JP3360380B2 - 光ピックアップ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光ディスクへの情報の記
録または再生を行う光ピックアップに関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、光を利用して情報の記録や再生を
行う技術はめざましい進歩を遂げている。あらかじめ記
録媒体に記憶されている音声や文字、画像データを読み
出す再生専用の光学装置（ＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＬＤ）
が普及している。また、コンピュータの２次記憶装置、
リライタブルファイリング装置などに、近年ますますそ
の利用範囲が広がっている。これらの技術的発展を支え
ているものは半導体レーザ技術、光学技術、媒体技術、
信号処理技術などの多くの周辺技術の発展の寄与すると
ころが大きい。今後ますます光ディスク装置はデータ記
憶装置として重要性が増す傾向にある。

【０００３】しかし、ユーザからは光ディスク装置の小
型化が強く望まれており、光ピックアップを小型・軽量
化する試みが行われている。特に光磁気信号によって光
ディスクに記録されている情報を読み出す光ディスク装
置においては装置の小型化、高速アクセス、高密度化が
重要であり、そのためには光ピックアップを小型軽量に
することが必要である。

【０００４】図１２に基づいて、従来の光磁気信号を検
出する光ピックアップの構造を説明する。図において、
１は光源たる半導体レーザチップ１である。２はビーム
スプリッタであって出射光を透過し、戻り光を反射す
る。６は２分の１波長板であって通過する光の偏光方向
を回転させる。７は偏光ビームスプリッタであって、そ
の表面に形成された誘電体膜によって入射光のＳ偏光成
分を反射し、Ｐ偏光成分を透過する。１２は全反射ミラ
ーである。センサ基板１０の所定の位置に第１受光セン
サ１１と第２受光センサ１３とが形成されている。

【０００５】このように構成された従来の光ピックアッ
プの動作について、レーザ光の経路に従って説明する。
半導体レーザチップ１から射出されたレーザ光束は、ビ
ームスプリッタ２を透過し、コリメータレンズ３によっ
て略平行光に変換された後対物レンズ４に入射する。対
物レンズ４に入射した光束は光ディスク盤５に集光す
る。この光ディスク盤５対して情報の記録、再生および
再生信号に基づくフォーカス制御、トラッキングサーボ
制御を行う。

【０００６】光ディスク盤５で反射し対物レンズ４を通
過した戻り光は、コリメータレンズ３を透過することに
よって集束しつつ、ビームスプリッタ２によって光路を
折曲げられ２分の１波長板６を透過する。このとき、戻
り光はその偏光方向を４５度回転させられる。

【０００７】次に、戻り光は偏光ビームスプリッタ７に
入射する。戻り光は偏光ビームスプリッタ７の表面に形
成された誘電体膜によってＳ偏光成分８とＰ偏光成分９
との２つの成分に分けられる。そのうちＳ偏光成分８は
偏光ビームスプリッタ７によってほぼ１００％反射し、
センサ基板１０に形成された第１受光センサ１１に到達
する。一方、Ｐ偏光成分９は偏光ビームスプリッタ７を
ほぼ１００％透過し、全反射ミラー１２によって全反射
した後、第２受光センサ１３に入射する。

【０００８】ここで、光ディスク盤５が対物レンズ４の
焦点位置にあるとすれば、Ｐ偏光成分９がセンサ基板１
０と全反射ミラー１２との間に焦点を結び、かつ第１受
光センサ１１と第２受光センサ１３とに結像するそれぞ
れの集光スポットの大きさが同じになるような位置にセ
ンサ基板１０は配置されている。

【０００９】従って、偏光ビームスプリッタ７によって
Ｓ偏光成分８とＰ偏光成分９はほぼ等光量に分けられて
いるので、光ディスク盤５がデフォーカスな時に第１受
光センサ１１と第２受光センサ１３との集光スポットの
大きさを比較することにより光ディスク盤５の焦点ズレ
の情報を得る。

