JP3308807B2 - 回路基板及びその製造方法 - Google Patents
回路基板及びその製造方法Info
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
Landscapes
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- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、窒化アルミニウム
基板に金属回路を形成させてなる回路基板及びその製造
方法に関するものである。
基板に金属回路を形成させてなる回路基板及びその製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ロボットやモーター等の産業機器
の高性能化に伴い、大電力・高能率インバーター等大電
力モジュールの変遷が進んでおり、半導体素子から発生
する熱も増加の一途をたどっている。この熱を効率よく
放散させるため、大電力モジュール基板では従来より様
々な方法が取られてきた。特に最近では、窒化アルミニ
ウム基板に銅等の金属回路を形成後、そのままあるいは
メッキ等の処理を施してから半導体素子を実装する構造
も採用されつつある。この場合、金属回路を形成させた
窒化アルミニウム基板の反対面には金属放熱板を設けた
構造もある。
の高性能化に伴い、大電力・高能率インバーター等大電
力モジュールの変遷が進んでおり、半導体素子から発生
する熱も増加の一途をたどっている。この熱を効率よく
放散させるため、大電力モジュール基板では従来より様
々な方法が取られてきた。特に最近では、窒化アルミニ
ウム基板に銅等の金属回路を形成後、そのままあるいは
メッキ等の処理を施してから半導体素子を実装する構造
も採用されつつある。この場合、金属回路を形成させた
窒化アルミニウム基板の反対面には金属放熱板を設けた
構造もある。
【０００３】このようなモジュールは、当初、簡単な工
作機械に使用されてきたが、ここ数年、溶接機、電車の
駆動部、電気自動車に使用されるようになり、より厳し
い要求たとえば電流密度を上げるための回路銅厚の増
加、熱衝撃等に対する耐久性の向上、更なる小型化が要
求されるようになってきた。
作機械に使用されてきたが、ここ数年、溶接機、電車の
駆動部、電気自動車に使用されるようになり、より厳し
い要求たとえば電流密度を上げるための回路銅厚の増
加、熱衝撃等に対する耐久性の向上、更なる小型化が要
求されるようになってきた。
【０００４】銅板と窒化アルミニウム基板との接合に
は、両者間に活性金属を含むろう材を介在させ加熱処理
して接合体とする活性金属ろう付け法（例えば特開昭60
-177634 号公報）や、表面が酸化処理された窒化アルミ
ニウム基板と銅板を銅の融点以下でＣｕ−Ｏの共晶温度
以上で加熱接合するＤＢＣ法（例えば特開昭56-163093
号公報）等がある。
は、両者間に活性金属を含むろう材を介在させ加熱処理
して接合体とする活性金属ろう付け法（例えば特開昭60
-177634 号公報）や、表面が酸化処理された窒化アルミ
ニウム基板と銅板を銅の融点以下でＣｕ−Ｏの共晶温度
以上で加熱接合するＤＢＣ法（例えば特開昭56-163093
号公報）等がある。
【０００５】活性金属ろう付け法は、ＤＢＣ法に比べて
以下の利点がある。 （１）接合体を得るための処理温度が低いので、窒化ア
ルミニウム基板と銅板の熱膨張差によって生じる残留応
力が小さい。 （２）ろう材が延性金属であるので、ヒートショックや
ヒートサイクルに対する耐久性が大である。
以下の利点がある。 （１）接合体を得るための処理温度が低いので、窒化ア
ルミニウム基板と銅板の熱膨張差によって生じる残留応
力が小さい。 （２）ろう材が延性金属であるので、ヒートショックや
ヒートサイクルに対する耐久性が大である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、活性金
属ろう付け法によっても、得られた回路基板のヒートシ
ョックやヒートサイクルに対する耐久性が十分とはいえ
ず新しい技術の出現が待たれていた。そこで、金属放熱
板の体積が金属回路板（通常はセラミックス基板の上面
に設けられる）の体積の５０〜９５％となるように調整
したり（特開昭６３−２４８１９５号公報）、放熱側銅
板の厚さを回路側銅板の厚さの５０％以下とすること
（特開平５−１７０５６４号公報）の提案があるが、こ
れらのみでは上記厳しい要求に対して不十分である。
属ろう付け法によっても、得られた回路基板のヒートシ
ョックやヒートサイクルに対する耐久性が十分とはいえ
ず新しい技術の出現が待たれていた。そこで、金属放熱
板の体積が金属回路板（通常はセラミックス基板の上面
に設けられる）の体積の５０〜９５％となるように調整
したり（特開昭６３−２４８１９５号公報）、放熱側銅
板の厚さを回路側銅板の厚さの５０％以下とすること
（特開平５−１７０５６４号公報）の提案があるが、こ
れらのみでは上記厳しい要求に対して不十分である。
【０００７】従って、窒化アルミニウム基板自体の改善
が不可欠となる。窒化アルミニウム焼結体の製造には常
圧焼結法とホットプレス法がある。常圧焼結法はホット
プレス法に比べて簡単かつ量産的であるが、窒化アルミ
ニウム焼結体に気孔などの欠陥を生じやすく、また焼結
助剤成分と窒化アルミニウム成分との反応によって生成
した第２、第３相が比較的高い蒸気圧を持つため偏析を
生じやすく、ホットプレス法で製造した焼結体に比べて
熱衝撃性は弱くなる傾向がある。
が不可欠となる。窒化アルミニウム焼結体の製造には常
圧焼結法とホットプレス法がある。常圧焼結法はホット
プレス法に比べて簡単かつ量産的であるが、窒化アルミ
ニウム焼結体に気孔などの欠陥を生じやすく、また焼結
助剤成分と窒化アルミニウム成分との反応によって生成
した第２、第３相が比較的高い蒸気圧を持つため偏析を
生じやすく、ホットプレス法で製造した焼結体に比べて
熱衝撃性は弱くなる傾向がある。
【０００８】一方、セラミックスの脆性を改善する手段
として、純安定な正方晶ＺｒＯ2 を部分的に安定化して
分散させたいわゆる「ジルコニアタフンドセラミック
ス」は実用化段階に入っている。これは、正方晶ＺｒＯ
