JP3372715B2 - Image forming device - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は電子放出素子を用い
た画像形成装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image forming apparatus using an electron emitting device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、電子放出素子としては、熱電子源
と冷陰極電子源の２種類が知られている。冷陰極電子源
には、電界放出型（以下、ＦＥと略す）、金属／絶縁層
／金属型（以下、ＭＩＭと略す）や表面伝導型電子放出
素子等がある。2. Description of the Related Art Conventionally, two types of electron-emitting devices are known, a thermoelectron source and a cold cathode electron source. Cold cathode electron sources include field emission type (hereinafter abbreviated as FE), metal / insulating layer / metal type (hereinafter abbreviated as MIM), surface conduction electron-emitting devices, and the like.
【０００３】ＦＥ型の例としては、W.P.Dyke & W.W.Dol
an, “Field emission”, Advace in Electron Physici
s, 8 89 (1956)あるいはC.A.Spindt, “Physical Prope
rties of thin-film field emission cathodes with mo
lybdenium ”, J. Appl. Phys., 47 5248 (1976)等が知
られている。As an example of the FE type, WPDyke & WWDol
an, “Field emission”, Advace in Electron Physici
s, 8 89 (1956) or CASpindt, “Physical Prope
rties of thin-film field emission cathodes with mo
lybdenium ”, J. Appl. Phys., 47 5248 (1976) and the like are known.
【０００４】ＭＩＭ型の例としては、C.A.Mead, “The
tunnel-emission amplifier, J. Appl. Phys., 32 646
(1961)等が知られている。As an example of the MIM type, CAMead, "The
tunnel-emission amplifier, J. Appl. Phys., 32 646
(1961) and the like are known.
【０００５】表面伝導型電子放出素子の例としては、M.
I.Elinson, Radio Eng. Electron Phys., 10 (1965) 等
がある。表面伝導型電子放出素素は基板上に形成された
小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより、
電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面
伝導型電子放出素子としては、前記エリンソン等による
ＳｎＯ2 薄膜を用いたもの、Ａｕ薄膜によるもの［G.Di
ttmer:“Thin Solis Films, 9 317 (1972)] 、Ｉｎ2 Ｏ
3 ／ＳｎＯ2 薄膜によるもの［M.Hartwell andC.G.Fons
tad: “IEEE Trans. ED Conf.”,519 (1975)]、カーボ
ン薄膜によるもの［荒木久 他：真空、第２６巻、第１
号、２２頁（１９８３）］等が報告されている。As an example of the surface conduction electron-emitting device, M.
I. Elinson, Radio Eng. Electron Phys., 10 (1965). The surface conduction electron-emitting element is a thin film with a small area formed on the substrate, by passing an electric current parallel to the film surface,
It utilizes the phenomenon of electron emission. As the surface conduction electron-emitting device, one using the SnO 2 thin film by Erinson et al., One using the Au thin film [G.
ttmer: “Thin Solis Films, 9 317 (1972)], In 2 O
3 / SnO 2 thin film [M.Hartwell and C.G.Fons
tad: “IEEE Trans. ED Conf.”, 519 (1975)], by carbon thin film [Hisa Araki et al .: Vacuum, Vol. 26, Vol. 1]
No., p. 22 (1983)] and the like.
【０００６】これらの表面伝導型電子放出素子の典型的
な素子構成として、前述のＭ．ハートウェルの素子構成
を従来図１７に示す。同図において６１は、基板であ
る。６４は導電性薄膜で、Ｈ型形状のパターンに、スパ
ッタで形成された金属酸化物薄膜等からなり、後述の通
電フォーミングと呼ばれる通電処理により電子放出部６
５が形成される。なお、図中の素子電極間隔Ｌは、０．
５〜１．０ｍｍ、Ｗは、０．１ｍｍで設定されている。
なお、電子放出部６５の位置及び形状については、不明
であるので模式図として表した。As a typical device configuration of these surface conduction electron-emitting devices, the above-mentioned M. A conventional Hartwell device structure is shown in FIG. In the figure, 61 is a substrate. Reference numeral 64 denotes a conductive thin film, which is composed of a metal oxide thin film or the like formed by sputtering on an H-shaped pattern, and is subjected to an energization process called energization forming described later to cause the electron emission portion 6 to be formed.
5 is formed. The element electrode spacing L in the figure is 0.
5 to 1.0 mm and W are set to 0.1 mm.
Since the position and shape of the electron emitting portion 65 are unknown, they are shown as a schematic diagram.
【０００７】従来、これらの表面伝導型電子放出素子に
おいては、電子放出を行う前に導電性薄膜６４を予め通
電フォーミングと呼ばれる通電処理をすることによって
電子放出部６５を形成するのが一般的であった。すなわ
ち、通電フォーミングとは、前記導電性薄膜６４の両端
に直流電圧あるいは非常にゆっくりとした昇電圧、例え
ば１Ｖ／分程度を印加通電し、導電性薄膜を局所的に破
壊、変形もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態に
した電子放出部６５を形成することである。なお電子放
出部６５は導電性薄膜６４の一部に亀裂が発生しその亀
裂付近から電子放出が行われる。前記通電フォーミング
処理をした表面伝導型電子放出素子は、上述導電性薄膜
６４に電圧を印加し、素子に電流を流すことにより上述
の電子放出部６５より電子を放出せしめるものである。Conventionally, in these surface conduction electron-emitting devices, it is general that the electron-emitting portion 65 is formed by subjecting the conductive thin film 64 to an energization process called energization forming in advance before the electron emission. there were. That is, the energization forming means that a direct current voltage or a very slow rising voltage, for example, about 1 V / min is applied to both ends of the conductive thin film 64, and the conductive thin film is locally destroyed, deformed or altered. This is to form the electron emitting portion 65 in an electrically high resistance state. In the electron emitting portion 65, a crack is generated in a part of the conductive thin film 64, and electrons are emitted from the vicinity of the crack. The surface conduction electron-emitting device that has been subjected to the energization forming process is one in which a voltage is applied to the conductive thin film 64 and a current is caused to flow through the device so that electrons are emitted from the electron-emitting portion 65.
【０００８】上述の表面伝導型放出素子は構造が単純で
製造も容易であることから大面積にわたり多数素子を配
列形成できる利点がある。そこでこの特徴を生かせるよ
うないろいろな応用が研究されている。例えば、荷電ビ
ーム源、画像表示装置等の表示装置が挙げられる。Since the surface conduction electron-emitting device described above has a simple structure and is easy to manufacture, it has an advantage that a large number of devices can be arrayed over a large area. Therefore, various applications that can make full use of this feature are being researched. For example, a charged beam source, a display device such as an image display device may be used.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】図１８は従来の液晶プ
ロジエクタタイプの構成を示す断面図（特開平０３−１
９６７８２）である。同図において、５は表示パネルで
ある。２１は外囲器背面上に設置される放熱フィン付き
のヒートシンク基板の放熱体である。FIG. 18 is a sectional view showing the structure of a conventional liquid crystal projector type (Japanese Patent Laid-Open No. 03-1).
96782). In the figure, 5 is a display panel. Reference numeral 21 is a radiator of a heat sink substrate with a radiation fin installed on the back surface of the envelope.
【００１０】従来の平板型画像形成装置では駆動時に、
電子源基板配線の発熱及び、電子源より発せられた電子
が、フェースプレート上へ衝突することで生じる発熱に
より、発生する不均一温度分布が、画像形成装置の構成
部材に発生させる部分的な熱膨張により、平板型画像形
成装置が変形し、画質低下や、最悪の場合、周辺部に熱
応力が発生し、熱応力による構成部材の破壊に至ること
があり、画質と安全性の確保が困難であった。In the conventional flat plate type image forming apparatus, at the time of driving,
The non-uniform temperature distribution generated by the heat generated by the wiring of the electron source substrate and the heat generated by the collision of the electrons emitted from the electron source on the face plate causes the partial heat generated in the constituent members of the image forming apparatus. Due to expansion, the flat panel image forming apparatus is deformed, image quality is deteriorated, and in the worst case, thermal stress is generated in the peripheral portion, which may lead to destruction of components, which makes it difficult to secure image quality and safety. Met.
【００１１】また、前記の現象の対策として従来の表示
パネル背面に取り付けられる放熱体は放熱効率を向上さ
せるために、凹凸を多数設ける等、表面積を増やす工夫
がなされている。しかし、従来図１８のような放熱体２
１だけでは表示パネルの大型化に伴い、放熱体２１の重
量が非常に大きくなり、画像形成装置の運搬に支障をも
たらし、さらには設置場所や設置方法も限定してしま
う。As a countermeasure against the above-mentioned phenomenon, the conventional radiator mounted on the back surface of the display panel has been devised to increase the surface area by providing a large number of irregularities in order to improve the heat radiation efficiency. However, the conventional radiator 2 as shown in FIG.
If only 1, the size of the display panel becomes large and the weight of the radiator 21 becomes very large, which hinders the transportation of the image forming apparatus and further limits the installation place and installation method.
【００１２】このように、壁に掛けられるような大型画
像形成装置を実現する上で、温度分布を均一化しパネル
の重量を軽減することが大きな課題であり、困難な問題
であった。As described above, in realizing a large-sized image forming apparatus which can be hung on a wall, it has been a serious and difficult problem to make the temperature distribution uniform and reduce the weight of the panel.
【００１３】本発明は従来技術の前記の問題点を解決し
た新規の画像形成装置を提供することを目的とする。An object of the present invention is to provide a new image forming apparatus which solves the above-mentioned problems of the prior art.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】前記の目的は下記の手段
によって達成される。The above object can be achieved by the following means.
【００１５】すなわち本発明は、電子放出素子及び該電
子放出素子に接続された配線を搭載した電子源基板と、
該電子源基板と対向して配置されると共に前記電子放出
素子から放出される電子の照射により画像が形成される
画像形成部材を搭載したフェースプレートと、該フェー
スプレートと前記電子源基板との間の支持枠とからなる
表示パネルを少なくとも有する画像形成装置において、
少なくとも前記フェースプレート上若しくは前記電子源
基板上の周辺部であって、画像形成装置の駆動時に発生
する高温部以外に配置された発熱配線と、当該発熱配線
に通電する電気供給部とを備えることを特徴とする画像
形成装置である。この画像形成装置は、前記フェースプ
レート及び前記電子源基板上に配置された複数の前記発
熱配線と、当該発熱配線の各々に接続された複数の前記
電気供給部とを備えることができる。上記画像形成装置
は、前記フェースプレート上または前記電子源基板上に
温度センサーを有し、該温度センサーより得られる温度
情報に基づき、前記電気供給部の電気供給量を制御する
ことができる。さらに上記画像形成装置は、前記フェー
スプレート上または前記電子源基板上に温度センサーを
有し、該温度センサーにより得られる温度情報に基づ
き、前記フェースプレート上または前記電子源基板上に
配置された画像形成部材の空冷装置または、電気冷却素
子と、前記電気供給部の電気供給量とを制御するように
構成することができる。さらに上記画像形成装置では、
前記発熱配線への通電により部分的な熱分布の制御が可
能なように構成することができる。That is, the present invention is an electron source substrate on which an electron-emitting device and a wiring connected to the electron-emitting device are mounted,
Between the face plate and the electron source substrate, a face plate, which is arranged so as to face the electron source substrate and has an image forming member on which an image is formed by irradiation of electrons emitted from the electron emitting element, is mounted. In an image forming apparatus having at least a display panel including a supporting frame of
At least a peripheral portion on the face plate or the electron source substrate, which is provided with a heat generating wiring arranged at a portion other than a high temperature portion generated when the image forming apparatus is driven, and an electricity supply portion for supplying electricity to the heat generating wiring. And an image forming apparatus. The image forming apparatus may include a plurality of the heat generating wirings arranged on the face plate and the electron source substrate, and a plurality of the electric supply units connected to each of the heat generating wirings. The image forming apparatus has a temperature sensor on the face plate or the electron source substrate, and can control the amount of electricity supplied by the electricity supply unit based on temperature information obtained from the temperature sensor. Further, the image forming apparatus has a temperature sensor on the face plate or the electron source substrate, and an image arranged on the face plate or the electron source substrate based on temperature information obtained by the temperature sensor. It may be configured to control the air cooling device or the electric cooling element of the forming member and the electric supply amount of the electric supply portion. Furthermore, in the image forming apparatus,
It is possible to control the partial heat distribution by energizing the heat generating wiring.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を参照してさ
らに詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will now be described in more detail with reference to the drawings.
【００１７】図１は本発明の一実施態様を示す画像形成
装置の前面図であり、同図において１は、画像形成部材
（不図示）を搭載したフェースプレートであり、２は電
子放出素子群（不図示）を搭載した電子源基板である。
また、３はフェースプレート１と電子源基板２の間に設
置される支持枠であり、それぞれの部材はフリットガラ
ス４によって封着・固着され、表示パネル５を形成して
いる。表示パネル５の底辺、両側壁からは駆動用回路
（不図示）と接続されるグリッド電極６を取り出し、上
面から高圧端子７を取り出している。８はフェースプレ
ートまたは電子源基板上（不図示）に配置された発熱配
線であり、これに接続される配線９により、電気供給部
１０から通電し、発熱配線８の金属抵抗による発熱によ
り、その熱をフェースプレートに選択的に供給する。発
熱配線８としては、Ａｇペースト、Ｃｕ，Ｃｒ，Ｚｎ，
Ｐｂ，Ｆｅ，Ｓｎ等の金属合金が挙げられる。FIG. 1 is a front view of an image forming apparatus showing an embodiment of the present invention. In FIG. 1, 1 is a face plate on which an image forming member (not shown) is mounted, and 2 is an electron-emitting device group. It is an electron source substrate on which (not shown) is mounted.
Reference numeral 3 is a support frame installed between the face plate 1 and the electron source substrate 2, and the respective members are sealed and fixed by the frit glass 4 to form the display panel 5. A grid electrode 6 connected to a driving circuit (not shown) is taken out from the bottom side and both side walls of the display panel 5, and a high voltage terminal 7 is taken out from the upper surface. Reference numeral 8 denotes a heat generating wiring arranged on the face plate or the electron source substrate (not shown). The wiring 9 connected to the heat generating wiring 8 energizes the electricity supply section 10 to generate heat due to the metal resistance of the heat generating wiring 8 Heat is selectively supplied to the face plate. As the heat generating wiring 8, Ag paste, Cu, Cr, Zn,
Examples include metal alloys such as Pb, Fe, and Sn.
【００１８】発熱配線８は画像形成装置の駆動時に発生
する、フェースプレート１または電子源基板２上に高温
部以外に配置され、前記高温部以外のフェースプレート
１及び電子源基板２上の温度を、前記高温部と同等の温
度またはそれ以下の温度まで上昇させる能力をもってお
り、フェースプレート１及び電子源基板２内の温度分布
を、均一化することで、フェースプレート１及び電子源
基板２の熱応力、熱変形を低減することができる。な
お、電子源基板２背面に放熱板を設置した構造としても
よい。The heat generating wiring 8 is disposed on the face plate 1 or the electron source substrate 2 other than the high temperature portion, which is generated when the image forming apparatus is driven, and controls the temperature on the face plate 1 and the electron source substrate 2 other than the high temperature portion. The temperature of the face plate 1 and the electron source substrate 2 can be increased by making the temperature distribution in the face plate 1 and the electron source substrate 2 uniform by having the ability to raise the temperature to a temperature equal to or lower than the high temperature portion. It is possible to reduce stress and thermal deformation. Note that a structure in which a heat dissipation plate is installed on the back surface of the electron source substrate 2 may be used.
【００１９】図２は本発明の別の実施態様を示す画像形
成装置の前面図であり、電子源基板２背面上の高温部に
図２に示すように、放熱フィン２１を設置した構造と、
組み合わせて用いることで、電子源基板２の高温部は、
放熱フィン２１により冷却し、低温部に配置した前記発
熱配線８、配線９、電気供給部１０で加熱することで、
フェースプレート１及び電子源基板２内の温度分布を、
より均一化するようにすることも可能である。FIG. 2 is a front view of an image forming apparatus showing another embodiment of the present invention, in which a heat radiation fin 21 is installed in a high temperature portion on the back surface of the electron source substrate 2 as shown in FIG.
By using them in combination, the high temperature part of the electron source substrate 2 is
By cooling with the radiation fins 21 and heating with the heat generating wiring 8, the wiring 9, and the electricity supply portion 10 arranged in the low temperature portion,
The temperature distributions in the face plate 1 and the electron source substrate 2 are
It is also possible to make it more uniform.
【００２０】さらに図３〜５は本発明の別の実施態様を
示すもので、図３に示すように、フェースプレート１及
び電子源基板２上に、発熱配線８、配線９、電気供給部
１０を複数配置し、電気供給部１０の電力を発熱配線８
毎に、温度分布がより均一化されるように、発熱配線８
毎に加熱量を変化させることで、フェースプレート１及
び電子源基板２内の温度分布を、より均一化することも
できる。この手段の補助装置として、図４に示すよう
な、フェースプレート１及び電子源基板２の温度を測定
する、温度センサー４１を配置し、前記温度センサー４
１より得られる温度情報により、発熱配線８毎の電気供
給部１０の電力を随時コントロールする、制御装置４２
と組み合わせてもよい。Further, FIGS. 3 to 5 show another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3, on the face plate 1 and the electron source substrate 2, the heat generating wiring 8, the wiring 9, and the electricity supply section 10 are provided. Are arranged, and the electric power of the electricity supply unit 10 is generated by the heating wiring 8
Each time, the heat generating wiring 8 is arranged so that the temperature distribution becomes more uniform.
The temperature distribution in the face plate 1 and the electron source substrate 2 can be made more uniform by changing the heating amount for each. As an auxiliary device for this means, a temperature sensor 41 for measuring the temperatures of the face plate 1 and the electron source substrate 2 is arranged as shown in FIG.
The control device 42 that controls the electric power of the electricity supply unit 10 for each heating wire 8 as needed based on the temperature information obtained from 1.
May be combined with.
【００２１】さらに、能動的にフェースプレート１及び
電子源基板２の温度分布を均一化するために、図５に示
すように、放熱板の代わりに制御装置４２にコントロー
ルされる、冷却装置５１を組み合わせると、一層効果的
である。Further, in order to actively equalize the temperature distributions of the face plate 1 and the electron source substrate 2, as shown in FIG. 5, a cooling device 51 controlled by the control device 42 is used instead of the heat radiation plate. It is more effective when combined.
【００２２】さらに本発明で用いる冷陰極電子源は、単
純な構成であり、製法が容易な表面伝導型電子放出素子
が好適である。Further, the cold cathode electron source used in the present invention is preferably a surface conduction electron-emitting device which has a simple structure and is easy to manufacture.
【００２３】本発明に用いることのできる表面伝導型放
出素子は基本的に平面型表面伝導型電子放出素子及び垂
直型表面電導型電子放出素子の２種類が挙げられる。There are basically two types of surface conduction electron-emitting devices that can be used in the present invention: a planar surface conduction electron-emitting device and a vertical surface conduction electron-emitting device.
【００２４】図６は基本的な表面伝導型電子放出素子の
構成を示す模式的平面図及び断面図である。FIG. 6 is a schematic plan view and a sectional view showing the structure of a basic surface conduction electron-emitting device.
【００２５】図６において６１は基板、６２，６３は素
子電極、６４は導電性薄膜、６５は電子放出部である。In FIG. 6, reference numeral 61 is a substrate, 62 and 63 are element electrodes, 64 is a conductive thin film, and 65 is an electron emitting portion.
【００２６】基板６１としては、石英ガラス、Ｎａ等の
不純物含有量を少ないガラス、青板ガラス、ＳｉＯ2 を
表面に形成したガラス基板及びアルミナ等のセラミック
ス基板がを用いるられる。As the substrate 61, quartz glass, glass containing a small amount of impurities such as Na, soda lime glass, a glass substrate having SiO 2 formed on its surface, and a ceramic substrate such as alumina are used.
【００２７】素子電極６２，６３の材料としては、一般
的導電体が用いられ、例えばＮｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｍｏ，
Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｄなどの金属あるいは
合金及びＰｄ，Ａｇ，Ａｕ，ＲｕＯ2 ，Ｐｄ−Ａｇ等の
金属あるいは金属酸化物とガラス等から構成される印刷
導体、Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 等の透明導電体及びポリシ
リコン等の半導体材料等から適宜選択される。As a material for the device electrodes 62 and 63, a general conductor is used, and for example, Ni, Cr, Au, Mo,
A printed conductor composed of a metal or an alloy of W, Pt, Ti, Al, Cu, Pd or the like and a metal or a metal oxide of Pd, Ag, Au, RuO 2 , Pd-Ag or the like and glass, In 2 O 3 It is appropriately selected from a transparent conductor such as —SnO 2 and a semiconductor material such as polysilicon.
【００２８】素子電極間隔Ｌは好ましくは、数百オング
ストロームから数百マイクロメートルである。また、素
子電極間に印加する電圧等は低い方が好ましく、再現性
よく作成することが要求されるため好ましい素子電極間
隔は数マイクロメートルより数十マイクロメートルであ
る。The device electrode spacing L is preferably several hundred angstroms to several hundreds of micrometers. Further, it is preferable that the voltage applied between the device electrodes is low, and since it is required to form the device with good reproducibility, the preferred device electrode interval is several micrometers to several tens of micrometers.
【００２９】素子電極長さＷは電極の抵抗値、電子放出
特性から数マイクロメートルより数百マイクロメートル
であり、また、素子電極６２，６３の膜厚は、数百オン
グストロームから数マイクロメートルが好ましい。The device electrode length W is preferably several micrometers to several hundreds of micrometers due to the resistance value of the electrodes and electron emission characteristics, and the film thickness of the device electrodes 62 and 63 is preferably several hundreds of angstroms to several micrometers. .
【００３０】なお、図６に示した構成だけでなく、基板
６１上に導電性薄膜６４、素子電極６２，６３の電極を
順に形成させた構成にしてもよい。In addition to the structure shown in FIG. 6, the conductive thin film 64 and the device electrodes 62 and 63 may be formed on the substrate 61 in this order.
【００３１】導電性薄膜６４は、良好な電子放出特性を
得るために微粒子で構成された微粒子膜が特に好まし
く、その膜厚は、素子電極６２，６３へのステップカバ
レージ、素子電極６２，６３間の抵抗値及び後述する通
電フォーミング条件等によって、適宜設定されるが、好
ましくは数オングストロームから数千オングストローム
で、特に好ましくは１０オングストロームより５００オ
ングストロームである。そのシート抵抗値は１０3 ない
し１０7 Ω／□である。The conductive thin film 64 is particularly preferably a fine particle film composed of fine particles in order to obtain good electron emission characteristics. The thickness of the conductive thin film 64 depends on the step coverage to the device electrodes 62 and 63, and between the device electrodes 62 and 63. Although it is appropriately set depending on the resistance value of (1) and energization forming conditions described later, it is preferably several angstroms to several thousand angstroms, particularly preferably 10 angstroms to 500 angstroms. The sheet resistance value is 10 3 to 10 7 Ω / □.
【００３２】また、導電性薄膜６４を構成する材料は、
Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｉｎ，Ｃｕ，Ｃ
ｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｂ等の金属、Ｐｄ
Ｏ，ＳｎＯ2 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＰｂＯ，Ｓｂ2 Ｏ3 等の酸
化物、ＨｆＢ2 ，ＺｒＢ2 ，ＬａＢ6 ，ＣｅＢ6 ，ＹＢ
4 ，ＧｄＢ4 等の硼化物、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，Ｔ
ａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ等の炭化物、ＴｉＮ，ＺｒＮ，Ｈｆ
Ｎ等の窒化物、Ｓｉ，Ｇｅ等の半導体、カーボン等が挙
げられる。The material forming the conductive thin film 64 is
Pd, Pt, Ru, Ag, Au, Ti, In, Cu, C
Metals such as r, Fe, Zn, Sn, Ta, W, Pb, Pd
Oxides such as O, SnO 2 , In 2 O 3 , PbO, Sb 2 O 3 , HfB 2 , ZrB 2 , LaB 6 , CeB 6 , and YB
4 , boride such as GdB 4 , TiC, ZrC, HfC, T
Carbides such as aC, SiC, WC, TiN, ZrN, Hf
Examples thereof include nitrides such as N, semiconductors such as Si and Ge, carbon and the like.
【００３３】なお、ここで述べる微粒子膜とは複数の微
粒子が集合した膜であり、その微細構造として、微粒子
が個々に分散配置した状態のみならず、微粒子が互いに
隣接、あるいは重なり合った状態（島状も含む）の膜を
さしており、微粒子の粒径は数オングストロームから数
千オングストロームであり、好ましくは１０オングスト
ロームより２００オングストロームである。The fine particle film described here is a film in which a plurality of fine particles are aggregated, and its fine structure is not only in a state where the fine particles are dispersed and arranged but also in a state where the fine particles are adjacent to each other or overlap each other (island). The particle size of the fine particles is from several angstroms to several thousand angstroms, preferably from 10 angstroms to 200 angstroms.
【００３４】電子放出部６５は導電性薄膜６４の一部に
形成された高抵抗の亀裂であり、通電フォーミング等に
より形成される。また亀裂内には数オングストロームか
ら数百オングストロームの粒径の導電性微粒子を有する
こともある。この導電性微粒子は導電性薄膜６４を構成
する物質の少なくとも一部の元素を含んでいる。The electron emitting portion 65 is a high resistance crack formed in a part of the conductive thin film 64 and is formed by energization forming or the like. Further, the cracks may have conductive fine particles having a particle diameter of several angstroms to several hundred angstroms. The conductive fine particles contain at least a part of the elements forming the conductive thin film 64.
【００３５】また電子放出部６５及びその近傍の導電性
薄膜６４は炭素及び炭素化合物を有することもある。The electron emitting portion 65 and the conductive thin film 64 in the vicinity thereof may contain carbon and a carbon compound.
【００３６】図７は基本的な垂直型表面伝導型電子放出
素子の構成を示す模式的図面である。FIG. 7 is a schematic view showing the structure of a basic vertical surface conduction electron-emitting device.
【００３７】図７において図６の同一の部材については
同一符号を付与してある。７１は段差形成部である。In FIG. 7, the same members as those in FIG. 6 are designated by the same reference numerals. Reference numeral 71 is a step forming portion.
【００３８】基板６１、素子電極６２と６３、導電性薄
膜６４、電子放出部６５は前述した平面型表面伝導型電
子放出素子と同様の材料で構成することができ、段差形
成部７１は絶縁性材料で構成され、段差形成部７１の膜
厚が先に述べた平面型表面伝導型電子放出素子の素子電
極間隔Ｌに相当する。その間隔は数百オングストローム
より数十マイクロメートルである。またその間隔は段差
形成部の製法及び素子電極間に印加する電圧により制御
することができるが、好ましくは数百オングストローム
より数マイクロメートルである。The substrate 61, the device electrodes 62 and 63, the conductive thin film 64, and the electron emitting portion 65 can be made of the same material as that of the above-mentioned plane type surface conduction electron emitting device, and the step forming portion 71 is made of insulating material. The film thickness of the step forming portion 71, which is made of a material, corresponds to the device electrode distance L of the flat surface conduction electron-emitting device described above. The spacing is tens of micrometers rather than hundreds of angstroms. The distance can be controlled by the manufacturing method of the step forming portion and the voltage applied between the device electrodes, but it is preferably several hundred angstroms to several micrometers.
【００３９】導電性薄膜６４は素子電極６２，６３と段
差形成部７１作成後に形成するため、素子電極６２，６
３の上に積層される。なお、図７において電子放出部５
は段差形成部７１に直線状に形成されているように示さ
れているが、作成条件、通電フォーミング条件等に依存
し、形状、位置ともこれに限るものではない。Since the conductive thin film 64 is formed after the device electrodes 62, 63 and the step forming portion 71 are formed, the device electrodes 62, 6 are formed.
3 is stacked on top. In addition, in FIG.
Are shown to be linearly formed on the step forming portion 71, but the shape and position are not limited to this, depending on the production conditions, energization forming conditions, and the like.
【００４０】上述の表面伝導型電子放出素子の製造方法
としては様々な方法が考えられるがその一例を図８に示
す。Various methods can be considered as a method of manufacturing the above-mentioned surface conduction electron-emitting device, and one example thereof is shown in FIG.
【００４１】以下、図６及び図８に基づいて電子源基板
の作製方法について説明する。なお、図６と同一の部材
については同一の符号を付与してある。Hereinafter, a method of manufacturing the electron source substrate will be described with reference to FIGS. 6 and 8. The same members as those in FIG. 6 are designated by the same reference numerals.
【００４２】１）基板を洗剤、純水及び有機溶剤により
十分に洗浄後、真空蒸着法、スパッタ法等により素子電
極材料を堆積する。その後、フォトリソグラフィー技術
により該基板上に素子電極６２，６３を形成する（図８
（ａ））。1) After thoroughly cleaning the substrate with a detergent, pure water and an organic solvent, a device electrode material is deposited by a vacuum deposition method, a sputtering method or the like. Then, the device electrodes 62 and 63 are formed on the substrate by the photolithography technique (FIG. 8).
(A)).
【００４３】２）素子電極６２，６３を設けた基板６１
に、有機金属溶液を塗布し放置することにより有機金属
薄膜を形成する。ここでいう有機金属溶液とは前述の導
電性膜４を形成する金属を主元素とする有機金属化合物
の溶液である。その後、有機金属薄膜を加熱焼成処理
し、リフトオフ、エッチング等によりパターニングし、
導電性薄膜６４を形成する（図８（ｂ））。なお、ここ
では有機金属溶液の塗布法により説明したが、これに限
るものでなく真空蒸着法、スパッタ法、化学的気相堆積
法、分散塗布法、ディッピング法、スピンナー法等によ
って形成される場合もある。2) Substrate 61 provided with device electrodes 62 and 63
Then, an organic metal solution is applied and left to stand to form an organic metal thin film. The organometallic solution referred to here is a solution of an organometallic compound containing a metal forming the conductive film 4 as a main element. After that, the organometallic thin film is heated and baked, patterned by lift-off, etching, etc.,
A conductive thin film 64 is formed (FIG. 8B). In addition, although the description has been given here by using the coating method of the organic metal solution, the present invention is not limited to this, and when it is formed by the vacuum deposition method, the sputtering method, the chemical vapor deposition method, the dispersion coating method, the dipping method, the spinner method, or the like. There is also.
【００４４】３）続いて、通電フォーミングと呼ばれる
通電処理を行う。通電フォーミングは素子電極６２，６
３間に不図示の電源より通電を行い、導電性薄膜６４を
局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、構造を変化さ
せて部位を形成させるものである。この局所的に構造変
化させた部位を電子放出部６５と呼ぶ（図８（ｃ））。
通電フォーミングの電圧波形の例を図９に示す。3) Subsequently, energization processing called energization forming is performed. The energization forming is performed by the device electrodes 62, 6
Power is supplied from a power source (not shown) between 3 to locally break, deform or alter the conductive thin film 64 to change the structure to form a site. The part where the structure is locally changed is called an electron emission part 65 (FIG. 8C).
FIG. 9 shows an example of the voltage waveform of energization forming.
【００４５】電圧波形は特にパルス波形が好ましく、パ
ルス波高値が一定の電圧パルスを連続的に印加する場合
（図９ａ）とパルス波高値を増加させながら、電圧パル
スを印加する場合（図９ｂ）とがある。まず、パルス波
高値の一定電圧とした場合（図９ａ）について説明す
る。A pulse waveform is particularly preferable as the voltage waveform, and a voltage pulse having a constant pulse peak value is continuously applied (FIG. 9a) and a voltage pulse is applied while increasing the pulse peak value (FIG. 9b). There is. First, a case where the pulse peak value is a constant voltage (FIG. 9A) will be described.
【００４６】図９ａにおけるＴ１及びＴ２は電圧波形の
パルス幅とパルス間隔であり、Ｔ１を１マイクロ秒〜１
０ミリ秒、Ｔ２を１０マイクロ秒〜１００ミリ秒とし、
三角波の波高値（通電フォーミング時のピーク電圧）は
表面伝導型電子放出素子の形態に応じて適宜選択し、適
当な真空度、例えば１０-5ｔｏｒｒ程度の真空雰囲気下
で、数秒から数十分印加する。なお、素子の電極間に印
加する波形は三角波に限定することはなく、矩形波等所
望の波形を用いてもよい。In FIG. 9a, T1 and T2 are the pulse width and pulse interval of the voltage waveform, where T1 is 1 microsecond to 1
0 milliseconds, T2 is 10 microseconds to 100 milliseconds,
The peak value of the triangular wave (peak voltage during energization forming) is appropriately selected according to the form of the surface conduction electron-emitting device, and it is several seconds to several tens of minutes under an appropriate vacuum atmosphere, for example, in a vacuum atmosphere of about 10 -5 torr. Apply. The waveform applied between the electrodes of the element is not limited to the triangular wave, and a desired waveform such as a rectangular wave may be used.
【００４７】図９ｂにおけるＴ１及びＴ２は図９ａと同
様であり、三角波の波高値（通電フォーミング時のピー
ク電圧）は、例えば０．１Ｖステップ程度ずつ増加させ
て適当な真空雰囲気下で印加する。T1 and T2 in FIG. 9b are the same as those in FIG. 9a, and the crest value of the triangular wave (peak voltage during energization forming) is applied, for example, in steps of about 0.1 V in an appropriate vacuum atmosphere.
【００４８】なお、この場合の通電フォーミング処理は
パルス間隔Ｔ２中に、導電性薄膜４を局所的に破壊、変
形しない程度の電圧、例えば０．１Ｖ程度の電圧で、素
子電流を測定し、抵抗値を求め、例えば１Ｍオーム以上
の抵抗を示したときに通電フォーミング終了とする。In the energization forming process in this case, the element current is measured at a voltage that does not locally destroy or deform the conductive thin film 4 during the pulse interval T2, for example, a voltage of about 0.1 V, and the resistance is measured. The value is obtained, and when the resistance is, for example, 1 M ohm or more, the energization forming is completed.
【００４９】４）次に通電フォーミングが終了した素子
に活性化工程と呼ぶ処理を施すことが望ましい。4) Next, it is desirable to perform a process called an activation process on the element which has completed the energization forming.
【００５０】活性化工程とは、例えば１０-4〜１０-5ｔ
ｏｒｒ程度の真空度で、通電フォーミング同様、パルス
波高値が一定の電圧パルスを繰り返し印加する処理のこ
とであり、真空中に存在する有機物質に起因する炭素及
び炭素化合物を導電薄膜上に堆積させ素子電流Ｉｆ、放
出電流Ｉｅを著しく変化させる処理である。活性化工程
は素子電流Ｉｆと放出電流Ｉｅを測定しながら、例えば
放出電流Ｉｅが飽和した時点で終了する。また印加する
電圧パルスは動作駆動電圧で行うことが好ましい。The activation step is, for example, 10 -4 to 10 -5 t.
Similar to energization forming, this is a process of repeatedly applying a voltage pulse with a constant pulse peak value at a vacuum degree of about orr. Carbon and carbon compounds derived from organic substances existing in vacuum are deposited on a conductive thin film. This is a process of remarkably changing the device current If and the emission current Ie. The activation process ends while the device current If and the emission current Ie are being measured, for example, when the emission current Ie is saturated. Further, it is preferable that the applied voltage pulse is an operation drive voltage.
【００５１】なお、ここで炭素及び炭素化合物とはグラ
ファイト（単、多結晶双方を指す）、非晶質カーボン
（非晶質カーボン及び多結晶グラファイトとの混合物を
指す）であり、その膜厚は５００オングストローム以下
が好ましく、より好ましくは３００オングストローム以
下である。Here, carbon and carbon compounds are graphite (single and polycrystalline) and amorphous carbon (mixture of amorphous carbon and polycrystalline graphite), and their film thickness is It is preferably 500 angstroms or less, more preferably 300 angstroms or less.
【００５２】５）こうして作成した電子放出素子を通電
フォーミング工程、活性化工程における真空度よりも高
い真空度の雰囲気下において動作駆動させるのがよい。
また、さらに高い真空度の雰囲気下で８０℃〜１５０℃
の加熱後動作駆動させることが望ましい。5) It is preferable to drive the electron-emitting device thus produced in an atmosphere having a higher vacuum degree than the vacuum degree in the energization forming step and the activation step.
Also, in an atmosphere of a higher vacuum degree, 80 ° C to 150 ° C.
It is desirable to drive after heating.
【００５３】なお、通電フォーミング工程、活性化処理
した真空度より高い真空度とは、例えば約１０-6ｔｏｒ
ｒ以上の真空度であり、より好ましくは超高真空系であ
り、新たに炭素及び炭素化合物が導電薄膜上に殆ど堆積
しない真空度である。こうすることによって素子電流Ｉ
ｆ、放出電流Ｉｅを安定化させることが可能になる。The vacuum degree higher than the vacuum degree obtained by the energization forming process and the activation treatment means, for example, about 10 −6 torr.
The degree of vacuum is equal to or higher than r, more preferably an ultrahigh vacuum system, and the degree of vacuum is such that carbon and carbon compounds are hardly newly deposited on the conductive thin film. By doing so, the device current I
f, the emission current Ie can be stabilized.
【００５４】図１０は、図６で示した構成を有する素子
の電子放出特性を測定するための測定評価装置の一例を
示す概略構成図である。図１０において図６と同様の符
号は、同一のものを示す。また、１０２は電子放出素子
に素子電圧Ｖｆを印加するための電源、１０１は素子電
極６２，６３間の導電性薄膜６４を流れる素子電流Ｉｆ
を測定するための電流計、１０４は素子の電子放出部よ
り放出される放出電流Ｉｅを捕捉するためのアノード電
極、１０３はアノード電極１０４に電圧を印加するため
の高圧電源、１０５は素子の電子放出部６５より放出さ
れる放出電流Ｉｅを測定するための電流計、１０６は真
空装置、１０７は排気ポンプである。FIG. 10 is a schematic configuration diagram showing an example of a measurement / evaluation apparatus for measuring the electron emission characteristics of the device having the configuration shown in FIG. In FIG. 10, the same symbols as those in FIG. 6 indicate the same components. Further, 102 is a power source for applying a device voltage Vf to the electron-emitting device, 101 is a device current If flowing through the conductive thin film 64 between the device electrodes 62 and 63.
For measuring the current, 104 is an anode electrode for capturing the emission current Ie emitted from the electron emission portion of the device, 103 is a high voltage power supply for applying a voltage to the anode electrode 104, and 105 is an electron for the device. An ammeter for measuring the emission current Ie emitted from the emission unit 65, a vacuum device 106, and an exhaust pump 107.
【００５５】次に、本発明の画像形成装置について述べ
る。Next, the image forming apparatus of the present invention will be described.
【００５６】画像形成装置に用いられる電子源基板は複
数の表面伝導型電子放出素子を基板上に配列することに
より形成される。The electron source substrate used in the image forming apparatus is formed by arranging a plurality of surface conduction electron-emitting devices on the substrate.
【００５７】表面伝導型電子放出素子の配列の方式には
表面伝導型電子放出素子を並列に配置し、個々の素子の
両端を配線で接続するはしご型配置（以下はしご型配置
電子源基板と呼ぶ）や、表面伝導型電子放出素子の一対
の素子電極にそれぞれＸ方向配線、Ｙ方向配線を接続し
た単純マトリクス配置（以下マトリクス型配置電子源基
板と呼ぶ）が挙げられる。なお、はしご型配置電子源基
板を有する画像形成装置には電子放出素子からの電子の
飛翔を制御する電極である制御電極（グリッド電極）を
必要とする。In the arrangement method of the surface conduction electron-emitting devices, the surface conduction electron-emitting devices are arranged in parallel and the both ends of each device are connected by a ladder arrangement (hereinafter referred to as a ladder arrangement electron source substrate). ) Or a simple matrix arrangement (hereinafter referred to as a matrix-type arrangement electron source substrate) in which a pair of element electrodes of the surface conduction electron-emitting device are respectively connected with X-direction wiring and Y-direction wiring. An image forming apparatus having a ladder type electron source substrate requires a control electrode (grid electrode) which is an electrode for controlling the flight of electrons from the electron-emitting device.
【００５８】以下この原理に基づき構成した電子源の構
成について、図１１を用いて説明する。２は電子源基
板、１１１はＸ方向配線、１１２はＹ方向配線、１１３
は表面伝導型電子放出素子、１１４は結線である。な
お、表面伝導型電子放出素子１１３は前述した平面型あ
るいは垂直型どちらであってもよい。The configuration of the electron source constructed based on this principle will be described below with reference to FIG. 2 is an electron source substrate, 111 is an X-direction wiring, 112 is a Y-direction wiring, 113
Is a surface conduction electron-emitting device, and 114 is a connection. The surface conduction electron-emitting device 113 may be either the flat type or the vertical type described above.
【００５９】同図において、電子源基板２に用いる基板
は前述したガラス基板等であり、用途に応じて形状が適
宜設定される。In the figure, the substrate used as the electron source substrate 2 is the above-mentioned glass substrate or the like, and its shape is appropriately set according to the application.
【００６０】ｍ本のＸ方向配線１１１は、Ｄｘ１，Ｄｘ
２，・・・・，Ｄｘｍからなり、Ｙ方向配線１１２は、
Ｄｙ１，Ｄｙ２，・・・，Ｄｙｎのｎ本の配線よりな
る。The m X-direction wirings 111 are Dx1 and Dx.
2, ..., Dxm, and the Y-direction wiring 112 is
It consists of n wirings Dy1, Dy2, ..., Dyn.
【００６１】また、多数の表面伝導型素子にほぼ均等な
電圧が供給されるように材料、膜厚、配線幅が適宜設定
される。これらｍ本のＸ方向配線１１１とｎ本のＹ方向
配線１１２間には、不図示の層間絶縁層により電気的に
分離されてマトリック配線を構成する。（ｍ，ｎは、共
に正の整数）
不図示の層間絶縁層は、Ｘ方向配線１１１を形成した基
板２の全面あるいは一部に所望の領域で形成される。Ｘ
方向配線１１１とＹ方向配線１１２は、それぞれ外部端
子として引き出される。Further, the material, the film thickness, and the wiring width are appropriately set so that a substantially uniform voltage is supplied to many surface conduction elements. Between the m X-direction wirings 111 and the n Y-direction wirings 112 are electrically separated by an interlayer insulating layer (not shown) to form a matrix wiring. (M and n are both positive integers) The interlayer insulating layer (not shown) is formed in a desired region on the entire surface or a part of the substrate 2 on which the X-direction wiring 111 is formed. X
The directional wiring 111 and the Y-directional wiring 112 are drawn out as external terminals.
【００６２】さらに、表面伝導型放出素子１１３の素子
電極（不図示）が、ｍ本のＸ方向配線１１１とｎ本のＹ
方向配線１１２と、結線１１４によって電気的に接続さ
れている。Further, the device electrodes (not shown) of the surface conduction electron-emitting device 113 have m X-direction wirings 111 and n Y electrodes.
The directional wiring 112 and the connection 114 are electrically connected.
【００６３】また、表面伝導型電子放出素子は基板ある
いは不図示の層間絶縁層上のどちらに形成してもよい。The surface conduction electron-emitting device may be formed either on the substrate or on an interlayer insulating layer (not shown).
【００６４】また詳しくは後述するが前記Ｘ方向配線１
１１にはＸ方向に配列する表面伝導型放出素子１１３の
行を入力信号に応じて走査するための走査信号を印加す
るための不図示の走査信号発生手段と電気的に接続され
れている。The X-direction wiring 1 will be described later in detail.
Reference numeral 11 is electrically connected to a scanning signal generating means (not shown) for applying a scanning signal for scanning a row of surface conduction electron-emitting devices 113 arranged in the X direction according to an input signal.
【００６５】一方、Ｙ方向配線１１２にはＹ方向に配列
する表面伝導型放出素子１１３の列の各列を入力信号に
応じて、変調するための変調信号を印加するための不図
示の変調信号発生手段を電気的に接続されている。On the other hand, a modulation signal (not shown) for applying a modulation signal for modulating each row of the surface conduction electron-emitting devices 113 arranged in the Y direction according to an input signal to the Y-direction wiring 112. The generating means is electrically connected.
【００６６】さらに表面伝導型電子放出素子に印加され
る駆動電圧は当該素子に印加される走査信号と変調信号
の差電圧として供給されるものである。Further, the drive voltage applied to the surface conduction electron-emitting device is supplied as a difference voltage between the scanning signal and the modulation signal applied to the device.
【００６７】上記構成において、単純なマトリクス配線
だけで個別の素子を選択して独立に駆動可能になる。In the above structure, individual elements can be selected and driven independently by simple matrix wiring.
【００６８】次に以上のようにして作成したマトリクス
型配置電子源基板を用いた画像形成装置について、図１
２、図１３及び図１４を用いて説明する。図１２は画像
形成装置の基本構成図であり、図１３は蛍光膜、図１４
はＮＴＳＣ方式のテレビ信号に応じて表示をするための
駆動回路ブロック図を示し、その駆動回路を含む画像形
成装置を表わす。Next, an image forming apparatus using the matrix type arrangement electron source substrate produced as described above is shown in FIG.
2, and FIG. 13 and FIG. 12 is a basic configuration diagram of the image forming apparatus, FIG. 13 is a fluorescent film, and FIG.
Shows a drive circuit block diagram for displaying in accordance with an NTSC television signal, and represents an image forming apparatus including the drive circuit.
【００６９】図１２において２は電子放出素子を基板上
に作成した電子源基板、１２５は電子源基板２を固定し
たリアプレート、１はガラス基板１２１の内面の蛍光膜
１２２とメタルバック１２３等により画像形成部材が形
成されたフェースプレート、３は支持枠、１２５はリア
プレートであり、これら部材によって外囲器１２４が構
成される。In FIG. 12, 2 is an electron source substrate having an electron-emitting device formed on the substrate, 125 is a rear plate on which the electron source substrate 2 is fixed, 1 is a fluorescent film 122 on the inner surface of a glass substrate 121, a metal back 123 and the like. A face plate on which an image forming member is formed, 3 is a support frame, and 125 is a rear plate, and these members constitute the envelope 124.
【００７０】図１２において１１３は図６における電子
放出部に相当する。１１１，１１２は表面伝導型電子放
出素子の一対の素子電極と接続されたＸ方向配線及びＹ
方向配線である。In FIG. 12, reference numeral 113 corresponds to the electron emitting portion in FIG. Reference numerals 111 and 112 denote X-direction wirings and Ys connected to a pair of device electrodes of the surface conduction electron-emitting device.
Directional wiring.
【００７１】外囲器１２４は、上述の如くフェースプレ
ート１、支持枠３、リアプレート１２５で構成したが、
リアプレート１２５は主に電子源基板２の強度を補強す
る目的で設けられるため、電子源基板２自体で十分な強
度もつ場合は別体のリアプレート１２５は不要であり、
電子源基板２に直接支持枠３を設け、フェースプレート
１、支持枠３、電子源基板２にて外囲器１２４を構成し
てもよい。The envelope 124 is composed of the face plate 1, the support frame 3 and the rear plate 125 as described above.
Since the rear plate 125 is provided mainly for the purpose of reinforcing the strength of the electron source substrate 2, if the electron source substrate 2 itself has a sufficient strength, the separate rear plate 125 is unnecessary.
The support frame 3 may be directly provided on the electron source substrate 2, and the face plate 1, the support frame 3, and the electron source substrate 2 may constitute the envelope 124.
【００７２】図１３中１１は蛍光体である。蛍光体１１
はモノクロームの場合は蛍光体のみからなるが、カラー
の蛍光膜の場合は蛍光体の配列によりブラックストライ
プあるいはブラックマトリクス等と呼ばれる黒色導電材
１３１と蛍光体１１とで構成される。ブラックストライ
プ、ブラックマトリクスが設けられる目的は、カラー表
示の場合に必要となる三原色蛍光体の各蛍光体１１間の
塗り分け部を黒くすることで混色等を目立たなくするこ
とと、蛍光膜１２２における外光反射によるコントラス
トの低下を抑制することである。ブラックストライプの
材料としては、通常よく用いられている黒鉛を主成分と
する材料だけなく、導電性があり、光の透過及び反射が
少ない材料であればこれに限るものではない。Reference numeral 11 in FIG. 13 is a phosphor. Phosphor 11
In the case of monochrome, it is composed of only the phosphor, but in the case of a color phosphor film, it is composed of a black conductive material 131 called a black stripe or a black matrix depending on the arrangement of the phosphor and the phosphor 11. The purpose of providing the black stripes and the black matrix is to make the color mixture and the like inconspicuous by blackening the separately-applied portions between the phosphors 11 of the three primary color phosphors, which are necessary in the case of color display, and in the phosphor film 122. This is to suppress a decrease in contrast due to reflection of external light. The material of the black stripe is not limited to the commonly used material containing graphite as a main component, but is not limited to this as long as it is a material that is electrically conductive and has little light transmission and reflection.
【００７３】ガラス基板１２１に蛍光体を塗布する方法
はモノクローム、カラーによらず、沈澱法や印刷法が用
いられる。As a method of applying the phosphor to the glass substrate 121, a precipitation method or a printing method is used regardless of monochrome or color.
【００７４】また、蛍光膜１２２（図１２）の内面側に
は通常メタルバック１２３（図１２）が設けられる。メ
タルバックの目的は、蛍光体の発光成分のうち内面側へ
向かう光をフェースプレート１側へ鏡面反射することに
より輝度を向上すること、電子ビーム加速電圧を印加す
るための電極として作用すること、外囲器内で発生した
負イオンの衝突によるダメージからの蛍光体の保護等で
ある。メタルバックは、蛍光膜作製後、蛍光膜の内面側
表面の平滑化処理（通常フィルミングと呼ばれる）を行
い、その後Ａｌ（アルミニウム）を真空蒸着法等で堆積
することにより作製できる。A metal back 123 (FIG. 12) is usually provided on the inner surface of the fluorescent film 122 (FIG. 12). The purpose of the metal back is to improve the brightness by specularly reflecting, to the face plate 1 side, the light that goes toward the inner surface side of the luminescent component of the phosphor, and acts as an electrode for applying an electron beam accelerating voltage. This is to protect the phosphor from damage due to collision of negative ions generated in the envelope. The metal back can be manufactured by performing a smoothing process (usually called filming) on the inner surface of the fluorescent film after manufacturing the fluorescent film, and then depositing Al (aluminum) by a vacuum deposition method or the like.
【００７５】フェースプレート１には、さらに蛍光膜１
２２の導電性を高めるため蛍光膜１２２の外面側に透明
電極（不図示）を設けてもよい。The face plate 1 is further provided with a fluorescent film 1
A transparent electrode (not shown) may be provided on the outer surface side of the fluorescent film 122 to increase the conductivity of the fluorescent film 122.
【００７６】外囲器１２４は不図示の排気管を通じ、１
０-7ｔｏｒｒ程度の真空度にされ、封止が行われる。ま
た、外囲器１２４の封止後の真空度を維持するためにゲ
ッター処理を行う場合もある。これは外囲器１２４の封
止を行う直前あるいは封止後の抵抗加熱、あるいは高周
波加熱等の加熱法により、外囲器１２４内の所定の位置
（不図示）に予め配置されたゲッターを加熱し、蒸着膜
を形成する処理である。ゲッターは通常Ｂａ等が主成分
であり、該蒸着膜の吸着作用により、例えば１×１０-5
ｔｏｒｒ乃至は１×１０-7ｔｏｒｒの真空度を維持する
ものである。なお、表面伝導型電子放出素子のフォーミ
ング以降の工程は適宜設定される。The envelope 124 is provided through an exhaust pipe (not shown)
The degree of vacuum is set to about 0 -7 torr and sealing is performed. In addition, a getter process may be performed in order to maintain the degree of vacuum after the envelope 124 is sealed. This is for heating a getter previously placed at a predetermined position (not shown) in the envelope 124 by a heating method such as resistance heating immediately before or after the envelope 124 is sealed or after sealing, or high frequency heating. Then, it is a process of forming a vapor deposition film. The getter usually has Ba as a main component, and due to the adsorption action of the deposited film, for example, 1 × 10 −5
The degree of vacuum of torr or 1 × 10 −7 torr is maintained. The steps after the forming of the surface conduction electron-emitting device are appropriately set.
【００７７】次にマトリクス型配置電子源基板を用いて
構成した画像形成装置を、ＮＴＳＣ方式のテレビ信号に
基づきテレビジョン表示を行うための駆動回路の概略構
成を図１４のブロック図を用いて説明する。１４１は前
記表示パネルであり、また１４２は走査回路、１４３は
制御回路、１４４はシフトレジスタ、１４５はラインメ
モリ、１４６は同期信号分離回路、１４７は変調信号発
生器、Ｖｘ及びＶａは直流電圧源である。Next, a schematic structure of a drive circuit for performing a television display based on an NTSC system television signal in the image forming apparatus constructed by using the matrix type electron source substrate will be described with reference to the block diagram of FIG. To do. 141 is the display panel, 142 is a scanning circuit, 143 is a control circuit, 144 is a shift register, 145 is a line memory, 146 is a sync signal separation circuit, 147 is a modulation signal generator, and Vx and Va are DC voltage sources. Is.
【００７８】以下、各部の機能を説明するがまず表示パ
ネル１４１は端子Ｄｏｘ１ないしＤｏｘｍ及び端子Ｄｏ
ｙ１ないしＤｏｙｎ及び高圧端子Ｈｖを介して外部の電
気回路と接続している。このうち端子ＤｏｘないしＤｏ
ｘｍには前記画像形成装置内に設けられている電子源、
すなわちＭ行Ｎ列の行列状にマトリクス配線された表面
伝導型電子放出素子群を一行（Ｎ素子）ずつ順次駆動し
てゆくための走査信号が印加される。The functions of the respective parts will be described below. First, the display panel 141 includes terminals Dox1 to Doxm and terminals Dox.
It is connected to an external electric circuit via y1 to Doyn and the high voltage terminal Hv. Of these, terminals Dox or Do
xm is an electron source provided in the image forming apparatus,
That is, a scanning signal is applied to sequentially drive the surface conduction electron-emitting device groups which are matrix-wired in a matrix of M rows and N columns row by row (N elements).
【００７９】一方、端子Ｄｙ１ないしＤｙｎには前記走
査信号により選択された一行の表面伝導型電子放出素子
の各素子の出力電子ビームを制御するための変調信号が
印加される。また高圧端子Ｈｖには直流電圧源Ｖａよ
り、例えば１０［ｋＶ］の直流電圧が供給されるが、こ
れは表面伝導型電子放出素子より出力される電子ビーム
に蛍光体を励起するのに十分なエネルギーを付与するた
めの加速電圧である。On the other hand, a modulation signal for controlling the output electron beam of each element of the surface conduction electron-emitting devices of one row selected by the scanning signal is applied to the terminals Dy1 to Dyn. The high voltage terminal Hv is supplied with a DC voltage of, for example, 10 [kV] from the DC voltage source Va, which is sufficient to excite the phosphor into the electron beam output from the surface conduction electron-emitting device. It is an accelerating voltage for applying energy.
【００８０】次に走査回路１４２について説明する。同
回路は内部にＭ個のスイッチング素子を備えるもので
（図中、Ｓ１ないしＳｍで模式的に示している）、各ス
イッチング素子は直流電圧源Ｖｘの出力電圧もしくは０
［Ｖ］（グランドレベル）のいずれか一方を選択し、表
示パネル１４１の端子Ｄｘ１ないしＤｘｍと電気的に接
続するものである。Ｓ１ないしＳｍの各スイッチング素
子は制御回路１４３が出力する制御信号Ｔｓｃａｎに基
づいて動作するものだが実際には例えばＦＥＴのような
スイッチング素子を組み合わせることにより構成するこ
とが可能である。Next, the scanning circuit 142 will be described. The circuit is provided with M switching elements therein (schematically shown by S1 to Sm in the figure), and each switching element is an output voltage of the DC voltage source Vx or 0.
One of [V] (ground level) is selected and electrically connected to the terminals Dx1 to Dxm of the display panel 141. Each of the switching elements S1 to Sm operates based on the control signal Tscan output by the control circuit 143, but can be actually configured by combining switching elements such as FETs.
【００８１】なお、前記直流電圧電源Ｖｘは前記表面伝
導型放出素子の特性（電子放出しきい値電圧）に基づき
走査されていない素子に印加される駆動電圧が電子放出
しきい値電圧以下となるような一定電圧を出力するよう
に設定されている。The drive voltage applied to the non-scanned elements of the DC voltage source Vx based on the characteristics of the surface conduction electron-emitting device (electron emission threshold voltage) is equal to or lower than the electron emission threshold voltage. It is set to output such a constant voltage.
【００８２】また制御回路１４３は、外部より入力する
画像信号に基づいて適切な表示が行われるように各部の
動作を整合させる働きをもつものである。次に説明する
同期信号分離回路１４６より送られる同期信号Ｔｓｙｎ
ｃに基づいて各部に対してＴｓｃａｎ，Ｔｓｆｔ及びＴ
ｍｒｙの各制御信号を発生する。Further, the control circuit 143 has a function of matching the operation of each part so that an appropriate display is performed based on the image signal input from the outside. The synchronization signal Tsyn sent from the synchronization signal separation circuit 146 described next
Tscan, Tsft and T for each part based on c
Each of the mry control signals is generated.
【００８３】同期信号分離回路１４６は、外部から入力
されるＮＴＳＣ方式のテレビ信号から同期信号成分と輝
度信号成分とを分離するための回路で周波数分離（フィ
ルター）回路を用いて構成できるものである。同期信号
分離回路１４６により分離された同期信号は、よく知ら
れるように垂直同期信号と水平同期信号よりなるが、こ
こでは説明の便宜上、Ｔｓｙｎｃ信号として図示した。
一方、前記テレビ信号から分離された画像の輝度信号成
分は便宜上、ＤＡＴＡ信号と表すが、同信号はシフトレ
ジスタ１４４に入力される。The synchronizing signal separating circuit 146 is a circuit for separating a synchronizing signal component and a luminance signal component from an NTSC system television signal input from the outside, and can be constructed by using a frequency separating (filter) circuit. . The sync signal separated by the sync signal separation circuit 146 is composed of a vertical sync signal and a horizontal sync signal as is well known, but here, for convenience of explanation, it is shown as a Tsync signal.
On the other hand, the luminance signal component of the image separated from the television signal is referred to as a DATA signal for convenience, but the signal is input to the shift register 144.
【００８４】シフトレジスタ１４４は、時系列的にシリ
アルに入力される前記ＤＡＴＡ信号を、画像の１ライン
毎にシリアル／パラレル変換するためのもので、前記制
御回路１４３より送られる制御信号Ｔｓｆｔに基づいて
動作する（すなわち、制御信号Ｔｓｆｔは、シフトレジ
スタ１４４のシフトクロックであると言い換えてもよ
い。）。The shift register 144 is for serially / parallel converting the DATA signals serially input in time series for each line of the image, and is based on the control signal Tsft sent from the control circuit 143. The control signal Tsft may be rephrased as the shift clock of the shift register 144.
【００８５】シリアル／パラレル変換された画像１ライ
ン分（電子放出素子Ｎ素子分の駆動データに相当する）
のデータは、Ｉｄ１ないしＩｄｎのＮ個の並列信号とし
て前記シフトレジスタ１４４より出力される。One line of serial / parallel converted image (corresponding to driving data for N electron-emitting devices)
Data is output from the shift register 144 as N parallel signals Id1 to Idn.
【００８６】ラインメモリ１４５は画像１ライン分のデ
ータを必要時間の間だけ記憶するための記憶装置であ
り、制御回路１４３より送られる制御信号Ｔｍｒｙにし
たがって、適宜Ｉｄ１ないしＩｄｎの内容を記憶する。
記憶された内容はＩｄ１ないしＩｄｎとして出力され、
変調信号発生器１４７に入力される。The line memory 145 is a storage device for storing data for one line of the image only for a required time, and appropriately stores the contents of Id1 to Idn according to the control signal Tmry sent from the control circuit 143.
The stored contents are output as Id1 to Idn,
It is input to the modulation signal generator 147.
【００８７】変調信号発生器１４７は、前記画像データ
Ｉｄ１ないしＩｄｎの各々に応じて表面伝導型電子放出
素子の各々を適切に駆動変調するための信号源で、その
出力信号は、端子Ｄｏｙ１ないしＤｏｙｎを通じて表示
パネル１４１内の表面伝導型電子放出素子に印加され
る。The modulation signal generator 147 is a signal source for appropriately driving and modulating each of the surface conduction electron-emitting devices according to each of the image data Id1 to Idn, and its output signal is a terminal Doy1 to Doyn. Is applied to the surface conduction electron-emitting device in the display panel 141 through.
【００８８】本発明に関わる電子放出素子は放出電流Ｉ
ｅに対して以下の基本特性を有している。すなわち、電
子放出には明確な閾値電圧Ｖｔｈがり、Ｖｔｈ以上の電
圧を印加されたときのみ電子放出が生じる。The electron-emitting device according to the present invention has an emission current I
It has the following basic characteristics for e. That is, there is a clear threshold voltage Vth for electron emission, and electron emission occurs only when a voltage higher than Vth is applied.
【００８９】また電子放出閾値以上の電圧に対しては、
素子への印加電圧の変化に応じて放出電流も変化してゆ
く。なお、電子放出素子の材料や構成、製造方法を変え
ることにより電子放出閾値電圧Ｖｔｈの値や印加電圧に
対する放出電流の変化の度合いが変わる場合もあるが、
いずれにしても以下のようなことが言える。For voltages above the electron emission threshold,
The emission current also changes according to the change in the voltage applied to the element. Note that the value of the electron emission threshold voltage Vth and the degree of change of the emission current with respect to the applied voltage may change by changing the material, configuration, and manufacturing method of the electron emitting element.
In any case, the following can be said.
【００９０】すなわち、本素子にパネル状の電圧を印加
する場合、例えば電子放出閾値以下の電圧を印加しても
電子放出は生じないが、電子放出閾値以上の電圧を印加
する場合には電子ビームが出力される。その際、第一に
はパルスの波高値Ｖｍを変化させることにより出力電子
ビームの強度を制御することが可能である。第二には、
パルスの幅Ｐｗを変化させることにより出力される電子
ビームの電荷の総量を制御することが可能である。That is, when a panel-like voltage is applied to this element, for example, no electron emission occurs even if a voltage below the electron emission threshold is applied, but when a voltage above the electron emission threshold is applied, an electron beam is applied. Is output. In that case, firstly, the intensity of the output electron beam can be controlled by changing the peak value Vm of the pulse. Second,
By changing the pulse width Pw, it is possible to control the total amount of charges of the output electron beam.
【００９１】したがって、入力信号に応じて、電子放出
素子を変調する方式としては、電圧変調方式、パルス幅
変調方式等が挙げられる。電圧変調方式を実施するには
変調信号発生器１４７としては一定長さの電圧パルスを
発生するが入力されるデータに応じて適宜パルスの波高
値を変調するような電圧変調方式の回路を用いる。Therefore, as the method of modulating the electron-emitting device according to the input signal, there are a voltage modulation method, a pulse width modulation method and the like. To implement the voltage modulation method, as the modulation signal generator 147, a circuit of the voltage modulation method is used which generates a voltage pulse of a fixed length but appropriately modulates the peak value of the pulse according to the input data.
【００９２】また、パルス幅変調方式を実施するには変
調信号発生器１４７としては、一定の波高値の電圧パル
スを発生するが入力されるデータに応じて適宜電圧パル
スの幅を変調するようなパルス幅変調方式の回路を用い
るものである。In order to implement the pulse width modulation method, the modulation signal generator 147 generates a voltage pulse having a constant peak value, but the width of the voltage pulse is appropriately modulated according to the input data. A circuit using a pulse width modulation system is used.
【００９３】以上に説明した一連の動作により本発明の
画造形形成装置は表示パネル１４１を用いてテレビジョ
ンの表示を行える。なお、上記説明中特に記載になかっ
たがシフトレレジスト１４４やラインメモリ１４５はデ
ジタル信号式のものでもアナログ信号式のもでも差し支
えなく、要は画像信号のシリアル／パラレル変換や記憶
が所定の速度で行われればよい。Through the series of operations described above, the image forming apparatus of the present invention can display the television using the display panel 141. Although not specifically described in the above description, the shift register 144 and the line memory 145 may be of a digital signal type or an analog signal type, and in short, the serial / parallel conversion and storage of the image signal may be performed at a predetermined speed. Should be done in.
【００９４】デジタル信号式を用いる場合には、同期信
号分離回路１４６の出力信号ＤＡＴＡをデジタル信号化
する必要があるが、これには１４６の出力部にＡ／Ｄ変
換器を備えれば可能である。また、これと関連してライ
ンメモリ１４５の出力信号がデジタル信号かアナログ信
号かにより、変調信号発生器１４７に用いられる回路が
若干異なったものとなる。When the digital signal type is used, it is necessary to convert the output signal DATA of the sync signal separation circuit 146 into a digital signal, which is possible if the output section of 146 is provided with an A / D converter. is there. Further, in connection with this, the circuit used for the modulation signal generator 147 is slightly different depending on whether the output signal of the line memory 145 is a digital signal or an analog signal.
【００９５】まずデジタル信号の場合について述べる。
電圧変調方式においては変調信号発生器１４７には、例
えばよく知られるＤ／Ａ変換回路を用い、必要に応じて
増幅回路等を付け加えればよい。First, the case of digital signals will be described.
In the voltage modulation method, for example, a well-known D / A conversion circuit may be used as the modulation signal generator 147, and an amplification circuit or the like may be added if necessary.
【００９６】また、パルス幅変調方式の場合、変調信号
発生器１４７には、例えば高速の発振器及び発振器の出
力する波数を計数する計数器（カウンタ）及び計数器の
出力値と前記メモリの出力値を比較する比較器（コンパ
レータ）を組み合わせた回路を用いることにより構成で
きる。必要に応じて、比較器の出力するパルス幅変調さ
れた変調信号を表面伝導型電子放出素子の駆動電圧にま
で電圧増幅するための増幅器を付け加えてもよい。In the case of the pulse width modulation method, the modulation signal generator 147 includes, for example, a high-speed oscillator and a counter for counting the number of waves output by the oscillator, the output value of the counter and the output value of the memory. Can be configured by using a circuit in which a comparator (comparator) for comparing is compared. If necessary, an amplifier for voltage-amplifying the pulse-width-modulated modulation signal output from the comparator to the drive voltage of the surface conduction electron-emitting device may be added.
【００９７】次にアナログ信号場合について述べる。電
圧変調方式においては変調信号発生器１４７には、例え
ばよく知られるオペアンプ等を用いた増幅回路を用いれ
ばよく、必要に応じてレベルシフト回路等を付け加えて
もよい。またパルス幅変調方式の場合には、例えばよく
知られた電圧制御発振回路（ＶＣＯ）を用ればよく、必
要に応じて表面伝導型電子放出素子の駆動電圧にまで電
圧増幅するための増幅器を付け加えてもよい。Next, the case of analog signals will be described. In the voltage modulation method, for the modulation signal generator 147, for example, an amplifier circuit using a well-known operational amplifier or the like may be used, and a level shift circuit or the like may be added if necessary. In the case of the pulse width modulation method, for example, a well-known voltage controlled oscillation circuit (VCO) may be used, and an amplifier for amplifying the voltage up to the drive voltage of the surface conduction electron-emitting device may be used if necessary. May be added.
【００９８】以上のように完成した画像表示装置におい
て、各電子放出素子に、容器外端子Ｄｏｘ１ないしＤｏ
ｘｍ、Ｄｏｙ１ないしＤｏｙｎを通じ、電圧を印加する
ことにより、電子放出させ、高圧端子Ｈｖを通じ、メタ
ルバック１２３、あるいは透明電極（不図示）に高圧を
印加し、電子ビームを加速し、蛍光膜１２２に衝突さ
せ、励起・発光させることで画像を表示することができ
る。In the image display device completed as described above, each of the electron-emitting devices is provided with terminals Dox1 to Dox outside the container.
Electrons are emitted by applying a voltage through xm and Doy1 to Doyn, and a high voltage is applied to the metal back 123 or the transparent electrode (not shown) through the high voltage terminal Hv to accelerate the electron beam and cause the fluorescent film 122 to reach the fluorescent film 122. An image can be displayed by colliding, exciting and emitting light.
【００９９】以上述べた構成は、表示等に用いられる好
適な画像形成装置を作製する上で必要な概略構成であ
り、例えば各部材の材料等、詳細な部分は上述内容に限
られるものではなく、画像形成装置の用途に適するよう
適宜選択する。また、入力信号として、ＮＴＳＣ方式を
挙げたが、これに限られるものではなく、ＰＡＬ，ＳＥ
ＣＡＭ方式等の諸方式でもよく、また、これよりも、多
数の走査線からなるＴＶ信号（例えば、ＭＵＳＥ方式を
はじめとする高品位ＴＶ）方式でもよい。The structure described above is a schematic structure necessary for manufacturing a suitable image forming apparatus used for display and the like, and the detailed parts such as the material of each member are not limited to the above contents. , Is appropriately selected to suit the application of the image forming apparatus. Further, although the NTSC system is mentioned as the input signal, the input signal is not limited to this, and PAL, SE
Various methods such as the CAM method may be used, or a TV signal (for example, a high-definition TV such as the MUSE method) including a number of scanning lines may be used.
【０１００】次に、前述のはしご型配置電子源基板及び
それを用いた画像形成装置について、図１５、図１６を
用いて説明する。Next, the above-mentioned ladder type electron source substrate and the image forming apparatus using the same will be described with reference to FIGS.
【０１０１】図１５において、１５１は電子源基板、１
５２は電子放出素子、１５３のＤｘ１〜Ｄｘ１０は、前
記電子放出素子に接続する共通配線である。電子放出素
子１５２は、基板１５１上に、Ｘ方向に並列に複数個配
されている（これを素子行と呼ぶ）。この素子行を複数
個基板上に配置し、はしご型電子源基板となる。各素子
行の共通配線間に適宜駆動電圧を印加することで、各素
子行を独立に駆動することが可能になる。すなわち、電
子ビームを放出させる素子行には、電子放出閾値以上の
電圧を電子ビームを放出させない素子行には、電子放出
閾値以下の電圧を印加すればよい。また、各素子行間の
共通配線Ｄｘ２〜Ｄｘ９を、例えばＤｘ２，Ｄｘ３を同
一配線とするようにしてもよい。In FIG. 15, 151 is an electron source substrate, 1
52 is an electron-emitting device, and Dx1 to Dx10 of 153 are common wirings connected to the electron-emitting device. A plurality of electron-emitting devices 152 are arranged in parallel in the X direction on the substrate 151 (this is called a device row). A plurality of this element row is arranged on the substrate to form a ladder type electron source substrate. By appropriately applying a drive voltage between the common wirings of each element row, each element row can be independently driven. That is, a voltage equal to or higher than the electron emission threshold may be applied to an element row that emits an electron beam, and a voltage equal to or lower than the electron emission threshold may be applied to an element row that does not emit an electron beam. Further, the common wirings Dx2 to Dx9 between the element rows, for example, Dx2 and Dx3 may be the same wiring.
【０１０２】図１６は、はしご型配置の電子源を備えた
画像形成装置の構造を示すための図である。１６４はグ
リッド電極、１６１は電子が通過するための空孔、１６
２はＤｏｘ１，Ｄｏｘ２，・・・，Ｄｏｘｍよりなる容
器外端子で、１６３はグリッド電極１６４と接続された
Ｇ１，Ｇ２，・・・Ｇｎからなる容器外端子、１５１は
前述のように各素子行間の共通配線を同一配線とした電
子源基板である。なお、図１２、６１１と同一符号は同
一の部材を示す。前述の単純マトリクス配置の画像形成
装置（図１２）との違いは、電子源基板１５１とフェー
スプレート１の間に、グリッド電極１６４を備えている
ことである。FIG. 16 is a diagram showing the structure of an image forming apparatus provided with a ladder-type electron source. 164 is a grid electrode, 161 is a hole through which electrons pass, 16
2 is an outer container terminal made of Dox1, Dox2, ..., Doxm, 163 is an outer container terminal made of G1, G2, ... Gn connected to the grid electrode 164, and 151 is a space between each element row as described above. It is an electron source substrate in which the common wiring of is the same wiring. The same reference numerals as those in FIGS. 12 and 611 indicate the same members. The difference from the image forming apparatus having the simple matrix arrangement (FIG. 12) described above is that a grid electrode 164 is provided between the electron source substrate 151 and the face plate 1.
【０１０３】基板１５１とフェースプレート１の中間に
は、グリッド電極１６４が設けられている。グリッド電
極１６４は、表面伝導型放出素子から放出された電子ビ
ームを変調することができるもので、はしご型配置の素
子行と直交して設けられたストライプ状の電極に電子ビ
ームを通過させるため、各素子に対応して１個づつ円形
の空孔１６１が設けられている。グリッドの形状や設置
位置は必ずしも図１６のようなものでなくともよく、開
口としてメッシュ状に多数の通過口を設けることもあ
り、また例えば表面伝導型放出素子の周囲や近傍に設け
てもよい。A grid electrode 164 is provided between the substrate 151 and the face plate 1. The grid electrode 164 is capable of modulating the electron beam emitted from the surface conduction electron-emitting device, and passes the electron beam through a striped electrode provided orthogonal to the ladder-shaped element rows, Circular holes 161 are provided one by one corresponding to each element. The shape and installation position of the grid are not necessarily those shown in FIG. 16, and a large number of passage openings may be provided in the form of a mesh as openings. For example, they may be provided around or near the surface conduction electron-emitting device. .
【０１０４】容器外端子１６２及びグリッド容器外端子
１６３は、不図示の制御回路と電気的に接続されてい
る。The external terminal 162 and the grid external terminal 163 are electrically connected to a control circuit (not shown).
【０１０５】本画像形成装置では、素子行を１列ずつ順
次駆動（走査）していくのと同期してグリッド電極列に
画像１ライン分の変調信号を同時に印加することのよ
り、各電子ビームの蛍光体への照射を制御し、画像を１
ラインずつ表示することができる。In this image forming apparatus, the modulation signals for one line of the image are simultaneously applied to the grid electrode columns in synchronization with the sequential driving (scanning) of the element rows one column at a time. Control the irradiation of the phosphor of the
Can be displayed line by line.
