JP3264805B2 - 情報記録方式 - Google Patents
情報記録方式Info
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- JP3264805B2 JP3264805B2 JP26665295A JP26665295A JP3264805B2 JP 3264805 B2 JP3264805 B2 JP 3264805B2 JP 26665295 A JP26665295 A JP 26665295A JP 26665295 A JP26665295 A JP 26665295A JP 3264805 B2 JP3264805 B2 JP 3264805B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は結晶相とアモルファ
ス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上
に情報を光源からの光により記録する情報記録方式に関
する。
ス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上
に情報を光源からの光により記録する情報記録方式に関
する。
【０００２】
【従来の技術】マルチメディアの普及に伴い音楽用Ｃ
Ｄ、ＣＤ−ＲＯＭなどの再生専用メディア（記録媒体）
や情報再生装置が実用化されている。最近では、色素メ
ディアを用いた追記型光ディスクや、光磁気（ＭＯ）メ
ディアを用いた書き替え可能なＭＯディスクのほかに相
変化型メディアも注目されている。この相変化型メディ
アは記録材料を結晶相とアモルファス相とに可逆的に相
変化させて情報を記録するものである。また、相変化型
メディアは、ＭＯメディアなどと異なり外部磁界を必要
とせず半導体レーザからなる光源からのレーザ光だけで
情報の記録、再生ができ、かつ、情報の記録と消去がレ
ーザ光により一度に行われるオーバーライト記録が可能
である。
Ｄ、ＣＤ−ＲＯＭなどの再生専用メディア（記録媒体）
や情報再生装置が実用化されている。最近では、色素メ
ディアを用いた追記型光ディスクや、光磁気（ＭＯ）メ
ディアを用いた書き替え可能なＭＯディスクのほかに相
変化型メディアも注目されている。この相変化型メディ
アは記録材料を結晶相とアモルファス相とに可逆的に相
変化させて情報を記録するものである。また、相変化型
メディアは、ＭＯメディアなどと異なり外部磁界を必要
とせず半導体レーザからなる光源からのレーザ光だけで
情報の記録、再生ができ、かつ、情報の記録と消去がレ
ーザ光により一度に行われるオーバーライト記録が可能
である。
【０００３】相変化型メディアに情報を記録するための
一般的な記録波形としては、図１４に示すようにＥＦＭ
（Ｅｉｇｈｔ Ｆｏｕｒｔｅｅｎ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏ
ｎ）変調コードなどに基づいて生成した単パルスの半導
体レーザ発光波形があるが、この記録波形では相変化型
メディアは、蓄積した熱により記録マークが涙状に歪み
を生じたり、冷却速度が不足してアモルファス相の形成
が不十分となり、レーザ光に対して低反射率の記録マー
クが得られないなどの問題がある。
一般的な記録波形としては、図１４に示すようにＥＦＭ
（Ｅｉｇｈｔ Ｆｏｕｒｔｅｅｎ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏ
ｎ）変調コードなどに基づいて生成した単パルスの半導
体レーザ発光波形があるが、この記録波形では相変化型
メディアは、蓄積した熱により記録マークが涙状に歪み
を生じたり、冷却速度が不足してアモルファス相の形成
が不十分となり、レーザ光に対して低反射率の記録マー
クが得られないなどの問題がある。
【０００４】そこで、相変化型メディアに情報を記録す
る従来の情報記録方式は、図１５に示すようにＥＦＭ変
調コードなどに基づいて生成した多段の記録パワーを用
いたマルチパルス波形のレーザ光により相変化型メディ
アにマークを形成することで上記問題を防止している。
このマルチパルス波形のマーク部は、相変化型メディア
の記録膜を融点温度以上に十分に予備加熱するための先
頭加熱パルスＡと、後続する複数個の連続加熱パルスＢ
と、これらの間の冷却パルスＣからなっており、先頭加
熱パルスＡの発光パワーをＰＷＡ、加熱パルスＢの発光
パワーをＰＷＢ、冷却パルスＣの発光パワーをＰＷＣ、
リードパワーをＰＲとすればＰＷＢ≧ＰＷＡ＞ＰＷＣ≒
ＰＲに設定されている。
る従来の情報記録方式は、図１５に示すようにＥＦＭ変
調コードなどに基づいて生成した多段の記録パワーを用
いたマルチパルス波形のレーザ光により相変化型メディ
アにマークを形成することで上記問題を防止している。
このマルチパルス波形のマーク部は、相変化型メディア
の記録膜を融点温度以上に十分に予備加熱するための先
頭加熱パルスＡと、後続する複数個の連続加熱パルスＢ
と、これらの間の冷却パルスＣからなっており、先頭加
熱パルスＡの発光パワーをＰＷＡ、加熱パルスＢの発光
パワーをＰＷＢ、冷却パルスＣの発光パワーをＰＷＣ、
リードパワーをＰＲとすればＰＷＢ≧ＰＷＡ＞ＰＷＣ≒
ＰＲに設定されている。
【０００５】マルチパルス波形のイレース部はイレース
パルスＤからなり、その発光パワーＰＥＤはＰＷＡ＜Ｐ
ＥＤ＜ＰＷＣに設定されている。このように記録波形を
マルチパルス波形とすることで、相変化型メディアは加
熱→冷却の急冷条件によりアモルファス相がマーク部と
して形成され、加熱のみの除冷条件により結晶相がスペ
ース部として形成され、アモルファス相と結晶相とで十
分な反射率差が得られる。
パルスＤからなり、その発光パワーＰＥＤはＰＷＡ＜Ｐ
ＥＤ＜ＰＷＣに設定されている。このように記録波形を
マルチパルス波形とすることで、相変化型メディアは加
熱→冷却の急冷条件によりアモルファス相がマーク部と
して形成され、加熱のみの除冷条件により結晶相がスペ
ース部として形成され、アモルファス相と結晶相とで十
分な反射率差が得られる。
【０００６】また、情報記録方式としてはマークポジシ
ョン（ＰＰＭ）記録方式とマークエッジ（ＰＷＭ：Ｐｕ
ｌｓｅ Ｗｉｄｔｈ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）記録方式
があるが、最近では高密度化に対応できるマークエッジ
記録方式が用いられるようになっている。相変化型メデ
ィアにマークエッジ記録方式で情報を記録する場合、相
変化型メディアは記録マークで十分な加熱と急冷を行っ
てマークの前後のエッジ部を鮮明に形成することが重要
である。したがって、相変化型メディアのチルトや半導
体レーザの発光パワー変動等を考慮して記録パワーを高
めに設定している。また、最近の高密度化に伴い短波長
レーザや高ＮＡ対物レンズによる小スポットを用いてメ
ディアに微小マークを形成するようになってきている。
しかし、レーザ光によるメディア上の記録スポットの径
と最短マーク長が接近してくると、最短マークが長く形
成されるので、イレースパワーを高くすることでマーク
の後エッジを短く形成するような設定としている。
ョン（ＰＰＭ）記録方式とマークエッジ（ＰＷＭ：Ｐｕ
ｌｓｅ Ｗｉｄｔｈ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）記録方式
があるが、最近では高密度化に対応できるマークエッジ
記録方式が用いられるようになっている。相変化型メデ
ィアにマークエッジ記録方式で情報を記録する場合、相
変化型メディアは記録マークで十分な加熱と急冷を行っ
てマークの前後のエッジ部を鮮明に形成することが重要
である。したがって、相変化型メディアのチルトや半導
体レーザの発光パワー変動等を考慮して記録パワーを高
めに設定している。また、最近の高密度化に伴い短波長
レーザや高ＮＡ対物レンズによる小スポットを用いてメ
ディアに微小マークを形成するようになってきている。
しかし、レーザ光によるメディア上の記録スポットの径
と最短マーク長が接近してくると、最短マークが長く形
成されるので、イレースパワーを高くすることでマーク
の後エッジを短く形成するような設定としている。
【０００７】特開昭６３ー２６６６３３号公報には、光
ディスクにデータの記録を行うときに、マークの始端部
と終端部の光照射エネルギーを中間部より大きくし、こ
れを光照射時間や光照射パワーを変化させることで行う
光情報記録方法が記載されている。また、特開平５ー３
２８１１号公報には、相変化型光ディスクにデータの記
録を行うとき、レーザ光のパワーレベルを相変化型光デ
ィスクの記録膜の結晶化パワーから記録膜の溶融する記
録パワーに高めた後に結晶化パワーより低いパワーレベ
ルに瞬時に低減させる情報の光学的記録方法が記載され
ている。
ディスクにデータの記録を行うときに、マークの始端部
と終端部の光照射エネルギーを中間部より大きくし、こ
れを光照射時間や光照射パワーを変化させることで行う
光情報記録方法が記載されている。また、特開平５ー３
２８１１号公報には、相変化型光ディスクにデータの記
録を行うとき、レーザ光のパワーレベルを相変化型光デ
ィスクの記録膜の結晶化パワーから記録膜の溶融する記
録パワーに高めた後に結晶化パワーより低いパワーレベ
ルに瞬時に低減させる情報の光学的記録方法が記載され
ている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記情報記録方式で
は、相変化型メディアのチルトや半導体レーザの発光パ
ワー変動等を考慮して記録パワーを高めに設定している
ので、記録膜の劣化が著しくなり、オーバーライト特性
の低下が顕著になり、マーク長に応じてメディアの蓄熱
状態が異なってマークのエッジシフトが増大し、再生信
号のジッタが悪化するといった問題や、半導体レーザの
寿命低下が起こる。また、イレースパワーを高くするこ
とでマークの後エッジを短く形成するような設定として
いるので、平均記録パワーが増大する。
は、相変化型メディアのチルトや半導体レーザの発光パ
ワー変動等を考慮して記録パワーを高めに設定している
ので、記録膜の劣化が著しくなり、オーバーライト特性
の低下が顕著になり、マーク長に応じてメディアの蓄熱
状態が異なってマークのエッジシフトが増大し、再生信
号のジッタが悪化するといった問題や、半導体レーザの
寿命低下が起こる。また、イレースパワーを高くするこ
とでマークの後エッジを短く形成するような設定として
いるので、平均記録パワーが増大する。
【０００９】本発明は、マークのエッジ部を鮮明に形成
しながら平均記録パワーの低減を図ることにより光源の
高寿命化とオーバライト特性の向上や、マーク長に応じ
た蓄熱によるエッジシフトの防止、ジッタの低減を図る
ことができる情報記録方式を提供することを目的とす
る。
しながら平均記録パワーの低減を図ることにより光源の
高寿命化とオーバライト特性の向上や、マーク長に応じ
た蓄熱によるエッジシフトの防止、ジッタの低減を図る
ことができる情報記録方式を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、結晶相とアモルファス相と
に可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上に情報
を光源からの光により記録する際に、この光源に先頭加
熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個の後部加
熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチパルスの光を
発光させて記録マークの形成を行う情報記録方式におい
て、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２分してその後
半部分の先頭加熱パルスの発光パワーとその直後の前記
先頭冷却パルスの発光パワーとの差を、その他の加熱パ
ルスとその直後の冷却パルスとの発光パワーの差より大
きくする手段を備えたものである。
め、請求項１記載の発明は、結晶相とアモルファス相と
に可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上に情報
を光源からの光により記録する際に、この光源に先頭加
熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個の後部加
熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチパルスの光を
発光させて記録マークの形成を行う情報記録方式におい
て、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２分してその後
半部分の先頭加熱パルスの発光パワーとその直後の前記
先頭冷却パルスの発光パワーとの差を、その他の加熱パ
ルスとその直後の冷却パルスとの発光パワーの差より大
きくする手段を備えたものである。
【００１１】請求項２記載の発明は、結晶相とアモルフ
ァス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体
上に情報を光源からの光により記録する際に、この光源
に先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個
の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチパル
スの光を発光させて記録マークの形成を行う情報記録方
式において、前記先頭加熱パルスの直後の前記先頭冷却
パルスの発光パワーを、後続するその他の冷却パルスの
発光パワーより低くする手段を備えたものである。
ァス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体
上に情報を光源からの光により記録する際に、この光源
に先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個
の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチパル
スの光を発光させて記録マークの形成を行う情報記録方
式において、前記先頭加熱パルスの直後の前記先頭冷却
パルスの発光パワーを、後続するその他の冷却パルスの
発光パワーより低くする手段を備えたものである。
【００１２】請求項３記載の発明は、結晶相とアモルフ
ァス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体
上に情報を光源からの光により記録する際に、この光源
に先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個
の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチパル
スの光を発光させて記録マークの形成を行う情報記録方
式において、前記後部加熱パルスのうち最後尾の加熱パ
ルスとその直後の最後尾の冷却パルスとの発光パワーの
差を、その他の加熱パルスとその直後の冷却パルスとの
発光パワーの差より大きくする手段を備えたものであ
る。
ァス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体
上に情報を光源からの光により記録する際に、この光源
に先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個
の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチパル
スの光を発光させて記録マークの形成を行う情報記録方
式において、前記後部加熱パルスのうち最後尾の加熱パ
ルスとその直後の最後尾の冷却パルスとの発光パワーの
差を、その他の加熱パルスとその直後の冷却パルスとの
発光パワーの差より大きくする手段を備えたものであ
る。
【００１３】請求項４記載の発明は、請求項３記載の情
報記録方式において、前記手段は、前記後部加熱パルス
のうち最後尾の加熱パルスの直後の最後尾の冷却パルス
の発光パワーを、その他の冷却パルスの発光パワーより
低くするものである。
報記録方式において、前記手段は、前記後部加熱パルス
のうち最後尾の加熱パルスの直後の最後尾の冷却パルス
の発光パワーを、その他の冷却パルスの発光パワーより
低くするものである。
【００１４】請求項５記載の発明は、結晶相とアモルフ
ァス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体
上に情報を光源からの光により記録する際に、この光源
に先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個
の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチパル
スの光を発光させて記録マークの形成を行う情報記録方
式において、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２分し
てその後半部分の先頭加熱パルスの発光パワーとその直
後の前記先頭冷却パルスの発光パワーとの差、及び前記
後部加熱パルスのうち最後尾の加熱パルスとその直後の
最後尾の冷却パルスとの発光パワーの差の両方を、その
他の加熱パルスとその直後の冷却パルスとの発光パワー
の差より大きくする手段を備えたものである。
ァス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体
上に情報を光源からの光により記録する際に、この光源
に先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個
の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチパル
スの光を発光させて記録マークの形成を行う情報記録方
式において、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２分し
てその後半部分の先頭加熱パルスの発光パワーとその直
後の前記先頭冷却パルスの発光パワーとの差、及び前記
後部加熱パルスのうち最後尾の加熱パルスとその直後の
最後尾の冷却パルスとの発光パワーの差の両方を、その
他の加熱パルスとその直後の冷却パルスとの発光パワー
の差より大きくする手段を備えたものである。
【００１５】請求項６記載の発明は、結晶相とアモルフ
ァス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体
上に情報を光源からの光により記録する際に、この光源
に先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個
の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチパル
スの光を発光させて記録マークの形成を行う情報記録方
式において、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２分し
てその後半部分の先頭加熱パルスの発光パワーをその他
の加熱パルスより大きくし、かつ、前記先頭加熱パルス
の直後の前記先頭冷却パルスの発光パワーを、後続する
その他の冷却パルスより低くするとともに、前記後部加
熱パルスのうち最後尾の加熱パルスの発光パワーを前記
後半部分の先頭加熱パルスの発光パワーと略等しくし、
前記後部加熱パルスのうち最後尾の加熱パルスの直後の
最後尾の冷却パルスの発光パワーをその他の冷却パルス
の発光パワーより低くする手段を備えたものである。
ァス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体
上に情報を光源からの光により記録する際に、この光源
に先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個
の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチパル
スの光を発光させて記録マークの形成を行う情報記録方
式において、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２分し
てその後半部分の先頭加熱パルスの発光パワーをその他
の加熱パルスより大きくし、かつ、前記先頭加熱パルス
の直後の前記先頭冷却パルスの発光パワーを、後続する
その他の冷却パルスより低くするとともに、前記後部加
熱パルスのうち最後尾の加熱パルスの発光パワーを前記
後半部分の先頭加熱パルスの発光パワーと略等しくし、
前記後部加熱パルスのうち最後尾の加熱パルスの直後の
最後尾の冷却パルスの発光パワーをその他の冷却パルス
の発光パワーより低くする手段を備えたものである。
【００１６】請求項７記載の発明は、請求項１、２、
３、４、５または６記載の情報記録方式において、複数
のマーク長のうちの最短長ｘＴのマークを記録する場合
に、前記手段は、前記光源に対して、前記先頭加熱パル
スとその直後の最後尾の冷却パルスからなるマルチパル
スを発光させ、かつ、最大長ｙＴのマークまでｎ＝ｙ−
ｘ個の前記後部加熱パルスと前記後部冷却パルスを前記
先頭加熱パルスと前記最後尾の冷却パルスの間で繰り返
して発光させるものである。
３、４、５または６記載の情報記録方式において、複数
のマーク長のうちの最短長ｘＴのマークを記録する場合
に、前記手段は、前記光源に対して、前記先頭加熱パル
スとその直後の最後尾の冷却パルスからなるマルチパル
スを発光させ、かつ、最大長ｙＴのマークまでｎ＝ｙ−
ｘ個の前記後部加熱パルスと前記後部冷却パルスを前記
先頭加熱パルスと前記最後尾の冷却パルスの間で繰り返
して発光させるものである。
【００１７】請求項８記載の発明は、請求項１、２、
３、４、５、６または７記載の情報記録方式において、
前記記録層がＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料からなるも
のである。
３、４、５、６または７記載の情報記録方式において、
前記記録層がＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料からなるも
のである。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１は請求項１、３記載の発明を
応用した情報記録再生装置の一例の一部を示し、図２及
び図３はそのタイミングチャートを示す。この情報記録
再生装置は、ＣＤ−ＲＯＭフォーマットのコードデータ
を相変化型光ディスクの相変化型メディアに記録（オー
バーライト）する情報記録再生装置の例であり、データ
変調方式としてＥＦＭ変調コードを用いてマークエッジ
（ＰＷＭ）記録を行う。
応用した情報記録再生装置の一例の一部を示し、図２及
び図３はそのタイミングチャートを示す。この情報記録
再生装置は、ＣＤ−ＲＯＭフォーマットのコードデータ
を相変化型光ディスクの相変化型メディアに記録（オー
バーライト）する情報記録再生装置の例であり、データ
変調方式としてＥＦＭ変調コードを用いてマークエッジ
（ＰＷＭ）記録を行う。
【００１９】この情報記録再生装置は、記録時には、図
示しない光強度制御手段にてＥＦＭデータに基づいてパ
ルス制御信号を生成し、半導体レーザ駆動回路でそのパ
ルス制御信号に応じた駆動電流により光ヘッドの半導体
レーザＬＤからなる光源を駆動して図２に示すようなマ
ルチパルスの光を発光させ、相変化型光ディスクをスピ
ンドルモータで回転させて光ヘッドにて半導体レーザＬ
Ｄからのマルチパルスの光を光学系を介して相変化型光
ディスクの相変化型メディアに照射することで相変化型
メディアに記録マークを形成して情報の記録を行う。ま
た、この情報記録再生装置は、再生時には、半導体レー
ザ駆動回路で半導体レーザＬＤを駆動して再生パワー
（リードパワー）で発光させ、光ヘッドにて半導体レー
ザＬＤからの再生パワーの光を光学系を介して相変化型
メディアに照射し、その反射光を光学系を介して受光手
段で光電変換して再生信号を得る。
示しない光強度制御手段にてＥＦＭデータに基づいてパ
ルス制御信号を生成し、半導体レーザ駆動回路でそのパ
ルス制御信号に応じた駆動電流により光ヘッドの半導体
レーザＬＤからなる光源を駆動して図２に示すようなマ
ルチパルスの光を発光させ、相変化型光ディスクをスピ
ンドルモータで回転させて光ヘッドにて半導体レーザＬ
Ｄからのマルチパルスの光を光学系を介して相変化型光
ディスクの相変化型メディアに照射することで相変化型
メディアに記録マークを形成して情報の記録を行う。ま
た、この情報記録再生装置は、再生時には、半導体レー
ザ駆動回路で半導体レーザＬＤを駆動して再生パワー
（リードパワー）で発光させ、光ヘッドにて半導体レー
ザＬＤからの再生パワーの光を光学系を介して相変化型
メディアに照射し、その反射光を光学系を介して受光手
段で光電変換して再生信号を得る。
【００２０】相変化型メディアにＰＷＭ記録を行う場
合、再生信号のジッタ特性を良好にするために加熱パル
スの発光パワーを高く設定することが多いが、オーバー
ライト特性を良好にするためには逆に加熱パルスの発光
パワーを低く設定することが多い。したがって、実際に
は、加熱パルスの発光パワーは再生信号のジッタ特性と
オーバーライト特性の両方のバランスをとりながら設定
しており、このため、加熱パルスの発光パワーを再生信
号のジッタ特性とオーバーライト特性とのそれぞれの最
適値に設定してＰＷＭ記録を行うことが困難であった。
合、再生信号のジッタ特性を良好にするために加熱パル
スの発光パワーを高く設定することが多いが、オーバー
ライト特性を良好にするためには逆に加熱パルスの発光
パワーを低く設定することが多い。したがって、実際に
は、加熱パルスの発光パワーは再生信号のジッタ特性と
オーバーライト特性の両方のバランスをとりながら設定
しており、このため、加熱パルスの発光パワーを再生信
号のジッタ特性とオーバーライト特性とのそれぞれの最
適値に設定してＰＷＭ記録を行うことが困難であった。
【００２１】そこで、この情報記録再生装置は、再生信
号のジッタ特性が良好になるようにＰＷＭ記録を行うと
共にオーバーライト特性を向上させるものである。この
情報記録再生装置では、半導体レーザＬＤから出射され
るマルチパルスの光は、図２に示すように先頭加熱パル
スＡｆ、Ａｒと、先頭冷却パルスＣ及び後続する複数個
の後部加熱パルスＢ、Ｂｒと後部冷却パルスＣからなる
マルチパルスの光である。
号のジッタ特性が良好になるようにＰＷＭ記録を行うと
共にオーバーライト特性を向上させるものである。この
情報記録再生装置では、半導体レーザＬＤから出射され
るマルチパルスの光は、図２に示すように先頭加熱パル
スＡｆ、Ａｒと、先頭冷却パルスＣ及び後続する複数個
の後部加熱パルスＢ、Ｂｒと後部冷却パルスＣからなる
マルチパルスの光である。
【００２２】先頭加熱パルスＡｆ、Ａｒは前半部分Ａｆ
と後半部分Ａｒに２分して後半部分Ａｒの発光パワーを
従来より高く設定し、逆に前半部分Ａｆの発光パワーを
従来より低く設定している。また、最後尾の加熱パルス
Ｂｒの発光パワーは先頭加熱パルスの後半部分Ａｒの発
光パワーと同様に高く設定している。半導体レーザＬＤ
から出射される光は、マーク部がこのようなマルチパル
スからなり、イレース部がイレースパルスＤからなる。
と後半部分Ａｒに２分して後半部分Ａｒの発光パワーを
従来より高く設定し、逆に前半部分Ａｆの発光パワーを
従来より低く設定している。また、最後尾の加熱パルス
Ｂｒの発光パワーは先頭加熱パルスの後半部分Ａｒの発
光パワーと同様に高く設定している。半導体レーザＬＤ
から出射される光は、マーク部がこのようなマルチパル
スからなり、イレース部がイレースパルスＤからなる。
【００２３】これらの発光パワーの設定値は先頭加熱パ
ルスの前半部分Ａｆの発光パワー：１１ｍＷ、先頭加熱
パルスの後半部分Ａｒの発光パワー：１３ｍＷ、後部加
熱パルスＢの発光パワー：１１ｍＷ、最後尾の加熱パル
スＢｒの発光パワー：１３ｍＷ、冷却パルスＣの発光パ
ワー：１ｍＷ（≒リードパワー）、イレースパルスＤの
発光パワー（イレースパワー）：７ｍＷとなっている。
ルスの前半部分Ａｆの発光パワー：１１ｍＷ、先頭加熱
パルスの後半部分Ａｒの発光パワー：１３ｍＷ、後部加
熱パルスＢの発光パワー：１１ｍＷ、最後尾の加熱パル
スＢｒの発光パワー：１３ｍＷ、冷却パルスＣの発光パ
ワー：１ｍＷ（≒リードパワー）、イレースパルスＤの
発光パワー（イレースパワー）：７ｍＷとなっている。
【００２４】この情報記録再生装置は、このような記録
波形を用いることにより、相変化型メディアに記録され
るマークの前エッジ及び後エッジに相当するマルチパル
スの加熱パルスＡｒ、Ｂｒ→冷却パルスＣの発光パワー
差は、従来の１１ｍＷから１２ｍＷに増大してより良好
な急冷条件となるので、マークのエッジの形成がより鮮
明になっていると考えられる。このとき、ジッタσ／Ｔ
ｗ（Ｔｗ：ウィンドウ幅）許容値は従来よりも約２％低
減できる。また、ジッタσ／Ｔｗ許容値を満足するオー
バーライト回数は、従来と比べて約１．５倍に向上して
いる。なお、各発光パワーの設定値は、代表的な値を示
しており、実際には記録材料やメディア相構成などによ
って最適化された値を適応するものである。
波形を用いることにより、相変化型メディアに記録され
るマークの前エッジ及び後エッジに相当するマルチパル
スの加熱パルスＡｒ、Ｂｒ→冷却パルスＣの発光パワー
差は、従来の１１ｍＷから１２ｍＷに増大してより良好
な急冷条件となるので、マークのエッジの形成がより鮮
明になっていると考えられる。このとき、ジッタσ／Ｔ
ｗ（Ｔｗ：ウィンドウ幅）許容値は従来よりも約２％低
減できる。また、ジッタσ／Ｔｗ許容値を満足するオー
バーライト回数は、従来と比べて約１．５倍に向上して
いる。なお、各発光パワーの設定値は、代表的な値を示
しており、実際には記録材料やメディア相構成などによ
って最適化された値を適応するものである。
【００２５】上記光ヘッドの半導体レーザＬＤは、半導
体レーザ駆動回路にて、図１に示すように定電流源１１
からＰＷ１（１１ｍＷ）の先頭加熱パルスの前半部分Ａ
ｆの発光パワー、後部加熱パルスＢの発光パワーに相当
する定電流が供給され、定電流源１２からＰＷ２（１３
ｍＷ）の先頭加熱パルスの後半部分Ａｒの発光パワー、
最後尾の加熱パルスＢｒの発光パワーに相当する定電流
が供給され、定電流源１４からＰＷ４（１ｍＷ）の冷却
パルスＣの発光パワーに相当する定電流が供給され、定
電流源１３からＰＷ３（７ｍＷ）のイレースパルスＤの
発光パワーに相当する定電流が供給される。
体レーザ駆動回路にて、図１に示すように定電流源１１
からＰＷ１（１１ｍＷ）の先頭加熱パルスの前半部分Ａ
ｆの発光パワー、後部加熱パルスＢの発光パワーに相当
する定電流が供給され、定電流源１２からＰＷ２（１３
ｍＷ）の先頭加熱パルスの後半部分Ａｒの発光パワー、
最後尾の加熱パルスＢｒの発光パワーに相当する定電流
が供給され、定電流源１４からＰＷ４（１ｍＷ）の冷却
パルスＣの発光パワーに相当する定電流が供給され、定
電流源１３からＰＷ３（７ｍＷ）のイレースパルスＤの
発光パワーに相当する定電流が供給される。
【００２６】図示しない光強度制御手段は、ＥＦＭデー
タに基づいて図３に示すようなＡｆ＋Ｂパルス制御信
号、Ａｒ＋Ｂｒパルス制御信号、Ｃパルス制御信号、Ｄ
パルス制御信号を生成し、スイッチング素子１５〜１８
はそれぞれ光強度制御手段からのＡｆ＋Ｂパルス制御信
号、Ａｒ＋Ｂｒパルス制御信号、Ｄパルス制御信号、Ｃ
パルス制御信号により定電流源１１〜１４をオン／オフ
させることにより、半導体レーザＬＤを図２に示すよう
なマルチパルスで発光させる。
タに基づいて図３に示すようなＡｆ＋Ｂパルス制御信
号、Ａｒ＋Ｂｒパルス制御信号、Ｃパルス制御信号、Ｄ
パルス制御信号を生成し、スイッチング素子１５〜１８
はそれぞれ光強度制御手段からのＡｆ＋Ｂパルス制御信
号、Ａｒ＋Ｂｒパルス制御信号、Ｄパルス制御信号、Ｃ
パルス制御信号により定電流源１１〜１４をオン／オフ
させることにより、半導体レーザＬＤを図２に示すよう
なマルチパルスで発光させる。
【００２７】この情報記録再生装置は、請求項１記載の
発明を応用した情報記録再生装置の例であって、結晶相
とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有す
る記録媒体上に情報を光源ＬＤからの光により記録する
際に、この光源ＬＤに先頭加熱パルスＡｆ、Ａｒと先頭
冷却パルスＣ及び後続する複数個の後部加熱パルスＢと
後部冷却パルスＣからなるマルチパルスの光を発光させ
て記録マークの形成を行う情報記録再生装置において、
先頭加熱パルスＡｆ、Ａｒを前半Ａｆと後半Ａｒに２分
してその後半部分の先頭加熱パルスＡｒの発光パワーと
その直後の先頭冷却パルスＣの発光パワーとの差を、そ
の他の加熱パルスＢとその直後の冷却パルスＣとの発光
パワーの差より大きくする手段としての光強度制御手段
及びスイッチング素子１５〜１８を備えたので、マーク
の前エッジを鮮明に記録することができ、マーク間隔の
ジッタを低減することが可能となる。
発明を応用した情報記録再生装置の例であって、結晶相
とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有す
る記録媒体上に情報を光源ＬＤからの光により記録する
際に、この光源ＬＤに先頭加熱パルスＡｆ、Ａｒと先頭
冷却パルスＣ及び後続する複数個の後部加熱パルスＢと
後部冷却パルスＣからなるマルチパルスの光を発光させ
て記録マークの形成を行う情報記録再生装置において、
先頭加熱パルスＡｆ、Ａｒを前半Ａｆと後半Ａｒに２分
してその後半部分の先頭加熱パルスＡｒの発光パワーと
その直後の先頭冷却パルスＣの発光パワーとの差を、そ
の他の加熱パルスＢとその直後の冷却パルスＣとの発光
パワーの差より大きくする手段としての光強度制御手段
及びスイッチング素子１５〜１８を備えたので、マーク
の前エッジを鮮明に記録することができ、マーク間隔の
ジッタを低減することが可能となる。
【００２８】また、この情報記録再生装置は、請求項３
記載の発明を応用した情報記録再生装置の例であって、
結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層
を有する記録媒体上に情報を光源ＬＤからの光により記
録する際に、この光源ＬＤに先頭加熱パルスＡｆ、Ａｒ
と先頭冷却パルスＣ及び後続する複数個の後部加熱パル
スＢ、Ｂｒと後部冷却パルスＣからなるマルチパルスの
光を発光させて記録マークの形成を行う情報記録再生装
置において、後部加熱パルスＢ、Ｂｒのうち最後尾の加
熱パルスＢｒとその直後の最後尾の冷却パルスＣとの発
光パワーの差を、その他の加熱パルスＢとその直後の冷
却パルスＣとの発光パワーの差より大きくする手段とし
ての光強度制御手段及びスイッチング素子１５〜１８を
備えたので、マークの後エッジを鮮明に記録することが
でき、マーク間隔のジッタを低減することが可能とな
る。
記載の発明を応用した情報記録再生装置の例であって、
結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層
を有する記録媒体上に情報を光源ＬＤからの光により記
録する際に、この光源ＬＤに先頭加熱パルスＡｆ、Ａｒ
と先頭冷却パルスＣ及び後続する複数個の後部加熱パル
スＢ、Ｂｒと後部冷却パルスＣからなるマルチパルスの
光を発光させて記録マークの形成を行う情報記録再生装
置において、後部加熱パルスＢ、Ｂｒのうち最後尾の加
熱パルスＢｒとその直後の最後尾の冷却パルスＣとの発
光パワーの差を、その他の加熱パルスＢとその直後の冷
却パルスＣとの発光パワーの差より大きくする手段とし
ての光強度制御手段及びスイッチング素子１５〜１８を
備えたので、マークの後エッジを鮮明に記録することが
でき、マーク間隔のジッタを低減することが可能とな
る。
【００２９】図４は請求項２、４記載の発明を応用した
情報記録再生装置の例の一部を示し、図５及び図６はそ
のタイミングチャートを示す。この情報記録再生装置
は、ジッタ特性が良好になるように情報を記録すると共
にオーバーライト特性を向上させたものであり、基本的
な情報記録方式及び記録波形が上記請求項１、３記載の
発明を応用した情報記録再生装置の例と同一であって以
下に述べる点が上記請求項１、３記載の発明を応用した
情報記録再生装置の例とは異なる。
情報記録再生装置の例の一部を示し、図５及び図６はそ
のタイミングチャートを示す。この情報記録再生装置
は、ジッタ特性が良好になるように情報を記録すると共
にオーバーライト特性を向上させたものであり、基本的
な情報記録方式及び記録波形が上記請求項１、３記載の
発明を応用した情報記録再生装置の例と同一であって以
下に述べる点が上記請求項１、３記載の発明を応用した
情報記録再生装置の例とは異なる。
【００３０】この情報記録再生装置では、半導体レーザ
ＬＤから出射されるマルチパルスの光は、図５に示すよ
うに先頭加熱パルスＡの直後の先頭冷却パルスＣｆの発
光パワーを他の冷却パルスＣの発光パワーより小さく設
定し、かつ、最後尾の冷却パルスＣｒの発光パワーを先
頭冷却パルスＣｆの発光パワーと同様に小さく設定して
いる。
ＬＤから出射されるマルチパルスの光は、図５に示すよ
うに先頭加熱パルスＡの直後の先頭冷却パルスＣｆの発
光パワーを他の冷却パルスＣの発光パワーより小さく設
定し、かつ、最後尾の冷却パルスＣｒの発光パワーを先
頭冷却パルスＣｆの発光パワーと同様に小さく設定して
いる。
【００３１】これらの発光パワーの設定値は先頭加熱パ
ルスＡの発光パワー及び他の加熱パルスＢの発光パワ
ー：１２ｍＷ（ライトパワー）、先頭冷却パルスＣｆの
発光パワー及び最後尾の冷却パルスＣｒの発光パワー：
０．２ｍＷ、冷却パルスＣの発光パワー：１ｍＷ（≒リ
ードパワー）、イレースパルスＤの発光パワー（イレー
スパワー）：７ｍＷとなっている。
ルスＡの発光パワー及び他の加熱パルスＢの発光パワ
ー：１２ｍＷ（ライトパワー）、先頭冷却パルスＣｆの
発光パワー及び最後尾の冷却パルスＣｒの発光パワー：
０．２ｍＷ、冷却パルスＣの発光パワー：１ｍＷ（≒リ
ードパワー）、イレースパルスＤの発光パワー（イレー