【００１０】また、光磁気信号は光ディスク盤５上の磁
化の方向によって微妙に変化する偏光面の回転（いわゆ
るカー回転）を起こすので、Ｓ偏光成分８とＰ偏光成分
９の微妙な光量変化に変換して第１受光センサ１１と第
２受光センサ１３とによって差動信号として検出する。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上記従来例のように光
ピックアップを光磁気信号検出用として利用する場合に
は、半導体レーザチップからの射出光と光ディスク盤か
らの戻り光とを分離するためのビームスプリッタと、偏
光面を４５度回転するための２分の１波長板と、Ｓ偏光
成分とＰ偏光成分に分離するための偏光ビームスプリッ
タとを有する構成になっているために部品点数が多く、
小型化が困難であり、安価に生産できないという問題点
があった。

【００１２】本発明は以上の問題点を解決し、小型、軽
量かつ安価な光磁気記録用の光ピックアップを提供する
ことを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明に係る光ピックア
ップは、半導体レーザチップと、概ね台形状の断面を有
するプリズムと、第１から第４までの４個の受光センサ
が形成され、かつ半導体レーザチップとプリズムとがマ
ウントされたセンサ基板とを有する光ピックアップであ
って、概ね台形状の断面を有するプリズムは、センサ基
板にマウントされＰ偏光成分を透過しＳ偏光成分を反射
する偏光分離膜が施された偏光分離部を有する第１面
と、第１面に対して平行に対面し偏光分離部からの反射
光を第１面へ反射する全反射膜を有する第２面と、第１
面に対して鋭角にかつ第２面に対して鈍角に形成され、
かつ半導体レーザチップからの射出光を光ディスク盤へ
反射する反射面と光ディスク盤からの戻り光を回折する
透過型ホログラムとを有する斜面とから構成され、透過
型ホログラムは半導体レーザチップからの射出光の偏光
方向に対して４５゜と１３５゜の角度に回折する２つの
領域からなるホログラムパターンを有する。さらに、偏
光分離部からの反射光は全反射膜と受光センサの中間部
の全反射膜付近に焦点を結ぶようにホログラムと台形状
のプリズムとが配置されている。

【００１４】また、本発明に係る光ピックアップは必要
に応じて、半導体レーザチップと、概ね台形状の断面を
有するプリズムと、概ね長方形状の断面を有する導光部
材と、第１から第４までの４個の受光センサが形成さ
れ、かつ半導体レーザチップとプリズムとがマウントさ
れたセンサ基板とを有する光ピックアップであって、概
ね台形状の断面を有するプリズムはセンサ基板にマウン
トされる第２面と、第２面に対して平行に対面しＰ偏光
成分を透過しＳ偏光成分を反射する偏光分離膜が施され
た偏光分離部を有する第１面と、第１面に対して鋭角に
かつ第２面に対して鈍角に形成され、かつ半導体レーザ
チップからの射出光を光ディスク盤へ反射する反射面と
光ディスク盤からの戻り光を回折する反射型ホログラム
とを有する斜面とから構成され、反射型ホログラムは半
導体レーザチップからの射出光の偏光方向に対して４５
゜と１３５゜の角度に回折する２つの領域からなるホロ
グラムパターンを有し、概ね長方形状の断面を有する導
光部材は、プリズムの第１面に接合される第２面と、第
２面に対して平行に対面し偏光分離部からの透過光をプ
リズムへ反射する全反射膜が形成された第１面とから構
成されている。さらに、偏光分離部からの反射光は全反
射膜と受光センサの中間部の全反射膜付近に焦点を結ぶ
ようにホログラムと台形状のプリズムと長方形状の導光
部材とが配置されている。

【００１５】

【作用】本発明は上記構成により、半導体レーザチップ
と台形状のプリズム、あるいは半導体レーザチップと台
形状のプリズムとこのプリズムに接合された導光部材と
いう簡単な構成で、光磁気のＲＦ再生信号とフォーカス
およびトラッキングのサーボ信号を得ることができる。

【００１６】

【実施例】（第１実施例） 以下に本発明の第１実施例について、図面を参照しなが
ら説明する。図１は本発明の第１実施例における光ピッ
クアップの平面図、図２（Ａ）は図１のＸ−Ｘ線断面
図、図２（Ｂ）は図１のＹ−Ｙ線断面図である。なお、
以後に説明する受光部は図２（Ａ）と図２（Ｂ）とでま
ったく対称なので図２（Ａ）の説明において図２（Ｂ）
に対応する部品の符号を（）に表示して説明の重複を割
愛する。

