JP3379701B2 - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも書き込
み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素子
を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気
ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異方
性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto Resi
stive ）と記す。）効果を用いたＡＭＲ素子と、巨大磁
気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive ）と
記す。）効果を用いたＧＭＲ素子とがある。ＡＭＲ素子
を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッドあるいは単にＭＲヘ
ッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＧＭＲ
ヘッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッドは、面記録密度が１ギ
ガビット／（インチ）2 を超える再生ヘッドとして利用
され、ＧＭＲヘッドは、面記録密度が３ギガビット／
（インチ）2 を超える再生ヘッドとして利用されてい
る。
【０００３】ＡＭＲヘッドは、ＡＭＲ効果を有するＡＭ
Ｒ膜を備えている。ＧＭＲヘッドは、ＡＭＲ膜を、ＧＭ
Ｒ効果を有するＧＭＲ膜に置き換えたもので、構造上は
ＡＭＲヘッドと同様である。ただし、ＧＭＲ膜は、ＡＭ
Ｒ膜よりも、同じ外部磁界を加えたときに大きな抵抗変
化を示す。このため、ＧＭＲヘッドは、ＡＭＲヘッドよ
りも、再生出力を３〜５倍程度大きくすることができる
と言われている。
【０００４】再生ヘッドの性能を向上させる方法として
は、ＭＲ膜をＡＭＲ膜からＧＭＲ膜等の磁気抵抗感度の
優れた材料に変える方法や、ＭＲ膜のパターン幅、特
に、ＭＲハイトを適切化する方法等がある。このＭＲハ
イトとは、ＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反
対側の端部までの長さ（高さ）をいい、エアベアリング
面の加工の際の研磨量によって制御されるものである。
なお、ここにいうエアベアリング面は、薄膜磁気ヘッド
の、磁気記録媒体と対向する面であり、トラック面とも
呼ばれる。
【０００５】一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記
録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性
能を決定する要因としては、スロートハイト（Throat H
eight ：ＴＨ）がある。スロートハイトは、エアベアリ
ング面から、磁束発生用の薄膜コイルを電気的に分離す
る絶縁層のエッジまでの磁極部分の長さ（高さ）をい
う。記録ヘッドの性能向上のためには、スロートハイト
の最適化が望まれている。このスロートハイトも、エア
ベアリング面の加工の際の研磨量によって制御される。
【０００６】記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高め
るには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必
要がある。このためには、記録ギャップ（write gap)を
挟んでその上下に形成された下部磁極（ボトムポール）
および上部磁極（トップポール）のエアベアリング面で
の幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーまで狭くし
た狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があり、
これを達成するために半導体加工技術が利用されてい
る。
【０００７】上記のような記録ヘッドおよび再生ヘッド
を有する複合型薄膜磁気ヘッドは、例えば、スパッタリ
ング工程、フォトリソグラフィ工程、電解めっき工程、
エッチング工程および研磨工程等の複数の製造工程を経
ることにより製造される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のような多様な工
程を含む薄膜磁気ヘッドの一連の製造過程について、製
造に要する製造リードタイムの長期化が問題とされてい
る。したがって、大量製造時におけるさらなる製造リー
ドタイムの短縮化を実現するために、工程数削減等の具
体的な改善手段が必要とされる。
【０００９】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、製造工程を複雑化させることなく高
性能のヘッド特性を実現可能とする薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、記録媒体に対向する記録媒体対向面側の
一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極を含
む、互いに磁気的に連結された２つの磁性層と、２つの
磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイル部と
を有すると共に、２つの磁性層のうちの一方の磁性層
が、トラック幅を画定する一定幅部分を有する第１の磁
性層部分と、薄膜コイル部の配設領域を覆うと共に第１
の磁性層部分の一部と部分的にオーバーラップして磁気
的に連結される第２の磁性層部分とを有する薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法であって、薄膜コイル部の一部をなす第
１の薄膜コイル層を形成すると同時に、薄膜コイル部の
一部をなす第１の接続パターンを第１の薄膜コイル層の
端部に第１の薄膜コイル層と一体をなすように形成する
第１の工程と、記録媒体対向面からこの面と離れる方向
に延在するように第１の磁性層部分を形成すると同時
に、第１の接続パターン上に薄膜コイル部の一部をなす
第２の接続パターンを形成する第２の工程と、少なくと
も第１の薄膜コイル層、第１の接続パターン、第１の磁
性層部分および第２の接続パターンを覆うように絶縁層
を形成する第３の工程と、少なくとも第１の磁性層部分
および第２の接続パターンの双方が露出するまで絶縁層
の表面を研磨して平坦化する第４の工程と、第２の接続
パターンの露出部分と電気的に接続されるように導電層
パターンを形成する第５の工程とを含むようにしたもの
である。
【００１１】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、
第１の薄膜コイル層の端部に設けられた第１の接続パタ
ーン上に、第１の磁性層部分を形成する工程と同一の工
程により第２の接続パターンが配設される。このため、
第２の接続パターンの上面の位置は、第１の磁性層部分
の上面の位置よりも高くなる。したがって、絶縁層を形
成したのち、第１の磁性層部分が露出するまで絶縁層の
表面を研磨することにより第２の接続パターンもまた露
出する。また、第２の接続パターンは、第１の磁性層部
分を形成する工程と同一の工程により形成されるので、
第２の接続パターンを形成するための新たな工程を必要
としない。
【００１２】本発明の薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対
向する記録媒体対向面側の一部に、ギャップ層を介して
対向する２つの磁極を含む、互いに磁気的に連結された
２つの磁性層と、２つの磁性層の間に絶縁層を介して配
設された薄膜コイル部とを有すると共に、２つの磁性層
のうちの一方の磁性層が、記録媒体対向面からこの面と
離れる方向に延在すると共にトラック幅を画定する一定
幅部分を有する第１の磁性層部分と、薄膜コイル部の配
