JP3344476B2 - Scanning exposure method and device manufacturing method using the method - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えばパルス光源から
のパルス光により矩形又は円弧状等の照明領域を照明
し、その照明領域に対してマスク及び感光基板を同期し
て走査することにより、マスク上のパターンを感光基板
上に露光する所謂スリットスキャン露光方式の露光装置
において感光基板への露光量を制御する露光制御装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention illuminates a rectangular or arcuate illumination area with pulsed light from a pulsed light source, for example, and synchronously scans the illumination area with a mask and a photosensitive substrate. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a so-called slit scan exposure type exposure apparatus that exposes a pattern on a mask onto a photosensitive substrate, and to an exposure control device that controls an exposure amount on the photosensitive substrate.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来より、半導体素子、液晶表示素子又
は薄膜磁気ヘッド等をフォトリソグラフィー技術を用い
て製造する際に、フォトマスク又はレチクル（以下、
「レチクル」と総称する）のパターンを投影光学系を介
して、フォトレジスト等が塗布されたウエハ又はガラス
プレート等の感光基板上に露光する投影露光装置が使用
されている。最近は、半導体素子の１個のチップパター
ン等が大型化する傾向にあり、投影露光装置において
は、レチクル上のより大きな面積のパターンを感光基板
上に露光する大面積化が求められている。2. Description of the Related Art Conventionally, when a semiconductor device, a liquid crystal display device, a thin film magnetic head, or the like is manufactured by using photolithography technology, a photomask or a reticle (hereinafter, referred to as a "reticle") has been used.
A projection exposure apparatus that exposes a pattern of a “reticle” to a photosensitive substrate such as a wafer or a glass plate coated with a photoresist or the like via a projection optical system is used. Recently, one chip pattern or the like of a semiconductor element has been increasing in size, and a projection exposure apparatus is required to have a large area for exposing a pattern having a larger area on a reticle onto a photosensitive substrate.

【０００３】また、半導体素子等のパターンが微細化す
るのに応じて、投影光学系の解像度を向上することも求
められているが、投影光学系の解像度を向上すると同時
に、投影光学系の露光フィールドを大きくすることが容
易でないという問題がある。特に、投影光学系として、
反射屈折系を使用するような場合には、無収差の露光フ
ィールドの形状が円弧状の領域となることもある。It is also required to improve the resolution of the projection optical system as the pattern of a semiconductor element or the like becomes finer. There is a problem that it is not easy to enlarge the field. In particular, as a projection optical system,
In the case of using a catadioptric system, the shape of the exposure field having no aberration may be an arc-shaped region.

【０００４】斯かる被転写パターンの大面積化及び投影
光学系の露光フィールドの制限に応えるために、例えば
矩形、円弧状又は６角形等の照明領域（これを「スリッ
ト状の照明領域」という）に対してレチクル及び感光基
板を同期して走査することにより、レチクル上のそのス
リット状の照明領域より広い面積のパターンを感光基板
上に露光する所謂スリットスキャン露光方式の投影露光
装置が開発されている。一般に投影露光装置において
は、感光基板上の感光材に対する適正露光量が定められ
ているため、スリットスキャン露光方式の投影露光装置
においても、感光基板に対する露光量を適正露光量に対
して所定の許容範囲内で合致させるための露光制御装置
が設けられている。In order to increase the area of the pattern to be transferred and to limit the exposure field of the projection optical system, for example, a rectangular, arcuate or hexagonal illumination area (this is called a "slit illumination area"). A so-called slit scan exposure type projection exposure apparatus for exposing a pattern having a larger area than the slit-shaped illumination area on the reticle onto the photosensitive substrate by synchronously scanning the reticle and the photosensitive substrate has been developed. I have. Generally, in a projection exposure apparatus, an appropriate exposure amount for a photosensitive material on a photosensitive substrate is determined. Therefore, even in a projection exposure apparatus using a slit scan exposure method, the exposure amount for the photosensitive substrate is set to a predetermined tolerance with respect to the appropriate exposure amount. An exposure control device is provided for matching within the range.

【０００５】また、最近は、感光基板上に露光するパタ
ーンの解像度を高めることも求められているが、解像度
を高めるための一つの手法が露光光の短波長化である。
これに関して、現在使用できる光源の中で、発光される
光の波長が短いものは、エキシマレーザ光源、金属蒸気
レーザ光源等のパルス発振型のレーザ光源（パルス発振
光源）である。しかしながら、水銀ランプ等の連続発光
型の光源と異なり、パルス発振光源では発光されるパル
ス光のエネルギー（パルスエネルギー）が、パルス発光
毎に所定の範囲内でばらつくという特性がある。Recently, it is also required to increase the resolution of a pattern exposed on a photosensitive substrate. One method for increasing the resolution is to shorten the wavelength of exposure light.
In this regard, among light sources that can be used at present, those that emit light with a short wavelength are pulse oscillation type laser light sources (pulse oscillation light sources) such as excimer laser light sources and metal vapor laser light sources. However, unlike a continuous light source such as a mercury lamp, the pulse oscillation light source has a characteristic that the energy of the emitted pulse light (pulse energy) varies within a predetermined range for each pulse emission.

【０００６】従って、パルス発振光源からのパルス光の
平均エネルギーを〈ｐ〉、そのパルス光のパルスエネル
ギーのばらつきの範囲をΔｐとして、従来の露光制御装
置では、そのパルスエネルギーのばらつきを表すパラメ
ータΔｐ／〈ｐ〉が正規分布をしている（ランダムであ
る）としていた。そして、パルス光によるスリット状の
照明領域と共役な露光領域に対して相対的に走査される
感光基板上の或る領域（これを「パルス数積算領域」と
いう）に照射されるパルス光の数をｎとすると、露光終
了後の積算露光量のばらつきが（Δｐ／〈ｐ〉）／ｎ
^1/2 になることを利用して、その積算露光量が所定の許
容範囲内で適正露光量に達するように制御していた。Therefore, in the conventional exposure control apparatus, the average energy of the pulse light from the pulse oscillation light source is <p>, and the range of the variation of the pulse energy of the pulse light is Δp. / <P> is normally distributed (random). Then, the number of pulsed lights irradiated onto a certain area on the photosensitive substrate (this is called a “pulse number accumulation area”) that is relatively scanned with respect to the exposure area conjugate with the slit-shaped illumination area by the pulsed light Is n, the variation of the integrated exposure amount after the end of the exposure is (Δp / <p>) / n
Utilizing the fact that the exposure amount becomes ^1/2 , the integrated exposure amount is controlled so as to reach an appropriate exposure amount within a predetermined allowable range.

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の露光
制御装置においては、パルスエネルギーのばらつき（Δ
ｐ／〈ｐ〉）が所定の値以上に大きくならないことを前
提として露光量を制御していた。例えば、標準偏差σの
３倍でのΔｐ／〈ｐ〉を１０％として、標準偏差σの３
倍での積算露光量の所望の再現精度Ａを１％にするため
には、感光基板上の各パルス数積算領域に照射されるパ
ルス光の数ｎが１００以上になるように、スリット状の
照明領域に対して相対的にレチクル及び感光基板を同期
して走査すればよい。In the conventional exposure control apparatus as described above, the variation in pulse energy (Δ
p / <p>) does not become larger than a predetermined value. For example, assuming that Δp / <p> at three times the standard deviation σ is 10%, 3
In order to set the desired reproduction accuracy A of the integrated exposure amount by 1% to 1%, the slit-like shape is set such that the number n of pulsed light irradiated to each pulse number integrated region on the photosensitive substrate becomes 100 or more. The reticle and the photosensitive substrate may be scanned synchronously with respect to the illumination area.

【０００８】しかしながら、従来の露光量制御の方式は
オープン制御であったために、パルス発振光源の発振状
態に何等かの変動があり、パルスエネルギーのばらつき
（Δｐ／〈ｐ〉）が一時的にその１０％を超えてしまう
と、積算露光量のその所望の再現精度Ａが得られなくな
るという不都合があった。これに関して、例えばステッ
パーのようにレチクルと感光基板とを停止したままレチ
クルのパターンを感光基板上に露光する方式の投影露光
装置では、本出願人が特開昭６３−３１６４３０号公
報、特開平１−２５７３２７号公報に開示しているよう
に、最後の複数個のパルス光を減光して露光を行う修正
露光方式や、積算露光量が目標とする精度範囲内で適正
露光量に到達したときに露光を終了するカットオフ方式
が知られている。カットオフ方式では感光基板上に照射
されるパルス光の数は一定ではなくなる。更に、本出願
人が特開平２−１３５７２３号公報、特開平３−１７９
３５７号公報に開示しているように、１パルス毎にパル
スエネルギーの微調を行う所謂パルス毎のエネルギー微
調方式も知られている。However, since the conventional exposure amount control method is open control, there is some variation in the oscillation state of the pulse oscillation light source, and the variation in pulse energy (Δp / <p>) temporarily occurs. If it exceeds 10%, there is a disadvantage that the desired reproduction accuracy A of the integrated exposure amount cannot be obtained. In this regard, for example, in a projection exposure apparatus in which a reticle pattern is exposed onto a photosensitive substrate while a reticle and the photosensitive substrate are stopped, such as a stepper, the applicant of the present invention disclosed in JP-A-63-316430 and JP-A-Hei. As disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. -257327, a modified exposure method in which exposure is performed by dimming the last plurality of pulse lights, or when an integrated exposure amount reaches a proper exposure amount within a target accuracy range. There is known a cutoff method for terminating exposure. In the cut-off method, the number of pulse lights irradiated on the photosensitive substrate is not constant. Further, the present applicant has disclosed Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2-135723 and 3-179.
As disclosed in Japanese Patent Publication No. 357, there is also known a so-called pulse-by-pulse energy fine adjustment method in which pulse energy is finely adjusted for each pulse.

【０００９】しかしながら、スリットスキャン露光方式
の投影露光装置においては、感光基板上の複数のパルス
数積算領域に対して照射されるパルス光の積算エネルギ
ーがそれぞれ異なるという特殊性から、上記のような非
走査型の露光装置に対して提案されている露光量の制御
方式はそのままでは適用できないという不都合があっ
た。[0009] However, in the projection exposure apparatus of the slit scan exposure system, since the integrated energy of the pulsed light applied to a plurality of integrated areas of the number of pulses on the photosensitive substrate is different from each other, the above-described non-exposed type is used. There is an inconvenience that the exposure amount control method proposed for the scanning type exposure apparatus cannot be applied as it is.

【００１０】本発明は斯かる点に鑑み、パルス光でスリ
ット状の照明領域を照明し、このスリット状の照明領域
に対して相対的にレチクル及び感光基板を同期して走査
して走査露光を行う場合に、パルス光毎のパルスエネル
ギーのばらつきが所定の範囲を超えた場合でも、感光基
板上への積算露光量を適正露光量に近づけることができ
る走査露光方法を提供することを目的とする。In view of the above, the present invention illuminates a slit-shaped illumination area with pulsed light, and scans a reticle and a photosensitive substrate synchronously with the slit-shaped illumination area to perform scanning exposure. It is an object of the present invention to provide a scanning exposure method capable of making an integrated exposure amount on a photosensitive substrate close to an appropriate exposure amount even when a variation in pulse energy of each pulse light exceeds a predetermined range. .

【００１１】更に本発明は、その走査露光方法を用いて
高精度にデバイスを製造できるデバイス製造方法を提供
することをも目的とする。Another object of the present invention is to provide a device manufacturing method capable of manufacturing a device with high accuracy by using the scanning exposure method.

【００１２】[0012]

【００１３】[0013]

【００１４】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明による走査露光方
法は、パルス発振される露光ビームに対して被露光体を
相対移動することによりその被露光体を走査露光するた
めに、その被露光体に照射される露光ビームのエネルギ
ーを調整する第１調整手段（３，１８）とその被露光体
に照射される露光ビームのエネルギーを調整する第２調
整手段（１，１９）とを用いる走査露光方法において、
その走査露光に先立って、その露光ビームのパルス発振
が所定の最大周波数で、且つその相対移動速度が所定の
最大速度を超えないように、その第１調整手段を使った
その露光ビームのエネルギー調整を行い、その走査露光
中に、その露光ビームのパルス発振を所定の最大周波数
で行うと共に、その第１調整手段を使わずにその第２調
整手段を使ってその露光ビームのエネルギーを微調整す
るものである。次に、本発明によるデバイス製造方法
は、本発明の走査露光方法を用いるものである。A scanning exposure method according to the present invention scans and exposes an object by relatively moving the object with respect to a pulsed exposure beam .
The energy of the exposure beam applied to the object
Adjusting means (3, 18) for adjusting the color and the object to be exposed
Adjustment for adjusting the energy of the exposure beam applied to the surface
In a scanning exposure method using adjusting means (1, 19) ,
Prior to the scanning exposure, pulse exposure of the exposure beam
Is a predetermined maximum frequency and its relative moving speed is a predetermined
Use the first adjusting means so as not to exceed the maximum speed
The energy of the exposure beam is adjusted, and the pulse of the exposure beam is oscillated at a predetermined maximum frequency during the scanning exposure , and the second adjustment is performed without using the first adjusting means.
Fine-tune the energy of the exposure beam using
It is those that. Next, a device manufacturing method according to the present invention uses the scanning exposure method of the present invention.

【００１５】[0015]

【作用】斯かる本発明の走査露光方法によれば、露光ビ
ームの発振を所定の最大周波数で行っているため、平均
化効果によって、その露光ビームのパルスエネルギーの
ばらつきが大きい場合でも、被露光体上の各点での積算
露光量を適正露光量に近付けることができる。また、そ
の第１及び第２調整手段を使い分けることによって、走
査露光に先立つ調整では例えば応答速度が比較的遅くと
もエネルギーの調整幅を広くでき、走査露光中には例え
ばパルス発振毎にエネルギーの微調整を行うことができ
る。 According to the scanning exposure method of the present invention, the exposure beam is oscillated at the predetermined maximum frequency. Therefore, even if the pulse energy of the exposure beam has a large variation due to the averaging effect, the exposure beam is exposed. The integrated exposure amount at each point on the body can be made closer to the appropriate exposure amount. Also,
By properly using the first and second adjusting means,
In the adjustment before the exposure, for example, if the response speed is relatively slow
Energy can be widened, even during scanning exposure.
Energy can be fine-tuned for each pulse oscillation
You.

【００１６】[0016]

【００１７】[0017]

【実施例】以下、本発明の一実施例につき図面を参照し
て説明する。本実施例は、光源としてエキシマレーザ光
源等のパルス発振型の露光光源を有するスリットスキャ
ン露光方式の投影露光装置に本発明を適用したものであ
る。図１は本実施例の投影露光装置を示し、この図１に
おいて、エキシマレーザ光源等のパルスレーザ光源１に
は、外部トリガパルスを出力するトリガー制御部２０が
接続されている。このトリガー制御部２０は、装置全体
の動作を制御する主制御系１６からの指令信号に応じ
て、パルスレーザ光源１の発振を制御する。本例のパル
スレーザ光源１からのパルス光は可干渉性を有する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In this embodiment, the present invention is applied to a slit scan exposure type projection exposure apparatus having a pulse oscillation type exposure light source such as an excimer laser light source as a light source. FIG. 1 shows a projection exposure apparatus according to this embodiment. In FIG. 1, a trigger control unit 20 for outputting an external trigger pulse is connected to a pulse laser light source 1 such as an excimer laser light source. The trigger control unit 20 controls the oscillation of the pulse laser light source 1 according to a command signal from the main control system 16 that controls the operation of the entire apparatus. The pulse light from the pulse laser light source 1 of this example has coherence.

【００１８】また、本実施例では光量制御手段として粗
調用の第１光量制御部１８と、微調用の第２光量制御部
１９とが設けられ、後者の第２光量制御部１９は、パル
スレーザ光源１のパルス発光のための印加電圧を制御す
るものである。この第２光量制御部１９は、主制御系１
６からの指令信号に基づいて、パルスレーザ光源１に対
する印加電圧を制御して、パルスレーザ光源１から射出
されるパルス光毎にこのパルスエネルギー（露光エネル
ギー）の微調整を行う。In this embodiment, a first light quantity control unit 18 for coarse adjustment and a second light quantity control unit 19 for fine adjustment are provided as light quantity control means, and the second light quantity control unit 19 is a pulse laser. It controls an applied voltage for pulse light emission of the light source 1. The second light amount control unit 19 is a main control system 1
The pulse voltage (exposure energy) is finely adjusted for each pulse light emitted from the pulse laser light source 1 by controlling the applied voltage to the pulse laser light source 1 based on the command signal from the pulse laser light source 6.

【００１９】図２は印加電圧とパルスエネルギーとの関
係の一例を示し、この図２に示すように、パルスレーザ
光源１に対する印加電圧を変えることにより、この印加
電圧にほぼ直線関係でパルスレーザ光源１から射出され
るパルス光のエネルギーを変えることができる。本例で
は、パルスレーザ光源１に対する印加電圧を変えること
により、パルス光毎にパルスエネルギーの微調整を行
う。なお、パルスレーザ光源１に供給する電流を変える
ことにより、パルスエネルギーの微調整を行う手法も考
えられる。FIG. 2 shows an example of the relationship between the applied voltage and the pulse energy. As shown in FIG. 2, by changing the applied voltage to the pulse laser light source 1, the pulse laser light source has a substantially linear relationship with this applied voltage. The energy of the pulse light emitted from the light source 1 can be changed. In this example, fine adjustment of the pulse energy is performed for each pulsed light by changing the voltage applied to the pulsed laser light source 1. Note that a technique for finely adjusting the pulse energy by changing the current supplied to the pulse laser light source 1 is also conceivable.

