JP3380855B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
するもので、特に画素を駆動するスイッチング素子とし
て２端子非線形素子を有する液晶表示装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、液晶表示装置は、低消費電力、薄
型、軽量であるという特徴から、パーソナルコンピュー
ター、ワードプロセッサ、オフィスオートメーション用
の端末表示装置、テレビジョンなどの表示用途に使用さ
れてきており、より大容量表示、高画質が求められてい
る。 【０００３】従来の液晶表示装置は、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔ
ｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）方式あるいはＳＴＮ（Ｓｕｐｅ
ｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）方式において、
電圧平均化法による単純マトリクス駆動が採用されてい
た。しかし、この方式では走査線数の増加によってコン
トラスト比が十分に得られなくなるため、大容量表示に
適さない。 【０００４】そこで、表示画面を構成している個々の画
素にスイッチング素子を設け、アクティブ駆動により表
示を行う液晶表示装置が開発されている。上記スイッチ
ング素子としては、薄膜トランジスタや２端子非線形素
子が用いられているが、構造が簡単で、製造コストの面
で有利な２端子非線形素子を用いた液晶表示装置が有望
視されている。これらのスイッチング素子の中でも、金
属−絶縁体−金属（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−
Ｍｅｔａｌ，以降ＭＩＭと呼ぶ。）構造を有するＭＩＭ
素子は実用化がなされている。 【０００５】図８は、従来のＭＩＭ素子を用いた液晶表
示装置における、１画素を示す平面図である。また、図
９は、図８のＤ−Ｄ’線による断面図である。１つの画
素１０８は、ガラス基板１０１の表面１０１ａ上に形成
された画素電極１０２、信号配線１０３、および斜線に
て示されるＭＩＭ素子１０４から構成される。ＭＩＭ素
子１０４は、信号配線１０３から分岐した下部電極１０
３ａと、この下部電極１０３ａ上に形成された絶縁体か
らなる絶縁膜１０５と、絶縁膜１０５を覆う上部電極１
０６とから構成された２端子非線形素子である。一般
に、下部電極１０３ａにはタンタル（Ｔａ）、絶縁膜１
０５には酸化タンタル（ＴａＯ_X）、上部電極１０６に
はクロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）またはアルミニウム
（Ａｌ）が用いられている。 【０００６】このようなＭＩＭ素子１０４が各画素に設
けられたガラス基板１０１に対し、対向電極が形成され
た対向側基板を対向配設し、両基板間に液晶を封入する
ことにより液晶表示装置が製造される。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】ところで、前記ＭＩＭ
素子１０４の絶縁膜１０５の厚さは５００〜７００オン
グストローム程度であるため、電気的耐圧が低く、液晶
表示装置の製造工程中で生じる静電気によって容易に絶
縁破壊され得る。この結果、ＭＩＭ素子１０４の上下電
極が短絡し、ＭＩＭ素子１０４がスイッチング素子とし
て機能しなくなった画素は、画面上に点欠陥として現
れ、液晶表示装置を製造する上で歩留まりが悪化する。
このため、静電気対策として、製造工程中の湿度管理、
作業者をアースすること、イオンシャワーなどが行われ
ているが、完全にＭＩＭ素子の絶縁破壊を防止すること
はできていない。 【０００８】また、前記ＭＩＭ素子の絶縁破壊による点
欠陥は、画素が配列された部分の端で生じ易い。そこ
で、ＭＩＭ素子を絶縁破壊から保護する目的で、表示を
行う画素が設けられた表示領域の外に、導電部材を形成
することやＭＩＭ素子を有するダミー画素を形成するこ
とが行われている。表示領域外に導電部材を形成する方
法は、例えば特公平４−２２４９９に開示され、表示領
域外に前記ダミー画素を形成する方法は、例えば特開平
３−４５９３４、特開平５−１４２５７８または特開平
５−１９６９７０に開示されている。 【０００９】上記導電部材は製造工程中に生じた静電気
の電荷を放出して電荷の蓄積を回避するため形成され、
ダミー画素はそれに備わったＭＩＭ素子が絶縁破壊され
ることによって電位差を緩和するために形成されてい
