JP3304513B2 - Semiconductor device with heat radiator and method of manufacturing the same - Google Patents

Semiconductor device with heat radiator and method of manufacturing the same

Info

Publication number
JP3304513B2
JP3304513B2 JP15850593A JP15850593A JP3304513B2 JP 3304513 B2 JP3304513 B2 JP 3304513B2 JP 15850593 A JP15850593 A JP 15850593A JP 15850593 A JP15850593 A JP 15850593A JP 3304513 B2 JP3304513 B2 JP 3304513B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
resin
radiator
support base
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP15850593A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0745663A (en
Inventor
龍善 山口
則雄 和田
浩文 内田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Apic Yamada Corp
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
Apic Yamada Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd, Apic Yamada Corp filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP15850593A priority Critical patent/JP3304513B2/en
Publication of JPH0745663A publication Critical patent/JPH0745663A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3304513B2 publication Critical patent/JP3304513B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はTABテープを放熱体と
ともに樹脂モールドして成る放熱体付半導体装置及びそ
の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device with a heat radiator formed by resin-molding a TAB tape together with a heat radiator, and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】TABテープはきわめて微細な配線パタ
ーンが形成できることから高集積化された半導体素子の
搭載用として利用されている。TABテープを用いた半
導体装置では従来は樹脂をポッティングして封止する方
法、あるいはTABテープを通常のリードフレームに接
続して全体を樹脂封止する方法が一般的であるが、最
近、半導体素子を搭載したTABテープをそのまま樹脂
モールドする方法が検討されている。
2. Description of the Related Art TAB tapes are used for mounting highly integrated semiconductor elements because they can form extremely fine wiring patterns. Conventionally, in a semiconductor device using a TAB tape, a method of potting and sealing a resin or a method of connecting a TAB tape to a normal lead frame and sealing the entire resin is generally used. A method of directly molding a TAB tape with a resin on it is being studied.

【0003】図8はこのようにTABテープを直接樹脂
モールドする際に考えられている方法で、TABテープ
5に搭載した半導体素子6を放熱体7、8で上下から挟
むようにして樹脂モールドする方法である。TABテー
プは通常のリードフレームとは異なり柔軟性があるか
ら、単に樹脂モールドしたのでは樹脂充填時の樹脂圧に
よってTABテープが歪んだり、半導体素子が位置ずれ
することがある。このため、放熱体7、8によってTA
Bテープ5が歪まないように補強し、放熱体7の中央部
に半導体素子6を支持するための支持台部7aを設けて
樹脂モールドするようにしている。
FIG. 8 shows a method which is considered when a TAB tape is directly resin-molded. In this method, a semiconductor element 6 mounted on a TAB tape 5 is resin-molded so as to be sandwiched between heat sinks 7 and 8 from above and below. is there. Since the TAB tape has flexibility unlike a normal lead frame, simply molding the resin may cause the TAB tape to be distorted or the semiconductor element to be displaced due to the resin pressure at the time of filling the resin. For this reason, the radiators 7 and 8
The B tape 5 is reinforced so as not to be distorted, and a support base 7a for supporting the semiconductor element 6 is provided at the center of the heat radiator 7 and resin molding is performed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記放熱体7、8は樹
脂モールドする際に半導体素子6が正規位置から位置ず
れすることを防止するとともに、半導体装置の熱放散性
を向上させることを目的とする。したがって、半導体素
子6は支持台部7aに密着して樹脂モールドされるのが
望ましいのであるが、放熱体7、8はTABテープ5と
は別体でインサート部品として樹脂モールドするから、
半導体素子6と支持台部7aが確実に密着して樹脂モー
ルドされるとは限らず、若干の隙間が形成されて樹脂モ
ールドされるのがふつうである。
The heat radiators 7 and 8 are intended to prevent the semiconductor element 6 from being displaced from a normal position during resin molding and to improve the heat dissipation of the semiconductor device. I do. Therefore, it is desirable that the semiconductor element 6 is resin-molded in close contact with the support base 7a. However, since the radiators 7, 8 are resin-molded as insert parts separately from the TAB tape 5,
It is not always the case that the semiconductor element 6 and the support base 7a are surely adhered and resin-molded, and it is normal that the resin is molded with a slight gap formed.

【0005】このように半導体素子6と支持台部7aと
の間に隙間が生じると、この隙間部分にエアが溜まりや
すくなり、樹脂モールド製品の信頼性をかえって損なう
という問題が生じる。また、図8に示すように単に支持
台部7aを平坦面に形成しただけの場合は半導体素子6
が傾いて樹脂モールドされたりすることはある程度防止
できるものの、ある程度の半導体素子6の位置ずれが生
じたり、支持台部7aと半導体素子6との接合強度が不
十分になるという問題点があった。そこで、本発明はこ
れら問題点を解消すべくなされたものであり、その目的
とするところは、半導体素子の位置ずれや封止樹脂内で
のエアのまき込みを防止して信頼性の高い放熱体付半導
体装置及びその製造方法を提供するにある。
If a gap is formed between the semiconductor element 6 and the support base 7a as described above, air tends to accumulate in the gap, which causes a problem that the reliability of the resin molded product is rather deteriorated. In the case where the support base 7a is simply formed on a flat surface as shown in FIG.
Although it is possible to prevent the resin mold from being tilted to some extent, there has been a problem that the semiconductor element 6 is displaced to some extent or the bonding strength between the support base 7a and the semiconductor element 6 becomes insufficient. . Therefore, the present invention has been made to solve these problems, and an object of the present invention is to prevent a semiconductor element from being displaced and to prevent air from being introduced into a sealing resin, thereby providing a highly reliable heat radiation. An object of the present invention is to provide a body-mounted semiconductor device and a method of manufacturing the same.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、半導体素子を搭
載したTABテープを放熱体で支持し、放熱体とともに
TABテープを樹脂モールドしてなる放熱体付半導体装
置であって、前記放熱体に前記半導体素子をキャビテ
ィの厚み方向のほぼ中央で支持すべく***させた支持台
部を設け、該支持台部に抜き孔を設けるとともに、支
台部上で前記半導体素子の当接する部位に支持台
部から半導体素子を浮かして支持するための突起を設け
たことを特徴とする。また、前記放熱体に、前記半導体
素子をキャビティの厚み方向のほぼ中央で支持すべく隆
起させた支持台部を設け、該支持台部に抜き孔を設ける
とともに、支持台部上に、支持台部とは別体の前記半導
体素子支持台部との間に隙間を設けて支持するための
スペーサを設けたことを特徴とする。また、前記放熱体
に、前記半導体素子をキャビティの厚み方向のほぼ中央
で支持すべく***させた支持台部を設け、前記放熱体と
は別体のインサート部品としてキャビティ内に組み込ま
れ、モールド樹脂の外面に端面が露出して樹脂モールド
され、前記半導体素子前記支持台部との間に隙間を
けて支持するための放熱体ブロックを設けたことを特徴
とする。また、半導体素子を搭載したTABテープ及び
樹脂モールド時に前記半導体素子を支持する支持台部を
設けた放熱体をモールド金型にセットして樹脂モールド
する放熱体付半導体装置の製造方法において、モールド
金型のキャビティ内にエジェクタピンを突出させ、前記
半導体素子と前記支持台部との間に隙間を形成すべく前
記半導体素子を前記エジェクタピンで支持して樹脂モー
ルドし、樹脂硬化後に、前記エジェクタピンの通過孔内
に樹脂あるいは金属を充填して封着することを特徴とす
る。
The present invention has the following arrangement to achieve the above object. That is, the TAB tape mounted with the semiconductor element is supported by the heat radiating member, a TAB tape to a semiconductor device with a heat radiating body formed by resin molding together with the heat radiator, the heat radiator, cavitation said semiconductor element
I the support base part which is substantially raised in order to support at the center of the thickness direction is provided in, Rutotomoni provided punching in the support section, the bottom surface of the semiconductor element on the supporting Jidai portion supported on site abuts Holding
Characterized in that a protrusion for supporting floated part or al semiconductor device. In addition, the heat sink may be provided with the semiconductor
Raised to support the device at approximately the center in the thickness direction of the cavity
A raised support base is provided, and a hole is provided in the support base.
With, on the support section, characterized in that a spacer for supporting a gap is provided between the support section of the semiconductor device separate from the support section. In addition, the radiator
In addition, the semiconductor element is placed substantially at the center in the thickness direction of the cavity.
Providing a support base raised to support with , and incorporated into the cavity as an insert part separate from the radiator
And the end surface is exposed on the outer surface of the mold resin.
A gap is provided between the semiconductor element and the support base.
A radiator block for supporting the radiator is provided. Further, in a method of manufacturing a TAB tape on which a semiconductor element is mounted and a radiator provided with a support base for supporting the semiconductor element during resin molding, the radiator is set in a mold and the resin is molded. An ejector pin is projected into a cavity of a mold, the semiconductor element is supported by the ejector pin so as to form a gap between the semiconductor element and the support base, and resin molding is performed. Is filled with resin or metal and sealed.

【0007】[0007]

【作用】放熱体に半導体素子を支持する支持台部を設け
ることによってTABテープを樹脂モールドする際に半
導体素子が傾いたり、位置ずれしたりすることを防止す
るが、支持台部に突起等を設けて半導体素子と支持台部
との間に隙間をあけることにより、また、支持台部に抜
き孔を設けることによって半導体素子と支持台部との間
での樹脂の流れ性を改善でき、半導体素子と放熱体との
密着性を向上させることができる。また、半導体素子と
放熱体との間にエアが巻き込まれることを防止する。モ
ールド金型のエジェクタピンを利用することによって
も、好適なTABテープの樹脂モールドができる。
By providing a support base for supporting the semiconductor element on the radiator, the semiconductor element can be prevented from being tilted or displaced when the TAB tape is resin-molded. more be opened a gap between the semiconductor element and the support section is provided, also disconnect the support section
Can be improved resin flowability between the things Thus the semiconductor device provided with a hole and the support section, it is possible to improve the adhesion between the semiconductor element and heat radiator. Further, it is possible to prevent air from being caught between the semiconductor element and the heat radiator. By using an ejector pin of a mold, a suitable TAB tape resin mold can be obtained.

【0008】[0008]

【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。図1は本発明に係る放熱体付半
導体装置の一実施例の断面図を示す。実施例の半導体装
置はTABテープ10をじかに樹脂モールドした製品
で、TABテープ10とは別体で形成した放熱体12に
よってTABテープ10及びTABテープ10に搭載し
た半導体素子14を支持して樹脂モールドしてなるもの
である。16がTABテープ10のインナーリード、1
8がモールド樹脂である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a sectional view of one embodiment of a semiconductor device with a heat radiator according to the present invention. The semiconductor device of the embodiment is a product in which the TAB tape 10 is directly resin-molded. The TAB tape 10 and the semiconductor element 14 mounted on the TAB tape 10 are supported by the heat dissipator 12 formed separately from the TAB tape 10. It is made. 16 is the inner lead of the TAB tape 10, 1
8 is a mold resin.

【0009】放熱体12はキャビティ内にセットしてT
ABテープ10を支持するが、TABテープ10を厚み
方向のほぼ中央で支持するため半導体素子14位置で上
面が平坦な島状に***させた支持台部12aを形成する
とともに、外縁にインナーリード16の基部位置を支持
するリード支持部12bを形成している。
The radiator 12 is set in the cavity and T
The AB tape 10 is supported. To support the TAB tape 10 at substantially the center in the thickness direction, a support base portion 12a having a flat upper surface is formed at the position of the semiconductor element 14 and an inner lead 16 is formed on the outer edge. The lead support portion 12b for supporting the base position of the lead is formed.

【0010】図2に放熱体12の平面図を示す。支持台
部12aは上記のように半導体素子14を支持する部分
であるが、図のように抜き孔を設けて枠状に形成する。
これは樹脂モールドする際に半導体素子14の底側での
樹脂の流れ性を良くしてモールド樹脂18と支持台部1
2aとを確実に密着させるためである。また、リード支
持部12bはTABテープ10の四方に形成されるリー
ドパターンに合わせて四方に設ける。支持台部12aお
よびリード支持部12bは金属板を加工して一体に形成
するが、樹脂の流れ性を良くするため抜き孔を多く設け
ている。
FIG. 2 is a plan view of the heat radiator 12. The support base 12a is a portion for supporting the semiconductor element 14 as described above, and is formed in a frame shape by providing a hole as shown in the figure.
This improves the flowability of the resin at the bottom side of the semiconductor element 14 during the resin molding, so that the molding resin 18 and the support base 1
The reason for this is to ensure that 2a is tightly adhered. Further, the lead support portions 12b are provided on all sides in accordance with the lead patterns formed on all sides of the TAB tape 10. The support base 12a and the lead support 12b are formed integrally by processing a metal plate, but are provided with a large number of holes to improve the flowability of the resin.

【0011】図1で20は支持台部12aの上面から若
干突出するように設けた突起である。突起20は半導体
素子14を支持台部12aの上面から若干浮かして支持
し、半導体素子14が支持台部12aに接しないように
するためのものである。図2に突起20の配置位置を示
す。支持台部12aは半導体素子14の大きさよりも若
干小さく設定し、突起20は半導体素子14の底面に当
接するように支持台部12aのコーナー部等の適宜位置
に設ける。
In FIG. 1, reference numeral 20 denotes a protrusion provided so as to slightly protrude from the upper surface of the support base 12a. The projections 20 support the semiconductor element 14 by slightly floating from the upper surface of the support base 12a so that the semiconductor element 14 does not contact the support base 12a. FIG. 2 shows an arrangement position of the protrusion 20. The support base 12a is set to be slightly smaller than the size of the semiconductor element 14, and the protrusion 20 is provided at an appropriate position such as a corner of the support base 12a so as to contact the bottom surface of the semiconductor element 14.

【0012】なお、TABテープ10と放熱体12は別
体で形成されているから、TABテープ10を樹脂モー
ルドする際にTABテープ10と放熱体12を位置合わ
せするためリード支持部12bにエンボス加工を施して
位置合わせ用突起12dを設けた。図3に位置合わせ用
突起12dを拡大して示す。位置合わせ用突起12dは
TABテープ10のリードパターンと干渉しない位置に
設けた透孔と係合して位置合わせする。
Since the TAB tape 10 and the radiator 12 are formed separately, the lead support portion 12b is embossed to align the TAB tape 10 and the radiator 12 when resin molding the TAB tape 10. To form a positioning projection 12d. FIG. 3 shows an enlarged view of the positioning projection 12d. The positioning projection 12d is engaged with a through hole provided at a position that does not interfere with the lead pattern of the TAB tape 10 to perform positioning.

【0013】図1は上記の放熱体12を用いて樹脂モー
ルドした製品である。TABテープの樹脂モールド製品
では半導体素子とモールド樹脂とのくい付き性と、半導
体素子の底面とモールド樹脂との間に隙間が生じてエア
を巻き込むことが問題になるが、実施例の製品の場合に
は支持台部12aに突起20を設けて半導体素子14と
支持台部12aとの間に隙間が生じるようにし、半導体
素子14と支持台部12aとの間での樹脂流れ性を確保
することによって、この隙間部分に確実に樹脂を流し込
むことができ、半導体素子14と支持台部12aとの間
の樹脂のくい付きを良好とし、半導体素子14と支持台
部12aとの間にエアが溜まることを効果的に防止する
ことができる。
FIG. 1 shows a resin molded product using the above-described heat radiator 12. In the case of TAB tape resin molded products, the problem of sticking between the semiconductor element and the mold resin and the formation of a gap between the bottom surface of the semiconductor element and the mold resin cause air entrapment. In order to ensure resin flow between the semiconductor element 14 and the support base 12a, a projection 20 is provided on the support base 12a so that a gap is formed between the semiconductor element 14 and the support base 12a. As a result, the resin can be reliably poured into this gap portion, and the adhesion of the resin between the semiconductor element 14 and the support base 12a is improved, and air is accumulated between the semiconductor element 14 and the support base 12a. This can be effectively prevented.

【0014】なお、支持台部12aに設ける突起20は
樹脂の流れ性を改善するとともに、半導体素子14から
の放熱作用を妨げないようにすることが必要であり、実
施例では突起20の突出量として0.02mm〜0.03mmに設定
した。この程度の突出量であれば放熱効果をとくに妨げ
ることがなく、樹脂の流れ性も改善できて好適である。
The protrusions 20 provided on the support base 12a need to improve the flowability of the resin and not to hinder the heat radiation from the semiconductor element 14. In the embodiment, the protrusion amount of the protrusions 20 is required. Was set to 0.02 mm to 0.03 mm. With this amount of protrusion, the heat dissipation effect is not particularly hindered, and the flowability of the resin can be improved, which is preferable.

【0015】図4〜図7にTABテープを樹脂モールド
して成る放熱体付半導体装置の他の実施例を示す。図4
に示す実施例は放熱体12の支持台部12aと半導体素
子14との間にスペーサ22を設けて支持台部12aと
半導体素子14がじかに接しないようにした例である。
スペーサ22は放熱体12とは別に作成したものを支持
台部12aの上面に接合した。また、この実施例では支
持台部12aと半導体素子14とのモールド樹脂による
接合性を改善するため支持台部12aの上面に凹溝24
を設けた。なお、支持台部12a等に抜き孔を設けて樹
脂の流れ性を良くしていることは上記実施例と同様であ
る。
FIGS. 4 to 7 show another embodiment of a semiconductor device with a heat radiator formed by resin molding a TAB tape. FIG.
In the embodiment shown in FIG. 7, a spacer 22 is provided between the support base 12a of the heat radiator 12 and the semiconductor element 14 so that the support base 12a and the semiconductor element 14 do not come into direct contact with each other.
The spacer 22 formed separately from the radiator 12 was joined to the upper surface of the support base 12a. Further, in this embodiment, a groove 24 is formed on the upper surface of the support base 12a in order to improve the joining property of the support base 12a and the semiconductor element 14 with the mold resin.
Was provided. It is to be noted that a hole is provided in the support base 12a and the like to improve the flowability of the resin, as in the above embodiment.

【0016】図5はTABテープ10を樹脂モールドす
る際にモールド金型のエジェクタピン26で半導体素子
14を支持しながら樹脂モールドする方法を示す。エジ
ェクタピン26はエア吸着によって半導体素子14を支
持し、支持台部12aの上面よりも半導体素子14が0.
02mm〜0.03mm程度浮くようにして樹脂モールドする。支
持台部12aにはエジェクタピン26を通過させるため
の透孔を設ける。こうしてエジェクタピン26を用いて
樹脂モールドした後、エジェクタピン26が通過した孔
内に樹脂28を充填する(図6)。樹脂28はたとえば
ポッティングによって充填する。なお、樹脂28を充填
するかわりにアルミニウム等で小円柱状に形成した放熱
部品を孔内に挿入して封着するようにしてもよい。
FIG. 5 shows a method of performing resin molding while supporting the semiconductor element 14 with the ejector pins 26 of a molding die when the TAB tape 10 is resin-molded. The ejector pins 26 support the semiconductor element 14 by air suction, and the semiconductor element 14 is more than 0.1 mm above the upper surface of the support base 12a.
Resin mold so as to float about 02mm to 0.03mm. The support base 12a is provided with a through hole through which the ejector pin 26 passes. After the resin molding using the ejector pins 26 in this way, the resin 28 is filled into the holes through which the ejector pins 26 have passed (FIG. 6). The resin 28 is filled by, for example, potting. Instead of filling the resin 28, a heat dissipating component formed in a small column shape with aluminum or the like may be inserted into the hole and sealed.

【0017】図7は支持台部12aおよびリード支持部
12bを有する放熱体12とは別のインサート部品とし
て放熱ブロック30を組み込んで樹脂モールドした製品
を示す。放熱ブロック30はモールド樹脂の外面から端
面が露出するようキャビティの底面にのせて樹脂モール
ドする部品で、樹脂モールドする際に半導体素子14と
支持台部12aとの間で隙間が生じるようにその高さを
設定する。樹脂モールドにあたってはショット毎、放熱
ブロック30をキャビティ内にセットして樹脂モールド
する。
FIG. 7 shows a product which is resin-molded by incorporating a heat radiation block 30 as an insert component different from the heat radiator 12 having the support base 12a and the lead support 12b. The heat dissipating block 30 is a component to be resin-molded on the bottom surface of the cavity so that an end surface is exposed from the outer surface of the molding resin. Set the In resin molding, the heat radiation block 30 is set in the cavity for each shot, and resin molding is performed.

【0018】上記実施例の半導体装置では、いずれも放
熱体の支持台部と半導体素子との間に隙間を設けるよう
にし、支持台部と半導体素子との間での樹脂流れを良好
にすることによって半導体素子と放熱体との間に樹脂が
確実に充填され半導体素子と放熱体との密着性を良好に
することができる。また、樹脂モールドの際に半導体素
子と放熱体との間にエアが巻き込まれることを防止する
ことができる。これにより、半導体装置の動作時に発熱
によって半導体素子が放熱体から剥離したり、半導体装
置内に閉じ込められたエアが膨張してモールド樹脂にク
ラックが生じるといったことを防止することができる。
In each of the semiconductor devices of the above embodiments, a gap is provided between the support base of the heat radiator and the semiconductor element, and the resin flow between the support base and the semiconductor element is improved. As a result, the resin is reliably filled between the semiconductor element and the heat radiator, and the adhesion between the semiconductor element and the heat radiator can be improved. Further, it is possible to prevent air from being caught between the semiconductor element and the heat radiator during resin molding. Accordingly, it is possible to prevent the semiconductor element from peeling off from the heat radiator due to heat generation during the operation of the semiconductor device, and prevent the air trapped in the semiconductor device from expanding and causing cracks in the mold resin.

【0019】[0019]

【発明の効果】本発明に係る放熱体付半導体装置及びそ
の製造方法によれば、上述したように、半導体素子と放
熱体との密着性が向上し、半導体素子が放熱体から剥離
したり、モールド樹脂にクラックが発生したりすること
を防止して、信頼性の高い放熱体付半導体装置を得るこ
とができる等の著効を奏する。
According to the semiconductor device with a heat radiator and the method of manufacturing the same according to the present invention, as described above, the adhesion between the semiconductor element and the heat radiator is improved, and the semiconductor element peels off from the heat radiator. Cracks are prevented from being generated in the mold resin, so that a highly reliable semiconductor device with a heat radiator can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】放熱体付半導体装置の一実施例の断面図であ
る。
FIG. 1 is a cross-sectional view of one embodiment of a semiconductor device with a radiator.

【図2】放熱体の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a heat radiator.

【図3】放熱体に設けた位置合わせ用突起の拡大図であ
る。
FIG. 3 is an enlarged view of a positioning projection provided on a heat radiator.

【図4】放熱体付半導体装置の他の実施例の断面図であ
る。
FIG. 4 is a sectional view of another embodiment of the semiconductor device with a heat radiator.

【図5】放熱体付半導体装置の製造方法を示す説明図で
ある。
FIG. 5 is an explanatory view showing a method for manufacturing a semiconductor device with a heat radiator.

【図6】放熱体付半導体装置の製造方法を示す説明図で
ある。
FIG. 6 is an explanatory view illustrating a method for manufacturing a semiconductor device with a heat radiator.

【図7】放熱体付半導体装置のさらに他の実施例の断面
図である。
FIG. 7 is a sectional view of still another embodiment of the semiconductor device with a heat radiator.

【図8】放熱体付半導体装置の従来の構成を示す説明図
である。
FIG. 8 is an explanatory view showing a conventional configuration of a semiconductor device with a heat radiator.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 TABテープ 12 放熱体 12a 支持台部 12b リード支持部 12d 位置決め用突起 14 半導体素子 18 モールド樹脂 20 突起 22 スペーサ 24 凹溝 26 エジェクタピン 28 樹脂 30 放熱体ブロック DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 TAB tape 12 Heat radiator 12a Support base 12b Lead support 12d Positioning protrusion 14 Semiconductor element 18 Mold resin 20 Projection 22 Spacer 24 Concave groove 26 Ejector pin 28 Resin 30 Heat radiator block

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内田 浩文 長野県長野市大字栗田字舎利田711番地 新光電気工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平1−215050(JP,A) 特開 平2−278752(JP,A) 特開 平3−46358(JP,A) 特開 平5−47988(JP,A) 特開 平3−149864(JP,A) 特開 平4−207059(JP,A) 特開 平3−95959(JP,A) 特開 平4−342162(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/34 - 23/473 H01L 23/50 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (72) Inventor Hirofumi Uchida 711 Rida Kurita-sha, Nagano City, Nagano Prefecture Inside Shinko Electric Industries Co., Ltd. (56) References JP-A 1-215050 (JP, A) JP JP-A-2-278752 (JP, A) JP-A-3-46358 (JP, A) JP-A-5-47988 (JP, A) JP-A-3-149864 (JP, A) JP-A-4-207059 (JP, A A) JP-A-3-95959 (JP, A) JP-A-4-342162 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 23/34-23/473 H01L 23 / 50

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体素子を搭載したTABテープを放
熱体で支持し、放熱体とともにTABテープを樹脂モー
ルドしてなる放熱体付半導体装置であって、 前記放熱体に前記半導体素子をキャビティの厚み方向
のほぼ中央で支持すべく***させた支持台部を設け 該支持台部に抜き孔を設け るとともに、支持台部上で前
記半導体素子の当接する部位に支持台部から半導
体素子を浮かして支持するための突起を設けたことを特
徴とする放熱体付半導体装置。
1. A a TAB tape mounted with the semiconductor element is supported by the heat radiating member, the TAB tape with heat radiating body is a semiconductor device with a heat radiating body formed by resin molding, the heat radiator, the semiconductor device of the cavity Thickness direction
Approximately the center of the support base part which is raised in order to support provided by, Rutotomoni provided punching in the support section, supporting Jidai portion or a portion bottom surface of the semiconductor element on the supporting Jidai portion abuts the A semiconductor device with a heat radiator, comprising a projection for floating and supporting a semiconductor element.
【請求項2】 半導体素子を搭載したTABテープを放
熱体で支持し、放熱体とともにTABテープを樹脂モー
ルドしてなる放熱体付半導体装置であって、前記放熱体に、前記半導体素子をキャビティの厚み方向
のほぼ中央で支持すべく***させた支持台部を設け、 該支持台部に抜き孔を設けるとともに、 支持台部上に
支持台部とは別体の前記半導体素子支持台部との間に
隙間を設けて支持するためのスペーサを設けたことを特
徴とする放熱体付半導体装置。
2. A semiconductor device with a radiator, wherein a TAB tape on which a semiconductor element is mounted is supported by a radiator, and the TAB tape is resin-molded together with the radiator . Thickness direction
Provide a raised support base to support at substantially the center of the, while providing a hole in the support base , on the support base ,
A semiconductor device with a radiator, wherein a spacer is provided for supporting the semiconductor element separate from the support base with a gap provided between the semiconductor element and the support base.
【請求項3】 半導体素子を搭載したTABテープを放
熱体で支持し、放熱体とともにTABテープを樹脂モー
ルドしてなる放熱体付半導体装置であって、前記放熱体に、前記半導体素子をキャビティの厚み方向
のほぼ中央で支持すべく***させた支持台部を設け、 前記放熱体とは別体のインサート部品としてキャビティ
内に組み込まれ、モールド樹脂の外面に端面が露出して
樹脂モールドされ、前記半導体素子前記支持台部との
間に隙間を設けて支持するための放熱体ブロックを設け
たことを特徴とする放熱体付半導体装置。
3. A semiconductor device with a radiator, wherein a TAB tape on which a semiconductor element is mounted is supported by a radiator, and the TAB tape is resin-molded together with the radiator . Thickness direction
A support base raised to support at substantially the center of the radiator, and a cavity as an insert part separate from the radiator.
The end face is exposed on the outer surface of the mold resin
A semiconductor device with a heat radiator, wherein a heat radiator block for resin molding and supporting the semiconductor element with a gap provided between the support pedestal and the semiconductor element is provided.
【請求項4】 半導体素子を搭載したTABテープ及び
樹脂モールド時に前記半導体素子を支持する支持台部を
設けた放熱体をモールド金型にセットして樹脂モールド
する放熱体付半導体装置の製造方法において、 モールド金型のキャビティ内にエジェクタピンを突出さ
せ、前記半導体素子と前記支持台部との間に隙間を形成
すべく前記半導体素子を前記エジェクタピンで支持して
樹脂モールドし、 樹脂硬化後に、前記エジェクタピンの通過孔内に樹脂あ
るいは金属を充填して封着することを特徴とする放熱体
付半導体装置の製造方法。
4. A method of manufacturing a TAB tape on which a semiconductor element is mounted and a radiator provided with a support base for supporting the semiconductor element at the time of resin molding in a mold and resin molding. Ejecting an ejector pin into a cavity of a mold, supporting the semiconductor element with the ejector pin to form a gap between the semiconductor element and the support, and resin-molding the resin. A method of manufacturing a semiconductor device with a heat radiator, wherein a resin or a metal is filled in a passage hole of the ejector pin and sealed.
JP15850593A 1993-06-29 1993-06-29 Semiconductor device with heat radiator and method of manufacturing the same Expired - Fee Related JP3304513B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15850593A JP3304513B2 (en) 1993-06-29 1993-06-29 Semiconductor device with heat radiator and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15850593A JP3304513B2 (en) 1993-06-29 1993-06-29 Semiconductor device with heat radiator and method of manufacturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0745663A JPH0745663A (en) 1995-02-14
JP3304513B2 true JP3304513B2 (en) 2002-07-22

