JP3255220B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
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- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光出力の増大を高水準
に達成することができる半導体発光素子に関する。
に達成することができる半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】図１に
示すようにＰ型半導体領域１とＮ型半導体領域２とを備
え、両半導体領域１、２の界面に形成されるＰＮ接合３
を含む例えばＡｌＧａＡｓ半導体基体４の側面に傾斜面
５を設けたいわゆるメサ構造の半導体発光素子即ち発光
ダイオードは公知である。この半導体発光素子におい
て、半導体基体４の上面（一方の主面）即ちＰ型半導体
領域２の上面の一部にアノード電極６が形成され、半導
体基体４の下面（他方の主面）即ちＮ型半導体領域２の
下面に部分的にカソード電極７が格子状又は点在するよ
うに形成されている。なお、半導体基体４の露出表面は
実質的に鏡面になっており、またＰＮ接合３は傾斜面５
に露出している。図１の半導体発光素子の光取り出し方
向は上方向であり、ＰＮ接合３から上方に放射された光
は、基板４の上面のアノード電極６が形成されていない
領域から取り出される。また、ＰＮ接合３から下方に放
射された光は基板４の下面で反射されて上方に向う。図
１のメサ構造の発光素子の傾斜面５は、ダイス型の発光
素子の垂直な側面に比べてＰＮ接合３から放射された光
に対する全反射の確率を減少させる働きを有する。従っ
て、図１の発光素子においては、ＰＮ接合３から放射さ
れた光の一部が傾斜面５を通り抜けて外部に取り出さ
れ、光出力の増大を図ることができる。
示すようにＰ型半導体領域１とＮ型半導体領域２とを備
え、両半導体領域１、２の界面に形成されるＰＮ接合３
を含む例えばＡｌＧａＡｓ半導体基体４の側面に傾斜面
５を設けたいわゆるメサ構造の半導体発光素子即ち発光
ダイオードは公知である。この半導体発光素子におい
て、半導体基体４の上面（一方の主面）即ちＰ型半導体
領域２の上面の一部にアノード電極６が形成され、半導
体基体４の下面（他方の主面）即ちＮ型半導体領域２の
下面に部分的にカソード電極７が格子状又は点在するよ
うに形成されている。なお、半導体基体４の露出表面は
実質的に鏡面になっており、またＰＮ接合３は傾斜面５
に露出している。図１の半導体発光素子の光取り出し方
向は上方向であり、ＰＮ接合３から上方に放射された光
は、基板４の上面のアノード電極６が形成されていない
領域から取り出される。また、ＰＮ接合３から下方に放
射された光は基板４の下面で反射されて上方に向う。図
１のメサ構造の発光素子の傾斜面５は、ダイス型の発光
素子の垂直な側面に比べてＰＮ接合３から放射された光
に対する全反射の確率を減少させる働きを有する。従っ
て、図１の発光素子においては、ＰＮ接合３から放射さ
れた光の一部が傾斜面５を通り抜けて外部に取り出さ
れ、光出力の増大を図ることができる。
【０００３】しかしながら、図１のメサ構造の発光素子
であっても十分なレベルの光出力を得ることができない
のが実情である。そこで、光出力の増大を目的として図
２の半導体発光素子が提案されている。図２の半導体発
光素子はＰ型半導体領域１の上面が粗面（微小凹凸面）
８とされている点で図１と異なり、その他は図１と同一
に構成されている。上面の粗面８はＰＮ接合３から放射
された光の上面での全反射を防いで上方に向う光を効率
良く取り出すためのものである。下面の露出部９はＰＮ
接合３から下面方向に向う光を上方に反射させるもので
ある。即ち、Ｎ型半導体領域２とカソ−ド電極７との界
面には光を吸収する合金層が形成されるため、カソ−ド
電極７の面積を減少させて露出部９を設け、ここで下に
向う光を上に反射させて発光効率の増大を図っている。
図２のようにすると、図１の半導体発光素子よりも光出
力の増大を図ることができる。しかしながら、まだ十分
な光出力の増大を図ることができなかった。
であっても十分なレベルの光出力を得ることができない
のが実情である。そこで、光出力の増大を目的として図
２の半導体発光素子が提案されている。図２の半導体発
光素子はＰ型半導体領域１の上面が粗面（微小凹凸面）
８とされている点で図１と異なり、その他は図１と同一
に構成されている。上面の粗面８はＰＮ接合３から放射
された光の上面での全反射を防いで上方に向う光を効率
良く取り出すためのものである。下面の露出部９はＰＮ
接合３から下面方向に向う光を上方に反射させるもので
ある。即ち、Ｎ型半導体領域２とカソ−ド電極７との界
面には光を吸収する合金層が形成されるため、カソ−ド
電極７の面積を減少させて露出部９を設け、ここで下に
向う光を上に反射させて発光効率の増大を図っている。
図２のようにすると、図１の半導体発光素子よりも光出
力の増大を図ることができる。しかしながら、まだ十分
な光出力の増大を図ることができなかった。
【０００４】そこで、本発明は、光出力を更に増大させ
ることができる半導体発光素子を提供することを目的と
する。
ることができる半導体発光素子を提供することを目的と
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、第１導電型の第１の半導体領域と、ＰＮ接
合を形成するように前記第１の半導体領域に隣接してい
る第２導電型の第２の半導体領域とを有する半導体基体
と、前記半導体基体の一方の主面において前記第１の半
導体領域に接続された第１の電極と、前記半導体基体の
他方の主面において前記第２の半導体領域に接続された
第２の電極とを備え、前記一方の主面側に光を取り出す
ように構成され、且つ前記ＰＮ接合が前記半導体基体の
側面に露出するように形成された半導体発光素子におい
て、前記第２の半導体領域のが、前記ＰＮ接合から前記
他方の主面に向って末広がりに傾斜した側面とこの傾斜
した側面から前記他方の主面に至る垂直な側面とを有
し、前記第１の半導体領域の側面が、前記ＰＮ接合から
放射された光を内側に反射させて前記一方の主面側から
取り出すことができるような鏡面に形成され、前記第２
の半導体領域の前記末広がりの傾斜した側面が、光を外
部に放射することができるように前記第１の半導体領域
の側面よりも粗い粗面に形成されていることを特徴とす
る半導体発光素子に係わるものである。
の本発明は、第１導電型の第１の半導体領域と、ＰＮ接
合を形成するように前記第１の半導体領域に隣接してい
る第２導電型の第２の半導体領域とを有する半導体基体
と、前記半導体基体の一方の主面において前記第１の半
導体領域に接続された第１の電極と、前記半導体基体の
他方の主面において前記第２の半導体領域に接続された
第２の電極とを備え、前記一方の主面側に光を取り出す
ように構成され、且つ前記ＰＮ接合が前記半導体基体の
側面に露出するように形成された半導体発光素子におい
て、前記第２の半導体領域のが、前記ＰＮ接合から前記
他方の主面に向って末広がりに傾斜した側面とこの傾斜
した側面から前記他方の主面に至る垂直な側面とを有
し、前記第１の半導体領域の側面が、前記ＰＮ接合から
放射された光を内側に反射させて前記一方の主面側から
取り出すことができるような鏡面に形成され、前記第２
の半導体領域の前記末広がりの傾斜した側面が、光を外
部に放射することができるように前記第１の半導体領域
の側面よりも粗い粗面に形成されていることを特徴とす
る半導体発光素子に係わるものである。
【０００６】
【発明の作用及び効果】本発明は次の作用効果を有す
る。 （イ） 第２の半導体領域のが、ＰＮ接合から他方の主
面（下面）に向って末広がりに形成された側面を有し、
この側面が粗面にされている。従って、ＰＮ接合から他
方の主面（下面）に向って放射され、他方の主面（下
面）で反射して上方に向う光を末広がりの側面から外部
に良好に取り出すことができ、光出力の増大を図ること
ができる。 （ロ） 第１の半導体領域の側面は、光を内部に反射さ
せる機能即ち全反射させる機能を有する鏡面となるよう
に形成されているので、ＰＮ接合よりも上方に向う光を
第１の半導体領域の側面から側方に放出させないで一方
の主面（上面）から取り出すことが可能になり、上方へ
の光出力の増大を図ることができる。
る。 （イ） 第２の半導体領域のが、ＰＮ接合から他方の主
面（下面）に向って末広がりに形成された側面を有し、
この側面が粗面にされている。従って、ＰＮ接合から他
方の主面（下面）に向って放射され、他方の主面（下
面）で反射して上方に向う光を末広がりの側面から外部
に良好に取り出すことができ、光出力の増大を図ること
ができる。 （ロ） 第１の半導体領域の側面は、光を内部に反射さ
せる機能即ち全反射させる機能を有する鏡面となるよう
に形成されているので、ＰＮ接合よりも上方に向う光を
第１の半導体領域の側面から側方に放出させないで一方
の主面（上面）から取り出すことが可能になり、上方へ
の光出力の増大を図ることができる。
【０００７】
【実施例】次に、図３〜図５を参照して本発明の実施例
に係わる半導体発光素子即ち発光ダイオードを説明す
る。この発光素子は、第１の半導体領域としてのＰ型半
導体領域１１と、第２の半導体領域としてのＮ型半導体
領域１２とから成る例えばＡｌＧａＡｓ半導体基体１３
を備えている。半導体基体１３の上面（一方の主面）１
４即ちＰ型半導体領域１１の上面の中央に第１の電極と
してのアノード電極１５が形成され、半導体基体１３の
下面（他方の主面）１６即ちＮ型半導体領域１２の下面
に第２の電極としてのカソード電極１７が格子状又は点
在するように形成されている。なお、カソ−ド電極１７
は例えば銀を含むペ−スト状導電性接着剤によって外部
の配線導体に接続される。この導電性接着剤は半導体基
体１３の下面のカソ−ド電極１７が設けられていない部
分にも付着し、下に向う光を上に反射させるために寄与
する。
に係わる半導体発光素子即ち発光ダイオードを説明す
る。この発光素子は、第１の半導体領域としてのＰ型半
導体領域１１と、第２の半導体領域としてのＮ型半導体
領域１２とから成る例えばＡｌＧａＡｓ半導体基体１３
を備えている。半導体基体１３の上面（一方の主面）１
４即ちＰ型半導体領域１１の上面の中央に第１の電極と
してのアノード電極１５が形成され、半導体基体１３の
下面（他方の主面）１６即ちＮ型半導体領域１２の下面
に第２の電極としてのカソード電極１７が格子状又は点
在するように形成されている。なお、カソ−ド電極１７
は例えば銀を含むペ−スト状導電性接着剤によって外部
の配線導体に接続される。この導電性接着剤は半導体基
体１３の下面のカソ−ド電極１７が設けられていない部
分にも付着し、下に向う光を上に反射させるために寄与
する。
【０００８】ＰＮ接合１８は半導体基体１３の上面１４
及び下面１６に対して平行に形成されているので、この
端は側面に露出している。半導体基体１３の側面の形状
はＰＮ接合１８の露出位置を境界にして変化している。
ＰＮ接合１８の露出位置よりも下方のＮ型半導体領域１
２の側面の上方部分はＰＮ接合１８から下面１６に向っ
て末広がりに形成された傾斜面１９となっている。ま
た、ＰＮ接合１８の露出位置よりも上方のＰ型半導体領
域１１の側面は、一対の傾斜面２０ａ、２０ｂと一対の
垂直面２１ａ、２１ｂとから成る。なお、Ｐ型半導体領
域１１の一対の傾斜面２０ａ、２０ｂはＰＮ接合１８か
ら上面１４に向って末広がりに形成されており、オーバ
ーハングな側面である。
及び下面１６に対して平行に形成されているので、この
端は側面に露出している。半導体基体１３の側面の形状
はＰＮ接合１８の露出位置を境界にして変化している。
ＰＮ接合１８の露出位置よりも下方のＮ型半導体領域１
２の側面の上方部分はＰＮ接合１８から下面１６に向っ
て末広がりに形成された傾斜面１９となっている。ま
た、ＰＮ接合１８の露出位置よりも上方のＰ型半導体領
域１１の側面は、一対の傾斜面２０ａ、２０ｂと一対の
垂直面２１ａ、２１ｂとから成る。なお、Ｐ型半導体領
域１１の一対の傾斜面２０ａ、２０ｂはＰＮ接合１８か
ら上面１４に向って末広がりに形成されており、オーバ
ーハングな側面である。
【０００９】Ｐ型半導体領域１１の側面即ちオーバーハ
ングな一対の傾斜面２０ａ、２０ｂと一対の垂直面２１
ａ、２１ｂはＰＮ接合１８から放射された光をほぼ全反
射即ち内部に反射させることが可能な鏡面になってい
る。Ｎ型半導体領域１２の末広がりの傾斜面１９は半導
体基体１３の下面１６で反射して上方に向う光の全反射
を阻止して光を外部に取り出すことができる粗面（微小
凹凸面）になっている。即ち、傾斜面１９はＰ型半導体
領域１１の傾斜面２０ａ、２０ｂ及び垂直面２１ａ、２
１ｂよりも凹凸の多い粗い面になっている。なお、図４
及び図５と図１との比較から明らかなように、本実施例
の発光素子は傾斜面１９を粗面としたこと、Ｐ型半導体
領域１１の側面をオーバーハングの傾斜面２０ａ、２０
ｂと垂直面２１ａ、２１ｂとにしたことにおいて図１の
従来の発光素子と相違し、その他は実質的に同一に構成
されている。
ングな一対の傾斜面２０ａ、２０ｂと一対の垂直面２１
ａ、２１ｂはＰＮ接合１８から放射された光をほぼ全反
射即ち内部に反射させることが可能な鏡面になってい
る。Ｎ型半導体領域１２の末広がりの傾斜面１９は半導
体基体１３の下面１６で反射して上方に向う光の全反射
を阻止して光を外部に取り出すことができる粗面（微小
凹凸面）になっている。即ち、傾斜面１９はＰ型半導体
領域１１の傾斜面２０ａ、２０ｂ及び垂直面２１ａ、２
１ｂよりも凹凸の多い粗い面になっている。なお、図４
及び図５と図１との比較から明らかなように、本実施例
の発光素子は傾斜面１９を粗面としたこと、Ｐ型半導体
領域１１の側面をオーバーハングの傾斜面２０ａ、２０
ｂと垂直面２１ａ、２１ｂとにしたことにおいて図１の
従来の発光素子と相違し、その他は実質的に同一に構成
されている。
【００１０】図３〜図５に示す形状の半導体基体１３を
形成する時には、１枚の半導体ウエハに複数の発光素子
を配列して設け、これ等の境界を選択的にエッチングす
る。即ち、各発光素子の周辺に相当する領域の上面に開
口を有するマスクを設け、開口を介して半導体基体をエ
ッチングする。本実施例では、Ｈ2 ＳＯ4 （硫酸）：Ｈ
2 Ｏ2 （過酸化水素）：Ｈ2 Ｏ（水）＝１：３：１の混
合液をエッチング液としてＡｌＧａＡｓ半導体基体１３
をエッチングした。このエッチング液を使用してＰ型の
ＡｌＧａＡｓから成るＰ型半導体領域１１のエッチング
をこの上面から進めると結晶方向の差によって一対の側
面がオーバーハングの傾斜面２０ａ、２０ｂとなり、別
の一対の側面がほぼ垂直な面２１ａ、２１ｂとなる。ま
た、このエッチング液によってＮ型半導体領域１２をエ
ッチングすると、図１のメサ構造と同様な傾斜面１９が
得られる。また、Ｐ型半導体領域１１の傾斜面２０ａ、
２０ｂ及び垂直面２１ａ、２１ｂは鏡面となり、Ｎ型半
導体領域１２の傾斜面１９は粗面となる。従って、図４
及び図５に示す傾斜面１９、オーバーハング傾斜面２０
ａ、２０ｂ、垂直面２１ａ、２１ｂを容易に得ることが
できる。なお、Ｎ型半導体領域１２の傾斜面１９の下の
垂直な側面は半導体ウエハのブレーキングによって生じ
た面である。
形成する時には、１枚の半導体ウエハに複数の発光素子
を配列して設け、これ等の境界を選択的にエッチングす
る。即ち、各発光素子の周辺に相当する領域の上面に開
口を有するマスクを設け、開口を介して半導体基体をエ
ッチングする。本実施例では、Ｈ2 ＳＯ4 （硫酸）：Ｈ
2 Ｏ2 （過酸化水素）：Ｈ2 Ｏ（水）＝１：３：１の混
合液をエッチング液としてＡｌＧａＡｓ半導体基体１３
をエッチングした。このエッチング液を使用してＰ型の
ＡｌＧａＡｓから成るＰ型半導体領域１１のエッチング
をこの上面から進めると結晶方向の差によって一対の側
面がオーバーハングの傾斜面２０ａ、２０ｂとなり、別
の一対の側面がほぼ垂直な面２１ａ、２１ｂとなる。ま
た、このエッチング液によってＮ型半導体領域１２をエ
ッチングすると、図１のメサ構造と同様な傾斜面１９が
得られる。また、Ｐ型半導体領域１１の傾斜面２０ａ、
２０ｂ及び垂直面２１ａ、２１ｂは鏡面となり、Ｎ型半
導体領域１２の傾斜面１９は粗面となる。従って、図４
及び図５に示す傾斜面１９、オーバーハング傾斜面２０
ａ、２０ｂ、垂直面２１ａ、２１ｂを容易に得ることが
できる。なお、Ｎ型半導体領域１２の傾斜面１９の下の
垂直な側面は半導体ウエハのブレーキングによって生じ
た面である。
【００１１】本実施例の発光素子は次の作用効果を有す
る。 （１） Ｎ型半導体領域１２の傾斜面１９は末広がり状
であって上方に向いている。このため、図４で破線で示
すようにＰＮ接合１８から下方に放射された光が半導体
基体１３の下面１６（半導体基体１３の下面のうちカソ
−ド電極７が形成されていない部分と導電性接着剤との
界面）で反射して生じた上方に向う光が傾斜面１９に入
射し、ここを通過して光出力となる。この時、傾斜面１
９が全反射を抑制する粗面となっているので、傾斜面１
９からの光の取り出し量が図１及び図２のような鏡面の
傾斜面５よりも多くなる。 （２） Ｐ型半導体領域１１の側面は鏡面であるので、
この鏡面に入射した光はほぼ全反射し、上面１４に向う
ものが生じ、上面１４からの光の取り出し量が多くな
る。 （３） Ｐ型半導体領域１１のオーバーハングの一対の
傾斜面２０ａ、２０ｂは、ＰＮ接合１８から小さな角度
で横方向成分を有するように放出された光を上面１４の
方向に全反射させるために有効である。即ち、図４で破
線で示すようにＰＮ接合１８から横方向成分を有して放
射された光が傾斜面２０ｂで全反射して上面１４に至
り、ここから取り出される現象、及びＰＮ接合１８から
横方向成分を有して放射された光が上面１４で全反射し
て傾斜面２０ａに入射し、ここで再び全反射されて主面
１４に至り、ここから取り出される現象が生じ、光出力
の増大に寄与する。
る。 （１） Ｎ型半導体領域１２の傾斜面１９は末広がり状
であって上方に向いている。このため、図４で破線で示
すようにＰＮ接合１８から下方に放射された光が半導体
基体１３の下面１６（半導体基体１３の下面のうちカソ
−ド電極７が形成されていない部分と導電性接着剤との
界面）で反射して生じた上方に向う光が傾斜面１９に入
射し、ここを通過して光出力となる。この時、傾斜面１
９が全反射を抑制する粗面となっているので、傾斜面１
９からの光の取り出し量が図１及び図２のような鏡面の
傾斜面５よりも多くなる。 （２） Ｐ型半導体領域１１の側面は鏡面であるので、
この鏡面に入射した光はほぼ全反射し、上面１４に向う
ものが生じ、上面１４からの光の取り出し量が多くな
る。 （３） Ｐ型半導体領域１１のオーバーハングの一対の
傾斜面２０ａ、２０ｂは、ＰＮ接合１８から小さな角度
で横方向成分を有するように放出された光を上面１４の
方向に全反射させるために有効である。即ち、図４で破
線で示すようにＰＮ接合１８から横方向成分を有して放
射された光が傾斜面２０ｂで全反射して上面１４に至
り、ここから取り出される現象、及びＰＮ接合１８から
横方向成分を有して放射された光が上面１４で全反射し
て傾斜面２０ａに入射し、ここで再び全反射されて主面
１４に至り、ここから取り出される現象が生じ、光出力
の増大に寄与する。
【００１２】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 半導体基体１３をＡｌＧａＡｓ以外の例えばＧ
ａＡｓ等の種々の半導体とすることができる。また、Ｐ
型半導体領域１１とＮ型半導体領域１２とを異なる半導
体にすることができる。 （２） Ｎ型半導体領域１２をＮ型又はＮ+ 型半導体基
板領域とこの上にエピタキシャル成長させたＮ型半導体
領域との組み合せにすることができる。また、Ｐ型半導
体領域１１も複数の半導体領域の組み合せとすることが
できる。 （３） 基体１３の下面１６に光の反射を助ける層を設
けることができる。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 半導体基体１３をＡｌＧａＡｓ以外の例えばＧ
ａＡｓ等の種々の半導体とすることができる。また、Ｐ
型半導体領域１１とＮ型半導体領域１２とを異なる半導
体にすることができる。 （２） Ｎ型半導体領域１２をＮ型又はＮ+ 型半導体基
板領域とこの上にエピタキシャル成長させたＮ型半導体
領域との組み合せにすることができる。また、Ｐ型半導
体領域１１も複数の半導体領域の組み合せとすることが
できる。 （３） 基体１３の下面１６に光の反射を助ける層を設
けることができる。
【図１】従来の発光素子を示す断面図である。
【図２】別の従来の発光素子を示す断面図である。
【図３】本発明の実施例の発光素子の平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】図３のＢ−Ｂ線断面図である。
１１ Ｐ型半導体領域 １２ Ｎ型半導体領域 １９ 傾斜面 ２０ａ、２０ｂ オーバーハング傾斜面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−350135（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−34985（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−167101（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−151959（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−175776（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−24771（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−4209（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 33/00
Claims (1)
- 【請求項１】 第１導電型の第１の半導体領域と、ＰＮ
接合を形成するように前記第１の半導体領域に隣接して
いる第２導電型の第２の半導体領域とを有する半導体基
体と、 前記半導体基体の一方の主面において前記第１の半導体
領域に接続された第１の電極と、 前記半導体基体の他方の主面において前記第２の半導体
領域に接続された第２の電極とを備え、前記一方の主面
側に光を取り出すように構成され、且つ前記ＰＮ接合が
前記半導体基体の側面に露出するように形成された半導
体発光素子において、 前記第２の半導体領域が、前記ＰＮ接合から前記他方の
主面に向って末広がりに傾斜した側面とこの傾斜した側
面から前記他方の主面に至る垂直な側面とを有し、 前記第１の半導体領域の側面が、前記ＰＮ接合から放射
された光を内側に反射させて前記一方の主面側から取り
出すことができるような鏡面に形成され、 前記第２の半導体領域の前記末広がりの傾斜した側面
が、光を外部に放射することができるように前記第１の
半導体領域の側面よりも粗い粗面に形成されていること
を特徴とする半導体発光素子。
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Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP26357296A JP3255220B2 (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | 半導体発光素子 |
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Family
ID=17391420
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|---|---|---|---|
| JP26357296A Expired - Fee Related JP3255220B2 (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | 半導体発光素子 |
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-
1996
- 1996-09-11 JP JP26357296A patent/JP3255220B2/ja not_active Expired - Fee Related
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