JP3361804B2 - Ｃｃｖｄ反応器システム - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本発明は連続化学蒸着反応器、殊にかかる反応器の反
応ガス分布の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】

連続化学蒸着反応器は半導体ウエハが連続的に流れる
スタンド−アロン処理システムとすることができる。か
かるシステムの基本的なサブシステムはウエハ処理、反
応室、ガス流システム、冷却システム、および電気シス
テムを備えることができる。

【０００３】 ウエハ処理システムはウエハローダとアンローダ、ウ
エハキャリア、およびウエハを反応室内を貫いて移動さ
せるトラックを備えることができる。

【０００４】 反応室サブシステムは半導体ウエハを処理する部位で
ある。各室はガス供給入口、室ハウジング、ヒートラン
プおよび排気ガスを備えることができる。

【０００５】 ガス流サブシステムは反応ガスを各室に供給し、バル
ブ、フローコントローラおよび排気システムを備えるこ
とができる。

【０００６】 冷却サブシステムは処理温度を維持する補助をなし、
周囲構成部品に対する熱放射を少なくする。エアフロー
と水流の両方とも冷却サブシステム内で使用することが
できる。

【０００７】 電気サブシステムはサブシステムを制御し反応器に電
力を供給し、電源モータ、センサ、バルブ、および１つ
もしくはそれ以上のコンピュータ／コントローラを備え
ることができる。

【０００８】 基本的反応器と処理は以下の通りである。半導体ウエ
ハをキャリア上に積載し、同キャリアはポートを通って
反応器の一端に進入し逐次各種室内を移動しもう一つの
ポートを通って反応器の他端から出る。反応器は物理的
に閉鎖せずに各端と反応器の各室間にガスシールを備え
る。一例として反応器は８個の反応室を備えることがで
き、そのうち第１室は窒素シールより成り、第２室は予
熱室、次の４室は蒸着室と冷却室であって最後の反応室
は窒素シールである。典型的なガス供給システムは任意
の蒸着室へ向けられる２つの異なる蒸着プロセスに対す
るガスを供給することができる。

【０００９】 各室はウエハキャリアによって頂部と底部の２つの部
分に効果的に分割される。反応室どうしの間の接合部は
反応室からのガスもしくは排気の流れによって各室を互
いに効果的に隔離し、ガス流もしくはシールはガスが反
応室／接合部の界面から逃れないようにするために使用
する。

【００１０】 従来の連続化学蒸着反応器の一例を米国特許第4,048,
955号に見ることができる。

【００１１】 本発明は多室連続化学蒸着反応器とその内部のサブシ
ステムで内部を半導体ウエハが通過し同ウエハにエッチ
ングと種々の蒸着工程を実行するものに関する。

【００１２】 半導体ウエハキャリアが石英反応室内を移動する際の
ウエハキャリアトラックは石英反応室に対する不適当な
摩耗を防止する。また上記トラックはデイバイダーの一
部としても使用され石英反応室を２つの領域、即ち処理
域である半導体キャリア下部の領域と、熱が加熱ランプ
からキャリアへ伝達される領域であるキャリア上部の頂
部領域とに分割する。キャリアもしくはキャリアリッド
は処理中熱を半導体ウエハ上に均等に分布させる際に使
用される。

【００１３】 石英反応室内に使用される処理ガス流と分配システム
は石英反応室に対する優れた処理ガス分布を提供し蒸着
材料が石英反応室上に付着する危険を防止する。ガスが
石英反応室／接合部の界面で漏出することを防止するシ
ールと方法が提供される。

【００１４】 半導体ウエハはロボットアームによりウエハカセット
から取外されキャリア内に配置される。グラファイト、
もしくはシリコンカーバイドでコーテングしたグラファ
イトで構成したキャリアは幾つかの形のうちの一つを選
びウエハの径に応じて一つもしくは３つ以上の半導体ウ
エハを収納することができる。ウエハは石英反応室内に
面を下にしてウエハの処理全部がキャリアの下側から行
えるように配置し、リッドもしくはキャリア自体は半導
体ウエハの上側に配置し処理ガスもしくはその他のガス
がその上側と反応しないようにすると共に処理中に半導
体に対して均一な熱分布を与えるようにする。

【００１５】 半導体ウエハはキャリア内に配置され逐次各種石英反
応室を通って移動し石英反応室端から退出する。半導体
ウエハはキャリア内では反転して配置されリッドが上部
に配置される。上記リッドは白熱電球ヒータからの放射
熱のサセプタとなる。

【００１６】 各室はそれに関連するヒートランプと、ガス入口なら
びに出口、ウエハキャリアが移動するトラックを有す
る。本発明の一実施例では、キャリアの２つの側部上の
丸い溝が丸いトラック上をスライドする。シールはガス
が石英反応室外側の環境へ漏出することを防止すると共
に排気ガスが処理室に進入したり反応ガスが石英反応室
上側に進入したりすることを防止する。またキャリアは
処理ガスがキャリア上部の石英反応室領域へ至る運動を
阻止するためにも使用される。

【００１７】 ガス入口はそらすことによって石英反応室内に均一な
ガス分布を生じさせ石英反応室壁上に材料が不都合に付
着することを防止することができる。

【００１８】 シールは機械的シールもしくは差圧シールとすること
によりガスが石英反応室内の領域に進入したり排気ポー
ト以外の地点で石英反応室から漏出したりすることを防
止することができる。

【００１９】 石英反応室の各室はウエハキャリアにより２つの領域
に分割される。これらの２つの領域はキャリア上部とキ
ャリア下部の領域である。処理ガスはキャリア下方の石
英反応室下部分を通り露出した半導体ウエハ面を横切っ
て流れる。H₂もしくは不活性ガスを石英反応室の上部領
域内へ向け処理ガスが上部領域に進入することを防止し
排気ガスが石英反応室の処理領域に進入することを防止
するために必要とされるガス差圧を提供するようにする
ことができる。

【００２０】 石英反応室どうしの間の接合部は処理ガスもしくは石
英反応室からの排気ガス流によって石英反応室を互いに
効果的に隔離する。各接合部とそれぞれの側の石英反応
室の間の界面はガスが石英反応室が配置された室内へ逃
れることを防止するために界面間にシールを必要とす
る。キャリアトラックは各接合部にトラックを通る開口
を有し使用済み処理ガスを接合部の排気ポートを通って
排気できるようにしている。

【００２１】 入力ガスを分割しおよび（又は）入力ガス流をそらす
と石英反応室内のガス流が円滑化され半導体表面上への
付着と（又は）エッチングが良好になる。同様にして、
中心部排気ポートによって不均等な付着もしくはエッチ
ングをひきおこす虞れのある石英反応室内の対角線状の
ガス流が防止される。

