JP3331308B2 - Plasma treatment method for organic substrate and method for forming metal layer on organic substrate - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は有機基材のプラズマ
処理方法及びこのプラズマ処理後に有機基材に真空蒸着
により金属層を形成する方法に関する。The present invention relates to a method for plasma-treating an organic substrate and a method for forming a metal layer on the organic substrate by vacuum deposition after the plasma treatment.

【０００２】[0002]

【従来の技術】有機基材に金属層を形成する方法とし
て、真空蒸着が従来から行われている。この真空蒸着に
おいては、通常、有機基材と金属層の密着性を向上させ
るために、有機基材の前処理として、減圧下でのグロー
放電によるプラズマ処理を行い、その後、真空蒸着によ
り金属層を形成している。2. Description of the Related Art As a method of forming a metal layer on an organic substrate, vacuum deposition has been conventionally performed. In this vacuum deposition, usually, in order to improve the adhesion between the organic substrate and the metal layer, a plasma treatment by glow discharge under reduced pressure is performed as a pretreatment of the organic substrate, and then the metal layer is subjected to vacuum deposition. Is formed.

【０００３】通常、上記プラズマ処理においては、雰囲
気ガスとしてアルゴン、酸素、窒素、二酸化炭素等のガ
スが用いられており、プラズマを発生させるための電極
としては、銅、アルミニウム、鉄、または、ステンレス
製の平板状、棒状、コイル状等の電極が用いられてい
る。Usually, in the above-mentioned plasma treatment, gases such as argon, oxygen, nitrogen and carbon dioxide are used as atmospheric gases, and copper, aluminum, iron or stainless steel is used as an electrode for generating plasma. , A rod-shaped electrode, a coil-shaped electrode and the like are used.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記プラズ
マ処理においては、プラズマ用電極を構成する材料の一
部がスパッタリングにより有機基材表面に付着し、金属
層の密着性が低下するという問題がある。しかも、この
問題は、プラズマ処理時間を短くするために、放電電力
を大きくした場合に特に顕著であり、プラズマ処理の効
率を向上させる妨げとなっている。In the above plasma treatment, however, there is a problem that a part of the material constituting the plasma electrode adheres to the surface of the organic base material by sputtering, and the adhesion of the metal layer is reduced. . In addition, this problem is particularly remarkable when the discharge power is increased in order to shorten the plasma processing time, which hinders an improvement in the efficiency of the plasma processing.

【０００５】本発明は、上記のような問題を克服するた
めになされたものであり、プラズマ処理の放電電力を大
きくしてもプラズマ用電極がスパッタリングされず、有
機基材表面が該電極材料のスパッタリングにより汚染さ
れない有機基材のプラズマ処理方法を提供することを第
一の目的とする。また、本発明は、有機基材と金属層間
の大きな密着力を得ることができる有機基材への金属層
形成方法を提供することを第二の目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to overcome the above-mentioned problems. Even if the discharge power of the plasma treatment is increased, the plasma electrode is not sputtered, and the surface of the organic base material is formed of the electrode material. A first object is to provide a plasma treatment method for an organic substrate that is not contaminated by sputtering. A second object of the present invention is to provide a method for forming a metal layer on an organic substrate, which can provide a large adhesion between the organic substrate and the metal layer.

【０００６】[0006]

【課題を解決するための手段】上記第一の目的を達成す
るために、本発明の有機基材のプラズマ処理方法は、放
電面にＹ（イットリウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｗ
（タングステン）、Ｔａ（タンタル）のいずれか一種ま
たは二種以上から成る金属、または、上記金属の酸化物
あるいは窒化物を設置した電極を用いてプラズマ処理方
法を行なうことを特徴とする。Means for Solving the Problems In order to achieve the first object, the present invention provides a method for plasma-treating an organic substrate, comprising the steps of: providing Y (yttrium), Zr (zirconium), W
(Tungsten), Ta (tantalum), or a metal made of one or more of them, or an electrode provided with an oxide or nitride of the above metal is used to perform a plasma treatment method.

【０００７】また、上記第二の目的を達成するために、
本発明の有機基材への金属層形成方法は、有機基材の表
面をプラズマ処理した後、真空蒸着にて有機基材の表面
に金属層を形成する方法において、プラズマ処理を放電
面にＹ、Ｚｒ、Ｗ、Ｔａのいずれか一種または二種以上
から成る金属、または、上記金属の酸化物あるいは窒化
物を設置した電極を用いて行うことを特徴とする。[0007] To achieve the second object,
The method for forming a metal layer on an organic substrate according to the present invention is a method for forming a metal layer on the surface of an organic substrate by vacuum deposition after plasma-treating the surface of the organic substrate. , Zr, W, or Ta, or an electrode on which an oxide or nitride of the above metal is provided.

【０００８】[0008]

【発明の実施の形態】本発明の有機基材のプラズマ処理
方法において、有機基材としては、ポリイミドフィル
ム、ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、ポリ
エーテルサルフォン、ポリサルフォン等の高分子フィル
ム及びこれらの高分子フィルムと金属箔の積層体や、金
属箔上に有機重合体の被膜が部分的に形成されたもの等
が挙げられるが、特に、回路基材として良く用いられる
ポリイミドフィルムあるいは金属箔上に形成されたポリ
イミド被膜に対して、本発明の方法は好適に用いられ
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the plasma treatment method for an organic substrate according to the present invention, the organic substrate may be a polymer film such as a polyimide film, a polyester film, a polyamide film, a polyethersulfone, a polysulfone, or a polymer thereof. A laminate of a film and a metal foil, and those in which an organic polymer film is partially formed on the metal foil, and the like, are particularly formed on a polyimide film or a metal foil often used as a circuit substrate. The method of the present invention can be suitably used for a polyimide coating.

【０００９】また、本発明を工業的に製造プロセスとし
て利用する場合は、上記有機基材は長尺有機基材である
ことが好ましい。また、枚葉型の有機基材の場合でも、
何らかの長尺基材の上に貼付することにより、長尺有機
基材と同様に処理することができる。When the present invention is used industrially as a production process, the organic substrate is preferably a long organic substrate. In addition, even in the case of a single-wafer organic substrate,
By sticking on a long substrate, it can be treated in the same manner as a long organic substrate.

【００１０】本発明の有機基材のプラズマ処理方法によ
る長尺有機基材の処理は、例えば、図２に示したような
装置で行うことができる。図２において、１は真空容
器、２は長尺有機基材で、この長尺有機基材は真空容器
１内に設けられた巻出軸（巻取軸）４より巻出され、案
内ロール６、７を経て電極ロール３上で、プラズマ処理
がなされ、再び案内ロール８、９を経由して巻取軸（巻
出軸）５に巻き取られる。１０は、プラズマ用電極、１
６はマッチング回路、１７は高周波電源である。The treatment of a long organic substrate by the plasma treatment method for an organic substrate of the present invention can be carried out, for example, by an apparatus as shown in FIG. In FIG. 2, reference numeral 1 denotes a vacuum container, 2 denotes a long organic base material, and the long organic base material is unwound from an unwinding shaft (winding shaft) 4 provided in the vacuum container 1. , 7, plasma processing is performed on the electrode roll 3, and the roll is wound again on the winding shaft (unwinding shaft) 5 via the guide rolls 8 and 9. 10 is a plasma electrode, 1
6 is a matching circuit, and 17 is a high frequency power supply.

【００１１】そして、本発明においては、プラズマ用電
極の放電面にＹ、Ｚｒ、Ｗ、Ｔａのいずれか一種または
二種以上から成る金属、または、上記金属の酸化物ある
いは窒化物が設置される。これらの設置形態は、従来の
電極（銅、アルミニウム、鉄、ステンレス等から成る）
の表面をこれらの材料でコーティングしても良いし、こ
れらの材料のインゴットを放電面に装着するだけでも良
く、例えば、上記図２に示した装置においては、これら
の材料のインゴット１３が、プラズマ用電極１０の放電
面に設置されている。In the present invention, a metal made of any one or more of Y, Zr, W, and Ta, or an oxide or nitride of the above metal is provided on the discharge surface of the plasma electrode. . These installation configurations are based on conventional electrodes (consisting of copper, aluminum, iron, stainless steel, etc.)
May be coated with these materials, or an ingot of these materials may be simply attached to the discharge surface. For example, in the apparatus shown in FIG. It is installed on the discharge surface of the electrode 10 for use.

