JP3318812B2 - Plasma etching method and plasma etching apparatus - Google Patents
Plasma etching method and plasma etching apparatusInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置等の製造分野
で適用されるプラズマエッチング方法およびプラズマエ
ッチング装置に関し、特に大排気容量の真空ポンプを用
いた高速排気エッチングにおいて、エッチングの選択比
や異方性を確保するとともに、エッチングガスの使用効
率に優れたプラズマエッチング方法およびプラズマエッ
チング装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma etching method and a plasma etching apparatus applied in the field of manufacturing semiconductor devices and the like. The present invention relates to a plasma etching method and a plasma etching apparatus which ensure anisotropy and are excellent in use efficiency of an etching gas.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体装置の高集積度化、高
性能化が進展するに伴い、そのデザインルールはハーフ
ミクロンからクォータミクロン以下へと縮小しつつあ
る。例えば、半導体基板に形成するトレンチや配線、あ
るいは層間絶縁膜に開口する接続孔等の微細加工におい
ては、均一性、異方性、低損傷性そして低汚染性等の諸
要求を同時に満たすプラズマエッチング方法と装置が求
められる。2. Description of the Related Art As the degree of integration and performance of semiconductor devices such as LSIs increase, the design rule has been reduced from half microns to quarter microns or less. For example, in the microfabrication of trenches and wiring formed in a semiconductor substrate or connection holes opened in an interlayer insulating film, plasma etching that simultaneously satisfies various requirements such as uniformity, anisotropy, low damage, and low contamination There is a need for a method and apparatus.
【０００３】特に近年では８インチ径以上のウェハの採
用にともない、大面積の被エッチング基板においてはロ
ーディング効果あるいはマイクロローディング効果によ
るエッチングの不均一性が顕在化している。このうちロ
ーディング効果とは、被エッチング層のエッチングマス
クからの露出面積密度によって、エッチングレート等が
変動する現象である。またマイクロローディング効果
は、局部的に高アスペクト比を有するマスクパターン開
口部分等において、エッチングレートが低下し、極端な
場合にはエッチングが停止する現象である。いずれの現
象も、メインエッチャントであるラジカル種の密度と、
反応生成物やレジストマスクの分解生成物を主とする堆
積種の密度とのバランスが、被エッチング基板上におい
て部分的に変動することに起因する。In particular, in recent years, with the use of a wafer having a diameter of 8 inches or more, unevenness of etching due to a loading effect or a microloading effect has become apparent on a large-area substrate to be etched. The loading effect is a phenomenon in which the etching rate or the like varies depending on the area density of the layer to be etched from the etching mask. The microloading effect is a phenomenon in which an etching rate is reduced in a mask pattern opening portion having a locally high aspect ratio or the like, and the etching is stopped in an extreme case. Both phenomena show the density of the radical species, the main etchant,
This is because the balance with the density of the deposition species mainly composed of the reaction products and the decomposition products of the resist mask partially varies on the substrate to be etched.
【０００４】大面積基板に対する均一なエッチング処理
を可能とする方策とし、低ガス圧、高密度プラズマを基
本的な処理条件とする各種エッチング装置の開発も進ん
でいる。これらの内の一つとして、高速排気エッチング
がある。これは、エッチングレート低下の原因である反
応生成物やレジストマスクの分解生成物を主とする堆積
種を被エッチング基板表面から高速排気により速やかに
除去し、エッチング種と堆積種の密度バランスを均一化
することを基本的な考え方としている。このために、例
えば５０００ ｌ／ｍｉｎ程度の大排気量を持つ真空ポ
ンプをエッチングチャンバに接続したプラズマエッチン
グ装置が、特開平５−２５９１１９号公報あるいは１９
９２ドライプロセスシンポジウム ＩＩ−１、ｐ．４１
に開示ないしは報告されている。かかる装置の採用によ
り、大流量のエッチングガスを導入し、低ガス圧条件下
で均一なプラズマエッチングが達成される。[0004] As a measure for enabling uniform etching of a large-area substrate, development of various etching apparatuses using low-gas-pressure, high-density plasma as basic processing conditions is also in progress. One of these is high-speed exhaust etching. This is because high-speed exhaust quickly removes deposition species, mainly reaction products and degradation products of the resist mask, which cause a decrease in the etching rate, and achieves a uniform density balance between the etching species and the deposition species. Is the basic idea. For this purpose, a plasma etching apparatus in which a vacuum pump having a large displacement of, for example, about 5000 l / min is connected to an etching chamber is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-259119 or 19th.
92 Dry Process Symposium II-1, p. 41
Has been disclosed or reported. By adopting such an apparatus, a large flow rate of an etching gas is introduced, and uniform plasma etching can be achieved under low gas pressure conditions.
【０００５】しかしながら、高速排気エッチング装置の
特徴として、導入された大流量のエッチングガスのうち
実際にエッチング反応に消費されるガスはプラズマ中の
解離度から考えても高々１０％以下であり、残りの９０
％以上のガスは解離や再結合等の反応を繰り返し行いつ
つ、エッチング反応には関与しないまま、エッチングチ
ャンバから無駄に排気される。この問題を図５（ａ）〜
（ｂ）を参照して説明する。[0005] However, as a feature of the high-speed exhaust etching apparatus, the gas actually consumed in the etching reaction among the introduced large flow rate etching gas is at most 10% or less in view of the degree of dissociation in the plasma. Of 90
% Or more of the gas is repeatedly exhausted from the etching chamber without being involved in the etching reaction while repeatedly performing reactions such as dissociation and recombination. This problem is illustrated in FIGS.
This will be described with reference to FIG.