2 が安定な単斜晶へ変態する際にともなう体積変化を利
用して破壊エネルギーを吸収したり、クラックの進行を
阻害することにより靭性を強化する方法であるが、ジル
コニアの熱伝導性があまり良好でないので高熱伝導性の
要求される絶縁基板としては適当ではない。
として、純安定な正方晶ＺｒＯ2 を部分的に安定化して
分散させたいわゆる「ジルコニアタフンドセラミック
ス」は実用化段階に入っている。これは、正方晶ＺｒＯ
2 が安定な単斜晶へ変態する際にともなう体積変化を利
用して破壊エネルギーを吸収したり、クラックの進行を
阻害することにより靭性を強化する方法であるが、ジル
コニアの熱伝導性があまり良好でないので高熱伝導性の
要求される絶縁基板としては適当ではない。
【０００９】本発明の目的は、正方晶ＺｒＯ2 の靱性を
利用し、熱伝導性を損なわせることなく、ヒートショッ
クやヒートサイクルに対する耐久性を更に改善した回路
基板及びその製造方法を提供することである。
利用し、熱伝導性を損なわせることなく、ヒートショッ
クやヒートサイクルに対する耐久性を更に改善した回路
基板及びその製造方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、以
下を要旨とするものである。 （請求項１）金属回路と窒化アルミニウム基板とが、窒
化アルミニウム基板表面の少なくとも一部の面に、３Ｚ
ｒＯ2 ・２Ｙ2 Ｏ3 及び正方晶ＺｒＯ2 を含む酸化物層
を形成させた状態で接合されてなることを特徴とする回
路基板。 （請求項２）金属回路の反対面に金属放熱板を有してな
るものであることを特徴とする請求項１記載の回路基
板。 （請求項３）上記酸化物層が金属回路と接面している窒
化アルミニウム基板表面の少なくとも一部に形成させた
ものであることを特徴とする請求項１又は２記載の回路
基板。 （請求項４）上記酸化物層が金属回路と接面していない
窒化アルミニウム基板表面の少なくとも一部に形成させ
たものであることを特徴とする請求項１又は２記載の回
路基板。 （請求項５）上記酸化物層が金属回路と接面していない
窒化アルミニウム基板表面の少なくとも一部に形成させ
たものであることを特徴とする請求項３記載の回路基
板。 （請求項６）イットリアを含む窒化アルミニウム基板の
金属回路を形成させる面の一部又は全面に、アルミナゾ
ル及び／又はアルミニウム塩溶液を塗布した後焼成する
か、又はアルミニウム粉と有機バインダー含む溶液を塗
布した後焼成して、金属回路を形成させる窒化アルミニ
ウム基板面の一部又は全面にＹとＡｌを含む酸化物の層
を形成させた後、その窒化アルミニウム基板面と金属板
とをジルコニウム又はその化合物を含む活性金属ろう材
で接合した後、エッチングして金属回路を形成させるこ
とを特徴とする回路基板の製造方法。 （請求項７）イットリアを含む窒化アルミニウム基板の
金属回路を形成させる面の一部又は全面に、アルミナゾ
ル及び／又はアルミニウム塩溶液を塗布した後焼成する
か、又はアルミニウム粉と有機バインダー含む溶液を塗
布した後焼成して、金属回路を形成させる窒化アルミニ
ウム基板面の一部又は全面にＹとＡｌを含む酸化物の層
を形成させた後、その窒化アルミニウム基板面に金属回
路パターンをジルコニウム又はその化合物を含む活性金
属ろう材で接合し、金属回路を形成させることを特徴と
する回路基板の製造方法。
下を要旨とするものである。 （請求項１）金属回路と窒化アルミニウム基板とが、窒
化アルミニウム基板表面の少なくとも一部の面に、３Ｚ
ｒＯ2 ・２Ｙ2 Ｏ3 及び正方晶ＺｒＯ2 を含む酸化物層
を形成させた状態で接合されてなることを特徴とする回
路基板。 （請求項２）金属回路の反対面に金属放熱板を有してな
るものであることを特徴とする請求項１記載の回路基
板。 （請求項３）上記酸化物層が金属回路と接面している窒
化アルミニウム基板表面の少なくとも一部に形成させた
ものであることを特徴とする請求項１又は２記載の回路
基板。 （請求項４）上記酸化物層が金属回路と接面していない
窒化アルミニウム基板表面の少なくとも一部に形成させ
たものであることを特徴とする請求項１又は２記載の回
路基板。 （請求項５）上記酸化物層が金属回路と接面していない
窒化アルミニウム基板表面の少なくとも一部に形成させ
たものであることを特徴とする請求項３記載の回路基
板。 （請求項６）イットリアを含む窒化アルミニウム基板の
金属回路を形成させる面の一部又は全面に、アルミナゾ
ル及び／又はアルミニウム塩溶液を塗布した後焼成する
か、又はアルミニウム粉と有機バインダー含む溶液を塗
布した後焼成して、金属回路を形成させる窒化アルミニ
ウム基板面の一部又は全面にＹとＡｌを含む酸化物の層
を形成させた後、その窒化アルミニウム基板面と金属板
とをジルコニウム又はその化合物を含む活性金属ろう材
で接合した後、エッチングして金属回路を形成させるこ
とを特徴とする回路基板の製造方法。 （請求項７）イットリアを含む窒化アルミニウム基板の
金属回路を形成させる面の一部又は全面に、アルミナゾ
ル及び／又はアルミニウム塩溶液を塗布した後焼成する
か、又はアルミニウム粉と有機バインダー含む溶液を塗
布した後焼成して、金属回路を形成させる窒化アルミニ
ウム基板面の一部又は全面にＹとＡｌを含む酸化物の層
を形成させた後、その窒化アルミニウム基板面に金属回
路パターンをジルコニウム又はその化合物を含む活性金
属ろう材で接合し、金属回路を形成させることを特徴と
する回路基板の製造方法。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、更に詳しく本発明を説明す
る。
る。
【００１２】本発明の特徴は、窒化アルミニウム基板に
金属回路が形成されてなる回路基板、又は窒化アルミニ
ウム基板に金属回路と金属放熱板が形成されてなる回路
基板において、窒化アルミニウム基板表面の少なくとも
一部の面に、３ＺｒＯ2 ・２Ｙ2 Ｏ3 及び正方晶ＺｒＯ
2 を含む酸化物層を形成させた状態で接合させ、破壊の
起点源を強化したことにある。これによって、回路基板
の熱伝導性を損なうことなく、ヒートショックやヒート
サイクルに対する耐久性を更に改善することができる。
金属回路が形成されてなる回路基板、又は窒化アルミニ
