JP3397511B2 - 偏波変調可能な半導体レーザ - Google Patents
偏波変調可能な半導体レーザInfo
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- JP3397511B2 JP3397511B2 JP12716195A JP12716195A JP3397511B2 JP 3397511 B2 JP3397511 B2 JP 3397511B2 JP 12716195 A JP12716195 A JP 12716195A JP 12716195 A JP12716195 A JP 12716195A JP 3397511 B2 JP3397511 B2 JP 3397511B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信および光情報処
理などに用いられる光源及びそれを用いた光ネットワー
クに関するものである。
理などに用いられる光源及びそれを用いた光ネットワー
クに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光通信技術の大容量化に伴い、多くの問
題点が解決されてきた。しかしながら、いわゆるチャー
ピングとよばれる、高速強度変調時のデバイス内のキャ
リア不均一分布による屈折率変動が伝送発振波形を歪ま
せる現象は必ずしも解決されるに至っていない。通常、
チャーピングが大きいことによる問題点は以下の２点で
ある。 （１）変調速度が上がるにつれて誤り率の増加を招き、
デバイスの変調速度や通信の伝送距離を制限する。 （２）変調速度が上がるにつれ、線幅が増大すること
で、パスバンドの広いフィルタを使わざるを得ないた
め、光通信の波長多重数の制限が生ずる。
題点が解決されてきた。しかしながら、いわゆるチャー
ピングとよばれる、高速強度変調時のデバイス内のキャ
リア不均一分布による屈折率変動が伝送発振波形を歪ま
せる現象は必ずしも解決されるに至っていない。通常、
チャーピングが大きいことによる問題点は以下の２点で
ある。 （１）変調速度が上がるにつれて誤り率の増加を招き、
デバイスの変調速度や通信の伝送距離を制限する。 （２）変調速度が上がるにつれ、線幅が増大すること
で、パスバンドの広いフィルタを使わざるを得ないた
め、光通信の波長多重数の制限が生ずる。
【０００３】チャーピングを低減するために現在用いら
れている主流の方法は、半導体レーザをＣＷ（連続動
作）で駆動し、誘電体や半導体による外部変調器により
強度変調を行うものである。この方法では、デバイスの
小型化や低価格化には限界があるとともに、光ネットワ
ークの柔軟性（変調速度が大きく異なる信号を同時に伝
送できる能力の高さなど）も高いとはいえない。
れている主流の方法は、半導体レーザをＣＷ（連続動
作）で駆動し、誘電体や半導体による外部変調器により
強度変調を行うものである。この方法では、デバイスの
小型化や低価格化には限界があるとともに、光ネットワ
ークの柔軟性（変調速度が大きく異なる信号を同時に伝
送できる能力の高さなど）も高いとはいえない。
【０００４】一方、別の方法として、デバイスの発振光
の偏波面を信号に応じてスイッチングさせる方法、いわ
ゆる偏波変調法がある（たとえば、特開昭６２−４２５
９３ないしは特開昭６２−１４４４２６に開示されてい
る）。この骨子は以下のようなものである。図１４に示
すように、或る電流値でＴＭモードからＴＥモードへ偏
波が反転する特性を有する半導体レーザを用いる。そし
て、ＴＥモードとＴＭモードが同時発振する電流値をバ
イアス点として、信号電流（変調電流）によってＴＥと
ＴＭのしきい値利得をスイッチし、偏光子によって特定
方向に偏光した光のみを伝送路に送出するものである。
偏波変調法は、半導体レーザの光密度が変調中も一定で
あることから（駆動電流が常にほぼ一定で、オン・オフ
されないので）、変調に伴うキャリア変動も極めて小さ
くできるという本質的な利点がある。しかしながら、従
来例では、この様なレーザの具体的構造については何ら
明示されていない。
の偏波面を信号に応じてスイッチングさせる方法、いわ
ゆる偏波変調法がある（たとえば、特開昭６２−４２５
９３ないしは特開昭６２−１４４４２６に開示されてい
る）。この骨子は以下のようなものである。図１４に示
すように、或る電流値でＴＭモードからＴＥモードへ偏
波が反転する特性を有する半導体レーザを用いる。そし
て、ＴＥモードとＴＭモードが同時発振する電流値をバ
イアス点として、信号電流（変調電流）によってＴＥと
ＴＭのしきい値利得をスイッチし、偏光子によって特定
方向に偏光した光のみを伝送路に送出するものである。
偏波変調法は、半導体レーザの光密度が変調中も一定で
あることから（駆動電流が常にほぼ一定で、オン・オフ
されないので）、変調に伴うキャリア変動も極めて小さ
くできるという本質的な利点がある。しかしながら、従
来例では、この様なレーザの具体的構造については何ら
明示されていない。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】従来の直接偏波変
調方式の場合、主に利得の偏波依存性のみを使っていた
ので、ＴＥモードとＴＭモードのしきい値利得の差を小
さくすることが困難であった。その結果、以下の問題点
があった。 （１）安定に直接偏波変調できる領域（駆動電流、光出
力、動作温度、発振波長、消光比等）が狭い。 （２）設計の自由度が狭く、製作に対する要求精度が厳
しいため素子歩留まりが低い。 （３）動作電流密度が高いため素子寿命が短い。 （４）線幅の安定性が悪いため波長フィルタに負担がか
かる。
調方式の場合、主に利得の偏波依存性のみを使っていた
ので、ＴＥモードとＴＭモードのしきい値利得の差を小
さくすることが困難であった。その結果、以下の問題点
があった。 （１）安定に直接偏波変調できる領域（駆動電流、光出
力、動作温度、発振波長、消光比等）が狭い。 （２）設計の自由度が狭く、製作に対する要求精度が厳