【００２０】図１に戻り、パルスレーザ光源１は、レー
ザチューブを挟んで両端に配置される２枚の発振ミラー
の間の一部に、エタロン及び分散素子等で構成される狭
帯化波長安定化機構を有する安定共振器を持つレーザ光
源として構成されている。パルスレーザ光源１におい
て、レーザ光の光軸に沿って平行に設けられた２枚の電
極間に高電圧の放電を起こすことによって、ウエハＷ上
のフォトレジスト層を感光するような波長の紫外光、例
えばＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）が発振
される。パルスレーザ光源１から射出されるレーザビー
ムＬＢ０は、それら２枚の電極の配置形状に応じた矩形
断面、即ちビーム断面の縦横比が１／２〜１／５程度の
長方形となっている。そのレーザビームＬＢ０は、シリ
ンドリカルレンズやビームエクスパンダから成るビーム
整形光学系２に入射し、ビーム整形光学系２からは、ビ
ーム断面が正方形で且つ後述のフライアイレンズ５に効
率よく入射できる大きさに整形されたレーザビームＬＢ
１が射出される。Returning to FIG. 1, the pulse laser light source 1 has a band-stable wavelength stabilizing device composed of an etalon, a dispersing element, and the like at a part between two oscillation mirrors disposed at both ends of the laser tube. It is configured as a laser light source having a stable resonator having a conversion mechanism. In the pulsed laser light source 1, a high-voltage discharge is caused between two electrodes provided in parallel along the optical axis of the laser light, so that ultraviolet light having a wavelength such that the photoresist layer on the wafer W is exposed. For example, KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) is oscillated. The laser beam LB0 emitted from the pulse laser light source 1 has a rectangular cross section corresponding to the arrangement shape of the two electrodes, that is, a rectangular shape having an aspect ratio of the beam cross section of about ２〜 to ５. The laser beam LB0 is incident on a beam shaping optical system 2 composed of a cylindrical lens and a beam expander. The beam shaping optical system 2 has a square beam cross section and a size that can be efficiently incident on a fly-eye lens 5 described later. Shaped laser beam LB
1 is fired.

【００２１】そのレーザビームＬＢ１は減光部３に入射
する。減光部３は、入射したレーザビームに対する透過
率を１００％（完全透過）から０％（完全遮光）の間で
連続的又は離散的に変化させることにより、その入射し
たレーザビームを所望の割合で減衰させる。減光部３の
透過率は、レチクルＲ又はウエハＷ上に生じる干渉パタ
ーンを平均化するために必要なパルス数Ｎ_spと、ウエハ
Ｗ上の１点に与えられる積算露光量を所望の露光量制御
精度で制御するために必要なパルス数Ｎ_e とから定めら
れる実際の露光に必要なウエハＷ上の１点に対するパル
ス数Ｎ_exp 、及び目標露光量から決定されるものであ
る。The laser beam LB 1 is incident on the light reducing section 3. The dimming unit 3 changes the transmittance of the incident laser beam continuously or discretely from 100% (completely transmitted) to 0% (completely shielded) so that the incident laser beam has a desired ratio. To attenuate. The transmittance of the dimming unit 3 is determined by dividing the number of pulses N _sp required to average an interference pattern generated on the reticle R or the wafer W and the integrated exposure amount given to one point on the wafer W by a desired exposure amount. pulse number N _exp for one point on the wafer W required for actual exposure defined by the number of pulses N _e necessary to control in control accuracy, and is to be determined from the target exposure amount.

【００２２】減光部３の透過率が例えば離散的な６段階
に設定されるものとすると、その透過率は露光開始前に
選択され、少なくともレチクルＲ上の１つの露光フィー
ルドの露光中に別の値に変更されることはない。換言す
れば、減光部３は、ウエハＷへの露光条件（ウエハＷ上
の１点に対する目標露光量）に変更がない限り、常に全
てのパルス光の光量を所定の減光率で一律に減衰させる
ものである。従って、減光部３としては、応答速度（異
なる透過率間の切替え速度）が比較的遅い光量微調機構
でも構わない。本実施例の減光部３としては、例えばレ
ボルバに６種類の透過率の異なるメッシュフィルタを取
り付け、このレボルバを回転させる方式の機構を採用す
る。Assuming that the transmittance of the dimming unit 3 is set to, for example, six discrete steps, the transmittance is selected before the start of exposure, and at least during the exposure of one exposure field on the reticle R. It is not changed to the value of. In other words, the dimming unit 3 always uniformly reduces the light amounts of all the pulse lights at a predetermined dimming rate unless the exposure condition for the wafer W (the target exposure amount for one point on the wafer W) is changed. It attenuates. Therefore, the light reduction unit 3 may be a light amount fine adjustment mechanism having a relatively slow response speed (switching speed between different transmittances). As the dimming unit 3 of the present embodiment, for example, a mechanism of a method of attaching six types of mesh filters having different transmittances to a revolver and rotating the revolver is adopted.

【００２３】図３はそのレボルバ方式の減光部３を示
し、この図３において、円板状のレボルバ板３０に回転
軸を中心として略６０°間隔で６種類のメッシュフィル
タ３０ａ〜３０ｆが取り付けられている。そして、メッ
シュフィルタ３０ａ〜３０ｆの内の何れか１つのメッシ
ュフィルタが、図１のビーム整形光学系２からの略正方
形の断面形状のレーザビームＬＢ１の光路中に設置され
るように構成されている。この場合、メッシュフィルタ
３０ａの透過率は略１００％であり、他のメッシュフィ
ルタ３０ｂ〜３０ｆの透過率は例えば次第に減少するよ
うに設定されている。FIG. 3 shows the light reducing unit 3 of the revolver type. In FIG. 3, six types of mesh filters 30a to 30f are attached to a disc-shaped revolver plate 30 at intervals of about 60 ° about a rotation axis. Have been. Then, any one of the mesh filters 30a to 30f is configured to be installed in the optical path of the laser beam LB1 having a substantially square cross section from the beam shaping optical system 2 in FIG. . In this case, the transmittance of the mesh filter 30a is approximately 100%, and the transmittances of the other mesh filters 30b to 30f are set to gradually decrease, for example.

【００２４】また、レボルバ板３０に取り付ける減光素
子としては、メッシュフィルタ以外に、異なる透過率を
持った誘電体ミラーでも構わない。また、２組のレボル
バ板３０を一定の間隔をおいて相対回転可能に設け、例
えば第１レボルバ板の減光素子の透過率を１００％、９
０％、８０％、７０％、６０％、５０％とし、第２レボ
ルバ板の減光素子の透過率を１００％、４０％、３０
％、２０％、１０％、５％に設定すれば、両者の組み合
わせで、計３６通りの透過率が実現できる。As the dimming element attached to the revolver plate 30, a dielectric mirror having a different transmittance may be used in addition to the mesh filter. In addition, two sets of revolver plates 30 are provided so as to be relatively rotatable at regular intervals, and for example, the transmittance of the dimming element of the first revolver plate is set to 100% and 9%.
0%, 80%, 70%, 60% and 50%, and the transmittance of the dimming element of the second revolver plate is 100%, 40% and 30%.
%, 20%, 10%, and 5%, a total of 36 transmittances can be realized by a combination of the two.

【００２５】また、減光部３の減光方式として、所定の
矩形アパーチャを有する絞りとズームレンズ系とを組み
合わせて、可変のズーム比と矩形アパーチャの可変の幅
との組み合わせを変えることで連続的に減光を行う方式
を使用しても良い。更に、２枚のガラス板（石英等）を
所定間隔で略平行に保持した、所謂エタロンを回転させ
る方式、又は２枚の位相格子若しくは振幅格子を相対的
に移動させる方式を使用しても良い。或いは、露光光と
して直線偏光のレーザ光を用いる場合には、減光部３の
減光方式として、偏光板を回転させる方式等を採用して
も構わない。Further, as a dimming method of the dimming unit 3, a combination of a variable zoom ratio and a variable width of the rectangular aperture by combining a stop having a predetermined rectangular aperture and a zoom lens system is used. Alternatively, a method of performing dimming may be used. Further, a method of rotating a so-called etalon in which two glass plates (quartz or the like) are held substantially parallel at a predetermined interval, or a method of relatively moving two phase gratings or amplitude gratings may be used. . Alternatively, when linearly polarized laser light is used as the exposure light, a method of rotating a polarizing plate or the like may be adopted as the dimming method of the dimming unit 3.

【００２６】図１に戻り、減光部３において所定の減衰
を受けた略平行なレーザビームＬＢ１′は、干渉パター
ンを平均化する干渉縞低減部４を経てフライアイレンズ
５に入射する。干渉縞低減部４は、アクチュエータ（ピ
エゾ素子等）によって１次元（又は２次元）的に振動す
る振動ミラーを有し、１パルス光毎にフライアイレンズ
５へ入射するレーザビームＬＢ１′の入射角を変化させ
ることで、レチクルＲ上の干渉パターンを１次元（又は
２次元）的に移動させて、最終的にその干渉パターンを
平滑化する。換言すれば、干渉縞低減部４は、レチクル
Ｒ上でのパルスレーザ光の照度均一性を高めるものであ
り、その原理の詳細は本出願人による特開昭５９−２２
６３１７号公報に開示されている。Returning to FIG. 1, the substantially parallel laser beam LB1 ', which has undergone a predetermined attenuation in the dimming unit 3, enters the fly-eye lens 5 via the interference fringe reducing unit 4 for averaging the interference pattern. The interference fringe reducing unit 4 has a vibrating mirror that vibrates one-dimensionally (or two-dimensionally) by an actuator (piezo element or the like), and an incident angle of the laser beam LB1 ′ incident on the fly-eye lens 5 for each pulse light. Is changed, the interference pattern on the reticle R is moved one-dimensionally (or two-dimensionally), and the interference pattern is finally smoothed. In other words, the interference fringe reducing section 4 is for improving the illuminance uniformity of the pulse laser beam on the reticle R, and its principle is described in detail in Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-22 / 1984.
No. 6317 is disclosed.

【００２７】また、干渉縞低減部４としては、振動ミラ
ー方式の他に、例えば拡散板をパルス光の発光に同期し
て回転させる構成でも良い。次に、フライアイレンズ５
から射出されたレーザビームＩＬ２は、透過率が高く反
射率が低いビームスプリッタ６に入射し、ビームスプリ
ッター６を透過したレーザビームＩＬ２は、第１リレー
レンズ７Ａを介して視野絞り８に入射する。レーザビー
ムＩＬ２の断面形状は、視野絞り８によりスリット状に
整形される。視野絞り８の配置面は、レチクルＲのパタ
ーン形成面及びウエハＷの露光面と共役な位置にあり、
視野絞り８の開口部の形状を調整することにより、レチ
クルＲ上で所望の形状の照明視野（照野）が得られる。
視野絞り８の開口部から射出されたレーザビームＩＬ２
は、第２リレーレンズ７Ｂ、折り曲げミラー９及びメイ
ンコンデンサーレンズ１０を経てレチクルＲのパターン
領域の一部をスリット状の照明領域２５で照明する。レ
チクルＲはレチクルステージ１１上に載置されている。The interference fringe reducing section 4 may have a structure in which, for example, a diffuser is rotated in synchronization with the emission of pulsed light, in addition to the vibrating mirror method. Next, fly-eye lens 5
Is incident on a beam splitter 6 having a high transmittance and a low reflectance, and the laser beam IL2 transmitted through the beam splitter 6 is incident on a field stop 8 via a first relay lens 7A. The sectional shape of the laser beam IL2 is shaped into a slit shape by the field stop 8. The arrangement surface of the field stop 8 is located at a position conjugate with the pattern formation surface of the reticle R and the exposure surface of the wafer W.
By adjusting the shape of the opening of the field stop 8, an illumination field (illumination field) having a desired shape can be obtained on the reticle R.
Laser beam IL2 emitted from the opening of field stop 8
Illuminates a part of the pattern area of the reticle R with the slit-shaped illumination area 25 via the second relay lens 7B, the bending mirror 9 and the main condenser lens 10. Reticle R is mounted on reticle stage 11.

【００２８】レチクルＲのパターン領域で回折されたレ
ーザ光は、投影光学系ＰＬを介して、ウエハＷ上の感光
材としてのフォトレジスト層にレチクルＲのパターン像
を結像する。即ち、レチクルＲ上のスリット状の照明領
域２５と共役なスリット状の露光領域２６内のウエハＷ
の露光面上に、そのスリット状の照明領域２５内の回路
パターンの像が投影される。ウエハＷは、ウエハステー
ジ１３上のウエハホルダ１２に真空チャックされ、ウエ
ハステージ１３は、ウエハＷを投影光学系ＰＬの光軸に
垂直な平面内の一方向であるＸ方向に走査するＸステー
ジ、その光軸に垂直な面内でＸ方向に垂直なＹ方向にウ
エハＷを位置決めするＹステージ、及びその光軸の方向
であるＺ方向にウエハＷを位置決めするＺステージ等よ
り構成されている。The laser beam diffracted in the pattern area of the reticle R forms a pattern image of the reticle R on a photoresist layer as a photosensitive material on the wafer W via the projection optical system PL. That is, the wafer W in the slit-shaped exposure area 26 conjugate with the slit-shaped illumination area 25 on the reticle R
The image of the circuit pattern in the slit-shaped illumination area 25 is projected on the exposure surface of the above. The wafer W is vacuum chucked to the wafer holder 12 on the wafer stage 13, and the wafer stage 13 scans the wafer W in the X direction, which is one direction in a plane perpendicular to the optical axis of the projection optical system PL. It comprises a Y stage for positioning the wafer W in the Y direction perpendicular to the X direction in a plane perpendicular to the optical axis, a Z stage for positioning the wafer W in the Z direction which is the direction of the optical axis, and the like.

【００２９】この場合、スリットスキャン露光方式で露
光を行う際には、主制御系１６からの指令に基づき、レ
チクルステージ走査制御部２１がレチクルステージ１１
を介して、スリット状の照明領域２５に対してレチクル
ＲをＸ方向に走査するのと同期して、ウエハステージ走
査制御部２２がウエハステージ１３を介してウエハＷを
スリット状の露光領域２６に対して−Ｘ方向に走査す
る。この際の目標露光量と同期走査時の走査速度及びレ
ーザ発振周波数等との関係については後述することとす
る。In this case, when performing exposure by the slit scan exposure method, the reticle stage scanning control unit 21 controls the reticle stage 11 based on a command from the main control system 16.
In synchronization with the scanning of the reticle R with respect to the slit-shaped illumination area 25 in the X direction, the wafer stage scanning control unit 22 moves the wafer W to the slit-shaped exposure area 26 via the wafer stage 13. On the other hand, scanning is performed in the -X direction. The relationship between the target exposure amount at this time, the scanning speed during synchronous scanning, the laser oscillation frequency, and the like will be described later.

【００３０】ところで、フライアイレンズ５から射出さ
れたレーザビームＩＬ２の内で、ビームスプリッタ６で
反射されたレーザビームは、集光光学系１４により受光
素子１５の受光面上に集光される。受光素子１５は、レ
ーザビームの各パルス光毎の光量（光強度）に応じた光
電信号を正確に出力するもので、紫外域において十分な
感度を有するＰＩＮフォトダイオード等で構成されてい
る。受光素子１５から出力される光電信号は主制御系１
６に供給され、主制御系１６において各パルス光毎の光
量が順次積算される。By the way, of the laser beam IL 2 emitted from the fly-eye lens 5, the laser beam reflected by the beam splitter 6 is condensed on the light receiving surface of the light receiving element 15 by the light condensing optical system 14. The light receiving element 15 accurately outputs a photoelectric signal corresponding to the light amount (light intensity) of each pulse light of the laser beam, and is constituted by a PIN photodiode or the like having sufficient sensitivity in an ultraviolet region. The photoelectric signal output from the light receiving element 15 is transmitted to the main control system 1
6, and the main control system 16 sequentially integrates the light amount of each pulse light.

【００３１】この実測値（積算光量値）は、主制御系１
６においてパルスレーザ光源１に対して１パルス光毎に
印加電圧の制御を行う際、及びトリガー制御部２０を介
してパルスレーザ光源１の１パルス光毎の発振制御を行
う際の基礎データとなっている。なお、予めパワーメー
タ等により、レーザ光のウエハＷの露光面での照度と受
光素子１５の光電信号出力との関係が求められ、この関
係がメモリー２３に記憶されている。This measured value (integrated light amount value) is stored in the main control system 1
6 is basic data when controlling the applied voltage for each pulse light with respect to the pulse laser light source 1 and when performing the oscillation control for each pulse light of the pulse laser light source 1 via the trigger control unit 20. ing. Note that the relationship between the illuminance of the laser light on the exposure surface of the wafer W and the photoelectric signal output of the light receiving element 15 is determined in advance by a power meter or the like, and this relationship is stored in the memory 23.

【００３２】主制御系１６には、入出力装置２４及びメ
モリー２３が接続されている。主制御系１６は、上述し
た受光素子１５の実測値に基づいてトリガー制御部２０
に制御指令を出力する他、第１光量制御部１８、第２光
量制御部１９及び干渉縞低減制御部１７の各々に所定の
指令信号を送って、投影露光装置全体の動作を統括制御
する。入出力装置２４は、オペレーターと投影露光装置
本体とのマン・マシーン・インターフェイスであり、露
光に必要な各種パラメータをオペレータから主制御系１
６へ伝達すると共に、主制御系１６の動作状態をオペレ
ータに知らせる。An input / output device 24 and a memory 23 are connected to the main control system 16. The main control system 16 controls the trigger control unit 20 based on the measured value of the light receiving element 15 described above.
In addition, a predetermined command signal is sent to each of the first light amount control unit 18, the second light amount control unit 19, and the interference fringe reduction control unit 17, and the overall operation of the projection exposure apparatus is controlled. The input / output device 24 is a man-machine interface between the operator and the main body of the projection exposure apparatus.
6 and inform the operator of the operating state of the main control system 16.

【００３３】また、メモリー２３には入出力装置２４か
ら入力された露光動作、及び各種演算等に必要なパラメ
ータ（定数）やテーブル、或いは上記受光素子１５の感
度特性等が記憶されている。特に本実施例では、干渉パ
ターン低減部４により良好に干渉パターンの平滑化を行
うために最低限必要なパルス数Ｎ_spや、積算露光量を所
望の露光量制御精度で制御するために必要なパルス数Ｎ
_e の情報が記憶されている。The memory 23 stores parameters (constants) and tables required for the exposure operation and various calculations input from the input / output device 24, the sensitivity characteristics of the light receiving element 15, and the like. In particular, in the present embodiment, the minimum number of pulses N _sp required for the interference pattern reduction unit 4 to perform smoothing of the interference pattern satisfactorily, and the integrated exposure amount necessary for controlling the exposure amount with the desired exposure amount control accuracy are required. Number of pulses N
The information of _e is stored.

【００３４】さて、主制御系１６による減光部３の透過
率α及びウエハステージ１３の同期走査速度ｖ（ｃｍ／
ｓｅｃ）の決定法について述べる。今、ウエハＷ上のフ
ォトレジスト感度をＳ（ｍｊ／ｃｍ²)、減光なしの状態
でのウエハＷの露光面上での１パルス光のエネルギー密
度をｐ（ｍｊ／ｃｍ²・pulse)、第１光量制御部１８での
透過率をα、第２光量制御部１９での透過率をβ、ウエ
ハＷの露光面でのスリット状の露光領域２６の走査方向
のスリット幅をＤ（ｃｍ）、レーザ発振周波数をｆ（Ｈ
ｚ）とすると、ウエハＷの露光面上の１点の露光に必要
なパルス数Ｎ_{ex p} は、次のようになる。Now, the transmittance α of the dimming unit 3 by the main control system 16 and the synchronous scanning speed v (cm / cm) of the wafer stage 13
The method of determining sec) will be described. Now, the photoresist sensitivity on the wafer W is S (mj / cm ² ), the energy density of one pulse light on the exposure surface of the wafer W without dimming is p (mj / cm ² · pulse), The transmittance of the first light quantity control unit 18 is α, the transmittance of the second light quantity control unit 19 is β, and the slit width of the slit-shaped exposure area 26 on the exposure surface of the wafer W in the scanning direction is D (cm). And the laser oscillation frequency is f (H
When z), the number of pulses N _{ex p} necessary for exposure of a point on the exposure surface of the wafer W is as follows.

【００３５】[0035]

【数１】 Ｎ_exp ＝Ｓ／（α・β・ｐ）＝Ｄ・ｆ／ｖ＝整数 （数１）より、Ｓ／（α・β・ｐ）は整数化されねばな
らず、逆に透過率βの微調をしても整数化できないとき
は、露光後、目標値に対してオフセット（誤差）を持つ
ことになってしまう。従って、このような透過率βの大
きな変更は、第２光量制御部１９によってパルス光毎に
行う代わりに、全てのパルス光に対して一律の制御を行
う方法で対応する必要がある。同様に、（数１）のＤ・
ｆ／ｖも整数化の必要がある。走査方向のスリット幅Ｄ
が一定で、レーザ発振周波数ｆが最大値（この場合はス
ループット上有利である）の場合、走査速度ｖの調節が
必要となる。N _exp = S / (α · β · p) = D · f / v = integer From (Equation 1), S / (α · β · p) must be converted to an integer, and on the contrary, it is transmitted. If the ratio β cannot be converted to an integer even by fine adjustment, the exposure will have an offset (error) from the target value after exposure. Therefore, such a large change in the transmittance β needs to be dealt with by a method in which the second light amount control unit 19 performs uniform control on all the pulsed lights, instead of performing it for each pulsed light. Similarly, D ·
f / v also needs to be converted to an integer. Slit width D in scanning direction
Is constant and the laser oscillation frequency f is the maximum value (in this case, it is advantageous in terms of throughput), the scanning speed v needs to be adjusted.

【００３６】フォトレジストが低感度で感度Ｓが大きな
値のときには、走査速度ｖを小さくするのがよい。ま
た、フォトレジストが高感度で感度Ｓが小さいときに
は、走査速度ｖを大きくする必要が生じるが、走査速度
ｖには許される最大値ｖ_max がある。そのため、走査速
度ｖがその最大値を越える場合には、第１光量制御部１
８により減光部３を制御して透過率αを小さくして、走
査速度ｖを最大値ｖ_max より小さくする必要が生じる。
また、パルス数Ｎ_exp は、干渉パターンの平滑化を行う
ために最低限必要なパルス数Ｎ_spや、積算露光量を所望
の露光量制御精度で制御するために必要なパルス数Ｎ_e
より大きい必要がある。以上の条件をまとめると次のよ
うになる。When the photoresist has a low sensitivity and a high sensitivity S, the scanning speed v is preferably reduced. When the photoresist has high sensitivity and low sensitivity S, it is necessary to increase the scanning speed v. The scanning speed v has an allowable maximum value _vmax . Therefore, when the scanning speed v exceeds the maximum value, the first light amount control unit 1
8, it is necessary to reduce the transmittance α by controlling the dimming unit 3 to make the scanning speed v smaller than the maximum value _vmax .
Further, the pulse number N _exp is the minimum pulse number N _sp required for smoothing the interference pattern and the pulse number N _e required for controlling the integrated exposure amount with the desired exposure amount control accuracy.
Need to be bigger. The above conditions are summarized as follows.

【００３７】[0037]

【数２】ｖ_max ≧（Ｄ・ｆ／Ｓ）・α・β・ｐ## EQU2 ## v _max ≧ (D · f / S) · α · β · p

【００３８】[0038]

【数３】 Ｎ_exp ＝Ｓ／（α・β・ｐ）≧Ｍａｘ（Ｎ_e ，Ｎ_sp） なお、関数Ｍａｘ（Ａ，Ｂ）は数Ａ及びＢの内の値が大
きい方の数を示す。（数２）及び（数３）より、次式が
成立する。N _exp = S / (α · β · p) ≧ Max (N _e , N _sp ) Note that the function Max (A, B) indicates the larger one of the numbers A and B. . From (Equation 2) and (Equation 3), the following equation is established.

【００３９】[0039]

【数４】 (Equation 4)

【００４０】なお、関数Ｍｉｎ（Ａ，Ｂ）は数Ａ及びＢ
の内の値が小さい方の数を示す。そして、透過率αの設
定が必要な場合は、透過率αの設定をした後、（数１）
に基づいて透過率βの再設定をする。その後、（数１）
に基づき走査速度ｖが決定される。次に、パルスレーザ
光源１から射出される各パルス光毎に、第２光量制御部
１９を介してエネルギーを調整する際のエネルギー調整
度について説明する。The function Min (A, B) is represented by the numbers A and B
Indicates the smaller number. If the transmittance α needs to be set, after setting the transmittance α, (Equation 1)
Is reset based on. Then, (Equation 1)
Is determined based on the scanning speed v. Next, the degree of energy adjustment when adjusting the energy via the second light amount control unit 19 for each pulse light emitted from the pulse laser light source 1 will be described.

【００４１】先ず、（数１）より、パルスレーザ光源１
のパルス発光間隔の間に、ウエハステージ１３が走査方
向である−Ｘ方向に走査される距離Ｘ_stepは、次のよう
になる。First, from (Equation 1), the pulse laser light source 1
The distance X _step at which the wafer stage 13 is scanned in the −X direction, which is the scanning direction, during the pulse emission interval of is as follows.

【００４２】[0042]

【数５】Ｘ_step＝Ｄ／Ｎ_exp これを言い替えるため、ウエハＷの露光面をその走査方
向に幅Ｘ_stepの領域（以下、「パルス数積算領域」とい
う）に分割して考えると、ウエハＷ上のスリット状の露
光領域２６の走査方向の幅Ｄは、露光パルス数と同じＮ
_exp にそのパルス数積算領域の各々の走査方向の幅Ｘ
_stepを乗じたものである。X _step = D / N _exp In other words, if the exposure surface of the wafer W is divided into regions of width X _step (hereinafter, referred to as “pulse number accumulation regions”) in the scanning direction, the wafer W The width D in the scanning direction of the slit-shaped exposure region 26 on W is equal to the number N of exposure pulses.
_exp is the width X in the scanning direction of each pulse number accumulation area.
multiplied by _step .