ウム基板に金属回路と金属放熱板が形成されてなる回路
基板において、窒化アルミニウム基板表面の少なくとも
一部の面に、３ＺｒＯ2 ・２Ｙ2 Ｏ3 及び正方晶ＺｒＯ
2 を含む酸化物層を形成させた状態で接合させ、破壊の
起点源を強化したことにある。これによって、回路基板
の熱伝導性を損なうことなく、ヒートショックやヒート
サイクルに対する耐久性を更に改善することができる。
【００１３】今日、信頼性の点で最も改善が望まれてい
る回路基板は、パワーモジュール等に使用されている銅
厚付け回路基板であり、通常、厚み０．１５〜０．５ｍ
ｍの銅回路を窒化アルミニウム基板に形成させている
が、熱履歴を受けると銅と窒化アルミニウムの熱膨張差
によって応力が生じる。小さな応力は、主に銅回路又は
その反対面の放熱銅板の弾性・塑性変形で吸収される
が、繰り返しの熱履歴の間に蓄積された応力や、大きな
温度変化によって生じた応力は、窒化アルミニウム基板
の破壊によって解放される。すなわち、熱的なストレス
で窒化アルミニウム基板が損傷を受ける場合は、金属回
路が接合されている界面、特に金属回路の縁面が破壊の
起点となる。従って、窒化アルミニウム基板表面の少な
くとも一部に３ＺｒＯ2 ・２Ｙ2 Ｏ3 及び正方晶ＺｒＯ
2 を含む酸化物層を形成させると、その部分の靱性が高
まり、しかも３ＺｒＯ2 ・２Ｙ2 Ｏ3 及び正方晶ＺｒＯ
2 の存在量も少なくすることができるので、窒化アルミ
ニウム基板の熱伝導性を大きく犠牲にしないでヒートシ
ョックやヒートサイクルに対する耐久性を改善すること
ができる。
る回路基板は、パワーモジュール等に使用されている銅
厚付け回路基板であり、通常、厚み０．１５〜０．５ｍ
ｍの銅回路を窒化アルミニウム基板に形成させている
が、熱履歴を受けると銅と窒化アルミニウムの熱膨張差
によって応力が生じる。小さな応力は、主に銅回路又は
その反対面の放熱銅板の弾性・塑性変形で吸収される
が、繰り返しの熱履歴の間に蓄積された応力や、大きな
温度変化によって生じた応力は、窒化アルミニウム基板
の破壊によって解放される。すなわち、熱的なストレス
で窒化アルミニウム基板が損傷を受ける場合は、金属回
路が接合されている界面、特に金属回路の縁面が破壊の
起点となる。従って、窒化アルミニウム基板表面の少な
くとも一部に３ＺｒＯ2 ・２Ｙ2 Ｏ3 及び正方晶ＺｒＯ
2 を含む酸化物層を形成させると、その部分の靱性が高
まり、しかも３ＺｒＯ2 ・２Ｙ2 Ｏ3 及び正方晶ＺｒＯ
2 の存在量も少なくすることができるので、窒化アルミ
ニウム基板の熱伝導性を大きく犠牲にしないでヒートシ
ョックやヒートサイクルに対する耐久性を改善すること
ができる。
【００１４】図１〜図１２は、本発明の回路基板の実施
態様を示したものであり、図１は回路基板の斜視図であ
り、図２〜図１２は図１のＸ−Ｘ断面における一部切欠
断面図である。これらの図はいずれも、金属回路１と窒
化アルミニウム基板２とが、窒化アルミニウム基板表面
の少なくとも一部の面に、３ＺｒＯ2 ・２Ｙ2 Ｏ3 及び
正方晶ＺｒＯ2 を含む酸化物層３を形成させた状態で接
合されていることを表している。図２〜図１０の例は、
接合層４により金属回路１と窒化アルミニウム基板２が
接合されたものであり、図１１と図１２の例は、接合層
４を介しないで金属回路１と窒化アルミニウム基板２が
接合されたものである。図１〜図１２には、金属放熱板
を設けない構造のものを示したが、金属回路を形成させ
た反対側の窒化アルミニウム基板面に金属放熱板を設け
た構造のものであってもよい。
態様を示したものであり、図１は回路基板の斜視図であ
り、図２〜図１２は図１のＸ−Ｘ断面における一部切欠
断面図である。これらの図はいずれも、金属回路１と窒
化アルミニウム基板２とが、窒化アルミニウム基板表面
の少なくとも一部の面に、３ＺｒＯ2 ・２Ｙ2 Ｏ3 及び
正方晶ＺｒＯ2 を含む酸化物層３を形成させた状態で接
合されていることを表している。図２〜図１０の例は、
接合層４により金属回路１と窒化アルミニウム基板２が
接合されたものであり、図１１と図１２の例は、接合層
４を介しないで金属回路１と窒化アルミニウム基板２が
接合されたものである。図１〜図１２には、金属放熱板
を設けない構造のものを示したが、金属回路を形成させ
た反対側の窒化アルミニウム基板面に金属放熱板を設け
た構造のものであってもよい。
【００１５】次に、３ＺｒＯ2 ・２Ｙ2 Ｏ3 及び正方晶
ＺｒＯ2 を含む酸化物層（以下、単に「酸化物層」とい
うこともある。）３を窒化アルミニウム基板２の表面に
形成させる位置関係について説明する。なお、通常、金
属回路１は複数個（１ａ、１ｂ・・・）設けられるが、
以下の説明では金属回路１ａを代表させて行う。金属回
路１ｂ等については、金属回路１ａと同様な位置関係で
酸化物層３を形成させてもよく、異なる位置関係で酸化
物層３を形成させてもよい。
ＺｒＯ2 を含む酸化物層（以下、単に「酸化物層」とい
うこともある。）３を窒化アルミニウム基板２の表面に
形成させる位置関係について説明する。なお、通常、金
属回路１は複数個（１ａ、１ｂ・・・）設けられるが、
以下の説明では金属回路１ａを代表させて行う。金属回
路１ｂ等については、金属回路１ａと同様な位置関係で
酸化物層３を形成させてもよく、異なる位置関係で酸化
物層３を形成させてもよい。
【００１６】図２〜図８の例は、請求項３に該当するも
のであり、酸化物層３は金属回路１ａと接面している窒
化アルミニウム基板２の表面の少なくとも一部に形成し
ていることを示している。図２のように、金属回路１ａ
と接面している窒化アルミニウム基板２の全面に酸化物
層３を形成させることによる利点は、金属回路１ａの上
面に電極を取り付ける際の窒化アルミニウム基板の損傷
を少なくできることである。また、図４〜図８のよう
に、金属回路１ａと接面している窒化アルミニウム基板
２の表面の一部にのみ酸化物層３を形成させることの利
点は、酸化物層３は窒化アルミニウム基板よりも熱伝導
性が小さいので、その悪影響を少なくできることであ
る。上記のように、熱的なストレスで窒化アルミニウム
基板が損傷を受ける場合、金属回路の縁面が破壊の起点
となることが多いので、図６〜図８に示したように、酸
化物層３は金属回路下面の中央付近には形成させないで
縁面に形成させることが特に好ましい。
のであり、酸化物層３は金属回路１ａと接面している窒
化アルミニウム基板２の表面の少なくとも一部に形成し
ていることを示している。図２のように、金属回路１ａ
と接面している窒化アルミニウム基板２の全面に酸化物
層３を形成させることによる利点は、金属回路１ａの上
面に電極を取り付ける際の窒化アルミニウム基板の損傷
を少なくできることである。また、図４〜図８のよう
に、金属回路１ａと接面している窒化アルミニウム基板
２の表面の一部にのみ酸化物層３を形成させることの利
点は、酸化物層３は窒化アルミニウム基板よりも熱伝導
性が小さいので、その悪影響を少なくできることであ
る。上記のように、熱的なストレスで窒化アルミニウム
基板が損傷を受ける場合、金属回路の縁面が破壊の起点
となることが多いので、図６〜図８に示したように、酸
化物層３は金属回路下面の中央付近には形成させないで
縁面に形成させることが特に好ましい。
【００１７】図９の例は請求項４に該当するものであ
り、図１０の例は請求項５に該当するものである。この
ような構造の回路基板であっても、所期の目的を十分に
達成することができる。
り、図１０の例は請求項５に該当するものである。この
ような構造の回路基板であっても、所期の目的を十分に
達成することができる。
【００１８】図２〜図１０の例における接合層４は、ろ
う材が一般的であるが、図１１と図１２のように接合層
４を介さないで金属回路１と窒化アルミニウム基板２を
接合させることもできる。その方法は、例えば窒化アル
ミニウム基板の表面にあらかじめ３ＺｒＯ2 ・２Ｙ2 Ｏ
3 及び正方晶ＺｒＯ2 を含む酸化物層３を形成させてお
き、そこに銅板又は銅回路パターンを直接配置しＣｕ−
Ｏの共晶温度以上で加熱接合することである。
う材が一般的であるが、図１１と図１２のように接合層
４を介さないで金属回路１と窒化アルミニウム基板２を
接合させることもできる。その方法は、例えば窒化アル
ミニウム基板の表面にあらかじめ３ＺｒＯ2 ・２Ｙ2 Ｏ
3 及び正方晶ＺｒＯ2 を含む酸化物層３を形成させてお
き、そこに銅板又は銅回路パターンを直接配置しＣｕ−
Ｏの共晶温度以上で加熱接合することである。
【００１９】本発明で使用される窒化アルミニウム基板
の厚みとしては、厚すぎると熱抵抗が大きくなり、薄す
ぎると耐久性がなくなるので、０．３〜０．８ｍｍ程度
であることが好ましい。
の厚みとしては、厚すぎると熱抵抗が大きくなり、薄す
ぎると耐久性がなくなるので、０．３〜０．８ｍｍ程度
であることが好ましい。
【００２０】金属回路の材質としては、銅、アルミニウ
ム、タングステン、モリブデン等が使用されるが、銅が
一般的である。金属回路の厚みとしては、近年、電流密
度が増加していく傾向から０．３ｍｍよりも厚い方が好
ましい。また、窒化アルミニウム基板の表面に金属回路
が、またその裏面には金属放熱板が形成された構造にお
けるその金属放熱板の材質についても、上記したものが
使用され、またその厚みは０．２ｍｍ以下であることが
好ましい。
ム、タングステン、モリブデン等が使用されるが、銅が
一般的である。金属回路の厚みとしては、近年、電流密
度が増加していく傾向から０．３ｍｍよりも厚い方が好
ましい。また、窒化アルミニウム基板の表面に金属回路
が、またその裏面には金属放熱板が形成された構造にお
けるその金属放熱板の材質についても、上記したものが
使用され、またその厚みは０．２ｍｍ以下であることが
好ましい。
【００２１】本発明において、酸化物層の３ＺｒＯ2 ・
２Ｙ2 Ｏ3 及び正方晶ＺｒＯ2 の存在量は、Ｘ線回折に
よって容易に知ることができる。すなわち、回路基板か
ら金属回路と接合層を硝酸、フッ酸等の酸類で溶解し、
残った窒化アルミニウム基板をＸ線回折分析を行い回折
線強度比を求めることによって行うことができる。Ｘ線
回折においては、窒化アルミニウム基板の表面又はその
近傍の３ＺｒＯ2 ・２Ｙ2 Ｏ3 及び正方晶ＺｒＯ2 が測
定され内部のそれは無視されるが、本発明においては窒
化アルミニウム基板の表面におけるそれらの化合物の存
在が重要であるのでこの測定法を採用することができ
る。
２Ｙ2 Ｏ3 及び正方晶ＺｒＯ2 の存在量は、Ｘ線回折に
よって容易に知ることができる。すなわち、回路基板か
ら金属回路と接合層を硝酸、フッ酸等の酸類で溶解し、
残った窒化アルミニウム基板をＸ線回折分析を行い回折
線強度比を求めることによって行うことができる。Ｘ線
回折においては、窒化アルミニウム基板の表面又はその
近傍の３ＺｒＯ2 ・２Ｙ2 Ｏ3 及び正方晶ＺｒＯ2 が測
定され内部のそれは無視されるが、本発明においては窒
化アルミニウム基板の表面におけるそれらの化合物の存
在が重要であるのでこの測定法を採用することができ
る。
【００２２】本発明において、酸化物層の厚みとしては
０．５〜１０μｍであることが望ましい。０．５μｍ未
満では効果が少なく、また１０μｍをこえると熱膨張差
による熱応力によってマイクロクラックが発生するよう
になる。
０．５〜１０μｍであることが望ましい。０．５μｍ未
満では効果が少なく、また１０μｍをこえると熱膨張差
による熱応力によってマイクロクラックが発生するよう
になる。
【００２３】また、酸化物層中の正方晶ＺｒＯ2 の存在
量があまり少ないと靭性の改善効果が小さくなり、また
あまり多いと熱抵抗が大きくなるので、０. ０２≦ＩZ
／Ｉ A ≦０. ３が適当である。ここに、ＩA は窒化アル
ミニウムの（１０１）面の回折線強度、ＩZ は正方晶Ｚ
ｒＯ2 の（１１１）面の回折線強度である。
量があまり少ないと靭性の改善効果が小さくなり、また
あまり多いと熱抵抗が大きくなるので、０. ０２≦ＩZ
／Ｉ A ≦０. ３が適当である。ここに、ＩA は窒化アル
ミニウムの（１０１）面の回折線強度、ＩZ は正方晶Ｚ
ｒＯ2 の（１１１）面の回折線強度である。
【００２４】更に、酸化物層中の３ＺｒＯ2 ・２Ｙ2 Ｏ
3 の存在量があまり少ないと靭性の改善効果が小さくな
り、またあまり多いと正方晶ＺｒＯ2 の量が少なくなっ
てこれまた靱性の改善効果が小さくなる。本発明におい
ては、Ｘ線回折による強度比が０. ００１≦ＩZY／ＩA
≦０. ０３であることが好ましい。ここに、ＩA は窒化
アルミニウムの（１０１）面の回折線強度、ＩZYは３Ｚ
ｒＯ2 ・２Ｙ2 Ｏ3 の（００３）面の回折線強度であ
る。
3 の存在量があまり少ないと靭性の改善効果が小さくな
り、またあまり多いと正方晶ＺｒＯ2 の量が少なくなっ
てこれまた靱性の改善効果が小さくなる。本発明におい
ては、Ｘ線回折による強度比が０. ００１≦ＩZY／ＩA
≦０. ０３であることが好ましい。ここに、ＩA は窒化
アルミニウムの（１０１）面の回折線強度、ＩZYは３Ｚ
ｒＯ2 ・２Ｙ2 Ｏ3 の（００３）面の回折線強度であ
る。
【００２５】次に、本発明の回路基板の製造方法につい
て説明する。
て説明する。
【００２６】イットリアを焼結助剤として製造された窒
化アルミニウム基板を準備する。窒化アルミニウム基板
の表面状態は重要であり、微少な欠陥や窪み等は金属板
又は金属回路パターンとの接触面積に大きな悪影響を与
えるため平滑であることが望ましく、それにはホーニン
グや機械加工等の処理が施されたものが望ましい。
化アルミニウム基板を準備する。窒化アルミニウム基板
の表面状態は重要であり、微少な欠陥や窪み等は金属板
又は金属回路パターンとの接触面積に大きな悪影響を与
えるため平滑であることが望ましく、それにはホーニン
グや機械加工等の処理が施されたものが望ましい。
【００２７】次いで、金属回路を形成させる窒化アルミ
ニウム基板面の一部又は全面に、（１）アルミナゾル及
び／又はアルミニウム塩溶液を塗布した後焼成すか、又
は（２）アルミニウム粉と有機バインダーを含む溶液を
塗布した後焼成して、アルミナやＹ2 Ｏ3 等のＹとＡｌ
を含む酸化物の層を形成させる。
ニウム基板面の一部又は全面に、（１）アルミナゾル及
び／又はアルミニウム塩溶液を塗布した後焼成すか、又
は（２）アルミニウム粉と有機バインダーを含む溶液を
塗布した後焼成して、アルミナやＹ2 Ｏ3 等のＹとＡｌ
を含む酸化物の層を形成させる。
【００２８】特に、Ｘ線回折によるαーアルミナ（１０
４）面の回折線強度Ｉ104 とアルミン酸イットリウム
（４００）の回折線強度Ｉ400 の比（Ｉ104 ／Ｉ400 ）
が０．１〜２．５となるような酸化物の層を形成させる
ことが最適である。このような表面処理された窒化アル
ミニウム基板を用いることによって、αーアルミナは活
性金属ろう材と反応して酸化物を形成し熱応力の緩衝層
となり、またアルミン酸イットリウムは活性金属ろう材
と反応し強固な接合層を形成する。そのため、強固な接
合強度を保持しながら、ヒートショックやヒートサイク
ルに対する耐久性が十分に高い回路基板を製造すること
ができる。
４）面の回折線強度Ｉ104 とアルミン酸イットリウム
（４００）の回折線強度Ｉ400 の比（Ｉ104 ／Ｉ400 ）
が０．１〜２．５となるような酸化物の層を形成させる
ことが最適である。このような表面処理された窒化アル
ミニウム基板を用いることによって、αーアルミナは活
性金属ろう材と反応して酸化物を形成し熱応力の緩衝層
となり、またアルミン酸イットリウムは活性金属ろう材
と反応し強固な接合層を形成する。そのため、強固な接
合強度を保持しながら、ヒートショックやヒートサイク
ルに対する耐久性が十分に高い回路基板を製造すること
ができる。
【００２９】次に、この表面処理された窒化アルミニウ
ム基板と金属板をジルコニウム又はその化合物を含む活
性金属ろう材で接合した後エッチングして金属回路を形
成させるか（請求項６）、又は表面処理された窒化アル
ミニウム基板と金属回路パターンをジルコニウム又はそ
の化合物を含む活性金属ろう材で接合して金属回路を形
成させる。
ム基板と金属板をジルコニウム又はその化合物を含む活
性金属ろう材で接合した後エッチングして金属回路を形
成させるか（請求項６）、又は表面処理された窒化アル
ミニウム基板と金属回路パターンをジルコニウム又はそ
の化合物を含む活性金属ろう材で接合して金属回路を形
成させる。
【００３０】本発明において、表面にＹとＡｌを含む酸
化物の層を有しない窒化アルミニウム基板を用いてジル
コニウム又はその化合物を含む活性金属ろう材により金
属板又は金属回路パターンを接合したのでは、３ＺｒＯ
2 ・２Ｙ2 Ｏ3 及び正方晶ＺｒＯ2 を含む酸化物層が窒
化アルミニウム基板表面に形成されずにＺr Ｎが生成し
てしまい、またＹＡＧ相を含む窒化アルミニウム基板で
は３Ｚr Ｏ2 ・２Ｙ2Ｏ3 が生成して本発明の目的を達
成することができない。
化物の層を有しない窒化アルミニウム基板を用いてジル
コニウム又はその化合物を含む活性金属ろう材により金
属板又は金属回路パターンを接合したのでは、３ＺｒＯ
2 ・２Ｙ2 Ｏ3 及び正方晶ＺｒＯ2 を含む酸化物層が窒
化アルミニウム基板表面に形成されずにＺr Ｎが生成し
てしまい、またＹＡＧ相を含む窒化アルミニウム基板で
は３Ｚr Ｏ2 ・２Ｙ2Ｏ3 が生成して本発明の目的を達
成することができない。
【００３１】上記ＹとＡｌを含む酸化物の層を形成させ
る手段（１）において、アルミニウム塩水溶液の濃度は
２Ｎ以下が適している。２Ｎこえる濃度ではＹとＡｌを
含む酸化物の層が過剰に生成してしまい十分な接合強度
が得られなくなる。アルミニウム塩としては、硫酸アル
ミニウム、硝酸アルミニウム等が使用される。また、ア
ルミナゾル、水酸化アルミニウムも使用することができ
る。
る手段（１）において、アルミニウム塩水溶液の濃度は
２Ｎ以下が適している。２Ｎこえる濃度ではＹとＡｌを
含む酸化物の層が過剰に生成してしまい十分な接合強度
が得られなくなる。アルミニウム塩としては、硫酸アル
ミニウム、硝酸アルミニウム等が使用される。また、ア
ルミナゾル、水酸化アルミニウムも使用することができ
る。
【００３２】上記ＹとＡｌを含む酸化物の層を形成させ
る手段（２）において、有機バインダーとしては、メチ
ルセルロース、エチルセルロース、ＰＩＢＭＡ（ポリイ
ソブチルメタアクリレート）等が使用され、その割合は
活性金属ろう材の金属成分に対し２〜１５重量％である
ことが好ましい。溶液の粘度は１０００〜３０００ｃｐ
ｓが好ましく、有機溶剤としては難揮発性であるテルピ
ネオールが好ましき使用される。
る手段（２）において、有機バインダーとしては、メチ
ルセルロース、エチルセルロース、ＰＩＢＭＡ（ポリイ
ソブチルメタアクリレート）等が使用され、その割合は
活性金属ろう材の金属成分に対し２〜１５重量％である
ことが好ましい。溶液の粘度は１０００〜３０００ｃｐ
ｓが好ましく、有機溶剤としては難揮発性であるテルピ
ネオールが好ましき使用される。
【００３３】本発明で使用される活性金属ろう材の金属
成分は、銀、銅、銀−銅、亜鉛、インジウム、カドミウ
ム、スズ等を主成分とし、溶融時の窒化アルミニウム基
板との濡れ性を確保するために活性金属を副成分とす
る。その活性金属は、窒化アルミニウム基板と反応して
酸化物や窒化物を生成させ、それらの生成物がろう材と
窒化アルミニウム基板との結合を強固なものにする。
成分は、銀、銅、銀−銅、亜鉛、インジウム、カドミウ
ム、スズ等を主成分とし、溶融時の窒化アルミニウム基
板との濡れ性を確保するために活性金属を副成分とす
る。その活性金属は、窒化アルミニウム基板と反応して
酸化物や窒化物を生成させ、それらの生成物がろう材と
窒化アルミニウム基板との結合を強固なものにする。
【００３４】活性金属の具体例をあげれば、チタン、ジ
ルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、バナジウ
ムやこれらの化合物であるが、本発明においてはジルコ
ニウム又はその化合物が必須成分となる。好ましい活性
金属成分は、ジルコニウム又はその化合物と他の活性金
属成分特にチタン又はその化合物と併用することであ
る。これらの比率の一例を示せば、銀６９〜１００重量
部と銅０〜３１重量部の合計量１００重量部あたり、ジ
ルコニウム又はその化合物０．５〜１０重量部特に１〜
８重量部である。ジルコニウム又はその化合物があまり
多いと接合温度が高くなって接合後に室温まで冷却する
際に生じる熱応力が大きくなり、またあまり少ないと生
成する３ＺｒＯ2 ・２Ｙ2 Ｏ3 及び正方晶ＺｒＯ2 を含
む酸化物層が少なくなって靭性の改善効果が小さくな
る。
ルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、バナジウ
ムやこれらの化合物であるが、本発明においてはジルコ
ニウム又はその化合物が必須成分となる。好ましい活性
金属成分は、ジルコニウム又はその化合物と他の活性金
属成分特にチタン又はその化合物と併用することであ
る。これらの比率の一例を示せば、銀６９〜１００重量
部と銅０〜３１重量部の合計量１００重量部あたり、ジ
ルコニウム又はその化合物０．５〜１０重量部特に１〜
８重量部である。ジルコニウム又はその化合物があまり
多いと接合温度が高くなって接合後に室温まで冷却する
際に生じる熱応力が大きくなり、またあまり少ないと生
成する３ＺｒＯ2 ・２Ｙ2 Ｏ3 及び正方晶ＺｒＯ2 を含
む酸化物層が少なくなって靭性の改善効果が小さくな
る。
【００３５】活性金属ろう材は、通常はペーストで使用
され、それは上記ろう材の金属成分に有機溶剤と必要に
応じて有機結合剤を加え、ロール、ニーダ、万能混合
機、らいかい機等で混合することによって調製すること
ができる。有機溶剤としてはメチルセルソルブ、テルピ
ネオール、イソホロン、トルエン等、また有機結合剤と
してはエチルセルロース、メチルセルロース、ポリメタ
クリレート等が使用される。
され、それは上記ろう材の金属成分に有機溶剤と必要に
応じて有機結合剤を加え、ロール、ニーダ、万能混合
機、らいかい機等で混合することによって調製すること
ができる。有機溶剤としてはメチルセルソルブ、テルピ
ネオール、イソホロン、トルエン等、また有機結合剤と
してはエチルセルロース、メチルセルロース、ポリメタ
クリレート等が使用される。
【００３６】窒化アルミニウム基板と金属板又は金属回
路のパターンとの接合条件は、１０ -7〜１０-5Ｔｏｒｒ
程度の真空中、温度７００〜９００℃程度好ましくは７
５０〜８５０℃程度である。
路のパターンとの接合条件は、１０ -7〜１０-5Ｔｏｒｒ
程度の真空中、温度７００〜９００℃程度好ましくは７
５０〜８５０℃程度である。
【００３７】窒化アルミニウム基板の一方の面に金属回
路、他方の面に金属放熱板を形成する方法としては、窒
化アルミニウム基板と金属板との接合体をエッチングす
る方法、金属板から打ち抜かれた金属回路パターン及び
／又は金属放熱板パターンを窒化アルミニウム基板に接
合する方法等によって行うことができる。
路、他方の面に金属放熱板を形成する方法としては、窒
化アルミニウム基板と金属板との接合体をエッチングす
る方法、金属板から打ち抜かれた金属回路パターン及び
／又は金属放熱板パターンを窒化アルミニウム基板に接
合する方法等によって行うことができる。
【００３８】
【実施例】以下、本発明を実施例と比較例をあげて具体
的に説明する。
的に説明する。
【００３９】実施例１〜１２ 比較例１〜８ 窒化アルミニウム粉末９６重量部、イットリア粉末４重
量部、オレイン酸２重量部を振動ミルにて予備混合した
後、エチルセルロース８重量部、グリセリントリオレー
ト３重量部及び水１２重量部を配合しミキサーで混合し
た。この混合物を成型速度１．０ｍ／分、成型圧力５５
〜７０ｋｇ／ｃｍ2 で押出成型を行い、遠赤外線にて１
２０℃、５分間乾燥した後、４８０℃で１０時間空気中
にて脱脂し、次いで温度１９５０℃×３０分の焼成を行
った。
量部、オレイン酸２重量部を振動ミルにて予備混合した
後、エチルセルロース８重量部、グリセリントリオレー
ト３重量部及び水１２重量部を配合しミキサーで混合し
た。この混合物を成型速度１．０ｍ／分、成型圧力５５
〜７０ｋｇ／ｃｍ2 で押出成型を行い、遠赤外線にて１
２０℃、５分間乾燥した後、４８０℃で１０時間空気中
にて脱脂し、次いで温度１９５０℃×３０分の焼成を行
った。
【００４０】得られた窒化アルミニウム焼結体からイッ
トリアを含む窒化アルミニウム基板（６０ｍｍ×３６ｍ
ｍ×０．６５ｍｍ）を機械加工し、ホーニング処理した
後、表１に示す種々の処理を行い、その表面にＹとＡｌ
を含む酸化物の層を形成させた。この表面処理された窒
化アルミニウム基板についてＸ線回折分析を行い、αー
アルミナ（１０４）面の回折線強度Ｉ104 とアルミン酸
イットリウム（４００）の回折線強度Ｉ400 の比（Ｉ
104 ／Ｉ400 ）を測定した。それらの結果を表３に示
す。
トリアを含む窒化アルミニウム基板（６０ｍｍ×３６ｍ
ｍ×０．６５ｍｍ）を機械加工し、ホーニング処理した
後、表１に示す種々の処理を行い、その表面にＹとＡｌ
を含む酸化物の層を形成させた。この表面処理された窒
化アルミニウム基板についてＸ線回折分析を行い、αー
アルミナ（１０４）面の回折線強度Ｉ104 とアルミン酸
イットリウム（４００）の回折線強度Ｉ400 の比（Ｉ
104 ／Ｉ400 ）を測定した。それらの結果を表３に示
す。
【００４１】
【表１】
【００４２】金属粉末を表２に示される割合で配合し、
この金属成分１００重量部にテルピネオール１４重量部
とポリイソブチルメタアクリレートのトルエン溶液を固
形分で７重量部加え、らいかい機で混練して活性金属ろ
う材ペーストを調整した。このろう材ペーストを上記で
製造された窒化アルミニウム基板の回路面（表面）にス
クリーン印刷によってパターン率＝０．２０のＬ字型パ
ターンに塗布し、放熱面側（裏面）には全面塗布した。
その際の塗布量（乾燥後）は９ｍｇ／ｃｍ2とした。
この金属成分１００重量部にテルピネオール１４重量部
とポリイソブチルメタアクリレートのトルエン溶液を固
形分で７重量部加え、らいかい機で混練して活性金属ろ
う材ペーストを調整した。このろう材ペーストを上記で
製造された窒化アルミニウム基板の回路面（表面）にス
クリーン印刷によってパターン率＝０．２０のＬ字型パ
ターンに塗布し、放熱面側（裏面）には全面塗布した。
その際の塗布量（乾燥後）は９ｍｇ／ｃｍ2とした。
【００４３】次に、表面には６０ｍｍ×３６ｍｍ×０．
３ｍｍの厚みをもつ銅板を、また裏面には６０ｍｍ×３
６ｍｍ×０．１５ｍｍの厚みをもつ銅板を接触配置して
から、真空度１×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空下、表２に
示す温度で３０分熱処理した後、２℃／分の降温速度で
冷却して窒化アルミニウム基板と銅板の接合体を製造し
た。
３ｍｍの厚みをもつ銅板を、また裏面には６０ｍｍ×３
６ｍｍ×０．１５ｍｍの厚みをもつ銅板を接触配置して
から、真空度１×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空下、表２に
示す温度で３０分熱処理した後、２℃／分の降温速度で
冷却して窒化アルミニウム基板と銅板の接合体を製造し
た。
【００４４】
【表２】
【００４５】次いで、この接合体の銅板上にＵＶ硬化タ
イプのエッチングレジストをスクリーン印刷で塗布後、
塩化第２銅溶液を用いてエッチング処理を行って銅板不
要部分を溶解除去し、更にエッチングレジストを５％苛
性ソーダ溶液で剥離した。このエッチング処理後の接合
体には、銅回路パターン間に残留不要ろう材や活性金属
成分と窒化アルミニウム基板との反応物があるので、そ
れを温度６０℃、１０％フッ化アンモニウム溶液に１０
分間浸漬して除去した。その後、厚さ２μｍのＮｉメッ
キを行い、窒化アルミニウム基板に銅回路と放熱銅板を
形成させた回路基板を製造した（図１０参照。但し放熱
銅板は図示してなし。）。
イプのエッチングレジストをスクリーン印刷で塗布後、
塩化第２銅溶液を用いてエッチング処理を行って銅板不
要部分を溶解除去し、更にエッチングレジストを５％苛
性ソーダ溶液で剥離した。このエッチング処理後の接合
体には、銅回路パターン間に残留不要ろう材や活性金属
成分と窒化アルミニウム基板との反応物があるので、そ
れを温度６０℃、１０％フッ化アンモニウム溶液に１０
分間浸漬して除去した。その後、厚さ２μｍのＮｉメッ
キを行い、窒化アルミニウム基板に銅回路と放熱銅板を
形成させた回路基板を製造した（図１０参照。但し放熱
銅板は図示してなし。）。
【００４６】このようにして製造された回路基板につい
て、ピール強度をプッシュプル測定器（引張り速度：５
０ｍｍ／分）により測定した。また、気中、−４０℃×
３０分保持後、２５℃×１０分間放置、更に１２５℃×
３０分保持後、２５℃×１０分間放置を１サイクルとし
た耐ヒートサイクル試験を試料１０について行い、放熱
銅板又は銅回路が剥離開始したヒートサイクル回数を測
定した。更に、回路基板の放熱銅板と銅回路及び接合層
を上記薬液で除去し、残った窒化アルミニウム基板につ
いてＸ線回折分析を行い、３ＺｒＯ2 ・２Ｙ2 Ｏ3 量
（ＩZY／ＩA ）及び正方晶ＺｒＯ2 量（ＩZ ／ＩA ）測
定した。それらの結果を表３に示す。
て、ピール強度をプッシュプル測定器（引張り速度：５
０ｍｍ／分）により測定した。また、気中、−４０℃×
３０分保持後、２５℃×１０分間放置、更に１２５℃×
３０分保持後、２５℃×１０分間放置を１サイクルとし
た耐ヒートサイクル試験を試料１０について行い、放熱
銅板又は銅回路が剥離開始したヒートサイクル回数を測
定した。更に、回路基板の放熱銅板と銅回路及び接合層
を上記薬液で除去し、残った窒化アルミニウム基板につ
いてＸ線回折分析を行い、３ＺｒＯ2 ・２Ｙ2 Ｏ3 量
（ＩZY／ＩA ）及び正方晶ＺｒＯ2 量（ＩZ ／ＩA ）測
定した。それらの結果を表３に示す。
【００４７】
【表３】
【００４８】実施例１３ 窒化アルミニウム基板に銅板を接合しエッチングにより
銅回路を形成させたかわりに、銅板から打ち抜かれた銅
回路パターンを接合して銅回路を形成させたこと以外
は、実施例１に準じて回路基板を製造した。その結果を
表４に示す。
銅回路を形成させたかわりに、銅板から打ち抜かれた銅
回路パターンを接合して銅回路を形成させたこと以外
は、実施例１に準じて回路基板を製造した。その結果を
表４に示す。
【００４９】実施例１４ アルミナゾルの塗布を窒化アルミニウム基板全面に行う
かわりに、銅回路パターンよりも幾分小さい空白パター
ンを残して部分的に塗布したこと以外は、実施例１に準
じて回路基板を製造した（図８参照。但し放熱銅板は図
示してなし。）。その結果を表４に示す。
かわりに、銅回路パターンよりも幾分小さい空白パター
ンを残して部分的に塗布したこと以外は、実施例１に準
じて回路基板を製造した（図８参照。但し放熱銅板は図
示してなし。）。その結果を表４に示す。
【００５０】
【表４】
【００５１】
【発明の効果】本発明によれば、ヒートサイクルに対す
る耐久性を一段と向上させた、窒化アルミニウム基板に
金属回路を形成させた回路基板を提供することができ
る。
る耐久性を一段と向上させた、窒化アルミニウム基板に
金属回路を形成させた回路基板を提供することができ
る。
【図１】本発明の回路基板の斜視図。
【図２】図１のＸ−Ｘ断面における一部切欠断面図。
【図３】図１のＸ−Ｘ断面における一部切欠断面図。
【図４】図１のＸ−Ｘ断面における一部切欠断面図。
【図５】図１のＸ−Ｘ断面における一部切欠断面図。
【図６】図１のＸ−Ｘ断面における一部切欠断面図。
【図７】図１のＸ−Ｘ断面における一部切欠断面図。
【図８】図１のＸ−Ｘ断面における一部切欠断面図。
【図９】図１のＸ−Ｘ断面における一部切欠断面図。
【図１０】図１のＸ−Ｘ断面における一部切欠断面図。
【図１１】図１のＸ−Ｘ断面における一部切欠断面図。
【図１２】図１のＸ−Ｘ断面における一部切欠断面図。
１ａ 金属回路 １ｂ 金属回路 ２ 窒化アルミニウム基板 ３ ３ＺｒＯ2 ・２Ｙ2 Ｏ3 及び正方晶ＺｒＯ2 を含む
酸化物層 ４ 接合層
酸化物層 ４ 接合層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−326827（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−335996（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−102629（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−284687（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−275256（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 1/02 H05K 3/38 C04B 37/02 H01L 23/13 B23K 1/19
Claims (7)
- 【請求項１】 金属回路と窒化アルミニウム基板とが、
窒化アルミニウム基板表面の少なくとも一部の面に、３
ＺｒＯ2 ・２Ｙ2 Ｏ3 及び正方晶ＺｒＯ2 を含む酸化物
層を形成させた状態で接合されてなることを特徴とする
回路基板。 - 【請求項２】 金属回路の反対面に金属放熱板を有して
なるものであることを特徴とする請求項１記載の回路基
板。 - 【請求項３】 上記酸化物層が金属回路と接面している
窒化アルミニウム基板表面の少なくとも一部に形成させ
たものであることを特徴とする請求項１又は２記載の回
路基板。 - 【請求項４】 上記酸化物層が金属回路と接面していな
い窒化アルミニウム基板表面の少なくとも一部に形成さ
せたものであることを特徴とする請求項１又は２記載の
回路基板。 - 【請求項５】 上記酸化物層が金属回路と接面していな
い窒化アルミニウム基板表面の少なくとも一部に形成さ
せたものであることを特徴とする請求項３記載の回路基
板。 - 【請求項６】 イットリアを含む窒化アルミニウム基板
の金属回路を形成させる面の一部又は全面に、アルミナ
ゾル及び／又はアルミニウム塩溶液を塗布した後焼成す
るか、又はアルミニウム粉と有機バインダー含む溶液を
塗布した後焼成して、金属回路を形成させる窒化アルミ
ニウム基板面の一部又は全面にＹとＡｌを含む酸化物の
層を形成させた後、その窒化アルミニウム基板面と金属
板とをジルコニウム又はその化合物を含む活性金属ろう
材で接合した後、エッチングして金属回路を形成させる
ことを特徴とする回路基板の製造方法。 - 【請求項７】 イットリアを含む窒化アルミニウム基板
の金属回路を形成させる面の一部又は全面に、アルミナ
ゾル及び／又はアルミニウム塩溶液を塗布した後焼成す
るか、又はアルミニウム粉と有機バインダー含む溶液を
塗布した後焼成して、金属回路を形成させる窒化アルミ
ニウム基板面の一部又は全面にＹとＡｌを含む酸化物の
層を形成させた後、その窒化アルミニウム基板面に金属
回路パターンをジルコニウム又はその化合物を含む活性
金属ろう材で接合し、金属回路を形成させることを特徴
とする回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8415096A JP3308807B2 (ja) | 1996-04-05 | 1996-04-05 | 回路基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8415096A JP3308807B2 (ja) | 1996-04-05 | 1996-04-05 | 回路基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09275247A JPH09275247A (ja) | 1997-10-21 |
| JP3308807B2 true JP3308807B2 (ja) | 2002-07-29 |
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ID=13822485
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8415096A Expired - Fee Related JP3308807B2 (ja) | 1996-04-05 | 1996-04-05 | 回路基板及びその製造方法 |
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| JP (1) | JP3308807B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP6352149B2 (ja) * | 2014-10-31 | 2018-07-04 | カルソニックカンセイ株式会社 | 電子部品の実装構造 |
-
1996
- 1996-04-05 JP JP8415096A patent/JP3308807B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09275247A (ja) | 1997-10-21 |
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