【００１７】まず、図に基づいて本発明の第１実施例に
おける光ピックアップの構造を説明する。センサ基板１
４にはサブマウント１５を介して半導体レーザチップ１
６がマウントされるとともに第１（３）受光センサ２８
（３３）と第２（４）受光センサ３２（３７）とが所定
の位置に形成されている。さらに、概ね台形状の断面を
有するプリズム１８が所定の位置にマウントされてい
る。プリズム１８は、Ｐ偏光成分を透過しＳ偏光成分を
反射する偏光分離膜が施された偏光分離部２６（２７）
を有しセンサ基板１４に接合される第１面１８ｂと、第
１面１８ｂに対して平行に対面し偏光分離部２６（２
７）からの第１反射光２９（３４）を第１面１８ｂへ反
射する全反射膜３０（３５）を有する第２面１８ｃと、
第１面１８ｂに対して鋭角にかつ第２面１８ｃに対して
鈍角に形成され、さらに半導体レーザチップ１６から射
出されたレーザ光１７を光ディスク盤２１へ反射する反
射面と光ディスク盤２１からの戻り光を回折する透過型
のホログラム２３とを有する斜面１８ａとから構成され
る。光ピックアップと所定の距離を隔てた空間の所定の
位置に対物レンズ２０が配置されている。

【００１８】次に、光の経路に従ってその動作を説明す
る。半導体レーザチップ１６から水平に射出されたレー
ザ光１７はプリズム１８の斜面１８ａによって反射し光
路を曲げられ拡散光１９になる。拡散光１９は対物レン
ズ２０に入射し、対物レンズ２０の集光作用によって光
ディスク盤２１の情報記録面２２に結像される。この情
報記録面２２に対して情報の記録、再生、およびトラッ
キング、フォーカシングに必要な制御信号の読みだしを
行う。

【００１９】情報記録面２２で反射した記録情報を含ん
だ反射光束は対物レンズ２０を再び通過し戻り光に変換
され、プリズム１８の斜面１８ａに入射する。図３は斜
面１８ａに形成されたホログラム２３を表す図である。
斜面１８ａには分割線２３ｃを中心として２つの領域に
ホログラムパターンが描かれた透過型のホログラム２３
が形成されている。戻り光はホログラム２３の分割線２
３ｃを境に２つの回折光に分かれ、戻り光のうちホログ
ラム２３の領域２３ａ（２３ｂ）に入射した光束はホロ
グラム２３によって回折し回折光２４（２５）となる。

【００２０】偏光分離部２６（２７）に入射した回折光
２４（２５）は、偏光分離膜の作用により、回折光２４
（２５）のＰ偏光成分は偏光分離部２６（２７）を透過
し、偏光分離部２６（２７）と接しセンサ基板１４上に
形成されている第１（３）受光センサ２８（３３）に入
射する。また、回折光２４（２５）のＳ偏光成分は偏光
分離部２６（２７）で反射し、第１反射光２９（３４）
となる。

【００２１】第１反射光２９（３４）はプリズム１８の
第２面１８ｃに形成された全反射膜３０（３５）によっ
て反射され第２反射光３１（３６）となり、再び第１面
１８ｂを透過してプリズム１８と接している第２（４）
受光センサ３２（３７）に入射する。

【００２２】また、ホログラム２３の領域２３ａ（２３
ｂ）は回折光２４（２５）が全反射膜３０（３５）のほ
ぼ近辺に焦点を結ぶように配置されている。

【００２３】このとき、図１において、ホログラム２３
に入射する戻り光の偏光状態を矢印で表すような直線偏
光３８とすると、回折光２４（２５）の回折方向が直線
偏光３８の偏光方向に対して４５゜に設定してあるの
で、偏光分離部２６（２７）に入射する回折光２４（２
５）は偏光分離部２６（２７）の偏光分離膜に対してＰ
偏光成分、Ｓ偏光成分が各々約半分になる。