設領域を覆うと共に第１の磁性層部分の一部と部分的に
オーバーラップして磁気的に連結された第２の磁性層部
分とを含む薄膜磁気ヘッドであって、薄膜コイル部が、
第１の薄膜コイル層と、第１の薄膜コイル層の端部に配
設されると共に第１の薄膜コイル層と一体をなす第１の
接続パターンと、第１の磁性層部分と同一の材料を用い
て同一の工程により第１の接続パターン上に配設された
第２の接続パターンとを含み、第２の接続パターン上に
所定の導電層パターンが配設されているものである。
【００１３】本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１の接続
パターンと導電層パターンとの間に配設された第２の接
続パターンによって両者が電気的に接続され、第１の接
続パターンと一体をなしている第１の薄膜コイル層もま
た電気的に接続される。
【００１４】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、
第１の絶縁層部分によって第１の薄膜コイル層を覆った
後に、第１の磁性層部分を形成するようにしてもよい。
【００１５】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法では、絶縁層が、絶縁層の記録媒体対向面に最も近い
端部である最前端を規定する第１の絶縁層部分と、第１
の磁性層部分の上面と同じ高さまで埋め込まれた第２の
絶縁層部分とを含むようにしてもよい。第１の絶縁層部
分および第２の絶縁層部分としては、それぞれ有機絶縁
材料および無機絶縁材料を用いるようにするのが好適で
ある。
【００１６】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１
の絶縁層部分の最前端の位置から第１の薄膜コイル層の
最外周部における最前端の位置までの距離が、第１の薄
膜コイル層の厚み以上であるようにするのが好適であ
る。
【００１７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、導電層パターンが、第１の薄膜コイル層
を通電させるための配線パターンであるようにしてもよ
い。この場合には、第２の磁性層部分と同一の材料を用
いて同一の工程により導電層パターンを形成するように
するのが好適である。
【００１８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、第５の工程が、絶縁層の平坦部上に薄膜コイル部
の一部をなす第２の薄膜コイル層を形成する工程を含
み、導電層パターンを、第２の薄膜コイル層と一体をな
す第３の接続パターンとして、第２の薄膜コイル層の端
部に第２の薄膜コイル層と同時に形成するようにしても
よい。このような場合には、さらに、第２の薄膜コイル
層および導電層パターンを埋設するように絶縁層の一部
をなす第３の絶縁層部分を形成する第６の工程を含むよ
うにしてもよい。
【００１９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、薄膜
コイル部が、さらに、絶縁層の一部を介して第１の薄膜
コイル層よりも上方に配設された第２の薄膜コイル層を
含むようにしてもよい。このような場合には、導電層パ
ターンが、第２の薄膜コイル層の端部に配設されると共
に、第２の薄膜コイル層と一体をなす第２の接続パター
ンであるようにして、かつ絶縁層が、さらに、第２の薄
膜コイル層および導電層パターンを埋設する第３の絶縁
層部分を含むようにしてもよい。
【００２０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第３の絶縁層部分として、有機絶縁材料
を用いるようにするのが好適である。
【００２１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１
の絶縁層部分の記録媒体対向面に近い側の表面がギャッ
プ層の表面に対して斜面をなすようにして、この斜面の
平均斜度が５度ないし４５度の範囲内であるようにする
のが好適である。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
【００２３】〔第１の実施の形態〕まず、図１〜図６を
参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方
法について説明する。なお、本実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドは、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法によって具現化されるので、以下併せて説明する。
図１〜図６において、（Ａ）はエアベアリング面に垂直
な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に
平行な断面を示している。
【００２４】以下では、例えば、図１（Ｂ）において、
エアベアリング面に平行な方向のうち、図中の右方向ま
たは左方向における距離を「幅」と表記すると共に、例
えば、図１（Ａ）において、エアベアリング面に垂直な
方向（図中の右方向または左方向）における距離を「長
さ」として表記するものとする。また、例えば、図１
（Ａ）および（Ｂ）において、図中の上方向または下方
向における距離を「 厚み」 または「高さ」と表記するも
のとする。さらに、例えば、図１（Ａ）において、上記
の長さ方向におけるエアベアリング面に近い側（図中の
左側）を「前側（または前方）」と表記し、一方、エア
ベアリング面から遠い側（図中の右側）を「後側（また
は後方）」と表記するものとする。
【００２５】＜薄膜磁気ヘッドの製造方法＞本実施の形
態に係る製造方法では、まず、図１に示したように、例
えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）からなる基板
１上に、例えばアルミナ（Ａｌ2 Ｏ 3 ）よりなる絶縁層
２を、約３〜５μｍ程度の厚みで堆積する。次に、絶縁
層２上に、フォトリソグラフィ工程およびめっき法を用
いて、パーマロイ（ＮｉＦｅ）を約３μｍの厚みで選択
的に形成して、再生ヘッド用の下部シールド層３を形成
する。
【００２６】次に、同図に示したように、下部シールド
層３上に、例えばアルミナを約１００〜２００ｎｍの厚
みでスパッタ堆積し、シールドギャップ膜４を形成す
る。次に、シールドギャップ膜４上に、再生ヘッド部の
要部であるＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜５を形成
し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形状とする。
次に、ＭＲ膜５の両側に、このＭＲ膜５と電気的に接続
する引き出し電極層としてのリード層（図示せず）を形
成したのち、このリード層、シールドギャップ膜４およ
びＭＲ膜５上に、シールドギャップ膜６を形成して、Ｍ
Ｒ膜５をシールドギャップ膜４，６内に埋設する。次
に、シールドギャップ膜６上に、例えばパーマロイより
なる上部シールド兼下部磁極（以下、単に「下部磁極」
という。）７を、例えば電解めっき法により、約３〜４
μｍの厚みで選択的に形成する。
【００２７】次に、図２に示したように、全体に、例え
ばアルミナからなる記録ギャップ層８を約０．１５〜
０．３μｍの厚みに形成する。このとき、記録ギャップ
層８には、下部磁極７と後工程において形成される上部
磁極２５（上部ポールチップ２５ａ，磁路形成パターン
２５ｂ，上部ヨーク２５ｃ）とが接続されるようにする
ための開口部８ｂを形成しておく。ここで、上記の記録
ギャップ層８が、本発明における「ギャップ層」の一具
体例に対応する。
【００２８】次に、同図に示したように、記録ギャップ
層８上に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃ
ｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コ
イル１１を約２〜３μｍの厚みに形成する。この薄膜コ
イル１１は、例えば後述する図７に示したような渦巻状
の平面構造を有するものである。なお、図２では、薄膜
コイル１１の一部分のみを図示している。薄膜コイル１
１を形成する際には、同時に、例えば、その内周端部に
おける記録ギャップ層８上に、コイル接続部１１ｄを薄
膜コイル１１と一体に形成する。このコイル接続部１１
ｄは、薄膜コイル１１と後工程において形成される接続
中間パターン２５ｄ（図３（Ａ））とを電気的に接続さ
せるためのものである。ここで、上記の第１層目の薄膜
コイル１１が、本発明における「第１の薄膜コイル層」
の一具体例に対応し、上記のコイル接続部１１ｄが、本
発明における「第１の接続パターン」の一具体例に対応
する。
【００２９】次に、図３に示したように、薄膜コイル１
１およびその周辺の記録ギャップ層８を覆うように、有
機絶縁材料、例えば加熱により流動性を示すフォトレジ
ストを用いて、絶縁膜１２を高精度のフォトリソグラフ
ィ処理により所定のパターンとなるように形成する。こ
の絶縁膜１２は、後述するスロートハイトＴＨを決定す
るためのスロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位置）を規定
すると共に、薄膜コイル１１のターン（巻線）間のギャ
ップを埋め込むためのものである。絶縁膜１２を形成す
る際には、記録ギャップ層８の開口部８ｂが絶縁膜１２
によって覆われないようにする。なお、絶縁膜１２の最
も前側の端縁（以下、「最前端」という。）は、図３に
示したように、ＭＲ膜５の最も後側の端縁（以下、「最
後端」という。）に対応する位置よりも後方にずれて位
置するようにしてもよいし、または前方にずれて位置す
るようにしてもよい。
【００３０】次に、絶縁膜１２の平坦化、ならびに薄膜
コイル１１のターン間の絶縁性向上のために、絶縁膜１
２に対して例えば２００°Ｃ程度の温度で加熱処理を施
す。この加熱処理により、図３（Ａ）に示したように、
絶縁膜１２の最前端および最後端の近傍は、丸みを帯び
た斜面をなすこととなる。もちろん、絶縁膜１２の他の
部分の外縁近傍もまた、丸みを帯びた斜面をなすように
なる。ここで、上記の絶縁膜１２が、本発明における
「第１の絶縁層部分」の一具体例に対応する。
【００３１】次に、同図に示したように、絶縁膜１２の
前側斜面（図中の左方斜面）から後工程においてエアベ
アリング面２０となる側（図中左側）にかけての領域
に、例えば、電解めっき法により、上部磁極２５の一部
を構成することとなる上部ポールチップ２５ａを約３〜
５μｍの厚みに選択的に形成する。この上部ポールチッ
プ２５ａは、例えば後述する図７に示したような平面形
状を有するものである。上部ポールチップ２５ａの形状
的特徴については、後述する。上部ポールチップ２５ａ
を形成する際には、同時に、開口部８ｂに上部磁極２５
の一部を構成する磁路形成パターン２５ｂを形成すると
共に、コイル接続部１１ｄ上に接続中間パターン２５ｄ
を形成する。この接続中間パターン２５ｄは、コイル接
続部１１ｄと後工程において形成されるコイル接続部２
１ｄとを電気的に接続させるためのものである。上部ポ
ールチップ２５ａ、磁路形成パターン２５ｂおよび接続
中間パターン２５ｄとしては、例えば、高飽和磁束密度
材であるパーマロイ（ＮｉＦｅ）系の合金や窒化鉄（Ｆ
ｅＮ）系の合金が用いられる。このとき、薄膜コイル１
１は絶縁膜１２に覆われているので、上部ポールチップ
２５ａ等の形成時における薄膜コイル１１の損傷等が回
避されることとなる。ここで、上記の上部ポールチップ
２５ａが、本発明における「第１の磁性層部分」の一具
体例に対応し、上記の接続中間パターン２５ｄが、本発
明における「第２の接続パターン」の一具体例に対応す
る。
【００３２】次に、図３（Ｂ）に示したように、例え
ば、イオンミリング法および塩素系ガス（Ｃｌ2 ，ＣＦ
4 ，ＢＣｌ2 ，ＳＦ6 等）を使用したＲＩＥによるドラ
イエッチングにより、上部ポールチップ２５ａをマスク
として、その周辺の記録ギャップ層８および下部磁極７
を自己整合的に約０．５μｍ程度エッチングして、トリ
ム構造を形成する。
【００３３】次に、図４に示したように、全体に、無機
絶縁材料、例えばアルミナを用いて絶縁膜２６を３〜４
μｍ程度の膜厚に形成したのち、例えばＣＭＰ（化学機
械研磨）法により全体を研磨して平坦化し、上部ポール
チップ２５ａ、磁路形成パターン２５ｂおよび接続中間
パターン２５ｄを露出させる。ここで、上記の絶縁膜２
６が、本発明における「第２の絶縁層部分」の一具体例
に対応する。
【００３４】次に、図５に示したように、絶縁膜２６の
平坦部上に、第１層目の薄膜コイル１１を形成した場合
と同様の工程の電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）
よりなる第２層目の薄膜コイル２１を約２〜３μｍの厚
みに形成する。この薄膜コイル２１は、薄膜コイル１１
と同様の平面形状を有するものである。薄膜コイル２１
を形成する際には、同時に、例えば、その内周端部にお
ける接続中間パターン２５ｄ上に、コイル接続部２１ｄ
を薄膜コイル２１と一体に形成する。薄膜コイル１１と
薄膜コイル２１とは、コイル接続部１１ｄ、接続中間パ
ターン２５ｄおよびコイル接続部２１ｄを介して電気的
に接続される。ここで、上記の第２層目の薄膜コイル２
１が、本発明における「第２の薄膜コイル層」の一具体
例に対応し、上記のコイル接続部２１ｄが、本発明にお
ける「第３の接続パターン」としての「導電層パター
ン」の一具体例に対応する。
【００３５】次に、同図に示したように、薄膜コイル２
１およびその周辺の絶縁膜２６を覆うように、絶縁膜１
２と同様の有機絶縁材料、例えばフォトレジストを用い
て、絶縁膜２２を高精度のフォトリソグラフィ処理によ
り所定のパターンとなるように形成する。このとき、同
時に、コイル接続部２１ｄおよびその周辺の絶縁膜２６
上にも同様に絶縁膜２２を形成する。絶縁膜２２を形成
する際には、磁路形成パターン２５ｂの露出面が絶縁膜
２２によって覆われないようにする。次に、絶縁膜２２
に対して、絶縁膜１２の場合と同様の加熱処理を施す。
この加熱処理により、絶縁膜２２の外縁近傍もまた、絶
縁膜１２の場合と同様に斜面をなすこととなる。ここ
で、上記の絶縁膜２２が、本発明における「第３の絶縁
層部分」の一具体例に対応し、上記の絶縁膜１２、絶縁
膜２６および絶縁膜２２が、本発明における「絶縁層」
の一具体例に対応する。
【００３６】次に、図６に示したように、上部ポールチ
ップ２５ａおよび磁路形成パターン２５ｂを形成した場
合と同様の工程の電解めっき法により、上部磁極２５の
一部をなす上部ヨーク２５ｃ約３〜５μｍの厚みに形成
する。この上部ヨーク２５ｃは、例えば後述する図７に
示したような平面形状を有するものである。上部ヨーク
２５ｃを形成する際には、例えば、その最前端の位置が
絶縁膜１２の最前端の位置と一致するようにする。上部
ヨーク２５ｃは、開口部８ｂにおいて、磁路形成パター
ン２５ｂを介して下部磁極７と磁気的に連結されると共
に、前端側部分において上部ポールチップ２５ａとも磁
気的に連結される。上部ヨーク２５ｃは、例えば、上部
ポールチップ２５ａおよび磁路形成パターン２５ｂと同
様の材質からなるものである。ここで、上記の上部ヨー
ク２５ｃが、本発明における「第２の磁性層部分」の一
具体例に対応し、上記の上部磁極２５（上部ポールチッ
プ２５ａ，磁路形成パターン２５ｂ，上部ヨーク２５
ｃ）が、本発明における「２つの磁性層のうちの一方の
磁性層」の一具体例に対応する。
【００３７】次に、同図に示したように、全体を覆うよ
うに、例えばアルミナよりなるオーバーコート層２７を
形成する。最後に、スライダ等の機械加工を用いて記録
ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面２０を形成
することにより、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００３８】＜薄膜磁気ヘッドの構造＞次に、図７を参
