JP3366256B2 - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録用ヘッド（イ
ンダクティブヘッド）と再生用ヘッド（ＭＲヘッド）と
が複合して形成された薄膜磁気ヘッドに係わり、特に、
上部コア層の先端部付近を所定の形状で形成でき、狭ト
ラック化を実現できる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１１は、従来の薄膜磁気ヘッドの構造
を示す縦断面図である。この薄膜磁気ヘッドは、ハード
ディスクなどの記録媒体に対向する浮上式磁気ヘッドの
スライダのトレーリング側端面に設けられ、磁気抵抗効
果を利用した再生用のＭＲヘッドと、記録用のインダク
ティブヘッドとが積層された複合型薄膜磁気ヘッドであ
る。
【０００３】符号１は、例えばＮｉＦｅ合金（パーマロ
イ）などの磁性材料によって形成された下部シールド層
であり、この下部シールド層１の上に第１のギャップ層
（図示しない）を介して磁気抵抗効果素子層２が形成さ
れている。さらに前記磁気抵抗効果素子層２の上に、Ｎ
ｉＦｅ合金などの磁性材料で形成された上部シールド層
３が形成されている。前述したように図１１に示す薄膜
磁気ヘッドは、ＭＲヘッドとインダクティブヘッドとが
積層された複合型薄膜磁気ヘッドであり、前記上部シー
ルド層３は、インダクティブヘッドの下部コア層も兼ね
ている。なお以下では、符号３の層を下部コア層と称す
る。
【０００４】前記下部コア層３の上には、例えばＡｌ2
Ｏ3（アルミナ）やＳｉＯ2などの非磁性材料で形成され
たギャップ層４（第２のギャップ層）が設けられてい
る。さらに前記ギャップ層４上には、レジスト材料やそ
の他の有機材料で形成された絶縁層５（第１の絶縁層）
が形成されている。前記絶縁層５には、Ｃｕなどの電気
抵抗の低い導電性材料によりコイル層６が螺旋状に形成
されている。なお前記コイル層６は、後述する上部コア
層８の基端部８ｂの周囲を周回するように形成されてい
るが、図１１では前記コイル層６の一部のみが現れてい
る。
【０００５】そして前記コイル層６は、有機材料などの
絶縁層７（第２の絶縁層）によって覆われており、前記
絶縁層７の上に、パーマロイなどの磁性材料によってメ
ッキされて上部コア層８が形成されている。上部コア層
８の先端部８ａは、記録媒体との対向部において、下部
コア層３上に前記ギャップ層４を介して接合され、ギャ
ップ長Ｇｌの磁気ギャップが形成されている。また上部
コア層８の基端部８ｂは、ギャップ層４に形成された穴
を介して、下部コア層３に磁気的に接続されている。
【０００６】書き込み用のインダクティブヘッドでは、
コイル層６に記録電流が与えられると、下部コア層３及
び上部コア層８に記録磁界が誘導され、下部コア層３と
上部コア層８の先端部８ａとの磁気ギャップ部分からの
洩れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気
信号が記録される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで図１１に示す
薄膜磁気ヘッドでは、コイル層６が２段構造で形成され
ている。このように前記コイル層６を２段構造とする理
由は、下部コア層３と上部コア層８に形成される磁路を
短くして書き込みの効率化を図るためと、インダクタン
スを低減させるためである。
【０００８】図１２は、図１１に示す薄膜磁気ヘッドの
上部コア層８を形成する際の一工程を表した縦断面図で
ある。図１１に示す薄膜磁気ヘッドの上部コア層８は、
フレームメッキ法によって形成される。図１２に示すよ
うに、コイル層６を形成し、前記コイル層６を絶縁層７
で覆った後、先端付近に露出するギャップ層４上から前
記絶縁層７上にかけて、ＮｉＦｅ合金などの磁性材料の
下地層９を形成する。
【０００９】次に、前記下地層９上にレジスト層１０を
形成した後、露光現像によって、上部コア層８の形状パ
ターンを前記レジスト層１０に形成し、レジスト層１０
が除去され、下地層９が露出した部分に、磁性材料の層
（上部コア層８）をメッキ形成する。そして、残された
レジスト層１０を除去すると、上部コア層８が完成す
る。なお最終工程で、図１２に示すＡ―Ａ線の図示左側
の薄膜積層体（点線で示されている）を除去すると、図
１１に示す形状の薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
【００１０】しかし、図１１に示すような従来の薄膜磁
気ヘッドの構造では、上部コア層８を、フレームメッキ
法で形成すると、狭トラック化を実現できないという問
題点がある。図１１に示すように、コイル層６を２段構
造で形成することにより、前記コイル層６を覆う絶縁層
５と７の総合膜厚は厚くなり、このような状態で、図１
２に示すように、前記絶縁層５と７が形成されていない
先端付近のギャップ層４上から前記絶縁層７上にかけて
レジスト層１０を形成すると、ギャップ層４上に形成さ
れたレジスト層１０の厚さｔ１は非常に厚くなってしま
う。
【００１１】前記ギャップ層４上には、図１１に示すよ
うに上部コア層８の先端部８ａが形成されるが、この先
端部８ａの形状は、図１３の平面図に示すように、細長
形状となっており、この先端部８ａの幅でトラック幅Ｔ
ｗが決定される。特に高記録密度化に伴い、前記トラッ
ク幅Ｔｗをさらに小さくする必要性があり、上部コア層
８の先端部８ａ付近の形成におけるレジスト層１０のパ
ターンは、特に精密に形成される必要性がある。
【００１２】しかし、図１２に示すように、上部コア層
８の先端部８ａが形成されるべき、ギャップ層４上のレ
ジスト層１０の厚さｔ１は非常に厚くなっているため
に、露光光源の波長を短くして、焦点深度を深くする
と、逆に解像度（分解能）が悪くなり、所定寸法のトラ
ック幅Ｔｗを得ることができず、狭ギャップ化に対応で
きない。解像度を向上させるには、焦点深度は浅いほど
よい。また、ギャップ層４上に形成されているレジスト
層１０の厚さｔ１と、絶縁層７上に形成されているレジ
スト層１０の厚さが大きく違うため、露光現像されると
きにフォーカスが異なることにより乱反射が起こること
も、狭トラック化を実現できない一つの原因となってい
る。
【００１３】図１４は、他の従来の薄膜磁気ヘッドの構
造を示す縦断面図である。図１４では、下部シールド層
１１が、先端付近にのみ部分的に形成されており、前記
下部シールド層１１上に磁気抵抗効果素子層１２が形成
されている。さらに前記磁気抵抗効果素子層１２上から
下部シールド層１１の後方にかけて、下部コア層（上部
シールド層）１３が形成されている。そして前記下部コ
ア層１３上には、コイル層１４が形成され、さらに前記
下部コア層１３と先端部で対向し、さらにコイル層１４
上に形成された絶縁層１７上にかけて上部コア層１５が
形成されている。
【００１４】この従来例では、下部シールド層１１が先
端付近にのみ部分的に形成され、下部シールド層１１の
後方では、下部コア層１３が、傾斜面１３ａを介して、
前記下部シールド層１１と同位置にまで形成位置が下げ
られて形成されている。そして、図１４に示すようにコ
イル層１４は、傾斜面１３ａ上から前記傾斜面１３ａよ
りも後方の下部コア層１３上に形成されている。このた
め、前記コイル層１４上に形成される絶縁層１７は、先
