JP3328989B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は書き換えが可能な光磁気
記録媒体のなかで、再生層の磁化状態を変化させながら
記録信号を読み取る光磁気記録媒体に係わる。
記録媒体のなかで、再生層の磁化状態を変化させながら
記録信号を読み取る光磁気記録媒体に係わる。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は書き換え可能な光記録
媒体であり、相変化型光記録媒体などと比較して繰り返
し消去／書き込み耐久性や消去比率に優れ、可搬型大容
量の記録媒体として注目されている。
媒体であり、相変化型光記録媒体などと比較して繰り返
し消去／書き込み耐久性や消去比率に優れ、可搬型大容
量の記録媒体として注目されている。
【０００３】光磁気記録媒体は、レ−ザ−光照射による
局所加熱によって記録ビットを形成し、これをカ−効果
により読み出す記録再生方法が取られる。記録ビットの
間隔はレ−ザ−光照射パワ−、記録磁界の強度などの調
整でレ−ザ−スポット径よりもかなり小さくすることが
可能であるが、読みだしは再生時のレ−ザ波長、レンズ
の開口数などによって制約を受ける。つまり、再生光学
系のレ−ザ−波長λと対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．が決
まると検出限界となるビット周期ｆ（＝λ／２・Ｎ．
Ａ．）が決まる。
局所加熱によって記録ビットを形成し、これをカ−効果
により読み出す記録再生方法が取られる。記録ビットの
間隔はレ−ザ−光照射パワ−、記録磁界の強度などの調
整でレ−ザ−スポット径よりもかなり小さくすることが
可能であるが、読みだしは再生時のレ−ザ波長、レンズ
の開口数などによって制約を受ける。つまり、再生光学
系のレ−ザ−波長λと対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．が決
まると検出限界となるビット周期ｆ（＝λ／２・Ｎ．
Ａ．）が決まる。
【０００４】したがって、光ディスクで高密度化を図る
ためには、再生光学系のレ−ザ−波長を短くしたり、対
物レンズの開口数を大きくするというのが基本的な考え
方である。しかしながら、現状の技術ではレ−ザ−波長
や対物レンズの開口数の改善にも限度があるため他の方
法で記録密度を改善する技術が開発されている。
ためには、再生光学系のレ−ザ−波長を短くしたり、対
物レンズの開口数を大きくするというのが基本的な考え
方である。しかしながら、現状の技術ではレ−ザ−波長
や対物レンズの開口数の改善にも限度があるため他の方
法で記録密度を改善する技術が開発されている。
【０００５】このような高密度化の方法のひとつとし
て、例えば特開平１−１４３０４１号公報、特開平１−
１４３０４２号公報において情報ビット（磁区）を再生
時に部分的に拡大、縮小もしくは消滅させることによ
り、再生分解能を向上させる方式（ＭＳＲディスク）が
提案されている。この方式は、記録磁性層を再生層、中
間層、記録層からなる交換結合多層膜とし、再生時にお
いて再生光ビ−ムで加熱された再生層の磁区を温度の高
い部分で拡大、縮小あるいは消去することにより、再生
時の情報ビット間の干渉を減少させ、光の回折限界以上
の周期の信号を再生可能とするものである。
て、例えば特開平１−１４３０４１号公報、特開平１−
１４３０４２号公報において情報ビット（磁区）を再生
時に部分的に拡大、縮小もしくは消滅させることによ
り、再生分解能を向上させる方式（ＭＳＲディスク）が
提案されている。この方式は、記録磁性層を再生層、中
間層、記録層からなる交換結合多層膜とし、再生時にお
いて再生光ビ−ムで加熱された再生層の磁区を温度の高
い部分で拡大、縮小あるいは消去することにより、再生
時の情報ビット間の干渉を減少させ、光の回折限界以上