【００４３】図４は、ウエハＷの露光面をパルス数積算
領域で分割した状態を示し、この図４において、横軸は
ウエハＷ上の或る時点でのＸ座標、縦軸は位置Ｘでの照
度ＩＷである。また、この図４の例では、スリット状の
露光領域の幅Ｄが、パルス数積算領域の走査方向の幅Ｘ
_stepの５倍、即ち露光パルス数Ｎ_exp が５パルスの場合
（実際には数１０パルス以上必要となる）を示してい
る。そして、便宜上スリット状の露光領域がウエハＷ上
をＸ方向に走査するものとして表し、１パルス目のパル
ス光による照度分布を矩形の照度分布２６Ａで表すと、
スリット状の露光領域に対するウエハＷの相対的な走査
により、２パルス目のパルス光による照度分布２６Ｂ
は、照度分布２６Ａに対してＸ_stepだけＸ方向にずれた
ものとなる。同様に、３パルス目のパルス光による照度
分布２６Ｃは、照度分布２６Ｂに対してＸ_stepだけＸ方
向にずれたものとなり、以下各パルス光による照度分布
は次第にＸ方向にＸ_stepだけずれて行く。また、パルス
レーザ光源１の出力のばらつきにより、各パルス光のエ
ネルギーに依る照度分布ＩＷの値もばらついている。FIG. 4 shows a state in which the exposure surface of the wafer W is divided by the pulse number accumulation region. In FIG. 4, the horizontal axis represents the X coordinate at a certain point on the wafer W, and the vertical axis represents the position X. Of illumination IW. In the example of FIG. 4, the width D of the slit-shaped exposure area is equal to the width X in the scanning direction of the pulse number integration area.
_This shows a case where the number of exposure pulses is five times the _step , that is, the number of exposure pulses N _exp is five (actually several tens or more pulses are required). For convenience, the slit-shaped exposure region scans the wafer W in the X direction, and the illuminance distribution by the first pulse light is represented by a rectangular illuminance distribution 26A.
By relative scanning of the wafer W with respect to the slit-shaped exposure area, the illuminance distribution 26B due to the second pulse light
Becomes that shifted in the X-direction X _step relative illuminance distribution 26A. Similarly, the illuminance distribution 26C due to the third pulse light is shifted from the illuminance distribution 26B by X _{steps in the} X direction, and the illuminance distribution by each pulse light is gradually shifted by X _{steps in the} X direction. . Further, due to variations in the output of the pulse laser light source 1, the value of the illuminance distribution IW depending on the energy of each pulse light also varies.

【００４４】そのため、例えば１パルス目のパルス光に
より初めて照射された幅Ｘ_stepのパルス数積算領域２７
Ａと、２パルス目のパルス光により初めて照射されるパ
ルス数積算領域２７Ｂと、３パルス目のパルス光により
初めて照射されるパルス数積算領域２７Ｃとでは、それ
ぞれ受ける積算露光量が異なって来る。従って、本例で
は、一連のパルス数積算領域２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃ，
‥‥毎にそれぞれ実際の露光量と目標露光量との差分を
検出し、これらの差分の平均値のエネルギーをパルスレ
ーザ光源１の次のパルス発光のエネルギーとするよう
に、図１の主制御系１６は第２光量制御部１９を介して
パルスレーザ光源１の印加電圧を調整する。For this reason, for example, the pulse number accumulation region 27 having a width of X _step and first irradiated by the first pulse light is used.
A, the pulse number accumulation region 27B first irradiated by the second pulse light, and the pulse number accumulation region 27C first irradiated by the third pulse light, receive different integrated exposure amounts. Therefore, in this example, a series of pulse number accumulation areas 27A, 27B, 27C,
The main control of FIG. 1 is performed such that the difference between the actual exposure amount and the target exposure amount is detected for each ‥‥, and the energy of the average value of these differences is used as the energy of the next pulse emission of the pulse laser light source 1. The system 16 adjusts the applied voltage of the pulse laser light source 1 via the second light quantity control unit 19.

【００４５】ここで、主制御系１６が、パルスレーザ光
源１から次に照射されるパルスレーザー光のエネルギー
を求める際の演算方法について説明する。この場合、
（数４）によって透過率αを定め、（数１）の（Ｎ_exp
＝Ｓ／（αβｐ））を整数化するために透過率βの微調
を行った後のウエハＷの露光面でのパルスエネルギー密
度を〈ｑ〉（ｍＪ／ｃｍ²・pulse)（＝α・β・〈ｐ〉）
とおく。変数〈ｐ〉は、減光無しの状態でのウエハＷの
露光面での１パルスのエネルギー密度ｐの平均値であ
る。このとき、走査露光によってウエハＷの露光面が実
際に露光される最初のパルスをｎ＝１で表すと、ｎパル
ス目の目標露光量ｑ_n は、次式で定めればよい。Here, a calculation method when the main control system 16 calculates the energy of the pulse laser light to be irradiated next from the pulse laser light source 1 will be described. in this case,
The transmittance α is determined by (Equation 4), and (N _exp
= S / (αβp)), the pulse energy density on the exposed surface of the wafer W after the fine adjustment of the transmittance β is made to be <q> (mJ / cm ² · pulse) (= α · β・ <P>)
far. The variable <p> is the average value of the energy density p of one pulse on the exposure surface of the wafer W without dimming. At this time, if the first pulse at which the exposure surface of the wafer W is actually exposed by the scanning exposure is represented by n = 1, the target exposure amount q _n of the _n- th pulse may be determined by the following equation.

【００４６】[0046]

【数６】 (Equation 6)

【００４７】この（数６）の第２式及び第３式のｉ・
〈ｑ〉の項が、第ｉ番目のパルス数積算領域の目標露光
量であり、Σｑ_j の項は第ｉ番目のパルス数積算領域に
それまでに露光されたパルス光の積算露光量である。従
って、（数６）の第２式及び第３式は、まだ露光パルス
数がＮ_exp に達していない全てのパルス数積算領域にお
いてそれぞれ求めたそれまでの積算露光量と次のパルス
での目標積算露光量との差分の平均値を、パルスレーザ
光源１の次のパルス発光でのパルスエネルギーとするこ
とを意味している。これは、各パルス数積算領域（図４
の２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃ，‥‥）において次のパルス
光の照射により露光すべきパルスエネルギーの平均値
を、パルスレーザ光源１の次のパルス発光でのパルスエ
ネルギーとすることを意味する。## EQU5 ## i.times.
The term <q> is the target exposure amount of the i-th pulse number integration area, and the term Σq _j is the integration exposure amount of the pulse light that has been exposed so far in the i-th pulse number integration area. . Therefore, the second and third formulas of (Formula 6) are obtained by calculating the integrated exposure amount obtained up to that time and the target in the next pulse in all the pulse number integration regions in which the number of exposure pulses has not reached N _exp yet. This means that the average value of the difference from the integrated exposure amount is used as the pulse energy in the next pulse emission of the pulse laser light source 1. This corresponds to each pulse number accumulation area (FIG. 4).
27A, 27B, 27C,...) Mean that the average value of the pulse energy to be exposed by the irradiation of the next pulse light is the pulse energy in the next pulse emission of the pulse laser light source 1.

【００４８】次に、図４の１個のパルス数積算領域２７
Ａにおける積算露光量の制御状態につき図５を参照して
説明する。図５はそのパルス数積算領域２７Ａにおけ
る、パルス発光毎の積算露光量の変化を示し、この図５
において、実線の折れ線が実際の積算露光量、２点鎖線
が各パルス光が照射される時点での目標積算露光量を示
す。但し、便宜上、露光パルス数Ｎ_exp が８パルス、即
ちスリット状の露光領域２６の走査方向の幅Ｄが８・Ｘ
_stepの場合を示している。先ず１パルス目の目標積算露
光量Ｐ₁ に対して実際の露光量がＰ₁ ′とすると、２パ
ルス目の目標積算露光量（＝２・Ｐ₁ ）とその実際の露
光量Ｐ₁ ′との差分である露光量Ｐ₂ が、パルス数積算
領域２７Ａにおいて２パルス目で照射されるべきエネル
ギーである。Next, one pulse number accumulation area 27 shown in FIG.
The control state of the integrated exposure amount in A will be described with reference to FIG. FIG. 5 shows a change in the integrated exposure amount for each pulse emission in the pulse number integration area 27A.
In the graph, the solid broken line indicates the actual integrated exposure amount, and the two-dot chain line indicates the target integrated exposure amount at the time when each pulse light is irradiated. However, for convenience, the number of exposure pulses N _exp is 8 pulses, that is, the width D of the slit-shaped exposure region 26 in the scanning direction is 8 · X
The case of _step is shown. First, assuming that the actual exposure amount is P ₁ 'with respect to the target integration exposure amount P _{1 of the first} pulse, the target integration exposure amount (= 2 · P ₁ ) of the second pulse and the actual exposure amount P ₁ ' exposure P ₂ is a difference of an energy to be illuminated by the second pulse in the pulse count integrating region 27A.

【００４９】本例ではその露光量Ｐ₂ をそのまま用いる
のではなく、次のパルス発光で露光される各パルス数積
算領域についてもそれぞれ２パルス目での目標露光量と
それまでの積算露光量との差分を求め、それら差分の平
均値を２パルス目で照射すべきエネルギーとして、この
エネルギーが得られるように図１のパルスレーザ光源１
の印加電圧を制御する。その結果、パルス数積算領域２
７Ａにおいては、２パルス目のパルス光の照射により、
例えば露光量Ｐ₂ ′のエネルギーが照射される。３パル
ス目以降でも、パルス数積算領域２７Ａ及び他のパルス
数積算領域においてそれぞれ個別に目標積算露光量とそ
れまでの実際の積算露光量との差分が求められ、これら
差分の平均値が次のパルス光での露光量とされる。この
ように、各パルス数積算領域において、次のパルス発光
での露光エネルギーの目標値を求める方法の詳細は、例
えば特開平２−１３５７２３号公報や特開平３−１７９
３５７号公報に開示されている。In this embodiment, the exposure amount P ₂ is not used as it is, but the target exposure amount at the second pulse and the integrated exposure amount up to that point are also used for the respective pulse number accumulation areas exposed by the next pulse emission. Of the pulse laser light source 1 in FIG. 1 so that this energy is obtained.
Is controlled. As a result, the pulse number accumulation area 2
In 7A, irradiation of the second pulse light causes
For example, energy of the exposure amount P ₂ ′ is applied. Even after the third pulse, the difference between the target integrated exposure amount and the actual integrated exposure amount up to that point is individually obtained in the pulse number integration region 27A and the other pulse number integration regions, and the average value of these differences is calculated as follows. Exposure amount by pulsed light. The details of the method of obtaining the target value of the exposure energy at the next pulse emission in each pulse number accumulation region are described in, for example, JP-A-2-135723 and JP-A-3-179.
No. 357.

【００５０】このように露光を行う場合、図１の主制御
系１６は、（数６）によりパルス光毎に次のパルス光に
よる目標露光量を算出し、第２光量制御部１９を介して
その目標露光量が得られるようにパルスレーザ光源１の
光量制御を行う。ところで本方式による露光制御精度Ａ
は、パルスエネルギーばらつきを（Δｐ／〈ｐ〉）とす
ると、次のようになる。When performing the exposure in this manner, the main control system 16 of FIG. 1 calculates the target exposure amount by the next pulse light for each pulse light according to (Equation 6), and through the second light amount control unit 19 Light amount control of the pulse laser light source 1 is performed so that the target exposure amount is obtained. By the way, the exposure control accuracy A by this method
Is as follows, where the pulse energy variation is (Δp / <p>).

【００５１】[0051]

【数７】 (Equation 7)

【００５２】そして、（Δｐ／〈ｐ〉）＝１０％で、露
光制御精度Ａ＝１％を得るには、（数７）より、Ｎ_exp
≧５０pulse でよいことになる。即ち、Ｎ_e ＝５０程度
となる。また、（数３）に現れる干渉縞低減に必要なパ
ルス数Ｎ_spは、通常実験で決定されるが、５０パルスも
あれば十分と言われている。よって、（数３）にてＭａ
ｘ（Ｎ_e ，Ｎ_sp）＝５０と考えればよい。Then, in order to obtain the exposure control accuracy A = 1% at (Δp / <p>) = 10%, according to (Equation 7), N _exp
≧ 50 pulses is sufficient. That is, N _e = approximately 50. The number of pulses N _sp necessary for reducing the interference fringes appearing in (Equation 3) is usually determined by experiments, but it is said that 50 pulses are sufficient. Therefore, Ma in (Equation 3)
x (N _e , N _sp ) = 50.

【００５３】最後に、スリットスキャン露光方式の露光
装置の場合は、露光フィールド中の各パルス数積算領域
毎に照射されたパルスが少しずつずれるため、露光量制
御精度もパルス数積算領域毎に異なる。例えば或るパル
ス数積算領域にてｎパルス目から（ｎ＋Ｎ_exp −１）パ
ルス目までのＮ_exp パルスが照射されたとすると、走査
方向に後側の隣りのパルス数積算領域では（ｎ＋１）パ
ルス目から（ｎ＋Ｎ_{ex p} ）パルス目までのＮ_exp パルス
が照射される。このため、露光量制御精度の判定はパル
ス数積算領域毎に行うこととし、主制御系１６内の積算
光量用のメモリは、少なくともＮ_exp 個分は必要であ
り、理想的にはウエハＷ上の露光フィールドの走査方向
の長さをＬとおくと、Ｌ／Ｘ_step個分が用意されている
のが望ましい。Finally, in the case of the slit scan exposure type exposure apparatus, since the emitted pulses are slightly shifted in each pulse number accumulation region in the exposure field, the exposure amount control accuracy also differs in each pulse number accumulation region. . For example, when N _exp pulses at certain pulse count integrating region from n-th pulse to (n + N _exp -1) -th pulse is an irradiated, the pulse count integrating region next to the rear in the scanning direction (n + 1) -th pulse from _{(n + n ex p) n} exp pulses up pulse of is irradiated. For this reason, the determination of the exposure amount control accuracy is performed for each pulse number integration region, and at least N _exp memories for the integrated light amount in the main control system 16 are necessary. Assuming that the length of the exposure field in the scanning direction is L, it is desirable that L / X _steps are prepared.

【００５４】具体的に、各パルス数積算領域毎に図５の
折れ線で示すように露光が行われる場合について、ウエ
ハ上に適正露光量の露光が行われたか否かを判定する手
法について図６を参照して説明する。図６において、折
れ線２８Ａは、図５に示すパルス数積算領域２７Ａでの
露光量の変化を示し、他の折れ線２８Ｂ〜２８Ｅはそれ
ぞれ他のパルス数積算領域２７Ｂ〜２７Ｅ（不図示）で
の露光量の変化を示す。この場合、先ず最初のパルス数
積算領域２７Ａにおいて、最終パルスの露光終了後に、
目標露光量Ｅ_ade と実際の積算露光量との差分ΔＥ_A が
求められる。この差分ΔＥ_A が所定の許容値を超えてい
る場合には、その時点でウエハへの露光量が適正露光量
でないと判定され、露光異常の状態でそのウエハへの露
光工程が終了する。More specifically, in the case where exposure is performed as shown by the polygonal line in FIG. 5 for each pulse number accumulation region, a method of determining whether or not exposure of an appropriate exposure amount has been performed on the wafer is shown in FIG. This will be described with reference to FIG. In FIG. 6, a polygonal line 28A indicates a change in the amount of exposure in the pulse number integration area 27A shown in FIG. 5, and other polygonal lines 28B to 28E indicate exposures in the other pulse number integration areas 27B to 27E (not shown). Show the change in volume. In this case, first, in the first pulse number accumulation area 27A, after the end of the exposure of the last pulse,
The difference ΔE _A of the actual integrated exposure amount and the target exposure amount E _ade is required. If this difference Delta] E _A is greater than a predetermined allowable value, it is determined that the exposure amount of the wafer at that time is not the proper exposure amount, the exposure process to the wafer in the exposure abnormal state is terminated.

【００５５】また、その差分ΔＥ_A が所定の許容値以内
の場合には、次のパルス数積算領域２７Ｂ，２７Ｃ，‥
‥についてそれぞれ目標露光量Ｅ_ade と実際の積算露光
量との差分が求められ、この差分ΔＥ_B,ΔＥ_C,…が所定
の許容値を超えているかどうかが確かめられる。そし
て、例えば図６の折れ線２８Ｅに示されるように、パル
ス数積算領域２７Ｅ（不図示）での目標露光量Ｅ_ade と
実際の積算露光量との差分ΔＥ_E が所定の許容値を超え
ている場合にも、露光異常の状態でそのウエハへの露光
工程が終了する。また、その差分ΔＥ_E が所定の許容値
以内の場合には、同様にしてそれに続くパルス数積算領
域についてそれぞれ目標露光量Ｅ_ade と実際の積算露光
量との差分が求められ、この差分が所定の許容値を超え
ているかどうかが確かめられる。[0055] When the difference Delta] E _A is within a predetermined tolerance, the next pulse number integrating region 27B, 27C, ‥
For ‥, the difference between the target exposure amount E _ade and the actual integrated exposure amount is obtained, and it is confirmed whether or not the differences ΔE _B, ΔE _C ,... Exceed a predetermined allowable value. Then, for example, as shown in broken line 28E in FIG. 6, the difference Delta] E _E between the actual accumulated exposure amount to the target exposure amount E _ade in pulse count integrating region 27E (not shown) exceeds a predetermined allowable value Also in this case, the exposure process on the wafer is completed in a state of abnormal exposure. If the difference ΔE _E is within a predetermined allowable value, similarly, the difference between the target exposure amount E _ade and the actual integrated exposure amount is obtained for each of the subsequent pulse number integration regions, and this difference is determined by the predetermined value. Is exceeded.

【００５６】なお、本実施例では、１回の走査露光中で
パルス光毎のエネルギーを調整する手法として、パルス
レーザ光源１への印加電圧を制御する方式を用いていた
が、その他に、連続的に変化する透過率が得られ、且つ
応答性の速い方式であれば使用することができる。具体
的には、減光部３の一例として先に挙げたアパーチャと
ズームレンズ系とを組み合わせたもの、エタロン、２枚
の位相格子或いは明暗格子、又は回転偏光板（直線偏光
レーザの場合）等を用いても良い。In this embodiment, the method of controlling the voltage applied to the pulse laser light source 1 is used as a method of adjusting the energy of each pulse light during one scanning exposure. Any method can be used as long as the method can obtain a transmittance that changes gradually and has a fast response. More specifically, a combination of the above-described aperture and zoom lens system as an example of the dimming unit 3, an etalon, two phase gratings or bright / dark gratings, or a rotating polarizer (in the case of a linearly polarized laser) May be used.

【００５７】このように本発明は上述実施例に限定され
ず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り
得る。As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can take various configurations without departing from the gist of the present invention.

【００５８】[0058]

【発明の効果】本発明によれば、露光ビームのパルス発
振を所定の最大周波数で行うようにしているため、被露
光体（感光基板）上への積算露光量を適正露光量に近づ
けることができる。According to the present invention, since the pulse oscillation of the exposure beam is performed at a predetermined maximum frequency, the integrated exposure amount on the object to be exposed (photosensitive substrate) can be made closer to the appropriate exposure amount. it can.

【００５９】[0059]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の一実施例が適用された投影露光装置を
示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing a projection exposure apparatus to which an embodiment of the present invention is applied.

【図２】図１のパルスレーザ光源１の印加電圧とパルス
エネルギーとの関係を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a relationship between an applied voltage of a pulse laser light source 1 of FIG. 1 and pulse energy.

【図３】図１の減光部３の構成例を示す正面図である。FIG. 3 is a front view showing a configuration example of the dimming unit 3 of FIG.

【図４】実施例のウエハ上におけるパルス光の照度分布
を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an illuminance distribution of pulsed light on a wafer according to an example.

【図５】実施例のウエハ上の最初のパルス数積算領域に
おける積算露光量の変化の一例を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a change in an integrated exposure amount in a first pulse number integration region on a wafer according to the embodiment.

【図６】実施例のウエハ上の複数のパルス数積算領域に
おける積算露光量の変化の一例を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a change in integrated exposure amount in a plurality of pulse number integration regions on a wafer according to the embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ パルスレーザ光源 ３ 減光部 ４ 干渉縞低減部 ６ ビームスプリッター ８ 視野絞り １０ メインコンデンサーレンズ １１ レチクルステージ Ｒ レチクル ＰＬ 投影光学系 Ｗ ウエハ １３ ウエハステージ １５ 受光素子 １６ 主制御系 １７ 干渉縞低減制御部 １８ 第１光量制御部 １９ 第２光量制御部 ２０ トリガー制御部 ２５ スリット状の照明領域 ２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃ，‥‥ パルス数積算領域 ３０ レボルバ板 ３０ａ〜３０ｆ メッシュフィルタ REFERENCE SIGNS LIST 1 pulse laser light source 3 dimming unit 4 interference fringe reducing unit 6 beam splitter 8 field stop 10 main condenser lens 11 reticle stage R reticle PL projection optical system W wafer 13 wafer stage 15 light receiving element 16 main control system 17 interference fringe reduction control unit Reference Signs List 18 first light amount control unit 19 second light amount control unit 20 trigger control unit 25 slit-shaped illumination area 27A, 27B, 27C, ‥‥ pulse number accumulation area 30 revolver plate 30a to 30f mesh filter

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 Continuation of the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. ⁷ , DB name) H01L 21/027 G03F 7/20

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 パルス発振される露光ビームに対して被
露光体を相対移動することにより前記被露光体を走査露
光するために、前記被露光体に照射される露光ビームの
エネルギーを調整する第１調整手段と前記被露光体に照
射される露光ビームのエネルギーを調整する第２調整手
段とを用いる走査露光方法において、前記走査露光に先立って、前記露光ビームのパルス発振
が所定の最大周波数で、且つ前記相対移動速度が所定の
最大速度を超えないように、前記第１調整手段を使った
前記露光ビームのエネルギー調整を行い、 前記走査露光中に、前記露光ビームのパルス発振を所定
の最大周波数で行うと共に、前記第１調整手段を使わず
に前記第２調整手段を使って前記露光ビームのエネルギ
ーを微調整することを特徴とする走査露光方法。An exposure beam irradiated on an object to be scanned and exposed by relatively moving the object to be exposed to a pulsed exposure beam.
A first adjusting means for adjusting energy and an illumination of the object to be exposed;
Second adjusting means for adjusting the energy of the exposure beam to be emitted
And a pulse exposure of the exposure beam prior to the scanning exposure.
Is a predetermined maximum frequency, and the relative moving speed is a predetermined
Using the first adjusting means so as not to exceed the maximum speed
Adjusting the energy of the exposure beam, performing pulse oscillation of the exposure beam at a predetermined maximum frequency during the scanning exposure, and without using the first adjustment unit.
The energy of the exposure beam using the second adjusting means.
A scanning exposure method characterized by finely adjusting the scanning exposure. 【請求項２】 前記所定の最大周波数で前記走査露光を
行うために、前記露光ビームと前記被露光体との相対速
度を調整することを特徴とする請求項１に記載の走査露
光方法。2. The scanning exposure method according to claim 1, wherein a relative speed between the exposure beam and the object is adjusted in order to perform the scanning exposure at the predetermined maximum frequency. 【請求項３】 前記被露光体の走査露光中に、前記被露
光体上の各点に照射される露光ビームのパルス数を整数
Ｎ、前記被露光体に照射される露光ビームの前記相対移
動方向の幅をＤ、前記露光ビームのパルス発振の周波数
をｆ、前記露光ビームと前記被露光体との相対速度をｖ
として、 Ｎ＝Ｄ・ｆ／ｖ の条件を満たすことを特徴とする請求項１又は２に記載
の走査露光方法。3. The method according to claim 1, wherein, during the scanning exposure of the object, the number of pulses of the exposure beam applied to each point on the object is an integer N, and the relative movement of the exposure beam applied to the object is performed. The width in the direction is D, the frequency of the pulse oscillation of the exposure beam is f, and the relative speed between the exposure beam and the object is v.
The scanning exposure method according to claim 1, wherein the following condition is satisfied: N = D · f / v. 【請求項４】 前記パルス数Ｎを決定する際に、前記露
光ビームの照射領域内に発生する干渉パターンの影響を
考慮することを特徴とする請求項３に記載の走査露光方
法。4. The scanning exposure method according to claim 3, wherein when determining the number of pulses N , an influence of an interference pattern generated in an irradiation area of the exposure beam is considered. 【請求項５】 前記パルス数Ｎを決定する際に、前記被
露光体に対する積算露光量の制御精度を考慮することを
特徴とする請求項３又は４に記載の走査露光方法。5. The scanning exposure method according to claim 3, wherein when determining the number of pulses N , control accuracy of an integrated exposure amount for the object to be exposed is considered. 【請求項６】 前記パルス数Ｎを決定する際に、前記露
光ビームのエネルギーのばらつきを考慮することを特徴
とする請求項３、４、又は５に記載の走査露光方法。6. The scanning exposure method according to claim 3, wherein a variation in energy of the exposure beam is considered when determining the number of pulses N. 【請求項７】 前記被露光体上のレジストが高感度の場
合は前記相対速度ｖを大きくすることを特徴とする請求
項３から６のいずれか一項に記載の走査露光方法。7. The scanning exposure method according to claim 3, wherein the relative speed v is increased when the resist on the object to be exposed has high sensitivity. 【請求項８】 前記被露光体の走査露光中、前記露光ビ
ームのパルス発振毎に、その前にパルス発振された複数
パルスの露光ビームのエネルギー情報に基づいて、前記
被露光体に照射される露光ビームのエネルギーを微調整
することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に
記載の走査露光方法。 8. The exposure method according to claim 1 , wherein the exposure exposure is performed during the scanning exposure of the object.
For each pulse oscillation of the
Based on the energy information of the pulse exposure beam,
Fine adjustment of the energy of the exposure beam applied to the object
Scanning exposure method according to any one of claims 1 to 7, characterized in that. 【請求項９】 前記被露光体上のレジストが低感度の場
合は前記相対速度ｖを小さくすることを特徴とする請求
項３から６のいずれか一項に記載の走査露光方法。9. The scanning exposure method according to claim 3, wherein when the resist on the object to be exposed has low sensitivity, the relative speed v is reduced. 【請求項１０】 前記被露光体上における前記露光ビー
ムの照射領域は、前記相対移動方向に一定の幅を有し、
且つ前記相対移動方向に交差する方向に延びたスリット
形状であることを特徴とする請求項１から９のいずれか
一項に記載の走査露光方法。 10. The exposure bead on the object to be exposed.
The irradiation area of the camera has a certain width in the relative movement direction,
And a slit extending in a direction intersecting the relative movement direction.
10. A shape according to claim 1, wherein the shape is a shape.
The scanning exposure method according to claim 1. 【請求項１１】 請求項１から１０の何れか一項に記載
の走査露光方法を用いるデバイス製造方法。11. A device manufacturing method using the scanning exposure method according to any one of claims 1 to 10.