しいため素子歩留まりが低い。 （３）動作電流密度が高いため素子寿命が短い。 （４）線幅の安定性が悪いため波長フィルタに負担がか
かる。
【０００６】
【０００７】本発明の第１の目的（請求項１乃至４に対
応）は、チャーピングを抑えることができ、動作範囲が
広く、作製の容易な、偏波変調可能範囲の広い偏波変調
半導体レーザを提供することにある。本発明の第２の目
的（請求項５および６に対応）は高密度波長多重可能
で、高速かつ長距離伝送可能な光ネットワークを提供す
ることにある。
応）は、チャーピングを抑えることができ、動作範囲が
広く、作製の容易な、偏波変調可能範囲の広い偏波変調
半導体レーザを提供することにある。本発明の第２の目
的（請求項５および６に対応）は高密度波長多重可能
で、高速かつ長距離伝送可能な光ネットワークを提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明の第１の
目的を達成する偏波変調可能な半導体レーザは、互いに
独立な２つの偏波モードを許容する光導波路と分布帰還
型共振器を有する半導体レーザであって、独立制御可能
な利得領域と損失領域（夫々少なくとも１つ）を有し、
該利得領域と該損失領域のうち、少なくとも該損失領域
を制御することにより共振器全体の損失スペクトルに偏
波依存性を与え（特定の偏波モードに対してのみ損失を
与えることを含む）、且つ前記２つの偏波モードの利得
に偏波依存性を与える為に、該利得領域の活性層を多重
量子井戸構造とし、それを構成する量子井戸のウエル層
とバリア層の層厚や組成、歪み応力の少なくとも１つを
他の量子井戸と異ならせ、前記２つの偏波モードを任意
に選択するように構成されていることを特徴とする。
目的を達成する偏波変調可能な半導体レーザは、互いに
独立な２つの偏波モードを許容する光導波路と分布帰還
型共振器を有する半導体レーザであって、独立制御可能
な利得領域と損失領域（夫々少なくとも１つ）を有し、
該利得領域と該損失領域のうち、少なくとも該損失領域
を制御することにより共振器全体の損失スペクトルに偏
波依存性を与え（特定の偏波モードに対してのみ損失を
与えることを含む）、且つ前記２つの偏波モードの利得
に偏波依存性を与える為に、該利得領域の活性層を多重
量子井戸構造とし、それを構成する量子井戸のウエル層
とバリア層の層厚や組成、歪み応力の少なくとも１つを
他の量子井戸と異ならせ、前記２つの偏波モードを任意
に選択するように構成されていることを特徴とする。
【０００９】上記構成の偏波変調可能な半導体レーザに
おいて、前記共振器全体の損失スペクトルに偏波依存性
を与える為に、損失領域の光導波路の一部に量子閉じこ
めシュタルク効果（ＱＣＳＥ）を有する量子井戸構造に
代表される超構造が用いられ、偏波モードを任意に選択
する為に、損失領域に印加する電圧を制御すること及び
利得領域の活性層に注入するキャリア密度を制御するこ
との少なくとも一方を行うことを特徴としたり、また、
前記共振器全体の損失スペクトルに偏波依存性を与える
為に、損失領域の光導波路の一部にフランツ・ケルデッ
シュ効果（Ｆ−Ｋ効果）を有する構造が用いられ、偏波
モードを任意に選択する為に、損失領域に印加する電圧
を制御すること及び利得領域の活性層に注入するキャリ
ア密度を制御することの少なくとも一方を行うことを特
徴としたり、また、前記共振器全体の損失スペクトルに
偏波依存性を与える為に、損失領域の表面に金属が装荷
され、偏波モードを選択する為に、利得領域の活性層に
注入するキャリア密度を制御することを特徴としたりし
てもよい。
おいて、前記共振器全体の損失スペクトルに偏波依存性
を与える為に、損失領域の光導波路の一部に量子閉じこ
めシュタルク効果（ＱＣＳＥ）を有する量子井戸構造に
代表される超構造が用いられ、偏波モードを任意に選択
する為に、損失領域に印加する電圧を制御すること及び
利得領域の活性層に注入するキャリア密度を制御するこ
との少なくとも一方を行うことを特徴としたり、また、
前記共振器全体の損失スペクトルに偏波依存性を与える
為に、損失領域の光導波路の一部にフランツ・ケルデッ
シュ効果（Ｆ−Ｋ効果）を有する構造が用いられ、偏波
モードを任意に選択する為に、損失領域に印加する電圧
を制御すること及び利得領域の活性層に注入するキャリ
ア密度を制御することの少なくとも一方を行うことを特
徴としたり、また、前記共振器全体の損失スペクトルに
偏波依存性を与える為に、損失領域の表面に金属が装荷
され、偏波モードを選択する為に、利得領域の活性層に
注入するキャリア密度を制御することを特徴としたりし
てもよい。
【００１０】
【００１１】本発明の第２の目的を達成する光ネットワ
ークは、発振光源として用いられる上記の半導体レーザ
に対し、該レーザの出射面に偏光子を配置して特定の偏
波のみを利用することを特徴とする。また、発振光源と
して用いられる上記の半導体レーザから、出射される偏
波が互いに直交する光を伝送路に同時に送出して、受信
側では該偏波の異なる光を同時に受信することを特徴と
する。
ークは、発振光源として用いられる上記の半導体レーザ
に対し、該レーザの出射面に偏光子を配置して特定の偏
波のみを利用することを特徴とする。また、発振光源と
して用いられる上記の半導体レーザから、出射される偏
波が互いに直交する光を伝送路に同時に送出して、受信
側では該偏波の異なる光を同時に受信することを特徴と
する。
【００１２】次に、偏波変調用レーザに求められる条件
について簡単に説明する。半導体レーザの発振波長は以
下の発振条件式で決定される。 Г・ｇth＝Г・αin＋αM＋αSC ・・・（１） ここで、αM＝１／２Ｌeff・Ｉｎ（１／Ｒ１・１／
Ｒ２） ｅｘｐ（ｉ・（２ｎeff・Ｌeff／λ＋φ））＝０ ・・・（２） ここで、 Г：活性層への光閉じ込め係数 ｇth：しきい利得 αin：内部損失 αM：反射損失 αSC：その他の損失（散乱損失、結合損失等） Ｒi：共振器内の１点からみた実効的な反射率 ｎeff：導波路の実効的な屈折率 Ｌeff：実効的な共振器長 λ：発振波長 φ：位相 である。
