JP3298451B2 - 液晶パネルの製造方法 - Google Patents
液晶パネルの製造方法Info
- Publication number
- JP3298451B2 JP3298451B2 JP07864797A JP7864797A JP3298451B2 JP 3298451 B2 JP3298451 B2 JP 3298451B2 JP 07864797 A JP07864797 A JP 07864797A JP 7864797 A JP7864797 A JP 7864797A JP 3298451 B2 JP3298451 B2 JP 3298451B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- substrate
- liquid crystal
- glass
- porous substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133526—Lenses, e.g. microlenses or Fresnel lenses
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶パネルの製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】今日、携帯型ノートパソコンの表示装置
として、液晶パネルを用いている。この液晶パネルは、
液晶相を２つのガラス基板で封入した構造をしている。
一方の基板がＴＦＴアレイが形成されているガラス基板
であり、他方の基板がカラーフィルタが形成されている
ガラス基板である。
として、液晶パネルを用いている。この液晶パネルは、
液晶相を２つのガラス基板で封入した構造をしている。
一方の基板がＴＦＴアレイが形成されているガラス基板
であり、他方の基板がカラーフィルタが形成されている
ガラス基板である。
【０００３】このような液晶パネルは、ＴＦＴアレイが
形成されたガラス基板と、カラーフィルタが形成された
ガラス基板とをはり合わせ、両ガラス基板間に液晶を注
入することにより製造する。液晶パネルを製造する場
合、ガラス基板を所定の位置に搬送する必要があること
から、ガラス基板にはある程度の剛性が必要である。従
来の液晶パネルの製造ラインで用いている搬送方法で
は、ガラス基板の厚さが０．５ｍｍ以下の場合、自重に
よりガラス基板がたわむため、ガラス基板として１ｍｍ
程度の厚さのものを用いている。ガラスの比重は約２．
８であるので、携帯型ノートパソコンに用いる１２．１
インチ型のパネルの場合、１枚のガラス基板の重量は約
１６０ｇとなる。
形成されたガラス基板と、カラーフィルタが形成された
ガラス基板とをはり合わせ、両ガラス基板間に液晶を注
入することにより製造する。液晶パネルを製造する場
合、ガラス基板を所定の位置に搬送する必要があること
から、ガラス基板にはある程度の剛性が必要である。従
来の液晶パネルの製造ラインで用いている搬送方法で
は、ガラス基板の厚さが０．５ｍｍ以下の場合、自重に
よりガラス基板がたわむため、ガラス基板として１ｍｍ
程度の厚さのものを用いている。ガラスの比重は約２．
８であるので、携帯型ノートパソコンに用いる１２．１
インチ型のパネルの場合、１枚のガラス基板の重量は約
１６０ｇとなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の液晶パネルは以
上のように製造するので、ガラス基板の重量は、２枚併
せて約３２０ｇであり、理想とされる重量１ｋｇ以下の
携帯型ノートパソコンを実現するには重すぎるという課
題があった。
上のように製造するので、ガラス基板の重量は、２枚併
せて約３２０ｇであり、理想とされる重量１ｋｇ以下の
携帯型ノートパソコンを実現するには重すぎるという課
題があった。
【０００５】また、ガラス基板を薄くしても、たわみが
生じないように搬送方法を変更する場合には、既存の製
造ラインを変更しなければならないため、巨額の設備投
資が必要になるという課題があった。
生じないように搬送方法を変更する場合には、既存の製
造ラインを変更しなければならないため、巨額の設備投
資が必要になるという課題があった。
【０００６】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、既存の製造ラインを変更すること
なしに、ガラス基板の総重量を小さくすることができる
液晶パネルの製造方法を得ることを目的とする。
めになされたもので、既存の製造ラインを変更すること
なしに、ガラス基板の総重量を小さくすることができる
液晶パネルの製造方法を得ることを目的とする。
【０００７】
【０００８】
【０００９】
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】請求項１記載の発明に係る液晶パネルの製
造方法は、表示ドットが複数の列から成るものとした場
合に、第２のガラス基板の第１および第２のガラス基板
が対向する面と反対側の面が、隣接する表示ドットの列
の境界が凹部となる波形の面となるように、第２のガラ
ス基板を、第１および第２のガラス基板が対向する面と
反対側の面からエッチングして、第２のガラス基板に透
過光束集光用のマイクロレンズを形成するようにしたも
のである。
造方法は、表示ドットが複数の列から成るものとした場
合に、第２のガラス基板の第１および第２のガラス基板
が対向する面と反対側の面が、隣接する表示ドットの列
の境界が凹部となる波形の面となるように、第２のガラ
ス基板を、第１および第２のガラス基板が対向する面と
反対側の面からエッチングして、第２のガラス基板に透
過光束集光用のマイクロレンズを形成するようにしたも
のである。
【００１９】請求項２記載の発明に係る液晶パネルの製
造方法は、第２のガラス基板のエッチングを、第２のガ
ラス基板の第１および第２のガラス基板が対向する面と
反対側の面上に、隣接する表示ドットの列の境界に開口
部を有するレジストパターンを形成し、そのレジストパ
ターンをエッチングマスクとしてエッチングした後に、
レジストパターンを除去し、再度エッチングすることに
より行うようにしたものである。
造方法は、第２のガラス基板のエッチングを、第２のガ
ラス基板の第１および第２のガラス基板が対向する面と
反対側の面上に、隣接する表示ドットの列の境界に開口
部を有するレジストパターンを形成し、そのレジストパ
ターンをエッチングマスクとしてエッチングした後に、
レジストパターンを除去し、再度エッチングすることに
より行うようにしたものである。
【００２０】請求項３記載の発明に係る液晶パネルの製
造方法は、第１のガラス基板として、表面がシリコン膜
で被覆された第１のポーラス基板に接着されたものを用
い、第２のガラス基板として、表面がシリコン膜で被覆
された第２のポーラス基板に接着されたものを用い、第
１のガラス基板と第１のポーラス基板との接着面に位置
するシリコン膜を、第１のポーラス基板の内部を浸透し
てきたエッチング液により除去し、第１のガラス基板を
第１のポーラス基板から剥離し、第２のガラス基板と第
２のポーラス基板との接着面に位置するシリコン膜を、
第２のポーラス基板の内部を浸透してきた剥離液により
溶解し、第２のガラス基板を第２のポーラス基板から剥
離するようにしたものである。
造方法は、第１のガラス基板として、表面がシリコン膜
で被覆された第１のポーラス基板に接着されたものを用
い、第２のガラス基板として、表面がシリコン膜で被覆
された第２のポーラス基板に接着されたものを用い、第
１のガラス基板と第１のポーラス基板との接着面に位置
するシリコン膜を、第１のポーラス基板の内部を浸透し
てきたエッチング液により除去し、第１のガラス基板を
第１のポーラス基板から剥離し、第２のガラス基板と第
２のポーラス基板との接着面に位置するシリコン膜を、
第２のポーラス基板の内部を浸透してきた剥離液により
溶解し、第２のガラス基板を第２のポーラス基板から剥
離するようにしたものである。
【００２１】請求項４記載の発明に係る液晶パネルの製
造方法は、第１のガラス基板として、表面がシリコン膜
で被覆された第１のポーラス基板に接着されたものを用
い、第１のガラス基板と第１のポーラス基板との接着面
に位置するシリコン膜を、第１のポーラス基板の内部を
浸透してきた剥離液により溶解し、第１のガラス基板を
第１のポーラス基板から剥離するようにしたものであ
る。
造方法は、第１のガラス基板として、表面がシリコン膜
で被覆された第１のポーラス基板に接着されたものを用
い、第１のガラス基板と第１のポーラス基板との接着面
に位置するシリコン膜を、第１のポーラス基板の内部を
浸透してきた剥離液により溶解し、第１のガラス基板を
第１のポーラス基板から剥離するようにしたものであ
る。
【００２２】請求項５記載の発明に係る液晶パネルの製
造方法は、第２のガラス基板として、表面がシリコン膜
で被覆された第２のポーラス基板に接着されたものを用
い、第２のガラス基板と上記第２のポーラス基板との接
着面に位置するシリコン膜を、第２のポーラス基板の内
部を浸透してきた剥離液により溶解し、第２のガラス基
板を上記第２のポーラス基板から剥離するようにしたも
のである。
造方法は、第２のガラス基板として、表面がシリコン膜
で被覆された第２のポーラス基板に接着されたものを用
い、第２のガラス基板と上記第２のポーラス基板との接
着面に位置するシリコン膜を、第２のポーラス基板の内
部を浸透してきた剥離液により溶解し、第２のガラス基
板を上記第２のポーラス基板から剥離するようにしたも
のである。
【００２３】請求項６記載の発明に係る液晶パネルの製
造方法は、第１のガラス基板の第１および第２のガラス
基板が対向する面と反対側の面を筺体一体化した透明な
平板に接着し、第１および第２のガラス基板を筺体で覆
うようにしたものである。
造方法は、第１のガラス基板の第１および第２のガラス
基板が対向する面と反対側の面を筺体一体化した透明な
平板に接着し、第１および第２のガラス基板を筺体で覆
うようにしたものである。
【００２４】請求項７記載の発明に係る液晶パネルの製
造方法は、第１のガラス基板として、表面がシリコン膜
で被覆された耐熱性の第１のポーラス基板にＣＶＤ法で
形成したＳｉＯ2 膜を用い、第２のガラス基板とし
て、表面がシリコン膜で被覆された耐熱性の第２のポー
ラス基板にＣＶＤ法で形成したＳｉＯ2 膜を用い、第
１のガラス基板と第１のポーラス基板との接着面に位置
するシリコン膜を、第１のポーラス基板の内部を浸透し
てきた剥離液により溶解し、第１のガラス基板を第１の
ポーラス基板から剥離し、第２のガラス基板と第２のポ
ーラス基板との接着面に位置するシリコン膜を、第２の
ポーラス基板の内部を浸透してきた剥離液により溶解
し、第２のガラス基板を第２のポーラス基板から剥離す
るようにしたものである。
造方法は、第１のガラス基板として、表面がシリコン膜
で被覆された耐熱性の第１のポーラス基板にＣＶＤ法で
形成したＳｉＯ2 膜を用い、第２のガラス基板とし
て、表面がシリコン膜で被覆された耐熱性の第２のポー
ラス基板にＣＶＤ法で形成したＳｉＯ2 膜を用い、第
１のガラス基板と第１のポーラス基板との接着面に位置
するシリコン膜を、第１のポーラス基板の内部を浸透し
てきた剥離液により溶解し、第１のガラス基板を第１の
ポーラス基板から剥離し、第２のガラス基板と第２のポ
ーラス基板との接着面に位置するシリコン膜を、第２の
ポーラス基板の内部を浸透してきた剥離液により溶解
し、第２のガラス基板を第２のポーラス基板から剥離す
るようにしたものである。
【００２５】請求項８記載の発明に係る液晶パネルの製
造方法は、第１のガラス基板として、表面がシリコン膜
で被覆された耐熱性の第１のポーラス基板にＣＶＤ法で
形成したＳｉＯ2 膜を用い、第１のガラス基板と第１
のポーラス基板との接着面に位置するシリコン膜を、第
１のポーラス基板の内部を浸透してきた剥離液により溶
解し、第１のガラス基板を第１のポーラス基板から剥離
するようにしたものである。
造方法は、第１のガラス基板として、表面がシリコン膜
で被覆された耐熱性の第１のポーラス基板にＣＶＤ法で
形成したＳｉＯ2 膜を用い、第１のガラス基板と第１
のポーラス基板との接着面に位置するシリコン膜を、第
１のポーラス基板の内部を浸透してきた剥離液により溶
解し、第１のガラス基板を第１のポーラス基板から剥離
するようにしたものである。
【００２６】請求項９記載の発明に係る液晶パネルの製
造方法は、第２のガラス基板として、表面がシリコン膜
で被覆された耐熱性の第２のポーラス基板にＣＶＤ法で
形成したＳｉＯ2 膜を用い、第２のガラス基板と第２
のポーラス基板との接着面に位置するシリコン膜を、第
２のポーラス基板の内部を浸透してきた剥離液により溶
解し、第２のガラス基板を第２のポーラス基板から剥離
するようにしたものである。
造方法は、第２のガラス基板として、表面がシリコン膜
で被覆された耐熱性の第２のポーラス基板にＣＶＤ法で
形成したＳｉＯ2 膜を用い、第２のガラス基板と第２
のポーラス基板との接着面に位置するシリコン膜を、第
２のポーラス基板の内部を浸透してきた剥離液により溶
解し、第２のガラス基板を第２のポーラス基板から剥離
するようにしたものである。
【００２７】請求項１０記載の発明に係る液晶パネルの
製造方法は、第１のガラス基板の第１および第２のガラ
ス基板が対向する面と反対側の面を筺体一体化した透明
な平板に接着し、第１および第２のガラス基板を筺体で
覆うようにしたものである。
製造方法は、第１のガラス基板の第１および第２のガラ
ス基板が対向する面と反対側の面を筺体一体化した透明
な平板に接着し、第１および第２のガラス基板を筺体で
覆うようにしたものである。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態１．図１は実施の形態１の説明に用いる、液
相エッチング装置によりガラス基板をエッチングする状
態を示す概略的な断面図であり、図１（Ａ）は横断面図
を示し、図１（Ｂ）は縦断面図を示している。図におい
て、１はＴＦＴアレイが形成されている、厚さ０．７〜
２．０ｍｍ程度の第１のガラス基板、２はカラーフィル
タが形成されている、厚さ０．７〜２．０ｍｍ程度の第
２のガラス基板、３は第１および第２のガラス基板１お
よび２間に封入された液晶層、４は液晶の漏れを阻止す
る液晶シール材、５はエッチング液から液晶シール材４
および第１のガラス基板１の周辺に配設された画素電極
（図示せず）を保護する封止材、６は第１および第２の
ガラス基板１および２と、液晶層３と、液晶シール材４
と、封止材５とから構成されるエッチング対象としての
エッチング対象パネルである。エッチング液として、ふ
っ酸（ＨＦ）などを用いる。エッチング液としてふっ酸
（ＨＦ）を用いる場合には、封止材５として、テフロン
ゴムなどのテフロン系パテ、松脂などの樹脂、銅などを
用いることができる。
説明する。 実施の形態１．図１は実施の形態１の説明に用いる、液
相エッチング装置によりガラス基板をエッチングする状
態を示す概略的な断面図であり、図１（Ａ）は横断面図
を示し、図１（Ｂ）は縦断面図を示している。図におい
て、１はＴＦＴアレイが形成されている、厚さ０．７〜
２．０ｍｍ程度の第１のガラス基板、２はカラーフィル
タが形成されている、厚さ０．７〜２．０ｍｍ程度の第
２のガラス基板、３は第１および第２のガラス基板１お
よび２間に封入された液晶層、４は液晶の漏れを阻止す
る液晶シール材、５はエッチング液から液晶シール材４
および第１のガラス基板１の周辺に配設された画素電極
（図示せず）を保護する封止材、６は第１および第２の
ガラス基板１および２と、液晶層３と、液晶シール材４
と、封止材５とから構成されるエッチング対象としての
エッチング対象パネルである。エッチング液として、ふ
っ酸（ＨＦ）などを用いる。エッチング液としてふっ酸
（ＨＦ）を用いる場合には、封止材５として、テフロン
ゴムなどのテフロン系パテ、松脂などの樹脂、銅などを
用いることができる。
【００２９】また、１１はガラス基板をエッチングする
ための液相エッチング装置、１２はヒーター（図示せ
ず）を内蔵したサセプター、１３はエッチング液を吹き
出すためのシャワーヘッド、１４はエッチング液を循環
させるための循環ポンプ、１５は使用済みのエッチング
液中に含まれている塵（エッチングにより生じた粒子）
を除去するためのフィルタ、１６はエッチング液を冷却
するための冷却装置、１７はエッチング液が循環する配
管、１８はサセプター１２上に純水を送り込むための配
管である。図１（Ａ）には、エッチング液および純水が
流れる方向を矢印で示している。シャワーヘッド１３
は、サセプター１２上にエッチング対象パネル６を配置
した場合に、ガラス基板面に対向するように配置されて
いる。そして、シャワーヘッド１３には、多数のエッチ
ング液吹き出し用の吹き出し孔が設けられており、これ
ら吹き出し孔は、サセプター１２上にエッチング対象パ
ネル６を配置した場合に、ガラス基板面に対して垂直と
なるように設けられている。なお、この液相エッチング
装置１１は、エッチング対象パネル６を移動させなが
ら、同時に複数のエッチング対象パネル６をエッチング
することができるように構成されている。図１（Ｂ）に
は、移動機構（図示せず）を用いてエッチング対象パネ
ル６が移動する方向を矢印で示している。
ための液相エッチング装置、１２はヒーター（図示せ
ず）を内蔵したサセプター、１３はエッチング液を吹き
出すためのシャワーヘッド、１４はエッチング液を循環
させるための循環ポンプ、１５は使用済みのエッチング
液中に含まれている塵（エッチングにより生じた粒子）
を除去するためのフィルタ、１６はエッチング液を冷却
するための冷却装置、１７はエッチング液が循環する配
管、１８はサセプター１２上に純水を送り込むための配
管である。図１（Ａ）には、エッチング液および純水が
流れる方向を矢印で示している。シャワーヘッド１３
は、サセプター１２上にエッチング対象パネル６を配置
した場合に、ガラス基板面に対向するように配置されて
いる。そして、シャワーヘッド１３には、多数のエッチ
ング液吹き出し用の吹き出し孔が設けられており、これ
ら吹き出し孔は、サセプター１２上にエッチング対象パ
ネル６を配置した場合に、ガラス基板面に対して垂直と
なるように設けられている。なお、この液相エッチング
装置１１は、エッチング対象パネル６を移動させなが
ら、同時に複数のエッチング対象パネル６をエッチング
することができるように構成されている。図１（Ｂ）に
は、移動機構（図示せず）を用いてエッチング対象パネ
ル６が移動する方向を矢印で示している。
【００３０】次に、液晶パネルの製造方法について説明
する。先ず、第１のガラス基板１にＴＦＴアレイを形成
し、第２のガラス基板にカラーフィルタを形成する。Ｔ
ＦＴアレイ形成工程およびカラーフィルタ形成工程にお
いては、ＴＦＴアレイおよびカラーフィルタ以外に、第
１および第２のガラス基板１および２に形成しなければ
ならないその他の要素も併せて形成する。
する。先ず、第１のガラス基板１にＴＦＴアレイを形成
し、第２のガラス基板にカラーフィルタを形成する。Ｔ
ＦＴアレイ形成工程およびカラーフィルタ形成工程にお
いては、ＴＦＴアレイおよびカラーフィルタ以外に、第
１および第２のガラス基板１および２に形成しなければ
ならないその他の要素も併せて形成する。
【００３１】その後、ＴＦＴアレイが形成された第１の
ガラス基板１と、カラーフィルタが形成された第２のガ
ラス基板２とをはり合わせる。その後、はり合わされた
第１および第２のガラス基板１および２間に液晶を注入
する。ここまでの工程は、従来公知の方法を用いて行
う。
ガラス基板１と、カラーフィルタが形成された第２のガ
ラス基板２とをはり合わせる。その後、はり合わされた
第１および第２のガラス基板１および２間に液晶を注入
する。ここまでの工程は、従来公知の方法を用いて行
う。
【００３２】その後、液晶シール材４および第１のガラ
ス基板１の周辺に配設された画素電極を、テフロンゴム
などのテフロン系パテ、松脂などの樹脂、銅などの封止
材５で被覆する。ここまでの工程で、エッチング対象と
してのエッチング対象パネル６が出来上がる。
ス基板１の周辺に配設された画素電極を、テフロンゴム
などのテフロン系パテ、松脂などの樹脂、銅などの封止
材５で被覆する。ここまでの工程で、エッチング対象と
してのエッチング対象パネル６が出来上がる。
【００３３】その後、第１のガラス基板１を、第１およ
び第２のガラス基板１および２が対向する面（液晶層３
と接触する面）と反対側の面からエッチングする。この
エッチング工程は、図１に示すエッチング装置１１によ
り、エッチング液としてふっ酸（ＨＦ）を用いて行う。
この場合、エッチング対象パネル６を、第１のガラス基
板１をシャワーヘッド１３側に向けて、サセプター１２
上に配置する。このように、エッチング対象パネル６を
配置した場合には、シャワーヘッド１３は第１のガラス
基板１のガラス基板面と対向する。そして、シャワーヘ
ッド１３に多数設けられたエッチング液吹き出し用の吹
き出し孔から第１のガラス基板１のガラス基板面に向け
てエッチング液を均一に吹き付ける。その際、エッチン
グ対象パネル６は、サセプター１２に内蔵されているヒ
ーターにより１００℃弱に加熱してあり、エッチング液
は冷却装置１６により５℃程度に冷却してある。また、
サセプター１２上に配置したエッチング対象パネル６の
裏面側、すなわち第２のガラス基板２側から配管１２を
通して純水を送り込み、エッチング液がエッチング対象
パネル６の裏面側にまわり込むことを防止する。なお、
エッチング対象パネル６の裏面側にエッチング液がまわ
り込むことを防止するその他の手法として、第２のガラ
ス基板２上にレジスト膜を設ける方法もある。
び第２のガラス基板１および２が対向する面（液晶層３
と接触する面）と反対側の面からエッチングする。この
エッチング工程は、図１に示すエッチング装置１１によ
り、エッチング液としてふっ酸（ＨＦ）を用いて行う。
この場合、エッチング対象パネル６を、第１のガラス基
板１をシャワーヘッド１３側に向けて、サセプター１２
上に配置する。このように、エッチング対象パネル６を
配置した場合には、シャワーヘッド１３は第１のガラス
基板１のガラス基板面と対向する。そして、シャワーヘ
ッド１３に多数設けられたエッチング液吹き出し用の吹
き出し孔から第１のガラス基板１のガラス基板面に向け
てエッチング液を均一に吹き付ける。その際、エッチン
グ対象パネル６は、サセプター１２に内蔵されているヒ
ーターにより１００℃弱に加熱してあり、エッチング液
は冷却装置１６により５℃程度に冷却してある。また、
サセプター１２上に配置したエッチング対象パネル６の
裏面側、すなわち第２のガラス基板２側から配管１２を
通して純水を送り込み、エッチング液がエッチング対象
パネル６の裏面側にまわり込むことを防止する。なお、
エッチング対象パネル６の裏面側にエッチング液がまわ
り込むことを防止するその他の手法として、第２のガラ
ス基板２上にレジスト膜を設ける方法もある。
【００３４】その後、第２のガラス基板２を、第１のガ
ラス基板１と同様にエッチングする。
ラス基板１と同様にエッチングする。
【００３５】その後、偏光シートを第１のガラス基板１
および第２のガラス基板２に張り付けて、液晶パネルが
完成する。
および第２のガラス基板２に張り付けて、液晶パネルが
完成する。
【００３６】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、第１および第２のガラス基板１および２をエッチン
グするので、ガラス基板の総重量を小さくすることがで
きるという効果が得られる。
ば、第１および第２のガラス基板１および２をエッチン
グするので、ガラス基板の総重量を小さくすることがで
きるという効果が得られる。
【００３７】また、シャワーヘッド１３に多数設けられ
たエッチング液吹き出し用の吹き出し孔から第１および
第２のガラス基板１および２のガラス基板面に向けてエ
ッチング液を均一に吹き付けるので、第１および第２の
ガラス基板１および２は均一にエッチングされるという
効果が得られる。
たエッチング液吹き出し用の吹き出し孔から第１および
第２のガラス基板１および２のガラス基板面に向けてエ
ッチング液を均一に吹き付けるので、第１および第２の
ガラス基板１および２は均一にエッチングされるという
効果が得られる。
【００３８】さらに、エッチング対象パネル６を１００
℃弱に加熱し、５℃程度に冷却したエッチング液により
第１および第２のガラス基板１および２をエッチングす
るので、温度勾配による熱泳動により、エッチングによ
り生じた粒子を第１および第２のガラス基板１および２
のガラス基板面から効果的に遊離させることができると
いう効果が得られる。なお、エッチング中に、エッチン
グ対象パネル６に対して、加振装置（図示せず）により
連続的にあるいは定期的に振動を加えると、エッチング
により生じた粒子を第１および第２のガラス基板１およ
び２のガラス基板面から、さらに効果的に遊離させるこ
とができるという効果が得られる。
℃弱に加熱し、５℃程度に冷却したエッチング液により
第１および第２のガラス基板１および２をエッチングす
るので、温度勾配による熱泳動により、エッチングによ
り生じた粒子を第１および第２のガラス基板１および２
のガラス基板面から効果的に遊離させることができると
いう効果が得られる。なお、エッチング中に、エッチン
グ対象パネル６に対して、加振装置（図示せず）により
連続的にあるいは定期的に振動を加えると、エッチング
により生じた粒子を第１および第２のガラス基板１およ
び２のガラス基板面から、さらに効果的に遊離させるこ
とができるという効果が得られる。
【００３９】さらに、サセプター１２上に配置したエッ
チング対象パネル６の裏面側から配管１２を通して純水
を送り込み、エッチング液がエッチング対象パネル６の
裏面側にまわり込むことを防止するので、不要な部分の
エッチングを防止することができるという効果が得られ
る。
チング対象パネル６の裏面側から配管１２を通して純水
を送り込み、エッチング液がエッチング対象パネル６の
裏面側にまわり込むことを防止するので、不要な部分の
エッチングを防止することができるという効果が得られ
る。
【００４０】さらに、循環ポンプ１４を用いてエッチン
グ液を循環させ、エッチングにより生じた粒子をフィル
タ１５で除去してエッチング液を再利用するので、エッ
チング液を有効に利用することができるという効果が得
られる。
グ液を循環させ、エッチングにより生じた粒子をフィル
タ１５で除去してエッチング液を再利用するので、エッ
チング液を有効に利用することができるという効果が得
られる。
【００４１】さらに、エッチング対象パネル６を移動さ
せながら、同時に複数のエッチング対象パネル６をエッ
チングするので、高いスループットが実現できるという
効果が得られる。
せながら、同時に複数のエッチング対象パネル６をエッ
チングするので、高いスループットが実現できるという
効果が得られる。
【００４２】なお、第１および第２のガラス基板１およ
び２のうち、一方のガラス基板だけをエッチングする場
合も、ガラス基板の総重量を小さくすることができると
いう効果が得られる。
び２のうち、一方のガラス基板だけをエッチングする場
合も、ガラス基板の総重量を小さくすることができると
いう効果が得られる。
【００４３】実施の形態２．ガラス基板中に、バリウム
（Ｂａ）が含まれている場合には、エッチング液として
ふっ酸（ＨＦ）を用いて、ガラス基板をエッチングする
ときに、ＢａＦ2 粒子が析出し、ガラス基板面上に残留
するので、ガラス基板の表面が荒れる場合があった。こ
の実施の形態２では、エッチングされるガラス基板とし
て、バリウム（Ｂａ）を含まないものを用いる。
（Ｂａ）が含まれている場合には、エッチング液として
ふっ酸（ＨＦ）を用いて、ガラス基板をエッチングする
ときに、ＢａＦ2 粒子が析出し、ガラス基板面上に残留
するので、ガラス基板の表面が荒れる場合があった。こ
の実施の形態２では、エッチングされるガラス基板とし
て、バリウム（Ｂａ）を含まないものを用いる。
【００４４】以上のように、この実施の形態２によれ
ば、エッチングするガラス基板として、バリウム（Ｂ
ａ）を含まないものを用いるので、エッチング後のガラ
ス基板の表面がなめらかになるという効果が得られる。
ば、エッチングするガラス基板として、バリウム（Ｂ
ａ）を含まないものを用いるので、エッチング後のガラ
ス基板の表面がなめらかになるという効果が得られる。
【００４５】実施の形態３．この実施の形態３では、第
１のガラス基板として、バリウム（Ｂａ）を含まない
が、ナトリウム（Ｎａ）を含むものを用いる。そして、
ＴＦＴアレイを形成する際の熱処理工程前に、第１のガ
ラス基板１のＴＦＴを形成する側の面上に、ＳｉＯ2 や
Ｓｉ3 Ｎ4 などのバリア膜をＣＶＤ法やスパッタ法など
で形成する。
１のガラス基板として、バリウム（Ｂａ）を含まない
が、ナトリウム（Ｎａ）を含むものを用いる。そして、
ＴＦＴアレイを形成する際の熱処理工程前に、第１のガ
ラス基板１のＴＦＴを形成する側の面上に、ＳｉＯ2 や
Ｓｉ3 Ｎ4 などのバリア膜をＣＶＤ法やスパッタ法など
で形成する。
【００４６】以上のように、この実施の形態３によれ
ば、第１のガラス基板として、バリウム（Ｂａ）を含ま
ないが、ナトリウム（Ｎａ）を含むものを用い、そし
て、ＴＦＴアレイを形成する際の熱処理工程前に、第１
のガラス基板のＴＦＴを形成する側の面上に、ＳｉＯ2
やＳｉ3 Ｎ4 などのバリア膜を形成するので、第１のガ
ラス基板にＴＦＴアレイを形成する際の熱処理工程にお
いて、ナトリウム（Ｎａ）の拡散を抑制することができ
るという効果が得られる。
ば、第１のガラス基板として、バリウム（Ｂａ）を含ま
ないが、ナトリウム（Ｎａ）を含むものを用い、そし
て、ＴＦＴアレイを形成する際の熱処理工程前に、第１
のガラス基板のＴＦＴを形成する側の面上に、ＳｉＯ2
やＳｉ3 Ｎ4 などのバリア膜を形成するので、第１のガ
ラス基板にＴＦＴアレイを形成する際の熱処理工程にお
いて、ナトリウム（Ｎａ）の拡散を抑制することができ
るという効果が得られる。
【００４７】実施の形態４．この実施の形態４では、第
２のガラス基板に、液晶パネルに設けた配線を避けるよ
うに透過光を集光する透過光束集光用のマイクロレンズ
を形成する。
２のガラス基板に、液晶パネルに設けた配線を避けるよ
うに透過光を集光する透過光束集光用のマイクロレンズ
を形成する。
【００４８】図２および図３は実施の形態４の説明に用
いる、第２のガラス基板に透過光束集光用のマイクロレ
ンズを形成する工程を示す概略的な断面図である。図に
おいて、４１はカラーフィルタ、４２はレジストパター
ン、４３はレジストパターン４２に設けられた開口部、
４４は第２のガラス基板２をエッチングするためのエッ
チング液、４５は第２のガラス基板２に形成された半円
柱状の溝、４６は第２のガラス基板２に形成された透過
光束集光用のマイクロレンズである。その他の符号は、
図１の場合と同じである。
いる、第２のガラス基板に透過光束集光用のマイクロレ
ンズを形成する工程を示す概略的な断面図である。図に
おいて、４１はカラーフィルタ、４２はレジストパター
ン、４３はレジストパターン４２に設けられた開口部、
４４は第２のガラス基板２をエッチングするためのエッ
チング液、４５は第２のガラス基板２に形成された半円
柱状の溝、４６は第２のガラス基板２に形成された透過
光束集光用のマイクロレンズである。その他の符号は、
図１の場合と同じである。
【００４９】次に、液晶パネルの製造方法について説明
する。エッチング対象パネル６を形成する工程までは、
実施の形態１の場合と同様に行う。
する。エッチング対象パネル６を形成する工程までは、
実施の形態１の場合と同様に行う。
【００５０】その後、第２のガラス基板２の第１および
第２のガラス基板１および２が対向する面（液晶層３と
接触する面）と反対側の面上に、レジストパターン４２
を形成する（図２（Ａ））。このレジストパターン４２
は、ＴＦＴ毎に定まる表示ドットが複数の列から成るも
のとした場合に、隣接する表示ドットの列の境界に開口
部４３を有するラインアンドスペース状のレジストパタ
ーンである。すなわち、カラーフィルタ４１は表示ドッ
ト毎に設けられるため、このレジストパターン４２は、
隣接するカラーフィルタ４１の列の境界に開口部４３を
有するラインアンドスペース状のレジストパターンであ
る。
第２のガラス基板１および２が対向する面（液晶層３と
接触する面）と反対側の面上に、レジストパターン４２
を形成する（図２（Ａ））。このレジストパターン４２
は、ＴＦＴ毎に定まる表示ドットが複数の列から成るも
のとした場合に、隣接する表示ドットの列の境界に開口
部４３を有するラインアンドスペース状のレジストパタ
ーンである。すなわち、カラーフィルタ４１は表示ドッ
ト毎に設けられるため、このレジストパターン４２は、
隣接するカラーフィルタ４１の列の境界に開口部４３を
有するラインアンドスペース状のレジストパターンであ
る。
【００５１】その後、第２のガラス基板２を、レジスト
パターン４２をエッチングマスクとして、第１および第
２のガラス基板１および２が対向する面（液晶層３と接
触する面）と反対側の面からエッチングする（図２
（Ｂ））。このエッチング工程は、図１に示すエッチン
グ装置により、エッチング液４４としてふっ酸（ＨＦ）
を用いて行う。例えば、厚さ０．７〜１．０ｍｍ程度の
第２のガラス基板２を、４０ｗｔ％程度のふっ酸（Ｈ
Ｆ）を用いて、３０分程度エッチングする。このエッチ
ング工程により、第２のガラス基板２に半円柱状の溝４
５を形成する。
パターン４２をエッチングマスクとして、第１および第
２のガラス基板１および２が対向する面（液晶層３と接
触する面）と反対側の面からエッチングする（図２
（Ｂ））。このエッチング工程は、図１に示すエッチン
グ装置により、エッチング液４４としてふっ酸（ＨＦ）
を用いて行う。例えば、厚さ０．７〜１．０ｍｍ程度の
第２のガラス基板２を、４０ｗｔ％程度のふっ酸（Ｈ
Ｆ）を用いて、３０分程度エッチングする。このエッチ
ング工程により、第２のガラス基板２に半円柱状の溝４
５を形成する。
【００５２】その後、レジストパターン４２を除去する
（図２（Ｃ））。
（図２（Ｃ））。
【００５３】その後、再度、第２のガラス基板２を、第
１および第２のガラス基板１および２が対向する面（液
晶層３と接触する面）と反対側の面からエッチングする
（図３（Ａ））。このエッチング工程は、エッチング液
４４としてふっ酸（ＨＦ）を用いて行う。例えば、１分
程度エッチングする。このエッチング工程により、第２
のガラス基板２の第１および第２のガラス基板１および
２が対向する面と反対側の面を、隣接する表示ドットの
列の境界が凹部となる波形の面とすることにより、第２
のガラス基板２に、液晶パネルに設けた配線をさけるよ
うに透過光を集光する透過光束集光用のマイクロレンズ
４６を形成する（図３（Ｂ））。
１および第２のガラス基板１および２が対向する面（液
晶層３と接触する面）と反対側の面からエッチングする
（図３（Ａ））。このエッチング工程は、エッチング液
４４としてふっ酸（ＨＦ）を用いて行う。例えば、１分
程度エッチングする。このエッチング工程により、第２
のガラス基板２の第１および第２のガラス基板１および
２が対向する面と反対側の面を、隣接する表示ドットの
列の境界が凹部となる波形の面とすることにより、第２
のガラス基板２に、液晶パネルに設けた配線をさけるよ
うに透過光を集光する透過光束集光用のマイクロレンズ
４６を形成する（図３（Ｂ））。
【００５４】以上のように、この実施の形態４によれ
ば、第２のガラス基板２をエッチングするときに、第２
のガラス基板２に、液晶パネルに設けた配線をさけるよ
うに透過光を集光する透過光束集光用のマイクロレンズ
４６を形成するので、ガラス基板の総重量を小さくする
と共に、光透過率が向上するという効果が得られる。さ
らに、光透過率が向上するので、バックライト方式の液
晶パネルにおいて、コストアップの要因となるプリズム
シートを設ける必要がなくなるという効果が得られる。
ば、第２のガラス基板２をエッチングするときに、第２
のガラス基板２に、液晶パネルに設けた配線をさけるよ
うに透過光を集光する透過光束集光用のマイクロレンズ
４６を形成するので、ガラス基板の総重量を小さくする
と共に、光透過率が向上するという効果が得られる。さ
らに、光透過率が向上するので、バックライト方式の液
晶パネルにおいて、コストアップの要因となるプリズム
シートを設ける必要がなくなるという効果が得られる。
【００５５】実施の形態５．この実施の形態５では、第
１および第２のガラス基板として、表面がシリコン膜で
被覆されたポーラス基板に接着された厚さ０．１〜０．
４ｍｍ程度のものを用い、液晶注入工程後に、第１及び
第２のガラス基板をポーラス基板から剥離する。
１および第２のガラス基板として、表面がシリコン膜で
被覆されたポーラス基板に接着された厚さ０．１〜０．
４ｍｍ程度のものを用い、液晶注入工程後に、第１及び
第２のガラス基板をポーラス基板から剥離する。
【００５６】図４および図５は実施の形態５の説明に用
いる、液晶パネルを製造する工程を示す概略的な断面図
である。図において、５１は第１のガラス基板１が接着
する厚さ０．５〜１．０ｍｍ程度の第１のポーラス基
板、５２は第２のガラス基板２が接着する厚さ０．５〜
１．０ｍｍ程度の第２のポーラス基板、５３は第１およ
び第２のポーラス基板５１および５２を被覆するシリコ
ン膜、５４は第１のガラス基板１と第１のポーラス基板
５１および第２のガラス基板２と第２のポーラス基板５
２とを接着する接着層、５５は剥離液から液晶シール材
４および第１のガラス基板１の周辺に配設された画素電
極（図示せず）を保護する封止材である。その他の符号
は、図１の場合と同じである。第１および第２のポーラ
ス基板５１および５２として、直径数μｍの細孔を有す
る多孔質ガラス基板（例えば、旭硝子株式会社製のＭＩ
ＣＲＯ ＰＯＲＯＩＳ ＧＬＡＳＳ ＭＰＧ−ＡＭ）、
直径数μｍの細孔を有する多孔質石英ガラス基板（例え
ば、旭硝子株式会社製のＭＩＣＲＯ ＰＯＲＯＩＳ Ｇ
ＬＡＳＳ ＭＰＧ−ＡＳ）、あるいは図６に示すＳｉ
Ｃ、Ｍｏ、アンバー、インバールなどの耐熱材料６１な
どを用いる。耐熱材料６１には、耐熱材料６１を貫通す
る直径０．１〜１．０μｍ程度の細孔６２が１〜１０ｍ
ｍ程度のピッチで規則的に配置されている。なお、図６
には、耐熱材料６２がシリコン膜６３を被覆している状
態を示しており、図６（Ａ）は平面図であり、図６
（Ｂ）は断面図である。剥離液として、ＡＰＷ液（エチ
レンジアミンを１、ピロカロールを２、水を２の体積比
で混合したもの）などを用いる。剥離液としてＡＰＷ液
を用いる場合には、封止材５５として、テフロンゴムな
どのテフロン系パテ、松脂などの樹脂、銅などを用いる
ことができる。
いる、液晶パネルを製造する工程を示す概略的な断面図
である。図において、５１は第１のガラス基板１が接着
する厚さ０．５〜１．０ｍｍ程度の第１のポーラス基
板、５２は第２のガラス基板２が接着する厚さ０．５〜
１．０ｍｍ程度の第２のポーラス基板、５３は第１およ
び第２のポーラス基板５１および５２を被覆するシリコ
ン膜、５４は第１のガラス基板１と第１のポーラス基板
５１および第２のガラス基板２と第２のポーラス基板５
２とを接着する接着層、５５は剥離液から液晶シール材
４および第１のガラス基板１の周辺に配設された画素電
極（図示せず）を保護する封止材である。その他の符号
は、図１の場合と同じである。第１および第２のポーラ
ス基板５１および５２として、直径数μｍの細孔を有す
る多孔質ガラス基板（例えば、旭硝子株式会社製のＭＩ
ＣＲＯ ＰＯＲＯＩＳ ＧＬＡＳＳ ＭＰＧ−ＡＭ）、
直径数μｍの細孔を有する多孔質石英ガラス基板（例え
ば、旭硝子株式会社製のＭＩＣＲＯ ＰＯＲＯＩＳ Ｇ
ＬＡＳＳ ＭＰＧ−ＡＳ）、あるいは図６に示すＳｉ
Ｃ、Ｍｏ、アンバー、インバールなどの耐熱材料６１な
どを用いる。耐熱材料６１には、耐熱材料６１を貫通す
る直径０．１〜１．０μｍ程度の細孔６２が１〜１０ｍ
ｍ程度のピッチで規則的に配置されている。なお、図６
には、耐熱材料６２がシリコン膜６３を被覆している状
態を示しており、図６（Ａ）は平面図であり、図６
（Ｂ）は断面図である。剥離液として、ＡＰＷ液（エチ
レンジアミンを１、ピロカロールを２、水を２の体積比
で混合したもの）などを用いる。剥離液としてＡＰＷ液
を用いる場合には、封止材５５として、テフロンゴムな
どのテフロン系パテ、松脂などの樹脂、銅などを用いる
ことができる。
【００５７】次に、液晶パネルの製造方法について説明
する。先ず、第１および第２のポーラス基板５１および
５２の表面に、厚さ数μｍのシリコン膜５３をＣＶＤ法
で形成する（図４（Ａ））。このシリコン膜５３によ
り、第１および第２のポーラス基板５１および５２表面
の細孔は塞がれる。
する。先ず、第１および第２のポーラス基板５１および
５２の表面に、厚さ数μｍのシリコン膜５３をＣＶＤ法
で形成する（図４（Ａ））。このシリコン膜５３によ
り、第１および第２のポーラス基板５１および５２表面
の細孔は塞がれる。
【００５８】その後、第１のガラス基板１を第１のポー
ラス基板５１に接着し、第２のガラス基板２を第２のポ
ーラス基板５２に接着する（図４（Ｂ））。図４（Ｂ）
には、第１のガラス基板１が接着層５４を介して第１の
ポーラス基板５１と接着している状態を示している。
ラス基板５１に接着し、第２のガラス基板２を第２のポ
ーラス基板５２に接着する（図４（Ｂ））。図４（Ｂ）
には、第１のガラス基板１が接着層５４を介して第１の
ポーラス基板５１と接着している状態を示している。
【００５９】その後、液晶注入工程までは、実施の形態
１の場合と同様に行う（図４（Ｃ））。
１の場合と同様に行う（図４（Ｃ））。
【００６０】その後、液晶シール材４および第１のガラ
ス基板１の周辺に配設された画素電極（図示せず）を、
テフロンゴムなどのテフロン系パテ、松脂などの樹脂、
銅などの封止材５５で被覆する（図５（Ａ））。
ス基板１の周辺に配設された画素電極（図示せず）を、
テフロンゴムなどのテフロン系パテ、松脂などの樹脂、
銅などの封止材５５で被覆する（図５（Ａ））。
【００６１】その後、第１および第２のポーラス基板５
１および５２を被覆するシリコン膜５３の表面に生じた
自然酸化膜をふっ酸（ＨＦ）で除去する。
１および５２を被覆するシリコン膜５３の表面に生じた
自然酸化膜をふっ酸（ＨＦ）で除去する。
【００６２】その後、第１のガラス基板１と第１のポー
ラス基板５１との接着面以外の第１ポーラス基板５１の
表面を被覆するシリコン膜５３を剥離液で溶解した後、
第１のガラス基板１と第１のポーラス基板５１との接着
面に位置するシリコン膜５３を、第１のポーラス基板５
１の細孔内部を浸透してきた剥離液により溶解し、第１
のガラス基板１を第１のポーラス基板５１から剥離す
る。同様に、第２のガラス基板２を第２のポーラス基板
５２から剥離する（図５（Ｂ））。この剥離工程は、剥
離液として７０℃程度のＡＰＷ液を用いて行う。剥離工
程後、必要に応じて、接着層５４を除去する。図５
（Ｂ）には、接着層５４を除去した状態を示している。
ラス基板５１との接着面以外の第１ポーラス基板５１の
表面を被覆するシリコン膜５３を剥離液で溶解した後、
第１のガラス基板１と第１のポーラス基板５１との接着
面に位置するシリコン膜５３を、第１のポーラス基板５
１の細孔内部を浸透してきた剥離液により溶解し、第１
のガラス基板１を第１のポーラス基板５１から剥離す
る。同様に、第２のガラス基板２を第２のポーラス基板
５２から剥離する（図５（Ｂ））。この剥離工程は、剥
離液として７０℃程度のＡＰＷ液を用いて行う。剥離工
程後、必要に応じて、接着層５４を除去する。図５
（Ｂ）には、接着層５４を除去した状態を示している。
【００６３】その後、偏光シートを第１のガラス基板１
および第２のガラス基板２に張り付けて、液晶パネルが
完成する。
および第２のガラス基板２に張り付けて、液晶パネルが
完成する。
【００６４】以上のように、この実施の形態５によれ
ば、第１および第２のガラス基板１および２として、表
面がシリコン膜５３で被覆された第１および第２のポー
ラス基板５１および５２に接着された厚さ０．１〜０．
４ｍｍ程度のものを用い、液晶注入工程後に、第１及び
第２のガラス基板１および２を第１および第２のポーラ
ス基板５１および５２から剥離するので、ガラス基板の
総重量を小さくすることができるという効果が得られ
る。
ば、第１および第２のガラス基板１および２として、表
面がシリコン膜５３で被覆された第１および第２のポー
ラス基板５１および５２に接着された厚さ０．１〜０．
４ｍｍ程度のものを用い、液晶注入工程後に、第１及び
第２のガラス基板１および２を第１および第２のポーラ
ス基板５１および５２から剥離するので、ガラス基板の
総重量を小さくすることができるという効果が得られ
る。
【００６５】また、第１および第２のポーラス基板５１
および５２として、多孔質ガラス基板を用い、剥離液と
してＡＰＷ液を用いる場合には、ＡＰＷ液の選択比がＳ
ｉ／ＳｉＯ2 ＝７５０程度と充分大きいので、ポーラス
基板の再利用ができるという効果が得られる。
および５２として、多孔質ガラス基板を用い、剥離液と
してＡＰＷ液を用いる場合には、ＡＰＷ液の選択比がＳ
ｉ／ＳｉＯ2 ＝７５０程度と充分大きいので、ポーラス
基板の再利用ができるという効果が得られる。
【００６６】なお、第１および第２のガラス基板１およ
び２のうち、一方のガラス基板だけ表面がシリコン膜で
被覆されたポーラス基板に接着された厚さ０．１〜０．
４ｍｍ程度のものを用いる場合にも、ガラス基板の総重
量を小さくすることができるという効果が得られる。
び２のうち、一方のガラス基板だけ表面がシリコン膜で
被覆されたポーラス基板に接着された厚さ０．１〜０．
４ｍｍ程度のものを用いる場合にも、ガラス基板の総重
量を小さくすることができるという効果が得られる。
【００６７】実施の形態６．この実施の形態６では、第
１および第２のガラス基板として、表面がシリコン膜で
被覆された耐熱性のポーラス基板にＣＶＤ法で形成した
厚さ１０μｍ程度のＳｉＯ2 膜を用い、液晶注入工程後
に、第１及び第２のガラス基板をポーラス基板から剥離
する。
１および第２のガラス基板として、表面がシリコン膜で
被覆された耐熱性のポーラス基板にＣＶＤ法で形成した
厚さ１０μｍ程度のＳｉＯ2 膜を用い、液晶注入工程後
に、第１及び第２のガラス基板をポーラス基板から剥離
する。
【００６８】耐熱性のポーラス基板として、直径数μｍ
の細孔を有する多孔質石英ガラス基板（例えば、旭硝子
株式会社製のＭＩＣＲＯ ＰＯＲＯＩＳ ＧＬＡＳＳ
ＭＰＧ−ＡＳ）、あるいは図６に示すＳｉＣ、Ｍｏ、ア
ンバー、インバールなどの耐熱材料６１などを用いる。
の細孔を有する多孔質石英ガラス基板（例えば、旭硝子
株式会社製のＭＩＣＲＯ ＰＯＲＯＩＳ ＧＬＡＳＳ
ＭＰＧ−ＡＳ）、あるいは図６に示すＳｉＣ、Ｍｏ、ア
ンバー、インバールなどの耐熱材料６１などを用いる。
【００６９】液晶パネルを製造する場合、先ず、第１お
よび第２のポーラス基板の表面に、厚さ数μｍのシリコ
ン膜をＣＶＤ法で形成する。このシリコン膜により、第
１および第２のポーラス基板表面の細孔は塞がれる。
よび第２のポーラス基板の表面に、厚さ数μｍのシリコ
ン膜をＣＶＤ法で形成する。このシリコン膜により、第
１および第２のポーラス基板表面の細孔は塞がれる。
【００７０】その後、第１のポーラス基板の所定の面
に、厚さ１０μｍ程度のＳｉＯ2 膜をＣＶＤ法で形成
し、このＳｉＯ2 膜を第１のガラス基板とする。同様
に、第２のポーラス基板の所定の面に、厚さ１０μｍ程
度のＳｉＯ2 膜をＣＶＤ法で形成し、このＳｉＯ2 膜を
第２のガラス基板とする。
に、厚さ１０μｍ程度のＳｉＯ2 膜をＣＶＤ法で形成
し、このＳｉＯ2 膜を第１のガラス基板とする。同様
に、第２のポーラス基板の所定の面に、厚さ１０μｍ程
度のＳｉＯ2 膜をＣＶＤ法で形成し、このＳｉＯ2 膜を
第２のガラス基板とする。
【００７１】以後、実施の形態５の場合と同様の工程を
経て、液晶パネルが完成する。
経て、液晶パネルが完成する。
【００７２】以上のように、この実施の形態６によれ
ば、第１および第２のガラス基板として、表面がシリコ
ン膜で被覆された耐熱性のポーラス基板にＣＶＤ法で形
成したＳｉＯ2 膜を用い、液晶注入工程後に、第１およ
び第２のガラス基板をポーラス基板から剥離するので、
第１および第２のガラス基板をさらに薄くすることがで
き、ガラス基板の総重量をさらに小さくすることができ
るという効果が得られる。また、第１のガラス基板とし
て、ＣＶＤ法で形成したＳｉＯ2 膜を用いるので、第１
のガラス基板に形成するＴＦＴアレイを構成する各ＴＦ
ＴをポリシリコンＴＦＴとすることにより、ＴＦＴアレ
イの抵抗が小さくなるという効果が得られる。
ば、第１および第２のガラス基板として、表面がシリコ
ン膜で被覆された耐熱性のポーラス基板にＣＶＤ法で形
成したＳｉＯ2 膜を用い、液晶注入工程後に、第１およ
び第２のガラス基板をポーラス基板から剥離するので、
第１および第２のガラス基板をさらに薄くすることがで
き、ガラス基板の総重量をさらに小さくすることができ
るという効果が得られる。また、第１のガラス基板とし
て、ＣＶＤ法で形成したＳｉＯ2 膜を用いるので、第１
のガラス基板に形成するＴＦＴアレイを構成する各ＴＦ
ＴをポリシリコンＴＦＴとすることにより、ＴＦＴアレ
イの抵抗が小さくなるという効果が得られる。
【００７３】なお、第１および第２のガラス基板のう
ち、一方のガラス基板だけ表面がシリコン膜で被覆され
た耐熱性のポーラス基板にＣＶＤ法で形成した厚さ１０
μｍ程度のＳｉＯ2 膜を用いる場合にも、ガラス基板の
総重量を小さくすることができるという効果が得られ
る。
ち、一方のガラス基板だけ表面がシリコン膜で被覆され
た耐熱性のポーラス基板にＣＶＤ法で形成した厚さ１０
μｍ程度のＳｉＯ2 膜を用いる場合にも、ガラス基板の
総重量を小さくすることができるという効果が得られ
る。
【００７４】実施の形態７．図７は、この実施の形態７
の説明に用いる、液晶パネルを筺体一体化した透明な平
板に接着し、筺体で覆った状態を示す概略的な断面図で
あり、バックライト方式の液晶パネルを示している。図
において、７１は筺体一体化した透明な平板、７２は筺
体、７３は液晶パネルを平板７１に接着する接着層、７
４は冷陰極管、７５はリフレクタ、７６は導光板であ
る。その他の符号は、図１の場合と同じである。平板７
１に接着する液晶パネルとして、実施の形態１から６で
製造したものを用いる。この場合、第１のガラス基板１
の第１および第２のガラス基板１および２が対向する面
と反対側の面を平板７１に接着する。平板７１として、
軽量、透明であり、耐衝撃強度が大きいアクリルなどを
用いる。
の説明に用いる、液晶パネルを筺体一体化した透明な平
板に接着し、筺体で覆った状態を示す概略的な断面図で
あり、バックライト方式の液晶パネルを示している。図
において、７１は筺体一体化した透明な平板、７２は筺
体、７３は液晶パネルを平板７１に接着する接着層、７
４は冷陰極管、７５はリフレクタ、７６は導光板であ
る。その他の符号は、図１の場合と同じである。平板７
１に接着する液晶パネルとして、実施の形態１から６で
製造したものを用いる。この場合、第１のガラス基板１
の第１および第２のガラス基板１および２が対向する面
と反対側の面を平板７１に接着する。平板７１として、
軽量、透明であり、耐衝撃強度が大きいアクリルなどを
用いる。
【００７５】以上のように、この実施の形態７によれ
ば、実施の形態１から６で製造した液晶パネルを筺体一
体化した透明な平板７１に接着し、筺体７２で覆うの
で、耐衝撃強度が向上し、落下時にも破壊する恐れがな
くなるという効果が得られる。
ば、実施の形態１から６で製造した液晶パネルを筺体一
体化した透明な平板７１に接着し、筺体７２で覆うの
で、耐衝撃強度が向上し、落下時にも破壊する恐れがな
くなるという効果が得られる。
【００７６】なお、上記の各実施の形態では、第１のガ
ラス基板にＴＦＴアレイを形成し、第２のガラス基板に
カラーフィルタを形成するカラーＴＦＴ液晶パネルにつ
いて説明したが、それに限るものではなく、２枚のガラ
ス基板を張り合わせ、その間に液晶を注入して形成する
液晶パネル、例えば単純マトリクス型の液晶パネルにも
適用できる。
ラス基板にＴＦＴアレイを形成し、第２のガラス基板に
カラーフィルタを形成するカラーＴＦＴ液晶パネルにつ
いて説明したが、それに限るものではなく、２枚のガラ
ス基板を張り合わせ、その間に液晶を注入して形成する
液晶パネル、例えば単純マトリクス型の液晶パネルにも
適用できる。
【００７７】
【００７８】
【００７９】
【００８０】
【００８１】
【００８２】
【００８３】
【００８４】
【００８５】
【００８６】
【００８７】
【００８８】請求項１記載の発明によれば、表示ドット
が複数の列から成るものとした場合に、第２のガラス基
板の第１および第２のガラス基板が対向する面と反対側
の面が、隣接する表示ドットの列の境界が凹部となる波
形の面となるように、第２のガラス基板を、第１および
第２のガラス基板が対向する面と反対側の面からエッチ
ングして、第２のガラス基板に透過光束集光用のマイク
ロレンズを形成するように構成したので、光透過率が向
上する効果がある。
が複数の列から成るものとした場合に、第２のガラス基
板の第１および第２のガラス基板が対向する面と反対側
の面が、隣接する表示ドットの列の境界が凹部となる波
形の面となるように、第２のガラス基板を、第１および
第２のガラス基板が対向する面と反対側の面からエッチ
ングして、第２のガラス基板に透過光束集光用のマイク
ロレンズを形成するように構成したので、光透過率が向
上する効果がある。
【００８９】請求項２記載の発明によれば、第２のガラ
ス基板のエッチングを、第２のガラス基板の第１および
第２のガラス基板が対向する面と反対側の面上に、隣接
する表示ドットの列の境界に開口部を有するレジストパ
ターンを形成し、そのレジストパターンをエッチングマ
スクとしてエッチングした後に、レジストパターンを除
去し、再度エッチングすることにより行うように構成し
たので、容易に、透過光束集光用のマイクロレンズを形
成することができる効果がある。
ス基板のエッチングを、第２のガラス基板の第１および
第２のガラス基板が対向する面と反対側の面上に、隣接
する表示ドットの列の境界に開口部を有するレジストパ
ターンを形成し、そのレジストパターンをエッチングマ
スクとしてエッチングした後に、レジストパターンを除
去し、再度エッチングすることにより行うように構成し
たので、容易に、透過光束集光用のマイクロレンズを形
成することができる効果がある。
【００９０】請求項３記載の発明によれば、第１のガラ
ス基板として、表面がシリコン膜で被覆された第１のポ
ーラス基板に接着されたものを用い、第２のガラス基板
として、表面がシリコン膜で被覆された第２のポーラス
基板に接着されたものを用い、第１のガラス基板と第１
のポーラス基板との接着面に位置するシリコン膜を、第
１のポーラス基板の内部を浸透してきたエッチング液に
より除去し、第１のガラス基板を第１のポーラス基板か
ら剥離し、第２のガラス基板と第２のポーラス基板との
接着面に位置するシリコン膜を、第２のポーラス基板の
内部を浸透してきた剥離液により溶解し、第２のガラス
基板を第２のポーラス基板から剥離するように構成した
ので、ガラス基板の総重量を小さくすることができる効
果がある。
ス基板として、表面がシリコン膜で被覆された第１のポ
ーラス基板に接着されたものを用い、第２のガラス基板
として、表面がシリコン膜で被覆された第２のポーラス
基板に接着されたものを用い、第１のガラス基板と第１
のポーラス基板との接着面に位置するシリコン膜を、第
１のポーラス基板の内部を浸透してきたエッチング液に
より除去し、第１のガラス基板を第１のポーラス基板か
ら剥離し、第２のガラス基板と第２のポーラス基板との
接着面に位置するシリコン膜を、第２のポーラス基板の
内部を浸透してきた剥離液により溶解し、第２のガラス
基板を第２のポーラス基板から剥離するように構成した
ので、ガラス基板の総重量を小さくすることができる効
果がある。
【００９１】請求項４記載の発明によれば、第１のガラ
ス基板として、表面がシリコン膜で被覆された第１のポ
ーラス基板に接着されたものを用い、第１のガラス基板
と第１のポーラス基板との接着面に位置するシリコン膜
を、第１のポーラス基板の内部を浸透してきた剥離液に
より溶解し、第１のガラス基板を第１のポーラス基板か
ら剥離するように構成したので、ガラス基板の総重量を
小さくすることができる効果がある。
ス基板として、表面がシリコン膜で被覆された第１のポ
ーラス基板に接着されたものを用い、第１のガラス基板
と第１のポーラス基板との接着面に位置するシリコン膜
を、第１のポーラス基板の内部を浸透してきた剥離液に
より溶解し、第１のガラス基板を第１のポーラス基板か
ら剥離するように構成したので、ガラス基板の総重量を
小さくすることができる効果がある。
【００９２】請求項５記載の発明によれば、第２のガラ
ス基板として、表面がシリコン膜で被覆された第２のポ
ーラス基板に接着されたものを用い、第２のガラス基板
と第２のポーラス基板との接着面に位置するシリコン膜
を、第２のポーラス基板の内部を浸透してきた剥離液に
より溶解し、第２のガラス基板を第２のポーラス基板か
ら剥離するように構成したので、ガラス基板の総重量を
小さくすることができる効果がある。
ス基板として、表面がシリコン膜で被覆された第２のポ
ーラス基板に接着されたものを用い、第２のガラス基板
と第２のポーラス基板との接着面に位置するシリコン膜
を、第２のポーラス基板の内部を浸透してきた剥離液に
より溶解し、第２のガラス基板を第２のポーラス基板か
ら剥離するように構成したので、ガラス基板の総重量を
小さくすることができる効果がある。
【００９３】請求項６記載の発明によれば、第１のガラ
ス基板の第１および第２のガラス基板が対向する面と反
対側の面を筺体一体化した透明な平板に接着し、第１お
よび第２のガラス基板を筺体で覆うように構成したの
で、耐衝撃強度が向上し、落下時にも破壊する恐れがな
くなる効果がある。
ス基板の第１および第２のガラス基板が対向する面と反
対側の面を筺体一体化した透明な平板に接着し、第１お
よび第２のガラス基板を筺体で覆うように構成したの
で、耐衝撃強度が向上し、落下時にも破壊する恐れがな
くなる効果がある。
【００９４】請求項７記載の発明によれば、第１のガラ
ス基板として、表面がシリコン膜で被覆された耐熱性の
第１のポーラス基板にＣＶＤ法で形成したＳｉＯ2 膜
を用い、第２のガラス基板として、表面がシリコン膜で
被覆された耐熱性の第２のポーラス基板にＣＶＤ法で形
成したＳｉＯ2 膜を用い、第１のガラス基板と第１の
ポーラス基板との接着面に位置するシリコン膜を、第１
のポーラス基板の内部を浸透してきた剥離液により溶解
し、第１のガラス基板を第１のポーラス基板から剥離
し、第２のガラス基板と第２のポーラス基板との接着面
に位置するシリコン膜を、第２のポーラス基板の内部を
浸透してきた剥離液により溶解し、第２のガラス基板を
第２のポーラス基板から剥離するように構成したので、
ガラス基板の総重量をさらに小さくすることができる効
果がある。
ス基板として、表面がシリコン膜で被覆された耐熱性の
第１のポーラス基板にＣＶＤ法で形成したＳｉＯ2 膜
を用い、第２のガラス基板として、表面がシリコン膜で
被覆された耐熱性の第２のポーラス基板にＣＶＤ法で形
成したＳｉＯ2 膜を用い、第１のガラス基板と第１の
ポーラス基板との接着面に位置するシリコン膜を、第１
のポーラス基板の内部を浸透してきた剥離液により溶解
し、第１のガラス基板を第１のポーラス基板から剥離
し、第２のガラス基板と第２のポーラス基板との接着面
に位置するシリコン膜を、第２のポーラス基板の内部を
浸透してきた剥離液により溶解し、第２のガラス基板を
第２のポーラス基板から剥離するように構成したので、
ガラス基板の総重量をさらに小さくすることができる効
果がある。
【００９５】請求項８記載の発明によれば、第１のガラ
ス基板として、表面がシリコン膜で被覆された耐熱性の
第１のポーラス基板にＣＶＤ法で形成したＳｉＯ2 膜
を用い、第１のガラス基板と第１のポーラス基板との接
着面に位置するシリコン膜を、第１のポーラス基板の内
部を浸透してきた剥離液により溶解し、第１のガラス基
板を第１のポーラス基板から剥離するように構成したの
で、ガラス基板の総重量をさらに小さくすることができ
る効果がある。
ス基板として、表面がシリコン膜で被覆された耐熱性の
第１のポーラス基板にＣＶＤ法で形成したＳｉＯ2 膜
を用い、第１のガラス基板と第１のポーラス基板との接
着面に位置するシリコン膜を、第１のポーラス基板の内
部を浸透してきた剥離液により溶解し、第１のガラス基
板を第１のポーラス基板から剥離するように構成したの
で、ガラス基板の総重量をさらに小さくすることができ
る効果がある。
【００９６】請求項９記載の発明によれば、第２のガラ
ス基板として、表面がシリコン膜で被覆された耐熱性の
第２のポーラス基板にＣＶＤ法で形成したＳｉＯ2 膜
を用い、第２のガラス基板と第２のポーラス基板との接
着面に位置するシリコン膜を、第２のポーラス基板の内
部を浸透してきた剥離液により溶解し、第２のガラス基
板を第２のポーラス基板から剥離するように構成したの
で、ガラス基板の総重量をさらに小さくすることができ
る効果がある。
ス基板として、表面がシリコン膜で被覆された耐熱性の
第２のポーラス基板にＣＶＤ法で形成したＳｉＯ2 膜
を用い、第２のガラス基板と第２のポーラス基板との接
着面に位置するシリコン膜を、第２のポーラス基板の内
部を浸透してきた剥離液により溶解し、第２のガラス基
板を第２のポーラス基板から剥離するように構成したの
で、ガラス基板の総重量をさらに小さくすることができ
る効果がある。
【００９７】請求項１０記載の発明によれば、第１のガ
ラス基板の第１および第２のガラス基板が対向する面と
反対側の面を筐体一体化した透明な平板に接着し、第１
および第２のガラス基板を筐体で覆うように構成したの
で、耐衝撃強度が向上し、落下時にも破壊する恐れがな
くなる効果がある。
ラス基板の第１および第２のガラス基板が対向する面と
反対側の面を筐体一体化した透明な平板に接着し、第１
および第２のガラス基板を筐体で覆うように構成したの
で、耐衝撃強度が向上し、落下時にも破壊する恐れがな
くなる効果がある。
【図１】 この発明の実施の形態１の説明に用いる、液
相エッチング装置によりガラス基板をエッチングする状
態を示す概略的な断面図である。
相エッチング装置によりガラス基板をエッチングする状
態を示す概略的な断面図である。
【図２】 この発明の実施の形態４の説明に用いる、第
２のガラス基板に透過光束集光用のマイクロレンズを形
成する工程を示す概略的な断面図である。
２のガラス基板に透過光束集光用のマイクロレンズを形
成する工程を示す概略的な断面図である。
【図３】 この発明の実施の形態４の説明に用いる、図
３につづく第２のガラス基板に透過光束集光用のマイク
ロレンズを形成する工程を示す概略的な断面図である。
３につづく第２のガラス基板に透過光束集光用のマイク
ロレンズを形成する工程を示す概略的な断面図である。
【図４】 この発明の実施の形態５の説明に用いる、液
晶パネルを製造する工程を示す概略的な断面図である。
晶パネルを製造する工程を示す概略的な断面図である。
【図５】 この発明の実施の形態５の説明に用いる、図
４につづく液晶パネルを製造する工程を示す概略的な断
面図である。
４につづく液晶パネルを製造する工程を示す概略的な断
面図である。
【図６】 シリコン膜で被覆された耐熱材料を示す概略
図である。
図である。
【図７】 この発明の実施の形態７の説明に用いる、液
晶パネルを筺体一体化した透明な平板に接着し、筺体で
覆った状態を示す概略的な断面図である。
晶パネルを筺体一体化した透明な平板に接着し、筺体で
覆った状態を示す概略的な断面図である。
１ 第１のガラス基板、２ 第２のガラス基板、１３
シャワーヘッド、４２レジストパターン、４３ 開口
部、４６ マイクロレンズ、５１ 第１のポーラス基
板、５２ 第２のポーラス基板、５３ シリコン膜、７
１ 平板、７２筺体。
シャワーヘッド、４２レジストパターン、４３ 開口
部、４６ マイクロレンズ、５１ 第１のポーラス基
板、５２ 第２のポーラス基板、５３ シリコン膜、７
１ 平板、７２筺体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−262419（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−116619（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−249422（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−249423（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−232458（ＪＰ，Ａ) 実開 昭58−13514（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/13 101 G02F 1/1333 500 G02F 1/1341 G09F 9/30
Claims (10)
- 【請求項１】 第１のガラス基板と第２のガラス基板と
をはり合わせる工程と、はり合わされた上記第１および
第２のガラス基板間に液晶を注入する工程とを含む液晶
パネルの製造方法において、表示ドットが複数の列から成るものとした場合に、上記
第２のガラス基板の上記第１および第２のガラス基板が
対向する面と反対側の面が、隣接する表示ドットの列の
境界が凹部となる波形の面となるように、上記液晶注入
工程後に、上記第２のガラス基板を、上記第１および第
２のガラス基板が対向する面と反対側の面からエッチン
グして、上記第２のガラス基板に透過光束集光用のマイ
クロレンズを形成する工程を含むことを特徴とする液晶
パネルの製造方法。 - 【請求項２】 第２のガラス基板のエッチングは、上記
第２のガラス基板の第１および第２のガラス基板が対向
する面と反対側の面上に、隣接する表示ドットの列の境
界に開口部を有するレジストパターンを形成し、該レジ
ストパターンをエッチングマスクとしてエッチングした
後に、上記レジストパターンを除去し、再度エッチング
することにより行うことを特徴とする請求項１記載の液
晶パネルの製造方法。 - 【請求項３】 第１のガラス基板と第２のガラス基板と
をはり合わせる工程と、はり合わされた上記第１および
第２のガラス基板間に液晶を注入する工程とを含む液晶
パネルの製造方法において、上記第１のガラス基板として、表面がシリコン膜で被覆
された第１のポーラス基板に接着されたものを用い、上
記第２のガラス基板として、表面がシリコン膜で被覆さ
れた第２のポーラス基板に接着されたものを用い、上記
液晶注入工程後に、上記第１のガラス基板と上記第１の
ポーラス基板との接着面に位置する上記シリコン膜を、
上記第１のポーラス基板の内部を浸透してきたエッチン
グ液により除去し、上記第１のガラス基板を上記第１の
ポーラス基板から剥離し、上記第２のガラス基板と上記
第２のポーラス基板との接着面に位置する上記シリコン
膜を、上記第２のポーラス基板の内部を浸透してきた剥
離液により溶解し、上記第２のガラス基板を上記第２の
ポーラス基板から剥離する工程を含むことを特徴とする
液晶パネルの製造方法。 - 【請求項４】 第１のガラス基板と第２のガラス基板と
をはり合わせる工程と、はり合わされた上記第１および
第２のガラス基板間に液晶を注入する工程とを含む液晶
パネルの製造方法において、 上記第１のガラス基板として、表面がシリコン膜で被覆
された第１のポーラス基板に接着されたものを用い、上
記液晶注入工程後に、上記第１のガラス基板と上記第１
のポーラス基板との接着面に位置する上記シリコン膜
を、上記第１のポーラス基板の内部を浸透してきた剥離
液により溶解し、上記第１のガラス基板を上記第１のポ
ーラス基板から剥離する工程を含むことを特徴とする液
晶パネルの製造方法。 - 【請求項５】 第１のガラス基板と第２のガラス基板と
をはり合わせる工程と、はり合わされた上記第１および
第２のガラス基板間に液晶を注入する工程とを含む液晶
パネルの製造方法において、上記第２のガラス基板として、表面がシリコン膜で被覆
された第２のポーラス基板に接着されたものを用い、上
記液晶注入工程後に、上記第２のガラス基板と上記第２
のポーラス基板との接着面に位置する上記シリコン膜
を、上記第２のポーラス基板の内部を浸透してきた剥離
液により溶解し、上記第２のガラス基板を上記第２のポ
ーラス基板から剥離する工程を含むことを特徴とする液
晶パネルの製造方法。 - 【請求項６】 方法剥離工程後、第１のガラス基板の第
１および第２のガラス基板が対向する面と反対側の面を
筺体一体化した透明な平板に接着し、上記第１および第
２のガラス基板を上記筺体で覆う工程を含むことを特徴
とする請求項３から請求項５のうちのいずれか１項記載
の液晶パネルの製造方法。 - 【請求項７】 第１のガラス基板と第２のガラス基板と
をはり合わせる工程と、はり合わされた上記第１および
第２のガラス基板間に液晶を注入する工程とを含む液晶
パネルの製造方法において、上記第１のガラス基板として、表面がシリコン膜で被覆
された耐熱性の第１のポーラス基板にＣＶＤ法で形成し
たＳｉＯ2膜を用い、上記第２のガラス基板として、表
面がシリコン膜で被覆された耐熱性の第２のポーラス基
板にＣＶＤ法で形成したＳｉＯ2膜を用い、上記液晶注
入工程後に、上記第１のガラス基板と上 記第１のポーラ
ス基板との接着面に位置する上記シリコン膜を、上記第
１のポーラス基板の内部を浸透してきた剥離液により溶
解し、上記第１のガラス基板を上記第１のポーラス基板
から剥離し、上記第２のガラス基板と上記第２のポーラ
ス基板との接着面に位置する上記シリコン膜を、上記第
２のポーラス基板の内部を浸透してきた剥離液により溶
解し、上記第２のガラス基板を上記第２のポーラス基板
から剥離する工程を含むことを特徴とする液晶パネルの
製造方法。 - 【請求項８】 第１のガラス基板と第２のガラス基板と
をはり合わせる工程と、はり合わされた上記第１および
第２のガラス基板間に液晶を注入する工程とを含む液晶
パネルの製造方法において、 上記第１のガラス基板として、表面がシリコン膜で被覆
された耐熱性の第１のポーラス基板にＣＶＤ法で形成し
たＳｉＯ2膜を用い、上記液晶注入工程後に、上記第１
のガラス基板と上記第１のポーラス基板との接着面に位
置する上記シリコン膜を、上記第１のポーラス基板の内
部を浸透してきた剥離液により溶解し、上記第１のガラ
ス基板を上記第１のポーラス基板から剥離する工程を含
むことを特徴とする液晶パネルの製造方法。 - 【請求項９】 第１のガラス基板と第２のガラス基板と
をはり合わせる工程と、はり合わされた上記第１および
第２のガラス基板間に液晶を注入する工程とを含む液晶
パネルの製造方法において、上記第２のガラス基板として、表面がシリコン膜で被覆
された耐熱性の第２のポーラス基板にＣＶＤ法で形成し
たＳｉＯ2膜を用い、上記液晶注入工程後に、上記第２
のガラス基板と上記第２のポーラス基板との接着面に位
置する上記シリコン膜を、上記第２のポーラス基板の内
部を浸透してきた剥離液により溶解し、上記第２のガラ
ス基板を上記第２のポーラス基板から剥離する工程を含
むことを特徴とする液晶パネルの製造方法。 - 【請求項１０】 剥離工程後、第１のガラス基板の第１
および第２のガラス基板が対向する面と反対側の面を筺
体一体化した透明な平板に接着し、上記第１および第２
のガラス基板を上記筺体で覆う工程を含むことを特徴と
する請求項７ら請求項９のうちのいずれか１項記載の液
晶パネルの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07864797A JP3298451B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 液晶パネルの製造方法 |
| US09/038,915 US6108063A (en) | 1997-03-28 | 1998-03-12 | Method of manufacturing liquid crystal panel using etching to form microlenses, a heat resisting porous substrate, or a barrier film preventing sodium diffusion |
| TW087104067A TW552569B (en) | 1997-03-28 | 1998-03-19 | Method for making a liquid crystal display panel |
| KR1019980010736A KR100273105B1 (ko) | 1997-03-28 | 1998-03-27 | 액정패널의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07864797A JP3298451B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 液晶パネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10268247A JPH10268247A (ja) | 1998-10-09 |
| JP3298451B2 true JP3298451B2 (ja) | 2002-07-02 |
Family
ID=13667666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07864797A Expired - Fee Related JP3298451B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 液晶パネルの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6108063A (ja) |
| JP (1) | JP3298451B2 (ja) |
| KR (1) | KR100273105B1 (ja) |
| TW (1) | TW552569B (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3931936B2 (ja) * | 1998-05-11 | 2007-06-20 | セイコーエプソン株式会社 | マイクロレンズアレイ基板及びその製造方法並びに表示装置 |
| JP3097656B2 (ja) * | 1998-05-13 | 2000-10-10 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US6280559B1 (en) * | 1998-06-24 | 2001-08-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing color electroluminescent display apparatus and method of bonding light-transmitting substrates |
| KR100776508B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2007-11-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 패널의 제조방법 |
| KR100809938B1 (ko) * | 2001-12-06 | 2008-03-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치의 제조 방법 |
| US7329611B2 (en) * | 2002-04-11 | 2008-02-12 | Nec Corporation | Method for forming finely-structured parts, finely-structured parts formed thereby, and product using such finely-structured part |
| JP2004199006A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | 集光基板及びこれを用いた表示装置並びにその製造方法 |
| JP4063082B2 (ja) * | 2003-01-10 | 2008-03-19 | 日本電気株式会社 | フレキシブル電子デバイスとその製造方法 |
| US20060207967A1 (en) | 2003-07-03 | 2006-09-21 | Bocko Peter L | Porous processing carrier for flexible substrates |
| JP2008013389A (ja) | 2006-07-04 | 2008-01-24 | Nec Corp | エッチング装置及び薄型ガラス基板の製造方法 |
| JP5176204B2 (ja) * | 2008-04-07 | 2013-04-03 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 液晶パネル及びその製造方法 |
| CN101881848B (zh) * | 2010-07-01 | 2012-07-18 | 深圳超多维光电子有限公司 | 一种双折射透镜光栅的制造及检测装置以及方法 |
| US9315412B2 (en) | 2011-07-07 | 2016-04-19 | Corning Incorporated | Surface flaw modification for strengthening of glass articles |
| US9488857B2 (en) | 2014-01-10 | 2016-11-08 | Corning Incorporated | Method of strengthening an edge of a glass substrate |
| US10971472B2 (en) * | 2019-07-09 | 2021-04-06 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Method of liquid assisted bonding |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2722798B2 (ja) * | 1990-09-07 | 1998-03-09 | カシオ計算機株式会社 | 薄型液晶表示素子の製造方法 |
| JP3531995B2 (ja) * | 1995-03-27 | 2004-05-31 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置の製造方法 |
| KR0171092B1 (ko) * | 1995-07-06 | 1999-05-01 | 구자홍 | 기판 제조방법 |
| JP3586326B2 (ja) * | 1995-10-31 | 2004-11-10 | ソニー株式会社 | 透過型表示装置 |
-
1997
- 1997-03-28 JP JP07864797A patent/JP3298451B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-03-12 US US09/038,915 patent/US6108063A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-19 TW TW087104067A patent/TW552569B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-03-27 KR KR1019980010736A patent/KR100273105B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10268247A (ja) | 1998-10-09 |
| US6108063A (en) | 2000-08-22 |
| KR19980080783A (ko) | 1998-11-25 |
| TW552569B (en) | 2003-09-11 |
| KR100273105B1 (ko) | 2000-12-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3298451B2 (ja) | 液晶パネルの製造方法 | |
| CN100561317C (zh) | 液晶面板的基板及形成配向膜的方法 | |
| KR19990068245A (ko) | 액정 디스플레이 장치 제조 방법 | |
| KR20070028307A (ko) | 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR100771949B1 (ko) | 초박형 액정표시장치용 씰패턴 | |
| US6836311B2 (en) | Seal pattern for liquid crystal display device including first, second and third dummy seal patterns in non-active area | |
| TWI232851B (en) | Electro-optical panel, electronic appliance and production method of the electro-optical panel | |
| JP2003241204A (ja) | 液晶表示素子及びその製造方法 | |
| JP2002072176A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| US7016008B2 (en) | Method of fabricating liquid crystal display device having sealant patterns, dummy patterns, and substrate protective patterns | |
| JP4647434B2 (ja) | 液晶表示装置用電極基板とその製造方法及び液晶表示装置 | |
| JP3913521B2 (ja) | 液晶表示装置用の基材、液晶表示装置の電極基材の製造方法及び液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2002350886A (ja) | 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置 | |
| JP2002072905A (ja) | 薄膜積層デバイスの製造方法および液晶表示素子の製造方法 | |
| JP2001247339A (ja) | マイクロレンズアレイの製造方法及び電気光学装置の製造方法 | |
| KR100710158B1 (ko) | 액정표시소자의 제조방법 | |
| KR0162441B1 (ko) | 마이크로렌즈 어레이가 부착된 액정판넬 | |
| JP2001242306A (ja) | マイクロレンズ基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法 | |
| JP2004151561A (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
| JP2018159817A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2001110711A (ja) | 有機薄膜の除去方法およびそれを用いた半導体装置と液晶表示装置の製造方法及びそれに用いる有機薄膜の除去装置 | |
| KR100769172B1 (ko) | 멀티도메인 액정표시장치 제조방법 | |
| US6558776B1 (en) | Glass substrate for liquid crystal display device | |
| JP2002108246A (ja) | 樹脂基板を有する電子装置の製造方法および樹脂基板を有する液晶表示装置の製造方法 | |
| KR101140118B1 (ko) | 액정표시소자의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080419 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090419 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100419 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |