JP3293595B2

JP3293595B2 - 反射板およびその形成方法

Info

Publication number: JP3293595B2
Application number: JP18492699A
Authority: JP
Inventors: 武柄沢; 尚英脇田; 真理子河栗; 泰彦山中
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-06-30
Filing date: 1999-06-30
Publication date: 2002-06-17
Anticipated expiration: 2019-06-30
Also published as: JP2001013310A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光を利用する部品に
関するものであり、とくに外光を利用する各種の表示素
子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光を反射するもっとも一般的な物は鏡で
ある。これはガラス板の裏面に光をよく反射する金属皮
膜を形成したものであり、日常生活の使用には特に支障
はない。また、反射式天体望遠鏡などのようにきわめて
精度の高い反射を必要とする場合には裏面ではなく表面
に直接皮膜を形成し、たとえわずかであっても光がガラ
スを通過することにより吸収されることを避けている。

【０００３】同じ反射という一言で表現されることがら
でも、表示素子においては事情が異なってくる。たとえ
ば液晶パネルは原理的には光の透過と遮断を制御するこ
とにより表示を行うので、背面に光源（バックライト）
を設置するかまたは反射板を設置することにより表示の
明るさを得ている。反射方式に用いる反射板としては大
きく２つの取り組みがある。（１）反射板の光反射率が
高いほど明るい表示が得られるため、パネル裏面にAlや
Agなどの高反射率の物質を用いて被覆した反射板を貼り
付ける。（２）鏡面ではなく光の散乱性を取り入れた散
乱反射フィルムを貼り付ける。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前者では金属
光沢の影響のため見る人が自然な表示と感じることがで
きないと言う問題があり、後者では明るさが不十分であ
るという問題があった。

【０００５】本発明は上記の欠点を解消し、できる限り
自然な見かけと明るい表示を実現するための反射面およ
びその作成方法を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明の第一の構成は、結晶性を有する基板表面上に谷
型形状が連続的に存在し、前記基板の結晶の特定の面方
位に沿った前記谷型形状の斜面は前記基板表面に対しあ
る特定の角度をなし、前記谷型形状が複数種類の異なる
大きさを有し、前記谷型形状の間隔が複数種類の異なる
大きさを有し、前記異なる大きさの谷型形状および間隔
の分布の様式が異なる複数の領域が存在することを特徴
とする反射板というものである。

【０００７】また、本発明の第二の構成は、結晶性を有
する基板表面上に谷型形状が連続的に存在し、前記基板
の結晶の特定の面方位に沿った前記谷型形状の斜面は前
記基板表面に対しある特定の角度をなし、前記谷型形状
が複数種類の異なる大きさを有し，前記谷型形状の間隔
が複数種類の異なる大きさを有し，前記異なる大きさの
谷型形状および間隔の分布の様式が異なる複数の領域が
存在し，前記表面は所望の光を反射する物質の薄膜にて
覆われていることを特徴とする反射板というものであ
る。

【０００８】また、本発明の第一の作成方法は、結晶性
を有する基板表面にエッチング液に対する耐久性のある
材料で所望のパターンを形成し，前記エッチング液に前
記所望のパターンを形成した前記基板を浸すことにより
前記所望のパターン部分は溶解せずにそのまま残し、そ
れ以外の部分は徐々に特定方向に向かってのみエッチン
グを進行させ、前記パターン幅で規定される点でエッチ
ングを終了させることにより前記基板の結晶の特定の面
方位に沿って前記基板表面に対して斜面がある特定の角
度をなす谷型形状が連続的に存在するように前記基板表
面にエッチングを施す方法において，前記所望のパター
ン幅および間隔が複数の異なる大きさを有し，前記複数
の異なる大きさを有する所望のパターン幅および間隔の
分布が異なる複数の領域を有するパターンを用いてエッ
チングすること特徴とする反射板の形成方法というもの
である。

【０００９】また、本発明の第二の作成方法は、結晶性
を有する基板表面にエッチング液に対する耐久性のある
材料で所望のパターンを形成し，前記エッチング液に前
記所望のパターンを形成した前記基板を浸すことにより
前記所望のパターン部分は溶解せずにそのまま残し、そ
れ以外の部分は徐々に特定方向に向かってのみエッチン
グを進行させ、前記パターン幅で規定される点でエッチ
ングを終了させることにより前記基板の結晶の特定の面
方位に沿って前記基板表面に対して斜面がある特定の角
度をなす谷型形状が連続的に存在するように前記基板表
面にエッチングを施す方法において，前記所望のパター
ン幅および間隔が複数の異なる大きさを有し，前記複数
の異なる大きさを有する所望のパターン幅および間隔の
分布が異なる複数の領域を有するパターンを用いてエッ
チングし，金属薄膜による被覆を施すことを特徴とする
反射板の形成方法というものである。