照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構造につ
いて説明する。
【００３９】図７は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの平面構
造の概略を表す平面図である。なお、図７では、絶縁膜
２２、絶縁膜２６およびオーバーコート層２７等の図示
を省略している。また、薄膜コイル１１，２１について
は、その最外周部分のみを図示し、絶縁膜１２について
も、その最外端のみを図示している。なお、図６（Ａ）
は、図７におけるＶＩＡ−ＶＩＡ線に沿った矢視断面に
相当する。
【００４０】図７に示したように、絶縁膜１２の最前端
の位置は、スロートハイトを決定する際の基準となる位
置、すなわちスロートハイトゼロ位置である。ここで、
上記の「スロートハイト（Throat Height ）：ＴＨ」
は、記録ヘッドの性能を決定する重要な因子のひとつで
ある。このスロートハイト（ＴＨ）は、磁束発生用の薄
膜コイル１１，２１を電気的に分離する絶縁層（絶縁膜
１２，２２，２６）の最もエアベアリング面２０に近い
端縁の位置、すなわち絶縁膜１２の最前端の位置（以
下、「スロートハイトゼロ位置：ＴＨ０位置」とい
う。）からエアベアリング面２０までの長さとして規定
される。記録ヘッドの性能向上のためには、スロートハ
イト（ＴＨ）の最適化が望まれている。スロートハイト
（ＴＨ）は、エアベアリング面２０を形成する際の研磨
量によって制御される。
【００４１】上部磁極２５は、上部ポールチップ２５
ａ、磁路形成パターン２５ｂおよび上部ヨーク２５ｃを
含んでいる。すなわち、上部磁極２５は、分割して形成
された上記の各部位の集合体である。上部ヨーク２５ｃ
は、例えば台形状の平面形状を有するものであり、その
幅はエアベアリング面２０に近づくにつれて徐々に狭ま
るようになっている。上部ヨーク２５ｃの前側の端縁の
幅は、後述する上部ポールチップ２５ａの中間部２５ａ
(2) の幅よりも大きくなっている。ただし、必ずしもこ
のような場合に限らず、例えば前者の幅が後者の幅より
も小さくなるようにしてもよい。上部ポールチップ２５
ａは、例えばＴ字型形状からなる平面形状を有するもの
であり、エアベアリング面２０から順に先端部２５ａ
(1) および中間部２５ａ(2) を含んでいる。先端部２５
ａ(1) および中間部２５ａ(2) は、例えば共に矩形状か
らなる平面形状を有するものであり、前者の幅は後者の
幅よりも小さくなっている。すなわち、先端部２５ａ
(1) と中間部２５ａ(2) との連結部分には、幅方向の段
差が形成されている。先端部２５ａ(1) の幅は、記録媒
体上の記録トラック幅を規定するものである。上部ヨー
ク２５ｃの前側の端縁面３１の位置および上部ポールチ
ップ２５ａの段差部における中間部２５ａ(2) 側の段差
面３２の位置は、共にＴＨ０位置と一致している。上部
ヨーク２５ｃおよび上部ポールチップ２５ａの各幅方向
の中心は互いに一致している。
【００４２】図６および図７に示したように、上部ヨー
ク２５ｃの前側の一部は、上部ポールチップ２５ａの中
間部２５ａ(2) と部分的にオーバーラップして磁気的に
連結されている。また、上部ヨーク２５ｃは、開口部８
ｂにおいて磁路形成パターン２５ｂを介して下部磁極７
とも磁気的に連結されている。
【００４３】薄膜コイル１１および薄膜コイル２１は、
共に同一方向に渦を巻くような平面形状を有する巻線体
である。両者は、それぞれの内周端部においてコイル接
続部１１ｄ、接続中間パターン２５ｄおよびコイル接続
部２１ｄを介して電気的に接続されている。両者の外周
端１１ｘおよび２１ｘは図示しない外部回路に接続され
ており、この外部回路によって薄膜コイル１１および薄
膜コイル２１を通電させることができるようになってい
る。
【００４４】図６および図７から判るように、上部ポー
ルチップ２５ａの先端部２５ａ(1)は、平坦な記録ギャ
ップ層８上に延在し、中間部２５ａ(2) は、絶縁膜１２
の前側の斜面上に延在している。
【００４５】ここで、再び図６を参照して、前述のスロ
ートハイト（ＴＨ）と共に記録ヘッドの性能を決定する
重要な因子のひとつであるエイペックスアングル（θ）
について説明する。図６に示したように、「エイペック
スアングル（Apex Angle）：θ」は、絶縁膜１２の前側
の斜面うちの、絶縁膜１２の最前端の位置から上部ポー
ルチップ２５ａの最後端の位置までの領域における部分
の平均斜度である。本実施の形態では、エイペックスア
ングルθを５度〜４５度の範囲内とするのが好適であ
る。
【００４６】なお、図６に示したように、絶縁膜１２の
最前端の位置から薄膜コイル１１の最前端（最外周縁）
の位置までの距離Ｌ１は、薄膜コイル１１の厚みＬ２以
上（Ｌ１≧Ｌ２）であるようにするのが好適である。
【００４７】〈薄膜磁気ヘッドの作用〉次に、図７を参
照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの作用につ
いて説明する。
【００４８】まず、薄膜磁気ヘッドの基本的動作、すな
わち、記録媒体に対するデータの記録動作および記録媒
体からのデータの再生動作について簡単に説明する。
【００４９】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、
情報の記録動作時に図示しない外部回路を通じて薄膜コ
イル１１, ２１に電流が流れると、これに応じて磁束が
発生する。この発生した磁束は、上部ヨーク２５ｃ内を
伝搬し、上部ヨーク２５ｃと磁気的に連結されている上
部ポールチップ２５ａの中間部２５ａ(2) を経由して先
端部２５ａ(1) へ伝搬する。先端部２５ａ(1) へ伝搬し
た磁束は、さらにそのエアベアリング面２０側の先端部
分に到達し、記録ギャップ層８近傍の外部に記録用の信
号磁界を発生させる。この信号磁界により、磁気記録媒
体を部分的に磁化して、情報を記録することができる。
このような記録動作を行う薄膜磁気ヘッドにおいて、優
れたオーバーライト特性を確保するためには、薄膜コイ
ル１１，２１で発生した磁束を、円滑かつ十分に先端部
２５ａ(1) の先端部分まで供給することが必要である。
【００５０】一方、再生時においては、再生ヘッド部の
ＭＲ膜５にセンス電流を流す。ＭＲ膜５の抵抗値は、磁
気記録媒体からの再生信号磁界に応じて変化するので、
その抵抗変化をセンス電流の変化によって検出すること
により、磁気記録媒体に記録されている情報を読み出す
ことができる。
【００５１】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、
磁束の伝搬経路を構成する上部ヨーク２５ｃ、中間部２
５ａ(2) および先端部２５ａ(1) の幅を段階的に狭める
ことにより、上記の各部位の内部に収容できる磁束の許
容量、すなわち磁気ボリュームを段階的に減少させるよ
うにしている。このため、薄膜コイル１１，２１で発生
した磁束は、上記の各部位を伝搬するにつれて、各部位
の磁気ボリュームの減少に応じて段階的に集束され、伝
搬途中で飽和することなく先端部２５ａ(1) の先端部分
まで到達することとなる。したがって、優れたオーバー
ライト特性を確保することが可能となる。
【００５２】＜薄膜磁気ヘッドの製造方法における作用
および効果＞次に、図６および図８を参照して、本実施
の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における特徴的
な作用および効果を、比較例としての薄膜磁気ヘッドの
製造方法と比較して、以下に説明する。なお、以下で
は、主に、互いに異なる工程についてのみ説明し、それ
以外の工程についての説明は前述した内容と同様である
ので省略する。
【００５３】図８は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法に対する比較例としての薄膜磁気ヘッドの
製造方法を説明するための断面図であり、前述の図６に
示した断面図に対応するものである。図８において、図
