JP3296430B2 - 露光用ＡｒＦエキシマレーザ装置 - Google Patents
露光用ＡｒＦエキシマレーザ装置Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/036—Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光用ＡｒＦエキ
シマレーザ装置に関し、特に、レーザパルス幅の長いレ
ーザ発振動作を行う露光用ＡｒＦエキシマレーザ装置に
関するものである。
シマレーザ装置に関し、特に、レーザパルス幅の長いレ
ーザ発振動作を行う露光用ＡｒＦエキシマレーザ装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の微細化、高集積化につ
れ、投影露光装置においては解像力の向上が要請されて
いる。このため、露光用光源から放出される露光光の短
波長化が進められており、次世代の半導体露光用光源と
してＡｒＦエキシマレーザ装置が有力である。
れ、投影露光装置においては解像力の向上が要請されて
いる。このため、露光用光源から放出される露光光の短
波長化が進められており、次世代の半導体露光用光源と
してＡｒＦエキシマレーザ装置が有力である。
【０００３】ＡｒＦエキシマレーザ装置においては、フ
ッ素（Ｆ2 ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス及びバッファ
ーガスとしてのネオン（Ｎｅ）等の希ガスからなる混合
ガスであるレーザガスが数１００ｋＰａで封入されたレ
ーザチェンバの内部で放電を発生させることにより、レ
ーザ媒質であるレーザガスが励起される。
ッ素（Ｆ2 ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス及びバッファ
ーガスとしてのネオン（Ｎｅ）等の希ガスからなる混合
ガスであるレーザガスが数１００ｋＰａで封入されたレ
ーザチェンバの内部で放電を発生させることにより、レ
ーザ媒質であるレーザガスが励起される。
【０００４】また、ＡｒＦエキシマレーザ装置は放出す
るレーザ光のスペクトル幅が４００ｐｍ程度と広いの
で、露光装置の投影光学系における色収差の問題を回避
するためには、スペクトル幅を１ｐｍ以下に狭帯域化す
ることが必要となる。スペクトル線幅の狭帯域化は、例
えばビーム拡大プリズムと回折格子からなる狭帯域化光
学系をレーザ共振器内に配置することにより実現され
る。
るレーザ光のスペクトル幅が４００ｐｍ程度と広いの
で、露光装置の投影光学系における色収差の問題を回避
するためには、スペクトル幅を１ｐｍ以下に狭帯域化す
ることが必要となる。スペクトル線幅の狭帯域化は、例
えばビーム拡大プリズムと回折格子からなる狭帯域化光
学系をレーザ共振器内に配置することにより実現され
る。
【０００５】ところで、ＡｒＦエキシマレーザ装置は、
中心発振波長が１９３．３ｎｍであり、現在露光用光源
として使用されているＫｒＦエキシマレーザ装置の中心
発振波長２４８ｎｍより短い。このため、ステッパー等
の露光装置の投影レンズ系に使用されている硝材である
石英に与えるダメージがＫｒＦエキシマレーザ装置を使
用した場合と比較して大きく、レンズ系の寿命が短くな
るという問題がある。
中心発振波長が１９３．３ｎｍであり、現在露光用光源
として使用されているＫｒＦエキシマレーザ装置の中心
発振波長２４８ｎｍより短い。このため、ステッパー等
の露光装置の投影レンズ系に使用されている硝材である
石英に与えるダメージがＫｒＦエキシマレーザ装置を使
用した場合と比較して大きく、レンズ系の寿命が短くな
るという問題がある。
【０００６】石英のダメージとしては、２光子吸収によ
るカラーセンターの形成とコンパクション（屈折率上
昇）がある。前者は透過率の減少、後者はレンズ系の分
解能の減少として現れる。この影響は、レーザパルスの
エネルギーを一定とした場合、次式で定義されるレーザ
パルス幅Ｔisに反比例する。
るカラーセンターの形成とコンパクション（屈折率上
昇）がある。前者は透過率の減少、後者はレンズ系の分
解能の減少として現れる。この影響は、レーザパルスの
エネルギーを一定とした場合、次式で定義されるレーザ
パルス幅Ｔisに反比例する。
【０００７】 Ｔis＝（∫Ｔ（ｔ）ｄｔ）2 ／∫（Ｔ（ｔ））2 ｄｔ ・・・（１） ここで、Ｔ（ｔ）は時間的なレーザ形状である。
【０００８】ここで、このレーザパルス幅Ｔisの定義に
ついて説明しておく。光学素子のダメージが２光子吸収
により生じると仮定すると、ダメージは、強度の２乗に
比例するため、１パルス当たり蓄積されるダメージＤは
次式で与えられる。
ついて説明しておく。光学素子のダメージが２光子吸収
により生じると仮定すると、ダメージは、強度の２乗に
比例するため、１パルス当たり蓄積されるダメージＤは
次式で与えられる。
【０００９】 Ｄ＝ｋ・∫（Ｐ（ｔ））2 ｄｔ ・・・（２） ここで、ｋは物質により決まる定数、Ｐ（ｔ）は時間的
なレーザ強度（ＭＷ）である。
なレーザ強度（ＭＷ）である。
【００１０】レーザ強度Ｐ（ｔ）は、次式により、時間
とエネルギーに分離することができる。
とエネルギーに分離することができる。
【００１１】 Ｐ（ｔ）＝Ｉ・Ｔ（ｔ）／∫Ｔ（ｔ’）ｄｔ’ ・・・（３） ここで、Ｉはエネルギー（ｍＪ）、Ｔ（ｔ）は時間的な
レーザ形状である。
レーザ形状である。
【００１２】Ｐ（ｔ）を時間的に積分するとＩになり、
後で述べる露光用ＡｒＦエキシマレーザの場合、Ｉは例
えば５ｍＪである。
後で述べる露光用ＡｒＦエキシマレーザの場合、Ｉは例
えば５ｍＪである。
【００１３】ここで、（３）式を（２）式に代入する
と、ダメージＤは以下の式で表される。
と、ダメージＤは以下の式で表される。
【００１４】 Ｄ＝ｋ・Ｉ2 ・∫（Ｔ（ｔ）／∫Ｔ（ｔ’）ｄｔ’）2 ｄｔ ＝ｋ・Ｉ2 ・∫（Ｔ（ｔ））2 ｄｔ／（∫Ｔ（ｔ）ｄｔ）2 ・・・（４） ここで、（１）式を代入すると、 Ｄ＝ｋ・Ｉ2 ／Ｔis ・・・（５） となる。この（５）式より、ｋ・Ｉ2 は一定であるため
（Ｉは一定に維持される。）、ダメージＤに反比例する
パルス幅Ｔisが（１）式により定義される。
（Ｉは一定に維持される。）、ダメージＤに反比例する