について簡単に説明する。半導体レーザの発振波長は以
下の発振条件式で決定される。 Г・ｇth＝Г・αin＋αM＋αSC ・・・（１） ここで、αM＝１／２Ｌeff・Ｉｎ（１／Ｒ１・１／
Ｒ２） ｅｘｐ（ｉ・（２ｎeff・Ｌeff／λ＋φ））＝０ ・・・（２） ここで、 Г：活性層への光閉じ込め係数 ｇth：しきい利得 αin：内部損失 αM：反射損失 αSC：その他の損失（散乱損失、結合損失等） Ｒi：共振器内の１点からみた実効的な反射率 ｎeff：導波路の実効的な屈折率 Ｌeff：実効的な共振器長 λ：発振波長 φ：位相 である。
【００１３】これに加え、直接偏波変調用半導体レーザ
には、別の条件として、互いに独立な偏波モード、たと
えばＴＥモードとＴＭモードを有し、かつそのしきい利
得が等しいこと、即ち、 ГTE・ｇTE th＝ГTM・ｇTM th ・・・（３） が要求される。
には、別の条件として、互いに独立な偏波モード、たと
えばＴＥモードとＴＭモードを有し、かつそのしきい利
得が等しいこと、即ち、 ГTE・ｇTE th＝ГTM・ｇTM th ・・・（３） が要求される。
【００１４】本発明の骨子は、利得スペクトルと（共振
器）損失スペクトルを独立に制御することで、デバイス
の特性を向上させると共に、設計の許容度をあげ、製作
歩留まりを向上させようとするものである。
器）損失スペクトルを独立に制御することで、デバイス
の特性を向上させると共に、設計の許容度をあげ、製作
歩留まりを向上させようとするものである。
【００１５】上記第１の目的を達成する構成は次の特徴
を持つ。 １）利得領域と損失領域の両方の偏波依存性を利用かつ
制御することで、前記（１）〜（３）式を無理なく満足
させることができる。 ２）利得領域、或は損失領域、或はその両方に電気信号
を重畳することで偏波モードをスイッチングすることで
偏波変調を行うことができる。３）非対称歪み量子井戸構造は対称量子井戸構造に比
べ、バンドギャップを可変する自由度がある。 ４）さらに、歪みを非対称に導入することでＴＥモード
とＴＭモードに対してバンドギャップを選択的に可変で
きる。このことは、同一の活性層への同一の注入キャリ
ア密度で生成される利得をＴＥモードとＴＭモードそれ
ぞれのしきい利得に設定できることを意味する。この結
果、しきいキャリア密度を変調バイアス点に設定し、注
入電流に信号を重畳することで偏波スイッチングした光
出力を得ることができる。
を持つ。 １）利得領域と損失領域の両方の偏波依存性を利用かつ
制御することで、前記（１）〜（３）式を無理なく満足
させることができる。 ２）利得領域、或は損失領域、或はその両方に電気信号
を重畳することで偏波モードをスイッチングすることで
偏波変調を行うことができる。３）非対称歪み量子井戸構造は対称量子井戸構造に比
べ、バンドギャップを可変する自由度がある。 ４）さらに、歪みを非対称に導入することでＴＥモード
とＴＭモードに対してバンドギャップを選択的に可変で
きる。このことは、同一の活性層への同一の注入キャリ
ア密度で生成される利得をＴＥモードとＴＭモードそれ
ぞれのしきい利得に設定できることを意味する。この結
果、しきいキャリア密度を変調バイアス点に設定し、注
入電流に信号を重畳することで偏波スイッチングした光
出力を得ることができる。
【００１６】上記第１の目的を達成する構成におけるよ
り具体的な第１の構成は次の特徴を持つ。 １）ＱＣＳＥは分散の偏波依存性を高速に変化させるこ
とができることが知られている。 ２）損失領域にＱＣＳＥを有する導波層を用いることで
全体の損失スペクトルに偏波依存性を持たせることがで
きるため上記（１）〜（３）式を同時に満たすことがで
きる。 ３）ＱＣＳＥにより損失を高速に変調できる２つのモー
ドの選択に用いることができる。 ４）キャリア密度を変化させることで利得或は位相を変
えることができるため、２つの偏波モードを高速切り替
えに用いることができる。
り具体的な第１の構成は次の特徴を持つ。 １）ＱＣＳＥは分散の偏波依存性を高速に変化させるこ
とができることが知られている。 ２）損失領域にＱＣＳＥを有する導波層を用いることで
全体の損失スペクトルに偏波依存性を持たせることがで
きるため上記（１）〜（３）式を同時に満たすことがで
きる。 ３）ＱＣＳＥにより損失を高速に変調できる２つのモー
ドの選択に用いることができる。 ４）キャリア密度を変化させることで利得或は位相を変
えることができるため、２つの偏波モードを高速切り替
えに用いることができる。
【００１７】上記第１の目的を達成する構成におけるよ
り具体的な第２の構成は次の特徴を持つ。 １）Ｆ−Ｋ効果は分散を高速に変化させることができる
ことが知られている。 ２）損失領域にＦ−Ｋ効果を有する導波層を用いること
で全体の損失スペクトルに偏波依存性を持たせることが
できる。
り具体的な第２の構成は次の特徴を持つ。 １）Ｆ−Ｋ効果は分散を高速に変化させることができる
ことが知られている。 ２）損失領域にＦ−Ｋ効果を有する導波層を用いること
で全体の損失スペクトルに偏波依存性を持たせることが
できる。
【００１８】上記第１の目的を達成する構成におけるよ
り具体的な第３の構成は次の特徴を持つ。 １）損失領域の導波路表面に金属膜を装荷することで、
ＴＭモードのみに損失を与えることができる。 ２）利得領域で利得プロファイルを制御することで偏波
変調を行うことができる。
り具体的な第３の構成は次の特徴を持つ。 １）損失領域の導波路表面に金属膜を装荷することで、
ＴＭモードのみに損失を与えることができる。 ２）利得領域で利得プロファイルを制御することで偏波
変調を行うことができる。
【００１９】
【００２０】上記第２の目的を達成する構成は次の特徴
を持つ。本発明の偏波変調可能な半導体レーザを、従来
の光源と置き換えて使用できる。
を持つ。本発明の偏波変調可能な半導体レーザを、従来
の光源と置き換えて使用できる。
【００２１】
【実施例１】
（ＭＱＷ＋ＭＱＷ）図１は本発明の偏波変調可能な半導
体レーザの第１の実施例の共振器方向の断面図である。
共振器方向に３分割され、それぞれ利得領域１、利得領
域２および損失領域となっている。各領域は電気的には
独立であるが、光学的には共通の光ガイド層１０３を介
して結合している。具体的な層構成は以下の通りであ
る。図１において、１０１はｎ型ＩｎＰ基板、１０２は
ｎ型ＩｎＰクラッド層、１０３は上述したｎ型ＩｎＧａ
ＡｓＰ光ガイド層、１０４ａはアンドープＧａＩｎＡｓ
Ｐ活性層、１０４ｂはアンドープＧａＩｎＡｓＰ損失
層、１０５はｐ型ＩｎＰクラッド層、１０６はｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓＰコンタクト層である。更に、１０７はｎ型ク
ラッド層１０２とｎ型光ガイド層１０３の境界に形成さ
れたλ／４位相シフトを有するグレーティングであり、
１０８ａ〜１０８ｃは正電極、１０９は負電極である。
両端面には無反射（ＡＲ）コート１１２を施した。グレ
ーティング１０７のピッチは、ブラッグ波長のＴＭモー
ドが利得ピークになるように設定してある。活性層１０
４ａ及び損失層１０４ｂの構造は、本実施例では同じと
した。活性層１０４ａ及び損失層１０４ｂのエネルギバ
ンドギャップ構造を示す図２において、そのウエル層１
２１はＩｎＧａＡｓ（引っ張り歪み１．０％）から成り
厚さは１０ｎｍ、バリア層１２２はＩｎＧａＡｓＰ（波
長１．１μｍ組成）から成り厚さは１０ｎｍであり、更
にＳＣＨ層１２３はＩｎＧａＡｓＰ（波長１．２μｍ組
成）から成り厚さは１００ｎｍである。井戸数は５周期
とした。
体レーザの第１の実施例の共振器方向の断面図である。
共振器方向に３分割され、それぞれ利得領域１、利得領
域２および損失領域となっている。各領域は電気的には
独立であるが、光学的には共通の光ガイド層１０３を介
して結合している。具体的な層構成は以下の通りであ
る。図１において、１０１はｎ型ＩｎＰ基板、１０２は
ｎ型ＩｎＰクラッド層、１０３は上述したｎ型ＩｎＧａ
ＡｓＰ光ガイド層、１０４ａはアンドープＧａＩｎＡｓ
Ｐ活性層、１０４ｂはアンドープＧａＩｎＡｓＰ損失
層、１０５はｐ型ＩｎＰクラッド層、１０６はｐ型Ｉｎ
ＧａＡｓＰコンタクト層である。更に、１０７はｎ型ク
ラッド層１０２とｎ型光ガイド層１０３の境界に形成さ
れたλ／４位相シフトを有するグレーティングであり、
１０８ａ〜１０８ｃは正電極、１０９は負電極である。
両端面には無反射（ＡＲ）コート１１２を施した。グレ
ーティング１０７のピッチは、ブラッグ波長のＴＭモー
ドが利得ピークになるように設定してある。活性層１０
４ａ及び損失層１０４ｂの構造は、本実施例では同じと
した。活性層１０４ａ及び損失層１０４ｂのエネルギバ
ンドギャップ構造を示す図２において、そのウエル層１
２１はＩｎＧａＡｓ（引っ張り歪み１．０％）から成り
厚さは１０ｎｍ、バリア層１２２はＩｎＧａＡｓＰ（波
長１．１μｍ組成）から成り厚さは１０ｎｍであり、更
にＳＣＨ層１２３はＩｎＧａＡｓＰ（波長１．２μｍ組
成）から成り厚さは１００ｎｍである。井戸数は５周期
とした。
【００２２】次に動作原理について説明する。図３は、
利得領域１および２に均等にキャリア（〜１０18ｃ
ｍ-3）を注入したときの、ＴＥモードおよびＴＭモード
に対する利得（正確にはГ・ｇ）と共振器損失（Г・α
in＋αM＋αSC）との関係を示す（横軸は波長、λTM
Bragg及びλTE Braggは夫々ブラッグ波長のＴＭモード及
びＴＥモード、λTM及びλTEは夫々ＴＭモード及びＴＥ
モードの利得ピーク）。ＴＥとＴＭとで利得スペクトル
が異なるのは、歪み量子井戸のバンド構造の変化による
ものである。このように、ＴＥモードとＴＭモードの利
得プロファイルだけを変えるだけでは、ＤＦＢレーザの
発振光をＴＭモードとＴＥモード間で選択することは困
難である。このため、従来例では設計精度が厳しく、偏
波変調可能動作範囲が狭かった。図４は、利得領域１お
よび２に不均一にキャリアを注入することで、ＴＥモー
ドとＴＭモードの利得の相関を変化させ、かつ、損失領
域に逆バイアス（たとえば、〜−５Ｖ）を印加したとき
の同関係を示している。共振器損失スペクトルのピーク
値がＴＭの方が小さくなるのは、量子閉じ込め効果（Ｑ
ＣＳＥ）によるものである。このように、利得スペクト
ルだけでなく共振器損失スペクトルも制御することで、
上記（３）式を容易に満たすことができる。
利得領域１および２に均等にキャリア（〜１０18ｃ
ｍ-3）を注入したときの、ＴＥモードおよびＴＭモード
に対する利得（正確にはГ・ｇ）と共振器損失（Г・α
in＋αM＋αSC）との関係を示す（横軸は波長、λTM
Bragg及びλTE Braggは夫々ブラッグ波長のＴＭモード及
びＴＥモード、λTM及びλTEは夫々ＴＭモード及びＴＥ
モードの利得ピーク）。ＴＥとＴＭとで利得スペクトル
が異なるのは、歪み量子井戸のバンド構造の変化による
ものである。このように、ＴＥモードとＴＭモードの利
得プロファイルだけを変えるだけでは、ＤＦＢレーザの
発振光をＴＭモードとＴＥモード間で選択することは困
難である。このため、従来例では設計精度が厳しく、偏
波変調可能動作範囲が狭かった。図４は、利得領域１お
よび２に不均一にキャリアを注入することで、ＴＥモー
ドとＴＭモードの利得の相関を変化させ、かつ、損失領
域に逆バイアス（たとえば、〜−５Ｖ）を印加したとき
の同関係を示している。共振器損失スペクトルのピーク
値がＴＭの方が小さくなるのは、量子閉じ込め効果（Ｑ
ＣＳＥ）によるものである。このように、利得スペクト
ルだけでなく共振器損失スペクトルも制御することで、
上記（３）式を容易に満たすことができる。
【００２３】定常状態で（３）式が成り立つよう、利得
領域１および２の電流と損失領域の印加電圧を調整した
あとは、変調方法にはいくつか方法がある。 （１）信号を損失領域に電圧として印加する。この方法
の長所は、ＱＣＳＥによる高速変調が可能であること、
共振器内のキャリア分布が一定に保たれるため発振光の
線幅が極めて狭くできる点にある。 （２）信号を利得領域１および２の片方或は両方に電流
として重畳する。この方法の長所は変調回路が簡単であ
ることである。 （３）（１）および（２）の組み合わせ。この場合の長
所は（１）および（２）の長所を合わせ持つ設定にでき
ることである。
領域１および２の電流と損失領域の印加電圧を調整した
あとは、変調方法にはいくつか方法がある。 （１）信号を損失領域に電圧として印加する。この方法
の長所は、ＱＣＳＥによる高速変調が可能であること、
共振器内のキャリア分布が一定に保たれるため発振光の
線幅が極めて狭くできる点にある。 （２）信号を利得領域１および２の片方或は両方に電流
として重畳する。この方法の長所は変調回路が簡単であ
ることである。 （３）（１）および（２）の組み合わせ。この場合の長
所は（１）および（２）の長所を合わせ持つ設定にでき
ることである。
【００２４】図５は、本実施例と従来例の動作電流と線
幅の関係を模式的に示したものである。変調時には、本
実施例の場合、（１）の方法を用いれば、この差はさら
に顕著になる。図６は、本実施例と従来例の偏波変調可
能領域の違いを動作電流対光出力の関係を用いて模式的
に表したものである。
幅の関係を模式的に示したものである。変調時には、本
実施例の場合、（１）の方法を用いれば、この差はさら
に顕著になる。図６は、本実施例と従来例の偏波変調可
能領域の違いを動作電流対光出力の関係を用いて模式的
に表したものである。
【００２５】本実施例によれば、以下の効果の達成され
ることが明らかである。 １）同じ光出力であれば、変調効率が高い。 ２）変調可能光出力範囲が広い。
ることが明らかである。 １）同じ光出力であれば、変調効率が高い。 ２）変調可能光出力範囲が広い。
【００２６】
【実施例２】
（非対称歪み量子井戸＋ＭＱＷ）次に第２の実施例につ
いて説明する。第１の実施例において利得領域と損失領
域の構造を独立に最適化することで、さらに高性能化を
図ることができる。構造は活性層１０４ａ及び損失層１
０４ｂ以外は第１の実施例と同じである。図７は活性層
のバンド構造を、図８は損失層のバンド構造を表してい
る。活性層は、ＩｎＧａＡｓおよびＩｎＧａＡｓＰをウ
エル層１７１、１７２とする非対称歪み量子井戸構造
（バリア層１７３はＧａＩｎＡｓＰ）になっている。本
実施例では、ＩｎＧａＡｓウエル層１７１（厚さ１０ｎ
ｍ）のみに１．０％の引っ張り歪みを導入し、ＩｎＧａ
ＡｓＰウエル層１７２（エネルギギャップに相当する波
長；λg＝１．６５μｍ、厚さ１０ｎｍ）およびＩｎＧ
ａＡｓＰバリア層１７３（λg＝１．３μｍ、厚さ１０
ｎｍ）は歪みのない２重量子井戸構造を用いた。また、
損失領域の構造は、ウエル層１８１はＩｎＧａＡｓ（引
っ張り歪み１．７％）から成り厚さは１０ｎｍ、バリア
層１８２はＩｎＧａＡｓＰ（波長１．２μｍ組成）から
成り厚さは１０ｎｍ、そしてＳＣＨ層１８３はＩｎＧａ
ＡｓＰ（波長１．２μｍ組成）から成り厚さは１００ｎ
ｍである。井戸数は２周期とした。
いて説明する。第１の実施例において利得領域と損失領
域の構造を独立に最適化することで、さらに高性能化を
図ることができる。構造は活性層１０４ａ及び損失層１
０４ｂ以外は第１の実施例と同じである。図７は活性層
のバンド構造を、図８は損失層のバンド構造を表してい
る。活性層は、ＩｎＧａＡｓおよびＩｎＧａＡｓＰをウ
エル層１７１、１７２とする非対称歪み量子井戸構造
（バリア層１７３はＧａＩｎＡｓＰ）になっている。本
実施例では、ＩｎＧａＡｓウエル層１７１（厚さ１０ｎ
ｍ）のみに１．０％の引っ張り歪みを導入し、ＩｎＧａ
ＡｓＰウエル層１７２（エネルギギャップに相当する波
長；λg＝１．６５μｍ、厚さ１０ｎｍ）およびＩｎＧ
ａＡｓＰバリア層１７３（λg＝１．３μｍ、厚さ１０
ｎｍ）は歪みのない２重量子井戸構造を用いた。また、
損失領域の構造は、ウエル層１８１はＩｎＧａＡｓ（引
っ張り歪み１．７％）から成り厚さは１０ｎｍ、バリア
層１８２はＩｎＧａＡｓＰ（波長１．２μｍ組成）から
成り厚さは１０ｎｍ、そしてＳＣＨ層１８３はＩｎＧａ
ＡｓＰ（波長１．２μｍ組成）から成り厚さは１００ｎ
ｍである。井戸数は２周期とした。
【００２７】図９は、利得領域１および２にキャリアを
注入し、かつ損失領域に電圧印加して制御した時の利得
および損失スペクトルの関係を示している。動作原理は
第１実施例と実質的に同じである。第１の実施例との違
いは、利得領域と損失領域の構造を独立に最適化してい
るので、 １）動作電流がさらに低くなること、 ２）変調効率がさらに高くなること、 ３）線幅がさらに狭くなること、 ４）偏波変調可能範囲がさらに広くなること、 である。
注入し、かつ損失領域に電圧印加して制御した時の利得
および損失スペクトルの関係を示している。動作原理は
第１実施例と実質的に同じである。第１の実施例との違
いは、利得領域と損失領域の構造を独立に最適化してい
るので、 １）動作電流がさらに低くなること、 ２）変調効率がさらに高くなること、 ３）線幅がさらに狭くなること、 ４）偏波変調可能範囲がさらに広くなること、 である。
【００２８】
【実施例３】
（バルク活性層＋金属装荷＋Ｆ−Ｋ効果）次に、製作の
容易さを重要視した例を示す。図１０は本発明の第３の
実施例の共振器方向の断面図である。図１０において、
図１と同符号で示すものは同機能部であることを示す。
共振器方向に３分割され、それぞれ利得領域１、利得領
域２および損失領域となっている。各領域は電気的には
独立であるが、光学的には共通の光ガイド層１０３を介
して結合している。具体的な層構成は以下の通り。１０
１はｎ型ＩｎＰ基板、１０２はｎ型ＩｎＰクラッド層、
１０３はｎ型ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層、１０４ａはア
ンドープＧａＩｎＡｓＰ活性層、１０４ｂはアンドープ
ＧａＩｎＡｓＰ損失層、１０５はｐ型ＩｎＰクラッド
層、１０６はｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層である。
１０７はｎ型クラッド層１０２とｎ型光ガイド層１０３
の境界に形成されたλ／４位相シフトを有するグレーテ
ィングであり、１０８は正電極、１０９は負電極であ
る。両端面には無反射（ＡＲ）コート１１２を施した。
グレーティング１０７のピッチは、ブラッグ波長のＴＭ
モードが利得ピークになるように設定してある。活性層
１０４ａ及び損失層１０４ｂの構造（バルク構造）は本
実施例では同じとした。活性層１０４ａ以外に第１の実
施例と異なっているのは、損失領域の電界分布が電極１
０８にかかる程度に、ｐ型クラッド層１０５が薄くなっ
ていることである。この結果、ＴＭモードに対してのみ
に対して損失領域になっている。
容易さを重要視した例を示す。図１０は本発明の第３の
実施例の共振器方向の断面図である。図１０において、
図１と同符号で示すものは同機能部であることを示す。
共振器方向に３分割され、それぞれ利得領域１、利得領
域２および損失領域となっている。各領域は電気的には
独立であるが、光学的には共通の光ガイド層１０３を介
して結合している。具体的な層構成は以下の通り。１０
１はｎ型ＩｎＰ基板、１０２はｎ型ＩｎＰクラッド層、
１０３はｎ型ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層、１０４ａはア
ンドープＧａＩｎＡｓＰ活性層、１０４ｂはアンドープ
ＧａＩｎＡｓＰ損失層、１０５はｐ型ＩｎＰクラッド
層、１０６はｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層である。
１０７はｎ型クラッド層１０２とｎ型光ガイド層１０３
の境界に形成されたλ／４位相シフトを有するグレーテ
ィングであり、１０８は正電極、１０９は負電極であ
る。両端面には無反射（ＡＲ）コート１１２を施した。
グレーティング１０７のピッチは、ブラッグ波長のＴＭ
モードが利得ピークになるように設定してある。活性層
１０４ａ及び損失層１０４ｂの構造（バルク構造）は本
実施例では同じとした。活性層１０４ａ以外に第１の実
施例と異なっているのは、損失領域の電界分布が電極１
０８にかかる程度に、ｐ型クラッド層１０５が薄くなっ
ていることである。この結果、ＴＭモードに対してのみ
に対して損失領域になっている。
【００２９】次に動作原理について説明する。図１１
は、ＤＦＢモードの位相を調整するために利得領域１お
よび２に独立にキャリア（〜１０18ｃｍ-3）を注入し、
かつ損失領域に逆バイアス（〜−５Ｖ）を印加したとき
の、ＴＥモードおよびＴＭモードに対する利得（正確に
はГ・ｇ）と共振器損失（Г・αin＋αM＋αSC）との
関係を示す（横軸は波長）。バルク活性層を用いている
ために、ＴＥとＴＭとで利得スペクトルはほとんど変わ
らない。共振器損失スペクトルのピーク値がＴＭの方が
大きいのは金属装荷によるＴＭモードの抑圧効果による
ものである。したがって、ブラッグ波長のＴＭモードの
利得の方がＴＥモードの利得より大きくなるように、グ
レーティングピッチを調整しておくことで上記（３）式
を満たすことができる。さらに損失領域に逆バイアスを
かけることでフランツ・ケルデッシュ効果により共振器
損失プロファイルを調整することができる。
は、ＤＦＢモードの位相を調整するために利得領域１お
よび２に独立にキャリア（〜１０18ｃｍ-3）を注入し、
かつ損失領域に逆バイアス（〜−５Ｖ）を印加したとき
の、ＴＥモードおよびＴＭモードに対する利得（正確に
はГ・ｇ）と共振器損失（Г・αin＋αM＋αSC）との
関係を示す（横軸は波長）。バルク活性層を用いている
ために、ＴＥとＴＭとで利得スペクトルはほとんど変わ
らない。共振器損失スペクトルのピーク値がＴＭの方が
大きいのは金属装荷によるＴＭモードの抑圧効果による
ものである。したがって、ブラッグ波長のＴＭモードの
利得の方がＴＥモードの利得より大きくなるように、グ
レーティングピッチを調整しておくことで上記（３）式
を満たすことができる。さらに損失領域に逆バイアスを
かけることでフランツ・ケルデッシュ効果により共振器
損失プロファイルを調整することができる。
【００３０】本実施例独自の特徴は、活性層及び損失層
がバルク構造であるので、簡単な制作方法で偏波変調可
能な半導体レーザを得ることができる点にある。動作原
理は第１実施例と実質的に同じである。
がバルク構造であるので、簡単な制作方法で偏波変調可
能な半導体レーザを得ることができる点にある。動作原
理は第１実施例と実質的に同じである。
【００３１】
【実施例４】
（ネットワークへの応用−偏光子有り）次に本発明のデ
バイスを光ネットワークへ適用した例について述べる。
実施例１〜３で述べたデバイスの出射面に偏光子を配置
し、特定偏波光（例えばＴＥ光）のみを取り出すことが
できる。図１２および図１３はバス型光ネットワークお
よびリング型光ネットワークへの適用例であり、光ノー
ド４０１〜４０６に上記デバイスが搭載されている。本
発明の半導体レーザは線幅が狭くかつ安定しているの
で、パスバンドの狭いフィルタと組み合わせることで高
密度波長多重通信ネットワークが実現できる。
バイスを光ネットワークへ適用した例について述べる。
実施例１〜３で述べたデバイスの出射面に偏光子を配置
し、特定偏波光（例えばＴＥ光）のみを取り出すことが
できる。図１２および図１３はバス型光ネットワークお
よびリング型光ネットワークへの適用例であり、光ノー
ド４０１〜４０６に上記デバイスが搭載されている。本
発明の半導体レーザは線幅が狭くかつ安定しているの
で、パスバンドの狭いフィルタと組み合わせることで高
密度波長多重通信ネットワークが実現できる。
【００３２】
【実施例５】
（ネットワークへの応用−偏光子なし）偏光子を使用し
なければ異なる偏波の光を同時に送出できることから、
上記デバイスを用いてネットワークの多機能化をはかる
ことができる。例えば、波長可変レーザと波長可変フィ
ルタを用いた波長多重システムにおいて、波長可変フィ
ルタに偏波依存性をもたせることで、上記デバイスを偏
波ダイバーシティ用の光源として非常に単純な構成で使
用できる。
なければ異なる偏波の光を同時に送出できることから、
上記デバイスを用いてネットワークの多機能化をはかる
ことができる。例えば、波長可変レーザと波長可変フィ
ルタを用いた波長多重システムにおいて、波長可変フィ
ルタに偏波依存性をもたせることで、上記デバイスを偏
波ダイバーシティ用の光源として非常に単純な構成で使
用できる。
【００３３】以上は１．５μｍ帯で説明してきたが、他
の波長帯や材料系でも同様に成り立つ。
の波長帯や材料系でも同様に成り立つ。
【００３４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の偏波変調可
能な半導体レーザは以下の効果を有する。 （１）安定に直接偏波変調できる領域（電流、光出力、
動作温度、波長、消光比等）が広い。 （２）素子設計の自由度が高く、構造が簡単なため製作
歩留まりが高い。 （３）動作電流が低く構造が簡単なため素子寿命が長
い。
能な半導体レーザは以下の効果を有する。 （１）安定に直接偏波変調できる領域（電流、光出力、
動作温度、波長、消光比等）が広い。 （２）素子設計の自由度が高く、構造が簡単なため製作
歩留まりが高い。 （３）動作電流が低く構造が簡単なため素子寿命が長
い。
【００３５】又、本発明の光ネットワークは以下の効果
を有する。 （１）本発明の偏波変調可能な半導体レーザは線幅の動
作安定性が良いため、パスバンドの狭い波長フィルタと
組み合わせて高密度波長多重通信システムを実現でき
る。
を有する。 （１）本発明の偏波変調可能な半導体レーザは線幅の動
作安定性が良いため、パスバンドの狭い波長フィルタと
組み合わせて高密度波長多重通信システムを実現でき
る。
【図１】本発明の第１の実施例を説明する共振器方向断
面図。
面図。
【図２】第１の実施例の活性層及び損失層のバンド構造
を説明する模式図。
を説明する模式図。
【図３】第１の実施例の利得領域１および２に均等にキ
ャリアを注入したときの、ＴＥモードおよびＴＭモード
に対する利得（正確にはГ・ｇ）と共振器損失との関係
を示すグラフ図。
ャリアを注入したときの、ＴＥモードおよびＴＭモード
に対する利得（正確にはГ・ｇ）と共振器損失との関係
を示すグラフ図。
【図４】第１の実施例の利得領域１および２に不均一に
キャリアを注入してＴＥモードとＴＭモードの利得の相
関を変化させ、かつ、損失領域に逆バイアスを印加した
ときのＴＥモードおよびＴＭモードに対する利得（正確
にはГ・ｇ）と共振器損失との関係を示すグラフ図。
キャリアを注入してＴＥモードとＴＭモードの利得の相
関を変化させ、かつ、損失領域に逆バイアスを印加した
ときのＴＥモードおよびＴＭモードに対する利得（正確
にはГ・ｇ）と共振器損失との関係を示すグラフ図。
【図５】第１の実施例と従来例の動作電流と線幅の関係
を模式的に示した図。
を模式的に示した図。
【図６】第１の実施例と従来例の偏波変調可能領域の違
いを動作電流対光出力の関係を用いて模式的に表した
図。
いを動作電流対光出力の関係を用いて模式的に表した
図。
【図７】第２の実施例の活性層のバンド構造を説明する
模式図。
模式図。
【図８】第２の実施例の損失層のバンド構造を説明する
模式図。
模式図。
【図９】第２の実施例の利得領域１および２にキャリア
を注入し、かつ損失領域に電圧印加して制御した時の利
得および損失スペクトルの関係を示すグラフ図。
を注入し、かつ損失領域に電圧印加して制御した時の利
得および損失スペクトルの関係を示すグラフ図。
【図１０】本発明の第３の実施例を説明する共振器方向
断面図。
断面図。
【図１１】第３の実施例の利得領域１および２に独立に
キャリアを注入し、かつ損失領域に逆バイアスを印加し
たときの、ＴＥモードおよびＴＭモードに対する利得
（正確にはГ・ｇ）と共振器損失（Г・αin＋αM＋α
SC）との関係を示すグラフ図。
キャリアを注入し、かつ損失領域に逆バイアスを印加し
たときの、ＴＥモードおよびＴＭモードに対する利得
（正確にはГ・ｇ）と共振器損失（Г・αin＋αM＋α
SC）との関係を示すグラフ図。
【図１２】バス型ネットワークシステムへの適用例を説
明する模式図。
明する模式図。
【図１３】リング型ネットワークシステムへの適用例を
説明する模式図。
説明する模式図。
【図１４】従来例を説明する模式図。
１０１ 基板
１０２、１０５ クラッド層
１０３ 光ガイド層
１０４ａ 活性層
１０４ｂ 損失層
１０６ キャップ層
１０７ グレーティング
１０８、１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｃ 正電極
１０９ 負電極
１１２ ＡＲコート
１２１、１８１ ウエル層
１２２、１８２ バリア層
１２３、１８３ ＳＣＨ層
１７１ ＩｎＧａＡｓ歪み井戸層
１７２ ＩｎＧａＡｓＰ井戸層
１７３ ＩｎＧａＡｓＰバリア層
４００ 光バスライン
４０１〜４０６ 光ノード
４１１〜４１６ 端末装置
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平６−125142（ＪＰ，Ａ)
米国特許5007063（ＵＳ，Ａ)
ＫＮＵＰＦＥＲ Ｂ ＥＴ ＡＬ，Ｐ
ＯＬＡＲＩＺＡＴＩＯＮ−ＩＮＳＥＮＳ
ＩＴＩＶＥ ＨＩＧＨ−ＣＯＮＴＲＡＳ
Ｔ ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ ＷＡＶＥ
ＧＵＩＤＥ ＭＯＤＵＬＡＴＯＲ ＢＡ
ＳＥＤ ＯＮ ＴＨＥ ＦＲＡＮ，ＩＥ
ＥＥ ＰＨＯＴＯＮＩＣＳ ＴＥＣＨＮ
ＯＬＯＧＹ ＬＥＴＴＥＲＳ，米国,
1993年12月１日，ｖｏｌ．５，ｎｏ.
12，ｐａｇｅｓ 1386−1388
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/025
H01S 5/34
Claims (6)
- 【請求項１】 互いに独立な２つの偏波モードを許容す
る光導波路と分布帰還型共振器を有する半導体レーザで
あって、独立制御可能な利得領域と損失領域を有し、該
利得領域と該損失領域のうち、少なくとも該損失領域を
制御することにより共振器全体の損失スペクトルに偏波
依存性を与え、且つ前記２つの偏波モードの利得に偏波
依存性を与える為に、該利得領域の活性層を多重量子井
戸構造とし、それを構成する量子井戸のウエル層とバリ
ア層の層厚や組成、歪み応力の少なくとも１つを他の量
子井戸と異ならせ、前記２つの偏波モードを任意に選択
するように構成されていることを特徴とする偏波変調可
能な半導体レーザ。 - 【請求項２】 前記共振器全体の損失スペクトルに偏波
依存性を与える為に、損失領域の光導波路の一部に量子
閉じこめシュタルク効果を有する量子井戸構造に代表さ
れる超構造が用いられ、偏波モードを任意に選択する為
に、損失領域に印加する電圧を制御すること及び利得領
域の活性層に注入するキャリア密度を制御することの少
なくとも一方を行うことを特徴とする請求項１記載の半
導体レーザ。 - 【請求項３】 前記共振器全体の損失スペクトルに偏波
依存性を与える為に、損失領域の光導波路の一部にフラ
ンツ・ケルデッシュ効果を有する構造が用いられ、偏波
モードを任意に選択する為に、損失領域に印加する電圧
を制御すること及び利得領域の活性層に注入するキャリ
ア密度を制御することの少なくとも一方を行うことを特
徴とする請求項１記載の半導体レーザ。 - 【請求項４】 前記共振器全体の損失スペクトルに偏波
依存性を与える為に、損失領域の表面に金属が装荷さ
れ、偏波モードを選択する為に、利得領域の活性層に注
入するキャリア密度を制御することを特徴とする請求項
１記載の半導体レーザ。 - 【請求項５】 発振光源として用いられる請求項１乃至
４のいずれかに記載の半導体レーザに対し、該レーザの
出射面に偏光子を配置して特定の偏波のみを利用するこ
とを特徴とする光ネットワーク。 - 【請求項６】 発振光源として用いられる請求項１乃至
４のいずれかに記載の半導体レーザから、出射される偏
波が互いに直交する光を伝送路に同時に送出して、受信
側では該偏波の異なる光を同時に受信することを特徴と
する光ネットワーク。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12716195A JP3397511B2 (ja) | 1995-04-27 | 1995-04-27 | 偏波変調可能な半導体レーザ |
| US08/637,453 US5757832A (en) | 1995-04-27 | 1996-04-25 | Optical semiconductor device, driving method therefor and light source and opitcal communication system using the same |
| DE69614602T DE69614602T2 (de) | 1995-04-27 | 1996-04-26 | Optische Halbleitervorrichtung, Verfahren zu ihrer Ansteuerung, Verwendung der Vorrichtung als Lichtquelle und optisches Kommunikationssystemes mit einer derartigen Lichtquelle |
| EP96106666A EP0742623B1 (en) | 1995-04-27 | 1996-04-26 | Optical semiconductor device, driving method therefore, its use as a light source and optical communication system using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12716195A JP3397511B2 (ja) | 1995-04-27 | 1995-04-27 | 偏波変調可能な半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08304750A JPH08304750A (ja) | 1996-11-22 |
| JP3397511B2 true JP3397511B2 (ja) | 2003-04-14 |
Family
ID=14953158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12716195A Expired - Fee Related JP3397511B2 (ja) | 1995-04-27 | 1995-04-27 | 偏波変調可能な半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3397511B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6999685B1 (en) | 1997-01-31 | 2006-02-14 | Seiko Epson Corporation | Polarized light communication device, transmitter, laser, polarized light communication device for physiological use, reflected light detector and pulse wave detecting device |
| US9306672B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-04-05 | Encore Corporation | Method of fabricating and operating an optical modulator |
-
1995
- 1995-04-27 JP JP12716195A patent/JP3397511B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ＫＮＵＰＦＥＲ Ｂ ＥＴ ＡＬ，ＰＯＬＡＲＩＺＡＴＩＯＮ−ＩＮＳＥＮＳＩＴＩＶＥ ＨＩＧＨ−ＣＯＮＴＲＡＳＴ ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ ＷＡＶＥＧＵＩＤＥ ＭＯＤＵＬＡＴＯＲ ＢＡＳＥＤ ＯＮ ＴＨＥ ＦＲＡＮ，ＩＥＥＥ ＰＨＯＴＯＮＩＣＳ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＬＥＴＴＥＲＳ，米国，１９９３年１２月１日，ｖｏｌ．５，ｎｏ．１２，ｐａｇｅｓ １３８６−１３８８ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08304750A (ja) | 1996-11-22 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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