【００１２】本発明において、プラズマ処理の雰囲気ガ
スとしてはアルゴン、ネオン、キセノン、クリプトン等
の不活性ガスや窒素、酸素、一酸化炭素、二酸化炭素、
アンモニアやこれらの混合ガスが用いられ、また、圧力
は、通常１０^-1〜１０Ｐａ、好ましくは、２×１０^-1〜
６Ｐａに設定される。In the present invention, an inert gas such as argon, neon, xenon, krypton, nitrogen, oxygen, carbon monoxide, carbon dioxide,
Ammonia or a mixed gas thereof is used, and the pressure is usually 10 ^{−1 to} 10 Pa, preferably 2 × 10 ⁻¹ to
It is set to 6 Pa.

【００１３】上記金属、または、上記金属の酸化物ある
いは窒化物は上記雰囲気ガスに対して非常にスパッタリ
ングされにくいので、プラズマ処理により、電極の材料
が有機基材に付着することがなく、例えば、プラズマ処
理の後で、真空蒸着により金属層を形成した場合、有機
基材と金属層の密着性が非常に良好となる。Since the metal or the oxide or nitride of the metal is hardly sputtered with respect to the atmospheric gas, the material of the electrode does not adhere to the organic base material by the plasma treatment. When the metal layer is formed by vacuum deposition after the plasma treatment, the adhesion between the organic substrate and the metal layer becomes very good.

【００１４】しかも、放電電力を大きくしても、上記金
属、または、上記金属の酸化物あるいは窒化物は上記雰
囲気ガスに対して非常にスパッタリングされにくいの
で、プラズマ処理時間を従来よりも短くし、処理効率を
あげることができる。In addition, even when the discharge power is increased, the metal or the oxide or nitride of the metal is hardly sputtered with respect to the atmospheric gas. Processing efficiency can be improved.

【００１５】本発明において、プラズマ用電極の形状
は、平板状、棒状、コイル状等のいずれでもよいが、特
に、平板状が、放電面に上記材料のインゴットを装着す
るのが容易であるため、好ましい。また、前記図２に示
したような装置を用いて、長尺有機基材をプラズマ処理
する場合は、プラズマ用電極は平板状のものが好ましく
用いられる。なぜなら、長尺基材の幅方向のプラズマの
均一性が得られやすいからであり、なかでも、プレーナ
ーマグネトロン型のカソード電極を用いることにより、
イオンやラジカル密度を高めることができ、プラズマ処
理効率が向上する。In the present invention, the shape of the plasma electrode may be any of a flat plate, a bar, a coil, and the like. In particular, the flat plate is easy to mount an ingot of the above-mentioned material on the discharge surface. ,preferable. When a long organic substrate is subjected to plasma treatment using an apparatus as shown in FIG. 2, a plate-like electrode for plasma is preferably used. This is because plasma uniformity in the width direction of the long base material can be easily obtained. In particular, by using a planar magnetron type cathode electrode,
The density of ions and radicals can be increased, and the plasma processing efficiency is improved.

【００１６】以上のような本発明の有機基材のプラズマ
処理方法は、本発明の有機基材への金属層形成方法にお
いて、有機基材表面に金属層を真空蒸着する前に行う、
有機基材の前処理に利用できる。The above-described plasma treatment method for an organic substrate according to the present invention is performed before the metal layer is vacuum-deposited on the surface of the organic substrate in the method for forming a metal layer on the organic substrate according to the present invention.
It can be used for pretreatment of organic substrates.

【００１７】本発明においては、上記プラズマ処理をし
た後、好ましくは、処理直後に真空蒸着を行うのが一般
的である。この真空蒸着とは、主に、スパッタリングを
意味するものであり、通常の直流及び高周波スパッタリ
ングでも良いが、マグネトロン型のスパッタリングが、
蒸着速度を速くできるので、特に好ましい。In the present invention, generally, vacuum deposition is performed after the above-mentioned plasma treatment, preferably immediately after the treatment. This vacuum deposition mainly means sputtering, and normal DC and high frequency sputtering may be used, but magnetron type sputtering is
It is particularly preferable because the deposition rate can be increased.