端部の下部コア層１３の表面Ｓから、高さｔ５だけ盛り
上がった状態で形成され、この高さｔ５は、図１１に示
す薄膜磁気ヘッドの絶縁層５と７の総合膜厚よりも小さ
くなっている。従って、前記先端付近の下部コア層１３
上に形成されるレジスト層（図示しない；図１２の符号
１０参照）の膜厚は、極端に厚くなることがなく、図１
１に示す薄膜磁気ヘッドの場合に比べ、上部コア層１５
の先端部１５ａを所定の形状で形成しやすいものと考え
られる。
【００１５】しかし、図１４に示す従来の薄膜磁気ヘッ
ドでは、以下のような問題点が発生する。通常、薄膜磁
気ヘッドを形成する場合には、基板１６上に、複数個の
薄膜磁気ヘッドを同時に形成していき、最終的に個々の
薄膜磁気ヘッドに切断することにより、図１４に示す薄
膜磁気ヘッドを得ることができる。すなわち、まず最初
に基板１６上に、複数の下部シールド層１１を形成し、
その後、各下部シールド層１１上に絶縁層（図示しな
い）を介して磁気抵抗効果素子層１２を形成する。次
に、複数の磁気抵抗効果素子層１２上にレジスト層を塗
布し、露光現像によって、前記磁気抵抗効果素子層１２
のトラック幅Ｔｗが決定される。
【００１６】ところが、前述したように、基板１６上に
は、複数個の磁気抵抗効果素子層１２が並び、その上に
レジスト層を例えばスピンコートで塗布すると、下部シ
ールド層１１が部分的に形成され、前記下部シールド層
１１と基板１６との間で段差が形成されることにより、
前記レジスト層が塗布される表面は平面状ではなく、従
って、前記レジスト層が一定の厚さで形成されず、基板
１６上に形成された複数個の磁気抵抗効果素子層１２
を、所定のトラック幅Ｔｗで形成できないといった問題
がある。
【００１７】また、図１４に示す薄膜磁気ヘッドでは、
下部コア層１３には、傾斜面１３ａが形成されており、
この傾斜面１３ａ上から、前記下部コア層１３の後方に
かけてコイル層１４が形成されているが、コイル層１４
を形成すべき前記傾斜面１３ａ上には、段差が発生して
おり、実際には、傾斜面１３ａ上に形成されるコイル層
１４は図示上方向に形成位置が上がった状態で形成され
ることになり、結局、前記コイル層１４を覆うための絶
縁層１７の膜厚を厚くする必要性がある。前記絶縁層１
７の膜厚が厚くなれば、フレームメッキ法により、上部
コア層１５の先端部１５ａを所定形状で形成しにくくな
り、狭トラック化に対応できなくなる。
【００１８】本発明は上記従来の課題を解決するための
ものであり、特に、コイル層上に形成される絶縁層の盛
り上がりを抑えて、上部コア層の先端部を所定形状で形
成し、狭トラック化に対応できると同時に、磁気抵抗効
果素子層を所定のトラック幅Ｔｗで形成できる薄膜磁気
ヘッド及びその製造方法に関する。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁性材料の下
部シールド層と、前記下部シールド層の上に形成された
非磁性のＭＲギャップ層と、このＭＲギャップ層内にあ
って記録媒体との対向面に臨む磁気抵抗効果素子層と、
前記ＭＲギャップ層の上に形成された磁性材料製の下部
コア層と、前記記録媒体との対向面で下部コア層の上に
非磁性のギャップ層を介して対向する磁性材料の上部コ
ア層と、前記下部コア層及び上部コア層に記録磁界を誘
導するコイル層と、を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記下部コア層は、前記記録媒体との対向面に臨む位置
から磁気抵抗効果素子層の後方まで延びて、前記後方に
て下部シールド層の方向へ屈曲して前記下部シールド層
に磁気的に接しており、前記コイル層は前記下部コア層
の後端の段差より後退した位置で且つ下部シールド層と
上部コア層と間に位置し、このコイル層で誘導される磁
路が、下部シールド層、下部コア層、上部コア層に渡っ
て形成されることを特徴とするものである。また本発明
では、前記コイル層の後方で、下部シールド層上に第２
の磁性材料層が形成され、上部コア層が前記第２の磁性
材料層に接していることが好ましい。
【００２０】または本発明は、磁性材料の下部シールド
層と、前記下部シールド層の後方に前記下部シールド層
と磁気的に分離されて形成された第１の磁性材料層と、
前記下部シールド層の上に形成された非磁性のＭＲギャ
ップ層と、このＭＲギャップ層内にあって記録媒体との
対向面に臨む磁気抵抗効果素子層と、前記ＭＲギャップ
層の上に形成された磁性材料製の下部コア層と、前記記
録媒体との対向面で下部コア層の上に非磁性のギャップ
層を介して対向する磁性材料の上部コア層と、前記下部
コア層及び上部コア層に記録磁界を誘導するコイル層
と、を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部シール
ド層と、前記第１の磁性材料層の間には非磁性材料層が
設けられ、前記下部シールド層ならびに第１の磁性材料
層及び前記非磁性材料層が同じ厚さで形成され、下部シ
ールド層ならびに第１の磁性材料層及び前記非磁性材料
層の各表面は同一面に平坦化されており、前記下部コア
層は、前記記録媒体との対向面に臨む位置から磁気抵抗
効果素子層の後方まで延びて、前記後方にて前記第１の
磁性材料層の方向へ屈曲して前記第１の磁性材料層に磁
気的に接しており、前記コイル層は前記下部コア層の後
端の段差より後退した位置で且つ前記第１の磁性材料層
と上部コア層との間に位置し、このコイル層で誘導され
る磁路が、第１の磁性材料層、下部コア層、上部コア層
に渡って形成されることを特徴とするものである。
【００２１】本発明では、前記下部シールド層と、第１
の磁性材料層は異なる磁性材料によって形成されている
ことが好ましく、例えば前記第１の磁性材料層は、下部
シールド層よりも高い飽和磁束密度および/または高い
比抵抗の磁性材料によって形成されている。さらに、前
記コイル層の後方で、第１の磁性材料層上に第２の磁性
材料層が形成され、上部コア層が前記第２の磁性材料層
に接しているものとすることができる。前記第２の磁性
材料層も、下部シールド層よりも高い飽和磁束密度およ
び／または高い比抵抗の磁性材料によって形成されてい
る。
【００２２】また本発明では、前記コイル層を、２段構
造で形成し、少なくとも下段のコイル層が、前記下部コ
ア層の後端の段差よりも後退した位置に形成することに
より、記録磁界を大きくできしかも薄型化が可能であ
る。
【００２３】また本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法
において、磁性材料の下部シールド層をフレームメッキ
法により形成する工程と、前記下部シールド層の上に第
１のギャップ層を形成し、さらに前記第１のギャップ層
内に記録媒体との対向面に臨ませる磁気抵抗効果素子層
を形成する工程と、前記磁気抵抗効果素子層よりも後方
において、前記第１のギャップ層に、下部シールド層上
まで貫通する穴部を形成し、フレームメッキ法によっ
て、前記穴部から、磁気抵抗効果素子層上まで延びる下
部コア層を形成する工程と、前記下部コア層上から、前
記下部コア層よりも後方に形成されている前記第１のギ
ャップ層上にかけて、非磁性材料の第２のギャップ層を
形成する工程と、前記下部コア層よりも後方の第１のギ
ャップ層上に第２のギャップ層を介して第１の絶縁層を
形成し、前記第１の絶縁層上にコイル層を形成する工程
と、前記コイル層上に第２の絶縁層を形成した後、前記
下部コア層上に形成されたギャップ層上から、前記第２
の絶縁層上にかけて、フレームメッキ法により上部コア
層を形成する工程と、を有することを特徴とするもので
ある。本発明では、第２のギャップ層を形成する工程よ
りも前に、コイル層が形成される位置よりも後方の下部
シールド層上の第１のギャップ層に穴部を形成し、フレ
ームメッキ法によって、第２の磁性材料層を形成し、上
部コアを形成するときにこの上部コアを第２の磁性材料
層上に接触させて形成する工程を有することが好まし
い。また本発明では、前記第２の磁性材料層を、前記下
部シールド層よりも高い飽和磁束密度を有する磁性材料
によって形成することが好ましい。また本発明では、前
記第２の磁性材料層を、前記下部シールド層よりも高い
比抵抗を有する磁性材料によって形成することが好まし
い。
【００２４】または、磁性材料の下部シールド層および
この下部シールド層よりも後方の第１の磁性材料層をと
もにフレームメッキ法により形成する工程と、前記下部
シールド層とこの下部シールド層よりも後方の第１の磁
性材料層との間に非磁性材料層を形成し、下部シールド
層、下部コア層および前記非磁性材料層を同じ厚さに研
磨して各層の表面を同一面に平坦化する工程と、前記下
部シールド層、第１の磁性材料層及び非磁性材料層の上
に第１のギャップ層を形成し、さらに前記第１のギャッ
プ層内に記録媒体との対向面に臨ませる磁気抵抗効果素
子層を形成する工程と、前記磁気抵抗効果素子層よりも
後方において、前記第１のギャップ層に、第１の磁性材
料層上まで貫通する穴部を形成し、フレームメッキ法に
よって、前記穴部から、磁気抵抗効果素子層上まで延び
る下部コア層を形成する工程と、前記下部コア層上か
ら、前記下部コア層よりも後方に形成されている前記第
１のギャップ層上にかけて、非磁性材料の第２のギャッ
プ層を形成する工程と、前記下部コア層よりも後方の第
１のギャップ層上に第２のギャップ層を介して第１の絶
縁層を形成し、前記第１の絶縁層上にコイル層を形成す
る工程と、前記コイル層上に第２の絶縁層を形成した
後、前記下部コア層上に形成されたギャップ層上から、
前記第２の絶縁層上にかけて、フレームメッキ法により
上部コア層を形成する工程と、を有することを特徴とす
るものである。
【００２５】また、第２のギャップ層を形成する工程よ
りも前に、コイル層が形成される位置よりも後方の、第
１の磁性材料層上の第１のギャップ層に穴部を形成し、
フレームメッキ法によって、第２の磁性材料層を形成
し、上部コアを形成するときにこの上部コアを第２の磁
性材料層上に接触させて形成する工程を有するようにし
てもよい。また、前記第１の磁性材料層及び第２の磁性
材料層を、前記下部シールド層よりも高い飽和磁束密度
および／または高い比抵抗を有する磁性材料によって形
成することが好ましい。
【００２６】さらに、前記コイル層を２段構造で形成
し、少なくとも下段のコイル層を前記下部コア層よりも
後方に形成することができる。
【００２７】本発明では、薄膜磁気ヘッドの先端付近に
のみ部分的に下部コア層（上部シールド層）が形成さ
れ、前記下部コア層が、磁気抵抗効果素子層の後方で、
垂直方向に屈曲するなどして段差が形成され、下部シー
ルド層あるいは第１の磁性材料層に接して形成されてい
る。コイル層は、前記垂直方向に屈曲した下部コア層の
後方に形成されており、このため、先端付近で露出して
いる下部コア層の表面に対し、前記コイル層を覆う絶縁
層の盛り上がりを小さくすることができる。従って本発
明では、上部コア層を形成する際に使用されるレジスト
層を、先端付近で露出している下部コア層上から前記コ
イル層を覆う絶縁層上にかけて、膜厚に大きな差が無く
薄く形成できる。先端付近に露出している下部コア層上
に形成される上部コア層の先端部は、トラック幅Ｔｗを
決定すべき重要な部分であり、本発明では前記上部コア
層の先端部を所定の形状で適正に形成でき、狭トラック
化に対応することが可能である。
【００２８】次に、本発明における薄膜磁気ヘッドにお
ける形状と、図１４に示す従来の薄膜磁気ヘッドの形状
の相違について説明する。本発明においても、図１４に
示す薄膜磁気ヘッドと同じように、下部シールド層を、
先端付近にのみ部分的に形成してもよく、その具体的な
形状として図２に示す薄膜磁気ヘッドを提示できる。本
発明と図１４に示す薄膜磁気ヘッドの相違は、本発明で
は、図２に示すように、下部シールド層３０の後方に一
定の間隔Ｌ２を空けて、前記下部シールド層３０と同じ
高さ寸法を有する第１の磁性材料層３１が形成されてい
るのに対し、図１４に示す従来の薄膜磁気ヘッドでは、
下部シールド層１１の後方に、下部コア層１３が傾斜面
１３ａを介し、形成位置を下げて形成されていることで
ある。
【００２９】本発明では、まず下部シールド層３０と第
１の磁性材料層３１を形成した後、前記下部シールド層
３０と第１の磁性材料層３１間に例えばＡｌ2Ｏ3など非
磁性材料層３２を形成し、前記下部シールド層３０、第
１の磁性材料層３２、及び非磁性材料層３２表面を平坦
化している。そして下部シールド層３０上に形成された
磁気抵抗効果素子層２２を、レジスト層（図示しない）
によって所定の形状に形成するが、前記レジスト層は、
平坦化された下部シールド層３０、第１の磁性材料層３
１、及び非磁性材料層３２上に塗布されるので、前記レ
ジスト層を一定の厚さで形成でき、従って前記磁気抵抗
効果素子層２２を前記レジスト層によって所定のトラッ
ク幅Ｔｗで形成することができる。
【００３０】これに対し、図１４に示す従来の薄膜磁気
ヘッドでは、基板上に、部分的に下部シールド層１１の
みが形成されている状態であり、前記下部シールド層１
１上に磁気抵抗効果素子層１２を所定形状に形成するた
めのレジスト層（図示しない）を塗布すると、基板１６
と、前記下部シールド層１１との段差により前記レジス
ト層を一定の膜厚で形成することができず、従って前記
磁気抵抗効果素子層１２に歪みなどが生じ、特に精密に
形成されるべき前記磁気抵抗効果素子層１２のトラック
幅Ｔｗを適正に形成できなくなる。
【００３１】また図１４に示す薄膜磁気ヘッドでは、下
部コア層１３に傾斜面１３ａが形成されており、このた
め、前記下部コア層１３の後方に形成されるコイル層１
４の形成位置に段差が生じ易くなっている。本発明で
は、図２に示すように、下部コア層３３は、第１の磁性
材料層３１上から垂直方向に形成されているので、前記
下部コア層３３の後方で形成されるコイル層２７を、平
坦化された第１のギャップ層２３上に、第２のギャップ
層２５、絶縁層２６を介して形成でき、前記コイル層２
７の形成が容易であると同時に、前記コイル層２７上に
形成される絶縁層２８の盛り上がりを極力抑えることが
できる。
【００３２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明における第１実施
形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す縦断面図である。図
１に示す薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果を利用した再
生用ヘッド（ＭＲヘッド）と、記録用のインダクティブ
ヘッドとが積層された、いわゆる複合型薄膜磁気ヘッド
である。なお図示左側端面が記録媒体との対向面（ＡＢ
Ｓ面）となっている。
【００３３】図１に示す符号２０は基板であり、この基
板２０上に、ＮｉＦｅ合金などの磁性材料で形成された
下部シールド層２１が形成されている。前記下部シール
ド層２１上にはＭＲギャップ層（第１のギャップ層）２
３が形成されており、前記下部シールド層２１の先端側
（記録媒体との対向面側；ＡＢＳ面側）では、磁気抵抗
効果素子層２２がその上下にギャップ層２３を介して形
成されている。前記磁気抵抗効果素子層２２には、例え
ばスピンバルブ膜に代表されるＧＭＲ素子やＡＭＲ素子
が選択される。また、図１に示すように、前記ギャップ
層２３の厚さがギャップ長Ｇｌ１となっている。
【００３４】本発明では、図１に示すように、前記磁気
抵抗効果素子層２２よりも後方（ハイト方向；図示右方
向）の前記ギャップ層２３に、前記下部シールド層２１
まで貫通する穴部２３ａが形成されている。そして、前
記穴部２３ａから、磁気抵抗効果素子層２２上にまで延
びる下部コア層２４が形成されている。なおこの下部コ
ア層２４は、再生用ヘッドの上部シールド層としても機
能している。また前記下部コア層２４は、例えばＮｉＦ
ｅ合金などの磁性材料によって形成されている。
【００３５】図１に示すように前記下部コア層２４は、
下部シールド層２４表面から垂直方向に延び、屈曲して
前記磁気抵抗効果素子層２２上にまで形成されている。
さらに、前記下部コア層２４上から、前記第１のギャッ
プ層２３上にかけて絶縁材料で形成されたギャップ層
（第２のギャップ層）２５が形成されている。図１に示
すように、第１のギャップ層２３上に形成された第２の
ギャップ層２５は、下部コア層２４上に形成された第２
のギャップ層２５に比べ、直角な段差を介して形成位置
が下げられて形成されており、この形成位置が下げられ
た第２のギャップ層２５上に、レジスト材料やその他の
有機材料で形成された絶縁層（第１の絶縁層）２６が形
成されている。さらに前記絶縁層２６上には、Ｃｕなど
の電気抵抗の小さい導線性材料により螺旋状のコイル層
２７が形成されており、前記コイル層２７上には、有機
材料の絶縁層（第２の絶縁層）２８が形成されている。
【００３６】本発明では図１に示すように、前記コイル
層２７は、下部コア層２４よりも後方（ハイト方向）に
形成されており、特に、磁気抵抗効果素子層２２上に形
成された下部コア層２４が、下部シールド層２１方向に
垂直に屈曲して形成されていることにより前記下部コア
層２４と第１のギャップ層２３との間に段差が形成され
ており、この段差内にコイル層２７が形成されている。
このため、前記コイル層２７上に形成された第２の絶縁
層２８は、下部コア層２４上に形成された第２のギャッ
プ層２５表面Ｓの位置から、わずかにｔ２だけ盛り上が
った状態で形成されているか、あるいは前記ギャップ層
２３表面Ｓとほぼ同じ高さで前記第２の絶縁層２８が形
成されており、従来の薄膜磁気ヘッドに比べ、前記第２
の絶縁層２８の盛り上がりを抑えることが可能となって
いる。
【００３７】そして前記第２のギャップ層２５上から第
２の絶縁層２８上にかけて、磁性材料で形成された上部
コア層２９が形成される。図１に示すように、上部コア
層２９の先端部２９ａは、記録媒体との対向部におい
て、下部コア層２４上に第２のギャップ層２５を介して
形成されて、ギャップ長Ｇｌ２の磁気ギャップが形成さ
れている。また前記上部コア層２９の基端部２９ｂは、
ギャップ層２３，２５及び絶縁層２６，２８に形成され
た穴を介して、下部シールド層２１に磁気的に接続され
ている。
【００３８】前記上部コア層２９は、後で詳述するよう
にフレームメッキ法で形成されるが、このフレームメッ
キ法では、下部コア層２４上に形成された第２のギャッ
プ層２５上から第２の絶縁層２８上にかけて、レジスト
層を形成し、前記レジスト層を露光現像した後、上部コ
ア層２９をメッキ形成している。
【００３９】本発明では前述したように、コイル層２７
上に形成される第２の絶縁層２８は、下部コア層２４上
に形成された第２のギャップ層２５表面Ｓからわずかに
ｔ２だけ盛り上がった状態で形成されており、従って、
前記下部コア層２４上に形成された第２のギャップ層２
５上から第２の絶縁層２８上にかけて形成されるレジス
ト層を、ほぼ一定の膜厚で薄く形成することが可能であ
る。このため、本発明では露光現像の際における焦点深
度を浅くして、解像度を上げることができ、またフォー
カスが異なることによる乱反射が起こりにくく、特に細
長形状で幅寸法がトラック幅Ｔｗとなっている上部コア
層２９の先端部２９ａを所定形状で適正に形成すること
ができ、狭トラック化に対応できるものとなっている。
【００４０】次に材質について説明する。シールド機能
を有する下部シールド層２１は、透磁率の高い磁性材料
で形成されることが好ましく、例えばＮｉＦｅ合金など
で形成される。また、下部コア層２４は、書き込み用コ
アとしての機能とシールド機能を兼用しており、従来と
同じようにＮｉＦｅ合金などで形成されることが好まし
い。上部コア層２９は、記録用コアとしての機能を向上
させるために、高飽和磁束密度（Ｈｉ―Ｂｓ）、または
／及び高比抵抗（Ｈｉ―ρ）を有する磁性材料で形成す
ることが好ましく、例えばＦｅ50Ｎｉ50合金や、ＦｅＣ
ｏＮｉ合金などを例示できる。
【００４１】インダクティブヘッドでは、コイル層２７
に記録電流が与えられると、上部コア層２９、下部シー
ルド層２１、及び下部コア層２４に記録磁界が誘導さ
れ、前記上部コア層２９の先端部２９ａと下部コア層２
４との磁気ギャップ部分からの洩れ磁界によって、ハー
ドディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録される。な
お図１に示すコイル層２７は一段構造で形成されている
が、２段構造で形成されていてもよい。
【００４２】図２は本発明における第２実施形態の薄膜
磁気ヘッドの構造を示す縦断面図である。図２では下部
シールド層３０が、記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）か
ら、ハイト方向（図示右方向）に一定の長さ寸法Ｌ１で
形成されており、前記下部シールド層３０の後方に一定
の間隔Ｌ２を空けて、第１の磁性材料層３１が形成され
ている。そして前記下部シールド層３０と第１の磁性材
料層３１間に形成された間隔Ｌ２には、例えばＡｌ2Ｏ3
などの非磁性材料で形成された非磁性材料層３２が形成
されている。なお本発明では、前記下部シールド層３
０、非磁性材料層３２、及び第１の磁性材料層３１は共
に同じ高さ寸法ｔ３で形成されており、各層の表面は、
平坦化された状態となっている。
【００４３】図２に示すように、下部コア層３３は、第
１の磁性材料層３１上から垂直方向に延びて、磁気抵抗
効果素子層２２上の第１のギャップ層２３上にまで形成
されている。この薄膜磁気ヘッドにおいても、図１に示
す薄膜磁気ヘッドと同様に、コイル層２７は、下部コア
層３３よりも後方（ハイト方向）に形成されており、特
に、磁気抵抗効果素子層２２上に形成された下部コア層
３３が、第１の磁性材料層３１方向に垂直に屈曲して形
成されていることにより前記下部コア層３３と第１のギ
ャップ層２３との間に段差が形成されており、この段差
内にコイル層２７が形成されている。このため、前記コ
