JP3352905B2 - Ｘ線回折測定における単結晶試料の結晶傾き角調整方法 - Google Patents
Ｘ線回折測定における単結晶試料の結晶傾き角調整方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、単結晶試料のＸ線
回折測定の際に行われる結晶傾き角調整方法に関し、特
に、調整を正確かつ迅速に行うことができる結晶傾き角
調整方法に関する。
回折測定の際に行われる結晶傾き角調整方法に関し、特
に、調整を正確かつ迅速に行うことができる結晶傾き角
調整方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１は、一般的なＸ線回折測定に用いら
れるＸ線回折装置の構成を示す図である。通常、Ｘ線回
折測定は、試料（ここでは、単結晶試料）１の表面にＸ
線管３が発生させるＸ線を一定方向から入射し、回折線
の強度を計数管５で測定し、その強度を角度θとを求め
るものである。このＸ線回折装置を用いて、ブラッグ条
件を満たす方位付近で単結晶試料１を回転したときの回
折線の強度分布（通常、「ロッキングカーブ」と呼ばれ
る。）を求め、単結晶試料１の構造解析が行われる。
れるＸ線回折装置の構成を示す図である。通常、Ｘ線回
折測定は、試料（ここでは、単結晶試料）１の表面にＸ
線管３が発生させるＸ線を一定方向から入射し、回折線
の強度を計数管５で測定し、その強度を角度θとを求め
るものである。このＸ線回折装置を用いて、ブラッグ条
件を満たす方位付近で単結晶試料１を回転したときの回
折線の強度分布（通常、「ロッキングカーブ」と呼ばれ
る。）を求め、単結晶試料１の構造解析が行われる。
【０００３】このようなＸ線回折測定を行う際には、結
晶傾き角をできるだけ小さくすることが信頼性のあるデ
ータを求めるためには非常に重要である。図２は、図１
に示す単結晶試料１を図中Ａで示す方向から見た図であ
る。この図が示すように、単結晶試料１の表面７と測定
対象の格子面９とは通常一致してはおらず、単結晶試料
１の回転軸（ω軸）に垂直な平面と単結晶試料１の格子
面９の法線ベクトルとは一定の角度（以下、「結晶傾き
角（α）」と呼ぶ。）を有している。従って、格子面９
を正確に解析するためには、この結晶傾き角をできるだ
け小さく、究極的には０とすることが必要である。
晶傾き角をできるだけ小さくすることが信頼性のあるデ
ータを求めるためには非常に重要である。図２は、図１
に示す単結晶試料１を図中Ａで示す方向から見た図であ
る。この図が示すように、単結晶試料１の表面７と測定
対象の格子面９とは通常一致してはおらず、単結晶試料
１の回転軸（ω軸）に垂直な平面と単結晶試料１の格子
面９の法線ベクトルとは一定の角度（以下、「結晶傾き
角（α）」と呼ぶ。）を有している。従って、格子面９
を正確に解析するためには、この結晶傾き角をできるだ
け小さく、究極的には０とすることが必要である。
【０００４】従来、この結晶傾き角の調整方法としては
次に述べる方法が広く知られている。
次に述べる方法が広く知られている。
【０００５】（１）第１の方法 結晶傾き角αを少しずつ、例えば、Δαずつ変化させな
がら、その角度ごとにロッキングカーブを測定する。そ
して、その測定した複数のロッキングカーブのうちピー
ク強度が最大（或いは半値幅が最小）となっているロッ
キングカーブの結晶傾き角αを用いて調整する。
がら、その角度ごとにロッキングカーブを測定する。そ
して、その測定した複数のロッキングカーブのうちピー
ク強度が最大（或いは半値幅が最小）となっているロッ
キングカーブの結晶傾き角αを用いて調整する。
【０００６】（２）第２の方法 試料（ω軸）の回転平面上において試料から適当な距離
だけ離れた位置に受光アパーチャを置き、受光アパーチ
ャの位置に二つの半割りスリット（上半分と下半分）を
設置して交互に用い、上半分スリットを用いた場合と下
半分スリットを用いた場合とで両者のＸ線強度が等しく
なるように調整する。
だけ離れた位置に受光アパーチャを置き、受光アパーチ
ャの位置に二つの半割りスリット（上半分と下半分）を
設置して交互に用い、上半分スリットを用いた場合と下
半分スリットを用いた場合とで両者のＸ線強度が等しく
なるように調整する。
【０００７】（３）第３の方法 上記（１）で述べた第１の方法を改善したものであり、
結晶傾き角αを少しずつ（Δαずつ）変化させながら、
その角度ごとにロッキングカーブを測定する。そして、
測定したロッキングカーブのピーク強度（或いは半値
幅）を結晶傾き角αに対してプロットし、それを適当な
関数曲線にフィッティングし、その曲線の頂点位置に相
当する結晶傾き角αを用いて調整する。
結晶傾き角αを少しずつ（Δαずつ）変化させながら、
その角度ごとにロッキングカーブを測定する。そして、
測定したロッキングカーブのピーク強度（或いは半値
幅）を結晶傾き角αに対してプロットし、それを適当な
関数曲線にフィッティングし、その曲線の頂点位置に相
当する結晶傾き角αを用いて調整する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
結晶傾き角調整方法には次のような不具合があった。
結晶傾き角調整方法には次のような不具合があった。
【０００９】第１の方法においては、極めて多数回のロ
ッキングカーブの測定を行う必要があり、多大な時間を
要するばかりか、調整精度には一定の限界が存在する
（Δα以下の精度を得ることは困難である。）。
ッキングカーブの測定を行う必要があり、多大な時間を
要するばかりか、調整精度には一定の限界が存在する
（Δα以下の精度を得ることは困難である。）。
【００１０】第２の方法においては、受光アパーチャが
正しくω軸の回転平面上にあることが必要であるが、こ
の受光アパーチャの正しい位置（ω軸の回転平面）の決
め方が容易ではない。また、何らかの要因によって受光
アパーチャの位置がずれてしまった場合には正確な結晶
傾き角αを形成することができない。従って、頻繁に受
光アパーチャの位置を確かめる必要がある。さらに、受
光アパーチャの位置に回折Ｘ線が到達するように導く調
整作業、さらにそれらを精密に調整する作業は非常に煩
雑なものである。
正しくω軸の回転平面上にあることが必要であるが、こ
の受光アパーチャの正しい位置（ω軸の回転平面）の決
め方が容易ではない。また、何らかの要因によって受光
アパーチャの位置がずれてしまった場合には正確な結晶
傾き角αを形成することができない。従って、頻繁に受
光アパーチャの位置を確かめる必要がある。さらに、受
光アパーチャの位置に回折Ｘ線が到達するように導く調
整作業、さらにそれらを精密に調整する作業は非常に煩
雑なものである。
【００１１】第３の方法においては、Δαを大きめに採
ると、その調整精度が低下し、逆にΔαを小さめに採る
と調整精度は通常は向上するが、調整の出発時点での結
晶傾き角αが真の値から大幅にずれているような場合に
は、測定に多大な時間がかかってしまう。
ると、その調整精度が低下し、逆にΔαを小さめに採る
と調整精度は通常は向上するが、調整の出発時点での結
晶傾き角αが真の値から大幅にずれているような場合に
は、測定に多大な時間がかかってしまう。
【００１２】本発明は、上記事情に鑑みて成されたもの
であり、その目的は、単結晶試料のＸ線回折測定の際
に、結晶傾き角を正確かつ迅速に調整することのできる
Ｘ線回折測定における単結晶試料の結晶傾き角調整方法
を提供することにある。
であり、その目的は、単結晶試料のＸ線回折測定の際
に、結晶傾き角を正確かつ迅速に調整することのできる
Ｘ線回折測定における単結晶試料の結晶傾き角調整方法
を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の特徴は、単結晶のＸ線回折測定の際
に、単結晶試料の回転軸（ω軸）に垂直な平面と単結晶
格子面の法線ベクトルとがなす結晶傾き角調整方法にお
いて、前記結晶傾き角をΔα1 ずつ変化させ、その変化
ごとに±Δω1 の範囲で、前記ω軸についてスキャンス
ピードｖ1 のロッキングカーブを複数個測定し、該複数
のロッキングカーブそれぞれのピーク強度、半値幅、ピ
ーク位置若しくはピーク角度のうちの一つを結晶傾き角
に対してプロットし、その結果を１個のピーク値を持つ
任意の第１の関数曲線にフィッティングし、該第１の関
数曲線の頂点の位置に相当する結晶傾き角をα1 とする
第１の工程と、前記第１の工程で求めた前記α1 の近傍
で、前記結晶傾き角をΔα2 ずつ変化させ、その変化ご
とに±Δω2 の範囲で、前記ω軸についてスキャンスピ
ードｖ2 のロッキングカーブを複数個測定し、該複数の
ロッキングカーブそれぞれのピーク強度、半値幅、ピー
ク位置若しくはピーク角度のうちの一つを結晶傾き角に
対してプロットし、その結果を１個のピーク値を持つ任
意の第２の関数曲線フィッティングし、該第２の関数曲
線の頂点の位置に相当する結晶傾き角を用いて調整する
第２の工程とを具備し、前記Δα1 、Δα2 、Δω1 、
Δω2、ｖ1 及びｖ2 が、Δα1 ／２０≦Δα2 ≦Δα
1 ／１０、Δω1 ／１０≦Δω2 ≦Δω1 ／４、ｖ1 ／
１０≦ｖ2 ≦ｖ1 ／３を満たすことである。
に、本発明の第１の特徴は、単結晶のＸ線回折測定の際
に、単結晶試料の回転軸（ω軸）に垂直な平面と単結晶
格子面の法線ベクトルとがなす結晶傾き角調整方法にお
いて、前記結晶傾き角をΔα1 ずつ変化させ、その変化
ごとに±Δω1 の範囲で、前記ω軸についてスキャンス
ピードｖ1 のロッキングカーブを複数個測定し、該複数
のロッキングカーブそれぞれのピーク強度、半値幅、ピ
ーク位置若しくはピーク角度のうちの一つを結晶傾き角
に対してプロットし、その結果を１個のピーク値を持つ
任意の第１の関数曲線にフィッティングし、該第１の関
数曲線の頂点の位置に相当する結晶傾き角をα1 とする
第１の工程と、前記第１の工程で求めた前記α1 の近傍
で、前記結晶傾き角をΔα2 ずつ変化させ、その変化ご
とに±Δω2 の範囲で、前記ω軸についてスキャンスピ
ードｖ2 のロッキングカーブを複数個測定し、該複数の
ロッキングカーブそれぞれのピーク強度、半値幅、ピー
ク位置若しくはピーク角度のうちの一つを結晶傾き角に
対してプロットし、その結果を１個のピーク値を持つ任
意の第２の関数曲線フィッティングし、該第２の関数曲
線の頂点の位置に相当する結晶傾き角を用いて調整する
第２の工程とを具備し、前記Δα1 、Δα2 、Δω1 、
Δω2、ｖ1 及びｖ2 が、Δα1 ／２０≦Δα2 ≦Δα
1 ／１０、Δω1 ／１０≦Δω2 ≦Δω1 ／４、ｖ1 ／
１０≦ｖ2 ≦ｖ1 ／３を満たすことである。
【００１４】本発明の第２の特徴は、単結晶のＸ線回折
測定の際に、単結晶試料の回転軸（ω軸）に垂直な平面
と単結晶格子面の法線ベクトルとがなす結晶傾き角調整
方法において、前記結晶傾き角をΔα1 ずつ変化させ、
その変化ごとに±Δω1 の範囲で、前記ω軸についてス
テップ幅Δθ1 、計数時間ｔ1 のステップスキャニング
を行ってロッキングカーブを複数個測定し、該複数のロ
ッキングカーブそれぞれのピーク強度、半値幅、ピーク
位置若しくはピーク角度のうちの一つを結晶傾き角に対
してプロットし、その結果を１個のピーク値を持つ任意
の第１の関数曲線にフィッティングし、該第１の関数曲
線の頂点の位置に相当する結晶傾き角をα1 とする第１
の工程と、前記第１の工程で求めた前記α1 の近傍で、
前記結晶傾き角をΔα2 ずつ変化させ、その変化ごとに
±Δω2 の範囲で、前記ω軸についてステップ幅Δ
θ2 、計数時間ｔ2 のステップスキャニングを行ってロ
ッキングカーブを複数個測定し、該複数のロッキングカ
ーブそれぞれのピーク強度、半値幅、ピーク位置若しく
はピーク角度のうちの一つを結晶傾き角に対してプロッ
トし、その結果を１個のピーク値を持つ任意の第２の関
数曲線にフィッティングし、該第２の関数曲線の頂点の
位置に相当する結晶傾き角を用いて調整する第２の工程
とを具備し、前記Δα1 、Δα2 、Δω1 、Δω2 、Δ
θ1 、ｔ1 、Δθ2 及びｔ2 が、Δα1 ／２０≦Δα2
≦Δα1 ／１０、Δω1 ／１０≦Δω2 ≦Δω1 ／４、
Δθ1 ／５≦Δθ2 ≦Δθ1 ／２、（Δθ1 ／ｔ1 ）／
１０≦（Δθ2 ／ｔ2 ）≦（Δθ1 ／ｔ1 ）／３を満た
すことである。
測定の際に、単結晶試料の回転軸（ω軸）に垂直な平面
と単結晶格子面の法線ベクトルとがなす結晶傾き角調整
方法において、前記結晶傾き角をΔα1 ずつ変化させ、
その変化ごとに±Δω1 の範囲で、前記ω軸についてス
テップ幅Δθ1 、計数時間ｔ1 のステップスキャニング
を行ってロッキングカーブを複数個測定し、該複数のロ
ッキングカーブそれぞれのピーク強度、半値幅、ピーク
位置若しくはピーク角度のうちの一つを結晶傾き角に対
してプロットし、その結果を１個のピーク値を持つ任意
の第１の関数曲線にフィッティングし、該第１の関数曲
線の頂点の位置に相当する結晶傾き角をα1 とする第１
の工程と、前記第１の工程で求めた前記α1 の近傍で、
前記結晶傾き角をΔα2 ずつ変化させ、その変化ごとに
±Δω2 の範囲で、前記ω軸についてステップ幅Δ
θ2 、計数時間ｔ2 のステップスキャニングを行ってロ
ッキングカーブを複数個測定し、該複数のロッキングカ
ーブそれぞれのピーク強度、半値幅、ピーク位置若しく
はピーク角度のうちの一つを結晶傾き角に対してプロッ
トし、その結果を１個のピーク値を持つ任意の第２の関
数曲線にフィッティングし、該第２の関数曲線の頂点の
位置に相当する結晶傾き角を用いて調整する第２の工程
とを具備し、前記Δα1 、Δα2 、Δω1 、Δω2 、Δ
θ1 、ｔ1 、Δθ2 及びｔ2 が、Δα1 ／２０≦Δα2
≦Δα1 ／１０、Δω1 ／１０≦Δω2 ≦Δω1 ／４、
Δθ1 ／５≦Δθ2 ≦Δθ1 ／２、（Δθ1 ／ｔ1 ）／
１０≦（Δθ2 ／ｔ2 ）≦（Δθ1 ／ｔ1 ）／３を満た
すことである。
【００１５】上記構成によれば、調整の出発時点で結晶
傾き角にかなりのずれがあっても膨大な時間、煩雑な操
作を必要とすることなく、容易に正確かつ迅速な結晶傾
き角の調整が可能である。従って、正確なロッキングカ
ーブプロファイルを測定することができ、ロッキングカ
ーブの精密な解析を行うことができる。例えば、ロッキ
ングカーブシミュレーションとの併用においては、結晶
構造の精密な評価ができ、またボンド法等の格子定数測
定において使用すれば、高精度の測定が行える。また、
Ｘ線トポグラフ撮影においては、正確な結晶傾き角の調
整により解像度の良いトポグラフの撮影をすることがで
きる。
傾き角にかなりのずれがあっても膨大な時間、煩雑な操
作を必要とすることなく、容易に正確かつ迅速な結晶傾
き角の調整が可能である。従って、正確なロッキングカ
ーブプロファイルを測定することができ、ロッキングカ
ーブの精密な解析を行うことができる。例えば、ロッキ
ングカーブシミュレーションとの併用においては、結晶
構造の精密な評価ができ、またボンド法等の格子定数測
定において使用すれば、高精度の測定が行える。また、
Ｘ線トポグラフ撮影においては、正確な結晶傾き角の調
整により解像度の良いトポグラフの撮影をすることがで
きる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図１及び図２を参照しつつ説明する。本実施の形態に
係るＸ線回折測定における単結晶試料の結晶傾き角調整
方法は、まず最初に、結晶傾き角αをΔα1 ずつ変化さ
せ、その変化ごとにω軸に対して±Δω1 の角度範囲で
スキャンスピードを毎分ｖ1 （arcsec）としてロッキン
グカーブを複数回測定する。測定した複数のロッキング
カーブについてそれぞれのピーク強度、半値幅若しくは
ピーク位置（角度）のうち一つを結晶傾き角αに対して
プロットする。そして、そのプロットした結果をガウシ
ャン或いはローレンツィアン等の１個のピーク値を持つ
関数曲線にフィッティングする。その関数曲線の頂点の
位置に相当する結晶傾き角αをα1 とする。
て図１及び図２を参照しつつ説明する。本実施の形態に
係るＸ線回折測定における単結晶試料の結晶傾き角調整
方法は、まず最初に、結晶傾き角αをΔα1 ずつ変化さ
せ、その変化ごとにω軸に対して±Δω1 の角度範囲で
スキャンスピードを毎分ｖ1 （arcsec）としてロッキン
グカーブを複数回測定する。測定した複数のロッキング
カーブについてそれぞれのピーク強度、半値幅若しくは
ピーク位置（角度）のうち一つを結晶傾き角αに対して
プロットする。そして、そのプロットした結果をガウシ
ャン或いはローレンツィアン等の１個のピーク値を持つ
関数曲線にフィッティングする。その関数曲線の頂点の
位置に相当する結晶傾き角αをα1 とする。
【００１７】次に、上記で求めたα1 の前後±Δα（Δ
α〜Δα1 ／２）の角度範囲で同様にロッキングカーブ
