JP3402178B2 - Method of forming metallized layer of pedestal for semiconductor pressure sensor - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、ダイアフラムの形
成された半導体圧力センサチップと台座とを接合してな
る半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法に
関するものである。 【０００２】 【従来の技術】一般に、半導体圧力センサは微圧領域の
圧力の測定を行うものであり、図３に示すように、凹部
を形成することにより薄肉状に形成されたダイアフラム
１１を有する半導体圧力センサチップ１がガラス台座２
に陽極接合等により接合され、中心にコバール製又は４
２アロイ等の金属パイプ４が配置されたＰＰＳやＰＢＴ
等のプラスチックパッケージ３内に設置される。半導体
圧力センサチップ１表面のアルミパッドとリード５とは
金又はアルミ製のワイヤ６で接続されている。なお、７
はプラスチックパッケージ３の蓋であり、１２は半導体
圧力センサチップ１に形成された歪みゲージ抵抗であ
り、１３は半導体圧力センサチップ１の表面を保護する
オーバーコートである。ガラス台座２の材料としては、
例えばパイレックスガラス（コーニング社製、品番♯７
７４０等）が用いられる。 【０００３】ガラス台座２の中心部には、半導体圧力セ
ンサチップ１のダイアフラム１１に圧力を印加するため
の貫通孔２１が形成され、ガラス台座２はこの貫通孔２
１と金属パイプ４の貫通孔４１とが対向するような配置
で、金属パイプ４に接合される。ガラス台座２と金属パ
イプ４とを接合するために、ガラス台座２の半導体圧力
センサチップ１と接合しない側の面にはメタライズ層８
が形成される。 【０００４】ガラス台座２へのメタライズ層８の形成
は、まず、図４（ａ）に示すように、メタライズ層８を
形成すべき面の表面粗化を行い、次に、図４（ｂ）に示
すように、ガラス台座２を平面プレート１０上に密着し
て設置し、スパッタリングや蒸着により表面粗化した面
にメタライズ層８を形成する。メタライズ層８の例とし
ては、Ｃｒ（最下層）／Ｎｉ／Ａｕ（最上層）、Ｔｉ
（最下層）／Ｎｉ／Ａｕ（最上層）、Ｔｉ（最下層）／
Ｐｔ／Ａｕ（最上層）等が挙げられる。その後、図４
（ｃ）に示すように、ガラス台座２を平面プレート１０
から取り外す。 【０００５】そして、金属パイプ４とガラス台座２とが
メタライズ層８を介して半田（錫、錫−アンチモン合
金、鉛、錫−鉛合金、金−シリコン合金、錫−銀合金
等）９により接合される。メタライズ層８の最上層のＡ
ｕの表面には半田９が塗れるのである。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようなガラス台座２へのメタライズ層８の形成方法によ
れば、ガラス台座２の平面プレート１０に接している方
の面はメタライズされることはないが、貫通孔２１の内
壁にはメタル粒子が付着し、メタライズ層８が形成され
てしまう。 【０００７】貫通孔２１の内壁にメタライズ層８が形成
されてしまうと、図５に示すように、ガラス台座２と半
導体圧力センサチップ１とを陽極接合する場合、高温
（約３００℃から４００℃）中で、高バイアス（約５０
０Ｖから８００Ｖ）が印加されるため、半導体圧力セン
サチップ１のガラス台座２との接合面の貫通孔２１に近
い個所と、貫通孔２１の内壁の上端部に形成されたメタ
ライズ層８との間で放電が生じ、半導体圧力センサチッ
プ１が破壊してしまうという問題があった。 【０００８】このような問題を改善するために、メタラ
イズ層８の形成に際して、図６に示すように、ガラス台
座２の貫通孔２１内にワックス２０を充填する方法があ
る。つまり、図６（ａ）に示すように、メタライズ層８
を形成すべき面の表面粗化を行い、図６（ｂ）に示すよ
うに、ガラス台座２を平面プレート１０上に密着して設
置した段階で、貫通孔２１内にワックス２０を充填す
る。ワックス２０は約１００℃から１５０℃程度の熱で
溶けるものを使用するが、メタライズ層８の形成時に加
わる温度によってはワックス２０の種類は適宜変更すれ
ば良い。ワックス２０の貫通孔２１内への充填方法は、
例えば、ディスペンサ等を用いて針先からワックスを吐
出することにより行う。その後、図６（ｃ）に示すよう
に、スパッタリングや蒸着により表面粗化した面にメタ
ライズ層８を形成する。メタライズ層８の形成完了後、
図６（ｄ）に示すように、ガラス台座２を表面プレート
１０から取り外し、ガラス台座２を加熱することによ
り、貫通孔２１内に充填されたワックス２０を溶融して
除去する。このようにすることにより、貫通孔２１内に
メタライズ層８が形成されてしまうことを防止してい
た。 【０００９】しかしながら、この場合には、貫通孔２１
内へのワックス２０の充填という工程が余分に増え、コ
ストアップになる。また、ワックスが貫通孔２１内以外
の周囲のガラス台座２面上に飛び散った場合、ワックス
上にメタライズ層８を形成してしまうことになり、メタ
ライズ層８のガラス台座２表面との接着力が低下する。
さらに、メタライズ層８の形成後、貫通孔２１内に充填
されたワックス２０を溶融して除去するが、このワック
ス２０の残さがガラス台座２の半導体圧力センサチップ
１と接合する面上に回り込むと、ガラス台座２と半導体
圧力センサチップ１との接合品質に著しい影響を及ぼす
ことになる。つまり、接合されず空隙（ボイド）が発生
したりして接合強度が低下する。ワックス２０の残さを
除去するために溶融有機溶剤（アセトン、イソプロピル
アルコール等）で洗浄することも考えられるが、洗浄工
程が増えるし、洗浄後の残さレベルの確認等、品質管理
が難しい。特に、ワックス２０が不透明な場合には、目
視検査ができず、洗浄性の評価ができないという問題が
あった。 【００１０】本発明は、上記の点に鑑みてなしたもので
あり、その目的とするところは、ガラス台座２の内壁に
メタライズ層が形成されず、工程が増加することもな
く、接合信頼性のよい半導体圧力センサ用ガラス台座の
メタライズ層の形成方法を提供することにある。 【００１１】 【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
凹部を形成することにより薄肉状に形成されたダイアフ
ラムを有する半導体圧力センサチップと、前記ダイアフ
ラムに圧力を導入するための貫通孔が形成され、前記半
導体圧力センサチップに接合されるガラス台座とを有し
てなる半導体圧力センサにおける前記ガラス台座の前記
半導体圧力センサチップと接合しない側の面にメタライ
ズ層を形成する方法であって、前記ガラス台座の貫通孔
の位置に対応した位置にこの貫通孔の形状と略同形状の
断面形状を有するピンが形成されたプレートに、同貫通
孔に同ピンを挿入して前記半導体圧力センサチップに接
合される側の面を密着させた状態で、前記接合しない側
の面側からスタッパリングあるいは蒸着によりメタライ
ズ層を形成するようにしたことを特徴とするものであ
る。 【００１２】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
を図面に基づき説明する。図１は本発明の実施の形態の
一例に係る半導体圧力センサ用ガラス台座のメタライズ
層の形成方法を示す工程図である。まず、図１（ａ）に
示すように、円盤状のガラス台座２（直径約１００ｍｍ
から１５０ｍｍ、厚み約０．５ｍｍから３ｍｍ）には、
超音波加工法等により貫通孔２１が形成されている。貫
通孔２１の大きさは直径約０．６ｍｍから１．５ｍｍで
ある。このガラス台座２の一方の面は表面粗化が行われ
る。つまり、ガラス台座２の一方の面に対して、目の粗
い砥石で研磨し、又は、サンドブラスト法により吐粒を
吹きかけ、粗面化し、後述のメタライズ層の形成時に金
属が付着しやすいようにしておく。次に、図１（ｂ）に
示すように、ガラス台座２の貫通孔２１の位置に対応し
た位置にピン３１が形成されたプレート３０に、ガラス
台座２の貫通孔２１にピン３１を挿入するようにして、
粗面化していない方の面を密着するようにして設置す
る。ピン３１は、その断面形状が貫通孔２１の形状と略
同一にしてある。この状態で、図１（ｃ）に示すよう
に、ガラス台座２の粗面化した面側にスパッタリングや
蒸着によりメタライズ層８を形成する。スパッタリング
の場合には、ターゲット（メタライズ層８の材料となる
板）のまわりを、圧力を１０^-2Ｔｏｒｒ〜１０^-4Ｔｏｒ
ｒにして基板や真空容器（接地）とターゲットとの間に
数百Ｖ〜数ＫＶの電圧を印加してプラズマを発生させ
る。このプラズマ中のイオンがターゲット表面の原子を
跳ね飛ばし、基板（ガラス）の上に付着することにより
膜を形成するのである。この方法でターゲットを変える
ことにより複数の金属層を積層し、メタライズ層８が形
成される。メタライズ層８の例としては、Ｃｒ（最下
層）／Ｎｉ／Ａｕ（最上層）、Ｔｉ（最下層）／Ｎｉ／
Ａｕ（最上層）、Ｔｉ（最下層）／Ｐｔ／Ａｕ（最上
層）等が挙げられる。なお、スパッタリングはピン３１
の先端方向から行う。その後、図１（ｄ）に示すよう
に、ガラス台座２をプレート３０から取り外す。 【００１３】以上のようにして、メタライズ層８の形成
されたガラス台座２は、図２に示すように、メタライズ
層８の形成面側が半田９を介して金属パイプ４に接合さ
れ、反対側の面が半導体圧力センサチップ１に陽極接合
により接合される。陽極接合の条件としては、真空雰囲
気中で約４００℃に加熱し、約５００Ｖ〜８００Ｖの直
流電圧を半導体圧力センサチップ１側が正極になるよう
に印加すると、静電引力により原子的に接合されるので
ある。 【００１４】本実施形態によれば、ガラス台座２の貫通
孔２１の内壁２２は、メタライズ層８の形成工程時には
ピン３１が挿入されているので、メタライズ層が形成さ
れることはなくなり、金属パイプ４との接合面にのみ形
成される。従って、ガラス台座２と半導体圧力センサチ
ップ１とを陽極接合する場合に、放電により半導体圧力
センサチップ１が破壊することがなく、また、ワックス
を充填する等の余分な工程が増加することもなく、さら
には、ガラス台座２と半導体圧力センサチップ１や金属
パイプ４との接合信頼性も向上するのである。 【００１５】 【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、凹部を形成することにより薄肉状に形成されたダ
イアフラムを有する半導体圧力センサチップと、前記ダ
イアフラムに圧力を導入するための貫通孔が形成され、
前記半導体圧力センサチップに接合される台座とを有し
てなる半導体圧力センサにおける前記ガラス台座の前記
半導体圧力センサチップと接合しない側の面にメタライ
ズ層を形成する方法であって、前記ガラス台座の貫通孔
の形状と略同形状の断面形状を有するピンを挿入した状
態で、前記接合しない側の面側からスパッタリングある
いは蒸着によりメタライズ層を形成するようにしたの
で、ガラス台座２の内壁にメタライズ層が形成されず、
工程が増加することもなく、接合信頼性のよい半導体圧
力センサ用ガラス台座のメタライズ層の形成方法が提供
できた。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a metallized layer of a pedestal for a semiconductor pressure sensor formed by joining a semiconductor pressure sensor chip having a diaphragm formed thereon and a pedestal. Things. 2. Description of the Related Art In general, a semiconductor pressure sensor measures a pressure in a minute pressure region, and has a diaphragm 11 formed in a thin shape by forming a recess as shown in FIG. Semiconductor pressure sensor chip 1 is glass pedestal 2
To the center by Kovar or 4
PPS or PBT on which metal pipe 4 such as 2 alloy is arranged
And so on, in a plastic package 3. The aluminum pad on the surface of the semiconductor pressure sensor chip 1 and the lead 5 are connected by a gold or aluminum wire 6. Note that 7
Is a lid of the plastic package 3, 12 is a strain gauge resistor formed on the semiconductor pressure sensor chip 1, and 13 is an overcoat for protecting the surface of the semiconductor pressure sensor chip 1. As a material of the glass pedestal 2,
For example, Pyrex glass (Corning's product number # 7
740). A through hole 21 for applying pressure to the diaphragm 11 of the semiconductor pressure sensor chip 1 is formed in the center of the glass pedestal 2.
1 and the through-hole 41 of the metal pipe 4 are joined to the metal pipe 4 in such an arrangement that they face each other. In order to join the glass pedestal 2 and the metal pipe 4, a metallization layer 8 is formed on the surface of the glass pedestal 2 on the side not joined to the semiconductor pressure sensor chip 1.
Is formed. In forming the metallized layer 8 on the glass pedestal 2, first, as shown in FIG. 4A, the surface on which the metallized layer 8 is to be formed is roughened, and then, FIG. As shown in (1), the glass pedestal 2 is placed in close contact with the flat plate 10, and the metallized layer 8 is formed on the surface roughened by sputtering or vapor deposition. Examples of the metallized layer 8 include Cr (bottom layer) / Ni / Au (top layer), Ti
(Bottom layer) / Ni / Au (top layer), Ti (bottom layer) /
Pt / Au (top layer) and the like. Then, FIG.
(C) As shown in FIG.
Remove from [0005] The metal pipe 4 and the glass pedestal 2 are joined via a metallized layer 8 by solder (tin, tin-antimony alloy, lead, tin-lead alloy, gold-silicon alloy, tin-silver alloy, etc.) 9. Is done. A of the uppermost layer of the metallized layer 8
The solder 9 can be applied to the surface of u. However, according to the method of forming the metallized layer 8 on the glass pedestal 2 as described above, the surface of the glass pedestal 2 that is in contact with the flat plate 10 is metallized. However, metal particles adhere to the inner wall of the through hole 21 and the metallized layer 8 is formed. When the metallized layer 8 is formed on the inner wall of the through hole 21, as shown in FIG. 5, when the glass pedestal 2 and the semiconductor pressure sensor chip 1 are anodically bonded, a high temperature (about 300 ° C. to 400 ° C.) is applied. ) In high bias (about 50
0 V to 800 V) is applied between the metallization layer 8 formed at the upper end of the inner wall of the through-hole 21 and the portion near the through-hole 21 on the joint surface of the semiconductor pressure sensor chip 1 with the glass pedestal 2. As a result, there is a problem that a discharge occurs and the semiconductor pressure sensor chip 1 is broken. In order to solve such a problem, there is a method of filling the through hole 21 of the glass pedestal 2 with the wax 20 when forming the metallized layer 8 as shown in FIG. That is, as shown in FIG.
6B, the wax 20 is filled in the through holes 21 at the stage where the glass pedestal 2 is closely mounted on the flat plate 10 as shown in FIG. 6B. The wax 20 used is one that melts with heat of about 100 ° C. to 150 ° C., but the type of the wax 20 may be appropriately changed depending on the temperature applied when the metallized layer 8 is formed. The method of filling the wax 20 into the through hole 21 is as follows.
For example, this is performed by discharging wax from the needle tip using a dispenser or the like. Thereafter, as shown in FIG. 6C, a metallized layer 8 is formed on the surface roughened by sputtering or vapor deposition. After the formation of the metallized layer 8 is completed,
As shown in FIG. 6D, the glass pedestal 2 is removed from the surface plate 10, and the glass pedestal 2 is heated to melt and remove the wax 20 filled in the through hole 21. This prevents the metallized layer 8 from being formed in the through hole 21. However, in this case, the through holes 21
The step of filling the inside of the wax 20 is extraly increased, and the cost is increased. If the wax scatters on the surface of the glass pedestal 2 other than the inside of the through hole 21, the metallized layer 8 is formed on the wax, and the adhesive strength of the metallized layer 8 to the surface of the glass pedestal 2 is reduced. descend.
Further, after the metallized layer 8 is formed, the wax 20 filled in the through-hole 21 is melted and removed, but when the residue of the wax 20 wraps around the surface of the glass pedestal 2 to be joined to the semiconductor pressure sensor chip 1. This significantly affects the bonding quality between the glass pedestal 2 and the semiconductor pressure sensor chip 1. In other words, the bonding strength is reduced due to voids being generated without bonding. Washing with a molten organic solvent (acetone, isopropyl alcohol, etc.) may be considered to remove the residue of the wax 20, but the number of washing steps is increased, and quality control such as checking the residue level after washing is difficult. In particular, when the wax 20 is opaque, there is a problem that a visual inspection cannot be performed and a cleaning property cannot be evaluated. The present invention has been made in view of the above points, and has as its object the purpose of forming a metallized layer on the inner wall of the glass pedestal 2 without increasing the number of steps and improving the bonding reliability. It is an object of the present invention to provide a method for forming a metallized layer of a glass pedestal for a semiconductor pressure sensor which is excellent. [0011] The invention as set forth in claim 1 is as follows.
A semiconductor pressure sensor chip having a diaphragm formed in a thin shape by forming a concave portion, and a glass pedestal formed with a through hole for introducing pressure to the diaphragm and joined to the semiconductor pressure sensor chip. A method of forming a metallized layer on a surface of the glass pedestal of the semiconductor pressure sensor that is not bonded to the semiconductor pressure sensor chip, wherein the metallization layer is formed at a position corresponding to the position of the through-hole of the glass pedestal . Penetrates a plate on which a pin having a cross-sectional shape substantially the same as the shape is formed
Insert the pin into the hole to connect to the semiconductor pressure sensor chip.
The metallized layer is formed by stapling or vapor deposition from the side of the non-joining side while the surfaces to be joined are brought into close contact with each other. An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a process chart showing a method for forming a metallized layer of a glass pedestal for a semiconductor pressure sensor according to an example of an embodiment of the present invention. First, as shown in FIG. 1A, a disk-shaped glass pedestal 2 (about 100 mm in diameter)
To 150 mm, thickness about 0.5 mm to 3 mm)
The through holes 21 are formed by an ultrasonic processing method or the like. The size of the through hole 21 is about 0.6 mm to 1.5 mm in diameter. One surface of the glass pedestal 2 is roughened. In other words, one surface of the glass pedestal 2 is polished with a coarse grindstone, or sprayed by sandblasting to roughen the surface, so that metal can easily adhere when forming a metallized layer described later. deep. Next, as shown in FIG. 1B, the pins 31 are inserted into the through holes 21 of the glass pedestal 2 into the plate 30 having the pins 31 formed at positions corresponding to the positions of the through holes 21 of the glass pedestal 2. Like so
Install the non-roughened surface so that it is in close contact. The cross section of the pin 31 is substantially the same as the shape of the through hole 21. In this state, as shown in FIG. 1C, a metallized layer 8 is formed on the roughened surface side of the glass pedestal 2 by sputtering or vapor deposition. In the case of sputtering, a pressure around a target (a plate used as a material of the metallized layer 8) is increased to 10 ⁻² Torr to 10 ⁻⁴ Torr.
A voltage of several hundred V to several KV is applied between the target and the substrate or vacuum vessel (ground) to generate plasma. The ions in the plasma bounce off the atoms on the target surface and adhere to the substrate (glass) to form a film. By changing the target in this manner, a plurality of metal layers are stacked, and the metallized layer 8 is formed. Examples of the metallized layer 8 include Cr (bottom layer) / Ni / Au (top layer), Ti (bottom layer) / Ni /
Au (top layer), Ti (bottom layer) / Pt / Au (top layer), and the like. In addition, the sputtering is performed on the pin 31.
From the tip direction of Thereafter, the glass pedestal 2 is removed from the plate 30 as shown in FIG. As shown in FIG. 2, the glass pedestal 2 on which the metallized layer 8 is formed is joined to the metal pipe 4 via the solder 9 on the surface on which the metallized layer 8 is formed, as shown in FIG. The surface is bonded to the semiconductor pressure sensor chip 1 by anodic bonding. The conditions for the anodic bonding are as follows: heating to about 400 ° C. in a vacuum atmosphere and applying a DC voltage of about 500 V to 800 V so that the semiconductor pressure sensor chip 1 side becomes a positive electrode, the atomic bonding is performed by electrostatic attraction. It is. According to this embodiment, since the pins 31 are inserted into the inner wall 22 of the through hole 21 of the glass pedestal 2 during the step of forming the metallized layer 8, the metallized layer is not formed, and the metal pipe is not formed. 4 is formed only on the bonding surface. Therefore, when the glass pedestal 2 and the semiconductor pressure sensor chip 1 are anodic-bonded, the semiconductor pressure sensor chip 1 is not broken by electric discharge, and an extra step such as filling with wax is not increased. Further, the joining reliability between the glass pedestal 2 and the semiconductor pressure sensor chip 1 or the metal pipe 4 is also improved. As described above, according to the first aspect of the present invention, a semiconductor pressure sensor chip having a diaphragm formed in a thin shape by forming a concave portion, and applying pressure to the diaphragm. Through holes are formed for
A method of forming a metallized layer on a surface of the glass pedestal that is not bonded to the semiconductor pressure sensor chip in a semiconductor pressure sensor having a pedestal bonded to the semiconductor pressure sensor chip, the method comprising: Since the metallized layer is formed by sputtering or vapor deposition from the surface on the side where the bonding is not performed with a pin having a cross-sectional shape substantially the same as the shape of the through hole inserted, the metallized layer is formed on the inner wall of the glass pedestal 2. Is not formed,
A method for forming a metallized layer of a glass pedestal for a semiconductor pressure sensor with high bonding reliability without increasing the number of steps can be provided.

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の一実施形態に係る半導体圧力センサ用
台座のメタライズ層の形成方法を示す工程図である。 【図２】同上に係る台座を半導体圧力センサチップ及び
金属パイプに接合した状態を示す模式図である。 【図３】半導体圧力センサの概略構成図である。 【図４】従来例に係る半導体圧力センサ用台座のメタラ
イズ層の形成方法を示す工程図である。 【図５】同上に係る台座を半導体圧力センサチップ及び
金属パイプに接合した状態を示す模式図である。 【図６】他の従来例に係る半導体圧力センサ用台座のメ
タライズ層の形成方法を示す工程図である。 【符号の説明】 １ 半導体圧力センサチップ ２ ガラス台座 ３ プラスチックパッケージ ４ 金属パイプ ５ リード ６ ワイヤ ７ 蓋 ８ メタライズ層 ９ 半田 １０ 平面プレート １１ ダイアフラム １２ 歪みゲージ抵抗 １３ オーバーコート ２０ ワックス ２１ 貫通孔 ２２ 内壁 ３０ プレート ３１ ピン ４１ 貫通孔BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a process chart showing a method for forming a metallized layer of a pedestal for a semiconductor pressure sensor according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic diagram showing a state where the pedestal according to the above is joined to a semiconductor pressure sensor chip and a metal pipe. FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a semiconductor pressure sensor. FIG. 4 is a process chart showing a method of forming a metallized layer of a pedestal for a semiconductor pressure sensor according to a conventional example. FIG. 5 is a schematic view showing a state where the pedestal according to the above is joined to a semiconductor pressure sensor chip and a metal pipe. FIG. 6 is a process chart showing a method of forming a metallized layer of a pedestal for a semiconductor pressure sensor according to another conventional example. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor pressure sensor chip 2 Glass pedestal 3 Plastic package 4 Metal pipe 5 Lead 6 Wire 7 Cover 8 Metallization layer 9 Solder 10 Flat plate 11 Diaphragm 12 Strain gauge resistance 13 Overcoat 20 Wax 21 Through hole 22 Inner wall 30 Plate 31 Pin 41 Through hole

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 凹部を形成することにより薄肉状に形成
されたダイアフラムを有する半導体圧力センサチップ
と、前記ダイアフラムに圧力を導入するための貫通孔が
形成され、前記半導体圧力センサチップに接合されるガ
ラス台座とを有してなる半導体圧力センサにおける前記
ガラス台座の前記半導体圧力センサチップと接合しない
側の面にメタライズ層を形成する方法であって、前記ガ
ラス台座の貫通孔の位置に対応した位置にこの貫通孔の
形状と略同形状の断面形状を有するピンが形成されたプ
レートに、同貫通孔に同ピンを挿入して前記半導体圧力
センサチップに接合される側の面を密着させた状態で、
前記接合しない側の面側からスタッパリングあるいは蒸
着によりメタライズ層を形成するようにしたことを特徴
とする半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方
法。(57) [Claim 1] A semiconductor pressure sensor chip having a diaphragm formed thin by forming a concave portion, and a through hole for introducing pressure to the diaphragm are formed. Gas to be bonded to the semiconductor pressure sensor chip
A method of forming a metallized layer on the semiconductor pressure sensor chip and the side surface which is not bonded to the glass pedestal in the semiconductor pressure sensor comprising and a lath base, the position corresponding to the position of the through hole of the glass pedestal A pin formed with a pin having a cross-sectional shape substantially the same as the shape of the through hole.
Insert the same pin into the through hole at the rate and press the semiconductor pressure
With the surface to be joined to the sensor chip in close contact ,
A method for forming a metallized layer of a pedestal for a semiconductor pressure sensor, wherein a metallized layer is formed from a surface side of the non-joining side by means of stampering or vapor deposition.