JP3257010B2

JP3257010B2 - パターン検査方法及び装置

Info

Publication number: JP3257010B2
Application number: JP00058592A
Authority: JP
Inventors: 俊二前田; 仁志窪田; 坦牧平; 高志広井
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1992-01-07
Filing date: 1992-01-07
Publication date: 2002-02-18
Anticipated expiration: 2017-02-18
Also published as: JPH05182887A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は被検査パターンの欠陥を
検出する外観検査装置に係り、特に半導体ウェハや液晶
ディスプレイなどのパターンの外観検査に好適なパター
ン検出、比較方法、及び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の検査装置は特開昭５９−
１９２９４３号に記載のように、被検査パターンを等速
度で移動させつつ、ラインセンサ等の撮像素子により被
検査パターンの画像を検出し、検出した画像信号と一定
の時間遅らせた画像信号との位置ずれを定めた時間ごと
に補正してこれらを比較することにより、不一致を欠陥
として認識するものであった。ラインセンサとしては、
１次元のＣＣＤラインセンサや最近では時間遅延積分型
(Ｔime Ｄelay Ｉntegration)ＣＣＤイメージセンサが
使われており、比較的高い倍率の対物レンズを介して対
象パターンの像を検出している。なお、ＴＤＩイメージ
センサは、複数の１次元イメージセンサを２次元に配列
した構造を有し、各１次元イメージセンサの出力を定め
た時間遅延しては対象の同一位置を撮像した隣接する１
次元イメージセンサの出力と加算していくことにより、
検出光量の増加を図ったものである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような構
成では、不一致として検出した欠陥が異物なのか、また
は形状欠陥など異物以外なのかを判断することができな
い。検出欠陥が異物ならば装置の清掃など異物発生に適
切に対応した対策が打てるが、判断できなければ適切な
対策も実施できない。

【０００４】また、対象とするパターンが多層パターン
である場合は、各層が重なりあい、高段差や凹凸を有す
る結果、高倍の対物レンズでは焦点深度が不足し、イメ
ージセンサに結像する狭い範囲のパターンしか像として
検出されず、ほかの大部分はぼけてしまうという欠点が
あった。従って、従来法では焦点が合った１部のパター
ンしか正確に検査されず、焦点が合わないほかの大部分
のパターンは欠陥の検出感度が低く、信頼性の高い検査
を実現することはできなかった。

【０００５】本発明の目的は、検出した欠陥を異物かど
うか識別して検査可能な外観検査方法及び装置を提供す
ることにある。

【０００６】また、本発明の他の目的は、１層或いは多
層パターンを対象に信頼性の高い検査を行うため、高段
差のパターンでも正確に焦点の合った高精度な画像検
出、及び高感度な比較を実現する外観検査方法及び装置
を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】このため、本発明では次
のような考えを実現することで上記目的を達成した。

【０００８】欠陥検出後、検出した欠陥位置を異物検
出手段で検査する。この検出結果を基に欠陥が異物かど
うかを識別する。

【０００９】欠陥検出は、複数の１次元イメージセン
サを２次元に配列した構造を有し、各１次元イメージセ
ンサの出力を定めた時間遅延しては対象の同一位置を撮
像した隣接する１次元イメージセンサの出力と加算して
いく機能を有するＴＤＩイメージセンサと称されるイメ
ージセンサを使用する。イメージセンサは斜めに傾けて
配置し、共焦点の結像光学系によりパターンをイメージ
センサに結像させ、この出力信号を基準信号と比較す
る。

【００１０】上記及び(或いは)により高精度な画
像を検出して欠陥を検出し、検出した位置で異物かどう
かの識別を行う。

【００１１】

【作用】上記した手段によれば、欠陥検出だけでなく
異物検出も行うので、異物のみを抽出して検出できる。
従って、欠陥が異物かどうか判断できる。さらに、異物
検出は検出した欠陥位置でのみ行うので、従来の試料面
全面に対して行う異物検査に比べ、検出条件などを最適
化でき、より高精度に異物のみを検出できる。従って、
異物かどうかの判断もより信頼性高く行うことが可能に
なる。

【００１２】上記したによれば、ＴＤＩイメージセン
サ内部の各１次元イメージセンサは光軸に垂直な方向で
少しづつ異なる位置(Ｚ位置)に結像する。このため、対
象に高段差や凹凸があってもいずれかの１次元イメージ
センサ面に対象が結像し、その結果鮮明な、大きな振幅
の信号出力が得られる。欠陥の有無は、いずれかの１次
元イメージセンサ出力の値に反映される。ＴＤＩイメー
ジセンサのもつ信号の加算機能によって、この鮮明な大
振幅の信号と他のぼけた小振幅の信号が加算される。こ
れらの加算信号が比較されるが、欠陥を捕らえたいずれ
かの１次元イメージセンサ出力信号はぼけることなく振
幅が大きく、正常部との違いが大きいため、加算された
信号を比較すれば欠陥の存在を検出することが可能であ
る。これらの結果として、各層が重なって凹凸のできた
多層パターンでも、各層に焦点の合った高精度なパター
ン検出と高い感度の比較が短時間でできる。従って、従
来にくらべ飛躍的に欠陥検出性能を向上させることがで
きる。

【００１３】

【実施例】以下本発明の実施例を説明する。図１０は本
発明の１実施例を示すパターン検査装置である。図１０
において、被検査パターンであるＬＳＩウェハ１を対物
レンズ４を介してイメージセンサ５及び５４により検出
可能にするとともに、ＸＹテーブル６によりＬＳＩウェ
ハ１をイメージセンサ５及び５４の走査と直交する方
向、即ちＸ方向に移動させることによって被検査パター
ンを２次元の画像として検出可能にしている。なお、Ｌ
ＳＩウェハ１は照明用ランプ３により照明されている。
イメージセンサ５の出力画像信号は、後で詳述する欠陥
検出手段６０に入力され、ウェハ上の欠陥が検出され
る。欠陥検出手段６０の出力は、欠陥位置などの欠陥情
報である。欠陥が検出されると、欠陥の位置情報をもと
に欠陥位置にＸＹテーブル６を位置決めする。

【００１４】欠陥位置では、後で詳述する異物検出手段
６２により、検出した欠陥位置で異物検出を行う。異物
が検出されると、先に検出した欠陥は異物であったと判
断される。また、異物が検出されなければ、先に検出し
た欠陥は形状欠陥や変色であったと判断される。上記例
では、欠陥検出と異物検出を共通のＸＹテーブル６によ
り行ったが、異なるＸＹテーブルにより別個に行っても
よい。

【００１５】図１１は、本発明の欠陥検出に関して、そ
の構成と動作を詳しく説明する図である。同図におい
て、Ｓ偏光レーザ５２ａ，５２ｂにより、Ｓ偏光レーザ
光をウェハ１上に角度ψで照射する。ψは約１度であ
る。ここで、照射レーザ光とウェハ法線のなす面に、垂
直に振動する偏光をＳ偏光、平行に振動する偏光をＰ偏
光と呼ぶ。このとき、ウェハ上の回路パターンのうち低
段差のものは、その散乱光は偏光方向が変化せず、実線
で示すＳ偏光のまま対物レンズ４のほうに進むが、異物
或いは高段差の回路パターンに当たったレーザ光は偏光
方向が変化するため、点線で示すＰ偏光成分を多く含ん
でいる。そこで、対物レンズ４の後方にＳ偏光を遮断す
る偏光板５３を設け、これを通過した光をイメージセン
サ５４で検出することにより、異物及び高段差の回路パ
ターンエッジからの散乱光を検出する。この散乱光信号
をＡ／Ｄ変換器５５によりディジタル信号に変換する。
検出した信号と、隣のチップの対応する箇所の信号を検
出し画像メモリ５６に記憶してこの信号と比較する。位
置合わせ回路５７でこれらの信号を位置合わせし、差信
号検出回路５８で差信号を検出する。高段差の回路パタ
ーンエッジからの散乱光信号は二つの信号に共通に含ま
れるので、差信号には異物からの散乱光信号だけが含ま
れる。この差信号を２値化回路５９により２値化するこ
とにより異物が検出できる。従って、欠陥検出だけでな
く異物検出も行うので、異物のみを抽出して検出でき
る。これにより、欠陥が異物かどうか判断できる。さら
に、異物の検出は検出した欠陥位置でのみ行うので、従
来の試料面全面に対して行う異物検査に比べ、検出条
件、例えば上記角度ψなどを最適化でき、より高精度に
異物のみを検出できる。上記例では、欠陥と判明した位
置と正常であると判明した位置での比較になるので、異
物かどうかの判断をより信頼性高く行うことが可能にな
る。

【００１６】図１は本発明の欠陥検出に関して、その構
成と動作を詳しく説明する図である。同図において、５
は時間遅延積分型(Ｔime Ｄelay Ｉntegration)ＣＣＤ
イメージセンサであり、このＴＤＩイメージセンサは複
数の１次元イメージセンサを２次元に配列した構造を有
し、各１次元イメージセンサの出力を定めた時間遅延し
ては対象の同一位置を撮像した隣接する１次元イメージ
センサの出力と加算していくことにより、検出光量の増
加を図ったものである。この種のＴＤＩイメージセンサ
としてカナダ国のダルサ社製のものや米国レチコン社の
ものがある。このＴＤＩイメージセンサ５を、同図に示
すように光軸に垂直な面に対しθだけ傾けて配置する。
傾ける向きは、ＴＤＩイメージセンサの中心を支点にし
て内部の複数１次元イメージセンサの長手方向(Ｙ方向)
と直交する方向とする。傾ける量は対象の凹凸に対応す
る量とする。このように傾けて配置したＴＤＩイメージ
センサのたとえば内部の１次元イメージセンサの走査を
Ｙ方向の走査に一致させ、これにより、被検査パターン
であるＬＳＩウェハ１を対物レンズ４を介して１次元に
検出可能にするとともに、ＸＹテーブル６によりＬＳＩ
ウェハ１を上記ＴＤＩイメージセンサ５の主走査と直交
する方向、即ちＸ方向に移動させることによって被検査
パターンを２次元の画像として検出可能にしている。Ｘ
Ｙテーブル６にはリニアスケール８が搭載されており、
ウェハの実際の位置を正確に検出できる。タイミング発
生回路９によりリニアスケール８の出力信号から画素を
示すスタートタイミング信号を発生し、ＴＤＩイメージ
センサ５はこのスタートタイミング信号により一定距離
移動するたびに駆動される。例えば、画素寸法が０.１
５μｍである場合、ウェハがＸ方向に０.１５μｍだけ
移動するたびにスタートタイミング信号を発生させ、イ
メージセンサを駆動する。

【００１７】上記した構成において、図２に位置関係を
示すようにＴＤＩイメージセンサ内部の各１次元イメー
ジセンサ５-１〜５-ｍは光軸に垂直な方向で少しづつ異
なる位置(Ｚ位置)に結像させるべくＴＤＩイメージセン
サを傾けて配置する。このとき、ＴＤＩイメージセンサ
の前方にピンホールを有する回転ディスク３５及び光路
長変換素子３６を配置する。回転ディスク３５にはピン
ホールが多数、例えば２０万個あけられており、ディス
クを高速に回転させる。ピンホールの径は例えば２０ミ
クロンである。このピンホールは、共焦点の作用をす
る。即ち、ピンホールを通った照明光はパターン上に結
像し、パターンからの反射光はピンホールに焦点を結
ぶ。ディスクが高速に回転することにより、ＴＤＩイメ
ージセンサ上のすべての位置にパターンが結像する。光
路長変換素子３６は、ＴＤＩイメージセンサ内部の各１
次元イメージセンサに対して異なる光路長を与えるもの
である。回転ディスク３５及び光路長変換素子３６によ
って、１次元イメージセンサ５-ｋは時刻ＴｉでＡ層上
面に結像する。ＬＳＩウェハ１がＸ方向に移動すると、
時刻Ｔｊでは隣接する１次元イメージセンサに上記Ａ層
上面からＺ方向にずれた位置、即ち焦点がはずれて結像
する。この場合、共焦点の作用により検出される光量は
ピンホールに焦点を結ばず、ピンホールにさえぎられて
僅かになる。このように各１次元イメージセンサに対象
の同一位置(Ｘ位置)が少しずつＺ方向にずれた位置で検
出され、焦点のあっていないパターンは検出信号に寄与
しない。対象に高段差や凹凸がある場合、いずれかの１
次元イメージセンサ面に対象が結像するので、その結
果、鮮明な大きな振幅の信号出力が得られ、欠陥の有無
はいずれかの１次元イメージセンサ出力の値に反映され
る。ＴＤＩイメージセンサのもつ信号の加算機能によっ
て、これらすべての信号が加算される。図３(ａ)に示す
ように対象が３層のパターンの場合、最も下層にパター
ン欠陥があった場合、従来は例えば中間層のみに焦点が
合っており、図３(ｂ)のように中間層のパターンのみが
検出信号波形のコントラストがおおきかったが、本発明
では３層すべてが同等のコントラストを示す。従って、
下層に欠陥がある場合、従来は図３(ｂ)のようにコント
ラストが小さく正常部との違いが明確でなかったが、本
発明では図３(ｃ)のように正常部との違いを明確にする
ことができる。

【００１８】図１において、上記ＴＤＩイメージセンサ
５は例えば８個の複数画像信号を並列に出力する。これ
らの複数の出力信号は遅延メモリ７によりウェハ１を１
チップ分移動する時間だけ遅らせる。これにより、ＴＤ
Ｉイメージセンサ５の出力信号と遅延メモリ７の出力信
号は、隣接するチップ２ａと２ｂの画像信号に相当す
る。これらの複数の出力信号を、並列に各Ｃhannelごと
に比較し、欠陥を高速に検出する。次に、１channel分
の処理内容を説明する。画像信号をエッジ検出回路11
a、11bに入力し被検査パターンのパターンエッジを検出
する。エッジ検出回路11a、11bは、例えば暗いパターン
エッジを検出する微分オペレータが搭載される。そし
て、２値化回路12a、12bで上記検出されたパターンエッ
ジが２値化される。次に、22は不一致検出回路であり、
図４に示す如き構成をしている。即ち、不一致検出回路
22は、一方の２値化回路12aの出力から画像信号をＴＤ
Ｉイメージセンサの１走査分遅延させるシフトレジスタ
26a〜26ｆ及びシリアルイン・パラレルアウトのシフト
レジスタ27a〜27ｇにより７×７画素(範囲は任意)の２
次元局部画像を切り出す。また他方の２値化回路12bの
出力は、上記と同様のシフトレジスタ28a〜28ｃ、及び2
9により遅延させ、その出力を上記２次元局部画像の中
心位置と同期させている。ついで、上記シフトレジスタ
29の出力と、上記局部画像の各ビット出力をＥＸＯＲ回
路30a〜30ｎで排他的論理和をとって不一致画素を検出
し、カウンタ31a〜30ｎでこの不一致画素の個数を計算
する。またこのカウンタ31a〜31ｎは上記ＴＤＩイメー
ジセンサ５のＮ走査毎にゼロクリアして、その直前に値
を読み出して上記ＴＤＩイメージセンサ５の画素数Ｍと
走査数Ｎとの相乗積のエリアＭ×Ｎ内での不一致画素が
わかるようにしている。上記局部画像の各ビット出力は
上記シフトレジスタ29の出力に対してＸ、Ｙ方向に±３
画素の範囲で、１画素毎にシフトされたものであるか
ら、上記カウンタ31a〜31ｎではＸ、Ｙ方向に±３画素
入力パターンをシフトしたときの、各シフト量における
不一致画素数がカウントされる。従って、最小値や極小
値など不一致画素数が特徴的な値をもつカウンタがどれ
かを調べれば、画像の不一致が小さい最適な位置合せが
可能になる。勿論、不一致画素数が定めた値より小さい
カウンタを求め、満たすものを最適な位置としてもよ
い。

【００１９】上記のようにしてカウンタ31a〜31nがＸ、
Ｙ方向に±３画素入力パターンをシフトしたときの各シ
フト量における不一致画素数をカウントしたとき、最小
値検出回路32がカウントした値を読み出し、最小値や極
小値をもつカウンタを選択して、上記ＴＤＩイメージセ
ンサ５がＹ方向に走査するシフト量34a、34bと、これと
直角なＸ方向に走査するシフト量33a、33bとを出力す
る。

【００２０】23a、23bは遅延回路であり、上記ＴＤＩイ
メージセンサ５の内部１次元イメージセンサの画素数Ｍ
と位置合せに要する上記ＴＤＩイメージセンサ５の走査
回数Ｎとの相乗積に相当するエリアＭ×Ｎ内の上記レジ
スタにより構成され、上記２値化回路12a、12bよりの出
力を遅延させるようにしている。

【００２１】24は位置合せ回路であり、図５に示すよう
に、上記最小値検出回路32から上記ＴＤＩイメージセン
サ５のＸ方向に走査するときのシフト量33a、33bが選択
回路35に入力されたとき、該選択回路35が上記一方の遅
延回路23a及び上記ＴＤＩイメージセンサ５の一走査分
だけ遅延させるシフトレジスタ36a〜36fの出力から、最
適なシフト位置を選択してレジスタ37a、37bに入力され
る。選択回路38a、38b、が上記最小検出回路32からの上
記ＴＤＩイメージセンサ５のＹ方向に走査するときのシ
フト量34a、34bにより、上記ＴＤＩイメージセンサ５の
Ｙ方向の最適なシフト位置を選択する。従って、上記選
択回路38a、38bの出力には、不一致量が最小或いは極小
になるシフト位置に対する局部画像が抽出される。上記
他方の遅延回路23bの出力からも、上記シフトレジスタ3
9a〜39c及び40の出力を用いて、上記シフトレジスタ29
(図４参照)の出力と同一量だけ遅延させた位置に画像を
同期抽出する。この状態では上記選択回路38a、38bから
出力される局部画像は、上記シフトレジスタ40から出力
される局部画像に対し、位置ズレのない最適なシフト位
置になっている。

【００２２】このようにして最適なシフト位置が決定さ
れると、欠陥判定回路25が共通に表れる不一致を欠陥と
する。図６は上記欠陥判定回路25を示す。同図は２点の
シフト位置の場合を示すが、上記選択回路38aの出力と
上記シフトレジスタ40の出力との不一致をＥＸＯＲ回路
が検出し、同時に、上記選択回路38bの出力シフトレジ
スタ40の出力との不一致をＥＸＯＲ回路43が検出し、上
記ＥＸＯＲ回路42の出力の論理積をＡＮＤ回路44により
とる。そして判定器45が上記ＡＮＤ回路44の出力信号を
サイズにより欠陥かどうかを判定して出力する。

【００２３】このように、エッジ検出回路１１、２値化
回路１２、不一致検出回路２２、遅延回路２３、位置合
せ回路２４、欠陥判定回路２５等により、各Channel毎
に欠陥を検出することが可能である。この実施例では各
Channel毎に完全に独立に処理したが、共通化ができ
る。位置合せを共通化した検査装置の例を図７に示す。
図７に示したパターン検査装置において、Channel２か
ら８は各Channelごとに不一致画素数検出回路４８にお
いて図９に示すようにカウンタ３１により各Channel毎
の不一致画素数を算出し、Channel１の不一致検出回路
４７において、図８に示すようにこれらを加算器４６に
より合計し、この加算器４６の出力を最小値検出回路で
処理する。このようにすれば、より広い範囲の画像を取
り扱えるため位置ずれ補正の精度が向上する。これはパ
ターン密度の小さい場所を検査するためには特に有効で
ある。また、Channel１、２、７、８は上記のような構
成にし、それ以外は遅延回路２３、位置合せ回路２４、
欠陥判定回路２５のみとして不一致検出を省略してもよ
い。

【００２４】上記実施例では、２値化回路12を用いて２
値化した画像を使用した欠陥検出について説明したが、
図１、図７においては２値化回路12をｔｈｒｕにし濃淡
画像そのものを用いて欠陥検出してもよい。(図１、７
では点線のように結線される。この場合、２値化回路12
の出力は不一致検出回路22にのみ結線される。)この場
合、濃淡の違いが大きい領域を欠陥とすることになる。
このような構成にすれば、正常部と異なる欠陥の信号を
より精度良く検出できる。また、実際には、各１次元イ
メージセンサは移動方向と直行する方向で、像の結像に
起因して若干の倍率誤差(Ｙ位置)が生じるが、これも比
較により相殺されるので問題にならない。このように、
ＴＤＩイメージセンサは検出光量を増加することを目的
とするものであるが、焦点深度を増加させることに極め
て有効であり、その結果として、各層が重なって凹凸の
できた多層パターンでも、各層に焦点の合った高精度な
パターン検出と高い感度の比較ができる。特に、微細な
欠陥がどの層にあってもこれを検出できる。従って、従
来にくらべ飛躍的に欠陥検出性能を向上させることがで
きる。

【００２５】以上実施例を用いて詳細を述べたが、個々
の構成要素は既存の技術で実現可能である。異物検出手
段は、異物が検出できるならば実施例以外の方法でもよ
い。また、２つのＴＤＩイメージセンサを用いて検査す
る方式について述べたが、２つのＴＤＩイメージセンサ
を用いて同時に検出した画像を比較検査する方式にも適
用できる。

【００２６】

【発明の効果】以上述べたように、欠陥検出だけでなく
異物検出も行うので、欠陥から異物のみを抽出して検出
できる。従って、欠陥が異物かどうか判断できる。さら
に、異物検出は検出した欠陥位置でのみ行うので、従来
の試料面全面に対して行う異物検査に比べ、検出条件な
どを最適化でき、より高精度に異物のみを検出できる。
従って、異物かどうかの判断もより信頼性高く行うこと
が可能になる。

【００２７】また、各層が重なって凹凸のできた多層パ
ターンでも、焦点が合った高精度なパターン検出と高感
度の比較ができ、従来にくらべ飛躍的に欠陥検出性能を
向上した外観検査方法及び装置を提供することが可能に
なる。特に、微細な欠陥がどの層にあってもこれを検出
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の欠陥検出の構成と動作を説明するため
の図である。

【図２】ＴＤＩイメージセンサによる共焦点結像関係を
示す図である。

【図３】検出信号波形の例を示す図である。

【図４】不一致検出回路を示す図である。

【図５】位置合せ回路を示す図である。

【図６】欠陥判定回路を示す図である。

【図７】他の実施例を示すパターン検査装置を示す図で
ある。

【図８】不一致検出回路を示す図である。

【図９】不一致画素数検出回路を示す図である。

【図１０】本発明の実施例を示すパターン検査装置を示
す図である。

【図１１】本発明の異物検出の構成と動作を説明するた
めの図である。

【符号の説明】

１…ウェハ、２…チップ、３…照明光、４…対物レンズ、５…ＴＤＩイメージセンサ、６…ステージ、７…遅延メモリ、８…リニアスケール、９…タイミング発生回路、１１…エッジ検出回路、１２…２値化回路、２２…不一致検出回路、２３…遅延回路、２４…位置合せ回路、２５…欠陥判定回路、２６〜２９…シフトレジスタ、３０…ＥＸＯＲ回路、３１…カウンタ、３２…最小値検出回路、３５…ピンホール、３６…光路長変換素子、３６、３７、３９、４０…シフトレジスタ、４５…判定器、４６…加算器、４７…不一致検出回路、４８…不一致検出画素数検出回路５２…Ｓ偏光レーザ、５３…偏光板、５４…イメージセンサ、５５…Ａ／Ｄ変換器、５６…画像メモリ、５７…位置合わせ回路、５８…差信号検出回路、５９…２値化回路、６０…欠陥検出手段、６２…異物検出手段。

フロントページの続き (72)発明者広井高志神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献特開平３−278553（ＪＰ，Ａ) 特開平３−156947（ＪＰ，Ａ) 特開平３−85742（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−253448（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−220840（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/66 G01B 11/30 G01N 21/956

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】被検査パターンの欠陥を検査するパターン
検査方法であって、前記被検査パターンの欠陥を対物レ
ンズを介して第１の検出系で検出し、該検出した欠陥を
該欠陥の位置情報に基づいて再度前記対物レンズを介し
て第２の検出系で検出し、該再度検出した欠陥を形状欠
陥と異物に識別することを特徴とするパターン検査方
法。
【請求項２】被検査パターンの欠陥を検査するパターン
検査方法であって、被検査パターンに光を照射し、該光
の照射による前記被検査パターンからの反射光をレンズ
を介して集光して第１のセンサで検出し、該第１のセン
サで検出した信号を処理して前記被検査パターンの欠陥
を検出し、該検出した欠陥の位置情報に基づいて前記被
検査パターンからの反射光をレンズを介して集光して第
２のセンサを用いて前記検出した欠陥を再度検出し、該
再度検出した欠陥の情報を用いて前記欠陥の種類を識別
することを特徴とするパターン検査方法。
【請求項３】前記第１のセンサ及び前記第２のセンサ
が、共にＴＤＩイメージセンサであることを特徴とする
請求項２記載のパターン検査方法。
【請求項４】前記ＴＤＩイメージセンサは、複数の信号
を並列に出力することを特徴とする請求項３記載のパタ
ーン検査方法。
【請求項５】被検査パターンの欠陥を検査するパターン
検査装置であって、対物レンズを介して前記被検査パタ
ーンを第１のイメージセンサを用いて撮像し該撮像して
得た前記被検査パターンの第１の画像から該被検査パタ
ーンの欠陥の情報を得る第１の欠陥検出手段と、該第１
の欠陥検出手段で検出して得た欠陥の情報に基づいて前
記対物レンズを介して前記被検査パターンを第２のイメ
ージセンサを用いて撮像し該撮像して得た前記被検査パ
ターンの第２の画像から前記欠陥を再度検出する第２の
欠陥検出手段と、該第２の欠陥検出手段で再度検出した
欠陥の情報を用いて前記欠陥の種類を識別する欠陥識別
手段とを備えたことを特徴とするパターン検査装置。
【請求項６】被検査パターンの欠陥を検査するパターン
検査装置であって、対物レンズを介して前記被検査パタ
ーンの欠陥を検出して該欠陥の位置情報を得る欠陥検出
手段と、該欠陥検出手段で得た前記欠陥の位置情報に基
づいて前記対物レンズを介して前記検出した欠陥を再度
検出して前記欠陥の中から異物欠陥を抽出する異物欠陥
抽出手段と、該異物欠陥抽出手段で抽出した異物欠陥の
情報を用いて前記欠陥検出手段で検出した欠陥を異物欠
陥とそれ以外の欠陥とに識別する欠陥識別手段とを備え
たことを特徴とするパターン検査装置。
【請求項７】前記第１のイメージセンサと前記第２のイ
メージセンサとが、共にＴＤＩイメージセンサであるこ
とを特徴とする請求項５記載のパターン検査装置。
【請求項８】前記ＴＤＩイメージセンサは、複数の信号
を並列に出力することを特徴とする請求項７記載のパタ
ーン検査装置。