を複数回測定する。すなわち、結晶傾き角αをΔα
2 （Δα1 ＞Δα2 ）ずつ変化させ、その変化ごとにω
軸に対して±Δω2 の角度範囲でスキャンスピードを毎
分ｖ2 （arcsec）でロッキングカーブを複数回測定す
る。測定した複数のロッキングカーブのピーク強度、半
値幅若しくはピーク位置（角度）のうち一つを結晶傾き
角αに対してプロットする。そして、そのプロットした
結果をガウシャン或いはローレンツィアン等の１個のピ
ーク値を持つ関数曲線にフィッティングする。その関数
曲線の頂点の位置に相当する結晶傾き角αを用いて調整
する。
α〜Δα1 ／２）の角度範囲で同様にロッキングカーブ
を複数回測定する。すなわち、結晶傾き角αをΔα
2 （Δα1 ＞Δα2 ）ずつ変化させ、その変化ごとにω
軸に対して±Δω2 の角度範囲でスキャンスピードを毎
分ｖ2 （arcsec）でロッキングカーブを複数回測定す
る。測定した複数のロッキングカーブのピーク強度、半
値幅若しくはピーク位置（角度）のうち一つを結晶傾き
角αに対してプロットする。そして、そのプロットした
結果をガウシャン或いはローレンツィアン等の１個のピ
ーク値を持つ関数曲線にフィッティングする。その関数
曲線の頂点の位置に相当する結晶傾き角αを用いて調整
する。
【００１８】ここで、本発明の特徴は、上述した調整方
法の際に、下記（１）〜（３）に示す式を満足するよう
に上述した各パラメータ、Δα1 、Δα2 、Δω1 、Δ
ω2、ｖ1 及びｖ2 を設定することにある。
法の際に、下記（１）〜（３）に示す式を満足するよう
に上述した各パラメータ、Δα1 、Δα2 、Δω1 、Δ
ω2、ｖ1 及びｖ2 を設定することにある。
【００１９】（１）Δα1 ／２０≦Δα2 ≦Δα1 ／１
０ （２）Δω1 ／１０≦Δω2 ≦Δω1 ／４ （３）ｖ1 ／１０≦ｖ2 ≦ｖ1 ／３ 本発明者が鋭意研究を行った結果、上述した調整方法を
行う際に、Δα1 、Δα2 、Δω1 、Δω2 、ｖ1 及び
ｖ2 を上記（１）〜（３）に示す式を満足するように設
定すれば、正確かつ迅速に結晶傾き角αを調整すること
ができることを見出だした。従って、本実施の形態に係
る調整方法によれば、調整の出発時点とした結晶傾き角
αが真の値と大幅にずれていた場合であっても、測定時
間の膨大化を招くことなく、結晶傾き角αの調整が可能
となる。
０ （２）Δω1 ／１０≦Δω2 ≦Δω1 ／４ （３）ｖ1 ／１０≦ｖ2 ≦ｖ1 ／３ 本発明者が鋭意研究を行った結果、上述した調整方法を
行う際に、Δα1 、Δα2 、Δω1 、Δω2 、ｖ1 及び
ｖ2 を上記（１）〜（３）に示す式を満足するように設
定すれば、正確かつ迅速に結晶傾き角αを調整すること
ができることを見出だした。従って、本実施の形態に係
る調整方法によれば、調整の出発時点とした結晶傾き角
αが真の値と大幅にずれていた場合であっても、測定時
間の膨大化を招くことなく、結晶傾き角αの調整が可能
となる。
【００２０】また、毎分ｖ1 （arcsec）でωをスキャン
することに換えて、ステップ幅Δθ1 、計数時間ｔ1 の
ステップスキャニングを行ない、毎分ｖ2 （arcsec）で
ωをスキャンすることに換えて、ステップ幅Δθ2 、計
数時間ｔ2 のステップスキャニングを行なう調整方法の
際に、下記（４）〜（７）に示す式を満足するように上
述した各パラメータ、Δα1 、Δα2 、Δω1 、Δ
ω2 、Δθ1 、Δθ2 、ｔ1 及びｔ2 を設定しても、同
様な効果を得ることができる。
することに換えて、ステップ幅Δθ1 、計数時間ｔ1 の
ステップスキャニングを行ない、毎分ｖ2 （arcsec）で
ωをスキャンすることに換えて、ステップ幅Δθ2 、計
数時間ｔ2 のステップスキャニングを行なう調整方法の
際に、下記（４）〜（７）に示す式を満足するように上
述した各パラメータ、Δα1 、Δα2 、Δω1 、Δ
ω2 、Δθ1 、Δθ2 、ｔ1 及びｔ2 を設定しても、同
様な効果を得ることができる。
【００２１】（４）Δα1 ／２０≦Δα2 ≦Δα1 ／１
０ （５）Δω1 ／１０≦Δω2 ≦Δω1 ／４ （６）Δθ1 ／５≦Δθ2 ≦Δθ1 ／２ （７）（Δθ1 ／ｔ1 ）／１０≦（Δθ2 ／ｔ2 ）≦
（Δθ1 ／ｔ1 ）／３
０ （５）Δω1 ／１０≦Δω2 ≦Δω1 ／４ （６）Δθ1 ／５≦Δθ2 ≦Δθ1 ／２ （７）（Δθ1 ／ｔ1 ）／１０≦（Δθ2 ／ｔ2 ）≦
（Δθ1 ／ｔ1 ）／３
【００２２】
【実施例】上述した本発明の実施の形態の実施例を以下
に説明する。
に説明する。
【００２３】（実施例１）面方位（１１１）、比抵抗１
０００（Ω・ｃｍ）の高純度ＦＺ−Ｓｉ単結晶ウェーハ
より１．５×１．５ｃｍの試料を切り出し、化学エッチ
ングにより表面層約１５μｍを除去した後、Ｘ線回折装
置のゴニオメータヘッドに設置した。ＣｕのＫα1 特性
Ｘ線を用い、Ｓｉ（４４４）面に対して、結晶傾き角α
の調整を行った。
０００（Ω・ｃｍ）の高純度ＦＺ−Ｓｉ単結晶ウェーハ
より１．５×１．５ｃｍの試料を切り出し、化学エッチ
ングにより表面層約１５μｍを除去した後、Ｘ線回折装
置のゴニオメータヘッドに設置した。ＣｕのＫα1 特性
Ｘ線を用い、Ｓｉ（４４４）面に対して、結晶傾き角α
の調整を行った。
【００２４】まず、調整の開始状態（α＝α0 ）を仮に
α＝０として、結晶傾き角αをΔα1 ＝０．２°ずつ変
化させ、その変化ごとにロッキングカーブを測定した。
測定はステップ幅Δθ1 ＝１”、Ｘ線計数時間ｔ1 ＝
０．３秒のステップスキャニング法により、±Δω1 ＝
±５０”の測定角度範囲で行った。測定した複数のロッ
キングカーブのそれぞれのピーク強度を結晶傾き角αに
対してプロットし、得られた曲線をガウシャンにフィッ
ティングし、曲線の頂点を示す位置（α＝α1 ）を求め
た。
α＝０として、結晶傾き角αをΔα1 ＝０．２°ずつ変
化させ、その変化ごとにロッキングカーブを測定した。
測定はステップ幅Δθ1 ＝１”、Ｘ線計数時間ｔ1 ＝
０．３秒のステップスキャニング法により、±Δω1 ＝
±５０”の測定角度範囲で行った。測定した複数のロッ
キングカーブのそれぞれのピーク強度を結晶傾き角αに
対してプロットし、得られた曲線をガウシャンにフィッ
ティングし、曲線の頂点を示す位置（α＝α1 ）を求め
た。
【００２５】次にα＝α1 の近傍において、結晶傾き角
αをΔα2 ＝０．０２°ずつ変化させ、その変化ごとに
ロッキングカーブの測定を行った。測定はステップ幅Δ
θ2＝０．２”、Ｘ線計数時間ｔ2 ＝０．４秒のステッ
プスキャニング法により、±Δω2 ＝±１０”の測定角
度範囲で行った。測定したロッキングカーブのピーク強
度を結晶傾き角αに対してプロットし、得られた曲線を
ガウシャンにフィッティングし、曲線の頂点位置（α＝
αθ）を求めたところ、αθ＝−０．１８°を得た。
αをΔα2 ＝０．０２°ずつ変化させ、その変化ごとに
ロッキングカーブの測定を行った。測定はステップ幅Δ
θ2＝０．２”、Ｘ線計数時間ｔ2 ＝０．４秒のステッ
プスキャニング法により、±Δω2 ＝±１０”の測定角
度範囲で行った。測定したロッキングカーブのピーク強
度を結晶傾き角αに対してプロットし、得られた曲線を
ガウシャンにフィッティングし、曲線の頂点位置（α＝
αθ）を求めたところ、αθ＝−０．１８°を得た。
【００２６】従って、最初の状態（α＝α0 ）よりも
０．１８°だけαをマイナス側に傾けた位置を結晶傾き
角が最適に調整された状態と決定した。この調整の正確
さを、従来例で述べた第２の方法を用いて確認した。す
なわち、試料（ω軸）の回転平面上において試料から適
当な距離だけ離れた位置に受光アパーチャを置き、受光
アパーチャの位置に二つの半割りスリット（上半分と下
半分）を設置して交互に用い測定したところ、上半分ス
リットを用いた場合と下半分スリットを用いた場合との
Ｘ線強度が極めて良い一致をみた。さらに、この設定に
おいてボンド法（単結晶の格子定数の精密測定法：Acta
Cryst.,13(1960(814)））により格子定数を求めたとこ
ろ、ａ＝５．４３１０７４オングストロームが得られ、
文献値（J.Appl.Phys.,56(1984)314）と良く一致した。
０．１８°だけαをマイナス側に傾けた位置を結晶傾き
角が最適に調整された状態と決定した。この調整の正確
さを、従来例で述べた第２の方法を用いて確認した。す
なわち、試料（ω軸）の回転平面上において試料から適
当な距離だけ離れた位置に受光アパーチャを置き、受光
アパーチャの位置に二つの半割りスリット（上半分と下
半分）を設置して交互に用い測定したところ、上半分ス
リットを用いた場合と下半分スリットを用いた場合との
Ｘ線強度が極めて良い一致をみた。さらに、この設定に
おいてボンド法（単結晶の格子定数の精密測定法：Acta
Cryst.,13(1960(814)））により格子定数を求めたとこ
ろ、ａ＝５．４３１０７４オングストロームが得られ、
文献値（J.Appl.Phys.,56(1984)314）と良く一致した。
【００２７】（実施例２）面方位（１００）、無添加Ｃ
Ｚ−Ｓｉ単結晶ウェーハより１×１ｃｍの試料を切り出
し、化学エッチングにより表面層約２３μｍを除去した
後、Ｘ線回折装置のゴニオメータヘッドに設置した。Ｃ
ｕのＫα1 特性Ｘ線を用い、Ｓｉ（４００）面に対し
て、結晶傾き角αの調整を行った。
Ｚ−Ｓｉ単結晶ウェーハより１×１ｃｍの試料を切り出
し、化学エッチングにより表面層約２３μｍを除去した
後、Ｘ線回折装置のゴニオメータヘッドに設置した。Ｃ
ｕのＫα1 特性Ｘ線を用い、Ｓｉ（４００）面に対し
て、結晶傾き角αの調整を行った。
【００２８】まず、調整の開始状態（α＝α0 ）を仮に
α＝０として、結晶傾き角αをΔα1 ＝０．２°ずつ変
化させ、その変化ごとにロッキングカーブを測定した。
測定はステップ幅Δθ1 ＝０．５”、Ｘ線計数時間ｔ1
＝０．３秒のステップスキャニング法により、±Δω1
＝±２０”の測定角度範囲で行った。測定した複数のロ
ッキングカーブそれぞれのピーク位置をロータリーエン
コーダで読みとり結晶傾き角αに対してプロットし、得
られた曲線をガウシャンにフィッティングし、曲線の頂
点を示す位置（α＝α1 ）を求めた。
α＝０として、結晶傾き角αをΔα1 ＝０．２°ずつ変
化させ、その変化ごとにロッキングカーブを測定した。
測定はステップ幅Δθ1 ＝０．５”、Ｘ線計数時間ｔ1
＝０．３秒のステップスキャニング法により、±Δω1
＝±２０”の測定角度範囲で行った。測定した複数のロ
ッキングカーブそれぞれのピーク位置をロータリーエン
コーダで読みとり結晶傾き角αに対してプロットし、得
られた曲線をガウシャンにフィッティングし、曲線の頂
点を示す位置（α＝α1 ）を求めた。
【００２９】次にα＝α1 の近傍において、結晶傾き角
αをΔα2 ＝０．０２°ずつ変化させ、その変化ごとに
ロッキングカーブの測定を行った。測定はステップ幅Δ
θ2＝０．２”、Ｘ線計数時間ｔ2 ＝０．４秒のステッ
プスキャニング法により、±Δω2 ＝±５”の測定角度
範囲で行った。測定したロッキングカーブのピーク位置
をロータリーエンコーダで読みとり結晶傾き角αに対し
てプロットし、得られた曲線をガウシャンにフィッティ
