JP3269506B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP3269506B2 JP3269506B2 JP03639793A JP3639793A JP3269506B2 JP 3269506 B2 JP3269506 B2 JP 3269506B2 JP 03639793 A JP03639793 A JP 03639793A JP 3639793 A JP3639793 A JP 3639793A JP 3269506 B2 JP3269506 B2 JP 3269506B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁シート上に形成し
た導電パターンと半導体ペレットとを電気的接続した半
導体装置に関するものである。
た導電パターンと半導体ペレットとを電気的接続した半
導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＴＡＢ式半導体装置は、例えばフレキシ
ブルなシート状プリント基板等に組み付けられるカメラ
用ＩＣ等に用いられ、その一例を図４及び図５を参照し
て次に示すと、（１）は半導体ペレット（以下、ペレッ
トと称す。）、（２）は枠状シート、（３）は金属箔リ
ードである。そして、金属箔リード（３）を枠状シート
（２）の内側から外側に向って放射状に配置すると共
に、その中間部分を枠状シート（２）に接着し、且つ、
ペレット（１）の表面外周縁に金メッキにより形成した
バンプ電極（４）…とインナーリード（３ａ）とを熱圧
着してボンディングすることによりペレット（１）を枠
状シート（２）の内側に支持する。
ブルなシート状プリント基板等に組み付けられるカメラ
用ＩＣ等に用いられ、その一例を図４及び図５を参照し
て次に示すと、（１）は半導体ペレット（以下、ペレッ
トと称す。）、（２）は枠状シート、（３）は金属箔リ
ードである。そして、金属箔リード（３）を枠状シート
（２）の内側から外側に向って放射状に配置すると共
に、その中間部分を枠状シート（２）に接着し、且つ、
ペレット（１）の表面外周縁に金メッキにより形成した
バンプ電極（４）…とインナーリード（３ａ）とを熱圧
着してボンディングすることによりペレット（１）を枠
状シート（２）の内側に支持する。
【０００３】上記ＴＡＢ式半導体装置（５）は、図５に
示すように、ＴＡＢテープ（６）を所定のピッチと形状
で切断したものからなり、ＴＡＢテープ（６）は、透孔
（７）…と窓開け部（８）…と送り穴（９）…とを有す
る長尺な絶縁シート（１０）の表面に所定パターンの金
属箔リード（３）を被着・形成すると共に、透孔（７）
内においてバンプ電極（４）…とインナーリード（３
ａ）とを熱圧着ボンディングすることによりペレット
（１）を透孔（７）内に支持してなる。
示すように、ＴＡＢテープ（６）を所定のピッチと形状
で切断したものからなり、ＴＡＢテープ（６）は、透孔
（７）…と窓開け部（８）…と送り穴（９）…とを有す
る長尺な絶縁シート（１０）の表面に所定パターンの金
属箔リード（３）を被着・形成すると共に、透孔（７）
内においてバンプ電極（４）…とインナーリード（３
ａ）とを熱圧着ボンディングすることによりペレット
（１）を透孔（７）内に支持してなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする課題
は、ＴＡＢ式半導体装置において、多ピン化により電極
数及びリード本数が多くなると、バンプ電極（４）…を
ペレット表面外周縁に沿って各辺毎に直線上に配置して
いるため、まず電極サイズ及び電極間ピッチをそれぞれ
小さくし、それに伴ってリード（３）も細く薄く、且
つ、リード間ピッチも狭くする必要があり、その結果、
リードを長く成形することが困難で、又、ボンディング
不良やリード変形、短絡が生じ易くなって、多ピン化に
限界があり、多ピン化してもリードの機械的強度が弱く
て取り扱いが困難で、組立性も低下する点である。そこ
で、従来、バンプ電極（４）…を千鳥足状に配置したも
のもあるが、リード（３）は依然として細く薄く、且