Family

ID=15673205

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15850593A Expired - Fee Related JP3304513B2 (en) 1993-06-29 1993-06-29 Semiconductor device with heat radiator and method of manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3304513B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020083712A (en) * 2001-04-30 2002-11-04 김광호 A heat spreader having plate-form
JP5128095B2 (en) * 2006-08-25 2013-01-23 Towa株式会社 Resin sealing molding equipment for electronic parts
TW200950045A (en) * 2008-05-30 2009-12-01 Powertech Technology Inc Lead frame package structure and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0745663A (en) 1995-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5365106A (en) Resin mold semiconductor device
JP2971834B2 (en) Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device
JP3055105B1 (en) Semiconductor package having lead frame and heat sink using the same
JPH11260987A (en) Lead frame having heat spread and semiconductor package using the same
JPH0697321A (en) Semiconductor device
JPH03165545A (en) High-performance overmold type electronic device and its manufacture
TWI321834B (en) Miniature moldlocks for heatsink or flag for an overmolded plastic package
JP2001077232A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
JP2001237361A (en) Lead frame having small lifting mount pad
JPH06505126A (en) Carrier ring for semiconductor packages
JP3304513B2 (en) Semiconductor device with heat radiator and method of manufacturing the same
US6633077B2 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP3129660B2 (en) Resin sealing method and resin sealing device for SON package
JPH08139218A (en) Hybrid integrated circuit device and its manufacture
JP3220105B2 (en) Heat spreader for semiconductor device and package for semiconductor device
JP2001267469A (en) Resin sealing semiconductor device
JPH098186A (en) Semiconductor integrated circuit device and its manufacture
JPH0851168A (en) Bga package and molding die used for manufacture bga package
JPH0936155A (en) Manufacture of semiconductor device
JP3315255B2 (en) Resin molding method for semiconductor device, carrier frame used therefor, and resin molding device
JP3688440B2 (en) Semiconductor device
US8648452B2 (en) Resin molded semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2765507B2 (en) Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device
JP3468858B2 (en) Resin-sealed semiconductor device
JP2582683B2 (en) Lead frame

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees