JP3351876B2 - 半導体装置の実装構造およびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の実装構造
とその製造方法とに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置を電子機器類の基板に実装す
る場合、半導体装置の集積回路素子の形成側を基板側に
向けて、半導体装置の突起電極と接続するフリップチッ
プ方法（ＦＣ）や、半導体装置の電極に対応したリード
に一括接続あるいは順次接続するテープオートメイデッ
ドボンディング方法（ＴＡＢ）が、一般的に使用されて
いる。

【０００３】以下図８の断面図を用い、従来のＦＣの実
装構造および製造方法を説明する。

【０００４】ＦＣの実装構造は５〜５０μｍの高さの銅
や金などからなる突起電極１０７を有する半導体装置１
０１が、液晶表示装置２０４の基板２０９上にインジウ
ムと錫の酸化物（ＩＴＯ）で形成された画素側の第１の
配線２０７および入力側の第２の配線２０８に、機械的
電気的に導電性接着剤２０５で接続する。そして半導体
装置１０１と液晶表示装置２０４の隙間と半導体装置１
０１を絶縁樹脂２０６で覆う構造になっている。基板２
０９上の入力側の第２の配線２０８は、さらに入力可撓
性フィルム３０１の配線２０２と異方性導電フィルム３
０２を介して電気的機械的に接続している。

【０００５】図８におけるＦＣの従来例の製造方法は、
初めに半導体装置１０１の突起電極１０７上に導電性接
着剤２０５を設け、基板２０８のＩＴＯで形成された画
素側の第１の配線２０７および入力側の第２の配線２０
８に位置合わせして接続し、温度８０〜１５０℃で導電
性接着剤２０５を加熱硬化し、半導体装置１０１と液晶
表示装置２０８を接続する。その後絶縁樹脂２０６を半
導体装置１０１と基板２０９の隙間に流し込んで、加熱
あるいは光で硬化させる。最後に基板２０９上の入力側
の第２の配線２０８に異方性導電フィルム３０２を用い
て、入力可撓性フィルム３０１を温度１５０〜２５０℃
で加熱加圧接続して図８に示す構造を得る。

【０００６】図８では突起電極１０７の接続に導電性接
着剤２０５を用いた例を示したが、導電性接着剤２０５
の代わりに、入力側の第２の配線２０８と入力可撓性フ
ィルム３０１との接続に用いる異方性導電フィルム３０
２や、導電性ビーズなどを用いても良い。突起電極１０
７の接続に異方性導電フィルム３０２を使用した場合に
は、絶縁樹脂２０６は不要となる。

【０００７】また、突起電極１０７は導電性ビーズや半
田でも形成することができる。突起電極１０７として半
田を用いるときは、基板２０９上にＩＴＯで形成された
第１の配線２０７および第２の配線２０８との上に、半
田に濡れる材料を新たに形成する必要がある。

【０００８】図８において、入力可撓性フィルム３０１
は、片面のみに配線２０２がある構造を示したが、両面
に配線を設けても良く、また、多層の可撓性フィルムも
適用できる。

【０００９】つぎに図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を用い
て従来のＴＡＢの実装構造および製造方法を説明する。
図９（ａ）は可撓性フィルムに半導体装置を接続した状
態を示す平面図であり、図９（ｂ）は可撓性フィルムに
半導体装置を接続した状態を示す断面図であり、図９
（ｃ）は半導体装置を接続した可撓性フィルムを液晶表
示装置に接続した状態を示す断面図である。

【００１０】ＴＡＢは図９の（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、２０〜７５μｍの厚さの可撓性フィルム２０１上
に、半導体装置１０１を収納するための半導体装置用穴
３０４と可撓性フィルム２０１を送るためのテープ送り
ガイド穴３０３を有する。可撓性フィルム２０１上に
は、電気回路用の銅からなる配線材料２０２をスパッタ
リング法や真空蒸着法で形成する。あるいはこの配線材
料２０２は、接着剤を用いて可撓性フィルム２０１上に
形成しても良い。

