JP3266814B2 - 微小部分析装置 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/252—Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers
- H01J37/256—Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers using scanning beams
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
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- H01J2237/24405—Faraday cages
-
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- H01J2237/25—Tubes for localised analysis using electron or ion beams
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Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線照射に基づ
く特定エネルギーを有する二次電子を検出し、固体試料
表面の微小領域の元素分析を行う微小部分析装置に関す
るものである。
く特定エネルギーを有する二次電子を検出し、固体試料
表面の微小領域の元素分析を行う微小部分析装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図１０に示すように、固体試料２１の表
面に数百ｅＶ〜数十ＫｅＶの一次電子線８を照射する
と、固体試料２１の元素に関連したオージェ電子、特性
Ｘ線等が放出される。これらのうち、オージェ電子をエ
ネルギー分析することにより、固体試料２１の表面元素
組成を測定するＡＥＳ（オージェ電子分光分析）は、高
い空間分解能と表面感度を有した分析手法であり、さま
ざまな分野で活用されている。尚、図１０は固体試料に
一次電子線が入射した時の模式図を示す。
面に数百ｅＶ〜数十ＫｅＶの一次電子線８を照射する
と、固体試料２１の元素に関連したオージェ電子、特性
Ｘ線等が放出される。これらのうち、オージェ電子をエ
ネルギー分析することにより、固体試料２１の表面元素
組成を測定するＡＥＳ（オージェ電子分光分析）は、高
い空間分解能と表面感度を有した分析手法であり、さま
ざまな分野で活用されている。尚、図１０は固体試料に
一次電子線が入射した時の模式図を示す。
【０００３】一次電子線８を微小化し、試料表面上を走
査する機能を追加したものが、ＳＡＭ（走査型オージェ
電子分光分析装置）である。図８は、ＡＥＳ装置の基本
的構造を示しており、一次電子線８を放出するフィラメ
ント１５と引出電極１６から構成される電子銃、一次電
子線８を偏向するための偏向電極１８、一次電子線８を
微小化するためのフォーカスレンズ１７と対物レンズ１
９、及びオージェ電子をエネルギー分析するための検出
器２０、像観察のための二次電子検出器２４等により構
成されている。
査する機能を追加したものが、ＳＡＭ（走査型オージェ
電子分光分析装置）である。図８は、ＡＥＳ装置の基本
的構造を示しており、一次電子線８を放出するフィラメ
ント１５と引出電極１６から構成される電子銃、一次電
子線８を偏向するための偏向電極１８、一次電子線８を
微小化するためのフォーカスレンズ１７と対物レンズ１
９、及びオージェ電子をエネルギー分析するための検出
器２０、像観察のための二次電子検出器２４等により構
成されている。
【０００４】従来、微小部分の分析は一次電子線のビー
ム径を微小化することで行われてきた。また、上記装置
に用いられる試料台及び試料は、図９に示すような単純
な金属製の試料台２２と固体試料２１が一般的である。
ム径を微小化することで行われてきた。また、上記装置
に用いられる試料台及び試料は、図９に示すような単純
な金属製の試料台２２と固体試料２１が一般的である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図９に示すように、従
来、金属製の試料台２２に固体試料２１をネジ５を用い
て固定する方法が一般的に用いられてきた。この場合、