スパワー）：７ｍＷとなっている。
【００３２】この情報記録再生装置は、このような記録
波形を用いることにより、相変化型メディアに記録され
るマークの前エッジ及び後エッジに相当するマルチパル
スの加熱パルスＡ、Ｂ→冷却パルスＣｆ、Ｃｒの発光パ
ワー差は、従来の１１ｍＷから１１．８ｍＷに増大して
より良好な急冷条件となるので、マークのエッジの形成
がより鮮明になっていると考えられる。このとき、ジッ
タσ／Ｔｗ許容値は従来よりも約２％低減できる。ま
た、ジッタσ／Ｔｗ許容値を満足するオーバーライト回
数は、従来と比べて約１．３倍に向上している。なお、
各発光パワーの設定値は、代表的な値を示しており、実
際には記録材料やメディア相構成などによって最適化さ
れた値を適応するものである。
波形を用いることにより、相変化型メディアに記録され
るマークの前エッジ及び後エッジに相当するマルチパル
スの加熱パルスＡ、Ｂ→冷却パルスＣｆ、Ｃｒの発光パ
ワー差は、従来の１１ｍＷから１１．８ｍＷに増大して
より良好な急冷条件となるので、マークのエッジの形成
がより鮮明になっていると考えられる。このとき、ジッ
タσ／Ｔｗ許容値は従来よりも約２％低減できる。ま
た、ジッタσ／Ｔｗ許容値を満足するオーバーライト回
数は、従来と比べて約１．３倍に向上している。なお、
各発光パワーの設定値は、代表的な値を示しており、実
際には記録材料やメディア相構成などによって最適化さ
れた値を適応するものである。
【００３３】上記光ヘッドの半導体レーザＬＤは、半導
体レーザ駆動回路にて、図４に示すように定電流源１９
からＰＷ５（１２ｍＷ）の先頭加熱パルスＡの発光パワ
ー及び後部加熱パルスＢの発光パワーに相当する定電流
が供給され、定電流源２０からＰＷ６（７ｍＷ）のイレ
ースパルスＤの発光パワーに相当する定電流が供給さ
れ、定電流源２１からＰＷ７（１ｍＷ）の冷却パルスＣ
の発光パワーに相当する定電流が供給され、定電流源２
２からＰＷ８（０．２ｍＷ）の先頭冷却パルスＣｆの発
光パワー及び最後尾の冷却パルスＣｒの発光パワーに相
当する定電流が供給される。
体レーザ駆動回路にて、図４に示すように定電流源１９
からＰＷ５（１２ｍＷ）の先頭加熱パルスＡの発光パワ
ー及び後部加熱パルスＢの発光パワーに相当する定電流
が供給され、定電流源２０からＰＷ６（７ｍＷ）のイレ
ースパルスＤの発光パワーに相当する定電流が供給さ
れ、定電流源２１からＰＷ７（１ｍＷ）の冷却パルスＣ
の発光パワーに相当する定電流が供給され、定電流源２
２からＰＷ８（０．２ｍＷ）の先頭冷却パルスＣｆの発
光パワー及び最後尾の冷却パルスＣｒの発光パワーに相
当する定電流が供給される。
【００３４】図示しない光強度制御手段は、ＥＦＭデー
タに基づいて図６に示すようなＡ＋Ｂパルス制御信号、
Ｄパルス制御信号、Ｃパルス制御信号、Ｃｆ＋Ｃｒパル
ス制御信号を生成し、スイッチング素子２３〜２６はそ
れぞれ光強度制御手段からのＡ＋Ｂパルス制御信号、Ｄ
パルス制御信号、Ｃパルス制御信号、Ｃｆ＋Ｃｒパルス
制御信号により定電流源１９〜２２をオン／オフさせる
ことにより、半導体レーザＬＤを図５に示すようなマル
チパルスで発光させる。
タに基づいて図６に示すようなＡ＋Ｂパルス制御信号、
Ｄパルス制御信号、Ｃパルス制御信号、Ｃｆ＋Ｃｒパル
ス制御信号を生成し、スイッチング素子２３〜２６はそ
れぞれ光強度制御手段からのＡ＋Ｂパルス制御信号、Ｄ
パルス制御信号、Ｃパルス制御信号、Ｃｆ＋Ｃｒパルス
制御信号により定電流源１９〜２２をオン／オフさせる
ことにより、半導体レーザＬＤを図５に示すようなマル
チパルスで発光させる。
【００３５】この情報記録再生装置は、請求項２記載の
発明を応用した情報記録再生装置の例であって、結晶相
とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有す
る記録媒体上に情報を光源ＬＤからの光により記録する
際に、この光源ＬＤに先頭加熱パルスＡと先頭冷却パル
Ｃｆス及び後続する複数個の後部加熱パルスＢと後部冷
却パルスＣ、Ｃｆからなるマルチパルスの光を発光させ
て記録マークの形成を行う情報記録再生装置において、
先頭加熱パルスＡの直後の先頭冷却パルスＣｆの発光パ
ワーを、後続するその他の冷却パルスＣの発光パワーよ
り低くする手段としての光強度制御手段及びスイッチン
グ素子２３〜２６を備えたので、マークの前エッジを鮮
明に記録することができ、マーク間隔のジッタを低減す
ることが可能となるとともに、平均記録パワーを低減す
ることができ、オーバーライト特性の向上が可能とな
る。
発明を応用した情報記録再生装置の例であって、結晶相
とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有す
る記録媒体上に情報を光源ＬＤからの光により記録する
際に、この光源ＬＤに先頭加熱パルスＡと先頭冷却パル
Ｃｆス及び後続する複数個の後部加熱パルスＢと後部冷
却パルスＣ、Ｃｆからなるマルチパルスの光を発光させ
て記録マークの形成を行う情報記録再生装置において、
先頭加熱パルスＡの直後の先頭冷却パルスＣｆの発光パ
ワーを、後続するその他の冷却パルスＣの発光パワーよ
り低くする手段としての光強度制御手段及びスイッチン
グ素子２３〜２６を備えたので、マークの前エッジを鮮
明に記録することができ、マーク間隔のジッタを低減す
ることが可能となるとともに、平均記録パワーを低減す
ることができ、オーバーライト特性の向上が可能とな
る。
【００３６】また、この情報記録再生装置は、請求項４
記載の発明を応用した情報記録再生装置の例であって、
請求項３記載の発明を応用した情報記録再生装置におい
て、前記手段としての光強度制御手段及びスイッチング
素子２３〜２６は、後部加熱パルスＢのうち最後尾の加
熱パルスＢの直後の最後尾の冷却パルスＣｆの発光パワ
ーを、その他の冷却パルスＣの発光パワーより低くする
ので、マークの後エッジを鮮明に記録でき、マーク間隔
のジッタを低減することが可能となるとともに、平均記
録パワーを低減することができ、オーバーライト特性の
向上が可能となる。
記載の発明を応用した情報記録再生装置の例であって、
請求項３記載の発明を応用した情報記録再生装置におい
て、前記手段としての光強度制御手段及びスイッチング
素子２３〜２６は、後部加熱パルスＢのうち最後尾の加
熱パルスＢの直後の最後尾の冷却パルスＣｆの発光パワ
ーを、その他の冷却パルスＣの発光パワーより低くする
ので、マークの後エッジを鮮明に記録でき、マーク間隔
のジッタを低減することが可能となるとともに、平均記
録パワーを低減することができ、オーバーライト特性の
向上が可能となる。
【００３７】図７は請求項５、６記載の発明を応用した
情報記録再生装置の例の一部を示し、図８及び図９はそ
のタイミングチャートを示す。この情報記録再生装置
は、ジッタ特性が良好になるように情報を記録すると共
にオーバーライト特性を向上させたものであり、基本的
な情報記録方式及び記録波形が上記請求項１、３記載の
発明を応用した情報記録再生装置の例と同一であって以
下に述べる点が上記請求項１、３記載の発明を応用した
情報記録再生装置の例とは異なる。
情報記録再生装置の例の一部を示し、図８及び図９はそ
のタイミングチャートを示す。この情報記録再生装置
は、ジッタ特性が良好になるように情報を記録すると共
にオーバーライト特性を向上させたものであり、基本的
な情報記録方式及び記録波形が上記請求項１、３記載の
発明を応用した情報記録再生装置の例と同一であって以
下に述べる点が上記請求項１、３記載の発明を応用した
情報記録再生装置の例とは異なる。
【００３８】この情報記録再生装置では、半導体レーザ
ＬＤから出射されるマルチパルスの光は、図８に示すよ
うに先頭加熱パルスＡを前半部分Ａｆと後半部分Ａｒに
２分してその後半部分Ａｒの発光パワーを従来より高く
設定し、逆に前半部分Ａｆの発光パワーを従来より低く
設定している。また、先頭加熱パルスＡの直後の先頭冷
却パルスＣｆの発光パワーは他の冷却パルスＣの発光パ
ワーより小さく設定している。さらに、最後尾の加熱パ
ルスＢｒの発光パワーは従来より高く設定し、最後尾の
冷却パルスＣｒの発光パワーは先頭冷却パルスＣｆの発
光パワーと同様に小さく設定している。
ＬＤから出射されるマルチパルスの光は、図８に示すよ
うに先頭加熱パルスＡを前半部分Ａｆと後半部分Ａｒに
２分してその後半部分Ａｒの発光パワーを従来より高く
設定し、逆に前半部分Ａｆの発光パワーを従来より低く
設定している。また、先頭加熱パルスＡの直後の先頭冷
却パルスＣｆの発光パワーは他の冷却パルスＣの発光パ
ワーより小さく設定している。さらに、最後尾の加熱パ
ルスＢｒの発光パワーは従来より高く設定し、最後尾の
冷却パルスＣｒの発光パワーは先頭冷却パルスＣｆの発
光パワーと同様に小さく設定している。
【００３９】これらの発光パワーの設定値は先頭加熱パ
ルスの前半部分Ａｆの発光パワー：１１ｍＷ、先頭加熱
パルスの後半部分Ａｒの発光パワー及び最後尾の加熱パ
ルスＢｒの発光パワー：１３ｍＷ、加熱パルスＢの発光
パワー：１１ｍＷ、先頭冷却パルスＣｆの発光パワー及
び最後尾の冷却パルスＣｒの発光パワー：０．２ｍＷ、
冷却パルスＣの発光パワー：１ｍＷ（≒リードパワ
ー）、イレースパルスＤの発光パワー（イレースパワ
ー）：７ｍＷとなっている。
ルスの前半部分Ａｆの発光パワー：１１ｍＷ、先頭加熱
パルスの後半部分Ａｒの発光パワー及び最後尾の加熱パ
ルスＢｒの発光パワー：１３ｍＷ、加熱パルスＢの発光
パワー：１１ｍＷ、先頭冷却パルスＣｆの発光パワー及
び最後尾の冷却パルスＣｒの発光パワー：０．２ｍＷ、
冷却パルスＣの発光パワー：１ｍＷ（≒リードパワ
ー）、イレースパルスＤの発光パワー（イレースパワ
ー）：７ｍＷとなっている。
【００４０】この情報記録再生装置は、このような記録
波形を用いることにより、相変化型メディアに記録され
るマークの前エッジ及び後エッジに相当するマルチパル
スの加熱パルスＡｒ、Ｂｒ→冷却パルスＣｆ、Ｃｒの発
光パワー差は、従来の１１ｍＷから１２．８ｍＷに増大
してより良好な急冷条件となるので、マークのエッジの
形成がより鮮明になっていると考えられる。このとき、
ジッタσ／Ｔｗ許容値は従来よりも約４％低減できる。
また、平均記録パワーも従来の約７．５ｍＷから約７．
０ｍＷに低減させることができ、ジッタσ／Ｔｗ許容値
を満足するオーバーライト回数は、従来と比べて約２倍
に向上している。なお、各発光パワーの設定値は、代表
的な値を示しており、実際には記録材料やメディア相構
成などによって最適化された値を適応するものである。
波形を用いることにより、相変化型メディアに記録され
るマークの前エッジ及び後エッジに相当するマルチパル
スの加熱パルスＡｒ、Ｂｒ→冷却パルスＣｆ、Ｃｒの発
光パワー差は、従来の１１ｍＷから１２．８ｍＷに増大
してより良好な急冷条件となるので、マークのエッジの
形成がより鮮明になっていると考えられる。このとき、
ジッタσ／Ｔｗ許容値は従来よりも約４％低減できる。
また、平均記録パワーも従来の約７．５ｍＷから約７．
０ｍＷに低減させることができ、ジッタσ／Ｔｗ許容値
を満足するオーバーライト回数は、従来と比べて約２倍
に向上している。なお、各発光パワーの設定値は、代表
的な値を示しており、実際には記録材料やメディア相構
成などによって最適化された値を適応するものである。
【００４１】上記光ヘッドの半導体レーザＬＤは、半導
体レーザ駆動回路にて、図７に示すように定電流源２７
からＰＷ９（１１ｍＷ）の先頭加熱パルスの前半部分Ａ
ｆの発光パワー及び後部加熱パルスＢの発光パワーに相
当する定電流が供給され、定電流源２８からＰＷ１０
（１３ｍＷ）の先頭加熱パルスの後半部分Ａｒの発光パ
ワー及び最後尾の加熱パルスＢｒの発光パワーに相当す
る定電流が供給され、定電流源２９からＰＷ１１（７ｍ
Ｗ）のイレースパルスＤの発光パワーに相当する定電流
が供給され、定電流源３０からＰＷ１２（１ｍＷ）の冷
却パルスＣの発光パワーに相当する定電流が供給され、
定電流源３１からＰＷ１３（０．２ｍＷ）の先頭冷却パ
ルスＣｆの発光パワー及び最後尾の冷却パルスＣｒの発
光パワーに相当する定電流が供給される。
体レーザ駆動回路にて、図７に示すように定電流源２７
からＰＷ９（１１ｍＷ）の先頭加熱パルスの前半部分Ａ
ｆの発光パワー及び後部加熱パルスＢの発光パワーに相
当する定電流が供給され、定電流源２８からＰＷ１０
（１３ｍＷ）の先頭加熱パルスの後半部分Ａｒの発光パ
ワー及び最後尾の加熱パルスＢｒの発光パワーに相当す
る定電流が供給され、定電流源２９からＰＷ１１（７ｍ
Ｗ）のイレースパルスＤの発光パワーに相当する定電流
が供給され、定電流源３０からＰＷ１２（１ｍＷ）の冷
却パルスＣの発光パワーに相当する定電流が供給され、
定電流源３１からＰＷ１３（０．２ｍＷ）の先頭冷却パ
ルスＣｆの発光パワー及び最後尾の冷却パルスＣｒの発
光パワーに相当する定電流が供給される。
【００４２】図示しない光強度制御手段は、ＥＦＭデー
タに基づいて図９に示すようなＡｆ＋Ｂパルス制御信
号、Ａｒ＋Ｂｒパルス制御信号、Ｄパルス制御信号、Ｃ
パルス制御信号、Ｃｆ＋Ｃｒパルス制御信号を生成し、
スイッチング素子３２〜３６はそれぞれ光強度制御手段
からのＡｒ＋Ｂパルス制御信号、Ａｒ＋Ｂｒパルス制御
信号、Ｄパルス制御信号、Ｃパルス制御信号、Ｃｆ＋Ｃ
ｒパルス制御信号により定電流源２７〜３１をオン／オ
フさせることにより、半導体レーザＬＤを図８に示すよ
うなマルチパルスで発光させる。
タに基づいて図９に示すようなＡｆ＋Ｂパルス制御信
号、Ａｒ＋Ｂｒパルス制御信号、Ｄパルス制御信号、Ｃ
パルス制御信号、Ｃｆ＋Ｃｒパルス制御信号を生成し、
スイッチング素子３２〜３６はそれぞれ光強度制御手段
からのＡｒ＋Ｂパルス制御信号、Ａｒ＋Ｂｒパルス制御
信号、Ｄパルス制御信号、Ｃパルス制御信号、Ｃｆ＋Ｃ
ｒパルス制御信号により定電流源２７〜３１をオン／オ
フさせることにより、半導体レーザＬＤを図８に示すよ
うなマルチパルスで発光させる。
【００４３】この情報記録再生装置は、請求項５記載の
発明を応用した情報記録再生装置の例であって、結晶相
とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有す
る記録媒体上に情報を光源ＬＤからの光により記録する
際に、この光源ＬＤに先頭加熱パルスＡｆ、Ａｒと先頭
冷却パルスＣｆ及び後続する複数個の後部加熱パルス
Ｂ、Ｂｒと後部冷却パルスＣ、Ｃｒからなるマルチパル
スの光を発光させて記録マークの形成を行う情報記録方
式において、先頭加熱パルスＡｆ、Ａｒを前半Ａｆと後
半Ａｒに２分してその後半部分Ａｒの先頭加熱パルスの
発光パワーとその直後の先頭冷却パルスＣｆの発光パワ
ーとの差、及び後部加熱パルスＢ、Ｂｒのうち最後尾の
加熱パルスＢｒとその直後の最後尾の冷却パルスＣｒと
の発光パワーの差の両方を、その他の加熱パルスＢとそ
の直後の冷却パルスＣとの発光パワーの差より大きくす
る手段としての光強度制御手段及びスイッチング素子３
２〜３６を備えたので、マークの前後エッジを鮮明に記
録でき、マーク間隔のジッタを低減することが可能とな
る。
発明を応用した情報記録再生装置の例であって、結晶相
とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有す
る記録媒体上に情報を光源ＬＤからの光により記録する
際に、この光源ＬＤに先頭加熱パルスＡｆ、Ａｒと先頭
冷却パルスＣｆ及び後続する複数個の後部加熱パルス
Ｂ、Ｂｒと後部冷却パルスＣ、Ｃｒからなるマルチパル
スの光を発光させて記録マークの形成を行う情報記録方
式において、先頭加熱パルスＡｆ、Ａｒを前半Ａｆと後
半Ａｒに２分してその後半部分Ａｒの先頭加熱パルスの
発光パワーとその直後の先頭冷却パルスＣｆの発光パワ
ーとの差、及び後部加熱パルスＢ、Ｂｒのうち最後尾の
加熱パルスＢｒとその直後の最後尾の冷却パルスＣｒと
の発光パワーの差の両方を、その他の加熱パルスＢとそ
の直後の冷却パルスＣとの発光パワーの差より大きくす
る手段としての光強度制御手段及びスイッチング素子３
２〜３６を備えたので、マークの前後エッジを鮮明に記
録でき、マーク間隔のジッタを低減することが可能とな
る。
【００４４】また、この情報記録再生装置は、請求項６
記載の発明を応用した情報記録再生装置の例であって、
結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層
を有する記録媒体上に情報を光源ＬＤからの光により記
録する際に、この光源ＬＤに先頭加熱パルスＡｆ、Ａｒ
と先頭冷却パルスＣｆ及び後続する複数個の後部加熱パ
ルスＢ、Ｂｒと後部冷却パルスＣ、Ｃｒからなるマルチ
パルスの光を発光させて記録マークの形成を行う情報記
録方式において、先頭加熱パルスＡｆ、Ａｒを前半Ａｆ
と後半Ａｒに２分してその後半部分Ａｒの先頭加熱パル
スの発光パワーをその他の加熱パルスＢより大きくし、
かつ、先頭加熱パルスＡｆ、Ａｒの直後の先頭冷却パル
スＣｆの発光パワーを、後続するその他の冷却パルスＣ
より低くするとともに、後部加熱パルスＢ、Ｂｒのうち
最後尾の加熱パルスＢｒの発光パワーを後半部分Ａｒの
先頭加熱パルスの発光パワーと略等しくし、後部加熱パ
ルスＢ、Ｂｒのうち最後尾の加熱パルスＢｒの直後の最
後尾の冷却パルスＣｒの発光パワーをその他の冷却パル
スＣの発光パワーより低くする手段としての光強度制御
手段及びスイッチング素子３２〜３６を備えたので、マ
ークの前後エッジを鮮明に記録でき、マーク間隔のジッ
タを低減することが可能となるとともに、平均記録パワ
ーを低減することができ、オーバーライト特性の向上が
可能となる。
記載の発明を応用した情報記録再生装置の例であって、
結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層
を有する記録媒体上に情報を光源ＬＤからの光により記
録する際に、この光源ＬＤに先頭加熱パルスＡｆ、Ａｒ
と先頭冷却パルスＣｆ及び後続する複数個の後部加熱パ
ルスＢ、Ｂｒと後部冷却パルスＣ、Ｃｒからなるマルチ
パルスの光を発光させて記録マークの形成を行う情報記
録方式において、先頭加熱パルスＡｆ、Ａｒを前半Ａｆ
と後半Ａｒに２分してその後半部分Ａｒの先頭加熱パル
スの発光パワーをその他の加熱パルスＢより大きくし、
かつ、先頭加熱パルスＡｆ、Ａｒの直後の先頭冷却パル
スＣｆの発光パワーを、後続するその他の冷却パルスＣ
より低くするとともに、後部加熱パルスＢ、Ｂｒのうち
最後尾の加熱パルスＢｒの発光パワーを後半部分Ａｒの
先頭加熱パルスの発光パワーと略等しくし、後部加熱パ
ルスＢ、Ｂｒのうち最後尾の加熱パルスＢｒの直後の最
後尾の冷却パルスＣｒの発光パワーをその他の冷却パル
スＣの発光パワーより低くする手段としての光強度制御
手段及びスイッチング素子３２〜３６を備えたので、マ
ークの前後エッジを鮮明に記録でき、マーク間隔のジッ
タを低減することが可能となるとともに、平均記録パワ
ーを低減することができ、オーバーライト特性の向上が
可能となる。
【００４５】図１０は請求項６、７記載の発明を応用し
た情報記録再生装置の例の一部を示し、図１１及び図１
２はそのタイミングチャートを示す。この情報記録再生
装置は、基本的な情報記録方式が上記請求項１、３記載
の発明を応用した情報記録再生装置の例と同一であって
以下に述べる点が上記請求項１、３記載の発明を応用し
た情報記録再生装置の例とは異なる。
た情報記録再生装置の例の一部を示し、図１１及び図１
２はそのタイミングチャートを示す。この情報記録再生
装置は、基本的な情報記録方式が上記請求項１、３記載
の発明を応用した情報記録再生装置の例と同一であって
以下に述べる点が上記請求項１、３記載の発明を応用し
た情報記録再生装置の例とは異なる。
【００４６】この情報記録再生装置に用いられるＥＦＭ
変調コードはチャンネルクロック周期を１Ｔとすると、
この情報記録再生装置で３Ｔから１１Ｔまでの長さを有
するマーク／スペースを用いてＰＷＭ記録を行う。この
情報記録再生装置は、高密度記録を行うような半導体レ
ーザＬＤによる記録媒体上の記録スポットの径と最短マ
ーク長が接近した場合に効果的な情報記録方式である。
変調コードはチャンネルクロック周期を１Ｔとすると、
この情報記録再生装置で３Ｔから１１Ｔまでの長さを有
するマーク／スペースを用いてＰＷＭ記録を行う。この
情報記録再生装置は、高密度記録を行うような半導体レ
ーザＬＤによる記録媒体上の記録スポットの径と最短マ
ーク長が接近した場合に効果的な情報記録方式である。
【００４７】従来の情報記録方式は、半導体レーザに図
１５に示すように予備加熱を行うための先頭加熱パルス
Ａとｎ＝ｙ−２個の冷却パルスＣと、加熱パルスＢとを
繰り返して発光させることで急冷条件を維持して最後尾
の冷却パルスでマークの形成が完了するものである。こ
の情報記録方式では、先頭冷却パルスから最後尾の冷却
パルスまでの累積長と記録スポットの径の和が最短マー
ク長を大きく超過するので、イレースパワーＤを必要以
上に大きくすることでマークの後エッジを速やかに結晶
化温度に上昇させ、後エッジを短く形成するようにイレ
ースパワーを設定していた。このため、平均記録パワー
が増大するので、オーバーライト特性の改善が容易では
なかった。
１５に示すように予備加熱を行うための先頭加熱パルス
Ａとｎ＝ｙ−２個の冷却パルスＣと、加熱パルスＢとを
繰り返して発光させることで急冷条件を維持して最後尾
の冷却パルスでマークの形成が完了するものである。こ
の情報記録方式では、先頭冷却パルスから最後尾の冷却
パルスまでの累積長と記録スポットの径の和が最短マー
ク長を大きく超過するので、イレースパワーＤを必要以
上に大きくすることでマークの後エッジを速やかに結晶
化温度に上昇させ、後エッジを短く形成するようにイレ
ースパワーを設定していた。このため、平均記録パワー
が増大するので、オーバーライト特性の改善が容易では
なかった。
【００４８】この情報記録再生装置では、半導体レーザ
ＬＤのマルチパルス発光波形として、最短長マークであ
る３Ｔマークを記録する場合に、図１１に示すように先
頭加熱パルスを前半部分Ａｆと後半部分Ａｒに２分して
その後半部分Ａｒの発光パワーを従来より高く設定し、
逆に前半部分Ａｆの発光パワーを従来より低く設定して
いる。また、後半部分Ａｒの直後には最後尾の冷却パル
スＣｒを配置し、その発光パワーは他のデータ長での先
頭及び最後尾以外の冷却パルスＣより小さく設定してい
る。
ＬＤのマルチパルス発光波形として、最短長マークであ
る３Ｔマークを記録する場合に、図１１に示すように先
頭加熱パルスを前半部分Ａｆと後半部分Ａｒに２分して
その後半部分Ａｒの発光パワーを従来より高く設定し、
逆に前半部分Ａｆの発光パワーを従来より低く設定して
いる。また、後半部分Ａｒの直後には最後尾の冷却パル
スＣｒを配置し、その発光パワーは他のデータ長での先
頭及び最後尾以外の冷却パルスＣより小さく設定してい
る。
【００４９】その他のデータ長ｙＴのマークについて
は、ｎ＝ｙ−３個の後部加熱パルスＢと後部冷却パルス
Ｃを先頭加熱パルスＡｆ、Ａｒと最後尾の冷却パルスＣ
ｒの間に繰り返して配置している。また、ｎ個の後部冷
却パルスのうち先頭冷却パルスＣｆについては、最後尾
の冷却パルスＣｒと同様に発光パワーを小さく設定して
おり、ｎ個の後部加熱パルスのうち最後尾の加熱パルス
Ｂｒについては先頭加熱パルスの後半部分Ａｒと同様に
発光パワーを高く設定している。したがって、例えば５
Ｔマークの記録波形は図１１に示すようになる。
は、ｎ＝ｙ−３個の後部加熱パルスＢと後部冷却パルス
Ｃを先頭加熱パルスＡｆ、Ａｒと最後尾の冷却パルスＣ
ｒの間に繰り返して配置している。また、ｎ個の後部冷
却パルスのうち先頭冷却パルスＣｆについては、最後尾
の冷却パルスＣｒと同様に発光パワーを小さく設定して
おり、ｎ個の後部加熱パルスのうち最後尾の加熱パルス
Ｂｒについては先頭加熱パルスの後半部分Ａｒと同様に
発光パワーを高く設定している。したがって、例えば５
Ｔマークの記録波形は図１１に示すようになる。
【００５０】これらの発光パワーの設定値は先頭加熱パ
ルスの前半部分Ａｆの発光パワー：１１ｍＷ、先頭加熱
パルスの後半部分Ａｒの発光パワー及び最後尾の加熱パ
ルスＢｒの発光パワー：１３ｍＷ、加熱パルスＢの発光
パワー：１１ｍＷ、先頭冷却パルスＣｆの発光パワー及
び最後尾の冷却パルスＣｒの発光パワー：０．２ｍＷ、
冷却パルスＣの発光パワー：１ｍＷ（≒リードパワ
ー）、イレースパルスＤの発光パワー（イレースパワ
ー）：５ｍＷとなっている。
ルスの前半部分Ａｆの発光パワー：１１ｍＷ、先頭加熱
パルスの後半部分Ａｒの発光パワー及び最後尾の加熱パ
ルスＢｒの発光パワー：１３ｍＷ、加熱パルスＢの発光
パワー：１１ｍＷ、先頭冷却パルスＣｆの発光パワー及
び最後尾の冷却パルスＣｒの発光パワー：０．２ｍＷ、
冷却パルスＣの発光パワー：１ｍＷ（≒リードパワ
ー）、イレースパルスＤの発光パワー（イレースパワ
ー）：５ｍＷとなっている。
【００５１】この情報記録再生装置は、このような記録
波形を用いることにより、マークの前エッジ及び後エッ
ジに相当するマルチパルスの加熱パルスＡｒ、Ｂｒ→冷
却パルスＣｆ、Ｃｒの発光パワー差は、従来の１１ｍＷ
から１２．８ｍＷに増大してより良好な急冷条件となる
ので、マークの両エッジの形成がより鮮明になっている
と考えられる。よって、請求項５、６記載の発明を応用
した情報記録再生装置の例と同様に、ジッタσ／Ｔｗを
低減できる。
波形を用いることにより、マークの前エッジ及び後エッ
ジに相当するマルチパルスの加熱パルスＡｒ、Ｂｒ→冷
却パルスＣｆ、Ｃｒの発光パワー差は、従来の１１ｍＷ
から１２．８ｍＷに増大してより良好な急冷条件となる
ので、マークの両エッジの形成がより鮮明になっている
と考えられる。よって、請求項５、６記載の発明を応用
した情報記録再生装置の例と同様に、ジッタσ／Ｔｗを
低減できる。
【００５２】また、先頭冷却パルスＣｆから最後尾の冷
却パルスＣｒまでの累積長を最短マーク長より十分に小
さく設定できるので、その累積長と記録スポット径との
和が適当な長さとなり、イレースパワーを必要パワー以
上であれば上記設定値のように従来より低パワーに設定
することができる。したがって、平均記録パワーも従来
の約７．５ｍＷから約６．０ｍＷに低減させることがで
き、ジッタσ／Ｔｗ許容値を満足するオーバーライト回
数が従来と比べて約２倍に向上するとともに、半導体レ
ーザＬＤの高寿命化が可能となる。なお、各発光パワー
の設定値は、代表的な値を示しており、実際には記録材
料やメディア相構成などによって最適化された値を適応
するものである。
却パルスＣｒまでの累積長を最短マーク長より十分に小
さく設定できるので、その累積長と記録スポット径との
和が適当な長さとなり、イレースパワーを必要パワー以
上であれば上記設定値のように従来より低パワーに設定
することができる。したがって、平均記録パワーも従来
の約７．５ｍＷから約６．０ｍＷに低減させることがで
き、ジッタσ／Ｔｗ許容値を満足するオーバーライト回
数が従来と比べて約２倍に向上するとともに、半導体レ
ーザＬＤの高寿命化が可能となる。なお、各発光パワー
の設定値は、代表的な値を示しており、実際には記録材
料やメディア相構成などによって最適化された値を適応
するものである。
【００５３】上記光ヘッドの半導体レーザＬＤは、半導
体レーザ駆動回路にて、図１０に示すように定電流源３
７からＰＷ１４（１１ｍＷ）の先頭加熱パルスの前半部
分Ａｆの発光パワー及び後部加熱パルスＢの発光パワー
に相当する定電流が供給され、定電流源３８からＰＷ１
５（１３ｍＷ）の先頭加熱パルスの後半部分Ａｒの発光
パワー及び最後尾の加熱パルスＢｒの発光パワーに相当
する定電流が供給され、定電流源３９からＰＷ１６（７
ｍＷ）のイレースパルスＤの発光パワーに相当する定電
流が供給され、定電流源４０からＰＷ１７（１ｍＷ）の
冷却パルスＣの発光パワーに相当する定電流が供給さ
れ、定電流源４１からＰＷ１８（０．２ｍＷ）の先頭冷
却パルスＣｆの発光パワー及び最後尾の冷却パルスＣｒ
の発光パワーに相当する定電流が供給される。
体レーザ駆動回路にて、図１０に示すように定電流源３
７からＰＷ１４（１１ｍＷ）の先頭加熱パルスの前半部
分Ａｆの発光パワー及び後部加熱パルスＢの発光パワー
に相当する定電流が供給され、定電流源３８からＰＷ１
５（１３ｍＷ）の先頭加熱パルスの後半部分Ａｒの発光
パワー及び最後尾の加熱パルスＢｒの発光パワーに相当
する定電流が供給され、定電流源３９からＰＷ１６（７
ｍＷ）のイレースパルスＤの発光パワーに相当する定電
流が供給され、定電流源４０からＰＷ１７（１ｍＷ）の
冷却パルスＣの発光パワーに相当する定電流が供給さ
れ、定電流源４１からＰＷ１８（０．２ｍＷ）の先頭冷
却パルスＣｆの発光パワー及び最後尾の冷却パルスＣｒ
の発光パワーに相当する定電流が供給される。
【００５４】図示しない光強度制御手段は、ＥＦＭデー
タに基づいて図１２に示すようなＡｆ＋Ｂパルス制御信
号、Ａｒ＋Ｂｒパルス制御信号、Ｄパルス制御信号、Ｃ
パルス制御信号、Ｃｆ＋Ｃｒパルス制御信号を生成し、
スイッチング素子４２〜４６はそれぞれ光強度制御手段
からのＡｒ＋Ｂパルス制御信号、Ａｒ＋Ｂｒパルス制御
信号、Ｄパルス制御信号、Ｃパルス制御信号、Ｃｆ＋Ｃ
ｒパルス制御信号により定電流源３７〜４１をオン／オ
フさせることにより、半導体レーザＬＤを図１１に示す
ようなマルチパルスで発光させる。
タに基づいて図１２に示すようなＡｆ＋Ｂパルス制御信
号、Ａｒ＋Ｂｒパルス制御信号、Ｄパルス制御信号、Ｃ
パルス制御信号、Ｃｆ＋Ｃｒパルス制御信号を生成し、
スイッチング素子４２〜４６はそれぞれ光強度制御手段
からのＡｒ＋Ｂパルス制御信号、Ａｒ＋Ｂｒパルス制御
信号、Ｄパルス制御信号、Ｃパルス制御信号、Ｃｆ＋Ｃ
ｒパルス制御信号により定電流源３７〜４１をオン／オ
フさせることにより、半導体レーザＬＤを図１１に示す
ようなマルチパルスで発光させる。
【００５５】この情報記録再生装置は、請求項７記載の
発明を応用した情報記録再生装置の例であって、前記手
段としての光強度制御手段及びスイッチング素子４２〜
４６は、光源ＬＤに対して、複数のマーク長のうちの最
短長ｘＴのマークを記録する場合に先頭加熱パルスＡ
ｆ、Ａｒとその直後の最後尾の冷却パルスＣｒからなる
マルチパルスを発光させ、かつ、最大長ｙＴのマークま
での各マーク長のマークを記録する場合にｎ＝ｙ−ｘ個
の後部加熱パルスＢと後部冷却パルスＣを先頭加熱パル
スＡｆ、Ａｒと最後尾の冷却パルスＣｆの間で繰り返し
て発光させるので、先頭冷却パルスＣｆから最後尾の冷
却パルスＣｒまでの累積長を最短マーク長より十分に小
さく設定できてその累積長と記録スポット径との和を適
当な長さにでき、イレースパワーを低パワーに設定する
ことができる。したがって、平均記録パワーを低減する
ことができ、オーバーライト回数の向上が可能となると
ともに、半導体レーザＬＤの高寿命化が可能となる。な
お、請求項７記載の発明は、上記請求項２、４記載の発
明を応用した情報記録再生装置の例や上記請求項５、６
記載の発明を応用した情報記録再生装置の例にも適用す
ることができる。
発明を応用した情報記録再生装置の例であって、前記手
段としての光強度制御手段及びスイッチング素子４２〜
４６は、光源ＬＤに対して、複数のマーク長のうちの最
短長ｘＴのマークを記録する場合に先頭加熱パルスＡ
ｆ、Ａｒとその直後の最後尾の冷却パルスＣｒからなる
マルチパルスを発光させ、かつ、最大長ｙＴのマークま
での各マーク長のマークを記録する場合にｎ＝ｙ−ｘ個
の後部加熱パルスＢと後部冷却パルスＣを先頭加熱パル
スＡｆ、Ａｒと最後尾の冷却パルスＣｆの間で繰り返し
て発光させるので、先頭冷却パルスＣｆから最後尾の冷
却パルスＣｒまでの累積長を最短マーク長より十分に小
さく設定できてその累積長と記録スポット径との和を適
当な長さにでき、イレースパワーを低パワーに設定する
ことができる。したがって、平均記録パワーを低減する
ことができ、オーバーライト回数の向上が可能となると
ともに、半導体レーザＬＤの高寿命化が可能となる。な
お、請求項７記載の発明は、上記請求項２、４記載の発
明を応用した情報記録再生装置の例や上記請求項５、６
記載の発明を応用した情報記録再生装置の例にも適用す
ることができる。
【００５６】次に、請求項８記載の発明を応用した情報
記録再生装置の各例について説明する。これらの情報記
録再生装置は、上記請求項１、３記載の発明を応用した
情報記録再生装置の例や上記請求項２、４記載の発明を
応用した情報記録再生装置の例、上記請求項５、６記載
の発明を応用した情報記録再生装置の例、上記請求項
６、７記載の発明を応用した情報記録再生装置の例にお
いて、上記記録層をＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の記録材
料により構成したものである。
記録再生装置の各例について説明する。これらの情報記
録再生装置は、上記請求項１、３記載の発明を応用した
情報記録再生装置の例や上記請求項２、４記載の発明を
応用した情報記録再生装置の例、上記請求項５、６記載
の発明を応用した情報記録再生装置の例、上記請求項
６、７記載の発明を応用した情報記録再生装置の例にお
いて、上記記録層をＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の記録材
料により構成したものである。
【００５７】従来から用いられている相変化型メディア
の記録層としては、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−
Ｓｂ−Ｓ系、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ａｕ系、Ｇｅ−Ｔｅ−
Ｓｎ系、Ｓｂ−Ｓｅ系、Ｓｂ−Ｓｅ−Ｔｅ系、Ｓｎ−Ｓ
ｅ−Ｔｅ系、Ｇａ−Ｓｅ−Ｔｅ系、Ｇａ−Ｓｅ−Ｔｅ−
Ｇｅ系、Ｉｎ−Ｓｅ系、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｅ系、Ａｇ−Ｉ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系などがある。
の記録層としては、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−
Ｓｂ−Ｓ系、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ａｕ系、Ｇｅ−Ｔｅ−
Ｓｎ系、Ｓｂ−Ｓｅ系、Ｓｂ−Ｓｅ−Ｔｅ系、Ｓｎ−Ｓ
ｅ−Ｔｅ系、Ｇａ−Ｓｅ−Ｔｅ系、Ｇａ−Ｓｅ−Ｔｅ−
Ｇｅ系、Ｉｎ−Ｓｅ系、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｅ系、Ａｇ−Ｉ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系などがある。
【００５８】上述の請求項８記載の発明を応用した情報
記録再生装置の例においては、記録材料の相変化型メデ
ィアにデータを記録するとき、加熱→冷却による急冷条
件に対してアモルファス相形成の依存性が高いので、マ
ークの前後エッジ部に相当する加熱パルスとその直後の
冷却パルスとの発光パワーの差の大小によりジッタ特性
が大きく左右される。したがって、請求項１〜７記載の
発明を応用した情報記録再生装置では、マークの前後エ
ッジ部が鮮明に記録されるようになるので、上記ジッタ
低減の効果が顕著に現われる。
記録再生装置の例においては、記録材料の相変化型メデ
ィアにデータを記録するとき、加熱→冷却による急冷条
件に対してアモルファス相形成の依存性が高いので、マ
ークの前後エッジ部に相当する加熱パルスとその直後の
冷却パルスとの発光パワーの差の大小によりジッタ特性
が大きく左右される。したがって、請求項１〜７記載の
発明を応用した情報記録再生装置では、マークの前後エ
ッジ部が鮮明に記録されるようになるので、上記ジッタ
低減の効果が顕著に現われる。
【００５９】また、先頭冷却パルスＣｆから最後尾の冷
却パルスＣｒまでの累積長と、記録マークの長さとの関
係は図１３に示すようにほとんど直線に一致するという
傾向があり、上記請求項５、６記載の発明を応用した情
報記録再生装置の例で示したように基準となる記録波形
が異なっても、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の記録材料が
マーク長を制御しやすいということがわかる。なお、上
記記録層に他の記録材料を用いた場合においても、半導
体レーザＬＤの発光パワーとジッタ特性及びオーバーラ
イト特性の関係や、記録パルス幅とマーク長の関係は基
本的に同じであるので、本発明が効果的であることは言
うまでもない。
却パルスＣｒまでの累積長と、記録マークの長さとの関
係は図１３に示すようにほとんど直線に一致するという
傾向があり、上記請求項５、６記載の発明を応用した情
報記録再生装置の例で示したように基準となる記録波形
が異なっても、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の記録材料が
マーク長を制御しやすいということがわかる。なお、上
記記録層に他の記録材料を用いた場合においても、半導
体レーザＬＤの発光パワーとジッタ特性及びオーバーラ
イト特性の関係や、記録パルス幅とマーク長の関係は基
本的に同じであるので、本発明が効果的であることは言
うまでもない。
【００６０】この請求項８記載の発明を応用した情報記
録再生装置の例では、請求項１、２、３、４、５、６ま
たは７記載の情報記録方式において、前記記録層がＡｇ
ＩｎＳｂＴｅ系の記録材料からなるので、マークの前後
エッジ部に相当する加熱パルスとその直後の冷却パルス
との発光パワーの差の大小によりジッタ特性が大きく左
右され、ジッタ低減の効果が顕著に現われる。また、先
頭冷却パルスＣｆから最後尾の冷却パルスＣｒまでの累
積長と、記録マークの長さとの関係がほとんど直線に一
致するという傾向があってマーク長を制御しやすくな
り、請求項７記載の発明のような記録波形によりオーバ
ーライト特性を向上させることができる。
録再生装置の例では、請求項１、２、３、４、５、６ま
たは７記載の情報記録方式において、前記記録層がＡｇ
ＩｎＳｂＴｅ系の記録材料からなるので、マークの前後
エッジ部に相当する加熱パルスとその直後の冷却パルス
との発光パワーの差の大小によりジッタ特性が大きく左