６に示した要素と同一部分には同一符号を付すものとす
る。図８に示した比較例としての薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、コイル接続部１１ｄ上に接続中間パターン２
５ｄを形成せずに、コイル接続部１１ｄ上に直接コイル
接続部２１ｄを形成するようにしている。このような製
造方法を用いた場合には、絶縁膜２６を形成したのち、
上部ポールチップ２５ａおよび磁路形成パターン２５ｂ
が露出するまで絶縁膜２６の表面を研磨したときに、コ
イル接続部１１ｄの上方は絶縁膜２６によって覆われて
いるので、研磨後の表面にコイル接続部１１ｄを露出さ
せることができない。このため、コイル接続部１１ｄと
後工程において形成されるコイル接続部２１ｄとを電気
的に接続させるためには、両者の間に介在する絶縁膜２
６を例えばエッチング等により部分的に除去して開口部
２６ｂを形成する工程が必要となる。
【００５４】これに対して、図６に示した本実施の形態
に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、コイル接続部１
１ｄ上に接続中間パターン２５ｄを形成することによ
り、コイル接続部１１ｄと接続中間パターン２５ｄとを
電気的に接続させると共に、接続中間パターン２５ｄの
上面の位置が上部ポールチップ２５ａおよび磁路形成パ
ターン２５ｂの双方の上面の位置よりも高くなるように
している。このような製造方法を用いた場合には、絶縁
膜２６を形成したのち、上部ポールチップ２５ａおよび
磁路形成パターン２５ｂが露出するまで絶縁膜２６の表
面を研磨したときに、研磨後の表面に接続中間パターン
２５ｄをも露出させることができる。したがって、本実
施の形態における製造方法では、上記の比較例としての
製造方法（図８）において説明した開口部２６ｂを形成
する工程を必要とせずに、コイル接続部１１ｄとコイル
接続部２１ｄとを接続中間パターン２５ｄを介して電気
的に接続させることができる。しかも、本実施の形態に
おける製造方法では、上部ポールチップ２５ａを形成す
る工程と同一の工程により接続中間パターン２５ｄを形
成するようにしているので、接続中間パターン２５ｄを
形成するために新たな工程を必要としない。
【００５５】以上のように、本実施の形態に係る薄膜磁
気ヘッドの製造方法によれば、上部ポールチップ２５ａ
を形成する工程と同一の工程によりコイル接続部１１ｄ
上に接続中間パターン２５ｄを形成して、コイル接続部
１１ｄと接続中間パターン２５ｄとを電気的に接続させ
るようにしたので、接続中間パターン２５ｄの上面の位
置が上部ポールチップ２５ａおよび磁路形成パターン２
５ｂの上面の位置よりも高くなる。このため、絶縁膜２
６の表面を上部ポールチップ２５ａおよび磁路形成パタ
ーン２５ｂが露出するまで研磨することにより、接続中
間パターン２５ｄをも露出させることができる。したが
って、図８に示した比較例では必要であった開口部２６
ｂを形成する工程が不要となる。しかも、本実施の形態
では、上部ポールチップ２５ａを形成する工程と同一の
工程により接続中間パターン２５ｄを形成するようにし
ているので、接続中間パターン２５ｄを形成するために
新たな工程を必要としない。したがって、本実施の形態
において説明したような構造的特徴を有する薄膜磁気ヘ
ッドを製造する場合において、その製造工程数を削減す
ることができる。
【００５６】また、本実施の形態では、有機絶縁材料と
して、例えば加熱により流動性を示すフォトレジストを
用いて絶縁膜１２，２２を形成するようにしたので、薄
膜コイル１１，２１の各巻線間をそれぞれ絶縁膜１２，
２２によって隙間なく埋設することができる。したがっ
て、薄膜コイル１１，２１の各巻線間を確実に絶縁する
ことが可能となる。さらに、絶縁膜１２としてフォトレ
ジストを用いることにより、絶縁膜１２の外縁近傍の表
面が斜面をなすように加工することが容易となる。この
ような場合には、特に、絶縁膜１２の前方部が斜面をな
すことにより、上部ヨーク２５ｃから上部ポールチップ
２５ａの先端部２５ａ(1) まで磁束を円滑に伝搬させる
ことが可能となる。
【００５７】また、本実施の形態では、特に、エイペッ
クスアングル（θ）、すなわち絶縁膜１２の前側の斜面
のうちの、絶縁膜１２の最前端の位置から上部ポールチ
ップ２５ａの最後端の位置までの領域における部分の平
均斜度が５度〜４５度の範囲内となるようにしたので、
エイペックスアングル（θ）を最適化することにより、
薄膜磁気ヘッドの製造上および性能上における各種不具
合を回避することが可能となる。具体的に、エイペック
スアングル（θ）が上記の範囲外である場合に生じる不
具合としては、エイペックスアングル（θ）が５度より
小さい場合には、上部ポールチップ２５ａの中間部２５
ａ(2) 内を磁束が流れる際の磁束の飽和点が後方（薄膜
コイル１１側）に移行してしまい、上部ヨーク２５ｃか
ら上部ポールチップ２５ａの先端部２５ａ(1) への磁束
の伝搬が抑制されるので、オーバーライト特性が低下し
てしまう。一方、エイペックスアングル（θ）が４５度
より大きい場合には、フォトリソグラフィ工程の露光時
における絶縁膜１２の前側の斜面部からの反射光の影響
により、上部ポールチップ２５ａを形成するためのフォ
トレジストパターンの形成精度が低下してしまう。ま
た、中間部２５ａ(2)の磁気ボリュームが減少すること
により、この部分において磁束の飽和が生じてしまうの
で、オーバーライト特性もまた低下してしまう。
【００５８】また、本実施の形態では、無機絶縁材料と
して、例えばアルミナを用いて絶縁膜２６を形成するよ
うにしたので、絶縁膜２６として例えばフォトレジスト
などの軟材料を用いた場合とは異なり、ＣＭＰ法により
絶縁膜２６の表面を研磨する際の研磨特性の劣化、例え
ば研磨面の目詰まり等を回避することができると共に、
研磨後の表面をより平滑に形成することができる。
【００５９】また、本実施の形態では、薄膜コイル１１
を形成し、これをスロートハイトゼロ位置（ＴＨ０位
置）を規定するための絶縁膜１２で覆ったのちに上部ポ
ールチップ２５ａを形成するようにしているので、絶縁
膜１２が薄膜コイル１１の保護膜としての機能も兼ねる
こととなり、上部ポールチップ２５ａの形成時における
薄膜コイル１１の損傷を回避することができる。また、
薄膜コイル１１を形成する前に上部ポールチップ２５ａ
を形成する場合とは異なり、薄膜コイル１１の形成時に
おける上部ポールチップ２５ａの損傷を回避するために
絶縁膜１２以外の保護膜を形成する工程を必要としない
ので、製造工程数を削減することもできる。
【００６０】また、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
では、絶縁膜１２の最前端の位置から薄膜コイル１１の
最前端（最外周縁）の位置までの距離Ｌ１が、薄膜コイ
ル１１の厚みＬ２以上（Ｌ１≧Ｌ２）であるようにした
ので、絶縁膜１２の前側の斜面の平均斜度を小さくする
ことができる。このため、前述のエイペックスアングル
（θ）もまた小さくなるように、具体的には５度ないし
４５度の範囲内となるようにすることができる。
【００６１】なお、本実施の形態では、図７に示したよ
うに、コイル接続部１１ｄ，２１ｄをそれぞれ薄膜コイ
ル１１，２１の内周端部に配設するようにしたが、必ず
しもこれに限られるものではなく、例えば、コイル接続
部１１ｄ，２１ｄをそれぞれ薄膜コイル１１，２１の外
周端部に配設するようにしてもよい。
【００６２】また、本実施の形態では、図６および図７
に示したように、絶縁膜１２が薄膜コイル１１の全領域
を埋設するようにしたが、必ずしもこれに限られるもの
ではない。絶縁膜１２の最前端によってスロートハイト
ゼロ位置（ＴＨ０位置）が規定される限り、例えば、絶
縁膜１２が薄膜コイル１１の最外周部のみを埋設するよ
うにしてもよい。また、図９に示したように、絶縁膜１
２の最後端が薄膜コイル１１の最外周部の最前端の位置
よりも前方に位置するようにしてもよい。ただし、この
ような場合には、絶縁膜１２の最後端が上部ポールチッ
