JP3282689B2 - 積層型電子部品 - Google Patents
積層型電子部品Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体と導体とを積層
し、焼結することにより作製される積層型電子部品に関
する。
し、焼結することにより作製される積層型電子部品に関
する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】積層
構造によって内部に１つ以上のコンデンサを形成する
か、あるいは積層型コンデンサと積層インダクタを一体
に形成してなる積層型電子部品においては、コンデンサ
の内部電極の層数や面積、電極間距離を変えることによ
って所望の容量（周波数特性）のものを得ている。しか
し、近年は高周波化、高速化の趨勢にあり、たとえ低い
誘電率の誘電体を用いたとしても、内部電極の総面積や
対向距離を調整することのみでは、この高周波化等の要
望に対応することが困難となってきている。また、２つ
以上のコンデンサを有する積層型電子部品において、高
密度にコンデンサを内蔵する必要がある場合、高周波領
域においては隣接したコンデンサ間の容量が無視できな
くなり、所望の特性が得にくいという問題点もあった。
構造によって内部に１つ以上のコンデンサを形成する
か、あるいは積層型コンデンサと積層インダクタを一体
に形成してなる積層型電子部品においては、コンデンサ
の内部電極の層数や面積、電極間距離を変えることによ
って所望の容量（周波数特性）のものを得ている。しか
し、近年は高周波化、高速化の趨勢にあり、たとえ低い
誘電率の誘電体を用いたとしても、内部電極の総面積や
対向距離を調整することのみでは、この高周波化等の要
望に対応することが困難となってきている。また、２つ
以上のコンデンサを有する積層型電子部品において、高
密度にコンデンサを内蔵する必要がある場合、高周波領
域においては隣接したコンデンサ間の容量が無視できな
くなり、所望の特性が得にくいという問題点もあった。
【０００３】本発明は、上記した実情に鑑み、高周波化
等の要求に対応できる構成の積層型電子部品を提供する
ことを目的とする。
等の要求に対応できる構成の積層型電子部品を提供する
ことを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、誘電体と導体とを積層し、焼結してなる積
層型電子部品において、コンデンサの対向電極間のみ
に、多孔質部分と、該多孔質部分全体を覆う緻密層とを
設け、前記緻密層の誘電率を非多孔質部分の誘電率より
低くしたことを特徴とする（請求項１）。また本発明
は、前記積層型電子部品が２つ以上のコンデンサを有す
るものであって、一部のコンデンサの対向電極間のみに
前記多孔質部分および前記緻密層を設けたことを特徴と
する（請求項２）。
成するため、誘電体と導体とを積層し、焼結してなる積
層型電子部品において、コンデンサの対向電極間のみ
に、多孔質部分と、該多孔質部分全体を覆う緻密層とを
設け、前記緻密層の誘電率を非多孔質部分の誘電率より
低くしたことを特徴とする（請求項１）。また本発明
は、前記積層型電子部品が２つ以上のコンデンサを有す
るものであって、一部のコンデンサの対向電極間のみに
前記多孔質部分および前記緻密層を設けたことを特徴と
する（請求項２）。
【０００５】また、本発明は、誘電体と導体とを積層し
焼結してなり、かつ２つ以上のコンデンサを有する積層
型電子部品において、コンデンサ間に多孔質部分を設
け、該多孔質部分全体を緻密層により覆い、前記緻密層
の誘電率を非多孔質部分の誘電率より低くしたことを特
徴とする（請求項３）。
焼結してなり、かつ２つ以上のコンデンサを有する積層
型電子部品において、コンデンサ間に多孔質部分を設
け、該多孔質部分全体を緻密層により覆い、前記緻密層
の誘電率を非多孔質部分の誘電率より低くしたことを特
徴とする（請求項３）。
【０００６】
【作用】請求項１、２によれば、コンデンサの対向電極
間に多孔質の誘電体を用いたので、該電極間の誘電体の
誘電率が小さくなり、コンデンサ容量が小さくなる。ま
た、多孔質の誘電体を内部電極間のみに設けたので、コ
ンデンサの容量としてはコンデンサ全体に多孔質の誘電
体を用いた場合と同様の容量が得られ、全体に多孔質の
誘電体を用いた場合に比較して強度が増大する。請求項
３のように、隣接するコンデンサ間に多孔質の誘電体を
用いた場合には、コンデンサの間に低誘電率層が介在す
ることになり、隣接コンデンサの間の結合容量が低減さ
れる。また 、いずれの場合にも多孔質の誘電体を緻密層
で覆ったので、多孔質のみを用いた場合に比較して強度
が増大すると共に、該緻密層が保護層となり、多孔質の
誘電体への湿分の浸入が防止される。また、緻密層の誘
電率を非多孔質部分の誘電率を低くしたので、緻密層を
設けても、コンデンサ電極間またはコンデンサ間の容量
増大を低く抑えることができる。
間に多孔質の誘電体を用いたので、該電極間の誘電体の
誘電率が小さくなり、コンデンサ容量が小さくなる。ま
た、多孔質の誘電体を内部電極間のみに設けたので、コ
ンデンサの容量としてはコンデンサ全体に多孔質の誘電
体を用いた場合と同様の容量が得られ、全体に多孔質の
誘電体を用いた場合に比較して強度が増大する。請求項
３のように、隣接するコンデンサ間に多孔質の誘電体を
用いた場合には、コンデンサの間に低誘電率層が介在す
ることになり、隣接コンデンサの間の結合容量が低減さ
れる。また 、いずれの場合にも多孔質の誘電体を緻密層
で覆ったので、多孔質のみを用いた場合に比較して強度
が増大すると共に、該緻密層が保護層となり、多孔質の
誘電体への湿分の浸入が防止される。また、緻密層の誘
電率を非多孔質部分の誘電率を低くしたので、緻密層を
設けても、コンデンサ電極間またはコンデンサ間の容量
増大を低く抑えることができる。
【０００７】
【実施例】図１（Ａ）は本発明の前提となる積層型コン
デンサ２の一例を示す断面図であり、積層型コンデンサ
２と積層型インダクタ１と積層により一体化して積層型
電子部品を構成した例を示す。図１（Ｂ）はその等価回
路図である。本例の積層型電子部品は、コンデンサＣ1
〜Ｃ4 とインダクタＬ1 〜Ｌ4 とにより構成されるもの
について示す。図１（Ａ）に示すように、本例の積層型
電子部品は、誘電体材料と導体材料とをスクリ−ン印刷
法あるいはシ−ト法等により積層して焼結した積層体で
なり、下部に誘電体９とコイル導体８とからなる複合イ
ンダクタ１を形成し、その上に複合コンデンサ２を形成
し、積層型コンデンサ２の内部電極４や積層型インダク
タ１のコイル導体１の各露出端部に接続させて外部電極
３を積層体外面に形成したものである。該複合コンデン
サ２は、対向する内部電極４の間が多孔質の低密度の誘
電体５で形成され、他の部分は非多孔質の誘電体６で形
成されている。
デンサ２の一例を示す断面図であり、積層型コンデンサ
２と積層型インダクタ１と積層により一体化して積層型
電子部品を構成した例を示す。図１（Ｂ）はその等価回
路図である。本例の積層型電子部品は、コンデンサＣ1
〜Ｃ4 とインダクタＬ1 〜Ｌ4 とにより構成されるもの
について示す。図１（Ａ）に示すように、本例の積層型
電子部品は、誘電体材料と導体材料とをスクリ−ン印刷
法あるいはシ−ト法等により積層して焼結した積層体で
なり、下部に誘電体９とコイル導体８とからなる複合イ
ンダクタ１を形成し、その上に複合コンデンサ２を形成
し、積層型コンデンサ２の内部電極４や積層型インダク
タ１のコイル導体１の各露出端部に接続させて外部電極
３を積層体外面に形成したものである。該複合コンデン
サ２は、対向する内部電極４の間が多孔質の低密度の誘
電体５で形成され、他の部分は非多孔質の誘電体６で形
成されている。
【０００８】図２は前記複合コンデンサ２の部分の製造
工程をチップ１個分について示す図であり、下部のイン
ダクタ１の部分を積層した後、スクリーン印刷法を用い
て複合コンデンサ２を作製する工程を示すものである。
まず、図２（ａ）に示すように、セラミック粉と樹脂等
のバインダからなる誘電体ペ−ストで誘電体層６ａを所
定の厚みに形成し、次に、図２（ｂ）に示すように、該
誘電体層６ａの上に、例えばAg、Ag-Pd、Cu等の金属粉と
バインダからなる導体ぺ−ストで内部電極４ａ〜４ｄ
を、その一端がそれぞれ複合コンデンサの左右側面とな
る部分に露出するように所定の厚みに形成する。次に、
図２（ｃ）に示すように、前記内部電極４ａ〜４ｄの対
向電極となる部分に、多孔質となる誘電体層５ａ〜５ｄ
を所定の厚みに形成し、図２（ｄ）に示すように、該誘
電体層５ａ〜５ｄ以外の部分に前記誘電体層６ａと同材
質の誘電体層６ｂを所定の厚みに形成する。次に、図２
（ｅ）に示すように、前記誘電体層５ａ〜５ｄの上に導
体ぺ−ストにより前記内部電極４ａ〜４ｄにそれぞれ対
向する内部電極４ｅ〜４ｈを、その一端がそれぞれ複合
コンデンサの側面となる部分に露出するように所定の厚
みに形成する。
工程をチップ１個分について示す図であり、下部のイン
ダクタ１の部分を積層した後、スクリーン印刷法を用い
て複合コンデンサ２を作製する工程を示すものである。
まず、図２（ａ）に示すように、セラミック粉と樹脂等
のバインダからなる誘電体ペ−ストで誘電体層６ａを所
定の厚みに形成し、次に、図２（ｂ）に示すように、該
誘電体層６ａの上に、例えばAg、Ag-Pd、Cu等の金属粉と
バインダからなる導体ぺ−ストで内部電極４ａ〜４ｄ
を、その一端がそれぞれ複合コンデンサの左右側面とな
る部分に露出するように所定の厚みに形成する。次に、
図２（ｃ）に示すように、前記内部電極４ａ〜４ｄの対
向電極となる部分に、多孔質となる誘電体層５ａ〜５ｄ
を所定の厚みに形成し、図２（ｄ）に示すように、該誘
電体層５ａ〜５ｄ以外の部分に前記誘電体層６ａと同材
質の誘電体層６ｂを所定の厚みに形成する。次に、図２
（ｅ）に示すように、前記誘電体層５ａ〜５ｄの上に導
体ぺ−ストにより前記内部電極４ａ〜４ｄにそれぞれ対
向する内部電極４ｅ〜４ｈを、その一端がそれぞれ複合
コンデンサの側面となる部分に露出するように所定の厚
みに形成する。
【０００９】この後、上記（ｃ）、（ｄ）、（ｂ）、
（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）の工程をこの順序で繰返すこと
により、所定の層数を形成した後、（ｆ）に示すよう
に、最上層となる前記誘電体層６ａと同材質の誘電体層
６ｃを形成する。このようにして下部の複合インダクタ
１の部分と共に一体化してなる積層体を圧着して切断
し、焼成し、さらに、前記外部電極３を焼付け等により
形成することにより、複合部品であるフィルタ等の積層
型電子部品が作製される。
（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）の工程をこの順序で繰返すこと
により、所定の層数を形成した後、（ｆ）に示すよう
に、最上層となる前記誘電体層６ａと同材質の誘電体層
６ｃを形成する。このようにして下部の複合インダクタ
１の部分と共に一体化してなる積層体を圧着して切断
し、焼成し、さらに、前記外部電極３を焼付け等により
形成することにより、複合部品であるフィルタ等の積層
型電子部品が作製される。
【００１０】上記多孔質の誘電体５の形成方法の一例を
説明すると、多孔質誘電体５を形成するペーストとし
て、そのバインダに使用する有機溶媒に不溶の例えばＰ
ＶＡ（ポリビニルアルコ−ル）等水系の樹脂を混入した