【００２２】 石英反応室内に２つの異なるガスの層流を与えること
によって処理ガスとH₂もしくは不活性ガスは半導体ウエ
ハ下部の石英反応室上への材料の付着を防止できる。

【００２３】 本発明とその対象により表現される技術的進歩は以下
の本発明実施例を図面と請求の範囲に提示する新規な特
徴から明らかとなろう。

【００２４】

【実施例】

図１は本発明の石英反応室のブロック線図である。処
理すべき半導体ウエハをカセット10内に載せる。ロボッ
トアーム11はウエハを上記カセットから取除いて12で石
英反応室に進入するサセプタ／キャリア内に配置した後
複数の処理室14を経て石英反応室端へ移動させそこでウ
エハは復帰路15に進入する。サセプタ内の半導体ウエハ
は復帰路15を経てアンロードステーション18へ移動す
る。アンロードステーション18でウエハはロボットアー
ム16によってサセプタから取除かれ17でカセット内に配
置される。

【００２５】 図２は連続化学蒸着石英反応室のより詳細な図であ
る。複数のウエハカセット20がトラック21aに沿って移
動するロボットアーム21に沿いかつ同アーム21に隣接し
て配置される。上記トラックによってロボットアーム21
は複数のウエハカセットの各々に隣接して移動すること
によってロボットアームが各カセット内の各アームにア
クセスすることが可能になる。ロボットアームはカセッ
トからウエハを持上げそれを石英反応室に対する入口に
おけるキャリア22内に配置する。石英反応室に対する入
口23はシールジョイントで石英反応室内のガスが石英反
応室から出てゆくことを防止する。

【００２６】 入口23で、またキャリアが石英反応室内に進入する前
に真空ピックアップアーム（図示せず）はキャリアから
リッドを持上げてロボットアームが半導体アームをキャ
リア内に配置できるようにする。半導体がキャリア内に
配置された後キャリアリッドは取替えられキャリアは石
英反応室と同石英反応室を構成する複数の石英反応室内
を割送りされる。

【００２７】 キャリアはキャリアの長さと各キャリア間の少なくと
も一つのスペーサを使用して石英反応室と石英反応室内
を割送りされる。

【００２８】 各キャリアが石英反応室内に割送りされるにつれて、
先行するキャリアはそれぞれ次の石英反応室へ移動す
る。割送りは連続的に行われ、キャリアが最後の石英反
応室から退去するにつれて石英反応室の復帰路を通って
石英反応室内に開口した出口へ向かって割送り移動す
る。上記出口においてキャリアのリッドは復帰リッドピ
ックアップ（図示せず）によって取外される。石英反応
室全体を通して延びるトラック33はウエハキャリアを石
英反応室を通って移動させるために使用される。トラッ
ク33上の取付けられたロボットアーム32はキャリアから
半導体ウエハを取除きそれをウエハキャリア36内に配置
する。

【００２９】 石英反応室は複数の石英反応室25に分割される。石英
反応室25は接合部25aにより接続され、上記接合部を経
て処理ガスへ導入され同接合部25aから使用済みガスが
排気される。

【００３０】 各石英反応室上に位置決めされるのはヒータブロック
24で石英反応室を所望温度に加熱するために使用され
る。電球ハウジングを冷却する水は接合部25aと入力26
を通って導入される。

【００３１】 各接合部25aは排気ガスを石英反応室から除去するた
めに少なくとも一つの排気ガス管27を備えている。排気
ガスは焼取り管31を経てガスバーナ30へと向かう。

【００３２】 図３は入力排気ガス流を示す石英反応室と石英反応室
内のサセプタの通路との間の典型的な接合部40を示す。

【００３３】 各接合部は金属製で連続する石英反応室を接続する。
各接合部はエアもしくは水で冷却した壁を有し、冷却媒
体が壁内のダクト43内を流れるようにすることができ
る。各接合部はガスをそれが接続する石英反応室から排
気する。本発明の一例では代わりの接合部を使用して処
理ガスを石英反応室内へ導入する。第２の例では全ての
接合部をガスを石英反応室内へ導入するために使用す
る。

【００３４】 図３に示すように、石英反応室41の上部のガスは入口
51aと51bを通って接合部内へ導入し、開口51cと51dを通
って石英反応室内へ流入する。

【００３５】 処理ガスは接合部ガス入口50aと50bを経て石英反応室
41の下部分内へ導入され、ガスは開口50cと50dを経て石
英反応室内へ流入する。接合部はガス入口と排気ガス出
口用のマニホルドとしての働きを行う。

【００３６】 ガスを石英反応室から排気するために、接合部はガス
の正圧、排気マニホルド内の真空、および排気マニホル
ド内の調節可能ダンパー（図示せず）の組合せを用いて
いる。石英反応室内のガス圧の結果、石英反応室からガ
スが出て接合部と排気口内へ流れることになる。上部排
気口52は排気入口52aと52bを通って排気ガスを受取る。
下部排気出口53は排気入口53aと53bを通って排気ガスを
受取る。

【００３７】 反応が実際に行われる石英反応室41は全体として矩形
の石英反応室である。石英反応室内部はサセプタ44とサ
セプタ46とにより上下部分に分割される。サセプタもし
くはウエハは複数石英反応室と同石英反応室間の各接合
部内をキャリアが割送りされる間に２本の石英ロンドも
しくはチューブ（図３には図示せず）に沿ってスライド
する。

【００３８】 石英反応室内には水晶が使用し、石英反応室の少なく
とも一方側に配置された電球47から熱を伝達するように
する。上記電球はキャリア44内の半導体ウエハ45を所望
反応温度に加熱するために使用される。

【００３９】 半導体ウエハキャリアもしくはサセプタはグラファイ
トもしくはシリコンカーバイドでコーテングしたグラフ
ァイトで作り石英反応室の高温に耐え熱を均一に処理中
のウエハに分布させるようにする。

【００４０】 図４は３つの接合部と接合部の一つから他の２つの接
合部に至るガス流を示したものである。接合部42は図３
に示したものと同一の接合部である。他の２つの接合部
60と70はガス入口のないただの排気ポートでしかない点
で異なっている。処理ガスは接合部内のガス入口50aと5
0b内へ導入される。入口50a内に導入されるガスは石英
反応室を通って半導体76の表面を横切って接合部70内の
排気ポート73から排気される。同様にして接合部42のガ
ス入口50b内へ導入された処理ガスは石英反応室65を通
り、半導体ウエハ66の表面を横切って接合部60の排気ポ
ート63から排気される。入口51aと51bを通って接合部42
内に導入されたガスもまたそれぞれの石英反応室75と65
を通って流れる。石英反応室75を貫流するガスは接合部
70内の排気ポート71を通って排気され石英反応室65内を
流れるガスを接合部60内の排気ポート61を通って排気さ
れる。石英反応室内を流れるガスは石英反応室と排気ポ
ートを貫く矢印によって示される。