プ２５ａの最後端の位置よりも後方に位置するようにす
る。
【００６３】また、本実施の形態では、図７に示したよ
うに、例えば、上部ヨーク２５ｃが台形状の平面形状を
有し、上部ポールチップ２５ａがＴ字型の平面形状を有
する場合について説明したが、必ずしもこれに限られる
ものではなく、両者の形状を自由に設定することが可能
である。但し、前述したように、両者の各部位は磁束の
伝搬経路を構成し、それらの形状は磁束の伝搬状態に大
きく寄与する磁気ボリュームを決定することとなるの
で、磁束の伝搬過程において飽和現象が生じないように
各部位の磁気ボリュームを調整し、両者の形状を決定す
る必要がある。
【００６４】［第２の実施の形態］次に、本発明の第２
の実施の形態について説明する。
【００６５】まず、図１０を参照して、本発明の第２の
実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法としての複
合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する。なお、本実
施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、本実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドの製造方法によって具現化されるので、
以下併せて説明する。図１０は、本実施の形態に係る薄
膜磁気ヘッドの製造方法により製造された複合型薄膜磁
気ヘッドの構造を表すものであり、図中の（Ａ）はエア
ベアリング面に垂直な断面を示し、（Ｂ）は磁極部分の
エアベアリング面に平行な断面を示している。図１０に
おいて、上記第１の実施の形態における要素と同一部分
には同一の符号を付すものとする。
【００６６】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、上
記第１の実施の形態の場合における２段構成（薄膜コイ
ル１１，２１）の薄膜コイル部とは異なり、１段構成
（薄膜コイル１１）の薄膜コイル部を有するものであ
る。
【００６７】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法において、図１０における絶縁膜２６の表面をＣＭ
Ｐ法により研磨して平坦化するところまでの工程は、上
記第１の実施の形態における図４に示した工程までと同
様であるので、その説明を省略する。
【００６８】本実施の形態では、図１０に示したよう
に、絶縁膜２６の表面をＣＭＰ法により研磨して平坦化
し、上部ポールチップ２５ａ、磁路形成パターン２５ｂ
および接続中間パターン２５ｄを露出させたのち、研磨
後の平坦部上に、上記第１の実施の形態の場合と同様の
材料および工程により上部磁極２５の一部を構成する上
部ヨーク１２５ｃを形成する。上部ヨーク１２５ｃを形
成する際には、同時に、接続中間パターン２５ｄ上にコ
イル配線２５ｅを形成する。このコイル配線２５ｅは、
例えば後述する図１１に示したような平面形状を有する
ものであり、薄膜コイル１１を通電させるためのもので
ある。コイル配線２５ｅは、コイル接続部１１ｄおよび
接続中間パターン２５ｄを介して薄膜コイル１１と電気
的に接続される。コイル配線２５ｅとしては、例えば、
上部ヨーク１２５ｃと同様の高飽和磁束密度材であるパ
ーマロイ（ＮｉＦｅ）系の合金や窒化鉄（ＦｅＮ）系の
合金が用いられる。ここで、上記のコイル配線２５ｅ
が、本発明における「配線パターン」としての「導電層
パターン」の一具体例に対応する。
【００６９】次に、同図に示したように、全体に、例え
ばアルミナよりなるオーバーコート層２７を形成したの
ち、スライダ等を用いてエアベアリング面２０を形成す
ることにより薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００７０】図１１は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの平面
構造の概略を表す平面図である。図１１において、上記
第１の実施の形態における図７に示した要素と同一部分
には同一の符号を付すものとする。なお、図１１では、
絶縁膜２６およびオーバーコート層２７等の図示を省略
している。また、薄膜コイル１１については、その最外
周部分のみを図示し、絶縁膜１２については、その最外
端のみを図示している。図１０（Ａ）は、図１１におけ
るＸＡ−ＸＡ線に沿った矢視断面に相当する。
【００７１】図１０および図１１に示したように、コイ
ル配線２５ｅは、接続中間パターン２５ｄおよび薄膜コ
イル１１の内周端部に配設されたコイル接続部１１ｄと
電気的に接続されており、これらの両部位を介して薄膜
コイル１１とも電気的に接続されている。コイル配線２
５ｅの後方部および薄膜コイル１１の外周端１１ｘは、
図示しない外部回路に接続されており、この外部回路に
よって、コイル配線２５ｅを通じて薄膜コイル１１を通
電させることができるようになっている。なお、図１１
に示した上記以外の配設物に関する構造的特徴は、上記
第１の実施の形態の場合（図７）と同様である。
【００７２】このような構造を有する薄膜磁気ヘッドで
は、コイル配線２５ｅを通じて薄膜コイル１１を通電さ
せることにより発生した磁束は、上部ヨーク１２５ｃか
ら上部ポールチップ２５ａへ伝搬する過程において、伝
搬経路を構成する各部位の磁気ボリュームの段階的減少
に応じて段階的に集束され、最終的に上部ポールチップ
２５ａの先端部２５ａ(1) まで十分に到達することとな
る。したがって、このような磁束の伝搬・集束作用によ
り、上記第１の実施の形態の場合と同様に優れたオーバ
ーライト特性を確保することが可能となる。
【００７３】本実施の形態においても、上部ポールチッ
プ２５ａを形成する工程と同一の工程によりコイル接続
部１１ｄ上に接続中間パターン２５ｄを形成するように
したので、上記第１の実施の形態の場合と同様の作用に
より、ＣＭＰ法により上部ポールチップ２５ａおよび磁
路形成パターン２５ｂが露出するまで絶縁膜２６の表面
を研磨したときに、接続中間パターン２５ｄをも露出さ
せることができる。このため、前述の図８に示した比較
例では必要であった開口部２６ｂの形成工程を必要とせ
ずに、接続中間パターン２５ｄとコイル配線２５ｅとを
電気的に接続させることができる。したがって、上記第
１の実施の形態の場合と同様に製造工程数を削減するこ
とが可能となる。
【００７４】また、本実施の形態では、ＣＭＰ法に研磨
された平坦部上に上部ヨーク１２５ｃを形成するように
したので、上部ヨーク１２５ｃを形成するためのフォト
レジストパターンの形成をフォトリソグラフィにより高
精度に行うことができる。
【００７５】なお、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
およびその製造方法に関する上記以外の作用、効果およ
び変形例等は、上記第１の実施の形態の場合と同様であ
るので、その説明を省略する。
【００７６】以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発
明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定さ
れず、種々の変形が可能である。例えば、上記の各実施
の形態では、上部ポールチップ２５ａ、磁路形成パター
ン２５ｂ、上部磁極２５ｃおよび接続中間パターン２５
ｄ等として、パーマロイ（ＮｉＦｅ）やチッ化鉄（Ｆｅ
Ｎ）等を用いるようにしたが、このほか、例えばＦｅ−
Ｃｏ−Ｚｒのアモルファス等の高飽和磁束密度材を用い
てもよいし、これらの材料を２種類以上重ねて使用して
もよい。また、下部磁極７として、ＮｉＦｅと上記の高
飽和磁束密度材とを重ねた磁性材料を用いてもよい。
【００７７】また、例えば、上記各実施の形態およびそ
の変形例では、薄膜コイル１１およびコイル接続部１１
ｄを配設する下地（記録ギャップ層８）が同一平面をな
しているような場合について説明したが、必ずしもこの
ような場合に限られるものではなく、本発明は、両者を
配設する下地間に多少の段差が存在するような場合にお
いても適用することができる。このような場合において
も、絶縁膜２６を形成したのち、絶縁膜２６の表面を研
磨することにより上部ポールチップ２５ａおよび接続中
間パターン２５ｄの双方を露出させることができる限
り、本発明は有益である。
【００７８】また、例えば、上記各実施の形態およびそ
の変形例では、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法につい
て説明したが、本発明は、書き込み用の誘導型磁気変換
素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや記録・再生兼
用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適
用することができる。また、本発明は、書き込み用の素
子と読み出し用の素子の積層順序を逆転させた構造の薄
膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【００７９】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項９のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法によれば、第１の磁性層部分を形成する工程と同一の
工程により第１の接続パターン上に第２の接続パターン
を形成して、第１の接続パターンと第２の接続パターン
とを電気的に接続させるようにしたので、第１の接続パ
ターン上に第２の接続パターンを形成しない場合とは異
なり、第２の導電層パターンと導電層パターンとを電気
的に接続させるために絶縁層の一部を除去して開口部分
を形成する工程が不要となる。したがって、製造工程数
を削減することができるという効果を奏する。
【００８０】また、請求項３記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法によれば、第１の絶縁層部分によって第１の薄膜
コイル層を覆った後に第１の磁性層部分を形成するよう
にしているので、第１の磁性層部分の形成時における第
１の薄膜コイル層の損傷を回避することができると共
に、第１の薄膜コイル層を形成する前に第１の磁性層部
分を形成する場合に比べて製造工程数を削減することも
できる。
【００８１】また、請求項４記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法によれば、第１の絶縁層部分を有機絶縁材料を用
いて形成し、第２の絶縁層部分を無機絶縁材料を用いて
形成するようにしたので、第１の薄膜コイル層における
各巻線間の絶縁を確実にすることができると共に、平坦
化のための研磨工程における加工精度を向上させ、かつ
加工時における不具合を回避することができるという効
果を奏する。
【００８２】また、請求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法によれば、第３の絶縁層部分を有機絶縁材料を用
いて形成するようにしたので、第２の薄膜コイル層にお
ける各巻線間の絶縁もまた確実にすることができるとい
う効果を奏する。
【００８３】また、請求項１０ないし請求項１９のいず
れか１項に記載の薄膜磁気ヘッドによれば、第１の接続
パターンと導電層パターンとの間に第２の接続パターン
が配設されるようにしたので、この第２の接続パターン
を介して第１の接続パターンと導電層パターンとを電気
的に接続させることができるという効果を奏する。これ
により、導電層パターンが例えば請求項１４に記載した
配線パターンである場合には、この配線パターンと、第
１の接続パターンと一体をなしている第１の薄膜コイル
層とを電気的に接続させることができる。また、導電層
パターンが例えば請求項１６に記載した第３の接続パタ
ーンである場合には、第１の薄膜コイル層と、第２の接
続パターンと一体をなしている第２の薄膜コイル層とを
電気的に接続させることができる。
【００８４】また、請求項１２記載の薄膜磁気ヘッドに
よれば、第１の絶縁層部分の最前端の位置から第１の薄
膜コイル層の最外周部における最前端の位置までの距離
が第１の薄膜コイル層の厚み以上であるようにしたの
で、第１の絶縁層部分の記録媒体対向面に近い側の斜面
の平均斜度を小さくすることができる。したがって、こ
の斜面上の領域における磁束の流れを円滑化することが
できるという効果を奏する。
【００８５】また、請求項１８記載の薄膜磁気ヘッドに
よれば、第１の絶縁層部分の記録媒体対向面に近い側の
表面がギャップ層の表面に対して斜面をなすようにし
て、上記の斜面の平均斜度が５度ないし４５度の範囲内
であるようにしたので、薄膜磁気ヘッドの製造条件（第
１の磁性層部分の形成精度等）および性能（オーバーラ
イト特性等）を最適化することができるという効果を奏
する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの平面構造を表す平面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法に対する比較例としての薄膜磁気ヘッドの
製造方法を説明するための断面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの変形例を表す断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面構造を表す断面図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面構造を表す平面図である。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４，６…
シールドギャップ膜、５…ＭＲ膜、７…下部磁極、８…
記録ギャップ層、８ｂ，２６ｂ…開口部、１１，２１…
薄膜コイル、１１ｄ，２１ｄ…コイル接続部、１２，２
２，２６…絶縁膜、２０…エアベアリング面、２５…上
部磁極、２５ａ…上部ポールチップ、２５ａ(1) …先端
部、２５ａ(2) …中間部、２５ｂ…磁路形成パターン、
２５ｃ，１２５ｃ…上部ヨーク、２５ｄ…接続中間パタ
ーン、２５ｅ…コイル配線、オーバーコート層…２７、
ＴＨ…スロートハイト、θ…エイペックスアングル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−119613（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−334817（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/31

Claims (19)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 記録媒体に対向する記録媒体対向面側
    の一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極を含
    む、互いに磁気的に連結された２つの磁性層と、前記２
    つの磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイル
    部とを有すると共に、前記２つの磁性層のうちの一方の
    磁性層が、トラック幅を画定する一定幅部分を有する第
    １の磁性層部分と、前記薄膜コイル部の配設領域を覆う
    と共に前記第１の磁性層部分の一部と部分的にオーバー
    ラップして磁気的に連結された第２の磁性層部分とを有
    する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、 前記薄膜コイル部の一部をなす第１の薄膜コイル層を形
    成すると同時に、前記薄膜コイル部の一部をなす第１の
    接続パターンを、前記第１の薄膜コイル層の端部に前記
    第１の薄膜コイル層と一体をなすように形成する第１の
    工程と、 前記記録媒体対向面からこの面と離れる方向に延在する
    ように前記第１の磁性層部分を形成すると同時に、前記
    第１の接続パターン上に前記薄膜コイル部の一部をなす
    第２の接続パターンを形成する第２の工程と、 少なくとも前記第１の薄膜コイル層、前記第１の接続パ
    ターン、前記第１の磁性層部分および前記第２の接続パ
    ターンを覆うように前記絶縁層を形成する第３の工程
    と、 少なくとも前記第１の磁性層部分および前記第２の接続
    パターンの双方が露出するまで前記絶縁層の表面を研磨
    して平坦化する第４の工程と、 前記第２の接続パターンの露出部分と電気的に接続され
    るように導電層パターンを形成する第５の工程とを含む
    ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  2. 【請求項２】 前記絶縁層が、 前記絶縁層の前記記録媒体対向面に最も近い端部である
    最前端を規定する第１の絶縁層部分と、 前記第１の磁性層部分の上面と同じ高さまで埋め込まれ
    た第２の絶縁層部分とを含むように前記絶縁層を形成す
    ることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製
    造方法。
  3. 【請求項３】 前記第１の絶縁層部分によって前記第
    １の薄膜コイル層を覆った後に、前記第１の磁性層部分
    を形成することを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘ
    ッドの製造方法。
  4. 【請求項４】 前記第１の絶縁層部分を有機絶縁材料
    を用いて形成し、前記第２の絶縁層部分を無機絶縁材料
    を用いて形成することを特徴とする請求項２または請求
    項３に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  5. 【請求項５】 前記導電層パターンを、前記第２の磁
    性層部分と同一の材料を用いて同一の工程により形成す
    ることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか
    １項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  6. 【請求項６】 前記導電層パターンを、前記第１の薄
    膜コイル層を通電させるための配線パターンとして形成
    することを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれ
    か１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  7. 【請求項７】 前記第５の工程は、 前記絶縁層の平坦部上に、前記薄膜コイル部の一部をな
    す第２の薄膜コイル層を形成する工程を含み、 前記導電層パターンを、前記第２の薄膜コイル層と一体
    をなす第３の接続パターンとして、前記第２の薄膜コイ
    ル層の端部に前記第２の薄膜コイル層と同時に形成する
    ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１
    項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  8. 【請求項８】 さらに、 前記第２の薄膜コイル層および前記導電層パターンを埋
    設するように、前記絶縁層の一部をなす第３の絶縁層部
    分を形成する第６の工程を含むことを特徴とする請求項
    ７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  9. 【請求項９】 前記第３の絶縁層部分を有機絶縁材料
    を用いて形成することを特徴とする請求項８記載の薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
  10. 【請求項１０】 記録媒体に対向する記録媒体対向面
    側の一部に、ギャップ層を介して対向する２つの磁極を
    含む、互いに磁気的に連結された２つの磁性層と、前記
    ２つの磁性層の間に絶縁層を介して配設された薄膜コイ
    ル部とを有すると共に、前記２つの磁性層のうちの一方
    の磁性層が、前記記録媒体対向面からこの面と離れる方
    向に延在すると共にトラック幅を画定する一定幅部分を
    有する第１の磁性層部分と、前記薄膜コイル部の配設領
    域を覆うと共に前記第１の磁性層部分の一部と部分的に
    オーバーラップして磁気的に連結された第２の磁性層部
    分とを含む薄膜磁気ヘッドであって、 前記薄膜コイル部は、 第１の薄膜コイル層と、 前記第１の薄膜コイル層の端部に配設されると共に、前
    記第１の薄膜コイル層と一体をなす第１の接続パターン
    と、 前記第１の磁性層部分と同一の材料を用いて同一の工程
    により前記第１の接続パターン上に配設された第２の接
    続パターンとを含み、 前記第２の接続パターン上に所定の導電層パターンが配
    設されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
  11. 【請求項１１】 前記絶縁層は、 前記絶縁層の前記記録媒体対向面に最も近い端部である
    最前端を規定する第１の絶縁層部分と、 前記第１の磁性層部分の上面と同じ高さまで埋め込まれ
    た第２の絶縁層部分とを含むことを特徴とする請求項１
    ０記載の薄膜磁気ヘッド。
  12. 【請求項１２】 前記第１の絶縁層部分の最前端の位
    置から前記第１の薄膜コイル層の最外周部における最前
    端の位置までの距離は、前記第１の薄膜コイル層の厚み
    以上であることを特徴とする請求項１１記載の薄膜磁気
    ヘッド。
  13. 【請求項１３】 前記第１の絶縁層部分は有機絶縁材
    料からなり、前記第２の絶縁層部分は無機絶縁材料から
    なることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記
    載の薄膜磁気ヘッド。
  14. 【請求項１４】 前記導電層パターンは、前記第２の
    磁性層部分と同一の材料を用いて同一の工程により形成
    された、前記第１の薄膜コイル層を通電させるための配
    線パターンであることを特徴とする請求項１０ないし請
    求項１３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
  15. 【請求項１５】 前記薄膜コイル部は、さらに、 前記絶縁層の一部を介して前記第１の薄膜コイル層より
    も上方に配設された第２の薄膜コイル層を含むことを特
    徴とする請求項１０ないし請求項１３のいずれか１項に
    記載の薄膜磁気ヘッド。
  16. 【請求項１６】 前記導電層パターンは、前記第２の
    薄膜コイル層の端部に配設されると共に、前記第２の薄
    膜コイル層と一体をなす第３の接続パターンであること
    を特徴とする請求項１５記載の薄膜磁気ヘッド。
  17. 【請求項１７】 前記絶縁層は、さらに前記第２の薄
    膜コイル層および前記導電層パターンを埋設する第３の
    絶縁層部分を含むことを特徴とする請求項１５または請
    求項１６に記載の薄膜磁気ヘッド。
  18. 【請求項１８】 前記第１の絶縁層部分の前記記録媒
    体対向面に近い側の表面は前記ギャップ層の表面に対し
    て斜面をなしており、前記斜面の平均斜度は５度ないし
    ４５度の範囲内であることを特徴とする請求項１７記載
    の薄膜磁気ヘッド。
  19. 【請求項１９】 前記第３の絶縁層部分は有機絶縁材
    料からなることを特徴とする請求項１７または請求項１
    ８に記載の薄膜磁気ヘッド。
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