イル層２７上に形成された第２の絶縁層２８は、下部コ
ア層２４上に形成された第２のギャップ層２５表面Ｓの
位置から、わずかにｔ２だけ盛り上がった状態で形成さ
れているか、あるいは前記第２のギャップ層２５表面Ｓ
とほぼ同じ高さで前記第２の絶縁層２８が形成されてお
り、従来の薄膜磁気ヘッドに比べ、前記第２の絶縁層２
８の盛り上がりを抑えることが可能となっている。
【００４４】従って本発明では、上部コア層２９を形成
する際に使用される、前記下部コア層３３上に形成され
た第２のギャップ層２５上から第２の絶縁層２８上にか
けて形成されるレジスト層を、ほぼ一定の膜厚で薄く形
成することが可能である。このため、本発明では露光現
像の際における焦点深度を浅くして、解像度を上げるこ
とができ、またフォーカスが異なることによる乱反射が
起こりにくく、特に細長形状で幅寸法がトラック幅Ｔｗ
となっている上部コア層２９の先端部２９ａを所定形状
で適正に形成することができ、狭トラック化に対応でき
るものとなっている。
【００４５】また図２に示す薄膜磁気ヘッドでは、下部
シールド層３０と、第１の磁性材料層３１の材質を変え
ることができ、特に前記第１の磁性材料層３１は、高飽
和磁束密度または／及び高比抵抗を有する磁性材料で形
成されていることが好ましく、例えばＦｅ50Ｎｉ50合
金、ＦｅＣｏＮｉ合金などを例示できる。これは、コイ
ル層２７に記録電流が与えられると、上部コア層２９、
第１の磁性材料層３１、及び下部コア層３３に磁路が形
成され、前記第１の磁性材料層３１は、インダクティブ
ヘッドのコア層としてのみ機能するからである。これに
対し下部コア層３３も、インダクティブヘッドのコア層
として機能するが、再生用ヘッドの上部シールド層とし
ても機能しており、従って、従来と同じようにＮｉＦｅ
合金などで形成されていることが好ましい。
【００４６】また図２に示す磁気ヘッドでは、下部シー
ルド層３０と第１の磁性材料層３１を切り離して形成し
ていることで、書き込み時に形成される磁路の影響を、
前記下部シールド層３０が受けることはなく、従って前
記下部シールド層３０の磁区が乱されず、シールド機能
を向上させることができる。なお図２に示す薄膜磁気ヘ
ッドでは、コイル層２７が１段構造で形成されているが
２段構造で形成されていてもよい。
【００４７】図３は、本発明における第３の実施形態の
薄膜磁気ヘッドの構造を示す縦断面図である。図３に示
すように、この薄膜磁気ヘッドでは、図２に示す薄膜磁
気ヘッドと同様に、下部シールド層３０が長さ寸法Ｌ１
で形成され、前記下部シールド層３０の後方に長さ寸法
Ｌ２を有するＡｌ2Ｏ3などの非磁性材料で形成された非
磁性材料層３２が形成されている。さらに前記非磁性材
料層３２の後方には、第１の磁性材料層３１が形成され
ている。また下部コア層３３は、第１の磁性材料層３１
から垂直方向に延び、磁気抵抗効果素子層２２上の第１
のギャップ層２３上にまで形成されている。
【００４８】この実施例においては、コイル層４０が２
段構造で形成されており、前記コイル層４０を覆う有機
材料などの第２の絶縁層４１は、下部コア層３３上の第
２のギャップ層２５表面Ｓから、ｔ４だけ盛り上がった
状態で形成されている。前記コイル層４０が２段構造で
形成されていることで、ギャップ層２５表面Ｓから盛り
上がる高さｔ４は、図１または図２に示す高さｔ２に比
べて大きくなる。しかし、本発明においては、図３に示
すように、コイル層４０を、下部コア層３３の後方に形
成し、さらに、前記コイル層４０を、前記下部コア層３
３と第１のギャップ層２３とで形成される段差内から形
成しており、従って、図１１に示す従来の薄膜磁気ヘッ
ドの場合に比べて、コイル層４０上の第２の絶縁層４１
の盛り上がりを抑えることができ、上部コア層２９の特
に先端部２９ａを、所定の細長形状で形成でき、狭トラ
ック化に対応できるものとなっている。またコイル層４
０を２段構造で形成することで、書き込み時にコアに形
成される磁路を短くでき、書き込み効率の向上及びイン
ダクタンスの低減を実現できる。
【００４９】また図３に示す薄膜磁気ヘッドでは、上部
コア層２９の基端部２９ｂにおいて、前記上部コア層２
９と第１の磁性材料層３１との間に、第２の磁性材料層
４２が形成されている。この第２の磁性材料層４２は、
下部コア層３３と同じ材質で形成される方が製造工程を
簡略化できて好ましい。ただ、前記第２の磁性材料層４
２は、書き込み用のコアとしてのみ機能する層であり、
下部コア層３３のようにシールド機能を有しない。この
ため、前記第２の磁性材料層４２は、高飽和磁束密度及
び／または高比抵抗を有する例えばＦｅ 50Ｎｉ50合金
や、ＦｅＣｏＮｉ合金などの磁性材料によって形成され
ていることが好ましい。
【００５０】図３に示す薄膜磁気ヘッドでは、前記コイ
ル層４０に記録電流が与えられると、上部コア層２９、
第２の磁性材料層４２、第１の磁性材料層３１、及び下
部コア層３３を通る磁路が形成される。
【００５１】次に本発明における薄膜磁気ヘッドの製造
方法について図４から図１０を参照しながら説明する。
なお以下では図２または図３に示すような、下部シール
ド層３０の後方に第１の磁性材料層３１が形成された薄
膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。
【００５２】まず図４に示すように基板２０上に、Ｎｉ
Ｆｅ合金などの磁性材料で形成された下地層５０を形成
する。前記下地層５０上にレジスト層を塗布し、露光現
像することにより、前記下地層５０上に矩形状のレジス
ト層５１，５２を形成する。なお、前記レジスト層５
１，５２の間隔はＬ１である。
【００５３】次に、前記レジスト層５１，５２が形成さ
れていない間隔Ｌ１の下地層５０上に、ＮｉＦｅ合金な
どの下部シールド層３０をメッキ形成する。なお、上記
のように、下地層の形成、レジスト層の形成、露光現
像、及びメッキ形成の順で行われる製法は、フレームメ
ッキ法と呼ばれている。
【００５４】次に図５に示すように、前記下部シールド
層３０上、及び下地層５０上に、レジスト層を形成し、
露光現像することにより、前記下部シールド層３０上に
矩形状のレジスト層５３を形成し、さらに、前記レジス
ト層５３に一定の間隔を空けて、矩形状のレジスト層５
４を下地層５０上に形成する。
【００５５】そして前記レジスト層５３，５４間のレジ
スト層が形成されていない下地層５０上に、磁性材料、
好ましくは、高飽和磁束密度及び／または高比抵抗を有
する磁性材料によって第１の磁性材料層３１をメッキ形
成する。
【００５６】なお図５に示すように、前記下部シールド
層３０と、第１の磁性材料層３１との間には、一定の間
隔Ｌ２が空くように、前記下部シールド層３０上にレジ
スト層５３を形成する必要性がある。後述するように、
この間隔Ｌ２には非磁性材料層３２が形成される。
【００５７】次に、図６に示すように、図５に示すレジ
スト層５３，５４を除去し、さらにイオンミリングによ
って、前記レジスト層５３，５４の下に形成されている
下地層５０を除去する。すなわち、前記下地層５０は、
下部シールド層３０及び第１の磁性材料層３１の下にの
み残されることになる。
【００５８】そして図７に示すように、下部シールド層
３０上、及び第１の磁性材料層３１上、さらに基板２０
上に、例えばＡｌ2Ｏ3などの非磁性材料の層５５を形成
し、ＣＭＰアプリケーションによって、非磁性材料の層
