JP3375831B2 - Processing equipment - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハを洗浄するウエハ洗浄装置等の処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus such as a wafer cleaning apparatus for cleaning semiconductor wafers.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいては、半導体
ウエハ（以下、単にウエハと呼ぶ。）の洗浄、例えば微
粒子除去や金属汚染除去、酸化膜除去等を行うことが要
求される。微粒子除去の洗浄プロセスにおいては、ＮＨ
4 ／Ｈ2 Ｏ2 ／Ｈ2 Ｏ混合液（以下、ＡＰＭと称す
る。）を使用した液相洗浄が一般的であり、金属汚染除
去の洗浄プロセスにおいては、ＨＣｌ／Ｈ2 Ｏ2 ／Ｈ2
Ｏ混合液（以下、ＨＰＭと称する。）を使用した液相洗
浄が一般的であり、また酸化膜除去の洗浄プロセスにお
いては、ＨＦ／Ｈ2 Ｏ混合液（以下、ＤＨＭと称す
る。）を使用した液相洗浄が一般的である。2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing process, it is required to clean a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer), for example, removal of fine particles, removal of metal contamination, removal of oxide film and the like. In the cleaning process for removing fine particles, NH
Liquid phase cleaning using a 4 / H 2 O 2 / H 2 O mixed solution (hereinafter referred to as APM) is generally used, and HCl / H 2 O 2 / H 2 is used in the cleaning process for removing metal contamination.
Liquid phase cleaning using an O mixed solution (hereinafter referred to as HPM) is generally used, and an HF / H 2 O mixed solution (hereinafter referred to as DHM) is used in a cleaning process for removing an oxide film. Liquid phase washing is common.
【０００３】近年、ウエハの大口径化に伴い、各処理プ
ロセスの枚葉処理化が進む中で、このような洗浄プロセ
スにおいても枚葉処理化が進められている。枚葉処理化
したウエハ洗浄装置として、例えばＡＰＭ洗浄を行う処
理室とＨＰＭ洗浄を行う処理室とＤＨＭ洗浄を行う処理
室とをウエハを搬送するウエハ搬送路に沿って配置し、
これら処理室間でウエハの受け渡しを行うウエハ搬送体
を上記のウエハ搬送路上を移動可能に配置して構成した
装置がある。In recent years, with the increase in the diameter of wafers, the single-wafer processing of each processing process is progressing, and the single-wafer processing is also progressed in such a cleaning process. As a single wafer processing wafer cleaning apparatus, for example, a processing chamber for APM cleaning, a processing chamber for HPM cleaning, and a processing chamber for DHM cleaning are arranged along a wafer transfer path for transferring wafers,
There is an apparatus in which a wafer transfer body that transfers wafers between these processing chambers is movably arranged on the wafer transfer path.
【０００４】上記した各処理室の構成はほぼ同様であ
り、その処理室の一例の概略構成を図１２に示す。The structures of the above-mentioned processing chambers are almost the same, and a schematic structure of an example of the processing chamber is shown in FIG.
【０００５】同図に示すように、密閉型の処理室１００
内には、ウエハＷを回転可能に保持する保持部材１０１
と、この保持部材１０１に保持回転されたウエハＷ表面
に対して所定の洗浄液、例えばＡＰＭ洗浄であればＮＨ
4 ／Ｈ2 Ｏ2 ／Ｈ2 Ｏ混合液を噴出する噴出ノズル１０
２とが設けられている。また、処理室１００のウエハ搬
送路側の正面には、ウエハＷの受け渡しを行うための開
閉可能な窓部１０３が設けられている。そして、ウエハ
搬送路上に移動可能に配置されたウエハ搬送体１０４が
上記窓部１０３を介して洗浄を行うウエハＷの受け渡し
を行っている。As shown in FIG. 1, a hermetically sealed processing chamber 100 is provided.
A holding member 101 for holding the wafer W rotatably therein.
And a predetermined cleaning liquid for the surface of the wafer W held and rotated by the holding member 101, such as NH for APM cleaning.
Jet nozzle 10 for jetting a 4 / H 2 O 2 / H 2 O mixed liquid
2 and are provided. Further, on the front surface of the processing chamber 100 on the wafer transfer path side, an openable / closable window portion 103 for transferring the wafer W is provided. Then, the wafer transfer body 104 movably arranged on the wafer transfer path transfers the wafer W to be cleaned through the window 103.
【０００６】ところで、このように処理室１００を構成
した場合、処理室１００内の雰囲気、例えばＡＰＭ洗浄
であればＮＨ4 ガスが処理室外、例えばウエハ搬送路側
に漏れるとウエハ搬送路上のウエハに悪影響を与えるた
め、こうした漏洩を避ける必要がある。例えば、窓部１
０３を開いたとき、当該窓部１０３から雰囲気が外部に
漏れ、ウエハ搬送路上のウエハに悪影響を与える。そこ
で、例えば処理室１００の所定の位置に外部雰囲気を導
入するための導入口を設け、そして処理室内の排気を行
い、処理室内を陰圧に設定することが行われている。When the processing chamber 100 is constructed as described above, if the atmosphere inside the processing chamber 100, for example, NH 4 gas leaks outside the processing chamber for APM cleaning, for example, to the wafer transfer path side, it adversely affects the wafer on the wafer transfer path. Therefore, it is necessary to avoid such leakage. For example, window part 1
When 03 is opened, the atmosphere leaks from the window 103 to the outside, which adversely affects the wafer on the wafer transfer path. Therefore, for example, an inlet for introducing an external atmosphere is provided at a predetermined position in the processing chamber 100, the processing chamber is evacuated, and the processing chamber is set to a negative pressure.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなウエハ洗浄装置の処理室に上記の如く排気手段を設
けた場合であっても、ウエハＷの受け渡しを行うために
窓部１０３を開くと、処理室内の陰圧の設定が弱まり、
処理室内の雰囲気が窓部１０３から外部に漏れることが
ある。また、上記の排気手段による排気が何等かの原因
によってできなくなったようなときには、処理室内の雰
囲気が上述した導入口より外部に漏れることがあるとい
う問題がある。However, even when the exhaust means is provided in the processing chamber of such a wafer cleaning apparatus as described above, if the window 103 is opened to transfer the wafer W, The negative pressure setting in the processing chamber is weakened,
The atmosphere in the processing chamber may leak outside through the window 103. Further, there is a problem that the atmosphere in the processing chamber may leak to the outside from the above-mentioned inlet when the exhaust by the exhaust means cannot be performed for some reason.