【００２４】図４および図５は光磁気信号の検出原理の
説明図である。図に基づいて詳細に光磁気信号検出原理
を説明する。矢印３８は前述のようにホログラム２３に
入射する直線偏光３８の偏光方向である。ホログラム２
３は偏光面には影響を与えないから、光ディスク盤２１
の情報記録面２２に情報が記録されていなければ（情報
記録面２２が磁化されていなければ）、光ディスク盤２
１からの戻り光である回折光２４（２５）は直線偏光３
８と同じ偏光方向を有する。このような状態の回折光２
４（２５）の偏光方向を、偏光分離部２６（２７）に対
し方位４５゜で入射するように回折光２４（２５）の回
折方向を直線偏光３８の偏光方向に対して４５゜（１３
５゜）に設定する（但し前図から分かるように上記折光
２４と回折光２５の方位は９０゜ずれている）。

【００２５】直線偏光３８は光ディスク盤２１の磁化さ
れた情報ピットで反射すると、磁化の極性と磁化の強さ
によって回転方向は±θｋの範囲で変化する（カー効
果）。いま直線偏光３８の状態から＋θｋ回転した状態
を＋直線偏光３９ａ、−θｋ回転した状態を−直線偏光
３９ｂとする。直線偏光３９ａから直線偏光３９ｂまで
変調された光磁気信号を偏光分離部２６（２７）に入射
させると、第１（３）受光センサ２８（３３）で検出す
るＰ偏光成分は信号４０（４２）のようになり、第２
（４）受光センサ３２（３７）で検出するＳ偏光成分は
信号４１（４３）のようになる。

【００２６】信号４０，４１及び４２，４３をＳ（４
０），Ｓ（４１）及びＳ（４２），Ｓ（４３）とする。
Ｓ（４０）とＳ（４３）またはＳ（４１）とＳ（４２）
とは位相が一致している。そこでまず、同位相であるＳ
（４０）とＳ（４３）とをあるいはＳ（４１）とＳ（４
２）とを和演算しＳ（４０）＋Ｓ（４３）およびＳ（４
１）＋Ｓ（４２）を得る。この和演算したＳ（４０）＋
Ｓ（４３）とＳ（４１）＋Ｓ（４２）とは位相が１８０
゜ずれているので、さらにこの両信号を差動増幅するこ
とによって信号成分は２倍となり同位相成分のノイズが
キャンセルされたＲＦ再生信号を得ることができる。

【００２７】図６はＲＦ信号についての受光センサの形
状と信号検出原理の説明図である。図７はＦＥ信号とＴ
Ｅ信号についての受光センサの形状と信号検出原理の説
明図である。

【００２８】次に、図６および図７を用いて４つの受光
センサの形状と、信号検出原理について説明する。第１
受光センサ２８および第２受光センサ３２は、それぞれ
３つの部分２８ａ，２８ｂ，２８ｃおよび３２ａ，３２
ｂ，３２ｃに分割されている。さらに、第３受光センサ
３３および第４受光センサ３７は、それぞれ３つの部分
３３ａ，３３ｂ，３３ｃおよび３７ａ，３７ｂ，３７ｃ
に分割されている。ここで、第１受光センサ２８および
第２受光センサ３２の各部分２８ａ，２８ｂ，２８ｃお
よび，３２ａ，３２ｂ，３２ｃからの電流を、それぞれ
Ｉ（２８ａ），Ｉ（２８ｂ），Ｉ（２８ｃ）およびＩ
（３２ａ），Ｉ（３２ｂ），Ｉ（３２ｃ）で表す。また
同様に第３受光センサ３３、第２受光センサ３７につい
てその各部分３３ａ，３３ｂ，３３ｃおよび，３７ａ，
３７ｂ，３７ｃからの電流を、それぞれＩ（３３ａ），
Ｉ（３３ｂ），Ｉ（３３ｃ）およびＩ（３７ａ），Ｉ
（３７ｂ），Ｉ（３７ｃ）で表す。

【００２９】まず、ＲＦ再生信号については前述のよう
に図４および図５に示されるような同位相である信号４
０と信号４３とをあるいは信号４１と信号４２とを和演
算してさらにこの和演算した２つの信号を差動増幅する
ことによって得られる。したがって、図６の回路図から
もわかるようにＲＦ信号再生（Ｒ．Ｆ．）は以下の数式
（数１）により得られる様な回路構成になっている。

【００３０】

【数１】

【００３１】またフォーカスエラー信号（Ｆ．Ｅ．）は
図７の回路図からわかるように以下の数式（数２）によ
り得られる様な回路構成になっている。

【００３２】

【数２】

【００３３】いま光ディスク盤２１の情報記録面２２
に、対物レンズ２０の結像スポットが正確に合焦してお
り、この合焦状態における第１受光センサ２８および第
２受光センサ３２上のレーザ光の照射形状を図８（ｂ）
に示されるようにそれぞれ４４ｂ，４５ｂとすると、次
の（数３）になるようにレーザ光の照射強度分布と、受
光センサの位置関係が調整されている。

【００３４】

【数３】

【００３５】次に、光ディスク盤２１と対物レンズ２０
間距離が合焦状態から近接した場合、第１受光センサ２
８および第２受光センサ３２上のレーザ光の照射形状は
図８（ａ）に示されるようにそれぞれ４４ａ，４５ａと
なり、Ｆ．Ｅ．は（数４）の様に変化する。

【００３６】

【数４】

【００３７】逆に、光ディスク盤２１と対物レンズ２０
間距離が合焦状態から離れた場合、第１受光センサ２８
および第２受光センサ３２上のレーザ光の照射形状は図
８（ｃ）に示されるように４４ｃ，４５ｃとなり、Ｆ．
Ｅ．は（数５）の様に変化する。

【００３８】

【数５】

【００３９】以上のようなフォーカスエラー検出方式は
一般にスポットサイズ法として知られている。

【００４０】また、今回の実施例においては第１受光セ
ンサ２８と第２受光センサ３２を用いてフォーカスエラ
ー信号を得ているが、第３受光センサ３３と第４受光セ
ンサ３７を使用して同様な方法で求めることもできる。
この場合フォーカスエラー信号は以下の数式（数６）で
示されるような回路構成で得られる。

【００４１】

【数６】

【００４２】また、トラッキングエラー信号については
ホログラム２３の領域２３ａと領域２３ｂに入射する光
量のバランスを捕らえることにより得られる。これは一
般にプッシュプル法と呼ばれているトラッキングエラー
信号検出方法であり、対物レンズ２０による結像スポッ
トのトラックずれの情報を光ディスク盤２１表面の案内
トラックおよび記録ピットで発生する＋１次回折光と−
１次回折光の光量のバランスを捕らえることにより得る
ものである。したがって、トラッキングエラー信号
（Ｔ．Ｅ．）は図７の回路図からもわかるように以下の
数式（数７）により得られる様な回路構成になってい
る。

【００４３】

【数７】

【００４４】また、ホログラム２３については発光素子
の出射光を光ディスク盤２１に集光する機能を有するパ
ターンを新たに加えることにより、対物レンズ等の非球
面レンズなしで発光素子からの光を光ディスク盤２１へ
集光することができる。

【００４５】（第２実施例） 次に、本発明の第２実施例について、図面を参照しなが
ら説明する。図９は本発明の第２実施例における光ピッ
クアップの平面図、図１０（Ａ）は図９のＸ−Ｘ線断面
図、図１０（Ｂ）は図９のＹ−Ｙ線断面図である。な
お、以後に説明する受光部は図１０（Ａ）と図１０
（Ｂ）とでまったく対称なので図１０（Ａ）の説明にお
いて図１０（Ｂ）に対応する部品の符号を（）に表示し
て説明の重複を割愛する。

【００４６】まず、図に基づいて本発明の第２実施例に
おける光ピックアップの構造を説明する。第１実施例と
の主要な相違点は反射型ホログラムと導光部材の２点で
ある。