【０００６】大容量の真空ポンプを有する高速排気プラ
ズマエッチング装置の概略構成例を図５（ａ）に示す。
同装置は、高密度プラズマエッチング装置の一例である
誘導結合プラズマ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐ
ｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置に大排気量真空
ポンプを適用した例である。石英等の誘電体材料からな
る側壁を有するエッチングチャンバ１０の側面を巻回す
る大型マルチターンの誘導結合コイル１１に誘導結合コ
イル電源１２からの高周波を印加する。ガスボンベ６か
ら供給されるエッチングガスは、マスフローコントロー
ラ５、エッチングガス導入経路４を経由してエッチング
チャンバ１０に導入され、誘導結合コイル１１が発生す
る電界により高密度のプラズマ１３となる。エッチング
チャンバ１０内には基板バイアス電源３に接続した基板
ステージ２上に被エッチング基板１を載置し、高密度の
プラズマ１３による処理がなされる。エッチングチャン
バ１０には一例として５０００ ｌ／ｍｉｎの能力を有
するターボ分子ポンプによる真空ポンプ７が接続され、
エッチング排気ガスは排気経路８と除害手段９を経由
し、大気中に放出される。本プラズマエッチング装置に
よれば、１×１０11〜１×１０13／ｃｍ3 台の高密度プ
ラズマによるエッチングが、大流量のエッチングガスを
使用しつつ１０-1Ｐａ台の低ガス圧雰囲気中で達成され
る。FIG. 5A shows a schematic configuration example of a high-speed exhaust plasma etching apparatus having a large-capacity vacuum pump.
The apparatus is an inductively coupled plasma (Inductively Coupled Plasma) which is an example of a high-density plasma etching apparatus.
This is an example in which a large displacement vacuum pump is applied to an (Led Plasma) etching apparatus. A high frequency from an inductive coupling coil power supply 12 is applied to a large multi-turn inductive coupling coil 11 wound around a side surface of the etching chamber 10 having a side wall made of a dielectric material such as quartz. The etching gas supplied from the gas cylinder 6 is introduced into the etching chamber 10 via the mass flow controller 5 and the etching gas introduction path 4, and becomes high-density plasma 13 by the electric field generated by the inductive coupling coil 11. The substrate 1 to be etched is placed on the substrate stage 2 connected to the substrate bias power supply 3 in the etching chamber 10, and is processed by high-density plasma 13. As an example, a vacuum pump 7 by a turbo molecular pump having a capacity of 5000 l / min is connected to the etching chamber 10,
The etching exhaust gas passes through the exhaust path 8 and the detoxifying means 9 and is released into the atmosphere. According to the present plasma etching apparatus, etching with high-density plasma of the order of 1 × 10 11 to 1 × 10 13 / cm 3 is performed in a low gas pressure atmosphere of the order of 10 -1 Pa while using a large amount of etching gas. Achieved.
【０００７】エッチングチャンバ１０内の被エッチング
基板１近傍のエッチングガスの流れを模式的に示したも
のが図５（ｂ）である。いま被エッチング基板として、
多結晶シリコン層をＨＢｒをエッチングガスに用いてパ
ターニングする場合を想定する。プラズマ１３中でＨＢ
ｒはＢｒ* （Ｂｒラジカル）やＢｒ+ （Ｂｒイオン）に
解離され、そのうちの一部は多結晶シリコン層と反応し
反応生成物ＳｉＢｒxを形成しつつエッチングを進め
る。しかしながらエッチングガスの大部分は解離された
Ｂｒ* やＢｒ+ の形で、あるいは再結合してＨＢｒの形
でエッチングチャンバ１０外に排気される。これらの成
分は、プラズマエッチングに直接関与することはなく、
反応生成物ＳｉＢｒx のキャリアガスの役割を果たして
いるにすぎない。すなわち排気経路８中の排気ガスは、
最終的には導入されたエッチングガスであるＨＢｒが大
部分を占め、これに反応生成物であるＳｉＢｒx を少量
含有する成分構成である。排気ガスは、酸化鉄等の吸着
材を有する除害手段９により吸着され、吸着限界を超え
れば吸着材とともに廃棄される。エッチングガスが有効
利用されることなく廃棄される現実は、資源の浪費であ
るばかりでなく、産業廃棄物の低減の観点からも解決が
望まれる。FIG. 5B schematically shows the flow of the etching gas in the vicinity of the substrate 1 to be etched in the etching chamber 10. Now as a substrate to be etched,
It is assumed that the polycrystalline silicon layer is patterned using HBr as an etching gas. HB in plasma 13
r is dissociated into Br * (Br radical) or Br + (Br ion), and a part of the r reacts with the polycrystalline silicon layer to progress the etching while forming a reaction product SiBr x . However, most of the etching gas is exhausted out of the etching chamber 10 in the form of dissociated Br * or Br + or in the form of HBr after being recombined. These components do not directly participate in plasma etching,
It merely serves as a carrier gas for the reaction product SiBr x . That is, the exhaust gas in the exhaust path 8 is
Ultimately, HBr, which is the introduced etching gas, occupies a large part, and this is a component composition containing a small amount of SiBr x as a reaction product. The exhaust gas is adsorbed by the detoxifying means 9 having an adsorbent such as iron oxide, and is discarded together with the adsorbent if the exhaust gas exceeds the adsorption limit. The reality that the etching gas is discarded without being effectively used is not only a waste of resources but also a solution from the viewpoint of reducing industrial waste.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の課題
は、大排気量の真空ポンプを用いた高速排気エッチング
等においても、原料であるエッチングガスの使用量を低
減しうるプラズマエッチング方法およびプラズマエッチ
ング装置を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a plasma etching method and a plasma etching method capable of reducing the amount of etching gas used as a raw material even in high-speed exhaust etching using a vacuum pump having a large exhaust amount. It is to provide a device.
【０００９】また本発明の別の課題は、エッチング排気
ガスの除害手段中の吸着材の耐用時間を延長し、吸着済
みの吸着材等の産業廃棄物量の削減が可能なプラズマエ
ッチング方法およびプラズマエッチング装置を提供する
ことである。Another object of the present invention is to provide a plasma etching method and a plasma etching method capable of extending the useful life of an adsorbent in an etching exhaust gas abatement means and reducing the amount of industrial waste such as adsorbed adsorbent. An etching apparatus is provided.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマエッチ
ング方法は、上記課題を達成するために提案するもので
あり、エッチング排気ガスの少なくとも一部を、エッチ
ングガス導入経路へフィードバックしつつ、被エッチン
グ層をパターニングすることを特徴とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The plasma etching method of the present invention is proposed to achieve the above-mentioned object, and at least a part of the etching exhaust gas is fed back to the etching gas introduction path while the etching target gas is being etched. The method is characterized by patterning a layer.
【００１１】また本発明のプラズマエッチング方法は、
エッチング排気ガスの少なくとも一部を、このエッチン
グ排気ガス構成成分中のエッチング反応生成物を除去す
るとともに、エッチングガス導入経路へフィードバック
しつつ、被エッチング層をパターニングすることを特徴
とするものである。この際、特に、 エッチング反応生
成物を含む前記エッチング排気ガスを、前記エッチング
ガス導入経路へフィードバックする。また、次のような
二段階でのエッチングを行うことも、他の特徴である。
すなわち、エッチング排気ガスの少なくとも一部を、該
エッチング排気ガス構成成分中のエッチング反応生成物
を除去するとともに、エッチングガス導入経路へフィー
ドバックしつつ、被エッチング層をエッチングするジャ
ストエッチング工程と、エッチング排気ガスの少なくと
も一部を、該エッチング排気ガス構成成分中のエッチン
グ反応生成物とともにエッチングガス導入経路へフィー
ドバックしつつ、被エッチング層をエッチングするオー
バーエッチング工程とを行う。 [0011] Further, the plasma etching method of the present invention comprises:
The method is characterized in that at least a part of the etching exhaust gas removes an etching reaction product in the components of the etching exhaust gas and feeds back to an etching gas introduction path while patterning the layer to be etched. At this time, in particular, the etching reaction product
The etching exhaust gas containing the product
Feedback is provided to the gas introduction path. Also, like
Performing the etching in two steps is another feature.
That is, at least a part of the etching exhaust gas is
Etching reaction products in etching exhaust gas components
Along with the etching gas introduction path.
Jaws that etch the layer to be etched while
Strike etching process and at least the amount of etching exhaust gas
Part of the etching gas in the etching exhaust gas
To the etching gas introduction path together with the
While etching back the layer to be etched.
A bar etching step is performed.
【００１２】本発明のプラズマエッチング装置は、上記
課題を達成するために提案するものであり、エッチング
ガス導入経路、エッチングチャンバおよびエッチング排
気ガスの排気経路を具備してなるプラズマエッチング装
置であって、この排気経路中のエッチング排気ガスの少
なくとも一部を、エッチングガス導入経路へ戻すフィー
ドバック経路を具備してなることを特徴とする、プラズ
マエッチング装置である。[0012] A plasma etching apparatus according to the present invention is proposed to achieve the above object, and is a plasma etching apparatus including an etching gas introduction path, an etching chamber, and an exhaust path for an etching exhaust gas. A plasma etching apparatus comprising a feedback path for returning at least a part of the etching exhaust gas in the exhaust path to an etching gas introduction path.
【００１３】フィードバック経路は、エッチング排気ガ
ス構成成分中のエッチング反応生成物の除去手段を有す
る第１のフィードバック経路と、エッチング排気ガスの
構成成分をそのままフィードバックする第２のフィード
バック経路を有し、しかもこの第１のフィードバック経
路と第２のフィードバック経路を選択的に切り替えるフ
ィードバック経路切り替え手段を有するものであること
が望ましい。また、第１のフィードバック経路および第
２のフィードバック経路には、マスフローコントローラ
が設けられていることとする。 The feedback path has a first feedback path having means for removing an etching reaction product in an etching exhaust gas component, and a second feedback path for directly feeding back the etching exhaust gas component. It is desirable to have feedback path switching means for selectively switching between the first feedback path and the second feedback path. Also, the first feedback path and the
Mass flow controller in feedback path 2
Is provided.
【００１４】[0014]
【作用】本発明の骨子は、従来は排気経路からそのまま
除害手段に送入され、廃棄されていたエッチング排気ガ
スの少なくとも一部を、エッチングガス導入経路へ再度
フィードバックし、エッチングガスの一部として再利用
する点にある。これにより、従来廃棄されていたエッチ
ング排気ガスが有効利用されるとともに、除害手段の寿
命が延長され、したがって廃棄物量も低減される。The essence of the present invention is that at least a part of the etching exhaust gas, which has been conventionally sent from the exhaust path as it is to the abatement means and is discarded, is fed back to the etching gas introduction path again to form a part of the etching gas. The point is to reuse it. As a result, the etching exhaust gas which has been conventionally discarded is effectively used, and the life of the abatement means is extended, and accordingly, the amount of waste is reduced.
【００１５】エッチング排気ガス中には先述したよう
に、 １）．原料として供給されたエッチングガスそのもの
（ＨＢｒ、Ｃｌ2 等） ２）．エッチングガスの分解生成物（Ｂｒ* 、Ｂｒ+ 、
Ｃｌ* 、Ｃｌ+ 等） ３）．エッチングガスの分解生成物の再結合物（ＨＢ
ｒ、Ｃｌ2 等） ４）．エッチング反応生成物（Ｓｉが被エッチング層の
場合にはＳｉＢｒx 、ＳｉＣｌx 等） の４種が主として含まれている。このうち、１）〜３）
はエッチャントとして再利用可能な成分であり、４）は
堆積性の成分である。そこでエッチング排気ガスの少な
くとも一部を取り出し、４）の成分を除去した上でエッ
チングガス導入経路へ流量制御を行った上でフィードバ
ックし、エッチングガスとして再利用するのである。As described above, in the etching exhaust gas, 1). It supplied etching gas itself as a raw material (HBr, Cl 2, etc.) 2). Decomposition products of etching gas (Br * , Br + ,
Cl * , Cl +, etc.) 3). Recombined product of decomposition products of etching gas (HB
r, Cl 2 etc.) 4). Four main types of etching reaction products (SiBr x , SiCl x, etc. when Si is the layer to be etched) are mainly contained. Of these, 1) to 3)
Is a component that can be reused as an etchant, and 4) is a deposition component. Then, at least a part of the etching exhaust gas is taken out, the component 4) is removed, the flow rate is controlled to the etching gas introduction path, the feedback is performed, and the etching exhaust gas is reused as the etching gas.
【００１６】ところで、高速排気エッチングプロセスに
おいては被エッチング基板上からの反応生成物の除去が
過大となり、堆積性成分の不足により側壁保護膜の形成
が不足する場合がある。この結果エッチングパターンに
アンダカットやサイドエッチングが入ることとなる。こ
れを防止するためには、エッチング排気ガス成分中の
４）エッチング反応生成物を除去することなく、１）〜
４）のエッチング排気ガス成分そのままをエッチングガ
ス導入系にフィードバックすれば、堆積性成分が増加し
側壁保護膜の形成量を最適化することが可能となる。こ
れにより、垂直形状のパターンを有する異方性エッチン
グは勿論、堆積性成分を多めに導入すれば順テーパ形状
のパターンを形成することも可能である。かかるパター
ン形状の制御は、他のエッチングパラメータとは独立し
て制御できることも本発明の利点である。By the way, in the high-speed exhaust etching process, the removal of the reaction product from the substrate to be etched becomes excessive, and the formation of the sidewall protective film may be insufficient due to the lack of the deposition component. As a result, an undercut or side etching occurs in the etching pattern. In order to prevent this, it is necessary to remove 4) the etching reaction product in the etching exhaust gas component without removing 1) to
If the etching exhaust gas component of 4) is fed back to the etching gas introduction system as it is, the deposition component increases, and it is possible to optimize the formation amount of the sidewall protective film. Accordingly, not only anisotropic etching having a vertical pattern but also a forward tapered pattern can be formed by introducing a large amount of a deposition component. It is also an advantage of the present invention that such pattern shape control can be controlled independently of other etching parameters.
【００１７】このように制御されたプラズマエッチング
を可能とするため、エッチング装置側においては上述の
ようにエッチング排気ガスのフィードバック経路を２系
統とする。これにより、エッチング成分のみのフィード
バックと、堆積成分をも含めたエッチング排気ガスのフ
ィードバックを、その割合をも含めて自在に制御するき
ことが出来る。すなわち反応生成物の堆積量を他のエッ
チングパラメータと独立に制御することが出来、被エッ
チング層のパターン形状を任意に選択しうるのである。In order to enable such controlled plasma etching, the etching apparatus is provided with two feedback paths for the etching exhaust gas as described above. This makes it possible to freely control the feedback of only the etching component and the feedback of the etching exhaust gas including the deposition component, including the ratio. That is, the deposition amount of the reaction product can be controlled independently of other etching parameters, and the pattern shape of the layer to be etched can be arbitrarily selected.
【００１８】[0018]
【実施例】以下、本発明の具体的実施例につき、図面を
参照して説明する。なお以下の図面では、従来技術の説
明で参照した図５（ａ）〜（ｂ）と同様の構成部分には
同一の参照番号を付すこととする。まず本発明の原理を
図１（ａ）〜（ｂ）を参照して説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following drawings, the same components as those in FIGS. 5A and 5B referred to in the description of the related art will be denoted by the same reference numerals. First, the principle of the present invention will be described with reference to FIGS.
【００１９】ボンベ６からエッチングガス導入経路４に
よりエッチングチャンバ１０に導入されるエッチングガ
スは、ここでプラズマ１３となり被エッチング基板１に
プラズマエッチングを施す。エッチング排気ガスは排気
経路８から排気されるが、そのうちの少なくとも一部を
フィードバック経路１５を介してエッチングガス導入経
路４へ戻す。以上が本発明の基本的構成である。フィー
ドバックするエッチング排気ガス中の反応生成物を除去
する場合には、フィードバック経路１５中に図１（ｂ）
に示すような反応生成物除去手段１４を介在させる。反
応生成物除去手段１４は、一例としてエッチング排気ガ
ス流路中に抵抗加熱ヒータ等により加熱された付着板を
配設し、エッチング排気ガス中の反応生成物であるＳｉ
Ｂｒx やＳｉＣｌx をそのまま、あるいは熱分解してＳ
ｉからなる付着物１７として付着させるものである。こ
れにより分離されたＢｒやＣｌのエッチャントのみをエ
ッチングガス導入経路にフィードバックすることができ
る。なお付着板１７は石英やアルミナ等、耐腐食性に優
れ不純物の放出のない材料により構成するが、必ずしも
図１（ｂ）に示す様な板状でなくてもよく、連続気泡の
多孔質状やハニカムコア状等、エッチング排気ガスとの
接触面積が大きい形状ならばよい。付着物１７の付着量
が一定量を超えて付着能力が低下した場合には交換が容
易なように着脱可能に構成することが望ましい。反応生
成物の除去手段としては他にエッチング排気ガスをイオ
ン化して磁界中で質量分離する方式等も可能である。以
下、本発明の具体的実施例をあげてさらに詳細な説明を
加える。The etching gas introduced into the etching chamber 10 from the cylinder 6 through the etching gas introduction path 4 turns into plasma 13 and performs plasma etching on the substrate 1 to be etched. The etching exhaust gas is exhausted from the exhaust path 8, and at least a part of the exhaust gas is returned to the etching gas introduction path 4 via the feedback path 15. The above is the basic configuration of the present invention. When the reaction product in the etching exhaust gas to be fed back is removed, the reaction path shown in FIG.
The reaction product removing means 14 as shown in FIG. As an example, the reaction product removing means 14 is provided with an attachment plate heated by a resistance heater or the like in an etching exhaust gas flow path, and is a reaction product Si in the etching exhaust gas.
Br x or SiCl x as it is or by thermal decomposition
This is to be attached as an attached matter 17 made of i. As a result, only the separated etchant of Br or Cl can be fed back to the etching gas introduction path. The attachment plate 17 is made of a material having excellent corrosion resistance and releasing no impurities, such as quartz or alumina. However, the attachment plate 17 does not necessarily have to have a plate shape as shown in FIG. Any shape having a large contact area with the etching exhaust gas, such as a honeycomb core or a honeycomb core shape, may be used. If the amount of the adhered substance 17 exceeds a certain amount and the adhering ability is reduced, it is desirable to be configured to be detachable so as to facilitate replacement. As another means for removing the reaction product, a method of ionizing the etching exhaust gas and performing mass separation in a magnetic field is also possible. Hereinafter, a more detailed description will be given with reference to specific examples of the present invention.
【００２０】実施例１ 本実施例は、エッチング排気ガスのフィードバックをお
こない、Ｓｉウェハにトレンチをパターニングした例で
ある。まず本実施例のプラズマエッチング装置の概略構
成例を図２を参照して説明する。Embodiment 1 In this embodiment, an etching exhaust gas is fed back to form a trench on an Si wafer. First, a schematic configuration example of the plasma etching apparatus of the present embodiment will be described with reference to FIG .
【００２１】図２に示すプラズマエッチング装置の基本
的構成は、図５（ａ）に示した装置と同様であるので、
本プラズマエッチング装置の特徴部分のみを説明する。
エッチング排気ガスの排気経路８からエッチングガス導
入経路４に向けて、第１のフィードバック経路１５ａと
第２のフィードバック経路１５ｂを並列に設ける。この
うち、第１のフィードバック経路１５ａには反応生成物
除去手段１４とマスフローコントローラ５ａが介在して
いる。また第２のフィードバック経路１５ｂにはマスフ
ローコントローラ５ｂのみを介在させる。各経路の接続
点は各々３方弁により接続する。以上の装置構成によ
り、エッチング排気ガスの構成成分をそのままフィード
バックするモードと、エッチング排気ガスの構成成分の
うち反応生成物のみを除去してフィードバックするモー
ド、およびエッチング排気ガスの構成成分のうち反応生
成物のうちの一部を任意の割合で除去してフィードバッ
クするモードを自由に選択してプラズマエッチングを施
すことが可能である。なお各３方弁およびマスフローコ
ントローラ５ａ、５ｂの制御は、被エッチング基板１の
種類に応じてエッチングレシピとともに図示しないマイ
クロコンピュータに登録しておき、自動制御する構成と
してもよい。The basic configuration of the plasma etching apparatus shown in FIG . 2 is similar to that of the apparatus shown in FIG.
Only the features of the present plasma etching apparatus will be described.
A first feedback path 15a and a second feedback path 15b are provided in parallel from the etching gas exhaust path 8 to the etching gas introduction path 4. Among them, the reaction product removing means 14 and the mass flow controller 5a are interposed in the first feedback path 15a. Further, only the mass flow controller 5b is interposed in the second feedback path 15b. The connection points of each path are connected by a three-way valve. According to the above-described apparatus configuration, a mode in which the components of the etching exhaust gas are fed back as it is, a mode in which only the reaction products are removed from the components of the etching exhaust gas and fed back, and a mode in which the reaction components of the etching exhaust gas are generated The plasma etching can be performed by freely selecting a mode in which a part of the object is removed at an arbitrary ratio and fed back. The control of each of the three-way valves and the mass flow controllers 5a and 5b may be registered in a microcomputer (not shown) together with an etching recipe according to the type of the substrate 1 to be etched, and may be automatically controlled.
【００２２】つぎに本発明のプラズマエッチング方法に
つき詳細に説明する。本実施例では上述したプラズマエ
ッチング装置を用い、無機系材料マスクによりシリコン
等の半導体基板にトレンチ加工を施した例である。この
際、エッチング排気ガス中の反応生成物を除去した後、
エッチングガス導入経路へフィードバックする方法を採
用した。この工程を図３（ａ）〜（ｂ）を参照して説明
する。本実施例で用いたエッチング試料は、シリコン等
の半導体基板２１上に一例として４００ｎｍの厚さにＳ
ｉＯ2層をＣＶＤにより形成し、このＳｉＯ2層に０．５
μｍ径のトレンチ形成用開口をパターニングして無機系
材料マスク２２としたものである。図３（ａ）に示すこ
のエッチング試料を被エッチング基板とする。Next, the plasma etching method of the present invention will be described in detail. This embodiment is an example in which a trench is formed on a semiconductor substrate such as silicon using an inorganic material mask by using the above-described plasma etching apparatus. At this time, after removing the reaction products in the etching exhaust gas,
A method of feeding back to the etching gas introduction path was adopted. The process with reference to FIG. 3 (a) ~ (b) will be described. The etching sample used in this example is formed on a semiconductor substrate 21 such as silicon to have a thickness of 400 nm as an example.
The iO 2 layer was formed by CVD, 0.5 to the SiO 2 layer
The inorganic material mask 22 is obtained by patterning the opening for forming a trench having a diameter of μm. 3 The etching sample shown in (a) to be etched substrate.
【００２３】この被エッチング基板１を上述したプラズ
マエッチング装置の基板ステージ２上に載置し、下記条
件により半導体基板２１の露出部分をプラズマエッチン
グする。 Ｃｌ2 １００ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．５ Ｐａ 誘導結合コイル電源パワー １５００ Ｗ（１３．５６ＭＨｚ） 基板バイアス電源パワー ５０ Ｗ（２ＭＨｚ） 被エッチング基板温度 ０ ℃ 本実施例におけるＣｌ2ガス１００ ｓｃｃｍの供給
は、ガスボンベ６からの新規ガスが７０ｓｃｃｍ、フィ
ードバック経路１５ａを経由するフィードバックガスが
３０ｓｃｃｍの混合比とした。すなわちエッチング排気
ガス中の反応生成物ＳｉＣｌx を反応生成物除去手段１
４で捕獲し、マスフローコントローラ５ａで流量制御し
て３０ｓｃｃｍのＣｌ2 をエッチングガス導入経路４へ
フィードバックした。エッチング終了後の被エッチング
基板の状態を図３（ｂ）に示す。The substrate 1 to be etched is placed on the substrate stage 2 of the above-described plasma etching apparatus, and the exposed portion of the semiconductor substrate 21 is subjected to plasma etching under the following conditions. Cl 2 100 sccm Gas pressure 0.5 Pa Inductive coupling coil power supply power 1500 W (13.56 MHz) Substrate bias power supply power 50 W (2 MHz) Substrate temperature to be etched 0 ° C. The supply of Cl 2 gas 100 sccm in this embodiment is as follows. The mixing ratio of the new gas from the gas cylinder 6 was 70 sccm and the feedback gas passing through the feedback path 15a was 30 sccm. That is, the reaction product SiClx in the etching exhaust gas is removed by the reaction product removal means 1.
4 and the flow rate was controlled by the mass flow controller 5a, and 30 sccm of Cl2 was fed back to the etching gas introduction path 4. FIG. 3B shows the state of the substrate to be etched after the completion of the etching.
【００２４】本エッチング工程では、高速排気によりエ
ッチングチャンバ１０中の反応生成物ＳｉＣｌx は速や
かに除去されるので、各種ローディング効果のない均一
なプラズマエッチングが可能である。反応生成物のうち
の１部は被エッチング基板１上に堆積し、イオン入射の
すくないトレンチ２３の側面に付着して側壁保護膜（図
示せず）を形成するので、図３（ｂ）に示すようにサイ
ドエッチングのない良好な形状のトレンチ２３が形成さ
れた。またエッチングガスの消費量を実質的に３０％削
減でき、この分除害手段９の寿命を延ばすことができ
た。In this etching step, the reaction product SiClx in the etching chamber 10 is quickly removed by high-speed exhaust, so that uniform plasma etching without various loading effects can be performed. A part of the reaction product is deposited on the substrate 1 to be etched and adheres to the side surface of the trench 23 where ions are not easily incident to form a sidewall protective film (not shown) . Thus, a trench 23 having a good shape without side etching was formed. Further, the consumption of the etching gas could be substantially reduced by 30%, and the life of the harm removal means 9 could be extended.
【００２５】実施例２ 本実施例は多結晶シリコンによるゲート電極・配線をパ
ターニングする例である。ここではエッチング排気ガス
中の反応生成物を１部フィードバックし、被エッチング
基板上への堆積量とエッチング選択比を制御しつつ２段
階エッチングした例であり、これを図４（ａ）〜（ｃ）
を参照して説明する。本実施例で用いたエッチング試料
は、シリコン等の半導体基板３１を熱酸化して１０ｎｍ
の厚さのゲート絶縁膜３２を形成し、この上に減圧ＣＶ
Ｄによりｎ+ 多結晶シリコン層３３を４００ｎｍの厚さ
に形成後、レジストマスク３４を形成したものである。
レジストマスク３４は化学増幅型レジストと位相シフト
マスクを併用したＫｒＦエキシマレーザリソグラフィに
より、０．２μｍの幅に形成した。図４（ａ）に示すこ
のエッチング試料を被エッチング基板とする。Embodiment 2 This embodiment is an example in which a gate electrode and a wiring are made of polycrystalline silicon. This is an example in which one part of the reaction product in the etching exhaust gas is fed back and two-stage etching is performed while controlling the amount of deposition on the substrate to be etched and the etching selectivity, which is shown in FIGS. )
This will be described with reference to FIG. The etching sample used in the present example is formed by thermally oxidizing a semiconductor substrate 31 such as silicon to have a thickness of 10 nm.
Is formed on the gate insulating film 32, and a reduced pressure CV
A resist mask 34 is formed after forming an n + polycrystalline silicon layer 33 to a thickness of 400 nm by D.
The resist mask 34 was formed to have a width of 0.2 μm by KrF excimer laser lithography using both a chemically amplified resist and a phase shift mask. This etching sample shown in FIG. 4A is used as a substrate to be etched.
【００２６】本実施例で用いたプラズマエッチング装置
は、実施例１で説明した図２に示すものと同じ構成であ
る。この被エッチング基板１を基板ステージ２上に載置
し、一例として下記条件によりレジストマスク３４から
露出するｎ+多結晶シリコン層３３をパターニングし
た。まずメインエッチングとして下記条件により第１の
プラズマエッチングを施す。この工程はジャストエッチ
ングに相当する工程である。 Ｃｌ2 １００ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．５ Ｐａ 誘導結合コイル電源パワー １５００ Ｗ（１３．５６ＭＨｚ） 基板バイアス電源パワー ４０ Ｗ（２ＭＨｚ） 被エッチング基板温度 ０ ℃ 第１のプラズマエッチングにおけるＣｌ2ガス１００
ｓｃｃｍの供給は、ガスボンベ６からの新規ガスのみと
した。もちろん実施例１と同様にエッチング排気ガス中
の反応生成物を除去してフィードバックしてガスボンベ
６からの新規ガスとの混合ガスを使用してもよい。第１
のプラズマエッチングにおいては、高速排気の特性を活
かして反応生成物ＳｉＣｌx が速やかに被エッチング基
板上から除去されるので、各種ローディング効果の少な
いパターニングが可能である。ジャストエッチング終了
時の被エッチング基板の状態を図４（ｂ）に示す。The plasma etching apparatus used in this embodiment has the same configuration as that shown in FIG. 2 described in the first embodiment. The substrate 1 to be etched was placed on the substrate stage 2, and as an example, the n + polycrystalline silicon layer 33 exposed from the resist mask 34 was patterned under the following conditions. First, first plasma etching is performed as main etching under the following conditions. This step corresponds to just etching. Cl 2 100 sccm Gas pressure 0.5 Pa Inductive coupling coil power supply power 1500 W (13.56 MHz) Substrate bias power supply power 40 W (2 MHz) Etched substrate temperature 0 ° C. Cl 2 gas 100 in first plasma etching
The supply of sccm was only the new gas from the gas cylinder 6. Of course, as in the first embodiment, a mixed gas with a new gas from the gas cylinder 6 may be used by removing a reaction product in the etching exhaust gas and feeding it back. First
In the plasma etching described above, the reaction product SiClx is quickly removed from the substrate to be etched by utilizing the characteristics of high-speed evacuation, so that various patterning with little loading effect can be performed. FIG. 4B shows the state of the substrate to be etched at the end of the just etching.
【００２７】続けて下記条件により第２のプラズマエッ
チングを施す。この工程はオーバーエッチングに相当す
る工程である。 Ｃｌ2 １００ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．５ Ｐａ 誘導結合コイル電源パワー １５００ Ｗ（１３．５６ＭＨｚ） 基板バイアス電源パワー ４０ Ｗ（２ＭＨｚ） 被エッチング基板温度 ０ ℃ 本オーバーエッチング条件は、見掛け上はジャストエッ
チング条件と同一であるが、Ｃｌ2 ガス１００ ｓｃｃ
ｍの供給のうち、３０ｓｃｃｍはエッチング排気ガスを
フィードバック経路１５ｂを経由してエッチングガス導
入経路４へフィードバックして用いた。すなわち、エッ
チングガス排気ガス中の反応生成物ＳｉＣｌx を除去せ
ずぞのままフィードバックして用いた。Subsequently, a second plasma etching is performed under the following conditions. This step corresponds to over-etching. Cl 2 100 sccm Gas pressure 0.5 Pa Inductive coupling coil power supply 1500 W (13.56 MHz) Substrate bias power supply 40 W (2 MHz) Substrate to be etched 0 ° C. The over-etching conditions are apparently just-etching conditions. Same, but with 100 scc of Cl 2 gas
Of the supply of m, 30 sccm used the etching exhaust gas fed back to the etching gas introduction path 4 via the feedback path 15b. That is, the reaction product SiCl x in the etching gas exhaust gas was fed back without being removed.
【００２８】第２のプラズマエッチング工程では、した
がって第１のプラズマエッチング工程より被エッチング
基板上への堆積物量が増大し、イオン入射の少ないｎ+
多結晶シリコン層３３パターンの側面にはＳｉＣｌx を
主体とし、レジストマスク３４の分解生成物をも含む側
壁保護膜（図示せず）が相対的に厚く形成され、オーバ
ーエッチング工程中のサイドエッチングが防止されると
ともに、下地のゲート絶縁膜３２とのエッチング選択比
も向上した。オーバーエッチング終了後の被エッチング
基板１の状態を図４（ｃ）に示す。本実施例によれば、
エッチング排気ガスのフィードバックにより被エッチン
グ層のパターン形状と選択比とを制御することが可能と
なるとともに、エッチングガスの消費量を実質的に３０
％削減でき、この分除害手段９の寿命を延ばすことがで
きた。In the second plasma etching step, therefore, the amount of deposits on the substrate to be etched is larger than in the first plasma etching step, and n + with less ion incidence
On the side surface of the pattern of the polycrystalline silicon layer 33, a relatively thick side wall protective film (not shown) mainly made of SiCl x and also containing a decomposition product of the resist mask 34 is formed. The etching selectivity with the underlying gate insulating film 32 was also improved. FIG. 4C shows the state of the substrate 1 after overetching. According to the present embodiment,
The feedback of the etching exhaust gas makes it possible to control the pattern shape and the selectivity of the layer to be etched and to reduce the consumption of the etching gas substantially by 30%.
%, And the life of the abatement means 9 can be extended.
【００２９】以上、本発明を２例の実施例により説明し
たが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものでは
ない。Although the present invention has been described with reference to two examples, the present invention is not limited to these examples.
【００３０】例えば、プラズマエッチング装置として大
排気量の真空ポンプを有する誘導結合プラズマエッチン
グ装置を例示したが、ＥＣＲプラズマエッチング装置、
ヘリコン波プラズマエッチング装置、ＴＣＰ（Ｔｒａｎ
ｓｆｏｒｍｅｒ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）エッ
チング装置、さらにはより一般的な平行平板型ＲＩＥ装
置やマグネトロンＲＩＥ装置を用いてもよい。また高速
排気プラズマエッチング装置のみならず、通常の排気量
の真空ポンプを有するプラズマエッチング装置であって
もよい。For example, an inductively coupled plasma etching apparatus having a large-displacement vacuum pump has been exemplified as the plasma etching apparatus.
Helicon wave plasma etching equipment, TCP (Tran
(Former Coupled Plasma) etching apparatus, or more general parallel plate RIE apparatus or magnetron RIE apparatus may be used. Further, not only a high-speed exhaust plasma etching apparatus but also a plasma etching apparatus having a vacuum pump with a normal exhaust amount may be used.
【００３１】エッチングガスとしてＣｌ2 のみを例示し
たが、他のＣｌ系ガス、ＨＢｒ等のＢｒ系ガス、ＨＩ等
のＩ系ガス、ＳＦ6 等のＦ系ガスを被エッチング層に応
じて任意に用いることは自由である。またこれらを混合
ガスとして用いたり、希ガス等を添加して用いてもよ
い。Although only Cl 2 has been exemplified as an etching gas, other Cl-based gases, Br-based gases such as HBr, I-based gases such as HI, and F-based gases such as SF 6 may be arbitrarily selected according to the layer to be etched. It is free to use. These may be used as a mixed gas, or may be used by adding a rare gas or the like.
【００３２】被エッチング層としてシリコン基板とｎ+
多結晶シリコン層を例示したが、酸化シリコン系材料層
への接続孔形成、Ａｌ系金属層、高融点金属層、高融点
金属シリサイド層や高融点金属ポリサイド層等のパター
ニングにおいて、パターン形状や選択比を制御しつつエ
ッチングガスの消費量を削減する目的に好適に適用する
ことが可能である。As a layer to be etched, a silicon substrate and n +
Although the polycrystalline silicon layer has been exemplified, in the formation of connection holes in the silicon oxide-based material layer and the patterning of an Al-based metal layer, a high-melting metal layer, a high-melting metal silicide layer, a high-melting metal polycide layer, and the like, the pattern shape and selection are selected. It can be suitably applied to the purpose of reducing the consumption of the etching gas while controlling the ratio.
【００３３】[0033]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によればプラズマエッチングにおけるエッチングガスの
消費量を削減することが可能となり、このためエッチン
グ排気ガスの除害手段の耐用時間を延長し、吸着済の吸
着材等の産業廃棄物量の削減が可能となる。As is clear from the above description, according to the present invention, it is possible to reduce the consumption of the etching gas in the plasma etching, thereby extending the useful time of the means for removing the exhaust gas from the etching. Thus, the amount of industrial waste such as adsorbed adsorbent can be reduced.
【００３４】またエッチング廃棄ガス中の反応生成物を
もフィードバックすれば、被エッチング基板上への堆積
物量を制御できるので、被エッチング層のパターン形状
や選択比を他のエッチングパラメータとは独立に制御す
ることが可能となる。本発明は通常のプラズマエッチン
グ装置はもちろん、特にエッチングガスの消費量が多
く、堆積物量が不足し易い高速排気プラズマエッチング
に用いて効果的である。If the reaction products in the etching waste gas are also fed back, the amount of deposits on the substrate to be etched can be controlled, so that the pattern shape and selectivity of the layer to be etched can be controlled independently of other etching parameters. It is possible to do. The present invention is effective not only for a general plasma etching apparatus but also for a high-speed exhaust plasma etching in which the consumption of an etching gas is large and the amount of deposits tends to be insufficient.
【図１】本発明の原理を示す図であり、（ａ）は本発明
の基本的概念を示す図、（ｂ）はフィードバック経路中
の反応生成物除去手段の概念図である。FIG. 1 is a diagram showing the principle of the present invention, (a) is a diagram showing the basic concept of the present invention, and (b) is a conceptual diagram of a reaction product removing means in a feedback path.
【図２】本発明のプラズマエッチング装置の概略構成例
を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration example of a plasma etching apparatus of the present invention.
【図３】本発明の実施例１のプラズマエッチング方法を
示す概略断面図であり、（ａ）は半導体基板上に無機系
材料マスクを形成した状態、（ｂ）は半導体基板にトレ
ンチを形成した状態である。3A and 3B are schematic cross-sectional views illustrating a plasma etching method according to a first embodiment of the present invention, in which FIG. 3A illustrates a state in which an inorganic material mask is formed on a semiconductor substrate, and FIG. 3B illustrates a state in which a trench is formed in the semiconductor substrate. State.
【図４】本発明の実施例２のプラズマエッチング方法を
示す概略断面図であり、（ａ）はゲート絶縁膜上にｎ+
多結晶シリコン層とレジストマスクを形成した状態、
（ｂ）はｎ+ 多結晶シリコン層をジャストエッチングし
た状態、（ｃ）はｎ+ 多結晶シリコン層をオーバーエッ
チングした状態である。FIG. 4 is a schematic sectional view showing a plasma etching method according to a second embodiment of the present invention, wherein (a) shows n + on a gate insulating film;
With the polycrystalline silicon layer and resist mask formed,
(B) shows a state where the n + polycrystalline silicon layer is just etched, and (c) shows a state where the n + polycrystalline silicon layer is overetched.
【図５】従来のプラズマエッチング装置の概略構成例を
示す図であり、（ａ）は高速排気プラズマエッチング装
置の概略構成例を示す図、（ｂ）は被エッチング基板近
傍のエッチングガスの流れを模式的に示す図である。5A and 5B are diagrams illustrating a schematic configuration example of a conventional plasma etching apparatus, in which FIG. 5A illustrates a schematic configuration example of a high-speed exhaust plasma etching apparatus, and FIG. 5B illustrates a flow of an etching gas near a substrate to be etched; It is a figure which shows typically.
１ 被エッチング基板 ２ 基板ステージ ４ エッチングガス導入経路 ５、５ａ、５ｂ マスフローコントローラ ８ 排気経路 ９ 除害手段 １０ エッチングチャンバ １３ プラズマ １４ 反応生成物の除去手段 １５ フィードバック経路 １５ａ 第１のフィードバック経路 １５ｂ 第２のフィードバック経路 １６ 付着板 ２１、３１半導体基板 ２２ 無機系材料マスク ２３ トレンチ ３２ ゲート絶縁膜 ３３ ｎ+ 多結晶シリコン層 ３４ レジストマスクDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate to be etched 2 Substrate stage 4 Etching gas introduction path 5, 5a, 5b Mass flow controller 8 Exhaust path 9 Detoxification means 10 Etching chamber 13 Plasma 14 Reaction product removal means 15 Feedback path 15a First feedback path 15b Second Feedback path 16 Attachment plate 21, 31 Semiconductor substrate 22 Inorganic material mask 23 Trench 32 Gate insulating film 33 n + polycrystalline silicon layer 34 Resist mask
Claims (6)
を、エッチングガス導入経路へフィードバックしつつ、Is fed back to the etching gas introduction path,
被エッチング層をパターニングするプラズマエッチングPlasma etching for patterning the layer to be etched
方法において、In the method, エッチング反応生成物を含む前記エッチング排気ガスThe etching exhaust gas containing an etching reaction product
を、前記エッチングガス導入経路へフィードバックするTo the etching gas introduction path.
ことを特徴とするプラズマエッチング方法。A plasma etching method characterized by the above-mentioned.
において、At 前記エッチング排気ガスの構成成分のうち、エッチングAmong the components of the etching exhaust gas, etching
反応生成物を任意の割合で除去して前記エッチングガスThe reaction gas is removed at an arbitrary ratio and the etching gas is removed.
導入経路にフィードバックすることを特徴とするプラズPlaz characterized by feeding back to the introduction path
マエッチング方法。Ma etching method.
において、At 前記エッチング反応生成物を側壁保護膜として前記被エThe etching reaction product is used as a sidewall protective film to form the etching target.
ッチング層上に堆積しつつ前記被エッチング層をエッチEtching the layer to be etched while depositing on the etching layer
ングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。Plasma etching method characterized by performing etching.
を、エッチングガス導入経路へフィードバックしつつ、Is fed back to the etching gas introduction path,
被エッチング層をパターニングするプラズマエッチングPlasma etching for patterning the layer to be etched
方法において、In the method, 前記エッチング排気ガスの少なくとも一部を、該エッチRemoving at least a portion of the etching exhaust gas with the etch
ング排気ガス構成成分中のエッチング反応生成物を除去Removal of etching reaction products in the components of the exhaust gas
するとともに、エッチングガス導入経路へフィードバッAnd feed back to the etching gas introduction path.
クしつつ、被エッチング層をエッチングするジャストエWhile etching the layer to be etched
ッチング工程と、A cutting process, 前記エッチング排気ガスの少なくとも一部を、該エッチRemoving at least a portion of the etching exhaust gas with the etch
ング排気ガス構成成分中のエッチング反応生成物とともWith the etching reaction products in the components of the exhaust gas
にエッチングガス導入経路へフィードバックしつつ、被Feedback to the etching gas introduction path
エッチング層をエッチングするオーバーエッチング工程Overetching process to etch the etching layer
とを有することを特徴とするプラズマエッチング方法。A plasma etching method comprising:
において、At 前記オーバーエッチング工程では、前記エッチング反応In the over-etching step, the etching reaction
生成物を側壁保護膜として前記被エッチング層上に堆積Deposit the product on the layer to be etched as a sidewall protective film
しつつエッチングを行うEtching while doing ことを特徴とするプラズマエッPlasma edge
チング方法。Ching method.
ャンバ、エッチング排気ガスの排気経路、および前記排Chamber, the exhaust path of the etching exhaust gas, and the exhaust path.
気経路中の該エッチング排気ガスの少なくとも一部を前At least a portion of the etching exhaust gas in the gas path.
記エッチングガス導入経路へ戻すフィードバック経路をFeedback path back to the etching gas introduction path
具備してなるプラズマエッチング装置において、In the plasma etching apparatus provided, 前記フィードバック経路は、The feedback path is エッチング排気ガス構成成分中のエッチング反応生成物Etching reaction products in etching exhaust gas components
の除去手段を有する第１のフィードバック経路と、A first feedback path having removal means for: 該エッチング排気ガスの構成成分をそのままフィードバThe components of the etching exhaust gas are fed directly to the feed
ックする第２のフィードバック経路とを有し、A second feedback path to check 前記第１のフィードバック経路および第２のフィードバThe first feedback path and the second feedback
ック経路には、マスフローコントローラが設けられていA mass flow controller is provided on the
ることを特徴とするプラズマエッチング装置。A plasma etching apparatus.
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