JP3345468B2 - 不要膜除去方法及びその装置並びに位相シフトマスクブランクス製造方法 - Google Patents
不要膜除去方法及びその装置並びに位相シフトマスクブランクス製造方法Info
- Publication number
- JP3345468B2 JP3345468B2 JP16529093A JP16529093A JP3345468B2 JP 3345468 B2 JP3345468 B2 JP 3345468B2 JP 16529093 A JP16529093 A JP 16529093A JP 16529093 A JP16529093 A JP 16529093A JP 3345468 B2 JP3345468 B2 JP 3345468B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- unnecessary film
- film
- unnecessary
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
ス、半導体基板、磁気ディスク用基板及びカラーフィル
ター等の基板表面に膜を形成する際に、基板表面主要部
以外の表面周縁部に形成された不要膜及び基板側面部に
形成された不要膜を除去する不要膜除去方法及びその装
置並びにこの不要膜除去方法を用いた位相シフトマスク
ブランクス製造方法に関する。
るフォトマスク並びにレチクル用基板を製造する分野に
おいて、基板上にSOG(スピン・オン・グラス)ある
いはレジスト等を塗布する方法として回転塗布法(スピ
ンコート法)が知られている。
クに略水平に固定し、その基板上に塗布液を滴下し、ス
ピンチャックを回転させることにより、その遠心力を利
用して基板上に均一な塗布膜を形成するものである。こ
の回転塗布法においては、塗布液の種類、塗布液の粘
度、所望する塗布膜厚により、回転数、回転時間等の調
整を行うが、基板の四隅あるいは基板周縁部にレジスト
液が溜まり、その部分に塗布膜の盛り上がり、すなわ
ち、著しく厚い部分が生じる。また、基板側面に不要な
塗布膜が形成される。特に、低粘度の塗布液を用いた場
合において、塗布膜厚を厚くするために低回転で塗布し
た場合、基板周縁部の塗布膜の盛り上がり及び基板側面
部への不要膜の形成はより顕著となる。
た基板101の表面周縁部に形成された塗布膜の不要膜
である盛り上がり部112を示す平面図、図6は図5の
XーX線断面図である。これらの図面に示されるよう
に、基板周縁部の塗布膜が厚くなると、例えば、SOG
は亀裂もしくは剥離を生じる。図7に示したように、剥
がれたSOGの小片112aは、基板101上の表面主
要部に付着して直接欠陥となり、あるいは、欠陥の原因
となり、もしくは、以降のフォトマスクブランクスの製
造工程、フォトマスクの製作工程、フォトマスクの使用
工程において、ゴミの発生源となって各工程を汚染する
おそれがある。
成されている位相シフトマスクを露光装置に取り付ける
際に、基板周縁部を支持する構造となっている場合があ
るが、この場合に基板周縁部が盛り上がっていると良好
に保持されないこととなる。
て、例えば、特公昭58−19350号公報に開示され
ている方法がある。
する不要膜を除去液により溶解除去するものである。す
なわち、図8及び図9に示されるように、スピンチャッ
ク102に載置した基板111上の被覆膜113の周縁
部に位置する不要膜を除去する際、除去液の案内部材と
して中空のピラミッド形状のカバー103で基板表面の
主要部を覆い、基板111とカバー103とを一体に回
転させ、カバー103の上方からノズル104を通じて
除去液141を供給してカバー103の斜面を介して不
要膜部に供給し、基板111の不要膜を溶解除去するよ
うにしたものである。
方法においては、案内部材であるピラミッド形状のカバ
ーの斜面を流れて基板の不要膜除去域に供給される除去
液は、基板とカバーとの間に形成される間隙から侵入し
て基板中心方向に流れ込み、除去すべきでない基板の主
要膜部をも一部溶解するという問題があった。
のであり、比較的簡単な方法により不要膜のみを溶解除
去できる不要膜除去方法及びその装置並びにこの不要膜
除去方法を用いた位相シフトマスクブランクス製造方法
を提供することを目的としたものである。
めに本発明にかかる不要膜除去方法は、 (構成1) 基板の少なくとも表面周縁部に形成された
不要膜を除去する不要膜除去方法であって、少なくとも
基板表面周縁部近傍をカバー部材で覆って該カバー部材
と基板表面周縁部との間に間隙を形成し、かつ、前記カ
バー部材の外側から供給された不要膜除去液が少なくと
も前記基板表面周縁部の不要膜に至ることができる液体
流路を形成するとともに、前記間隙内に基板中心部方向
から外周部方向に向かう気流を形成して前記カバー部材
の外側から供給された不要膜除去液が基板中心部に向か
って侵入するのを阻止し、かつ、前記基板とカバー部材
とを一体にして回転することにより、前記除去液が少な
くとも基板表面周縁部の不要膜に供給されるようにして
該不要膜を溶解除去するようにしたことを特徴とする構
成とし、この構成1の態様として、 (構成2) 構成1の不要膜除去方法において、前記カ
バー部材は、基板表面周縁部及び側面部を覆って該基板
表面周縁部及び側面部との間に間隙を形成し、かつ、前
記基板周縁部近傍に、前記間隙内に不要膜除去液を導入
する液体導入口を備えたものであり、前記液体流路は、
前記基板表面周縁部及び側面部との間に形成された間隙
によって構成されたものであり、前記カバー部材の外側
から供給された不要膜除去液を前記液体導入口から導入
し、前記基板表面周縁部及び側面部との間に形成された
間隙により構成された液体流路を通過させる間に不要膜
を溶解除去するようにしたことを特徴とする構成とし
た。
形成された不要膜を除去する不要膜除去装置であって、
少なくとも基板表面周縁部近傍を覆って基板表面周縁部
との間に間隙を形成するとともに、該間隙内に基板中心
部方向から外周部方向に向かう気流を形成するための気
体導入口を備えたカバー部材と、前記カバー部材に不要
膜除去液を供給する不要膜除去液供給装置と、前記基板
とカバー部材とを一体にして回転する回転装置とを有
し、前記基板とカバー部材とを一体にして回転すること
により、前記除去液が少なくとも基板表面周縁部及び側
面部の不要膜に供給されるようにして該不要膜を溶解除
去するようにしたことを特徴とする構成とし、この構成
3の態様として、 (構成4) 構成3の不要膜除去装置において、前記カ
バー部材は、前記基板表面周縁部及び側面部を覆って該
基板表面周縁部及び側面部との間に間隙を形成し、か
つ、前記基板周縁部近傍に、前記間隙内に不要膜除去液
を導入する液体導入口を備えたものであり、前記カバー
部材の外側から供給された不要膜除去液を前記液体導入
口から導入し、前記基板表面周縁部及び側面部との間に
形成された間隙を通過させる間に不要膜を溶解除去する
ようにしたことを特徴とする構成とした。
ブランクス製造方法は、 (構成5) 透光性基板上に位相シフト層となる膜を形
成する工程を有する位相シフトマスクブランクス製造方
法において、前記膜を形成する工程において、不要な部
分に形成された膜を、請求項1及び2の記載の不要膜除
去方法で除去する工程を有することを特徴とした構成と
したものである。
縁部近傍をカバー部材で覆って該カバー部材と基板表面
周縁部との間に間隙を形成し、かつ、前記間隙内に基板
中心部方向から外周部方向に向かう気流を形成して前記
カバー部材の外側から供給された不要膜除去液が基板中
心部に向かって侵入するのを阻止するようにしたので、
不要膜除去液が不要膜以外に達することを防止して、不
要膜のみを除去することを可能とする。
表面周縁部及び側面部を覆って該基板表面周縁部及び側
面部との間に間隙を形成し、かつ、前記基板周縁部近傍
に、前記間隙内に不要膜除去液を導入する液体導入口を
備えたものを用いて、基板表面周縁部及び側面部との間
に形成された間隙によって液体流路を形成し、カバー部
材の外側から供給された不要膜除去液を液体導入口から
導入し、上記液体流路を通過させる間に不要膜を溶解除
去するようにしたことにより、より確実に不要膜を除去
することを可能にしたものである。
の方法を実施できる装置を得ることができる。
に除去して品質のよい位相シフトマスクブランクスを得
ることが可能となる。
装置の構成を示す断面図、図2は一実施例にかかる不要
膜除去装置の平面図、図3は一実施例にかかる不要膜除
去装置の斜視図、図4は図1の一部拡大図である。以
下、これらの図面を参照にしながら一実施例にかかる不
要膜除去方法及びその装置並びに位相シフトマスクブラ
ンクスを説明する。
ブランクス、符号2はスピンチャック、符号3はカバー
部材、符号4は不要膜除去液噴出ノズル、符号41は不
要膜除去液である。
の載置台21に位相シフトマスクブランクス1を載置
し、位相シフトマスクブランクス1の表面周縁部1a及
び側面部1bを覆って該位相シフトマスクブランクス1
の表面周縁部1a及び側面部1bとの間に間隙5を形成
するカバー部材3をスピンチャック2上に固定し、カバ
ー部材3の外側から供給された不要膜除去液41を、カ
バー部材3の液体導入口33から上記間隙5内に導入
し、一方、カバー部材3の内側に気体6を導入して、上
記間隙5内に位相シフトマスクブランクス1の中心部方
向から外周部方向に向かう気流を形成して上記カバー部
材3の外側から供給された不要膜除去液41が位相シフ
トマスクブランクス1の中心部に向かって侵入するのを
阻止し、かつ、位相シフトマスクブランクス1とカバー
部材3とを一体にして回転することにより、上記不要膜
除去液41が位相シフトマスクブランクス1の表面周縁
部1a及び側面部1bの不要膜に供給されるようにして
該不要膜を溶解除去するようにしたものである。
英からなる透明基板(6インチ角、厚さ0.25イン
チ)11の上にクロム半透光膜(膜厚;210オングス
トローム、波長365nmに対する透過率;15%)1
2が形成され、この半透光膜12上にSOG膜(膜厚;
3700オングストローム)13が形成された構造であ
り、SOG膜13の基板周縁部1aに形成された不要膜
は基板外周端から基板中央部に向けて約2mm幅に形成
されているものである。なお、SOG膜13が周知の位
相シフトマスクの位相シフト層を構成するものであり、
位相シフトマスクブランクス1はこの位相シフトマスク
を製造する際の素材として用いられるものであって、そ
れ自体独立して取り引きの対象とされる場合も多い。
ランクス1を載置する載置台21が回転軸22によって
支持され、この回転軸を図示しないモータ等によって回
転駆動できるようになっており、いわゆる回転塗布法
(スピンコート法)に用いる装置である。
カバー部32とからなる。上部カバー部31は、円錐面
体の頂部近傍を切断除去したような中空形状をなしたも
のであり、その上部開口部が気体導入口31aを構成す
る。また、下部カバー部32は、上部カバー部31から
連続して位相シフトマスクブランクス1の表面部及び側
面部に対向してこれらとの間に間隙5を形成するように
これらを覆うもので、平面視が、位相シフトマスクブラ
ンクス1の外形形状に略等しい正方形状をなしている。
また、下部カバー部33の基板11における周縁部1a
に対向する部位の略四角形状のラインに沿って、多数の
略長方形状をなした液体導入口33が形成されている。
この場合、隣接する液体導入口33の間にはそれぞれ接
続部33aが形成されている。カバー部材3は、外周部
の4カ所に取付けられた支持体34によってスピンチャ
ック2の載置台21上に固定される。この実施例では、
上部カバー部31の気体導入口31aの内径を約110
mmφ、下端部の内径を約140mmφ、高さを約40
mmとした。また、下部カバー部32の外形を示す平面
視正方形の一辺を約160mmとし、かつ、各液体導入
口33は、一辺の長さを約146mmの四角形状のライ
ンにその内側辺が接するように配列して形成し、その幅
を約5mmとした。さらに、間隙5のカバー部材3と基
板1との距離を約2mmとした。
不要膜除去液供給装置から供給された不要膜除去液41
を上記カバー部材3の上部カバー部31の外側に噴出さ
せるものである。
トマスクブランクス1のSOG膜13(位相シフト膜)
の不要膜を除去した例を説明する。
ピンチャック2の載置台21上に載置し、この上を覆う
ようにカバー部材3を載置台21に固定する。
ら、流速1m/秒程度の空気6を供給する。
フトマスクブランクス1とカバー部材3とを一体にして
100rpmで回転させながら、不要膜除去液41とし
て、イソプロピルアルコールを、不要膜除去液噴出ノズ
ル4から上部カバー部31の外側にした向きに噴出させ
る。このときの噴出流速を約60cc/分、噴出時間を
約10秒間とする。これにより、不要膜除去液41は、
回転作用により上部カバー部31の斜面全体に拡がりな
がら斜面を流下し、液体導入口33を通じて間隙5内に
導入され、この間隙5内を通って外部に排出される間
に、基板11の表面周縁部1a及び側面部1bに形成さ
れた不要膜を溶解して除去する。
て約2秒程度経過した後に、気体導入口31からの空気
の供給を停止し、その後、1000rpmで15秒間基
板11を回転させ、不要膜除去域の乾燥を行う。
の侵入がなく、周縁部1aに形成されていた2mm幅の
不要膜及び基板側面部1bに形成された不要膜が完全に
除去されて、不要な箇所のSOG膜が完全に除去された
位相シフトマスクブランクスを得ることができた。
スクブランクスの不要なSOG膜を除去する例について
述べたが、本発明はこれに限られるものではなく、基板
上の周縁部及び側面部に形成された他の不要膜、例え
ば、レジスト塗布膜や遮光膜を除去する場合にも適用で
きる。
れるものではなく、周縁部に不要膜を有する基板、例え
ば、カラーフィルター基板、磁気ディスク基板などにも
適用できることは勿論である。
たる不要膜と相溶する溶液であればよく、例えば、不要
膜がSOG塗布膜においては、アセトン、イソプロピル
アルコール、アルカリ水溶液等を用いる。また、不要膜
がレジスト塗布膜の場合には、ケトン、エステル、芳香
族炭化水素などの液体を用いることができる。
形状に限らず、不要膜除去液が流下する傾斜外壁面を有
するカバーであって、上部に気体導入口を備え、また、
所望の基板周縁部及び基板側面部との間に間隙空間を形
成し、かつ、所望の不要膜除去域に不要膜除去液を供給
できる構造であれば、いかなる形状であっても構わな
い。気体も、空気以外に、窒素、ヘリウム等の不活性ガ
スその他のガスを用いてもよい。
要膜除去方法及びその装置並びに位相シフトマスクブラ
ンクス製造方法によれば、少なくとも基板表面周縁部近
傍をカバー部材で覆って該カバー部材と基板表面周縁部
との間に間隙を形成し、かつ、前記間隙内に基板中心部
方向から外周部方向に向かう気流を形成して前記カバー
部材の外側から供給された不要膜除去液が基板中心部に
向かって侵入するのを阻止するようにしたので、不要膜
除去液が不要膜以外に達することを防止して、不要膜の
みを確実に除去することが可能となり、また、これによ
り、品質のよい位相シフトマスクブランクスを得ること
が可能となる。
成を示す断面図である。
る。
る。
半透光膜、13…SOG膜、2…スピンチャック、21
載置台、22…回転軸、3…カバー部材、31…上部カ
バー部、31a…気体導入口、32…下部カバー部、3
3…液体導入口、4…不要膜除去液噴出ノズル、41…
不要膜除去液、5…間隙、6…気体。
Claims (3)
- 【請求項1】 基板の少なくとも表面周縁部に形成され
た不要膜を除去する不要膜除去方法であって、 少なくとも基板表面周縁部近傍をカバー部材で覆って該
カバー部材と基板表面周縁部との間に間隙を形成し、前記カバー部材における前記間隙が形成された領域に液
体導入口を形成し、この液体導入口を通じて、前記カバ
ー部材の外側から供給された不要膜除去液が前記間隙に
供給されるようにし、 前記間隙内に基板中心部方向から外周部方向に向かう気
流を形成して前記カバー部材の外側から供給された不要
膜除去液が基板中心部に向かって侵入するのを阻止し、 かつ、前記基板とカバー部材とを一体にして回転するこ
とにより、前記除去液が少なくとも基板表面周縁部の不
要膜に供給されるようにして該不要膜を溶解除去するよ
うにしたことを特徴とする不要膜除去方法。 - 【請求項2】 基板の少なくとも表面周縁部に形成され
た不要膜を除去する不要膜除去装置であって、 少なくとも基板表面周縁部近傍を覆って基板表面周縁部
との間に間隙を形成するカバー部材であって、前記間隙
が形成された領域に液体導入口が形成されて、この液体
導入口を通じて前記カバー部材の外側から供給された不
要膜除去液が前記間隙に供給されるようにしたカバー部
材と、 前記カバー部材に不要膜除去液を供給する不要膜除去液
供給装置と、 前記基板とカバー部材とを一体にして回転する回転装置
とを有し、 前記基板とカバー部材とを一体にして回転することによ
り、前記除去液が少なくとも基板表面周縁部の不要膜に
供給されるようにして該不要膜を溶解除去するようにし
たことを特徴とする不要膜除去装置。 - 【請求項3】 透光性基板上に位相シフト層となる膜を
形成する工程を有する位相シフトマスクブランクス製造
方法において、前記膜を形成する工程において、不要な
部分に形成された膜を、請求項1に記載の不要膜除去方
法で除去する工程を有することを特徴とした位相シフト
マスクブランクス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16529093A JP3345468B2 (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 不要膜除去方法及びその装置並びに位相シフトマスクブランクス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16529093A JP3345468B2 (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 不要膜除去方法及びその装置並びに位相シフトマスクブランクス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0720623A JPH0720623A (ja) | 1995-01-24 |
JP3345468B2 true JP3345468B2 (ja) | 2002-11-18 |
Family
ID=15809523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16529093A Expired - Fee Related JP3345468B2 (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 不要膜除去方法及びその装置並びに位相シフトマスクブランクス製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3345468B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3689301B2 (ja) | 2000-03-15 | 2005-08-31 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法及び不要膜除去装置 |
KR20030051198A (ko) * | 2001-09-28 | 2003-06-25 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 및 마스크 블랭크의 제조 방법, 마스크 블랭크 및마스크, 그리고 무용 필름을 제거하는 방법 및 장치 |
WO2005085950A1 (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Hoya Corporation | フォトマスクブランク製造方法 |
KR100466297B1 (ko) * | 2002-10-17 | 2005-01-13 | 한국디엔에스 주식회사 | 반도체 제조 장치 |
JP4349530B2 (ja) | 2003-03-31 | 2009-10-21 | Hoya株式会社 | マスクブランクスの製造方法、及び転写マスクの製造方法 |
CN100537053C (zh) * | 2003-09-29 | 2009-09-09 | Hoya株式会社 | 掩膜坯及掩膜坯的制造方法 |
-
1993
- 1993-07-05 JP JP16529093A patent/JP3345468B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0720623A (ja) | 1995-01-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6851435B2 (en) | Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate | |
US6458216B1 (en) | Reticle cleaning without damaging pellicle | |
JP3345468B2 (ja) | 不要膜除去方法及びその装置並びに位相シフトマスクブランクス製造方法 | |
JPH09181026A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
US6733686B2 (en) | Method and device for removing an unnecessary film | |
JP2002124501A (ja) | 基板の表面の局所化された液体処理のための方法及び装置 | |
JPH06250380A (ja) | 不要膜除去方法及びその装置並びに位相シフトマスクブランクの製造方法 | |
JP3895651B2 (ja) | 不要膜除去装置および不要膜除去方法、並びにフォトマスクブランク製造方法 | |
JP2008091897A (ja) | マスクブランクスの製造方法 | |
JP2908224B2 (ja) | 回転式塗布装置 | |
KR20050111763A (ko) | 마스크 블랭크의 제조방법 | |
JP3105991B2 (ja) | 不要塗布膜除去方法及びその装置並びに位相シフトマスクブランク製造方法 | |
JP2000235948A (ja) | 基板処理装置 | |
JPH11226476A (ja) | 処理液吐出ノズルおよび基板処理装置 | |
JPH11226474A (ja) | 処理液吐出ノズルおよび基板処理装置 | |
JP2008046650A (ja) | 不要膜除去装置、および不要膜除去方法、並びにマスクブランクスの製造方法 | |
JPH05200350A (ja) | 基板端縁洗浄装置 | |
JPH05185012A (ja) | 基板端縁洗浄装置 | |
JP2004310068A (ja) | 不要膜除去装置及びマスクブランクスの製造方法 | |
JPH09260265A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
JPH11226475A (ja) | 処理液吐出ノズルおよび基板処理装置 | |
JPH0385732A (ja) | 回路パターン形成用ガラス基板 | |
KR20060125549A (ko) | 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치및 방법, 그리고, 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한포토레지스트 코팅 방법에 의해 코팅된 포토레지스트 막을갖는 블랭크 마스크 및 이를 이용하여 제조된 포토 마스크 | |
JPH0214512A (ja) | 半導体ウエハのレジスト除去装置 | |
JPH08112564A (ja) | 回転式基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080830 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080830 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090830 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090830 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100830 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110830 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110830 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120830 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |