JP3322301B2 - Nitride semiconductor device - Google Patents
Nitride semiconductor deviceInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、p型窒化ガリウム
系半導体層を備えた窒化物半導体素子に関する。The present invention relates to a nitride semiconductor device having a p-type gallium nitride based semiconductor layer.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、窒化物半導体を用いた、青色光の
発光が可能な発光素子が開発され、種々の用途に使用さ
れている。この発光素子に代表される窒化物半導体素子
の開発には、p型の導電性を有する窒化ガリウム系半導
体層が形成できるようになったことが大きく貢献してい
る。今後さらに窒化物半導体素子の特性を良好なものに
するためには、より良好なp型窒化ガリウム系半導体層
を形成することができる技術を開発するとともに、p型
窒化ガリウム系半導体層とより良好なオーミック接触が
可能でかつ外部回路との接続性も含めた広い意味での低
抵抗化が可能な正電極の開発が重要な課題の1つと位置
づけられている。2. Description of the Related Art In recent years, light emitting devices capable of emitting blue light using nitride semiconductors have been developed and used for various purposes. The development of a nitride semiconductor device represented by this light emitting device has greatly contributed to the fact that a gallium nitride based semiconductor layer having p-type conductivity can be formed. In order to further improve the characteristics of the nitride semiconductor device in the future, while developing a technology that can form a better p-type gallium nitride-based semiconductor layer, The development of a positive electrode that can make an ohmic contact and that can reduce resistance in a broad sense including connectivity with an external circuit is positioned as one of the important issues.
【0003】従来の窒化物半導体素子において、正電極
としては、p型窒化ガリウム系半導体層と良好なオーミ
ック接触が可能なNiとAuとを積層した電極が広く用
いられている。尚、このNiとAuとが積層された電極
は、Ni層がp型窒化ガリウム系半導体層に接するよう
に形成され、Ni層の上にAu層が形成されるが、形成
後に熱処理をすることによって、積層構造が変化(逆
転)し、Au層がp型窒化ガリウム系半導体層に接する
下側に位置し、Ni層が表面に位置するようになること
が知られている(特開平9−64337号公報)。In a conventional nitride semiconductor device, as a positive electrode, an electrode obtained by laminating Ni and Au capable of making good ohmic contact with a p-type gallium nitride based semiconductor layer is widely used. The electrode in which Ni and Au are laminated is formed such that the Ni layer is in contact with the p-type gallium nitride based semiconductor layer, and the Au layer is formed on the Ni layer. It is known that the stacked structure changes (reversed), whereby the Au layer is located below the p-type gallium nitride-based semiconductor layer and the Ni layer is located on the surface (Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-1997). No. 64337).
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
窒化物半導体素子において、Ni層とAu層を積層した
正電極は、熱処理によって上方に移動したNi層の表面
が酸化し、例えばAu線等を用いてワイヤボンディング
した場合や、例えばAgペーストを用いて、フリップチ
ップボンディングをする場合に、正電極と、Au線又は
Agペーストの間の接触抵抗が大きくなるという問題点
があった。また、正電極上に取り出し電極(パッド電
極)を設けた構造においても、正電極と取り出し電極と
の間の接触抵抗が大きくなるという問題点があった。こ
のために、従来の窒化物半導体素子は、この比較的大き
い接触抵抗に起因する損失のため、十分電流電圧特性を
良好にすることができなかった。また、Ni層の表面が
酸化するために、ワイヤボンディングされたAu線、フ
リップチップボンディングをする場合のAgペースト又
は取り出し電極が正電極から剥がれやすくなるので、接
続部分における十分な接続信頼性を確保するために製造
上種々の工夫を必要としキメ細かい工程管理が必要にな
るという問題点があった。However, in the conventional nitride semiconductor device, the surface of the Ni layer, which has been moved upward by the heat treatment, is oxidized in the positive electrode having the Ni layer and the Au layer laminated thereon, so that, for example, an Au wire or the like can be used. When performing wire bonding using, for example, or performing flip-chip bonding using, for example, an Ag paste, there is a problem that contact resistance between the positive electrode and the Au wire or the Ag paste increases. Further, even in a structure in which a lead electrode (pad electrode) is provided on the positive electrode, there is a problem that the contact resistance between the positive electrode and the lead electrode increases. For this reason, the conventional nitride semiconductor device could not sufficiently improve the current-voltage characteristics due to the loss caused by the relatively large contact resistance. In addition, since the surface of the Ni layer is oxidized, the wire-bonded Au wire and the Ag paste or the extraction electrode in the case of flip-chip bonding are easily peeled from the positive electrode, so that sufficient connection reliability at the connection portion is ensured. For this purpose, there is a problem in that various measures are required in manufacturing and fine process control is required.
【0005】そこで、本発明の目的は、以上の従来例の
持つ問題点を解決して、電流電圧特性が良好でかつ製造
が容易な窒化物半導体素子を提供することにある。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the conventional example and to provide a nitride semiconductor device having good current-voltage characteristics and easy manufacture.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、以上の従来例
の持つ問題点を解決するために鋭意検討した結果、Mo
層の上にPt層を形成した正電極を用いることにより、
p型窒化ガリウム系半導体層と良好なオーミック接触が
得られ、かつ従来例のような問題点もないことを見いだ
して完成させたものである。すなわち、本発明に係る窒
化物半導体素子は、p型導電性を有するp型窒化ガリウ
ム系半導体層と、上記窒化ガリウム系半導体層上に形成
され、該p型窒化ガリウム系半導体層とオーミック接触
する正電極とを備えた窒化物半導体素子であって、上記
正電極が、上記p型窒化ガリウム系半導体層に接して形
成されたMoを主成分とする第1の電極層と、該第1の
電極層上に形成されたPtを主成分とする第2の電極層
とを有してなることを特徴とする。ここで、本明細書に
おいて、窒化ガリウム系半導体とは、GaN及びGaN
においてガリウムの一部を他の1又は2以上の元素で置
換した半導体のことをいう。As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems of the prior art, the present invention
By using a positive electrode having a Pt layer formed on the layer,
The present invention has been completed by finding that good ohmic contact with the p-type gallium nitride based semiconductor layer can be obtained and that there is no problem as in the conventional example. That is, the nitride semiconductor device according to the present invention is formed on the p-type gallium nitride-based semiconductor layer having p-type conductivity and the gallium nitride-based semiconductor layer, and is in ohmic contact with the p-type gallium nitride-based semiconductor layer. A nitride semiconductor device comprising: a first electrode layer containing Mo as a main component and formed in contact with the p-type gallium nitride-based semiconductor layer; A second electrode layer containing Pt as a main component and formed on the electrode layer. Here, in this specification, gallium nitride based semiconductors are GaN and GaN.
Refers to a semiconductor in which part of gallium is replaced with one or more other elements.
【0007】また、本発明を用いて、上記正電極が透光
性を有するように形成し、該正電極を介して発生した光
を出力する発光素子である窒化物発光素子を構成でき
る。Further, by using the present invention, it is possible to form a nitride light emitting element which is a light emitting element which is formed so that the positive electrode has a light transmitting property and outputs light generated through the positive electrode.
【0008】また、本発明の窒化物半導体素子において
は、上記第1の電極層が酸素を含んでいることが好まし
く、これによって、p型窒化ガリウム系半導体層と上記
正電極との密着強度を強くでき、正電極が透光性を有す
るように形成する場合に透光性をよくできる。Further, in the nitride semiconductor device of the present invention, it is preferable that the first electrode layer contains oxygen, whereby the adhesion strength between the p-type gallium nitride based semiconductor layer and the positive electrode is improved. When the positive electrode is formed to have a light transmitting property, the light transmitting property can be improved.
【0009】さらに、本発明の窒化物半導体素子におい
ては、上記正電極が形成後に熱処理されていることが好
ましく、これによって、上記正電極と上記p型窒化ガリ
ウム系半導体層とのオーミック接触をさらに良好にでき
る。Further, in the nitride semiconductor device of the present invention, it is preferable that the heat treatment is performed after the formation of the positive electrode, thereby further increasing the ohmic contact between the positive electrode and the p-type gallium nitride-based semiconductor layer. Can be good.
【0010】またさらに、本発明の窒化物半導体素子に
おいて、上記正電極上の一部又は全面に外部回路との接
続用の取り出し電極を形成するようにしてもよい。Further, in the nitride semiconductor device of the present invention, an extraction electrode for connection to an external circuit may be formed on a part or the entire surface of the positive electrode.
【0011】[0011]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る実施形態について説明する。 実施形態1.本発明に係る実施形態1の窒化物半導体素
子は発光素子であって、図1に示すように、例えばサフ
ァイヤからなる基板11上に、例えば、Siがドープさ
れたAlInGaNからなるn型窒化ガリウム系半導体
層12、例えば、InGaNからなる発光層10及び例
えば、MgがドープされたAlInGaNからなるp型
窒化ガリウム系半導体層13が順に積層された半導体層
構造を有し、正負の電極が以下のように形成されて構成
される。すなわち、1つの側面(第1側面)から所定の
幅にp型窒化ガリウム系半導体層が除去されて露出され
たn型窒化ガリウム系半導体層12の上面にn側の負電
極14が形成され、p型窒化ガリウム系半導体層13の
上面のほぼ全面にp側の正電極15が形成される。な
お、実施形態1の窒化物半導体素子ではさらに、正電極
15上の負電極14から離れた位置に取り出し電極16
が形成され、負電極14上及び取り出し電極16上の開
口部を除き、各電極及び各半導体層を覆うように絶縁膜
17が形成される。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Embodiment 1 FIG. The nitride semiconductor device according to the first embodiment of the present invention is a light-emitting device, and as shown in FIG. 1, an n-type gallium nitride-based AlInGaN doped with, for example, Si on a substrate 11 made of, for example, sapphire. The semiconductor layer 12 has a semiconductor layer structure in which a light emitting layer 10 made of, for example, InGaN and a p-type gallium nitride-based semiconductor layer 13 made of, for example, AlInGaN doped with Mg are sequentially stacked. Formed. That is, the n-side negative electrode 14 is formed on the upper surface of the n-type gallium nitride-based semiconductor layer 12 which is exposed by removing the p-type gallium nitride-based semiconductor layer to a predetermined width from one side surface (first side surface), A p-side positive electrode 15 is formed on almost the entire upper surface of the p-type gallium nitride based semiconductor layer 13. In the nitride semiconductor device of the first embodiment, the extraction electrode 16 is further provided on the positive electrode 15 at a position away from the negative electrode 14.
Is formed, and an insulating film 17 is formed so as to cover each electrode and each semiconductor layer, except for openings on the negative electrode 14 and the extraction electrode 16.
【0012】ここで、本実施形態1の窒化物半導体素子
は、図1において拡大して示すように、正電極15が、
p型窒化ガリウム系半導体層13と接触するように形成
されたMo(モリブデン)からなる第1の電極層1と該
第1の電極層1上に形成されたPt(白金)からなる第
2の電極層2との2層構造を有することを特徴とし、後
述する種々の利点を有する。Here, in the nitride semiconductor device of the first embodiment, as shown in FIG.
A first electrode layer 1 made of Mo (molybdenum) formed to be in contact with the p-type gallium nitride based semiconductor layer 13 and a second electrode made of Pt (platinum) formed on the first electrode layer 1 It has a two-layer structure with the electrode layer 2, and has various advantages described later.
【0013】尚、本実施形態1においては、第1の電極
層1を形成した後に、所定の温度で熱処理を行うことが
好ましく、これによって、p型窒化ガリウム系半導体層
13とのさらに良好なオーミック接触が得られる。ま
た、本実施形態では、基板を所定の温度で加熱しながら
第1の電極1を形成するようにしても、形成後に熱処理
したのと同様の効果が得られ、良好なオーミック接触が
得られる。In the first embodiment, it is preferable to perform a heat treatment at a predetermined temperature after forming the first electrode layer 1, whereby the p-type gallium nitride-based semiconductor layer 13 can be further improved. Ohmic contact is obtained. Further, in the present embodiment, even if the first electrode 1 is formed while heating the substrate at a predetermined temperature, the same effect as that obtained by heat treatment after formation is obtained, and a good ohmic contact is obtained.
【0014】以下、本発明者らが行った検討例を含めて
本発明についてさらに詳細に説明する。尚、以下の検討
例において、第1の電極層1はスパッタリング装置を用
いて膜厚が200Åになるように形成し、第2の電極層
2は、スパッタリング装置を用いて膜厚が3000Åに
なるように連続形成した。図2は、正電極15を形成し
た後に、種々の温度で熱処理を行った場合における、電
流電圧特性を示すグラフである。本検討においては、図
2に示すように、700℃の温度で最も良好な電流電圧
特性が得られた。尚、熱処理温度は700℃を越えると
GaNが劣化する場合があり、450℃より低くなる
と、電圧電流特性の線形性が悪くなる。Hereinafter, the present invention will be described in more detail, including examples studied by the present inventors. In the following examination examples, the first electrode layer 1 was formed to have a thickness of 200 ° using a sputtering device, and the second electrode layer 2 was formed to have a thickness of 3000 ° using a sputtering device. And formed continuously. FIG. 2 is a graph showing current-voltage characteristics when heat treatment is performed at various temperatures after the positive electrode 15 is formed. In this study, the best current-voltage characteristics were obtained at a temperature of 700 ° C., as shown in FIG. If the heat treatment temperature exceeds 700 ° C., GaN may deteriorate, and if the heat treatment temperature is lower than 450 ° C., the linearity of the voltage-current characteristics deteriorates.
【0015】また、図3は、上述の熱処理を行った後の
正電極15の表面からp型窒化ガリウム系半導体層13
の表面付近まで、オージェ電子分光分析を用いて深さ方
向に元素分析を行った結果を示している。図3に示すよ
うに、本実施形態1の窒化物半導体素子では、正電極1
5において、Ni層とAu層とを用いた従来例の正電極
のような逆転現象は観測されず、積層構造に変化はな
く、また第2の電極層2であるPtの表面の酸化もして
いないことがわかる。FIG. 3 shows the p-type gallium nitride based semiconductor layer 13 from the surface of the positive electrode 15 after the above-described heat treatment.
2 shows the results of elemental analysis in the depth direction using Auger electron spectroscopy up to the vicinity of the surface. As shown in FIG. 3, in the nitride semiconductor device of the first embodiment, the positive electrode 1
In No. 5, no reversal phenomenon as in the conventional positive electrode using the Ni layer and the Au layer was observed, there was no change in the laminated structure, and the surface of Pt as the second electrode layer 2 was also oxidized. It turns out there is no.
【0016】以上詳述したように、実施形態1の窒化物
半導体素子において、正電極15をMo(モリブデン)
からなる第1の電極層1と該第1の電極層1上に形成さ
れたPt(白金)からなる第2の電極層2との積層構造
とすることにより、正電極15とp型窒化ガリウム系半
導体層13との間において良好なオーミック接触をさせ
ることができる。また、正電極15において、上層に形
成されたPtからなる第2の電極層2は酸化することが
ないので、正電極15と取り出し電極16との間の接触
抵抗を小さくでき、窒化物半導体素子において、その接
触抵抗による電圧降下を小さくできる。これによって、
本実施形態1の窒化物半導体素子では、電圧降下が小さ
い分、従来例に比較して順方向電圧を小さくできる。従
って、発光素子やレーザダイオード等の窒化物半導体素
に本発明を適用すると、低駆動電圧化及び高輝度化が可
能になる。As described in detail above, in the nitride semiconductor device of the first embodiment, the positive electrode 15 is made of Mo (molybdenum).
A positive electrode 15 and a p-type gallium nitride are formed by forming a laminated structure of a first electrode layer 1 made of Pt and a second electrode layer 2 made of Pt (platinum) formed on the first electrode layer 1. Good ohmic contact with the system semiconductor layer 13 can be achieved. Further, since the second electrode layer 2 made of Pt formed on the upper layer of the positive electrode 15 is not oxidized, the contact resistance between the positive electrode 15 and the extraction electrode 16 can be reduced, and the nitride semiconductor element In this case, the voltage drop due to the contact resistance can be reduced. by this,
In the nitride semiconductor device of the first embodiment, the forward voltage can be reduced as compared with the conventional example because of the small voltage drop. Therefore, when the present invention is applied to a nitride semiconductor element such as a light emitting element or a laser diode, a lower driving voltage and higher luminance can be achieved.
【0017】以上の実施形態1の窒化物半導体素子で
は、Moからなる第1の電極層1とPtからなる第2の
電極層2を用いて正電極15を構成下が、本発明はこれ
に限定されず、Mo層とPt層とが一部合金化していて
もよし、また、Mo層及び/又はPt層に、Si又は他
の金属を含んでいてもよい。以上のように構成しても実
施形態1と同様の作用効果を有する。すなわち、本発明
では、第1の電極層1にMoを主成分として含み、第2
の電極層2にPtを主成分として含んでいればよい。In the nitride semiconductor device of Embodiment 1 described above, the positive electrode 15 is formed by using the first electrode layer 1 made of Mo and the second electrode layer 2 made of Pt. The present invention is not limited thereto, and the Mo layer and the Pt layer may be partially alloyed, or the Mo layer and / or the Pt layer may contain Si or another metal. Even with the above configuration, the same operation and effect as those of the first embodiment can be obtained. That is, in the present invention, the first electrode layer 1 contains Mo as a main component,
It suffices that the electrode layer 2 contains Pt as a main component.
【0018】実施形態2.本発明に係る実施形態2の窒
化物半導体素子は、実施形態1において、第1の電極層
1のMo層に酸素を含有させたことを特徴とし、それ以
外は実施形態1と同様に構成される。これによって、実
施形態2の窒化物半導体素子は、正電極15とp型窒化
ガリウム半導体層との密着強度を強くできる。尚、本実
施形態2では、例えば、MoのスパッタリングをArと
O2の混合雰囲気で行うことにより、Mo層に酸素を含
有させることができるし、アニール(熱処理)によりM
o層に酸素を含有させることができる。Embodiment 2 FIG. The nitride semiconductor device of the second embodiment according to the present invention is characterized in that the Mo layer of the first electrode layer 1 contains oxygen in the first embodiment, and is otherwise configured in the same manner as the first embodiment. You. Thus, in the nitride semiconductor device of Embodiment 2, the adhesion strength between the positive electrode 15 and the p-type gallium nitride semiconductor layer can be increased. In the second embodiment, for example, by performing sputtering of Mo in a mixed atmosphere of Ar and O 2 , oxygen can be contained in the Mo layer.
O layer can contain oxygen.
【0019】また、我々の検討によると、Mo層に酸素
を含有させることにより、Mo層の透光性を向上させる
ことができることが確認されている。従って、例えば、
Ptからなる第2の電極層2の膜厚を300Å以下に設
定し、正電極1に透光性を持たせ、正電極1を介して光
を出力するように構成(いわゆる半導体側発光とする)
する場合には、Moからなる第1の電極層1に酸素を含
有させることが、透光性を向上させるという面からも有
効である。尚、半導体側発光の発光素子は、発光効率及
び発光した光を効果的に出力するために、例えば、負電
極と取り出し電極とを対角線上に配置した電極構造とす
る。すなわち、負電極は、p型窒化ガリウム系半導体層
を1つの隅部において除去して露出させたn型窒化ガリ
ウム系半導体層12の表面に形成され、正電極は、p型
窒化ガリウム系半導体層のほぼ全面に形成され、取り出
し電極は、負電極と対角をなす位置に形成される。According to our studies, it has been confirmed that the light transmittance of the Mo layer can be improved by adding oxygen to the Mo layer. So, for example,
The thickness of the second electrode layer 2 made of Pt is set to 300 ° or less, the positive electrode 1 is made translucent, and light is output through the positive electrode 1 (so-called semiconductor-side emission). )
In this case, it is effective to include oxygen in the first electrode layer 1 made of Mo from the viewpoint of improving the light transmission. The light-emitting element for emitting light on the semiconductor side has, for example, an electrode structure in which a negative electrode and an extraction electrode are arranged on a diagonal line in order to output luminous efficiency and emitted light effectively. That is, the negative electrode is formed on the surface of the n-type gallium nitride-based semiconductor layer 12 where the p-type gallium nitride-based semiconductor layer is removed at one corner and exposed, and the positive electrode is formed on the p-type gallium nitride-based semiconductor layer. And the extraction electrode is formed at a position diagonal to the negative electrode.
【0020】以上のように構成された実施形態2の窒化
物半導体素子は、実施形態1と同様の効果を有するとと
もに、上述のように正電極15とp型窒化ガリウム半導
体層との密着強度を向上させることができ、さらに透光
性を良好にできる。The nitride semiconductor device according to the second embodiment configured as described above has the same effect as that of the first embodiment, and also has an improved adhesion strength between the positive electrode 15 and the p-type gallium nitride semiconductor layer as described above. The light transmittance can be improved.
【0021】以上の実施形態1,2では、n型窒化ガリ
ウム系半導体層12、活性層10及びp型窒化ガリウム
系半導体層13を備えた窒化物半導体層素子について示
したが、本発明はこれに限らず、バッファ層等のその他
の半導体層を備えていてもよいことはいうまでもない。
他の半導体層を備えていても本発明を適用することがで
き、実施形態と同様の作用効果を有する。In the first and second embodiments, the nitride semiconductor layer device including the n-type gallium nitride-based semiconductor layer 12, the active layer 10, and the p-type gallium nitride-based semiconductor layer 13 has been described. It goes without saying that other semiconductor layers such as a buffer layer may be provided.
The present invention can be applied even if another semiconductor layer is provided, and has the same operation and effect as the embodiment.
【0022】[0022]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る窒化物半導体素子は、p型導電性を有するp型窒化ガ
リウム系半導体層上に、上記窒化ガリウム系半導体層に
接して形成されたMoを主成分とする第1の電極層と、
該第1の電極層上に形成されたPtを主成分とする第2
の電極層とを有してなる正電極を備えている。これによ
って、本発明によれば、電流電圧特性が良好でかつ製造
が容易な窒化物半導体素子を提供することができる。As described above in detail, the nitride semiconductor device according to the present invention is formed on a p-type gallium nitride-based semiconductor layer having p-type conductivity and in contact with the gallium nitride-based semiconductor layer. A first electrode layer containing Mo as a main component;
A second layer mainly composed of Pt formed on the first electrode layer;
And a positive electrode having the above electrode layer. Thus, according to the present invention, it is possible to provide a nitride semiconductor device having good current-voltage characteristics and easy manufacture.
【図1】 本発明に係る実施形態1の窒化物半導体素子
の模式断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of a nitride semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.
【図2】 実施形態1において、熱処理温度を変化させ
たときの、電圧電流特性を示すグラフである。FIG. 2 is a graph showing voltage-current characteristics when a heat treatment temperature is changed in the first embodiment.
【図3】 実施形態1において、正電極の深さ方向のオ
ージェ分析の結果を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing a result of Auger analysis in a depth direction of a positive electrode in the first embodiment.
1…Moからなる第1の電極層、 2…Ptからなる第2の電極層、 10…活性層、 11…基板、 12…n型窒化ガリウム系半導体層、 13…p型窒化ガリウム系半導体層、 14…負電極、 15…正電極、 16…取り出し電極、 17…絶縁膜。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... 1st electrode layer made of Mo, 2 ... 2nd electrode layer made of Pt, 10 ... active layer, 11 ... substrate, 12 ... Reference numeral 14 denotes a negative electrode, 15 denotes a positive electrode, 16 denotes an extraction electrode, and 17 denotes an insulating film.
Claims (5)
半導体層と、上記p型窒化ガリウム系半導体層上に形成
され、該窒化ガリウム系半導体層とオーミック接触する
正電極とを備えた窒化物半導体素子であって、 上記正電極が、上記p型窒化ガリウム系半導体層に接し
て形成されたMoを主成分とする第1の電極層と、該第
1の電極層上に形成されたPtを主成分とする第2の電
極層とを有してなることを特徴とする窒化物半導体素
子。1. A nitride comprising: a p-type gallium nitride-based semiconductor layer having p-type conductivity; and a positive electrode formed on the p-type gallium nitride-based semiconductor layer and in ohmic contact with the gallium nitride-based semiconductor layer. A semiconductor device, wherein the positive electrode is formed on a first electrode layer mainly composed of Mo formed in contact with the p-type gallium nitride based semiconductor layer, and formed on the first electrode layer. A nitride semiconductor device comprising: a second electrode layer containing Pt as a main component.
介して発生した光を出力する請求項1記載の窒化物半導
体素子。2. The nitride semiconductor device according to claim 1, wherein said positive electrode has a light transmitting property and outputs light generated through said positive electrode.
求項1又は2記載の窒化物半導体素子。3. The nitride semiconductor device according to claim 1, wherein said first electrode layer contains oxygen.
請求項1〜3のうちのいずれかに記載の窒化物半導体素
子。4. The nitride semiconductor device according to claim 1, wherein the heat treatment is performed after the formation of the positive electrode.
電極上の一部又は全面に外部回路との接続用の取り出し
電極を有する請求項1〜4のうちのいずれかに記載の窒
化物半導体素子。5. The nitride semiconductor device according to claim 1, wherein said nitride semiconductor device further has an extraction electrode for connecting to an external circuit on a part or the entire surface of said positive electrode. element.
Priority Applications (1)
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