JP3382920B2 - 共振器型弾性表面波フィルタ - Google Patents
共振器型弾性表面波フィルタInfo
- Publication number
- JP3382920B2 JP3382920B2 JP2000198119A JP2000198119A JP3382920B2 JP 3382920 B2 JP3382920 B2 JP 3382920B2 JP 2000198119 A JP2000198119 A JP 2000198119A JP 2000198119 A JP2000198119 A JP 2000198119A JP 3382920 B2 JP3382920 B2 JP 3382920B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resonator
- filter
- saw
- arm resonator
- attenuation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14538—Formation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6483—Ladder SAW filters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、帯域フィルタとし
て用いられる共振器型の弾性表面波（SurfaceAcoustic
Wave 、以下「ＳＡＷ」という。）フィルタ、特にこの
通過帯域の低域側減衰量を増加させるためのフィルタ構
造に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来、ＳＡＷフィルタに関する技術とし
ては、例えば、次のような文献等に記載されるものがあ
った。 文献１；特開平１０−９３３８１号公報 文献２；特開平１０−１７３４６９号公報 文献３；特開平１０−２９４６４０号公報 【０００３】一般的に、ＳＡＷ装置は、例えば、文献２
等に記載されているように、ＳＡＷを励振するための簾
状トランスデューサ（Interdigital Transducer、以下
「ＩＤＴ」という。）を有している。このＩＤＴを加工
することにより、ＳＡＷ装置にいろいろな特性や機能を
もたせることができる。ＩＤＴは、圧電基板（例えば、
ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 、水晶等）の上に形成され
る。ＩＤＴの材質は、純Ａｌ又はＡｌを主材料とする合
金が一般的であるが、場合によって純Ａｕ、純Ｔｉ又は
これらの金属を主材料とする合金が用いられる場合もあ
る。また、ＩＤＴの膜厚は、数百Å〜数千Åまでであ
る。 【０００４】従来、ＳＡＷ装置といえば、主にＳＡＷフ
ィルタを指すことが多く、そしてこのＳＡＷフィルタの
中では、多電極型ＳＡＷフィルタが主役である。近年、
多電極型ＳＡＷフィルタの他に、例えば、文献３等に記
載されているように、共振器型ＳＡＷフィルタの研究開
発も盛んになり、ＳＡＷフィルタと言えば必ずしも多電
極型ＳＡＷフィルタを意味しなくなってきた。 【０００５】共振器型ＳＡＷフィルタは、古典的な電気
フィルタの設計方法に基づいて、ＳＡＷ共振子を用いて
構成される帯域フィルタである。ＳＡＷ共振子の本体は
ＩＤＴで、場合によって左右に反射器を有する。反射器
もＩＤＴと同様に簾状電極指で構成され、この全電極指
は電気的に短絡される場合もあれば、開放される場合も
ある。反射器は、主にＩＤＴの左右に漏洩するＳＡＷを
音響的に反射するための装置であるので、全電極指の電
気的短絡又は開放とほとんど無関係である。このような
ＳＡＷ共振子のインピーダンス特性は、ＬＣ共振器のイ
ンピーダンス特性に極めて類似しているため、電気フィ
ルタの設計方法が適用できるわけである。 【０００６】図２は、一般的なＳＡＷ共振子を示す平面
図である。又、図３（ａ）〜（ｃ）は図２の反射器の構
成図であり、同図（ａ）は反射器の略図、同図（ｂ）は
全電極指が電気的に短絡された短絡型反射器の図、及び
同図（ｃ）は全電極指が開放された開放型反射器の図で
ある。 【０００７】図２に示すＳＡＷ共振子は、圧電基板１１
を有し、この圧電基板１１上にＩＤＴ１２で形成されて
いる。ＩＤＴ１２の両側には、所定距離ｄだけ隔てて反
射器１３−１，１３−２が形成されている。ＩＤＴ１２
には、入力端子１４及び出力端子１５が接続されてい
る。 【０００８】各反射器１３−１，１３−２は、図３
（ｂ）の短絡型、あるいは図３（ｃ）の開放型のいずれ
かで構成されている。なお、反射器１３−１，１３−２
を必要としない場合は、これを除けばよい。 【０００９】各反射器１３−１，１３−２の電極指の本
数は、５０本〜１００本程度が適当である。反射器１３
−１，１３−２の配置は、所望のインピーダンスを得る
ためにいろいろあるが、ＩＤＴ１２の一番外側の電極指
から励振するＳＡＷの波長の１／４の距離ｄ、即ちＩＤ
Ｔ１２のピッチｄの前後にするのが一般的である。製造
過程において、ＩＤＴ１２と反射器１３−１，１３−２
は同時に形成されるものなので、これらの膜厚及び材質
は同じである。このように構成されるＳＡＷ共振子は、
ＬＣ共振器とよく似たリアクタンス特性を示すため、そ
の等価回路を近似的に表されることが多い。 【００１０】図４は、図２のＳＡＷ共振子の等価回路を
示す図である。又、図５は、図４のリアクタンス特性図
である。図４の等価回路において、インダクタＬ、キャ
パシタｃ１及び抵抗ｒが、入力端子と出力端子の間に直
列に接続され、さらにこれと並列にキャパシタＣ０が接
続されている。 【００１１】図５に示すように、図４の等価回路のリア
クタンス特性は、共振周波数Ｆｒ及び***振周波数Ｆａ
の時にリアクタンスが０Ωとなる。このようなリアクタ
ンス特性のＳＡＷ共振子で電気フィルタを設計する方法
は、古くから知られている。ＳＡＷ共振子でフィルタを
構成するにあたって、例えば、文献３等に記載されてい
るように、梯子型回路が基本回路である。 【００１２】図６（ａ）、（ｂ）は、一般的な１段梯子
型回路の二通りの構成例を示す図である。図６（ａ）の
１段梯子型回路は、端子２１−１と端子２２−１との間
に、直列アーム（但し、アームは英語のａｒｍからきた
外来語）共振子３０Ｓが接続されている。さらに、端子
２２−１と端子２１−２，２２−２との間に、並列アー
ム共振子３０Ｐが接続されている。 【００１３】図６（ｂ）の１段梯子型回路は、図６
（ａ）の回路と対称構造になっている。図６（ａ）の左
の端子２１−１，２１−２からみたインピーダンスは、
図６（ｂ）の右の端子２１−１，２１−２からみたイン
ピーダンスに等しく、図６（ａ）の右の端子２２−１，
２２−２からみたインピーダンスは、図６（ｂ）の左の
端子２２−１，２２−２からみたインピーダンスに等し
い。ＳＡＷ共振子で共振器型ＳＡＷフィルタを構成する
ときは、梯子型回路間のインピーダンスを考えながら、
図６の（ａ）又は（ｂ）の回路を選択する。 【００１４】並列アーム共振子３０Ｐの***振周波数
と、直列アーム共振子３０Ｓの共振周波数が非常に接近
又は一致すれば、系全体の入力端子と出力端子における
整合状態が極めて良好で、良好な帯域フィルタの特性が
得られる。 【００１５】図７は、図６の伝送特性図である。この図
７の符号Ｒ３０は、図６の直列アーム共振子３０Ｓ及び
並列アーム共振子３０Ｐのリアクタンス特性を示してい
る。ＸｐとＸｓは、それぞれ並列アーム共振子３０Ｐと
直列アーム共振子３０Ｓのリアクタンス特性である。共
振周波数と***振周波数は、リアクタンスが０Ωとなる
周波数である。結果的に、図６に示される１段梯子型回
路の伝送特性は、図７の符号Ｃ３０の特性（挿入損失特
性と反射損失特性）のようになる。この特性は、帯域フ
ィルタの挿入損失特性であり、梯子型回路の段数を増や
すことによって挿入損失特性における通過帯域の左右の
減衰量が増加する。この段数は、帯域フィルタの仕様に
よって決まる。しかし、帯域フィルタを構成する梯子型
回路の段数が増加すると、共振子３０Ｓ，３０Ｐの数も
これに比例して増加する。 【００１６】図８は、４段梯子型回路で構成される共振
器型ＳＡＷフィルタの一構成例を示す図である。この４
段共振器型ＳＡＷフィルタは、端子２３−１，２３−２
と端子２４−１，２４−２との間に、図６に示される１
段梯子型回路が縦続的に４段に接続されて構成されてい
る。端子２３−２，２４−２は、接地されている。各段
の梯子型回路は、各段の間の相互反射を考慮して、縦続
的に接続するときにインピーダンスの等しい端子同士で
接続させる。結果的に、直列アームにおいて１組の２個
直列接続ＳＡＷ共振子系、並列アームにおいて２組の２
個並列接続ＳＡＷ共振子系ができる。各段に２個の共振
子３０Ｓ，３０Ｐがあるので、合計８個の共振子３０Ｓ
−１〜３０Ｓ−４，３０Ｐ−１〜３０Ｐ−４が必要にな
ってくるが、一般的に、直列に接続する２個の共振子３
０Ｓ又は並列に接続する２個の共振子３０Ｐは、１個の
共振子に合成することが可能である。この合成共振子
は、前記２個の共振子系とほぼ同じインピーダンス特性
をもっていることが特徴である。 【００１７】図９は、図８の共振子を合成した後の４段
共振器型ＳＡＷフィルタの等価回路図である。例えば、
図８の１段目の直列アーム共振子３０Ｓ−１と２段目の
直列アーム共振子３０Ｓ−２、及び３段目の直列アーム
共振子３０Ｓ−３と４段目の直列アーム共振子３０Ｓ−
４は、それぞれ直列に接続し、２段目の並列アーム共振
子３０Ｐ−２と３段目の並列アーム共振子３０Ｐ−３は
並列に接続する。ここで、それぞれの共振子系を合成す
ると、図９に示されるような等価回路になる。 【００１８】図８に示される共振器型ＳＡＷフィルタに
おいて、合計８個の共振子３０Ｓ−１〜３０Ｓ−４，３
０Ｐ−１〜３０Ｐ−４が必要なのに、共振子合成を行う
ことによって図９に示されるように、５個の共振子４０
Ｓ−１〜４０Ｓ−３，４０Ｐ−１，４０Ｐ−２で同じ伝
送特性及びインピーダンス特性の共振器型ＳＡＷフィル
タを得ることができる。ここで、直列アーム共振子４０
Ｓ−１及び４０Ｓ−３は、それぞれ図８の直列アーム共
振子３０Ｓ−１及び３０Ｓ−４と同じで、並列アーム共
振子４０Ｐ−１は、図８の並列アーム共振子３０Ｐ−１
及び３０Ｐ−２の合成共振子であり、並列アーム共振子
４０Ｐ−２は、図８の並列アーム共振子３０Ｐ−３及び
３０Ｐ−４の合成共振子である。又、直列アーム共振子
４０Ｓ−２は、図８の直列アーム共振子３０Ｓ−２及び
３０Ｓ−３の合成共振子である。 【００１９】図１０は、図９の４段共振器型ＳＡＷフィ
ルタの構成例を示す平面図である。この４段共振器型Ｓ
ＡＷフィルタは、圧電基板４１上に、図９の５個の共振
子４０Ｓ−１〜４０Ｓ−３，４０Ｐ−１，４０Ｐ−２が
形成されている。入力端子２３−１には、直列アーム共
振子４０Ｓ−１が接続されている。直列アーム共振子４
０Ｓ−１には、伝送路パターン４２−１を介して直列ア
ーム共振子４０Ｓ−２が接続されると共に、伝送路パタ
ーン４３−１を介して並列アーム共振子４０Ｐ−１２が
接続されている。直列アーム共振子４０Ｓ−２には、伝
送路パターン４２−２を介して直列アーム共振子４０Ｓ
−３が接続されると共に、伝送路パターン４３−２を介
して並列アーム共振子４０Ｐ−２が接続されている。直
列アーム共振子４０Ｓ−３は、出力端子２４−１に接続
されている。 【００２０】従来、静電気除去対策をはじめとする特性
向上対策のために、各共振子４０Ｓ−１〜４０Ｓ−３，
４０Ｐ−１，４０Ｐ−２の反射器は、ワイヤボンディン
グ等で接地させることが一般的である。又、実装の簡素
化を図るために、並列アーム共振子４０Ｐ−１の反射器
とＩＤＴの接地電極指群は、互いに薄膜パターンからな
るアースパターン４０Ｐ−１Ａで接続し、このアースパ
ターン４０Ｐ−１Ａが同じワイヤで接地される。同様
に、並列アーム共振子４０Ｐ−２の反射器とＩＤＴの接
地電極指群は、互いに薄膜パターンからなるアースパタ
ーン４０Ｐ−２Ａで接続し、このアースパターン４０Ｐ
−２Ａが同じワイヤで接地されている。 【００２１】このような共振器型ＳＡＷフィルタの通過
帯域外の減衰量は、梯子型回路の段数が４段であれば、
およそ２８ｄＢ〜３０ｄＢ程度である。これ以上の減衰
量を必要とする場合は、フィルタの梯子型回路の段数を
増やす必要があるが、段数を増やすと、通過帯域の挿入
損失もこれに比例して増加する。このため、従来、共振
器型ＳＡＷフィルタを使用する場合、通過帯域の低挿入
損失を必要とするときは、フィルタの梯子型回路の段数
を減らし、帯域外減衰量を犠牲にするが、高帯域外減衰
量を必要とするときは、フィルタの梯子型回路の段数を
増やし、通過帯域の挿入損失を犠牲にする。 【００２２】図１１は、図１０の４段共振器型ＳＡＷフ
ィルタの挿入損失特性を示す図である。理論的には、共
振器型ＳＡＷフィルタを構成している並列アーム共振子
４０Ｐ−１，４０Ｐ−２が中心周波数Ｆ０より低域の特
性に強く影響している。経験的に、並列アーム共振子４
０Ｐ−１，４０Ｐ−２の反射器とＩＤＴを接続している
アースパターン４０Ｐ−１Ａ，４０Ｐ−２Ａが、共通の
ワイヤを用いて接地されているため、低域側減衰量Ｌａ
ｔのレベルが、高域側減衰量Ｈａｔのレベルより低いこ
とが知られている。なお、図１１に示す低域側減衰量Ｌ
ａｔのレベルと高域側減衰量Ｈａｔのレベルは、おおよ
その目安である。 【００２３】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
共振器型ＳＡＷフィルタでは、次のような課題があっ
た。共振器型ＳＡＷフィルタの高性能化にはいろいろな
課題があるが、主に低損失化（通過帯域挿入損失の低
減）、帯域外減衰量の増加、高耐電力化等が重要視され
ている。特に、帯域外減衰量を増加させる課題は、低損
失化と同じく共振器型ＳＡＷフィルタの開発において非
常に重要な課題である。 【００２４】従来の技術では、共振器型ＳＡＷフィルタ
における帯域外減衰量を増加させるためには、該フィル
タを構成する梯子型回路の段数を増やすことが一般的で
ある。しかし、このような方法では、帯域外減衰量は増
加するが、通過帯域の挿入損失の増加も避けられず、こ
の帯域外減衰量と通過帯域の挿入損失とがトレードオフ
の関係にあり、フィルタ高性能化の目的に反する結果に
なってしまう。 【００２５】また、従来の例えば文献３の技術では、Ｓ
ＡＷ共振子のＩＤＴの接地側電極パッドとパッケージの
接地端子とを接続する方法を工夫し、高域側減衰量Ｈａ
ｔを改善する提案が行われている。しかし、このような
技術を用いても、共振器型ＳＡＷフィルタにおける通過
帯域の挿入損失を変えることなく、帯域外の低域側減衰
量Ｌａｔだけを増加させることは困難であった。 【００２６】本発明は、帯域外減衰量と通過帯域の挿入
損失とのトレードオフの関係によって生じる従来の矛盾
を解決し、通過帯域の挿入損失を劣化させることなく、
帯域外の低域側減衰量だけを増加させる共振器型ＳＡＷ
フィルタを提供することを目的とする。 【００２７】 【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、複数本の電極指からなる簾状の電極指で
形成されたＩＤＴと、前記ＩＤＴを挟んで左右に所定間
隔隔てて配置され、複数本の電極指で形成された反射器
と、をそれぞれ有する直列アーム共振子と並列アーム共
振子が、梯子型に接続された共振器型ＳＡＷフィルタで
あって、前記直列アーム共振子及び前記並列アーム共振
子の反射器のアースパターンを反射器毎に独立したアー
スパターンに分離し、前記各アースパターンをそれぞれ
独立したワイヤ、リボンボンド、バンプ等の導体によっ
て接地する構成にしている。 【００２８】このような構成を採用したことにより、入
力された高周波信号の所定の帯域外の低域側及び高域側
の減衰量が大きくなってこの低域側及び高域側の周波数
が遮断され、入力された高周波信号の所定の帯域のみが
通過し、出力される。本発明では特に、直列アーム共振
子及び並列アーム共振子の反射器のアースパターンを反
射器毎に独立したアースパターンに分離し、この各アー
スパターンをそれぞれ独立した導体によって接地してい
るので、共振器型ＳＡＷフィルタにおける通過帯域の挿
入損失が変わることなく、帯域外の低域側減衰量だけが
増加する。 【００２９】 【発明の実施の形態】（第１の実施形態）図１は、本発
明の第１の実施形態を示すワイヤボンディング方式にお
ける共振器型ＳＡＷフィルタの概略の平面図である。
又、図１２は、図１の並列アーム共振子附近を示す概略
の拡大断面図である。この第１の実施形態のワイヤボン
ディング方式における共振器型ＳＡＷフィルタは、Ｌｉ
ＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 、水晶等で形成された圧電基板
５１を有し、この圧電基板５１の表面に、従来の図１０
に対応する４段共振器型ＳＡＷフィルタの回路が形成さ
れている。 【００３０】この回路では、圧電基板５１の表面の上側
及び下側附近に入力端子５２及び出力端子５３が形成さ
れている。入力端子５２には、直列アーム共振子６０が
接続され、この直列アーム共振子６０に、薄膜の伝送路
パターン５４を介して直列アーム共振子７０が接続され
ている。直列アーム共振子７０には、薄膜の伝送路パタ
ーン５５を介して直列アーム共振子８０が接続され、こ
の直列アーム共振子８０が、出力端子５３に接続されて
いる。伝送路パターン５４には、薄膜の伝送路パターン
５６を介して並列アーム共振子９０が接続されている。
伝送路パターン５５にも、薄膜の伝送路パターン５７を
介して並列アーム共振子１００が接続されている。 【００３１】各直列アーム共振子６０，７０，８０は、
例えば、従来の図２及び図３（ｂ）とほぼ同様に、ＩＤ
Ｔ６１，７１，８１と、この左右に所定距離ｄ（＝ＳＡ
Ｗの波長／４）だけ隔てて配置された第１の反射器６
２，７２，８２及び第２の反射器６３，７３，８３とで
構成されている。各並列アーム共振子９０，１００は、
各直列アーム共振子６０，７０，８０とほぼ同様に、Ｉ
ＤＴ９１，１０１と、この左右に所定距離ｄだけ隔てて
配置された第１の反射器９２，１０２及び第２の反射器
９３，１０３とで構成されている。 【００３２】本実施形態の各並列アーム共振子９０，１
００は、従来の図１０の各並列アーム共振子４０Ｐ−
１，４０Ｐ−２のようにＩＤＴと左右の反射器の接地電
極指群がアースパターン４０Ｐ−１Ａ，４０Ｐ−２Ａで
接続されておらず、電気的に独立している。即ち、本実
施形態の各並列アーム共振子９０，１００では、各ＩＤ
Ｔ９１，１０１を構成する複数本の電極指の接地側が、
薄膜パターンからなる第１のアースパターン（例えば、
ボンディングパッド）９１Ａ，１０１Ａに共通接続さ
れ、各左側の反射器９２，１０２を構成する複数本の電