【００４７】センサ基板１４にはサブマウント１５を介
して半導体レーザチップ１６がマウントされるとともに
第１（３）受光センサ２８（３３）と第２（４）受光セ
ンサ３２（３７）とが所定の位置に形成されている。さ
らに、概ね台形状の断面を有するプリズム１８が所定の
位置にマウントされている。プリズム１８は、Ｐ偏光成
分を透過しＳ偏光成分を反射する偏光分離膜が施された
偏光分離部２６（２７）を有する第１面１８ｂと、第１
面１８ｂに対して平行に対面しセンサ基板１４に接合さ
れる第２面１８ｃと、第１面１８ｂに対して鋭角にかつ
第２面１８ｃに対して鈍角に形成され、さらに半導体レ
ーザチップ１６から射出されたレーザ光１７を光ディス
ク盤２１へ反射する反射面と光ディスク盤２１からの戻
り光を回折する反射型ホログラム４６とを有する斜面１
８ａとから構成される。

【００４８】概ね長方形状の断面を有する導光部材４７
は、プリズム１８の第１面１８ｂに接合される第２面４
７ｂと、第２面４７ｂに対して平行に対面し偏光分離部
２６（２７）からの透過光をプリズム１８へ反射する全
反射膜４９（５１）が形成された第１面４７ａとから構
成されている。

【００４９】光ピックアップと所定の距離を隔てた空間
の所定の位置に対物レンズ２０が配置されている。

【００５０】次に、光の経路に従ってその動作を説明す
る。半導体レーザチップ１６から水平に射出されたレー
ザ光１７はプリズム１８の斜面１８ａによって反射し光
路を曲げられ拡散光１９になる。拡散光１９は対物レン
ズ２０に入射し、対物レンズの集光作用によって光ディ
スク盤２１の情報記録面２２に結像される。この情報記
録面２２に対して情報の記録、再生、およびトラッキン
グ、フォーカシングに必要な制御信号の読みだしを行
う。

【００５１】情報記録面２２で反射した記録情報を含ん
だ反射光束は対物レンズ２０を再び通過し戻り光に変換
され、プリズム１８の斜面１８ａに入射する。図１１は
斜面１８ａに形成されたホログラム４６を表す図であ
る。斜面１８ａには分割線４６ｃを中心として２つの領
域にホログラムパターンが描かれた反射型のホログラム
４６が形成されている。戻り光はホログラム４６の分割
線４６ｃを境に２つの回折光に分かれ、戻り光のうちホ
ログラム４６の領域４６ａ（４６ｂ）に入射した戻り光
は回折し回折光４８（５０）となる。

【００５２】回折光４８（５０）はさらに偏光分離部２
６（２７）によってＰ偏光成分とＳ偏光成分に分けられ
る。回折光４８（５０）のＳ偏光成分は偏光分離部２６
（２７）で反射し第１（３）受光センサ２８（３３）に
入射する。回折光４８（５０）のＰ偏光成分は偏光分離
部２６（２７）を透過し、導光部材４７の第１面４７ａ
に形成された全反射膜４９（５１）により反射し、さら
に前記プリズム１８を透過して第２（４）受光センサ３
２（３７）に入射する。

【００５３】光磁気信号およびフォーカス、トラッキン
グのサーボ信号の検出は第１受光センサ２８、第２受光
センサ３２および第３受光センサ３３、第４受光センサ
３７を用いて本発明第１実施例と同様な方法で行う。

【００５４】

【発明の効果】第１実施例においてはセンサ基板と半導
体レーザチップと透過型ホログラムを有するプリズムと
のわずか３部品で、また、第２実施例においてはセンサ
基板と半導体レーザチップと反射型ホログラムを有する
プリズムおよび導光部材のわずか４部品で、光ピックア
ップを構成することができた。こうして、本発明によれ
ば簡単な構成で光磁気のＲＦ信号を得ることができるた
め、小型、軽量化されかつ安価に生産できる光磁気記録
用光ピックアップを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例における光ピックアップの
平面図

【図２】（Ａ）図１のＸ−Ｘ線断面図 （Ｂ）図１のＹ−Ｙ線断面図

【図３】斜面に形成されたホログラムを表す図

【図４】光磁気信号の検出原理の説明図

【図５】光磁気信号の検出原理の説明図

【図６】ＲＦ信号についての受光センサの形状と信号検
出原理の説明図

【図７】ＦＥ信号とＴＥ信号についての受光センサの形
状と信号検出原理の説明図

【図８】（Ａ）合焦状態における受光センサのレーザ光
の照射形状を表す図 （Ｂ）近接状態における受光センサのレーザ光の照射形
状を表す図 （Ｃ）離れた状態における受光センサのレーザ光の照射
形状を表す図

【図９】本発明の第２実施例における光ピックアップの
平面図

【図１０】（Ａ）図９のＸ−Ｘ線断面図 （Ｂ）図９のＹ−Ｙ線断面図

【図１１】本発明の第２実施例における斜面に形成され
たホログラムを表す図

【図１２】従来の光ピックアップの構造図

【符号の説明】

１，１６ 半導体レーザチップ ２ ビームスプリッタ ３ コリメータレンズ ６ ２分の１波長板 １０，１４ センサ基板 １８ プリズム ４，２０ 対物レンズ ５，２１ 光ディスク盤 ２３ 透過型ホログラム ２６，２７ 偏光分離部 ２８ 第１受光センサ ３０，３５，４９，５１ 全反射膜 ３２ 第２受光センサ ３３ 第３受光センサ ３７ 第４受光センサ ４６ 反射型ホログラム ４７ 導光部材

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体レーザチップと、概ね台形状の断面
   を有するプリズムと、第１から第４までの４個の受光セ
   ンサが形成され、かつ前記半導体レーザチップと前記プ
   リズムとがマウントされたセンサ基板とを有する光ピッ
   クアップであって、前記プリズムは、前記センサ基板に
   マウントされＰ偏光成分を透過しＳ偏光成分を反射する
   偏光分離膜が施された偏光分離部を有する第１面と、前
   記第１面に対して平行に対面し前記偏光分離部からの反
   射光を前記第１面へ反射する全反射膜を有する第２面
   と、前記第１面に対して鋭角にかつ前記第２面に対して
   鈍角に形成され、かつ前記半導体レーザチップからの射
   出光を光ディスク盤へ反射する反射面と光ディスク盤か
   らの戻り光を回折する透過型ホログラムとを有する斜面
   とから構成され、前記透過型ホログラムは前記半導体レ
   ーザチップからの射出光の偏光方向に対して４５゜と１
   ３５゜の角度に回折する２つの領域からなるホログラム
   パターンを有し、前記偏光分離部からの反射光は前記全
   反射膜と前記受光センサの間の中間部分に焦点を結ぶよ
   うに前記透過型ホログラムと前記プリズムとが配置され
   ていることを特徴とする光ピックアップ。
2. 【請求項２】 半導体レーザチップと、概ね台形状の断
   面を有するプリズムと、概ね長方形状の断面を有する導
   光部材と、第１から第４までの４個の受光センサが形成
   され、かつ前記半導体レーザチップと前記プリズムとが
   マウントされたセンサ基板とを有する光ピックアップで
   あって、前記プリズムは前記センサ基板にマウントされ
   る第２面と、前記第２面に対して平行に対面しＰ偏光成
   分を透過しＳ偏光成分を反射する偏光分離膜が施された
   偏光分離部を有する第１面と、前記第１面に対して鋭角
   にかつ前記第２面に対して鈍角に形成され、かつ前記半
   導体レーザチップからの射出光を光ディスク盤へ反射す
   る反射面と光ディスク盤からの戻り光を回折する反射型
   ホログラムとを有する斜面とから構成され、前記反射型
   ホログラムは前記半導体レーザチップからの射出光の偏
   光方向に対して４５゜と１３５゜の角度に回折する２つ
   の領域からなるホログラムパターンを有し、前記導光部
   材は、前記プリズムの前記第１面に接合される第２面
   と、前記第２面に対して平行に対面し前記偏光分離部か
   らの透過光を前記プリズムへ反射する全反射膜が形成さ
   れた第１面とから構成され、前記偏光分離部からの反射
   光は前記全反射膜と前記受光センサの間の中間部分に焦
   点を結ぶように前記反射型ホログラムと前記プリズムと
   前記導光部材とが配置されていることを特徴とする光ピ
   ックアップ。