５５表面を削り、さらにＢ―Ｂ線まで、下部シールド層
３０表面、及び第１の磁性材料層３１表面を削る。この
工程により、前記下部シールド層３０、第１の磁性材料
層３１の間に、非磁性材料層３２を形成することがで
き、さらに、前記下部シールド層３０、第１の磁性材料
層３１、及び非磁性材料層３２をすべて同じ高さｔ３で
形成することができる。
【００５９】次に、図８に示すように、平坦化された下
部シールド層３０上、非磁性材料層３２上、及び第１の
磁性材料層３１上に第１のギャップ層２３を形成し、さ
らに前記下部シールド層３０上の前記第１のギャップ層
２３上に、磁気抵抗効果素子層２２を形成する。
【００６０】そして、磁気抵抗効果素子層２２上に、レ
ジスト層（図示しない）を形成し、露光現像によって、
前記磁気抵抗効果素子層２２を所定形状にパターン形成
している。本発明では、下部シールド層３０表面、非磁
性材料層３２表面、及び第１の磁性材料層３１表面が平
坦化されているので、前記磁気抵抗効果素子層２２を所
定形状に形成するためのレジスト層を一定の厚さで形成
でき、前記磁気抵抗効果素子層２２のトラック幅Ｔｗを
所定の寸法で形成することが可能である。
【００６１】次に、前記磁気抵抗効果素子層２２よりも
後方（ハイト方向）の第１のギャップ層２３に、前記第
１の磁性材料層３１上まで貫通する穴部２３ａを形成す
る。なお前記穴部２３ａは、垂直方向に形成されている
ことが好ましい。
【００６２】そして、前述したフレームメッキ法によっ
て、前記穴部２３ａから、磁気抵抗効果素子層２２上の
第１のギャップ層２３上にまで延びる下部コア層３３を
形成する。これによって、前記下部コア層３３を、第１
の磁性材料層３１に接して形成できる。
【００６３】次に、前記下部コア層３３上から、前記下
部コア層３３よりも後方の第１のギャップ層２３上に非
磁性材料の第２のギャップ層２５を形成する。
【００６４】さらに、前記下部コア層３３よりも後方の
前記第１のギャップ層２３上に第２のギャップ層２５を
介して、有機材料などの第１の絶縁層２６を形成し、前
記第１の絶縁層２６上にコイル層２７を螺旋状に形成す
る。そして前記コイル層２７上に第２の絶縁層２８を形
成する。
【００６５】次に、上部コア層２９を、下部コア層３３
上の第２のギャップ層２５上から、前記コイル層２７上
の第２の絶縁層２８にかけてフレームメッキ法によって
形成する。まず図８に示すように、下部コア層３３上の
第２のギャップ層２５上から、前記コイル層２７上の第
２の絶縁層２８にかけて、ＮｉＦｅ合金などの磁性材料
の下地層５６を形成する。そして前記下地層５６上にレ
ジスト層５７を形成する。
【００６６】本発明では、下部コア層３３を、垂直方向
に屈曲させ、第１の磁性材料層３１に接して形成してお
り、前記下部コア層３３の後方にコイル層２７を形成し
ている。また図８に示すように、前記コイル層２７を、
下部コア層３３よりも低い位置に形成されている第１の
ギャップ層２３上に形成していることで、前記コイル層
２７上に形成されている第２の絶縁層２８の盛り上がり
を、下部コア層３３上のギャップ層２５表面から、わず
かにｔ２だけ高い位置で抑えることができ、従って、前
記下部コア層３３上の第２のギャップ層２５上から、前
記コイル層２７上の第２の絶縁層２８にかけて形成され
るレジスト層５７の膜厚をほぼ一定の値で形成すること
が可能となっている。特に、下部コア層３３上の第２の
ギャップ層２５上に形成されるレジスト層５７の膜厚ｔ
５を、第２の絶縁層２８上に形成されるレジスト層５７
の膜厚とほぼ同程度の薄い膜厚で形成できる。
【００６７】次に、図９では、前記レジスト層５７を露
光現像し、上部コア層２９のパターン５８となる部分の
レジスト層５７を除去する。なお図９は平面図である。
図９に示すようにパターン５８の先端部５８ａを細長形
状で形成し、その幅寸法をトラック幅Ｔｗで形成してい
る。本発明では前述のように、レジスト層５７の膜厚を
ほぼ一定の値で形成できるので、特に精密に形成される
必要のある先端部５８ａのパターン５８を適正に形成で
きる。
【００６８】次に、前記パターン５８内に磁性材料の上
部コア層２９をメッキ形成し、残されたレジスト層５７
を除去し、さらに、図１０に示すＡ―Ａ線よりも図示左
側の薄膜積層体を除去すると、本発明における薄膜磁気
ヘッドが完成する。なお上部コア層２９として使用され
る磁性材料は、高飽和磁束密度及び／または高比抵抗を
有する磁性材料であることが好ましい。また上述した製
造方法では、コイル層２７を一段構造で形成している
が、図３に示すコイル層４０のように２段構造で形成し
てもよい。さらに、図３に示すように、上部コア層２９
の基端部２９ｂと第１の磁性材料層３１との間に、第２
の磁性材料層４２を形成してもよい。
【００６９】前記第２の磁性材料層４２の材質が、下部
コア層３３の材質と同じであるときは、前記第２の磁性
材料層４２を下部コア層３３の形成工程時と同じときに
フレームメッキ法で形成することが好ましい。また前記
第２の磁性材料層４２の材質が、下部コア層３３と異な
るときは、図４から図６に示す製造工程を使用して、ま
ず、下部コア層３３をフレームメッキ法で形成したの
ち、前記下部コア層３３上にレジスト層を形成して前記
下部コア層３３を保護して、第２の磁性材料層４２をフ
レームメッキ法で形成する。そしてその後、下部コア層
３３上、第１のギャップ層２３上、及び第２の磁性材料
層４２上に第２のギャップ層２５を形成する。なお、前
記第２の磁性材料層は、高飽和磁束密度及び／または高
比抵抗を有する磁性材料で形成されることが好ましい。
【００７０】以上のように本発明では、下部コア層を、
磁気抵抗効果素子層上から、垂直方向に屈曲させて下部
シールド層上あるいは、前記下部シールド層の後方に形
成された第１の磁性材料層上に形成しており、さらにコ
イル層を前記下部コア層の後方に形成している。このた
め、前記下部コア層の表面に対し、前記コイル層の上に
形成される絶縁層の盛り上がりを小さくすることが可能
となり、上部コア層を形成する際のレジスト層の厚さを
ほぼ一定の膜厚で薄く形成できる。従って前記上部コア
層の特に先端部を所定の形状で形成することが可能であ
り、狭トラック化に対応できる。
【００７１】また本発明では、図２に示すように、下部
シールド層３０の後方に一定の間隔Ｌ２を空けて第１の
磁性材料層を形成してもよく、この場合、前記第１の磁
性材料層３１を、高飽和磁束密度及び／または高比抵抗
を有する磁性材料で形成することが好ましい。さらに本
発明では、図３に示すように、コイル層４０を２段構造
で形成してもよく、また上部コア層２９の基端部２９ｂ
と、第１の磁性材料層３１との間に第２の磁性材料層４
２を形成してもよい。この場合、前記第２の磁性材料層
４２を、高飽和磁束密度及び／または高比抵抗を有する
磁性材料で形成することが好ましい。
【００７２】
【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、下部コア
層を、磁気抵抗効果素子層上から、垂直方向に屈曲させ
て下部シールド層上あるいは、前記下部シールド層の後
方に形成された第１の磁性材料層上に形成しており、さ
らにコイル層を前記下部コア層の後方に形成している。
このため、前記下部コア層の表面に対し、前記コイル層
の上に形成される絶縁層（第２の絶縁層）の盛り上がり
を小さくすることが可能となり、上部コア層を形成する
際のレジスト層の厚さをほぼ一定の膜厚で薄く形成でき
る。従って前記上部コア層の特に先端部を、フレームメ
ッキ法により、所定のトラック幅で形成することが可能
であり、狭トラック化に対応できる。
【００７３】また本発明ではコイル層を２段構造で形成
することが好ましく、コイル層を２段構造で形成して
も、前記コイル層上に形成される絶縁層（第２の絶縁
層）の盛り上がりを従来に比べ充分に小さくすることが
でき、従って上部コア層の特に先端部を所定のトラック
幅で形成でき、狭トラック化に対応できる。またコイル
層を２段構造とすることにより、書き込みの時の磁路を
短くでき、書き込み効率の向上及びインダクタンスの低
減を実現できる。
【００７４】また本発明では、下部シールド層の後方に
第１の磁性材料を形成した場合、及び上部コア層の基端
部と、前記下部シールド層あるいは第１の磁性材料層の
間に第２の磁性材料層を形成した場合には、前記第１の
磁性材料及び第２の磁性材料を、上部コア層と同じく、
高飽和磁束密度及び／または高比抵抗を有する磁性材料
によって形成することが好ましい。
【００７５】また本発明では、下部シールド層及び第１
の磁性材料層の表面を平坦化して形成しており、従って
前記下部シールド層上に形成された磁気抵抗効果素子層
を所定形状にパターン形成する際に使用されるレジスト
層を一定の膜厚で形成でき、前記磁気抵抗効果素子層の
トラック幅を所定の幅寸法で形成できる。
【００７６】さらに、本発明では、下部コア層を垂直に
屈曲して下部シールド層上あるいは第１の磁性材料層上
に形成し、前記下部コア層の後方にコイル層を形成して
いるため、前記コイル層を平坦化された下部シールド層
上あるいは第１の磁性材料層上に形成でき、前記コイル
層を所定の形状で容易に形成することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における第１実施形態の薄膜磁気ヘッド
の構造を示す縦断面図、
【図２】本発明における第２実施形態の薄膜磁気ヘッド
の構造を示す縦断面図、
【図３】本発明における第３実施形態の薄膜磁気ヘッド
の構造を示す縦断面図、
【図４】本発明における薄膜磁気ヘッドの下部シールド
層及び第１の磁性材料層の製造工程を示す縦断面図、
【図５】図４の次に行われる製造工程を示す縦断面図、
【図６】図５の次に行われる製造工程を示す縦断面図、
【図７】図６の次に行われる製造工程を示す縦断面図、
【図８】本発明における薄膜磁気ヘッドの上部コア層の
製造工程を示す縦断面図、
【図９】図８の次に行われる製造工程を示す平面図、
【図１０】図９の次に行われる製造工程を示す縦断面
図、
【図１１】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す縦断面
図、
【図１２】図１１に示す薄膜磁気ヘッドの上部コア層の
一製造工程を示す縦断面図、
【図１３】上部コア層の平面図、
【図１４】他の従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す縦断
面図、
【符号の説明】
２１、３０ 下部シールド層 ２２ 磁気抵抗効果素子層 ２３、２５ ギャップ層 ２４、３３ 下部コア層 ２６、２８ 絶縁層 ２７、４０ コイル層 ２９ 上部コア層 ２９ａ（上部コア層の）先端部 ３１ 第１の磁性材料層 ３２ 非磁性材料層 ４２ 第２の磁性材料層 ５１、５２、５３、５４、５７ レジスト層 ５８ （上部コア層の）パターン Ｔｗ トラック幅
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/31 G11B 5/39

Claims (19)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁性材料の下部シールド層と、前記下部
    シールド層の上に形成された非磁性のＭＲギャップ層
    と、このＭＲギャップ層内にあって記録媒体との対向面
    に臨む磁気抵抗効果素子層と、前記ＭＲギャップ層の上
    に形成された磁性材料製の下部コア層と、前記記録媒体
    との対向面で下部コア層の上に非磁性のギャップ層を介
    して対向する磁性材料の上部コア層と、前記下部コア層
    及び上部コア層に記録磁界を誘導するコイル層と、を有
    する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部コア層は、前記
    記録媒体との対向面に臨む位置から磁気抵抗効果素子層
    の後方まで延びて、前記後方にて下部シールド層の方向
    へ屈曲して前記下部シールド層に磁気的に接しており、
    前記コイル層は前記下部コア層の後端の段差より後退し
    た位置で且つ下部シールド層と上部コア層と間に位置
    し、このコイル層で誘導される磁路が、下部シールド
    層、下部コア層、上部コア層に渡って形成されることを
    特徴とする薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記コイル層の後方で、下部シールド層
    上に第２の磁性材料層が形成され、上部コア層が前記第
    ２の磁性材料層に接している請求項１に記載の薄膜磁気
    ヘッド。
  3. 【請求項３】 磁性材料の下部シールド層と、前記下部
    シールド層の後方に前記下部シールド層と磁気的に分離
    されて形成された第１の磁性材料層と、前記下部シール
    ド層の上に形成された非磁性のＭＲギャップ層と、この
    ＭＲギャップ層内にあって記録媒体との対向面に臨む磁
    気抵抗効果素子層と、前記ＭＲギャップ層の上に形成さ
    れた磁性材料製の下部コア層と、前記記録媒体との対向
    面で下部コア層の上に非磁性のギャップ層を介して対向
    する磁性材料の上部コア層と、前記下部コア層及び上部
    コア層に記録磁界を誘導するコイル層と、を有する薄膜
    磁気ヘッドにおいて、前記下部シールド層と、前記第１
    の磁性材料層の間には非磁性材料層が設けられ、前記下
    部シールド層ならびに第１の磁性材料層及び前記非磁性
    材料層が同じ厚さで形成され、下部シールド層ならびに
    第１の磁性材料層及び前記非磁性材料層の各表面は同一
    面に平坦化されており、前記下部コア層は、前記記録媒
    体との対向面に臨む位置から磁気抵抗効果素子層の後方
    まで延びて、前記後方にて前記第１の磁性材料層の方向
    へ屈曲して前記第１の磁性材料層に磁気的に接してお
    り、前記コイル層は前記下部コア層の後端の段差より後
    退した位置で且つ前記第１の磁性材料層と上部コア層と
    の間に位置し、このコイル層で誘導される磁路が、第１
    の磁性材料層、下部コア層、上部コア層に渡って形成さ
    れることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
  4. 【請求項４】 前記下部シールド層と、第１の磁性材料
    層は異なる磁性材料によって形成されている請求項３に
    記載の薄膜磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】 前記第１の磁性材料層は、下部シールド
    層よりも高い飽和磁束密度の磁性材料によって形成され
    ている請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
  6. 【請求項６】 前記第１の磁性材料層は、下部シールド
    層よりも高い比抵抗の磁性材料によって形成されている
    請求項４または５に記載の薄膜磁気ヘッド。
  7. 【請求項７】 前記コイル層の後方で、第１の磁性材料
    層上に第２の磁性材料層が形成され、上部コア層が前記
    第２の磁性材料層に接している請求項３ないし６のいず
    れかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  8. 【請求項８】 前記第２の磁性材料層は、下部シールド
    層より高い飽和磁束密度の磁性材料によって形成されて
    いる請求項２または７に記載の薄膜磁気ヘッド。
  9. 【請求項９】 前記第２の磁性材料層は、下部シールド
    層より高い比抵抗の磁性材料によって形成されている請
    求項２、７または８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッ
    ド。
  10. 【請求項１０】 前記コイル層は、２段構造で形成さ
    れ、少なくとも下段のコイル層が、前記下部コア層の後
    端の段差よりも後退した位置に形成されている請求項１
    ないし９のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  11. 【請求項１１】 磁性材料の下部シールド層をフレーム
    メッキ法により形成する工程と、 前記下部シールド層の上に第１のギャップ層を形成し、
    さらに前記第１のギャップ層内に記録媒体との対向面に
    臨ませる磁気抵抗効果素子層を形成する工程と、 前記磁気抵抗効果素子層よりも後方において、前記第１
    のギャップ層に、下部シールド層上まで貫通する穴部を
    形成し、フレームメッキ法によって、前記穴部から、磁
    気抵抗効果素子層上まで延びる下部コア層を形成する工
    程と、 前記下部コア層上から、前記下部コア層よりも後方に形
    成されている前記第１のギャップ層上にかけて、非磁性
    材料の第２のギャップ層を形成する工程と、 前記下部コア層よりも後方の第１のギャップ層上に第２
    のギャップ層を介して第１の絶縁層を形成し、前記第１
    の絶縁層上にコイル層を形成する工程と、 前記コイル層上に第２の絶縁層を形成した後、前記下部
    コア層上に形成されたギャップ層上から、前記第２の絶
    縁層上にかけて、フレームメッキ法により上部コア層を
    形成する工程と、 を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  12. 【請求項１２】 第２のギャップ層を形成する工程より
    も前に、コイル層が形成される位置よりも後方の、下部
    シールド層上の第１のギャップ層に穴部を形成し、フレ
    ームメッキ法によって、第２の磁性材料層を形成し、上
    部コアを形成するときにこの上部コアを第２の磁性材料
    層上に接触させて形成する工程を有する請求項１１記載
    の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記第２の磁性材料層を、前記下部シ
    ールド層よりも高い飽和磁束密度を有する磁性材料によ
    って形成する請求項１２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  14. 【請求項１４】 前記第２の磁性材料層を、前記下部シ
    ールド層よりも高い比抵抗を有する磁性材料によって形
    成する請求項１２または１３に記載の薄膜磁気ヘッドの
    製造方法。
  15. 【請求項１５】 磁性材料の下部シールド層およびこの
    下部シールド層よりも後方の第１の磁性材料層をともに
    フレームメッキ法により形成する工程と、 前記下部シールド層とこの下部シールド層よりも後方の
    第１の磁性材料層との間に非磁性材料層を形成し、下部
    シールド層、下部コア層および前記非磁性材料層を同じ
    厚さに研磨して各層の表面を同一面に平坦化する工程
    と、 前記下部シールド層、第１の磁性材料層及び非磁性材料
    層の上に第１のギャップ層を形成し、さらに前記第１の
    ギャップ層内に記録媒体との対向面に臨ませる磁気抵抗
    効果素子層を形成する工程と、 前記磁気抵抗効果素子層よりも後方において、前記第１
    のギャップ層に、第１の磁性材料層上まで貫通する穴部
    を形成し、フレームメッキ法によって、前記穴部から、
    磁気抵抗効果素子層上まで延びる下部コア層を形成する
    工程と、 前記下部コア層上から、前記下部コア層よりも後方に形
    成されている前記第１のギャップ層上にかけて、非磁性
    材料の第２のギャップ層を形成する工程と、 前記下部コア層よりも後方の第１のギャップ層上に第２
    のギャップ層を介して第１の絶縁層を形成し、前記第１
    の絶縁層上にコイル層を形成する工程と、 前記コイル層上に第２の絶縁層を形成した後、前記下部
    コア層上に形成されたギャップ層上から、前記第２の絶
    縁層上にかけて、フレームメッキ法により上部コア層を
    形成する工程と、 を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  16. 【請求項１６】 第２のギャップ層を形成する工程より
    も前に、コイル層が形成される位置よりも後方の、第１
    の磁性材料層上の第１のギャップ層に穴部を形成し、フ
    レームメッキ法によって、第２の磁性材料層を形成し、
    上部コアを形成するときにこの上部コアを第２の磁性材
    料層上に接触させて形成する工程を有する請求項１５に
    記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記第１の磁性材料層及び第２の磁性
    材料層を、前記下部シールド層よりも高い飽和磁束密度
    を有する磁性材料によって形成する請求項１６記載の薄
    膜磁気ヘッドの製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記第１の磁性材料層及び第２の磁性
    材料層を、前記下部シールド層よりも高い比抵抗を有す
    る磁性材料によって形成する請求項１６または１７に記
    載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  19. 【請求項１９】 前記コイル層を２段構造で形成し、少
    なくとも下段のコイル層を前記下部コア層よりも後方に
    形成する請求項１１ないし１８のいずれかに記載の薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
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