JP2008231532A - Method for producing copper-plating-treated material - Google Patents

Method for producing copper-plating-treated material Download PDF

Info

Publication number
JP2008231532A
JP2008231532A JP2007074959A JP2007074959A JP2008231532A JP 2008231532 A JP2008231532 A JP 2008231532A JP 2007074959 A JP2007074959 A JP 2007074959A JP 2007074959 A JP2007074959 A JP 2007074959A JP 2008231532 A JP2008231532 A JP 2008231532A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
copper
nichrome
layer
polyimide film
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2007074959A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuaki Senbokuya
和明 仙北屋
Naoki Kato
直樹 加藤
Takuma Katase
琢磨 片瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Priority to JP2007074959A priority Critical patent/JP2008231532A/en
Publication of JP2008231532A publication Critical patent/JP2008231532A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing copper-plating-treated material for obtaining a copper-laminated polyimide film having excellent thermal peel strength. <P>SOLUTION: The method is provided for producing the copper-plating-treated material material where a sputtered film obtained by successively laminating a nichrome sputtered layer and a copper sputtered layer is formed at least on one side of a beltlike polyimide film w1, wherein the nichrome sputtered layer is directly formed on the polyimide film transported into a DC magnetron sputtering system 1 where the sputtered film is formed by applying high electric power of ≥6 W/cm<SP>2</SP>, and thereafter, the copper sputtered layer is formed on the surface of the nichrome sputtered layer by applying high electric power of ≥3 W/cm<SP>2</SP>to a copper target. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、携帯電話やディスプレイ等のプリント配線板として利用される銅積層ポリイミドフィルムを製造するための被銅メッキ処理材の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for producing a copper plated material for producing a copper laminated polyimide film used as a printed wiring board for a mobile phone or a display.

この銅積層ポリイミドフィルムとしては、例えば、特許文献１及び非特許文献２に示されているように、厚さ数十μｍのポリイミドフィルム上に、銅スパッタ膜を形成した後に、この銅スパッタ膜上にメッキ処理によって銅メッキ層を形成したものが知られており、特に、特許文献１においては、スパッタリングのイオンビーム加速電圧が高い程、銅積層ポリイミドフィルムの常態接着強さである初期ピール強度が向上することが開示されている
。 As this copper laminated polyimide film, for example, as shown in Patent Document 1 and Non-Patent Document 2, after a copper sputtered film is formed on a polyimide film having a thickness of several tens of μm, In particular, in Patent Document 1, the higher the ion beam acceleration voltage of sputtering is, the higher the initial peel strength, which is the normal adhesive strength of the copper laminated polyimide film, is known. It is disclosed to improve.

しかしながら、この銅積層ポリイミドフィルムは、加熱処理によって銅スパッタ膜が剥離し易くなることから、使用時の耐久性に劣るとの問題があった。この加熱処理による剥離は、非特許文献２において、ポリイミドと銅スパッタ層との界面付近で両者の酸化が進行していることが原因であると推測されている。   However, this copper laminated polyimide film has a problem that it is inferior in durability at the time of use because the copper sputtered film easily peels off by heat treatment. In the non-patent document 2, it is estimated that the peeling due to this heat treatment is caused by the progress of oxidation of both in the vicinity of the interface between the polyimide and the copper sputtered layer.

そこで、特許文献３においては、上記ポリイミドフィルムと銅スパッタ層との間にニクロム合金のスパッタ層を形成した被銅メッキ処理材が提案されている。   Therefore, Patent Document 3 proposes a copper plating treatment material in which a sputter layer of nichrome alloy is formed between the polyimide film and the copper sputter layer.

特開平３−２０２４６３号公報Japanese Patent Laid-Open No. 3-202463 銅薄膜とポリイミド基材界面の高温処理における化学結合状態の変化，真空，第３９巻，第１号（１９９６）Ｐ７−１０Change in chemical bonding state in high temperature treatment of copper thin film and polyimide substrate interface, vacuum, Vol. 39, No. 1 (1996) P7-10 特開２００３−３１８５３３号公報JP 2003-318533 A

この被銅メッキ処理材は、ニクロムスパッタ層が銅スパッタ層の銅のポリイミドフィルムへの拡散を防止して、銅スパッタ層の酸化を防止することにより、銅スパッタ層上に銅メッキを施した銅積層ポリイミドフィルムの加熱処理後の引き剥がし強度である耐熱ピール強度を改善することができる。   This copper plated material is a copper plated copper layer on the copper sputter layer by preventing the nichrome sputter layer from diffusing into the copper polyimide film of the copper sputter layer and preventing oxidation of the copper sputter layer. The heat-resistant peel strength, which is the peel strength after heat treatment of the laminated polyimide film, can be improved.

しかしながら、この銅積層ポリイミドフィルムによっても、耐熱ピール強度が３３３Ｎ／ｍ程度しかなく、あらゆるところで使用されるプリント配線板として充分な耐熱ピール強度が得られないものであった。   However, even this copper laminated polyimide film has a heat-resistant peel strength of only about 333 N / m, and a heat-resistant peel strength sufficient as a printed wiring board used everywhere cannot be obtained.