る。 【００１０】しかしながら、上述した方法では点欠陥を
低減することはできても、表示した際の液晶表示装置の
美観を損なってしまう恐れがある。例えば、導電部材は
表示用画素が配列された表示領域の直ぐ近傍に配置さ
れ、表示領域と導電部材とが隣接し、点灯表示された液
晶表示装置を眺めた際に、表示に寄与しない上記導電部
材のパターンが必然的に視野に入ってしまうので、美観
の点で好ましいものではない。 【００１１】一方、ダミー画素が形成されている場合で
も、点灯表示された表示画素を見たときに、ダミー画素
のパターンが直接視野に入ってしまうので、同様に美観
上好ましくない。特に、表示領域である表示画素配列部
分の近傍位置にダミー画素がある場合、ダミー画素は、
表示領域とは電気的に独立させ駆動させない構成として
いるが、表示領域の表示画素を駆動する際の影響を受け
て、ダミー画素の帯電による点灯がある為に、さらに見
苦しくなる。通常、画素のピッチは、数１００μｍ（隣
接する画素間の離隔距離は数１０μｍ）であるため、カ
バー等によってダミー画素のみを覆い隠すことは、高い
精度が要求され、場合によっては表示領域の一部をも覆
い隠すこともあり不具合が生じる。また、ダミー画素の
画素電極に金属電極を使用して遮光し、点灯を避ける方
法もあるが、美観上の問題が残り、また、ダミー素子の
破壊を確認することが容易でないので不具合である。 【００１２】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、表示画素のＭＩＭ素子を
工程中に生じた静電気による絶縁破壊から保護するため
のダミー画素を、表示の美観を損なうこと無く配設でき
る液晶表示装置を提供することを目的とする。 【００１３】 【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、第１の基板と第２の基板との間に液晶が設けられ、
表示領域の外側に非表示領域が設けられた液晶表示装置
において、該表示領域にマトリクス状に設けられた複数
の表示画素の各々が、第１の基板に形成された該表示領
域から該非表示領域にわたって配線された信号配線と接
続された電極を一方とする一対の電極で絶縁膜が挟まれ
た表示用の２端子非線形素子にて各別に駆動され、該非
表示領域内であって、該表示領域の終端から距離をおい
た部分に設けられたダミー画素の各々が、第１の基板に
形成された該信号配線と接続された電極を一方とする一
対の電極で絶縁膜が挟まれたダミー用の２端子非線形素
子にて各別に駆動され、２端子非線形素子を構成する一
対の電極のうち絶縁膜と第１の基板との間に形成されて
いる電極の端部に沿って形成される絶縁膜の段差部の距
離が、一つの表示画素に対して形成される表示用の２端
子非線形素子よりも一つのダミー画素に対して形成され
るダミー用の２端子非線形素子の方が長いことにより上
記目的が達成される。 【００１４】本発明にあっては、表示領域の外側の非表
示領域であって、非表示領域の終端から距離を置いた部
分にダミー画素が設けられ、ダミー画素の各々が、表示
用の２端子非線形素子よりも絶縁破壊し易いダミー用の
２端子非線形素子にて各別に駆動されるので、静電気を
受けると、ダミー用の２端子非線形素子が表示用の２端
子非線形素子よりも優先的に絶縁破壊する。 【００１５】液晶表示装置の外周部は、液晶セルのベゼ
ルおよび組込まれる製品の外カバーによって、液晶セル
のシール部近傍まで覆われるので、ダミー画素は直接視
野に入らず、美観が損なわれることは無い。また、ダミ
ー画素の画素電極は透明のままで良いので、点灯させる
ことによりダミー素子の絶縁破壊を確認することが容易
となる。 【００１６】また、ダミー用の２端子非線形素子は、そ
の素子面積を表示用の２端子非線形素子の素子面積より
も小さくすると、耐圧が低くなって優先的に破壊され
る。このとき、ダミー用の２端子非線形素子を１信号配
線あたり複数個配設しておくと、複数回の静電気発生に
対しても対処できる。また、素子面積を表示領域外に向
かって順次小さくなるように複数のダミー用の２端子非
線形素子を設けておくと、表示領域に遠い側から絶縁破
壊を発生させることが可能となる。 【００１７】また、上部電極と下部電極とが重なる部分
において、下部電極の側面を覆う絶縁膜の段差部は、絶
縁膜の膜質が悪くなり易く、また電界集中が生じるため
絶縁破壊が生じ易い。従って、ダミー用の２端子非線形
素子は、前記段差部の距離を、表示用の２端子非線形素
子における段差部距離より長くすることによっても、同
様に優先的に絶縁破壊される。 【００１８】 【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例を具体的に
説明する。 【００１９】（第１実施例）図３は、第１実施例におけ
る液晶表示装置１８の外観を示す正面図であり、図１は
その液晶表示装置１８の素子側基板１のＣ部分を拡大し
て示す平面図、図２は素子側基板１に液晶層を挟んで貼
り合わせられる対向側基板１２のＣ部分を拡大して示す
平面図である。図４は素子側基板１の１画素を示す平面
図、図５は図４のＡ−Ａ’線による断面図である。 【００２０】この液晶表示装置は、間に表示媒体として
の液晶を挟んで対向配設した、素子側基板１と対向側基
板１２とを有し、図３に示すように、液晶シール部９の
直ぐ近傍の液晶セル内側に非表示領域が設けられ、その
非表示領域の内側に表示領域Ｂが設けられている。上下
の２つの非表示領域内には、一部をＣ、つまり図１で示
すダミー用のＭＩＭ素子１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１
ｄ、１１ｅを各々有するダミー画素１０ａ、１０ｂ、１
０ｃ、１０ｄ、１０ｅが形成されている。 【００２１】上記素子側基板１には、ガラス基板１の表
面１ａに、表示領域Ｂから非表示領域までにわたって複
数の信号配線３が形成されている。この信号配線３の各
々は、同様にガラス基板１の表面１ａに形成された、外
部端子である素子側端子１５に接続されている。この信
号配線３の各々に沿い、表示領域Ｂにおいては表示画素
８が複数設けられ、一方の非表示領域においては５種類
のダミー画素１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ
が設けられている。 【００２２】上記表示画素８は、信号配線３の各々に沿
って設けられた画素電極２と、図２に示す対向側基板１
２の表面１２ａに帯状に複数形成された対向電極１３と
が対向する部分で構成されている。この表示画素８の駆
動は、前記信号配線３と画素電極２とに接続されたＭＩ
Ｍ素子４を介して行われる。一方、ダミー画素１０ａ等
は、素子側基板１に形成されたダミー用画素電極と、対
向側基板１２の表面１２ａに形成された対向電極１４と
が対向する部分で構成される。このダミー画素１０ａ、
１０ｂ等の駆動は、ダミー用のＭＩＭ素子１１ａ、１１
ｂ等を介して行われる。 【００２３】上記ＭＩＭ素子４とダミー用のＭＩＭ素子
１１ａ、１１ｂ等とは同一の構成であるが、後者の素子
面積の方が前者の素子面積よりも小さくしてあり、か
つ、後者の素子面積は１１ｅから１１ａに順次小さくな
るようにした。ＭＩＭ素子の構成は、図４および図５に
示すように、絶縁膜５を挟んで下側に下部電極３ａが、
上側に上部電極６が設けられている。下部電極３ａは信
号配線３から分岐した部分からなる。上部電極６は、表
示領域Ｂにおいては画素電極２に接続され、非表示領域
においてはダミー用画素電極に接続されている。 【００２４】上記対向電極１３は、信号配線３に交差、
たとえば直交する方向に画素電極２に重なるように行毎
に形成され、対向側基板１２に設けられた、外部端子で
ある対向側端子１６に接続される。また、対向電極１４
は、対向側端子１６とは別に設けた端子１７に接続され
る。 【００２５】次に、かかる構成の液晶表示装置の製造方
法について説明する。 【００２６】先ず、素子側基板１を以下のようにして作
製する。素子側基板であるガラス基板１の表面１ａに、
信号配線３およびＭＩＭ素子４の下部電極３ａとなる第
１の導電体、例えばタンタル（Ｔａ）薄膜がスパッタリ
ング法により形成される。 【００２７】次に、フォトリソグラフィー工程によっ
て、第１の導電体のパターンニングを行ない、表示画素
８においてＭＩＭ素子４の下部電極３ａと信号配線３と
を得る。さらに、陽極酸化法によって、少なくとも下部
電極３ａの上に絶縁膜５を形成する。 【００２８】次に、ＭＩＭ素子４の上部電極６となる金
属薄膜、例えばチタン（Ｔｉ）薄膜を、スパッタリング
法およびフォトリソグラフィー法により形成する。 【００２９】次に、同様にして、画素電極２をＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）にてパターンニ
ング形成する。本実施例においては、表示画素８におけ
るＭＩＭ素子４の面積を、図４に示す平面図において、
４μｍ（Ｔａ幅）×４μｍ（Ｔｉ幅）とした。 【００３０】以上のようにして形成されたＭＩＭ素子４
を有する表示画素８が配列された部分は、実際に画面を
表示する表示領域Ｂを構成する。また、以上の表示画素
８の形成と同時に、表示領域Ｂの外側である非表示領域
に、ダミー用のＭＩＭ素子１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１
１ｄ、１１ｅを各々有するダミー画素１０ａ、１０ｂ、
１０ｃ、１０ｄ、１０ｅを以下のように形成する。すな
わち、このダミー画素１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０
ｄ、１０ｅは表示画素８と基本構成材料が同じであるの
で、表示画素８と同時に形成した。ダミー画素１０ａ等
の形成位置は、表示領域Ｂの外側であって、表示領域Ｂ
の終端から距離をおいた液晶シール部９の直ぐ近傍の液
晶セル内とした。また、ダミー用のＭＩＭ素子１１ａ、
１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅは、信号配線３上に形
成した。 【００３１】なお、素子側端子１５は、信号配線３を形
成するときに同時に形成してもよく、あるいは別工程で
形成してもよい。以上により素子側基板１が製造され
る。 【００３２】一方、対向側基板１２は、対向側基板であ
るガラス基板１２の表面１２ａに対向電極１３と１４と
を、ＩＴＯで同様にしてパターニング形成する。また、
これと同時に、あるいは別工程で対向側端子１６および
端子１７を形成する。 【００３３】以上のようにして製造された素子側基板１
と対向側基板１２とを対向させて貼り合わせ、両基板１
と１２との間に液晶を封入することにより、本実施例の
液晶表示装置が製造される。 【００３４】かかる構成の液晶表示装置においては、ダ
ミー画素１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅを、
１信号配線あたり５個、前記表示領域Ｂの外であって、
表示領域Ｂの終端から距離をおいた、液晶シール部９の
直近傍のセル内に形成した。ダミー画素は、１信号配線
あたり１個でも有効であるが、ダミー用のＭＩＭ素子１
１ａなどの形成不良によるダミー用のＭＩＭ素子の不
在、および複数回の静電気の発生に対処するために、複
数個配設するとより好ましくなる。 【００３５】また、ダミー画素１０ａ、１０ｂ、１０
ｃ、１０ｄ、１０ｅに形成されたダミー用のＭＩＭ素子
１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅの素子面積
は、表示画素８のＭＩＭ素子４より小さくし、かつ、表
示領域Ｂの終端から遠ざかるほど順次小さく、つまり１
１ｅから１１ａに順次小さくなるようにした。たとえ
ば、ダミー用のＭＩＭ素子１１ｅの素子面積は３．５μ
ｍ（Ｔａ幅）×４μｍ（Ｔｉ幅）とし、ダミー用のＭＩ
Ｍ素子１１ｄの素子面積は３μｍ×４μｍ、ダミー用の
ＭＩＭ素子１１ｃの素子面積は３μｍ×３μｍ、ダミー
用のＭＩＭ素子１１ｂの素子面積は２．５μｍ×２．５
μｍ、ダミー用のＭＩＭ素子１１ａの素子面積は２μｍ
×２μｍとした。 【００３６】このようにダミー用のＭＩＭ素子の素子面
積を、表示画素８のＭＩＭ素子４より小さくし、かつ１
１ｅから１１ａに順次小さくなるようにするのは、以下
の理由による。すなわち、前記５種類のダミー用のＭＩ
Ｍ素子の素子面積は、表示画素８におけるＭＩＭ素子４
の面積と同じでも有効であるが、耐圧が同じであるの
で、表示画素８のＭＩＭ素子４を保護するには十分では
ない。したがって、前述したようにダミー用のＭＩＭ素
子の面積を表示画素８におけるＭＩＭ素子４の素子面積
より小さくした。また、順次小さくすると、ダミー用の
ＭＩＭ素子の耐圧が低くなり、ダミー用のＭＩＭ素子が
１１ａから１１ｅの順に静電気によって優先的に絶縁破
壊され易くなるので、より好ましくなる。なお、このよ
うに、ダミー用のＭＩＭ素子を表示画素におけるＭＩＭ
素子と何ら構成材料を変える事なく形成しているので、
液晶表示装置の製造コストに影響を与える事は無い。 【００３７】特に、本実施例では表示領域Ｂの終端とダ
ミー画素１０ｅとの離隔距離を４ｍｍとして、液晶シー
ル部９の直近傍にダミー画素を形成した。こうすること
により、ダミー画素を、従来のダミー画素の形成位置で
は困難であった液晶セルのベゼルおよび組込まれる製品
の外カバーで覆うことができるようになり、帯電によっ
てダミー画素が点灯しても直接視野に入ることが無く、
美観が損なわれなかった。 【００３８】更に、ダミー画素は実際に表示に寄与せず
かつ不要な点灯は避けなければならないので、図２で示
す対向電極１４を接続するための外部端子すなわち、図
３に示す端子１７は、表示領域Ｂに設けた対向電極１３
と接続するための外部端子すなわち、図３に示す対向側
端子１６とは電気的に独立させた。このようにダミー画
素の対向側電極１４の外部端子を独立させたので、液晶
表示装置の駆動時におけるダミー画素の点灯を避けるこ
とができる。また、対向電極１４の外部端子を別個に端
子１７として設けてあるので、この端子１７を外部電源
に接続すれば、ダミー画素１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１
０ｄ、１０ｅを点灯させることができ、ダミー素子１１
ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅの絶縁破壊の確認
を容易に行うことができる。 【００３９】上記実施例において、前記対向電極１４は
表示に寄与しないので、５画素分にあたる幅で形成した
が、表示画素８と同様に１行毎に形成しても構わない。 【００４０】本実施例で、ダミー画素と表示画素におけ
る点欠陥を調べたところ、３２０×４８０ドットの表示
領域Ｂの範囲において、ダミー画素に点欠陥がありなが
ら、表示画素に点欠陥が０個であるものが１５．８％あ
った。また、点欠陥が５個以下のものを５２．６％にす
ることができた。 【００４１】（第２実施例）前記ダミー用のＭＩＭ素子
は、その素子面積を表示画素のＭＩＭ素子の素子面積よ
り小さくする代わりに、上部電極と下部電極の重なり位
置で生じる段差部の距離を、表示画素のＭＩＭ素子にお
ける段差部距離より長くしても有効である。ＭＩＭ構造
のような素子においては、図９中の７に示すような上部
電極６および下部電極３ａの重なり位置で生じる段差部
の絶縁膜５は、電界の集中を受け易く、ひとたび電子が
注入されると電流の集中によるジュール熱によって容易
に絶縁破壊される。また、上記段差部の絶縁膜５は、成
膜技術の問題から膜質が悪くなり易いのでより絶縁破壊
され易い。 【００４２】図６は、このようなダミー用のＭＩＭ素子
１１′を有するダミー画素１０′を備えた、本発明の第
２実施例における液晶表示装置の素子側基板を示す平面
図である。第２の実施例における液晶表示装置の外観を
示す正面図及び対向側基板の平面図は、図２および図３
と同様であるので省略する。 【００４３】この実施例においては、表示領域の表示用
ＭＩＭ素子は第１実施例と同様にし、非表示領域のダミ
ー用ＭＩＭ素子１１′は、図７に示すように２分割構造
とした。つまり、２つのダミー用ＭＩＭ素子１１′の各
々の素子面積は、表示用ＭＩＭ素子の素子面積である４
μｍ×４μｍを２分割した、２μｍ×４μｍの大きさで
ある。したがって、ダミー用ＭＩＭ素子１１′の段差部
の距離は、表示用ＭＩＭ素子の段差部の距離の２倍にな
る。よって、ダミー用ＭＩＭ素子１１′が表示用ＭＩＭ
素子よりも優先的に絶縁破壊される。このダミー用ＭＩ
Ｍ素子１１′に対し、図７に示すようにダミー用画素画
素２’を接続した状態に形成しても、表示画素８のＭＩ
Ｍ素子の保護として有効である。図７の中の３′は下部
電極、６′は上部電極である。 【００４４】また、本実施例においてダミー用ＭＩＭ素
子１１′を１信号配線あたり複数個配置したのは、前述
したように形成不良によるダミー用ＭＩＭ素子の不在を
回避し、かつ複数回の静電気の発生に対処できるように
するためである。このようにすることによって、より点
欠陥の少ない液晶表示装置を得ることができる。なお、
本実施例の場合でも、形状を変えるだけで優先的に絶縁
破壊されるダミー用ＭＩＭ素子を得ることができるの
で、製造の工程数やコストが増える事は無い。 【００４５】第２実施例ではダミー用ＭＩＭ素子を２分
割した構造としているが、本発明はこれに限らず、段差
部の距離を長くすべく３分割以上に分割した構造として
もよい。 【００４６】 【発明の効果】以上詳述したように、本発明による場合
には、表示領域の外側の非表示領域であって、非表示領
域の終端から距離を置いた部分に設けられたダミー画素
の各々が、表示用の２端子非線形素子よりも絶縁破壊し
易いダミー用の２端子非線形素子にて各別に駆動される
ので、静電気を受けると、ダミー用の２端子非線形素子
が表示用の２端子非線形素子よりも優先的に絶縁破壊
し、電位差を緩和するので表示画素の２端子非線形素子
を保護することができる。 【００４７】また、液晶表示装置の外周部は、液晶セル
のベゼルおよび組込まれる製品の外カバーによって覆わ
れるので、ダミー画素は直接視野に入らず、美観が損な
われることは無く、液晶表示装置の美観を保つことがで
きる。また、ダミー画素の画素電極は透明のままで良い
ので、点灯させることによりダミー素子の絶縁破壊を確
認することが容易となる。 【００４８】また、１信号配線あたり複数個のダミー画
素を形成することにより、形成不良によるダミー画素の
不在および複数回の静電気の発生に対処することができ
るので、より点欠陥の少ない液晶表示装置を提供するこ
とができる。このとき、素子面積を表示領域外に向かっ
て順次小さくなるように複数のダミー用の２端子非線形
素子を設けておくと、表示領域に遠い側から絶縁破壊を
発生させることが可能となる。 【００４９】また、ダミー用の２端子非線形素子におけ
る段差部距離を、表示画素の２端子非線形素子よりも長
くしても、優先的に静電気により絶縁破壊されることに
より、電位差を緩和するので表示画素の２端子非線形素
子を保護することができる。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の第１実施例における液晶表示装置の素
子側基板を示す平面図である。 【図２】本発明の第１実施例における液晶表示装置の対
向側基板を示す平面図である。 【図３】本発明の第１実施例における液晶表示装置の外
観を示す正面図である。 【図４】本発明の第１実施例における液晶表示装置の１
画素を示す平面図である。 【図５】図４のＡ−Ａ’における断面図である。 【図６】本発明の第２実施例における液晶表示装置の素
子側基板を示す平面図である。 【図７】本発明の第２実施例における液晶表示装置のダ
ミー画素を示す平面図である。 【図８】従来のＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置におけ
る１画素を示す平面図である。 【図９】図８のＤ−Ｄ’における断面図である。 【符号の説明】 １ 素子側基板 ２、２’ 画素電極 ３、３’ 信号配線 ３ａ、３’ａ 下部電極 ４ ＭＩＭ素子 ５ 絶縁膜 ６、６’ 上部電極 ８ 表示画素 ９ 液晶シール部 １０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０’
ダミー画素 １１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１’
ＭＩＭ素子 １２ 対向側基板 １３ 対向電極 １４ 対向電極 １５ 素子側端子 １６ 対向側端子 １７ 端子 １８ 液晶表示装置 Ｂ 表示領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉水 敏幸 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−142578（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−196970（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−45934（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−225317（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−295824（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−294968（ＪＰ，Ａ) 特開2000−187250（ＪＰ，Ａ) 特開2000−187251（ＪＰ，Ａ) 特許3209652（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1365

Claims (1)

1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 第１の基板と第２の基板との間に液晶が
   設けられ、表示領域の外側に非表示領域が設けられた液
   晶表示装置において、 該表示領域にマトリクス状に設けられた複数の表示画素
   の各々が、第１の基板に形成された該表示領域から該非
   表示領域にわたって配線された信号配線と接続された電
   極を一方とする一対の電極で絶縁膜が挟まれた表示用の
   ２端子非線形素子にて各別に駆動され、 該非表示領域内であって、該表示領域の終端から距離を
   おいた部分に設けられたダミー画素の各々が、第１の基
   板に形成された該信号配線と接続された電極を一方とす
   る一対の電極で絶縁膜が挟まれたダミー用の２端子非線
   形素子にて各別に駆動され、 ２端子非線形素子を構成する一対の電極のうち絶縁膜と
   第１の基板との間に形成されている電極の端部に沿って
   形成される絶縁膜の段差部の距離が、一つの表示画素に
   対して形成される表示用の２端子非線形素子よりも一つ
   のダミー画素に対して形成されるダミー用の２端子非線
   形素子の方が長いことを特徴とする液晶表示装置。