【０１０６】また、本発明によればテレビジョン放送の
表示装置のみならず、テレビ会議システム、コンピュー
タ等の表示装置に適した画像形成装置を提供することが
できる。さらには、感光性ドラム等で構成された光プリ
ンターとしての画像形成装置としても用いることができ
る。Further, according to the present invention, it is possible to provide an image forming apparatus suitable for not only a display device for television broadcasting but also a display device such as a video conference system and a computer. Furthermore, it can also be used as an image forming apparatus as an optical printer including a photosensitive drum or the like.
【０１０７】また電子放出素子として表面伝導型電子放
出素子ばかりでなく、ＭＩＭ型電子放出素子、電界放出
型電子放出素子等の冷陰極電子源にも適用可能である。
さらには熱電子源による画像形成装置にも適用すること
ができる。Further, not only surface conduction electron-emitting devices but also cold cathode electron sources such as MIM electron-emitting devices and field emission electron-emitting devices can be applied as electron-emitting devices.
Further, it can be applied to an image forming apparatus using a thermoelectron source.
【０１０８】[0108]
［実施例１］前述のようにして得られた表面伝導型電子
放出素子を有するマトリクス型配置電子源基板（図１）
を用い、表示パネル及び画像形成装置を製作した。[Example 1] Matrix-type arrangement electron source substrate having the surface conduction electron-emitting device obtained as described above (Fig. 1)
A display panel and an image forming apparatus were manufactured by using.
【０１０９】図１は実施例で制作した画像形成装置の構
成を示す図である。同図において１は画像形成部材（不
図示）を搭載したフェースプレートであり、２は電子放
出素子群（不図示）を搭載した電子源基板である。ま
た、３はフェースプレート１の電子源基板２の間に設置
される支持枠であり、フェースプレート１、電子源基板
２及び支持枠３は青板ガラスを切削加工して製作した。
発熱配線８は本実施例ではＡｇペーストである。溶融し
たＡｇペーストを、ディスペンサーまたは印刷ローラー
でフェースプレート１、電子源基板２の上に載せ、焼成
し固着させた後に、発熱配線８に接続される配線９を取
り付けた。FIG. 1 is a diagram showing the structure of the image forming apparatus produced in the embodiment. In the figure, 1 is a face plate on which an image forming member (not shown) is mounted, and 2 is an electron source substrate on which an electron-emitting device group (not shown) is mounted. Further, 3 is a support frame installed between the electron source substrate 2 of the face plate 1, and the face plate 1, the electron source substrate 2 and the support frame 3 are manufactured by cutting soda lime glass.
The heating wiring 8 is Ag paste in this embodiment. The molten Ag paste was placed on the face plate 1 and the electron source substrate 2 with a dispenser or a printing roller, baked and fixed, and then the wiring 9 connected to the heat generating wiring 8 was attached.
【０１１０】フリットガラス４によって封着・固定さ
れ、表示パネル５を形成している。表示パネル５の底
辺、両側壁からは駆動用回路（不図示）と接続されるグ
リッド電極６を取り出し、上面からは高圧端子７を取り
出している。８はフェースプレートまたは電子源基板上
に配置（不図示）された発熱配線であり、これに接続さ
れる配線９により、電気供給部１０から通電し、発熱配
線８の金属抵抗による発熱により、その熱をフェースプ
レートに選択的に供給する。Sealed and fixed by the frit glass 4 to form the display panel 5. A grid electrode 6 connected to a driving circuit (not shown) is taken out from the bottom side and both side walls of the display panel 5, and a high voltage terminal 7 is taken out from the upper surface. Reference numeral 8 denotes a heat generating wiring arranged (not shown) on the face plate or the electron source substrate. The wiring 9 connected to the heat generating wiring 8 energizes the electricity supply section 10 to generate heat due to the metal resistance of the heat generating wiring 8 Heat is selectively supplied to the face plate.
【０１１１】発熱配線８は、画像形成装置の駆動時に発
生する、フェースプレート１及び電子源基板２の高温部
以外に配置され、前記高温部以外のフェースプレート１
及び電源基板２上の温度を、前記高温部と同等の温度ま
たは、それ以下の温度まで上昇させる性能をもってお
り、フェースプレート１及び電子源基板２内の温度分布
を、より均一化することで、フェースプレート１及び電
子源基板２の熱応力・熱変形を低減することができた。The heat generating wiring 8 is arranged in a part other than the high temperature part of the face plate 1 and the electron source substrate 2 which is generated when the image forming apparatus is driven, and the face plate 1 other than the high temperature part is generated.
Also, it has the ability to raise the temperature on the power supply substrate 2 to a temperature equal to or lower than the temperature of the high temperature portion, and by making the temperature distribution in the face plate 1 and the electron source substrate 2 more uniform, It was possible to reduce thermal stress and thermal deformation of the face plate 1 and the electron source substrate 2.
【０１１２】以下にフェースプレート１、支持枠３、そ
して電子源基板２からなる製作方法を簡単に示す。詳細
は実施態様に示してある。まず、予め前述の方法により
画像形成部材を搭載した前記フェースプレート１にフリ
ットガラス４をディスペンサーで塗布し、前記支持枠３
を所望の位置に合わせた後に仮焼成、本焼成を行った。
次に、前記電子源基板２に、ディスペンサーでフリット
ガラス４を塗布し、さきに製作した支持枠３とフェース
プレート１について、所定の位置合わせを行い、仮焼
成、本焼成を実施して表示パネルを製作した。The manufacturing method of the face plate 1, the support frame 3 and the electron source substrate 2 will be briefly described below. Details are given in the embodiments. First, the face plate 1 on which the image forming member is mounted in advance by the above-mentioned method is coated with the frit glass 4 by a dispenser, and the support frame 3 is formed.
After being adjusted to a desired position, preliminary firing and main firing were performed.
Next, the frit glass 4 is applied to the electron source substrate 2 with a dispenser, and the supporting frame 3 and the face plate 1 manufactured previously are aligned with each other in a predetermined position, and calcination and main calcination are carried out to perform a display panel. Was produced.
【０１１３】組立工程終了後、上記工程で製作パネル内
を真空状態にするために、排気管（不図示）を介して、
表示パネル内を１０-7ｔｏｒｒまで真空排気し、排気管
の封止を行った。表示パネルと駆動用回路基板（不図
示）を固定し、最後に、グリッド電極６を駆動用回路基
板（不図示）上のそれぞれ対応する駆動回路と接続し
た。After the assembly process is completed, in order to bring the inside of the manufacturing panel into a vacuum state in the above process, through an exhaust pipe (not shown),
The inside of the display panel was evacuated to 10 −7 torr and the exhaust pipe was sealed. The display panel and the drive circuit board (not shown) were fixed, and finally the grid electrodes 6 were connected to the corresponding drive circuits on the drive circuit board (not shown).
【０１１４】このようにして得られた画像形成装置を駆
動回路から電気信号を送って駆動し、画像を表示させた
ところ、電子源基板２の中央部の温度が上昇した。更に
発熱配線８に電気供給部１０より通電させ、発熱配線８
に発熱させたところ、電子源基板２の周辺部温度が上昇
した。即ち、本例では部分的な熱分布の制御が可能とな
った。その結果表示パネル構成部材の温度が均一化し、
温度制御装置としての機能が確認できた。そして、長時
間駆動後も画像の劣化や破壊は起こらなかった。The image forming apparatus thus obtained was driven by sending an electric signal from the drive circuit to display an image, and the temperature of the central portion of the electron source substrate 2 rose. Further, the heat generating wiring 8 is energized from the electricity supply unit 10 to generate heat.
When the heat is generated, the temperature of the peripheral portion of the electron source substrate 2 rises. That is, in this example, partial heat distribution control was possible. As a result, the temperature of the display panel components becomes uniform,
The function as a temperature controller was confirmed. The image was not deteriorated or destroyed even after being driven for a long time.
【０１１５】また、従来例で示した放熱板を使用した場
合に比べ、大幅な軽量化が達成された。Further, as compared with the case where the heat dissipation plate shown in the conventional example is used, a significant weight reduction is achieved.
【０１１６】［実施例２］前述のようにして得られた表
面伝導型電子放出素子を有するはしご型配置電子源基板
（図１）を用い、画像形成装置を作製した。Example 2 An image forming apparatus was produced using the ladder-type electron source substrate (FIG. 1) having the surface conduction electron-emitting device obtained as described above.
【０１１７】図１は実施例で製作した画像形成装置の構
成を示す図である。同図において１は画像形成部材（不
図示）を搭載したフェースプレートであり、２は電子放
出素子群（不図示）を搭載した電子源基板である。ま
た、３はフェースプレート１と電子源基板２の間に設置
される支持枠であり、フェースプレート１、電子源基板
２及び支持枠３は青板ガラスを切削加工して製作した。
発熱配線８は本実施例でＡｇペーストである。溶融した
Ａｇペーストを、ディスペンサーまたは印刷ローラーで
フェースプレート１、電子源基板２の上に載せ、焼成し
固着させた後に、発熱配線８に接続される配線９を取り
付ける。FIG. 1 is a diagram showing the structure of the image forming apparatus manufactured in the embodiment. In the figure, 1 is a face plate on which an image forming member (not shown) is mounted, and 2 is an electron source substrate on which an electron-emitting device group (not shown) is mounted. Further, 3 is a support frame installed between the face plate 1 and the electron source substrate 2, and the face plate 1, the electron source substrate 2 and the support frame 3 are manufactured by cutting soda lime glass.
The heating wiring 8 is Ag paste in this embodiment. The molten Ag paste is placed on the face plate 1 and the electron source substrate 2 with a dispenser or a printing roller, baked and fixed, and then the wiring 9 connected to the heat generating wiring 8 is attached.
【０１１８】フリットガラス４によって封着・固定さ
れ、表示パネル５を形成している。表示パネル５の底
辺、両側壁からは駆動用回路（不図示）と接続されるグ
リッド電極６を取り出し、上面からは高圧端子７を取り
出している。８はフェースプレートまたは電子源基板上
に配置（不図示）された発熱配線であり、これに接続さ
れる配線９により、電気供給部１０から通電し、発熱配
線８の金属抵抗による発熱により熱源となり、その熱を
フェースプレートに選択的に供給する。The display panel 5 is formed by sealing and fixing with the frit glass 4. A grid electrode 6 connected to a driving circuit (not shown) is taken out from the bottom side and both side walls of the display panel 5, and a high voltage terminal 7 is taken out from the upper surface. Reference numeral 8 is a heat generating wiring arranged (not shown) on the face plate or the electron source substrate, and the wiring 9 connected to the heat generating wiring 8 conducts electricity from the electricity supply unit 10 and serves as a heat source due to heat generated by the metal resistance of the heat generating wiring 8. , Selectively supplies the heat to the face plate.
【０１１９】発熱配線８は、画像形成装置の駆動時に発
生する、フェースプレート１及び電子源基板２の高温部
以外に配置され、前記高温部以外のフェースプレート１
及び電源基板２上の温度を、前記高温部と同等の温度ま
たは、それ以下の温度まで上昇させる性能をもってお
り、フェースプレート１及び電子源基板２内の温度分布
を、より均一化することで、フェースプレート１及び電
子源基板２の熱応力・熱変形を低減することができた。The heat generating wiring 8 is arranged in a portion other than the high temperature portion of the face plate 1 and the electron source substrate 2 which is generated when the image forming apparatus is driven, and the face plate 1 other than the high temperature portion is generated.
Also, it has the ability to raise the temperature on the power supply substrate 2 to a temperature equal to or lower than the temperature of the high temperature portion, and by making the temperature distribution in the face plate 1 and the electron source substrate 2 more uniform, It was possible to reduce thermal stress and thermal deformation of the face plate 1 and the electron source substrate 2.
【０１２０】以下にフェースプレート１、支持枠３、そ
して電子源基板２からなる製作方法を簡単に示す。詳細
は実施態様に示してある。まず、予め前述の方法により
画像形成部材を搭載した前記フェースプレート１にフリ
ットガラス４をディスペンサーで塗布し、前記支持枠３
を所望の位置に合わせた後に仮焼成、本焼成を行った。
次に、前記電源基板２に、ディスペンサーでフリットガ
ラス４を塗布し、さきに製作した支持枠３とフェースプ
レート１について、所定の位置合わせを行い、仮焼成、
本焼成を実施して表示パネルを製作した。The manufacturing method of the face plate 1, the support frame 3 and the electron source substrate 2 will be briefly described below. Details are given in the embodiments. First, the face plate 1 on which the image forming member is mounted in advance by the above-mentioned method is coated with the frit glass 4 by a dispenser, and the support frame 3 is formed.
After being adjusted to a desired position, preliminary firing and main firing were performed.
Next, the frit glass 4 is applied to the power supply substrate 2 with a dispenser, and the support frame 3 and the face plate 1 manufactured previously are aligned with each other in a predetermined position, and calcinated.
Main baking was performed to manufacture a display panel.
【０１２１】組立工程終了後、上記工程で試作パネル内
を真空状態にするために、排気管（不図示）を介して、
表示パネル内を１０-7ｔｏｒｒまで真空排気し、排気管
の封止を行った。表示パネルと駆動用回路基板（不図
示）を固定し、最後に、グリッド電極６を駆動用回路基
板（不図示）上のそれぞれ対応する駆動回路と接続し
た。After the assembly process is completed, in order to bring the inside of the prototype panel into a vacuum state in the above process, through an exhaust pipe (not shown),
The inside of the display panel was evacuated to 10 −7 torr and the exhaust pipe was sealed. The display panel and the drive circuit board (not shown) were fixed, and finally the grid electrodes 6 were connected to the corresponding drive circuits on the drive circuit board (not shown).
【０１２２】このようにして得られた画像形成装置を駆
動回路から電気信号を送って駆動し、画像を表示させた
ところ、電子源基板２の中央部温度が上昇した。更に発
熱配線８に電源供給部１０より通電させ発熱配線８に発
熱させたところ、電子源基板２の周辺部温度が上昇し
た。その結果表示パネル構成部材の温度が均一化し、温
度制御装置としての機能が確認できた。そして、長時間
駆動後も画像の劣化や破壊は起こらなかった。また、従
来例で示した放熱板を使用した場合に比べ、大幅な軽量
化が達成された。The image forming apparatus thus obtained was driven by sending an electric signal from the drive circuit to display an image, and the temperature of the central portion of the electron source substrate 2 rose. Further, when the heat generating wiring 8 was energized from the power supply unit 10 to cause the heat generating wiring 8 to generate heat, the temperature of the peripheral portion of the electron source substrate 2 rose. As a result, the temperatures of the display panel constituent members were made uniform, and the function as a temperature control device was confirmed. The image was not deteriorated or destroyed even after being driven for a long time. Further, compared with the case where the heat dissipation plate shown in the conventional example is used, a significant weight reduction is achieved.
【０１２３】[0123]
【発明の効果】以上の説明からか明らかなように、本発
明によって放熱効果を減少することなく、軽量で薄型の
画像形成装置を提供することが可能となった。これによ
り、設置場所、設置方法に拘束されない多用途な画像形
成装置を製作できるようになった。As is clear from the above description, according to the present invention, it is possible to provide a lightweight and thin image forming apparatus without reducing the heat dissipation effect. As a result, it has become possible to manufacture a versatile image forming apparatus that is not restricted by the installation location or installation method.
【図１】本発明の画像形成装置の一実施態様を示す斜視
図である。FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of an image forming apparatus of the present invention.
【図２】本発明の画像形成装置の他の実施例を示す斜視
図である。FIG. 2 is a perspective view showing another embodiment of the image forming apparatus of the present invention.
【図３】本発明の画像形成装置の他の実施例を示す斜視
図である。FIG. 3 is a perspective view showing another embodiment of the image forming apparatus of the present invention.
【図４】本発明の画像形成装置の他の実施例を示す斜視
図である。FIG. 4 is a perspective view showing another embodiment of the image forming apparatus of the present invention.
【図５】本発明の画像形成装置のさらに他の実施例を示
す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing still another embodiment of the image forming apparatus of the present invention.
【図６】本発明に使用される基本的な表面伝導型電子放
出素子の構成を示す模式図である。FIG. 6 is a schematic diagram showing the structure of a basic surface conduction electron-emitting device used in the present invention.
【図７】本発明に使用される基本的な垂直表面伝導型電
子放出素子の構成を示す模式図である。FIG. 7 is a schematic diagram showing the structure of a basic vertical surface conduction electron-emitting device used in the present invention.
【図８】図８（ａ）〜（ｃ）は本発明に使用される表面
伝導型電子放出素子の製造方法の一例を示す工程図であ
る。8A to 8C are process diagrams showing an example of a method of manufacturing a surface conduction electron-emitting device used in the present invention.
【図９】通電フォーミングの電圧波形の一例を示す図で
ある。FIG. 9 is a diagram showing an example of a voltage waveform of energization forming.
【図１０】電子放出特性を測定するための測定評価装置
の概略構成図である。FIG. 10 is a schematic configuration diagram of a measurement / evaluation apparatus for measuring electron emission characteristics.
【図１１】単純マトリクス配置の電子源の構成図であ
る。FIG. 11 is a configuration diagram of an electron source having a simple matrix arrangement.
【図１２】本発明の画像形成装置の概略構成図である。FIG. 12 is a schematic configuration diagram of an image forming apparatus of the present invention.
【図１３】図１３（ａ），（ｂ）はそれぞれ蛍光膜の構
成を示す側面断面図及び上面図である。13A and 13B are a side sectional view and a top view, respectively, showing the structure of the fluorescent film.
【図１４】ＮＴＳＣ方式のテレビ信号に応じて表示を行
うための駆動回路のブロック図である。FIG. 14 is a block diagram of a drive circuit for performing display according to an NTSC television signal.
【図１５】はしご配置の電子源の構成図である。FIG. 15 is a configuration diagram of an electron source having a ladder arrangement.
【図１６】本発明の他の例を示す画像形成装置の概略構
成図である。FIG. 16 is a schematic configuration diagram of an image forming apparatus showing another example of the present invention.
【図１７】従来の表面伝導型電子放出素子の上面図であ
る。FIG. 17 is a top view of a conventional surface conduction electron-emitting device.
【図１８】従来の平面型画像形成装置の概略構成図であ
る。FIG. 18 is a schematic configuration diagram of a conventional planar image forming apparatus.
１ フェースプレート
２ 電子源基板
３ 支持枠
４ フリットガラス
５ 表示パネル
６ グリッド電極
７ 高圧端子
８ 発熱配線
９ 配線
１０ 電気供給部
１１ 蛍光体
２１ 放熱フィン
４１ 温度センサー
４２ 制御装置
５１ 冷却装置
６１ 基板
６２，６３ 素子電極
６４ 導電性薄膜
６５ 電子放出部
７１ 段差形成部
１０１ 素子電極６２・６３間の導電性薄膜６４を流
れる素子電流Ｉｆを測定するための電流計
１０２ 電子放出素子に素子電圧Ｖｆを印加するため
の電源
１０３ アノード電極１０４に電圧を印加するための
高圧電源
１０４ 素子の電子放出部より放出される放出電流Ｉ
ｅを捕捉するためのアノード電極
１０５ 素子の電子放出部６５より放出される放出電
流Ｉｅを測定するための電流計
１０６ 真空装置
１０７ 排気ポンプ
１１１ Ｘ方向配線
１１２ Ｙ方向配線
１１３ 表面伝導型電子放出素子
１１４ 結線
１２１ ガラス基板
１２２ 蛍光膜
１２３ メタルバック
１２４ 外囲器
１２５ リアプレート
１３１ 黒色導電材
１４１ 表示パネル
１４２ 走査回路
１４３ 制御回路
１４４ シフトレジスタ
１４５ ラインメモリ
１４６ 同期信号分離回路
１４７ 変調信号発生器、Ｖｘ及びＶａ：直流電圧源
１５１ 電子源基板
１５２ 電子放出素子
１５３ Ｄｘ１〜Ｄｘ１０は前記電子放出素子を配線
するための共通配線
１６１ 電子が通過するための空孔
１６２ Ｄｏｘ１，Ｄｏｘ２・・・・Ｄｏｘｍよりな
る容器外端子
１６３ グリッド電極６と接続されたＧ１，Ｇ２，・
・・，Ｇｎからなる容器外端子1 Face Plate 2 Electron Source Substrate 3 Support Frame 4 Frit Glass 5 Display Panel 6 Grid Electrode 7 High Voltage Terminal 8 Heat Generation Wiring 9 Wiring 10 Electric Supply Unit 11 Phosphor 21 Radiating Fin 41 Temperature Sensor 42 Control Device 51 Cooling Device 61 Substrate 62, 63 element electrode 64 conductive thin film 65 electron emission portion 71 step forming portion 101 ammeter 102 for measuring a device current If flowing through the conductive thin film 64 between the element electrodes 62 and 63 an element voltage Vf is applied to the electron emission element Power supply 103 for high voltage power supply 104 for applying voltage to anode electrode 104 emission current I emitted from the electron emission portion of the device
Anode electrode 105 for capturing e. Ammeter 106 for measuring emission current Ie emitted from the electron emission portion 65 of the device. Vacuum device 107. Exhaust pump 111. X-direction wiring 112. Y-direction wiring 113. Surface conduction electron-emitting device. 114 Connection 121 Glass Substrate 122 Fluorescent Film 123 Metal Back 124 Envelope 125 Rear Plate 131 Black Conductive Material 141 Display Panel 142 Scanning Circuit 143 Control Circuit 144 Shift Register 145 Line Memory 146 Synchronization Signal Separation Circuit 147 Modulation Signal Generator, Vx and Va: DC voltage source 151 Electron source substrate 152 Electron-emitting devices 153 Dx1 to Dx10 are common wirings 161 for wiring the electron-emitting devices Vessels 162 Dox1, Dox1, ... Doxm through which electrons pass Outer terminal 163 Grid power 6 with the connected G1, G2, ·
..... Gn external terminals
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G09F 9/00 H01J 29/00 H01J 29/86 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G09F 9/00 H01J 29/00 H01J 29/86
Claims (5)
された配線を搭載した電子源基板と、該電子源基板と対
向して配置されると共に前記電子放出素子から放出され
る電子の照射により画像が形成される画像形成部材を搭
載したフェースプレートと、該フェースプレートと前記
電子源基板との間の支持枠とからなる表示パネルを少な
くとも有する画像形成装置において、少なくとも前記フ
ェースプレート上若しくは前記電子源基板上の周辺部で
あって、画像形成装置の駆動時に発生する高温部以外に
配置された発熱配線と、当該発熱配線に通電する電気供
給部とを備えることを特徴とする画像形成装置。1. An electron source substrate on which an electron-emitting device and a wiring connected to the electron-emitting device are mounted, and an electron-source substrate which is arranged so as to face the electron-source substrate and is irradiated with electrons emitted from the electron-emitting device. In an image forming apparatus having at least a display panel including a face plate on which an image forming member on which an image is formed and a supporting frame between the face plate and the electron source substrate is provided, at least on the face plate or the electronic device. At the periphery on the source board
Therefore, in addition to the high temperature part generated when driving the image forming apparatus
The heat generating wiring that is placed and the electrical supply that energizes the heat generating wiring.
An image forming apparatus comprising: a feeding unit .
板上に配置された複数の前記発熱配線と、当該発熱配線
の各々に接続された複数の前記電気供給部とを備える請
求項１に記載の画像形成装置。2. A plurality of heat generating wirings arranged on the face plate and the electron source substrate, and the heat generating wirings.
The image forming apparatus according to claim 1, further comprising a plurality of the electricity supply units connected to each of the above .
源基板上に温度センサーを有し、該温度センサーより得
られる温度情報に基づき、前記電気供給部の電気供給量
を制御するようにしてなる請求項１または２に記載の画
像形成装置。3. have a temperature sensor in the Fe over scan plate or the electron source substrate, based on the temperature information obtained from the temperature sensor, so as to control the electrical supply of said electrical supply unit The image forming apparatus according to claim 1 or 2.
源基板上に温度センサーを有し、該温度センサーにより
得られる温度情報に基づき、前記フェースプレート上ま
たは前記電子源基板上に配置された画像形成部材の空冷
装置または、電気冷却素子と、前記電気供給部の電気供
給量とを制御するようにした請求項１乃至３のうちいず
れか１項に記載の画像形成装置。4. A has a temperature sensor in the Fe over scan plate or the electron source substrate, based on the temperature information obtained by the temperature sensor, disposed in the Fe over scan plate or the electron source substrate air-cooled system, or imaging member, an electric cooling element, an image forming apparatus according to any one of claims 1 to 3 so as to control the electrical supply of the electrical supply.
分布の制御が可能な請求項１に記載の画像形成装置。5. The image forming apparatus according to claim 1, wherein partial heat distribution can be controlled by energizing the heat generating wiring.
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