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたもので、初期ピール強度のみならず、耐熱ピール強度に優れた銅積層ポリイミドフィルムを得ることができる被銅メッキ処理材の製造方法を提供することを課題とするものである。   The present invention has been made in view of such circumstances, and it is an object to provide a method for producing a copper-plated treatment material capable of obtaining a copper-laminated polyimide film excellent in not only initial peel strength but also heat-resistant peel strength. It is what.

請求項１に記載の発明は、帯状のポリイミドフィルムの少なくとも片面に、ニクロムスパッタ層と銅スパッタ層とを順に積層してなるスパッタ膜が形成された被銅メッキ処理材の製造方法であって、上記スパッタ膜を成膜するＤＣマグネトロンスパッタリング装置内に搬送された上記ポリイミドフィルム上に、ニクロムターゲットに６Ｗ／ｃｍ2以上の高電力を印加することによって上記ニクロムスパッタ層を直接形成した後に、このニクロムスパッタ層上に、銅ターゲットに３Ｗ／ｃｍ2以上の高電力を印加することによって上記銅スパッタ層を形成することを特徴としている。
ここで、この被メッキ処理材は、最終的に、スパッタ膜上に銅メッキが施されて、銅積層ポリイミドフィルムとして使用されるものである。 Invention of Claim 1 is a manufacturing method of the copper plating processing material in which the sputter | spatter film formed by laminating | stacking a nichrome sputter | spatter layer and a copper sputter | spatter layer in order on at least one side of the strip-shaped polyimide film, After forming the nichrome sputter layer directly on the polyimide film transported in the DC magnetron sputtering apparatus for forming the sputter film by applying a high power of 6 W / cm 2 or more to the nichrome target, The copper sputter layer is formed on the sputter layer by applying a high power of 3 W / cm 2 or more to the copper target.
Here, the material to be plated is finally used as a copper laminated polyimide film after copper plating is performed on the sputtered film.

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の被銅メッキ処理材の製造方法において、上記ニクロムスパッタ層の成膜速度が０．４ｎｍ／ｓｅｃ以上であって、１０ｎｍ／ｓｅｃ以下であるとともに、上記銅スパッタ層の成膜速度が１．８ｎｍ／ｓｅｃ以上であって、１０ｎｍ／ｓｅｃ以下であることを特徴としている。   According to a second aspect of the present invention, in the method for manufacturing a copper-plated treatment material according to the first aspect, the deposition rate of the nichrome sputter layer is 0.4 nm / sec or more and 10 nm / sec or less. At the same time, the film formation rate of the copper sputter layer is 1.8 nm / sec or more and 10 nm / sec or less.

請求項１又は２に記載の発明によれば、ニクロムターゲットに６Ｗ／ｃｍ2以上の高電力を印加して、ポリイミドフィルム上にニクロムスパッタ層を直接形成した後に、銅ターゲットに３Ｗ／ｃｍ2以上の高電力を印加して、ニクロムスパッタ層上に銅スパッタ層を形成して、これらニクロムスパッタ層と銅スパッタ層とからなるスパッタ膜を成膜することによって、このスパッタ膜上にメッキ処理を施すことにより、銅積層ポリイミドフィルムとしてあらゆるところで使用可能な優れた耐熱ピール強度を有する被銅メッキ処理材を得ることができる。 According to the invention described in claim 1 or 2, after applying a high power of 6 W / cm 2 or more to the nichrome target and directly forming the nichrome sputter layer on the polyimide film, the copper target is 3 W / cm 2 or more. Then, a copper sputter layer is formed on the sputtered nichrome layer, and a sputtered film composed of the sputtered nichrome layer and the sputtered copper layer is formed, thereby plating the sputtered film. Thereby, the copper plating processing material which has the outstanding heat-resistant peel strength which can be used everywhere as a copper lamination polyimide film can be obtained.

これは、ニクロムターゲットに６Ｗ／ｃｍ2以上の高電力量を印加することによって、高エネルギーのアルゴン等のイオンがニクロムターゲットに衝突することから、ニッケル原子やクロム原子のスパッタ粒子が高エネルギー状態でポリイミド内部に比較的深く浸入するとともに、成膜速度が大きくなることから、ニクロムスパッタ層中の、例えば酸素量等の、不純物量を減少させることができ、ニクロムスパッタ層の膜質が向上するためであると推測される。 This is because, when a high power amount of 6 W / cm 2 or more is applied to the nichrome target, ions such as high energy argon collide with the nichrome target, so that the sputtered particles of nickel atoms and chromium atoms are in a high energy state. Because it penetrates relatively deeply into the polyimide and the film formation rate increases, the amount of impurities in the nichrome sputter layer, such as the amount of oxygen, can be reduced, and the film quality of the nichrome sputter layer is improved. Presumed to be.

また、銅ターゲットに３Ｗ／ｃｍ2以上の高電力量を印加することによって、同様に、高エネルギーのアルゴン等のイオンが銅ターゲットに衝突することから、銅原子のスパッタ粒子が高エネルギー状態でニクロムスパッタ層内部に比較的深く浸入するとともに、成膜速度が大きくなることから、銅スパッタ層中の不純物量を減少させることができ、銅スパッタ層の膜質が向上するためであると推測される。 Similarly, by applying a high power amount of 3 W / cm 2 or more to the copper target, high energy argon ions and the like collide with the copper target, so that the sputtered particles of copper atoms are in a high energy state. It is presumed that this is because the amount of impurities in the copper sputtered layer can be reduced and the film quality of the copper sputtered layer can be improved because it penetrates relatively deeply into the sputtered layer and the film forming speed increases.

特に、請求項２に記載の発明によれば、ニクロムスパッタ層及び銅スパッタ層の成膜速度をそれぞれ１０ｎｍ／ｓｅｃ以下としたため、スパッタ粒子の凝集熱によるポリイミドフィルムの変形を防止することができる。
また、ニクロムスパッタ層の成膜速度を０．４ｎｍ／ｓｅｃ以上、銅スパッタ層の成膜速度を１．８ｎｍ／ｓｅｃ以上とすることによって、それぞれ成膜速度の低下によるニクロムスパッタ層中や銅スパッタ層中の不純物量の増加により、膜質が低下することを防止できる。 In particular, according to the second aspect of the present invention, since the deposition rates of the nichrome sputter layer and the copper sputter layer are each 10 nm / sec or less, the deformation of the polyimide film due to the heat of aggregation of the sputtered particles can be prevented.
Also, by setting the deposition rate of the nichrome sputter layer to 0.4 nm / sec or more and the deposition rate of the copper sputter layer to 1.8 nm / sec or more, respectively, in the nichrome sputter layer or the copper sputter due to a decrease in the deposition rate. The increase in the amount of impurities in the layer can prevent the film quality from deteriorating.

以下、本発明に係る被銅メッキ処理材の製造方法を説明する前に、まず、この被銅メッキ処理材の製造装置について、図１及び図２を用いて説明する。   Hereinafter, before explaining the method for producing a copper-plated material according to the present invention, first, the apparatus for producing a copper-plated material will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

本実施形態の被銅メッキ処理材の製造装置は、図１に示すように、ポリイミドフィルムｗ１を巻出す巻出しロール３１と、この巻き出しロール３１から巻出されたポリイミドフィルムｗ１が帯幅方向を上下方向に向けた状態で搬入するＤＣマグネトロンスパッタ装置１と、このスパッタ装置１内でポリイミドフィルムｗ１上にニクロムスパッタ層と銅スパッタ層とからなるスパッタ膜が成膜されて、スパッタ装置１から搬出された被銅メッキ処理材ｗ２を巻取る巻取りロール３２とによって構成されている。   As shown in FIG. 1, the apparatus for manufacturing a copper-plated material of this embodiment includes an unwinding roll 31 for unwinding a polyimide film w1 and a polyimide film w1 unwound from the unwinding roll 31. DC magnetron sputtering apparatus 1 that is carried in a state in which the substrate is directed in the vertical direction, and a sputtering film composed of a nichrome sputtering layer and a copper sputtering layer is formed on polyimide film w1 in sputtering apparatus 1. It is comprised by the winding roll 32 which winds up the copper plating processing material w2 carried out.

このＤＣマグネトロンスパッタ装置１は、外観視略円筒状に構成されるとともに、上部及び下部がそれぞれ閉塞されて、内部にポリイミドフィルムｗ１にスパッタ膜を成膜するための成膜室１０が気密的に設けられており、その外壁面にポリイミドフィルムｗ１の搬入口１８と被銅メッキ処理材ｗ２の搬出口１９とがそれぞれ細長状に形成されている。
また、スパッタ装置１は、その中央部に円筒状の回転可能な冷却ドラム１１が設けられており、この冷却ドラム１１は、伝熱性を有する導電性部材によって構成されるとともに、上部及び下部がそれぞれ閉塞的に設けられて、その内周壁面に沿って冷却水が循環するようになっている。
そして、この冷却ドラム１１の内周壁面に沿って循環する冷却水は、冷却ドラム１１を介して、ポリイミドフィルムＷ１を冷却することにより、スパッタ粒子の凝集熱によるポリイミドフィルムＷ１の温度上昇を抑制して、ポリイミドフィルムＷ１の熱負けによる銅積層ポリイミドフィルムの初期ピール強度の低下を抑制する。 The DC magnetron sputtering apparatus 1 is configured in a substantially cylindrical shape in appearance, and the upper and lower portions are respectively closed, and a film forming chamber 10 for forming a sputtered film on the polyimide film w1 is hermetically sealed. A carry-in port 18 for the polyimide film w1 and a carry-out port 19 for the copper-plated material to be treated w2 are formed on the outer wall surface in an elongated shape.
Moreover, the sputtering apparatus 1 is provided with a cylindrical rotatable cooling drum 11 at the center thereof. The cooling drum 11 is composed of a conductive member having heat conductivity, and an upper portion and a lower portion are respectively provided. The cooling water is provided so as to circulate along the inner peripheral wall surface.
The cooling water circulating along the inner peripheral wall surface of the cooling drum 11 cools the polyimide film W1 through the cooling drum 11, thereby suppressing the temperature rise of the polyimide film W1 due to the aggregation heat of the sputtered particles. Thus, a decrease in the initial peel strength of the copper laminated polyimide film due to heat loss of the polyimide film W1 is suppressed.