つ、リード間ピッチも狭くなるため、同様に多ピン化に
限界があり、組立性も低下する。
は、ＴＡＢ式半導体装置において、多ピン化により電極
数及びリード本数が多くなると、バンプ電極（４）…を
ペレット表面外周縁に沿って各辺毎に直線上に配置して
いるため、まず電極サイズ及び電極間ピッチをそれぞれ
小さくし、それに伴ってリード（３）も細く薄く、且
つ、リード間ピッチも狭くする必要があり、その結果、
リードを長く成形することが困難で、又、ボンディング
不良やリード変形、短絡が生じ易くなって、多ピン化に
限界があり、多ピン化してもリードの機械的強度が弱く
て取り扱いが困難で、組立性も低下する点である。そこ
で、従来、バンプ電極（４）…を千鳥足状に配置したも
のもあるが、リード（３）は依然として細く薄く、且
つ、リード間ピッチも狭くなるため、同様に多ピン化に
限界があり、組立性も低下する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上面にほぼ平
坦な電極パッドを多数形成し、電極パッド形成領域より
外方位置に位置確認マークを形成した半導体ペレット
と、一方の面に導電パターンを、他の面の上記電極パッ
ドと対応する位置に導電ランドをそれぞれ形成し、他の
面の導電ランドとその近傍を除く部分をエッチングして
部分的に肉薄に形成し導電パターン及び導電ランドを透
孔を介して電気的接続すると共に、半導体ペレットの位
置確認マークと対応する位置に位置確認孔を設け、半導
体ペレットの電極パッドと導電ランドが電気的に接続さ
れる絶縁シートとを具備したことを特徴とする。
坦な電極パッドを多数形成し、電極パッド形成領域より
外方位置に位置確認マークを形成した半導体ペレット
と、一方の面に導電パターンを、他の面の上記電極パッ
ドと対応する位置に導電ランドをそれぞれ形成し、他の
面の導電ランドとその近傍を除く部分をエッチングして
部分的に肉薄に形成し導電パターン及び導電ランドを透
孔を介して電気的接続すると共に、半導体ペレットの位
置確認マークと対応する位置に位置確認孔を設け、半導
体ペレットの電極パッドと導電ランドが電気的に接続さ
れる絶縁シートとを具備したことを特徴とする。
【０００６】
【作用】上記技術的手段によれば、絶縁シートの一方の
面に形成した導電パターンと他方の面に形成した導電ラ
ンドとを透孔を介して電気的接続し、上記導電ランドに
ペレット電極パッドを重ねて電気的接続すると、電極配
置パターン任意に形成出来、且つ、リード本数が多い半
導体装置を得る。
面に形成した導電パターンと他方の面に形成した導電ラ
ンドとを透孔を介して電気的接続し、上記導電ランドに
ペレット電極パッドを重ねて電気的接続すると、電極配
置パターン任意に形成出来、且つ、リード本数が多い半
導体装置を得る。
【０００７】
【実施例】本発明に係る半導体装置の実施例を図１乃至
図３を参照して以下に説明する。まず図１（ａ）（ｂ）
において、（１１）は絶縁シート、（１２）はペレッ
ト。（１３）は貫通孔である。上記絶縁シート（１１）
は各所定位置に位置確認孔（１３）と送り穴（１４）・
・・を適正な配線パターンで引き回してなる導電パター
ン（１６）を形成すると共に、裏面に導電ランド（１
７）を形成し、内周面に導電層（１８ａ）を形成した表
裏貫通の透孔（１８）・・・を介して導電パターン（１
６）と導電ランド（１７）とを電気的接続してなる。そ
して図１（ｂ）に示すように、裏面をエッチングにより
導電ランド（１７）とその近傍を除いて厚さ（ｄ）だけ
部分的肉薄に形成して導電ランド（１７）を局所的に突
出させる。ここで、上記透孔（１８）・・・はその内周
面に金属メッキ等にて導電層（１８ａ）を被着形成する
と共に、絶縁シート（１１）に後述するペレット（１
２）の電極パッド形成パターンと同じパターンで配置す
る。ペレット（１２）は、上面に任意パターンで配置・
形成したフラットな電極パッド（１９）・・・と十字状
位置マーク（Ｍ）［図１（ａ）参照］を有し、電極パッ
ド（１９）を絶縁シート（１１）の裏面側から各導電ラ
ンド（１７）・・・に熱圧着等にて電気的接続する。位
置マーク（Ｍ）は図示例では半導体ペレット（１２）の
四隅の電極パッド形成領域の外方に形成され、絶縁シー
ト（１１）の貫通孔（１３）のうち、位置確認孔は位置
マーク（Ｍ）に対応して配置される。
図３を参照して以下に説明する。まず図１（ａ）（ｂ）
において、（１１）は絶縁シート、（１２）はペレッ
ト。（１３）は貫通孔である。上記絶縁シート（１１）
は各所定位置に位置確認孔（１３）と送り穴（１４）・
・・を適正な配線パターンで引き回してなる導電パター
ン（１６）を形成すると共に、裏面に導電ランド（１
７）を形成し、内周面に導電層（１８ａ）を形成した表
裏貫通の透孔（１８）・・・を介して導電パターン（１
６）と導電ランド（１７）とを電気的接続してなる。そ
して図１（ｂ）に示すように、裏面をエッチングにより
導電ランド（１７）とその近傍を除いて厚さ（ｄ）だけ
部分的肉薄に形成して導電ランド（１７）を局所的に突
出させる。ここで、上記透孔（１８）・・・はその内周
面に金属メッキ等にて導電層（１８ａ）を被着形成する
と共に、絶縁シート（１１）に後述するペレット（１
２）の電極パッド形成パターンと同じパターンで配置す
る。ペレット（１２）は、上面に任意パターンで配置・
形成したフラットな電極パッド（１９）・・・と十字状
位置マーク（Ｍ）［図１（ａ）参照］を有し、電極パッ
ド（１９）を絶縁シート（１１）の裏面側から各導電ラ
ンド（１７）・・・に熱圧着等にて電気的接続する。位
置マーク（Ｍ）は図示例では半導体ペレット（１２）の
四隅の電極パッド形成領域の外方に形成され、絶縁シー
ト（１１）の貫通孔（１３）のうち、位置確認孔は位置
マーク（Ｍ）に対応して配置される。
【０００８】上記構成に基づき本発明の動作を次に説明
する。まずボンディングステージ（図示せず）上にペレ
ット（１２）を位置決め載置して加熱してシート下方に
配する。且つ、シート上方から目視して位置確認孔（１
３）に位置マーク（Ｍ）を合わせ、電極パッド（１９）
…と導電ランド（１７）…との重ね位置を確認する。そ
こで、局所的に突出した導電ランド（１７）…を電極パ
ッド（１９）…に重ねて密着させてシート上方からキャ
ピラリ等にて加圧・熱圧着し、両者を電気的接続する。
そうすると、リード本数及び電極数が多くても、それに
伴って適宜、絶縁シート上における導電パターン（１
６）及びペレット上面における電極パッド（１９）…を
それぞれ任意の配置パターンで設定すれば良く、同時
に、リード間ピッチも拡げることが出来る。
する。まずボンディングステージ（図示せず）上にペレ
ット（１２）を位置決め載置して加熱してシート下方に
配する。且つ、シート上方から目視して位置確認孔（１
３）に位置マーク（Ｍ）を合わせ、電極パッド（１９）
…と導電ランド（１７）…との重ね位置を確認する。そ
こで、局所的に突出した導電ランド（１７）…を電極パ
ッド（１９）…に重ねて密着させてシート上方からキャ
ピラリ等にて加圧・熱圧着し、両者を電気的接続する。
そうすると、リード本数及び電極数が多くても、それに
伴って適宜、絶縁シート上における導電パターン（１
６）及びペレット上面における電極パッド（１９）…を
それぞれ任意の配置パターンで設定すれば良く、同時
に、リード間ピッチも拡げることが出来る。
【０００９】次に、本発明の他の実施例を図２及び図３
（ａ）（ｂ）を参照して示すと、相違する点は、それぞ
れ導電ランド（２０）（２１）の構造で、まず図２に示
す実施例では、絶縁シート（１１）の透孔（２２）の内
周面に金属メッキ等にて導電層（２２ａ）を被着形成す
ると共に、孔内に半田等の金属（２３）を充填して絶縁
シート裏面の導電ランド（２０）側に凸状に突出させ
る。そこで、絶縁シート表面の導電パターン（１６）と
導電ランド（２０）とを透孔（２２）を介して電気的接
続し、ペレット（１２）の電極パッド（１９）と導電ラ
ンド（２０）とを重ねて加圧・熱圧着にて電気的接続す
ると、充填金属（２３）も接続されて圧着面積が大きく
なり、電気的、且つ、機械的接続強度が増大する。又、
圧着面積が増大した分、透孔径を小さく出来るため、電
極配列ピッチを更に小さくして電極数及びリード本数を
増やすことが出来る。
（ａ）（ｂ）を参照して示すと、相違する点は、それぞ
れ導電ランド（２０）（２１）の構造で、まず図２に示
す実施例では、絶縁シート（１１）の透孔（２２）の内
周面に金属メッキ等にて導電層（２２ａ）を被着形成す
ると共に、孔内に半田等の金属（２３）を充填して絶縁
シート裏面の導電ランド（２０）側に凸状に突出させ
る。そこで、絶縁シート表面の導電パターン（１６）と
導電ランド（２０）とを透孔（２２）を介して電気的接
続し、ペレット（１２）の電極パッド（１９）と導電ラ
ンド（２０）とを重ねて加圧・熱圧着にて電気的接続す
ると、充填金属（２３）も接続されて圧着面積が大きく
なり、電気的、且つ、機械的接続強度が増大する。又、
圧着面積が増大した分、透孔径を小さく出来るため、電
極配列ピッチを更に小さくして電極数及びリード本数を
増やすことが出来る。
【００１０】更に、図３（ａ）（ｂ）に示す実施例で
は、絶縁シート（１１）の表裏面に形成した導電ランド
（２１）と導電パターン（１６）とを、内周面に導電層
（２４ａ）を形成した表裏貫通の透孔（２４）を介して
電気的接続すると共に、シート裏面上で導電ランド（２
１）を導電パターン（１６）との電気的接続部から所定
長、延在し、その延在部（２１ａ）上に金属メッキを施
す。そして、図３（ａ）に示すように、上記延在部（２
１ａ）を除いてシート裏面にレジスト膜（２５）を被着
形成し、延在部（２１ａ）にペレット（１２）の電極パ
ッド（１９）を重ねて電気的接続する。そうすると、ペ
レット（１２）の電極パッド（１９）と導電ランド（２
１）との圧着面積が大きくなって電気的、且つ、機械的
接続強度が増大する。又、上記同様、透孔径を小さく出
来るため、電極配列ピッチを更に小さくして電極数及び
リード本数を増やすことが出来る。
は、絶縁シート（１１）の表裏面に形成した導電ランド
（２１）と導電パターン（１６）とを、内周面に導電層
（２４ａ）を形成した表裏貫通の透孔（２４）を介して
電気的接続すると共に、シート裏面上で導電ランド（２
１）を導電パターン（１６）との電気的接続部から所定
長、延在し、その延在部（２１ａ）上に金属メッキを施
す。そして、図３（ａ）に示すように、上記延在部（２
１ａ）を除いてシート裏面にレジスト膜（２５）を被着
形成し、延在部（２１ａ）にペレット（１２）の電極パ
ッド（１９）を重ねて電気的接続する。そうすると、ペ
レット（１２）の電極パッド（１９）と導電ランド（２
１）との圧着面積が大きくなって電気的、且つ、機械的
接続強度が増大する。又、上記同様、透孔径を小さく出
来るため、電極配列ピッチを更に小さくして電極数及び
リード本数を増やすことが出来る。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、絶縁シートの一方の面
に形成した導電パターンと他方の面に形成した導電ラン
ドとを透孔を介して電気的接続し、上記導電ランドにペ
レット電極パッドを重ねて電気的接続したから、電極配
置パターンを任意に設定出来、それに応じてリード本数
を多く、又、そのピッチ間隔を拡げることが可能とな
り、ペレット高密度化に対応出来る。
に形成した導電パターンと他方の面に形成した導電ラン
ドとを透孔を介して電気的接続し、上記導電ランドにペ
レット電極パッドを重ねて電気的接続したから、電極配
置パターンを任意に設定出来、それに応じてリード本数
を多く、又、そのピッチ間隔を拡げることが可能とな
り、ペレット高密度化に対応出来る。
【図１】（ａ）は本発明に係る半導体装置の実施例を示
す部分平面図である。（ｂ）は図１（ａ）の要部を示す
導電パターンと導電ランド及びペレット電極パッドとの
電気的接続部を示す側断面図である。
す部分平面図である。（ｂ）は図１（ａ）の要部を示す
導電パターンと導電ランド及びペレット電極パッドとの
電気的接続部を示す側断面図である。
【図２】本発明に係る半導体装置の他の実施例の要部を
示す導電パターンと導電ランド及びペレット電極パッド
との電気的接続部を示す側断面図である。
示す導電パターンと導電ランド及びペレット電極パッド
との電気的接続部を示す側断面図である。
【図３】（ａ）は本発明に係る半導体装置のその他の実
施例の要部を示す導電ランドの部分平面図である。
（ｂ）は図３（ａ）の要部を示す導電パターンと導電ラ
ンド及びペレット電極パッドとの電気的接続部を示す側
断面図である。
施例の要部を示す導電ランドの部分平面図である。
（ｂ）は図３（ａ）の要部を示す導電パターンと導電ラ
ンド及びペレット電極パッドとの電気的接続部を示す側
断面図である。
【図４】ＴＡＢ式半導体装置の一例を示す側断面図であ
る。
る。
【図５】ＴＡＢテープの部分平面図である。
１１ 絶縁シート １２ 半導体ペレット １３ 位置確認孔 １６ 導電パターン １７ 導電ランド １８ 透孔 １９ 電極パッド Ｍ 位置マーク
Claims (3)
- 【請求項１】 上面にフラットな電極パッドを多数形成
し、電極パッド形成領域より外方位置に位置確認マーク
を形成した半導体ペレットと、一方の面に導電パターン
を、他の面の上記電極パッドと対応する位置に導電ラン
ドをそれぞれ形成し、他の面の導電ランドとその近傍を
除く部分をエッチングして部分的に肉薄に形成し導電パ
ターン及び導電ランドを透孔を介して電気的接続すると
共に、半導体ペレットの位置確認マークと対応する位置
に位置確認孔を設け、半導体ペレットの電極パッドと導
電ランドが電気的に接続される絶縁シートとを具備した
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 透孔内に金属を充填して絶縁シート両面
の導電パターンと導電ランドとを電気的接続し、透孔内
に充填した金属を導電ランド側に凸状に突出させたこと
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 絶縁シート面上で導電ランドを導電パタ
ーンとの電気的接続部から所定長、延在し、上記延在部
に半導体ペレットの電極パッドを重ねて電気的接続した
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03639793A JP3269506B2 (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03639793A JP3269506B2 (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252205A JPH06252205A (ja) | 1994-09-09 |
| JP3269506B2 true JP3269506B2 (ja) | 2002-03-25 |
Family
ID=12468724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03639793A Expired - Fee Related JP3269506B2 (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3269506B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1012661A (ja) * | 1996-06-19 | 1998-01-16 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP3801300B2 (ja) * | 1997-03-21 | 2006-07-26 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-02-25 JP JP03639793A patent/JP3269506B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06252205A (ja) | 1994-09-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20011219 |
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