JP3344017B2 - Method for joining metal and organic matter and method for manufacturing wiring board - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、金属と有機物の接合方
法、およびその接合方法を用いて得られる配線板の製造
方法に関し、さらに詳しくは、導体金属の絶縁被覆にお
ける導体金属と有機物絶縁材料との接合、および塗装に
おける金属と塗膜有機物との接合等に関する。特に配線
板における導体金属と有機物絶縁体との接合信頼性の確
保に有用なものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for bonding a metal and an organic substance, and a method for manufacturing a wiring board obtained by using the bonding method. And the bonding of metal and coating organic matter in painting. In particular, it is useful for ensuring the bonding reliability between the conductor metal and the organic insulator in the wiring board.

【０００２】[0002]

【従来の技術】金属と有機物の強い接合のためには、接
合力の高い有機物の使用、および金属表面を粗面化して
投鋲効果により接合力を高めるなどの手段が用いられ
る。例えば配線板用銅張積層板の製造において、接合力
の高いエポキシ樹脂等を用いるとともに、表面に微小な
凹凸を多数有している電解銅箔が用いられたりして比較
的高い接合力が得られている。2. Description of the Related Art In order to strongly bond a metal and an organic substance, there are used an organic substance having a high bonding strength, and a method of roughening the metal surface to increase the bonding strength by a rivet effect. For example, in the production of copper-clad laminates for wiring boards, a relatively high bonding strength can be obtained by using an epoxy resin or the like with a high bonding strength and using electrolytic copper foil having many fine irregularities on the surface. Have been.

【０００３】また多層配線板においては、内層材の粗面
化されていない銅箔の表面と有機絶縁物との接合が必要
になる。このため、銅の表面処理が必要であり、その方
法として機械的な方法および化学的な方法がある。一般
的には、アルカリ溶液中で亜塩素酸ナトリウムにより銅
を酸化させ、表面に酸化銅の微小突起を形成させる黒化
処理（ブラックオキサイド）と呼ばれる方法がよく用い
られ、銅箔とプリプレグ樹脂との高い接合力が得られ
る。In the case of a multilayer wiring board, it is necessary to bond the surface of a copper foil whose inner layer material is not roughened to an organic insulator. Therefore, surface treatment of copper is required, and there are mechanical methods and chemical methods. In general, a method called blackening treatment (black oxide) in which copper is oxidized by sodium chlorite in an alkaline solution to form copper oxide microprojections on the surface is often used, and the copper foil and the prepreg resin are used. High bonding force can be obtained.

【０００４】また、銅の表面を酸化処理せず接合力を高
める方法も検討されている。特開昭５６−１１８８５３
号では、シランカップリング剤の１〜２０％水溶液、ま
たはエタノール溶液中にてシラン化合物を電解銅箔の粗
面化面にコーティングした後、５０〜１５０℃で乾燥し
溶媒を除去することにより、金属と有機物との間にシラ
ン化合物を存在させて、接合力を向上させている。ま
た、特開平５−２５０４４号および特開平５−２５０４
５号では、銅回路の表面に水酸基を付与し、ついでシラ
ンカップリング剤を塗布して接合力を高めている。[0004] Also, a method of increasing the bonding strength without oxidizing the surface of copper has been studied. JP-A-56-118853
In No. 1, a silane compound is coated on a roughened surface of an electrolytic copper foil in a 1 to 20% aqueous solution of a silane coupling agent or an ethanol solution, and then dried at 50 to 150 ° C. to remove a solvent. A silane compound is present between the metal and the organic substance to improve the bonding strength. Also, JP-A-5-25044 and JP-A-5-2504
In No. 5, a hydroxyl group is provided on the surface of the copper circuit, and then a silane coupling agent is applied to increase the bonding strength.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記に
示す黒化処理は銅箔と有機物の高い接合力が得られる反
面、銅酸化物、特に酸化第２銅が酸に溶解しやすいとい
う欠点がある。このため配線板の製造に当り、スルーホ
ールを形成するためにドリル加工して穴明け後スルーホ
ールめっきを行う工程があり、このときハローイング現
象という問題が発生する。However, the above-described blackening treatment has a drawback that copper oxides, particularly cupric oxide, are easily dissolved in an acid, while high bonding strength between a copper foil and an organic substance can be obtained. . For this reason, in manufacturing a wiring board, there is a step of drilling and forming a through hole after forming a through hole in order to form a through hole. At this time, a problem of a haloing phenomenon occurs.

【０００６】図７にこの現象を示したが、ハローイング
現象は酸性の各種のめっき処理液に浸漬されることによ
り、スルーホールの内壁に露出する銅回路の断面部分の
銅酸化物層が溶解されるものである。図７に示すよう
に、スルーホール１の内周から内層銅回路２の黒化処理
面３と絶縁樹脂４との界面を酸が浸入し、この部分の黒
化処理層が溶解されるので接合力が損なわれるものであ
る。FIG. 7 shows this phenomenon. The haloing phenomenon is caused by immersing the copper oxide layer in the cross section of the copper circuit exposed on the inner wall of the through hole by immersion in various acidic plating solutions. Is what is done. As shown in FIG. 7, the acid penetrates the interface between the blackened surface 3 of the inner layer copper circuit 2 and the insulating resin 4 from the inner periphery of the through hole 1, and the blackened layer in this portion is dissolved, so that bonding is performed. Power is impaired.

【０００７】ハローイング現象防止のため、酸化銅を銅
に還元する方法があり、特開平３−２６８３８９号およ
び特開平３−２８３４９４号に報告されている。しか
し、いずれもプロセスが複雑であり、薬液残さによる腐
食および還元ムラが生じ、必要な接合力が得られない恐
れがある。To prevent the haloing phenomenon, there is a method of reducing copper oxide to copper, which is reported in JP-A-3-268389 and JP-A-3-283494. However, all of these processes are complicated and cause corrosion and reduction unevenness due to the residue of the chemical solution, so that a necessary bonding force may not be obtained.

【０００８】また、特開昭５６−１１８８５３号は、シ
ラン化合物溶液をコーティングして銅の表面を酸化処理
せず接合力を高める方法である。さらに、特開平５−２
５０４４号および特開平５−２５０４５号は銅回路の表
面に水酸基を付与した後、シランカップリング剤を塗布
して接合力を高めるようにしたものである。しかし、こ
れらの方法もプロセスが複雑であり、コーティングムラ
や乾燥後の薬液残さによる接合不良が発生しやすく、や
はり、同様な問題点が残るため本利用分野において満足
できるレベルにあるとはいえない。Japanese Patent Application Laid-Open No. 56-118853 discloses a method in which a silane compound solution is coated to increase the bonding strength without oxidizing the copper surface. Further, Japanese Patent Laid-Open No. 5-2
Japanese Patent No. 5044 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-25045 disclose a method in which a hydroxyl group is provided on the surface of a copper circuit and then a silane coupling agent is applied to increase the bonding strength. However, these methods also have complicated processes, are likely to cause poor bonding due to coating unevenness and residual chemical solution after drying, and still have the same problems, so that they cannot be said to be at a satisfactory level in this application field. .

【０００９】本発明は以上の点に鑑みて成されたもので
あり、上述したハローイング現象や薬液残さによる腐
食、接合不良等の問題点が発生せず、簡単なプロセスに
よる信頼性の高い金属と有機物の接合方法と、その方法
により導体金属と有機絶縁物とを接合した高接合信頼性
を有する配線板とを提供するものである。The present invention has been made in view of the above points, and does not cause the above-described problems such as the haloing phenomenon, corrosion due to chemical solution residue, and defective bonding, and has high reliability by a simple process. It is intended to provide a bonding method for bonding a conductive metal and an organic insulator by the method and a wiring board having high bonding reliability.

【００１０】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の金属と有機物の
接合方法は、金属または有機物の表面に接合促進層を気
相合成にて形成した後、前記金属に有機物を、または前
記有機物に金属を接合することを特徴として構成され
る。さらに詳しくは、以下に説明する。 According to the method for bonding a metal and an organic substance of the present invention, a bonding promoting layer is formed on the surface of a metal or an organic substance by vapor phase synthesis, and then the organic substance is added to the metal or the metal is applied to the organic substance. Are joined. Further details will be described below.

【００１１】金属として使用状態で固体のもの、例えば
銅、ニッケル、金、アルミニウム、鉄またはステンレス
等が用いられる。これらの表面に接合促進層が気相合成
により形成され、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂等の
有機物が接合される。また、金属として析出物も用いら
れる。例えば、銅、ニッケルまたは金等を主成分としパ
ラジウム、白金、燐またはホウ素等の主成分析出用触媒
金属を副成分とするめっき析出物等も用いられる。これ
らは合成樹脂の成形品等の有機物に接合促進層が気相合
成により形成された後、その表面にめっき析出されて接
合する。As the metal, a solid metal in a used state, for example, copper, nickel, gold, aluminum, iron or stainless steel is used. A bonding promoting layer is formed on these surfaces by vapor phase synthesis, and organic substances such as epoxy resin and polyester resin are bonded. Further, a precipitate is also used as a metal. For example, a plating deposit containing copper, nickel, gold, or the like as a main component and a catalyst metal for depositing a main component such as palladium, platinum, phosphorus, or boron as a subcomponent is also used. In these, after a bonding promoting layer is formed by vapor phase synthesis on an organic substance such as a molded article of a synthetic resin, plating is deposited on the surface thereof and bonded.

【００１２】前述の金属または有機物の表面に凹凸形
成、表面の汚染層および酸化層の除去等の活性化処理を
行うことにより、接合促進層を強固に金属表面に接合さ
せることができる。この活性化処理は、バフ研磨等の機
械的研磨、ソフトエッチング等の化学処理、およびプラ
ズマ処理およびイオンビーム処理等の気相処理を施すこ
とによってなされる。By performing an activation treatment such as forming irregularities on the surface of the above-mentioned metal or organic material and removing a contaminant layer and an oxide layer on the surface, the bonding promoting layer can be firmly bonded to the metal surface. This activation process is performed by performing mechanical polishing such as buffing, chemical processing such as soft etching, and gas phase processing such as plasma processing and ion beam processing.

【００１３】接合促進層の膜形成用材料は有機珪素系化
合物が使用される。この有機珪素系化合物としてはγー
アミノプロピルトリエトキシシラン、γーグリシドキシ
メトキシシラン、Ｎーβーアミノエチルーγーアミノプ
ロピルトリメトキシシラン、Ｎーフェニルーγーアミノ
プロピルトリメトキシシラン、γーメルカプトプロピル
トリメトキシシラン、γーグリシドキシプロピルメチル
ジエトキシシラン、ビニルトリエトキシシランおよびγ
ーメタクリロキシプロピルトリメトキシシランの何れか
を使用する。The material for forming the film of the bonding promoting layer is an organic silicon-based material .
Compounds are used. As the organic silicon compound gamma chromatography aminopropyltriethoxysilane, gamma chromatography glycidoxy silane, N over β over aminoethyl over gamma over-aminopropyltrimethoxysilane, N-phenyl-gamma over aminopropyltrimethoxysilane, gamma chromatography mercaptopropyltrimethoxysilane Methoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, vinyltriethoxysilane and γ
-Use any of methacryloxypropyltrimethoxysilane.

【００１４】気相合成としては、有機珪素系化合物を気
化させて有機物または金属上に重合させて接合促進層を
形成する。このとき有機物または金属を加熱させること
もある。また、有機珪素系化合物を気化させるとき、水
素、酸素、水蒸気、またはそれらの二種から成る混合ガ
スをアシストガスとして、同時に気化させることもあ
る。このようにすることにより、重合反応が進みやすく
なる。In the gas phase synthesis, an organosilicon compound is vaporized.
And polymerized on an organic material or metal to form a bonding promoting layer. At this time, the organic substance or metal may be heated. When the organic silicon-based compound is vaporized , hydrogen, oxygen, water vapor, or a mixed gas composed of two kinds thereof may be simultaneously vaporized as an assist gas. This facilitates the progress of the polymerization reaction.

【００１５】気相合成時に、接合促進層が形成される有
機物または金属の表面に、エキシマレーザー、ＹＡＧレ
ーザー、炭酸ガスレーザー、アルゴンレーザーおよびＵ
Ｖ光等のエネルギービームを照射することにより、照射
部分の有機珪素系化合物の重合反応を特に進ませる。ま
たはガス種に応じたイオンビームおよび電子ビーム等の
粒子ビームを照射することにより、同様に照射部分の有
機珪素系化合物の重合反応を特に進ませる。During the vapor phase synthesis, an excimer laser, a YAG laser, a carbon dioxide gas laser, an argon laser,
By irradiating an energy beam such as V light , the polymerization reaction of the organosilicon compound in the irradiated portion is particularly advanced. Or by irradiating an ion beam and particle beam such as an electron beam in accordance with the type of gas, as well as chromatic illumination portion
In particular, it promotes the polymerization reaction of organosilicon compounds .

【００１６】以上のようにして接合促進層を形成した
後、５０〜１５０℃で焼き付けること、および水素、酸
素、水蒸気、またはそれらの二種以上より成る混合ガス
のプラズマに晒すことにより重合をさらに進ませてもよ
い。After forming the bonding promoting layer as described above, the polymerization is further carried out by baking at 50 to 150 ° C. and exposing to a plasma of hydrogen, oxygen, water vapor, or a mixed gas comprising at least two of them. You may proceed.

【００１７】接合促進層の厚みは、１０〜２０００オン
グストロームの範囲が好ましい。これより薄いと接合力
を高める効果が小さく、逆にこれより厚いと接合促進層
の内部破壊による剥離が顕著になり、スルーホール加工
時に接合促進層が酸に浸食され、ハローイング現象が発
生しやすくなる。The thickness of the bonding promoting layer is preferably in the range of 10 to 2000 angstroms. If it is thinner than this, the effect of increasing the bonding strength is small, and if it is thicker than this, peeling due to internal destruction of the bonding promoting layer becomes remarkable, the bonding promoting layer is eroded by acid during through-hole processing, and the haloing phenomenon occurs. It will be easier.

【００１８】有機物としては、ガラスクロス等の基材に
エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を溶剤に溶かして塗布ま
たは含浸し、さらに乾燥して半硬化状態にしてプリプレ
グとしたもの、または高融点の熱可塑性樹脂を同様にし
て塗布または含浸し、乾燥してプレプリグとしたもの、
あるいは半硬化状態の樹脂板等を使用する。これらは接
合促進層の形成された金属に接合される。また、ポリエ
ーテルイミド、ポリサルフォン等の熱可塑性樹脂を溶融
後形状形成、またはエポキシ樹脂、ポリエステル樹脂等
の熱硬化性樹脂を加熱硬化させて形状形成して用いら
れ、これらには接合促進層が形成され、析出物等の金属
が接合する。As the organic substance, a thermosetting resin such as an epoxy resin is dissolved in a solvent and applied or impregnated on a base material such as a glass cloth, and then dried and semi-cured to form a prepreg, or a high melting point prepreg. In the same manner, a thermoplastic resin was applied or impregnated and dried to prepare a prepreg,
Alternatively, a semi-cured resin plate or the like is used. These are bonded to the metal on which the bonding promoting layer is formed. In addition, a thermoplastic resin such as polyetherimide or polysulfone is melted and shaped, or a thermosetting resin such as an epoxy resin or a polyester resin is heated and cured to form a shape. Then, metals such as precipitates are bonded.

【００１９】以上のようにして得られた金属と有機物を
接触状態にして、加熱、加圧、または積層成形のように
加熱と加圧を同時に行うことにより接合することができ
る。The metal and the organic substance obtained as described above are brought into contact with each other, and bonding can be performed by simultaneously performing heating and pressurization or heating and pressurization such as lamination molding.

【００２０】銅箔等の導体金属箔に、本発明の接合方法
による接合促進層を形成した後、エポキシ樹脂等のプリ
プレグと組み合わせて積層成形し、金属箔を有する積層
板を得る。このようにして得た積層板に対して、エッチ
ング法等の公知の方法により導体回路を形成して配線板
を製造する。さらに、このようにして得た配線板を内層
配線板とし、この内層配線板の導体金属に本発明の接合
方法による接合促進層を形成した後、この内層配線板と
プリプレグと外層用導体金属箔とを組み合わせて多層成
形を行い、パネルめっき法等の公知の方法により導体回
路を形成して多層配線板を製造する。After a bonding promoting layer is formed on a conductive metal foil such as a copper foil by the bonding method of the present invention, it is combined with a prepreg such as an epoxy resin and laminated and molded to obtain a laminate having a metal foil. A conductor circuit is formed on the laminate thus obtained by a known method such as an etching method to manufacture a wiring board. Furthermore, the wiring board thus obtained is used as an inner wiring board, and after forming a bonding promoting layer by the bonding method of the present invention on the conductive metal of the inner wiring board, the inner wiring board, the prepreg, and the conductive metal foil for the outer layer are formed. Are combined to form a multilayer circuit, and a conductor circuit is formed by a known method such as a panel plating method to manufacture a multilayer wiring board.

【００２１】アルミニウム、鉄、ステンレス等のベース
となる金属基板に、本発明の接合方法による接合促進層
を形成した後、プリプレグと銅箔等の導体金属箔とを組
み合わせて積層成形し、さらにエッチング法等の公知の
方法により導体回路を形成して金属ベース配線板を製造
する。After forming a bonding promoting layer by the bonding method of the present invention on a base metal substrate of aluminum, iron, stainless steel or the like, a prepreg is combined with a conductive metal foil such as a copper foil, and then laminated and formed, and further etched. A conductor circuit is formed by a known method such as a method, and a metal base wiring board is manufactured.

【００２２】樹脂を溶融させて形状形成した立体成形品
の表面に、本発明の接合方法による接合促進層を形成し
た後、金属膜を気相法または湿式法等により形成するこ
とにより立体配線板を製造する。導体回路形成は公知の
方法を用いることもできるが、接合促進層形成時にエネ
ルギービームまたは粒子ビームを回路形状に照射しこの
部分の接合力を強めることで、回路形成することもでき
る。A three-dimensional wiring board is formed by forming a bonding layer by the bonding method of the present invention on the surface of a three-dimensional molded product formed by melting a resin and then forming a metal film by a vapor phase method or a wet method. To manufacture. Although a known method can be used for forming the conductive circuit, the circuit can also be formed by irradiating an energy beam or a particle beam to the circuit shape at the time of forming the bonding promoting layer and increasing the bonding force at this portion.

【００２３】[0023]

【作用】以上の構成によって実施される金属と有機物の
接合方法によれば、簡単な気相合成のプロセスにより、
酸化銅皮膜が存在しない接合促進層が形成される。接合
促進層の形成される金属表面には活性化処理が施されて
いるので接合促進層の接合力が向上する。According to the method of joining a metal and an organic substance carried out by the above configuration, a simple gas phase synthesis process can be used.
A bonding promoting layer without a copper oxide film is formed. Since the activation treatment is performed on the metal surface on which the bonding promoting layer is formed, the bonding strength of the bonding promoting layer is improved.

【００２４】さらに接合信頼性の高い本発明の接合方法
が、配線板の有機絶縁物と導体金属との接合に用いられ
ている。The bonding method of the present invention having higher bonding reliability is used for bonding an organic insulator of a wiring board to a conductive metal.

【００２５】[0025]

【実施例】以下、本発明を参考例、実施例により具体的
に説明する。EXAMPLES The present invention will be described below in detail with reference examples and examples.

【００２６】参考例１ 両面に３５μｍ厚みの銅箔を有する０．７ｍｍ厚みのガ
ラス布基材エポキシ樹脂積層板を用いて、エッチング法
により内層配線板７を作製した。この内層配線板７の表
面に活性化処理として、通常の黒化処理に用いられる条
件と同じ処理条件にて、バフ研磨後、脱脂処理を実施し
た。この前処理は、内層配線板７の銅回路表面への微細
凹凸形成、油成分および防錆剤等の表面汚染層並びに表
面酸化層の除去、並びに表面を化学的に活性化して、内
層銅回路と接合促進層との接合力を高める目的で実施し
た。 REFERENCE EXAMPLE 1 An inner wiring board 7 was prepared by an etching method using a 0.7 mm thick glass cloth base epoxy resin laminate having a 35 μm thick copper foil on both sides. The surface of the inner wiring board 7 was subjected to buffing and then degreasing under the same processing conditions as those used for normal blackening processing as activation processing. This pretreatment includes forming fine irregularities on the copper circuit surface of the inner wiring board 7, removing a surface contaminant layer such as an oil component and a rust inhibitor and a surface oxide layer, and chemically activating the surface to form an inner copper circuit. This was performed for the purpose of increasing the bonding strength between the metal and the bonding promoting layer.

【００２７】なお、バフ研磨等の機械的研磨に限るもの
ではなく、薬液を用いた化学研磨並びにプラズマ、イオ
ンビームおよびレーザー等の高エネルギー加工を用いて
もよい。It should be noted that the present invention is not limited to mechanical polishing such as buffing, but may be chemical polishing using a chemical solution and high energy processing such as plasma, ion beam and laser.

【００２８】次に、図１に示すプラズマ加工装置を用
い、（表１）に示す処理条件により、接合促進層となる
有機珪素化合物としてγ−アミノプロピルエトキシシラ
ン使用して、重合膜を気相法により合成した。有機珪素
系化合物としてはこの他にγーグリシドキシメトキシシ
ラン、Ｎーβーアミノエチルーγーアミノプロピルトリ
メトキシシラン、Ｎーフェニルーγーアミノプロピルト
リメトキシシラン、γーメルカプトプロピルトリメトキ
シシラン、γーグリシドキシプロピルメチルジエトキシ
シラン、ビニルトリエトキシシランおよびγーメタクリ
ロキシプロピルトリメトキシシラン等の一般的にシラン
カップリング剤と呼ばれるものを使用することができ
る。Next, using the plasma processing apparatus shown in FIG. 1, under the processing conditions shown in Table 1, γ-aminopropylethoxysilane was used as the organosilicon compound to become the bonding promoting layer, and the polymer film was vapor-phased. It was synthesized by the method. Other organic silicon compounds include γ-glycidoxymethoxysilane, N-β-aminoethyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, and γ-glycol. What is generally called a silane coupling agent such as sildoxypropylmethyldiethoxysilane, vinyltriethoxysilane, and γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane can be used.

【００２９】図１において、６はプラズマ加工の行われ
る真空槽である。まず、前述の活性化処理を行った内層
配線板７が入れられた後、真空バルブ８を経て油回転ポ
ンプ９により減圧される。１０は基板加熱用ヒーターで
ある。アシストガスはガスボンベ１１より、ガスバルブ
１２を経て供給され、γ−アミノプロピルエトキシシラ
ンは、原料タンク１３に入っており、オイルバス１４で
加熱され、その気化ガスがガスバルブ１５を経て供給さ
れる。真空槽６内が所定の雰囲気にコントロールされた
後、高周波電源１６により、放電電極１７とアース電極
１８との間にプラズマ１９を発生し、内層配線板７の表
面にγ−アミノプロピルエトキシシランの重合膜が合成
される。In FIG. 1, reference numeral 6 denotes a vacuum chamber in which plasma processing is performed. First, after the inner-layer wiring board 7 that has been subjected to the above-described activation processing is inserted, the pressure is reduced by the oil rotary pump 9 via the vacuum valve 8. Reference numeral 10 denotes a substrate heating heater. The assist gas is supplied from a gas cylinder 11 via a gas valve 12, and γ-aminopropylethoxysilane is contained in a raw material tank 13, heated in an oil bath 14, and the vaporized gas is supplied via a gas valve 15. After the inside of the vacuum chamber 6 is controlled to a predetermined atmosphere, a plasma 19 is generated between the discharge electrode 17 and the ground electrode 18 by the high-frequency power supply 16, and γ-aminopropylethoxysilane is formed on the surface of the inner wiring board 7. A polymer film is synthesized.

【００３０】[0030]

【表１】 [Table 1]

【００３１】本参考例ではアシストガスとして酸素を用
いたが、水素もしくは水蒸気または酸素と水蒸気もしく
は水素と水蒸気の混合ガスを用いてもよい。In this embodiment , oxygen is used as the assist gas. However, hydrogen or steam, or a mixed gas of oxygen and steam or hydrogen and steam may be used.

【００３２】このように、有機珪素系化合物を用いて気
相合成を行うことにより、まず被接合物である金属また
は有機物の表面上に、有機珪素系化合物が（化１）に示
す反応により加水分解して重合し、強固に接合するとと
もに、有機珪素系化合物のカップリング効果が働き、相
手の金属または有機化合物に対して強い接合がなされ
る。As described above, by performing the gas phase synthesis using the organosilicon compound, the organosilicon compound is firstly hydrolyzed on the surface of the metal or organic substance to be joined by the reaction shown in Chemical Formula 1. It decomposes and polymerizes to form a strong bond, and at the same time, a coupling effect of the organic silicon-based compound acts to form a strong bond to the other metal or organic compound.

【００３３】[0033]

【化１】 Embedded image

【００３４】上記プラズマ重合によって膜形成を行った
内層配線板７に対し、後処理として温度２０℃、湿度６
５％ＲＨ雰囲気で２時間放置後、温度１５０℃で３時間
加熱処理して、焼き付けを行い重合膜をより緻密化させ
た。The inner wiring board 7 on which the film was formed by the plasma polymerization was subjected to post-processing at a temperature of 20 ° C. and a humidity of 6
After being left in a 5% RH atmosphere for 2 hours, it was subjected to a heat treatment at a temperature of 150 ° C. for 3 hours, followed by baking to further densify the polymer film.

【００３５】これらの処理を施して形成された、内層配
線板７上の珪素系化合物の膜厚は、１００オングストロ
ームであった。The film thickness of the silicon-based compound on the inner wiring board 7 formed by performing these treatments was 100 angstroms.

【００３６】図２に示すように、この内層配線板７を用
い４層構成の多層配線板を作成した。ガラス布基材にエ
ポキシ樹脂を含浸乾燥して調整した厚み０．１ｍｍのプ
リプレグ２０を内層配線板７の上下に３枚ずつ重ねると
ともに、さらにその外側に外層用導体金属箔として厚み
１８μｍの銅箔２１を重ねて、６７００パスカルに減圧
した雰囲気で、温度１７０℃、圧力４０Ｋｇｆ／ｃｍ²
で２時間多層成形した。この後、パターンめっき法等の
公知の方法により導体回路を形成し、４層回路構成の多
層配線板を得た。As shown in FIG. 2, a multilayer wiring board having a four-layer structure was prepared using the inner wiring board 7. A prepreg 20 having a thickness of 0.1 mm prepared by impregnating and drying an epoxy resin in a glass cloth base material is laminated three by three on the upper and lower sides of the inner wiring board 7, and a copper foil having a thickness of 18 μm is formed on the outside thereof as a conductive metal foil for an outer layer. 21 in an atmosphere decompressed to 6700 pascals, at a temperature of 170 ° C. and a pressure of 40 kgf / cm ^2.
For 2 hours. Thereafter, a conductor circuit was formed by a known method such as a pattern plating method to obtain a multilayer wiring board having a four-layer circuit configuration.

【００３７】このようにして得た多層配線板について、
銅箔引きはがし強度、煮沸半田耐熱性、耐塩酸性の試験
を行った。銅箔引きはがし強度の試験は、常態および２
時間煮沸処理後、および内層配線板の銅回路を形成する
３５μｍ銅箔とプリプレグによる絶縁接合層との引きは
がし強度を測定することにより行った。煮沸半田耐熱性
の試験は５０ｍｍ角サイズ５枚の多層配線板を、２時間
煮沸処理し、さらに２６０℃半田浴に３０秒浸漬した
後、その外観を観察して、デラミネーションが発生した
枚数で表した。耐塩酸性試験は、多層配線板に０．４ｍ
ｍφのドリルビットを用いて８００００ｒｐｍの回転数
で穴明けし、この穴明けした多層配線板を２５℃に調製
した１７．４％塩酸水溶液に１０分間浸漬した後、内層
配線板を１００倍の顕微鏡で観察して、スルーホール内
にハローイング現象が発生しているか否かを評価した。With respect to the multilayer wiring board thus obtained,
Copper foil peel strength, boiling solder heat resistance, and hydrochloric acid resistance were tested. The test for copper foil peel strength is normal and 2
After the boiling treatment for a period of time, the peel strength was measured by measuring the peel strength between the 35 μm copper foil forming the copper circuit of the inner wiring board and the insulating bonding layer by the prepreg. The boiling solder heat resistance test was conducted by boiling five multi-layered wiring boards of 50 mm square size for 2 hours, further immersing in a solder bath at 260 ° C. for 30 seconds, observing the appearance, and determining the number of delaminations. expressed. Hydrochloric acid resistance test is 0.4m on multilayer wiring board
Using a drill bit having a diameter of mφ, drilling was performed at a rotation speed of 80,000 rpm. The drilled multilayer wiring board was immersed in a 17.4% hydrochloric acid aqueous solution adjusted to 25 ° C. for 10 minutes. To observe whether the haloing phenomenon occurred in the through hole.

【００３８】この結果、銅箔引きはがし強度は常態で
１．８Ｋｇｆ／ｃｍ、２時間煮沸処理後で１．６Ｋｇｆ
／ｃｍの強度が得られた。煮沸半田耐熱性はデラミネー
ションの発生がなく良好であった。また、耐塩酸性もハ
ローイング現象の発生がなく良好であった。As a result, the copper foil peel strength was 1.8 kgf / cm under normal conditions and 1.6 kgf after boiling for 2 hours.
/ Cm strength was obtained. The boiling solder heat resistance was good without delamination. Also, the hydrochloric acid resistance was good without occurrence of the haloing phenomenon.

【００３９】実施例２ 樹脂としてポリエーテルイミド（日本ＧＥプラスチック
社製ウルテム１０００）を用い、溶融させて形状形成す
る手段として射出成形を行って、立体射出成形品２２を
得た。この立体射出成形品２２に対して、素材アニール
処理を温度２００℃で３時間行い、次にアルコール浸漬
処理を温度２３℃で３０秒浸漬し、さらにクロム酸によ
るエッチング処理を温度７０℃で１０分間実施した。こ
の処理は、表面への微細凹凸形成、油成分および防錆剤
等の表面汚染層並びに表面酸化層の除去、並びに表面を
化学的に活性化し、立体射出成形品２２と接合促進層と
の接合力を高める目的で行った。Example 2 A three-dimensional injection-molded product 22 was obtained by using polyetherimide (Ultem 1000, manufactured by GE Plastics Japan) as a resin and performing injection molding as a means for melting and forming a shape. The three-dimensional injection-molded article 22 is subjected to a material annealing treatment at a temperature of 200 ° C. for 3 hours, followed by an alcohol immersion treatment at a temperature of 23 ° C. for 30 seconds, and an etching treatment with chromic acid at a temperature of 70 ° C. for 10 minutes. Carried out. This treatment forms fine irregularities on the surface, removes a surface contaminating layer such as an oil component and a rust inhibitor and a surface oxidized layer, and chemically activates the surface, thereby joining the three-dimensional injection molded article 22 and the joining promoting layer. I went for the purpose of increasing my strength.

【００４０】図３に示すエキシマレーザー装置を用い、
接合促進層を気相法により合成した。真空槽６の中に、
このような前処理を行った立体射出成形品２２を入れ、
γ−アミノプロピルトリエトキシシランの揮発ガスを真
空槽６内に導入し、圧力を２トールとし、立体射出成形
品２２を８０℃に加熱した。この真空槽６内の立体射出
成形品２２にエネルギー密度０．４Ｊ／ｃｍ² で５００
０ショットの条件でエキシマレーザー２３を窓２４を通
して照射すると、エキシマレーザー２３の照射部分に２
００オングストロームの有機珪素系化合物が重合し、堆
積した。Using the excimer laser device shown in FIG.
A bonding promoting layer was synthesized by a gas phase method. In the vacuum chamber 6,
Put the three-dimensional injection molded product 22 that has been subjected to such pre-processing,
A volatile gas of γ-aminopropyltriethoxysilane was introduced into the vacuum chamber 6, the pressure was set to 2 Torr, and the three-dimensional injection molded product 22 was heated to 80 ° C. The three-dimensional injection-molded product 22 in the vacuum chamber 6 is charged with an energy density of 0.4 J / cm ² at 500
When the excimer laser 23 is irradiated through the window 24 under the condition of 0 shot, 2 mm is applied to the irradiated part of the excimer laser 23.
00 Å of the organosilicon compound was polymerized and deposited.

【００４１】さらに後処理として、図１のプラズマ加工
装置を使用して、真空槽６内に酸素ガスを導入し圧力を
１トールとし、周波数１３．５６ＭＨｚ，電力５０Ｗ、
処理時間３分の条件でプラズマ処理をおこなった。この
後処理により、有機珪素系化合物重合膜の重縮合反応が
さらに進み、膜を緻密化させることができた。As a further post-treatment, oxygen gas was introduced into the vacuum chamber 6 using the plasma processing apparatus shown in FIG. 1 to a pressure of 1 Torr, a frequency of 13.56 MHz, a power of 50 W,
Plasma treatment was performed under the condition of a treatment time of 3 minutes. By this post-treatment, the polycondensation reaction of the organosilicon compound polymer film further proceeded, and the film could be densified.

【００４２】導入ガスは、重合のアシスト用として酸素
を用いたが、水素もしくは水蒸気または酸素と水蒸気も
しくは水素と水蒸気の混合ガスでもよい。Although oxygen is used as an introduction gas for assisting the polymerization, it may be hydrogen or steam, or a mixed gas of oxygen and steam or hydrogen and steam.

【００４３】この立体射出成形品２２に、主成分析出用
触媒としてパラジウムによる触媒付与を行い後、化学銅
めっきにより０，７５μｍの銅膜を析出させた。この
後、立体射出成形品２２を５０℃のソフトエッチング液
（過硫酸アンモニウム）に３０秒間浸漬処理を行った結
果、有機珪素系重合膜の形成されたレーザー照射部は、
樹脂、重合膜および銅が強固に接合しているためエッチ
ングされず残ったが、レーザー非照射部は接合が弱いた
め、エッチングされて消失した。このようにして、レー
ザー照射部のみに回路を形成することに成功した。この
回路形成された立体射出成形品２２に、電気銅めっきに
より３０μｍの銅を回路部に厚付けしたのち、ニッケル
めっき１５μｍ、金めっき１μｍを施し、図５に示すよ
うに立体射出成形品２２上に導体回路２５を有する立体
配線板を得た。After applying a catalyst with palladium as a main component deposition catalyst to this three-dimensional injection molded article 22, a copper film of 0.75 μm was deposited by chemical copper plating. Thereafter, the three-dimensional injection-molded product 22 was immersed in a soft etching solution (ammonium persulfate) at 50 ° C. for 30 seconds.
The resin, the polymer film, and the copper were firmly bonded and remained without being etched, but the laser non-irradiated portion was etched and disappeared because the bonding was weak. In this way, a circuit was successfully formed only in the laser irradiation part. This circuit-formed three-dimensional injection-molded product 22 is formed by thickening 30 μm copper on the circuit part by electrolytic copper plating, and then applying 15 μm of nickel plating and 1 μm of gold plating to the three-dimensional injection molded product 22 as shown in FIG. A three-dimensional wiring board having a conductor circuit 25 was obtained.

【００４４】このようにして得た立体配線板について、
銅箔引きはがし強度、煮沸半田耐熱性の評価をおこなっ
た。銅箔引きはがし強度の試験は、常態および２時間煮
沸処理後、および銅箔回路と絶縁部の樹脂との引きはが
し強度を測定することにより行った。煮沸半田耐熱性の
試験は５個の立体配線板を２時間煮沸処理し、２６０℃
の半田浴に３０秒浸漬した後の外観を観察して行い、外
観異常が発生した個数であらわす。この結果、銅引きは
がし強度は常態で１．２Ｋｇｆ／ｃｍ、２時間煮沸処理
後で１．１Ｋｇｆ／ｃｍの強度が得られた。煮沸半田耐
熱性は膨れ等の外観異常は観察されず良好であった。With respect to the three-dimensional wiring board thus obtained,
The copper foil peeling strength and the boiling solder heat resistance were evaluated. The test of the copper foil peeling strength was performed in a normal state and after boiling treatment for 2 hours, and by measuring the peeling strength between the copper foil circuit and the resin of the insulating portion. Boiling solder heat resistance test is performed by boiling 5 three-dimensional wiring boards for 2 hours and 260 ° C.
After immersion in a solder bath for 30 seconds, the appearance was observed and expressed as the number of appearance abnormalities. As a result, the copper peeling strength was 1.2 kgf / cm in a normal state, and a strength of 1.1 kgf / cm was obtained after boiling for 2 hours. Boiled solder heat resistance was good without any abnormal appearance such as swelling.

【００４５】実施例３ ３ｍｍ厚のアルミニウム基板２６にアルマイト処理を施
し、絶縁体のアルミナ層を形成して表面の粗化をおこな
った。Example 3 An alumite treatment was applied to a 3 mm-thick aluminum substrate 26 to form an alumina layer as an insulator to roughen the surface.

【００４６】図５に示すイオンビーム照射装置を使用し
てこの処理を行ったアルミニウム基板２６に接合促進層
を気相合成して形成した。アルミニウム基板２６をの真
空槽６内に入れ、γ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ンの揮発ガスを導入し、槽内圧力を１×１０^-4トールと
した。真空層６内の減圧は油回転ポンプ９および粗引き
用の真空バルブ８と油拡散ポンプ３０、本バルブ３１お
よび背圧バルブ３２とによって行っている。また、アル
ミニウム基板２６は基板加熱用ヒーター１０により１０
０℃に加熱した。さらに、酸素ガスをアシストガスとし
て、ガスボンベ１１、ガスバルブ１２より導入して用い
た。イオン銃２７、イオン加速用グリッド２８により、
加速電圧５００ｅＶ、加速電流１００ｍＡの条件でイオ
ンビーム２９をアシスト照射することにより、アルミニ
ウム基板２６の表面に１５０オングストロームのγ−ア
ミノプロピルトリエトキシシランが重合し、堆積した。Using an ion beam irradiation apparatus shown in FIG. 5, a bonding promoting layer was formed by vapor phase synthesis on the aluminum substrate 26 which had been subjected to this processing. The aluminum substrate 26 was put into the vacuum chamber 6, and a gaseous gas of γ-aminopropyltriethoxysilane was introduced to set the pressure in the chamber to 1 × 10 ⁻⁴ Torr. The pressure in the vacuum layer 6 is reduced by the oil rotary pump 9 and the vacuum valve 8 for roughing, the oil diffusion pump 30, the main valve 31, and the back pressure valve 32. The aluminum substrate 26 is heated by the substrate heating heater 10 for 10 minutes.
Heated to 0 ° C. Further, oxygen gas was used as an assist gas by being introduced from a gas cylinder 11 and a gas valve 12. By the ion gun 27 and the ion accelerating grid 28,
Assist irradiation with the ion beam 29 under the conditions of an acceleration voltage of 500 eV and an acceleration current of 100 mA allowed 150 Å of γ-aminopropyltriethoxysilane to polymerize and deposit on the surface of the aluminum substrate 26.

【００４７】本実施例では、アシスト用として酸素イオ
ンビームを用いたが、水素イオンビームまたは水蒸気イ
オンビームでもよい。また、酸素と水蒸気または水素と
水蒸気の混合イオンビームでもよい。In this embodiment, an oxygen ion beam is used for assisting, but a hydrogen ion beam or a water vapor ion beam may be used. Further, a mixed ion beam of oxygen and water vapor or hydrogen and water vapor may be used.

【００４８】図６に示すように、このアルミニウム基板
２６のγ−アミノプロピルエトキシシラン重合膜層形成
面３３に、ガラス布基材にエポキシ樹脂を含浸乾燥して
調整した厚み０．１ｍｍのプリプレグ２０を５枚重ね、
さらにその外側に導体金属箔として厚み１８μｍの銅箔
２１を重ねてビルドアップした。６７００パスカルに減
圧した雰囲気で、温度１７０℃、圧力４０Ｋｇｆ／ｃｍ
² で２時間の条件で積層成形した。この後、エッチング
法等の公知の方法により導体回路を形成し、アルミニウ
ムベースの配線板を得た。As shown in FIG. 6, a prepreg 20 having a thickness of 0.1 mm prepared by impregnating a glass cloth base material with an epoxy resin and drying it is provided on the surface 33 of the aluminum substrate 26 on which the γ-aminopropylethoxysilane polymer film layer is formed. 5 layers,
Further, a copper foil 21 having a thickness of 18 μm was laminated as a conductive metal foil on the outside thereof, and build-up was performed. In an atmosphere decompressed to 6700 Pascal, at a temperature of 170 ° C. and a pressure of 40 kgf / cm
Lamination molding was performed under the conditions of ² and 2 hours. Thereafter, a conductor circuit was formed by a known method such as an etching method, and an aluminum-based wiring board was obtained.

【００４９】このようにして得たアルミニウムベース配
線板について、アルミニウムとプリプレグ有機物間の引
きはがし強度測定および煮沸半田耐熱性の試験を行っ
た。引きはがし強度の試験は常態および２時間煮沸処理
後について行った。煮沸半田耐熱性の試験は５０ｍｍ角
サイズ５枚のアルミニウムベース配線板を、２時間煮沸
処理し、さらに２６０℃の半田浴に３０秒浸漬した後評
価した。この結果、銅箔引きはがし強度は常態で１．７
Ｋｇｆ／ｃｍ、２時間煮沸処理後で１．５Ｋｇｆ／ｃｍ
の強度が得られた。煮沸半田耐熱性はデラミネーション
の発生がなく良好であった。With respect to the aluminum base wiring board thus obtained, the peel strength between aluminum and the organic material of the prepreg was measured and the test for heat resistance of boiling solder was performed. The peel strength test was conducted in the normal state and after the boiling treatment for 2 hours. The test for the heat resistance of boiling solder was performed by boiling five aluminum base wiring boards having a size of 50 mm square for 2 hours and further immersing in a 260 ° C. solder bath for 30 seconds. As a result, the copper foil peeling strength was 1.7 in a normal state.
Kgf / cm, 1.5 kgf / cm after boiling for 2 hours
Was obtained. The boiling solder heat resistance was good without delamination.

【００５０】なお、本実施例ではエポキシ樹脂のプリプ
レグを用いたが、低粘土の熱硬化ポリエステル樹脂等を
用い、減圧下で脱気しながら加熱することで、加圧する
ことなしに配線板を得ることもできる。また、低温硬化
タイプの樹脂を用いることにより、加熱せず加圧のみで
配線板を得ることもできる。Although a prepreg made of an epoxy resin is used in this embodiment, a wiring board is obtained without pressurizing by using a low-clay thermosetting polyester resin or the like and heating it while degassing under reduced pressure. You can also. In addition, by using a low-temperature curing type resin, a wiring board can be obtained only by pressing without heating.

【００５１】[0051]

【発明の効果】本発明の金属と有機物の接合方法によれ
ば、気相合成により有機珪素系化合物の接合促進層を形
成しているので、従来例に示すような酸化銅皮膜が原因
となるハローイング現象が起こることがなく、処理ムラ
も発生しない。また、有機珪素系化合物等の溶液のコー
テングに起因する処理ムラおよび乾燥後の薬液残さによ
る接合不良の問題も生じない。従って、均一な高い接合
力が安定して得られ、高信頼性の金属と有機物の接合
が、簡単な気相合成プロセスにより実現する。According to the method for bonding a metal and an organic substance of the present invention, a bonding promoting layer of an organosilicon compound is formed by vapor phase synthesis. No haloing phenomenon occurs, and no processing unevenness occurs. Further, there is no problem of uneven processing due to coating of a solution of an organic silicon-based compound or the like and poor bonding due to residual chemical after drying. Therefore, a uniform high bonding force can be stably obtained, and highly reliable bonding of a metal and an organic substance is realized by a simple gas phase synthesis process.

【００５２】さらに本発明の接合方法により、有機絶縁
物と導体金属とを接合することにより、接合信頼性の高
い配線板が得られる。Further, by joining the organic insulator and the conductive metal by the joining method of the present invention, a wiring board having high joining reliability can be obtained.

【００５３】特に、内層配線板とプリプレグを多数組み
合わせて積層成形する多層配線板の製造において、内層
配線板に本発明の接合促進層を形成する処理を施してい
ると、この接合促進層のカップリング効果によって、内
層銅回路表面とプリプレグの有機物との接合力を高める
効果を奏する。そしてこの多層配線板にスルーホールを
形成するために、ドリル加工により穴明けしスルーホー
ルめっきを施した場合においても、従来のように酸化処
理層が存在しないので、ハローイング現象が全く生じな
いという効果を奏する。[0053] Particularly, in the production of multi-layer wiring board laminate molding by combining a number of inner wiring board and the prepreg, are subjected to a process of forming a bond promoting layer of the present invention the inner layer circuit board
Then , the coupling effect of the bonding promoting layer has an effect of increasing the bonding strength between the inner copper circuit surface and the organic material of the prepreg. Also, even when drilling and plating through holes to form through holes in this multilayer wiring board, there is no oxidized layer as in the prior art, so no haloing phenomenon occurs. It works.

【００５４】この効果は、積層板に銅回路を設けること
によって形成した内層配線板を用い、その内層回路を処
理するようにした上記の例に限られるものではなく、例
えば、銅板または銅箔をプリント配線板内に内層させる
ことによって銅板自身で電源回路層などを形成する場合
においても、接合力を高めるとともにハローイング現象
の発生を防止する効果を奏する。This effect is not limited to the above-described example in which an internal wiring board formed by providing a copper circuit on a laminated board is used to process the internal circuit. Even when the power supply circuit layer or the like is formed by the copper plate itself by forming an inner layer in the printed wiring board, the effects of increasing the bonding force and preventing the occurrence of the haloing phenomenon are exhibited.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】プラズマ加工装置の構成を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of a plasma processing apparatus.

【図２】参考例１の多層配線板の構成を示す概略図であ
る。FIG. 2 is a schematic diagram showing a configuration of a multilayer wiring board of Reference Example 1 .

【図３】エキシマレーザー加工装置の構成を示す概略図
である。FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a configuration of an excimer laser processing apparatus.

【図４】実施例２の立体射出配線板の構成を示す概略図
である。FIG. 4 is a schematic view illustrating a configuration of a three-dimensional emission wiring board according to a second embodiment.

【図５】イオンビーム加工装置の構成を示す概略図であ
る。FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a configuration of an ion beam processing apparatus.

【図６】実施例３のアルミニウムベース配線板の構成を
示す概略図である。FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a configuration of an aluminum-based wiring board according to a third embodiment.

【図７】従来の多層配線板のスルーホール部におけるハ
ローイング現象発生状況を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing the occurrence of a haloing phenomenon in a through-hole portion of a conventional multilayer wiring board.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ スルーホール ２ 内層銅回路 ３ 黒化処理面 ４ 絶縁樹脂 ５ ハローイング現象発生部分 ６ 真空槽 ７ 内層配線板 ８ 真空バルブ ９ 油回転ポンプ １０ 基板加熱用ヒーター １１ ガスボンベ １２ ガスバルブ １３ 原料タンク １４ オイルバス １５ ガスバルブ １６ 高周波電源 １７ 放電用電極 １８ アース電極 １９ プラズマ ２０ プリプレグ ２１ 銅箔 ２２ 立体射出成形品 ２３ エキシマレーザー ２４ 窓 ２５ 導体回路 ２６ アルミニウム基板 ２７ イオン銃 ２８ イオン加速用グリッド ２９ イオンビーム ３０ 油拡散ポンプ ３１ 本バルブ ３２ 背圧バルブ ３３ γ−アミノプロピルエトキシシラン重合膜層形成
面DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Through hole 2 Inner layer copper circuit 3 Blackening surface 4 Insulating resin 5 Part where a hello phenomenon occurs 6 Vacuum tank 7 Inner layer wiring board 8 Vacuum valve 9 Oil rotary pump 10 Heater for substrate heating 11 Gas cylinder 12 Gas valve 13 Material tank 14 Oil bath Reference Signs List 15 gas valve 16 high frequency power supply 17 discharge electrode 18 earth electrode 19 plasma 20 prepreg 21 copper foil 22 three-dimensional injection molded product 23 excimer laser 24 window 25 conductor circuit 26 aluminum substrate 27 ion gun 28 ion acceleration grid 29 ion beam 30 oil diffusion pump 31 valve 32 back pressure valve 33 γ-aminopropylethoxysilane polymer film layer forming surface

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−183787（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−191045（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−277294（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05K 3/00 - 3/46 C09J 183/00 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-60-183787 (JP, A) JP-A-5-191045 (JP, A) JP-A-2-277294 (JP, A) (58) Field (Int.Cl. ⁷ , DB name) H05K 3/00-3/46 C09J 183/00

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 金属または有機物の表面に接合促進層を
気相合成して形成した後、前記金属に有機物または前記
有機物に金属を接合する金属と有機物の接合方法であっ
て、 γーアミノプロピルトリエトキシシラン、γーグリシド
キシメトキシシシラン、Ｎーβーアミノエチルーγーア
ミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎーフェニルーγー
アミノプロピルトリメトキシシラン、γーメルカプトプ
ロピルトリメトキシシラン、γーグリシドキシプロピル
メチルジエトキシシラン、ビニルトリエトキシシランお
よびγーメタクリロキシプロピルトリメトキシシランの
何れかの 有機珪素系化合物を気化させるとともに、金属
または有機物の表面にエネルギービームまたは粒子ビー
ムを照射し、照射箇所の重合を進めて前記接合促進層を
形成することを特徴とする金属と有機物の接合方法。1. A method for bonding a metal and an organic substance, comprising forming a bonding promoting layer on the surface of a metal or an organic substance by vapor phase synthesis, and then bonding the organic substance to the metal or the metal to the organic substance.
Te, gamma chromatography aminopropyltriethoxysilane, gamma Gurishido
Xymethoxymethoxysilane, N-β-aminoethyl-γ-a
Minopropyltrimethoxysilane, N-phenyl-γ-
Aminopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptop
Ropirtrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyl
Methyldiethoxysilane, vinyltriethoxysilane and
And γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane
Together to vaporize any organic silicon compound is irradiated with energy beams or particle beams on the surface of the metal or organic, to promote the polymerization irradiation position of the metal and an organic substance, which comprises forming the bond promoting layer Joining method . 【請求項２】 有機物に接合促進層を形成し、金属を析
出させて接合することを特徴とする請求項１記載の金属
と有機物の接合方法。2. The method according to claim 1, wherein a bonding promoting layer is formed on the organic material, and the metal is deposited and bonded. 【請求項３】 金属または有機物の表面に活性化処理を
行った後、その表面に接合促進層を形成することを特徴
とする請求項１記載の金属と有機物の接合方法。3. The method for bonding a metal and an organic substance according to claim 1, wherein an activation treatment is performed on the surface of the metal or the organic substance, and then a bonding promoting layer is formed on the surface. 【請求項４】 接合促進層を形成した後、５０〜２００
℃で加熱処理して接合に供することを特徴とする請求項
１記載の金属と有機物の接合方法。4. After forming the bonding promoting layer, 50 to 200
Claims characterized in that it is subjected to heat treatment at ℃ for bonding.
2. The method for bonding a metal and an organic substance according to 1 . 【請求項５】 接合促進層を形成した後、プラズマに晒
す処理を行って接合に供することを特徴とする請求項１
記載の金属と有機物の接合方法。5. After forming the adhesion promoting layer, claim 1, characterized in that subjected to joining by performing the process of exposing the plasma
The method for bonding a metal and an organic substance according to the description. 【請求項６】 ベース金属とプリプレグと導体金属箔と
を積層成形してなる金属ベース配線板の製造方法におい
て、ベース金属表面に接合促進層を気相合成して形成し
た後、前記プリプレグと接合させる金属ベース配線板の
製造方法であって、接合促進層が、請求項１記載の金属
と有機物の接合方法で形成する接合促進層であることを
特徴とする金属ベース配線板の製造方法。6. A method of manufacturing a metal base wiring board by laminating and forming a base metal, a prepreg, and a conductive metal foil, wherein a bonding promoting layer is formed on the surface of the base metal by vapor phase synthesis, and then bonded to the prepreg. Of metal base wiring board
2. A method according to claim 1, wherein the bonding promoting layer is a metal.
A method for manufacturing a metal-based wiring board, characterized in that the bonding-promoting layer is formed by a bonding method between a metal and an organic substance . 【請求項７】 樹脂を溶融させて形状形成した立体成形
品の表面に接合促進層を気相合成して形成し、前記立体
成形品の表面に金属膜を形成または析出させて接合する
立体配線板の製造方法であって、接合促進層が、請求項
１記載の金属 と有機物の接合方法で形成する接合促進層
であることを特徴とする立体配線板の製造方法。7. A joining-promoting layer is formed on the surface of a three-dimensional molded product formed by melting a resin by vapor phase synthesis, and a metal film is formed or deposited on the surface of the three-dimensional molded product for joining.
A method for manufacturing a three-dimensional wiring board, wherein the bonding promoting layer comprises:
A bonding promoting layer formed by the method for bonding a metal and an organic substance according to 1.
A method for manufacturing a three-dimensional wiring board.