また、この冷却ドラム１１の外周壁面に沿って複数基（本実施形態においては７基）のターゲット２がそれぞれ間に隔壁部材１２を設けて配置されており、これらのターゲット２としては、ポリイミドフィルムｗ１の搬送方向の上流側にニクロムターゲット２Ａが複数基（本実施形態においては２基）設けられているとともに、このニクロムターゲット２Ａの下流側に銅ターゲット２Ｂが複数基（本実施形態においては５基）設けられて、ニクロムターゲット２Ａよりも銅ターゲット２Ｂの方が多く設けられている。   A plurality of (seven in this embodiment) targets 2 are disposed along the outer peripheral wall surface of the cooling drum 11 with a partition wall member 12 provided between them. A plurality of nichrome targets 2A (two in this embodiment) are provided on the upstream side in the conveyance direction of w1, and a plurality of copper targets 2B are provided on the downstream side of the nichrome target 2A (5 in this embodiment). Group), and more copper targets 2B are provided than nichrome targets 2A.

さらに、各ニクロムターゲット２Ａ及び銅ターゲット２Ｂは、図２に示すように、それぞれ冷却ドラム１１に対向配置された細長矩形板状のバッキングプレート２１を天板とする筺体２５の底板が成膜室１０の外壁面と一体的に設けられるとともに、冷却ドラム１１の外周壁面及び成膜室１０の外壁面に沿って円弧状に湾曲して形成されている。
この筺体２５は、その内部が気密的に設けられて、幅方向の中央部に上下方向に向けて細長状の磁石２４が配置されるとともに、内部に冷却水が循環するようになっている。 Further, as shown in FIG. 2, each nichrome target 2 </ b> A and copper target 2 </ b> B has a bottom plate of a casing 25 whose top plate is an elongated rectangular plate-like backing plate 21 that is disposed to face the cooling drum 11. The outer circumferential wall surface of the cooling drum 11 and the outer wall surface of the film forming chamber 10 are curved in a circular arc shape.
The inside of the housing 25 is hermetically provided, and an elongated magnet 24 is arranged in the vertical direction at the center in the width direction, and cooling water circulates inside.

そして、ニクロムターゲット２Ａのバッキングプレート２１の表面には、ターゲット材２２として厚板状のニクロム合金２２Ａが貼設されるとともに、銅ターゲット２Ｂのバッキングプレート２１の表面には、ターゲット材２２として厚板状の銅２２Ｂが貼設されており、これらの各ターゲット材２２には、それぞれ電流を供給するイオン引き出し電極２３が接続されている。これによって、各引き出し電極２３は、ニクロム合金２２Ａや銅２２Ｂ等のターゲット材２２に電圧を印加するようになっているとともに、アースが冷却ドラム１１に接続されている。   A thick plate-like nichrome alloy 22A is pasted as a target material 22 on the surface of the backing plate 21 of the nichrome target 2A, and a thick plate as the target material 22 is placed on the surface of the backing plate 21 of the copper target 2B. A copper-like copper 22B is attached, and each target material 22 is connected to an ion extraction electrode 23 for supplying a current. As a result, each extraction electrode 23 applies a voltage to the target material 22 such as the nichrome alloy 22 </ b> A or the copper 22 </ b> B, and the ground is connected to the cooling drum 11.

また、スパッタ装置１には、空気を排出して、成膜室１０を真空状態に近付ける内圧調整機能と、成膜室１０にアルゴン等の不活性ガスを供給するガス供給機能とを備えた内部雰囲気調整手段（図示を略す）が設けられている。これによって、スパッタ装置１は、作動時に、成膜室１０がアルゴン等の不活性ガス雰囲気に保たれて、アルゴン等のイオン化に伴ってプラズマが生じるとともに、イオン化したアルゴンが各ターゲット材２２に衝突することにより、ターゲット材２２のニクロム合金２２Ａや銅２２Ｂから叩き出されたスパッタ粒子をポリイミドフィルムｗ１上に堆積させるようになっている。   Further, the sputtering apparatus 1 has an internal pressure adjusting function for discharging air to bring the film forming chamber 10 close to a vacuum state, and a gas supplying function for supplying an inert gas such as argon to the film forming chamber 10. Atmosphere adjusting means (not shown) is provided. Accordingly, when the sputtering apparatus 1 is operated, the film forming chamber 10 is maintained in an inert gas atmosphere such as argon, and plasma is generated along with ionization of argon and the like, and the ionized argon collides with each target material 22. By doing so, the sputtered particles knocked out of the nichrome alloy 22A and the copper 22B of the target material 22 are deposited on the polyimide film w1.

次いで、本発明に係る上記製造装置を用いた被銅メッキ処理材の製造方法について、説明する。   Subsequently, the manufacturing method of the copper plating processing material using the said manufacturing apparatus based on this invention is demonstrated.

まず、巻出しロール３１から巻出されたポリイミドフィルムｗ１がスパッタ搬入口１８からスパッタ装置１内の冷却ドラム１１の外周壁面及び搬出口１９を経て巻取りロール３２に巻取られている状態で、内部雰囲気調整手段によって、成膜室１０の内圧を調整するとともに、成膜室１０にアルゴンガスを供給して、内部雰囲気を調整する。   First, in a state where the polyimide film w1 unwound from the unwinding roll 31 is wound on the winding roll 32 from the sputter carry-in port 18 through the outer peripheral wall surface of the cooling drum 11 and the carry-out port 19 in the sputter apparatus 1. The internal atmosphere is adjusted by the internal atmosphere adjusting means, and the internal atmosphere is adjusted by supplying argon gas to the film forming chamber 10.

次いで、各引き出し電極２３を通じて、各ターゲット２Ａ、２Ｂに電圧を印加して、スパッタ装置１を作動させるとともに、巻出しロール３１、冷却ドラム１１及び巻取りロール３２を同一の周速となるように同期して回転させる。
その際、ニクロム合金２２Ａに６Ｗ／ｃｍ2以上の高電力を印加して、成膜速度が０．４ｎｍ／ｓｅｃ以上であって１０ｎｍ／ｓｅｃ以下となるように、ポリイミドフィルムｗ１上に直接、ニクロムスパッタ層を形成するとともに、銅２２Ｂに３Ｗ／ｃｍ2以上の高電力を印加して、成膜速度が１．８ｎｍ／ｓｅｃ以上であって１０ｎｍ／ｓｅｃ以下となるようにポリイミドフィルムｗ１のニクロムスパッタ層上に銅スパッタ層を形成する。 Next, a voltage is applied to each target 2A, 2B through each extraction electrode 23 to operate the sputtering apparatus 1, and the unwinding roll 31, the cooling drum 11, and the winding roll 32 have the same peripheral speed. Rotate synchronously.
At that time, a high power of 6 W / cm 2 or more is applied to the Nichrome alloy 22A, and the Nichrome is directly deposited on the polyimide film w1 so that the deposition rate is 0.4 nm / sec or more and 10 nm / sec or less. A sputter layer is formed, and a high power of 3 W / cm 2 or more is applied to the copper 22B so that the film formation rate is 1.8 nm / sec or more and 10 nm / sec or less. A copper sputter layer is formed on the layer.

すると、搬入口１８から搬入されたポリイミドフィルムｗ１は、冷却ドラム１１の外周壁面によって冷却されつつ冷却ドラム１１の回転によって搬送される。
それと同時に、ニクロム合金２２Ａに６Ｗ／ｃｍ2以上の高電力が印加されることにより、アルゴンイオンがニクロム合金２２Ａに衝突して、ニッケル原子やクロム原子が叩き出されて、これら原子のスパッタ粒子がポリイミドフィルムＷ１上に堆積して、ニクロムスパッタ層が形成される。
これは、上記高電力の印加によって、上述のスパッタ粒子がポリイミドフィルムｗ１の内部に比較的深く浸入するとともに、ニクロムスパッタ層の成膜速度が大きくなることから、ニクロムスパッタ層中の酸素量等の不純物量が低減されて、ニクロムスパッタ層の膜質が向上するものと推測される。 Then, the polyimide film w <b> 1 carried in from the carry-in port 18 is conveyed by the rotation of the cooling drum 11 while being cooled by the outer peripheral wall surface of the cooling drum 11.
At the same time, when high power of 6 W / cm 2 or more is applied to the nichrome alloy 22A, the argon ions collide with the nichrome alloy 22A, and nickel atoms and chromium atoms are knocked out. A Nichrome sputter layer is formed by depositing on the polyimide film W1.
This is because the above-described sputtered particles penetrate relatively deeply into the polyimide film w1 and the deposition rate of the nichrome sputter layer increases due to the application of the high power, so that the amount of oxygen in the nichrome sputter layer, etc. It is presumed that the amount of impurities is reduced and the film quality of the nichrome sputter layer is improved.

また、ニクロムスパッタ層の成膜速度を１０ｎｍ／ｓｅｃ以下としたため、ニッケル原子やクロム原子のスパッタ粒子の凝集熱によるポリイミドフィルムｗ１の変形を防止して、初期ピール強度の低下を抑制できるとともに、ニクロムスパッタ層の成膜速度を０．４ｎｍ／ｓｅｃ以上としたため、上述のように不純物量を低減させて、膜質を向上させることができる。   In addition, since the deposition rate of the Nichrome sputter layer is set to 10 nm / sec or less, the deformation of the polyimide film w1 due to the heat of aggregation of sputtered particles of nickel atoms or chromium atoms can be prevented, and a decrease in initial peel strength can be suppressed. Since the deposition rate of the sputtered layer is 0.4 nm / sec or more, the amount of impurities can be reduced as described above, and the film quality can be improved.

