JP3290315B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置Info
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Description
し、さらに詳しくは、データ遷移検出器(DataTransiti
on Detector;DTD)を備えた半導体記憶装置に関す
る。
たとえばリフレッシュ動作を必要としないスタティック
ランダムアクセスメモリ(SRAM)を挙げることがで
きる。SRAMでは、入力データは書込ドライバに供給
される。この書込ドライバは外部から供給される書込イ
ネーブル信号に応答して活性化され、書込モードのとき
にその供給された入力データを選択された1つのメモリ
セルに書込む。この場合、書込ドライバは書込モードの
間中活性化されているので、メモリセルにデータを書込
み終えた後もデータを書込み続ける。そのため、ビット
線負荷からビット線に大量の書込電流が流れるととも
に、書込ドライバ、センスアンプなどにも大量の動作電
流が流れる。このように、SRAMでは書込時の消費電
力が大きい。
め、DTDを備えたSRAMが提供されている。DTD
を備えたSRAMは、たとえば特開平1−251496
号公報に開示されている。DTDは、入力データが変化
したとき、所定期間の間、データ遷移検出信号を発生す
る。DTDは、書込イネーブル信号が読出状態から書込
状態へ変化したときにも、所定期間の間、データ遷移検
出信号を発生する。DTDを備えたSRAMでは、この
データ遷移検出信号に応答して書込ドライバが活性化さ
れる。したがって、書込ドライバは、入力データが変化
してから所定期間の間だけ、その入力データをメモリセ
ルに書込み、書込みが完了した後にデータを書込み続け
ることはない。そのため、上述した無駄な電流が流れる
ことはなく、消費電力が低減される。
ネーブル信号にノイズが発生すると、そのノイズに応答
してDTDがデータ遷移検出信号を発生する。そのた
め、書込ドライバが活性化され、読出しのために選択さ
れているメモリセルにデータが書込まれるという問題が
あった。このようにDTDを備えたSRAMでは、消費
電力は低減されるが、書込イネーブル信号に含まれるノ
イズによって動作が読出状態から一時的に書込状態に変
化し、データが誤ってメモリセルに書込まれるという、
いわゆる誤書込みが起きることがあった。
力の小さい半導体記憶装置を提供することである。
ない半導体記憶装置を提供することである。
憶装置は、メモリセル、信号発生手段、およびデータ書
込手段を備える。信号発生手段は、外部から供給される
書込制御信号より形成される内部書込制御信号の変化に
応答して、所定期間の間内部信号を活性化し、内部信号
に応じて内部信号遷移検出信号を発生する。信号発生手
段は、内部信号と内部書込制御信号とがともに活性化さ
れるときに内部信号遷移検出信号を活性化する第1の論
理回路を含む。データ書込手段は、内部書込制御信号お
よび内部信号遷移検出信号に応じて、外部から供給され
る入力データをメモリセルに書込む。データ書込手段
は、内部書込制御信号と内部信号遷移検出信号とがとも
に活性化されるときにメモリセルへの入力データの伝達
を指示する第2の論理回路を含む。
部書込制御信号の変化に応答して所定期間の間発生され
る内部信号および内部書込制御信号がともに第1の論理
回路に供給されたとき、内部信号遷移検出信号を発生
し、さらに、内部書込制御信号および内部信号遷移検出
信号がともに第2の論理回路に供給されたとき、外部か
ら供給される入力データをメモリセルに書込むデータ書
込手段を備えるものである。したがって、読出状態の間
に内部書込制御信号にノイズが入っても、2つの論理回
路を経ないとデータ書込手段により書込が行なわれない
ので、入力データがメモリセルに誤って書込まれること
はない。
しく説明する。なお、図中同一符号は同一または相当部
分を示す。
Mの全体構成を示すブロック図である。図1を参照し
て、このSRAMは、1枚の半導体チップ10上に、8
個のメモリセルアレイ12と、メモリセルアレイ12に
対応する8個の入出力回路14と、行デコーダ16と、
列デコーダ18と、10個のアドレスバッファ20とを
備える。各メモリセルアレイ12は、複数のワード線
と、ワード線に交差して配置された複数のビット線対
と、ワード線およびビット線対の交点に対応して配置さ
れた複数のスタティックメモリセルとを備える。なお、
図1ではワード線WL、ビット線対BL,/BL、メモ
リセル121のそれぞれ1つだけが示されている。ビッ
ト線BLおよび/BLには、ビット線負荷として、ダイ
オード接続されたNチャネルMOSトランジスタ128
および129がそれぞれ接続されている。
の構成を示す回路図である。図2を参照して、メモリセ
ル121は、NチャネルMOSトランジスタからなるア
クセストランジスタ122および123と、Pチャネル
MOSトランジスタからなる負荷トランジスタ124お
よび126と、NチャネルMOSトランジスタからなる
ドライバトランジスタ125および127とを備える。
トランジスタ124および125は1つのCMOSイン
バータを構成する。トランジスタ126および127は
もう1つのCMOSインバータを構成する。これら2つ
のインバータは、記憶ノードM1およびM2の間に交差
接続されている。アクセストランジスタ122はビット
線BLおよび記憶ノードM1の間に接続され、ワード線
WLに接続されたゲート電極を有する。アクセストラン
ジスタ123はビット線/BLおよび記憶ノードM2の
間に接続され、ワード線WLに接続されたゲート電極を
有する。
ワード線WLの電位が上昇するとアクセストランジスタ
122および123が導通状態となり、これによりビッ
ト線BLの電位がアクセストランジスタ122を介して
記憶ノードM1に伝達され、他方、ビット線/BLの電
位がアクセストランジスタ123を介して記憶ノードM
2に伝達される。次いでワード線WLの電位が下降する
と、アクセストランジスタ122および123はともに
非導通状態となり、これにより交差接続された2つのイ
ンバータにビット線対BL,/BL上の相補的なデータ
がラッチされることとなる。このメモリセル121は双
安定状態を有するため、リフレッシュ動作を必要としな
い。
21が例示されているが、このようなメモリセル121
の代わりに、高抵抗負荷型メモリセル、TFT型メモリ
セルなどが用いられてもよい。
は、複数のビット線対に対応する複数の列選択ゲート
と、入出力線対IO,/IOとを備える。図1では、1
つの列選択ゲート141だけが代表的に示されている。
1の構成を示す回路図である。図3を参照して、この列
選択ゲート141は、転送ゲート142および143
と、インバータ144とを備える。転送ゲート142は
NチャネルMOSトランジスタおよびPチャネルMOS
トランジスタから構成され、入出力線IOとビット線B
Lとの間に接続される。転送ゲート143はNチャネル
MOSトランジスタおよびPチャネルMOSトランジス
タから構成され、入出力線/IOとビット線/BLとの
間に接続される。転送ゲート142および143におけ
るNチャネルMOSトランジスタのゲート電極には、図
1に示された列デコーダ18からの列選択信号が供給さ
れる。転送ゲート142および143におけるPチャネ
ルMOSトランジスタのゲート電極には、列デコーダ1
8からの列選択信号がインバータ144を介して供給さ
れる。
択信号が供給されると、トランスファーゲート142お
よび143が導通状態となり、これにより入出力線IO
のデータが転送ゲート142を介してビット線BLに転
送され、入出力線/IOのデータが転送ゲート143を
介してビット線/BLに転送される。
アドレスバッファ20から供給される行アドレス信号R
Aをデコードし、それにより1つのワード線WLを選択
する。ワード線WLが選択されると、その電位は上昇
し、それにより上述したようにそのワード線WLに接続
されたすべてのメモリセル121中のアクセストランジ
スタ122および123が導通状態となる。行デコーダ
16は、後述するグローバルATD発生器36からのア
ドレス遷移検出信号ATDにも応答して動作する。
から供給される列アドレス信号CAをデコードし、それ
により1つのビット線対BL,/BLを選択する。選択
されたビット線対BL,/BLには、上述したように入
出力線対IO,/IOのデータが列選択ゲート141を
介して供給される。
クト信号/CSに応答して活性化され、外部から供給さ
れる10ビットのアドレス信号AD1〜AD10をそれ
ぞれ増幅し、行デコーダ16に行アドレス信号RAを供
給しかつ列デコーダ18に列アドレス信号CAを供給す
る。
ァ20の構成を示す回路図である。図4を参照して、各
アドレスバッファ20は、NORゲート201と、イン
バータ202〜204とを備える。チップセレクト信号
/CSおよび1ビットのアドレス信号ADはNORゲー
ト201に供給される。NORゲート201の出力は、
インバータ202〜204を介して行デコーダ16また
は列デコーダ18に供給される。インバータ202の出
力は、後述するローカルATD発生器34に供給され
る。したがって、各アドレスバッファ20はL(論理ロ
ー)レベルのチップセレクト信号/CSが供給されると
き、外部から供給されるアドレス信号ADを行デコーダ
16または列デコーダ18に供給する。
に、8個のデータ入力バッファ22と、8個の書込ドラ
イバ24と、書込イネーブルバッファ26とを備える。
成を示す回路図である。図5を参照して、この書込イネ
ーブルバッファ26は、NORゲート261と、インバ
ータ262〜264とを備える。NORゲート261に
は、チップセレクト信号/CSおよび外部書込イネーブ
ル信号/WEが供給される。NORゲート261の出力
は、インバータ262〜264を介して内部書込イネー
ブル信号/WE1として図1のデータ入力バッファ22
などに供給される。したがって、書込イネーブルバッフ
ァ26は、チップセレクト信号/CSがLレベルにある
間にLレベルの外部書込イネーブル信号/WEが供給さ
れると、Lレベルの内部書込イネーブル信号/WE1を
生成する。
ファ22の構成を示す回路図である。図6を参照して、
このデータ入力バッファ22は、NORゲート221
と、インバータ222〜224とを備える。NORゲー
ト221には、書込イネーブルバッファ26からの内部
書込イネーブル信号/WE1が供給されるとともに、外
部から8ビットの入力データDin1〜Din8のうち
対応する1ビットの入力データDinが供給される。N
ORゲート221の出力は、インバータ222〜224
を介して書込データWDとして対応する1つの書込ドラ
イバ24に供給される。インバータ222の出力は、書
込データPWDとして後述する8個のローカルDTD発
生器27のうち対応する1つに供給される。したがっ
て、この8個のデータ入力バッファ22は、内部書込イ
ネーブル信号/WE1がLレベルにある間、外部から供
給された8ビットの入力データDin1〜Din8を書
込データWD1〜WD8として8個の書込ドライバ24
にそれぞれ供給するとともに、書込データPWD1〜P
WD8として8個のローカルDTD発生器27にそれぞ
れ供給する。
に、8個のローカルDTD発生器27と、DTDバッフ
ァ30とを備える。ローカルDTD発生器27の各々
は、供給される1ビットの書込データPWDが変化する
とき、1ビットのローカルデータ遷移検出信号LDTD
を発生する。DTDバッファ30は、供給される8ビッ
トのローカルデータ遷移検出信号LDTD1〜LDTD
8のうちいずれかが変化すると、1ビットのデータ遷移
検出信号/DTDを発生する。DTDバッファ30はま
た、供給される内部書込イネーブル信号/WE1が変化
するときにも、そのデータ遷移検出信号/DTDを発生
する。
発生器27の構成を示す回路図である。図7を参照し
て、このローカルDTD発生器27は、直列に接続され
たPチャネルMOSトランジスタ271〜274と並列
に接続されたNチャネルMOSトランジスタ275およ
び276とを備える。ローカルDTD発生器27はさら
に、インバータ277を備えるとともに、直列に接続さ
れたPチャネルMOSトランジスタ278〜281と並
列に接続されたNチャネルMOSトランジスタ282お
よび283とを備える。ローカルDTD発生器27はさ
らに、生成されるべきローカルデータ遷移検出信号LD
TDのパルス幅を決定するためのキャパシタ284およ
び285を備える。
に接続されたPチャネルMOSトランジスタ286およ
び287ならびにNチャネルMOSトランジスタ288
を備える。ローカルDTD発生器27はさらに、直列に
接続されたPチャネルMOSトランジスタ289および
290ならびにNチャネルMOSトランジスタ291を
備える。ローカルDTD発生器27はさらに、インバー
タ292および293を備える。
0の構成を示すブロック図である。図8を参照して、こ
のDTDバッファ30は、書込イネーブル遷移検出器3
01と、9入力NORゲート302と、ライズディレイ
回路303と、論理ゲート304と、インバータ305
と、ライズディレイ回路306とを備える。
に示されたローカルDTD発生器27と同様に構成され
る。したがって、書込イネーブル遷移検出器301は、
内部書込イネーブル信号/WE1が変化すると、遷移検
出信号LDTD0を発生する。NORゲート302に
は、書込イネーブル遷移検出器301からの遷移検出信
号LDTD0が供給されるとともに、ローカルDTD発
生器27からの8ビットのローカルデータ遷移検出信号
LDTD1〜LDTD8が供給される。NORゲート3
02の出力はライズディレイ回路303に供給される。
路303の構成を示す回路図である。図9を参照して、
このライズディレイ303は、直列に接続されたPチャ
ネルMOSトランジスタ307およびNチャネルMOS
トランジスタ308〜310と、キャパシタ311およ
び312と、直列に接続されたPチャネルMOSトラン
ジスタ313およびNチャネルMOSトランジスタ31
4とを備える。トランジスタ307〜310は1つのC
MOSインバータを構成する。トランジスタ313およ
び314はさらに1つのCMOSインバータを構成す
る。キャパシタ311は、前段のインバータの出力ノー
ドと電源ノードとの間に接続される。キャパシタ312
は、前段のインバータの出力ノードと接地ノードとの間
に接続される。
ャネルMOSトランジスタ308〜310が直列に接続
されているため、そのチャネル長が実質的に長くされて
いる。したがって、トランジスタ308〜310全体の
駆動能力はPチャネルMOSトランジスタ307のそれ
よりも小さくなる。そのため、Lレベルの入力信号が供
給されると、キャパシタ311は急速に放電されかつキ
ャパシタ312は急速に充電されるが、Hレベルの入力
信号が供給されると、キャパシタ311は徐々に充電さ
れかつキャパシタ312は徐々に放電される。したがっ
て、このライズディレイ回路303は、入力信号の立上
がりだけを遅らせることができる。
は、ライズディレイ回路303の出力が供給されるとと
もに、書込イネーブルバッファ26からの内部書込イネ
ーブル信号/WE1が供給される。論理ゲート304の
出力はインバータ305を介してライズディレイ回路3
06に供給されるとともに、データ遷移検出信号PDT
Dとして後述するグローバルATD発生器36に供給さ
れる。ライズディレイ回路306は、図9に示されたラ
イデズィレイ回路303と同様に構成される。
びDTDバッファ30の動作を示すタイミングチャート
である。図10(a)に示されるように、1つのデータ
入力バッファ22から供給される書込データPWDが変
化すると、図10(c)に示されるように、対応するロ
ーカルデータ遷移検出信号LDTDが所定期間Hレベル
となる。このように、いずれか1つのローカルデータ遷
移検出信号LDTDがHレベルになると、図10(d)
に示されるように、データ遷移検出信号/DTDが所定
期間Lレベルになる。
込イネーブルバッファ26から供給される内部書込イネ
ーブル信号/WE1がHレベルからLレベルに変化する
と、図10(c)に示されるようにDTDバッファ30
内の遷移検出信号LDTDが所定期間Hレベルとなる。
遷移検出信号LDTDがHレベルになると、図10
(d)に示されるようにデータ遷移検出信号/DTDは
所定期間Lレベルとなる。
8が変化する、つまりいずれか1ビットの入力データD
inが変化すると、Lレベルのデータ遷移検出信号/D
TDが所定期間の間生成される。また、外部書込イネー
ブル信号/WEがHレベルからLレベルに変化したとき
もまた、Lレベルのデータ遷移検出信号/DTDが所定
期間の間生成される。
御回路32の構成を示す回路図である。図11を参照し
て、書込ドライバ制御回路32は、論理ゲート321
と、インバータ322とを備える。論理ゲート321に
は、書込イネーブルバッファ26からの内部書込イネー
ブル信号/WE1と、DTDバッファ30からのデータ
遷移検出信号/DTDとが供給される。論理ゲート32
1の出力は、インバータ322を介して内部書込イネー
ブル信号/WE2として8個の書込ドライバ24にそれ
ぞれ供給される。
24の構成を示す回路図である。図12を参照して、こ
の書込ドライバ24は、インバータ241と、NORゲ
ート242および243と、NチャネルMOSトランジ
スタ244〜247とを備える。NORゲート242に
は、対応する1つのデータ入力バッファ22からの書込
データWDがインバータ241を介して供給されるとと
もに、書込ドライバ制御回路32からの内部書込イネー
ブル信号/WE2が供給される。NORゲート243に
は、その書込データWDおよび内部書込イネーブル信号
/WE2が供給される。
ードおよび接地ノードの間に直列に接続され、出力ノー
ド248は図1に示された対応する入出力回路14にお
ける入出力線IOに接続される。トランジスタ246お
よび247は電源ノードおよび接地ノードの間に直列に
接続され、出力ノード249はその入出力回路14にお
ける入出力線/IOに接続される。そして、NORゲー
ト242の出力はトランジスタ244および247のゲ
ート電極に与えられる。NORゲート243の出力はト
ランジスタ245および246のゲート電極に与えられ
る。
2が供給されるとき、すべてのトランジスタ244〜2
47のゲート電極にはLレベルの電位が与えられる。し
たがって、すべてのトランジスタ244〜247は非導
通状態となるので、出力ノード248および249はと
もに高インピーダンス状態となる。
/WE2が供給されると、この書込ドライバ24は活性
化される。Hレベルの書込データWDが供給されると、
トランジスタ244および247が導通状態となり、ト
ランジスタ245および246が非導通状態となる。し
たがって、出力ノード248の電位はHレベルとなり、
出力ノード249の電位はLレベルとなる。
れると、トランジスタ244および247が非導通状態
となり、トランジスタ245および246が導通状態と
なる。したがって、出力ノード248の電位がLレベル
となり、出力ノード249の電位がHレベルとなる。
2がHレベルの間は、供給された書込データWDが増幅
され、入出力線対IO,/IOに供給される。
に、アドレスバッファ20に対応する10個のローカル
ATD発生器34と、グローバルATD発生器36とを
備える。各ローカルATD発生器34は、図7に示され
たローカルDTD発生器27と同様に構成される。した
がって、各ローカルATD発生器34は対応する1ビッ
トのアドレス信号が変化するとき、Hレベルのローカル
アドレス遷移検出信号LATDを発生する。グローバル
ATD発生器36は、ローカルATD発生器34から供
給されるローカルアドレス遷移検出信号LATD1〜L
ATD10のうちいずれかがHレベルになると、アドレ
ス遷移検出信号ATDを発生する。したがって、外部か
ら供給されるアドレス信号AD1〜AD10が変化する
と、所定期間の間アドレス遷移検出信号ATDがHレベ
ルとなる。
明する。図13は、外部書込イネーブル信号/WEのパ
ルス幅がデータ遷移検出信号のパルス幅よりも短い場合
における書込動作を示すタイミングチャートである。図
13(b)に示されるように外部書込イネーブル信号/
WEがHレベルからLレベルに変化すると、図13
(d)に示されるようにDTDバッファ30からのデー
タ遷移検出信号/DTDが所定期間の間Lレベルとな
る。ここでは、データ遷移検出信号/DTDがHレベル
に戻る前に、外部書込イネーブル信号/WEがLレベル
からHレベルに戻る。
書込イネーブル信号/WE1に応答して活性化されるの
で、外部書込イネーブル信号/WEがLレベルにある間
だけ、図13(c)に示されるように入力データDin
が書込データWDとして書込ドライバ24に供給され
る。
書込イネーブル信号/WE2は、図13(e)に示され
るように内部書込イネーブル信号/WE1およびデータ
遷移検出信号/DTDがともにLレベルのときLレベル
となる。ここでは、データ遷移検出信号/DTDのパル
ス幅が外部書込イネーブル信号/WEのそれよりも長い
ため、外部書込イネーブル信号/WEの立下がりに応答
して内部書込イネーブル信号/WE2が立下がり、外部
書込イネーブル信号/WEの立上がりに応答して内部書
込イネーブル信号/WE2も立上がる。したがって、書
込データWDは、内部書込イネーブル信号/WE2がL
レベルの間だけ入出力線対IO,/IOに供給される。
この供給された書込データWDは列選択ゲート141を
介してビット線対BL,/BLに転送される。したがっ
て、図13(g)に示されるように、ビット線対BL,
/BLの一方の電位がHレベルとなり、かつ他方の電位
がLレベルとなる。
ータ遷移検出信号/DTDの立下がりから所定時間が経
過すると、選択されたワード線WLの電位が上昇する。
そのため、選択されたワード線に接続されたすべてのメ
モリセル121内のアクセストランジスタ122および
123が導通状態となり、これによりそのビット線対B
L,/BL上のデータがメモリセル121に書込まれ
る。
ス幅がデータ遷移検出信号のそれよりも長い場合におけ
る書込動作を示すタイミングチャートである。上記の場
合と同様に、図14(b)に示されるように外部書込イ
ネーブル信号/WEがHレベルからLレベルに変化する
と、図14(d)に示されるようにデータ遷移検出信号
/DTDがLレベルとなる。データ入力バッファ22は
内部書込イネーブル信号/WE1がLレベルにあるとき
活性化されるので、図14(b)に示されるように外部
書込イネーブル信号/WEがLレベルにある間、供給さ
れた入力データDinは図14(c)に示されるように
書込データWDとして書込ドライバ24に供給される。
がHレベルに戻る前にデータ遷移検出信号/DTDがL
レベルに戻る。したがって、図14(e)に示されるよ
うに、データ遷移検出信号/DTDの立下がりに応答し
て内部書込イネーブル信号/WE2は立下がり、データ
遷移検出信号/DTDの立上がりに応答して内部書込イ
ネーブル信号/WE2は立上がる。書込ドライバ24は
内部書込イネーブル信号/WE2がLレベルの間だけ活
性化されるので、供給された書込データWDはデータ遷
移検出信号/DTDがLレベルにある間だけ入出力線対
IO,/IOおよび列選択ゲート141を介してビット
線対BL,/BLに供給される。したがって、図14
(g)に示されるようにそのビット線対BL,/BLの
一方の電位はHレベルとなり、他方の電位はLレベルと
なる。
ータ遷移検出信号/DTDの立下がりから所定時間が経
過すると、選択されたワード線WLの電位が上昇し、そ
のワード線に接続されたすべてのメモリセルMCにビッ
ト線対BL,/BL上のデータが書込まれる。
WE1が直接書込ドライバ24に供給されているなら
ば、外部書込イネーブル信号/WEがLレベルにある間
連続して書込ドライバ24は活性化され、書込データW
Dが対応するメモリセル121に書込まれる。したがっ
て、外部書込イネーブル信号/WEの立下がりから所定
期間の間にデータの書込みが完了しているにもかかわら
ず、データが書込まれ続けることになるので、ビット線
負荷128および129からビット線対BL,/BLに
それぞれ大量の電流が流れる恐れがある。
部書込イネーブル信号/WEのパルス幅がデータ遷移検
出信号/DTDのそれよりも長い場合は、データ遷移検
出信号/DTDに応答して書込ドライバ24が活性化さ
れる。データ遷移検出信号/DTDが立上がると、デー
タの書込みは終了するため、ビット線負荷128および
129からビット線BLおよび/BLに流れる書込電
流、および書込ドライバ24、センスアンプなどに流れ
る動作電流などは低減される。
ブル信号にノイズが入った場合の動作を示すタイミング
チャートである。図15(b)に示されるように、この
SRAMは読出状態にあるので、外部書込イネーブル信
号/WEはHレベルになっている。このHレベルの外部
書込イネーブル信号/WEにノイズが入ると、データ入
力バッファ22が瞬間的に活性化され、図15(c)に
示されるように書込データWDが一時的に書込ドライバ
24に供給される。また、Hレベルの書込イネーブル信
号WEにノイズが入ると、図15(d)に示されるよう
にデータ遷移検出信号/DTDが所定期間の間Lレベル
となる。さらに上述したようにデータ遷移検出信号/D
TDの立下がりから所定時間が経過すると、図15
(e)に示されるように、選択されたワード線の電位が
上昇する。
ル信号/WE1およびデータ遷移検出信号DTDがとも
にLレベルのとき書込ドライバ24が活性化されるの
で、ノイズによって誤った書込データWDがメモリセル
121に書込まれることはない。
ドライバ24に直接供給されているならば、外部書込イ
ネーブル信号/WEにノイズが入ると、データ遷移検出
信号/DTDが所定期間だけLレベルとなるため、書込
データWDはこのデータ遷移検出信号/DTDがLレベ
ルにある間連続して対応するビット線対BL,/BLに
供給され、それにより誤書込みが起こりやすくなる。
部書込イネーブル信号/WE1およびデータ遷移検出信
号/DTDがともにLレベルにあるときだけ活性化され
るため、外部書込イネーブル信号/WEに瞬間的なノイ
ズが入った程度では誤書込みが生じることはない。
込イネーブル信号/WEが長期間Lレベルとなる場合に
は、データ遷移検出信号/DTDがLレベルにある間だ
け入力データがメモリセルに書込まれるため、消費電力
が低減される。また、外部書込イネーブル信号/WEに
ノイズが入ってデータ遷移検出信号/DTDが所定期間
だけLレベルになっても外部書込イネーブル信号および
データ遷移検出信号/DTDがともにLレベルになった
ときだけ書込ドライバ24が活性化されるため、誤書込
みが生じることはない。したがって、この実施例による
SRAMの消費電力は小さく、しかも誤書込みが生じる
ことはない。
の発明の範囲は上述した実施例によって限定されるもの
ではない。たとえば上述した実施例では×8構成のSR
AMにこの発明が適用された場合を詳述したが、メモリ
セルアレイなどの数が限定されることはない。また、ダ
イナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)にこの
発明を適用することも可能であるなど、この発明はその
趣旨を逸脱しない範囲内で当業者の知識に基づき種々の
改良、修正、変形などを加えた態様で実施し得るもので
ある。
ば、内部書込制御信号の変化に応答して所定期間の間発
生される内部信号および内部書込制御信号がともに第1
の論理回路に供給されたとき、内部信号遷移検出信号を
発生し、さらに、内部書込制御信号および内部信号遷移
検出信号がともに第2の論理回路に供給されたとき、外
部から供給される入力データをメモリセルに書込むデー
タ書込手段を備えるものであるので、消費電力が低減さ
れるとともに、誤書込みが生じることもない。
成を示すブロック図である。
図である。
路図である。
す回路図である。
成を示す回路図である。
示す回路図である。
ローカルATD発生器の構成を示す回路図である。
回路図である。
示す回路図である。
びDTDバッファの動作を示すタイミングチャートであ
る。
成を示す回路図である。
回路図である。
検出信号の幅よりも短い場合における図1に示されたS
RAMの書込動作を示すタイミングチャートである。
検出信号の幅よりも長い場合における図1に示されたS
RAMの書込動作を示すタイミングチャートである。
場合における図1に示されたSRAMの動作を示すタイ
ミングチャートである。
デコーダ、20 アドレスバッファ、22 データ入力
バッファ、24 書込ドライバ、26 書込イネーブル
バッファ、27 ローカルDTD発生器、30 DTD
バッファ、32書込ドライバ制御回路、121 メモリ
セル、301 書込イネーブル遷移検出器、WL ワー
ド線、BL,/BL ビット線対、Din1〜Din8
入力データ、WD1〜WD8 書込データ、/WE
外部書込イネーブル信号、/WE1,/WE2 内部書
込イネーブル信号、/DTD データ遷移検出信号、3
02,306 ライズディレイ回路。
Claims (1)
- 【請求項1】 メモリセルと、外 部から供給される書込制御信号より形成される内部書
込制御信号の変化に応答して、所定期間の間内部信号を
活性化し、前記内部信号に応じて内部信号遷移検出信号
を発生する信号発生手段とを備え、 前記信号発生手段は、 前記内部信号と前記内部書込制御信号とがともに活性化
されるときに前記内部信号遷移検出信号を活性化する第
1の論理回路を含み、 前記内部書込制御信号および前記内部信号遷移検出信号
に応じて、外部から供給される入力データを前記メモリ
セルに書込むデータ書込手段をさらに備え、 前記データ書込手段は、 前記内部書込制御信号と前記内部信号遷移検出信号とが
ともに活性化されるときに前記メモリセルへの前記入力
データの伝達を指示する第2の論理回路を含む、 半導体
記憶装置。
Priority Applications (2)
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---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28025594A JP3290315B2 (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | 半導体記憶装置 |
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Family
ID=17622454
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
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Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
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JP (1) | JP3290315B2 (ja) |
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- 1994-11-15 JP JP28025594A patent/JP3290315B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-09-28 US US08/535,859 patent/US5650978A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
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