【０００８】本発明は、かかる課題に対処したもので、
処理室内の雰囲気が外部に漏れることのない処理装置を
提供することを目的としている。The present invention addresses the above-mentioned problems.
It is an object of the present invention to provide a processing apparatus in which the atmosphere in the processing chamber does not leak outside.
【０００９】より具体的には、本発明は、被処理基板の
受け渡しを行う窓部から処理室内の雰囲気が外部に漏れ
ることのない処理装置を提供することを目的としてい
る。More specifically, an object of the present invention is to provide a processing apparatus in which the atmosphere in the processing chamber does not leak to the outside through the window portion for delivering the substrate to be processed.
【００１０】また、本発明は、外部雰囲気を導入するた
めの導入口より処理室内の雰囲気が外部に漏れることの
ない処理装置を提供することを目的としている。Another object of the present invention is to provide a processing apparatus in which the atmosphere in the processing chamber does not leak to the outside through an inlet for introducing the outside atmosphere.
【００１１】本発明は、上記目的を非常に簡単な構造で
実現することができる処理装置を提供することを目的と
している。An object of the present invention is to provide a processing apparatus which can realize the above object with a very simple structure.
【００１２】本発明のさらなる目的は、処理室内にダウ
ンフローの気流を形成することができる処理装置を提供
することにある。A further object of the present invention is to provide a processing apparatus capable of forming a downflow airflow in the processing chamber.
【００１３】本発明のさらに別の目的は、外部雰囲気を
導入するための導入口付近より発生した塵芥が処理中の
被処理基板に付着することのない処理装置を提供するこ
とにある。Still another object of the present invention is to provide a processing apparatus in which dust generated from the vicinity of an inlet for introducing an external atmosphere does not adhere to a substrate to be processed.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、請求項１記載の本発明に係る処理装置は、被処理基
板の受け渡しを行うための開閉可能な窓部と、外部雰囲
気を導入するための導入口とを有し、窓部を介して受け
渡された被処理基板に対して所定の処理を行う密閉型の
処理室と、この処理室内の排気を行う排気手段と、前記
導入口を開閉可能に軸支された開閉板と、この開閉板が
前記導入口を塞ぎ、かつ前記処理室内の陰圧時には前記
導入口を開くように当該開閉板と釣り合う釣り合い重り
とを有する開閉機構とを具備する。In order to solve such a problem, the processing apparatus according to the present invention according to claim 1 introduces an openable / closable window portion for transferring a substrate to be processed and an external atmosphere. and a inlet for the sealed processing chamber for performing a predetermined process on the substrate to be processed is passed through the window portion, and an exhaust means for performing exhaust of the process chamber, wherein
An opening / closing plate that pivotally supports the opening and closing, and a balance weight that closes the opening and closing plate by closing the opening and closing the opening when the negative pressure in the processing chamber is reached.
And an opening / closing mechanism having.
【００１５】本発明では、開閉機構が処理室内の陰圧時
には導入口を開くように構成しているので、例えば窓部
が閉じているときには、外部雰囲気を導入口より導入し
つつ排気手段による処理室内の排気を実現することがで
きる。一方、処理室内の陰圧時以外のとき、例えば被処
理基板の受け渡しを行うために窓部が開いたときや排気
手段による排気が何等かの原因によってできなくなった
ようなときには、開閉機構が導入口を閉じるように構成
しているので、処理室内の雰囲気が窓部から外部に漏れ
ることや処理室内の雰囲気が導入口より外部に漏れるこ
とはなくなる。 According to the present invention, since the opening / closing mechanism is configured to open the inlet when the pressure inside the processing chamber is negative, for example, when the window is closed, the outside atmosphere is introduced from the inlet while the processing is performed by the exhaust means. Exhaust in the room can be realized. On the other hand, an opening / closing mechanism is introduced when the pressure inside the processing chamber is other than negative pressure, for example, when the window is opened to transfer the substrate to be processed or when exhaust by the exhaust means cannot be performed for some reason. since the configuration to close the mouth, that the atmosphere in or processing chamber that atmosphere in the processing chamber from leaking to the outside from the window portion leaks outside from the inlet port that a no.
【００１６】本発明では、開閉板が導入口を塞ぎ、かつ
処理室内の陰圧時には導入口を開くように当該開閉板と
釣り合う釣り合い重りによって開閉板を開閉するように
構成したので、処理室内の雰囲気の外部への漏洩を非常
に簡単な構造で実現することができる。According to the present invention, since the opening / closing plate closes the inlet, and the opening / closing plate is opened / closed by the counterweight that balances with the opening / closing plate so that the inlet is opened when the pressure in the processing chamber is negative, the inside of the processing chamber is opened. The atmosphere can be leaked to the outside with a very simple structure.
【００１７】請求項２記載の本発明に係る処理装置は、
被処理基板の受け渡しを行うための開閉可能な窓部を正
面に有し、かつ外部雰囲気を導入するための導入口を上
面に有し、窓部を介して受け渡された被処理基板に対し
て所定の処理を行う密閉型の処理室と、この処理室の下
方に設けられ、処理室内の排気を行う排気手段と、前記
導入口を開閉可能に軸支された開閉板と、この開閉板が
前記導入口を塞ぎ、かつ前記処理室内の陰圧時には前記
導入口を開くように当該開閉板と釣り合う釣り合い重り
とを有する開閉機構とを具備する。The processing apparatus according to the present invention as defined in claim 2 is
It has an openable and closable window part for delivering the substrate to be processed, and an inlet for introducing an external atmosphere on the upper surface, and the substrate to be processed is delivered through the window part. And a closed type processing chamber for performing a predetermined process, an exhaust means provided below the processing chamber for exhausting the inside of the processing chamber, an opening / closing plate pivotally supported to open / close the inlet, and the opening / closing plate. And an opening / closing mechanism having a counterweight that closes the inlet and opens the inlet when the processing chamber is under negative pressure so as to balance the opening / closing plate.
【００１８】本発明では、上記構成に加えて、外部雰囲
気を導入するための導入口及びその開閉機構を処理室の
上面に設け、排気手段を処理室の下方に設けたので、処
理室内にダウンフローの気流を形成することができる。In the present invention, in addition to the above structure, an inlet for introducing the external atmosphere and its opening / closing mechanism are provided on the upper surface of the processing chamber, and the exhaust means is provided below the processing chamber. An air stream of flow can be formed.
【００１９】請求項３記載の本発明に係る処理装置は、
被処理基板の受け渡しを行うための開閉可能な窓部を正
面に有し、かつ外部雰囲気を導入するための導入口を上
面に有し、窓部を介して受け渡された被処理基板に対し
て所定の処理を行う密閉型の処理室と、この処理室の下
方に設けられ、処理室内の排気を行う排気手段と、前記
導入口を開閉可能に軸支された開閉板と、この開閉板が
前記導入口を塞ぎ、かつ前記処理室内の陰圧時には前記
導入口を開くように当該開閉板と釣り合う釣り合い重り
とを有する開閉機構と、前記処理室内に配置され、前記
被処理基板に対して所定の処理を行う処理部とその上方
の前記導入口とを仕切り、かつ通気穴を有する仕切り板
とを具備する。A processing apparatus according to a third aspect of the present invention is
It has an openable and closable window part for delivering the substrate to be processed, and an inlet for introducing an external atmosphere on the upper surface, and the substrate to be processed is delivered through the window part. And a closed type processing chamber for performing a predetermined process, an exhaust means provided below the processing chamber for exhausting the inside of the processing chamber, an opening / closing plate pivotally supported to open / close the inlet, and the opening / closing plate. Is an opening / closing mechanism that closes the inlet and has a counterweight that balances the opening / closing plate so as to open the inlet when the negative pressure in the processing chamber is present, and is disposed in the processing chamber, and with respect to the substrate to be processed. A partition plate for partitioning the processing section for performing a predetermined process and the inlet above the processing section and having a ventilation hole is provided.
【００２０】本発明では、被処理基板に対して所定の処
理を行う処理部とその上方の導入口とを仕切る仕切り板
を処理室内に配置したので、外部雰囲気を導入するため
の導入口付近より発生した塵芥が処理中の被処理基板に
付着するようなことはない。前記仕切り板には、前記導
入口の直下の領域以外の領域に前記通気穴を設ける方が
よい。これにより、導入口側の塵芥が通気穴を通して処
理部に落下するのを防止することができる。 In the present invention, since the partition plate for partitioning the processing unit for performing the predetermined processing on the substrate to be processed and the inlet above it is arranged in the processing chamber, the partition plate is introduced from the vicinity of the inlet for introducing the external atmosphere. The generated dust does not adhere to the substrate being processed. It is preferable that the partition plate be provided with the ventilation hole in a region other than a region immediately below the introduction port. Thus, dust inlet side Ru can be prevented from falling to the processing unit through the vent hole.
【００２１】[0021]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図に基
づいて説明すれば、図１〜図３は、各々本発明の実施形
態が採用された半導体ウエハ（以下、「ウエハ」とい
う）のウエハ洗浄装置１の全体構成の図であって、図１
は平面、図２は正面、図３は背面を夫々示している。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIGS. 1 to 3 each show a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) to which the embodiments of the present invention are adopted. 1 is a diagram of the overall configuration of the wafer cleaning apparatus 1 of FIG.
Shows a plane, FIG. 2 shows the front, and FIG. 3 shows the back.
【００２２】このウエハ洗浄装置１は、被処理基板とし
てウエハＷをウエハカセットＣＲで複数枚、例えば２５
枚単位で外部からシステムに搬入したり、あるいはシス
テムから搬出したり、ウエハカセットＣＲに対してウエ
ハＷを搬入・搬出したりするためのカセットステーショ
ン１０と、１枚ずつウエハＷに所定の洗浄処理を施す枚
葉式の各種洗浄処理ユニットを所定位置に配置してなる
洗浄処理ステーション１１とを一体に接続した構成を有
している。The wafer cleaning apparatus 1 includes a plurality of wafers W as a substrate to be processed in a wafer cassette CR, for example, 25 wafers.
A cassette station 10 for loading / unloading wafers W into / out of the system, and a predetermined cleaning process for wafers W one by one. It has a configuration in which it is integrally connected to a cleaning processing station 11 in which various single-wafer cleaning processing units for performing the above are arranged at predetermined positions.
【００２３】カセットステーション１０では、図１に示
すように、カセット載置台２０上の位置決め突起２０ａ
の位置に、複数個例えば４個までのウエハカセットＣＲ
が、夫々のウエハ出入口を処理ステーション１１側に向
けてＸ方向（図１中の上下方向）一列に載置され、この
カセット配列方向（Ｘ方向）およびウエハカセッ卜ＣＲ
内に収納されたウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向；垂直
方向）に移動可能なウエハ搬送体２１が各ウエハカセッ
トＣＲに選択的にアクセスするようになっている。さら
にこのウエハ搬送体２１は、θ方向に回転自在に構成さ
れており、後述するように洗浄処理ステーション１１側
のウエハ搬送体２２にも相互にアクセスできるようにな
っている。In the cassette station 10, as shown in FIG. 1, a positioning protrusion 20a on the cassette mounting table 20 is provided.
A plurality of wafer cassettes CR, for example up to 4
However, they are placed in a line in the X direction (vertical direction in FIG. 1) with their respective wafer entrances and exits facing the processing station 11 side, and the cassette arrangement direction (X direction) and wafer cassette CR
A wafer transfer body 21 that is movable in the wafer arrangement direction (Z direction; vertical direction) of the wafers stored therein selectively accesses each wafer cassette CR. Further, the wafer transfer body 21 is configured to be rotatable in the θ direction, so that the wafer transfer body 22 on the cleaning processing station 11 side can also be accessed from each other, as described later.
【００２４】洗浄処理ステーション１１には、図１に示
すように、ウエハ搬送体２２が設けられている。ウエハ
搬送体２２は、ウエハ搬送路（Ｙ方向）に沿って移動可
能とされている。ウエハ搬送体２２の搬送路の両側に
は、洗浄処理ユニットが配置されている。処理ステーシ
ョン１１のウエハ搬送体２２は、θ方向にも回転自在に
構成されており、上述したカセットステーション１０側
のウエハ搬送体２１の他に、各洗浄処理ユニットにもア
クセスできるようになっている。The cleaning processing station 11 is provided with a wafer carrier 22 as shown in FIG. The wafer transfer body 22 is movable along the wafer transfer path (Y direction). Cleaning processing units are arranged on both sides of the transfer path of the wafer transfer body 22. The wafer transfer body 22 of the processing station 11 is configured to be rotatable in the θ direction as well, and in addition to the wafer transfer body 21 on the cassette station 10 side described above, each cleaning processing unit can be accessed. .
【００２５】ウエハ搬送体２２の搬送路の両側には、図
１に示したように例えば４つの洗浄処理ユニットが配置
されている。装置の前面側には、単に純水（ＤＩＷ：de
ionized water ）により洗浄を行うＤＩＷ洗浄ユニット
及びＡＰＭを使用した洗浄を行うＡＰＭ洗浄ユニットが
配置され、装置の背面側には、ＤＨＭを使用したＤＨＭ
洗浄ユニット及びＨＰＭを使用した洗浄を行うＨＰＭ洗
浄ユニットが配置されている。なお、残りの位置には、
これらのユニットあるいは他のユニットを配置すること
が可能である。As shown in FIG. 1, for example, four cleaning processing units are arranged on both sides of the transfer path of the wafer transfer body 22. On the front side of the device, pure water (DIW: de
A DIW cleaning unit for cleaning with ionized water and an APM cleaning unit for cleaning with APM are arranged, and a DHM using DHM is provided on the back side of the device.
A cleaning unit and an HPM cleaning unit that performs cleaning using HPM are arranged. In addition, in the remaining positions,
It is possible to arrange these units or other units.
【００２６】図４にこれら洗浄処理ユニットの構成を示
す。なお、ＡＰＭ洗浄ユニット、ＤＨＭ洗浄ユニット及
びＨＰＭ洗浄ユニットは基本的には同図に示すように同
一構成である。FIG. 4 shows the configuration of these cleaning processing units. The APM cleaning unit, the DHM cleaning unit, and the HPM cleaning unit basically have the same structure as shown in the figure.
【００２７】同図に示すように、密閉型の処理室３０内
のほぼ中央の下方には、ウエハＷの周縁部を支持して回
転させるチャック機構３１が設けられている。このチャ
ック機構３１は後述する第１のカップ３８と共に駆動シ
リンダ３２により所定の範囲で上昇・下降が行われるよ
うになっている。また、このチャック機構３１により支
持されたウエハＷの下方及び上方には、ウエハＷに対し
て洗浄液や濯ぎ液としてのＤＩＷを噴出する噴出ノズル
３３、３４が設けれている。噴出ノズル３３、３４は、
それぞれ図示を省略した溶液タンクやＤＩＷタンクに接
続されていて、ここから溶液やＤＩＷが供給されるよう
になっている。As shown in the figure, a chuck mechanism 31 for supporting and rotating the peripheral portion of the wafer W is provided below the center of the sealed type processing chamber 30. The chuck mechanism 31 is moved up and down within a predetermined range by a drive cylinder 32 together with a first cup 38 described later. Further, below and above the wafer W supported by the chuck mechanism 31, jet nozzles 33 and 34 for jetting DIW as a cleaning liquid or a rinsing liquid to the wafer W are provided. The ejection nozzles 33 and 34 are
Each of them is connected to a solution tank or DIW tank (not shown), and the solution or DIW is supplied from here.
【００２８】上記ウエハＷの下方に設けられた噴出ノズ
ル３３は、駆動シリンダ３５により所定の範囲内で上昇
・下降が行われるようになっている。また、上記ウエハ
Ｗの上方に設けられた噴出ノズル３４は、図５に示すよ
うに、駆動シリンダ３６により所定の範囲内で上昇・下
降が行われるようになっている。さらに、この噴出ノズ
ル３４は、図示を省略した回転駆動機構により水平方向
（θ′方向）に回転可能にされており、これにより噴出
ノズル３４は、ウエハＷの外周より外れた位置まで回動
されるようになっている。なお、ウエハＷの外周より外
れた所定の位置には、噴出ノズル３４から噴出した溶液
を回収するためのダミーディスペンサ３７が設けられて
いる。The ejection nozzle 33 provided below the wafer W is moved up and down within a predetermined range by the drive cylinder 35. Further, the ejection nozzle 34 provided above the wafer W is moved up and down within a predetermined range by a drive cylinder 36, as shown in FIG. Further, the ejection nozzle 34 is rotatable in the horizontal direction (θ ′ direction) by a rotation drive mechanism (not shown), and thus the ejection nozzle 34 is rotated to a position outside the outer periphery of the wafer W. It has become so. A dummy dispenser 37 for collecting the solution ejected from the ejection nozzle 34 is provided at a predetermined position outside the outer periphery of the wafer W.
【００２９】上記チャック機構３１や噴出ノズル３３等
は、小径の第１のカップ３８内に収納されている。第１
のカップ３８は、上方に向けてウエハＷの直径よりやや
大きめの直径の開口部を有し、この開口部を介して上方
よりウエハＷがカップ内に収容されるようになってい
る。また、この第１のカップ３８の下面には、このカッ
プ内で噴出された溶液やＤＩＷを回収して排出するため
の第１のドレイン３９が設けられている。さらに、第１
のカップ３８の下面には、処理室３０内の排気を行うた
めの排気手段としての排気口４０が設けられている。排
気口４０は、例えば図示を省略した排気ポンプに接続さ
れている。The chuck mechanism 31, the jet nozzle 33 and the like are housed in a first cup 38 having a small diameter. First
The cup 38 has an opening having a diameter slightly larger than the diameter of the wafer W, and the wafer W is accommodated in the cup from above through the opening. A first drain 39 is provided on the lower surface of the first cup 38 for collecting and discharging the solution and DIW ejected in the cup. Furthermore, the first
An exhaust port 40 as an exhaust unit for exhausting the inside of the processing chamber 30 is provided on the lower surface of the cup 38. The exhaust port 40 is connected to, for example, an exhaust pump (not shown).
【００３０】第１のカップ３８は、この第１のカップ３
８より大径の第２のカップ４１内に収容されている。第
２のカップ４１は、上方に向けて第１のカップ３８より
大きな径の開口部を有しており、この開口部を介して第
２のカップ内さらには第１のカップ内にウエハＷを収容
する。また、第２のカップ４１の開口部の高さは、第１
のカップ３８の高さより高い位置にあり、この高低差を
利用した間隙を介して第２のカップ４１内に溶液やＤＩ
Ｗを回収するようになっている。また、この第２のカッ
プ４１の下面には、このカップ内で噴出された溶液やＤ
ＩＷを回収して排出するための第２のドレイン４２が設
けられている。なお、第１のカップ３８と同様の排気口
をこの第２のカップ４１に設けてもよい。The first cup 38 is the first cup 3
It is accommodated in a second cup 41 having a diameter larger than eight. The second cup 41 has an opening portion having a diameter larger than that of the first cup 38, and the wafer W is placed in the second cup and further in the first cup through the opening portion. Accommodate. The height of the opening of the second cup 41 is
Is higher than the height of the cup 38, and the solution or DI is introduced into the second cup 41 through the gap utilizing this height difference.
It is designed to collect W. Further, on the lower surface of the second cup 41, the solution or D ejected in the cup
A second drain 42 is provided for collecting and discharging the IW. An exhaust port similar to that of the first cup 38 may be provided in the second cup 41.
【００３１】処理室３０のウエハ搬送路側の正面には、
ウエハＷの受け渡しを行うための窓部４３が設けられて
いる。窓部４３は、図示省略した駆動シリンダによって
例えば上下に開閉可能とされている。そして、ウエハ搬
送路上に移動可能に配置されたウエハ搬送体２２が上記
窓部４３を介して処理室３０との間で洗浄を行うウエハ
Ｗの受け渡しを行っている。On the front surface of the processing chamber 30 on the wafer transfer path side,
A window portion 43 for delivering the wafer W is provided. The window 43 can be opened and closed vertically, for example, by a drive cylinder (not shown). The wafer transfer body 22 movably arranged on the wafer transfer path transfers the wafer W to be cleaned with the processing chamber 30 through the window 43.
【００３２】そして、チャック機構３１が、第２のカッ
プ４１の開口部より上の第１の位置において窓部４３
を介してウエハ搬送体２２からウエハＷを受け取り、ウ
エハＷを第１のカップの３８と第２のカップ４１の開口
部間の間隙位置にウエハＷを移送して例えばＤＩＷに
よる洗浄が行われ、第１のカップ３８の開口部下の位置
にウエハＷを移送して例えば溶液による洗浄が行われ
る。Then, the chuck mechanism 31 moves the window portion 43 at the first position above the opening portion of the second cup 41.
The wafer W is received from the wafer carrier 22 via the wafer W, and the wafer W is transferred to a gap position between the openings of the first cup 38 and the second cup 41 to perform cleaning by DIW, for example. The wafer W is transferred to a position below the opening of the first cup 38, and cleaning with, for example, a solution is performed.
【００３３】また、処理室３０の上面には、外部雰囲気
を処理室３０内に導入するための導入口４４が例えば２
か所に設けられている。これら導入口４４には、それぞ
れ当該導入口４４を開閉するための開閉機構４５が設け
られている。Further, on the upper surface of the processing chamber 30, there are, for example, 2 inlets 44 for introducing an external atmosphere into the processing chamber 30.
It is provided in some places. Each of these inlets 44 is provided with an opening / closing mechanism 45 for opening and closing the inlet 44.
【００３４】図６及び図７に開閉機構４５の構成の一例
を示す。図６は図４におけるＢ−Ｂ矢視図、図７は開閉
機構４５の拡大斜視図である。6 and 7 show an example of the structure of the opening / closing mechanism 45. 6 is a BB arrow view in FIG. 4, and FIG. 7 is an enlarged perspective view of the opening / closing mechanism 45.
【００３５】これらの図に示すように、この開閉機構４
５は、導入口４４を開閉可能に軸支された開閉板４６
と、処理室３０の内外がほぼ同圧または処理室３０内が
陽圧のときには開閉板４６が導入口４４を塞ぎ、かつ処
理室３０内の陰圧時には導入口４４を開くように当該開
閉板４６と釣り合う釣り合い重り４７とを有する。As shown in these figures, the opening / closing mechanism 4
5 is an opening / closing plate 46 axially supported to open and close the inlet 44.
The opening / closing plate 46 closes the inlet 44 when the pressure inside and outside the processing chamber 30 is substantially equal or the inside of the processing chamber 30 is positive, and the inlet 44 is opened when the inside pressure of the processing chamber 30 is negative. It has a counterweight 47 that counterbalances 46.
【００３６】また、図４に示すように、処理室３０内に
は、処理室３０の下方に配置された第１のカップ３８や
第２のカップ４１等の処理部とその上方に設けられた導
入口４４とを仕切る仕切り板４８が配置されている。こ
の仕切り板４８は、図８に示すように、例えば放射状に
複数の通気穴４９が設けられている。これらの通気穴４
９は、導入口４４の直下の領域５０以外に領域に設けら
れている。これにより、導入口４４からの塵芥が通気穴
４９を通して第１のカップ３８や第２のカップ４１等の
処理部に落下するのを防止することができる。しかし、
このような通気穴４９を導入口４４の直下の領域５０に
設けることも可能である。さらに、このような仕切り板
４８を敢えて配置しないことも可能である。As shown in FIG. 4, in the processing chamber 30, processing units such as the first cup 38 and the second cup 41 arranged below the processing chamber 30 are provided and above the processing units. A partition plate 48 for partitioning the inlet 44 is arranged. As shown in FIG. 8, the partition plate 48 is provided with a plurality of ventilation holes 49 radially, for example. These ventilation holes 4
9 is provided in a region other than the region 50 immediately below the inlet 44. As a result, it is possible to prevent dust from the introduction port 44 from falling through the ventilation hole 49 to the processing parts such as the first cup 38 and the second cup 41. But,
It is also possible to provide such a ventilation hole 49 in the region 50 immediately below the introduction port 44. Furthermore, it is possible not to intentionally arrange such a partition plate 48.
【００３７】図９乃至図１１に上記開閉機構４５による
開閉動作例を示す。9 to 11 show examples of opening / closing operations by the opening / closing mechanism 45.
【００３８】図９に示すように、ウエハＷの受け渡しを
行うために窓部４３が開いたとき、処理室３０の内外が
ほぼ同圧になるので、開閉板４６が閉じて外部雰囲気が
窓部４３を介して処理室３０内に導入される。この場
合、処理室３０内において、窓部４３から排気口４０へ
のダウンフローの気流が形成される。As shown in FIG. 9, when the window 43 is opened to transfer the wafer W, the pressure inside and outside the processing chamber 30 becomes substantially the same, so that the opening / closing plate 46 is closed and the external atmosphere becomes the window. It is introduced into the processing chamber 30 via 43. In this case, a downflow airflow from the window 43 to the exhaust port 40 is formed in the processing chamber 30.
【００３９】図１０に示すように、ウエハＷを処理室３
０内に収容し、窓部４３が閉じたときには、処理室３０
内が陰圧となって開閉板４６が開いて外部雰囲気が導入
口４４を介して処理室３０内に導入される。この場合、
処理室３０内において、導入口４４から排気口４０への
ダウンフローの気流が形成される。As shown in FIG. 10, the wafer W is placed in the processing chamber 3
0, and when the window 43 is closed, the processing chamber 30
The inside becomes negative pressure, the opening / closing plate 46 opens, and the external atmosphere is introduced into the processing chamber 30 through the introduction port 44. in this case,
In the processing chamber 30, a downflow airflow from the introduction port 44 to the exhaust port 40 is formed.
【００４０】図１１に示すように、例えば処理室３０内
の排気が何等かの原因によってできなくなったようなと
きには、処理室３０の内外がほぼ同圧になるので、開閉
板４６が閉じて処理室３０が密閉された状態となる。As shown in FIG. 11, when the inside of the processing chamber 30 cannot be exhausted for some reason, the pressure inside and outside the processing chamber 30 becomes almost the same, so the open / close plate 46 is closed. The chamber 30 is in a sealed state.
【００４１】従って、本実施形態の洗浄装置１では、ウ
エハＷの受け渡しを行うために窓部４３を開いたときに
は、窓部４３を介して外部から処理室３０の内部に向か
う気流が形成されることになるので、処理室３０内の雰
囲気が窓部４３から外部に漏れることがなくなる。ま
た、例えば処理室３０内の排気が何等かの原因によって
できなくなったようなときには、導入口４４が閉じるよ
うになっているので、処理室３０内の雰囲気が上述した
導入口４４より外部に漏れることがなくなる。よって、
例えばウエハ搬送路上のウエハＷに悪影響を与えるよう
なことはなくなる。なお、本発明は、上述した実施形態
に限定されることはなく、その技術思想の範囲内で種々
の変形が可能である。Therefore, in the cleaning apparatus 1 of the present embodiment, when the window 43 is opened to transfer the wafer W, an airflow from the outside to the inside of the processing chamber 30 is formed through the window 43. Therefore, the atmosphere in the processing chamber 30 does not leak to the outside through the window 43. Further, for example, when the exhaust in the processing chamber 30 cannot be performed due to some reason, the inlet 44 is closed, so that the atmosphere in the processing chamber 30 leaks to the outside through the inlet 44 described above. Will disappear. And Tsu good,
For example, the wafer W on the wafer transfer path is not adversely affected. The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope of the technical idea.
【００４２】例えば、上述した実施形態では、本発明を
ＡＰＭ洗浄ユニットやＤＨＭ洗浄ユニット、ＨＰＭ洗浄
ユニットに適用した例を説明したが、ＤＩＷ洗浄等の他
の洗浄ユニットについても本発明を適用できる。さら
に、洗浄ユニット以外の処理ユニット、例えばレジスト
ユニット等にも本発明を適用できる。要するに、密閉型
の処理室を排気している構成のユニットであれば如何な
るものであっても本発明を適用できる。For example, in the above-described embodiment, the example in which the present invention is applied to the APM cleaning unit, the DHM cleaning unit, and the HPM cleaning unit has been described, but the present invention can be applied to other cleaning units such as DIW cleaning. Further, the present invention can be applied to a processing unit other than the cleaning unit, such as a resist unit. In short, the present invention can be applied to any unit as long as it is a unit configured to exhaust the airtight processing chamber.
【００４３】また、ユニットの構成も上下方向（Ｚ方
向）に多段となるように構成してもよい。Further, the units may be constructed in multiple stages in the vertical direction (Z direction).
【００４４】また、被処理基板も半導体ウエハに限るも
のでなく、ＬＣＤ基板、ガラス基板、ＣＤ基板、フォト
マスク、プリント基板、セラミック基板等でも可能であ
る。The substrate to be processed is not limited to the semiconductor wafer, and may be an LCD substrate, a glass substrate, a CD substrate, a photomask, a printed substrate, a ceramic substrate, or the like.
【００４５】[0045]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
被処理基板の受け渡しを行うための開閉可能な窓部と、
外部雰囲気を導入するための導入口とを有し、窓部を介
して受け渡された被処理基板に対して所定の処理を行う
密閉型の処理室と、この処理室内の排気を行う排気手段
と、前記導入口を塞ぎ、かつ前記処理室内の陰圧時には
前記導入口を開く開閉機構とを具備したので、処理室内
の雰囲気が窓部から外部に漏れることや処理室内の雰囲
気が導入口より外部に漏れることはなくなる。As described in detail above, according to the present invention,
A window part that can be opened and closed to transfer the substrate to be processed,
A closed processing chamber having an inlet for introducing an external atmosphere and performing a predetermined process on a substrate to be processed transferred through a window, and an exhaust unit for exhausting the inside of the process chamber. And, since it is provided with an opening / closing mechanism that closes the inlet and opens the inlet when the pressure inside the processing chamber is negative, the atmosphere inside the processing chamber leaks to the outside from the window and the atmosphere inside the processing chamber is lower than the inlet. It will not leak outside.
【００４６】また、本発明では、被処理基板の受け渡し
を行うための開閉可能な窓部と、外部雰囲気を導入する
ための導入口とを有し、窓部を介して受け渡された被処
理基板に対して所定の処理を行う密閉型の処理室と、こ
の処理室内の排気を行う排気手段と、前記導入口を開閉
可能に軸支された開閉板と、この開閉板が前記導入口を
塞ぎ、かつ前記処理室内の陰圧時には前記導入口を開く
ように当該開閉板と釣り合う釣り合い重りとを有する開
閉機構とを具備したので、処理室内の雰囲気の外部への
漏洩を非常に簡単な構造で実現することができる。Further, according to the present invention, there is provided an openable / closable window portion for delivering the substrate to be treated and an inlet for introducing the external atmosphere, and the object to be treated delivered through the window portion. A closed type processing chamber for performing a predetermined process on a substrate, an exhaust means for exhausting the inside of the processing chamber, an opening / closing plate pivotally supported to open / close the inlet, and the opening / closing plate for opening / closing the inlet. Since it is provided with an opening / closing mechanism that closes and has a counterweight that balances with the opening / closing plate so as to open the inlet when the pressure inside the processing chamber is negative, a structure that very easily leaks the atmosphere in the processing chamber to the outside Can be achieved with.
【００４７】さらに、本発明では、被処理基板の受け渡
しを行うための開閉可能な窓部を正面に有し、かつ外部
雰囲気を導入するための導入口を上面に有し、窓部を介
して受け渡された被処理基板に対して所定の処理を行う
密閉型の処理室と、この処理室の下方に設けられ、処理
室内の排気を行う排気手段と、前記導入口を開閉可能に
軸支された開閉板と、この開閉板が前記導入口を塞ぎ、
かつ前記処理室内の陰圧時には前記導入口を開くように
当該開閉板と釣り合う釣り合い重りとを有する開閉機構
とを具備したので、処理室内の雰囲気の外部への漏洩を
非常に簡単な構造で実現しつつ、処理室内にダウンフロ
ーの気流を形成することができる。Further, in the present invention, an openable / closable window portion for transferring the substrate to be processed is provided on the front surface, and an introduction port for introducing an external atmosphere is provided on the upper surface, and the window portion is provided. A closed type processing chamber for performing a predetermined process on the transferred substrate to be processed, an exhaust unit provided below the processing chamber for exhausting the processing chamber, and a shaft support capable of opening and closing the inlet. And the opening and closing plate, which closes the introduction port,
Further, since the opening / closing mechanism having the opening / closing plate and the counterweight which balances with the opening / closing plate is opened when the negative pressure in the processing chamber is opened, leakage of the atmosphere in the processing chamber to the outside is realized with a very simple structure. At the same time, a downflow airflow can be formed in the processing chamber.
【００４８】さらにまた、本発明では、被処理基板の受
け渡しを行うための開閉可能な窓部を正面に有し、かつ
外部雰囲気を導入するための導入口を上面に有し、窓部
を介して受け渡された被処理基板に対して所定の処理を
行う密閉型の処理室と、この処理室の下方に設けられ、
処理室内の排気を行う排気手段と、前記導入口を開閉可
能に軸支された開閉板と、この開閉板が前記導入口を塞
ぎ、かつ前記処理室内の陰圧時には前記導入口を開くよ
うに当該開閉板と釣り合う釣り合い重りとを有する開閉
機構と、前記処理室内に配置され、前記被処理基板に対
して所定の処理を行う処理部とその上方の前記導入口と
を仕切り、かつ通気穴を有する仕切り板とを具備したの
で、処理室内の雰囲気の外部への漏洩を非常に簡単な構
造で実現しつつ、処理室内にダウンフローの気流を形成
することができ、さらに外部雰囲気を導入するための導
入口付近より発生した塵芥が処理中の被処理基板に付着
するようなことはない。Furthermore, according to the present invention, an openable and closable window portion for transferring the substrate to be processed is provided on the front surface, and an introduction port for introducing an external atmosphere is provided on the upper surface, and the window portion is provided. A processing chamber of a sealed type for performing a predetermined processing on the substrate to be processed transferred and provided below the processing chamber,
Exhaust means for exhausting the inside of the processing chamber, an opening / closing plate pivotally supported to open / close the inlet, the opening / closing plate closing the inlet, and opening the inlet when the pressure inside the processing chamber is negative. An opening / closing mechanism having a counterweight that balances the opening / closing plate, a processing unit that is disposed in the processing chamber and performs a predetermined processing on the substrate to be processed, and the inlet above the processing unit, and has a ventilation hole. Since it has a partition plate that has, it is possible to form a downflow airflow into the processing chamber while realizing the leakage of the atmosphere in the processing chamber to the outside with a very simple structure, and to introduce the external atmosphere. The dust generated from the vicinity of the introduction port does not adhere to the substrate being processed.
【００４９】また、本発明では、前記仕切り板が前記導
入口の直下の領域以外に領域に前記通気穴を有するの
で、導入口側の塵芥が通気穴を通して処理部に落下する
のを防止することができる。Further, in the present invention, since the partition plate has the ventilation hole in a region other than the region immediately below the introduction port, it is possible to prevent dust on the introduction port side from dropping through the ventilation hole to the processing section. You can
【図１】本発明の実施形態が採用された半導体ウエハの
洗浄装置の全体構成の平面図である。FIG. 1 is a plan view of the overall configuration of a semiconductor wafer cleaning apparatus to which an embodiment of the present invention is applied.
【図２】図１に示した洗浄装置の正面図である。FIG. 2 is a front view of the cleaning device shown in FIG.
【図３】図１に示した洗浄装置の背面図である。3 is a rear view of the cleaning device shown in FIG. 1. FIG.
【図４】図１に示した洗浄処理ユニットの縦断面図であ
る。FIG. 4 is a vertical cross-sectional view of the cleaning processing unit shown in FIG.
【図５】図４に示した洗浄処理ユニットＡ−Ａ矢視図で
ある。5 is a view of the cleaning processing unit AA shown in FIG.
【図６】図４に示した洗浄ユニットのＢ−Ｂ矢視図であ
る。6 is a BB arrow view of the cleaning unit shown in FIG.
【図７】図６に示した開閉機構の拡大斜視図である。7 is an enlarged perspective view of the opening / closing mechanism shown in FIG.
【図８】図４に示した洗浄ユニットのＣ−Ｃ矢視図であ
る。8 is a view of the cleaning unit shown in FIG. 4, taken along the line CC.
【図９】本実施形態における開閉機構による開閉動作例
を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing an example of opening / closing operation by the opening / closing mechanism in the present embodiment.
【図１０】本実施形態における開閉機構による開閉動作
例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing an example of opening / closing operation by the opening / closing mechanism in the present embodiment.
【図１１】本実施形態における開閉機構による開閉動作
例を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing an example of opening / closing operation by the opening / closing mechanism in the present embodiment.
【図１２】従来の処理室の概略構成を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing a schematic configuration of a conventional processing chamber.
１ 洗浄装置 ２２ ウエハ搬送体 ３０ 処理室 ３１ チャック機構 ３３、３４ 噴出ノズル ３８ 第１のカップ ４０ 排気口 ４１ 第２のカップ ４３ 窓部 ４４ 導入口 ４５ 開閉機構 ４６ 開閉板 ４７ 釣り合い重り ４８ 仕切り板 ４９ 通気穴 ５０ 導入口の直下の領域 Ｗ ウエハ 1 cleaning device 22 Wafer carrier 30 processing room 31 Chuck mechanism 33, 34 jet nozzle 38 First Cup 40 exhaust port 41 Second Cup 43 Window 44 entrance 45 open / close mechanism 46 Open / close plate 47 counterweight 48 partition boards 49 ventilation holes 50 Area immediately below the inlet W wafer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−148465（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−126264（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 B08B 13/00 F24F 7/06 H01L 21/68 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-8-148465 (JP, A) JP-A-6-126264 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/304 B08B 13/00 F24F 7/06 H01L 21/68
Claims (4)
可能な窓部と、外部雰囲気を導入するための導入口とを
有し、窓部を介して受け渡された被処理基板に対して所
定の処理を行う密閉型の処理室と、 この処理室内の排気を行う排気手段と、 前記導入口を開閉可能に軸支された開閉板と、この開閉
板が前記導入口を塞ぎ、かつ前記処理室内の陰圧時には
前記導入口を開くように当該開閉板と釣り合う釣り合い
重りとを有する開閉機構とを具備することを特徴とする
処理装置。1. A substrate to be processed, which has an openable / closable window portion for transferring the substrate to be processed and an inlet for introducing an external atmosphere, and which is transferred through the window portion. A closed type processing chamber for performing a predetermined process, an exhaust unit for exhausting the inside of the processing chamber, an opening / closing plate pivotally supported to open / close the inlet, and the opening / closing plate closing the inlet, and A processing apparatus, comprising: an opening / closing mechanism having a counterweight that balances the opening / closing plate so as to open the inlet when a negative pressure is generated in the processing chamber.
可能な窓部を正面に有し、かつ外部雰囲気を導入するた
めの導入口を上面に有し、窓部を介して受け渡された被
処理基板に対して所定の処理を行う密閉型の処理室と、 この処理室の下方に設けられ、処理室内の排気を行う排
気手段と、 前記導入口を開閉可能に軸支された開閉板と、この開閉
板が前記導入口を塞ぎ、かつ前記処理室内の陰圧時には
前記導入口を開くように当該開閉板と釣り合う釣り合い
重りとを有する開閉機構とを具備することを特徴とする
処理装置。2. A substrate having an openable and closable window portion for delivering the substrate to be processed and an inlet for introducing an external atmosphere on the top surface, and delivered through the window portion. A closed processing chamber for performing a predetermined processing on a substrate to be processed, an exhaust unit provided below the processing chamber for exhausting the processing chamber, and an opening / closing plate pivotally supported to open and close the inlet. And a closing mechanism having a counterweight that closes the inlet and the opening plate opens the inlet when the negative pressure in the processing chamber is reached. .
可能な窓部を正面に有し、かつ外部雰囲気を導入するた
めの導入口を上面に有し、窓部を介して受け渡された被
処理基板に対して所定の処理を行う密閉型の処理室と、 この処理室の下方に設けられ、処理室内の排気を行う排
気手段と、 前記導入口を開閉可能に軸支された開閉板と、この開閉
板が前記導入口を塞ぎ、かつ前記処理室内の陰圧時には
前記導入口を開くように当該開閉板と釣り合う釣り合い
重りとを有する開閉機構と、 前記処理室内に配置され、前記被処理基板に対して所定
の処理を行う処理部とその上方の前記導入口とを仕切
り、かつ通気穴を有する仕切り板とを具備することを特
徴とする処理装置。3. An openable / closable window portion for delivering a substrate to be processed is provided on the front surface, and an inlet for introducing an external atmosphere is provided on the upper surface, and the substrate is delivered through the window portion. A closed processing chamber for performing a predetermined processing on a substrate to be processed, an exhaust unit provided below the processing chamber for exhausting the processing chamber, and an opening / closing plate pivotally supported to open and close the inlet. And an opening / closing mechanism having an opening / closing plate that closes the inlet, and has a counterweight that balances the opening / closing plate so as to open the inlet when the pressure in the processing chamber is negative, and the opening / closing mechanism is disposed in the processing chamber. A processing apparatus comprising: a processing unit that performs a predetermined process on a processing substrate; and a partition plate that partitions the inlet above the processing unit and has a ventilation hole.
域以外の領域に前記通気穴を有することを特徴とする請
求項３記載の処理装置。4. The processing apparatus according to claim 3 , wherein the partition plate has the ventilation hole in a region other than a region immediately below the introduction port.
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