図１０に示すように、数百ｅＶ〜数十ＫｅＶに加速され
た一次電子線８が固体試料２１に照射されると、電子線
照射に基づく固体内での一次電子の散乱、二次電子、Ｘ
線が発生する。一次電子線８の照射領域以外でも固体試
料２１内で発生した散乱電子、二次電子、Ｘ線によって
オージェ電子が励起される。この過程により発生したオ
ージェ電子の内、オージェ電子の脱出深さより浅い領域
（試料表面から数ｎｍ程度、オージェ電子の発生領域
９）で発生したオージェ電子だけが信号として検出され
る。
来、金属製の試料台２２に固体試料２１をネジ５を用い
て固定する方法が一般的に用いられてきた。この場合、
図１０に示すように、数百ｅＶ〜数十ＫｅＶに加速され
た一次電子線８が固体試料２１に照射されると、電子線
照射に基づく固体内での一次電子の散乱、二次電子、Ｘ
線が発生する。一次電子線８の照射領域以外でも固体試
料２１内で発生した散乱電子、二次電子、Ｘ線によって
オージェ電子が励起される。この過程により発生したオ
ージェ電子の内、オージェ電子の脱出深さより浅い領域
（試料表面から数ｎｍ程度、オージェ電子の発生領域
９）で発生したオージェ電子だけが信号として検出され
る。
【０００６】近年、技術の進歩により、一次電子線８の
ビーム径が１００Å程度まで微細化され、一次電子線８
の照射領域が微小化しているが、上記電子線の散乱等の
影響により、オージェ電子の発生領域９は実際の一次電
子線のビーム径よりも数倍広くなってしまう。
ビーム径が１００Å程度まで微細化され、一次電子線８
の照射領域が微小化しているが、上記電子線の散乱等の
影響により、オージェ電子の発生領域９は実際の一次電
子線のビーム径よりも数倍広くなってしまう。
【０００７】更に、図１３に示すように、薄膜化した試
料１を従来の試料台２２に固定した場合でも、図１４に
示すように、試料１を透過した一次電子線１０が試料台
２２の表面で、オージェ電子を励起するする問題や、図
１１に示すような従来の厚い試料を用いた分析方法で
は、一次電子線の散乱領域が、固体試料内に止まってい
たため、試料台からの反射は全く問題とならなかった、
試料台２２の表面で反射された一次電子が再度試料１を
透過してしまう問題がある。尚、図１１は、シリコン酸
化膜１１／アルミニウム膜１２／チタンタングステン膜
１３／シリコン酸化膜１１構造のＬＳＩの試料の断面を
示す。
料１を従来の試料台２２に固定した場合でも、図１４に
示すように、試料１を透過した一次電子線１０が試料台
２２の表面で、オージェ電子を励起するする問題や、図
１１に示すような従来の厚い試料を用いた分析方法で
は、一次電子線の散乱領域が、固体試料内に止まってい
たため、試料台からの反射は全く問題とならなかった、
試料台２２の表面で反射された一次電子が再度試料１を
透過してしまう問題がある。尚、図１１は、シリコン酸
化膜１１／アルミニウム膜１２／チタンタングステン膜
１３／シリコン酸化膜１１構造のＬＳＩの試料の断面を
示す。
【０００８】図１１に示す試料を用い、従来法でアルミ
ニウム膜部分をＡＥＳ分析した結果を図１２に示す。上
記試料の膜厚はアルミニウム膜１２が約６０００Å、チ
タンタングステン膜１３が約３０００Åである。また、
ＡＥＳ測定は、２０ＫｅＶに加速された１ｎＡの一次電
子線を用いた。このときの一次電子線のビーム径を３０
００Å以下である。
ニウム膜部分をＡＥＳ分析した結果を図１２に示す。上
記試料の膜厚はアルミニウム膜１２が約６０００Å、チ
タンタングステン膜１３が約３０００Åである。また、
ＡＥＳ測定は、２０ＫｅＶに加速された１ｎＡの一次電
子線を用いた。このときの一次電子線のビーム径を３０
００Å以下である。
【０００９】上記試料２１のアルミニウム膜１２に一次
電子線を照射しているにも拘わらず、図１２に示すよう
に、固体試料内での一次電子線８の散乱に関連した分析
領域の広がりにより微量のシリコンが検出される。
電子線を照射しているにも拘わらず、図１２に示すよう
に、固体試料内での一次電子線８の散乱に関連した分析
領域の広がりにより微量のシリコンが検出される。
【００１０】本発明の目的は、一次電子線の散乱や反射
を制御し、オージェ電子の発生領域を微小化し、試料を
透過した一次電子線の散乱・反射の影響を除去する微小
部分分析装置を提供することである。
を制御し、オージェ電子の発生領域を微小化し、試料を
透過した一次電子線の散乱・反射の影響を除去する微小
部分分析装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の微小部分
析装置は、被分析試料を励起するために、該試料に一次
電子線を照射する手段と、該一次電子線を偏向走査する
ための偏向手段と、上記試料から発生した二次電子を分
析するための電子線エネルギー分析手段と、該電子線エ
ネルギー分析手段により分析された電子を検知する検知
手段と、上記試料を透過した一次電子線を捕獲するため
の捕獲する手段と、上記試料を搭載する試料台とを有す
る微小部分析装置において、上記試料台の内部に少なく
とも１個以上の、上記試料を透過した一次電子線を捕獲
するためファラデーカップと、少なくとも１個以上の、
上記試料を透過した上記一次電子線が上記試料台表面か
ら上記ファラデーカップまで通過する穴とを有すること
を特徴とするものである。
析装置は、被分析試料を励起するために、該試料に一次
電子線を照射する手段と、該一次電子線を偏向走査する
ための偏向手段と、上記試料から発生した二次電子を分
析するための電子線エネルギー分析手段と、該電子線エ
ネルギー分析手段により分析された電子を検知する検知
手段と、上記試料を透過した一次電子線を捕獲するため
の捕獲する手段と、上記試料を搭載する試料台とを有す
る微小部分析装置において、上記試料台の内部に少なく
とも１個以上の、上記試料を透過した一次電子線を捕獲
するためファラデーカップと、少なくとも１個以上の、
上記試料を透過した上記一次電子線が上記試料台表面か
ら上記ファラデーカップまで通過する穴とを有すること
を特徴とするものである。
【００１２】また、請求項２記載の微小部分析装置は、
上記ファラデーカップの電位が接地電位であることを特
徴とする請求項１記載の微小部分析装置である。
上記ファラデーカップの電位が接地電位であることを特
徴とする請求項１記載の微小部分析装置である。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、一実施の形態に基づいて、
本発明を詳細に説明する。
本発明を詳細に説明する。
【００１４】図１は本発明において、薄膜試料を分析し
た際の一次電子照射領域の模式図、図２は本発明の実施
の形態に用いた薄膜化した試料を示す図、図３は試料１
を内部にファラデーカップ３を有した試料台２に固定し
たときの平面図、図４は図３のＡ−Ａ断面図、図５は本
発明を用いたＡＥＳ装置の基本的構成を示す図、図６は
一次電子線の照射領域付近を拡大した図、図７は本発明
を用いたＡＥＳ分析結果を示す図である。また、図１乃
至図７において、１は薄膜試料、２は内部を中空にした
試料台、３はファラデーカップ、４は絶縁物、５は試料
固定用ネジ、６は試料固定用板、７は穴、８は一次電子
線、９はオージェ電子発生領域、１０は試料を透過した
一次電子線、１１はシリコン酸化膜、１２はアルミニウ
ム膜、１３はチタンタングステン膜、１４は一次電子線
照射領域、１５はフィラメント、１６は引出電極、１７
はフォーカスレンズ、１８は偏向電極、１９は対物レン
ズ２０は検出器、２４は二次電子検出器を示す。
た際の一次電子照射領域の模式図、図２は本発明の実施
の形態に用いた薄膜化した試料を示す図、図３は試料１
を内部にファラデーカップ３を有した試料台２に固定し
たときの平面図、図４は図３のＡ−Ａ断面図、図５は本
発明を用いたＡＥＳ装置の基本的構成を示す図、図６は
一次電子線の照射領域付近を拡大した図、図７は本発明
を用いたＡＥＳ分析結果を示す図である。また、図１乃
至図７において、１は薄膜試料、２は内部を中空にした
試料台、３はファラデーカップ、４は絶縁物、５は試料
固定用ネジ、６は試料固定用板、７は穴、８は一次電子
線、９はオージェ電子発生領域、１０は試料を透過した
一次電子線、１１はシリコン酸化膜、１２はアルミニウ
ム膜、１３はチタンタングステン膜、１４は一次電子線
照射領域、１５はフィラメント、１６は引出電極、１７
はフォーカスレンズ、１８は偏向電極、１９は対物レン
ズ２０は検出器、２４は二次電子検出器を示す。
【００１５】本実施の形態では、一個のファラデーカッ
プ３と、一個のファラデーカップ３から試料台に達する
穴７を有した試料台２を例としているが、試料台２内部
のファラデーカップ３の数や形、穴７の数や形は被測定
試料数等に応じて適宜設定すればよい。ファラデーカッ
プ３から試料台２に達する穴７は、試料１を透過した電
子線が再びファラデーカップ３の外に出てくる確率を小
さくする目的から、一次電子線のビーム径以上で、２０
０μｍ以下が望ましい。
プ３と、一個のファラデーカップ３から試料台に達する
穴７を有した試料台２を例としているが、試料台２内部
のファラデーカップ３の数や形、穴７の数や形は被測定
試料数等に応じて適宜設定すればよい。ファラデーカッ
プ３から試料台２に達する穴７は、試料１を透過した電
子線が再びファラデーカップ３の外に出てくる確率を小
さくする目的から、一次電子線のビーム径以上で、２０
０μｍ以下が望ましい。
【００１６】本発明では、分析点とファラデーカップ３
の穴７とを精度よく一致させるためと、薄膜化された試
料１を透過した一次電子線の経路を短くする目的で、絶
縁物４を介して、試料台２内部にファラデーカップ３を
配置している。試料台の材料は従来用いられている試料
台と同じものが用いられ、絶縁物４としては、セラミッ
ク製の碍子を使用している。
の穴７とを精度よく一致させるためと、薄膜化された試
料１を透過した一次電子線の経路を短くする目的で、絶
縁物４を介して、試料台２内部にファラデーカップ３を
配置している。試料台の材料は従来用いられている試料
台と同じものが用いられ、絶縁物４としては、セラミッ
ク製の碍子を使用している。
【００１７】また、従来、ファラデーカップ３は非常に
小さい穴から入射した電子線が、ファラデーカップ内
で、散乱・反射し、再びファラデーカップ外に出てくる
確率が非常に小さいことから、表面分析の一次電子線の
電流量を測定する目的で、広く用いられてきた。本発明
は、ファラデーカップのこの特徴を利用することで、再
度試料に影響する現象を排除し、且つ、ファラデーカッ
プ上に試料を容易に固定することを可能とした。
小さい穴から入射した電子線が、ファラデーカップ内
で、散乱・反射し、再びファラデーカップ外に出てくる
確率が非常に小さいことから、表面分析の一次電子線の
電流量を測定する目的で、広く用いられてきた。本発明
は、ファラデーカップのこの特徴を利用することで、再
度試料に影響する現象を排除し、且つ、ファラデーカッ
プ上に試料を容易に固定することを可能とした。
【００１８】以下に、測定手順を説明する。
【００１９】図１１に示すような試料を機械研磨とイオ
ンビームスパッタを用いて薄膜化する。分析箇所は、電
子線が十分透過する膜厚まで薄膜化し、図２に示すよう
な試料を形成する。薄い部分の膜厚は約１０００Å以下
が望ましい。
ンビームスパッタを用いて薄膜化する。分析箇所は、電
子線が十分透過する膜厚まで薄膜化し、図２に示すよう
な試料を形成する。薄い部分の膜厚は約１０００Å以下
が望ましい。
【００２０】上記試料１を内部にファラデーカップ３を
有した試料台２に固定する。この時、ファラデーカップ
３から試料台２表面に達する穴７と分析位置とを一致さ
せる。穴７と分析位置との位置合わせは、試料内の分析
位置と薄膜化した試料１を透過して微かに見える穴７を
光学顕微鏡等で観察することが容易に行える。しかる後
に、超高真空に保たれたＡＥＳの測定室に試料台２及び
試料１を導入し、ＡＥＳ分析を行う。試料台２及び試料
１以外は図８と同じである。
有した試料台２に固定する。この時、ファラデーカップ
３から試料台２表面に達する穴７と分析位置とを一致さ
せる。穴７と分析位置との位置合わせは、試料内の分析
位置と薄膜化した試料１を透過して微かに見える穴７を
光学顕微鏡等で観察することが容易に行える。しかる後
に、超高真空に保たれたＡＥＳの測定室に試料台２及び
試料１を導入し、ＡＥＳ分析を行う。試料台２及び試料
１以外は図８と同じである。
【００２１】本実施の形態では、上記手法で薄膜化した
試料１のアルミニウム膜１２についてＡＥＳ測定を行っ
た。ＡＥＳ測定は、２０ＫｅＶに加速された１ｎＡの一
次電子線を用いた。この時の一次電子線のビーム径は３
０００Å以下である。一次電子線のエネルギー及び電流
量は、測定対象により、数百ｅＶから数十ＫｅＶ、数ｎ
Ａから数μＡの範囲で任意で選択されるが、本実施の形
態においては、ビーム径を微小化するために高加速、低
電流に調整されている。
試料１のアルミニウム膜１２についてＡＥＳ測定を行っ
た。ＡＥＳ測定は、２０ＫｅＶに加速された１ｎＡの一
次電子線を用いた。この時の一次電子線のビーム径は３
０００Å以下である。一次電子線のエネルギー及び電流
量は、測定対象により、数百ｅＶから数十ＫｅＶ、数ｎ
Ａから数μＡの範囲で任意で選択されるが、本実施の形
態においては、ビーム径を微小化するために高加速、低
電流に調整されている。
【００２２】本発明を用いてＡＥＳ分析を行うと、図１
に示すように、薄膜化された試料１に照射された一次電
子線８は、薄膜化された試料１表面でオージェ電子を励
起するとともに、一次電子線８のほとんどが薄膜化され
た試料１を透過し、試料直下に配置されたファラデーカ
ップ３に導かれる。ファラデーカップの、非常に小さい
穴から入射した電子線が、ファラデーカップ内で散乱・
反射し再びファラデーカップ外に出てくる確率が非常に
小さい、という特徴により、薄膜化された試料１を透過
した一次電子線を効率よく吸収することができ、更に、
分析中に、ファラデーカップ３の電位を接地電位に保つ
ことで、ファラデーカップ３の電位を安定させ、安定し
たデータを得ることができる。具体的には、図７に示す
ように、図１２の従来法での分析結果と比較すると、一
次電子線の散乱に関係なく、Ａｌのピークのみが検出さ
れている。
に示すように、薄膜化された試料１に照射された一次電
子線８は、薄膜化された試料１表面でオージェ電子を励
起するとともに、一次電子線８のほとんどが薄膜化され
た試料１を透過し、試料直下に配置されたファラデーカ
ップ３に導かれる。ファラデーカップの、非常に小さい
穴から入射した電子線が、ファラデーカップ内で散乱・
反射し再びファラデーカップ外に出てくる確率が非常に
小さい、という特徴により、薄膜化された試料１を透過
した一次電子線を効率よく吸収することができ、更に、
分析中に、ファラデーカップ３の電位を接地電位に保つ
ことで、ファラデーカップ３の電位を安定させ、安定し
たデータを得ることができる。具体的には、図７に示す
ように、図１２の従来法での分析結果と比較すると、一
次電子線の散乱に関係なく、Ａｌのピークのみが検出さ
れている。
【００２３】尚、本発明では、２方向から薄膜化した試
料を用いて説明を行ったが、分析する位置によって、１
方向から薄膜化した試料を用いてもよい。本発明におい
て、試料の薄膜方法は限定されない。
料を用いて説明を行ったが、分析する位置によって、１
方向から薄膜化した試料を用いてもよい。本発明におい
て、試料の薄膜方法は限定されない。
【００２４】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明を
用いることにより、一次電子線の散乱による分析領域の
広がりを抑制した高精度の分析ができるため、微小領域
の高精度な表面分析法として産業に寄与するものであ
る。また、ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）観察に利用される
固体試料内での二次電子の発生領域も微小化できるた
め、ＳＥＭ観察の分解能向上も向上する。
用いることにより、一次電子線の散乱による分析領域の
広がりを抑制した高精度の分析ができるため、微小領域
の高精度な表面分析法として産業に寄与するものであ
る。また、ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）観察に利用される
固体試料内での二次電子の発生領域も微小化できるた
め、ＳＥＭ観察の分解能向上も向上する。
【００２５】また、本発明に用いるファラデーカップを
電位を接地することによって、ファラデーカップの電位
の変動を抑制し、安定したデータを得ることができる。
電位を接地することによって、ファラデーカップの電位
の変動を抑制し、安定したデータを得ることができる。
【図１】本発明において、薄膜試料を分析した際の一次
電子照射領域の模式図である。
電子照射領域の模式図である。
【図２】本発明の実施の形態に用いた薄膜化した試料を
示す図である。
示す図である。
【図３】本発明の試料と試料台との基本的な断面図であ
る。
る。
【図４】本発明の試料台に薄膜試料を固定した時の上面
図である。
図である。
【図５】本発明で用いたオージェ電子分光分析装置の概
略図である。
略図である。
【図６】図２の破線の円で示す部分の拡大図である。
【図７】本発明を用いたＡＥＳ分析結果を示す図であ
る。
る。
【図８】従来法のオージェ電子分光分析装置の概略図で
ある。
ある。
【図９】従来法で用いられている試料と試料台の断面図
である。
である。
【図１０】従来法で固体試料を分析したときの一次電子
線照射領域の模式図である。
線照射領域の模式図である。
【図１１】従来法で用いられてきた固体試料を示す図で
ある。
ある。
【図１２】従来法を用いたＡＥＳ分析結果を示す図であ
る。
る。
【図１３】従来法で用いられる試料台に薄膜試料を固定
する時の断面図である。
する時の断面図である。
【図１４】従来法で用いられる試料台に薄膜試料を固定
したときの一次電子線照射領域の模式図である。
したときの一次電子線照射領域の模式図である。
１ 薄膜試料 ２ 内部を中空にした試料台 ３ ファラデーカップ ４ 絶縁物 ５ 試料固定用ネジ ６ 試料固定用板 ７ 穴 ８ 一次電子線 ９ オージェ電子発生領域 １０ 試料を透過した一次電子線 １１ シリコン酸化膜 １２ アルミニウム膜 １３ チタンタングステン膜 １４ 一次電子線照射領域 １５ フィラメント １６ 引出電極 １７ フォーカスレンズ １８ 偏向電極 １９ 対物レンズ ２０ 検出器 ２４ 二次電子検出器
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 37/244 H01J 37/20 H01J 37/252
Claims (2)
- 【請求項１】 被分析試料を励起するために、該試料に
一次電子線を照射する手段と、 該一次電子線を偏向走査するための偏向手段と、 上記試料から発生した二次電子を分析するための電子線
エネルギー分析手段と、 該電子線エネルギー分析手段により分析された電子を検
知する検知手段と、 上記試料を透過した一次電子線を捕獲するための捕獲す
る手段と、 上記試料を搭載する試料台とを有する微小部分析装置に
おいて、 上記試料台の内部に少なくとも１個以上の、上記試料を
透過した一次電子線を捕獲するためファラデーカップ
と、少なくとも１個以上の、上記試料を透過した上記一
次電子線が上記試料台表面から上記ファラデーカップま
で通過する穴とを有することを特徴とする微小部分析装
置。 - 【請求項２】 上記ファラデーカップの電位が接地電位
であることを特徴とする、請求項１記載の微小部分析装
置。
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| US08/964,854 US6060707A (en) | 1996-11-26 | 1997-11-05 | Apparatus and method for analyzing microscopic area |
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|---|---|---|---|
| JP31406796A JP3266814B2 (ja) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | 微小部分析装置 |
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| JP3266814B2 true JP3266814B2 (ja) | 2002-03-18 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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| JP (1) | JP3266814B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7015596B1 (ja) | 2021-06-18 | 2022-02-03 | エステアール株式会社 | 透明静電吸着パーティション及び透明静電吸着パーティションシステム |
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- 1996-11-26 JP JP31406796A patent/JP3266814B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-10-13 EP EP97308083A patent/EP0844644A3/en not_active Withdrawn
- 1997-11-05 US US08/964,854 patent/US6060707A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH10154480A (ja) | 1998-06-09 |
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