次いで、ニクロムスパッタ層が形成されたポリイミドフィルムｗ１は、冷却ドラム１１の回転とともに下流側に搬送される。
それと同時に、銅２２Ｂに３Ｗ／ｃｍ2以上の高電力が印加されることにより、アルゴンイオンが銅２２Ｂに衝突して、漸次、銅原子が叩き出されて、この銅原子による銅スパッタ粒子がポリイミドフィルムｗ１上に堆積して、耐熱ピール強度を有する銅スパッタ層が形成される。これによって、スパッタ装置１内にて、ポリイミドフィルムｗ１上にニクロムスパッタ層と銅スパッタ層とが連続的に形成される。 Next, the polyimide film w <b> 1 on which the nichrome sputtered layer is formed is conveyed downstream as the cooling drum 11 rotates.
At the same time, when high power of 3 W / cm 2 or more is applied to the copper 22B, argon ions collide with the copper 22B, and copper atoms are gradually knocked out. A copper sputter layer having a heat-resistant peel strength is formed by depositing on the film w1. Thereby, the nichrome sputter layer and the copper sputter layer are continuously formed on the polyimide film w <b> 1 in the sputtering apparatus 1.

その際、上述のように耐熱ピール強度を有する銅スパッタ層が形成されるのは、ニクロムスパッタ層と同様に、上記高電力の印加によって、銅スパッタ粒子がニクロムスパッタ層の内部に比較的深く浸入するとともに、銅スパッタ層の成膜速度が大きくなることから、不純物量が低減されて、膜質が向上するためであると推測される。   At that time, as described above, the copper sputtered layer having the heat-resistant peel strength is formed, as in the case of the nichrome sputtered layer, by the application of the high power, the copper sputtered particles penetrate relatively deeply into the nichrome sputtered layer. At the same time, the film formation rate of the copper sputter layer is increased, so that it is presumed that the amount of impurities is reduced and the film quality is improved.

また、銅スパッタ層の成膜速度を１０ｎｍ／ｓｅｃ以下としたため、銅スパッタ粒子の凝集熱によるポリイミドフィルムｗ１の変形を防止して、初期ピール強度の低下を抑制できるとともに、銅スパッタ層の成膜速度を１．８ｎｍ／ｓｅｃ以上としたため、上述のように不純物量を低減させて、膜質を向上させることができる。   In addition, since the film formation rate of the copper sputter layer is set to 10 nm / sec or less, the deformation of the polyimide film w1 due to the heat of aggregation of the copper sputter particles can be prevented and the decrease in the initial peel strength can be suppressed, and the film formation of the copper sputter layer Since the speed is set to 1.8 nm / sec or more, the amount of impurities can be reduced as described above, and the film quality can be improved.

次いで、上述のようにポリイミドフィルムｗ１上にニクロムスパッタ層及び銅スパッタ層が形成された被銅メッキ処理材ｗ２は、搬出口１９から搬出されて、巻取りロール３２に巻き取られる。   Next, the copper plating material w <b> 2 in which the nichrome sputter layer and the copper sputter layer are formed on the polyimide film w <b> 1 as described above is carried out from the carry-out port 19 and taken up on the take-up roll 32.

以上のようにして、被銅メッキ処理材ｗ２が得られるが、スパッタ装置１の作動中に各ターゲット材２２に印加される電力量が増加して、成膜速度が大きくなった場合には、巻出しロール３１、冷却ドラム１１及び巻取りロール３２の周速を大きくして、ポリイミドフィルムｗ１上に均一の膜厚のニクロムスパッタ層と銅スパッタ層とからなるスパッタ膜が成膜されるように調整し、過度の凝集熱が加わることによるポリイミドフィルムｗ１の変形を防止する。   As described above, the copper plating material w2 is obtained, but when the amount of electric power applied to each target material 22 during the operation of the sputtering apparatus 1 is increased and the film formation rate is increased, The peripheral speed of the unwinding roll 31, the cooling drum 11, and the winding roll 32 is increased so that a sputtered film composed of a nichrome sputter layer and a copper sputter layer having a uniform film thickness is formed on the polyimide film w1. It adjusts and prevents the deformation | transformation of the polyimide film w1 by adding excessive heat of aggregation.

上述の被銅メッキ処理材の製造方法によれば、ニクロムターゲット２Ａに６Ｗ／ｃｍ2以上の高電力を印加するとともに、銅ターゲット２Ｂに３Ｗ／ｃｍ2以上の高電力を印加して、ニクロムスパッタ層を０．４ｎｍ／ｓｅｃ〜１０ｎｍ／ｓｅｃの成膜速度でポリイミドフィルムｗ１上に形成した後に、銅スパッタ層を１．８ｎｍ／ｓｅｃ〜１０ｎｍ／ｓｅｃの成膜速度でニクロムスパッタ層上に形成したため、凝集熱によるポリイミドフィルムｗ1の熱変形を防止できるとともに、高い耐熱ピール強度を有する被銅メッキ処理材ｗ２を得ることができる。 According to the above-described method for manufacturing a copper-plated material, a high power of 6 W / cm 2 or more is applied to the nichrome target 2A, and a high power of 3 W / cm 2 or more is applied to the copper target 2B, so that the nichrome sputtering is performed. The copper sputter layer was formed on the nichrome sputter layer at a deposition rate of 1.8 nm / sec to 10 nm / sec after the layer was formed on the polyimide film w1 at a deposition rate of 0.4 nm / sec to 10 nm / sec. In addition to preventing thermal deformation of the polyimide film w1 due to aggregation heat, it is possible to obtain a copper-plated material w2 having high heat-resistant peel strength.

なお、本発明は、上述の実施形態に何ら限定されるものでなく、例えば、冷却ドラム１１の内周壁面に沿って冷却水が循環していなくてもよいものである。   In addition, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment at all, For example, the cooling water does not need to circulate along the inner peripheral wall surface of the cooling drum 11.

スパッタ装置１を用いて、ポリイミドフィルムｗ１を冷却ドラム１１の回転によって搬送しつつ、この搬送されるポリイミドフィルムｗ１上に、表１に示す条件で、ニクロムスパッタ層と、銅スパッタ層とを順に形成した。   While the polyimide film w1 is conveyed by the rotation of the cooling drum 11 using the sputtering apparatus 1, a nichrome sputter layer and a copper sputter layer are sequentially formed on the conveyed polyimide film w1 under the conditions shown in Table 1. did.

Figure 2008231532
Figure 2008231532

次いで、ポリイミドフィルムｗ１に膜厚２０ｎｍのニクロムスパッタ層と膜厚２００ｎｍの銅スパッタ層とを成膜して得られた実施例１及び比較例１の被銅メッキ処理材ｗ２に、それぞれ厚さ８μｍの銅メッキ層を形成した後、初期ピール強度と耐熱ピール強度とを各々測定して、測定結果を表２に示した。なお、耐熱ピール強度は、１５０℃で１６８時間加熱した後の引き剥がし強度である。   Next, the copper plating treatment material w2 of Example 1 and Comparative Example 1 obtained by forming a 20 nm thick nichrome sputter layer and a 200 nm thick copper sputter layer on the polyimide film w1 has a thickness of 8 μm. After the copper plating layer was formed, initial peel strength and heat-resistant peel strength were measured, and the measurement results are shown in Table 2. The heat-resistant peel strength is the peel strength after heating at 150 ° C. for 168 hours.

Figure 2008231532
Figure 2008231532

実施例１の被銅メッキ処理材ｗ２に、８μｍの銅メッキ層を形成したサンプルは、初期ピール強度が５７１．７Ｎ／ｍであって、充分な大きさの初期ピール強度を有している。さらに、実施例１のサンプルは、耐熱ピール強度も５２８．８Ｎ／ｍであり、加熱後の引き剥がし強度の低下が４２．９Ｎ／ｍと小さく、充分な耐熱ピール強度が得られたため、銅メッキ処理を施した銅積層ポリイミドフィルムとしての使用態様にも耐え得ることが判った。
他方、比較例１の被銅メッキ処理材ｗ２に、８μｍの銅メッキ層を形成したサンプルは、初期ピール強度が３６０．５Ｎ／ｍであり、耐熱ピール強度が３０７．２Ｎ／ｍである。このことから、比較例１のサンプルは、初期ピール強度及び耐熱ピール強度がともに劣っていることが判った。 The sample in which the copper plating layer of 8 μm is formed on the copper plating material w2 of Example 1 has an initial peel strength of 571.7 N / m and a sufficiently large initial peel strength. Further, the sample of Example 1 also had a heat-resistant peel strength of 528.8 N / m, a decrease in peel strength after heating was as small as 42.9 N / m, and a sufficient heat-resistant peel strength was obtained. It turned out that it can also endure the use aspect as a copper laminated polyimide film which processed.
On the other hand, the sample in which the copper plating layer of 8 μm is formed on the copper plating treatment material w2 of Comparative Example 1 has an initial peel strength of 360.5 N / m and a heat-resistant peel strength of 307.2 N / m. From this, it was found that the sample of Comparative Example 1 was inferior in both initial peel strength and heat-resistant peel strength.

本発明に係る被銅メッキ処理材を製造する際に用いる被銅メッキ処理材の製造装置の横断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram of the manufacturing apparatus of the copper plating processing material used when manufacturing the copper plating processing material which concerns on this invention. ターゲット２０の構成を説明するための横断面斜視図である。4 is a cross-sectional perspective view for explaining the configuration of a target 20. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

ｗ１ ポリイミドフィルム
ｗ２ 被銅メッキ処理材
２Ａ ニクロムターゲット
２Ｂ 銅ターゲット w1 Polyimide film w2 Copper plating material 2A Nichrome target 2B Copper target

Claims (2)

帯状のポリイミドフィルムの少なくとも片面に、ニクロムスパッタ層と銅スパッタ層とを順に積層してなるスパッタ膜が形成された被銅メッキ処理材の製造方法であって、
上記スパッタ膜を成膜するＤＣマグネトロンスパッタリング装置内に搬送された上記ポリイミドフィルム上に、ニクロムターゲットに６Ｗ／ｃｍ2以上の高電力を印加することによって上記ニクロムスパッタ層を直接形成した後に、このニクロムスパッタ層上に、銅ターゲットに３Ｗ／ｃｍ2以上の高電力を印加することによって上記銅スパッタ層を形成することを特徴とする被銅メッキ処理材の製造方法。 A method for producing a copper-plated treatment material in which a sputtered film formed by sequentially laminating a nichrome sputter layer and a copper sputter layer is formed on at least one surface of a belt-shaped polyimide film,
After forming the nichrome sputter layer directly on the polyimide film transported in the DC magnetron sputtering apparatus for forming the sputter film by applying a high power of 6 W / cm 2 or more to the nichrome target, A method for producing a copper-plated treatment material, wherein the copper sputter layer is formed on a sputter layer by applying a high power of 3 W / cm 2 or more to a copper target. 上記ニクロムスパッタ層の成膜速度が０．４ｎｍ／ｓｅｃ以上であって、１０ｎｍ／ｓｅｃ以下であるとともに、上記銅スパッタ層の成膜速度が１．８ｎｍ／ｓｅｃ以上であって、１０ｎｍ／ｓｅｃ以下であることを特徴とする請求項１に記載の被銅メッキ処理材の製造方法。   The deposition rate of the nichrome sputter layer is 0.4 nm / sec or more and 10 nm / sec or less, and the deposition rate of the copper sputter layer is 1.8 nm / sec or more and 10 nm / sec or less. The method for producing a copper-plated material according to claim 1, wherein:
JP2007074959A 2007-03-22 2007-03-22 Method for producing copper-plating-treated material Withdrawn JP2008231532A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007074959A JP2008231532A (en) 2007-03-22 2007-03-22 Method for producing copper-plating-treated material

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007074959A JP2008231532A (en) 2007-03-22 2007-03-22 Method for producing copper-plating-treated material

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008231532A true JP2008231532A (en) 2008-10-02

Family

ID=39904688

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007074959A Withdrawn JP2008231532A (en) 2007-03-22 2007-03-22 Method for producing copper-plating-treated material

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008231532A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011033204A (en) * 2009-07-29 2011-02-17 Kowa Co Ltd Cleaning device for air conditioner, and air conditioner
WO2017090498A1 (en) * 2015-11-24 2017-06-01 コニカミノルタ株式会社 Method for producing gas barrier film
CN111212526A (en) * 2018-11-22 2020-05-29 住友金属矿山株式会社 Flexible substrate

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011033204A (en) * 2009-07-29 2011-02-17 Kowa Co Ltd Cleaning device for air conditioner, and air conditioner
WO2017090498A1 (en) * 2015-11-24 2017-06-01 コニカミノルタ株式会社 Method for producing gas barrier film
JPWO2017090498A1 (en) * 2015-11-24 2018-10-04 コニカミノルタ株式会社 Method for producing gas barrier film
CN111212526A (en) * 2018-11-22 2020-05-29 住友金属矿山株式会社 Flexible substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6724967B2 (en) Vapor deposition equipment with pretreatment equipment using plasma
JP2010247417A (en) Method of manufacturing heat-resistant resin film with metal base layer and heat-resistant resin film with metal film, and device for manufacturing the heat-resistant resin film with metal base layer
US11352697B2 (en) Apparatus for processing long base material by roll-to-roll method and film forming apparatus using the same
JP2010111884A (en) Sputtering cathode and sputtering film forming apparatus
JPH11268183A (en) Polyimide-metal laminate and its manufacture
JP6028711B2 (en) Double-sided film forming method and method for producing resin film with metal base layer
JP2015153666A (en) Method for forming thin line pattern and method for manufacturing conductive substrate
JP2014053410A (en) Production method and production apparatus of double side metal laminate film, and manufacturing method of flexible double side printed wiring board
JP2008231532A (en) Method for producing copper-plating-treated material
JP2014118607A (en) Apparatus and method for cooling long resin film and surface treatment apparatus for long resin film
JP2008226689A (en) Forming device of transparent conductive film onto flexible substrate, mask member, and transparent conductive film resin substrate for organic electroluminescent element
JP2010042564A (en) Method for producing flexible substrate and flexible substrate
JP5488477B2 (en) Can roll, long resin film substrate processing apparatus and processing method
JP2012026025A (en) Film deposition method, method for manufacturing resin film with metal base layer and sputtering apparatus
JP5310486B2 (en) Method for forming long heat-resistant resin film and apparatus for producing heat-resistant resin film with metal film
JP5304733B2 (en) Heat-resistant resin film with metal base layer having dielectric film, heat-resistant resin film with metal film and manufacturing method of heat-resistant resin film with metal base layer having dielectric film
JP6060836B2 (en) Surface treatment method for resin film and method for producing copper clad laminate including the same
TWI632246B (en) Chamber pasting method in a pvd chamber for reactive re-sputtering dielectric material
JP2017066429A (en) Sputtering apparatus and method for manufacturing thin film
JP6447459B2 (en) Film forming method and apparatus, and film forming apparatus manufacturing apparatus
JP2001288569A (en) Apparatus and method for plasma treatment
JP2015151594A (en) Method for forming thin line pattern and method for manufacturing conductive substrate
JP6269385B2 (en) Can roll, long substrate processing apparatus, and long substrate processing method
CN108367873A (en) The method for coiling and devices for taking-up of strip substrate and have the devices for taking-up strip substrate surface processing device
JP5668677B2 (en) Method for controlling conveyance of long strip and surface treatment method for long strip

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20100601