JP3286017B2 - カーボンコート光ファイバ - Google Patents
カーボンコート光ファイバInfo
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- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光増幅器等に好適に用い
られるカーボンコート光ファイバに関する。
られるカーボンコート光ファイバに関する。
【0002】
【従来の技術】石英系光ファイバは、水素と接触すると
光ファイバ内に拡散した水素分子の分子振動に起因する
吸収損失が増大し、さらにドーパントとして含有されて
いるP2O5、GeO2、B2O3などが水素と反応しOH
基としてファイバガラス中に取り込まれるため、OH基
の吸収による伝送損失も増大してしまう問題があった。
光ファイバ内に拡散した水素分子の分子振動に起因する
吸収損失が増大し、さらにドーパントとして含有されて
いるP2O5、GeO2、B2O3などが水素と反応しOH
基としてファイバガラス中に取り込まれるため、OH基
の吸収による伝送損失も増大してしまう問題があった。
【0003】このような問題を解決するため、最近化学
気相成長法(以下、CVD法と略記する)によって、C
VD反応炉内で光ファイバ裸線の外周上にカーボン膜を
形成し、カーボンコート光ファイバを作り、これによっ
て、光ファイバの耐水素特性を向上させ得ることが発表
されている。上記光ファイバ裸線としては、クラッドが
コアに対して所望の屈折率差を有する構造のものが用い
られており、このような光ファイバ裸線を得るために
は、石英ガラス中にエルビウム等の屈折率を上げるドー
パントやフッ素等の屈折率を下げるドーパントを添加す
ることが行われている。このような光ファイバ裸線の具
体例としては、エルビウム添加石英からなるコアとフッ
素添加石英からなるクラッドとからなるエルビウムドー
プファイバや、純粋石英からなるコアとフッ素添加石英
からなるクラッドとからなるハイシリカコアファイバな
どが知られている。
気相成長法(以下、CVD法と略記する)によって、C
VD反応炉内で光ファイバ裸線の外周上にカーボン膜を
形成し、カーボンコート光ファイバを作り、これによっ
て、光ファイバの耐水素特性を向上させ得ることが発表
されている。上記光ファイバ裸線としては、クラッドが
コアに対して所望の屈折率差を有する構造のものが用い
られており、このような光ファイバ裸線を得るために
は、石英ガラス中にエルビウム等の屈折率を上げるドー
パントやフッ素等の屈折率を下げるドーパントを添加す
ることが行われている。このような光ファイバ裸線の具
体例としては、エルビウム添加石英からなるコアとフッ
素添加石英からなるクラッドとからなるエルビウムドー
プファイバや、純粋石英からなるコアとフッ素添加石英
からなるクラッドとからなるハイシリカコアファイバな
どが知られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、フッ素添加
石英クラッドを有する光ファイバ裸線(以下、フッ素ド
ープ光ファイバと略記する。)を用いてカーボンコート
光ファイバを製造する場合には、光ファイバ母材を紡糸
炉に設置し、この光ファイバ母材を溶融紡糸して得られ
るフッ素ドープ光ファイバをCVD反応炉内に挿通し、
フッ素ドープ光ファイバの外周上にカーボン膜を形成す
るが、このときCVD反応炉中におけるファイバの表面
温度が1000〜1100℃程度となるため、クラッド
中のフッ素がフッ素ガスとなってクラッド表面に拡散、
移行してしまう。このためクラッド上にカーボン膜を形
成しても、クラッド表面のフッ素によってカーボン膜の
付着、形成が妨げられることから、カーボン膜の生成効
率が悪くなると共に得られるカーボン膜も緻密性に乏し
いものとなり、従ってカーボン膜本来の特性、すなわち
光ファイバの耐水素特性を向上せしめるといった特性を
十分発揮しえないものとなってしまう。
石英クラッドを有する光ファイバ裸線(以下、フッ素ド
ープ光ファイバと略記する。)を用いてカーボンコート
光ファイバを製造する場合には、光ファイバ母材を紡糸
炉に設置し、この光ファイバ母材を溶融紡糸して得られ
るフッ素ドープ光ファイバをCVD反応炉内に挿通し、
フッ素ドープ光ファイバの外周上にカーボン膜を形成す
るが、このときCVD反応炉中におけるファイバの表面
温度が1000〜1100℃程度となるため、クラッド
中のフッ素がフッ素ガスとなってクラッド表面に拡散、
移行してしまう。このためクラッド上にカーボン膜を形
成しても、クラッド表面のフッ素によってカーボン膜の
付着、形成が妨げられることから、カーボン膜の生成効
率が悪くなると共に得られるカーボン膜も緻密性に乏し
いものとなり、従ってカーボン膜本来の特性、すなわち
光ファイバの耐水素特性を向上せしめるといった特性を
十分発揮しえないものとなってしまう。
【0005】本発明における目的は、光ファイバの外周
上にカーボン膜が付着、形成され易くし、緻密性に優れ
たカーボン膜を有するカーボンコート光ファイバを得る
ことにある。
上にカーボン膜が付着、形成され易くし、緻密性に優れ
たカーボン膜を有するカーボンコート光ファイバを得る
ことにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のカーボンコート
光ファイバは、屈折率を上げるためのドーパントを添加
した石英からなるコアと、フッ素添加量が2.5重量%
以下の石英からなるクラッドと、該クラッドの外周上に
形成された厚さ5〜30μmの純粋石英層と、該純粋石
英層の外周上に形成されたカーボン膜からなることを特
徴とする。
光ファイバは、屈折率を上げるためのドーパントを添加
した石英からなるコアと、フッ素添加量が2.5重量%
以下の石英からなるクラッドと、該クラッドの外周上に
形成された厚さ5〜30μmの純粋石英層と、該純粋石
英層の外周上に形成されたカーボン膜からなることを特
徴とする。
【0007】
【作用】本発明のカーボンコート光ファイバにあって
は、コアに屈折率を上げるためのドーパントが添加され
ているので、クラッドに添加するフッ素の添加量を2.
5重量%と以下と少なくしても目的とするコア−クラッ
ド比屈折率差を有する光ファイバが得られる。従って、
クラッド中のフッ素の添加量が少なくて済むことから、
カーボン膜の形成面に拡散、移行するフッ素ガスを極め
て少なくすることができる。しかもその上クラッドとカ
ーボン膜との間には厚さ5〜30μmの純粋石英層が形
成されているので、クラッド中のフッ素がフッ素ガスと
なって拡散、移行してきても上記純粋石英層があるため
カーボン膜の形成面にまでフッ素ガスが拡散、移行する
のが防止される。このため、カーボン膜の形成が容易に
なると共に得られるカーボン膜も緻密なものとなり、耐
水素特性に優れた光ファイバとなる。
は、コアに屈折率を上げるためのドーパントが添加され
ているので、クラッドに添加するフッ素の添加量を2.
5重量%と以下と少なくしても目的とするコア−クラッ
ド比屈折率差を有する光ファイバが得られる。従って、
クラッド中のフッ素の添加量が少なくて済むことから、
カーボン膜の形成面に拡散、移行するフッ素ガスを極め
て少なくすることができる。しかもその上クラッドとカ
ーボン膜との間には厚さ5〜30μmの純粋石英層が形
成されているので、クラッド中のフッ素がフッ素ガスと
なって拡散、移行してきても上記純粋石英層があるため
カーボン膜の形成面にまでフッ素ガスが拡散、移行する
のが防止される。このため、カーボン膜の形成が容易に
なると共に得られるカーボン膜も緻密なものとなり、耐
水素特性に優れた光ファイバとなる。
【0008】以下、本発明を詳しく説明する。図1は、
本発明のカーボンコート光ファイバの一例を示した断面
図である。図中符号1は、光ファイバである。この光フ
ァイバ1は、コア2と、クラッド3と、純粋石英層4と
から構成されている。そして、光ファイバ1の純粋石英
層4の外周上には最外層のカーボン膜5が形成されてい
る。
本発明のカーボンコート光ファイバの一例を示した断面
図である。図中符号1は、光ファイバである。この光フ
ァイバ1は、コア2と、クラッド3と、純粋石英層4と
から構成されている。そして、光ファイバ1の純粋石英
層4の外周上には最外層のカーボン膜5が形成されてい
る。
【0009】コア2は、屈折率を上げるためのドーパン
トを添加した石英からなるものである。屈折率を上げる
ためのドーパントとしては、エルビウム、チタニア、ア
ルミナ、ゲルマニア、五酸化リン等が挙げられる。
トを添加した石英からなるものである。屈折率を上げる
ためのドーパントとしては、エルビウム、チタニア、ア
ルミナ、ゲルマニア、五酸化リン等が挙げられる。
【0010】クラッド3は、フッ素添加石英からなるも
ので、上記コア2の外周上に形成されている。クラッド
3のフッ素添加量は、零分散波長を1.5μm帯へシフ
トさせるためコア−クラッド比屈折率差が0.7%程度
なるように、2.5重量%以下とされる。このフッ素添
加量は、上記コア2に添加したドーパント量に応じて上
記範囲内で添加量が調製される。フッ素添加量が2.5
重量%を超えると、純粋石英層4の外周上にカーボン膜
5を形成する際にクラッド3中のフッ素がフッ素ガスと
なって純粋石英層4の表面にまで拡散、移行し易くなる
ため、純粋石英層4の表面上にカーボン膜が付着、形成
されにくくなり、緻密性に優れたカーボン膜を得ること
ができない。一方、フッ素の添加量を2.5重量%以下
とすれば、純粋石英層4へのフッ素ガスの拡散、移行が
少なくなることから、カーボン膜が形成される表面への
フッ素ガスの拡散を防止する純粋石英層4の厚さを薄く
することができるからである。
ので、上記コア2の外周上に形成されている。クラッド
3のフッ素添加量は、零分散波長を1.5μm帯へシフ
トさせるためコア−クラッド比屈折率差が0.7%程度
なるように、2.5重量%以下とされる。このフッ素添
加量は、上記コア2に添加したドーパント量に応じて上
記範囲内で添加量が調製される。フッ素添加量が2.5
重量%を超えると、純粋石英層4の外周上にカーボン膜
5を形成する際にクラッド3中のフッ素がフッ素ガスと
なって純粋石英層4の表面にまで拡散、移行し易くなる
ため、純粋石英層4の表面上にカーボン膜が付着、形成
されにくくなり、緻密性に優れたカーボン膜を得ること
ができない。一方、フッ素の添加量を2.5重量%以下
とすれば、純粋石英層4へのフッ素ガスの拡散、移行が
少なくなることから、カーボン膜が形成される表面への
フッ素ガスの拡散を防止する純粋石英層4の厚さを薄く
することができるからである。
【0011】上記純粋石英層4の厚さとしては、5μm
以上30μm以下とされる。厚さが5μm未満である
と、薄すぎてクラッド3中からのフッ素ガスが純粋石英
層4の表面にまで拡散、移行する可能性が高くなるため
であり、一方、厚さが30μmを超えると、カーボンコ
ート光ファイバの切断が困難になるからである。
以上30μm以下とされる。厚さが5μm未満である
と、薄すぎてクラッド3中からのフッ素ガスが純粋石英
層4の表面にまで拡散、移行する可能性が高くなるため
であり、一方、厚さが30μmを超えると、カーボンコ
ート光ファイバの切断が困難になるからである。
【0012】上記コア2、クラッド3および純粋石英層
4は、VAD法、MCVD法、OVD法などの公知技術
によって製造した光ファイバ母材を紡糸炉に設置し、こ
の光ファイバ母材を溶融紡糸することによって形成する
ことができる。
4は、VAD法、MCVD法、OVD法などの公知技術
によって製造した光ファイバ母材を紡糸炉に設置し、こ
の光ファイバ母材を溶融紡糸することによって形成する
ことができる。
【0013】上記カーボン膜5は、炭化水素あるいはハ
ロゲン化炭化水素などの原料化合物を熱分解して得られ
たものである。炭化水素としては、常温で気体のガス、
例えばエタン、プロパン、エチレンなどやこれら混合気
体、常温で液体のペンタン、ヘキサン、オクタンなどや
これら混合溶液、常温で固体のナフタリンなどが挙げら
れる。またハロゲン化炭化水素としては、例えばテトラ
フルオロメタン、ジクロロメタン、ジクロルエタンなど
種々のものが挙げられるが、毒性などの取り扱いの観点
からハロゲンとして塩素を用いたものが好ましい。
ロゲン化炭化水素などの原料化合物を熱分解して得られ
たものである。炭化水素としては、常温で気体のガス、
例えばエタン、プロパン、エチレンなどやこれら混合気
体、常温で液体のペンタン、ヘキサン、オクタンなどや
これら混合溶液、常温で固体のナフタリンなどが挙げら
れる。またハロゲン化炭化水素としては、例えばテトラ
フルオロメタン、ジクロロメタン、ジクロルエタンなど
種々のものが挙げられるが、毒性などの取り扱いの観点
からハロゲンとして塩素を用いたものが好ましい。
【0014】このカーボン膜5の厚さとしては、光ファ
イバの耐水素特性の向上の見地より、十分な厚さを有す
ることが必要で、300Å以上であることが好ましい。
イバの耐水素特性の向上の見地より、十分な厚さを有す
ることが必要で、300Å以上であることが好ましい。
【0015】カーボン膜5を光ファイバ1の純粋石英層
4の外周上に形成する方法としては、例えば、光ファイ
バ母材を紡糸炉に設置し、これを溶融紡糸して得られる
光ファイバ1をCVD反応炉内に挿通し、純粋石英4の
外周上にカーボン膜5を形成することによって行われ
る。
4の外周上に形成する方法としては、例えば、光ファイ
バ母材を紡糸炉に設置し、これを溶融紡糸して得られる
光ファイバ1をCVD反応炉内に挿通し、純粋石英4の
外周上にカーボン膜5を形成することによって行われ
る。
【0016】このようなカーボンコート光ファイバは、
クラッド3とカーボン膜5との間に純粋石英層4が形成
されているものであるので、クラッド3中のフッ素がフ
ッ素ガスとなって拡散、移行してきても上記純粋石英層
4があるためカーボン膜の形成面にまでフッ素ガスが拡
散、移行するのが防止され、従って純粋石英層4の表面
にはフッ素ガスが拡散、移行していないことから、この
純粋石英層4の表面上に緻密なカーボン膜5が付着、形
成され易くなるため、得られたカーボン膜が例えば30
0Å以上程度の薄いものであっても水素に対する特性劣
化のない耐水素特性に優れたカーボンコート光ファイバ
が得られる。
クラッド3とカーボン膜5との間に純粋石英層4が形成
されているものであるので、クラッド3中のフッ素がフ
ッ素ガスとなって拡散、移行してきても上記純粋石英層
4があるためカーボン膜の形成面にまでフッ素ガスが拡
散、移行するのが防止され、従って純粋石英層4の表面
にはフッ素ガスが拡散、移行していないことから、この
純粋石英層4の表面上に緻密なカーボン膜5が付着、形
成され易くなるため、得られたカーボン膜が例えば30
0Å以上程度の薄いものであっても水素に対する特性劣
化のない耐水素特性に優れたカーボンコート光ファイバ
が得られる。
【0017】また、このカーボンコート光ファイバは、
コアに屈折率を上げるためのドーパントが添加されてい
るものであるので、クラッド3に添加するフッ素の添加
量を2.5重量%以下と少なくしても目的とするコア−
クラッド比屈折率差を有する光ファイバが得られる。従
って、フッ素に起因してカーボン膜の緻密性が損なわれ
ることが少なくなることから、上述と同様に耐水素特性
に優れたカーボンコート光ファイバが得られる。
コアに屈折率を上げるためのドーパントが添加されてい
るものであるので、クラッド3に添加するフッ素の添加
量を2.5重量%以下と少なくしても目的とするコア−
クラッド比屈折率差を有する光ファイバが得られる。従
って、フッ素に起因してカーボン膜の緻密性が損なわれ
ることが少なくなることから、上述と同様に耐水素特性
に優れたカーボンコート光ファイバが得られる。
【0018】
(実施例1〜5)まず、光ファイバ母材を紡糸炉内に設
置した。この光ファイバ母材としては、図1に示すよう
な光ファイバ1のコア2となる屈折率を上げるためのド
ーパントを添加した石英から構成されているコア部と、
光ファイバ1のクラッド3となるフッ素を0.5〜2.
5重量%の範囲で添加した石英から構成されているクラ
ッド部と、光ファイバ1の純粋石英層4となる純粋石英
から構成されている純粋石英層部から構成されているも
のを用いた。また、純粋石英層部の厚さも種々ものを用
いた。コア2に添加したドーパントは、エルビウム0.
07重量%(またはゲルマニウム23重量%)であっ
た。次いで、上記光ファイバ母材を加熱して、線速30
0m/分で紡糸し、図1と同様の構成の光ファイバ1を
得た。次いで、上記光ファイバ1を、カーボン膜5を形
成する原料化合物として約1vol%にアルゴンガスで
希釈したベンゼン蒸気が約0.5リットル/分の流量で
供給されているCVD反応炉内に挿通して、光ファイバ
1の純粋石英層4の外周上にカーボン膜5を形成してカ
ーボンコート光ファイバを得た。
置した。この光ファイバ母材としては、図1に示すよう
な光ファイバ1のコア2となる屈折率を上げるためのド
ーパントを添加した石英から構成されているコア部と、
光ファイバ1のクラッド3となるフッ素を0.5〜2.
5重量%の範囲で添加した石英から構成されているクラ
ッド部と、光ファイバ1の純粋石英層4となる純粋石英
から構成されている純粋石英層部から構成されているも
のを用いた。また、純粋石英層部の厚さも種々ものを用
いた。コア2に添加したドーパントは、エルビウム0.
07重量%(またはゲルマニウム23重量%)であっ
た。次いで、上記光ファイバ母材を加熱して、線速30
0m/分で紡糸し、図1と同様の構成の光ファイバ1を
得た。次いで、上記光ファイバ1を、カーボン膜5を形
成する原料化合物として約1vol%にアルゴンガスで
希釈したベンゼン蒸気が約0.5リットル/分の流量で
供給されているCVD反応炉内に挿通して、光ファイバ
1の純粋石英層4の外周上にカーボン膜5を形成してカ
ーボンコート光ファイバを得た。
【0019】(比較例1〜3)まず、光ファイバ母材を
紡糸炉内に設置した。この光ファイバ母材としては、光
ファイバのコアとなる屈折率を上げるためのドーパント
を添加した石英から構成されているコア部と、光ファイ
バのクラッドとなるフッ素を2.5〜3.5重量%の範
囲で添加した石英から構成されているクラッド部と、純
粋石英から構成されている純粋石英層部とから構成され
ているもの、あるいは純粋石英層を有しないものを用い
た。コアに添加したドーパントは、エルビウム0.07
重量%(またはゲルマニウム23重量%)であった。次
いで、上記光ファイバ母材を加熱して、線速300m/
分で紡糸し、コアと、クラッドと、純粋石英層とからな
る光ファイバ、またはコアとクラッドとからなる光ファ
イバを得た。次いで、この光ファイバを、カーボン膜を
形成する原料化合物として約1vol%にアルゴンガス
で希釈したベンゼン蒸気が約0.5リットル/分の流量
で供給されているCVD反応炉内に挿通して、光ファイ
バの外周上にカーボン膜を形成してカーボンコート光フ
ァイバを得た。
紡糸炉内に設置した。この光ファイバ母材としては、光
ファイバのコアとなる屈折率を上げるためのドーパント
を添加した石英から構成されているコア部と、光ファイ
バのクラッドとなるフッ素を2.5〜3.5重量%の範
囲で添加した石英から構成されているクラッド部と、純
粋石英から構成されている純粋石英層部とから構成され
ているもの、あるいは純粋石英層を有しないものを用い
た。コアに添加したドーパントは、エルビウム0.07
重量%(またはゲルマニウム23重量%)であった。次
いで、上記光ファイバ母材を加熱して、線速300m/
分で紡糸し、コアと、クラッドと、純粋石英層とからな
る光ファイバ、またはコアとクラッドとからなる光ファ
イバを得た。次いで、この光ファイバを、カーボン膜を
形成する原料化合物として約1vol%にアルゴンガス
で希釈したベンゼン蒸気が約0.5リットル/分の流量
で供給されているCVD反応炉内に挿通して、光ファイ
バの外周上にカーボン膜を形成してカーボンコート光フ
ァイバを得た。
【0020】上記実施例1〜5、比較例1〜3で得られ
たカーボンコート光ファイバについて、カーボン膜の厚
さと、耐水素特性を調べた。耐水素特性は水素ロス試験
法によって評価した。この水素ロス試験法は、カーボン
コート光ファイバを1000m束取りし、これを水素ロ
ス測定用圧力容器に入れ、両端末のファイバを口出し、
上記圧力容器を80℃に加熱し4時間保持した。次い
で、1.24μmの波長光源のOTDRを用いてカーボ
ンコート光ファイバの初期ロスを測定した。初期ロス測
定後、上記圧力容器内に水素ガスを導入し、水素分圧1
atmに保持した。そして、24時間後に再度OTDR
を用いてカーボンコート光ファイバに1.24μmの波
長の光を伝送した時のロスを測定しロス増分を確認し
た。これらの結果を下記表1に示す。
たカーボンコート光ファイバについて、カーボン膜の厚
さと、耐水素特性を調べた。耐水素特性は水素ロス試験
法によって評価した。この水素ロス試験法は、カーボン
コート光ファイバを1000m束取りし、これを水素ロ
ス測定用圧力容器に入れ、両端末のファイバを口出し、
上記圧力容器を80℃に加熱し4時間保持した。次い
で、1.24μmの波長光源のOTDRを用いてカーボ
ンコート光ファイバの初期ロスを測定した。初期ロス測
定後、上記圧力容器内に水素ガスを導入し、水素分圧1
atmに保持した。そして、24時間後に再度OTDR
を用いてカーボンコート光ファイバに1.24μmの波
長の光を伝送した時のロスを測定しロス増分を確認し
た。これらの結果を下記表1に示す。
【0021】
【表1】
【0022】上記表1に示した結果から明らかなように
実施例1〜3においては、クラッドのフッ素添加量が少
ないと、緻密性の高いカーボン膜が容易に得られること
が分る。さらにまた実施例4、5より、クラッドのフッ
素添加量が少ない場合にはフッ素ガスの表面への拡散を
防止するための純粋石英層の厚さを薄くできることが分
る。これに対し、比較例1のように純粋石英層を設けな
いものや、比較例2の様に純粋石英層の厚さが5μm以
下のものの場合には、カーボン膜の生成が困難になると
共に緻密性に乏しいことが分る。また、純粋石英層を適
正な厚さに形成した場合でも比較例3のようにフッ素の
添加量が2.5重量%以上のときは緻密なカーボン膜が
得られないことが分る。
実施例1〜3においては、クラッドのフッ素添加量が少
ないと、緻密性の高いカーボン膜が容易に得られること
が分る。さらにまた実施例4、5より、クラッドのフッ
素添加量が少ない場合にはフッ素ガスの表面への拡散を
防止するための純粋石英層の厚さを薄くできることが分
る。これに対し、比較例1のように純粋石英層を設けな
いものや、比較例2の様に純粋石英層の厚さが5μm以
下のものの場合には、カーボン膜の生成が困難になると
共に緻密性に乏しいことが分る。また、純粋石英層を適
正な厚さに形成した場合でも比較例3のようにフッ素の
添加量が2.5重量%以上のときは緻密なカーボン膜が
得られないことが分る。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のカーボン
コート光ファイバは、コアに屈折率を上げるためのドー
パントを添加したことにより、所要の屈折率差を得るた
めのクラッド中へのフッ素の添加量を少なくすると共に
該クラッドの外周上に厚さ5〜30μmの純粋石英層を
形成し、これによってカーボン膜の形成面上に気密性に
優れた緻密なカーボン膜を付着、形成し易くして、耐水
素劣化特性に優れたカーボン膜が得られるようにしたも
のであるから、例えば厚さが300Å程度の膜厚の場合
でも、水素が浸透するのを有効に防止することができ、
耐水素特性に優れたものとなる。また、このように耐水
素特性が優れていることから、本発明のカーボンコート
光ファイバは、長期間信頼性を必要とする光増幅器等に
好適に用いられるものとなる。
コート光ファイバは、コアに屈折率を上げるためのドー
パントを添加したことにより、所要の屈折率差を得るた
めのクラッド中へのフッ素の添加量を少なくすると共に
該クラッドの外周上に厚さ5〜30μmの純粋石英層を
形成し、これによってカーボン膜の形成面上に気密性に
優れた緻密なカーボン膜を付着、形成し易くして、耐水
素劣化特性に優れたカーボン膜が得られるようにしたも
のであるから、例えば厚さが300Å程度の膜厚の場合
でも、水素が浸透するのを有効に防止することができ、
耐水素特性に優れたものとなる。また、このように耐水
素特性が優れていることから、本発明のカーボンコート
光ファイバは、長期間信頼性を必要とする光増幅器等に
好適に用いられるものとなる。
【図1】 本発明のカーボンコート光ファイバの一例を
示した断面図である。
示した断面図である。
1・・・光ファイバ、2・・・コア、3・・・クラッド、4・・・純
粋石英層、5・・・カーボン膜
粋石英層、5・・・カーボン膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 荒木 真治 千葉県佐倉市六崎1440番地 株式会社フ ジクラ 佐倉工場内 (56)参考文献 特開 平4−60503(JP,A) 特開 昭63−217311(JP,A) 特開 平4−198043(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C03C 25/42 G02B 6/44 331
Claims (1)
- 【請求項1】 屈折率を上げるためのドーパントを添加
した石英からなるコアと、フッ素添加量が2.5重量%
以下の石英からなるクラッドと、該クラッドの外周上に
形成された厚さ5〜30μmの純粋石英層と、該純粋石
英層の外周上に形成されたカーボン膜からなるカーボン
コート光ファイバ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13796993A JP3286017B2 (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | カーボンコート光ファイバ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13796993A JP3286017B2 (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | カーボンコート光ファイバ |
Publications (2)
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JPH06345493A JPH06345493A (ja) | 1994-12-20 |
JP3286017B2 true JP3286017B2 (ja) | 2002-05-27 |
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ID=15210977
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP13796993A Expired - Fee Related JP3286017B2 (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | カーボンコート光ファイバ |
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Country | Link |
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JP (1) | JP3286017B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102741719A (zh) * | 2010-01-26 | 2012-10-17 | 康宁股份有限公司 | 光纤 |
-
1993
- 1993-06-08 JP JP13796993A patent/JP3286017B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
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JPH06345493A (ja) | 1994-12-20 |
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