【００４１】 図５、図5aおよび図5bは石英反応室接合部におけるガ
ス入口と排気ポートの一例を示したものである。図５は
２つの排気接合部80と１つの入口／排気接合部90の上面
図である。３つの接合部は石英反応室96,96を接続す
る。接合部80は石英反応室95に接続される排気接合部で
あって２つの排気ポート81aと81bを有する。

【００４２】 接合部94は４個のガス入口を有するがそのうち２つ
（94aと97a）だけを図５の上面図に示してある。接合部
90は石英反応室95と96の両方にとってのガス入口接合部
であるから４つの入口が存在することになる。ガス入口
97aとガス入口（図示せず）の入口ガスは反応処理ガス
を石英反応室へ供給し、ガス入口94aと94b（図5b）は処
理ガスを石英反応室96へ供給する。処理ガスは石英反応
室内を流れ、排気接合部80内の排気ポート81aと81b内を
通って排気される。

【００４３】 図5bはガス入力接合部90のガス入口の断面図である。
接合部90は開口91の各側に２列のガス入口92と93を有す
る。開口91はウエハが幾つかの石英反応室内を移動する
時に半導体キャリアが通過する開口である。半導体キャ
リア（図示せず）は石英反応室を上部と下部処理部分と
の２つの部分に分割する。入口92は半導体キャリア下部
に処理ガスを導入し、半導体ウエハが石英反応室内で処
理面を下にして運ばれるためにガスを半導体ウエハの表
面を横切って均一に分布させるために均一な間隔をおい
ている。入口94aはキャリア上部の石英反応室内に不活
性ガスを導入する。同ガスは入口94bを通って導入され
た処理ガスよりも若干大きな圧力をもち、処理ガスを石
英反応室の下部処理部分に含むことに資するようにして
ある。

【００４４】 図5aは排気出口82と83を示す。排気出口83は石英反応
室の下部分から処理ガスを排気し、出口82は石英反応室
の上部から不活性ガスを排気する。

【００４５】 ガスを石英反応室内へ高速で入力するとガスが石英反
応室全体に不均一に分布することがある。石英反応室の
下部処理領域のガス流線図である図６は入口ＡとＢ間に
再循環渦を惹起する高速のベンチュリ効果を示したもの
である。圧力とガス流はガス入口Ｉからの距離が大きく
なるにつれてガス入口Ｃ〜Ｅで減少する。同時に、測部
排気ポートは石英反応室を対角線状に横切るガス流をつ
くりだす。

【００４６】 図７は図６の如く測部ガス入力を使用する石英反応室
であるが中心部排気ポートを有するものにおけるガス流
を示す。中心排気ポートは対角線状のフローバイアスを
取除くが、入口ＡとＢ間および入口Ａ〜Ｆからの流れ勾
配間には更に再循環渦が存在し、大半の処理ガスを一方
側、例えば入口Ａ−Ｃを通って流すことになる。

【００４７】 図８は２つの入口I₁とI₂にガス入口Ｉが分割され中心
排気ポートが使用される場合の石英反応室内のガス流を
示したものである。２個のガス入口によってガスがガス
入口Ａの間をＦを通って石英反応室へ至るプレナムＰ内
に均一に分布され、上記ガスは均一な速度と処理室全体
にわたる均一な分布状態を有する。

【００４８】 図９は石英反応室内の流れを円滑化するためのバッフ
ルとシャッタ系を示す。接合部100は半導体103を担うキ
ャリア102により包囲された石英反応室101と反応部分の
ガス入口接合部である。ガスは入口104の接合部100内に
導入される。ガス室105は互いに偏位した２つのバッフ
ル106と107を有することによってガスの直線状の貫流路
が存在しないようになっている。

【００４９】 ガスはガス室105を出てガス出口室もしくはプレナム1
09に至る通路に進入する。石英反応室は接合部を横切っ
て延びる連続室であるか図６〜８に示すような一連の小
さな出口であってもよい。石英反応室に至るガス出口11
1はガス圧／速度に応じて調節可能なシャッタ110を有す
る。シャッタ110を調節することによって石英反応室を
横切る均一なガス流を提供し、渦と対角線状のガス流を
取除く。

【００５０】 図10は２つの石英反応室115と116を接続する２個の排
気接合部112と114と処理ガス入力接合部113の上面図で
ある。ガス入力接合部と排気接合部は中心入力出力ポー
トを有する。

【００５１】 図10bはガスを石英反応室115と116の反応部分へ供給
するガス入力ポート119と120を有するガス入力接合部11
3を示す。両ポートともガスを内部ガス出口123,124に供
給するバッフル121と122を有する。バッフル121と122は
図８と図９においてバッフルの機能を果し石英反応室全
体に均一なガス分布を提供する。このことは図10aに示
す中心排気出口と共にバッフル入力を使用することによ
って達成することができる。排気入口125と126はそれぞ
れ中心排気出口117と118を経て排気される。

【００５２】 処理ガスが蒸着プロセス中に石英反応室の下部を通っ
て流れる時、材料が半導体ウエハ表面上だけでなく石英
反応室底部上にも付着することは異例ではない。このこ
とが望ましくないのはその蓄積が蒸着室を汚染したり各
種の付着材料の過剰な付着をひきおこすからである。図
11は蒸着室底部に材料が付着することを防止するために
ガス入力構造を有するガス入力接合部、２つの石英反応
室、および２つの排気接合部の簡略断面図である。

【００５３】 ガス入力接合部130はガスを石英反応室の上部へ入力
するために２つのガス入口131と132を有する。ガスを石
英反応室の底部もしくは処理部分内へ入力するために４
個の入力ガス入口133,134,135および136が存在する。処
理ガスはガス入口135を通って石英反応室151内へ入力さ
れ矢印137により示す如く石英反応室内を流れる。同時
に、H₂もしくは不活性ガスが入口136を通って入力され
矢印138により示す如く石英反応室151内を流れる。処理
ガスの流れはキャリア145内の半導体145aと平行に行わ
れ所望の材料を半導体表面上に付着させる。同時に、矢
印138で示すような不活性ガスが処理ガスと石英反応室1
51の底部に対して平行に流れる。処理ガスと石英反応室
底部間の不活性ガスの層流は材料が石英反応室底部上に
付着することを防止する。

【００５４】 同様にして、入口133と134内に入力されたガスは矢印
139と140に示すように平行に流れ、材料が石英反応室15
2の底部に付着することを防止する。層流ガスは継続し
てガス入口接合部130の各側の排気接合部125内へ流れ、
２つの平行に流れるガスが２つの排気ポート151と152を
経て退去する。不活性ガスの圧力は処理ガスの圧力より
も若干高く処理ガスの下部方向への流れを妨げるように
なっている。実際のガス入口は図10bに示すようなガス
入口の構造をしており、排気ポートは図10aの如き構造
を有することによって均一に分布したガス流を提供する
ようになっている。

【００５５】 図12は従来技術の石英反応室と半導体キャリアを示
す。石英反応室160はその内部に半導体キャリア161を有
する。同キャリアはレッグ166を有し、半導体ウエハ165
を担っている。キャリアはレッグ166の底部163上を石英
反応室160の底部に沿ってスライドするリッド164を有す
る構造をもっている。キャリア161が石英反応室内で側
部方向に移動するものを妨げるものは何もなく、石英反
応室底部上に付着物が蓄積すると共に石英反応室内のキ
ャリアの移動は妨げられる。

【００５６】 図13は本発明の一例によるキャリアトラックシステム
を示す。２つのトラック172が石英反応室170内に位置決
めされる。キャリア171はトラック172上に載るキャリア
の各端上に円形溝176を有する。この方式の場合、キャ
リアはなめらかにトラックを下方移動し側部方向には移
動できず、ただトラック上を直線状に移動できるだけで
ある。

【００５７】 もし石英反応室170の底部173に付着生成物が蓄積して
もキャリアの移動に対して影響を及ぼさない。キャリア
171は半導体ウエハ175をおおうリッド174を有する。ト
ラック172は立体もしくは図の如く管であって処理ガス
がキャリアの下側を去ることを阻し処理ガスが半導体ウ
エハ175の露出面に隣接するキャリア下の石英反応室領
域に閉込めるようにすることができる。管状トラックは
例えば接着剤の如き任意の所望の手段を各石英反応室の
入口に隣接する諸点で石英反応室に対して溶融させる
か、トラック内の孔を通るボルトによって蒸着室に固定
することができる。トラック172は任意の高温材料とす
ることができるが石英反応室と同じ材料である石英であ
ることが望ましい。

【００５８】 石英反応室の処理領域を石英反応室の他の部分からよ
り良く隔離するために、管状トラック172はトラックの
下側に沿って開口を有することができ、トラック内側に
入る石英反応室の非処理部分からの処理ガスもしくはそ
の他のガスは下記の如く石英反応室−接合部におけるト
ラック内の開口で排気される。

【００５９】 図14は本発明のもう一つの実施例である。石英反応室
180はその内部にトラック182、２個の側部スペーサ183
および中心はり184により構成されたトラックを有す
る。このトラック方式の場合、スペーサ183のために石
英反応室に対して側部方向には移動しないから、トラッ
クは石英反応室180に固定する必要はない。スペーサ183
と中心はり184は石英反応室の全長を延びずに例えば石
英反応室端にだけ配置される。キャリア181はショルダ
ー187に沿うトラック182に沿ってスライドする。キャリ
ア内の偏差181はキャリアがトラック182に対して側部方
向に移動することを防止する。

【００６０】 図15はトラック192と石英反応室190の等角図であり、
キャリア191が管状トラック上にある。トラック192内に
は開口193と193aが存在する。これら開口は処理ガスが
トラック間とキャリア下部から石英反応室間の接合部に
おける排気ポートへ排気できるようになっている。開口
193aはトラック192の底部に沿って延び、開口193aを通
って導入されたガスは石英反応室−接合部の界面の開口
で排気される。

【００６１】 実際には各キャリア間にスペーサが存在することによ
って石英反応室の各種室を通るトラック上にスペーサも
しくは半導体キャリアの何れかが連続的に移動するよう
になっている。（図17参照） 図16は連続化学蒸着石英反応室における石英反応室を
接続する典型的な接合部を示す。石英反応室195は処理
ガスを石英反応室と排気ポート199内に導入し消費され
た処理ガスを排気するために入口200を有する。石英反
応室196の端部は石英反応室に接続されそれと共にガス
シールを形成する。トラック197は接合部内を延び、キ
ャリア198用の連続的なトラックを提供する。

【００６２】 図17は共に接合部201により接続された２個の石英反
応室202と203を示す。接合部201はガス入口208により示
すような処理ガス入力接合部である。また、接合部201
は排気ポート199と、下側のもう一つの排気ポートを有
する。（図示せず、図16参照）。 石英反応室202は接合部200によりもう一つの石英反応
室に接続される。接合部は排気ポート210を有する排気
接合部である。実際には、ガス入力接合部は専用接合部
と交互になっている。

【００６３】 図17に示す石英反応室部分では、各半導体キャリア20
4,206がスペーサ205,207により他のキャリアから隔たっ
ていることが判る。スペーサとキャリアは各キャリアと
隣接スペーサがスタートして石英反応室を通過する時に
半導体キャリアが割送りされるような大きさで構成され
ることによってキャリア内の半導体ウエハが各々の継起
する石英反応室内で心取りされ最後に半導体ウエハが各
石英反応室内で割送りされるようになっている。その
後、図２について述べたような半導体ウエハは取除かれ
る。上記図２で述べたトラック方式は石英反応室底部に
摩耗が存在しないように各半導体ウエハを石英反応室内
で正確に割送りする上で有効であり、その結果各室の寿
命が長くなる。トラック装置を一時石英反応室から除去
することによって石英反応室を清掃することができる。

【００６４】 図18は石英反応室222と接合部223間の界面を可撓性シ
ールでシールする方法を示したものである。可撓性シー
ル220は図４に示すシール48を表わしたものであるが、
ボルト221bにより締付けたクランプ221aにより石英反応
室222のフランジ221に付着させる。シール材の他端はボ
ルト／クランプ組成体224で接合部223に締付ける。シー
ルは任意の可撓性高温材料、例えばシリコーンでよい。
接合部と石英反応室間の界面をシールするこの方法は石
英反応室に僅かな制約にも与えない。弾性材料を使用す
ることによって全方向への運動の自由が可能になり石英
反応室加熱中における取付けと熱膨張による石英反応室
応力を事実上除去することができる。

【００６５】 図19は接合部と石英反応室間の可撓性シールのもう一
つの実施例を示す。可撓性シール226によって接合部229
と石英反応室225間にはシールが形成される。シールの
一端はクランプ組成体228,231および234によって石英反
応室225のフランジ225aに締付けられる。シールはシー
ル230とクランプ部分228と石英反応室フランジ225aクラ
ンプされクランプ部分234をそれらに対して締付けるこ
とによって所定位置に保護される。クランプ部分228と
フランジ225aの間にはクッション／スペーサ227が配置
されることによってクランプが直接石英反応室フランジ
に支えられないようになっている。可撓性シール226は
スクリュークランプ230によって接合部229にクランプさ
れる。

【００６６】 エアベアリング支持体232を用いて石英反応室とその
内部のグラファイトサセプタの重さを支えることができ
る。ポケット229aを接合部229内に設けて組立てと分解
中にクランプフランジをはめこみ、外側クランプボルト
230が取外された後に石英反応室を取外すための隙間を
与えるようになっている。

【００６７】 図20は石英反応室240と接合部243間にガスシースを形
成する方法を示す。石英反応室200は部品241b,241aおよ
びボルト242により構成されるクランプ組成体により石
英反応室243に対して保持される。クランプと石英反応
室間の界面246はハーメチックシールではない。窒素の
ような不活性パージガスが充満ガス内に導入される。窒
素は界面246から流れ出し石英反応室240と接合部243間
の開口247を経て排気ポート248へ至る。シラン、H₂およ
び、HClの如き反応処理ガスが入口245を通って導入され
サセプタ250上の石英反応室内へ流入し排気ポート249を
出て充満排気内へ入る。

【００６８】 また、反応処理ガスも石英反応室を通って石英反応室
の遠端の接合部（図示せず）の排気ガスへ至る。接合部
／石英反応室の界面247内へ導入される不活性ガスの圧
力は入口245内へ導入される反応ガスの圧力よりも大き
いため反応ガスは石英反応室内へ流れることによって反
応ガスから石英反応室外側の環境をシールするようにな
っている。

【００６９】 図20に示す石英反応室外側の環境から反応ガスをシー
ルする方法によって石英反応室を応力の全くない取付け
が可能となると共に普通の石英取付制約によってひきお
こされる石英反応室の破損を小さくする。

【００７０】 図18,19,20は接合部と石英反応室の断面の半分のみを
示す。石英反応室と接合部の典型的な断面図が図４に示
されている。図18,19,20に示した接合部と石英反応室の
下部分は図18,19,20に示すようなガスシールを有するこ
とによってサセプタ下部の石英反応室内へ導入される反
応ガスも不活性ガスと石英反応室内に使用される反応ガ
スの間の差圧によって石英反応室の周囲の環境からシー
ルされるようになっている。

【００７１】 連続化学蒸着石英反応室によって半導体ウエハを処理
する基本的な段階は以下の通りである。半導体ウエハは
その上部に真空装置を有するロボットアームによりウエ
ハ・カセットからピックアップされ方向付け／心取り取
付具内に配置され半導体ウエハの平坦な側を周知の位置
に向ける。その後ロボットアームがウエハをピックアッ
プしてそれをキャリアに移動させる。キャリアリッドは
真空装置により取外され半導体ウエハが処理側を下にし
てキャリア内に配置される。キャリアのリッドは半導体
ウエハ上に取替えられ、キャリアは石英反応室入口へ割
送りされる。各キャリア間にはスペーサが配置されるに
よって各キャリアが石英反応室内へ割送りされることに
つれて各キャリアは適当に石英反応室へ進入し方向づけ
られる。キャリアは石英反応室内にある石英反応室の数
の回数だけ割送りされる。石英反応室から退去した後キ
ャリアは出口へ運ばれそこでキャリアリッドは再び真空
装置により除去され半導体ウエハはその上部に真空リフ
ト機構を有するロボットアームにより取除かれ半導体は
ウエハカセット内に配置される。今や空になったキャリ
アは石英反応室入力へ移動しもう一枚の半導体ウエハを
受取って処理することになる。

【００７２】 図21と図22は半導体ウエハを心取りしウエハの平坦な
辺縁部を発見する装置を示す。上部ローラ260とウエハ
方向づけローラ261を有する５個のローラが存在する。
ウエハの平坦な側に係合する４個のローラ262と２本の
光ファイバケーブル263がある。半導体ウエハ264をロー
ラ260,261上に降ろすことによってウエハ辺縁が上部ロ
ーラ260のテーパ面下をスライドし延伸ローラ262の表面
上に休止するようになる。ローラ261が回転すると、半
導体ウエハが心取りされ回転は半導体の平坦な辺縁がフ
ァイバ光検出器263の端を露出するまで継続することに
なる。この時、ローラの回転がとまり、ローラ262はウ
エハの平坦な側に係合する。ローラ262はばね荷重式で
あるためウエハが回転するにつれてウエハの丸い辺縁が
心取り装置の辺縁方向に向かう位置でローラと係合する
が、装置の平坦な部分がローラ262の位置に回転する
と、ばねによって平坦な辺縁に引き取られることにな
る。ローラ262はスロット（図示せず）内を前後に移動
しウエハを最終的に調節もしくは方向づける。光ファイ
バ端に衝突する光はウエハの平坦な辺縁が光ファイバ26
3とその平坦な辺縁ローラ262の位置にあることを示す。

【００７３】 図22はローラ261により支持されローラ260の間に心取
りされた半導体ウエハを示す。ローラ262は延長位置262
に実線で後退位置に一点鎖線で示してある。光ファイバ
端はウエハの平坦な辺縁部に263で示してある。光ファ
イバ端は第２の光ファイバ位置263bのウエハ下部に一点
鎖線で示してある。

【００７４】 図23と図24はロボットアームの端に使用されるピック
機構であって処理される半導体ウエハを心取り方向づけ
装置へ移動させる。上記機構270はロボットアーム271,2
72の延長部上に可動的に取付けられ、部分272は位置決
めブロックであってその内部にはテーパ状の孔272aを使
用して柱273の円錐部分273aを位置決めするようにして
ある。ピックアップ装置270は２本の柱を備え、その各
々は全体として円錐形にテーパ状とした一端を有する。
２本の柱273は上部プレート271aと低いピックアップ装
置274間に取付けられている。プレート271aはねじ277に
より柱273に固定される。柱は接着されるか、螺刻孔
（図示せず）によってピックアップ装置274に固定され
る。

【００７５】 ピックアップ装置270はその上部に真空源（図示せ
ず）に付属しピックアップ装置274の底面内の真空空胴2
76内に開放する取付具275を有する。ピックアップ装置2
74が真空源をあてて下降し半導体装置278と接触する
と、半導体ウエハ278はピックアップ装置274の底面274a
に対して引上げられ真空が除去もしくは解除されるまで
そこに保持される。半導体素子がピックアップ装置の底
面に対して保持される一方、それは例えば搭載面／カセ
ットから以下の心取り方向付け機構に移動することがで
きる。