【００１０】

【発明の実施の形態】本願の目的のための反射面は特殊
な散乱性を持たせることにより光がある限られた範囲に
集光されるように反射され、その限られた範囲内では平
坦面による反射よりも明るくなるという性質を有するも
のである（図1参照）。こうした特性を得るためには，
ミクロなレベルで表面の傾斜が特有の分布を有する必要
がある。しかし，このような反射特性を実現するために
必要な表面形状を特定することはできず，理論的に可能
なアプローチはある表面形状を数式で記述し，それに基
づいて反射特性を調べるというものである．表面形状を
記述する関数が与えられたとすると，その表面のミクロ
な傾斜角度の確率密度関数を求め，それがある範囲内に
おいて定数関数に近ければその表面は光を一定の範囲内
に集中的に散乱しうる．したがって唯一絶対のものが存
在するわけではなく，いかにこのような理想的な反射特
性に近いものを実現するかが現実の課題であるといえ
る．本願の発明者の予備的な試算によれば，表面がたと
えば正弦波類似の形状を有する場合には前述の確率密度
関数が特定範囲の境界近傍を除けばかなりの程度一定値
に近いことが明らかとなっている（図2参照）。また，
正弦波状の異なる形状を混合することによりさらにこの
特性は改善される。

【００１１】このような形状を作成するためには，たと
えばレーザー光や電子ビームをコンピューターコントロ
ールで走査することにより基材の表面に所望の微細加工
を施すような手法が理想的である．こうした方法は実験
的には有効であるが，工業的な生産を考慮すると不適当
な事項が多く出てくる．本発明は必ずしも所望の表面形
状そのものではないがそれに許容される程度に近い形状
を作成することができ，しかも工業生産においても利用
可能な方法を提供するものである。

【００１２】以下、具体例について詳細に述べる。図３
は本発明による反射面の断面を示すものである。基板１
の表面にミクロなＶ字谷２が形成されている。この谷の
斜面と表面とのなす角３は全体にわたって均一である。
谷の大きさおよび間隔は反射表面全体としての散乱性と
反射性のかねあいに影響するものであり、特定値に決め
られるものではないが、光の波長との関連でその寸法が
極端に大きい場合には異なる方向を向いた鏡が並んでい
るようにしか見えず、また、極端に小さい場合には光に
影響を与えなくなってしまう。したがって、光の波長程
度から数十ミクロン程度が望ましい。

【００１３】表示に用いる光の波長は可視全域であり、
本発明はそれらの光の散乱性および集光性をミクロな形
状によって操作しようとするものである。したがって、
このＶ字谷がある１種類のみの場合には特定波長の光が
必要以上に強く見える、干渉縞が見えるなどの不都合が
生ずる可能性を否定できない。そこで、本願はＶ字谷の
大きさ及びそれらの間隔を複数種類とりまぜ、さらにこ
れらの混ざり方が異なる領域を設けることによりいっそ
う均一な見かけを実現しようとするものである。

【００１４】通常の平坦な反射面と本発明のような起伏
を有する反射面とを比較すると、顕著な相異が見られ
る。図４は反射光の強度分布を示すものである。反射面
４が平坦である場合には５に示すような広がりのある均
一な反射強度分布を示す。一方、反射面４が本発明のよ
うな起伏を有する場合には６に示すような方向性のある
反射強度分布となる。平面における光の反射は入射角度
と反射角度の大きさが全面にわたり一定であるために入
射光分布と反射光分布に差異を生じないが、本発明のよ
うな特殊な散乱性を持たせた反射表面では光がある限ら
れた範囲に集光されるように反射されるため、その限ら
れた範囲内では平坦面による反射よりも明るくなる。ま
た、凹面鏡を用いて集光した場合のような鏡のようなぎ
らついた印象が低減され、より自然な明るさに近い感じ
が得られる。

【００１５】さらに、表示画面に向かって上下および左
右の両方向のある範囲内において良好な明るさ分布を実
現したい場合がある。このようにある程度の視野角を得
るためには特定の１断面においてのみ上記のような特性
を有するのではなく、任意断面において前述の形状特性
を有することが望ましい。

【００１６】このような構造を作成するには、様々な方
法が可能であり、その全てを列挙することはできない
が、たとえば金属金型を作り変形可能な材料表面にプレ
スするなどがあろう。いずれも一長一短があるが、本発
明の方法は比較的簡便にしかも精度良く所望の構造を作
成しうるものである。結晶性基板のある特定の面方位を
用い、異方性エッチングを施すことにより、ミクロなス
ケールのＶ字谷を精度良く形成する。単結晶基板におい
てはその表面全域にわたって原子配列が一定であるの
で、これに異方性エッチングを施した場合にはある特定
方向の断面においては一定の形状分布が得られる。一
方、多結晶基板ではその表面において原子配列の向きが
異なる領域（グレイン）が多数存在する。したがって後
者を用いるならば、ある断面において向きが異なる形状
が得られる。これらはその使用目的に応じて使い分けれ
ばよい。

【００１７】図５は本発明の方法による反射表面の形成
過程を示す。なお、本図はミクロな形状を表示するため
に１個のグレインの断面を扱っているが、マクロには様
々な方向を向いたグレインの集合体である。また、先に
述べたように本願はＶ字谷の大きさ及びそれらの間隔を
複数種類とりまぜ、さらにこれらの混ざり方が異なる領
域を設けるという構成をとっているので利用する反射面
全体としては様々な断面形状が存在する。

【００１８】まず、基板１１の表面にエッチング液に対
する耐久性のある材料で所望のパターン１２を形成す
る。このパターンの間隔を変えることによりＶ字谷の幅
を、また、パターン自体の幅を変えることによりＶ字谷
の間隔を所望の大きさに設定することができる。

【００１９】次に、エッチング液１３に全体を浸すこと
によりパターン１２の部分は溶解せずにそのまま残り、
それ以外の部分は徐々に特定方向に向かってのみエッチ
ングが進行するので１４のようなくぼみができ、これが
徐々に深くなっていく。そしてパターン幅で規定される
点でエッチングは終了し、１５のようなＶ字谷が形成さ
れる。

【００２０】たとえばこの間隔を異なる値ｍ種類に設定
することによりｍ種類の異なる大きさのＶ字谷が形成さ
れ、また、ストライプ自体の幅をｎ種類にすることによ
り、ｎ種類の異なる間隔でＶ字谷が並んだ表面が形成さ
れる。これらの間隔および幅の値の組み合わせを任意に
かつ異なる複数のものを設定することによりランダム性
を増すことができる。一例として異なる断面を模式的に
示すものが図６である。今、ａ−ｓまでの合計ｓ種類の
異なる断面形状があるとすると、たとえば図７のように
これらの異なる断面形状の部分が平面内においてランダ
ムに分布するように配置することができる。

【００２１】結晶性の基板材料、とくに半導体のSi、G
e,GaAs,GaSb,GaP,InSb,あるいはInPなどはそれ自体が相
当程度光を反射するので、用途によっては表面の形状加
工のみで充分であるが、さらに明るさが要求される場合
には本発明の第二の構成のように形成したミクロな谷型
形状を反射率の高い金属などの薄膜により被覆すること
が有効である。金属薄膜の形成方法も千差万別である
が、ミクロに見た金属面の平坦性、純度などから真空中
での成膜が望ましい。スパッタリング、真空蒸着、CV
D、電子ビーム蒸着などが利用できる。これらはそれぞ
れに特徴があり、一概にいずれかが優れているというこ
とではない。この金属被膜形成の前後に行う各種のプロ
セス条件、たとえば温度、直接接触する物質など様々の
要因を考慮し、適当と考えられるものを選択すればよ
い。

【００２２】（実施例１）GaAs基板の（１００）面上に
Al₂O₃の薄膜を用い

【００２３】

【外１】

【００２４】方向に（すなわち、

【００２５】

【外２】

【００２６】面に垂直に）ストライプパターンを形成
し、これをエッチングマスクとして使用する。このよう
な金属酸化物を使用する利点はエッチング液として有機
溶剤を使用できることである。

【００２７】エッチング液はCH₃OHに Br₂を混合したも
のを用いる。Br₂の混合比率とエッチング速度とは関連
しており、ある特定値が最適というわけではないが、お
よそ数％程度であれば数μｍ／ｍｉｎであり、本実施例
では４％とした。

