JP3265838B2 - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜トランジスタ、特に
画像表示のための液晶表示装置に使用される液晶ディス
プレイを駆動する薄膜トランジスタの製造方法に関す
る。
画像表示のための液晶表示装置に使用される液晶ディス
プレイを駆動する薄膜トランジスタの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】１９５５年頃よりテレビジョン受像機の
ディスプレイとして実用化が始まったＣＲＴすなわちブ
ラウン管はその用途を拡大し、その後４０年近く民生
用、産業用を問わずテレビ、コンピュータ、計測機器等
の各種表示装置として主役の地位を揺るぎないものとし
てきた。しかし１９８０年代に入って各種電子機器のポ
ータブル化の要望が高まるにしたがって軽薄短小なる言
葉が流行し、ラジオやラジカセ、ヘッドホンステレオな
どを先頭に、特に民生機器を中心に電子機器の小型、薄
型化競争が激しくなった。
ディスプレイとして実用化が始まったＣＲＴすなわちブ
ラウン管はその用途を拡大し、その後４０年近く民生
用、産業用を問わずテレビ、コンピュータ、計測機器等
の各種表示装置として主役の地位を揺るぎないものとし
てきた。しかし１９８０年代に入って各種電子機器のポ
ータブル化の要望が高まるにしたがって軽薄短小なる言
葉が流行し、ラジオやラジカセ、ヘッドホンステレオな
どを先頭に、特に民生機器を中心に電子機器の小型、薄
型化競争が激しくなった。
【０００３】一方ディスプレイの方も軽量、薄型を特徴
とする直流ガス放電を利用するプラズマディスプレイ
（ＰＤＰ）、エレクトロクロミックディスプレイ（ＥＣ
Ｄ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）その他電気泳動を利
用するものなどが実用化のために盛んに研究開発されて
きた。特に液晶ディスプレイは同じ時期に実用化され始
めた卓上電子計算機、すなわち電卓の表示部やデジタル
ウオッチの表示盤として急速にその地歩を固めてきた。
さらに１９９０年に登場したＴＦＴ液晶ディスプレイは
カラーフィルタの高度な製造技術の進展とともに薄型、
軽量、低消費電力だけでなく表示色数、精細度、画面寸
法など表示能力の面からもブラウン管に迫るものとなっ
てきた。
とする直流ガス放電を利用するプラズマディスプレイ
（ＰＤＰ）、エレクトロクロミックディスプレイ（ＥＣ
Ｄ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）その他電気泳動を利
用するものなどが実用化のために盛んに研究開発されて
きた。特に液晶ディスプレイは同じ時期に実用化され始
めた卓上電子計算機、すなわち電卓の表示部やデジタル
ウオッチの表示盤として急速にその地歩を固めてきた。
さらに１９９０年に登場したＴＦＴ液晶ディスプレイは
カラーフィルタの高度な製造技術の進展とともに薄型、
軽量、低消費電力だけでなく表示色数、精細度、画面寸
法など表示能力の面からもブラウン管に迫るものとなっ
てきた。
【０００４】その後、液晶ディスプレイは応用範囲を拡
大し、いまや薄型、軽量ディスプレイの主流として携帯
用小型カラーテレビジョン受像機や、ラップトップコン
ピュータ、ノート型パーソナルコンピュータ、および車
載用ナビゲータシステム等の各種表示装置として使用さ
れ出した。また最近では、家庭用小型ビデオカメラのビ
ューファインダーや投射型ディスプレイ（プロジェク
タ）といった小型で高精細表示への応用へと展開しつつ
ある。
大し、いまや薄型、軽量ディスプレイの主流として携帯
用小型カラーテレビジョン受像機や、ラップトップコン
ピュータ、ノート型パーソナルコンピュータ、および車
載用ナビゲータシステム等の各種表示装置として使用さ
れ出した。また最近では、家庭用小型ビデオカメラのビ
ューファインダーや投射型ディスプレイ（プロジェク
タ）といった小型で高精細表示への応用へと展開しつつ
ある。
【０００５】このような液晶カラーテレビジョン受像機
や液晶ビューファインダーでは、高画質が得られるアモ
ルファスシリコンまたは多結晶シリコン等よりなる薄膜
トランジスタ（以下、ＴＦＴという）を用いたアクティ
ブマトリックス方式の液晶表示装置が使用されており、
これらの画面は数万個から数十万個の画素で構成され、
きわめて高度な製造技術により無欠陥に近い状態で製造
されなければならない。
や液晶ビューファインダーでは、高画質が得られるアモ
ルファスシリコンまたは多結晶シリコン等よりなる薄膜
トランジスタ（以下、ＴＦＴという）を用いたアクティ
ブマトリックス方式の液晶表示装置が使用されており、
これらの画面は数万個から数十万個の画素で構成され、
きわめて高度な製造技術により無欠陥に近い状態で製造
されなければならない。
【０００６】このように無欠陥で形成された数十万の画
素を構成するＴＦＴではリークまたはアルミニウム配線
等の腐食断線の原因となる外部よりのイオン汚染や水分
の浸透による汚染を防止するために表面保護膜を必要と
する。従来この目的のためにＴＦＴの表面に膜厚５００
〜１０００ｎｍのシリコン窒化膜を低温で気相成長する
ことが行われている。一方、このようにして形成された
画素を駆動するためのＴＦＴには表示画質を向上させる
ためにオン電流を大きくし、オフ電流を小さくすること
が要求される。したがって、一般的にはつぎにこのＴＦ
Ｔ基板を水素ガス雰囲気中、３８０℃で３０分間処理す
ることによってＴＦＴの特性を回復させていた。
素を構成するＴＦＴではリークまたはアルミニウム配線
等の腐食断線の原因となる外部よりのイオン汚染や水分
の浸透による汚染を防止するために表面保護膜を必要と
する。従来この目的のためにＴＦＴの表面に膜厚５００
〜１０００ｎｍのシリコン窒化膜を低温で気相成長する
ことが行われている。一方、このようにして形成された
画素を駆動するためのＴＦＴには表示画質を向上させる
ためにオン電流を大きくし、オフ電流を小さくすること
が要求される。したがって、一般的にはつぎにこのＴＦ
Ｔ基板を水素ガス雰囲気中、３８０℃で３０分間処理す
ることによってＴＦＴの特性を回復させていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このシ
リコン窒化膜はＴＦＴ製造法における最後の工程におい
てＴＦＴの特性回復のために実施される水素ガス中熱処
理時の温度でクラックが生じるという問題を有してい
た。特に、ＴＦＴの特性回復のためには高温における水
素ガス中熱処理が有利であり、４００℃以上の温度で行
うのが好ましいが、そうするとこのシリコン窒化膜に与
えるクラック発生などのダメージが大きくなり、表面保
護膜としての役割を果たせなくなるという課題を生じ
た。
リコン窒化膜はＴＦＴ製造法における最後の工程におい
てＴＦＴの特性回復のために実施される水素ガス中熱処
理時の温度でクラックが生じるという問題を有してい
た。特に、ＴＦＴの特性回復のためには高温における水
素ガス中熱処理が有利であり、４００℃以上の温度で行
うのが好ましいが、そうするとこのシリコン窒化膜に与
えるクラック発生などのダメージが大きくなり、表面保
護膜としての役割を果たせなくなるという課題を生じ
た。
【０００８】本発明は上記課題を解決するものであり、
ＴＦＴの特性を従来よりさらに改善するために行われる
水素ガス中熱処理の比較的高温での処理温度においてＴ
ＦＴの表面に形成された保護膜にクラック等の障害を生
じることなく、外部からのさまざまな汚染から防護する
ことができる表面保護膜を備えた薄膜トランジスタの製
造方法を提供することを目的とする。
ＴＦＴの特性を従来よりさらに改善するために行われる
水素ガス中熱処理の比較的高温での処理温度においてＴ
ＦＴの表面に形成された保護膜にクラック等の障害を生
じることなく、外部からのさまざまな汚染から防護する
ことができる表面保護膜を備えた薄膜トランジスタの製
造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、石英基板上に多結晶シリコン膜を形成した
後薄膜トランジスタ形成領域となる多結晶シリコン膜を
選択的に残す工程と、ゲート酸化膜および多結晶シリコ
ン膜からなるゲート電極を形成する工程と、イオン注入
により薄膜トランジスタのドレイン領域およびソース領
域を形成する工程と、全面にシリコン酸化膜などの層間
絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜にドレイン領域お
よびソース領域に達するコンタクト孔を形成する工程
と、全面にアルミニウムを主成分とする導電膜を形成し
た後選択的にエッチングして電極配線を形成する工程
と、電極配線を含む薄膜トランジスタ構成部を保護する
ためのシリコン窒化膜をその内部応力が３．０×１０ 9
〜４．２×１０ 9 ダイン／ｃｍ2の範囲内の圧縮応力を備
えるように形成した後、前記圧縮応力が１.６×１０9〜
２.７×１０9ダイン／ｃｍ2の引っ張り応力となるよう
に４００〜５００℃の範囲内の温度の水素ガス中で熱処
理する工程とからなる。
に本発明は、石英基板上に多結晶シリコン膜を形成した
後薄膜トランジスタ形成領域となる多結晶シリコン膜を
選択的に残す工程と、ゲート酸化膜および多結晶シリコ
ン膜からなるゲート電極を形成する工程と、イオン注入
により薄膜トランジスタのドレイン領域およびソース領
域を形成する工程と、全面にシリコン酸化膜などの層間
絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜にドレイン領域お
よびソース領域に達するコンタクト孔を形成する工程
と、全面にアルミニウムを主成分とする導電膜を形成し
た後選択的にエッチングして電極配線を形成する工程
と、電極配線を含む薄膜トランジスタ構成部を保護する
ためのシリコン窒化膜をその内部応力が３．０×１０ 9
〜４．２×１０ 9 ダイン／ｃｍ2の範囲内の圧縮応力を備
えるように形成した後、前記圧縮応力が１.６×１０9〜
２.７×１０9ダイン／ｃｍ2の引っ張り応力となるよう
に４００〜５００℃の範囲内の温度の水素ガス中で熱処
理する工程とからなる。
【００１０】
【作用】したがって本発明によれば、石英基板上に形成
された多結晶シリコン膜を活性領域とし、電極配線を備
えたＴＦＴの上に内部応力が３.０×１０ 9 〜４．２×１
０ 9 ダイン／ｃｍ2の範囲内の圧縮応力を有するシリコン
窒化膜をプラズマＣＶＤ装置により形成した後、前記圧
縮応力が１.６×１０9〜２.７×１０9ダイン／ｃｍ2の
引っ張り応力となるようにこのＴＦＴを４００〜５００
℃の範囲内の温度で水素ガス中において熱処理すること
によってこのシリコン窒化膜の内部に生じさせていた圧
縮応力を適度な引っ張り応力へ変化させているために従
来のような過大な引っ張り応力が内部に発生せず、した
がってシリコン窒化膜にクラックなどを生じることがな
く表面保護膜としての機能を保持することができる。ま
た、従来よりも高温で熱処理することが可能となるた
め、ＴＦＴの特性回復を従来よりもさらに効果的に実施
することができる。
された多結晶シリコン膜を活性領域とし、電極配線を備
えたＴＦＴの上に内部応力が３.０×１０ 9 〜４．２×１
０ 9 ダイン／ｃｍ2の範囲内の圧縮応力を有するシリコン
窒化膜をプラズマＣＶＤ装置により形成した後、前記圧
縮応力が１.６×１０9〜２.７×１０9ダイン／ｃｍ2の
引っ張り応力となるようにこのＴＦＴを４００〜５００
℃の範囲内の温度で水素ガス中において熱処理すること
によってこのシリコン窒化膜の内部に生じさせていた圧
縮応力を適度な引っ張り応力へ変化させているために従
来のような過大な引っ張り応力が内部に発生せず、した
がってシリコン窒化膜にクラックなどを生じることがな
く表面保護膜としての機能を保持することができる。ま
た、従来よりも高温で熱処理することが可能となるた
め、ＴＦＴの特性回復を従来よりもさらに効果的に実施
することができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の薄膜トランジスタの製造方法
における一実施例について、図面を参照しながら説明す
る。
における一実施例について、図面を参照しながら説明す
る。
【００１２】図１は本一実施例の製造方法を示す工程断
面図である。図１（ａ）に示すように、石英等よりなる
透明絶縁基板１の上に膜厚１００ｎｍ程度の多結晶シリ
コン膜を形成した後、ＴＦＴ形成領域となる多結晶シリ
コン膜２を選択的にドライエッチングすることによって
残す。
面図である。図１（ａ）に示すように、石英等よりなる
透明絶縁基板１の上に膜厚１００ｎｍ程度の多結晶シリ
コン膜を形成した後、ＴＦＴ形成領域となる多結晶シリ
コン膜２を選択的にドライエッチングすることによって
残す。
【００１３】つぎに図１（ｂ）に示すように、ゲート酸
化膜３および多結晶シリコン膜からなるゲート電極４を
形成する。つぎに図１（ｃ）に示すように、イオン注入
によって多結晶シリコン膜２上のドレイン領域５および
ソース領域６を形成する。
化膜３および多結晶シリコン膜からなるゲート電極４を
形成する。つぎに図１（ｃ）に示すように、イオン注入
によって多結晶シリコン膜２上のドレイン領域５および
ソース領域６を形成する。
【００１４】つぎに図１（ｄ）に示すように、全面にシ
リコン酸化膜などの層間絶縁膜７を被覆した後、図１
（ｅ）に示すように、層間絶縁膜７にドレイン領域５お
よびソース領域６に達するコンタクト孔８を設け、つぎ
に全面にアルミニウムを主成分とする導電膜を形成した
後、選択的にエッチングして電極配線９を形成する。
リコン酸化膜などの層間絶縁膜７を被覆した後、図１
（ｅ）に示すように、層間絶縁膜７にドレイン領域５お
よびソース領域６に達するコンタクト孔８を設け、つぎ
に全面にアルミニウムを主成分とする導電膜を形成した
後、選択的にエッチングして電極配線９を形成する。
【００１５】つぎに、このようにして構成されたＴＦＴ
の全面に、図１（ｆ）に示すように、表面保護膜として
シリコン窒化膜１０を形成する。このとき形成されるシ
リコン窒化膜の内部には、圧縮応力として３.０×１０ 9
〜４．２×１０ 9 ダイン／ｃｍ2の範囲内の内部応力が形
成される。なお、シリコン窒化膜１０の下にシリコン酸
化膜を形成しておいてもよい。
の全面に、図１（ｆ）に示すように、表面保護膜として
シリコン窒化膜１０を形成する。このとき形成されるシ
リコン窒化膜の内部には、圧縮応力として３.０×１０ 9
〜４．２×１０ 9 ダイン／ｃｍ2の範囲内の内部応力が形
成される。なお、シリコン窒化膜１０の下にシリコン酸
化膜を形成しておいてもよい。
【００１６】つぎに図１（ｇ）に示すように、このＴＦ
Ｔが形成された石英基板１を４００〜５００℃の範囲内
の温度で水素ガス中において熱処理をすることによって
本実施例におけるＴＦＴが完成する。
Ｔが形成された石英基板１を４００〜５００℃の範囲内
の温度で水素ガス中において熱処理をすることによって
本実施例におけるＴＦＴが完成する。
【００１７】つぎに本実施例におけるシリコン窒化膜の
内部応力について説明する。内部応力の測定は石英基板
１の変形量（反り量）をフラットネステスターで測定
し、次式（１）より算出した。
内部応力について説明する。内部応力の測定は石英基板
１の変形量（反り量）をフラットネステスターで測定
し、次式（１）より算出した。
【００１８】 δf＝４・Ｅ・Ｄ2・δ／３（１−ν）・ｄ・Ｌ2 ………… （１） ここで、式（１）は変形量δと内部応力δfの関係式で
あって、Ｌは変形量δを測定した間隔、ｄはシリコン窒
化膜の厚さ、Ｄは石英基板の厚さ、νはポアソン比、Ｅ
はヤング率である。測定に使用した材料の数値を式
（１）に代入して次の関係式（２）を得た。
あって、Ｌは変形量δを測定した間隔、ｄはシリコン窒
化膜の厚さ、Ｄは石英基板の厚さ、νはポアソン比、Ｅ
はヤング率である。測定に使用した材料の数値を式
（１）に代入して次の関係式（２）を得た。
【００１９】 δf＝３.６９×１０11・δ ………… （２） つぎにシリコン窒化膜１０の形成後、および温度４５０
℃で水素ガス中熱処理を施した後のシリコン窒化膜１０
の内部応力の測定結果を表１に、また参考として従来例
を表２に示す。なお、表１および表２における負号の変
形量は凹変形を示し、負号の内部応力は圧縮応力を意味
する。
℃で水素ガス中熱処理を施した後のシリコン窒化膜１０
の内部応力の測定結果を表１に、また参考として従来例
を表２に示す。なお、表１および表２における負号の変
形量は凹変形を示し、負号の内部応力は圧縮応力を意味
する。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】
【００２２】表１に見られるように、シリコン窒化膜１
０を形成した直後の内部応力は３.０×１０9〜４.２×
１０9ダイン／ｃｍ2の圧縮応力を有しているが、水素ガ
ス中熱処理後ではその応力の極性が反転し、１.６×１
０9〜２.７×１０9ダイン／ｃｍ2の引っ張り応力へ変化
している。
０を形成した直後の内部応力は３.０×１０9〜４.２×
１０9ダイン／ｃｍ2の圧縮応力を有しているが、水素ガ
ス中熱処理後ではその応力の極性が反転し、１.６×１
０9〜２.７×１０9ダイン／ｃｍ2の引っ張り応力へ変化
している。
【００２３】一方、表２に示す従来例では、すでにシリ
コン窒化膜形成後の内部応力として２.７×１０9〜２.
８×１０9ダイン／ｃｍ2の引っ張り応力を生じており、
これが高温の水素ガス中熱処理によってさらにその引っ
張り応力が増大し、水素ガス中熱処理後では９.２×１
０10〜１１.１×１０10ダイン／ｃｍ2に達している。こ
の大きな引っ張り応力が従来のシリコン窒化膜のクラッ
クの原因となっているのである。
コン窒化膜形成後の内部応力として２.７×１０9〜２.
８×１０9ダイン／ｃｍ2の引っ張り応力を生じており、
これが高温の水素ガス中熱処理によってさらにその引っ
張り応力が増大し、水素ガス中熱処理後では９.２×１
０10〜１１.１×１０10ダイン／ｃｍ2に達している。こ
の大きな引っ張り応力が従来のシリコン窒化膜のクラッ
クの原因となっているのである。
【００２４】このように、上記実施例によれば、シリコ
ン窒化膜の形成時の内部応力を３.０×１０ 9 〜４．２×
１０ 9 ダイン／ｃｍ2の範囲の圧縮応力を備えるように制
御することにより、４００〜５００℃の範囲内の温度で
水素ガス中熱処理を行っても、従来のような過大な引っ
張り応力が内部に発生することはなく、したがってクラ
ック発生などの障害からＴＦＴを保護することができ
る。
ン窒化膜の形成時の内部応力を３.０×１０ 9 〜４．２×
１０ 9 ダイン／ｃｍ2の範囲の圧縮応力を備えるように制
御することにより、４００〜５００℃の範囲内の温度で
水素ガス中熱処理を行っても、従来のような過大な引っ
張り応力が内部に発生することはなく、したがってクラ
ック発生などの障害からＴＦＴを保護することができ
る。
【００２５】なお、シリコン窒化膜成形後の圧縮応力が
２.０×１０9ダイン／ｃｍ2未満の場合は水素ガス中に
おける加熱処理後の引っ張り応力が過大となり、シリコ
ン窒化膜のクラック発生の原因となる。また圧縮応力が
５.０×１０9ダイン／ｃｍ2を超える場合、シリコン窒
化膜にクラックが入ることはないが、石英基板等の透明
絶縁基板の反りが過大となり、自動搬送時および露光工
程において問題が発生し、極端な場合は透明絶縁基板が
割れることがある。
２.０×１０9ダイン／ｃｍ2未満の場合は水素ガス中に
おける加熱処理後の引っ張り応力が過大となり、シリコ
ン窒化膜のクラック発生の原因となる。また圧縮応力が
５.０×１０9ダイン／ｃｍ2を超える場合、シリコン窒
化膜にクラックが入ることはないが、石英基板等の透明
絶縁基板の反りが過大となり、自動搬送時および露光工
程において問題が発生し、極端な場合は透明絶縁基板が
割れることがある。
【００２６】また水素ガス中熱処理の際の熱処理温度が
４００℃未満ではＴＦＴの特性回復が不十分であり、５
００℃を超えるとシリコン窒化膜にクラックが入る。
４００℃未満ではＴＦＴの特性回復が不十分であり、５
００℃を超えるとシリコン窒化膜にクラックが入る。
【００２７】なお本実施例ではシリコン窒化膜の例につ
いて説明したが、本発明は特にこの範囲に限定されるも
のではなく、シリコン酸化窒化膜においても同様の効果
が期待できるものである。
いて説明したが、本発明は特にこの範囲に限定されるも
のではなく、シリコン酸化窒化膜においても同様の効果
が期待できるものである。
【００２８】
【発明の効果】本発明は、石英基板上に形成された多結
晶シリコン膜を活性領域とし、電極配線を備えたＴＦＴ
の上に内部応力が３.０×１０ 9 〜４．２×１０ 9 ダイン
／ｃｍ2の範囲内の圧縮応力を有するシリコン窒化膜を
プラズマＣＶＤ装置により形成した後、前記圧縮応力が
１.６×１０9〜２.７×１０9ダイン／ｃｍ2の引っ張り
応力となるようにこのＴＦＴを４００〜５００℃の範囲
内の温度で水素ガス中熱処理しているために、シリコン
窒化膜にクラックなどを生じることがなく表面保護膜と
しての機能を保持することができ、また従来よりも高温
で熱処理することが可能となるためＴＦＴの特性回復の
効果を従来よりもさらに向上させることができる。な
お、内部応力を２．０×１０ 9 〜５．０×１０ 9 ダイン／
ｃｍ 2 の範囲としても同様の効果を得られる。
晶シリコン膜を活性領域とし、電極配線を備えたＴＦＴ
の上に内部応力が３.０×１０ 9 〜４．２×１０ 9 ダイン
／ｃｍ2の範囲内の圧縮応力を有するシリコン窒化膜を
プラズマＣＶＤ装置により形成した後、前記圧縮応力が
１.６×１０9〜２.７×１０9ダイン／ｃｍ2の引っ張り
応力となるようにこのＴＦＴを４００〜５００℃の範囲
内の温度で水素ガス中熱処理しているために、シリコン
窒化膜にクラックなどを生じることがなく表面保護膜と
しての機能を保持することができ、また従来よりも高温
で熱処理することが可能となるためＴＦＴの特性回復の
効果を従来よりもさらに向上させることができる。な
お、内部応力を２．０×１０ 9 〜５．０×１０ 9 ダイン／
ｃｍ 2 の範囲としても同様の効果を得られる。
【図１】（ａ）〜（ｇ）は本発明の一実施例における薄
膜トランジスタの製造方法を示す工程断面図
膜トランジスタの製造方法を示す工程断面図
１ 石英基板（透明絶縁基板） ２ 多結晶シリコン膜 ３ ゲート酸化膜 ４ ゲート電極 ５ ドレイン領域 ６ ソース領域 ７ 層間絶縁膜 ８ コンタクト孔 ９ 電極配線 １０ シリコン窒化膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−132433（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−165（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 29/786 H01L 21/336 H01L 21/318
Claims (1)
- 【請求項１】 石英基板上に多結晶シリコン膜を形成し
た後薄膜トランジスタ形成領域となる多結晶シリコン膜
を選択的に残す工程と、ゲート酸化膜および多結晶シリ
コン膜からなるゲート電極を形成する工程と、イオン注
入によって薄膜トランジスタのドレイン領域およびソー
ス領域を形成する工程と、全面にシリコン酸化膜などの
層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に前記ド
レイン領域およびソース領域に達するコンタクト孔を形
成する工程と、全面にアルミニウムを主成分とする導電
膜を形成した後選択的にエッチングして電極配線を形成
する工程と、前記電極配線を含み薄膜トランジスタ構成
部を保護するためのシリコン窒化膜をその内部応力が
３．０×１０ 9 〜４．２×１０ 9 ダイン／ｃｍ2の範囲内
の圧縮応力を備えるようにプラズマＣＶＤ装置により形
成した後、前記圧縮応力が１.６×１０9〜２.７×１０9
ダイン／ｃｍ2の引っ張り応力となるように４００〜５
００℃の範囲内の温度の水素ガス中で熱処理する工程と
からなる薄膜トランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16938894A JP3265838B2 (ja) | 1994-07-21 | 1994-07-21 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16938894A JP3265838B2 (ja) | 1994-07-21 | 1994-07-21 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0837308A JPH0837308A (ja) | 1996-02-06 |
| JP3265838B2 true JP3265838B2 (ja) | 2002-03-18 |
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ID=15885677
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16938894A Expired - Fee Related JP3265838B2 (ja) | 1994-07-21 | 1994-07-21 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3265838B2 (ja) |
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-
1994
- 1994-07-21 JP JP16938894A patent/JP3265838B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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