【００７６】 図24はウエハに対して応力を置かずに真空をウエハに
対して引上げることによってウエハをピックアップする
ことの可能なウエハのピックアップを示す。従来の石英
反応室方式の場合、半導体ウエハは通常、面を上にして
処理されることによってウエハをウエハの面によってで
はなく辺縁によってピックアップする必要がある。

【００７７】 ロボットアームが下降して半導体ウエハをピックアッ
プすると、ピックアップ装置の底面は半導体ウエハ278
の底部もしくは非処理面と接触する。ロボットアームが
下部方向に鋭角をなしているから、底面274は平行に移
動して半導体ウエハ面と係合することはない。半導体ウ
エハの表面上に過大な圧力を加えることを避け底面全体
274aが半導体表面と接触できるようにするために、柱27
3はアーム271と部品272には固定されない。

【００７８】 柱273のテーパ端273aはロボットアーム部品271と272
内のテーパ孔272内に位置することによってアーム271が
下降し面274aが半導体ウエハの面と接触する時にアーム
274は半導体ウエハに対して圧力を加えずに短距離下部
方向へ移動を継続する。

【００７９】 ピックアップ装置270の運動はアーム271の移動と本質
的に独立しており下面274aが移動を継続することが可能
になり半導体ウエハの面に対して平行になることによっ
て真空が真空キャビテイ276内へ引き込まれ半導体ウエ
ハをピックアップ装置の底部に保持固定するようにな
る。

【００８０】 アーム271が上昇すると、柱273のテーパ部分273aはピ
ックアップ装置をロボットアーム271の端の一定の既知
の位置に位置決めする。従って半導体を公知位置に位置
決めする。ピックアップ装置のこの正確な位置決めは後
で半導体ウエハを適当に方向づける上で重要である。

【００８１】 上記では２本のテーパ状柱273を有するピックアップ
装置を示したが一本の柱もしくは例えば３本の柱を使用
してもよい。柱がテーパ状である限り、正確な位置決め
が行われるであろう。

【００８２】 図25aと図25bは本発明に使用される半導体キャリアと
リッドを描いたものであるが、他の設計のキャリアを使
用してもよい。半導体キャリア280はその内部に開口281
を有しその内部には半導体ウエハが配置される。ウエハ
はウエハを割送りもしくは延伸させる一つの平坦な辺縁
を有する。また開口281は半導体ウエハの平坦な辺縁と
整合する平坦な側部283も有している。半導体ウエハの
平坦なキャリアウエハ開口の平坦部と整合するようにウ
エハを延伸する必要がある。

【００８３】 半導体支持領域284は開口281の底部の側部から突出す
ることによって半導体を開口内に保持し、ウエハの処理
側であるウエハの下側を最大限露出させる。場合によれ
ば小さなタブが開口281の底側から延びることによって
半導体ウエハを支持するようにしてもよい。

【００８４】 キャリア280の上部は上面286と下面288を有する。下
面248はキャリア120の上面の大半をおおい、キャリア表
面の一部を切削することによってリッド289用の開口を
形成することによって形成される。キャリアの各端はキ
ャリアを石英反応室（図示せず）内のトラックに沿って
キャリアを移動させるためのガイドとしての働きを行う
丸い凹所282を有している。

【００８５】 リッド289は処理中にウエハの“上”側もしくは後側
におおい処理中に半導体ウエハに熱を分布させるために
使用される。リッドの傾斜端287はキャリアの傾斜移行
部と整合する。

【００８６】 図26aと図26b図は石英反応室上に位置決めされた加熱
電球組成体の断面図である。ランプ組成体はハウジング
302とフード302aを備えている。反射マニホルドは冷却
水を組成体内に入力するために使用される。電球307は
絶縁体3030内を電球ハウジング外側の一点にまで延びる
バスバー300に取付けられたワイヤ307aによって各端上
に取付けられる。絶縁体304と保持材305は石英シールド
306を電球と石英反応室間の電球上に保持する。電球ハ
ウジング302の２つの側部上には２個のエア偏向器308が
存在し、冷却のため気流の電球ハウジング内へ向ける。

【００８７】 石英反応室は石英ハウジングとその上部をキャリア31
0が石英反応室内を移動するトラックより基本的に構成
される加熱組成体下方に配置される。加熱組成体からの
熱は石英反応室とキャリア4310内の半導体素子（図示せ
ず）を所望の処理温度に加熱する。キャリア310はトラ
ック311上の各種石英反応室内を割送りされる。例えば
エッチングもしくは蒸着工程が行われる各石英反応室に
は一個の加熱電球組成体が存在する。

【００８８】 以上の記載に関連して以下の各項を開示する。

【００８９】 1.石英反応室どうしの間に接合部を有する連続化学蒸着
反応器と共に使用される処理ガス入力および排気構造で
石英反応室の一端上の接合部がガス入力接合であって上
記石英反応室の他端上の接合部が排気接合部であるもの
において、 単一の入力オリフィスを有するガス入力接合内のガス
・プレナムと、ガスを石英反応室内へ分布させる複数の
オリフィスであって上記単一の入力オリフィスに対向す
るプレナム側に配置され上記入力オリフィスから等量ガ
スを受取るように位置決めされたものと、 上記入力接合部に対向する石英反応室端に配置された
排気接合部内の排気ポートで上記排気接合部に隣接する
石英反応室に対して中心部に配置されるものと、から成
る前記構造。

【００９０】 2.上記ガス入力オリフィスがガスが上記ガス・プレナム
内の隔った位置に供給する分割出力を有する１項記載の
処理ガス入力および排気ポート構造。

【００９１】 3.ガス入口とオリフィス間にガスを石英反応室内へ分布
させるためのバッフル室を備える１項記載の処理ガス入
口と排気ガス孔構造。

【００９２】 4.石英反応室どうしの間に接合部を有する連続化学蒸着
反応器と共に使用される処理ガス入口および排気ポート
構造で石英反応室の一端の接合部がガス入口接合部で石
英反応室他端の接合部が排気接合部であるものにおい
て、 それぞれが単一の入力オリフィスを有するガス入力接
合部内の少なくとも２つのガス・プレナムと、 ２つのプレナムの各々における、ガスを一つがガス入
力接合部の各側にある２つの石英反応室内へ分布させる
ための複数オリフィスで、各プレナム内の上記複数のオ
リフィスが当該プレナム用の単一入力オリフィスから隔
たり上記入力オリフィスから等量のガスを受取るように
位置決めされたものと、上記入力接合部に対向する石英
反応室端に配置された排気接合部内の排気ポートで上記
排気接合部に隣接した石英反応室端に対して中心部に配
置されたものと、 を備える前記構造。

【００９３】 5.石英反応室どうしの間に接合部を有する連続化学蒸着
反応器と共に使用される処理ガス入口および排気ポート
構造であって石英反応室の一端上の接合部がガス入力接
合部で石英反応室他端上の接合部が排気接合部であるも
のにおいて、 処理ガスを半導体ウエハを処理するために石英反応室
内に導入する上記入力接合部からの第１のガス入口と、 上記第１のガス入口から隔たって石英反応室内の上記
第１と第２のガス入口から層流ガスを提供する上記入力
接合部からの第２のガス入口と、 を備える前記構造。

【００９４】 6.半導体ウエハが面を下にして石英反応室の中心領域を
通って移動し、処理ガスがウエハ面を処理するためにウ
エハ下方に導入され、第２のガスが処理ガス下部に導入
されて反応壁上に処理ガス内に担われた材料が付着する
ことを防止するようにした第５項記載の処理ガス入口お
よび排気ポート構造。

【００９５】 7.処理ガスを石英反応室どうしの間に接合部を有する連
続化学蒸着反応器内へ導入し排気する方法で石英反応室
の一端上の接合部がガス入力接合部で石英反応室他端上
の接合部が排気接合部であるものにおいて、 ガスをガス入力接合部内のガス・プレナム内に導入し
ガスが石英反応室内に均一に流れるようにし、処理ガス
を排気接合部内の中心排気ポートを経て排気する、 段階より成る前記方法。

【００９６】 8.石英反応室が石英反応室接合部に付属される大気から
化学反応室をシールするシールにおいて、 可撓性ダイアフラムと、その上部にフランジを有する
可撓性ダイアフラムの第１端を石英反応室にクランプす
る第１のクランプと、可撓性ダイアフラムの第２端を石
英反応室接合部へクランプする第２のクランプとを備え
る前記シール。

【００９７】 9.石英反応室が石英反応室大気へ取付けられる大気から
化学反応室をシールするシールにおいて、 シリコン材料の可撓性の成形ダイアフラムと、その上
部にフランジを有し、可撓性ダイアフラムの第１端を石
英反応室へクランプする第１のクランプと、可撓性ダイ
アフラムの第２端を石英反応室接合部にクランプする第
２のクランプと、 から成る前記シール。

【００９８】 10.石英反応室が石英反応室接合部に取付けられる界面
に至る化学反応室からの反応ガス流を防止するシールに
おいて、 反応ガスを所望ガス圧で石英反応室内へ導入する第１
のガス入口と、 第２のガスを第１のガス入口と上記界面間の石英反応
室／石英反応室接合部界面内へ導入するために位置決め
された第２のガス入口と、 を備え、上記第２のガスが上記反応ガスの圧力よりも大
きな圧力で上記界面内へ導入されることによって反応ガ
スが上記界面内へ流入し石英反応室から逃げることを防
止する前記シール。

【００９９】 11.石英反応室が石英反応室接合部に取付けられる界面
における大気に対して反応ガスが化学反応室から流出す
ることを防止するシールにおいて、反応ガスを所望ガス
圧で石英反応室内へ導入するための第１のガス入口と、
第２の不活性ガスを第１のガス入口と上記界面間の石英
反応室／石英反応室接合界面内へ導入するために位置決
めされた第２のガス入口と、 から成り、上記第１のガス入口と第２のガス入口とが石
英反応室接合部内に配置され、上記第２のガスが上記反
応ガスの圧力よりも大きな圧力で上記界面内に導入され
ることによって反応ガスが上記界面内に流入し石英反応
室から逃れることを防止する前記シール。

【０１００】 12.石英反応室内の反応ガスが石英反応室と継起する石
英反応室を接続する接合部間のシール界面を通って大気
へ逃れることを防止する方法において、 第１のガス入口を経て反応ガスを所望圧力で石英反応
室内へ導入し、 第２のガスを第２のガス入口を経て石英反応室と石英
反応室接合部間の非シール界面内へ導入し、上記第２の
ガスが反応ガスよりも高い圧力で導入される前記方法。

【０１０１】 13.石英反応室内の反応ガスが石英反応室と継起する石
英反応室を接続する接合部との間の非シール界面を通っ
て大気へと逃げることを防止する方法において、 反応ガスを第１のガス入口を経て所望圧力で石英反応
室内へ導入し、 第２のガスを第２のガス入口を経て石英反応室と石英
反応室接合部間の非シール界面内へ導入し上記第２のガ
スが反応ガスよりも高い圧力で導入されるようにし、 上記第２のガスの一部と第１のガスの一部を上記第１
のガス入口と第２のガス入口の間に配置された排気ポー
トを経て排気する段階と、 から成る前記方法。

【０１０２】 14.複数の石英反応室と、 石英反応室を共に直列に接続する複数の接合部と、 そのうちの一つが石英反応室のうち選択した一つの上
に存在する複数の加熱組成体と、 半導体ウエハを石英反応室を経で移動させる複数の半
導体キャリアと、 上記複数の接合部と石英反応室を通って延び、その上
部で半導体ウエハキャリアが石英反応室内をガイドされ
る連続トラックと、 から成る連続化学蒸着反応器。

【０１０３】 15.複数の石英反応室と、 石英反応室を直列に接続しガスを各石英反応室から導
入排気する複数の接合部と、 そのうちの一つが石英反応室の選択した一つの上に存
在する複数の加熱組成体と、 半導体ウエハを石英反応室を通って移動させる複数の
半導体ウエハキャリアと、 半導体を半導体ウエハキャリア内に載せるロボットア
ームと、 上記複数の接合部と石英反応室内に延び、その上部に
半導体ウエハキャリアが石英反応室内をガイドされる連
続トラックと、 から成る連続化学蒸着反応器。

【０１０４】 16.半導体ウエハを反応系を経て搬送する半導体キャリ
ア・トラックシステムにおいて、 一もしくはそれ以上の石英反応室と、 上記半導体ウエハキャリアの２つの側に沿って溝を受
け入れるように隔てられた一対のガイドトラックとの組
合せより成り、上記ガイドトラックが上記一もしくはそ
れ以上の石英反応室内に着脱自在に取付られ 上記半導体キャリアを石英反応室システム内に移動さ
せる 前記システム。

【０１０５】 17.半導体ウエハを反応器システムを通って搬送する半
導体キャリア・トラックシステムにおいて、 接合部により接続された２もしくはそれ以上の石英反
応室と、 キャリアの２つの側に沿って溝を有する半導体ウエハ
キャリアと、 上記半導体ウエハキャリアの２つの軸に沿って溝を受
け入れるように隔てられた一対の石英ガイドトラック
と、 から成り、 上記ガイドトラックが上記一もしくはそれ以上の石英
反応室内に着脱自在に取付けられ上記半導体キャリアを
石英反応室システムを通して移動させるようになった前
記システム。

【０１０６】 18.ガイドトラックがその内部に隔った間隔で半導体キ
ャリア下部から処理ガスを排気し半導体キャリア下部の
領域外側のガスを防止する17項記載の組合せ。

【０１０７】 19.石英反応室がガス入口接合部と排気接合部で接合さ
れ、ガイドトラック内に入るガスが接合で排気される17
項記載の組合せ。

【０１０８】 20.半導体化学蒸着反応システムは半導体ウエハを複数
の処理室を有する石英反応室を通って搬送する。ウエハ
カセットをロボットアームがアクセスできるよう配置す
る。ロボットアームはウエハをカセットから持上げそれ
らをトラックに沿って移動するキャリア内に配置する。
接合部は処理室どうしを接続させ処理ガスの導入と排気
を可能にする。包囲体が石英反応室全体を包囲する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 連続化学蒸着反応器の簡略ブロック線図である。

【図２】 本発明の典型的なCCVD反応器図である。

【図３】 接合部により接続された２つの石英反応室の断面図であ
る。

【図４】 接合部間のガス流を示す２つの石英反応室と３つの接合
部の断面図である。

【図５】 反応室接合部により接続された石英反応室の２つの部分
の上面図である。

【図５ａ】 排気接合部の断面図である。

【図５ｂ】 ガス入口接合部の断面図である。

【図６】 側部ガス入口と側部排気ポートを使用する石英反応室内
のガス流図である。

【図７】 側部ガス入口と中心排気ポートを使用する石英反応室内
のガス流図である。

【図８】 ２重バルブガス入口と中心排気ポートを使用した石英反
応室内のガス流図である。

【図９】 シャッタ出口を有する石英反応室内へのバフルガス入口
図である。

【図１０】 石英反応室接合部により接続された石英反応室の２つの
部分のもう一つの例の上面図である。

【図１０ａ】 中央排出口を有する排気接合部の断面図である。

【図１０ｂ】 中央ガス入口を有するガス入口接合部の断面図である。

【図１１】 石英反応室接合部に接続された２つの石英反応室でバッ
フルを使用して付着物が半導体ウエハ下部の石英反応室
上に付着することを防止するようにしたものの側面図で
ある。

【図１２】 石英反応室底部に沿って移動する従来技術のキャリア図
である。

【図１３】 本発明によるトラックシステム図である。

【図１４】 本発明のトラックシステムの第２実施例図である。

【図１５】 管状トラックシステムを示す等角図である。

【図１６】 石英反応室どうしの間の接合部の断面図で管状トラック
上のキャリアを示したものである。

【図１７】 スペーサにより隔離された石英反応室システムにおける
キャリアを示す図である。

【図１８】 石英反応室と２個の石英反応室を接続する接合部との間
に使用される可撓性シールを示す図である。

【図１９】 可撓性シールのもう一つの実施例図である。

【図２０】 ガス流と圧力差を使用する石英反応室と接合部間のシー
ルを示す図である。

【図２１】 ウエハ心取り装置の側面図である。

【図２２】 図21はウエハ心取り装置の上面図である。

【図２３】 半導体ピックアップ装置図である。

【図２４】 図23の半導体ピックアップ装置のもう一つの例解図であ
る。

【図２５ａ】 本発明に使用される半導体キャリアの一例図である。

【図２５ｂ】 本発明に使用される半導体キャリアの一例図である。

【図２６ａ】 石英反応室上の加熱電球組成体の断面図である。

【図２６ｂ】 石英反応室上の加熱電球組成体の断面図である。

【符号の説明】

10……カセット 11,16……ロボットアーム 14……処理室 21a……トラック 24……ヒータブロック 25……石英反応室 25a……接合部 36……ウエハキャリア 44,46……サセプタ 75……半導体 81a,81b……排気ポート

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 ２８７４１８ (32)優先日 昭和63年12月20日(1988．12．20) (33)優先権主張国 米国（ＵＳ） 前置審査 (72)発明者 トーマス エフ ウィルキンソン アメリカ合衆国 テキサス州 75041 ガーランド マクドナルド ドライヴ 1617 (72)発明者 諸井 政幸 茨城県土浦市中貫665‐30 (56)参考文献 特開 昭52−30794（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−31123（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 H01L 21/205 - 21/32

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体ウェハを、反応器システムを通して
   移送するための半導体キャリア及びトラックシステムで
   あって、 一つ以上の反応室と、 前記キャリアの二つの側面に沿って溝を有する半導体ウ
   ェアキャリアと、 前記半導体ウェハキャリアの二つの側面に沿って前記溝
   を受け入れるべく離間して配置された一対のガイドトラ
   ックとの組合せを備え、 前記ガイドトラックは、前記一つ以上の反応室に着脱可
   能に取り付けられかつ前記半導体ウェハキャリアは、前
   記ガイドトラックに沿っで該一つ以上の反応室を通して
   移動可能であり、 前記ガイドトラックは、前記半導体ウェハキャリアの下
   から及び前記半導体ウェハキャリアの下でない前記一つ
   以上の反応室の部分からトラックに入ってくる前記処理
   ガスを排気するための、離間された間隔で開口部を有す
   ることを特徴とする半導体キャリア及びトラックシステ
   ム。
2. 【請求項２】半導体ウェハを、反応器システムを通して
   移送するための半導体キャリア及びトラックシステムで
   あって、 接合部によって接続された二つ以上の石英反応室と、 前記キャリアの二つの側面に沿って溝を有する半導体ウ
   ェハキャリアと、 前記半導体ウェハキャリアの二つの側面に沿って前記溝
   を受け入れるべく離間して配置された一対の石英ガイド
   トラックとの組合せを備え、 前記ガイドトラックは、前記二つ以上の反応室に着脱可
   能に取り付けられかつ前記半導体ウェハキャリアは、前
   記ガイドトラックに沿って該二つ以上の反応室を通して
   移動可能であり、 前記ガイドトラックは、前記半導体ウェハキャリアの下
   から及び前記半導体ウェハキャリアの下でない前記反応
   室の部分から前記処理ガスを排気するための、離間され
   た間隔で開口部を有し、かつ 前記反応室は、ガス注入口接合部及び排気接合部で接続
   され、かつ前記ガイドトラックに入ってくるガスは、前
   記接合部で排気されることを特徴とする半導体キャリア
   及びトラックシステム。