右され、ジッタ低減の効果が顕著に現われる。また、先
頭冷却パルスＣｆから最後尾の冷却パルスＣｒまでの累
積長と、記録マークの長さとの関係がほとんど直線に一
致するという傾向があってマーク長を制御しやすくな
り、請求項７記載の発明のような記録波形によりオーバ
ーライト特性を向上させることができる。
【００６１】
【発明の効果】以上のように請求項１記載の発明によれ
ば、結晶相とアモルファス相と可逆的に相変化する記録
層を有する記録媒体上に情報を光源からの光により記録
する際に、この光源に先頭加熱パルスと先頭冷却パルス
及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部冷却パルス
からなるマルチパルスの光を発光させて記録マークの形
成を行う情報記録方式において、前記先頭加熱パルスを
前半と後半に２分してその後半部分の先頭加熱パルスの
発光パワーとその直後の前記先頭冷却パルスの発光パワ
ーとの差を、その他の加熱パルスとその直後の冷却パル
スとの発光パワーの差より大きくする手段を備えたの
で、マークの前エッジを鮮明に記録することができ、マ
ーク間隔のジッタを低減することが可能となる。
ば、結晶相とアモルファス相と可逆的に相変化する記録
層を有する記録媒体上に情報を光源からの光により記録
する際に、この光源に先頭加熱パルスと先頭冷却パルス
及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部冷却パルス
からなるマルチパルスの光を発光させて記録マークの形
成を行う情報記録方式において、前記先頭加熱パルスを
前半と後半に２分してその後半部分の先頭加熱パルスの
発光パワーとその直後の前記先頭冷却パルスの発光パワ
ーとの差を、その他の加熱パルスとその直後の冷却パル
スとの発光パワーの差より大きくする手段を備えたの
で、マークの前エッジを鮮明に記録することができ、マ
ーク間隔のジッタを低減することが可能となる。
【００６２】請求項２記載の発明によれば、結晶相とア
モルファス相と可逆的に相変化する記録層を有する記録
媒体上に情報を光源からの光により記録する際に、この
光源に先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複
数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチ
パルスの光を発光させて記録マークの形成を行う情報記
録方式において、前記先頭加熱パルスの直後の前記先頭
冷却パルスの発光パワーを、後続するその他の冷却パル
スの発光パワーより低くする手段を備えたので、マーク
の前エッジを鮮明に記録することができ、マーク間隔の
ジッタを低減することが可能となるとともに、平均記録
パワーを低減することができ、オーバーライト特性の向
上が可能となる。
モルファス相と可逆的に相変化する記録層を有する記録
媒体上に情報を光源からの光により記録する際に、この
光源に先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複
数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチ
パルスの光を発光させて記録マークの形成を行う情報記
録方式において、前記先頭加熱パルスの直後の前記先頭
冷却パルスの発光パワーを、後続するその他の冷却パル
スの発光パワーより低くする手段を備えたので、マーク
の前エッジを鮮明に記録することができ、マーク間隔の
ジッタを低減することが可能となるとともに、平均記録
パワーを低減することができ、オーバーライト特性の向
上が可能となる。
【００６３】請求項３記載の発明によれば、結晶相とア
モルファス相と可逆的に相変化する記録層を有する記録
媒体上に情報を光源からの光により記録する際に、この
光源に先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複
数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチ
パルスの光を発光させて記録マークの形成を行う情報記
録方式において、前記後部加熱パルスのうち最後尾の加
熱パルスとその直後の最後尾の冷却パルスとの発光パワ
ーの差を、その他の加熱パルスとその直後の冷却パルス
との発光パワーの差より大きくする手段を備えたので、
マークの後エッジを鮮明に記録することができ、マーク
間隔のジッタを低減することが可能となる。
モルファス相と可逆的に相変化する記録層を有する記録
媒体上に情報を光源からの光により記録する際に、この
光源に先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複
数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチ
パルスの光を発光させて記録マークの形成を行う情報記
録方式において、前記後部加熱パルスのうち最後尾の加
熱パルスとその直後の最後尾の冷却パルスとの発光パワ
ーの差を、その他の加熱パルスとその直後の冷却パルス
との発光パワーの差より大きくする手段を備えたので、
マークの後エッジを鮮明に記録することができ、マーク
間隔のジッタを低減することが可能となる。
【００６４】請求項４記載の発明によれば、請求項３記
載の情報記録方式において、前記手段は、前記後部加熱
パルスのうち最後尾の加熱パルスの直後の最後尾の冷却
パルスの発光パワーを、その他の冷却パルスの発光パワ
ーより低くするので、マークの後エッジを鮮明に記録で
き、マーク間隔のジッタを低減することが可能となると
ともに、平均記録パワーを低減することができ、オーバ
ーライト特性の向上が可能となる。
載の情報記録方式において、前記手段は、前記後部加熱
パルスのうち最後尾の加熱パルスの直後の最後尾の冷却
パルスの発光パワーを、その他の冷却パルスの発光パワ
ーより低くするので、マークの後エッジを鮮明に記録で
き、マーク間隔のジッタを低減することが可能となると
ともに、平均記録パワーを低減することができ、オーバ
ーライト特性の向上が可能となる。
【００６５】請求項５記載の発明によれば、結晶相とア
モルファス相と可逆的に相変化する記録層を有する記録
媒体上に情報を光源からの光により記録する際に、この
光源に先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複
数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチ
パルスの光を発光させて記録マークの形成を行う情報記
録方式において、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２
分してその後半部分の先頭加熱パルスの発光パワーとそ
の直後の前記先頭冷却パルスの発光パワーとの差、及び
前記後部加熱パルスのうち最後尾の加熱パルスとその直
後の最後尾の冷却パルスとの発光パワーの差の両方を、
その他の加熱パルスとその直後の冷却パルスとの発光パ
ワーの差より大きくする手段を備えたので、マークの前
後エッジを鮮明に記録でき、マーク間隔のジッタを低減
することが可能となる。
モルファス相と可逆的に相変化する記録層を有する記録
媒体上に情報を光源からの光により記録する際に、この
光源に先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複
数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチ
パルスの光を発光させて記録マークの形成を行う情報記
録方式において、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２
分してその後半部分の先頭加熱パルスの発光パワーとそ
の直後の前記先頭冷却パルスの発光パワーとの差、及び
前記後部加熱パルスのうち最後尾の加熱パルスとその直
後の最後尾の冷却パルスとの発光パワーの差の両方を、
その他の加熱パルスとその直後の冷却パルスとの発光パ
ワーの差より大きくする手段を備えたので、マークの前
後エッジを鮮明に記録でき、マーク間隔のジッタを低減
することが可能となる。
【００６６】請求項６記載の発明によれば、結晶相とア
モルファス相と可逆的に相変化する記録層を有する記録
媒体上に情報を光源からの光により記録する際に、この
光源に先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複
数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチ
パルスの光を発光させて記録マークの形成を行う情報記
録方式において、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２
分してその後半部分の先頭加熱パルスの発光パワーをそ
の他の加熱パルスより大きくし、かつ、前記先頭加熱パ
ルスの直後の前記先頭冷却パルスの発光パワーを、後続
するその他の冷却パルスより低くするとともに、前記後
部加熱パルスのうち最後尾の加熱パルスの発光パワーを
前記後半部分の先頭加熱パルスの発光パワーと略等しく
し、前記後部加熱パルスのうち最後尾の加熱パルスの直
後の最後尾の冷却パルスの発光パワーをその他の冷却パ
ルスの発光パワーより低くする手段を備えたので、マー
クの前後エッジを鮮明に記録でき、マーク間隔のジッタ
を低減することが可能となるとともに、平均記録パワー
を低減することができ、オーバーライト特性の向上が可
能となる。
モルファス相と可逆的に相変化する記録層を有する記録
媒体上に情報を光源からの光により記録する際に、この
光源に先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複
数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスからなるマルチ
パルスの光を発光させて記録マークの形成を行う情報記
録方式において、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２
分してその後半部分の先頭加熱パルスの発光パワーをそ
の他の加熱パルスより大きくし、かつ、前記先頭加熱パ
ルスの直後の前記先頭冷却パルスの発光パワーを、後続
するその他の冷却パルスより低くするとともに、前記後
部加熱パルスのうち最後尾の加熱パルスの発光パワーを
前記後半部分の先頭加熱パルスの発光パワーと略等しく
し、前記後部加熱パルスのうち最後尾の加熱パルスの直
後の最後尾の冷却パルスの発光パワーをその他の冷却パ
ルスの発光パワーより低くする手段を備えたので、マー
クの前後エッジを鮮明に記録でき、マーク間隔のジッタ
を低減することが可能となるとともに、平均記録パワー
を低減することができ、オーバーライト特性の向上が可
能となる。
【００６７】請求項７記載の発明によれば、請求項１、
２、３、４、５または６記載の情報記録方式において、
前記手段は、前記光源に対して、複数のマーク長のうち
の最短長ｘＴのマークを記録する場合に先頭加熱パルス
とその直後の最後尾の冷却パルスからなるマルチパルス
を発光させ、かつ、最大長ｙＴのマークまでの各マーク
長のマークを記録する場合にｎ＝ｙ−ｘ個の後部加熱パ
ルスと後部冷却パルスを先頭加熱パルスと最後尾の冷却
パルスの間で繰り返して発光させるので、先頭冷却パル
スから最後尾の冷却パルスまでの累積長を最短マーク長
より十分に小さく設定できてその累積長と記録スポット
径との和を適当な長さにでき、イレースパワーを低パワ
ーに設定することができる。したがって、平均記録パワ
ーを低減することができ、オーバーライト回数の向上が
可能となるとともに、光源の高寿命化が可能となる。
２、３、４、５または６記載の情報記録方式において、
前記手段は、前記光源に対して、複数のマーク長のうち
の最短長ｘＴのマークを記録する場合に先頭加熱パルス
とその直後の最後尾の冷却パルスからなるマルチパルス
を発光させ、かつ、最大長ｙＴのマークまでの各マーク
長のマークを記録する場合にｎ＝ｙ−ｘ個の後部加熱パ
ルスと後部冷却パルスを先頭加熱パルスと最後尾の冷却
パルスの間で繰り返して発光させるので、先頭冷却パル
スから最後尾の冷却パルスまでの累積長を最短マーク長
より十分に小さく設定できてその累積長と記録スポット
径との和を適当な長さにでき、イレースパワーを低パワ
ーに設定することができる。したがって、平均記録パワ
ーを低減することができ、オーバーライト回数の向上が
可能となるとともに、光源の高寿命化が可能となる。
【００６８】請求項８記載の発明によれば、請求項１、
２、３、４、５、６または７記載の情報記録方式におい
て、前記記録層がＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料からな
るので、マークの前後エッジ部に相当する加熱パルスと
その直後の冷却パルスとの発光パワーの差の大小により
ジッタ特性が大きく左右され、ジッタ低減の効果が顕著
に現われる。また、先頭冷却パルスから最後尾の冷却パ
ルスまでの累積長と、記録マークの長さとの関係がほと
んど直線に一致するという傾向があってマーク長を制御
しやすくなり、請求項７記載の発明のような記録波形に
よりオーバーライト特性を向上させることができる。
２、３、４、５、６または７記載の情報記録方式におい
て、前記記録層がＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料からな
るので、マークの前後エッジ部に相当する加熱パルスと
その直後の冷却パルスとの発光パワーの差の大小により
ジッタ特性が大きく左右され、ジッタ低減の効果が顕著
に現われる。また、先頭冷却パルスから最後尾の冷却パ
ルスまでの累積長と、記録マークの長さとの関係がほと
んど直線に一致するという傾向があってマーク長を制御
しやすくなり、請求項７記載の発明のような記録波形に
よりオーバーライト特性を向上させることができる。
【図１】請求項１、３記載の発明を応用した情報記録再
生装置の例の一部を示すブロック図である。
生装置の例の一部を示すブロック図である。
【図２】同情報記録再生装置の動作タイミングを示すタ
イミングチャートである。
イミングチャートである。
【図３】同情報記録再生装置の動作タイミングを示すタ
イミングチャートである。
イミングチャートである。
【図４】請求項２、４記載の発明を応用した情報記録再
生装置の例の一部を示すブロック図である。
生装置の例の一部を示すブロック図である。
【図５】同情報記録再生装置の動作タイミングを示すタ
イミングチャートである。
イミングチャートである。
【図６】同情報記録再生装置の動作タイミングを示すタ
イミングチャートである。
イミングチャートである。
【図７】請求項５、６記載の発明を応用した情報記録再
生装置の例の一部を示すブロック図である。
生装置の例の一部を示すブロック図である。
【図８】同情報記録再生装置の動作タイミングを示すタ
イミングチャートである。
イミングチャートである。
【図９】同情報記録再生装置の動作タイミングを示すタ
イミングチャートである。
イミングチャートである。
【図１０】請求項６、７記載の発明を応用した情報記録
再生装置の例の一部を示すブロック図である。
再生装置の例の一部を示すブロック図である。
【図１１】同情報記録再生装置の動作タイミングを示す
タイミングチャートである。
タイミングチャートである。
【図１２】同情報記録再生装置の動作タイミングを示す
タイミングチャートである。
タイミングチャートである。
【図１３】上記情報記録再生装置の先頭冷却パルスＣｆ
から最後尾の冷却パルスＣｒまでの累積長と、記録マー
クの長さとの関係を示す特性図である。
から最後尾の冷却パルスＣｒまでの累積長と、記録マー
クの長さとの関係を示す特性図である。
【図１４】従来の情報記録方式の動作タイミングを示す
タイミングチャートである。
タイミングチャートである。
【図１５】従来の他の情報記録方式の動作タイミングを
示すタイミングチャートである。
示すタイミングチャートである。
ＬＤ 半導体レーザ １１〜１４、１９〜２２、２７〜３１、３７〜４１
定電流源 １５〜１８、２３〜２６、３２〜３６、４２〜４６
スイッチング素子
定電流源 １５〜１８、２３〜２６、３２〜３６、４２〜４６
スイッチング素子
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 7/00 - 7/013 G11B 7/30 G11B 7/125
Claims (8)
- 【請求項１】結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変
化する記録層を有する記録媒体上に情報を光源からの光
により記録する際に、この光源に先頭加熱パルスと先頭
冷却パルス及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部
冷却パルスからなるマルチパルスの光を発光させて記録
マークの形成を行う情報記録方式において、前記先頭加
熱パルスを前半と後半に２分してその後半部分の先頭加
熱パルスの発光パワーとその直後の前記先頭冷却パルス
の発光パワーとの差を、その他の加熱パルスとその直後
の冷却パルスとの発光パワーの差より大きくする手段を
備えたことを特徴とする情報記録方式。 - 【請求項２】結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変
化する記録層を有する記録媒体上に情報を光源からの光
により記録する際に、この光源に先頭加熱パルスと先頭
冷却パルス及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部
冷却パルスからなるマルチパルスの光を発光させて記録
マークの形成を行う情報記録方式において、前記先頭加
熱パルスの直後の前記先頭冷却パルスの発光パワーを、
後続するその他の冷却パルスの発光パワーより低くする
手段を備えたことを特徴とする情報記録方式。 - 【請求項３】結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変
化する記録層を有する記録媒体上に情報を光源からの光
により記録する際に、この光源に先頭加熱パルスと先頭
冷却パルス及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部
冷却パルスからなるマルチパルスの光を発光させて記録
マークの形成を行う情報記録方式において、前記後部加
熱パルスのうち最後尾の加熱パルスとその直後の最後尾
の冷却パルスとの発光パワーの差を、その他の加熱パル
スとその直後の冷却パルスとの発光パワーの差より大き
くする手段を備えたことを特徴とする情報記録方式。 - 【請求項４】請求項３記載の情報記録方式において、前
記手段は、前記後部加熱パルスのうち最後尾の加熱パル
スの直後の最後尾の冷却パルスの発光パワーを、その他
の冷却パルスの発光パワーより低くすることを特徴とす
る情報記録方式。 - 【請求項５】結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変
化する記録層を有する記録媒体上に情報を光源からの光
により記録する際に、この光源に先頭加熱パルスと先頭
冷却パルス及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部
冷却パルスからなるマルチパルスの光を発光させて記録
マークの形成を行う情報記録方式において、前記先頭加
熱パルスを前半と後半に２分してその後半部分の先頭加
熱パルスの発光パワーとその直後の前記先頭冷却パルス
の発光パワーとの差、及び前記後部加熱パルスのうち最
後尾の加熱パルスとその直後の最後尾の冷却パルスとの
発光パワーの差の両方を、その他の加熱パルスとその直
後の冷却パルスとの発光パワーの差より大きくする手段
を備えたことを特徴とする情報記録方式。 - 【請求項６】結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変
化する記録層を有する記録媒体上に情報を光源からの光
により記録する際に、この光源に先頭加熱パルスと先頭
冷却パルス及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部
冷却パルスからなるマルチパルスの光を発光させて記録
マークの形成を行う情報記録方式において、前記先頭加
熱パルスを前半と後半に２分してその後半部分の先頭加
熱パルスの発光パワーをその他の加熱パルスより大きく
し、かつ、前記先頭加熱パルスの直後の前記先頭冷却パ
ルスの発光パワーを、後続するその他の冷却パルスより
低くするとともに、前記後部加熱パルスのうち最後尾の
加熱パルスの発光パワーを前記後半部分の先頭加熱パル
スの発光パワーと略等しくし、前記後部加熱パルスのう
ち最後尾の加熱パルスの直後の最後尾の冷却パルスの発
光パワーをその他の冷却パルスの発光パワーより低くす
る手段を備えたことを特徴とする情報記録方式。 - 【請求項７】請求項１、２、３、４、５または６記載の
情報記録方式において、前記手段は、前記光源に対し
て、複数のマーク長のうちの最短長ｘＴのマークを記録
する場合に先頭加熱パルスとその直後の最後尾の冷却パ
ルスからなるマルチパルスを発光させ、かつ、最大長ｙ
Ｔのマークまでの各マーク長のマークを記録する場合に
ｎ＝ｙ−ｘ個の後部加熱パルスと後部冷却パルスを先頭
加熱パルスと最後尾の冷却パルスの間で繰り返して発光
させることを特徴とする情報記録方式。 - 【請求項８】請求項１、２、３、４、５、６または７記
載の情報記録方式において、前記記録層がＡｇＩｎＳｂ
Ｔｅ系の記録材料からなることを特徴とする情報記録方
式。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26665295A JP3264805B2 (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 情報記録方式 |
| US08/733,029 US5732062A (en) | 1995-10-16 | 1996-10-16 | Information recording apparatus, method and computer program product |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26665295A JP3264805B2 (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 情報記録方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09115141A JPH09115141A (ja) | 1997-05-02 |
| JP3264805B2 true JP3264805B2 (ja) | 2002-03-11 |
Family
ID=17433811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26665295A Expired - Lifetime JP3264805B2 (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 情報記録方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3264805B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3522730B2 (ja) | 2002-02-18 | 2004-04-26 | 株式会社リコー | 情報記録方法、光ヘッド及び情報記録装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3323782B2 (ja) | 1997-09-09 | 2002-09-09 | 株式会社日立製作所 | 情報の記録方法 |
| KR100686042B1 (ko) * | 1999-07-16 | 2007-02-23 | 엘지전자 주식회사 | 광 기록재생기의 기록신호 생성 방법 |
| JP4188220B2 (ja) * | 2003-12-05 | 2008-11-26 | 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 | レーザ制御装置 |
| US7701828B2 (en) * | 2005-02-04 | 2010-04-20 | Mediatek Inc. | Optical recording system and method |
-
1995
- 1995-10-16 JP JP26665295A patent/JP3264805B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3522730B2 (ja) | 2002-02-18 | 2004-04-26 | 株式会社リコー | 情報記録方法、光ヘッド及び情報記録装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09115141A (ja) | 1997-05-02 |
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