ングし、曲線の頂点位置（α＝αθ）を求めたところ、
αθ＝０．０６°を得た。
αをΔα2 ＝０．０２°ずつ変化させ、その変化ごとに
ロッキングカーブの測定を行った。測定はステップ幅Δ
θ2＝０．２”、Ｘ線計数時間ｔ2 ＝０．４秒のステッ
プスキャニング法により、±Δω2 ＝±５”の測定角度
範囲で行った。測定したロッキングカーブのピーク位置
をロータリーエンコーダで読みとり結晶傾き角αに対し
てプロットし、得られた曲線をガウシャンにフィッティ
ングし、曲線の頂点位置（α＝αθ）を求めたところ、
αθ＝０．０６°を得た。
【００３０】従って、最初の状態（α＝α0 ）よりも
０．０６°だけ結晶傾き角αをプラス側に傾けた位置を
結晶傾き角αが最適に調整された状態と決定した。この
調整の正確さを、従来例で述べた第２の方法を用いて確
認した。すなわち、試料（ω軸）の回転平面上において
試料から適当な距離だけ離れた位置に受光アパーチャを
置き、受光アパーチャの位置に二つの半割りスリット
（上半分と下半分）を設置して交互に用いて測定したと
ころ、上半分スリットを用いた場合と下半分スリットを
用いた場合とのＸ線強度が極めて良い一致をみた。さら
に、この設定においてボンド法（単結晶の格子定数の精
密測定法：Acta Cryst.,13(1960)814)により格子定数を
求めたところ、ａ＝５．４３１０７７オングストローム
が得られ、文献値（J.Appl.Phys.,56(1984)314）と良く
一致した。
０．０６°だけ結晶傾き角αをプラス側に傾けた位置を
結晶傾き角αが最適に調整された状態と決定した。この
調整の正確さを、従来例で述べた第２の方法を用いて確
認した。すなわち、試料（ω軸）の回転平面上において
試料から適当な距離だけ離れた位置に受光アパーチャを
置き、受光アパーチャの位置に二つの半割りスリット
（上半分と下半分）を設置して交互に用いて測定したと
ころ、上半分スリットを用いた場合と下半分スリットを
用いた場合とのＸ線強度が極めて良い一致をみた。さら
に、この設定においてボンド法（単結晶の格子定数の精
密測定法：Acta Cryst.,13(1960)814)により格子定数を
求めたところ、ａ＝５．４３１０７７オングストローム
が得られ、文献値（J.Appl.Phys.,56(1984)314）と良く
一致した。
【００３１】以下の実施例では、Δα1 、Δα2 、Δω
1 、Δω2 、Δθ1 、Δθ2 、ｔ1及びｔ2 の値のみを
示す。
1 、Δω2 、Δθ1 、Δθ2 、ｔ1及びｔ2 の値のみを
示す。
【００３２】（実施例３）ＣｕのＫα1 特性Ｘ線を用い
て、試料表面が（１００）であるＳｉ単結晶の（４２
２）面に対して結晶傾き角αの調整を行った（視射角＜
ブラッグ角の場合）。
て、試料表面が（１００）であるＳｉ単結晶の（４２
２）面に対して結晶傾き角αの調整を行った（視射角＜
ブラッグ角の場合）。
【００３３】この場合には、Δα1 ＝０．２°、Δα2
＝０．０２°、Δω1 ＝５０”、Δω2 ＝１０”，ｖ1
＝２００”／分、ｖ2 ＝３０”／分、若しくは、Δα1
＝０．２°、Δα2 ＝０．０２°、Δω1 ＝５０”、Δ
ω2 ＝１０”、Δθ1 ＝１”、Δθ2 ＝０．５”、ｔ1
＝０．３秒、ｔ2 ＝０．１秒、の条件で行ったところ、
短時に精度よく測定できた。
＝０．０２°、Δω1 ＝５０”、Δω2 ＝１０”，ｖ1
＝２００”／分、ｖ2 ＝３０”／分、若しくは、Δα1
＝０．２°、Δα2 ＝０．０２°、Δω1 ＝５０”、Δ
ω2 ＝１０”、Δθ1 ＝１”、Δθ2 ＝０．５”、ｔ1
＝０．３秒、ｔ2 ＝０．１秒、の条件で行ったところ、
短時に精度よく測定できた。
【００３４】（実施例４）ＣｕのＫα1 特性Ｘ線を用い
て、試料表面が（１００）であるＳｉ単結晶の（４２
２）面に対して結晶傾き角αの調整を行った（視射角＞
ブラッグ角の場合）。
て、試料表面が（１００）であるＳｉ単結晶の（４２
２）面に対して結晶傾き角αの調整を行った（視射角＞
ブラッグ角の場合）。
【００３５】この場合には、Δα1 ＝０．２°、Δα2
＝０．０２°、Δω1 ＝５０”、Δω2 ＝５”，ｖ1 ＝
２００”／分、ｖ2 ＝３０”／分、若しくは、Δα1 ＝
０．２°、Δα2 ＝０．０２°、Δω1 ＝５０”、Δω
2 ＝５”、Δθ1 ＝１”、Δθ2 ＝０．５”、ｔ1 ＝
０．３秒、ｔ2 ＝０．４秒、の条件で行ったところ、短
時に精度よく測定できた。
＝０．０２°、Δω1 ＝５０”、Δω2 ＝５”，ｖ1 ＝
２００”／分、ｖ2 ＝３０”／分、若しくは、Δα1 ＝
０．２°、Δα2 ＝０．０２°、Δω1 ＝５０”、Δω
2 ＝５”、Δθ1 ＝１”、Δθ2 ＝０．５”、ｔ1 ＝
０．３秒、ｔ2 ＝０．４秒、の条件で行ったところ、短
時に精度よく測定できた。
【００３６】（実施例５）ＣｕのＫα1 特性Ｘ線を用い
て、試料表面が（１００）であるＳｉ単結晶の（５１
１）面に対して結晶傾き角αの調整を行った（視射角＜
ブラッグ角の場合）。
て、試料表面が（１００）であるＳｉ単結晶の（５１
１）面に対して結晶傾き角αの調整を行った（視射角＜
ブラッグ角の場合）。
【００３７】この場合には、Δα1 ＝０．１°、Δα2
＝０．０１°、Δω1 ＝３０”、Δω2 ＝４”，ｖ1 ＝
２００”／分、ｖ2 ＝３０”／分、若しくは、Δα1 ＝
０．１°、Δα2 ＝０．０１°、Δω1 ＝３０”、Δω
2 ＝４”、Δθ1 ＝１”、Δθ2 ＝０．５”、ｔ1 ＝
０．１５秒、ｔ2 ＝０．４秒、の条件で行ったところ、
短時に精度よく測定できた。
＝０．０１°、Δω1 ＝３０”、Δω2 ＝４”，ｖ1 ＝
２００”／分、ｖ2 ＝３０”／分、若しくは、Δα1 ＝