【００１１】可撓性フィルム２０１上に形成した配線材
料２０２は、図９（ｂ）に示すように、半導体装置用穴
３０４を形成した領域では、ひさし状に突き出したよう
な形状を有している。以下、半導体装置用穴３０４の領
域に対して、ひさし状に突き出た配線材料２０２を、イ
ンナーリード３０７と呼ぶ。銅からなるインナーリード
３０７表面は、メッキにより形成した錫（Ｓｎ）で被覆
されている。

【００１２】半導体装置１０１には、５〜２０μｍの高
さの金（Ａｕ）で形成する突起電極１０７を設ける。そ
してこの突起電極１０７とインナーリード３０７表面に
形成した錫との金錫共晶利用して、半導体装置１０１を
インナーリード３０７に電気的、機械的に接続してい
る。なお突起電極１０７はインナーリード３０７側に形
成しても良く、この場合は半導体装置１０１のアルミ電
極上へ突起電極１０７を直接接続する。

【００１３】さらに可撓性フィルム２０１の半導体装置
用穴３０４と半導体装置１０１とインナーリード３０７
とは、絶縁樹脂２０６で覆い、図９（ｂ）に示す断面構
造が完成する。

【００１４】図９（ｂ）に示すＴＡＢの配線材料２０２
を液晶表示装置２０８の画素から引き出したＩＴＯから
なる画素側の第１の配線２０７に、可撓性フィルム２０
１を異方性導電フィルム３０２を介して加圧加熱接続し
て、図９（ｃ）に示す構造が得られる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】図８を用いて説明した
ＦＣを液晶表示装置などの画像表示装置に用いた場合、
１個の半導体装置の突起電極数が５００点以上にもな
る。したがって突起電極形成後の検査用プローブを突起
電極に当てることが非常に困難であるため、半導体装置
の一括した良否判別が難しい。

【００１６】とくに突起電極のピッチ寸法が１５０μｍ
以下と微細になった場合は、良否判別はほぼ不可能とな
る。そのため液晶表示装置に半導体装置を実装後、半導
体装置の不具合が発生した場合は液晶表示装置から半導
体装置を取り外して、再度新たな半導体装置を液晶表示
装置に実装する必要が生じ、そのための工数負荷が大き
くなりコスト増加となる。

【００１７】図９を用いて説明したＴＡＢの場合、半導
体装置の検査は可能である。しかしながらＴＡＢを構成
する可撓性フィルムの構造上、半導体装置の突起電極
は、半導体装置の外周にしか形成できない。インナーリ
ードの接続可能ピッチ寸法である最小８０μｍから計算
すると、突起電極数がＦＣの場合と同様に５００点以上
になった場合、必要な半導体装置の外周長さは４０ｍｍ
以上となる。このため半導体装置の大型化を招き、歩留
まり低下やコスト増を招く。

【００１８】半導体装置の突起電極をメッキ法で形成し
た場合は、メッキの電極として用いる共通電極膜をエッ
チングするため、突起電極根元が頂部に比較して細くな
る。突起電極を微細接続対応のため縮小し、根元径が直
径４０μｍを切ると、突起電極の密着強度の低下を招
く。

【００１９】本発明の目的は上記課題を解決して、突起
電極形成後の半導体装置の検査が容易に行え、小型で微
細接続可能な半導体装置の実装構造およびその製造方法
を提供することにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明においては、以下に記載の構成と製造工程とを
採用する。

【００２１】本発明の半導体装置の実装構造は、貫通穴
および配線材料を有し、配線を有する基板と半導体装置
との間に設ける可撓性フィルムを備え、貫通穴を通って
半導体装置の突起電極頂部が基板の配線と接続し、半導
体装置の突起電極と可撓性フィルムの配線材料とが半田
で接続していることを特徴とする。

【００２２】本発明の半導体装置の製造方法は、根元部
の周辺に半田を有する突起電極を半導体装置に形成する
工程と、半導体装置の上に突起電極の位置に対応した貫
通穴および配線材料を有する可撓性フィルムをかぶせて
加熱する工程と、可撓性フィルムと一体となった半導体
装置の検査を行う工程と、可撓性フィルムを切断する工
程と、可撓性フィルムと一体となった半導体装置の突起
電極を基板の配線に接続する工程とを有することを特徴
とする。

【００２３】本発明の半導体装置の実装構造は、半導体
装置の突起電極の根元部周辺に半田を設けたことを特徴
とする。

【００２４】本発明の半導体装置の製造方法は、根元部
の周辺に半田を有する突起電極を半導体装置に形成する
工程と、半導体装置の上に突起電極の位置に対応した貫
通穴および配線を有する可撓性フィルムをかぶせて加熱
する工程と、可撓性フィルムと一体となった半導体装置
の検査を行う工程と、可撓性フィルムを取り去る工程
と、半導体装置の突起電極を基板の配線に接続する工程
とからなることを特徴とする。

【００２５】

【実施例】以下本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。

【００２６】

【実施例１】本発明における実施例１を図１、図２、図
３を用いて説明する。図１（ｆ）と図２は半導体装置の
突起電極の構造を示す断面図で、図１の（ａ）から
（ｆ）は図１（ｆ）の突起電極の製造方法を示す断面図
である。図３（ｃ）は半導体装置の実装構造を示す断面
図を示し、図３（ａ）から（ｃ）でその製造方法を説明
する断面図である。まずはじめに半導体装置の突起電極
の構造を説明する。

【００２７】図１（ｆ）に示すように、本発明における
突起電極の構造はアルミ電極１０２上にＡｌ、Ｃｒ、Ｃ
ｕからなる共通電極膜１０４を有する。共通電極膜１０
４の周辺部に半田１０６を有し、共通電極膜１０４上と
半田１０６上とにＣｕとＡｕとからなる突起電極１０７
を有している。そして突起電極１０７の側壁は、半導体
装置１０１の表面に対してほぼ垂直である。

【００２８】図２に示した本発明における突起電極の構
造は、ＣｕとＡｕとからなる突起電極１０７の頂部がマ
ッシュルーム形状であることを特徴とし、その他の構成
は図１（ｆ）と同じである。

【００２９】つぎに本発明における突起電極の製造方法
を、図１（ａ）から（ｆ）を使って説明する。まず初め
に図１（ａ）に示したように、半導体装置１０１上の保
護膜１０３と、この保護膜１０３が開口した部分のアル
ミ電極１０２上とに共通電極膜１０４を全面に形成す
る。保護膜１０３は燐を含有したシリコン酸化膜や、窒
化シリコン膜などの無機質膜や、ポリイミド樹脂などの
有機質膜や、これらの積層構造を用い、形成する膜厚は
１〜５μｍである。共通電極膜１０４はＡｌ、Ｃｒ、Ｃ
ｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｔｉなどの金属多層膜からなり、真空
蒸着、スパッタリング、化学気相成長（ＣＶＤ）などの
方法で形成する。そして共通電極膜１０４の厚さは、総
厚で１０μｍ以内で形成する。

【００３０】つぎに図１（ｂ）に示すように、感光性樹
脂１０５を共通電極膜１０４上に全面に回転塗布により
形成する方法、またはフィルムタイプの感光性樹脂１０
５を張り付ける方法で形成する。その後、所定のフォト
マスクを用いて露光現像処理を行うフォトリソグラフィ
ーにより、共通電極膜１０４上に感光性樹脂１０５を１
〜１００μｍの厚さで形成する。

【００３１】つぎに図１（ｃ）に示すように、感光性樹
脂１０５の開口部分内に共通電極膜１０４をメッキ電極
として半田メッキを行ない半田１０６を形成した後、感
光性樹脂１０５を取り除く。共通電極膜１０４上に形成
した半田１０６は、ドーナツ状に閉じた形状で形成され
ていることが望ましい。ドーナツ状に閉じていない場合
でも、突起電極の形成および使用は可能である。しかし
ながら、ドーナツ状に閉じた形状の半田１０６のほう
が、後工程での共通電極膜１０４エッチングの余裕度
や、突起電極の強度は、ドーナツ状に閉じてない場合の
突起電極よりも優れた特性を示す。

【００３２】つぎに図１（ｄ）に示すように、感光性樹
脂１０５を共通電極膜１０４上に全面に回転塗布する方
法、またはフィルムタイプの感光性樹脂１０５を張り付
ける方法で形成する。その後、所定のフォトマスクを用
いて露光現像処理を行うフォトリソグラフィーにより、
パターニングした感光性樹脂１０５を形成する。感光性
樹脂１０５は、半田１０６の内側開口から外側開口の間
に開口部を形成し、膜厚は１０〜３００μｍで形成す
る。

【００３３】つぎに図１（ｅ）に示すように、感光性樹
脂１０５の開口部分に、共通電極膜１０４をメッキ電極
としてＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉなどの金属をメッキして
突起電極１０７を形成し、感光性樹脂１０５を除去す
る。

【００３４】最後に、突起電極１０７と半田１０６とを
マスクとして共通電極膜１０４をエッチング除去し、図
１（ｆ）に示した根元に半田１０６を備える突起電極１
０７が得られる。

【００３５】図１（ｄ）において、感光性樹脂１０５の
開口部にメッキを行う際、感光性樹脂１０５上面よりも
高くメッキを行なった後、感光性樹脂１０５を除去して
共通電極膜１０４を、突起電極１０７と半田１０６とを
マスクとしてエッチングすると、図２に示した根元に半
田を備えたマッシュルーム形状の突起電極１０７が得ら
れる。

【００３６】本発明における実施例１の半導体装置の実
装構造は図３（ｃ）の断面図に示すように、可撓性フィ
ルム２０１を挟んで半導体装置１０１と液晶表示装置２
０４とを設け、可撓性フィルム２０１の貫通穴２０３を
通って半導体装置１０１の突起電極１０７が、導電性接
着剤２０５を介して液晶表示装置２０４の画素側の第１
の配線２０７および入力側の第２の配線２０８に接続し
ている。可撓性フィルム２０１の配線材料２０２と突起
電極１０７とは半田１０６で接続している。可撓性フィ
ルム２０１は配線２０２と共に半導体装置１０１の外側
に伸びている。さらに、半導体装置１０１と液晶表示装
置２０８との間に絶縁樹脂２０６を設ける。

【００３７】本発明における実施例１の半導体装置の製
造方法は、図３（ａ）に示したように高さ２０〜２００
μｍの突起電極１０７の根元周囲領域に、突起電極１０
７の１０分の１〜４分の３の厚さの半田１０６を有する
半導体装置１０１の突起電極１０７先端側から、突起電
極１０７の形成位置に対応した貫通穴２０３と配線材料
２０２とを有する厚さ１０〜１５０μｍの可撓性フィル
ム２０１をかぶせる。

【００３８】配線材料２０２は主に銅、金などで形成
し、厚さは２〜４０μｍで形成するのが望ましい。貫通
穴２０３は突起電極１０７が通過できるように０．２μ
ｍ以上の隙間を設けておく。貫通穴２０３は配線材料２
０２形成後、直径１００μｍまではドリルで穴あけし、
１００μｍ以下では感光性樹脂をマスクとしてエッチン
グして形成する方法やレーザ光で蒸発させて形成する。

【００３９】可撓性フィルム２０１を半導体装置１０１
にかぶせた後、１６０〜２５０℃の温度で加熱すると、
図３（ｂ）に示したように突起電極１０７の根元周囲部
分にある半田１０６が溶融して、突起電極１０７と可撓
性フィルム２０１の配線材料２０２とが溶融固化した半
田１０６で接続する。

【００４０】半田１０６を溶融固化後、可撓性フィルム
２０１の貫通穴２０３を突き抜けた突起電極１０７の高
さは、可撓性フィルム２０１の上面から２〜５０μｍ突
き出すように制御する。

【００４１】図３（ｂ）では可撓性フィルム２０１の配
線材料２０２は、半導体装置１０１側のみに形成する実
施例で示してあるが、可撓性フィルム２０１の両側に配
線材料２０２があっても良い。また、配線材料２０２は
半導体装置１０１の反対側のみにあっても良い。さら
に、可撓性フィルム２０１が多層になっていても構わな
い。また、可撓性フィルム２０１の配線材料２０２は貫
通穴２０３の縁までしか形成されていないが、貫通穴２
０３の内壁に形成されていても良く、可撓性フィルム２
０１の両面の配線材料２０２がつながっていても良い。

【００４２】可撓性フィルム２０１は、半田１０６を溶
融する際の熱に耐える材料として、耐熱性の高いポリイ
ミドなどが望ましい。

【００４３】図３（ｂ）に示す状態で可撓性フィルム２
０１の配線材料２０２上に半導体装置１０１検査用のプ
ローブを接触させて電気的な検査を行い、半導体装置１
０１の良否判定を行う。

【００４４】半導体装置１０１の良否を選別後、液晶表
示装置２０８の画素側の第１の配線２０７に対応した側
の、図３（ｂ）に示したＡ−Ａ面で可撓性フィルム２０
１と配線材料２０２とを切断する。切断後、導電性接着
剤２０５を用いて液晶表示装置２０４に実装し、半導体
装置１０１と基板２０９の間を絶縁樹脂２０６で覆っ
て、図３（ｃ）に示した半導体装置が完成する。

【００４５】図３（ｃ）で示した半導体装置１０１と基
板２０９との間に形成する絶縁樹脂２０６は、使用環境
に応じて省略しても構わない。

【００４６】導電性接着剤２０５のかわりに、図８、図
９に示す異方性導電フィルム３０２を用いて半導体装置
１０１を液晶表示装置２０４に接続しても良い。その場
合、絶縁樹脂２０６は不要となる。

【００４７】図３（ｃ）に示した、液晶表示装置２０４
上の出力側の第２の配線２０８は、省略しても構わな
い。

【００４８】実施例１では、液晶表示装置２０４から突
出した可撓性フィルム２０１が従来例で示した図８の場
合の入力可撓性フィルム３０１に相当するため、入力可
撓性フィルム３０１と基板２０９との接続領域が不要に
なる。したがって、異方性導電フィルム３０２の接着面
積分だけ、液晶表示装置２０４を小型化できるという効
果が得られる。

【００４９】また、異方性導電フィルム３０２の接続と
入力側の第２の配線２０８とを省略することができ、半
導体装置１０１から半田接続で直接、図３（ｃ）に示し
たように可撓性フィルム２０１に接続する。このため接
続箇所が減って接続信頼性が向上するという効果が得ら
れる。

【００５０】また、半導体装置１０１は可撓性フィルム
２０１により容易に検査が行えるため、液晶表示装置２
０４に実装した半導体装置１０１は不良の混入がないた
め、半導体装置１０１の交換が不要となる。

【００５１】そのうえ図９に示す従来例のＴＡＢの場合
で示したインナーリード３０７が不要で、半導体装置１
０１の全面に突起電極１０７を配置できるため、多接続
点で微細な接続が可能である。

【００５２】

【実施例２】本発明における実施例２の半導体装置の実
装構造を図４に示す。図４の断面図に示すように、可撓
性フィルム２０１を挟んで、半導体装置１０１と液晶表
示装置２０４とを設ける。可撓性フィルム２０１の貫通
穴２０３を通って、半導体装置１０１の突起電極１０７
が、導電性接着剤２０５を介して液晶表示装置２０４の
画素側の第１の配線２０７および入力側の第２の配線２
０８に接続している。そして可撓性フィルム２０１の配
線材料２０２と突起電極１０７の根元部周辺にある半田
１０６とは、溶融固化した状態で突起電極１０７と接続
している。可撓性フィルム２０１は配線材料２０２と共
に半導体装置１０１の外側で切断されている。すなわ
ち、図３（ｂ）に示すＡ−Ａ面とＢ−Ｂ面とで、配線材
料２０２とともに可撓性フィルム２０１を切断してい
る。さらに半導体装置１０１と液晶表示装置２０４の間
には絶縁樹脂２０６を設ける。

【００５３】本発明における実施例２の半導体装置の製
造方法を図３（ａ）、（ｂ）、図４を用いて説明する。
図３（ａ）に示したように、高さが２０〜２００μｍの
突起電極１０７の根元周囲に、突起電極１０７の１０分
の１〜４分の３の厚さの半田１０６を有する半導体装置
１０１の突起電極１０７先端側から、突起電極１０７の
形成位置に対応した貫通穴２０３と配線材料２０２とを
有する厚さ寸法が１０〜１５０μｍの可撓性フィルム２
０１をかぶせる。

【００５４】配線材料２０２は主に銅、金などで形成
し、厚さは２〜４０μｍで形成するのが望ましい。貫通
穴２０３は突起電極１０７が通れるように、貫通穴２０
３と突起電極１０７の間には０．２μｍ以上の隙間を設
けておく。

【００５５】その後、１６０〜２５０℃の温度で加熱す
ると、図３（ｂ）に示したように突起電極１０７の根元
周囲にある半田１０６が溶融して、突起電極１０７と可
撓性フィルム２０１の配線材料２０２とが半田１０６で
接続する。

【００５６】半田１０６の溶融固化後、可撓性フィルム
２０１の貫通穴２０３を突き抜けた突起電極１０７の高
さは可撓性フィルム２０１の上面から２〜５０μｍ突き
出すように制御する。

【００５７】図３（ｂ）では可撓性フィルム２０１の配
線材料２０２は、半導体装置１０９側のみに形成した実
施例で示してあるが、可撓性フィルム２０１の両側に配
線材料２０２があっても良い。また、配線材料２０２は
半導体装置１０１の反対側のみにあっても良い。さら
に、可撓性フィルム２０１が多層になっていても構わな
い。また、可撓性フィルム２０１の配線材料２０２は貫
通穴２０３の縁までしか形成されていないが、貫通穴２
０３の内壁に形成されていても良い。

【００５８】可撓性フィルム２０１は、半田を溶融する
際の熱に耐える材料として、耐熱性の高いポリイミドな
どが望ましい。

【００５９】図３（ｂ）に示す状態で可撓性フィルム２
０１の配線材料２０２上に半導体装置１０１検査用のプ
ローブを接触させて電気的検査を行い、半導体装置１０
１の良否判定を行う。

【００６０】半導体装置１０１の良否選別後、液晶表示
装置２０４の第１の配線２０７および第２の配線２０８
に対応した側の、Ａ−Ａ面およびＢ−Ｂ面で可撓性フィ
ルム２０１を切断する。切断後、図４に示すように導電
性接着剤２０５を用いて半導体装置１０１を液晶表示装
置２０４に実装し、さらに異方性導電フィルム３０２を
用いて入力可撓性フィルム３０１を入力側の第２の配線
２０８に接続して、図４に示した半導体装置が完成す
る。

【００６１】図４で示した半導体装置１０１と基板２０
９との間に形成した絶縁樹脂２０６は、使用環境に応じ
て省略しても構わない。

【００６２】導電性接着剤２０５のかわりに、異方性導
電フィルム３０２を用いて、半導体装置１０１を液晶表
示装置２０４に接続しても良い。その場合、絶縁樹脂２
０６は不要となる。

【００６３】また、異方性導電フィルム３０２を用い
て、半導体装置１０１と入力可撓性フィルム３０１とを
同時に接続しても良い。

【００６４】半導体装置１０１は可撓性フィルム２０１
により容易に検査が行えるため、液晶表示装置２０４に
実装した半導体装置１０１は不良の混入を低減すること
が可能で、半導体装置１０１の交換が不要となり、歩留
まりが向上する。

【００６５】

【実施例３】本発明における実施例３の半導体装置の実
装構造を図５を用いて説明する。図５の断面図に示すよ
うに、半導体装置１０１の突起電極１０７の根元周囲に
ある半田１０６は溶融固化した状態で、突起電極１０７
の根元を補強する。半導体装置１０１の突起電極１０７
は導電性接着剤２０５を介して液晶表示装置２０４の画
素側の第１の配線２０７および入力側の第２の配線２０
８に接続している。さらに、半導体装置１０１と液晶表
示装置２０４の基板２０９との間には、絶縁樹脂２０６
を設ける。

【００６６】本発明における実施例３の半導体装置の製
造方法を図３（ａ）、（ｂ）、図５を用いて説明する。
図３（ａ）に示したように、高さが２０〜２００μｍの
突起電極１０７の根元周囲に、突起電極１０７の１０分
の１〜４分の３の厚さの半田１０６を有する半導体装置
１０９の突起電極１０９先端側から、突起電極１０７の
形成位置に対応した貫通穴２０３と配線材料２０２とを
有する厚さ寸法が１０〜１５０μｍの可撓性フィルム２
０１をかぶせる。

【００６７】配線材料２０２は主に銅、金などで形成
し、厚さは２〜４０μｍで形成するのが望ましい。貫通
穴２０３は突起電極１０７が通れるように、貫通穴２０
３と突起電極１０７との間には０．２μｍ以上の隙間を
設けておく。

【００６８】その後、１６０〜２５０℃の温度で加熱す
ると、図３（ｂ）に示したように突起電極１０７の根元
周囲にある半田１０６が溶融して、突起電極１０７と可
撓性フィルム２０１の配線材料２０２とが溶融固化した
半田１０６で接続する。

【００６９】図３（ｂ）では可撓性フィルム２０１の配
線材料２０２は、半導体装置１０１側のみに形成した実
施例で示してあるが、可撓性フィルム２０１の両側に配
線材料２０２があっても良い。また、配線材料２０２は
半導体装置１０１の反対側のみにあっても良い。さら
に、可撓性フィルム２０１が多層になっていても構わな
い。また、可撓性フィルム２０１の配線材料２０２は、
貫通穴２０３の縁までしか形成されていないが、貫通穴
２０３の内壁に形成されていても良い。

【００７０】可撓性フィルム２０１は、半田を溶融する
際の熱に耐える材料として、耐熱性の高いポリイミドな
どが望ましい。

【００７１】図３（ｂ）に示す状態で可撓性フィルム２
０１の配線材料２０２上に半導体装置１０１検査用のプ
ローブを接触させて電気的検査を行い、半導体装置１０
１の良否判定を行う。

【００７２】半導体装置１０１の良否選別後、図３
（ｂ）に示した可撓性フィルム２０１を加熱して取り外
す。取り外した際に溶融固化した半田１０６は突起電極
１０７の根元を補強する。その後、導電性接着剤２０５
を用いて半導体装置１０１を液晶表示装置２０４に実装
し、さらに図５に示すように異方性導電フィルム３０２
を用いて入力可撓性フィルム３０１を入力側の第２の配
線２０８に接続する。その結果、図５に示した半導体装
置が完成する。

【００７３】図５で示した半導体装置１０１と基板２０
９との間に形成する絶縁樹脂２０６は、使用環境に応じ
て省略しても構わない。

【００７４】導電性接着剤２０５のかわりに、異方性導
電フィルム３０２を用いて、半導体装置１０１を液晶表
示装置２０４に接続しても良い。その場合、絶縁樹脂２
０６は不要となる。

【００７５】また、異方性導電フィルム３０２を用い
て、半導体装置１０１と入力可撓性フィルム３０１とを
同時に接続しても良い。

【００７６】半導体装置１０１は可撓性フィルム２０１
により容易に検査が行えるため、液晶表示装置２０４に
実装した半導体装置１０１は不良の混入を低減すること
が可能で、半導体装置１０１の交換が不要となり、歩留
まりが向上する。

【００７７】図６に本発明の実施例１から実施例３に用
いる可撓性フィルムの構造を示す。図６に示したよう
に、可撓性フィルム２０１は、従来の技術の項で説明し
た図９（ａ）のＴＡＢのように、テープ状で形成するこ
とが可能である。このため、ＴＡＢ法と同様に量産性に
優れる特徴がある。可撓性フィルム２０１は、テープ送
りガイド穴３０３と、配線材料２０２と、貫通穴２０３
とを有する。本発明においては、ＴＡＢと異なりインナ
ーリードが必要でないため、インナーリードが折れ曲が
る不良が無くせ、歩留まりが向上する効果が得られる。
さらにまた、貫通穴２０３をマトリックス状に形成でき
るためＴＡＢよりも多端子で微細な接続に対応できる。

【００７８】図７は実施例１および実施例２に用いる可
撓性フィルム２０１の配線を共通化した場合の構造を示
す。図７に示したように、半導体装置１０１の入力など
の共通化可能な端子は配線材料２０２をバスライン配線
２０２ａのように形成することが可能である。図７
（ａ）では半導体装置の入力対応端子のレイアウトを変
更することにより、可撓性フィルム２０１の配線材料２
０２は片面のみでバスライン化ができる。図７（ｂ）で
は配線材料２０２は可撓性フィルム２０１の両面に形成
するため半導体装置１０１側の突起電極レイアウト変更
による対応は不要である。

【００７９】以上の説明においては、半導体装置を実装
する基板は液晶表示装置で説明したが、基板としてプラ
ズマ表示装置やエレクトロルミネッセンス表示装置など
や、電子機器の基板に本発明を適用しても構わない。

【００８０】

【発明の効果】以上の説明のように本発明では、半導体
装置の突起電極形成後の半導体装置の検査が可能とな
り、良品歩留まり向上に絶大な効果が得られる。また、
半導体装置実装後に不良の混入が無いため半導体装置の
交換が不要となり、製造コストを下げることが可能とな
る。

【００８１】そして突起電極の根元部分は半田で補強さ
れるため、従来の突起電極よりも密着強度の優れた突起
電極が得られ、微細接続に対応でき、実装プロセス条件
範囲の拡大化が図れる効果がある。同一条件で接続を行
った場合には、実装品質の安定化が図れ、品質向上に絶
大な効果が得られる。

【００８２】さらに、実施例１の場合では入力側可撓性
フィルムの接続が不要になるため、接続点数が減り、接
続信頼性が向上すると共に、液晶表示装置などの基板の
実装面積を小さくする効果が得られる。

【００８３】さらに、実施例１および実施例２の場合で
は半導体装置を複数個接続する場合は、入力側の配線を
共通化してバスラインを形成することが可能となり、複
数個の半導体装置を一括して実装することが可能であ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例における半導体装置の実
装構造およびその製造方法を工程順に示す断面図であ
る。

【図２】本発明の第１の実施例における突起電極の構造
を示す断面図である。

【図３】本発明の第１の実施例における半導体装置の実
装構造およびその製造方法を工程順に示す断面図であ
る。

【図４】本発明の第２の実施例における半導体装置の実
装構造を示す断面図である。

【図５】本発明の第３の実施例における半導体装置の実
装構造を示す断面図である。

【図６】本発明の実施例における可撓性フィルムの構造
を示す平面図である。

【図７】本発明の実施例における可撓性フィルムの構造
を示す平面図である。

【図８】従来例における半導体装置の実装構造を示す断
面図である。

【図９】従来例における半導体装置の実装構造と、この
構造を形成するための製造方法を示す平面図、および断
面図である。

【符号の説明】

１０１ 半導体装置 １０６ 半田 １０７ 突起電極 ２０１ 可撓性フィルム ２０２ 配線材料 ２０３ 貫通穴 ２０４ 液晶表示装置 ２０５ 導電性接着剤 ２０９ 基板

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 貫通穴および配線材料を有し、配線を有
   する基板と半導体装置との間に設ける可撓性フィルムを
   備え、前記 貫通穴を通って前記半導体装置の突起電極頂部が前
   記基板の前記配線と接続し、前記半導体装置の前記突起
   電極と前記可撓性フィルムの前記配線材料とが半田で接
   続していることを特徴とする半導体装置の実装構造。
2. 【請求項２】 根元部の周辺に半田を有する突起電極を
   半導体装置に形成する工程と、前記 半導体装置の上に前記突起電極の位置に対応した貫
   通穴および配線材料を有する可撓性フィルムをかぶせて
   加熱する工程と、前記 可撓性フィルムと一体となった前記半導体装置の検
   査を行う工程と、前記 可撓性フィルムを切断する工程と、前記 可撓性フィルムと一体となった前記半導体装置の前
   記突起電極を基板の配線に接続する工程とを有すること
   を特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 根元部の周辺に半田を有する突起電極を
   半導体装置に形成する工程と、前記 半導体装置の上に前記突起電極の位置に対応した貫
   通穴および配線を有する可撓性フィルムをかぶせて加熱
   する工程と、前記 可撓性フィルムと一体となった前記半導体装置の検
   査を行う工程と、前記 可撓性フィルムを取り去る工程と、前記 半導体装置の前記突起電極を基板の配線に接続する
   工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
   法。