【００１８】真空蒸着における雰囲気ガスとしては、ア
ルゴン、ネオン、キセノン、クリプトン等の不活性ガス
が好ましく用いられるが、中でも、工業的には、アルゴ
ンが特に好ましい。また、圧力は、通常、１０^-1〜１．
３Ｐａ、好ましくは、１．５×１０^-1〜８×１０^-1Ｐａ
に設定される。As an atmosphere gas in the vacuum deposition, an inert gas such as argon, neon, xenon, and krypton is preferably used, and among them, argon is particularly preferable industrially. The pressure is usually 10 ^-1 to 1.
3 Pa, preferably 1.5 × 10 ⁻¹ to 8 × 10 ⁻¹ Pa
Is set to

【００１９】本発明において、真空蒸着により形成され
る金属層は銅、クロム、ニッケル、銀、金、チタン、
錫、インジウム等から成り、金属層の厚みは、通常４〜
５００ｎｍである。 また、金属層の上に、さらに別種
の金属を真空蒸着をすることにより、２種類以上の金属
層を積層することもできる。有機基材により密着性の高
い金属層を有機基材側に形成することで、密着性向上を
図ることができる。In the present invention, the metal layer formed by vacuum deposition is made of copper, chromium, nickel, silver, gold, titanium,
It is made of tin, indium or the like, and the thickness of the metal layer is usually 4 to
500 nm. Further, two or more types of metal layers can be laminated by vacuum-depositing another type of metal on the metal layer. By forming a metal layer having higher adhesion to the organic substrate on the organic substrate side, the adhesion can be improved.

【００２０】長尺有機基材への金属層の形成は、具体的
には、例えば図１に示したような装置を用いて行うこと
ができる。図１において、１は真空容器、２は長尺有機
基材で、この長尺有機基材は真空容器１内に設けられた
巻出軸（巻取軸）４より巻出され、案内ロール６、７を
経て電極ロール３上で、プラズマ処理あるいは金属層の
形成がなされ、再び案内ロール８、９を経由して巻取軸
（巻出軸）５に巻き取られる。１７はプラズマ処理用の
高周波電源、１６はマッチング回路、１８及び１９はス
パッタ蒸着用の直流電源である。（スパッタ蒸着とは真
空蒸着に含まれるものである。）１０は、プラズマ用電
極であり、その放電面には前記特定の金属またはそれら
の金属の酸化物または窒化物のインゴットが設置されて
いる。１１及び１２はいずれもスパッタ蒸着用電極であ
り、それぞれの放電面には金属のインゴット１４、１５
が設置されている。なお、スパッタ蒸着用電極は、１つ
だけでも良いし、３つ以上でも良いが、通常、真空容器
１のスペースを考慮して、１つまたは２つ設置される。The formation of the metal layer on the long organic substrate can be carried out, for example, using an apparatus as shown in FIG. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a vacuum container, 2 denotes a long organic base material, and the long organic base material is unwound from an unwinding shaft (winding shaft) 4 provided in the vacuum container 1. , 7, plasma treatment or formation of a metal layer is performed on the electrode roll 3, and the roll is wound again on the winding shaft (unwinding shaft) 5 via the guide rolls 8 and 9. 17 is a high-frequency power supply for plasma processing, 16 is a matching circuit, and 18 and 19 are DC power supplies for sputter deposition. (Sputter deposition is included in vacuum deposition.) Reference numeral 10 denotes a plasma electrode, on the discharge surface of which is placed an ingot of the specific metal or an oxide or nitride of the metal. . Numerals 11 and 12 denote electrodes for sputter deposition, and metal ingots 14 and 15 are provided on respective discharge surfaces.
Is installed. The number of sputter deposition electrodes may be only one or three or more. Usually, one or two electrodes are provided in consideration of the space of the vacuum vessel 1.

【００２１】また、プラズマ用電極も、長尺有機基材が
プラズマ処理される領域を長くするために、複数個設置
しても良いが、通常、装置内にスペースがないため、１
つだけ設置される。その点、本発明の方法は、前述のよ
うに、放電電力を大きくしてプラズマ処理の効率をあげ
ることができるのでプラズマ用電極は１つだけで十分で
あり、例えば、図１に示したような１つの真空容器のス
ペース内にプラズマ用電極及びスパッタ蒸着用電極を設
置した１つの装置で、プラズマ処理とスパッタ蒸着の両
方を行うことができるので経済的に有利である。Also, a plurality of plasma electrodes may be provided in order to lengthen the region where the long organic substrate is subjected to plasma treatment.
Only one is installed. In this regard, the method of the present invention can increase the discharge power and increase the efficiency of the plasma processing as described above, so that only one plasma electrode is sufficient. For example, as shown in FIG. This is economically advantageous because both plasma processing and sputter deposition can be performed by one apparatus in which a plasma electrode and a sputter deposition electrode are installed in the space of one vacuum vessel.

【００２２】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。Next, examples will be described together with comparative examples.

【００２３】[0023]

【実施例】（実施例１〜６および比較例３〜７） 図１に示した装置を用いて、長尺有機基材としてのポリ
イミドフィルム（東レ・デュポン（株）製カプトンＨ）
に、プラズマ処理による前処理及びスパッタ蒸着による
金属層の形成を行った。EXAMPLES (Examples 1 to 6 and Comparative Examples 3 to 7) Using the apparatus shown in FIG. 1, a polyimide film (Kapton H manufactured by Du Pont-Toray Co., Ltd.) as a long organic substrate was used.
Next, a pretreatment by a plasma treatment and formation of a metal layer by a sputter deposition were performed.

【００２４】以下、実施例１〜６および比較例３〜７に
係る図１の装置に関して説明する。プラズマ用電極１０
およびスパッタ蒸着用電極１１、１２は、いずれも、プ
レーナーマグネトロンスパッタ電極である。プラズマ用
電極１０の放電面には、実施例１〜１１において、それ
ぞれ、表１に示した金属、金属の酸化物、または金属の
窒化物のインゴット１３（５インチ×１５インチ）が装
着してある。また、スパッタ蒸着用電極１１、１２に
は、それぞれ、クロムのインゴット１４（５インチ×１
５インチ）及び銅のインゴット１５（５インチ×１５イ
ンチ）が、スパッタリングのターゲットとして装着され
ている。ポリイミドフィルムの原反（幅：３５０ｍｍ）
を巻取軸（巻出軸）５に装着した後、真空ポンプ（図示
していない）にて、１×１０ー3Ｐａまで排気し、その
後、窒素ガスを導入し、圧力を４×１０ー1Ｐａに保っ
た。そして、プラズマ用電極１０に１３．５６ＭＨｚの
高周波電圧（放電電力は０．８Ｗ／ｃｍ² ）を印加して
放電させ、ポリイミドフィルムを巻出軸（巻取軸）４で
巻取りながら１ｍ／ｍｉｎで走行させてプラズマ処理を
行った。The apparatus of FIG. 1 according to Examples 1 to 6 and Comparative Examples 3 to 7 will be described below. Electrode for plasma 10
Each of the sputter deposition electrodes 11 and 12 is a planar magnetron sputter electrode. In the discharge surface of the plasma electrode 10, the ingots 13 (5 inches × 15 inches) of the metals, metal oxides, or metal nitrides shown in Table 1 were mounted in Examples 1 to 11, respectively. is there. In addition, the chromium ingot 14 (5 inches × 1
5 inches) and a copper ingot 15 (5 inches × 15 inches) are mounted as sputtering targets. Raw material of polyimide film (width: 350mm)
Is mounted on a take-up shaft (unwinding shaft) 5 and evacuated to 1 × 10 −3 Pa with a vacuum pump (not shown). Thereafter, nitrogen gas is introduced and the pressure is increased to 4 × 10 −1 Pa. Kept. Then, a high frequency voltage of 13.56 MHz (discharge power is 0.8 W / cm ² ) is applied to the plasma electrode 10 to cause discharge, and the polyimide film is wound at an unwinding axis (winding axis) 4 at 1 m / min. And plasma treatment was performed.

【００２５】その後、窒素ガスに代えてアルゴンガスを
導入し、同じく圧力を４×１０ー1Ｐａに保った。そし
て、スパッタ蒸着用電極１１、１２にそれぞれ１．３ｋ
Ｗと３ｋＷの直流電力を印加して放電させ、ポリイミド
フィルムを、プラズマ処理の時とは逆に、巻出軸（巻取
軸）４から巻出して、巻取軸（巻出軸）５で巻取りなが
ら１ｍ／ｍｉｎで走行させて、真空蒸着を行った。Thereafter, argon gas was introduced instead of nitrogen gas, and the pressure was kept at 4 × 10 -1 Pa. Then, 1.3 k is applied to each of the sputter deposition electrodes 11 and 12.
W and a DC power of 3 kW are applied to discharge the polyimide film, and the polyimide film is unwound from an unwinding shaft (winding shaft) 4 and reversely wound by a winding shaft (unwinding shaft) 5 in the opposite manner to the plasma processing. Vacuum deposition was performed by running at 1 m / min while winding.

【００２６】形成した金属層の厚みは、実施例１〜６お
よび比較例３〜７はいずれも、クロム層の厚みが２０ｎ
ｍで、その上に積層した銅層の厚みが７０ｎｍであっ
た。The thickness of the formed metal layer was 20 n in each of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 3 to 7.
m, the thickness of the copper layer laminated thereon was 70 nm.

【００２７】上記のようにしてポリイミドフィルムに形
成した金属層の上に、さらに、別工程で、電気メッキに
て銅を２０μm まで形成し、金属層（クロム層）のポリ
イミドフィルムに対する密着力を９０°ピール剥離試験
により測定した。測定サンプルの形状は２ｍｍ×１００
ｍｍとし、測定サンプルの切り出し位置は、図３に示し
たように、原反幅の中心及び両端から５０ｍｍの位置の
計３点として、３点の測定値の平均値を密着力とした。
その結果を表１に示したように、実施例１〜６では金属
層への密着力は１５００ｇ／ｃｍ以上であったが、比較
例３〜７では密着力が１４００ｇ／ｃｍ以下と低いもの
であった。On the metal layer formed on the polyimide film as described above, copper is further formed by electroplating to a thickness of 20 μm in another step, and the adhesion of the metal layer (chromium layer) to the polyimide film is 90 μm. ° Measured by a peel test. The shape of the measurement sample is 2 mm x 100
As shown in FIG. 3, the cut-out position of the measurement sample was a total of three points 50 mm from the center and both ends of the raw fabric width, and the average value of the measured values at three points was taken as the adhesion.
As shown in Table 1, the adhesion to the metal layer was 1500 g / cm or more in Examples 1 to 6, whereas the adhesion was 1400 g / cm or less in Comparative Examples 3 to 7. there were.

【００２８】（比較例１） 実施例１において、プラズマ用電極１０の放電面にステ
ンレスのインゴットを装着した以外は、実施例１と同様
にしてポリイミドフィルム上にクロム層及び銅層から成
る金属層を形成した。Comparative Example 1 A metal layer composed of a chromium layer and a copper layer was formed on a polyimide film in the same manner as in Example 1, except that a stainless steel ingot was mounted on the discharge surface of the plasma electrode 10. Was formed.

【００２９】そして、実施例１と同様にして、金属層
（クロム層）のポリイミドフィルムに対する密着力を９
０°ピール剥離試験により測定した。その結果、表１に
示したように、密着力は４５０ｇ／ｃｍであり、実施例
１〜６に比較して小さかった。Then, in the same manner as in Example 1, the adhesion of the metal layer (chromium layer) to the polyimide film was 9%.
It was measured by a 0 ° peel test. As a result, as shown in Table 1, the adhesion was 450 g / cm, which was smaller than Examples 1 to 6.

【００３０】（実施例７） まず、有機基材として、長尺ステンレス箔上にポリイミ
ド被膜を形成したものを、以下のようにして作製した。Example 7 First, an organic substrate having a polyimide film formed on a long stainless steel foil was produced as follows.

【００３１】ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と
４，４−ジアミノジフェニルエーテルを重縮合して得ら
れたポリアミド酸の被膜を長尺ステンレス箔上に形成し
た後、加熱によりイミド化して、ポリイミド被膜を得
た。A polyamic acid film obtained by polycondensation of biphenyltetracarboxylic dianhydride and 4,4-diaminodiphenyl ether is formed on a long stainless steel foil, and then imidized by heating to obtain a polyimide film. Was.

【００３２】次に、上記有機基材上に、プラズマ用電極
１０の放電面にＺｒＯ₂ のインゴット（５インチ×１５
インチ）を装着した以外は、実施例１と同様の方法でク
ロム層及び銅層から成る金属層を形成した。Next, a ZrO ₂ ingot (5 inches × 15 inches) was formed on the discharge surface of the plasma electrode 10 on the organic substrate.
A metal layer composed of a chromium layer and a copper layer was formed in the same manner as in Example 1 except that an inch was mounted.

【００３３】そして、実施例１と同様にして、金属層
（クロム層）のポリイミドフィルムに対する密着力を９
０°ピール剥離試験により測定した。その結果、表１に
示したように、密着力は１５００ｇ／ｃｍであった。Then, in the same manner as in Example 1, the adhesion of the metal layer (chromium layer) to the polyimide film was 9%.
It was measured by a 0 ° peel test. As a result, as shown in Table 1, the adhesion was 1500 g / cm.

【００３４】（比較例２） 実施例７において、プラズマ用電極１０の放電面にＡｌ
（アルミニウム）のインゴットを装着した以外は、実施
例７と同様にして有機基材上にクロム層及び銅層から成
る金属層を形成した。Comparative Example 2 In Example 7, the discharge surface of the electrode 10 for plasma was
A metal layer composed of a chromium layer and a copper layer was formed on an organic substrate in the same manner as in Example 7 except that an ingot of (aluminum) was mounted.

【００３５】そして、実施例１と同様にして、金属層
（クロム層）のポリイミドフィルムに対する密着力を９
０°ピール剥離試験により測定した。その結果、表１に
示したように、密着力は４００ｇ／ｃｍであり、実施例
７に比較して小さかった。Then, in the same manner as in Example 1, the adhesion of the metal layer (chromium layer) to the polyimide film was 9%.
It was measured by a 0 ° peel test. As a result, as shown in Table 1, the adhesion was 400 g / cm, which was smaller than that of Example 7.

【００３６】[0036]

【表１】 [Table 1]

【００３７】[0037]

【発明の効果】本発明の有機基材のプラズマ処理方法
は、プラズマ用電極の放電面にＹ、Ｚｒ、Ｗ、Ｔａのい
ずれか一種または二種以上から成る金属、または、上記
金属の酸化物あるいは窒化物を設置しているため、該電
極の材料がスパッタリングされて有機基材に付着するこ
とがなく、例えば、プラズマ処理の後で、真空蒸着によ
り金属層を形成した場合、有機基材と金属層の密着性が
非常に良好となる。そして、放電電力を大きくしても、
該電極の材料がスパッタリングされることがないので処
理時間を短くし、処置効率をあげることができる。The plasma treatment method for an organic substrate according to the present invention is characterized in that the discharge surface of the plasma electrode is formed of a metal comprising one or more of Y, Zr, W and Ta, or an oxide of the above metal. Alternatively, since a nitride is provided, the material of the electrode is not sputtered and adheres to the organic substrate.For example, after a plasma treatment, when a metal layer is formed by vacuum evaporation, The adhesion of the metal layer becomes very good. And even if the discharge power is increased,
Since the electrode material is not sputtered, the processing time can be shortened and the treatment efficiency can be increased.

【００３８】したがって、プラズマ用電極が１つだけで
も、プラズマ処理を十分効率良く行うことができるの
で、例えば、図１に示したような１つの真空容器のスペ
ース内にプラズマ用電極及びスパッタ蒸着用電極を設置
した１つの装置で、プラズマ処理とスパッタ蒸着の両方
を行うことができるので経済的に有利である。Therefore, even if only one plasma electrode is used, the plasma processing can be performed with sufficient efficiency. For example, the plasma electrode and the sputter deposition electrode are placed in the space of one vacuum vessel as shown in FIG. It is economically advantageous because both the plasma processing and the sputter deposition can be performed by one apparatus provided with the electrodes.

【００３９】本発明の有機基材への金属層の形成方法
は、有機基材の表面を不活性ガス雰囲気下でプラズマ処
理した後、真空蒸着にて有機基材の表面に金属層を形成
する方法において、該プラズマ処理を上記本発明の有機
基材のプラズマ処理方法により行うので、有機基材と金
属層の密着性が非常に良好となる。In the method for forming a metal layer on an organic substrate according to the present invention, the surface of the organic substrate is subjected to plasma treatment in an inert gas atmosphere, and then the metal layer is formed on the surface of the organic substrate by vacuum deposition. In the method, since the plasma treatment is performed by the above-described plasma treatment method for an organic base material of the present invention, the adhesion between the organic base material and the metal layer becomes very good.

【００４０】なお、このような方法で作製される有機基
材と金属層の積層体は、液晶ディスプレイの透明電極、
透明タッチパネル、電磁波シールド、あるいは、回路基
板等として利用することができる。The laminate of the organic substrate and the metal layer produced by such a method is used as a transparent electrode of a liquid crystal display,
It can be used as a transparent touch panel, an electromagnetic wave shield, a circuit board, or the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】プラズマ処理及びスパッタ蒸着を行う装置を示
した概略図である。FIG. 1 is a schematic view showing an apparatus for performing plasma processing and sputter deposition.

【図２】プラズマ処理を行う装置を示した概略図であ
る。FIG. 2 is a schematic diagram showing an apparatus for performing a plasma process.

【図３】ピール剥離試験の測定サンプルのサンプリング
位置を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing sampling positions of measurement samples in a peel peel test.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

２ 長尺有機基材 １０ プラズマ用電極 １１、１２ スパッタ蒸着用電極 １３ 特定の金属、または、それら金属の酸化物または
窒化物のインゴット １４ クロムのインゴット １５ 銅のインゴット2 Long organic base material 10 Plasma electrode 11, 12 Electrode for sputter deposition 13 Ingot of specific metal or oxide or nitride of such metal 14 Chromium ingot 15 Copper ingot

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｃ０８Ｊ 7/06 ＣＦＧ Ｃ０８Ｊ 7/06 ＣＦＧＺ Ｃ２３Ｃ 14/20 Ｃ２３Ｃ 14/20 Ａ // Ｂ２９Ｋ 79:00 Ｂ２９Ｋ 79:00 Ｂ２９Ｌ 7:00 Ｂ２９Ｌ 7:00 (56)参考文献 特開 平７−233462（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−223426（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−233463（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−188663（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C23C 14/00 - 16/56 B29C 71/04 B32B 1/00 - 35/00 C08J 7/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. ⁷ Identification code FI C08J 7/06 CFG C08J 7/06 CFGZ C23C 14/20 C23C 14/20 A // B29K 79:00 B29K 79:00 B29L 7: B29L 7:00 (56) References JP-A-7-233462 (JP, A) JP-A-6-223426 (JP, A) JP-A-7-233463 (JP, A) JP-A-8-188863 ( JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. ⁷ , DB name) C23C 14/00-16/56 B29C 71/04 B32B 1/00-35/00 C08J 7/00

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 放電面にＹ、Ｚｒ、Ｗ、Ｔａのいずれか
一種または二種以上から成る金属、または、上記金属の
酸化物あるいは窒化物を設置した電極を用いることを特
徴とする有機基材のプラズマ処理方法。An organic substrate characterized by using an electrode having a discharge surface provided with a metal comprising one or more of Y, Zr, W, and Ta, or an oxide or nitride of said metal. Plasma treatment method for material. 【請求項２】 電極がプレーナーマグネトロンスパッタ
蒸着用カソード電極であることを特徴とする請求項１に
記載の有機基材のプラズマ処理方法。2. The method according to claim 1, wherein the electrode is a cathode for planar magnetron sputter deposition. 【請求項３】 有機基材の表面をプラズマ処理した後、
真空蒸着にて有機基材の表面に金属層を形成する方法に
おいて、放電面にＹ、Ｚｒ、Ｗ、Ｔａのいずれか一種ま
たは二種以上から成る金属、または、上記金属の酸化物
あるいは窒化物を設置した電極を用いてプラズマ処理を
行うことを特徴とする有機基材への金属層形成方法。3. After the surface of the organic substrate is plasma-treated,
In the method of forming a metal layer on the surface of an organic base material by vacuum deposition, a metal consisting of one or more of Y, Zr, W, and Ta on the discharge surface, or an oxide or nitride of the above metal A method for forming a metal layer on an organic substrate, wherein plasma treatment is performed using an electrode provided with a metal layer. 【請求項４】 電極がプレーナーマグネトロンスパッタ
蒸着用カソード電極であることを特徴とする請求項３に
記載の有機基材への金属層形成方法。4. The method for forming a metal layer on an organic substrate according to claim 3 , wherein the electrode is a cathode electrode for planar magnetron sputter deposition.