面プレート１０上に密着して設
置した段階で、貫通孔２１内にワックス２０を充填す
る。ワックス２０は約１００℃から１５０℃程度の熱で
溶けるものを使用するが、メタライズ層８の形成時に加
わる温度によってはワックス２０の種類は適宜変更すれ
ば良い。ワックス２０の貫通孔２１内への充填方法は、
例えば、ディスペンサ等を用いて針先からワックスを吐
出することにより行う。その後、図７（ｃ）に示すよう
に、スパッタリングや蒸着により表面粗化した面にメタ
ライズ層８を形成する。メタライズ層８の形成完了後、
図７（ｄ）に示すように、ガラス台座２を平面プレート
１０から取り外し、ガラス台座２をを加熱することによ
り、貫通孔２１内に充填されたワックス２０を溶融して
除去する。このようにすることにより、貫通孔２１内に
メタライズ層８が形成されてしまうことを防止してい
た。In order to solve such a problem, there is a method of filling the through hole 21 of the glass pedestal 2 with the wax 20 when forming the metallized layer 8 as shown in FIG. That is, as shown in FIG. 7A, the metallization layer 8
The surface to be formed is roughened, and as shown in FIG. 7B, the wax 20 is filled in the through holes 21 at the stage where the glass pedestal 2 is placed in close contact with the flat plate 10. The wax 20 used is one that melts with heat of about 100 ° C. to 150 ° C., but the type of the wax 20 may be appropriately changed depending on the temperature applied when the metallized layer 8 is formed. The method for filling the wax 20 into the through hole 21 is as follows.
For example, the wax is ejected from the needle tip using a dispenser or the like. Then, as shown in FIG. 7C, a metallized layer 8 is formed on the surface roughened by sputtering or vapor deposition. After completing the formation of the metallized layer 8,
As shown in FIG. 7D, the glass pedestal 2 is removed from the flat plate 10 and the glass pedestal 2 is heated to melt and remove the wax 20 filled in the through holes 21. By doing so, the metallized layer 8 is prevented from being formed in the through hole 21.
【０００９】しかしながら、この場合には、貫通孔２１
内へのワックス２０の充填という工程が余分に増え、コ
ストアップになる。また、ワックスが貫通孔２１内以外
の周囲のガラス台座２面上に飛び散った場合、ワックス
上にメタライズ層８を形成してしまうことになり、メタ
ライズ層８のガラス台座２表面との接着力が低下する。
さらに、メタライズ層８の形成後、貫通孔２１内に充填
されたワックス２０を溶融して除去するが、このワック
ス２０の残さがガラス台座２の半導体圧力センサチップ
１と接合する面上に回り込むと、ガラス台座２と半導体
圧力センサチップ１との接合品質に著しい影響を及ぼす
ことになる。つまり、接合されず空隙（ボイド）が発生
したりして接合強度が低下する。ワックス２０の残さを
除去するために溶融有機溶剤（アセトン、イソプロピル
アルコール等）で洗浄することも考えられるが、洗浄工
程が増えるし、洗浄後の残さレベルの確認等、品質管理
が難しい。特に、ワックス２０が不透明な場合には、目
視検査ができず、洗浄性の評価ができないという問題が
あった。However, in this case, the through hole 21
An extra step of filling the wax 20 into the inside increases, resulting in an increase in cost. Further, when the wax is scattered on the surface of the glass pedestal 2 other than inside the through hole 21, the metallized layer 8 is formed on the wax, and the adhesive force of the metallized layer 8 to the surface of the glass pedestal 2 is increased. descend.
Further, after the metallized layer 8 is formed, the wax 20 filled in the through holes 21 is melted and removed. When the residue of the wax 20 wraps around on the surface of the glass pedestal 2 that is bonded to the semiconductor pressure sensor chip 1. Therefore, the bonding quality between the glass pedestal 2 and the semiconductor pressure sensor chip 1 is significantly affected. That is, voids (voids) are generated without joining, and the joining strength is reduced. Cleaning with a molten organic solvent (acetone, isopropyl alcohol, etc.) may be considered to remove the residue of the wax 20, but the number of cleaning steps increases and quality control such as confirmation of the residue level after cleaning is difficult. In particular, when the wax 20 is opaque, there is a problem that the visual inspection cannot be performed and the cleaning property cannot be evaluated.
【００１０】本発明は、上記の点に鑑みてなしたもので
あり、その目的とするところは、台座の貫通孔の内壁に
メタライズ層が形成されず、工程が増加することもな
く、接合信頼性のよい半導体圧力センサ用台座のメタラ
イズ層の形成方法を提供することにある。The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is that a metallized layer is not formed on the inner wall of the through hole of the pedestal, the number of steps is not increased, and the bonding reliability is improved. Another object of the present invention is to provide a method of forming a metallized layer of a pedestal for a semiconductor pressure sensor having good properties.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
凹部を形成することにより薄肉状に形成されたダイアフ
ラムを有する半導体圧力センサチップと、前記ダイアフ
ラムに圧力を導入するための貫通孔が形成され、前記半
導体圧力センサチップに接合される台座とを有してなる
半導体圧力センサにおける前記台座の前記半導体圧力セ
ンサチップと接合しない側の面にメタライズ層を形成す
る方法であって、前記台座の貫通孔の形状より大きな形
状を有する球状体で該貫通孔を塞ぐように当接させ、球
状体を貫通孔に当接させた状態で、球状体を当接した側
からスパッタリングあるいは蒸着によりメタライズ層を
形成する方法において、前記球状体を樹脂製とし、台座
をメタライズ層を形成しない面を下にして、真空吸引で
きる真空ステージに形成された多孔質セラミックからな
る真空プレート上に設置し、真空吸引で前記球状体を吸
引することにより球状体を貫通孔に当接させるようにし
たことを特徴とするものである。The invention according to claim 1 is
It has a semiconductor pressure sensor chip having a diaphragm formed thin by forming a recess, and a pedestal in which a through hole for introducing pressure to the diaphragm is formed and which is joined to the semiconductor pressure sensor chip. A method of forming a metallization layer on the surface of the pedestal of the semiconductor pressure sensor which is not joined to the semiconductor pressure sensor chip, wherein the through hole is formed in a spherical body having a shape larger than the shape of the through hole of the pedestal. In a method of forming a metallized layer by sputtering or vapor deposition from the side where the spherical body is in contact with the spherical body in contact with the spherical body in the through hole, the spherical body is made of resin, and the pedestal is used.
By vacuum suction with the side without the metallized layer facing down.
Made of porous ceramics formed on a vacuum stage
Installed on a vacuum plate, and suck the spherical body with vacuum suction.
It is characterized in that it has a so that is brought into contact with the spherical body in the through hole by pulling.
【００１２】請求項２記載の発明は、凹部を形成するこ
とにより薄肉状に形成されたダイアフラムを有する半導
体圧力センサチップと、前記ダイアフラムに圧力を導入
するための貫通孔が形成され、前記半導体圧力センサチ
ップに接合される台座とを有してなる半導体圧力センサ
における前記台座の前記半導体圧力センサチップと接合
しない側の面にメタライズ層を形成する方法であって、
前記台座の貫通孔の形状より大きな形状を有する球状体
で該貫通孔を塞ぐように当接させ、球状体を貫通孔に当
接させた状態で、球状体を当接した側からスパッタリン
グあるいは蒸着によりメタライズ層を形成する方法にお
いて、前記球状体を樹脂製とし、台座をメタライズ層を
形成しない面を下にして、静電板からなるステージ上に
設置し、静電板と前記球状体とを互いに逆極性に帯電さ
せ、静電気による吸引により、球状体を貫通孔に当接さ
せるようにしたことを特徴とするものである。According to a second aspect of the present invention, a recess is formed.
A semiconductor having a diaphragm formed thinly by
Introduce pressure to the body pressure sensor chip and the diaphragm
Through holes for forming the semiconductor pressure sensor
Pressure sensor having a pedestal joined to the cup
The pedestal with the semiconductor pressure sensor chip
A method for forming a metallized layer on the surface not to be formed,
A spherical body having a shape larger than the shape of the through hole of the pedestal
Abutting so that the through hole is blocked, and the spherical body touches the through hole.
While in contact, spatter
Method for forming a metallized layer by coating or vapor deposition.
The spherical body is made of resin, and the pedestal has a metallized layer.
With the surface not to be formed facing down, place it on a stage made of an electrostatic plate.
Install it and charge the electrostatic plate and the spherical body with opposite polarities.
The spherical body is brought into contact with the through hole by suction by static electricity .
【００１３】[0013]
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
を図面に基づき説明する。図１は本発明の実施の形態の
一例に係る半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形
成方法を示す工程図である。まず、図１（ａ）に示すよ
うに、円盤状のガラス台座２（直径約１００ｍｍから１
５０ｍｍ、厚み約０．５ｍｍから３ｍｍ）には、超音波
加工法等により貫通孔２１が形成されている。貫通孔２
１の大きさは直径約０．６ｍｍから１．５ｍｍである。
このガラス台座２の一方の面は表面粗化が行われる。つ
まり、ガラス台座２の一方の面に対して、目の粗い砥石
で研磨し、又は、サンドブラスト法により吐粒を吹きか
け、粗面化し、後述のメタライズ層の形成時に金属が付
着しやすいようにしておく。次に、図１（ｂ）に示すよ
うに、凹部を有するとともに該凹部につながる吸引孔３
２を有する真空ステージ３０の凹部に、多孔質セラミッ
クからなる真空プレート３１を嵌め込んでおき、真空プ
レート３１上に、メタライズ層を形成する面（表面粗化
の行われた面）を上にしてガラス台座２を載せる。次
に、ガラス台座２の貫通孔２１の形状より大きな形状を
有する樹脂製の球状体４０を、貫通孔２１の位置に対応
させて配置しておき、この状態で、吸引孔３２から真空
吸引することにより、真空プレート３１の多孔質の部分
及び貫通孔２１を介して球状体４０が吸引され、その結
果、球状体４０の外周面が貫通孔２１の端部に隙間な
く、確実に当接する。この状態で、図１（ｃ）に示すよ
うに、ガラス台座２の粗面化した面側にスパッタリング
や蒸着によりメタライズ層８を形成する。スパッタリン
グの場合には、ターゲット（メタライズ層８の材料とな
る板）のまわりを、圧力を１０-2Ｔｏｒｒ〜１０-4Ｔｏ
ｒｒにして基板や真空容器（接地）とターゲットとの間
に数百Ｖ〜数ＫＶの電圧を印加してプラズマを発生させ
る。このプラズマ中のイオンがターゲット表面の原子を
跳ね飛ばし、基板（ガラス）の上に付着することにより
膜を形成するのである。この方法でターゲットを変える
ことにより複数の金属層を積層し、メタライズ層８が形
成される。メタライズ層８の例としては、Ｃｒ（最下
層）／Ｎｉ／Ａｕ（最上層）、Ｔｉ（最下層）／Ｎｉ／
Ａｕ（最上層）、Ｔｉ（最下層）／Ｐｔ／Ａｕ（最上
層）等が挙げられる。なお、スパッタリングはメタライ
ズ層を形成する面（表面粗化の行われた面、つまり、球
状体４０が当接されている方の面）の方向から行う。そ
の後、図１（ｄ）に示すように、ガラス台座２を真空プ
レート３１から取り外すとともに、球状体４０を取り去
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An example of an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a process drawing showing a method for forming a metallized layer of a semiconductor pressure sensor pedestal according to an example of an embodiment of the present invention. First, as shown in FIG. 1A, a disk-shaped glass pedestal 2 (diameter of about 100 mm to 1
The through-hole 21 is formed in 50 mm and a thickness of about 0.5 mm to 3 mm) by an ultrasonic processing method or the like. Through hole 2
The size of 1 is about 0.6 mm to 1.5 mm in diameter.
Surface roughening is performed on one surface of the glass pedestal 2. That is, one surface of the glass pedestal 2 is polished with a coarse grindstone or is sprayed with a sandblast method to roughen the surface so that metal is easily attached when forming a metallized layer described later. deep. Next, as shown in FIG. 1B, a suction hole 3 having a recess and connected to the recess.
A vacuum plate 31 made of porous ceramic is fitted in the concave portion of the vacuum stage 30 having 2 and the surface on which the metallized layer is formed (the surface on which the surface is roughened) is faced up. Place the glass pedestal 2. Next, a resin spherical body 40 having a shape larger than the shape of the through hole 21 of the glass pedestal 2 is arranged corresponding to the position of the through hole 21, and in this state, vacuum suction is performed from the suction hole 32. As a result, the spherical body 40 is sucked through the porous portion of the vacuum plate 31 and the through hole 21, and as a result, the outer peripheral surface of the spherical body 40 surely abuts the end portion of the through hole 21 without a gap. In this state, as shown in FIG. 1C, the metallized layer 8 is formed on the roughened surface side of the glass pedestal 2 by sputtering or vapor deposition. In the case of sputtering, a pressure of 10 −2 Torr to 10 −4 To is applied around a target (a plate which is a material of the metallized layer 8).
The plasma is generated by applying a voltage of several hundred V to several KV between the target and the substrate or the vacuum container (ground) with rr. Ions in the plasma bounce off the atoms on the target surface and adhere to the substrate (glass) to form a film. By changing the target by this method, a plurality of metal layers are laminated to form the metallized layer 8. Examples of the metallized layer 8 include Cr (bottom layer) / Ni / Au (top layer), Ti (bottom layer) / Ni /
Examples thereof include Au (uppermost layer), Ti (lowermost layer) / Pt / Au (uppermost layer), and the like. The sputtering is performed from the direction of the surface on which the metallized layer is formed (the surface that has been roughened, that is, the surface on which the spherical body 40 is in contact). Thereafter, as shown in FIG. 1D, the glass pedestal 2 is removed from the vacuum plate 31 and the spherical body 40 is removed.
【００１５】また、図２は本発明の他の実施の形態に係
る半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法を
示す工程図である。本実施形態では、上述の実施形態に
おいて、球状体４０の貫通孔２１への当接方法が異な
る。つまり、ガラス台座２を導電性を有する静電プレー
ト５０上に載せる。静電プレート５０はスイッチＳＷを
介して電源に接続されており、スイッチＳＷをオンする
ことにより静電プレート５０は負に帯電する。一方、樹
脂製の球状体４０を正に帯電させておく。従って、スイ
ッチＳＷをオンすれば、負に帯電した静電プレート５０
と正に帯電した球状体４０とが互いに静電気により引き
合うので、球状体４０の外周面が貫通孔２１の端部に隙
間なく、確実に当接する。他の工程は上述の実施形態と
同等であるので、説明を省略する。なお、球状体４０を
取り外す際には、スイッチＳＷをオフすれば良い。FIG. 2 is a process diagram showing a method of forming a metallized layer of a semiconductor pressure sensor pedestal according to another embodiment of the present invention. In this embodiment, the method of contacting the spherical body 40 with the through hole 21 is different from that in the above-described embodiment. That is, the glass pedestal 2 is placed on the electrostatic plate 50 having conductivity. The electrostatic plate 50 is connected to the power source via the switch SW, and the electrostatic plate 50 is negatively charged by turning on the switch SW. On the other hand, the resin spherical body 40 is positively charged. Accordingly, when the switch SW is turned on, the negatively charged electrostatic plate 50 is
Since the positively charged spherical body 40 and the positively charged spherical body 40 attract each other by static electricity, the outer peripheral surface of the spherical body 40 surely abuts the end of the through hole 21 without a gap. The other steps are the same as those in the above-described embodiment, and thus the description thereof will be omitted. When removing the spherical body 40, the switch SW may be turned off.
【００１６】以上のようにして、メタライズ層８の形成
されたガラス台座２は、図３に示すように、メタライズ
層８の形成面側が半田９を介して金属パイプ４に接合さ
れ、反対側の面が半導体圧力センサチップ１に陽極接合
により接合される。陽極接合の条件としては、真空雰囲
気中で約４００℃に加熱し、約５００Ｖ〜８００Ｖの直
流電圧を半導体圧力センサチップ１側が正極になるよう
に印加すると、静電引力により原子的に接合されるので
ある。In the glass pedestal 2 on which the metallized layer 8 is formed as described above, as shown in FIG. 3, the surface on which the metallized layer 8 is formed is joined to the metal pipe 4 via the solder 9, and the opposite side is formed. The surface is bonded to the semiconductor pressure sensor chip 1 by anodic bonding. As the conditions for anodic bonding, heating to about 400 ° C. in a vacuum atmosphere and applying a DC voltage of about 500 V to 800 V so that the semiconductor pressure sensor chip 1 side becomes a positive electrode causes atomic bonding by electrostatic attraction. Of.
【００１７】本実施形態によれば、ガラス台座２の貫通
孔２１の内壁２２は、メタライズ層８の形成工程時に
は、貫通孔２１が球状体４０によって塞がっているの
で、メタライズ層が形成されることはなくなり、金属パ
イプ４との接合面にのみメタライズ層８が形成される。
従って、ガラス台座２と半導体圧力センサチップ１とを
陽極接合する場合に、放電により半導体圧力センサチッ
プ１が破壊することがなく、また、ワックスを充填する
等の余分な工程が増加することもなく、さらには、ガラ
ス台座２と半導体圧力センサチップ１や金属パイプ４と
の接合信頼性も向上するのである。According to the present embodiment, the inner wall 22 of the through hole 21 of the glass pedestal 2 is formed with the metallized layer 8 because the through hole 21 is closed by the spherical body 40 during the process of forming the metallized layer 8. The metallized layer 8 is formed only on the joint surface with the metal pipe 4.
Therefore, when the glass pedestal 2 and the semiconductor pressure sensor chip 1 are anodically bonded, the semiconductor pressure sensor chip 1 is not destroyed by discharge, and an extra step such as filling with wax is not added. In addition, the reliability of joining the glass pedestal 2 to the semiconductor pressure sensor chip 1 and the metal pipe 4 is also improved.
【００１８】[0018]
【発明の効果】以上のように、請求項１及び請求項２記
載の発明によれば、凹部を形成することにより薄肉状に
形成されたダイアフラムを有する半導体圧力センサチッ
プと、前記ダイアフラムに圧力を導入するための貫通孔
が形成され、前記半導体圧力センサチップに接合される
台座とを有してなる半導体圧力センサにおける前記台座
の前記半導体圧力センサチップと接合しない側の面にメ
タライズ層を形成する方法であって、前記台座の貫通孔
の形状より大きな形状を有する球状体で該貫通孔を塞ぐ
ように当接させ、球状体を貫通孔に当接させた状態で、
球状体を当接した側からスパッタリングあるいは蒸着に
よりメタライズ層を形成するようにしたので、台座の貫
通孔の内壁にメタライズ層が形成されず、工程が増加す
ることもなく、接合信頼性のよい半導体圧力センサ用台
座のメタライズ層の形成方法が提供できた。As described above, according to the inventions of claims 1 and 2 , a semiconductor pressure sensor chip having a diaphragm formed thin by forming a recess, and a pressure applied to the diaphragm. A through hole for introduction is formed, and a metallization layer is formed on a surface of the pedestal of the semiconductor pressure sensor having a pedestal bonded to the semiconductor pressure sensor chip, the surface not being bonded to the semiconductor pressure sensor chip. In the method, in a state in which the spherical body having a shape larger than the shape of the through hole of the pedestal is abutted so as to close the through hole, and the spherical body is brought into contact with the through hole,
Since the metallization layer is formed by sputtering or vapor deposition from the side where the spherical body is in contact, the metallization layer is not formed on the inner wall of the through hole of the pedestal, the number of steps does not increase, and the semiconductor with good bonding reliability is obtained. A method for forming a metallized layer of a pedestal for a pressure sensor can be provided.
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体圧力センサ用
台座のメタライズ層の形成方法を示す工程図である。FIG. 1 is a process drawing showing a method for forming a metallized layer of a semiconductor pressure sensor pedestal according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の他の実施形態に係る半導体圧力センサ
用台座のメタライズ層の形成方法を示す工程図である。FIG. 2 is a process drawing showing a method for forming a metallized layer of a semiconductor pressure sensor pedestal according to another embodiment of the present invention.
【図３】同上に係る台座を半導体圧力センサチップ及び
金属パイプに接合した状態を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic view showing a state in which the pedestal according to the above is joined to a semiconductor pressure sensor chip and a metal pipe.
【図４】半導体圧力センサの概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a semiconductor pressure sensor.
【図５】従来例に係る半導体圧力センサ用台座のメタラ
イズ層の形成方法を示す工程図である。FIG. 5 is a process drawing showing a method for forming a metallized layer of a semiconductor pressure sensor pedestal according to a conventional example.
【図６】同上に係る台座を半導体圧力センサチップ及び
金属パイプに接合した状態を示す模式図である。FIG. 6 is a schematic view showing a state in which the pedestal according to the above is joined to a semiconductor pressure sensor chip and a metal pipe.
【図７】他の従来例に係る半導体圧力センサ用台座のメ
タライズ層の形成方法を示す工程図である。FIG. 7 is a process chart showing a method for forming a metallized layer of a pedestal for a semiconductor pressure sensor according to another conventional example.
１ 半導体圧力センサチップ ２ ガラス台座 ３ プラスチックパッケージ ４ 金属パイプ ５ リード ６ ワイヤ ７ 蓋 ８ メタライズ層 ９ 半田 １０ 平面プレート １１ ダイアフラム １２ 歪みゲージ抵抗 １３ オーバーコート ２０ ワックス ２１ 貫通孔 ２２ 内壁 ３０ 真空ステージ ３１ 真空プレート ３２ 吸引孔 ４０ 球状体 ４１ 貫通孔 ５０ 静電プレート 1 Semiconductor pressure sensor chip 2 glass pedestal 3 plastic packages 4 metal pipes 5 leads 6 wires 7 lid 8 Metallized layer 9 solder 10 Flat plate 11 diaphragm 12 Strain gauge resistance 13 overcoat 20 wax 21 through holes 22 Inner wall 30 vacuum stage 31 vacuum plate 32 suction hole 40 sphere 41 through hole 50 electrostatic plate
Claims (2)
されたダイヤフラムを有する半導体圧力センサチップ
と、前記ダイヤフラムに圧力を導入するための貫通孔が
形成され、前記半導体圧力センサチップに接合される台
座とを有してなる半導体圧力センサにおける前記台座の
前記半導体圧力センサチップと接合してない側の面にメ
タライズ層を形成する方法であって、前記台座の貫通孔
の形状より大きな形状を有する球状体で該貫通孔を塞ぐ
ように当接させ、球状体を貫通孔に当接させた状態で、
球状体を当接した側からスパッタリングあるいは蒸着に
よりメタライズ層を形成する半導体圧力センサ用台座の
メタライズ層の形成方法において、 前記球状体を樹脂製とし、台座をメタライズ層を形成し
ない面を下にして、真空吸着できる真空ステージに形成
された多孔質セラミックからなる真空プレート上に設置
し、真空吸引で前記球状体を吸引することにより球状体
を貫通孔に当接させる ようにしたことを特徴とする半導
体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法。1. A semiconductor pressure sensor chip having a diaphragm formed thin by forming a recess and a through hole for introducing pressure into the diaphragm are formed and bonded to the semiconductor pressure sensor chip. A method of forming a metallization layer on a surface of a semiconductor pressure sensor having a pedestal, the surface of the pedestal not being bonded to the semiconductor pressure sensor chip, the method having a shape larger than a shape of a through hole of the pedestal. With the spherical body abutting so as to close the through hole, and with the spherical body abutting the through hole,
A pedestal for a semiconductor pressure sensor in which a metallized layer is formed by sputtering or vapor deposition from the side in contact with the spherical body.
In the method of forming the metallized layer, the spherical body is made of resin and the pedestal is formed with the metallized layer.
Formed on a vacuum stage that can be vacuum-adsorbed with the side that does not face down
Installed on a vacuum plate made of porous ceramic
Then, by sucking the spherical body by vacuum suction, the spherical body
Method of forming a metallized layer of semiconductive <br/> body pressure sensor carriages characterized in that so as to abut against the through-hole of the.
されたダイヤフラムを有する半導体圧力センサチップ
と、前記ダイヤフラムに圧力を導入するための貫通孔が
形成され、前記半導体圧力センサチップに接合される台
座とを有してなる半導体圧力センサにおける前記台座の
前記半導体圧力センサチップと接合してない側の面にメ
タライズ層を形成する方法であって、前記台座の貫通孔
の形状より大きな形状を有する球状体で該貫通孔を塞ぐ
ように当接させ、球状体を貫通孔に当接させた状態で、
球状体を当接した側からスパッタリングあるいは蒸着に
よりメタライズ層を形成する半導体圧力センサ用台座の
メタライズ層の形成方法において、 前記球状体を樹脂製とし、台座をメタライズ層を形成し
ない面を下にして、静電板からなるステージ上に設置
し、静電板と前記球状体とを互いに逆極性に帯電させ、
静電気による吸引により、前記球状体を貫通孔に当接さ
せる ようにしたことを特徴とする半導体圧力センサ用台
座のメタライズ層の形成方法。2. A semiconductor pressure sensor chip having a diaphragm formed thin by forming a recess, and a through hole for introducing pressure to the diaphragm are formed and bonded to the semiconductor pressure sensor chip. A method of forming a metallization layer on a surface of a semiconductor pressure sensor having a pedestal, the surface of the pedestal not being bonded to the semiconductor pressure sensor chip, the method having a shape larger than a shape of a through hole of the pedestal. With the spherical body abutting so as to close the through hole, and with the spherical body abutting the through hole,
A pedestal for a semiconductor pressure sensor in which a metallized layer is formed by sputtering or vapor deposition from the side in contact with the spherical body.
In the method of forming the metallized layer, the spherical body is made of resin and the pedestal is formed with the metallized layer.
Placed on the stage consisting of an electrostatic plate, with the side not facing down
Then, the electrostatic plate and the spherical body are charged with opposite polarities,
The spherical body is brought into contact with the through hole by electrostatic attraction.
Method of forming a metallized layer in a semi-conductor pressure sensor carriages you characterized in that so as to.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04532098A JP3402185B2 (en) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | Method of forming metallized layer of pedestal for semiconductor pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04532098A JP3402185B2 (en) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | Method of forming metallized layer of pedestal for semiconductor pressure sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11241963A JPH11241963A (en) | 1999-09-07 |
| JP3402185B2 true JP3402185B2 (en) | 2003-04-28 |
Family
ID=12716023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04532098A Expired - Lifetime JP3402185B2 (en) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | Method of forming metallized layer of pedestal for semiconductor pressure sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3402185B2 (en) |
-
1998
- 1998-02-26 JP JP04532098A patent/JP3402185B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11241963A (en) | 1999-09-07 |
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