の周期の信号を再生可能とするものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ＭＳＲディスクとは、
上述したように再生時に再生光ビ−ムによって加熱され
た再生層の磁区を温度の高い部分で拡大、縮小あるいは
消去することによりビ−ムスポット内に光学的マスクを
施し検出域を狭くして空間分解能を向上させ記録密度を
増加させたものである。
上述したように再生時に再生光ビ−ムによって加熱され
た再生層の磁区を温度の高い部分で拡大、縮小あるいは
消去することによりビ−ムスポット内に光学的マスクを
施し検出域を狭くして空間分解能を向上させ記録密度を
増加させたものである。
【０００７】ＭＳＲディスクはＦＡＤ（Ｆｒｏｎｔ Ａ
ｐｅｒｔｕｒｅ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）方式とＲＡＤ
（Ｒｅａｒ Ａｐｅｒｔｕｒｅ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）
方式の２種類に大別される。ＦＡＤ方式では、ビ−ムス
ポット内の加熱部分が再生磁界の方向にＤＣ消磁される
ことにより光学的マスクとして作用する。これに対し
て、ＲＡＤ方式では、あらかじめ初期化磁石により再生
層をＤＣ消磁しておきビ−ムスポット内の加熱部分のみ
を検出域とするものである。
ｐｅｒｔｕｒｅ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）方式とＲＡＤ
（Ｒｅａｒ Ａｐｅｒｔｕｒｅ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）
方式の２種類に大別される。ＦＡＤ方式では、ビ−ムス
ポット内の加熱部分が再生磁界の方向にＤＣ消磁される
ことにより光学的マスクとして作用する。これに対し
て、ＲＡＤ方式では、あらかじめ初期化磁石により再生
層をＤＣ消磁しておきビ−ムスポット内の加熱部分のみ
を検出域とするものである。
【０００８】両方式ともにビ−ムスポット内の検出域に
おいて記録層の記録磁区が中間層を通じて交換結合力に
より再生層へ転写され情報が読み出される。
おいて記録層の記録磁区が中間層を通じて交換結合力に
より再生層へ転写され情報が読み出される。
【０００９】中間層は、再生層と記録層の間の交換結合
力を制御したり、あるいは、中間層のキュリ−温度以上
で再生層と記録層の交換力を断ち切ることにより再生層
のマスクを発生させる役割を果たす。
力を制御したり、あるいは、中間層のキュリ−温度以上
で再生層と記録層の交換力を断ち切ることにより再生層
のマスクを発生させる役割を果たす。
【００１０】中間層のキュリ−温度は、例えば特開平４
−２２９４３２号公報において６０℃以上２００℃以下
が好ましいとされているが、本発明者らが実験したとこ
ろ、中間層のキュリ−温度を下げていくと徐々にＣ／Ｎ
が下がり、あるところで急激にＣ／Ｎが下がる現象がみ
られた。Ｃ／Ｎを良くするために中間層のキュリ−温度
を高くするとＭＳＲを起こすための再生パワ−が高くな
り再生パワ−のマ−ジンが狭くなり、実用的ではなくな
る。
−２２９４３２号公報において６０℃以上２００℃以下
が好ましいとされているが、本発明者らが実験したとこ
ろ、中間層のキュリ−温度を下げていくと徐々にＣ／Ｎ
が下がり、あるところで急激にＣ／Ｎが下がる現象がみ
られた。Ｃ／Ｎを良くするために中間層のキュリ−温度
を高くするとＭＳＲを起こすための再生パワ−が高くな
り再生パワ−のマ−ジンが狭くなり、実用的ではなくな
る。
【００１１】中間層のキュリ−温度の低下にともないＣ
／Ｎが低下する原因としては、キュリ−温度の低下にと
もない再生層と記録保持層の間の交換結合が弱くなるこ
とやいわゆるマスク領域と環境温度の差が小さくなるた
め熱的な揺らぎの影響が大きくなることなどがあげられ
る。
／Ｎが低下する原因としては、キュリ−温度の低下にと
もない再生層と記録保持層の間の交換結合が弱くなるこ
とやいわゆるマスク領域と環境温度の差が小さくなるた
め熱的な揺らぎの影響が大きくなることなどがあげられ
る。
【００１２】本発明者らは、再生層の成膜前に下地層の
エッチングを行うなどして磁性層の垂直磁気異方性を向
上させる手段で再生層と記録保持層の交換結合を強くす
ることを試みたが、交換結合は強くなったもののマスク
領域を通過後の記録保持層から再生層への良好な転写が
行われなくなり逆にＣ／Ｎが劣化することが判明した。
エッチングを行うなどして磁性層の垂直磁気異方性を向
上させる手段で再生層と記録保持層の交換結合を強くす
ることを試みたが、交換結合は強くなったもののマスク
領域を通過後の記録保持層から再生層への良好な転写が
行われなくなり逆にＣ／Ｎが劣化することが判明した。
【００１３】本発明が解決しようとする課題は、記録保
持層から再生層への転写性を従来より高める構造を見い
だすことにより解像度の高いＭＳＲ媒体を生産性良く得
ることを可能にすることである。
持層から再生層への転写性を従来より高める構造を見い
だすことにより解像度の高いＭＳＲ媒体を生産性良く得
ることを可能にすることである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上述のよう
な現状に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、再生層の形成前
（基板側）に、面内磁化膜を付加することにより記録層
から再生層へ安定に再現性良く記録磁区が転写され、ま
た、中間層のキュリ−温度の許容量も広くなる事実を見
出し、本発明を完成するに至った。
な現状に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、再生層の形成前
（基板側）に、面内磁化膜を付加することにより記録層
から再生層へ安定に再現性良く記録磁区が転写され、ま
た、中間層のキュリ−温度の許容量も広くなる事実を見
出し、本発明を完成するに至った。
【００１５】すなわち本発明は、透明基板上に互いに磁
気的に結合した第１の磁性膜と、第２の磁性膜と、第３
の磁性膜とを有し、上記第１、第２、第３の磁性膜のキ
ュリ−温度をそれぞれＴｃ１、Ｔｃ２、Ｔｃ３とすると
き、Ｔｃ３、Ｔｃ１＞Ｔｃ２＞室温であり、第１磁性層
の磁区を変形させながら再生することが可能な光磁気記
録媒体において、第１の磁性膜の形成前に面内磁化膜を
付加することを特徴とする光磁気記録媒体に関する。
気的に結合した第１の磁性膜と、第２の磁性膜と、第３
の磁性膜とを有し、上記第１、第２、第３の磁性膜のキ
ュリ−温度をそれぞれＴｃ１、Ｔｃ２、Ｔｃ３とすると
き、Ｔｃ３、Ｔｃ１＞Ｔｃ２＞室温であり、第１磁性層
の磁区を変形させながら再生することが可能な光磁気記
録媒体において、第１の磁性膜の形成前に面内磁化膜を
付加することを特徴とする光磁気記録媒体に関する。
【００１６】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１７】本発明の光磁気記録媒体の磁性層は、例え
ば図１に示すような多層膜構造をとる。第１磁性膜、第
２磁性膜および第３磁性膜はそれぞれ互いに磁気的に結
合しており、それぞれのキュリ−温度をＴｃ１、Ｔｃ２
およびＴｃ３とすると、Ｔｃ１、Ｔｃ２＞Ｔｃ３であ
る。また、第１、第３の磁性膜は垂直磁化膜であり、さ
らに、第１磁性膜の形成前（基板側）に面内磁化膜を付
加させる。
ば図１に示すような多層膜構造をとる。第１磁性膜、第
２磁性膜および第３磁性膜はそれぞれ互いに磁気的に結
合しており、それぞれのキュリ−温度をＴｃ１、Ｔｃ２
およびＴｃ３とすると、Ｔｃ１、Ｔｃ２＞Ｔｃ３であ
る。また、第１、第３の磁性膜は垂直磁化膜であり、さ
らに、第１磁性膜の形成前（基板側）に面内磁化膜を付
加させる。
【００１８】第１の磁性膜は、室温で保磁力が大きく、
Ｔｃ２で保磁力が小さい垂直磁化膜であればよく、例え
ば補償組成付近のＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、Ｇ
ｄＤｙＦｅＣｏなどがあげられる。また、必要に応じて
耐蝕性を高めるためにＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ等をや短波長レ
−ザ−に対応するためにＮｄ等を添加したものも使用す
ることができる。
Ｔｃ２で保磁力が小さい垂直磁化膜であればよく、例え
ば補償組成付近のＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、Ｇ
ｄＤｙＦｅＣｏなどがあげられる。また、必要に応じて
耐蝕性を高めるためにＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ等をや短波長レ
−ザ−に対応するためにＮｄ等を添加したものも使用す
ることができる。
【００１９】面内磁化膜の付加方法はどんなものでもよ
いが、例えば、第１の磁性膜の成長初期時に希土類元素
の比率を変化させることにより面内磁化膜を形成した
り、また、反応性ガスをスパッタガス中に混入し反応性
スパッタすることにより面内磁化膜を形成したり、ある
いは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性金属を含む合金薄膜
を面内磁化膜として使用することができる。面内磁化膜
の飽和磁化の大きさは特に限定されないが、好ましく
は、２００〜６００ｅｍｕ／ｃｃである。
いが、例えば、第１の磁性膜の成長初期時に希土類元素
の比率を変化させることにより面内磁化膜を形成した
り、また、反応性ガスをスパッタガス中に混入し反応性
スパッタすることにより面内磁化膜を形成したり、ある
いは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性金属を含む合金薄膜
を面内磁化膜として使用することができる。面内磁化膜
の飽和磁化の大きさは特に限定されないが、好ましく
は、２００〜６００ｅｍｕ／ｃｃである。
【００２０】第１の磁性層の厚みは２００〜６００オン
グストロ−ムが好ましい。また、付加される面内磁化膜
の厚みは１０〜３００オングストロ−ムが好ましい。
グストロ−ムが好ましい。また、付加される面内磁化膜
の厚みは１０〜３００オングストロ−ムが好ましい。
【００２１】第２の磁性層はＴｃ３，Ｔｃ１＞Ｔｃ２＞
室温を満足するような磁性薄膜なら特に限定されない
が、好ましくは、１００℃＜Ｔｃ２＜２００℃、磁化＜
１００ｅｍｕ／ｃｃである。第２の磁性層の厚みは５０
〜２００オングストロ−ムが好ましい。
室温を満足するような磁性薄膜なら特に限定されない
が、好ましくは、１００℃＜Ｔｃ２＜２００℃、磁化＜
１００ｅｍｕ／ｃｃである。第２の磁性層の厚みは５０
〜２００オングストロ−ムが好ましい。
【００２２】第３の磁性層は、室温からＴｃ２の間の温
度で保磁力が十分に大きい垂直磁化膜であればなんでも
良く、例えばＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦ
ｅＣｏなどがあげられる。この層の厚みは２００〜８０
０オングストロ−ムが好ましい。
度で保磁力が十分に大きい垂直磁化膜であればなんでも
良く、例えばＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦ
ｅＣｏなどがあげられる。この層の厚みは２００〜８０
０オングストロ−ムが好ましい。
【００２３】第１磁性層に面内磁化膜を付加することに
よって転写性が再現性良く安定になる理由については現
在検討中で詳細は不明であるが、第１磁性層表面に面内
磁化膜が存在することにより、第１磁性層中での磁壁エ
ネルギ−が減少し、この層の中で磁区が安定に存在でき
るためと考えられる。しかしながらこのような推測は、
なんら本発明に影響を与えるものではない。
よって転写性が再現性良く安定になる理由については現
在検討中で詳細は不明であるが、第１磁性層表面に面内
磁化膜が存在することにより、第１磁性層中での磁壁エ
ネルギ−が減少し、この層の中で磁区が安定に存在でき
るためと考えられる。しかしながらこのような推測は、
なんら本発明に影響を与えるものではない。
【００２４】本発明の光磁気記録媒体の構造は、上述の
透明基板上に互いに磁気的に結合した第１の磁性膜、第
２の磁性膜及び第３の磁性膜、さらに第１の磁性膜に付
加された面内磁化膜から構成されれば特に限定されず、
透明基板と磁性膜との間に窒化ケイ素などの誘電体膜を
はさんだり、磁性膜の上に保護膜やＡｌなどの金属膜を
積層していてもよい。
透明基板上に互いに磁気的に結合した第１の磁性膜、第
２の磁性膜及び第３の磁性膜、さらに第１の磁性膜に付
加された面内磁化膜から構成されれば特に限定されず、
透明基板と磁性膜との間に窒化ケイ素などの誘電体膜を
はさんだり、磁性膜の上に保護膜やＡｌなどの金属膜を
積層していてもよい。
【００２５】また、第３の磁性膜については、さらに光
変調オ−バ−ライトなどの機能を付加する為に２〜５層
膜で構成されていてもよい。
変調オ−バ−ライトなどの機能を付加する為に２〜５層
膜で構成されていてもよい。
【００２６】透明基板は、使用するレ−ザ−の波長領域
において十分透明であり、機械特性などの媒体基板とし
ての特性が満たされれば、ガラス、ポリカ−ボネ−ト、
アモルファスポリオレフィンなど特に限定されない。
において十分透明であり、機械特性などの媒体基板とし
ての特性が満たされれば、ガラス、ポリカ−ボネ−ト、
アモルファスポリオレフィンなど特に限定されない。
【００２７】透明基板と磁性膜の間に誘電体膜がある場
合は、できるだけ緻密になる条件で誘電体の成膜を行っ
たり、誘電体成膜後にエッチングを行ったりすることに
よって再生層と記録保持層の交換結合力を増加させた場
合も転写性を犠牲にすることがないのでＣ／Ｎの向上を
させることができる。
合は、できるだけ緻密になる条件で誘電体の成膜を行っ
たり、誘電体成膜後にエッチングを行ったりすることに
よって再生層と記録保持層の交換結合力を増加させた場
合も転写性を犠牲にすることがないのでＣ／Ｎの向上を
させることができる。
【００２８】
実施例１ 図２に示すような光磁気記録媒体を製造した。ポリカ−
ボネ−ト基板１上に、窒化ケイ素からなる誘電体層２
（膜厚：８００オングストローム）を成膜後アルゴンガ
ス中でエッチングを行い、その後ＧｄＦｅＣｏからなる
面内磁化膜３（膜厚：４０オングストローム、磁化：３
５０ｅｍｕ／ｃｃ（室温）、キュリー温度：３５０℃以
上）、ＧｄＦｅＣｏからなる第１の磁性膜４（膜厚：３
００オングストローム、磁化：２０ｅｍｕ／ｃｃ（室
温）、Ｔｃ１：３４０℃）、ＴｂＦｅＣｏＳｉからなる
第２の磁性膜５（膜厚：１００オングストローム、保磁
力：３ｋＯｅ、Ｔｃ２：１４０℃）、ＴｂＦｅＣｏから
なる第３の磁性膜６（膜厚：４００オングストローム、
保磁力：＞１２ｋＯｅ、Ｔｃ３：２６０℃）、さらに窒
化ケイ素層７（膜厚：８００オングストローム）、アル
ミニウム層８（膜厚：２００オングストローム）を形成
した。比較例として、面内磁化膜３を除いた試料も製造
した。
ボネ−ト基板１上に、窒化ケイ素からなる誘電体層２
（膜厚：８００オングストローム）を成膜後アルゴンガ
ス中でエッチングを行い、その後ＧｄＦｅＣｏからなる
面内磁化膜３（膜厚：４０オングストローム、磁化：３
５０ｅｍｕ／ｃｃ（室温）、キュリー温度：３５０℃以
上）、ＧｄＦｅＣｏからなる第１の磁性膜４（膜厚：３
００オングストローム、磁化：２０ｅｍｕ／ｃｃ（室
温）、Ｔｃ１：３４０℃）、ＴｂＦｅＣｏＳｉからなる
第２の磁性膜５（膜厚：１００オングストローム、保磁
力：３ｋＯｅ、Ｔｃ２：１４０℃）、ＴｂＦｅＣｏから
なる第３の磁性膜６（膜厚：４００オングストローム、
保磁力：＞１２ｋＯｅ、Ｔｃ３：２６０℃）、さらに窒
化ケイ素層７（膜厚：８００オングストローム）、アル
ミニウム層８（膜厚：２００オングストローム）を形成
した。比較例として、面内磁化膜３を除いた試料も製造
した。
【００２９】次に、この光磁気記録媒体を記録再生装置
にセットして、線速度５．５ｍ／ｓｅｃで回転させなが
ら７８０ｎｍの波長のレ−ザ−ビ−ムを３３％のデュ−
ティ−において７．１ＭＨｚで変調させながら５．７ｍ
Ｗのレ−ザ−パワ−で記録を行なった。記録時のバイア
ス磁界は２５０Ｏｅであった。
にセットして、線速度５．５ｍ／ｓｅｃで回転させなが
ら７８０ｎｍの波長のレ−ザ−ビ−ムを３３％のデュ−
ティ−において７．１ＭＨｚで変調させながら５．７ｍ
Ｗのレ−ザ−パワ−で記録を行なった。記録時のバイア
ス磁界は２５０Ｏｅであった。
【００３０】消去方向に３００Ｏｅのバイアス磁界（Ｈ
ｒ）をかけながらレ−ザ−パワ−を１．６ｍＷで再生す
るとＣ／Ｎの値は４６．５ｄＢとなった。
ｒ）をかけながらレ−ザ−パワ−を１．６ｍＷで再生す
るとＣ／Ｎの値は４６．５ｄＢとなった。
【００３１】比較例において同様の条件でＣ／Ｎを測定
すると、３９ｄＢとなり良好なＣ／Ｎが得られなかっ
た。
すると、３９ｄＢとなり良好なＣ／Ｎが得られなかっ
た。
【００３２】両記録媒体に１．４μｍの記録磁区を数多
く書き込み、基板側から７８０ｎｍの光を当ててカ−効
果を９０℃で測定した。第３の磁性膜６の記録磁区が消
えない範囲で第１の磁性膜４の記録磁区を消去するまで
磁界をかけた後、磁界を下げたところゼロ磁界において
面内磁化膜３がある試料では第３の磁性膜６の記録磁区
が第１の磁性膜４に転写されていることが確認され、面
内磁化膜３がない比較例においてはゼロ磁界において転
写がおこらず、さらに記録方向に磁界を５ｋＯｅかけて
転写がおこった。
く書き込み、基板側から７８０ｎｍの光を当ててカ−効
果を９０℃で測定した。第３の磁性膜６の記録磁区が消
えない範囲で第１の磁性膜４の記録磁区を消去するまで
磁界をかけた後、磁界を下げたところゼロ磁界において
面内磁化膜３がある試料では第３の磁性膜６の記録磁区
が第１の磁性膜４に転写されていることが確認され、面
内磁化膜３がない比較例においてはゼロ磁界において転
写がおこらず、さらに記録方向に磁界を５ｋＯｅかけて
転写がおこった。
【００３３】したがって、両記録媒体のＣ／Ｎの差は、
消去方向に３００Ｏｅのバイアス磁界（Ｈｒ）をかけな
がらレ−ザ−パワ−を１．６ｍＷで照射したときに、比
較例において第２の磁性膜５のキュリ−温度を越えた領
域が室温に戻っても完全にはもとに戻らないことに原因
があることが明らかになり、本発明の効果がはっきりし
た。
消去方向に３００Ｏｅのバイアス磁界（Ｈｒ）をかけな
がらレ−ザ−パワ−を１．６ｍＷで照射したときに、比
較例において第２の磁性膜５のキュリ−温度を越えた領
域が室温に戻っても完全にはもとに戻らないことに原因
があることが明らかになり、本発明の効果がはっきりし
た。
【００３４】実施例２ 実施例１と同じように図２に示すような光磁気記録媒体
を製造した。ただし、誘電体層２（膜厚：８００オング
ストローム）を成膜後のアルゴンガス中でのエッチング
工程を省いた。その後ＧｄＦｅＣｏからなる面内磁化膜
３（膜厚：２５オングストローム、磁化：３３０ｅｍｕ
／ｃｃ（室温）、キュリー温度：３５０℃以上）、Ｇｄ
ＦｅＣｏからなる第１の磁性膜４（膜厚：３００オング
ストローム、磁化：２０ｅｍｕ／ｃｃ（室温）、Ｔｃ
１：３４０℃）、ＴｂＦｅＣｏＳｉからなる第２の磁性
膜５（膜厚：１００オングストローム、保磁力：５ｋＯ
ｅ、Ｔｃ２：１１０℃）、ＴｂＦｅＣｏからなる第３の
磁性膜６（膜厚：４００オングストローム、保磁力：＞
１２ｋＯｅ、Ｔｃ３：２６０℃）、さらに窒化ケイ素層
７（膜厚：８００オングストローム）、アルミニウム層
８（膜厚：２００オングストローム）を形成した。実施
例１と同様に比較のために、面内磁化膜３を除いた比較
例も製造した。
を製造した。ただし、誘電体層２（膜厚：８００オング
ストローム）を成膜後のアルゴンガス中でのエッチング
工程を省いた。その後ＧｄＦｅＣｏからなる面内磁化膜
３（膜厚：２５オングストローム、磁化：３３０ｅｍｕ
／ｃｃ（室温）、キュリー温度：３５０℃以上）、Ｇｄ
ＦｅＣｏからなる第１の磁性膜４（膜厚：３００オング
ストローム、磁化：２０ｅｍｕ／ｃｃ（室温）、Ｔｃ
１：３４０℃）、ＴｂＦｅＣｏＳｉからなる第２の磁性
膜５（膜厚：１００オングストローム、保磁力：５ｋＯ
ｅ、Ｔｃ２：１１０℃）、ＴｂＦｅＣｏからなる第３の
磁性膜６（膜厚：４００オングストローム、保磁力：＞
１２ｋＯｅ、Ｔｃ３：２６０℃）、さらに窒化ケイ素層
７（膜厚：８００オングストローム）、アルミニウム層
８（膜厚：２００オングストローム）を形成した。実施
例１と同様に比較のために、面内磁化膜３を除いた比較
例も製造した。
【００３５】次に、この光磁気記録媒体を記録再生装置
にセットして、線速度５．５ｍ／ｓｅｃで回転させなが
ら７８０ｎｍの波長のレ−ザ−ビ−ムを３３％のデュ−
ティ−において７．１ＭＨｚで変調させながら５．５ｍ
Ｗのレ−ザ−パワ−で記録を行なった。記録時のバイア
ス磁界は２５０Ｏｅであった。
にセットして、線速度５．５ｍ／ｓｅｃで回転させなが
ら７８０ｎｍの波長のレ−ザ−ビ−ムを３３％のデュ−
ティ−において７．１ＭＨｚで変調させながら５．５ｍ
Ｗのレ−ザ−パワ−で記録を行なった。記録時のバイア
ス磁界は２５０Ｏｅであった。
【００３６】消去方向に３００Ｏｅのバイアス磁界（Ｈ
ｒ）をかけながらレ−ザ−パワ−を１．５ｍＷで再生す
るとＣ／Ｎの値は４５ｄＢとなった。
ｒ）をかけながらレ−ザ−パワ−を１．５ｍＷで再生す
るとＣ／Ｎの値は４５ｄＢとなった。
【００３７】比較例において同様の条件でＣ／Ｎを測定
すると３２ｄＢとなり良好なＣ／Ｎが得られなかった。
すると３２ｄＢとなり良好なＣ／Ｎが得られなかった。
【００３８】両記録媒体に１．４μｍの記録磁区を数多
く書き込み、基板側から７８０ｎｍの光を当ててカ−効
果を８０℃で測定した。第３の磁性膜６の記録磁区が消
えない範囲で第１の磁性膜４の記録磁区を消去するまで
磁界をかけた後、磁界を下げたところゼロ磁界において
面内磁化膜３がある試料では第３の磁性膜６の記録磁区
が第１の磁性膜４に転写されていることが確認され、面
内磁化膜３がない比較例においてはゼロ磁界において転
写がおこらず、さらに記録方向に磁界を４ｋＯｅかけて
転写がおこった。
く書き込み、基板側から７８０ｎｍの光を当ててカ−効
果を８０℃で測定した。第３の磁性膜６の記録磁区が消
えない範囲で第１の磁性膜４の記録磁区を消去するまで
磁界をかけた後、磁界を下げたところゼロ磁界において
面内磁化膜３がある試料では第３の磁性膜６の記録磁区
が第１の磁性膜４に転写されていることが確認され、面
内磁化膜３がない比較例においてはゼロ磁界において転
写がおこらず、さらに記録方向に磁界を４ｋＯｅかけて
転写がおこった。
【００３９】以上の説明より、面内磁化膜の付加が転写
性を向上させることが明らかになった。実施例２におい
て中間層のキュリ−温度を１３０℃以上に設定すると面
内磁化膜３がなくても良好な転写性は得られるが、実施
例２では中間層である第２の磁性膜５のキュリ−温度を
１１０℃と低く設定したので再生パワ−１．２〜２．５
ｍＷで４０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、記録層が消去さ
れ始めるパワ−２．８ｍＷに対してかなり大きな再生パ
ワ−マ−ジンが得られた。
性を向上させることが明らかになった。実施例２におい
て中間層のキュリ−温度を１３０℃以上に設定すると面
内磁化膜３がなくても良好な転写性は得られるが、実施
例２では中間層である第２の磁性膜５のキュリ−温度を
１１０℃と低く設定したので再生パワ−１．２〜２．５
ｍＷで４０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、記録層が消去さ
れ始めるパワ−２．８ｍＷに対してかなり大きな再生パ
ワ−マ−ジンが得られた。
【００４０】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体に設けた面内磁
化膜は、第１の磁性層の良好な垂直磁気異方性を保った
まま記録磁区の磁壁エネルギ−を下げるため、中間層で
ある第２の磁性膜のキュリ−温度が低くても良好な転写
性と交換結合力を与えることができる。従って、第２の
磁性膜のキュリ−温度をかなり広い範囲で選択すること
ができるようになるので十分な再生パワ−マ−ジンを得
ることができ、第３の磁性膜のキュリ−温度を無理に高
くして繰り返し記録耐久性を悪化させることもなくな
る。さらに、また、第４の磁性膜を２〜５層膜として光
変調オ−バ−ライト機能を付加した場合も無理のない媒
体設計が可能となる。
化膜は、第１の磁性層の良好な垂直磁気異方性を保った
まま記録磁区の磁壁エネルギ−を下げるため、中間層で
ある第２の磁性膜のキュリ−温度が低くても良好な転写
性と交換結合力を与えることができる。従って、第２の
磁性膜のキュリ−温度をかなり広い範囲で選択すること
ができるようになるので十分な再生パワ−マ−ジンを得
ることができ、第３の磁性膜のキュリ−温度を無理に高
くして繰り返し記録耐久性を悪化させることもなくな
る。さらに、また、第４の磁性膜を２〜５層膜として光
変調オ−バ−ライト機能を付加した場合も無理のない媒
体設計が可能となる。
【図１】 本発明の光磁気記録媒体の構造の一例を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】 本発明の光磁気記録媒体の構造の一例を示す
断面図である。
断面図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 透明基板上に互いに磁気的に結合した第
１の磁性膜と、第２の磁性膜と、第３の磁性膜とを有
し、上記第１、第２、第３の磁性膜のキュリ−温度をそ
れぞれＴｃ１、Ｔｃ２、Ｔｃ３とするとき、Ｔｃ３、Ｔ
ｃ１＞Ｔｃ２＞室温であり、第１磁性層の磁区を変形さ
せながら再生することが可能な光磁気記録媒体におい
て、第１の磁性膜の形成前に面内磁化膜を付加すること
を特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06178093A JP3328989B2 (ja) | 1993-03-22 | 1993-03-22 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06178093A JP3328989B2 (ja) | 1993-03-22 | 1993-03-22 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06274952A JPH06274952A (ja) | 1994-09-30 |
| JP3328989B2 true JP3328989B2 (ja) | 2002-09-30 |
Family
ID=13180955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06178093A Expired - Fee Related JP3328989B2 (ja) | 1993-03-22 | 1993-03-22 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3328989B2 (ja) |
-
1993
- 1993-03-22 JP JP06178093A patent/JP3328989B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06274952A (ja) | 1994-09-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |