JP3259160B2 - Treatment liquid supply method and treatment liquid supply device - Google Patents
Treatment liquid supply method and treatment liquid supply deviceInfo
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Description
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、処理液供給方法
及び処理液供給装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing liquid supply method and a processing liquid supply device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程には、被処理
体例えばシリコン基板等の半導体ウエハに例えばフォト
レジスト液を塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いて
回路パターン等を縮小してフォトレジスト膜を露光し、
露光後の半導体ウエハの表面に現像液を塗布して現像処
理を行う一連の処理工程がある。この処理工程は、半導
体デバイスの高集積化において極めて重要なプロセスで
ある。2. Description of the Related Art In a manufacturing process of a semiconductor device, for example, a photoresist liquid is applied to an object to be processed, for example, a semiconductor wafer such as a silicon substrate, and a photoresist pattern is exposed by reducing a circuit pattern and the like using a photolithography technique. And
There is a series of processing steps for applying a developing solution to the surface of the semiconductor wafer after exposure and performing a developing process. This processing step is an extremely important process in high integration of semiconductor devices.
【０００３】上記処理を行うに当って、例えばフォトレ
ジスト液や現像液及びこれらの溶剤等の処理液を処理液
供給源から被処理体表面に供給する方法として、一般に
不活性ガス例えば窒素（Ｎ2）ガス等の加圧気体を用い
て処理液を加圧し圧送供給している。処理液を被処理体
表面に供給するには、一般に処理液例えば現像液を収容
したタンクに大気圧より高圧（例えば大気圧より１Ｋｇ
／ｃｍ2〜２Ｋｇ／ｃｍ2程度高圧）の加圧気体例えばＮ
2ガスを送入し、タンク内の現像液を送り出し、タンク
に接続するノズル等の供給手段から被処理体表面に供給
している。In carrying out the above process, a method of supplying a processing solution such as a photoresist solution, a developing solution, or a solvent thereof from a processing solution supply source to the surface of the workpiece is generally performed by using an inert gas such as nitrogen (N 2 ) The processing liquid is pressurized using a pressurized gas such as a gas and supplied under pressure. In order to supply the processing liquid to the surface of the object to be processed, generally, a tank containing a processing liquid, for example, a developing liquid is supplied with a pressure higher than the atmospheric pressure (for example, 1 kg above the atmospheric pressure).
/ Cm 2 to 2 kg / cm 2 )
The two gases are supplied, the developing solution in the tank is sent out, and the developing solution is supplied to the surface of the workpiece from a supply means such as a nozzle connected to the tank.
【０００４】この場合、Ｎ2が現像液中に溶け込んでそ
の加圧圧力下での飽和点へ近づくという現象が生じ、現
像液が炭酸水状態となって泡立ち、均一処理ができない
という問題が生じる。そのため、従来では、図６に示す
ように、現像液収容タンクとノズルとを接続する供給管
路ａに例えば数百本の気体透過・液体阻止性の細径チュ
ーブｂを収束した脱気機構ｃを介設して、現像液中に溶
け込んだＮ2を除去している。この脱気機構ｃは、細径
チューブｂを収容する室ｄを真空ポンプｅに接続し、真
空ポンプｅにより細径チューブｂの外側雰囲気を減圧状
態とすることで、脱気を行っている。In this case, a phenomenon occurs in which N 2 dissolves in the developing solution and approaches a saturation point under the pressurized pressure, and the developing solution becomes carbonated and foams, so that uniform processing cannot be performed. . For this reason, conventionally, as shown in FIG. 6, for example, several hundreds of gas-permeable / liquid-blocking small-diameter tubes b are converged in a supply pipe a connecting a developer storage tank and a nozzle. Is provided to remove N 2 dissolved in the developer. The deaeration mechanism c performs deaeration by connecting the chamber d accommodating the small diameter tube b to a vacuum pump e and reducing the atmosphere outside the small diameter tube b by the vacuum pump e.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような脱気機構ｃでは約５０％程度の脱気性能しか得ら
れないという問題があった。したがって、例えばＮ2の
大気圧飽和は約６２．４ｐｐｍであるので、大気圧下に
おける脱気機構の脱気により現像液中に残存するＮ2は
約３０ｐｐｍであるが、実際には、現像液を圧送するた
めに１Ｋｇ／ｃｍ2以上の加圧が必要となる。ところ
が、加圧することにより現像液への飽和（溶け込み）が
多くなり、Ｎ2の１Ｋｇ／ｃｍ2加圧飽和は約１３０ｐｐ
ｍとなる。したがって、脱気機構による脱気後のＮ2残
存量は約６５ｐｐｍとなり、許容残存量の５０ｐｐｍ以
上を越えることとなり、充分な脱気性能が得られないと
いうのが現状である。However, the above-described deaeration mechanism c has a problem that only about 50% of the deaeration performance can be obtained. Therefore, for example, the atmospheric pressure saturation of N 2 is about 62.4 ppm, and the amount of N 2 remaining in the developer by the degassing of the degassing mechanism under the atmospheric pressure is about 30 ppm. Requires a pressure of 1 kg / cm 2 or more. However, the more saturated in a developer (penetration) by pressurizing, 1Kg / cm 2 pressurized saturated of N 2 is about 130pp
m. Therefore, the residual amount of N 2 after deaeration by the deaeration mechanism is about 65 ppm, which exceeds the allowable residual amount of 50 ppm or more, and at present, sufficient deaeration performance cannot be obtained.
【０００６】脱気性能を向上させるためには更に細径チ
ューブの数を増やすなどの方法が考えられるが、この方
法では脱気のために多くの時間を要し、現像液の供給時
間が長くなると共に、処理能率の低下を招くという問題
がある。また、現像液を圧送するためには少くとも大気
圧より１Ｋｇ／ｃｍ2以上の加圧が必要であるため、脱
気機構で損失する圧力を見込んだ分高圧にしてＮ2ガス
を加圧しなければならない。しかし、加圧力を上げるこ
とは更に現像液中に溶け込むＮ2の量を多くするという
二律背反性の問題もある。To improve the deaeration performance, a method of further increasing the number of small diameter tubes is conceivable. However, this method requires a long time for deaeration and a long supply time of the developer. In addition, there is a problem that the processing efficiency is reduced. Further, since the pressure of the developer is required to be at least 1 kg / cm 2 or more higher than the atmospheric pressure in order to feed the developer, the N 2 gas must be pressurized to a higher pressure in consideration of the pressure lost by the degassing mechanism. Must. However, there is also a trade-off problem that increasing the pressing force further increases the amount of N 2 dissolved in the developer.
【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、処理液中に溶け込む加圧気体を除去し、適正な加圧
状態で処理液を供給可能にした処理液供給方法及び処理
液供給装置を提供することを目的とするものである。The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a processing liquid supply method and a processing liquid supply apparatus capable of removing a pressurized gas dissolved in a processing liquid and supplying the processing liquid in an appropriately pressurized state. It is intended to provide.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の処理液供給方法は、処理液を収容す
るタンクに気体を送入して処理液を送り出し、送り出さ
れた処理液を供給手段を介して被処理体表面へ供給する
処理液供給方法を前提とし、上記タンクに大気圧より高
圧の圧力で加圧された気体を送入して上記タンク内の処
理液を中間タンク内に供給する工程と、上記処理液を上
記供給手段から被処理体表面に供給していないときに、
上記中間タンク内を減圧して処理液中に溶け込む気体を
除去する工程と、上記中間タンク内に加圧された気体を
送入して処理液を送り出し、上記供給手段から被処理体
表面へ供給する工程と、を有することを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of supplying a processing liquid, comprising: feeding a gas into a tank containing the processing liquid to send out the processing liquid; Assuming a processing liquid supply method of supplying a liquid to a surface of a processing object through a supply unit, a gas pressurized at a pressure higher than the atmospheric pressure is supplied to the tank, and a processing liquid in the tank is intermediated. upper and supplying to the tank, the processing solution
When not supplied from the supply means to the surface of the workpiece,
A step of reducing the pressure in the intermediate tank to remove gas dissolved in the processing liquid; and a step of feeding a pressurized gas into the intermediate tank to send out the processing liquid and supplying the processing liquid from the supply means to the surface of the object to be processed. And a step of performing
【０００９】請求項２記載の処理液供給方法は、処理液
を収容するタンクに気体を送入して処理液を送り出し、
送り出された処理液を供給手段を介して被処理体表面へ
供給する処理液供給方法を前提とし、上記タンクに大気
圧より高圧の第１の圧力で加圧された気体を送入して上
記タンク内の処理液を第１の中間タンク内に供給する工
程と、上記処理液を上記供給手段から被処理体表面に供
給していないときに、、上記第１の中間タンク内を減圧
して処理液中に溶け込む気体を除去する工程と、上記第
１の中間タンク内に上記第１の圧力より減圧され、かつ
大気圧より高圧の第２の圧力で加圧された気体を送入し
て第１の中間タンク内の処理液を第２の中間タンク内に
供給する工程と、上記処理液を上記供給手段から被処理
体表面に供給していないときに、上記第２の中間タンク
内を減圧して処理液中に溶け込む気体を除去する工程
と、上記第２の中間タンク内に加圧された気体を送入し
て処理液を送り出し、上記供給手段から被処理体表面へ
供給する工程と、を有することを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, there is provided a processing liquid supply method, wherein a gas is fed into a tank containing the processing liquid and the processing liquid is sent out.
Assuming a processing liquid supply method of supplying the processing liquid sent out to the surface of the object to be processed through a supply unit, the gas pressurized at a first pressure higher than the atmospheric pressure is supplied to the tank and the processing liquid is supplied to the tank. Supplying the processing liquid in the tank into the first intermediate tank; and supplying the processing liquid from the supply means to the surface of the object to be processed.
A step of reducing the pressure in the first intermediate tank to remove the gas dissolved in the processing liquid when the pressure is not supplied, and a step of reducing the pressure in the first intermediate tank from the first pressure, and Supplying a gas pressurized at a second pressure higher than the atmospheric pressure to supply the processing liquid in the first intermediate tank into the second intermediate tank; and supplying the processing liquid from the supply unit to the processing liquid. processing
A step of depressurizing the inside of the second intermediate tank to remove gas dissolved in the processing liquid when the gas is not supplied to the body surface; and feeding a pressurized gas into the second intermediate tank. feeding the processing liquid Te, and having a a step of supplying to the surface of the object from said supply means.
【００１０】請求項３記載の処理液供給装置は、請求項
１記載の処理液供給方法を具現化するもので、処理液を
収容するタンクと、このタンクに接続する気体供給源
と、上記タンクに供給管を介して接続し処理液を被処理
体表面へ供給する供給手段とを具備する処理液供給装置
を前提とし、上記タンクと供給手段との間に、その流入
側及び流出側にそれぞれ切換手段を介して中間タンクを
介設し、上記中間タンクに減圧用切換手段を介して減圧
手段を接続すると共に、上記気体供給源を接続し、上記
気体供給源より上記タンク内、上記中間タンク内に大気
圧より高い圧力で加圧された気体をそれぞれ送入して上
記タンク内、上記中間タンク内の処理液をそれぞれ送出
するように構成し、上記中間タンクに、この中間タンク
内の処理液の状態を検出する検出手段を配設し、上記検
出手段からの信号により作動する制御手段に基づいて上
記減圧切換手段を動作させるようにした、ことを特徴と
する。According to a third aspect of the present invention, there is provided a processing liquid supply apparatus embodying the processing liquid supply method according to the first aspect, comprising a tank for storing a processing liquid, a gas supply source connected to the tank, and the tank. And a supply means for supplying a processing liquid to the surface of the object to be processed, which is connected via a supply pipe to the tank, and between the tank and the supply means, on the inflow side and the outflow side, respectively. An intermediate tank is provided via a switching means, a pressure reducing means is connected to the intermediate tank via a pressure reducing switching means, and the gas supply source is connected. and atmospheric pressure respectively higher pressure pressurized gas fed configured to deliver the tank, the treatment liquid in the intermediate tank, respectively within, to the intermediate tank, the intermediate tank
Detection means for detecting the state of the processing solution in the
Based on the control means activated by the signal from the output means
The decompression switching means is operated .
【００１１】請求項４記載の処理液供給装置は、請求項
２記載の処理液供給方法を具現化するもので、処理液を
収容するタンクと、このタンクに接続する気体供給源
と、上記タンクに供給管を介して接続し処理液を被処理
体表面へ供給する供給手段とを具備する処理液供給装置
を前提とし、上記タンクと供給手段との間に、その流入
側及び流出側にそれぞれ切換手段を介して第１の中間タ
ンクと第２の中間タンクを介設し、上記第１の中間タン
クに減圧用切換手段を介して減圧手段を接続すると共
に、圧力調整手段を介して上記気体供給源を接続し、上
記第２の中間タンクに減圧用切換手段を介して減圧手段
を接続すると共に、上記気体供給源を接続し、上記気体
供給源より上記タンク内、上記第１の中間タンク内、上
記第２の中間タンク内に大気圧より高い圧力で加圧され
た気体をそれぞれ送入して上記タンク内、上記第１の中
間タンク内、上記第２の中間タンク内の処理液をそれぞ
れ送出するように構成し、上記第１及び第２の中間タン
クに、これら中間タンク内の処理液の状態を検出する検
出手段を配設し、上記検出手段からの信号により作動す
る制御手段に基づいて上記減圧切換手段を動作させるよ
うにした、ことを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a processing liquid supply apparatus embodying the processing liquid supply method according to the second aspect, comprising: a tank for storing a processing liquid; a gas supply source connected to the tank; And a supply means for supplying a processing liquid to the surface of the object to be processed, which is connected via a supply pipe to the tank, and between the tank and the supply means, on the inflow side and the outflow side, respectively. A first intermediate tank and a second intermediate tank are provided via switching means, a pressure reducing means is connected to the first intermediate tank via pressure reducing switching means, and the gas is supplied via pressure adjusting means. A supply source is connected, a decompression unit is connected to the second intermediate tank via a decompression switching unit, and the gas supply source is connected. The gas supply source is connected to the inside of the tank, the first intermediate tank. Inside the second intermediate tank And was pressurized at a pressure higher than atmospheric pressure gas is fed respectively configured to deliver in the tank, the first intermediate tank, processing solution in said second intermediate tank, respectively, said first 1st and 2nd intermediate tongue
To check the state of the processing liquid in these intermediate tanks.
Output means, which is activated by a signal from the detection means.
Operating the pressure reducing switching means based on the controlling means.
The feature is that.
【００１２】請求項４記載の処理液供給装置において、
上記第１の中間タンクと第２の中間タンクとの間には少
くとも切換手段を介設すればよく、第１の中間タンクと
第２の中間タンクとの間に脱気機構を介設することも可
能である（請求項５）。[0012] In the processing liquid supply apparatus according to claim 4 ,
At least a switching means may be provided between the first intermediate tank and the second intermediate tank, and a deaeration mechanism is provided between the first intermediate tank and the second intermediate tank. It is also possible (claim 5 ).
【００１３】この発明によれば、処理液を収容するタン
クに気体を送入して処理液を加圧して送り出し、供給手
段から被処理体表面に処理液を供給する途中において、
処理液中に溶け込んだ加圧用の気体を除去した状態で処
理液を中間タンクに貯留することができ、この中間タン
クに加圧用の気体を送入して送り出し、供給手段から被
処理体表面に供給することができる。したがって、処理
液が加圧用の気体によって炭酸水状態となったり、処理
液の成分を損なうことなく、被処理体表面に供給するこ
とができ、かつ、所定の加圧によって迅速に処理液の供
給を行うことができる。According to this invention, the gas is fed into the tank containing the processing liquid, the processing liquid is pressurized and sent out, and during the supply of the processing liquid from the supply means to the surface of the workpiece,
The processing liquid can be stored in the intermediate tank with the gas for pressurization dissolved in the processing liquid removed, and the gas for pressurization is fed into and out of the intermediate tank, and supplied from the supply means to the surface of the object to be processed. Can be supplied. Therefore, the processing liquid can be supplied to the surface of the processing object without being brought into a carbonated water state by the gas for pressurization, and the components of the processing liquid are not damaged, and the supply of the processing liquid can be rapidly performed by the predetermined pressurization. It can be performed.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】次に、この発明の実施の形態を添
付図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では、
この発明に係る処理液供給装置を半導体ウエハへのレジ
スト液塗布・現像処理システムに適用した場合について
説明する。Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In this embodiment,
The case where the processing liquid supply apparatus according to the present invention is applied to a system for applying and developing a resist liquid on a semiconductor wafer will be described.
【００１５】上記半導体ウエハの塗布・現像処理システ
ム１は、図１に示すように、その一端側に被処理体とし
て複数枚例えば２５枚の半導体ウエハＷ（以下にウエハ
という）を収容する複数のカセット２を例えば４個載置
可能に構成したキャリアステーション３を有し、このキ
ャリアステーション３の中央部にはウエハＷの搬入・搬
出及びウエハＷの位置決めを行う補助アーム４が設けら
れている。また、塗布・現像処理システム１の中央部に
はその長さ方向に移動可能に設けられると共に、補助ア
ーム４からウエハＷを受け渡されるメインアーム５が設
けられており、このメインアーム５の移送路の両側には
各種処理機構が配置されている。具体的には、これらの
処理機構としてはキャリアステーション３側の側方に
は、プロセスステーション６として例えばウエハＷをブ
ラシ洗浄するためのブラシスクラバ７及び高圧ジェット
水により洗浄を施すための高圧ジェット洗浄機７Ａが並
設され、その隣には、２基の加熱装置９が積み重ねて設
けられると共に、メインアーム５の移送路の反対側には
この発明の処理液供給装置を具備する現像装置８が２基
並設されている。As shown in FIG. 1, the semiconductor wafer coating / developing processing system 1 has a plurality of, for example, 25 semiconductor wafers W (hereinafter referred to as "wafers") at one end thereof as objects to be processed. It has a carrier station 3 in which, for example, four cassettes 2 can be placed, and an auxiliary arm 4 for carrying in / out the wafer W and positioning the wafer W is provided at the center of the carrier station 3. In addition, a main arm 5 is provided at the center of the coating / developing processing system 1 so as to be movable in the length direction thereof, and a main arm 5 for transferring the wafer W from the auxiliary arm 4 is provided. Various processing mechanisms are arranged on both sides of the road. Specifically, these processing mechanisms include, on the side of the carrier station 3 side, a process station 6 such as a brush scrubber 7 for brush cleaning a wafer W and a high-pressure jet cleaning for performing cleaning with high-pressure jet water. A heating device 9A is provided side by side, two heating devices 9 are provided in a stack, and a developing device 8 having the processing liquid supply device of the present invention is provided on the opposite side of the transfer path of the main arm 5. Two units are installed side by side.
【００１６】更に、上記プロセスステーション６の側方
には、接続用ユニット１０を介してもう一つのプロセス
ステーション６Ａとして例えばウエハＷにフォトレジス
トを塗布する前にこれを疎水化処理するアドヒージョン
処理装置１１が設けられ、この下方にはクーリング装置
１２が配置されている。これら装置１１，１２の側部に
は加熱装置９が２列で２個ずつ積み重ねられて配置され
ている。Further, on the side of the process station 6, as another process station 6A via a connection unit 10, for example, an adhesion processing device 11 for making a wafer W hydrophobic before applying a photoresist. Is provided, and a cooling device 12 is disposed below the cooling device. On the side of these devices 11, 12, two heating devices 9 are arranged in two rows.
【００１７】また、メインアーム５の移送路を挟んでこ
れら加熱装置９やアドヒージョン処理装置１１等の反対
側にはウエハＷにフォトレジスト液を塗布するレジスト
塗布装置１３が２台並設されている。なお、図示されな
いがこれらレジスト塗布装置１３の側部には、インター
フェースユニットを介してレジスト膜に所定の微細パタ
ーンを露光するための露光装置等が設けられている。On the opposite side of the heating device 9 and the adhesion processing device 11 across the transfer path of the main arm 5, two resist coating devices 13 for coating a photoresist solution on the wafer W are provided in parallel. . Although not shown, an exposure device for exposing a predetermined fine pattern to the resist film via an interface unit is provided at a side portion of the resist coating device 13.
【００１８】上記現像装置８は、図２に示すように、ウ
エハＷを図示しない真空装置によって吸着保持するスピ
ンチャック１４と、このスピンチャック１４を水平方向
に回転するスピンモータ１５と、スピンチャック１４を
包囲する有底筒状に形成され、底部に排気口１６ａとド
レン口１６ｂが設けられたカップ１６と、スピンチャッ
ク１４の上方に配設される現像液の供給ノズル２１（供
給手段）とで主に構成されている。このように構成され
る現像装置８において、この発明の処理液供給装置２０
（現像液供給装置）から供給ノズル２１に圧送される現
像液ＤをウエハＷの中心部にシャワー状に供給すると共
に、スピンチャック１４を回転させてウエハＷの表面に
現像液を塗布することができる。As shown in FIG. 2, the developing device 8 includes a spin chuck 14 for sucking and holding the wafer W by a vacuum device (not shown), a spin motor 15 for rotating the spin chuck 14 in a horizontal direction, and a spin chuck 14. And a developing solution supply nozzle 21 (supplying means) provided above the spin chuck 14 and formed in a bottomed cylindrical shape surrounding the spinner 16 and provided with an exhaust port 16a and a drain port 16b at the bottom. It is mainly composed. In the developing device 8 configured as described above, the processing liquid supply device 20 of the present invention is used.
The developing solution D supplied from the (developing solution supply device) to the supply nozzle 21 is supplied to the central portion of the wafer W in a shower shape, and the spin chuck 14 is rotated to apply the developing solution to the surface of the wafer W. it can.
【００１９】次に、この発明の処理液供給装置につい
て、図３ないし図５を参照して説明する。 ◎第一実施形態 図３はこの発明の処理液供給装置の第一実施形態の概略
構成図である。Next, the processing liquid supply apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. First Embodiment FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a first embodiment of the processing liquid supply device of the present invention.
【００２０】処理液供給装置２０は、処理液例えば現像
液Ｄを収容する気密性のタンク２２と、このタンク２２
に加圧気体供給管２３を介して接続する加圧用気体例え
ばＮ2ガスの供給源２４と、タンク２２に供給管２５を
介して接続する上記供給ノズル２１と、供給管２５に介
設される気密性の中間タンク２６と、中間タンク２６内
に貯留された現像液Ｄ中のＮ2を除去する減圧手段２７
とで主要部が構成されている。The processing liquid supply device 20 includes an airtight tank 22 for storing a processing liquid, for example, a developer D,
A supply source 24 of a pressurizing gas, for example, N 2 gas, which is connected to the tank via a pressurized gas supply pipe 23, the supply nozzle 21 which is connected to the tank 22 via a supply pipe 25, and a supply pipe 25. An airtight intermediate tank 26 and a decompression means 27 for removing N 2 in the developer D stored in the intermediate tank 26
And the main part is constituted.
【００２１】この場合、加圧気体供給管２３にはＮ2ガ
ス供給源２４側から順に圧力調整弁３０、フィルタ２９
ａ及び逆止弁２９ｂが介設されている。タンク２２と中
間タンク２６の間の供給管２５には第１の切換弁３１
（切換手段）が介設され、中間タンク２６と供給ノズル
２１の間の供給管２５には第２の切換弁３２（切換手
段）が介設されている。第１の切換弁３１と第２の切換
弁３２は、それぞれ操作用エアー供給源４０に接続する
操作エアーライン４１に介設された操作切換弁４２ａ，
４２ｂの切換動作に基づいて切り換えすなわち開閉動作
し得るように構成されている。In this case, the pressure adjusting valve 30 and the filter 29 are sequentially connected to the pressurized gas supply pipe 23 from the N 2 gas supply source 24 side.
a and a check valve 29b are interposed. A first switching valve 31 is provided in the supply pipe 25 between the tank 22 and the intermediate tank 26.
(Switching means) is provided, and a second switching valve 32 (switching means) is provided in the supply pipe 25 between the intermediate tank 26 and the supply nozzle 21. The first switching valve 31 and the second switching valve 32 are respectively provided with operation switching valves 42a, 42a provided on an operation air line 41 connected to the operation air supply source 40.
The switching operation, that is, the opening / closing operation is performed based on the switching operation of 42b.
【００２２】一方、上記減圧手段２７は、圧力調整弁５
１を介してエアー供給源５０に接続する減圧エアーライ
ン５２に連設されるディフューザ２７ａを具備するエゼ
クタにて形成されており、ディフューザ２７ａに減圧管
２８を介して中間タンク２６を接続することによって中
間タンク２６内を減圧状態にし、中間タンク２６内に貯
留される現像液中に溶け込んでいるＮ2を除去し得るよ
うに構成されている。なお、減圧管２８には、中間タン
ク２６側に接続する第１のポートと、減圧手段２７側
に接続する第２のポート及び加圧気体供給管２３に接
続する第３のポートを有する減圧用切換手段例えば減
圧用３ポート２位置切換弁６０（以下に減圧切換弁とい
う）が介設されており、この減圧切換弁６０に接続する
加圧気体供給管２３には、この減圧切換弁６０側、Ｎ2
ガス供給源２４側及びドレイン側に接続する加圧用３ポ
ート２位置切換弁６１（以下に加圧切換弁という）が介
設されている。なお、減圧切換弁６０及び加圧切換弁６
１はそれぞれ操作用エアーライン４１に介設される操作
切換弁４２ｃ，４２ｄの切り換え動作に基づいて切り換
え（開閉）動作し得るように構成されている。On the other hand, the pressure reducing means 27 is provided with a pressure regulating valve 5.
1 is formed by an ejector provided with a diffuser 27a connected to a reduced-pressure air line 52 connected to an air supply source 50 through an air supply source 1. The intermediate tank 26 is connected to the diffuser 27a via a pressure reducing pipe 28. The pressure in the intermediate tank 26 is reduced so that N 2 dissolved in the developer stored in the intermediate tank 26 can be removed. The pressure reducing pipe 28 has a first port connected to the intermediate tank 26, a second port connected to the pressure reducing means 27, and a third port connected to the pressurized gas supply pipe 23. A switching means, for example, a three-port two-position pressure reducing valve 60 (hereinafter, referred to as a pressure reducing switching valve) for pressure reduction is interposed, and a pressurized gas supply pipe 23 connected to the pressure reducing switching valve 60 is connected to the pressure reducing valve 60 side. , N 2
A pressurized 3-port 2-position switching valve 61 (hereinafter referred to as a pressure switching valve) connected to the gas supply source 24 and the drain side is interposed. The pressure reducing switching valve 60 and the pressure switching valve 6
1 is configured to be able to perform a switching (opening / closing) operation based on a switching operation of operation switching valves 42c and 42d provided in the operation air line 41, respectively.
【００２３】なおこの場合、中間タンク２６には、中間
タンク２６内の現像液の状態例えば最大液面の上限及び
下限と、最小液面の上限及び下限を測定する検出手段と
してのフロートセンサ６２が配設されており、このフロ
ートセンサ６２からの検出信号により制御装置９０が作
動して上記操作エアーライン４１に介設された操作切換
弁４２ａ〜４２ｄが駆動し得るように構成されている。
また、中間タンク２６と加圧気体供給管２３のドレイン
側には分岐管６３が接続されており、この分岐管６３に
中間タンク２６内の圧力が設定圧以上になるのを防止す
るためのリリーフ弁６４が介設されている。このリリー
フ弁６４は、中間タンク２６内に設けられた圧力センサ
９１の検知信号に基づいて制御装置９０が作動して開閉
可能な構成となっている。In this case, the intermediate tank 26 is provided with a float sensor 62 as detecting means for measuring the state of the developer in the intermediate tank 26, for example, the upper and lower limits of the maximum liquid level and the upper and lower limits of the minimum liquid level. The control device 90 is operated by a detection signal from the float sensor 62 so that the operation switching valves 42 a to 42 d provided on the operation air line 41 can be driven.
A branch pipe 63 is connected to the drain side of the intermediate tank 26 and the pressurized gas supply pipe 23, and a relief for preventing the pressure in the intermediate tank 26 from exceeding a set pressure is connected to the branch pipe 63. A valve 64 is provided. The relief valve 64 is configured to be capable of being opened and closed by actuation of a control device 90 based on a detection signal of a pressure sensor 91 provided in the intermediate tank 26.
【００２４】次に、上記のように構成される処理液供給
装置の動作について説明する。まず、図３の状態におい
て、操作切換弁４２ａ，４２ｃを駆動して第１の切換弁
３１及び減圧切換弁６０をＯＮ状態、すなわち第１の切
換弁３１を“開”状態にすると共に減圧切換弁６０を減
圧側に切り換える。次に、Ｎ2ガスを例えば大気圧＋１
Ｋｇ／ｃｍ2の加圧力でタンク２２に送入すると、タン
ク２２内の現像液Ｄが圧送されて中間タンク２６内に流
れ、中間タンク２６内の最大液面に達した時点でフロー
トセンサ６２からの信号により制御装置９０が作動し
て、第１の切換弁３１及び減圧切換弁６０がＯＦＦ状態
となってタンク２２から中間タンク２６への流入（供
給）が停止される。Next, the operation of the processing liquid supply device configured as described above will be described. First, in the state shown in FIG. 3, the operation switching valves 42a and 42c are driven to turn on the first switching valve 31 and the pressure reducing switching valve 60, that is, to set the first switching valve 31 to the "open" state and to switch the pressure reduction. The valve 60 is switched to the pressure reducing side. Next, N 2 gas is supplied, for example, at atmospheric pressure + 1.
When the developer D is fed into the tank 22 with a pressing force of Kg / cm 2 , the developer D in the tank 22 is pressure-fed and flows into the intermediate tank 26, and when the developer reaches the maximum liquid level in the intermediate tank 26, the developer D is sent from the float sensor 62. , The control device 90 is operated, the first switching valve 31 and the pressure reducing switching valve 60 are turned off, and the inflow (supply) from the tank 22 to the intermediate tank 26 is stopped.
【００２５】供給ノズル２１から被処理体表面すなわち
ウエハＷ上に現像液Ｄを供給するには、減圧切換弁６０
をＯＦＦ状態にし、操作切換弁４２ｂ，４２ｄを操作し
て、第２の切換弁３２を一定時間“開”状態にすると共
に、加圧切換弁６１を一定時間加圧側に切り換えると、
Ｎ2ガスの加圧により中間タンク２６内に貯留された現
像液Ｄの所定量を供給ノズル２１からウエハＷ上に供給
することができる。In order to supply the developing solution D from the supply nozzle 21 onto the surface of the object to be processed, ie, onto the wafer W, the pressure reducing switching valve 60
Is turned off, the operation switching valves 42b and 42d are operated to open the second switching valve 32 for a certain period of time, and the pressurization switching valve 61 is switched to the pressurizing side for a certain period of time.
A predetermined amount of the developer D stored in the intermediate tank 26 can be supplied onto the wafer W from the supply nozzle 21 by pressurizing the N 2 gas.
【００２６】また、上記現像液の供給を行っていない時
点において、操作切換弁４２ｃを操作して減圧切換弁６
０を減圧側に切り換えると、減圧手段２７の減圧作用に
よって中間タンク２６内が減圧されるので、現像液Ｄへ
のＮ2の溶け込みを防止することができると共に、加圧
圧力下でのＮ2ガスの現像液中への溶存飽和量の低減及
び減圧環境下での現像液Ｄからの溶存Ｎ2ガスの除去等
を行うことができる。したがって、現像液Ｄの成分が加
圧気体であるＮ2の溶存によって損なわれることなく、
適正な現像処理を行うことができる。When the developer is not being supplied, the operation switching valve 42c is operated to operate the pressure reducing switching valve 6c.
When 0 is switched to the decompression side, the pressure in the intermediate tank 26 is reduced by the decompression action of the decompression means 27, so that the incorporation of N 2 into the developer D can be prevented, and the N 2 under the pressurized pressure can be prevented. It is possible to reduce the dissolved saturation amount of the gas in the developer and to remove dissolved N 2 gas from the developer D under a reduced pressure environment. Therefore, the components of the developer D are not impaired by the dissolution of the pressurized gas N 2 ,
Appropriate development processing can be performed.
【００２７】◎第二実施形態 図４はこの発明の処理液供給装置の第二実施形態の概略
構成図である。第二実施形態は、現像液へのＮ2の溶け
込みの防止、加圧圧力下でのＮ2ガスの現像液中への溶
存飽和量の低減及び減圧環境下での現像液Ｄからの溶存
Ｎ2ガスの除去等を更に効率よく行えるようにした場合
である。Second Embodiment FIG. 4 is a schematic structural view of a second embodiment of the processing liquid supply device of the present invention. The second embodiment is intended to prevent the incorporation of N 2 into the developing solution, reduce the amount of dissolved saturation of N 2 gas in the developing solution under a pressurized pressure, and dissolve dissolved N 2 from the developing solution D under a reduced pressure environment. (2) This is a case where gas removal and the like can be performed more efficiently.
【００２８】すなわち、上記タンク２２と供給ノズル２
１とを接続する供給管２５のタンク２２側に第１の切換
弁３１を介して気密性の第１の中間タンク２６Ａを介設
すると共に、供給ノズル２１側に第２の切換弁３２を介
して気密性の第２の中間タンク２６Ｂを介設し、第１の
中間タンク２６Ａを上記第一実施形態の中間タンク２６
と同様に減圧管２８Ａを介して減圧エアーライン５２に
介設される減圧手段２７に接続し、かつ、第１の中間タ
ンク２６Ａを減圧調整手段としての減圧用圧力調整弁７
０を介して加圧気体供給管２３に接続し、第２の中間タ
ンク２６Ｂを減圧手段２７に接続すると共に、加圧気体
供給管２３に接続した場合である。That is, the tank 22 and the supply nozzle 2
An airtight first intermediate tank 26A is provided via a first switching valve 31 on the tank 22 side of the supply pipe 25 connecting to the supply pipe 25, and a second switching valve 32 is provided on the supply nozzle 21 side. The airtight second intermediate tank 26B is interposed, and the first intermediate tank 26A is replaced with the intermediate tank 26 of the first embodiment.
In the same manner as described above, the pressure reducing means 27 connected to the pressure reducing air line 52 via the pressure reducing pipe 28A and the first intermediate tank 26A is used as a pressure reducing pressure adjusting valve
0, the second intermediate tank 26B is connected to the pressure reducing means 27, and the second intermediate tank 26B is connected to the pressurized gas supply pipe 23.
【００２９】この場合、第１の中間タンク２６Ａと減圧
手段２７とを接続する減圧管２８Ａに介設される減圧用
３ポート２位置切換弁６０Ａ（以下に減圧切換弁とい
う）及びこの減圧切換弁６０Ａの加圧気体供給側に接続
する加圧用３ポート２位置切換弁６１Ａ（以下に加圧切
換弁という）は上記第一実施形態の場合と同様に、それ
ぞれ操作用エアーライン４０に介設される操作切換弁４
２ｃ，４２ｄの切り換え動作に基づいて切り換え（開
閉）動作し得るように構成されている。また、第２の中
間タンク２６Ｂと減圧手段２７とを接続する減圧管２８
Ｂに介設される減圧用３ポート２位置切換弁６０Ｂ（以
下に減圧切換弁という）及びこの減圧切換弁６０Ｂの加
圧気体供給側に接続する加圧用３ポート２位置切換弁６
１Ｂ（以下に加圧切換弁という）は、それぞれ操作用エ
アーライン４１に介設される操作切換弁４２ｅ，４２ｆ
の切り換え動作に基づいて切り換え（開閉）動作し得る
ように構成されている。In this case, a decompression three-port two-position switching valve 60A (hereinafter referred to as a decompression switching valve) interposed in a decompression pipe 28A connecting the first intermediate tank 26A and the decompression means 27 and this decompression switching valve As in the case of the first embodiment, the three-port two-pressure switching valve 61A (hereinafter, referred to as a pressure switching valve) connected to the pressurized gas supply side of 60A is interposed in the operation air line 40 in the same manner as in the first embodiment. Operation switching valve 4
The switching (opening / closing) operation is performed based on the switching operation of 2c and 42d. A pressure reducing pipe 28 connecting the second intermediate tank 26B and the pressure reducing means 27.
B, a pressure reducing 3 port 2 position switching valve 60B (hereinafter referred to as a pressure reducing switching valve) and a pressurizing 3 port 2 position switching valve 6 connected to the pressurized gas supply side of the pressure reducing switching valve 60B.
1B (hereinafter, referred to as a pressurization switching valve) includes operation switching valves 42e and 42f interposed in the operation air line 41, respectively.
The switching (opening / closing) operation can be performed based on the switching operation.
【００３０】また、上記第１の中間タンク２６Ａと第２
の中間タンク２６Ｂとの間には、第１の中間タンク２６
Ａ側にフローメータ７１を介して、かつ第２の中間タン
ク２６Ｂ側には第３の切換弁３３を介して脱気機構とし
ての脱気モジュール７２が介設されている。この脱気モ
ジュール７２は、多数例えば数百本の気体透過・液体阻
止性の細径チューブを収束して容器内に収納し、かつ、
この容器内を減圧可能とする減圧手段を具備した構造と
なっている。なお、第３の切換弁３３は操作エアーライ
ン４１に介設される操作切換弁４２ｇの操作によって開
閉動作し得るように構成されている。また、第１の中間
タンク２６Ａ及び第２の中間タンク２６Ｂには、第１及
び第２の中間タンク２６Ａ，２６Ｂ内の最大液面の上限
及び下限と、最小液面の上限及び下限を測定するフロー
トセンサ６２Ａ，６２Ｂが配設されており、これらフロ
ートセンサ６２Ａ，６２Ｂからの検出信号により制御装
置９０が作動して上記操作エアーライン４１に介設され
た操作切換弁４２ａ〜４２ｇが駆動し得るように構成さ
れている。また、第１の中間タンク２６Ａと第２の中間
タンク２６Ｂと加圧気体供給管２３のドレイン側には、
それぞれ分岐管６３Ａ，６３Ｂが接続され、これら分岐
管６３Ａ，６３Ｂにはそれぞれ第１の中間タンク２６
Ａ、第２の中間タンク２６Ｂ内が設定圧以上になるのを
防止するためのリリーフ弁６４Ａ，６４Ｂが介設されて
いる。これらリリーフ弁６４Ａ，６４Ｂは、第１及び第
２の中間タンク２６Ａ，２６Ｂに設けられた圧力センサ
９１の検知信号に基づいて制御装置９０が作動して開閉
可能な構成となっている。Further, the first intermediate tank 26A and the second
Between the first intermediate tank 26B and the intermediate tank 26B.
A deaeration module 72 as a deaeration mechanism is provided on the A side via a flow meter 71 and on the second intermediate tank 26B side via a third switching valve 33. The degassing module 72 converges and stores a large number, for example, several hundreds of gas-permeable / liquid-blocking small-diameter tubes in a container, and
It has a structure provided with a decompression means capable of depressurizing the inside of this container. The third switching valve 33 is configured to be able to open and close by operating an operation switching valve 42g provided on the operation air line 41. The first and second intermediate tanks 26A and 26B measure the upper and lower limits of the maximum liquid level and the upper and lower limits of the minimum liquid level in the first and second intermediate tanks 26A and 26B. Float sensors 62A and 62B are provided, and the control device 90 is operated by detection signals from the float sensors 62A and 62B to drive the operation switching valves 42a to 42g provided in the operation air line 41. It is configured as follows. In addition, the first intermediate tank 26A, the second intermediate tank 26B, and the drain side of the pressurized gas supply pipe 23 have:
The branch pipes 63A and 63B are respectively connected to the first intermediate tank 26 and the branch pipes 63A and 63B.
A, relief valves 64A and 64B for preventing the inside of the second intermediate tank 26B from exceeding the set pressure are provided. These relief valves 64A, 64B are configured so that they can be opened and closed by the operation of a control device 90 based on a detection signal of a pressure sensor 91 provided in the first and second intermediate tanks 26A, 26B.
【００３１】次に、上記のように構成される第二実施形
態の処理液供給装置の動作について説明する。まず、操
作切換弁４２ａ，４２ｃを駆動して第１の切換弁３１及
び減圧切換弁６０ＡをＯＮ状態、すなわち第１の切換弁
３１を“開”状態にすると共に減圧切換弁６０Ａを減圧
側に切り換える。次に、Ｎ2ガスを例えば大気圧＋１Ｋ
ｇ／ｃｍ2の加圧力でタンク２２に送入すると、タンク
２２内の現像液Ｄが第１の中間タンク２６Ａ内に流れ、
第１の中間タンク２６Ａ内の最大液面に達した時点でフ
ロートセンサ６２Ａが作動して、第１の切換弁３１及び
減圧切換弁６０ＡがＯＦＦ状態となってタンク２２から
第１の中間タンク２６Ａへの流入（供給）が停止され
る。Next, the operation of the processing liquid supply device of the second embodiment configured as described above will be described. First, the operation switching valves 42a and 42c are driven to turn on the first switching valve 31 and the pressure reducing switching valve 60A, that is, to set the first switching valve 31 to the "open" state and to move the pressure reducing switching valve 60A to the pressure reducing side. Switch. Next, N 2 gas is supplied, for example, at atmospheric pressure + 1K.
When the developer D is fed into the tank 22 at a pressure of g / cm 2 , the developer D in the tank 22 flows into the first intermediate tank 26A,
When the maximum liquid level in the first intermediate tank 26A is reached, the float sensor 62A is activated, the first switching valve 31 and the pressure reducing switching valve 60A are turned off, and the first intermediate tank 26A is turned off from the tank 22. Inflow (supply) to is stopped.
【００３２】次に、減圧切換弁６０ＡをＯＦＦ状態に
し、操作切換弁４２ｄ，４２ｇを駆動して加圧切換弁６
１Ａ及び第３の切換弁３３をＯＮ状態、すなわち加圧切
換弁６１Ａを加圧側に切り換えると共に、第３の切換弁
３３を“開”状態にすると、Ｎ2ガス供給源２４からの
Ｎ2ガスが減圧用圧力調整弁７０によって例えば大気圧
＋０．５Ｋｇ／ｃｍ2に減圧された状態で第１の中間タ
ンク２６Ａ内に送入されるので、この加圧によって第１
の中間タンク２６Ａ内の現像液Ｄが第２の中間タンク２
６Ｂ内に流入（供給）される。ここで、第１の中間タン
ク２６Ａ内に送入される減圧されたＮ2ガスの加圧力は
小さい程現像液Ｄ中へのＮ2の溶け込みが少くなるの
で、第１の中間タンク２６Ａ内の現像液Ｄの送り出しに
支障を生じない範囲内で減圧する方が望ましい。Next, the pressure reducing switching valve 60A is turned off, and the operation switching valves 42d and 42g are driven to drive the pressure switching valve 6A.
When the 1A and third switching valves 33 are turned on, that is, the pressurizing switching valve 61A is switched to the pressurizing side and the third switching valve 33 is opened, the N 2 gas from the N 2 gas supply source 24 is turned on. Is sent into the first intermediate tank 26A in a state where the pressure is reduced to, for example, the atmospheric pressure + 0.5 kg / cm 2 by the pressure reducing valve 70 for pressure reduction.
Of the developer D in the intermediate tank 26A of the second intermediate tank 2
6B. Here, the smaller the pressure of the decompressed N 2 gas sent into the first intermediate tank 26A, the smaller the dissolution of N 2 into the developer D, so that the pressure in the first intermediate tank 26A It is desirable to reduce the pressure within a range that does not hinder the delivery of the developer D.
【００３３】なお、第１の中間タンク２６Ａ内の現像液
Ｄを第２の中間タンク２６Ｂ内に供給する時点におい
て、フローメータ７１を脱気モジュール７２の最適効率
流量例えば１〜３０００ｍｌ／ｍｉｎに調整しておく。
第２の中間タンク２６Ｂ内に供給される現像液Ｄが最大
液面に達すると、フロートセンサ６２Ｂが作動して操作
切換弁４２ｄ，４２ｇを駆動し、これにより加圧切換弁
６１Ａ及び第３の切換弁３３がＯＦＦ状態となって第２
の中間タンク２６Ｂへの現像液の供給が停止する。At the time when the developer D in the first intermediate tank 26A is supplied into the second intermediate tank 26B, the flow meter 71 is adjusted to the optimum efficiency flow rate of the degassing module 72, for example, 1 to 3000 ml / min. Keep it.
When the developer D supplied to the second intermediate tank 26B reaches the maximum liquid level, the float sensor 62B operates to drive the operation switching valves 42d and 42g, whereby the pressure switching valve 61A and the third pressure switching valve 61A are driven. The switching valve 33 is turned off and the second
Of the developer to the intermediate tank 26B is stopped.
【００３４】供給ノズル２１から被処理体表面すなわち
ウエハＷ上に現像液Ｄを供給するには、加圧気体供給管
２３には常時Ｎ2ガスが加圧されているので、操作切換
弁４２ｂ，４２ｆを操作して、第２の切換弁３２を一定
時間 ＯＮすなわち“開”状態にすると共に、加圧切換
弁６１Ｂを一定時間加圧側に切り換えることで、第２の
中間タンク２６Ｂ内に貯留された現像液Ｄの所定量を供
給ノズル２１からウエハＷ上に供給することができる。
供給ノズル２１からの供給を停止する場合は、加圧切換
弁６１Ｂ及び第２の切換弁３２をＯＦＦ状態にすればよ
い。In order to supply the developing solution D from the supply nozzle 21 onto the surface of the object to be processed, that is, onto the wafer W, since the N 2 gas is constantly pressurized in the pressurized gas supply pipe 23, the operation switching valve 42b, By operating the second switching valve 32 for a certain period of time, that is, in an "open" state by operating the second switching valve 32f, and by switching the pressurization switching valve 61B to the pressurizing side for a certain period of time, the second switching valve 32 is stored in the second intermediate tank 26B. A predetermined amount of the developing solution D can be supplied onto the wafer W from the supply nozzle 21.
When the supply from the supply nozzle 21 is stopped, the pressurization switching valve 61B and the second switching valve 32 may be turned off.
【００３５】上記のようにして現像液Ｄの供給を繰り返
すと、第２の中間タンク２６Ｂ内の現像液Ｄが減少し、
その後、第２の中間タンク２６Ｂ内のフロートセンサ６
２Ｂの下限値まで液面が低下する。するとフロートセン
サ６２Ｂからの信号により制御装置９０が作動し、加圧
切換弁６１Ａ及び第３の切換弁３３がＯＮ状態となり、
第１の中間タンク２６内の現像液Ｄが第２の中間タンク
２６Ｂ内に供給される。そして、第２の中間タンク２６
Ｂの最大液面の上限値まで現像液Ｄが溜ると、フロート
センサ６２Ｂからの信号により制御装置９０が作動して
加圧切換弁６１Ａ及び第３の切換弁３３をＯＦＦにし、
第２の中間タンク２６Ｂへの現像液Ｄの供給を停止す
る。この第２の中間タンク２６Ｂへの現像液Ｄの供給は
現像液Ｄの被処理体表面への供給を行っていないタイミ
ングを見て行う。When the supply of the developing solution D is repeated as described above, the developing solution D in the second intermediate tank 26B decreases,
After that, the float sensor 6 in the second intermediate tank 26B
The liquid level drops to the lower limit of 2B. Then, the control device 90 is operated by a signal from the float sensor 62B, and the pressurization switching valve 61A and the third switching valve 33 are turned on,
The developer D in the first intermediate tank 26 is supplied to the second intermediate tank 26B. Then, the second intermediate tank 26
When the developer D accumulates to the upper limit value of the maximum liquid level of B, the control device 90 is operated by a signal from the float sensor 62B to turn off the pressure switching valve 61A and the third switching valve 33,
The supply of the developer D to the second intermediate tank 26B is stopped. The supply of the developing solution D to the second intermediate tank 26B is performed at a timing when the developing solution D is not supplied to the surface of the workpiece.
【００３６】上記のように第１の中間タンク２６Ａから
第２の中間タンク２６Ｂへの現像液Ｄの供給を繰り返し
行うと、第１の中間タンク２６Ａ内の現像液Ｄが減少
し、その後、第１の中間タンク２６Ａ内のフロートセン
サ６２Ａの下限値まで液面が低下する。するとフロート
センサ６２Ａからの信号により制御装置９０が作動して
第１の切換弁３１がＯＮ状態となり、タンク２２内の現
像液Ｄが第１の中間タンク２６Ａ内に供給され、第１の
中間タンク２６Ａ内の最大液面の上限値に達した時点
で、フロートセンサ６２Ａが作動して第１の切換弁３１
をＯＦＦ状態にし、現像液Ｄの供給が停止される。As described above, when the supply of the developing solution D from the first intermediate tank 26A to the second intermediate tank 26B is repeated, the developing solution D in the first intermediate tank 26A decreases, and thereafter, The liquid level drops to the lower limit of the float sensor 62A in the first intermediate tank 26A. Then, the control device 90 is operated by the signal from the float sensor 62A, the first switching valve 31 is turned on, the developer D in the tank 22 is supplied into the first intermediate tank 26A, and the first intermediate tank 26A is supplied to the first intermediate tank 26A. When the upper limit value of the maximum liquid level in 26A is reached, the float sensor 62A operates and the first switching valve 31
Is turned off, and the supply of the developer D is stopped.
【００３７】また、上記現像液の供給を行っていない時
点において、操作切換弁４２ｃ，４２ｅを操作して減圧
切換弁６０Ａ，６０Ｂを減圧側に切り換えると、減圧手
段２７の減圧作用によって第１及び第２の中間タンク２
６Ａ，２６Ｂ内が減圧されるので、上記第一実施形態に
比べて、より一層現像液ＤへのＮ2の溶け込みを防止す
ることができると共に、加圧圧力下でのＮ2ガスの現像
液中への溶存飽和量の低減及び減圧環境下での現像液Ｄ
からの溶存Ｎ2ガスの除去等を行うことができる。した
がって、現像液Ｄの成分が加圧気体であるＮ2の溶存に
よって損なわれることなく、適正な現像処理を行うこと
ができる。When the operation switching valves 42c and 42e are operated to switch the pressure reducing switching valves 60A and 60B to the pressure reducing side at the time when the developing solution is not supplied, the first and second pressure reducing means 27 reduce the pressure by the pressure reducing action. Second intermediate tank 2
Since the pressure in the insides 6A and 26B is reduced, the dissolution of N 2 into the developer D can be further prevented as compared with the first embodiment, and the N 2 gas developer under a pressurized pressure can be prevented. Developer D under reduced pressure environment and reduction of dissolved saturation
For example, removal of dissolved N 2 gas from the gas. Therefore, without component of the developing solution D is impaired by the dissolved in N 2 is pressurized gas, it is possible to perform a proper development processing.
【００３８】◎第三実施形態 図５はこの発明の処理液供給装置の第三実施形態の概略
構成図である。第三実施形態は上記タンク２２と供給ノ
ズル２１とを接続する供給管２５に中間タンク２６Ｃを
介設すると共に、中間タンク２６Ｃとタンク２２との間
に気泡除去手段としての脱泡用フィルタ８０を介設し、
かつ、脱泡用フィルタ８０とタンク２２との間に減圧手
段としての減圧用圧力調整弁８１を介設した場合であ
る。この場合、タンク２２には第１の加圧気体供給管２
３Ａを介してタンク２２内の現像液Ｄを圧送するための
第１のＮ2ガス供給源２４Ａが接続され、中間タンク２
６Ｃには第２の加圧気体供給管２３Ｂを介して中間タン
ク２６Ｃ内の現像液Ｄを供給ノズル２１側へ圧送するた
めの第２のＮ2ガス供給源２４Ｂが接続されている。ま
た、第１の加圧気体供給管２３Ａには圧力調整弁３０、
フィルタ２９ａ及び逆止弁２９ｂが介設されており、第
２の加圧気体供給管２３Ｂには圧力調整弁３０及びフィ
ルタ２９ａが介設されている。Third Embodiment FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a third embodiment of the processing liquid supply device of the present invention. In the third embodiment, an intermediate tank 26C is provided in a supply pipe 25 connecting the tank 22 and the supply nozzle 21, and a defoaming filter 80 as a bubble removing means is provided between the intermediate tank 26C and the tank 22. Intervening,
In this case, a depressurizing pressure adjusting valve 81 as depressurizing means is interposed between the defoaming filter 80 and the tank 22. In this case, the tank 22 is provided with the first pressurized gas supply pipe 2.
3A, a first N 2 gas supply source 24A for pumping the developer D in the tank 22 is connected, and the intermediate tank 2
6C is connected to a second N 2 gas supply source 24B for feeding the developer D in the intermediate tank 26C to the supply nozzle 21 side via a second pressurized gas supply pipe 23B. Further, a pressure regulating valve 30 is provided in the first pressurized gas supply pipe 23A.
A filter 29a and a check valve 29b are interposed, and a pressure regulating valve 30 and a filter 29a are interposed in the second pressurized gas supply pipe 23B.
【００３９】一方、中間タンク２６Ｃと脱泡用フィルタ
８０との間の供給管２５には切換弁３４が介設され、中
間タンク２６Ｃと供給ノズル２１の間の供給管２５には
フローメータ７１と切換弁３５が介設されている。なお
この場合、切換弁３４は図示しない操作用エアーライン
に介設される操作切換弁によって開閉動作し得るように
構成され、また切換弁３５はソレノイドによって開閉動
作し得るように構成されている。なお、これら切換弁３
４，３５の開閉動作は必しもこのようなエアーとソレノ
イドである必要はなく、両者を逆にしてもよく、あるい
は両者共エアーあるいはソレノイドによる開閉動作とし
てもよい。また、脱泡フィルタ８０の上部には排液管８
２が接続され、この脱泡フィルタ８０によって除去され
た気泡を含む現像液Ｄをドレン口から排出するようにな
っている。また、中間タンク２６Ｃ内にはこの中間タン
ク２６Ｃ内に供給される現像液Ｄの最大液面の上限及び
下限と最小液面の上限及び下限を検出するフロートセン
サ６２Ｃが配設されている。このフロートセンサ６２Ｃ
の検出信号は制御装置９０に伝達され、制御装置９０か
らの信号に基づいて切換弁３４，３５等が開閉動作し得
るように構成されている。On the other hand, a switching valve 34 is provided in the supply pipe 25 between the intermediate tank 26C and the defoaming filter 80, and a flow meter 71 is provided in the supply pipe 25 between the intermediate tank 26C and the supply nozzle 21. A switching valve 35 is provided. In this case, the switching valve 34 is configured to be able to open and close by an operation switching valve provided on an operating air line (not shown), and the switching valve 35 is configured to be able to open and close by a solenoid. These switching valves 3
The opening and closing operations of the valves 4 and 35 are not necessarily required to be performed by the air and the solenoid, and both may be reversed or both may be opened and closed by the air or the solenoid. The drainage pipe 8 is located above the defoaming filter 80.
2 is connected, and the developing solution D containing bubbles removed by the defoaming filter 80 is discharged from the drain port. In the intermediate tank 26C, a float sensor 62C for detecting an upper limit and a lower limit of the maximum liquid level of the developer D supplied to the intermediate tank 26C and an upper limit and a lower limit of the minimum liquid level are provided. This float sensor 62C
Is transmitted to the control device 90, and the switching valves 34, 35 and the like can be opened and closed based on the signal from the control device 90.
【００４０】なお、上記説明では、中間タンク２６Ｃ内
の現像液Ｄを供給ノズル２１側へ圧送する手段をタンク
２２へのＮ2ガス供給源２４Ａとは別のＮ2ガス供給源２
４Ｂにて行っているが、上記第一実施形態及び第二実施
形態と同様に共通のＮ2ガス供給源２４にて行うように
してもよい。[0040] In the above description, the intermediate tank 26C developer another N 2 gas supply source and the N 2 gas supply source 24A of the means for pumping the feed nozzle 21 side D into the tank 22 in the 2
Although the process is performed in 4B, the process may be performed in the common N 2 gas supply source 24 as in the first and second embodiments.
【００４１】次に、第三実施形態の動作について説明す
る。まず、切換弁３４をＯＮすなわち“開”状態に切り
換えてＮ2ガス供給源２４ＡからＮ2ガス（加圧力：大気
圧＋１Ｋｇ／ｃｍ2）をタンク２２内に送入すると、タ
ンク２２内の現像液Ｄが送り出されて、減圧用圧力調整
弁８１によって例えば大気圧＋０．５Ｋｇ／ｃｍ2に減
圧されると共に、現像液Ｄ中に溶け込んだＮ2の微細な
気泡が成長して大きくなり、脱泡フィルタ８０に供給さ
れる。脱泡フィルタ８０を通過する際、現像液Ｄに溶け
込んだＮ2は現像液Ｄから除去され、この除去されたＮ2
を含む現像液Ｄは排液管８２を介してドレン口から排出
される。一方、気泡が除去された現像液Ｄは中間タンク
２６Ｃ内に供給され、中間タンク２６Ｃ内に供給される
現像液Ｄが所定量に達すると、フロートセンサ６２Ｃか
らの信号により制御装置９０が作動して切換弁３４をＯ
ＦＦにして現像液Ｄの供給が停止される。Next, the operation of the third embodiment will be described. First, by switching the switching valve 34 to ON or "open" state N 2 gas supply source 24A from N 2 gas: When fed to (pressure atmospheric pressure + 1Kg / cm 2) the tank 22, the developer in the tank 22 The liquid D is sent out, and the pressure is reduced to, for example, the atmospheric pressure + 0.5 kg / cm 2 by the pressure-reducing pressure adjusting valve 81. At the same time, fine bubbles of N 2 dissolved in the developer D grow and become large, It is supplied to the foam filter 80. When passing through the defoaming filter 80, the N 2 dissolved in the developer D is removed from the developer D, and the removed N 2
Is discharged from a drain port through a drain pipe 82. On the other hand, the developer D from which bubbles have been removed is supplied into the intermediate tank 26C, and when the developer D supplied to the intermediate tank 26C reaches a predetermined amount, the control device 90 is activated by a signal from the float sensor 62C. Switch valve 34 to O
The supply of the developer D is stopped at FF.
【００４２】供給ノズル２１から被処理体表面すなわち
ウエハＷ上に現像液Ｄを供給するには、第２の加圧気体
供給管２４Ｂには常時Ｎ2ガスが加圧（大気圧＋１Ｋｇ
／ｃｍ2）されているので、切換弁３５を一定時間ＯＮ
すなわち“開”状態にすることで、中間タンク２６Ｃ内
に貯留された現像液Ｄの所定量を供給ノズル２１からウ
エハＷ上に供給することができる。供給ノズル２１から
の供給を停止する場合は切換弁３５をＯＦＦ状態にすれ
ばよい。In order to supply the developing solution D from the supply nozzle 21 onto the surface of the object to be processed, ie, onto the wafer W, the second pressurized gas supply pipe 24B is constantly pressurized with N 2 gas (atmospheric pressure + 1 kg).
/ Cm 2 ), the switching valve 35 is turned on for a certain time.
That is, a predetermined amount of the developer D stored in the intermediate tank 26 </ b> C can be supplied from the supply nozzle 21 onto the wafer W by setting the “open” state. When the supply from the supply nozzle 21 is stopped, the switching valve 35 may be turned off.
【００４３】上記のようにして現像液Ｄの供給を繰り返
すと、中間タンク２６Ｃ内の現像液Ｄが減少し、その
後、中間タンク２６Ｃ内のフロートセンサ６２Ｃの下限
値まで液面が低下する。するとフロートセンサ６２Ｃか
らの信号により制御装置９０が作動し切換弁３４がＯＮ
状態となり、タンク２１内の現像液Ｄが上述したように
減圧用圧力調整弁８１により減圧されると共に、脱泡フ
ィルタ８０により脱泡された後、中間タンク２６Ｃ内に
供給される。以下、上述したと同様の動作を繰り返して
現像液ＤのウエハＷ上への供給を行うことができる。When the supply of the developer D is repeated as described above, the amount of the developer D in the intermediate tank 26C decreases, and thereafter, the liquid level decreases to the lower limit of the float sensor 62C in the intermediate tank 26C. Then, the control device 90 is operated by the signal from the float sensor 62C, and the switching valve 34 is turned on.
In this state, the developer D in the tank 21 is depressurized by the depressurizing pressure adjusting valve 81 and defoamed by the defoaming filter 80 as described above, and then supplied into the intermediate tank 26C. Hereinafter, the same operation as described above can be repeated to supply the developer D onto the wafer W.
【００４４】上記のようにタンク２２から送り出される
現像液Ｄの加圧力を減圧して現像液Ｄ中のＮ2ガスを成
長させて大きくした後、脱泡フィルタ８０を通過させる
ことにより気泡を除去して中間タンク２６Ｃに貯留する
ことができるので、現像液Ｄ中のＮ2の除去とウエハＷ
上への現像液Ｄの供給とを同時に行うことができると共
に、連続して現像液Ｄ中に溶存するＮ2を除去してウエ
ハＷ上への供給を可能にすることができる。As described above, the pressure of the developing solution D sent from the tank 22 is reduced to grow and increase the N 2 gas in the developing solution D, and then the bubbles are removed by passing through the defoaming filter 80. And stored in the intermediate tank 26C, so that N 2 in the developer D can be removed and the wafer W can be removed.
The supply of the developer D onto the wafer W can be performed at the same time, and N 2 dissolved in the developer D can be continuously removed to enable the supply onto the wafer W.
【００４５】◎その他の実施形態 上記第二実施形態では、中間タンクの数を２個とした場
合について説明したが、中間タンクの数を３個以上設け
てもよく、中間タンクの数が増えれば増える程、脱気効
率の効果を上げることができる。Other Embodiments In the second embodiment described above, the case where the number of intermediate tanks is two has been described. However, three or more intermediate tanks may be provided, and if the number of intermediate tanks increases, As the number increases, the effect of the deaeration efficiency can be improved.
【００４６】また、上記実施形態では、この発明の処理
液供給装置を半導体ウエハの塗布・現像処理システムに
適用した場合について説明したが、半導体ウエハ以外の
ＬＣＤ基板等の被処理体に現像液を供給する場合にも適
用できることは勿論である。更に、上記実施形態では処
理液として現像液の例について説明したが、処理液はこ
れに限らず例えばレジスト液、現像液やレジスト液の溶
剤として使用されるシンナー液等においても同様に適用
することができる。In the above embodiment, the case where the processing liquid supply apparatus of the present invention is applied to a semiconductor wafer coating / developing processing system has been described. However, the developing liquid is supplied to an object to be processed such as an LCD substrate other than the semiconductor wafer. Of course, it can be applied to the case of supplying. Further, in the above embodiment, the example of the developing solution is described as the processing solution. However, the processing solution is not limited to this, and may be similarly applied to, for example, a resist solution, a thinner solution used as a solvent for the developing solution or the resist solution. Can be.
【００４７】[0047]
【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、加圧気体を用いて供給手段から被処理体表面に処理
液を供給する途中において、処理液中に溶け込んだ加圧
用気体を除去した状態で処理液を中間タンクに貯留する
ことができ、この中間タンクに加圧気体を送入して送り
出し、供給手段から被処理体表面に供給することができ
るので、処理液が加圧気体によって処理液が被処理体表
面において泡立ち、均一処理不可能になったり、処理液
の成分を損なうことなく、被処理体表面に供給すること
ができ、しかも、所定の加圧によって処理液の供給を行
うことができる。したがって、処理能率の向上を図るこ
とができると共に、歩留まりの向上を図ることができ
る。As described above, according to the present invention, during the supply of the processing liquid from the supply means to the surface of the workpiece using the pressurized gas, the pressurizing gas dissolved in the processing liquid is removed. The processing liquid can be stored in the intermediate tank in a state where the processing liquid is removed, and pressurized gas can be fed into and out of the intermediate tank, and supplied to the surface of the workpiece from the supply means. The processing liquid is bubbled on the surface of the object to be processed by the gas and can be uniformly supplied to the surface of the object to be processed without making the processing impossible or harming the components of the processing liquid. Supply can be made. Therefore, the processing efficiency can be improved, and the yield can be improved.
【図１】この発明に係る処理液供給装置を適用した半導
体ウエハの塗布・現像システムの一例を示す斜視図であ
る。FIG. 1 is a perspective view showing an example of a semiconductor wafer coating / developing system to which a processing liquid supply device according to the present invention is applied.
【図２】この発明に係る処理液供給装置を具備する現像
装置の概略断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view of a developing device provided with a processing liquid supply device according to the present invention.
【図３】この発明に係る処理液供給装置の第一実施形態
の概略構成図である。FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a first embodiment of a processing liquid supply device according to the present invention.
【図４】この発明に係る処理液供給装置の第二実施形態
の概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a processing liquid supply device according to a second embodiment of the present invention.
【図５】この発明に係る処理液供給装置の第三実施形態
の概略構成図である。FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a third embodiment of a processing liquid supply device according to the present invention.
【図６】従来の脱気機構の一例を示す概略断面図であ
る。FIG. 6 is a schematic sectional view showing an example of a conventional deaeration mechanism.
２１ 供給ノズル（供給手段） ２２ タンク ２３ 加圧気体供給管 ２４，２４Ａ，２４Ｂ Ｎ2ガス供給源（気体供給源） ２５ 供給管 ２６，２６Ｃ 中間タンク ２６Ａ 第１の中間タンク ２６Ｂ 第２の中間タンク ２７ 減圧手段 ３１ 第１の切換弁（切換手段） ３２ 第２の切換弁（切換手段） ３３ 第３の切換弁（切換手段） ３４，３５ 切換弁（切換手段） ６０，６０Ａ，６０Ｂ 減圧用切換弁（減圧用切換手
段） ６１，６１Ａ，６１Ｂ 加圧用切換弁 ６２，６２Ａ，６２Ｂ フロートセンサ（検出手段） ７０ 減圧用圧力調整弁（圧力調整手段） ７２ 脱気モジュール（脱気機構） ８０ 脱泡用フィルタ（気泡除去手段） ８１ 減圧用圧力調整弁（減圧手段） ９０ 制御装置（制御手段） Ｄ 現像液（処理液）Reference Signs List 21 supply nozzle (supply means) 22 tank 23 pressurized gas supply pipe 24, 24A, 24B N 2 gas supply source (gas supply source) 25 supply pipe 26, 26C intermediate tank 26A first intermediate tank 26B second intermediate tank 27 pressure reducing means 31 first switching valve (switching means) 32 second switching valve (switching means) 33 third switching valve (switching means) 34, 35 switching valve (switching means) 60, 60A, 60B pressure reducing switch Valve (switching means for pressure reduction) 61, 61A, 61B Switching valve for pressurization 62, 62A, 62B Float sensor (detection means) 70 Pressure control valve for pressure reduction (pressure control means) 72 Deaeration module (deaeration mechanism) 80 Defoaming Filter (bubble removing means) 81 Pressure reducing valve for pressure reduction (pressure reducing means) 90 Control device (control means) D Developer (processing liquid)
Claims (5)
て処理液を送り出し、送り出された処理液を供給手段を
介して被処理体表面へ供給する処理液供給方法におい
て、 上記タンクに大気圧より高圧の圧力で加圧された気体を
送入して上記タンク内の処理液を中間タンク内に供給す
る工程と、上記処理液を上記供給手段から被処理体表面に供給して
いないときに、 上記中間タンク内を減圧して処理液中に
溶け込む気体を除去する工程と、 上記中間タンク内に加圧された気体を送入して処理液を
送り出し、上記供給手段から被処理体表面へ供給する工
程と、 を有することを特徴とする処理液供給方法。1. A processing liquid supply method for supplying a gas to a tank containing a processing liquid, sending out the processing liquid, and supplying the sent processing liquid to the surface of the object to be processed through a supply unit. A step of supplying a gas pressurized at a pressure higher than the atmospheric pressure to supply the processing liquid in the tank to the intermediate tank, and supplying the processing liquid from the supply means to the surface of the object to be processed.
When no said removing the intermediate tank gas blend into the treatment liquid under reduced pressure, and to feed the processing liquid pumped pressurized gas into said intermediate tank, treated from the supply means Supplying a treatment liquid to a body surface.
て処理液を送り出し、送り出された処理液を供給手段を
介して被処理体表面へ供給する処理液供給方法におい
て、 上記タンクに大気圧より高圧の第１の圧力で加圧された
気体を送入して上記タンク内の処理液を第１の中間タン
ク内に供給する工程と、上記処理液を上記供給手段から被処理体表面に供給して
いないときに、 上記第１の中間タンク内を減圧して処理
液中に溶け込む気体を除去する工程と、 上記第１の中間タンク内に上記第１の圧力より減圧さ
れ、かつ大気圧より高圧の第２の圧力で加圧された気体
を送入して第１の中間タンク内の処理液を第２の中間タ
ンク内に供給する工程と、上記処理液を上記供給手段から被処理体表面に供給して
いないときに、 上記第２の中間タンク内を減圧して処理
液中に溶け込む気体を除去する工程と、 上記第２の中間タンク内に加圧された気体を送入して処
理液を送り出し、上記供給手段から被処理体表面へ供給
する工程と、 を有することを特徴とする処理液供給方法。2. A processing liquid supply method for supplying a gas to a tank containing the processing liquid, sending out the processing liquid, and supplying the sent processing liquid to the surface of the object to be processed through a supply unit. A step of feeding a gas pressurized at a first pressure higher than the atmospheric pressure to supply the processing liquid in the tank to the first intermediate tank; and supplying the processing liquid from the supply means to the object to be processed. Supply to the surface
When the pressure is lower than the first pressure in the first intermediate tank and the pressure is higher than the atmospheric pressure in the first intermediate tank; Supplying the gas pressurized at the second pressure and supplying the processing liquid in the first intermediate tank into the second intermediate tank; and supplying the processing liquid from the supply means to the surface of the object to be processed. Supply
When not, a step of reducing the pressure in the second intermediate tank to remove gas dissolved in the processing liquid, and sending out the processing liquid by feeding the pressurized gas into the second intermediate tank, Supplying a process liquid from the supply means to the surface of the object to be processed.
に接続する気体供給源と、上記タンクに供給管を介して
接続し処理液を被処理体表面へ供給する供給手段とを具
備する処理液供給装置において、 上記タンクと供給手段との間に、その流入側及び流出側
にそれぞれ切換手段を介して中間タンクを介設し、 上記中間タンクに減圧用切換手段を介して減圧手段を接
続すると共に、上記気体供給源を接続し、 上記気体供給源より上記タンク内、上記中間タンク内に
大気圧より高い圧力で加圧された気体をそれぞれ送入し
て上記タンク内、上記中間タンク内の処理液をそれぞれ
送出するように構成し、 上記中間タンクに、この中間タンク内の処理液の状態を
検出する検出手段を配設し、 上記検出手段からの信号により作動する制御手段に基づ
いて上記減圧切換手段を動作させるようにした、 ことを特徴とする処理液供給装置。3. A processing apparatus comprising: a tank for storing a processing liquid; a gas supply source connected to the tank; and a supply unit connected to the tank via a supply pipe and configured to supply the processing liquid to the surface of the workpiece. In the liquid supply device, an intermediate tank is provided between the tank and the supply means on the inflow side and the outflow side thereof via switching means, respectively, and a pressure reducing means is connected to the intermediate tank via a pressure reducing switching means. At the same time, the gas supply source is connected, and a gas pressurized at a pressure higher than the atmospheric pressure is fed into the tank and the intermediate tank from the gas supply source, respectively, and the inside of the tank and the inside of the intermediate tank The intermediate tank is provided with a detecting means for detecting a state of the processing liquid in the intermediate tank, based on a control means operated by a signal from the detecting means. And so as to operate said vacuum switching means, the process liquid supply apparatus characterized by.
に接続する気体供給源と、上記タンクに供給管を介して
接続し処理液を被処理体表面へ供給する供給手段とを具
備する処理液供給装置において、 上記タンクと供給手段との間に、その流入側及び流出側
にそれぞれ切換手段を介して第１の中間タンクと第２の
中間タンクを介設し、 上記第１の中間タンクに減圧用切換手段を介して減圧手
段を接続すると共に、 圧力調整手段を介して上記気体供給源を接続し、 上記第２の中間タンクに減圧用切換手段を介して減圧手
段を接続すると共に、上記気体供給源を接続し、 上記気体供給源より上記タンク内、上記第１の中間タン
ク内、上記第２の中間タンク内に大気圧より高い圧力で
加圧された気体をそれぞれ送入して上記タンク内、上記
第１の中間タンク内、上記第２の中間タンク内の処理液
をそれぞれ送出するように構成し、 上記第１及び第２の中間タンクに、これら中間タンク内
の処理液の状態を検出する検出手段を配設し、 上記検出手段からの信号により作動する制御手段に基づ
いて上記減圧切換手段を動作させるようにした、 ことを特徴とする処理液供給装置。4. A processing apparatus comprising: a tank for storing a processing liquid; a gas supply source connected to the tank; and a supply unit connected to the tank via a supply pipe and configured to supply the processing liquid to the surface of the workpiece. In the liquid supply device, a first intermediate tank and a second intermediate tank are provided between the tank and the supply means via switching means on the inflow side and the outflow side, respectively, and the first intermediate tank is provided. And a gas pressure source connected via a pressure adjusting means, and a pressure reducing means connected to the second intermediate tank via a pressure reducing switching means. The gas supply source is connected, and the gas pressurized at a pressure higher than the atmospheric pressure is sent from the gas supply source into the tank, the first intermediate tank, and the second intermediate tank, respectively. In the tank, the first The processing liquid in the intermediate tank and the processing liquid in the second intermediate tank are respectively sent out, and the first and second intermediate tanks are provided with detection means for detecting the state of the processing liquid in these intermediate tanks. Wherein the pressure reducing switching means is operated based on control means operated by a signal from the detecting means.
て、 第１の中間タンクと第２の中間タンクとの間に脱気機構
を介設してなることを特徴とする処理液供給装置。5. The processing liquid supply device according to claim 4 , wherein a degassing mechanism is interposed between the first intermediate tank and the second intermediate tank.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26087095A JP3259160B2 (en) | 1995-09-13 | 1995-09-13 | Treatment liquid supply method and treatment liquid supply device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26087095A JP3259160B2 (en) | 1995-09-13 | 1995-09-13 | Treatment liquid supply method and treatment liquid supply device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0975704A JPH0975704A (en) | 1997-03-25 |
| JP3259160B2 true JP3259160B2 (en) | 2002-02-25 |
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ID=17353901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
| Country | Link |
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Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101326667B1 (en) * | 2006-11-28 | 2013-11-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | Coating liquid supplying device for coating liquid supplying system using thereof |
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1995
- 1995-09-13 JP JP26087095A patent/JP3259160B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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