パルス幅Ｔisが（１）式により定義される。
【００１５】このレーザパルス幅Ｔisは、実際のパルス
幅を反映し、また、パルス幅が同じとき、矩形に近い程
Ｔisは長くなる。
幅を反映し、また、パルス幅が同じとき、矩形に近い程
Ｔisは長くなる。
【００１６】現在、商品化されている露光用狭帯域化Ａ
ｒＦエキシマレーザ装置は、発振動作の繰返し周波数
（以後、繰返し周波数と記す。）１ｋＨｚ、レーザ光出
力が５Ｗのものが一般的であり、露光装置に塔載される
光学系のダメージを回避するためには、レーザパルス幅
Ｔisは３０ｎｓ以上であることが必要とされている。
ｒＦエキシマレーザ装置は、発振動作の繰返し周波数
（以後、繰返し周波数と記す。）１ｋＨｚ、レーザ光出
力が５Ｗのものが一般的であり、露光装置に塔載される
光学系のダメージを回避するためには、レーザパルス幅
Ｔisは３０ｎｓ以上であることが必要とされている。
【００１７】上記したように、露光装置に塔載される光
学系のダメージを低減するためには、レーザパルス幅Ｔ
isを長くすること（ロングパルス化）が求められるが、
このロングパルス化は、以下の点からも要請される。
学系のダメージを低減するためには、レーザパルス幅Ｔ
isを長くすること（ロングパルス化）が求められるが、
このロングパルス化は、以下の点からも要請される。
【００１８】投影露光装置において、回路パターン等が
施されたマスクの像が、投影レンズを介してフォトレジ
ストが塗布されたウエーハ等のワークに投影される投影
像の解像度Ｒと焦点深度ＤＯＦは、次式で表される。
施されたマスクの像が、投影レンズを介してフォトレジ
ストが塗布されたウエーハ等のワークに投影される投影
像の解像度Ｒと焦点深度ＤＯＦは、次式で表される。
【００１９】 Ｒ＝ｋ1 ・λ／ＮＡ ・・・（６） ＤＯＦ＝ｋ2 ・λ／（ＮＡ）2 ・・・（７） ここで、ｋ1 、ｋ2 はレジストの特性等を反映する係
数、λは露光用光源から放出される露光光の波長、ＮＡ
は開口数である。
数、λは露光用光源から放出される露光光の波長、ＮＡ
は開口数である。
【００２０】解像度Ｒを向上させるため、（６）式から
明らかなように、露光光の波長の短波長化、高ＮＡ化が
進んでいるが、その分、（７）式が示す通り、焦点深度
ＤＯＦが小さくなる。そのため、色収差の影響が大きく
なるので、露光光のスペクトル線幅をより狭くする必要
がある。すなわち、ＡｒＦエキシマレーザ装置から放出
されるレーザ光のスペクトル線幅のさらなる狭帯化が要
請される。
明らかなように、露光光の波長の短波長化、高ＮＡ化が
進んでいるが、その分、（７）式が示す通り、焦点深度
ＤＯＦが小さくなる。そのため、色収差の影響が大きく
なるので、露光光のスペクトル線幅をより狭くする必要
がある。すなわち、ＡｒＦエキシマレーザ装置から放出
されるレーザ光のスペクトル線幅のさらなる狭帯化が要
請される。
【００２１】ここで、Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．３
６７９．（１９９９）１０３０〜１０３７には、レーザ
パルス幅が長くなると、それに伴って、レーザ光のスペ
クトル線幅が狭くなって行くことが記載されており、実
際、本発明者等の実験でもこれは証明された。すなわ
ち、解像度Ｒを向上させるためには、レーザ光のスペク
トル線幅のさらなる狭帯化が要請され、そのためにはレ
ーザパルス幅のロングパルス化が必要となる。
６７９．（１９９９）１０３０〜１０３７には、レーザ
パルス幅が長くなると、それに伴って、レーザ光のスペ
クトル線幅が狭くなって行くことが記載されており、実
際、本発明者等の実験でもこれは証明された。すなわ
ち、解像度Ｒを向上させるためには、レーザ光のスペク
トル線幅のさらなる狭帯化が要請され、そのためにはレ
ーザパルス幅のロングパルス化が必要となる。
【００２２】以上のように、露光装置の光学系へ与える
ダメージの回避、及び、解像度の向上のために、レーザ
パルス幅Ｔisのロングパルス化が必須となってきた。レ
ーザパルス幅Ｔisは、レーザチェンバに封入されるレー
ザガス中のフッ素ガス濃度に依存することが知られてお
り（前出：Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．３６７９．
（１９９９）１０３０〜１０３７）、フッ素ガス濃度を
調整することにより、レーザパルス幅ＴisをＴis≧３０
ｎｓとなるようにロングパルス化することが可能とな
る。
ダメージの回避、及び、解像度の向上のために、レーザ
パルス幅Ｔisのロングパルス化が必須となってきた。レ
ーザパルス幅Ｔisは、レーザチェンバに封入されるレー
ザガス中のフッ素ガス濃度に依存することが知られてお
り（前出：Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．３６７９．
（１９９９）１０３０〜１０３７）、フッ素ガス濃度を
調整することにより、レーザパルス幅ＴisをＴis≧３０
ｎｓとなるようにロングパルス化することが可能とな
る。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】一方、近年、露光処理
の高スループット化のために、次世代の半導体露光用光
源として有力視されているＡｒＦエキシマレーザ装置に
対し、繰返し周波数の高繰返し化が要請されている。発
明者等は、このような要請に対応するために、繰返し周
波数が３ｋＨｚ以上で動作可能な露光用ＡｒＦエキシマ
レーザ装置を開発した。
の高スループット化のために、次世代の半導体露光用光
源として有力視されているＡｒＦエキシマレーザ装置に
対し、繰返し周波数の高繰返し化が要請されている。発
明者等は、このような要請に対応するために、繰返し周
波数が３ｋＨｚ以上で動作可能な露光用ＡｒＦエキシマ
レーザ装置を開発した。
【００２４】そして、レーザパルス幅ＴisをＴis≧３０
ｎｓとなるように、レーザチェンバに封入されるレーザ
ガス中のフッ素ガス濃度を変化させた。しかしながら、
繰返し周波数が２ｋＨｚを越えない場合は、レーザガス
中のフッ素ガス濃度を調整してレーザパルス幅Ｔis≧３
０ｎｓとなるようにロングパルス化を行うことができた
が、繰返し周波数が２ｋＨｚを越えた場合（例えば、３
ｋＨｚ）においては、どのようにレーザガス中のフッ素
ガス濃度を変化させても、レーザパルス幅Ｔis≧３０ｎ
ｓとなるようにロングパルス化を行うことはできなかっ
た。
ｎｓとなるように、レーザチェンバに封入されるレーザ
ガス中のフッ素ガス濃度を変化させた。しかしながら、
繰返し周波数が２ｋＨｚを越えない場合は、レーザガス
中のフッ素ガス濃度を調整してレーザパルス幅Ｔis≧３
０ｎｓとなるようにロングパルス化を行うことができた
が、繰返し周波数が２ｋＨｚを越えた場合（例えば、３
ｋＨｚ）においては、どのようにレーザガス中のフッ素
ガス濃度を変化させても、レーザパルス幅Ｔis≧３０ｎ
ｓとなるようにロングパルス化を行うことはできなかっ
た。
【００２５】本発明は従来技術のこのような問題点に鑑
みてなされたものであって、その目的は、繰返し周波数
が３ｋＨｚを越えてもレーザパルス幅が３０ｎｓ以上と
なる露光用ＡｒＦエキシマレーザ装置を提供することで
ある。
みてなされたものであって、その目的は、繰返し周波数
が３ｋＨｚを越えてもレーザパルス幅が３０ｎｓ以上と
なる露光用ＡｒＦエキシマレーザ装置を提供することで
ある。
【００２６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、鋭意研究
の結果、レーザチェンバに封入されるレーザガスを構成
するガスの中、アルゴンガスに着目し、ＡｒＦエキシマ
レーザ装置においては繰返し周波数３ｋＨｚ以上で動作
する場合、レーザパルス幅Ｔisは、アルゴンガスの濃度
に依存することを発見した。
の結果、レーザチェンバに封入されるレーザガスを構成
するガスの中、アルゴンガスに着目し、ＡｒＦエキシマ
レーザ装置においては繰返し周波数３ｋＨｚ以上で動作
する場合、レーザパルス幅Ｔisは、アルゴンガスの濃度
に依存することを発見した。
【００２７】また、繰返し周波数２ｋＨｚ以下では、レ
ーザパルス幅Ｔisは、アルゴンガスの濃度に依存しない
ことが判明した。
ーザパルス幅Ｔisは、アルゴンガスの濃度に依存しない
ことが判明した。
【００２８】従来、商品化されているＡｒＦエキシマレ
ーザ装置における繰返し周波数は、１ｋＨｚのものが主
流であって、研究段階のＡｒＦエキシマレーザ装置で実
現している繰返し周波数も２ｋＨｚ程度であった。その
ため、上記したように、レーザパルス幅Ｔisに対するア
ルゴンガスの濃度の依存性がないので、フッ素ガスの濃
度を調整していた。
ーザ装置における繰返し周波数は、１ｋＨｚのものが主
流であって、研究段階のＡｒＦエキシマレーザ装置で実
現している繰返し周波数も２ｋＨｚ程度であった。その
ため、上記したように、レーザパルス幅Ｔisに対するア
ルゴンガスの濃度の依存性がないので、フッ素ガスの濃
度を調整していた。
【００２９】しかしながら、フッ素ガスの濃度を調整す
るという従来技術を踏襲するのではなく、本発明者が発
明したアルゴンガスの濃度を調整するという新規の技術
を採用することにより、繰返し周波数が３ｋＨｚを越え
る場合においてもレーザパルス幅Ｔisを３０ｎｓ以上と
することが可能となった。
るという従来技術を踏襲するのではなく、本発明者が発
明したアルゴンガスの濃度を調整するという新規の技術
を採用することにより、繰返し周波数が３ｋＨｚを越え
る場合においてもレーザパルス幅Ｔisを３０ｎｓ以上と
することが可能となった。
【００３０】すなわち、上記目的を達成する本発明の露
光用ＡｒＦエキシマレーザ装置は、フッ素ガス、アルゴ
ンガス及びアルゴンガス以外の少なくとも１種類の希ガ
スからなるレーザガスが封入されたレーザチェンバと、
このレーザチェンバ内で高電圧パルス放電を発生させて
前記レーザガスを励起してレーザ光を放出させるための
高電圧パルス発生装置とを有し、３ｋＨｚ以上の高繰返
し発振動作を行う露光用ＡｒＦエキシマレーザ装置であ
って、前記高電圧パルス発生装置が発生する極性が反転
する１パルスの放電振動電流波形の始めの半周期と、そ
れに続く少なくとも２つの半周期によってレーザ発振動
作を行わせるように構成された露光用ＡｒＦエキシマレ
ーザ装置において、前記レーザガスのレーザチェンバ内
圧力が２．５〜３．５気圧、前記レーザガスのフッ素濃
度が０．１２％以下、前記レーザガスのアルゴンガス濃
度が２％以上３％以下であり、かつ、レーザパルス幅Ｔ
isが３０ｎｓ以上であることを特徴とするものである。
光用ＡｒＦエキシマレーザ装置は、フッ素ガス、アルゴ
ンガス及びアルゴンガス以外の少なくとも１種類の希ガ
スからなるレーザガスが封入されたレーザチェンバと、
このレーザチェンバ内で高電圧パルス放電を発生させて
前記レーザガスを励起してレーザ光を放出させるための
高電圧パルス発生装置とを有し、３ｋＨｚ以上の高繰返
し発振動作を行う露光用ＡｒＦエキシマレーザ装置であ
って、前記高電圧パルス発生装置が発生する極性が反転
する１パルスの放電振動電流波形の始めの半周期と、そ
れに続く少なくとも２つの半周期によってレーザ発振動
作を行わせるように構成された露光用ＡｒＦエキシマレ
ーザ装置において、前記レーザガスのレーザチェンバ内
圧力が２．５〜３．５気圧、前記レーザガスのフッ素濃
度が０．１２％以下、前記レーザガスのアルゴンガス濃
度が２％以上３％以下であり、かつ、レーザパルス幅Ｔ
isが３０ｎｓ以上であることを特徴とするものである。
【００３１】
【００３２】この場合、アルゴンガス以外の希ガスがネ
オンガス並びにキセノンガスの混合ガスであって、キセ
ノンガス濃度が５〜１５ｐｐｍであることが望ましい。
オンガス並びにキセノンガスの混合ガスであって、キセ
ノンガス濃度が５〜１５ｐｐｍであることが望ましい。
【００３３】本発明において、高電圧パルス発生装置が
発生する極性が反転する１パルスの放電振動電流波形の
始めの半周期と、それに続く少なくとも２つの半周期に
よってレーザ発振動作を行わせるように構成し、レーザ
ガスのレーザチェンバ内圧力を２．５〜３．５気圧、レ
ーザガスのフッ素濃度を０．１２％以下、レーザガスの
アルゴンガス濃度を２％以上３％以下に設定することに
より、繰返し周波数３ｋＨｚ以上であっても、レーザパ
ルス幅Ｔisが３０ｎｓ以上の露光用ＡｒＦエキシマレー
ザ装置を実現することができる。ここで、アルゴンガス
濃度とは、レーザチェンバ内の圧力に対するアルゴンガ
スの分圧をいう。
発生する極性が反転する１パルスの放電振動電流波形の
始めの半周期と、それに続く少なくとも２つの半周期に
よってレーザ発振動作を行わせるように構成し、レーザ
ガスのレーザチェンバ内圧力を２．５〜３．５気圧、レ
ーザガスのフッ素濃度を０．１２％以下、レーザガスの
アルゴンガス濃度を２％以上３％以下に設定することに
より、繰返し周波数３ｋＨｚ以上であっても、レーザパ
ルス幅Ｔisが３０ｎｓ以上の露光用ＡｒＦエキシマレー
ザ装置を実現することができる。ここで、アルゴンガス
濃度とは、レーザチェンバ内の圧力に対するアルゴンガ
スの分圧をいう。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の露光用ＡｒＦエキ
シマレーザ装置を実施例に基いて説明する。
シマレーザ装置を実施例に基いて説明する。
【００３５】図１は、本発明の露光用ＡｒＦエキシマレ
ーザ装置の構成例を示すものである。図中、１はレーザ
チェンバであり、両端に窓部が設けられ、フッ素ガス、
アルゴンガス及びバッファーガス（例えば、ネオンガ
ス）からなる混合ガスであるレーザガスが封入されてい
る。
ーザ装置の構成例を示すものである。図中、１はレーザ
チェンバであり、両端に窓部が設けられ、フッ素ガス、
アルゴンガス及びバッファーガス（例えば、ネオンガ
ス）からなる混合ガスであるレーザガスが封入されてい
る。
【００３６】レーザチェンバ１の内部には、所定間隔だ
け離間して対向した一対の放電電極２が設けられ、高電
圧パルス発生器３より高電圧パルスを印加して放電電極
２間に放電を発生させることにより、レーザ媒質である
レーザガスが励起される。
け離間して対向した一対の放電電極２が設けられ、高電
圧パルス発生器３より高電圧パルスを印加して放電電極
２間に放電を発生させることにより、レーザ媒質である
レーザガスが励起される。
【００３７】レーザチェンバ１内に設置されたファン４
によって、レーザガスはレーザチェンバ１内部を循環す
る。
によって、レーザガスはレーザチェンバ１内部を循環す
る。
【００３８】このレーザガス循環により、放電電極２間
のレーザガスは、放電発生後次の放電が発生する前に新
しいガスに置換されるので、次の放電は安定な放電とな
る。発明者はレーザチェンバ１のレーザガス循環構造、
ファン４の形状等の改良を行い、繰返し周波数３ｋＨｚ
以上を実現した。
のレーザガスは、放電発生後次の放電が発生する前に新
しいガスに置換されるので、次の放電は安定な放電とな
る。発明者はレーザチェンバ１のレーザガス循環構造、
ファン４の形状等の改良を行い、繰返し周波数３ｋＨｚ
以上を実現した。
【００３９】レーザチェンバ１の一方の端部側には、レ
ーザ光のスペクトル幅を狭帯域化するための狭帯域化光
学系を有する狭帯域化モジュール５が設けられる。狭帯
域化光学系は、例えば、１個以上のプリズムからなるビ
ーム径拡大光学系とリトロー配置の反射型回折格子とか
ら構成される。レーザチェンバ１の他方の端部側には出
力鏡６が設けられ、この出力鏡６と狭帯域化モジュール
５に設置された狭帯域化光学系によりレーザ共振器が構
成される。
ーザ光のスペクトル幅を狭帯域化するための狭帯域化光
学系を有する狭帯域化モジュール５が設けられる。狭帯
域化光学系は、例えば、１個以上のプリズムからなるビ
ーム径拡大光学系とリトロー配置の反射型回折格子とか
ら構成される。レーザチェンバ１の他方の端部側には出
力鏡６が設けられ、この出力鏡６と狭帯域化モジュール
５に設置された狭帯域化光学系によりレーザ共振器が構
成される。
【００４０】出力鏡６より放出されたＡｒＦエキシマレ
ーザ光の一部はビームサンプラー７により取出され、レ
ーザ光の時間的波形を検出する波形検出手段８に導かれ
る。波形検出手段８は、例えば、フォトダイオードまた
は光電子増倍管を光電変換手段として備えている。波形
検出手段８で得られた波形データはパルス幅算出手段９
に送られる。パルス幅算出手段９は、受け取ったパルス
幅データに基いて、前記した式（１）に従って、レーザ
パルス幅Ｔisを算出する。
ーザ光の一部はビームサンプラー７により取出され、レ
ーザ光の時間的波形を検出する波形検出手段８に導かれ
る。波形検出手段８は、例えば、フォトダイオードまた
は光電子増倍管を光電変換手段として備えている。波形
検出手段８で得られた波形データはパルス幅算出手段９
に送られる。パルス幅算出手段９は、受け取ったパルス
幅データに基いて、前記した式（１）に従って、レーザ
パルス幅Ｔisを算出する。
【００４１】そして、本発明においては、放電電極間を
流れる振動電流の周期を短くし、かつ、電流のピーク値
が大きくなるように高電圧パルス発生器３の回路定数を
定めることにより、ロングパルス化を図っている。すな
わち、図２に波形図を示すように、放電電極間を流れる
振動電流の周期を短くし、かつ、電流のピーク値が大き
くなるように回路定数を定めることにより、振動電流の
最初の１／２周期とそれに続く少なくとも１つ（望まし
くは２つ）の１／２周期においても、レーザガスの励起
を行わせて、レーザ発振動作を持続させることによりロ
ングパルス化を図っている。
流れる振動電流の周期を短くし、かつ、電流のピーク値
が大きくなるように高電圧パルス発生器３の回路定数を
定めることにより、ロングパルス化を図っている。すな
わち、図２に波形図を示すように、放電電極間を流れる
振動電流の周期を短くし、かつ、電流のピーク値が大き
くなるように回路定数を定めることにより、振動電流の
最初の１／２周期とそれに続く少なくとも１つ（望まし
くは２つ）の１／２周期においても、レーザガスの励起
を行わせて、レーザ発振動作を持続させることによりロ
ングパルス化を図っている。
【００４２】このような図１のＡｒＦエキシマレーザ装
置において、繰返し周波数を３ｋＨｚ、レーザチェンバ
１内圧力を３．５気圧（約３５０ｋＰａ）、フッ素濃度
を０．０９％、バッファーガスをネオンとして、レーザ
チェンバ１内のアルゴンガス濃度に対するレーザパルス
幅Ｔisと１パルス当たりのレーザ出力エネルギーの関係
を調べたところ、図３のような結果が得られた。
置において、繰返し周波数を３ｋＨｚ、レーザチェンバ
１内圧力を３．５気圧（約３５０ｋＰａ）、フッ素濃度
を０．０９％、バッファーガスをネオンとして、レーザ
チェンバ１内のアルゴンガス濃度に対するレーザパルス
幅Ｔisと１パルス当たりのレーザ出力エネルギーの関係
を調べたところ、図３のような結果が得られた。
【００４３】図３の結果から明らかなように、繰返し周
波数が３ｋＨｚで、レーザガスのレーザチェンバ内圧力
が３．５気圧の場合に、アルゴンガス濃度が増加してい
くと、レーザパルス幅Ｔisが短くなっていく。この理由
は、繰返し周波数が３ｋＨｚ以上に増加すると、Ａｒイ
オン等の残留生成物の増加、Ａｒの電離による電流集中
の発生により放電の不安定さが増し、パルス励起の後半
において均一の放電から放電の空間的な集中が発生して
必要な均一な励起が効率良く行われなくなるからであ
る。したがって、３０ｎｓ以上のレーザパルス幅Ｔ
is（Ｔis≧３０ｎｓ）を達成するためには、アルゴン濃
度を３％以下に設定する必要がある。なお、レーザチェ
ンバ１内圧力はガス温度を２５℃に換算したときの値で
ある。
波数が３ｋＨｚで、レーザガスのレーザチェンバ内圧力
が３．５気圧の場合に、アルゴンガス濃度が増加してい
くと、レーザパルス幅Ｔisが短くなっていく。この理由
は、繰返し周波数が３ｋＨｚ以上に増加すると、Ａｒイ
オン等の残留生成物の増加、Ａｒの電離による電流集中
の発生により放電の不安定さが増し、パルス励起の後半
において均一の放電から放電の空間的な集中が発生して
必要な均一な励起が効率良く行われなくなるからであ
る。したがって、３０ｎｓ以上のレーザパルス幅Ｔ
is（Ｔis≧３０ｎｓ）を達成するためには、アルゴン濃
度を３％以下に設定する必要がある。なお、レーザチェ
ンバ１内圧力はガス温度を２５℃に換算したときの値で
ある。
【００４４】また、図３の結果から、アルゴンガス濃度
が低下していくと、レーザ出力エネルギーの低下が起こ
る。この理由は、アルゴンガス濃度が低下すると、励起
されるエキシマの量が減ってしまうからである。露光用
狭帯域化ＡｒＦエキシマレーザ装置が放出する光の１パ
ルス当たりのエネルギーは、露光装置の性能、ウエーハ
に塗布されたレジストの性能から、５ｍＪ程度が望まし
いとされているので、アルゴン濃度が２％より小さくな
ると、図３の場合、レーザパルス幅ＴisはＴis≧３０ｎ
ｓとなるが、１パルス当たりのエネルギーは、５ｍＪを
下回ることになる。したがって、レーザチェンバ１内の
アルゴンガス濃度は２％以上に設定することが望まし
い。なお、図３において、アルゴンガス濃度が３％程度
以上に増加していくと、レーザ出力エネルギーは低下し
始める。その理由は、上記のように、アルゴンガス濃度
が増加していくとレーザパルス幅Ｔisが短くなってしま
うためである。
が低下していくと、レーザ出力エネルギーの低下が起こ
る。この理由は、アルゴンガス濃度が低下すると、励起
されるエキシマの量が減ってしまうからである。露光用
狭帯域化ＡｒＦエキシマレーザ装置が放出する光の１パ
ルス当たりのエネルギーは、露光装置の性能、ウエーハ
に塗布されたレジストの性能から、５ｍＪ程度が望まし
いとされているので、アルゴン濃度が２％より小さくな
ると、図３の場合、レーザパルス幅ＴisはＴis≧３０ｎ
ｓとなるが、１パルス当たりのエネルギーは、５ｍＪを
下回ることになる。したがって、レーザチェンバ１内の
アルゴンガス濃度は２％以上に設定することが望まし
い。なお、図３において、アルゴンガス濃度が３％程度
以上に増加していくと、レーザ出力エネルギーは低下し
始める。その理由は、上記のように、アルゴンガス濃度
が増加していくとレーザパルス幅Ｔisが短くなってしま
うためである。
【００４５】図４に、一例として、上記条件でレーザチ
ェンバ１内のアルゴンガス濃度を２．５％としたとき
の、放電電極２間に流れる放電電流（図（ａ））と、波
形検出手段８で得られた時間的なレーザパルス波形（図
（ｂ））とを対比して示す。このとき、パルス幅算出手
段９により求められたレーザパルス幅Ｔisの値は４６ｎ
ｓであった。
ェンバ１内のアルゴンガス濃度を２．５％としたとき
の、放電電極２間に流れる放電電流（図（ａ））と、波
形検出手段８で得られた時間的なレーザパルス波形（図
（ｂ））とを対比して示す。このとき、パルス幅算出手
段９により求められたレーザパルス幅Ｔisの値は４６ｎ
ｓであった。
【００４６】図４の結果から、放電電極２間の放電によ
り流れる振動電流の最初の１／２周期とそれに続く２つ
の１／２周期によりレーザガスの励起を行い（特に、最
初と３番目の１／２周期により励起を行っている。）、
かつ、アルゴンガス濃度を３％以下の２．５％としたこ
とにより、Ｔis≒４６ｎｓとのロングパルス化を達成し
ている。
り流れる振動電流の最初の１／２周期とそれに続く２つ
の１／２周期によりレーザガスの励起を行い（特に、最
初と３番目の１／２周期により励起を行っている。）、
かつ、アルゴンガス濃度を３％以下の２．５％としたこ
とにより、Ｔis≒４６ｎｓとのロングパルス化を達成し
ている。
【００４７】図５は、図３の場合と、繰返し周波数、フ
ッ素濃度、バッファーガスの条件は変えず、レーザチェ
ンバ１内圧力のみを２．５気圧（約２５０ｋＰａ）にし
て、レーザチェンバ１内のアルゴンガス濃度に対するレ
ーザパルス幅Ｔisと１パルス当たりのレーザ出力エネル
ギーの関係を調べた結果を示すものである。この条件下
においても、アルゴン濃度を３％以下に設定すれば、レ
ーザパルス幅ＴisをＴ is≧３０ｎｓとすることができる
ことが分った。
ッ素濃度、バッファーガスの条件は変えず、レーザチェ
ンバ１内圧力のみを２．５気圧（約２５０ｋＰａ）にし
て、レーザチェンバ１内のアルゴンガス濃度に対するレ
ーザパルス幅Ｔisと１パルス当たりのレーザ出力エネル
ギーの関係を調べた結果を示すものである。この条件下
においても、アルゴン濃度を３％以下に設定すれば、レ
ーザパルス幅ＴisをＴ is≧３０ｎｓとすることができる
ことが分った。
【００４８】なお、アルゴン濃度を２％〜３％に設定す
る際、レーザチェンバ１内圧力は、２．５〜３．５気圧
（約３００〜４００ｋＰａ）程度に設定することが望ま
しい。その理由は、レーザチェンバ１内圧力が２．５気
圧未満では、１パルス当たりのエネルギーを５ｍＪ以上
とすることが困難であり、レーザチェンバ１内圧力が
３．５気圧を越えると、放電領域のインピーダンスが増
加するため放電を持続することが困難になり、また、長
時間安定的に放電励起することが困難になるので、レー
ザパルス幅ＴisをＴis≧３０ｎｓとすることができない
ためである。
る際、レーザチェンバ１内圧力は、２．５〜３．５気圧
（約３００〜４００ｋＰａ）程度に設定することが望ま
しい。その理由は、レーザチェンバ１内圧力が２．５気
圧未満では、１パルス当たりのエネルギーを５ｍＪ以上
とすることが困難であり、レーザチェンバ１内圧力が
３．５気圧を越えると、放電領域のインピーダンスが増
加するため放電を持続することが困難になり、また、長
時間安定的に放電励起することが困難になるので、レー
ザパルス幅ＴisをＴis≧３０ｎｓとすることができない
ためである。
【００４９】また、フッ素ガス濃度は、０．１２％以下
に設定することが望ましい。その理由は、フッ素ガス濃
度を０．１２％より大きくすると、アルゴン濃度を３％
以下に設定しても、フッ素が電子を付着してレーザガス
中に電子密度の不均一を起こしやすいので、レーザパル
ス幅ＴisをＴis≧３０ｎｓとすることができないためで
ある。
に設定することが望ましい。その理由は、フッ素ガス濃
度を０．１２％より大きくすると、アルゴン濃度を３％
以下に設定しても、フッ素が電子を付着してレーザガス
中に電子密度の不均一を起こしやすいので、レーザパル
ス幅ＴisをＴis≧３０ｎｓとすることができないためで
ある。
【００５０】また、上記した実施例においては、バッフ
ァーガスをネオンとした例を示したが、これに限るもの
ではなく、複数種の不活性ガスを混合してもよい。図６
は、バッファーガスとしてネオンの他に、キセノン（Ｘ
ｅ）を１０ｐｐｍ添加し、繰返し周波数を３ｋＨｚ、レ
ーザチェンバ１内圧力を３．５気圧（約３５０ｋＰ
ａ）、フッ素濃度を０．０９％として、レーザチェンバ
１内のアルゴンガス濃度に対するレーザパルス幅Ｔisと
１パルス当たりのレーザ出力エネルギーの関係を調べた
結果を示すものである。比較のため、図６中には、バッ
ファーガスをネオンのみとした図３の結果も併せて示し
てある。図中、破線で示した特性が図３の結果である。
ァーガスをネオンとした例を示したが、これに限るもの
ではなく、複数種の不活性ガスを混合してもよい。図６
は、バッファーガスとしてネオンの他に、キセノン（Ｘ
ｅ）を１０ｐｐｍ添加し、繰返し周波数を３ｋＨｚ、レ
ーザチェンバ１内圧力を３．５気圧（約３５０ｋＰ
ａ）、フッ素濃度を０．０９％として、レーザチェンバ
１内のアルゴンガス濃度に対するレーザパルス幅Ｔisと
１パルス当たりのレーザ出力エネルギーの関係を調べた
結果を示すものである。比較のため、図６中には、バッ
ファーガスをネオンのみとした図３の結果も併せて示し
てある。図中、破線で示した特性が図３の結果である。
【００５１】キセノンを１０ｐｐｍ添加したことによ
り、アルゴンガス濃度に対するレーザパルス幅Ｔisの関
係はほとんど変化しないものの、１パルス当たりのレー
ザ出力エネルギーは、キセノンを添加しない場合に比べ
て増大している。このキセノンの添加の作用は、レーザ
チェンバ１内の放電電極間の放電空間近傍に配置される
不図示の予備放電電極からの紫外線による予備電離を促
進させるためである。このように、バッファーガスにキ
セノンを添加することにより、１パルス当たりのレーザ
出力エネルギーが、露光装置、フォトレジスト等の露光
条件から所望とされる５ｍＪより下回らないためのアル
ゴン濃度範囲が拡張されることになる。
り、アルゴンガス濃度に対するレーザパルス幅Ｔisの関
係はほとんど変化しないものの、１パルス当たりのレー
ザ出力エネルギーは、キセノンを添加しない場合に比べ
て増大している。このキセノンの添加の作用は、レーザ
チェンバ１内の放電電極間の放電空間近傍に配置される
不図示の予備放電電極からの紫外線による予備電離を促
進させるためである。このように、バッファーガスにキ
セノンを添加することにより、１パルス当たりのレーザ
出力エネルギーが、露光装置、フォトレジスト等の露光
条件から所望とされる５ｍＪより下回らないためのアル
ゴン濃度範囲が拡張されることになる。
【００５２】ここで、添加するキセノンガスの濃度は５
〜１５ｐｐｍであることが望ましい。その理由は、キセ
ノンガス濃度を５ｐｐｍより小さくすると、１パルス当
たりのレーザ出力エネルギーの増大効果はほとんど確認
できず、キセノンガス濃度を１５ｐｐｍより大きくする
と、逆に、１パルス当たりのレーザ出力エネルギーが低
下して５ｍＪを下回ることが、本発明者等の実験により
明らかになったためである。
〜１５ｐｐｍであることが望ましい。その理由は、キセ
ノンガス濃度を５ｐｐｍより小さくすると、１パルス当
たりのレーザ出力エネルギーの増大効果はほとんど確認
できず、キセノンガス濃度を１５ｐｐｍより大きくする
と、逆に、１パルス当たりのレーザ出力エネルギーが低
下して５ｍＪを下回ることが、本発明者等の実験により
明らかになったためである。
【００５３】このように、本発明に基いて、従来のよう
にレーザチェンバ内のフッ素濃度を調整するという技術
とは全く異なり、アルゴンガス濃度を調整するという新
規な技術により、繰返し周波数３ｋＨｚ以上、レーザパ
ルス幅Ｔisが３０ｎｓ以上の高繰返しロングパルス化狭
帯域ＡｒＦエキシマレーザ装置を実現することに成功し
た。
にレーザチェンバ内のフッ素濃度を調整するという技術
とは全く異なり、アルゴンガス濃度を調整するという新
規な技術により、繰返し周波数３ｋＨｚ以上、レーザパ
ルス幅Ｔisが３０ｎｓ以上の高繰返しロングパルス化狭
帯域ＡｒＦエキシマレーザ装置を実現することに成功し
た。
【００５４】以上、本発明の露光用ＡｒＦエキシマレー
ザ装置を実施例に基いて説明してきたが、本発明は上記
実施例に限定されるものではなく種々の変形が可能であ
る。例えば、必要とされる露光用狭帯域化ＡｒＦエキシ
マレーザ装置が放出する光の１パルス当たりのエネルギ
ーが、露光装置の性能、ウエーハに塗布されたレジスト
の性能の向上より、５ｍＪを下回った場合には、それに
応じてレーザチェンバ内のアルゴンガス濃度の設定範囲
を下限の２％より拡張することが可能である。要は、必
要とされるレーザパルス幅Ｔis、並びに、１パルス当た
りのレーザ出力エネルギーに応じて、アルゴンガス濃度
を設定すればよい。
ザ装置を実施例に基いて説明してきたが、本発明は上記
実施例に限定されるものではなく種々の変形が可能であ
る。例えば、必要とされる露光用狭帯域化ＡｒＦエキシ
マレーザ装置が放出する光の１パルス当たりのエネルギ
ーが、露光装置の性能、ウエーハに塗布されたレジスト
の性能の向上より、５ｍＪを下回った場合には、それに
応じてレーザチェンバ内のアルゴンガス濃度の設定範囲
を下限の２％より拡張することが可能である。要は、必
要とされるレーザパルス幅Ｔis、並びに、１パルス当た
りのレーザ出力エネルギーに応じて、アルゴンガス濃度
を設定すればよい。
【００５５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の露光用ＡｒＦエキシマレーザ装置によれば、高電圧パ
ルス発生装置が発生する極性が反転する１パルスの放電
振動電流波形の始めの半周期と、それに続く少なくとも
２つの半周期によってレーザ発振動作を行わせるように
構成し、レーザガスのレーザチェンバ内圧力を２．５〜
３．５気圧、レーザガスのフッ素濃度を０．１２％以
下、レーザガスのアルゴンガス濃度を３％以下に設定す
ることにより、繰返し周波数３ｋＨｚ以上であっても、
レーザパルス幅Ｔisが３０ｎｓ以上の露光用ＡｒＦエキ
シマレーザ装置を実現することができる。
の露光用ＡｒＦエキシマレーザ装置によれば、高電圧パ
ルス発生装置が発生する極性が反転する１パルスの放電
振動電流波形の始めの半周期と、それに続く少なくとも
２つの半周期によってレーザ発振動作を行わせるように
構成し、レーザガスのレーザチェンバ内圧力を２．５〜
３．５気圧、レーザガスのフッ素濃度を０．１２％以
下、レーザガスのアルゴンガス濃度を３％以下に設定す
ることにより、繰返し周波数３ｋＨｚ以上であっても、
レーザパルス幅Ｔisが３０ｎｓ以上の露光用ＡｒＦエキ
シマレーザ装置を実現することができる。
【００５６】また、アルゴンガス濃度を２％以上とする
と、１パルス当たりのエネルギーを、露光装置の性能、
ウエーハに塗布されたレジストの性能から望ましいとさ
れている５ｍＪを下回らないようにすることができる。
と、１パルス当たりのエネルギーを、露光装置の性能、
ウエーハに塗布されたレジストの性能から望ましいとさ
れている５ｍＪを下回らないようにすることができる。
【００５７】さらに、アルゴンガス以外の希ガスをネオ
ンガス並びにキセノンガスの混合ガスとし、キセノンガ
ス濃度を５〜１５ｐｐｍとすれば、１パルス当たりのレ
ーザ出力エネルギーが５ｍＪより下回らないアルゴン濃
度範囲を拡張することができる。
ンガス並びにキセノンガスの混合ガスとし、キセノンガ
ス濃度を５〜１５ｐｐｍとすれば、１パルス当たりのレ
ーザ出力エネルギーが５ｍＪより下回らないアルゴン濃
度範囲を拡張することができる。
【図１】本発明の露光用ＡｒＦエキシマレーザ装置の構
成例を示す図である。
成例を示す図である。
【図２】本発明の露光用ＡｒＦエキシマレーザ装置の振
動放電電流とレーザ発振動作の関係を模式的に示す図で
ある。
動放電電流とレーザ発振動作の関係を模式的に示す図で
ある。
【図３】レーザチェンバ内圧力が３．５気圧のときの、
レーザチェンバ内のアルゴンガス濃度に対するレーザパ
ルス幅と１パルス当たりのレーザ出力エネルギーの関係
を調べた結果を示す図である。
レーザチェンバ内のアルゴンガス濃度に対するレーザパ
ルス幅と１パルス当たりのレーザ出力エネルギーの関係
を調べた結果を示す図である。
【図４】本発明に基く一例の放電電極間に流れる放電電
流と波形検出手段で得られた時間的なレーザパルス波形
とを対比して示す図である。
流と波形検出手段で得られた時間的なレーザパルス波形
とを対比して示す図である。
【図５】レーザチェンバ内圧力が２．５気圧のときの、
レーザチェンバ内のアルゴンガス濃度に対するレーザパ
ルス幅と１パルス当たりのレーザ出力エネルギーの関係
を調べた結果を示す図である。
レーザチェンバ内のアルゴンガス濃度に対するレーザパ
ルス幅と１パルス当たりのレーザ出力エネルギーの関係
を調べた結果を示す図である。
【図６】レーザチェンバ内にキセノンガスを添加した場
合のアルゴンガス濃度に対するレーザパルス幅と１パル
ス当たりのレーザ出力エネルギーの関係を調べた結果を
示す図である。
合のアルゴンガス濃度に対するレーザパルス幅と１パル
ス当たりのレーザ出力エネルギーの関係を調べた結果を
示す図である。
１…レーザチェンバ ２…放電電極 ３…高電圧パルス発生器 ４…ファン ５…狭帯域化モジュール ６…出力鏡 ７…ビームサンプラー ８…波形検出手段 ９…パルス幅算出手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平11−191660（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−97550（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−82879（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−110780（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−288251（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−12590（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−145543（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−274399（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−58968（ＪＰ，Ｕ) Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ Ｎｏ．3679 ｐ．1030−1037 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 3/225 H01S 3/036 H01S 3/097 - 3/0977
Claims (2)
- 【請求項１】 フッ素ガス、アルゴンガス及びアルゴン
ガス以外の少なくとも１種類の希ガスからなるレーザガ
スが封入されたレーザチェンバと、このレーザチェンバ
内で高電圧パルス放電を発生させて前記レーザガスを励
起してレーザ光を放出させるための高電圧パルス発生装
置とを有し、３ｋＨｚ以上の高繰返し発振動作を行う露
光用ＡｒＦエキシマレーザ装置であって、前記高電圧パ
ルス発生装置が発生する極性が反転する１パルスの放電
振動電流波形の始めの半周期と、それに続く少なくとも
２つの半周期によってレーザ発振動作を行わせるように
構成された露光用ＡｒＦエキシマレーザ装置において、 前記レーザガスのレーザチェンバ内圧力が２．５〜３．
５気圧、 前記レーザガスのフッ素濃度が０．１２％以下、 前記レーザガスのアルゴンガス濃度が２％以上３％以下
であり、かつ、 レーザパルス幅Ｔ is が３０ｎｓ以上であ ることを特徴と
する露光用ＡｒＦエキシマレーザ装置。 - 【請求項２】 前記アルゴンガス以外の希ガスがネオン
ガス並びにキセノンガスの混合ガスであって、前記キセ
ノンガス濃度が５〜１５ｐｐｍであることを特徴とする
請求項１記載の露光用ＡｒＦエキシマレーザ装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28815299A JP3296430B2 (ja) | 1999-10-08 | 1999-10-08 | 露光用ＡｒＦエキシマレーザ装置 |
| DE60035934T DE60035934T2 (de) | 1999-10-08 | 2000-10-05 | ArF-Excimer-Laservorrichtung |
| EP00121785A EP1091462B1 (en) | 1999-10-08 | 2000-10-05 | ArF excimer laser device |
| US09/680,325 US6584131B1 (en) | 1999-10-08 | 2000-10-06 | ArF excimer laser device for exposure |
| KR10-2000-0059068A KR100505081B1 (ko) | 1999-10-08 | 2000-10-07 | 노광용 에이알에프 엑시머 레이저 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28815299A JP3296430B2 (ja) | 1999-10-08 | 1999-10-08 | 露光用ＡｒＦエキシマレーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001111142A JP2001111142A (ja) | 2001-04-20 |
| JP3296430B2 true JP3296430B2 (ja) | 2002-07-02 |
Family
ID=17726487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28815299A Expired - Lifetime JP3296430B2 (ja) | 1999-10-08 | 1999-10-08 | 露光用ＡｒＦエキシマレーザ装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6584131B1 (ja) |
| EP (1) | EP1091462B1 (ja) |
| JP (1) | JP3296430B2 (ja) |
| KR (1) | KR100505081B1 (ja) |
| DE (1) | DE60035934T2 (ja) |
Families Citing this family (14)
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|---|---|---|---|---|
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| US6389052B2 (en) | 1999-03-17 | 2002-05-14 | Lambda Physik Ag | Laser gas replenishment method |
| US6727731B1 (en) | 1999-03-12 | 2004-04-27 | Lambda Physik Ag | Energy control for an excimer or molecular fluorine laser |
| US6714577B1 (en) | 1999-03-17 | 2004-03-30 | Lambda Physik Ag | Energy stabilized gas discharge laser |
| US6882674B2 (en) * | 1999-12-27 | 2005-04-19 | Cymer, Inc. | Four KHz gas discharge laser system |
| JP3552979B2 (ja) * | 1999-09-16 | 2004-08-11 | ウシオ電機株式会社 | ＡｒＦエキシマレーザ装置 |
| JP3296430B2 (ja) * | 1999-10-08 | 2002-07-02 | 株式会社ウシオ総合技術研究所 | 露光用ＡｒＦエキシマレーザ装置 |
| JP3427889B2 (ja) | 1999-12-21 | 2003-07-22 | ウシオ電機株式会社 | ＡｒＦエキシマレーザ装置及びフッ素レーザ装置 |
| JP3775469B2 (ja) | 2000-03-15 | 2006-05-17 | ウシオ電機株式会社 | ＡｒＦエキシマレーザ装置、ＫｒＦエキシマレーザ装置及びフッ素レーザ装置 |
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