０．１°、Δα2 ＝０．０１°、Δω1 ＝３０”、Δω
2 ＝４”、Δθ1 ＝１”、Δθ2 ＝０．５”、ｔ1 ＝
０．１５秒、ｔ2 ＝０．４秒、の条件で行ったところ、
短時に精度よく測定できた。
【００３８】（実施例６）ＣｕのＫα1 特性Ｘ線を用い
て、試料表面が（１００）であるＳｉ単結晶の（５１
１）面に対して結晶傾き角αの調整を行った（視射角＞
ブラッグ角の場合）。
て、試料表面が（１００）であるＳｉ単結晶の（５１
１）面に対して結晶傾き角αの調整を行った（視射角＞
ブラッグ角の場合）。
【００３９】この場合には、Δα1 ＝０．２°、Δα2
＝０．０１°、Δω1 ＝３０”、Δω2 ＝５”，ｖ1 ＝
２００”／分、ｖ2 ＝３０”／分、若しくは、Δα1 ＝
０．２°、Δα2 ＝０．０２°、Δω1 ＝５０”、Δω
2 ＝５”、Δθ1 ＝１”、Δθ2 ＝０．５”、ｔ1 ＝
０．３秒、ｔ2 ＝０．４秒、の条件で行ったところ、短
時に精度よく測定できた。
＝０．０１°、Δω1 ＝３０”、Δω2 ＝５”，ｖ1 ＝
２００”／分、ｖ2 ＝３０”／分、若しくは、Δα1 ＝
０．２°、Δα2 ＝０．０２°、Δω1 ＝５０”、Δω
2 ＝５”、Δθ1 ＝１”、Δθ2 ＝０．５”、ｔ1 ＝
０．３秒、ｔ2 ＝０．４秒、の条件で行ったところ、短
時に精度よく測定できた。
【００４０】（実施例７）ＣｕのＫα1 特性Ｘ線を用い
て、試料表面が（１００）であるＳｉ単結晶の（４４
４）面に対して結晶傾き角αの調整を行った（視射角＜
ブラッグ角の場合）。
て、試料表面が（１００）であるＳｉ単結晶の（４４
４）面に対して結晶傾き角αの調整を行った（視射角＜
ブラッグ角の場合）。
【００４１】この場合には、Δα1 ＝０．２°、Δα2
＝０．０２°、Δω1 ＝５０”、Δω2 ＝１０”，ｖ1
＝２００”／分、ｖ2 ＝３０”／分、若しくは、Δα1
＝０．２°、Δα2 ＝０．０２°、Δω1 ＝５０”、Δ
ω2 ＝５”、Δθ1 ＝１”、Δθ2 ＝０．５”、ｔ1 ＝
０．３秒、ｔ2 ＝０．４秒、の条件で行ったところ、短
時に精度よく測定できた。
＝０．０２°、Δω1 ＝５０”、Δω2 ＝１０”，ｖ1
＝２００”／分、ｖ2 ＝３０”／分、若しくは、Δα1
＝０．２°、Δα2 ＝０．０２°、Δω1 ＝５０”、Δ
ω2 ＝５”、Δθ1 ＝１”、Δθ2 ＝０．５”、ｔ1 ＝
０．３秒、ｔ2 ＝０．４秒、の条件で行ったところ、短
時に精度よく測定できた。
【００４２】（実施例８）ＣｕのＫα1 特性Ｘ線を用い
て、試料表面が（１００）であるＳｉ単結晶の（４４
４）面に対して結晶傾き角αの調整を行った（視射角＞
ブラッグ角の場合）。
て、試料表面が（１００）であるＳｉ単結晶の（４４
４）面に対して結晶傾き角αの調整を行った（視射角＞
ブラッグ角の場合）。
【００４３】この場合には、Δα1 ＝０．２°、Δα2
＝０．０２°、Δω1 ＝５０”、Δω2 ＝１０”，ｖ1
＝２００”／分、ｖ2 ＝３０”／分、もしくは、Δα1
＝０．２°、Δα2 ＝０．０２°、Δω1 ＝５０”、Δ
ω2 ＝５”、Δθ1 ＝１”、Δθ2 ＝０．５”、ｔ1 ＝
０．３秒、ｔ2 ＝０．４秒、の条件で行ったところ、短
時に精度よく測定できた。
＝０．０２°、Δω1 ＝５０”、Δω2 ＝１０”，ｖ1
＝２００”／分、ｖ2 ＝３０”／分、もしくは、Δα1
＝０．２°、Δα2 ＝０．０２°、Δω1 ＝５０”、Δ
ω2 ＝５”、Δθ1 ＝１”、Δθ2 ＝０．５”、ｔ1 ＝
０．３秒、ｔ2 ＝０．４秒、の条件で行ったところ、短
時に精度よく測定できた。
【００４４】以上の実施例により、本実施の形態に係る
結晶傾き角の調整方法によれば、容易に正確かつ迅速な
結晶傾き角の調整が可能であることが確かめられた。
結晶傾き角の調整方法によれば、容易に正確かつ迅速な
結晶傾き角の調整が可能であることが確かめられた。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
容易に正確かつ迅速な結晶傾き角の調整を行うことがで
きる。従って、ロッキングカーブ・プロファイル解析、
ボンド法等の格子定数測定、Ｘ線トポグラフ撮影等の結
晶評価において、多数の試料の短時間での精密な評価が
可能となる。
容易に正確かつ迅速な結晶傾き角の調整を行うことがで
きる。従って、ロッキングカーブ・プロファイル解析、
ボンド法等の格子定数測定、Ｘ線トポグラフ撮影等の結
晶評価において、多数の試料の短時間での精密な評価が
可能となる。
【図１】一般的なＸ線回折測定に用いられるＸ線回折装
置の構成を示す図である。
置の構成を示す図である。
【図２】図１に示す単結晶試料１を図中Ａで示す方向か
ら見た断面図である。
ら見た断面図である。
１ 単結晶試料 ３ Ｘ線管 ５ 計数管 ７ 単結晶試料の表面 ９ 格子面
Claims (2)
- 【請求項１】 単結晶のＸ線回折測定の際に、単結晶試
料の回転軸（ω軸）に垂直な平面と単結晶格子面の法線
ベクトルとがなす結晶傾き角調整方法において、 前記結晶傾き角をΔα1 ずつ変化させ、その変化ごとに
±Δω1 の範囲で、前記ω軸についてスキャンスピード
ｖ1 のロッキングカーブを複数個測定し、該複数のロッ
キングカーブそれぞれのピーク強度、半値幅、ピーク位
置若しくはピーク角度のうちの一つを結晶傾き角に対し
てプロットし、その結果を１個のピーク値を持つ任意の
第１の関数曲線にフィッティングし、該第１の関数曲線
の頂点の位置に相当する結晶傾き角をα1 とする第１の
工程と、 前記第１の工程で求めた前記α1 の近傍で、前記結晶傾
き角をΔα2 ずつ変化させ、その変化ごとに±Δω2 の
範囲で、前記ω軸についてスキャンスピードｖ2 のロッ
キングカーブを複数個測定し、該複数のロッキングカー
ブそれぞれのピーク強度、半値幅、ピーク位置若しくは
ピーク角度のうちの一つを結晶傾き角に対してプロット
し、その結果を１個のピーク値を持つ任意の第２の関数
曲線にフィッティングし、該第２の関数曲線の頂点の位
置に相当する結晶傾き角を用いて調整する第２の工程と
を具備し、 前記Δα1 、Δα2 、Δω1 、Δω2 、ｖ1 及びｖ
2 が、Δα1 ／２０≦Δα2 ≦Δα1 ／１０、Δω1 ／
１０≦Δω2 ≦Δω1 ／４、ｖ1 ／１０≦ｖ2 ≦ｖ1 ／
３を満たすことを特徴とするＸ線回折測定における単結
晶試料の結晶傾き角調整方法。 - 【請求項２】 単結晶のＸ線回折測定の際に、単結晶試
料の回転軸（ω軸）に垂直な平面と単結晶格子面の法線
ベクトルとがなす結晶傾き角調整方法において、 前記結晶傾き角をΔα1 ずつ変化させ、その変化ごとに
±Δω1 の範囲で、前記ω軸についてステップ幅Δ
θ1 、計数時間ｔ1 のステップスキャニングを行ってロ
ッキングカーブを複数個測定し、該複数のロッキングカ
ーブそれぞれのピーク強度、半値幅、ピーク位置若しく
はピーク角度のうちの一つを結晶傾き角に対してプロッ
トし、その結果を１個のピーク値を持つ任意の第１の関
数曲線にフィッティングし、該第１の関数曲線の頂点の
位置に相当する結晶傾き角をα1 とする第１の工程と、 前記第１の工程で求めた前記α1 の近傍で、前記結晶傾
き角をΔα2 ずつ変化させ、その変化ごとに±Δω2 の
範囲で、前記ω軸についてステップ幅Δθ2 、計数時間
ｔ2 のステップスキャニングを行ってロッキングカーブ
を複数個測定し、該複数のロッキングカーブそれぞれの
ピーク強度、半値幅、ピーク位置若しくはピーク角度の
うちの一つを結晶傾き角に対してプロットし、その結果
を１個のピーク値を持つ任意の第２の関数曲線フィッテ
ィングし、該第２の関数曲線の頂点の位置に相当する結
晶傾き角を用いて調整する第２の工程とを具備し、 前記Δα1 、Δα2 、Δω1 、Δω2 、Δθ1 、ｔ1 、
Δθ2 及びｔ2 が、Δα1 ／２０≦Δα2 ≦Δα1 ／１
０、Δω1 ／１０≦Δω2 ≦Δω1 ／４、Δθ1 ／５≦
Δθ2 ≦Δθ1 ／２、（Δθ1 ／ｔ1 ）／１０≦（Δθ
2 ／ｔ2 ）≦（Δθ1 ／ｔ1 ）／３を満たすことを特徴
とするＸ線回折測定における単結晶試料の結晶傾き角調
整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06100597A JP3352905B2 (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | Ｘ線回折測定における単結晶試料の結晶傾き角調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06100597A JP3352905B2 (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | Ｘ線回折測定における単結晶試料の結晶傾き角調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10253553A JPH10253553A (ja) | 1998-09-25 |
| JP3352905B2 true JP3352905B2 (ja) | 2002-12-03 |
Family
ID=13158808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06100597A Expired - Fee Related JP3352905B2 (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | Ｘ線回折測定における単結晶試料の結晶傾き角調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3352905B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5704092B2 (ja) * | 2012-02-27 | 2015-04-22 | 信越半導体株式会社 | ウェーハ面取り部の品質検査方法 |
| KR101360906B1 (ko) | 2012-11-16 | 2014-02-11 | 한국표준과학연구원 | 고분해능 x-선 로킹 커브 측정을 이용한 단결정 웨이퍼의 면방위 측정 방법 |
| JP2014122860A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 単結晶ウェハの結晶方位測定用治具 |
| CN105866151B (zh) * | 2016-04-22 | 2018-07-24 | 西北核技术研究所 | 一种基于能量分辨探测器的晶体摇摆曲线测量方法 |
| CN109342477A (zh) * | 2018-11-05 | 2019-02-15 | 广州市怡文环境科技股份有限公司 | 一种用于txrf分析仪的自适应样品台反馈***及控制方法 |
-
1997
- 1997-03-14 JP JP06100597A patent/JP3352905B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10253553A (ja) | 1998-09-25 |
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