JP3328630B2

JP3328630B2 - プリント配線板及びプリント配線板の製造方法

Info

Publication number: JP3328630B2
Application number: JP2000060328A
Authority: JP
Inventors: 洋吾川崎; 和雄岩井; 聡黒川
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2000-03-06
Filing date: 2000-03-06
Publication date: 2002-09-30
Anticipated expiration: 2020-03-06
Also published as: JP2001251051A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、層間樹脂絶縁層
の上にレジストパターンを形成し、該レジストパターン
の非形成部にめっきを析出することで導体回路を配設す
るプリント配線板及びプリント配線板の製造方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】いわゆるビルドアップ多層プリント配線
板の製造方法は、未硬化の層間樹脂絶縁材（無電解めっ
き用接着剤）をロールコータにより塗布し、これを乾
燥、硬化させ、ついでバイアホールを形成して、めっき
を施して導体回路を形成する。

【０００３】このビルドアップ多層プリント配線板の製
造工程について、図１８を参照して説明する。内層導体
回路１２４ａと位置決めマーク１２４ｂとが形成された
基板１２０に、層間樹脂絶縁層１８０を塗布する（図１
８（Ａ））。そして、該層間樹脂絶縁層１８０にエッチ
ングによりバイアホール形成用開口部１８１を形成する
（図１８（Ｂ））。その後、無電解めっきにより均一に
無電解めっき膜１８２を形成する（図１８（Ｃ））。

【０００４】そして、ドライフィルム１８３を載置した
後、所定パターン１８４ａの形成されたフォトマスク１
８４にて、該ドライフィルム１８３を露光する（図１８
（Ｄ））。ドライフィルム１８３の露光部分を溶剤によ
り除去し、レジスト１８５を形成する（図１８
（Ｅ））。そして、レジスト非形成部にめっき膜１８６
を形成する（図１８（Ｆ））。その後、レジスト１８
５、及び、該レジスト１８５の下層の無電解めっき膜１
８２を除去することで、バイアホール１８７を形成す
る。

【０００５】ここで、フォトマスク１８４は、層間樹脂
絶縁層（ドライフィルム）１８０下の導体回路１２４ａ
と正確に整合する位置に載置しなければならない。その
ため、基板１２０側に位置決めマーク１２４ｂを形成す
ると共に、フォトマスク１８４側に位置決めマーク１８
４ｂを形成しておき、画像処理技術により、位置決めマ
ーク１８４ｂを認識し、両者を合わせることにより、フ
ォトマスク１８４の位置合わせを行う。即ち、図１８
（Ｄ）に示すように、下方から光を照射し、該基板１２
０側の位置決めマーク１２４ｂとフォトマスク１８４側
の位置決めマーク１８４ｂとの透過光を上方のカメラ２
００にて監視し、両者を重ねるようにすることで、フォ
トマスクフィルム１８４の位置合わせを行っている。

【０００６】しかし、上記製造方法では、層間樹脂絶縁
層１８０の表面全体に無電解めっき膜１８２を形成し、
その無電解めっき膜である金属膜１８２上に感光性ドラ
イフィルム１８３を圧着するため、金属膜１８２が邪魔
になり、上述した透過光を用いる位置決めマークの認識
が困難である。このため、層間樹脂絶縁層上に金属膜を
形成する前に、ドライフィルムレジストの露光用の位置
決めマークの該当する部分をテープなどでマスキングを
し、金属膜、マスキングを外してから、ドライフィルム
を張り付けて、ガラスマスクとマスキング部分を外した
位置決めマークによって、位置合わせを行っていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レジス
トパターン形成の位置決めマークをマスキングする方法
は、マスキングの位置がずれたり、めっき中にマスキン
グ部分が外れたり、或いは、剥がれたりした場合は、位
置決めマークの一部分が金属膜で覆われ、自動認識が不
可能になることがある。また、マスキングを行うと、着
脱時に基板に異物を付着させることがあり、不良品発生
率が高くなることが判明した。

【０００８】更に、上記透過光を用いる位置決めは、図
１８（Ｄ）に示すように層間樹脂絶縁層１８０の下側に
配設された位置決めマーク１２４ｂに対して位置決めを
行う。即ち、層間樹脂絶縁層１８０に形成されたバイア
ホール用開口１８１に対して位置合わせを行う訳ではな
いため、該開口１８１に対する位置合わせの精度が低か
った。

【０００９】そこで、本出願人は、反射光を用いて位置
決めマークを検出する方法を特願平９−２１７０７６
号、特願平１１−０１７３３４号にて提案した。前者
は、図１９（Ａ１）に示すように導体層３３４上にある
層間樹脂絶縁層３４０の凹部を設けてなる位置決めマー
ク３４６により露光現像を行った。後者は、図２０（Ａ
１）に示すように、導体層３３４上にある層間樹脂絶縁
層３４０に凹部からなる位置決めマーク３４６を設け、
その下方の導体層３３４を除去することで位置決めマー
ク３４６の反射率を高めていた。

【００１０】しかしながら、前者は、位置決めマークを
露光現像で形成するため、凹部下の露出させた導体層３
３４の表面に粗化層３３４αがそのまま残る。更に、図
１９（Ｂ１）に示すように、凹部下に、樹脂残り３４６
ａが残ることもある。このため、図１９（Ａ１）、（Ａ
２）の位置決めマークのスケッチを示す図１９（Ａ
２）、（Ｂ２）のように、位置決めマーク内のコントラ
スト差が小さい。従って、上部にドライフィルムを形成
した後に撮影した位置決めマークの映像を画像処理した
スケッチを示す図１９（Ａ３）、（Ｂ３）のように、他
の部分とのコントラスト差が小さく、位置決めマークの
認識が困難であった。

【００１１】更に後者は、図２０（Ａ１）に示すよう
に、下部の導体層を除去しているため、層間樹脂絶縁層
３４０に位置決めマーク用の凹部をレーザで形成する
と、下層の樹脂層３３０を損傷してしまい、位置決めマ
ークの平面図を示す図２０（Ａ２）のように窪み３３０
ａができる。このため、層間樹脂絶縁層の上に金属膜３
４８を形成した後、ドライフィルム３５０を張り付ける
と、図２０（Ａ３）に示すように、窪み３３０ａまで金
属膜３４８及びドライフィルム３５０が入り込んで、位
置決めマークの映像を画像処理したスケッチを示す図２
０（Ａ４）のように、他の部分とのコントラスト差が小
さく、位置決めマークの認識が困難であった。また、ド
ライフィルムや層間樹脂絶縁層の厚みや色調、凹部及び
下部導体層の金属膜の種類、厚み、状態などの要因によ
って、画像処理を行った際に、位置決めマークと他の部
分（ドライフィルム又は層間樹脂絶縁層）とのコントラ
スト差が非常に小さくなり、マスクとの位置合わせがで
きなくなることがあった。

【００１２】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、層間で
バイアホールを介する導体回路の形成に位置ずれのな
い、接続信頼性に優れるプリント配線板及びプリント配
線板の製造方法を提案することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、請求項１の発明では、導体回路を構成する粗化面
の形成された金属層と層間樹脂絶縁層とを交互に積層し
てなるプリント配線板であって、前記金属層上に配設さ
れた前記層間樹脂絶縁層には、凹部が形成され、該凹部
内の下部には、前記粗化面の剥離された金属層が露出し
てなる位置決めマークを備えることを技術的特徴とす
る。

【００１４】請求項２の発明では、導体回路を構成する
粗化面の形成された金属層と層間樹脂絶縁層とを交互に
積層してなるプリント配線板であって、前記金属層上に
配設された前記層間樹脂絶縁層には、凹部が形成され、
該凹部内の下部には、前記粗化面の除去された光沢面を
有する前記金属層が露出してなる位置決めマークを備え
ることを技術的特徴とする。

【００１５】請求項２の発明では、導体回路を構成する
金属層と層間樹脂絶縁層とを交互に積層してなるプリン
ト配線板であって、前記金属層上に配設された前記層間
樹脂絶縁層には、凹部が形成され、該凹部内の下部に
は、光沢面を有する金属層が露出してなる位置決めマー
クを備えることを技術的特徴とする。

【００１６】請求項２では、金属層上に配設された層間
樹脂絶縁層に、レーザ等により凹部を形成し、凹部の下
部から露出した金属層に光沢面を設けて位置決めマーク
を形成している。それにより、位置決めマークからの光
の反射量が大きくなるので、ドライフィルムを貼り付け
て反射式による画像処理を行っても、位置決めマークと
他のめっき膜部分とのコントラストの差が大きくなり、
位置決めマークの認識を確実、正確に行うことが可能と
なる。

【００１７】なお、凹部の幅は、１００〜３００μｍが
望ましい。この理由は、１００μｍ未満では、幅が小さ
すぎて読み取りにくく、３００μｍを超えるとめっきレ
ジストの付着を招くからである。

【００１８】請求項３の発明では、凹部内の露出した金
属層は、光沢度が０．１０〜０．７０の範囲に規定して
ある。特に望ましいのは、０．３〜０．６である。この
範囲であれば、層間樹脂絶縁層及び位置決めマークの凹
部内に金属膜を形成しても、位置決めマークの露出した
金属層（光沢面）のコントラストは明確となる。そのた
め、ドライフィルムを貼り付けた後でも反射式の画像処
理で、正確に画像認識することが可能となる。

【００１９】光沢度の測定には、グラフィックアーツマ
ニュファクチャリングカンパニー社製（ＧＡＭＭＯＤＥ
Ｌ１４４ＤＥＮＳＩＴＯＭＥＴＥＲ）を用いた。ま
ず最初に、光沢度の原点測定を行う。備え付けの原点測
定用の白いサンプル、黒いサンプルを交互に測定して、
装置毎に送付してある記載の光沢度の数値に補正する
（白が０で、黒が２．０であり、光沢度はその間の色の
度合いである）。そして補正後に、形成された位置決め
マークに該当する金属層の測定を行い、３回以上測定し
た数値が光沢度となる。

【００２０】光沢度が０．１０〜０．７０のときは、位
置決めマークの認識を行うことができる。光沢度が０．
７０を越えた場合、位置決めマークとドライフィルムと
のコントラストの差が小さくなってしまう。そのため、
反射式による画像認識を行った場合、位置決めマークと
ドライフィルムとの判別がつき難くなって、マスクの位
置合わせが行えなかったり、位置ずれを起こしたりす
る。また、光沢度が０．１０未満の場合、位置決めマー
クとドライフィルムとのコントラストの差が強すぎるた
めに、位置決めマークの輪郭がぼやけてしまい、位置合
わせを正確に行うことができなくなる。

【００２１】また、凹部の位置決めマークと層間樹脂絶
縁層とのコントラストの差が０．３０〜０．７０である
ことが望ましい。０．３０よりも小さい差であると、位
置決めマークとドライフィルムもしくは位置決めマーク
とマスクの位置決めマークとの認識がされにくくなり、
位置合わせのずれが大きくなるし、機械的に補正するこ
とが難しくなる。０．７０を越えると、位置決めマーク
の輪郭がぼやけてしまい位置決めマークを正確に行えな
くなる。

【００２２】請求項５では、層間樹脂絶縁層を、樹脂フ
ィルムの圧着によって形成している。フィルムであるた
め、層間樹脂絶縁層の形成時の取り扱いが容易であり、
マーク形成の際に、樹脂が耐えられる。

【００２３】請求項６のプリント配線板の製造方法は、
少なくとも以下（ａ）〜（ｈ）の工程を備えることを技
術的特徴とする：（ａ）基板上の導体回路となる金属層に、粗化面を形成
する工程；（ｂ）前記金属層上に、層間樹脂絶縁層を形成する工
程；（ｃ）前記層間樹脂絶縁層に、レーザあるいは露光現像
処理によりバイアホールを形成する工程；（ｄ）前記（ｃ）工程と同時または前後に、レーザによ
り、層間樹脂絶縁層に粗化面が除去された金属層を露出
させた凹部からなる位置決めマークを形成する工程；（ｅ）前記層間樹脂絶縁層の表面、前記バイアホール及
び前記凹部内に金属膜を形成する工程；（ｆ）前記基板上に感光性ドライフィルムを圧着する工
程；（ｇ）前記基板の位置決めマークに対して、反射式の画
像処理によってマスクの位置合わせを行い、露光現像処
理を経て、導体回路を形成するためのめっきレジストパ
ターンを形成する工程；（ｈ）電解めっきにより、導体回路を形成し、次いで、
前記めっきレジストを除去して、前記めっきレジスト下
に存在する前記金属膜を溶解除去する工程。

【００２４】請求項６では、粗化面が形成された金属層
上に配設された層間樹脂絶縁層に、レーザにより凹部を
形成し、その際、凹部の下部から露出した金属層の粗化
面をレーザで除去することにより、位置決めマークを形
成している。その後、基板に感光性ドライフィルムを圧
着し、位置決めマークに対して反射式の画像処理で位置
合わせを行う。金属層の粗化面を除去し、位置決めマー
クからの光の反射量を大きくしてあるので、反射式の画
像処理による位置決めマークの画像認識を正確に行うこ
とができる。よって、層間でバイアホールを介する導体
回路の形成に位置ずれのない、接続信頼性に優れるプリ
ント配線板を製造することが可能となる。なお、凹部に
被覆される金属膜は、無電解めっき、スパッタ、蒸着等
で形成したものであっても位置合わせ可能である。

【００２５】請求項７のプリント配線板の製造方法は、
少なくとも以下（ａ）〜（ｇ）の工程を備えることを技
術的特徴とする：（ａ）導体回路となる金属層上に、層間樹脂絶縁層を形
成する工程；（ｂ）前記層間樹脂絶縁層に、レーザあるいは露光現像
処理によりバイアホールを形成する工程；（ｃ）前記（ｂ）工程と同時または前後に、レーザによ
り、前記層間樹脂絶縁層に光沢面を有する金属層を露出
させた凹部からなる位置決めマークを形成する工程；（ｄ）前記層間樹脂絶縁層の表面、前記バイアホール及
び前記凹部内に金属膜を形成する工程；（ｅ）前記基板上に感光性ドライフィルムを圧着する工
程；（ｆ）前記基板の位置決めマークに対して、反射式の画
像処理によってマスクの位置合わせを行い、露光現像処
理を経て、導体回路を形成するためのめっきレジストパ
ターンを形成する工程；（ｇ）電解めっきにより、導体回路を形成し、次いで、
前記めっきレジストを除去して、前記めっきレジスト下
に存在する前記金属膜を溶解除去する工程。

【００２６】請求項７では、金属層上に配設された層間
樹脂絶縁層に、レーザにより凹部を形成し、その際、凹
部の下部から露出した金属層に光沢面を設けて、位置決
めマークを形成している。その後、基板に感光性ドライ
フィルムを圧着し、位置決めマークに対して反射式の画
像処理で位置合わせを行う。レーザにより金属層に光沢
面を設け位置決めマークからの光の反射量を大きくして
あるので、反射式の画像処理による位置決めマークの画
像認識を正確に行うことができる。よって、層間でバイ
アホールを介する導体回路の形成に位置ずれのない、接
続信頼性に優れるプリント配線板を製造することが可能
となる。なお、凹部に被覆される金属膜は、無電解めっ
き、スパッタ、蒸着等で形成したものであっても位置合
わせ可能である。

【００２７】請求項８の発明では、層間樹脂絶縁層を、
樹脂フィルムの圧着により形成している。フィルムであ
るため、層間樹脂絶縁層の形成時の取り扱いが容易であ
る。

【００２８】請求項９では、レーザで層間樹脂絶縁層に
凹部を形成した後に、アニール処理あるいは酸化膜除去
処理を行っている。これは、めっき膜は、光沢が不均一
であり、位置決めマークのリング状凹部のめっきが、光
沢の不均一によりドライフィルムの圧着後の画像認識が
できないことがあるためである。従って、めっき膜の光
沢を均一にすると共にめっき膜と層間樹脂絶縁層との密
着を向上させるよう、めっき膜形成後、アニール処理、
酸処理、或いは、０．１μｍ程度のエッチングを行う酸
化膜除去処理を行うのが好適である。アニール処理の条
件としては、温度５０〜２５０℃で１０分以上加熱する
のがよい。めっき液の組成、めっき膜の厚み、層間絶縁
層の粗度等の因子によっては、アニール条件として低い
温度から、順次温度を上昇させていくのもよい。酸化膜
除去処理としては、１０ｗｔ％の硫酸溶液や０．１μｍ
程度をライトエッチングさせる方法がある。アニール処
理の後、酸化膜除去処理を行うことにより、めっき膜の
光沢の均一性を向上することができるので、画像認識を
精度よく行うことができる。

【００２９】請求項１０では、位置決めマークを形成す
る際、炭酸、エキシマ、ＹＡＧ、ＵＶのレーザ処理の中
から選ばれる少なくとも１種類以上を使用している。特
に、炭酸ガスレーザを用いるのが好ましい。それによ
り、露出した金属層の粗化面を除去することができ、金
属層の種類や状態に係わらず、露出した金属層に光沢面
を設けることが可能となる。

【００３０】なお、炭酸ガスレーザで形成する場合は、
以下の条件が好ましい。パルスエネルギー０．１〜２００ｍＪ、パルス幅１〜１００μｓパルス間隔０．５ｍｓ以上ショット数１〜１０００ショットこのとき、パルスエネルギーの大きさが０．１ｍＪ未満
の場合は、露出した金属層に光沢面を施すことができな
い。また、２００ｍＪを越えると形成した位置決めマー
クの樹脂層部分において、凹凸が入るなどして形成した
マーク自体に不具合が生じてしまうことがあった。パル
ス幅でも同様なことが言える。

【００３１】また、エキシマレーザで形成する場合は、
以下の条件が好ましい。周波数５０〜２００Ｈｚエネルギー０．１〜５．０Ｊショット数５０〜２００ショット層間樹脂絶縁層に少なくとも位置決めマークの形成予定
位置が開口したマスクを載置させて、その部分にエキシ
マレーザを照射させることによって、層間樹脂絶縁層を
開口させて位置決めマークを形成させる。

【００３２】反射式に撮像された画像の処理方法は、デ
ジタル処理による「二値化処理」または、アナログ処理
による「グレー処理」と呼ばれる方法で行うことができ
る。「二値化処理」と呼ばれるものは、位置決めするマ
ークとそのマーク以外の部分とのコントラストの差を二
値化（白／黒）することにより、画像処理で認識して、
基板とマスクとの位置決めを行うものである。具体的に
は、位置決めマークを上部から光を照射すると共に画像
認識用のカメラによって撮像し、反射量の多い位置決め
マーク（リング状の凹部分）を白と、その他のドライフ
ィルムで覆われた反射量の少ないめっき部分（リング状
の凹部部分以外）を黒と判定することにより、位置決め
マーク（白）を認識し、基板とマスクとを位置合わせす
る。

【００３３】一方、「グレー処理」と呼ばれるものは、
位置決めするマークとそのマーク以外の部分とのコント
ラストの差を明るさの変化率（変位点）の差として判定
することにより、画像処理で認識して、基板とマスクと
の位置決めを行うものである。具体的には、位置決めマ
ークを上部から画像認識用のカメラによって撮像し、位
置決めマーク（リング状の凹部分）と、その他のドライ
フィルムで覆われためっき部分との明るさの差をコント
ラストの差として判定することにより、位置決めマーク
を認識し、基板とマスクとの位置を合わせる。

【００３４】反射式の画像処理は、二値化処理、グレー
処理のどちらを用いてもよく、その選択は、形成するリ
ング状の凹部の形状、大きさ、深さといったリングを形
成する要因、使用するドライフィルムの色、厚み、層間
絶縁層の色、厚み、粗度といった画像認識する際の要因
によって異なる。二値化処理は、画像処理が容易であ
り、処理時間が短縮できる利点がある。一方、リングの
形状の不具合（欠け、ドライフィルムの溶出）、コント
ラストの差が比較的不明瞭な場合といった認識の変化に
対しては、明るさの変化率で判定するグレー処理の方が
適している。

【００３５】続いて、本発明の位置決めマークを用いた
プリント配線板の製造方法について、説明をする。少な
くとも以下の粗化面形成工程〜導体回路形成工程を経て
一層が形成されるが、導体回路形成工程後に、層間樹脂
絶縁層形成工程〜導体回路形成工程を繰り返すことによ
り、更に上層を形成することもできる。

【００３６】粗化面形成工程−まず、予め回路が形成さ
れた基板を用意する。基板としては、両面銅張積層板に
スルーホールを施してランド及び導体回路を形成した基
板を用いるとよい。また銅張積層板以外にも、セラミッ
ク基板、アルミナ基板、窒化アルミ基板を用いてもよ
い。次に、基板の金属層（導体回路）に粗化面を形成す
る。粗化面の形成方法としては、例えば、酸化（黒化）
−還元処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐからなる合金などの無電解
めっき膜、あるいは、第二銅錯体と有機酸塩からなるエ
ッチング液などのエッチング処理などがある。

【００３７】層間樹脂絶縁層工程−基板上に層間樹脂絶
縁層を形成する。層間樹脂絶縁層の厚みは、１５〜６０
μｍの範囲で形成するのがよい。層間絶縁樹脂層の形成
には、塗布、あるいは半硬化の樹脂フィルムを圧着して
形成させてもよい。形成される樹脂としては、熱硬化性
樹脂、熱可塑性樹脂或いはそれらの複合体でもよい。そ
の樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェ
ノール樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオレフ
ィン樹脂、フッ素樹脂等を用いることができる。その中
に、酸あるいは酸化剤によって溶解あるいは脱落させて
粗化面を形成することができるものを用いてもよい。

【００３８】バイアホール形成工程−層間樹脂絶縁層に
バイアホールを形成する。バイアホールの形成として
は、露光現像処理あるいはレーザよって行う。

【００３９】位置決めマーク形成工程−層間樹脂絶縁層
に位置決めマークを形成する。位置決めマークの形成
は、バイアホール形成と同時あるいは、バイアホール形
成前後にレーザによって形成する。位置決めマークをレ
ーザで形成することにより、露出した凹部の金属層に形
成されていた粗化面を除去し、金属層に光沢面を形成す
ることができる。使用されるレーザとしては、炭酸ガス
レーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ＵＶレーザ等
を用いることができる。レーザによって形成された位置
決めマークの金属層を光沢度計で測定した光沢度として
は、０．１０〜０．７０の範囲であることがよい。その
範囲であれば、層間絶縁樹脂層および位置決めマークの
凹部内に金属膜を形成したとしても位置決めマーク部分
の光沢面によって、コントラストが明確になるために、
ドライフィルムを貼り付けた後でも反射式による画像処
理で画像認識することができるのである。特に、光沢度
としては、０．３〜０．６にすることが望ましい。その
理由は、層間樹脂絶縁層の厚みによらず位置合わせが正
確に行えるからである。

【００４０】金属膜形成工程−層間樹脂絶縁層表面、バ
イアホール及び位置決めマークの凹部に金属膜を施す。
金属層を形成する前に、酸あるいは酸化剤などによって
層間樹脂絶縁層の表層に粗化層を設けてもよい。形成す
る金属膜は、無電解めっき、スパッタ、蒸着などによっ
て行う。また、それらの複合体でもよい。銅、ニッケ
ル、亜鉛、スズ、鉄などで厚み０．０１〜３μｍの範囲
で形成するのがよい。その中でも、銅で厚み０．１〜２
μｍの間で形成するのがよい。その範囲で有れば、粗化
面の有無に関係なく一面に一様に金属膜を形成すること
ができる。

【００４１】ドライフィルム圧着工程−金属膜上に感光
性ドライフィルムを圧着する。ドライフィルムの厚みは
１５〜３５μｍの範囲のものを用いることがよい。

【００４２】位置合わせ工程−反射式による画像処理に
よる、基板とマスクとの位置合わせを行い、露光してめ
っきレジストパターンを形成させる。その反射式の画像
処理は、上述した二値化処理、又は、グレー処理で行わ
れる。その画像処理及び露光の方法は以下の［１］〜
［７］の順序で行われる。

【００４３】［１］金属膜を施しドライフィルムを貼り
付けた基板に形成された位置決めマーク用のリング状の
凹部へ正面から照明を当てて、反射光をカメラによって
撮像する。その際、カメラに固定されたリング状の照明
器にてリング状の凹部の照明を当てて撮像してもよい
（一回目の撮像粗位置合わせ）。撮像は、一台のカメラ
で複数の位置決めマークを順次行って行くことも、複数
のカメラで各位置決めマークを同時に撮像することも可
能である。

【００４４】［２］マスクを介して基板の位置決めマー
クを撮像し、撮影した映像をテレビモニターに映し出
す。［３］位置決めマークの位置ずれ距離、角度を演算し
て、その演算された距離、角度のデータを基板、マスク
または、基板保持側とマスク保持側の両方へ送信して、
機械的に位置補正をする。［４］次に、照明が当てられた基板の位置決めマークと
マスクに印刷された黒円とを同時にカメラによって撮像
する（２回目の撮像位置合わせ）。［５］［２］、［３］と同様に行い、基板とマスクとの
位置合わせを行う。［６］［５］で位置合わせが終わった基板をマスクへ密
着させた後、基板の位置決めマークとマスクの黒円とを
カメラで再び撮像して、モニターに映し出して位置決め
マークとマスクとの位置を確認する（３回目の撮像位置
確認）。［７］必要に応じて、照明、カメラなどをずらした後、
露光を行う。次いで、マスクと基板とを離して、その
後、アルカリ溶液などによって現像を行うことより、配
線形成用のめっきレジストパターンが基板に施される。

【００４５】導体回路形成工程一反射式による画像処理
を行って露光・現像されためっきレジストにて回路パタ
ーンが形成された基板に、電解めっきを施す。その後、
アルカリ溶夜でドライフィルムを剥離し、めっき膜をエ
ッチングによって除去して、導体回路を形成させる。な
お、必要に応じてエッチング後、酸や酸化力のある過マ
ンガン酸塩、クロム酸などでＰｄ触媒を除去してもよ
い。

【００４６】続いて、本発明のプリント配線板及びプリ
ント配線板の製造方法において層間樹脂絶縁層を形成す
るために使用する樹脂フィルムについて説明する。該樹
脂フィルムは、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化剤、その
他の成分が含有されている。それぞれについて以下に説
明する。

【００４７】本発明の製造方法において使用する樹脂フ
ィルムは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶
性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以
下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。な
お、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語
は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬
した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可
溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上
「難溶性」と呼ぶ。

【００４８】上記可溶性粒子としては、例えば、酸また
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒
子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶
性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以
下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよ
い。

【００４９】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。

【００５０】上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．
１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２
種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわ
ち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均
粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。
これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、
導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明におい
て、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分
の長さである。

【００５１】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるい
は酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹
脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されな
い。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ
ェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等から
なるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるもの
であってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるも
のであってもよい。

【００５２】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴム
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メ
タ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用い
た場合でも、低濃度で溶解することができる。そのた
め、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述
するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を
付与する際に、触媒が付与されなかったり、触媒が酸化
されたりすることがない。

【００５３】上記可溶性無機粒子としては、例えば、ア
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。

【００５４】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム
化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸
マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物として
は、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独
で用いても良いし、２種以上併用してもよい。

【００５５】上記可溶性金属粒子としては、例えば、
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。

【００５６】上記可溶性粒子を、２種以上混合して用い
る場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保
することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張
の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶
縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路
との間で剥離が発生しないからである。

【００５７】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例
えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等
が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した
感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることに
より、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイア
ホール用開口を形成することできる。これらのなかで
は、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それ
により、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗
化面の形状を保持することができるからである。

【００５８】上記難溶性樹脂の具体例としては、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂
等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよい
し、２種以上を併用してもよい。さらには、１分子中
に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより
望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかり
でなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条
件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属
層の剥離などが起きにくいからである。

【００５９】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。

【００６０】本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上
記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散さ
れていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗
化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホー
ルやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体
回路の金属層の密着性を確保することができるからであ
る。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を
含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、
樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされ
ることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間
の絶縁性が確実に保たれる。

【００６１】上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中
に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに
対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合
量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形
成することができない場合があり、４０重量％を超える
と、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際
に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィ
ルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。

【００６２】上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上
記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有し
ていることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、
イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系
硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの
硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホ
スフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェ
ニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられ
る。

【００６３】上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対
して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．
０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であ
るため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが
大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることが
ある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分
が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を
招いたりしてしまうことがある。

【００６４】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の
性能を向上させることができる。

【００６５】また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有し
ていてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよ
い。

【００６６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
を参照して説明する。先ず、本発明の第１実施例に係る
プリント配線板の構成について、断面図である図６を参
照して説明する。プリント配線板１０では、コア基板３
０内にスルーホール３６が形成され、該コア基板３０の
両面には導体回路３４が形成されている。また、該導体
回路３４の上には、バイアホール６０及び導体回路５８
の形成された層間樹脂絶縁層４０が配設されている。該
層間樹脂絶縁層４０の上には、バイアホール１６０及び
導体回路１５８が形成された層間樹脂絶縁層１４０が配
設されている。層間樹脂絶縁層１４０の上には、ソルダ
ーレジスト層７０が配設されている。該ソルダーレジス
ト層７０には、開口７１Ｕ、７１Ｄが形成され、上面側
の該開口７１Ｕには、半田バンプ７６が配設されてい
る。また、底面側の該開口７１Ｄには、導電性接続ピン
９６が、導電性接着剤９７によって接続固定されてい
る。

【００６７】図６に示す基板３０の四隅（図中２カ所の
み示す）には、層間樹脂絶縁層４０に導体回路５８を形
成する際の位置決めマーク４６が形成されている。図７
（Ａ）は、図６中の位置決めマーク４６を層間樹脂絶縁
層１４０の形成前に上方から見た平面図であり、図７
（Ｂ）は、図６中の円で囲った部分を示す拡大図であ
る。位置決めマーク４６は、層間樹脂絶縁層４０にリン
グ状に凹部を形成してなる。該凹部の下部には、層間樹
脂絶縁層４０から導体回路３４の露出面３４ａが露出し
ている。

【００６８】図７（Ｂ）に示すように、層間樹脂絶縁層
４０から露出した導体回路３４の露出面３４ａは、導体
回路３４に形成された粗化面３４βがレーザにより除去
されている。これにより、露出面３４ａに光沢ができる
ので、位置決めマーク４６からの光の反射量が大きくな
る。よって、後述するようにドライフィルムを貼り付け
て反射式による画像処理を行っても、位置決めマーク４
６と他の部分とのコントラストの差が大きいため、位置
決めマーク４６を確実、正確に認識することが可能とな
る。また、位置決めマーク４６はドライフィルムや層間
樹脂絶縁層４０の厚みに関わらず画像認識ができ、なお
かつ、凹部に被覆される金属膜が無電解めっき、スパッ
タ、蒸着等で形成したものであっても位置合わせが可能
である。また、基板３０の導体回路（金属層）３４が形
成された部分にレーザで凹部を形成するので、レーザが
基板３０の樹脂部分を傷つける心配はない。なお、この
第１実施例では、位置決めマーク４６がプリント配線板
側に残っているが、位置決めマークの形成された外縁部
が、製造段階で切り落とされることもある。

【００６９】次に、本発明の第１実施例のプリント配線
板の製造方法に用いるＡ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィル
ム、Ｂ．樹脂充填剤について説明する。

【００７０】Ａ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６
９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０
重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキ
シ当量２１５、大日本インキ化学工業社製エピクロン
Ｎ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノー
ルノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大
日本インキ化学工業社製フェノライトＫＡ−７０５
２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重
量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱
溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム
（ナガセ化成工業社製デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）
１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシ
メチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリ
カ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエ
ポキシ樹脂組成物を調製する。得られたエポキシ樹脂組
成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さ
が５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布し
た後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることによ
り、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製する。

【００７１】Ｂ．樹脂充填剤の調製ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社
製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳ
ｉＯ₂ 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ１１０１−
ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社
製ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌
混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４
９Ｐａ・ｓの樹脂充填剤を調製する。なお、硬化剤とし
て、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−
ＣＮ）６．５重量部を用いる。

【００７２】引き続き、図６を参照して上述したプリン
ト配線板の製造方法について、図１〜図６を参照して説
明する。

【００７３】（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹
脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からな
る基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートさ
れている銅張積層板３０Ａを出発材料とする（図１
（Ａ）参照）。まず、この銅貼積層板３０Ａをドリル削
孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチン
グすることにより、基板３０の両面に下層導体回路３４
とスルーホール３６を形成する（図１（Ｂ）参照）

【００７４】（２）スルーホール３６および下層導体回
路３４を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した後、Ｎ
ａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ₂ （４０ｇ／ｌ）、
Ｎａ₃ＰＯ₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化
浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／
ｌ）、ＮａＢＨ₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴と
する還元処理を行い、スルーホール３６を含む下層導体
回路３４の全表面に粗化面３４αを形成する（図１
（Ｃ）参照）。

【００７５】（３）上記Ｂに記載した樹脂充填剤を調製
した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スル
ーホール３６内、および、基板３０の片面の下層導体回
路３４非形成部に樹脂充填剤３８の層を形成する。すな
わち、まず、スキージを用いてスルーホール３６内に樹
脂充填剤３８を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件
で乾燥させる。次に、下層導体回路３４非形成部に相当
する部分が開口したマスクを基板３０上に載置し、スキ
ージを用いて凹部となっている下層導体回路３４非形成
部に樹脂充填剤３８の層を形成し、１００℃、２０分の
条件で乾燥させる（図１（Ｄ）参照）。

【００７６】（４）上記（３）の処理を終えた基板３０
の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を
用いたベルトサンダー研磨により、下層導体回路３４の
表面やスルーホール３６のランド３６ａ表面に樹脂充填
剤３８が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサ
ンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行う。
このような一連の研磨を基板３０の他方の面についても
同様に行う。次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１
時間の加熱処理を行って樹脂充填剤３８を硬化させる。

【００７７】このようにして、スルーホール３６や導体
回路３４非形成部に形成された樹脂充填材３８の表層部
および下層導体回路３４の表面を平坦化し、樹脂充填材
３８と下層導体回路３４及びスルーホール３６とが粗化
面３４αを介して強固に密着した絶縁性基板を得る（図
２（Ａ）参照）。すなわち、この工程により、樹脂充填
剤３８の表面と下層導体回路３４の表面とが同一平面と
なる。

【００７８】（５）上記基板３０を水洗、酸性脱脂した
後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板
３０の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路３４
の表面とスルーホール３６のランド３６ａ表面とをエッ
チングすることにより、下層導体回路３４の全表面に粗
化面３４βを形成する（図２（Ｂ）参照）。エッチング
液としては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、
グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部からなる
エッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使
用する。

【００７９】（６）基板３０の両面に、上記Ａで作製し
た基板３０より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィ
ルムを基板３０上に載置し、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ² 、温
度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した
後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を
用いて貼り付けることにより層間樹脂絶縁層４０を形成
する（図２（Ｃ）参照）。すなわち、層間樹脂絶縁層用
樹脂フィルムを基板３０上に、真空度０．５Ｔｏｒｒ、
圧力４ｋｇｆ／ｃｍ² 、温度８０℃、圧着時間６０秒の
条件で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化さ
せる。樹脂フィルムを基板に圧着させることにより、後
述する工程で、レーザによる位置決めマークの形成がし
易く、なおかつ、位置決めマークの画像認識を精度よく
行うことが可能となる。

【００８０】（７）次に、層間樹脂絶縁層４０上に、厚
さ１．２ｍｍの貫通孔４４ａが形成されたマスクを４２
介して、波長１０．４μｍのＣＯ₂ ガスレーザにて、ビ
ーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．
０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの
条件で層間樹脂絶縁層４０に、直径８０μｍのバイアホ
ール用開口４４を形成する。

【００８１】（８）さらに、層間樹脂絶縁層４０上に、
上記（７）の工程と同じＣＯ２ガスレーザを用いて、マ
スクの貫通孔の直径２mm、リング幅１６０μｍ、パルス
幅６．０μ秒の条件で、１ショットを少しずつずらして
いき、円形のリング状の位置決めマーク４６を基板の四
隅（図中２カ所のみ示す）に形成する。この位置決めマ
ーク４６の下部には、金属層（導体回路）３４が露出し
ている（図２（Ｄ）参照）。金属層３４の露出部を以
下、露出面３４ａとして参照する。

【００８２】この位置決めマーク４６は、内円の直径１
５０μｍ、外円の直径２５０μｍで、露出面３４ａのリ
ング幅は１００μｍであり、露出面３４ａの光沢度は、
光沢度計で測定すると０．６である。また、位置決めマ
ーク４６の形状は、円、楕円、三角形、四角形以上の多
角形、十字、星形、または、前述の形状を二重線で形成
してもよい。位置決めマーク４６の形成に用いるレーザ
としては、炭酸、エキシマ、ＹＡＧ、ＵＶのレーザ処理
の中から選ばれる少なくとも１種類以上を用いる。な
お、この工程は、上記（７）の工程と同時もしくは前後
でもよい。

【００８３】露出面３４ａは、下層導体回路３４に形成
されていた粗化面３４βがレーザにより除去されてい
る。なお、位置決めマーク４６の光沢度は、０．１０〜
０．７０の範囲がよい。特に望ましいのは、位置決めマ
ークの光沢度を０．４０〜０．６０の範囲にするとよ
い。

【００８４】（９）バイアホール用開口４４を形成した
基板３０を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の
溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層４０の表面に存
在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バ
イアホール用開口４４の内壁を含む層間樹脂絶縁層４０
の表面に粗化面４０αを形成する（図３（Ａ）参照）。

【００８５】（１０）次に、上記処理を終えた基板３０
を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いす
る。さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板
３０の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、
層間樹脂絶縁層４０の表面およびバイアホール用開口４
４の内壁面に触媒核を付着させる。

【００８６】（１１）次に、以下の組成の無電解銅めっ
き水溶液中に基板３０を浸漬して、粗化面４０α全体に
厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜４８を形成
する（図３（Ｂ）参照）。〔無電解めっき水溶液〕ＮｉＳＯ₄ ０．００３ｍｏｌ／ｌ酒石酸０．２００ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．０３０ｍｏｌ／ｌＨＣＨＯ０．０５０ｍｏｌ／ｌＮａＯＨ０．１００ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル４０ｍｇ／ｌポリエチレングリコール（ＰＥＧ）０．１０ｇ／ｌ〔無電解めっき条件〕３５℃の液温度で４０分

【００８７】（１２）市販の感光性ドライフィルム５０
を無電解銅めっき膜４８に貼り付ける。その後、感光性
ドライフィルム５０上にパタン５２ａ及び位置決めマス
ク５２ｂの描かれた位置合わせして載置する（図３
（Ｃ）参照）。この位置合わせは、上方から光りを照射
しながらカメラ２００にて、コア基板３０上のリング状
位置決めマーク６４と、マスク５２の円状の位置決めマ
ーク５２ｂとを撮像し、撮像したデータを二値化処理を
行い、リング状マーク６４内に円状マーク５２ｂが入る
よう調整する。ここで、図７（Ｂ）を参照して上述した
ように位置決めマーク４６の露出面３４ａは、粗化面３
４βがレーザにより除去されているので、表面に光沢が
でき、光の反射量が大きくなっている。よって、感光性
ドライフィルム５０を貼り付けて反射式による画像処理
を行っても、位置決めマーク４６と他の部分とのコント
ラストの差が大きいため、位置決めマーク４６の認識を
確実、正確に行え、マスク５２を正確に位置合わせでき
る。次いで、１００ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭
酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ３
０μｍのめっきレジスト５４を設ける（図３（Ｄ）参
照）。

【００８８】（１３）ついで、基板３０を５０℃の水で
洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗
浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ２
０μｍの電解銅めっき膜５６を形成する（図４（Ａ）参
照）。〔電解めっき水溶液〕硫酸２．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．２６ｍｏｌ／ｌ添加剤１９．５ｍｌ／ｌ（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間６５分温度２２±２ ℃

【００８９】（１４）めっきレジスト５４を５％ＮａＯ
Ｈで剥離除去した後、そのめっきレジスト５４下の無電
解めっき膜４８を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチン
グ処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜４８と電解銅
めっき膜５６からなる厚さ１８μｍの導体回路５８（バ
イアホール６０を含む）を形成する（図４（Ｂ）参
照）。

【００９０】（１５）上記（５）と同様の処理を行い、
第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によっ
て、粗化面５８αを形成する（図４（Ｃ）参照）。

【００９１】（１６）上記（６）〜（１５）の工程を繰
り返すことにより、さらに上層に、層間樹脂絶縁層１４
０及び導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）を
形成し、多層配線板を得る（図４（Ｄ）参照）。なお、
層間樹脂絶縁層１４０を形成する際には、層間樹脂絶縁
層１４０上の導体回路５８上に図示しない位置決めマー
クをレーザで同様に形成して行う。

【００９２】（１７）次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６
７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％
のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、
商品名：エピコート１００１）１５．０重量部、イミダ
ゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−Ｃ
Ｎ）１．６重量部、感光性モノマーである２官能アクリ
ルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）４．５
重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、
商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サ
ンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成
物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化
学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン（関東化学社製）０．２重量部、を加えることによ
り、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダー
レジスト組成物を得る。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計
（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合は
ローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３
によった。

【００９３】（１８）次に、多層配線基板の両面に、上
記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、
７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理
を行った後、ソルダーレジスト開口部７１Ｕ、７１Ｄの
パターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソル
ダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ²
の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００
μｍの直径の開口部７１Ｕ、７１Ｄを形成する。そし
て、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２
０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱
処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、開口部７
１Ｕ、７１Ｄを有し、その厚さが２０μｍのソルダーレ
ジスト層７０を形成する（図５（Ａ）参照）。上記ソル
ダーレジスト組成物としては、市販のソルダーレジスト
組成物を使用することもできる。

【００９４】（１９）次に、ソルダーレジスト層７０を
形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０^-1ｍｏｌ／
ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２
０分間浸漬して、開口部７１Ｕ、７１Ｄに厚さ５μｍの
ニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板を
シアン化金カリウム（７．６×１０^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩
化アンモニウム（１．９×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン
酸ナトリウム（１．２×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン
酸ナトリウム（１．７×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電
解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニ
ッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３μｍの金めっき
層７４を形成する（図５（Ｂ）参照）。

【００９５】（２０）この後、基板３０のソルダーレジ
スト層７０の開口７１Ｕにスズ−鉛を含有する半田ペー
ストを印刷する。さらに、他方の面の開口部７１Ｄ内に
導電性接着剤９７として半田ペーストを印刷する。次
に、導電性接続ピン９６を適当なピン保持装置に取り付
けて支持し、導電性接続ピン９６の固定部９８を開口部
７１Ｄ内の導電性接着剤９７に当接させる。そして、２
００℃でリフローを行い、開口部７１Ｕに半田バンプ７
６を形成し、開口部７１Ｄの導電性接続ピン９６を導電
性接着剤９７に固定する。（図６参照）。

【００９６】次に、本発明の第２実施例に係るプリント
配線板２０について、図１３を参照して説明する。上述
した第１実施例では、図６に示すように導電性接続ピン
９６を介して接続を取るＰＧＡ方式で説明した。第２実
施例では、第１実施例とほぼ同様であるが、図１３に示
すようにＢＧＡ方式で構成されている。

【００９７】引き続き、図１３を参照して上述した第２
実施例のプリント配線板の製造方法について、図８〜図
１３を参照して説明する。

【００９８】（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹
脂またはＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂から
なる基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネート
されている銅張積層板３０Ａを出発材料とする（図８
（Ａ）参照）。まず、この銅張積層板３０Ａをドリル削
孔し、続いてめっきレジストを形成した後、この基板３
０に無電解銅めっき処理を施してスルーホール３６を形
成し、さらに、銅箔を常法に従いパターン状にエッチン
グすることにより、基板３０の両面に下層導体回路３４
を形成する（図８（Ｂ）参照）。

【００９９】（２）下層導体回路３４を形成した基板３
０を水洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板３０の
両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路３４の表面
とスルーホール３６のランド表面３６ａとをエッチング
することにより、下層導体回路３４の全表面に粗化面３
４αを形成する（図８（Ｃ）参照）。エッチング液とし
て、イミダゾール銅（II）錯体１０重量部、グリコール
酸７重量部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水
７８重量部を混合したものを使用した。

【０１００】（３）シクロオレフィン系樹脂を主成分と
する樹脂充填剤３８を、基板３０の両面に印刷機を用い
て塗布することにより、下層導体回路３４間またはスル
ーホール３６内に充填し、加熱乾燥を行う。即ち、この
工程により、樹脂充填剤３８が下層導体回路３４の間あ
るいはスルーホール３６内に充填される（図８（Ｄ）参
照）。

【０１０１】（４）上記（３）の処理を終えた基板３０
の片面を、ベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベ
ルトサンダー研磨により、下層導体回路３４の表面やス
ルーホール３６のランド表面３６ａに樹脂充填剤３８が
残らないように研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研
磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行う。このよう
な一連の研磨を基板３０の他方の面についても同様に行
う。そして、充填した樹脂充填剤３８を加熱硬化させる
（図９（Ａ）参照）。

【０１０２】このようにして、スルーホール３６等に充
填された樹脂充填剤３８の表層部および下層導体回路３
４上面の粗化層３４αを除去して基板３０両面を平滑化
し、樹脂充填剤３８と下層導体回路３４とが粗化面３４
αを介して強固に密着し、またスルーホール３６の内壁
面と樹脂充填剤３８とが粗化面３６αを介して強固に密
着した配線基板を得る。

【０１０３】（５）次に、上記（４）の処理を終えた基
板３０の両面に、上記（２）で用いたエッチング液と同
じエッチング液をスプレイで吹きつけ、一旦平坦化され
た下層導体回路３４の表面とスルーホール３６のランド
表面３６ａとをエッチングすることにより、下層導体回
路３４の全表面に粗化面３４βを形成する（図９（Ｂ）
参照）。

【０１０４】（６）次に、上記工程を経た基板の両面
に、厚さ５０μｍの熱硬化型シクロオレフィン系樹脂シ
ートを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ
／ｃｍ²で真空圧着ラミネートし、シクロオレフィン系
樹脂からなる層間樹脂絶縁層４０を設ける（図９（Ｃ）
参照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。

【０１０５】（７）次に、層間樹脂絶縁層４０上に、貫
通孔４４ａが形成されたマスクを４２介して、波長１
０．４μｍのＣＯ₂ ガスレーザにて、ビーム径５ｍｍ、
トップハットモード、パルス幅５０μ秒、マスクの穴径
０．５ｍｍ、３ショットの条件でシクロオレフィン系樹
脂からなる層間樹脂絶縁層４０に直径８０μｍのバイア
ホール用開口４４設ける。また、同時に層間樹脂絶縁層
４０上に、位置決めマーク形成用貫通孔４６ａが形成さ
れたマスクを介して、同じＣＯ２ガスレーザを用いて、
マスクの貫通孔４６ａの直径４００μｍ、リング幅１０
０μｍ、パルス幅６．０μ秒の条件で、１ショットを少
しずつずらしていき、円形のリング状の位置決めマーク
４６を基板の四隅（図中２カ所のみ示す）に形成する。
この位置決めマーク４６の下部には、金属層（導体回
路）３４の露出面３４ａが露出している（図９（Ｄ）参
照）。

【０１０６】この位置決めマーク４６は、内円の直径１
５０μｍ、外円の直径２５０μｍで、露出面３４ａの幅
は１００μｍであり、露出面３４ａの光沢度は、光沢度
計で測定すると０．７である。また、位置決めマーク４
６の形状は、円、楕円、三角形、四角形以上の多角形、
十字、星形、または、前述の形状を二重線で形成しても
よい。位置決めマーク４６の形成に用いるレーザとして
は、炭酸、エキシマ、ＹＡＧ、ＵＶのレーザ処理の中か
ら選ばれる少なくとも１種類以上を用いる。なお、この
工程は、バイアホール用開口形成の工程と同時もしくは
前後でもよい。

【０１０７】露出面３４ａは、下層導体回路３４に形成
されていた粗化面３４βがレーザにより除去されてい
る。なお、位置決めマーク４６の露出面３４ａの光沢度
は、０．１０〜０．７０の範囲がよい。特に望ましいの
は、光沢度を０．４０〜０．６０の範囲にするとよい。

【０１０８】（８）次に、日本真空技術株式会社製のＳ
Ｖ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶
縁層４０の表面に粗化面４０αを形成する（図１０
（Ａ）参照）。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガ
スを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７
０℃の条件で、２分間プラズマ処理を実施する。

【０１０９】（９）次に、同じ装置を用い、内部のアル
ゴンガスを交換した後、Ｎｉ及びＣｕをターゲットにし
たスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電
力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ／Ｃｕ金属
層４９を層間樹脂絶縁層４０の表面に形成する。このと
き、形成されたＮｉ／Ｃｕ金属層４９の厚さは０．２μ
ｍである（図１０（Ｂ）参照）。

【０１１０】（１０）市販の感光性ドライフィルム５０
を無電解銅めっき膜４８に貼り付ける。その後、感光性
ドライフィルム５０上にパタン５２ａ及び位置決めマス
ク５２ｂの描かれた位置合わせして載置する（図３
（Ｃ）参照）。この位置合わせは、上方から光りを照射
しながらカメラ２００にて、コア基板３０上のリング状
位置決めマーク６４と、マスク５２の円状の位置決めマ
ーク５２ｂとを撮像し、撮像したデータをグレー処理を
行い、リング状マーク６４内に円状マーク５２ｂが入る
よう調整する。ここで、第１実施例と同様に位置決めマ
ーク４６の露出面３４ａは、粗化面３４βがレーザによ
り除去されているので、表面に光沢ができ、光の反射量
が大きくなっている。よって、感光性ドライフィルム５
０を貼り付けて反射式による画像処理を行っても、位置
決めマーク４６と他の部分とのコントラストの差が大き
いため、位置決めマーク４６の認識を確実、正確に行
え、マスク５２を正確に位置合わせできる。次いで、１
００ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウムで
現像処理することにより、厚さ１５μｍのめっきレジス
ト５４を設ける（図１０（Ｄ）参照）。

【０１１１】（１１）次に、以下の条件で電解めっきを
施して、厚さ１５μｍの電解めっき膜５６を形成する
（図１１（Ａ）参照）。なお、電解めっき水溶液中の添
加剤は、アトテックジャパン社製のカパラシドＨＬであ
る。

【０１１２】〔電解めっき水溶液〕硫酸２．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．２６ｍｏｌ／ｌ添加剤１９．５ｍｌ／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間６５分温度２２±２ ℃

【０１１３】（１２）ついで、めっきレジスト５４を５
％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト５４
の下に存在していたＮｉ／Ｃｕ金属層４９を硝酸および
硫酸と過酸化水素との混合液を用いるエッチングにて溶
解除去し、電解銅めっき膜５６等からなる厚さ１６μｍ
の導体回路５８（バイアホール６０を含む）を形成する
（図１１（Ｂ）参照）。

【０１１４】（１３）上記（５）と同様の処理を行い、
第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によっ
て、粗化面５８αを形成する（図１１（Ｃ）参照）。

【０１１５】（１４）続いて、上記（６）〜（１３）の
工程を、繰り返すことにより、さらに上層に、層間樹脂
絶縁層１４０及び導体回路１５８（バイアホール１６０
を含む）を形成する（図１１（Ｄ）参照）。

【０１１６】（１５）次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６
７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％
のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、
商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾー
ル硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）
１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモ
ノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、
同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：
ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ
社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成
物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化
学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５
℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物
（有機樹脂絶縁材料）を得る。なお、粘度測定は、Ｂ型
粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの
場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮ
ｏ．３によった。

【０１１７】（１６）次に、多層配線基板の両面に、上
記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、
７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理
を行った後、ソルダーレジスト開口部７１のパターンが
描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジス
ト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ² の紫外線で
露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径
の開口部７１を形成する。そして、さらに、８０℃で１
時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃
で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレ
ジスト層７０を硬化させ、開口部７１を有する、厚さ２
０μｍのソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を
形成する（図１２（Ａ）参照）。

【０１１８】（１７）次に、ソルダーレジスト層７０を
形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０^-1ｍｏｌ／
ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２
０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめ
っき層７２を形成する。さらに、その基板をシアン化金
カリウム（７．６×１０ ^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニ
ウム（１．９×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウ
ム（１．２×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウ
ム（１．７×１０ ^-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液
に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき
層７２上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成
する（図１２（Ｂ）参照）。

【０１１９】（１８）この後、ソルダーレジスト層７０
の開口部７１に半田ペーストを印刷して、２００℃でリ
フローすることにより半田バンプ（半田体）７６を形成
し、半田バンプ７６を有するプリント配線板２０を製造
する（図１３参照）。

【０１２０】（第３実施例）第１実施例とほぼ同じであ
るが、層間絶縁樹脂層のバイアホールと位置決めマーク
の形成をエキシマレーザによって行った。まず、開口径
２００μｍの開口が形成されたマスク厚０．８ｍｍのマ
スクを層間絶縁樹脂層上に載置させて、周波数２００Ｈ
Ｚ、エネルギー１．０Ｊ、１５０ショットの条件で一括
エリア加工を行い、開口径８０μｍのバイアホールを形
成する。次に、マスク厚０．８ｍｍのマスクを介して、
周波数２５０ＨＺ、エネルギー１．５Ｊ、１５０ショッ
トの条件で基板の４隅に位置決めマークを形成する。な
お、露出した金属膜の光沢度は０．６である。

【０１２１】（第４実施例）第２実施例とほぼ同じであ
るが、バイアホールと位置決めマークの形成を第３実施
例と同じ条件で形成させた。

【０１２２】（第５実施例）第１実施例とほぼ同じであ
るが、バイアホールと位置決めマークの形成をＹＡＧレ
ーザによって行った。

【０１２３】（第６実施例）第２実施例とほぼ同じであ
るが、バイアホールと位置決めマークの形成をＹＡＧレ
ーザによって行う。

【０１２４】（比較例１）第１実施例とほぼ同様である
が、位置決めマークを層間絶縁樹脂層の下部に設けた。
即ち、導体回路に直接レーザを照射しリング状の位置決
めマークを形成した後、層間樹脂絶縁層を配設した（凹
部を設けなかった）。

【０１２５】（比較例２）第１実施例とほぼ同じである
が、位置決めマークから露出した露出面が光沢を有しな
かった（粗化面を残した）。

【０１２６】（比較例３）第１実施例とほぼ同じである
が、位置決めマークから露出した露出面が高い光沢を有
していた。

【０１２７】（比較例４）第２実施例とほぼ同様である
が、位置決めマークを層間絶縁樹脂層の下部に設けて位
置合わせを行った。

【０１２８】（比較例５）第２実施例とほぼ同じである
が、位置決めマークから露出した露出面が光沢を有しな
かった。

【０１２９】（比較例６）第１実施例とほぼ同じである
が、位置決めマークから露出した露出面が高い光沢を有
していた。

【０１３０】

【発明の効果】第１実施例〜第６実施例及び比較例１〜
比較例６で製造されたプリント配線板について、各１０
枚ずつ作成して、レジストパターン露光時の位置決めマ
ークの形成、位置決めマークの画像認識の判定結果、お
よび画像認識時間、導体回路の位置ズレ幅、信頼性試験
後の導通試験、導体回路の断線・破壊の有無の計６項目
について比較評価した。その結果を図１５及び図１６中
の図表に示す。更に、位置決めマークの光沢度、及び、
位置決めマークと層間樹脂絶縁層との光沢度の差を図１
７中の図表に示す。なお、図１７中で、比較例１，４
は、層間樹脂絶縁層を形成後に当該部分を測定した結果
である。

【０１３１】なお、画像認識の結果を比較するため、第
１実施例と比較例２の位置決めマーク形成した後の写真
（スケッチ）と、めっき膜形成、ドライフィルム貼り付
け後の画像処理行った写真（スケッチ）とを図１４中に
示す。

【０１３２】第１実施例による位置決めマーク形成後の
写真（スケッチ）が図１４（Ａ）、で、画像処理処理中
の写真（スケッチ）が図１４（Ｂ）である。一方、比較
例２による位置決めマーク形成後の写真（スケッチ）が
図１４（Ｃ）で、画像処理処理中の写真（スケッチ）が
図１４（Ｄ）である。図１４（Ａ）から分かるように、
第１実施例において、位置決めマーク部分の下部の露出
面は、レーザにより粗化面を除去したため、光沢を有し
ている。一方、比較例２では、図１４（Ｃ）から分かる
ように、位置決めマーク部分の下部の金属層に粗化面を
残しており、スズめっき層が露出しているために黒くな
っている。

【０１３３】そして、比較例２では、層間樹脂絶縁層上
にめっきを施し、ドライフィルムの貼り付け後の基板と
マスクの位置合わせ中の画像処理中の図１４（Ｄ）の写
真（スケッチ）から分かるように、露出した金属層に粗
化面が残っているため、ドライフィルムとリング状の凹
部部分とのコントラストの差が小さくなる。このため、
画像認識が正確に行えなかった。他方、第１実施例の粗
化面を除去したプリント配線板は、図１４（Ｂ）の写真
（スケッチ）から分かるように、ドライフィルムとリン
グ状の凹部部分のコントラストの差が大きいため、画像
認識が正確に行えた。図１４（Ｂ）のスケッチは二値化
処理をしたものであったが、グレー化処理（第２実施
例）でも同様の結果であった。

【０１３４】上記写真（スケッチ）からも分かるよう
に、第１実施例、第２実施例で製造されたプリント配線
板では、位置決めマークの形成も問題なく、画像処理の
位置決めマークの判定では、判定不能と表示されなかっ
た。更に、認識時間も１０ｓ、１１ｓと設定された時間
内に認識でき、導体回路の位置ズレも起きなかった。ま
た、信頼性試験を行っても導体回路の断線、破壊は見ら
れず、導通試験でも電気的接続に問題はなかった。

【０１３５】本発明では上述したように、粗化面が形成
された金属層上に配設された層間樹脂絶縁層に、レーザ
により凹部を形成し、その際、凹部の下部から露出した
金属層の粗化面をレーザで除去することにより、位置決
めマークを形成している。それにより、反射式の画像処
理による位置決めマークの画像認識を正確に早く行うこ
とができる。よって、層間でバイアホールを介する導体
回路の形成に位置ずれのない、接続信頼性に優れるプリ
ント配線板を製造することが可能となる。

【０１３６】更に、本発明により、バイアホール径が６
０μｍ以下で、配線幅が４０μｍ以下のものでも精度よ
く形成することができるので、層間樹脂絶縁層をレーザ
で開口させるプリント配線板の配線作成に、特に良いこ
とが分かった。しかも、ドライフィルムや層間樹脂絶縁
層の厚みや色などの要因によらず、位置決めマークの認
識が可能になった。また、最適な位置決めマークの光沢
度を知見できたので、画像処理データの作成も容易にな
り、機械による位置合わせの処理速度も向上されて、生
産性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第１実施例に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図２】図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第１実施例に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図３】図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第１実施例に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図４】図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第１実施例に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図５】図５は、（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施
例に係るプリント配線板の製造工程図である。

【図６】本発明の第１実施例に係るプリント配線板の断
面図である。

【図７】図７（Ａ）は、図６の位置決めマークを上方か
ら見た平面図であり、図７（Ｂ）は、図６中の円で囲っ
た部分を示す拡大図である。

【図８】図８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第２実施例に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図９】図９（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発
明の第２実施例に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図１０】図１０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、
本発明の第２実施例に係るプリント配線板の製造工程図
である。

【図１１】図１１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、
本発明の第２実施例に係るプリント配線板の製造工程図
である。

【図１２】図１２（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第２実施
例に係るプリント配線板の製造工程図である。

【図１３】本発明の第２実施例に係るプリント配線板の
断面図である。

【図１４】図１４（Ａ）、図１４（Ｃ）は、位置決めマ
ークを撮像した写真のスケッチであり、図１４（Ｂ）、
図１４（Ｄ）は、画像処理された位置決めマークの写真
のスケッチである。

【図１５】第１実施例〜第６実施例及び比較例１〜比較
例６の試験結果を示す図表である。

【図１６】第１実施例〜第６実施例及び比較例１〜比較
例６の試験結果を示す図表である。

【図１７】第１実施例〜第６実施例及び比較例１〜比較
例６の試験結果を示す図表である。

【図１８】従来技術に係るプリント配線板の露光工程の
工程図である。

【図１９】（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ３）、（Ｂ１）、
（Ｂ２）、（Ｂ３）は、先行技術に係るプリント配線板
の位置決めマークの説明図である。

【図２０】（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ３）、（Ａ４）
は、先行技術に係るプリント配線板の位置決めマークの
説明図である。

【符号の説明】

３０コア基板３４導体回路３４ａ金属層３４β 粗化面４０層間樹脂絶縁層４６位置決めマーク４８無電解めっき膜４９Ｎｉ／Ｃｕ金属層５０感光性ドライフィルム５２マスク５８導体回路６０バイアホール７０ソルダーレジスト層７１Ｕ、７１Ｄ開口部７２ニッケルめっき層７４金めっき層７６半田バンプ９６導電性接続ピン９７導電性接着剤９８固定部１４０層間樹脂絶縁層１５８導体回路１６０バイアホール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩＨ０５Ｋ 3/18 Ｈ０５Ｋ 3/18 Ｄ (56)参考文献特開平11−40908（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05K 3/00 - 3/46 B23K 26/00 G03F 9/00 H05K 1/02

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】導体回路を構成する粗化面の形成された
金属層と層間樹脂絶縁層とを交互に積層してなるプリン
ト配線板であって、前記金属層上に配設された前記層間樹脂絶縁層には、凹
部が形成され、該凹部内の下部には、前記粗化面の剥離
された金属層が露出してなる位置決めマークを備えるこ
とを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】導体回路を構成する粗化面の形成された
金属層と層間樹脂絶縁層とを交互に積層してなるプリン
ト配線板であって、前記金属層上に配設された前記層間樹脂絶縁層には、凹
部が形成され、該凹部内の下部には、前記粗化面の除去
された光沢面を有する前記金属層が露出してなる位置決
めマークを備えることを特徴とするプリント配線板。
【請求項３】前記凹部内の露出した金属層は、光沢度
が０．１０〜０．７０の範囲であることを特徴とする請
求項２に記載のプリント配線板。
【請求項４】前記凹部内の露出した金属層は、前記層
間樹脂絶縁層との光沢度の差が０．３０〜０．７０の範
囲であることを特徴とする請求項２に記載のプリント配
線板。
【請求項５】前記層間樹脂絶縁層は、樹脂フィルムの
圧着によって形成されていることを特徴とする請求項１
又は請求項２に記載のプリント配線板。
【請求項６】少なくとも以下（ａ）〜（ｈ）の工程を
備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：（ａ）基板上の導体回路となる金属層に、粗化面を形成
する工程；（ｂ）前記金属層上に、層間樹脂絶縁層を形成する工
程；（ｃ）前記層間樹脂絶縁層に、レーザあるいは露光現像
処理によりバイアホールを形成する工程；（ｄ）前記（ｃ）工程と同時または前後に、レーザによ
り、層間樹脂絶縁層に粗化面が除去された金属層を露出
させた凹部からなる位置決めマークを形成する工程；（ｅ）前記層間樹脂絶縁層の表面、前記バイアホール及
び前記凹部内に金属膜を形成する工程；（ｆ）前記基板上に感光性ドライフィルムを圧着する工
程；（ｇ）前記基板の位置決めマークに対して、反射式の画
像処理によってマスクの位置合わせを行い、露光現像処
理を経て、導体回路を形成するためのめっきレジストパ
ターンを形成する工程；（ｈ）電解めっきにより、導体回路を形成し、次いで、
前記めっきレジストを除去して、前記めっきレジスト下
に存在する前記金属膜を溶解除去する工程。
【請求項７】少なくとも以下（ａ）〜（ｇ）の工程を
備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：（ａ）導体回路となる金属層上に、層間樹脂絶縁層を形
成する工程；（ｂ）前記層間樹脂絶縁層に、レーザあるいは露光現像
処理によりバイアホールを形成する工程；（ｃ）前記（ｂ）工程と同時または前後に、レーザによ
り、前記層間樹脂絶縁層に光沢面を有する金属層を露出
させた凹部からなる位置決めマークを形成する工程；（ｄ）前記層間樹脂絶縁層の表面、前記バイアホール及
び前記凹部内に金属膜を形成する工程；（ｅ）前記基板上に感光性ドライフィルムを圧着する工
程；（ｆ）前記基板の位置決めマークに対して、反射式の画
像処理によってマスクの位置合わせを行い、露光現像処
理を経て、導体回路を形成するためのめっきレジストパ
ターンを形成する工程；（ｇ）電解めっきにより、導体回路を形成し、次いで、
前記めっきレジストを除去して、前記めっきレジスト下
に存在する前記金属膜を溶解除去する工程。
【請求項８】前記層間樹脂絶縁層を形成する工程にお
いて、層間樹脂絶縁層を、樹脂フィルムの圧着により形
成することを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の
プリント配線板の製造方法。
【請求項９】前記位置決めマークを形成後、アニール
処理あるいは酸化膜除去処理を行うことを特徴とする請
求項６又は請求項７に記載のプリント配線板の製造方
法。
【請求項１０】前記位置決めマークを形成する際、炭
酸、エキシマ、ＹＡＧ、ＵＶのレーザ処理の中から選ば
れる少なくとも１種類以上を使用することを特徴とする
請求項６又は請求項７に記載のプリント配線板の製造方
法。