JP3321787B2 - 固体撮像素子 - Google Patents
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Description
布を、画像として表示し得る電気信号に変換するための
固体撮像素子に関するものである。
示している。この第1従来例では、図6(a)に示す様
に、有効画素群が配列されている有効画素領域11の周
辺を、光学的黒(オプティカルブラック、OPB)画素
群が配列されている光学的黒画素領域12が取り囲んで
いる。図6(b)(c)は、有効画素領域11中の有効
画素13と光学的黒画素領域12中の光学的黒画素14
とを夫々示している。
の半導体基板15中にPウェル16が形成されており、
有効画素13を構成している不純物構造がPウェル16
上の半導体層17に形成されている。即ち、入射光を光
電変換して電荷を蓄積するセンサ部21が、P+領域2
2とN+領域23とで形成されている。また、電荷を垂
直転送する垂直CCDレジスタ24が、N領域25と半
導体基板15の表面の絶縁膜26上の多結晶Si膜27
とで形成されている。なお、N領域25下にもPウェル
28が形成されている。
25との間の領域の上方にも位置しており、この領域
が、センサ部21から垂直CCDレジスタ24への電荷
の読み出しを制御する読み出しゲート31になってい
る。また、画素間の素子分離を行うチャネルストップ3
2が、P+領域33で形成されている。
上には遮光膜としてのAl膜35が形成されており、垂
直CCDレジスタ24へ光が入射してこの垂直CCDレ
ジスタ24内で光電変換されるのを防止している。一
方、Al膜35のうちでセンサ部21上の部分には開口
36が形成されており、センサ部21へ入射した光は光
電変換され、その電荷がN+領域23に蓄積される。そ
して、保護膜等である上層膜37がAl膜35等を覆っ
ている。
l膜35に開口36が形成されていないことを除いて、
図6(b)に示した有効画素13と実質的に同様の構成
を有しており、従って撮像機能を有しておらず、撮像機
能を有している有効画素13に対して基準電圧を与える
ためのものである。
4とでAl膜35の構造が上述の様に異なっているの
で、Al膜35よりも上層にある上層膜37の膜厚が、
図6(d)に模式的に示す様に、有効画素領域11の中
心部と光学的黒画素領域12に近い周辺部とで異なって
いる。このため、図6に示した第1従来例では、有効画
素領域11の中心部と周辺部とで感度に差が生じてい
た。
るために上層膜37にマイクロレンズを設ける構造が一
般的になってきているが、上層膜37の膜厚が異なると
マイクロレンズの焦点位置がずれるので、有効画素領域
11の中心部と周辺部とで感度に差が生じる現象が顕著
になってきている。
考慮して、図7(a)に示す様に、有効画素領域11を
第1従来例よりも大きめに形成し、この有効画素領域1
1内において、実際に信号として使用する使用画素領域
41の周辺に、実際には信号として使用しないが垂直C
CDレジスタ24から信号が出力されるダミー画素領域
42を配した第2従来例が考えられている。
らかな様に、使用画素領域41と光学的黒画素領域12
とにおける上層膜37の膜厚の差がダミー画素領域42
によって吸収されており、使用画素領域41では中心部
と周辺部とで上層膜37の膜厚の差が少ないので、この
使用画素領域41の中心部と周辺部とにおける感度の差
も少ない。
来例では、ダミー画素領域42中のダミー画素も使用領
域41中の有効画素13と全く同じ構成を有しており、
このダミー画素からも信号が出力されることから、以下
の様な問題が生じている。
ン方式におけるフレームインターライン転送型のCCD
撮像素子に適用した上述の第2従来例の具体例を示して
いる。このCCD撮像素子では、テレビジョン信号とし
て寄与する使用画素領域41が垂直方向に1035画素
を有しており、この使用画素領域41の垂直方向の両側
に隣接して、感度差を抑制するための10画素ずつのダ
ミー画素領域42が配されている。
域43が配されており、この蓄積領域43に接して水平
CCDレジスタ44が配されている。ダミー画素領域4
2と蓄積領域43との間には、図7に示した様に光学的
黒画素領域12が配されているが、以下の説明には影響
がないので図示を省略した。
出しの場合は、使用画素領域41の垂直方向の両側に配
されている10画素ずつのダミー画素領域42のうちか
ら、1フィールドに5画素ずつの信号が出力される。高
精細度テレビジョン方式では1フィールド間での垂直帰
線期間(V−BLK)は45ラインの水平走査期間
(H)分あるが、図8(b)に示す様に、このうちの1
0ライン分でダミー画素からの信号が出力される。
インターライン転送に必要な掃き出し転送とフレーム転
送とを行う必要がある。この結果、45/35≒1.3
倍の転送速度つまり転送周波数が掃き出し転送とフレー
ム転送とに要求され、この効果はダミー画素の数が多く
なるにつれて顕著になる。従って、CCD撮像素子自体
の設計・製造やカメラの設計等が著しく困難になる。
のセンサ部21も有効画素13のセンサ部21と全く同
じ構成を有しているので、ダミー画素のセンサ部21に
欠陥が存在していると、この欠陥から発生した電荷が信
号出力として現れる。このため、欠陥が大きい場合は、
欠陥信号がサンプルホールド等の後段の回路のダイナミ
ックレンジを超えるという悪影響が生じるので、歩留り
が低い。
は、センサ部21上に開口36を有する遮蔽膜35を半
導体基板15上に備えると共に、前記センサ部21の電
荷蓄積機能と前記センサ部21及び電荷転送部24間の
電荷読み出し機能と前記電荷転送部24の電荷転送機能
とを有する不純物構造を前記半導体基板15に備える第
1の画素13群と、この第1の画素13群の周辺の少な
くとも一部に配されており、センサ部21上に開口36
を有する遮蔽膜35を前記半導体基板15上に備えると
共に、前記センサ21部の電荷蓄積機能と前記センサ部
21及び電荷転送部24間の電荷読み出し機能と前記電
荷転送部24の電荷転送機能とのうちの少なくとも一つ
の機能を有しない不純物構造を前記半導体基板15に備
える第2の画素46群と、この第2の画素46群の周辺
の少なくとも一部に配されており、センサ部21上を覆
う遮蔽膜35を前記半導体基板15上に備えると共に、
前記センサ部21の電荷蓄積機能と前記センサ部21及
び電荷転送部24間の電荷読み出し機能と前記電荷転送
部24の電荷転送機能とを有する不純物構造を前記半導
体基板15に備える光学的黒画素14領域12とを具備
することを特徴としている。
体撮像素子において、前記第2の画素46における前記
不純物構造が、前記電荷転送機能を有するが、前記電荷
蓄積機能を有しないことを特徴としている。
体撮像素子において、前記第2の画素46における前記
不純物構造が、前記電荷蓄積機能と前記電荷転送機能と
を有するが、前記電荷読み出し機能を有しないことを特
徴としている。
体撮像素子において、前記第2の画素46における前記
不純物構造が、前記電荷蓄積機能を有するが、前記電荷
転送機能を有しないことを特徴としている。
の何れかの固体撮像素子において、フレームインターラ
イン転送型であることを特徴としている。
の何れかの固体撮像素子において、前記第1及び第2の
画素13、46において、前記不純物構造を除く構造が
同一で且つ形状も同一であることを特徴としている。
体撮像素子において、前記第2の画素46の信号以外の
電荷の少なくとも一部が、掃き出し転送とフレーム転送
とによって垂直転送部24外へ掃き出されることを特徴
としている。
上に開口36を有する遮蔽膜35を半導体基板15上に
備えると共に、前記センサ部21の電荷蓄積機能と前記
センサ部21及び電荷転送部24間の電荷読み出し機能
と前記電荷転送部24の電荷転送機能とを有する不純物
構造を前記半導体基板15に備える第1の画素13群
と、この第1の画素13群の周辺の少なくとも一部に配
されており、センサ部21上に開口36を有する遮蔽膜
35を前記半導体基板15上に備えると共に、前記セン
サ部21の電荷蓄積機能と電荷転送部24の電荷転送機
能とを有し、前記センサ部21及び前記電荷転送部24
間の電荷読み出し機能を有しない不純物構造を前記半導
体基板15に備える第2の画素46とを具備することを
特徴としている。
上に開口36を有する遮蔽膜35を半導体基板15上に
備えると共に、前記センサ部21の電荷蓄積機能と前記
センサ部21及び電荷転送部24間の電荷読み出し機能
と前記電荷転送部24の電荷転送機能とを有する不純物
構造を前記半導体基板15に備える第1の画素13群
と、この第1の画素13群の周辺の少なくとも一部に配
されており、センサ部21上に開口36を有する遮蔽膜
35を前記半導体基板15上に備えると共に、前記セン
サ部21の電荷蓄積機能を有し、電荷転送部24の電荷
転送機能を有しない不純物構造を前記半導体基板15に
備える第2の画素46とを具備することを特徴としてい
る。
素14領域12によって第1の画素13に基準電圧を与
えることができるが、第1の画素13と同様に遮蔽膜3
5がセンサ部21上に開口36を有している第2の画素
46が第1の画素13群の周辺と光学的黒画素14領域
12との間の少なくとも一部に配されているので、撮像
機能を有する第1の画素13群の中心部と周辺部とで保
護膜等の上層膜37の膜厚の差が少ない。
荷蓄積機能と電荷読み出し機能と電荷転送機能とのうち
の少なくとも一つの機能を有していないので、第2の画
素46のセンサ部21に欠陥が存在していてもこの欠陥
は信号出力に現れない。
46の不純物構造が電荷転送機能を有しているので、第
1の画素13で生成された電荷の転送に支障を生じな
い。一方、第2の画素46の不純物構造が電荷蓄積機能
を有していないので、第2の画素46のセンサ部21に
欠陥が存在していてもこの欠陥は信号出力に現れない。
46の不純物構造が電荷蓄積機能を有しているので、第
2の画素46のセンサ部21で生成された電荷が電荷転
送部24にまで拡散することによるブルーミングを防止
することができ、第1の画素13群のポテンシャルの周
期性を保持して電荷蓄積容量を均一にすることもでき
る。
転送機能を有しているので、第1の画素13で生成され
た電荷の転送に支障を生じない。一方、第2の画素46
の不純物構造が電荷読み出し機能を有していないので、
第2の画素46のセンサ部21に欠陥が存在していても
この欠陥は信号出力に現れない。
46の不純物構造が電荷蓄積機能を有しているので、第
2の画素46のセンサ部21で生成された電荷が電荷転
送部24にまで拡散することによるブルーミングを防止
することができ、第1の画素13群のポテンシャルの周
期性を保持して電荷蓄積容量を均一にすることもでき
る。一方、第2の画素46の不純物構造が電荷転送機能
を有していないので、第2の画素46のセンサ部21に
欠陥が存在していてもこの欠陥は信号出力に現れない。
ンターライン転送型において第2の画素46の不純物構
造が電荷蓄積機能と電荷読み出し機能と電荷転送機能と
のうちの少なくとも一つの機能を有していないので、第
2の画素46で生成された電荷の転送のための時間を確
保する必要がない。このため、フレームインターライン
転送に必要な掃き出し転送とフレーム転送とに垂直方向
の転送時間の総てを使用することができ、転送周波数を
増加させる必要がない。
2の画素13、46において不純物構造を除く構造が同
一で且つ形状も同一であるので、第1の画素13群の中
心部と周辺部とで保護膜等の上層膜37の膜厚の差が更
に少ない。
や暗電流等の信号以外の電荷が第2の画素46に存在し
ていても、この電荷の少なくとも一部が掃き出し転送と
フレーム転送とによって垂直転送部24外へ掃き出され
るので、雑音が少ない。
画素13と同様に遮蔽膜35がセン サ部21上に開口3
6を有している第2の画素46が第1の画素13群の周
辺の少なくとも一部に配されているので、撮像機能を有
する第1の画素13群の中心部と周辺部とで保護膜等の
上層膜37の膜厚の差が少ない。
蓄積機能を有しているので、第2の画素46のセンサ部
21で生成された電荷が電荷転送部24にまで拡散する
ことによるブルーミングを防止することができ、第1の
画素13群のポテンシャルの周期性を保持して電荷蓄積
容量を均一にすることもできる。
46の不純物構造が電荷転送機能を有しているので、第
1の画素13で生成された電荷の転送に支障を生じな
い。一方、第2の画素46の不純物構造が電荷読み出し
機能を有していないので、第2の画素46のセンサ部2
1に欠陥が存在していてもこの欠陥は信号出力に現れな
い。
46の不純物構造が電荷転送機能を有していないので、
第2の画素46のセンサ部21に欠陥が存在していても
この欠陥は信号出力に現れない。
の第1及び第2実施例を、図1〜5を参照しながら説明
する。なお、図6〜8に示した第1及び第2従来例と対
応する構成部分には、同一の符号を付してある。
の第1実施例では、図1(a)に示す様に、図6に示し
た第1従来例における有効画素領域11と同じ大きさの
有効画素領域11の周辺をダミー画素領域45が取り囲
んでおり、このダミー画素領域45の周辺を光学的黒画
素領域12が取り囲んでいる。但し、ダミー画素領域4
5の4方向の周囲のうちの一部または全部に光学的黒画
素領域12が設けられていなくてもよい。
ミー画素46を示しており、このダミー画素46は、セ
ンサ部21にN+領域23が設けられていないことを除
いて、有効画素13と同じ構造及び形状を有している。
従って、図1(c)に示す様に、有効画素領域11と光
学的黒画素領域12とにおける上層膜37の膜厚の差が
ダミー画素領域45によって吸収されており、有効画素
領域11では中心部と周辺部とで上層膜37の膜厚の差
が少ないので、この有効画素領域11の中心部と周辺部
とにおける感度の差も少ない。
は、第2従来例におけるダミー画素領域42中のダミー
画素と異なり、光電変換されて本来ならばN+領域23
に蓄積されるべき電荷が、Pウェル16を介して半導体
基板15に捨てられる。
では、読み出しゲート31に電荷読み出し機能を有する
と共に垂直CCDレジスタ24にも電荷転送機能を有す
るがセンサ部21には電荷蓄積機能を有しない不純物構
造になっている。このため、ダミー画素46のセンサ部
21に欠陥が存在していてこの欠陥から電荷が発生して
も、この欠陥が信号出力として現れず、この第1実施例
は歩留りが高い。
におけるフレームインターライン転送型のCCD撮像素
子に適用した第1実施例の具体例を示している。このC
CD撮像素子では、テレビジョン信号として寄与する有
効画素領域11が垂直方向に1035画素を有してお
り、この有効画素領域11の垂直方向の両側に隣接し
て、感度差を抑制するための10画素ずつのダミー画素
領域45が配されている。
出しの場合は、ダミー画素領域45のダミー画素46か
ら信号が出力されないので、図2(b)に示す様に、フ
レームインターライン転送に必要な掃き出し転送とフレ
ーム転送とに、垂直帰線期間の45ライン分の水平走査
期間の総てを使用することができる。従って、転送周波
数を増加させる必要がなく、CCD撮像素子自体の設計
・製造やカメラの設計等が困難になることはない。
(b)から明らかな様に、P+領域22、33が一体的
になって、センサ部21の領域も実質的にチャネルスト
ップ32になっている。図3(a)(b)は、この第1
実施例と実質的に同様な構造を有するCCD撮像素子と
その半導体基板15中におけるポテンシャル51とを夫
々示している。
に、第1実施例では、センサ部21にN+領域23が設
けられていないので、センサ部21のPウェル16には
空乏層が形成されておらず、このPウェル16は中性状
態になっている。このため、Pウェル16と読み出しゲ
ート31とでポテンシャル51が同程度になっており、
図3(b)中に示す様に、光電変換によってセンサ部2
1で生成された電子52が垂直CCDレジスタ24に到
達し易くて、ブルーミングが発生し易い。
ておらず、このP+領域33も中性状態になっているの
で、P+領域33では電子52の拡散長が非常に長い。
しかも、センサ部21にN+領域23が設けられていな
いので、P+領域33から半導体基板15へ向かう電界
も存在していない。このため、図3(b)中に示す様
に、光電変換によってセンサ部21で生成された電子5
2が、P+領域33内を拡散して垂直CCDレジスタ2
4に到達し易くて、ブルーミングが発生し易い。
型のCCD撮像素子において上述の問題を解決した第2
実施例を示している。この第2実施例でも、第1実施例
における図1(a)の様に、有効画素領域11の周辺を
ダミー画素領域45が取り囲んでおり、このダミー画素
領域45の周辺を光学的黒画素領域12が取り囲んでい
る。但し、ダミー画素領域45の4方向の周囲のうちの
一部または全部に光学的黒画素領域12が設けられてい
なくてもよい。また、第1実施例の具体例における図2
(a)の様に、ダミー画素領域45の垂直方向に接して
蓄積領域43が配されている。
うちで、図1(a)中における有効画素領域11の夫々
上部、左側部及び下部におけるダミー画素領域45との
境界部近傍を示している。なお、有効画素領域11の右
側部におけるダミー画素領域45との境界部近傍は、図
示してはいないが、左側部におけるダミー画素領域45
との境界部近傍と実質的に同様な構造を有している。
域11よりも上方及び左側方のダミー画素領域45にお
けるダミー画素46でも、有効画素13と同様に、N領
域53から成るセンサ部21が形成されている。しか
し、垂直CCDレジスタ24のゲート電極である多結晶
Si膜27の下方の半導体基板15にN領域25が形成
されておらず、P+領域33から成るチャネルストップ
32がセンサ部21の水平方向における両側部に接して
形成されている。
左側方のダミー画素領域45におけるダミー画素46で
は、センサ部21に電荷蓄積機能を有するが読み出しゲ
ート31に電荷読み出し機能を有さず垂直CCDレジス
タ24にも電荷転送機能を有しない不純物構造になって
いる。
域11よりも下方のダミー画素領域45におけるダミー
画素46では、垂直CCDレジスタ24を構成している
N領域25も、P+領域33から成るチャネルストップ
32も、有効画素13と同じパターンで形成されてい
る。しかし、N領域53から成るセンサ部21が形成さ
れているものの、図5(a)にも示す様に、N領域53
は多結晶Si膜27から水平方向へ離間している。
ら水平方向へ離間させるためには、N領域53を形成す
るための不純物のイオン注入に際して、端縁を多結晶S
i膜27の端縁から水平方向へオフセットさせたマスク
(図示せず)を用いる。
ミー画素領域45におけるダミー画素46では、センサ
部21に電荷蓄積機能を有すると共に垂直CCDレジス
タ24にも電荷転送機能を有するが読み出しゲート31
に電荷読み出し機能を有しない不純物構造になってい
る。
(b)(c)に夫々示した有効画素領域11よりも上
方、左側方及び下方の何れのダミー画素領域45におけ
るダミー画素46も、センサ部21に電荷蓄積機能を有
している。つまり、図5(b)に示す様に、半導体基板
15中におけるポテンシャル51がセンサ部21におい
て深く、このため、光電変換によってセンサ部21で生
成された電子52が拡散によって垂直CCDレジスタ2
4にまで到達する確率が低く、蓄積された電子52は半
導体基板15に捨てられる確率が高い。
領域11の左端の有効画素13に隣接しているダミー画
素46がセンサ部21に電荷蓄積機能を有しているの
で、左端の有効画素13においてもポテンシャル51の
周期性が保持されている。つまり、ダミー画素46では
チャネルストップ32としてのP+領域33がセンサ部
21にまで形成されている場合の様に、左端の有効画素
13における垂直CCDレジスタ24やセンサ部21の
ポテンシャル51が、他の有効画素13に比べて浅くな
ることがない。
直CCDレジスタ24やセンサ部21の電荷蓄積容量が
他の有効画素13に比べて少なくなることがなく、この
ことによっても、有効画素領域11の中心部と周辺部と
における感度の差が少ない。
領域11よりも下方のダミー画素領域45におけるダミ
ー画素46がセンサ部21に電荷蓄積機能を有している
ので、下方のダミー画素領域45においてもポテンシャ
ル51の周期性が保持されている。従って、下方のダミ
ー画素領域45のダミー画素46における垂直CCDレ
ジスタ24やセンサ部21のポテンシャル51が、有効
画素13に比べて浅くなることがない。
ダミー画素領域45におけるダミー画素46でも、垂直
CCDレジスタ24やセンサ部21の電荷蓄積容量が有
効画素13に比べて少なくなることがなく、有効画素領
域11の感度が有効画素領域11よりも下方のダミー画
素領域45におけるダミー画素46によって実質的に低
下するということがない。
方及び下方の何れのダミー画素領域45におけるダミー
画素46でも、読み出しゲート31に電荷読み出し機能
を有していない。このため、多結晶Si膜27に読み出
しパルスが印加されても、ダミー画素46のセンサ部2
1に蓄積されている電子52が垂直CCDレジスタ24
まで読み出されることがない。
のダミー画素領域45におけるダミー画素46では、垂
直CCDレジスタ24に電荷転送機能をも有していない
が、有効画素領域11の上方及び左側方では電荷を転送
する必要がないので、垂直CCDレジスタ24が電荷転
送機能を有していなくても支障はない。
的黒画素領域によって第1の画素に基準電圧を与えるこ
とができるが、撮像機能を有する第1の画素群の中心部
と周辺部とで保護膜等の上層膜の膜厚の差が少ないの
で、第1の画素群の中心部と周辺部とで感度の差が少な
いにも拘らず、第1の画素群の周辺の少なくとも一部に
配されている第2の画素のセンサ部に欠陥が存在してい
てもこの欠陥は信号出力に現れないので、歩留りが高
い。
で生成された電荷の転送に支障を生じないにも拘らず、
第2の画素のセンサ部に欠陥が存在していてもこの欠陥
は信号出力に現れないので、歩留りが高い。
で生成された電荷の転送に支障を生じないにも拘らず、
第2の画素のセンサ部で生成された電荷が電荷転送部に
まで拡散することによるブルーミングを防止することが
できると共に第1の画素群のポテンシャルの周期性を保
持して電荷蓄積容量を均一にすることもできるので、高
品質の画像を得ることができ、また、第2の画素のセン
サ部に欠陥が存在していてもこの欠陥は信号出力に現れ
ないので、歩留りが高い。
のセンサ部で生成された電荷が電荷転送部にまで拡散す
ることによるブルーミングを防止することができると共
に第1の画素群のポテンシャルの周期性を保持して電荷
蓄積容量を均一にすることもできるので、高品質の画像
を得ることができ、また、第2の画素のセンサ部に欠陥
が存在していてもこの欠陥は信号出力に現れないので、
歩留りが高い。
を増加させる必要がないので、固体撮像素子自体の設計
・製造やカメラの設計等が困難になっていないにも拘ら
ず、第1の画素群の中心部と周辺部とで感度の差が少な
く且つ歩留りが高い。
群の中心部と周辺部とで保護膜等の上層膜の膜厚の差が
更に少ないので、第1の画素群の中心部と周辺部とで感
度の差が更に少ない。
や暗電流等の信号以外の電荷が第2の画素に存在してい
ても雑音が少ないので、高品質の画像を得ることができ
る。
能を有する第1の画素群の中心部と周辺部とで保護膜等
の上層膜の膜厚の差が少ないので、第1の画素群の中心
部と周辺部とで感度の差が少ないにも拘らず、第1の画
素群の周辺の少なくとも一部に配されている第2の画素
のセンサ部に欠陥が存在していてもこの欠陥は信号出力
に現れないので、歩留りが高い。
電荷が電荷転送部にまで拡散することによるブルーミン
グを防止することができると共に第1の画素群のポテン
シャルの周期性を保持して電荷蓄積容量を均一にするこ
ともできるので、高品質の画像を得ることができる。
で生成された電荷の転送に支障を生じないにも拘らず、
第2の画素のセンサ部に欠陥が存在していてもこの欠陥
は信号出力に現れないので、歩留りが高い。
のセンサ部に欠陥が存在していてもこの欠陥は信号出力
に現れないので、歩留りが高い。
は平面図、(b)はダミー画素の拡大側断面図、(c)
は(a)のC−C線に沿う位置における模式的な側断面
図である。
子に適用した第1実施例の具体例を示しており、(a)
は平面図、(b)は出力波形である。
(a)は側断面図、(b)はその半導体基板中における
ポテンシャルのグラフである。
(b)(c)は有効画素領域の夫々上部、左側部及び下
部におけるダミー画素領域との境界部近傍の平面図であ
る。
は側断面図、(b)はその半導体基板中におけるポテン
シャルのグラフである。
は平面図、(b)は有効画素の拡大側断面図、(c)は
光学的黒画素の拡大側断面図、(d)は(a)のD−D
線に沿う位置における模式的な側断面図である。
は平面図、(b)は(a)のB−B線に沿う位置におけ
る模式的な側断面図である。
子に適用した第2従来例の具体例を示しており、(a)
は平面図、(b)は出力波形である。
Claims (9)
- 【請求項1】 センサ部上に開口を有する遮蔽膜を半導
体基板上に備えると共に、前記センサ部の電荷蓄積機能
と前記センサ部及び電荷転送部間の電荷読み出し機能と
前記電荷転送部の電荷転送機能とを有する不純物構造を
前記半導体基板に備える第1の画素群と、 この第1の画素群の周辺の少なくとも一部に配されてお
り、センサ部上に開口を有する遮蔽膜を前記半導体基板
上に備えると共に、前記センサ部の電荷蓄積機能と前記
センサ部及び電荷転送部間の電荷読み出し機能と前記電
荷転送部の電荷転送機能とのうちの少なくとも一つの機
能を有しない不純物構造を前記半導体基板に備える第2
の画素群と、 この第2の画素群の周辺の少なくとも一部に配されてお
り、センサ部上を覆う遮蔽膜を前記半導体基板上に備え
ると共に、前記センサ部の電荷蓄積機能と前記センサ部
及び電荷転送部間の電荷読み出し機能と前記電荷転送部
の電荷転送機能とを有する不純物構造を前記半導体基板
に備える光学的黒画素領域と を具備することを特徴とす
る固体撮像素子。 - 【請求項2】 前記第2の画素における前記不純物構造
が、前記電荷転送機能を有するが、前記電荷蓄積機能を
有しないことを特徴とする請求項1記載の固体撮像素
子。 - 【請求項3】 前記第2の画素における前記不純物構造
が、前記電荷蓄積機能と前記電荷転送機能とを有する
が、前記電荷読み出し機能を有しないことを特徴とする
請求項1記載の固体撮像素子。 - 【請求項4】 前記第2の画素における前記不純物構造
が、前記電荷蓄積機能を有するが、前記電荷転送機能を
有しないことを特徴とする請求項1記載の固体撮像素
子。 - 【請求項5】 フレームインターライン転送型であるこ
とを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の固体
撮像素子。 - 【請求項6】 前記第1及び第2の画素において、前記
不純物構造を除く構造が同一で且つ形状も同一であるこ
とを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の固体
撮像素子。 - 【請求項7】 前記第2の画素の信号以外の電荷の少な
くとも一部が、掃き出し転送とフレーム転送とによって
垂直転送部外へ掃き出されることを特徴とする請求項5
記載の固体撮像素子。 - 【請求項8】 センサ部上に開口を有する遮蔽膜を半導
体基板上に備えると共に、前記センサ部の電荷蓄積機能
と前記センサ部及び電荷転送部間の電荷読み出し機能と
前記電荷転送部の電荷転送機能とを有する不純物構造を
前記半導体基板に備える第1の画素群と、この第1の画素群の周辺の少なくとも一部に配されてお
り、センサ部上に開口を有する遮蔽膜を前記半導体基板
上に備えると共に、前記センサ部の電荷蓄積機能と電荷
転送部の電荷転送機能とを有し、前記センサ部及び前記
電荷転送部間の電荷読み出し機能を有しない不純物構造
を前記半導体基板に備える第2の画素とを具備すること
を特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項9】 センサ部上に開口を有する遮蔽膜を半導
体基板上に備えると共に、前記センサ部の電荷蓄積機能
と前記センサ部及び電荷転送部間の電荷読み出し機能と
前記電荷転送部の電荷転送機能とを有する不純物構造を
前記半導体基板に備える第1の画素群と、 この第1の画素群の周辺の少なくとも一部に配されてお
り、センサ部上に開口を有する遮蔽膜を前記半導体基板
上に備えると共に、前記センサ部の電荷蓄積機能を有
し、電荷転送部の電荷転送機能を有しない不純物構造を
前記半導体基板に備える第2の画素とを具備することを
特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10491994A JP3321787B2 (ja) | 1993-06-04 | 1994-04-19 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16016293 | 1993-06-04 | ||
JP5-160162 | 1993-06-04 | ||
JP10491994A JP3321787B2 (ja) | 1993-06-04 | 1994-04-19 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0799300A JPH0799300A (ja) | 1995-04-11 |
JP3321787B2 true JP3321787B2 (ja) | 2002-09-09 |
Family
ID=26445284
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10491994A Expired - Fee Related JP3321787B2 (ja) | 1993-06-04 | 1994-04-19 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3321787B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4738615B2 (ja) * | 2001-03-21 | 2011-08-03 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像方法、プログラム、及び記憶媒体 |
-
1994
- 1994-04-19 JP JP10491994A patent/JP3321787B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0799300A (ja) | 1995-04-11 |
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