極指の接地側が、薄膜パターンからなる第２のアースパ
ターン（例えば、ボンディングパッド）９２Ａ，１０２
Ａに共通接続され、さらに各右側の反射器９３，１０３
を構成する複数本の電極指の接地側が、薄膜パターンか
らなる第３のアースパターン（例えば、ボンディングパ
ッド）９３Ａ，１０３Ａに共通接続されている。各ボン
ディングパッド９１Ａ，１０１Ａと９２Ａ，１０２Ａと
９３Ａ，１０３Ａは、従来の図１０と異なり、完全に電
気的に分離されている。 【００３３】共振器型ＳＡＷフィルタ回路が搭載された
圧電基板５１の裏面側は、このＳＡＷフィルタを実装す
るためのパッケージ１１０上に載置され、接着剤等で固
定されている。パッケージ１１０には、高周波信号を入
力するための入力電極１１１と、出力信号を出力するた
めの出力電極１１２と、接地電極１１３，１１４とが形
成されている。入力電極１１１は、圧電基板５１側の入
力端子５２にワイヤ５２Ｗで接続されている。出力電極
１１２は、圧電基板５１側の出力端子５３にワイヤ５３
Ｗで接続されている。圧電基板５１側の各直列アーム共
振子６０，７０，８０の第１の反射器６２，７２，８２
は、ワイヤ６２Ｗ，７２Ｗ，８２Ｗによってパッケージ
１１０の接地電極１１３に接続され、第２の反射器６
３，７３，８３は、ワイヤ６３Ｗ，７３Ｗ，８３Ｗによ
って接地電極１１４に接続されている。 【００３４】さらに、圧電基板５１側の並列アーム共振
子９０のＩＤＴ９１におけるボンディングパッド９１
Ａ、及び反射器９２，９３のボンディングパッド９２
Ａ，９３Ａは、それぞれ独立したワイヤ９１Ｗ，９２
Ｗ，９３Ｗによってパッケージ１１０の接地電極１１３
に接続されている。同様に、並列アーム共振子１００に
おけるＩＤＴ１０１のボンディングパッド１０１Ａ、及
び反射器１０２，１０３のボンディングパッド１０２
Ａ，１０３Ａは、それぞれ独立したワイヤ１０１Ｗ，１
０２Ｗ，１０３Ｗによって接地電極１１３に接続されて
いる。 【００３５】このように電気的に独立しているボンディ
ングパッド９１Ａ，１０１Ａと９２Ａ，１０２Ａと９３
Ａ，１０３Ａをそれぞれ独立したワイヤ９１Ｗ，１０１
Ｗと９２Ｗ，１０２Ｗと９３Ｗ，１０３Ｗでパッケージ
１１０の接地電極１１３に接続したことが、従来の図１
０と異なる本実施形態の特徴である。なお、各ワイヤ５
２Ｗ，５３Ｗ，６２Ｗ，６３Ｗ，７２Ｗ，７３Ｗ，８２
Ｗ，８３Ｗ，９１Ｗ〜９３Ｗ，１０１Ｗ〜１０３Ｗは、
Ａｌ、Ａｕ等の極細の金属線で構成されている。 【００３６】次に、図１及び図１２の動作を説明する。
本実施形態の共振器型ＳＡＷフィルタの動作原理は、従
来の図１０のものと同じである。即ち、高周波信号がパ
ッケージ１１０の入力電極１１１に入力されると、この
高周波信号がワイヤ５２Ｗを通して圧電基板５１上の入
力端子５２へ送られる。すると、ＳＡＷフィルタを構成
する直列アーム共振子６０，７０，８０及び並列アーム
共振子９０，１００の全てのＩＤＴ６１，７１，８１，
９１，１０１の電極指間に電圧差が生じ、ＳＡＷが励振
される。この際、各ＩＤＴ６１，７１，８１，９１，１
０１の左右に漏洩したＳＡＷは、左右に設けられた反射
器６２，６３，７２，７３，８２，８３，９２，９３，
１０２，１０３によって音響的に反射される。これによ
り、各共振子６０，７０，８０，９０，１００が水晶共
振子又は従来のＬＣ共振子のようなインピーダンス特性
を表し、各々の共振子６０，７０，８０，９０，１００
が梯子型回路を構成するので、共振子系全体が帯域フィ
ルタの特性を表すことになる。そして、通過帯域の周波
数をもつ信号だけが、少ない損失で圧電基板５１上の出
力端子５３から出力され、ワイヤ５３Ｗを通して出力電
極１１２へ送られる。 【００３７】以上のように、この第１の実施形態では、
次のような効果がある。図１３は、図１の共振器型ＳＡ
Ｗフィルタの挿入損失特性図である。 【００３８】この第１の実施形態では、共振器型ＳＡＷ
フィルタを構成する全ての共振子６０〜１００のアース
パターンを反射器毎に独立したアースパターンに分離
し、それぞれ独立したワイヤで接地させることによっ
て、共振器型ＳＡＷフィルタのアースが強化されれるの
で、帯域外減衰量が増加し、伝送特性が向上する。ま
た、共振器型ＳＡＷフィルタの挿入損失特性の低域側に
強く影響を及ぼしている並列アーム共振子９０，１００
におけるＩＤＴ９１，１０１のボンディングパッド９１
Ａ，１０１Ａと、反射器９２，１０２のボンディングパ
ッド９２Ａ，１０２Ａと、反射器９３，１０３のボンデ
ィングパッド９３Ａ，１０３Ａとが必然的に分離するこ
とになるので、これらの各ボンディングパッド９１Ａ，
１０１Ａと９２Ａ，１０２Ａと９３Ａ，１０３Ａをそれ
ぞれ独立したワイヤ９１Ｗ，１０１Ｗと９２Ｗ，１０２
Ｗと９３Ｗ，１０３Ｗによって、パッケージ１１０の接
地電極１１３に接続している。このため、並列アーム共
振子９０，１００のアイソレーションが著しく改善さ
れ、この結果、共振器型ＳＡＷフィルタの通過帯域外の
低域側減衰量が増加し、改善される。 【００３９】この理由としては、例えば、各ボンディン
グパッド９１Ａ〜９３Ａ，１０１Ａ〜１０３Ａの寄生容
量等の影響により、通過帯域外の低域側のアイソレーシ
ョンが改善されるものと考えられるが、現段階では理論
的解明が困難である。 【００４０】図１３の挿入損失特性において、ＬａとＨ
ａがそれぞれ本実施形態の共振器型ＳＡＷフィルタの低
域側と高域側の減衰量のレベルの目安を示している。従
来の図１１の損失特性と比較すると、本実施形態の低域
側減衰量Ｌａが従来の低域側減衰量Ｌａｔより増加し、
本実施形態の損失が従来よりも例えば４〜５ｄＢ程度低
下している。従って、本実施形態の共振器型ＳＡＷフィ
ルタでは、梯子型回路の段数を増加させることなく、通
過帯域外の低域側減衰量Ｌａを改善できる。 【００４１】（第２の実施形態）図１４は、本発明の第
２の実施形態を示すワイヤレスボンディング方式におけ
る共振器型ＳＡＷフィルタの一部の概略の拡大断面図で
あり、第１の実施形態の図１２に対応する図である。こ
の図１４において、第１の実施形態の図１２中の要素と
共通の要素には共通の符号が付されている。 【００４２】この第２の実施形態の共振器型ＳＡＷフィ
ルタでは、図１のワイヤ５２Ｗ，５３Ｗ，…に代えて、
半田等で形成されたバンプ９１Ｂ，９２Ｂ，９３Ｂ，…
を用いてパッケージ１１０に接続するようにしている。
即ち、並列アーム共振子９０，１００におけるＩＤＴ９
１，１０１のボンディングパッド９１Ａ，１０１Ａ及び
反射器９２，９３，１０２，１０３のボンディングパッ
ド９２Ａ，９３Ａ，１０２Ａ，１０３Ａ等の上に、半田
等のバンプ９１Ａ，９２Ａ，９３Ａ，…が形成され、こ
のバンプ９１Ａ，９２Ａ，９３Ａ，…をパッケージ１１
０の表面の接地電極１１３に溶着している。 【００４３】このようなワイヤレスボンディング方式の
共振器型ＳＡＷフィルタでは、第１の実施形態とほぼ同
様の作用、効果が得られる上に、ワイヤ５２Ｗ，５３
Ｗ，…を用いたものに比べて接続作業を簡略化できると
いう効果がある。 【００４４】（利用形態）上記実施形態のように通過帯
域外の低域側減衰量Ｌａが改善された共振器型ＳＡＷフ
ィルタは、従来のものと比べて利用しやすく、応用範囲
が広くなる。一般的に、ＳＡＷフィルタは、例えば、自
動車電話、携帯電話等において段間フィルタとしてよく
使われるが、通過帯域外の減衰量が不十分なため、共用
器用フィルタとして利用しにくい。しかし、上記実施形
態では、共振器型ＳＡＷフィルタの通過帯域外の低域側
減衰量Ｌａを改善できたことで、通過帯域外の低域側の
減衰量だけを多く必要とするフィルタとして十分利用で
きる。 【００４５】図１５は、自動車電話、携帯電話等の共用
器の概略を示す構成図である。この共用器では、アンテ
ナ１２１と接地電極１２２とに、伝送路１２３，１２４
を介して送信フィルタ１２５及び受信フィルタ１２６が
接続されている。送信フィルタ１２５には送信器１２７
が接続され、受信フィルタ１２６に受信器１２８が接続
される。送信器１２７から送信信号が出力されると、こ
の送信信号が送信フィルタ１２５及び伝送路１２３を通
してアンテナ１２１から送信される。外部から送られて
きた信号はアンテナ１２１で受信され、伝送路１２４及
び受信フィルタ１２６を通して受信器１２８に受信され
る。 【００４６】このような自動車電話、携帯電話等の共用
器では、例えば、受信周波数が送信周波数より高域にあ
る場合、受信フィルタ１２６の通過帯域外の低域側減衰
量が多ければ多いほど、送信回路系と受信回路系のアイ
ソレーションが良くなる。上記実施形態の共振器型ＳＡ
Ｗフィルタは、通過帯域の挿入損失が劣化することな
く、通過帯域外の低域側減衰量が増加するため、場合に
よって自動車電話、携帯電話等の共用器の受信フィルタ
１２６として十分利用できる。 【００４７】（変形例）なお、本発明は上記実施形態に
限定されず、種々の変形が可能である。この変形例とし
ては、例えば、次の（１）〜（４）のようなものがあ
る。 （１） 図１のワイヤ５２Ｗ，５３Ｗ，…に代えて、Ａ
ｌ，Ａｕ等のリボンボンドを用いても、同様の効果が得
られる。 【００４８】（２） 図１では４段の共振器型ＳＡＷフ
ィルタについて説明したが、この段数は用途に応じて任
意の段数を採用でき、上記実施形態と同様の作用、効果
が得られる。 【００４９】（３） 共振器型ＳＡＷフィルタを構成す
る直列アーム共振子６０，７０，８０及び並列アーム共
振子９０，１００は、図１に示す配置形態や形状あるい
は構造に限定されず、種々の変形が可能である。 【００５０】（４） 共振器型ＳＡＷフィルタを実装す
るパッケージ１１０は、種々の形状や構造のものが採用
できる。 【００５１】 【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、直列アーム共振子及び並列アーム共振子を用いて
梯子型回路を構成し、共振器型ＳＡＷフィルタを構成す
る全ての共振子のアースパターンを反射器毎に独立した
アースパターンに分離し、それぞれ独立した導体で接地
させることによって、共振器型ＳＡＷフィルタのアース
が強化されるので、帯域外減衰量が増加し、伝送特性が
向上する。しかも、並列アーム共振子におけるＩＤＴの
アースパターンと、反射器のアースパターンとが、必然
的に分離することになるので、各アースパターンを別々
に独立した導体を用いて接地する構成にしている。これ
により、共振器型ＳＡＷフィルタにおける通過帯域外の
低域側減衰量が増加し、この結果、共振器型ＳＡＷフィ
ルタにおける梯子型回路の段数を増加させることなく、
低域側減衰量を改善でき、良好な伝送特性の共振器型Ｓ
ＡＷフィルタを提供できる。
て用いられる共振器型の弾性表面波（SurfaceAcoustic
Wave 、以下「ＳＡＷ」という。）フィルタ、特にこの
通過帯域の低域側減衰量を増加させるためのフィルタ構
造に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来、ＳＡＷフィルタに関する技術とし
ては、例えば、次のような文献等に記載されるものがあ
った。 文献１；特開平１０−９３３８１号公報 文献２；特開平１０−１７３４６９号公報 文献３；特開平１０−２９４６４０号公報 【０００３】一般的に、ＳＡＷ装置は、例えば、文献２
等に記載されているように、ＳＡＷを励振するための簾
状トランスデューサ（Interdigital Transducer、以下
「ＩＤＴ」という。）を有している。このＩＤＴを加工
することにより、ＳＡＷ装置にいろいろな特性や機能を
もたせることができる。ＩＤＴは、圧電基板（例えば、
ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 、水晶等）の上に形成され
る。ＩＤＴの材質は、純Ａｌ又はＡｌを主材料とする合
金が一般的であるが、場合によって純Ａｕ、純Ｔｉ又は
これらの金属を主材料とする合金が用いられる場合もあ
る。また、ＩＤＴの膜厚は、数百Å〜数千Åまでであ
る。 【０００４】従来、ＳＡＷ装置といえば、主にＳＡＷフ
ィルタを指すことが多く、そしてこのＳＡＷフィルタの
中では、多電極型ＳＡＷフィルタが主役である。近年、
多電極型ＳＡＷフィルタの他に、例えば、文献３等に記
載されているように、共振器型ＳＡＷフィルタの研究開
発も盛んになり、ＳＡＷフィルタと言えば必ずしも多電
極型ＳＡＷフィルタを意味しなくなってきた。 【０００５】共振器型ＳＡＷフィルタは、古典的な電気
フィルタの設計方法に基づいて、ＳＡＷ共振子を用いて
構成される帯域フィルタである。ＳＡＷ共振子の本体は
ＩＤＴで、場合によって左右に反射器を有する。反射器
もＩＤＴと同様に簾状電極指で構成され、この全電極指
は電気的に短絡される場合もあれば、開放される場合も
ある。反射器は、主にＩＤＴの左右に漏洩するＳＡＷを
音響的に反射するための装置であるので、全電極指の電
気的短絡又は開放とほとんど無関係である。このような
ＳＡＷ共振子のインピーダンス特性は、ＬＣ共振器のイ
ンピーダンス特性に極めて類似しているため、電気フィ
ルタの設計方法が適用できるわけである。 【０００６】図２は、一般的なＳＡＷ共振子を示す平面
図である。又、図３（ａ）〜（ｃ）は図２の反射器の構
成図であり、同図（ａ）は反射器の略図、同図（ｂ）は
全電極指が電気的に短絡された短絡型反射器の図、及び
同図（ｃ）は全電極指が開放された開放型反射器の図で
ある。 【０００７】図２に示すＳＡＷ共振子は、圧電基板１１
を有し、この圧電基板１１上にＩＤＴ１２で形成されて
いる。ＩＤＴ１２の両側には、所定距離ｄだけ隔てて反
射器１３−１，１３−２が形成されている。ＩＤＴ１２
には、入力端子１４及び出力端子１５が接続されてい
る。 【０００８】各反射器１３−１，１３−２は、図３
（ｂ）の短絡型、あるいは図３（ｃ）の開放型のいずれ
かで構成されている。なお、反射器１３−１，１３−２
を必要としない場合は、これを除けばよい。 【０００９】各反射器１３−１，１３−２の電極指の本
数は、５０本〜１００本程度が適当である。反射器１３
−１，１３−２の配置は、所望のインピーダンスを得る
ためにいろいろあるが、ＩＤＴ１２の一番外側の電極指
から励振するＳＡＷの波長の１／４の距離ｄ、即ちＩＤ
Ｔ１２のピッチｄの前後にするのが一般的である。製造
過程において、ＩＤＴ１２と反射器１３−１，１３−２
は同時に形成されるものなので、これらの膜厚及び材質
は同じである。このように構成されるＳＡＷ共振子は、
ＬＣ共振器とよく似たリアクタンス特性を示すため、そ
の等価回路を近似的に表されることが多い。 【００１０】図４は、図２のＳＡＷ共振子の等価回路を
示す図である。又、図５は、図４のリアクタンス特性図
である。図４の等価回路において、インダクタＬ、キャ
パシタｃ１及び抵抗ｒが、入力端子と出力端子の間に直
列に接続され、さらにこれと並列にキャパシタＣ０が接
続されている。 【００１１】図５に示すように、図４の等価回路のリア
クタンス特性は、共振周波数Ｆｒ及び***振周波数Ｆａ
の時にリアクタンスが０Ωとなる。このようなリアクタ
ンス特性のＳＡＷ共振子で電気フィルタを設計する方法
は、古くから知られている。ＳＡＷ共振子でフィルタを
構成するにあたって、例えば、文献３等に記載されてい
るように、梯子型回路が基本回路である。 【００１２】図６（ａ）、（ｂ）は、一般的な１段梯子
型回路の二通りの構成例を示す図である。図６（ａ）の
１段梯子型回路は、端子２１−１と端子２２−１との間
に、直列アーム（但し、アームは英語のａｒｍからきた
外来語）共振子３０Ｓが接続されている。さらに、端子
２２−１と端子２１−２，２２−２との間に、並列アー
ム共振子３０Ｐが接続されている。 【００１３】図６（ｂ）の１段梯子型回路は、図６
（ａ）の回路と対称構造になっている。図６（ａ）の左
の端子２１−１，２１−２からみたインピーダンスは、
図６（ｂ）の右の端子２１−１，２１−２からみたイン
ピーダンスに等しく、図６（ａ）の右の端子２２−１，
２２−２からみたインピーダンスは、図６（ｂ）の左の
端子２２−１，２２−２からみたインピーダンスに等し
い。ＳＡＷ共振子で共振器型ＳＡＷフィルタを構成する
ときは、梯子型回路間のインピーダンスを考えながら、
図６の（ａ）又は（ｂ）の回路を選択する。 【００１４】並列アーム共振子３０Ｐの***振周波数
と、直列アーム共振子３０Ｓの共振周波数が非常に接近
又は一致すれば、系全体の入力端子と出力端子における
整合状態が極めて良好で、良好な帯域フィルタの特性が
得られる。 【００１５】図７は、図６の伝送特性図である。この図
７の符号Ｒ３０は、図６の直列アーム共振子３０Ｓ及び
並列アーム共振子３０Ｐのリアクタンス特性を示してい
る。ＸｐとＸｓは、それぞれ並列アーム共振子３０Ｐと
直列アーム共振子３０Ｓのリアクタンス特性である。共
振周波数と***振周波数は、リアクタンスが０Ωとなる
周波数である。結果的に、図６に示される１段梯子型回
路の伝送特性は、図７の符号Ｃ３０の特性（挿入損失特
性と反射損失特性）のようになる。この特性は、帯域フ
ィルタの挿入損失特性であり、梯子型回路の段数を増や
すことによって挿入損失特性における通過帯域の左右の
減衰量が増加する。この段数は、帯域フィルタの仕様に
よって決まる。しかし、帯域フィルタを構成する梯子型
回路の段数が増加すると、共振子３０Ｓ，３０Ｐの数も
これに比例して増加する。 【００１６】図８は、４段梯子型回路で構成される共振
器型ＳＡＷフィルタの一構成例を示す図である。この４
段共振器型ＳＡＷフィルタは、端子２３−１，２３−２
と端子２４−１，２４−２との間に、図６に示される１
段梯子型回路が縦続的に４段に接続されて構成されてい
る。端子２３−２，２４−２は、接地されている。各段
の梯子型回路は、各段の間の相互反射を考慮して、縦続
的に接続するときにインピーダンスの等しい端子同士で
接続させる。結果的に、直列アームにおいて１組の２個
直列接続ＳＡＷ共振子系、並列アームにおいて２組の２
個並列接続ＳＡＷ共振子系ができる。各段に２個の共振
子３０Ｓ，３０Ｐがあるので、合計８個の共振子３０Ｓ
−１〜３０Ｓ−４，３０Ｐ−１〜３０Ｐ−４が必要にな
ってくるが、一般的に、直列に接続する２個の共振子３
０Ｓ又は並列に接続する２個の共振子３０Ｐは、１個の
共振子に合成することが可能である。この合成共振子
は、前記２個の共振子系とほぼ同じインピーダンス特性
をもっていることが特徴である。 【００１７】図９は、図８の共振子を合成した後の４段
共振器型ＳＡＷフィルタの等価回路図である。例えば、
図８の１段目の直列アーム共振子３０Ｓ−１と２段目の
直列アーム共振子３０Ｓ−２、及び３段目の直列アーム
共振子３０Ｓ−３と４段目の直列アーム共振子３０Ｓ−
４は、それぞれ直列に接続し、２段目の並列アーム共振
子３０Ｐ−２と３段目の並列アーム共振子３０Ｐ−３は
並列に接続する。ここで、それぞれの共振子系を合成す