【００２８】基板表面すなわち（１００）面とＶ字谷の
斜面、すなわち（１１１）面とのなす角は５４゜４４´
で一定であるが、形成するＶ字谷の大きさはストライプ
パターンの間隔によって制御することができる。たとえ
ばこの間隔を６、８、１０、１２および１４μｍに設定
することにより５種類の異なる大きさのＶ字谷が形成さ
れ、また、ストライプ自体の幅を３、４および５μｍに
することにより、３種類の異なる間隔でＶ字谷が並んだ
表面が形成される。これらの間隔および幅の値はここに
例示したものに限られるわけではなく、また、組み合わ
せを任意にかつ異なる複数のものを設定することにより
ランダム性を増すことができる。フォトマスクのパター
ンをこれらの間隔および幅の組み合わせが異なる領域を
有するように配置することにより、形成するストライプ
パターンをＶ字谷の大きさ及びそれらの間隔を複数種類
とりまぜ、さらにこれらの混ざり方が異なる領域を有す
るようにすることができる。

【００２９】最後にエッチングマスクとして使用したAl
₂O₃の薄膜ストライプパターンを除去するために加熱し
たH₃PO₄溶液を用いる。

【００３０】（実施例２）GaAs基板の異方性エッチング
液としてC₃H₄(OH)(COOH)₃・H₂O 、 H₂O₂、 H₂Oの混合
液を用いる。本エッチング液の利点は有機溶剤を含有し
ないので通常のフォトレジストを使用して簡便な方法に
よりエッチングを行えることである。フォトレジストは
ポジタイプおよびネガタイプともに各種のものが販売さ
れており、たとえば東京応化工業社のOMRシリーズやOFP
Rシリーズ、シプレー社のSシリーズ、SPRシリーズやLC
シリーズなどがある。

【００３１】GaAs基板（１００）面上にフォトレジスト
を用い

【００３２】

【外３】

【００３３】方向に（すなわち、

【００３４】

【外４】

【００３５】面に垂直に）ストライプパターンを形成す
る。エッチング速度はエッチング液の各成分の混合比率
に依存しているので、目的に応じて条件を設定するわけ
だが、生産性およびパターン精度の観点から極端に遅い
あるいは早いものは好ましくない。室温にてC₃H₄(OH)(C
OOH)₃・H₂O ：H₂O₂がおよそ１：１のときにおよそ６０
ｎｍ／ｓｅｃが得られた。

【００３６】形成するＶ字谷の大きさはストライプパタ
ーンの間隔によって、また、Ｖ字谷の並ぶ間隔はストラ
イプ自体の幅によって制御することができる点、さらに
これらの間隔および幅の組み合わせが異なる領域を有す
るように形成しうる点などの詳細は実施例１と同様なの
で省略する。最後に、レジストのストライプパターンを
レジストに指定の剥離液を用いて除去する。

【００３７】（実施例３）Si基板の（１００）面上にSi
O₂の薄膜を用いたストライプパターンを形成し、このSi
O₂パターンをマスクとしてSiの異方性エッチングを行
う。まず、清浄なSi基板の熱酸化により厚さがおよそ１
５００ÅのSiO₂膜を形成する。次に、フォトレジストを
塗布し、

【００３８】

【外５】

【００３９】方向に（すなわち、

【００４０】

【外６】

【００４１】面に垂直に）ストライプ状のパターンを形
成する。このときのレジストは実施例１に列挙したよう
に様々なものが使用可能であり、何れのタイプでも差し
支えない。通常市販されているバッファート゛弗化水素酸
によりレジストでカバーされていない部分のSiO₂を除去
する。次にこのSiO₂パターンをマスクとしてSiの異方性
エッチングをKOH：H₂O：(CH₃)₂CHOH＝２０ｇ：６０ｍ
ｌ：１００ｍｌの溶液を用いて行う。

【００４２】形成するＶ字谷の大きさはストライプパタ
ーンの間隔によって、また、Ｖ字谷の並ぶ間隔はストラ
イプ自体の幅によって制御することができる点、さらに
これらの間隔および幅の組み合わせが異なる領域を有す
るように形成しうる点などの詳細は実施例１と同様なの
で省略する。最後にエッチングマスクとして使用したSi
O₂の薄膜ストライプパターンを除去するためにバッファ
ート゛弗化水素酸を用いる。

【００４３】（実施例４）半導体基板表面自体を用いた
場合よりも明るさが要求される場合には形成したミクロ
な谷型形状を反射率の高い金属などの薄膜により被覆す
ることが有効である。まず、実施例１と同様にGaAs基板
の（１００）面上にAl₂O₃の薄膜を用い

【００４４】

【外７】

【００４５】方向に（すなわち、

【００４６】

【外８】

【００４７】面に垂直に）ストライプパターンを形成
し、これをエッチングマスクとして使用する。エッチン
グ液はCH₃OHに Br₂を混合したものを用い、Br₂の混合
比率はおよそ４％とした。これによるエッチング速度は
およそ数μｍ／ｍｉｎである。

【００４８】基板表面すなわち（１００）面とＶ字谷の
斜面、すなわち（１１１）面とのなす角は５４゜４４´
で一定であるが、形成するＶ字谷の大きさはストライプ
パターンの間隔によって制御することができる。たとえ
ばこの間隔を６、８、１０、１２および１４μｍに設定
することにより５種類の異なる大きさのＶ字谷が形成さ
れ、また、ストライプ自体の幅を３、４および５μｍに
することにより、３種類の異なる間隔でＶ字谷が並んだ
表面が形成される。これらの間隔および幅の値はここに
例示したものに限られるわけではなく、また、組み合わ
せを任意にかつ異なる複数のものを設定することにより
ランダム性を増すことができる。フォトマスクのパター
ンをこれらの間隔および幅の組み合わせが異なる領域を
有するように配置することにより、形成するストライプ
パターンをＶ字谷の大きさ及びそれらの間隔を複数種類
とりまぜ、さらにこれらの混ざり方が異なる領域を有す
るようにすることができる。

【００４９】そして、加熱したH₃PO₄溶液を用いてエッ
チングマスクとして使用したAl₂O₃の薄膜ストライプパ
ターンを除去する。

【００５０】このような表面の上に可視光の反射率が高
い金属、例えばＡｌ、Ａｇの薄膜を堆積させる。これに
適した真空中での成膜方法は各種有り、スパッタリン
グ、真空蒸着、CVD、電子ビーム蒸着などが利用でき
る。

【００５１】（実施例５）実施例２と同様にGaAs基板
（１００）面上にフォトレジストを用い

【００５２】

【外９】

【００５３】方向に（すなわち、

【００５４】

【外１０】

【００５５】面に垂直に）ストライプパターンを形成す
る。エッチング液は室温にてC₃H₄(OH)(COOH)₃・H₂O ：H
₂O₂がおよそ１：１のものを用い、およそ６０ｎｍ／ｓ
ｅｃのエッチング速度である。形成するＶ字谷の大きさ
はストライプパターンの間隔によって、また、Ｖ字谷の
並ぶ間隔はストライプ自体の幅によって制御することが
できる点、さらにこれらの間隔および幅の組み合わせが
異なる領域を有するように形成しうる点などの詳細は実
施例２と同様なので省略する。最後に、レジストのスト
ライプパターンをレジストに指定の剥離液を用いて除去
する。

【００５６】このような表面の上に可視光の反射率が高
い金属、例えばＡｌ、Ａｇの薄膜を堆積させる。これに
適した真空中での成膜方法は各種有り、スパッタリン
グ、真空蒸着、CVD、電子ビーム蒸着などが利用でき
る。

【００５７】（実施例６）実施例３と同様にSi基板の
（１００）面上にSiO₂の薄膜を用いたストライプパター
ンを形成し、このSiO₂パターンをマスクとしてSiの異方
性エッチングを行う。まず、清浄なSi基板の熱酸化によ
り厚さがおよそ１５００ÅのSiO₂膜を形成する。次に、
フォトレジストを塗布し、

【００５８】

【外１１】

【００５９】方向に（すなわち、

【００６０】

【外１２】

【００６１】面に垂直に）ストライプ状のパターンを形
成する。このときのレジストは実施例１に列挙したよう
に様々なものが使用可能であり、何れのタイプでも差し
支えない。通常市販されているバッファート゛弗化水素酸
によりレジストでカバーされていない部分のSiO₂を除去
する。次にこのSiO₂パターンをマスクとしてSiの異方性
エッチングをKOH：H₂O：(CH₃)₂CHOH＝２０ｇ：６０ｍ
ｌ：１００ｍｌの溶液を用いて行う。形成するＶ字谷の
大きさはストライプパターンの間隔によって、また、Ｖ
字谷の並ぶ間隔はストライプ自体の幅によって制御する
ことができる点、さらにこれらの間隔および幅の組み合
わせが異なる領域を有するように形成しうる点などの詳
細は実施例３と同様なので省略する。最後にエッチング
マスクとして使用したSiO₂の薄膜ストライプパターンを
除去するためにバッファート゛弗化水素酸を用いる。

【００６２】このような表面の上に可視光の反射率が高
い金属、例えばＡｌ、Ａｇの薄膜を堆積させる。これに
適した真空中での成膜方法は各種有り、スパッタリン
グ、真空蒸着、CVD、電子ビーム蒸着などが利用でき
る。

【００６３】

【発明の効果】以上のように、本発明は比較的簡便な方
法で自然な見かけとかぎられた視野範囲においては入射
光と同等あるいはそれ以上の明るさの得られる散乱反射
表面を提供するものであり、反射型表示パネルなどへの
利用が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】反射光強度の角度分布を示す図

【図２】反射面の傾斜角度の確率密度関数を示す図

【図３】本発明による反射面の断面を示す図

【図４】通常の平坦面と本発明の散乱性集光反射面の光
反射の様子を比較する図

【図５】本発明による反射面の形成過程を示す図

【図６】Ｖ字谷の間隔および幅の値の組み合わせが異な
る複数のものの断面を模式的に示す図

【図７】異なる断面形状の部分が平面内においてランダ
ムに分布するような配置例を示す図

【符号の説明】

１基板２谷型形状３傾斜角度４反射面５平坦反射面からの光反射強度分布６本発明による散乱反射面からの光反射強度分布１１基板１２エッチングマスクパターン１３エッチング液１４エッチングの進行により形成されていくくぼみ１５Ｖ字型形状

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山中泰彦大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (56)参考文献特開平７−198919（ＪＰ，Ａ) 特開平１−222201（ＪＰ，Ａ) 特開昭54−83846（ＪＰ，Ａ) 実開昭61−165522（ＪＰ，Ｕ) 特開2000−9910（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1335 G02B 5/02 G02B 5/08

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】結晶性を有する基板表面上に谷型形状が
連続的に存在し、前記基板の結晶の特定の面方位に沿っ
た前記谷型形状の斜面は前記基板表面に対しある特定の
角度をなし、前記谷型形状が複数種類の異なる大きさを
有し、前記谷型形状の間隔が複数種類の異なる大きさを
有し、前記異なる大きさの谷型形状および間隔の分布の
様式が異なる複数の領域が存在することを特徴とする反
射板。
【請求項２】結晶性を有する基板表面上に谷型形状が
連続的に存在し、前記基板の結晶の特定の面方位に沿っ
た前記谷型形状の斜面は前記基板表面に対しある特定の
角度をなし、前記谷型形状が複数種類の異なる大きさを
有し，前記谷型形状の間隔が複数種類の異なる大きさを
有し，前記異なる大きさの谷型形状および間隔の分布の
様式が異なる複数の領域が存在し，前記表面は所望の光
を反射する物質の薄膜にて覆われていることを特徴とす
る反射板。
【請求項３】結晶性を有する基板表面にエッチング液
に対する耐久性のある材料で所望のパターンを形成し，
前記エッチング液に前記所望のパターンを形成した前記
基板を浸すことにより前記所望のパターン部分は溶解せ
ずにそのまま残し、それ以外の部分は徐々に特定方向に
向かってのみエッチングを進行させ、前記パターン幅で
規定される点でエッチングを終了させることにより前記
基板の結晶の特定の面方位に沿って前記基板表面に対し
て斜面がある特定の角度をなす谷型形状が連続的に存在
するように前記基板表面にエッチングを施す方法におい
て，前記所望のパターン幅および間隔が複数の異なる大
きさを有し，前記複数の異なる大きさを有する所望のパ
ターン幅および間隔の分布が異なる複数の領域を有する
パターンを用いてエッチングすること特徴とする反射板
の形成方法。
【請求項４】結晶性を有する基板表面にエッチング液
に対する耐久性のある材料で所望のパターンを形成し，
前記エッチング液に前記所望のパターンを形成した前記
基板を浸すことにより前記所望のパターン部分は溶解せ
ずにそのまま残し、それ以外の部分は徐々に特定方向に
向かってのみエッチングを進行させ、前記パターン幅で
規定される点でエッチングを終了させることにより前記
基板の結晶の特定の面方位に沿って前記基板表面に対し
て斜面がある特定の角度をなす谷型形状が連続的に存在
するように前記基板表面にエッチングを施す方法におい
て，前記所望のパターン幅および間隔が複数の異なる大
きさを有し，前記複数の異なる大きさを有する所望のパ
ターン幅および間隔の分布が異なる複数の領域を有する
パターンを用いてエッチングし，金属薄膜による被覆を
施すことを特徴とする反射板の形成方法。