セラミック誘電体ペ−ストを使用する。そして例えば常
温から400 ℃まで徐々に温度を上げてバインダを蒸発さ
せて除いた後、例えば900 ℃程度にまで昇温して焼成す
ることにより、該水系の樹脂を焼失させ、その焼失させ
た部分に空隙を形成する。図３は、このような手法によ
り誘電体粒子５ｚ間に気孔５ｋを形成した多孔質の部分
（Ｘ部分）と他の非多孔質部分（Ｙ部分）について示す
断面図である。多孔質の誘電体５は、気孔５ｋを有しな
い他の誘電体６（Ｙ部分）と比べて低密度になり、従っ
て低誘電率となる。該気孔５ｋを有しない高密度の誘電
体の比誘電率は低いものでもせいぜい４程度であるのに
対して、多孔質の誘電体においては３以下のものが実現
可能である。また、多孔質の誘電体は、前述のように混
入する樹脂の種類や量を変えること等により、前記気孔
５ｋの大きさや含有量を変化させて気孔率を変化させる
ことができ、これによって誘電率を調整することができ
る。なお、多孔質の誘電体５と他の誘電体６の材質は、
同材質でも異材質でもよい。
説明すると、多孔質誘電体５を形成するペーストとし
て、そのバインダに使用する有機溶媒に不溶の例えばＰ
ＶＡ（ポリビニルアルコ−ル）等水系の樹脂を混入した
セラミック誘電体ペ−ストを使用する。そして例えば常
温から400 ℃まで徐々に温度を上げてバインダを蒸発さ
せて除いた後、例えば900 ℃程度にまで昇温して焼成す
ることにより、該水系の樹脂を焼失させ、その焼失させ
た部分に空隙を形成する。図３は、このような手法によ
り誘電体粒子５ｚ間に気孔５ｋを形成した多孔質の部分
（Ｘ部分）と他の非多孔質部分（Ｙ部分）について示す
断面図である。多孔質の誘電体５は、気孔５ｋを有しな
い他の誘電体６（Ｙ部分）と比べて低密度になり、従っ
て低誘電率となる。該気孔５ｋを有しない高密度の誘電
体の比誘電率は低いものでもせいぜい４程度であるのに
対して、多孔質の誘電体においては３以下のものが実現
可能である。また、多孔質の誘電体は、前述のように混
入する樹脂の種類や量を変えること等により、前記気孔
５ｋの大きさや含有量を変化させて気孔率を変化させる
ことができ、これによって誘電率を調整することができ
る。なお、多孔質の誘電体５と他の誘電体６の材質は、
同材質でも異材質でもよい。
【００１１】多孔質の誘電体５はコンデンサ全体に用い
てもよいが、本例のように、コンデンサの対向電極４の
間にのみ多孔質の誘電体５を用れば、全体に多孔質の誘
電体を設けた場合と同様に低容量のコンデンサを得るこ
とができる。また、積層体外周部には非多孔質の誘電体
６を用いることにより、これが保護層として機能し、該
保護層により、内部の多孔質の誘電体層への湿分や電解
液の侵入が防止され、絶縁抵抗の劣化やＱ値の低下が防
止される。また、該保護層により実用上要求される機械
的強度が確保される。
てもよいが、本例のように、コンデンサの対向電極４の
間にのみ多孔質の誘電体５を用れば、全体に多孔質の誘
電体を設けた場合と同様に低容量のコンデンサを得るこ
とができる。また、積層体外周部には非多孔質の誘電体
６を用いることにより、これが保護層として機能し、該
保護層により、内部の多孔質の誘電体層への湿分や電解
液の侵入が防止され、絶縁抵抗の劣化やＱ値の低下が防
止される。また、該保護層により実用上要求される機械
的強度が確保される。
【００１２】図４（Ａ）は本発明による積層型コンデン
サの一実施例を示す複合部品の断面図である。図４
（Ａ）に示す複合部品は、図１（Ａ）に示した積層型電
子部品に対して、コンデンサ２Ａの対向電極４の間の多
孔質の誘電体５を緻密な誘電体７で覆うことにより、誘
電体５の保護機能による強度の増大と、湿分等の侵入に
よる絶縁抵抗の劣化やＱ値の低下の防止を図ったもので
ある。なお、緻密な誘電体７は、例えば非多孔質の誘電
体６より粒径の小さな粉体を誘電体材料に用いることに
よって形成できるが、この緻密な誘電体７は非多孔質部
分よりも誘電率が低いことが望ましい。
サの一実施例を示す複合部品の断面図である。図４
（Ａ）に示す複合部品は、図１（Ａ）に示した積層型電
子部品に対して、コンデンサ２Ａの対向電極４の間の多
孔質の誘電体５を緻密な誘電体７で覆うことにより、誘
電体５の保護機能による強度の増大と、湿分等の侵入に
よる絶縁抵抗の劣化やＱ値の低下の防止を図ったもので
ある。なお、緻密な誘電体７は、例えば非多孔質の誘電
体６より粒径の小さな粉体を誘電体材料に用いることに
よって形成できるが、この緻密な誘電体７は非多孔質部
分よりも誘電率が低いことが望ましい。
【００１３】図４（Ｂ）に示す複合コンデンサ２Ｂは、
図１（Ａ）に示した積層型電子部品のようにすべてのコ
ンデンサ電極間に多孔質の誘電体を設けるのではなく、
一部コンデンサのみについての対向電極４の間に多孔質
の誘電体５を用いたものである。該複合コンデンサ２Ｂ
においては、多孔質の誘電体５を用いたコンデンサのみ
低容量になるので、コンデンサ間の容量の差を大きくで
き、コンデンサ容量の選択の自由度を向上させることが
できる。
図１（Ａ）に示した積層型電子部品のようにすべてのコ
ンデンサ電極間に多孔質の誘電体を設けるのではなく、
一部コンデンサのみについての対向電極４の間に多孔質
の誘電体５を用いたものである。該複合コンデンサ２Ｂ
においては、多孔質の誘電体５を用いたコンデンサのみ
低容量になるので、コンデンサ間の容量の差を大きくで
き、コンデンサ容量の選択の自由度を向上させることが
できる。
【００１４】図５（Ａ）は本発明による積層型電子部品
の他の実施例を示す断面図、（Ｂ）はその要部拡大図で
ある。図５（Ａ）、（Ｂ）に示すものは、複合コンデン
サ２Ｃ部分のコンデンサＣ1 、Ｃ2 の間に前記と同様の
多孔質の誘電体５を設けたものである。該複合コンデン
サ２Ｃにおいては、低誘電率の誘電体５により、前記コ
ンデンサＣ1、Ｃ2 の間の容量が低減され、所望の特性
が得やすい。また、該複合コンデンサ２Ｄは、多孔質の
誘電体５を緻密な誘電体７で覆ったものであり、図４
（Ａ）で示した強度増大などの効果を発揮できる。
の他の実施例を示す断面図、（Ｂ）はその要部拡大図で
ある。図５（Ａ）、（Ｂ）に示すものは、複合コンデン
サ２Ｃ部分のコンデンサＣ1 、Ｃ2 の間に前記と同様の
多孔質の誘電体５を設けたものである。該複合コンデン
サ２Ｃにおいては、低誘電率の誘電体５により、前記コ
ンデンサＣ1、Ｃ2 の間の容量が低減され、所望の特性
が得やすい。また、該複合コンデンサ２Ｄは、多孔質の
誘電体５を緻密な誘電体７で覆ったものであり、図４
（Ａ）で示した強度増大などの効果を発揮できる。
【００１５】上記実施例においては、誘電体粒子５ｚの
間に気孔５ｋが形成される例について示したが、粒子５
ｚ内に気孔を形成したものを用いて多孔質の誘電体を形
成してもよい。また、本発明は、積層型コンデンサやこ
れに積層型インダクタなどを積層した複合部品が基板と
して用いられるものにも適用できる。
間に気孔５ｋが形成される例について示したが、粒子５
ｚ内に気孔を形成したものを用いて多孔質の誘電体を形
成してもよい。また、本発明は、積層型コンデンサやこ
れに積層型インダクタなどを積層した複合部品が基板と
して用いられるものにも適用できる。
【００１６】
【発明の効果】請求項１によれば、積層型電子部品を形
成する誘電体として多孔質の材料を用いたので、コンデ
ンサの対向電極間の誘電体の誘電率を低くすることがで
き、低容量のコンデンサを容易に得ることができる。従
って、コンデンサ容量の選択幅が広がり、高周波化に対
応しやすくなる。
成する誘電体として多孔質の材料を用いたので、コンデ
ンサの対向電極間の誘電体の誘電率を低くすることがで
き、低容量のコンデンサを容易に得ることができる。従
って、コンデンサ容量の選択幅が広がり、高周波化に対
応しやすくなる。
【００１７】また、前記積層型電子部品において、コン
デンサの対向電極間のみに多孔質の誘電体を設けたの
で、全体に多孔質の誘電体を用いた場合と同様の高周波
化に対応できるものが得られ、強度、Ｑ値の面の劣化も
防止される。また、前記多孔質の誘電体を緻密な誘電体
で覆ったので、緻密な誘電体が保護層となり、該保護層
により多孔質の誘電体部分への湿分等の侵入が防止さ
れ、絶縁抵抗の劣化やＱ値の低下の防止される。また、
機械的強度が向上し、さらに信頼性の高い積層型電子部
品を得ることができる。また、緻密層の誘電率を非多孔
質部分の誘電率を低くしたので、緻密層を設けても、コ
ンデンサ電極間の容量増大を低く抑えることができる。
デンサの対向電極間のみに多孔質の誘電体を設けたの
で、全体に多孔質の誘電体を用いた場合と同様の高周波
化に対応できるものが得られ、強度、Ｑ値の面の劣化も
防止される。また、前記多孔質の誘電体を緻密な誘電体
で覆ったので、緻密な誘電体が保護層となり、該保護層
により多孔質の誘電体部分への湿分等の侵入が防止さ
れ、絶縁抵抗の劣化やＱ値の低下の防止される。また、
機械的強度が向上し、さらに信頼性の高い積層型電子部
品を得ることができる。また、緻密層の誘電率を非多孔
質部分の誘電率を低くしたので、緻密層を設けても、コ
ンデンサ電極間の容量増大を低く抑えることができる。
【００１８】請求項２によれば、２以上のコンデンサを
有する請求項１の積層型電子部品において、一部のコン
デンサのみの対向電極間に誘電率の小さい多孔質の誘電
体を用いたので、コンデンサ間の容量の差を大きくで
き、コンデンサ容量の選択の自由度を向上させることが
できるという効果をさらにあげることができる。
有する請求項１の積層型電子部品において、一部のコン
デンサのみの対向電極間に誘電率の小さい多孔質の誘電
体を用いたので、コンデンサ間の容量の差を大きくで
き、コンデンサ容量の選択の自由度を向上させることが
できるという効果をさらにあげることができる。
【００１９】請求項３によれば、２以上のコンデンサを
有する積層型電子部品において、隣接するコンデンサ間
に誘電率の低い多孔質の誘電体層を介在させたので、コ
ンデンサ間に寄生する容量結合を防止でき、該積層型電
子部品における特性のずれを防止することができる。
有する積層型電子部品において、隣接するコンデンサ間
に誘電率の低い多孔質の誘電体層を介在させたので、コ
ンデンサ間に寄生する容量結合を防止でき、該積層型電
子部品における特性のずれを防止することができる。
【００２０】また、前記多孔質の誘電体を緻密な誘電体
で覆ったので、緻密な誘電体が保護層となり、該保護層
により多孔質の誘電体部分への湿分等の侵入が防止さ
れ、絶縁抵抗の劣化やＱ値の低下の防止される。また、
機械的強度が向上し、さらに信頼性の高い積層型電子部
品を得ることができる。また、緻密層の誘電率を非多孔
質部分の誘電率を低くしたので、緻密層を設けても、コ
ンデンサ間の容量増大を低く抑えることができる。
で覆ったので、緻密な誘電体が保護層となり、該保護層
により多孔質の誘電体部分への湿分等の侵入が防止さ
れ、絶縁抵抗の劣化やＱ値の低下の防止される。また、
機械的強度が向上し、さらに信頼性の高い積層型電子部
品を得ることができる。また、緻密層の誘電率を非多孔
質部分の誘電率を低くしたので、緻密層を設けても、コ
ンデンサ間の容量増大を低く抑えることができる。
【図１】（Ａ）は本発明の前提となる積層型電子部品の
一例を複合部品であるフィルタについて示す断面図、
（Ｂ）はその等価回路図である。
一例を複合部品であるフィルタについて示す断面図、
（Ｂ）はその等価回路図である。
【図２】図１の積層型電子部品の製造工程を示す図であ
る。
る。
【図３】図１の積層型電子部品の多孔質の誘電体部を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】（Ａ）は本発明による積層型電子部品の一実施
例を示す断面図、（Ｂ）は多孔質の誘電体を一部のコン
デンサのみに用いた本発明による積層型電子部品の概念
を示す断面図である。
例を示す断面図、（Ｂ）は多孔質の誘電体を一部のコン
デンサのみに用いた本発明による積層型電子部品の概念
を示す断面図である。
【図５】（Ａ）は積層型電子部品の他の例を示す断面
図、（Ｂ）はその要部拡大図である。
図、（Ｂ）はその要部拡大図である。
１ 複合インダクタ ２、２Ａ〜２Ｄ 複合コンデンサ ３ 外部電極 ４、４ａ〜４ｆ 内部電極 ５、５ａ〜５ｄ 多孔質の誘電体 ５ｋ 気孔 ５ｚ 粒子 ６ 誘電体 ７ 緻密な誘電体
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 4/00 - 4/10 H01G 4/14 - 4/42
Claims (3)
- 【請求項１】誘電体と導体とを積層し、焼結してなる積
層型電子部品において、コンデンサの対向電極間のみ
に、多孔質部分と、該多孔質部分全体を覆う緻密層とを
設け、前記緻密層の誘電率を非多孔質部分の誘電率より
低くしたことを特徴とする積層型電子部品。 - 【請求項２】請求項１において、前記積層型電子部品が
２つ以上のコンデンサを有するものであって、一部のコ
ンデンサの対向電極間のみに前記多孔質部分および前記
緻密層を設けたことを特徴とする積層型電子部品。 - 【請求項３】誘電体と導体とを積層し焼結してなり、か
つ２つ以上のコンデンサを有する積層型電子部品におい
て、コンデンサ間に多孔質部分を設け、該多孔質部分全
体を緻密層により覆い、前記緻密層の誘電率を非多孔質
部分の誘電率より低くしたことを特徴とする積層型電子
部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08124193A JP3282689B2 (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 積層型電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08124193A JP3282689B2 (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 積層型電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06267787A JPH06267787A (ja) | 1994-09-22 |
| JP3282689B2 true JP3282689B2 (ja) | 2002-05-20 |
Family
ID=13740933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08124193A Expired - Fee Related JP3282689B2 (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 積層型電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3282689B2 (ja) |
-
1993
- 1993-03-16 JP JP08124193A patent/JP3282689B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06267787A (ja) | 1994-09-22 |
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