ると、図９に示されるような等価回路になる。 【００１８】図８に示される共振器型ＳＡＷフィルタに
おいて、合計８個の共振子３０Ｓ−１〜３０Ｓ−４，３
０Ｐ−１〜３０Ｐ−４が必要なのに、共振子合成を行う
ことによって図９に示されるように、５個の共振子４０
Ｓ−１〜４０Ｓ−３，４０Ｐ−１，４０Ｐ−２で同じ伝
送特性及びインピーダンス特性の共振器型ＳＡＷフィル
タを得ることができる。ここで、直列アーム共振子４０
Ｓ−１及び４０Ｓ−３は、それぞれ図８の直列アーム共
振子３０Ｓ−１及び３０Ｓ−４と同じで、並列アーム共
振子４０Ｐ−１は、図８の並列アーム共振子３０Ｐ−１
及び３０Ｐ−２の合成共振子であり、並列アーム共振子
４０Ｐ−２は、図８の並列アーム共振子３０Ｐ−３及び
３０Ｐ−４の合成共振子である。又、直列アーム共振子
４０Ｓ−２は、図８の直列アーム共振子３０Ｓ−２及び
３０Ｓ−３の合成共振子である。 【００１９】図１０は、図９の４段共振器型ＳＡＷフィ
ルタの構成例を示す平面図である。この４段共振器型Ｓ
ＡＷフィルタは、圧電基板４１上に、図９の５個の共振
子４０Ｓ−１〜４０Ｓ−３，４０Ｐ−１，４０Ｐ−２が
形成されている。入力端子２３−１には、直列アーム共
振子４０Ｓ−１が接続されている。直列アーム共振子４
０Ｓ−１には、伝送路パターン４２−１を介して直列ア
ーム共振子４０Ｓ−２が接続されると共に、伝送路パタ
ーン４３−１を介して並列アーム共振子４０Ｐ−１２が
接続されている。直列アーム共振子４０Ｓ−２には、伝
送路パターン４２−２を介して直列アーム共振子４０Ｓ
−３が接続されると共に、伝送路パターン４３−２を介
して並列アーム共振子４０Ｐ−２が接続されている。直
列アーム共振子４０Ｓ−３は、出力端子２４−１に接続
されている。 【００２０】従来、静電気除去対策をはじめとする特性
向上対策のために、各共振子４０Ｓ−１〜４０Ｓ−３，
４０Ｐ−１，４０Ｐ−２の反射器は、ワイヤボンディン
グ等で接地させることが一般的である。又、実装の簡素
化を図るために、並列アーム共振子４０Ｐ−１の反射器
とＩＤＴの接地電極指群は、互いに薄膜パターンからな
るアースパターン４０Ｐ−１Ａで接続し、このアースパ
ターン４０Ｐ−１Ａが同じワイヤで接地される。同様
に、並列アーム共振子４０Ｐ−２の反射器とＩＤＴの接
地電極指群は、互いに薄膜パターンからなるアースパタ
ーン４０Ｐ−２Ａで接続し、このアースパターン４０Ｐ
−２Ａが同じワイヤで接地されている。 【００２１】このような共振器型ＳＡＷフィルタの通過
帯域外の減衰量は、梯子型回路の段数が４段であれば、
およそ２８ｄＢ〜３０ｄＢ程度である。これ以上の減衰
量を必要とする場合は、フィルタの梯子型回路の段数を
増やす必要があるが、段数を増やすと、通過帯域の挿入
損失もこれに比例して増加する。このため、従来、共振
器型ＳＡＷフィルタを使用する場合、通過帯域の低挿入
損失を必要とするときは、フィルタの梯子型回路の段数
を減らし、帯域外減衰量を犠牲にするが、高帯域外減衰
量を必要とするときは、フィルタの梯子型回路の段数を
増やし、通過帯域の挿入損失を犠牲にする。 【００２２】図１１は、図１０の４段共振器型ＳＡＷフ
ィルタの挿入損失特性を示す図である。理論的には、共
振器型ＳＡＷフィルタを構成している並列アーム共振子
４０Ｐ−１，４０Ｐ−２が中心周波数Ｆ０より低域の特
性に強く影響している。経験的に、並列アーム共振子４
０Ｐ−１，４０Ｐ−２の反射器とＩＤＴを接続している
アースパターン４０Ｐ−１Ａ，４０Ｐ−２Ａが、共通の
ワイヤを用いて接地されているため、低域側減衰量Ｌａ
ｔのレベルが、高域側減衰量Ｈａｔのレベルより低いこ
とが知られている。なお、図１１に示す低域側減衰量Ｌ
ａｔのレベルと高域側減衰量Ｈａｔのレベルは、おおよ
その目安である。 【００２３】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
共振器型ＳＡＷフィルタでは、次のような課題があっ
た。共振器型ＳＡＷフィルタの高性能化にはいろいろな
課題があるが、主に低損失化（通過帯域挿入損失の低
減）、帯域外減衰量の増加、高耐電力化等が重要視され
ている。特に、帯域外減衰量を増加させる課題は、低損
失化と同じく共振器型ＳＡＷフィルタの開発において非
常に重要な課題である。 【００２４】従来の技術では、共振器型ＳＡＷフィルタ
における帯域外減衰量を増加させるためには、該フィル
タを構成する梯子型回路の段数を増やすことが一般的で
ある。しかし、このような方法では、帯域外減衰量は増
加するが、通過帯域の挿入損失の増加も避けられず、こ
の帯域外減衰量と通過帯域の挿入損失とがトレードオフ
の関係にあり、フィルタ高性能化の目的に反する結果に
なってしまう。 【００２５】また、従来の例えば文献３の技術では、Ｓ
ＡＷ共振子のＩＤＴの接地側電極パッドとパッケージの
接地端子とを接続する方法を工夫し、高域側減衰量Ｈａ
ｔを改善する提案が行われている。しかし、このような
技術を用いても、共振器型ＳＡＷフィルタにおける通過
帯域の挿入損失を変えることなく、帯域外の低域側減衰
量Ｌａｔだけを増加させることは困難であった。 【００２６】本発明は、帯域外減衰量と通過帯域の挿入
損失とのトレードオフの関係によって生じる従来の矛盾
を解決し、通過帯域の挿入損失を劣化させることなく、
帯域外の低域側減衰量だけを増加させる共振器型ＳＡＷ
フィルタを提供することを目的とする。 【００２７】 【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、複数本の電極指からなる簾状の電極指で
形成されたＩＤＴと、前記ＩＤＴを挟んで左右に所定間
隔隔てて配置され、複数本の電極指で形成された反射器
と、をそれぞれ有する直列アーム共振子と並列アーム共
振子が、梯子型に接続された共振器型ＳＡＷフィルタで
あって、前記直列アーム共振子及び前記並列アーム共振
子の反射器のアースパターンを反射器毎に独立したアー
スパターンに分離し、前記各アースパターンをそれぞれ
独立したワイヤ、リボンボンド、バンプ等の導体によっ
て接地する構成にしている。 【００２８】このような構成を採用したことにより、入
力された高周波信号の所定の帯域外の低域側及び高域側
の減衰量が大きくなってこの低域側及び高域側の周波数
が遮断され、入力された高周波信号の所定の帯域のみが
通過し、出力される。本発明では特に、直列アーム共振
子及び並列アーム共振子の反射器のアースパターンを反
射器毎に独立したアースパターンに分離し、この各アー
スパターンをそれぞれ独立した導体によって接地してい
るので、共振器型ＳＡＷフィルタにおける通過帯域の挿
入損失が変わることなく、帯域外の低域側減衰量だけが
増加する。 【００２９】 【発明の実施の形態】（第１の実施形態）図１は、本発
明の第１の実施形態を示すワイヤボンディング方式にお
ける共振器型ＳＡＷフィルタの概略の平面図である。
又、図１２は、図１の並列アーム共振子附近を示す概略
の拡大断面図である。この第１の実施形態のワイヤボン
ディング方式における共振器型ＳＡＷフィルタは、Ｌｉ
ＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 、水晶等で形成された圧電基板
５１を有し、この圧電基板５１の表面に、従来の図１０
に対応する４段共振器型ＳＡＷフィルタの回路が形成さ
れている。 【００３０】この回路では、圧電基板５１の表面の上側
及び下側附近に入力端子５２及び出力端子５３が形成さ
れている。入力端子５２には、直列アーム共振子６０が
接続され、この直列アーム共振子６０に、薄膜の伝送路
パターン５４を介して直列アーム共振子７０が接続され
ている。直列アーム共振子７０には、薄膜の伝送路パタ
ーン５５を介して直列アーム共振子８０が接続され、こ
の直列アーム共振子８０が、出力端子５３に接続されて
いる。伝送路パターン５４には、薄膜の伝送路パターン
５６を介して並列アーム共振子９０が接続されている。
伝送路パターン５５にも、薄膜の伝送路パターン５７を
介して並列アーム共振子１００が接続されている。 【００３１】各直列アーム共振子６０，７０，８０は、
例えば、従来の図２及び図３（ｂ）とほぼ同様に、ＩＤ
Ｔ６１，７１，８１と、この左右に所定距離ｄ（＝ＳＡ
Ｗの波長／４）だけ隔てて配置された第１の反射器６
２，７２，８２及び第２の反射器６３，７３，８３とで
構成されている。各並列アーム共振子９０，１００は、
各直列アーム共振子６０，７０，８０とほぼ同様に、Ｉ
ＤＴ９１，１０１と、この左右に所定距離ｄだけ隔てて
配置された第１の反射器９２，１０２及び第２の反射器
９３，１０３とで構成されている。 【００３２】本実施形態の各並列アーム共振子９０，１
００は、従来の図１０の各並列アーム共振子４０Ｐ−
１，４０Ｐ−２のようにＩＤＴと左右の反射器の接地電
極指群がアースパターン４０Ｐ−１Ａ，４０Ｐ−２Ａで
接続されておらず、電気的に独立している。即ち、本実
施形態の各並列アーム共振子９０，１００では、各ＩＤ
Ｔ９１，１０１を構成する複数本の電極指の接地側が、
薄膜パターンからなる第１のアースパターン（例えば、
ボンディングパッド）９１Ａ，１０１Ａに共通接続さ
れ、各左側の反射器９２，１０２を構成する複数本の電
極指の接地側が、薄膜パターンからなる第２のアースパ
ターン（例えば、ボンディングパッド）９２Ａ，１０２
Ａに共通接続され、さらに各右側の反射器９３，１０３
を構成する複数本の電極指の接地側が、薄膜パターンか
らなる第３のアースパターン（例えば、ボンディングパ
ッド）９３Ａ，１０３Ａに共通接続されている。各ボン
ディングパッド９１Ａ，１０１Ａと９２Ａ，１０２Ａと
９３Ａ，１０３Ａは、従来の図１０と異なり、完全に電
気的に分離されている。 【００３３】共振器型ＳＡＷフィルタ回路が搭載された
圧電基板５１の裏面側は、このＳＡＷフィルタを実装す
るためのパッケージ１１０上に載置され、接着剤等で固
定されている。パッケージ１１０には、高周波信号を入
力するための入力電極１１１と、出力信号を出力するた
めの出力電極１１２と、接地電極１１３，１１４とが形
成されている。入力電極１１１は、圧電基板５１側の入
力端子５２にワイヤ５２Ｗで接続されている。出力電極
１１２は、圧電基板５１側の出力端子５３にワイヤ５３
Ｗで接続されている。圧電基板５１側の各直列アーム共
振子６０，７０，８０の第１の反射器６２，７２，８２
は、ワイヤ６２Ｗ，７２Ｗ，８２Ｗによってパッケージ
１１０の接地電極１１３に接続され、第２の反射器６
３，７３，８３は、ワイヤ６３Ｗ，７３Ｗ，８３Ｗによ
って接地電極１１４に接続されている。 【００３４】さらに、圧電基板５１側の並列アーム共振
子９０のＩＤＴ９１におけるボンディングパッド９１
Ａ、及び反射器９２，９３のボンディングパッド９２
Ａ，９３Ａは、それぞれ独立したワイヤ９１Ｗ，９２
Ｗ，９３Ｗによってパッケージ１１０の接地電極１１３
に接続されている。同様に、並列アーム共振子１００に
おけるＩＤＴ１０１のボンディングパッド１０１Ａ、及
び反射器１０２，１０３のボンディングパッド１０２
Ａ，１０３Ａは、それぞれ独立したワイヤ１０１Ｗ，１
０２Ｗ，１０３Ｗによって接地電極１１３に接続されて
いる。 【００３５】このように電気的に独立しているボンディ
ングパッド９１Ａ，１０１Ａと９２Ａ，１０２Ａと９３
Ａ，１０３Ａをそれぞれ独立したワイヤ９１Ｗ，１０１
Ｗと９２Ｗ，１０２Ｗと９３Ｗ，１０３Ｗでパッケージ
１１０の接地電極１１３に接続したことが、従来の図１
０と異なる本実施形態の特徴である。なお、各ワイヤ５
２Ｗ，５３Ｗ，６２Ｗ，６３Ｗ，７２Ｗ，７３Ｗ，８２
Ｗ，８３Ｗ，９１Ｗ〜９３Ｗ，１０１Ｗ〜１０３Ｗは、
Ａｌ、Ａｕ等の極細の金属線で構成されている。 【００３６】次に、図１及び図１２の動作を説明する。
本実施形態の共振器型ＳＡＷフィルタの動作原理は、従
来の図１０のものと同じである。即ち、高周波信号がパ
ッケージ１１０の入力電極１１１に入力されると、この
高周波信号がワイヤ５２Ｗを通して圧電基板５１上の入
力端子５２へ送られる。すると、ＳＡＷフィルタを構成
する直列アーム共振子６０，７０，８０及び並列アーム
共振子９０，１００の全てのＩＤＴ６１，７１，８１，
９１，１０１の電極指間に電圧差が生じ、ＳＡＷが励振
される。この際、各ＩＤＴ６１，７１，８１，９１，１
０１の左右に漏洩したＳＡＷは、左右に設けられた反射
器６２，６３，７２，７３，８２，８３，９２，９３，
１０２，１０３によって音響的に反射される。これによ
り、各共振子６０，７０，８０，９０，１００が水晶共
振子又は従来のＬＣ共振子のようなインピーダンス特性
を表し、各々の共振子６０，７０，８０，９０，１００
が梯子型回路を構成するので、共振子系全体が帯域フィ
ルタの特性を表すことになる。そして、通過帯域の周波
数をもつ信号だけが、少ない損失で圧電基板５１上の出
力端子５３から出力され、ワイヤ５３Ｗを通して出力電
極１１２へ送られる。 【００３７】以上のように、この第１の実施形態では、
次のような効果がある。図１３は、図１の共振器型ＳＡ
Ｗフィルタの挿入損失特性図である。 【００３８】この第１の実施形態では、共振器型ＳＡＷ
フィルタを構成する全ての共振子６０〜１００のアース
パターンを反射器毎に独立したアースパターンに分離
し、それぞれ独立したワイヤで接地させることによっ
て、共振器型ＳＡＷフィルタのアースが強化されれるの
で、帯域外減衰量が増加し、伝送特性が向上する。ま
た、共振器型ＳＡＷフィルタの挿入損失特性の低域側に
強く影響を及ぼしている並列アーム共振子９０，１００
におけるＩＤＴ９１，１０１のボンディングパッド９１
Ａ，１０１Ａと、反射器９２，１０２のボンディングパ
ッド９２Ａ，１０２Ａと、反射器９３，１０３のボンデ
ィングパッド９３Ａ，１０３Ａとが必然的に分離するこ
とになるので、これらの各ボンディングパッド９１Ａ，
１０１Ａと９２Ａ，１０２Ａと９３Ａ，１０３Ａをそれ
ぞれ独立したワイヤ９１Ｗ，１０１Ｗと９２Ｗ，１０２
Ｗと９３Ｗ，１０３Ｗによって、パッケージ１１０の接
地電極１１３に接続している。このため、並列アーム共
振子９０，１００のアイソレーションが著しく改善さ
れ、この結果、共振器型ＳＡＷフィルタの通過帯域外の
低域側減衰量が増加し、改善される。 【００３９】この理由としては、例えば、各ボンディン
グパッド９１Ａ〜９３Ａ，１０１Ａ〜１０３Ａの寄生容
量等の影響により、通過帯域外の低域側のアイソレーシ
ョンが改善されるものと考えられるが、現段階では理論
的解明が困難である。 【００４０】図１３の挿入損失特性において、ＬａとＨ
ａがそれぞれ本実施形態の共振器型ＳＡＷフィルタの低
域側と高域側の減衰量のレベルの目安を示している。従
来の図１１の損失特性と比較すると、本実施形態の低域
側減衰量Ｌａが従来の低域側減衰量Ｌａｔより増加し、
本実施形態の損失が従来よりも例えば４〜５ｄＢ程度低
下している。従って、本実施形態の共振器型ＳＡＷフィ
ルタでは、梯子型回路の段数を増加させることなく、通
過帯域外の低域側減衰量Ｌａを改善できる。 【００４１】（第２の実施形態）図１４は、本発明の第
２の実施形態を示すワイヤレスボンディング方式におけ
る共振器型ＳＡＷフィルタの一部の概略の拡大断面図で
あり、第１の実施形態の図１２に対応する図である。こ
の図１４において、第１の実施形態の図１２中の要素と
共通の要素には共通の符号が付されている。 【００４２】この第２の実施形態の共振器型ＳＡＷフィ
ルタでは、図１のワイヤ５２Ｗ，５３Ｗ，…に代えて、
半田等で形成されたバンプ９１Ｂ，９２Ｂ，９３Ｂ，…
を用いてパッケージ１１０に接続するようにしている。
即ち、並列アーム共振子９０，１００におけるＩＤＴ９
１，１０１のボンディングパッド９１Ａ，１０１Ａ及び
反射器９２，９３，１０２，１０３のボンディングパッ
ド９２Ａ，９３Ａ，１０２Ａ，１０３Ａ等の上に、半田
等のバンプ９１Ａ，９２Ａ，９３Ａ，…が形成され、こ
のバンプ９１Ａ，９２Ａ，９３Ａ，…をパッケージ１１
０の表面の接地電極１１３に溶着している。 【００４３】このようなワイヤレスボンディング方式の
共振器型ＳＡＷフィルタでは、第１の実施形態とほぼ同
様の作用、効果が得られる上に、ワイヤ５２Ｗ，５３
Ｗ，…を用いたものに比べて接続作業を簡略化できると
いう効果がある。 【００４４】（利用形態）上記実施形態のように通過帯
域外の低域側減衰量Ｌａが改善された共振器型ＳＡＷフ
ィルタは、従来のものと比べて利用しやすく、応用範囲
が広くなる。一般的に、ＳＡＷフィルタは、例えば、自
動車電話、携帯電話等において段間フィルタとしてよく
使われるが、通過帯域外の減衰量が不十分なため、共用
器用フィルタとして利用しにくい。しかし、上記実施形
態では、共振器型ＳＡＷフィルタの通過帯域外の低域側
減衰量Ｌａを改善できたことで、通過帯域外の低域側の
減衰量だけを多く必要とするフィルタとして十分利用で
きる。 【００４５】図１５は、自動車電話、携帯電話等の共用
器の概略を示す構成図である。この共用器では、アンテ
ナ１２１と接地電極１２２とに、伝送路１２３，１２４
を介して送信フィルタ１２５及び受信フィルタ１２６が
接続されている。送信フィルタ１２５には送信器１２７
が接続され、受信フィルタ１２６に受信器１２８が接続
される。送信器１２７から送信信号が出力されると、こ
の送信信号が送信フィルタ１２５及び伝送路１２３を通
してアンテナ１２１から送信される。外部から送られて
きた信号はアンテナ１２１で受信され、伝送路１２４及
び受信フィルタ１２６を通して受信器１２８に受信され
る。 【００４６】このような自動車電話、携帯電話等の共用
器では、例えば、受信周波数が送信周波数より高域にあ
る場合、受信フィルタ１２６の通過帯域外の低域側減衰
量が多ければ多いほど、送信回路系と受信回路系のアイ
ソレーションが良くなる。上記実施形態の共振器型ＳＡ
Ｗフィルタは、通過帯域の挿入損失が劣化することな
く、通過帯域外の低域側減衰量が増加するため、場合に
よって自動車電話、携帯電話等の共用器の受信フィルタ
１２６として十分利用できる。 【００４７】（変形例）なお、本発明は上記実施形態に
限定されず、種々の変形が可能である。この変形例とし
ては、例えば、次の（１）〜（４）のようなものがあ
る。 （１） 図１のワイヤ５２Ｗ，５３Ｗ，…に代えて、Ａ
ｌ，Ａｕ等のリボンボンドを用いても、同様の効果が得
られる。 【００４８】（２） 図１では４段の共振器型ＳＡＷフ
ィルタについて説明したが、この段数は用途に応じて任
意の段数を採用でき、上記実施形態と同様の作用、効果
が得られる。 【００４９】（３） 共振器型ＳＡＷフィルタを構成す
る直列アーム共振子６０，７０，８０及び並列アーム共
振子９０，１００は、図１に示す配置形態や形状あるい
は構造に限定されず、種々の変形が可能である。 【００５０】（４） 共振器型ＳＡＷフィルタを実装す
るパッケージ１１０は、種々の形状や構造のものが採用
できる。 【００５１】 【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、直列アーム共振子及び並列アーム共振子を用いて
梯子型回路を構成し、共振器型ＳＡＷフィルタを構成す
る全ての共振子のアースパターンを反射器毎に独立した
アースパターンに分離し、それぞれ独立した導体で接地
させることによって、共振器型ＳＡＷフィルタのアース
が強化されるので、帯域外減衰量が増加し、伝送特性が
向上する。しかも、並列アーム共振子におけるＩＤＴの
アースパターンと、反射器のアースパターンとが、必然
的に分離することになるので、各アースパターンを別々
に独立した導体を用いて接地する構成にしている。これ
により、共振器型ＳＡＷフィルタにおける通過帯域外の
低域側減衰量が増加し、この結果、共振器型ＳＡＷフィ
ルタにおける梯子型回路の段数を増加させることなく、
低域側減衰量を改善でき、良好な伝送特性の共振器型Ｓ
ＡＷフィルタを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態を示す共振器型ＳＡＷ
フィルタの平面図である。 【図２】一般的なＳＡＷ共振子の平面図である。 【図３】図２の反射器の構成図である。 【図４】図２の等価回路図である。 【図５】図４のリアクタンス特性図である。 【図６】一般的な１段梯子型回路の構成図である。 【図７】図６の伝送特性図である。 【図８】４段梯子型回路で構成される共振器型ＳＡＷフ
ィルタの構成図である。 【図９】図８の共振子を合成した後の等価回路図であ
る。 【図１０】図９の４段共振器型ＳＡＷフィルタの構成例
を示す平面図である。 【図１１】図１０の挿入損失特性図である。 【図１２】図１の並列アーム共振子附近の概略を示す拡
大断面図である。 【図１３】図１の挿入損失特性図である。 【図１４】本発明の第２の実施形態を示す共振器型ＳＡ
Ｗフィルタの一部の概略の拡大断面図である。 【図１５】共用器の概略の構成図である。 【符号の説明】 ５２ 入力端子 ５３ 出力端子 ６０，７０，８０ 直列アーム共振子 ６１，７１，８１，９１，１０１ ＩＤＴ ６２，６３，７２，７３，８２，８３，９２，９３，１
０２，１０３ 反射器 ９０，１００ 並列アーム共振子 ９１Ａ，９２Ａ，９３Ａ，１０１Ａ，１０２Ａ，１０３
Ａ ボンディングパッド ９１Ｂ，９２Ｂ，９３Ｂ バンプ ９１Ｗ，９２Ｗ，９３Ｗ，１０１Ｗ，１０２Ｗ，１０３
Ｗ ワイヤ １１０ パッケージ １１１ 入力電極 １１２ 出力電極 １１３，１１４ 接地電極
フィルタの平面図である。 【図２】一般的なＳＡＷ共振子の平面図である。 【図３】図２の反射器の構成図である。 【図４】図２の等価回路図である。 【図５】図４のリアクタンス特性図である。 【図６】一般的な１段梯子型回路の構成図である。 【図７】図６の伝送特性図である。 【図８】４段梯子型回路で構成される共振器型ＳＡＷフ
ィルタの構成図である。 【図９】図８の共振子を合成した後の等価回路図であ
る。 【図１０】図９の４段共振器型ＳＡＷフィルタの構成例
を示す平面図である。 【図１１】図１０の挿入損失特性図である。 【図１２】図１の並列アーム共振子附近の概略を示す拡
大断面図である。 【図１３】図１の挿入損失特性図である。 【図１４】本発明の第２の実施形態を示す共振器型ＳＡ
Ｗフィルタの一部の概略の拡大断面図である。 【図１５】共用器の概略の構成図である。 【符号の説明】 ５２ 入力端子 ５３ 出力端子 ６０，７０，８０ 直列アーム共振子 ６１，７１，８１，９１，１０１ ＩＤＴ ６２，６３，７２，７３，８２，８３，９２，９３，１
０２，１０３ 反射器 ９０，１００ 並列アーム共振子 ９１Ａ，９２Ａ，９３Ａ，１０１Ａ，１０２Ａ，１０３
Ａ ボンディングパッド ９１Ｂ，９２Ｂ，９３Ｂ バンプ ９１Ｗ，９２Ｗ，９３Ｗ，１０１Ｗ，１０２Ｗ，１０３
Ｗ ワイヤ １１０ パッケージ １１１ 入力電極 １１２ 出力電極 １１３，１１４ 接地電極
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 複数本の電極指からなる簾状の電極指で
形成された簾状のトランスデュ−サと、前記トランスデ
ュ−サを挟んで左右に所定間隔隔てて配置され、複数本
の電極指で形成された反射器と、をそれぞれ有する直列
アーム共振子と並列アーム共振子が、梯子型に接続され
た共振器型弾性表面波フィルタであって、 前記直列アーム共振子及び前記並列アーム共振子の反射
器のアースパターンを反射器毎に独立したアースパター
ンに分離し、前記各アースパターンをそれぞれ独立した
導体によって接地する構成にしたことを特徴とする共振
器型弾性表面波フィルタ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000198119A JP3382920B2 (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 共振器型弾性表面波フィルタ |
| US09/814,029 US6552631B2 (en) | 2000-06-30 | 2001-03-22 | Resonator-type saw filter with independent ground patterns for interdigital transducers and reflectors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000198119A JP3382920B2 (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 共振器型弾性表面波フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002016470A JP2002016470A (ja) | 2002-01-18 |
| JP3382920B2 true JP3382920B2 (ja) | 2003-03-04 |
Family
ID=18696328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000198119A Expired - Fee Related JP3382920B2 (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 共振器型弾性表面波フィルタ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6552631B2 (ja) |
| JP (1) | JP3382920B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1414151A4 (en) * | 2001-06-21 | 2005-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE, MANUFACTURING METHOD AND ELECTRONIC COMPONENT USING SAID DEVICE AND METHOD |
| JP3864850B2 (ja) * | 2001-08-09 | 2007-01-10 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ、通信装置 |
| JP2003298392A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Fujitsu Media Device Kk | フィルタチップ及びフィルタ装置 |
| US6946772B2 (en) * | 2002-05-14 | 2005-09-20 | Tdk Corporation | Saw element, saw device and branching filter |
| KR100860732B1 (ko) | 2003-02-14 | 2008-09-29 | 닛본 덴끼 가부시끼가이샤 | 선로 소자 및 선로 소자를 사용한 반도체 회로 |
| US8896397B2 (en) | 2003-04-16 | 2014-11-25 | Intellectual Ventures Fund 77 Llc | Surface acoustic wave device and method of adjusting LC component of surface acoustic wave device |
| JP4381714B2 (ja) | 2003-04-16 | 2009-12-09 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 表面弾性波デバイス、表面弾性波装置、及び表面弾性波デバイスの製造方法 |
| KR101044971B1 (ko) * | 2003-07-30 | 2011-06-29 | 파나소닉 주식회사 | 탄성 표면파 필터 |
| DE102004005129B4 (de) * | 2004-02-02 | 2018-09-27 | Snaptrack, Inc. | Bauelement mit empfindlichen Bauelementstrukturen und Verfahren zur Herstellung |
| JP2010109894A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Fujitsu Ltd | 弾性波フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール、および通信装置 |
| US9325294B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-04-26 | Resonant Inc. | Microwave acoustic wave filters |
| US10330553B2 (en) * | 2016-08-16 | 2019-06-25 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Lowpass resonator and particulate filter for a pressure transducer |
| WO2019123812A1 (ja) * | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| JP6874861B2 (ja) * | 2017-12-19 | 2021-05-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| NO345072B1 (en) * | 2018-03-08 | 2020-09-21 | Kongsberg Defence & Aerospace As | Correction Unit for RF filter |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4438417A (en) * | 1980-06-17 | 1984-03-20 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Filter circuit utilizing a surface acoustic wave filter |
| JP3614234B2 (ja) * | 1996-03-14 | 2005-01-26 | 沖電気工業株式会社 | 共振器型弾性表面波フィルタ |
| JP3227645B2 (ja) * | 1996-09-17 | 2001-11-12 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| JPH10173469A (ja) | 1996-12-12 | 1998-06-26 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波素子 |
| JP3890668B2 (ja) | 1997-04-18 | 2007-03-07 | エプソントヨコム株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
-
2000
- 2000-06-30 JP JP2000198119A patent/JP3382920B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-03-22 US US09/814,029 patent/US6552631B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020000897A1 (en) | 2002-01-03 |
| US6552631B2 (en) | 2003-04-22 |
| JP2002016470A (ja) | 2002-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3382920B2 (ja) | 共振器型弾性表面波フィルタ | |
| US6759928B2 (en) | Surface acoustic wave device with divided interdigital transducers | |
| JP5394847B2 (ja) | 分波器 | |
| US5999069A (en) | Surface acoustic wave ladder filter having a parallel resonator with a larger electrostatic capacitance | |
| US7211925B2 (en) | Surface acoustic wave device and branching filter | |
| JP3849289B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| WO2018003296A1 (ja) | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 | |
| CN110235364B (zh) | 弹性波装置、双工器以及滤波器装置 | |
| JPH1093382A (ja) | 表面弾性波フィルタ回路パターンの構造 | |
| KR20180093795A (ko) | 멀티플렉서, 송신 장치 및 수신 장치 | |
| JP7386741B2 (ja) | フィルタ、分波器及び通信装置 | |
| JP3478260B2 (ja) | 弾性表面波フィルタおよび通信機装置 | |
| JPH1065489A (ja) | 弾性表面波素子を用いたフィルタおよび該フィルタを用いたアンテナ分波器 | |
| JP2000059176A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| CN115622530B (zh) | 滤波装置及滤波装置的形成方法 | |
| JP3948550B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP3274009B2 (ja) | 共振器型弾性表面波フィルタ | |
| JPH11312944A (ja) | 多電極型弾性表面波フィルタ及び共振器型弾性表面波フィルタ | |
| JP2021190908A (ja) | 帯域阻止フィルタ、複合フィルタ及び通信装置 | |
| US20040251776A1 (en) | Surface acoustic wave device and communication device incorporating same | |
| JP2001156586A (ja) | ラダー型弾性表面波フィルタ | |
| JPH09181565A (ja) | 弾性表面波フィルタ装置 | |
| JP3697308B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH1117486A (ja) | Ｓａｗフィルタおよびそれを使用した電子機器 | |
| JPH11284488A (ja) | 弾性表面波フィルタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20021210 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081220 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081220 Year of fee payment: 6 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S202 | Request for registration of non-exclusive licence |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R315201 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091220 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091220 Year of fee payment: 7 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091220 Year of fee payment: 7 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S202 | Request for registration of non-exclusive licence |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R315201 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091220 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091220 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091220 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees | ||
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |