JP3251661B2 - 制御されたスルー・レートを有するｃｍｏｓバッファ回路 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 〔発明の詳細な説明〕本発明は、全体的に言えば、ＣＭ
ＯＳ入力／出力に用いられる改良されて制御されるスル
ー・レート出力回路および改良されたＣＭＯＳ出力バッ
ファを得るための、方法と装置に関する。この場合、出
力における高レベル／低レベルから低レベル／高レベル
への遷移の速さが最適に制御されることが好ましい。最
適に制御されたスルー・レート出力回路により、信号線
路反射の減少と、出力での、およびこの出力に接続され
たケーブルまたはコネクタでの、リンギングの減少を得
ることができる。

【０００２】

【従来の技術および問題点】装置を並列に接続する装置
インターフェース・バスを実施する装置に関して、およ
びバスに接続された装置に用いるための出力バッファ回
路に関して、本発明の背景が説明される。しかし、この
説明は、本発明がそれに限定されることを意味するもの
ではない。この装置は、例として、ＳＣＳＩ（小形コン
ピュータ装置インターフェース）バスを用いてさらに説
明される。

【０００３】高速度特性が強調されるので、インターフ
ェース作用を行うディジタル装置を設計することは、設
計者にとってますます困難になってきている。現在、大
部分のディジタル装置の高速度特性は、パッケージング
および相互接続による分布した不連続性および伝送線路
効果によって限定されており、半導体装置のスイッチン
グ速度によって限定されているのではない。ディジタル
装置が、束ねられた導線または平たい形状の導線で構成
される電気的に長いケーブルによりインターフェースさ
れることが、ますます普通になってきている。これらの
応用は、典型的には、パーソナル・コンピュータおよび
ワークステーションに対するものである。これらの応用
では、ディスク駆動装置、スキャナ、または印刷装置の
ような外部周辺装置への接続は、ユーザが設置するケー
ブルで実施される。

【０００４】信号線路反射と高周波リンギングにより、
インターフェース・バス上にデータ読み出しエラーが生
ずる時、問題点が生ずる。この良好でないデータ品質の
原因は、Ｉ／Ｏポート出力駆動装置回路の速いスルー・
レートである。先行技術による典型的な出力回路の信号
遷移のスルー・レートは、３Ｖ／ナノ秒である。信号線
路のこの速い変化速度は、バス・ケーブルの共振周波数
を励振すると共に、信号反射の強度を大きくするのに寄
与するであろう。先行技術による装置の設計者に対する
このジレンマは、物理的ケーブル長の変動およびコネク
タのインピーダンス不整合により、信号雑音の正確な特
性が予測できないことである。したがって、信号線路同
調は問題点を解決するのに役立たない。信号パルスの立
上がり時間および降下時間がケーブルの伝搬遅延より小
さい時、伝送線路効果は対処すべき深刻な問題点にな
る。ケーブルの終端を正しく設計することにより、信号
雑音はいくらか小さくなるであろうが、信号パルスの立
上がり時間および降下時間を大幅に遅くすることによ
り、これらの伝送線路効果を劇的に小さくすることがで
きる。したがって、信号駆動装置回路のスルー・レート
を制御することは、伝送線路雑音をできるだけ小さくす
るのに極めて重要である。

【０００５】ディジタル装置バス・インターフェースに
対して用いられる最近の技術には、ディジタルおよび線
形ＣＭＯＳ工程を用いて設計された回路と、およびディ
ジタルＢｉ−ＣＭＯＳ工程を用いて設計された回路があ
る。制御されたスルー・レート駆動装置は、線形ＣＭＯ
Ｓ技術およびディジタルＢｉ−ＣＭＯＳ技術で開発され
てきたが、これらの技術のコストは極めて高く、そして
典型的には、その結果として得られる設計体は非常に複
雑な回路であり、および待機電力消費も無視できない大
きさである。ディジタルＣＭＯＳ技術は、そのコストの
効果性と、漏洩レベルの待機電流と、ディジタル部分装
置設計によく用いられていることとにより、インタフェ
ース駆動装置設計に対して魅力的である。けれども、制
御されたスルー・レート設計は、ディジタルＣＭＯＳ技
術で開発するのは極めて困難である。先行技術による制
御されたスルー・レート設計は、ある形式の出力フィー
ドバックを利用する。そして、ディジタルＣＭＯＳ技術
は、バイポーラ技術の接合トランジスタ、または線形技
術の高精度抵抗器および高精度コンデンサ、のいずれか
の通常用いられる特性を欠いている。これらの素子を使
用しないで実施される制御されたスルー・レート駆動装
置設計は、特性パラメータが動作条件領域にわたって大
幅に変動し、したがって、実際のバス・インタフェース
特性の要求に対する実行可能な解決法ではなかった。

【０００６】能動プルダウン「開放ドレイン」導線ＡＮ
Ｄ化駆動装置出力を組み込んだバス・インタフェースの
方法により、低レベルから高レベルへの信号遷移のスル
ー・レートを受動的に制御するために、バス終端回路を
用いることにより、部分的な解決法が得られる。この応
用の１つの例は、ＳＣＳＩ（小型コンピュータ装置イン
タフェース）バスである。しかし、この種のバス実施例
は、先行技術によるバス駆動装置回路の高レベルから低
レベルへの信号遷移の大きな変化速度により生ずる、好
ましくない伝送線路雑音をなお生ずる。したがって、標
準的なＣＭＯＳ技術で集積回路の素子として実施するこ
とが可能で、かつ、先行技術による解決法でのいずれか
の問題点、または全部の問題点を解決する改良を行っ
た、バス駆動装置回路設計が現在要請されている。

【０００７】

【問題点を解決するための手段】全体的にいえば、そし
て本発明の１つの形式では、標準的ディジタルＣＭＯＳ
工程で制御されたスルー・レート出力バッファ回路を実
施する回路が開示される。開放ドレイン駆動装置回路が
Ｐ形およびＮ形のＭＯＳトランジスタとコンデンサとを
有するスルー・レート制御回路に接続された、第１実施
例が開示される。開放ドレイン回路とスルー・レート制
御回路とが能動部品または受動部品のいずれかを有する
プルアップ回路にさらに接続され、それにより、完全プ
ッシュ・プル出力駆動性能、バス終端補償、またはこれ
ら両方が得られる、第２実施例が開示される。開放ドレ
イン回路とスルー・レート制御回路とが拡張されて、さ
らに改良された出力遷移制御のために複数個の制御トラ
ンジスタを有する増強された実施例を反映し、および双
方向入力／出力バッファとして実施される、好ましい第
３実施例が開示される。

【０００８】標準的ＡＳＩＣまたは標準的セル・ライブ
ラリ、またはユーザによって特に設計されたもののいず
れかから選定され、ユーザ指定応用論理装置が、スルー
・レート制御回路を有する複数個の入力／出力バッファ
に接続された、多重チップ・バス装置に用いるための集
積回路が開示される。この装置内のＩＣのおのおのがス
ルー・レート制御回路を有し、および、ＳＣＳＩバスの
ような多重駆動装置バス上で通信するために、これらの
ＩＣが共通に接続された、装置が開示される。したがっ
て、このようにして作成された装置は、漏洩レベルの待
機電力消費を有し、優れたバス雑音減少特性を示すであ
ろう。

【０００９】

【実施例】下記の別々の図面において、対応する番号お
よび対応する記号が用いられている場合、特に断らない
限り、それらは対応する部品を表す。

【００１０】先行技術による出力バファ回路において、
典型的な出力駆動装置のスルー・レートは３Ｖ／ナノ秒
である。ＳＣＳＩバスのように多数個の駆動装置バスに
用いられる時、信号線路の電圧のこの高速変化は、信号
反射の強度に対し好ましくない寄与を与えると共に、バ
ス・ケーブルの共振周波数を励振するであろう。ケーブ
ルの物理的な長さの変動によりおよびコネクタのインピ
ーダンス不整合により、装置の設計者はバスの正確な物
理的特性を予測することはできないから、信号線路同調
技術およびインピーダンス整合技術は、問題点の実行可
能な解決ではないであろう。

【００１１】駆動装置の高速スルー・レートにより生ず
るバス上の信号線路反射および高周波共振が厳しい問題
点になる時、バス上のデータは読み出し不可能になり、
そしてこのデータは失われる。本発明の１つの目的は、
バスを駆動することができ、一方、負荷に独立でかつ設
計者により選定された値に限定されかつ制御されるスル
ー・レートを示す、入力／出力バッファのための回路を
得ることである。例えば、５メガヘルツの周波数で動作
するＳＣＳＩバスに対し、典型的な値は０．２０Ｖ／ナ
ノ秒の領域にある。この領域のスルー・レートは、信号
線路の共振と反射による信号の歪みを大幅に小さくする
であろう。

【００１２】図１Ａは、ディジタルＣＭＯＳ技術で実施
される先行技術による典型的なＣＭＯＳ出力バッファを
示す。駆動トランジスタＭ１は反転器１に接続される。
反転器１は入力に接続される。出力はトランジスタＭ１
の導電路に接続される。応用によっては、任意選択のプ
ルアップ回路３が備えられる。開放ドレインの応用で
は、このプルアップ回路３は省略される。プルアップ回
路３は、抵抗器回路またはＲＣ回路のように、受動的で
あることができ、または能動的であることができる。能
動的である場合には、図１Ａに示された点線の線路がプ
ルアップ回路３を制御するのに必要である。出力は装置
のバスに接続される。このバスは、抵抗性プルアップ部
品および容量性負荷部品を有する、負荷５として表され
る。

【００１３】図１Ａに示されたような先行技術による設
計の特徴は、ｄｉ／ｄｔ率制御である。この制御は、ト
ランジスタＭ１で得られるターン・オン電流の変化速度
を小さくすることによって、適度のスルー・レート制御
を提供する。これらの設計は、トランジスタＭ１のゲー
ト接続点に得られる駆動を弱くする技術を組み込んでい
る。この技術は、信号線路の負荷静電容量の変動を補償
しなく、そして、内部オンチップ・アース雑音を小さく
する方法を主な目的としている。この設計技術は、外部
信号バス雑音を小さくするのに、ほとんどまたは全く役
に立たない。

【００１４】図１Ｂは、３つの典型的な容量性負荷に対
し、図１Ａに示されたバッファの高レベルから低レベル
への出力特性を示す。この回路は、図に示された種々の
場合に対し、大幅に異なる降下時間によって明確に示さ
れているように、異なる負荷に対し補償を行わない。

【００１５】図２Ａは、本発明を実施する回路の開放ド
レイン実施例を示す。反転器１３が入力に接続される。
トランジスタＭ９により、出力ピンに対するプル・ダウ
ンが得られる。トランジスタＭ８によりクランピング作
用が得られ、この回路が出力を駆動していない時、トラ
ンジスタＭ９を「オフ」状態に保持する。トランジスタ
Ｍ２が動作することによりコンデンサＣ１をし、一方、
トランジスタＭ５が動作することによりコンデンサＣ１
を放電する。コンデンサＣ１は、典型的なディジタルＣ
ＭＯＳ工程において、酸化物誘電体コンデンサとして作
成されるが、しかし、このコンデンサを他の作成法で作
成することも可能である。トランジスタＭ１、Ｍ３、Ｍ
４、Ｍ７、Ｍ６、Ｍ５、およびコンデンサＣ１が動作す
ることにより、入力がスイッチする時、トランジスタＭ
９がオンになる電圧を制御し、それにより、出力接続点
がその低電圧値にプル・ダウンされる速さを制御する。

【００１６】動作の際には、回路の出力（接続点「出
力」）は４個の状態、すなわち、安定な論理状態すなわ
ち論理高レベル状態、高レベルから低レベルへの遷移
相、安定な論理低レベル状態、および低レベルから高レ
ベルへの遷移相、にわたって遷移する。これらの相を下
記で順次に考察する。

【００１７】接続点「入力」が安定な論理高レベル状態
（Ｖ_DDの９０％より大きい）にある時、接続点「Ａ」は
論理低レベル電圧にあり、そして接続点「Ｂ」は論理高
レベル電圧にある。このことにより、トランジスタＭ
１、Ｍ３、Ｍ４、Ｍ５およびＭ９は「オフ」であり、そ
してトランジスタＭ２、Ｍ６、Ｍ７、およびＭ８は「オ
ン」である。この状態において、「オフ」状態にあるト
ランジスタＭ９により、接続点「出力」は外部負荷バイ
アス電圧Ｖ_LOADにバイアスされる。トランジスタＭ９
は、「オン」状態にあるトランジスタＭ８のクランピン
グ作用により、「オフ」状態に保持される。トランジス
タＭ２が「オン」状態にありおよびトランジスタＭ９が
「オフ」状態にあることにより、接続点「Ｃ」のコンデ
ンサＣ１に現れる電圧は、コンデンサＣ１を、接続点
「出力」の電圧からトランジスタＭ２の両端の「オン」
状態電圧降下を減算した電圧にまで、充電する。トラン
ジスタＭ６およびＭ７は「オン」状態にあるけれども、
トランジスタＭ１、Ｍ３およびＭ４が「オフ」状態にあ
るので、トランジスタＭ６およびＭ７の中を電流は流れ
ない。

【００１８】接続点「入力」が論理低レベル状態Ｖ_DDの
１０％より小さい）にスイッチされた後、接続点「Ａ」
は論理高電圧にあり、および接続点「Ｂ」は論理低電圧
にある。その結果、トランジスタＭ１およびＭ５が「オ
ン」になり、およびトランジスタＭ２およびＭ８が「オ
フ」になる。接続点「Ｃ」の電圧は、コンデンサＣ１の
両端の電圧がトランジスタＭ５を通して放電する時、減
少を始める。接続点「Ｃ」の放電速度に対し要求された
ＲＣ時定数が得られるように、トランジスタＭ５の抵抗
性「オン」特性とコンデンサＣ１の大きさが設計され
る。このＲＣ時定数は、接続点「出力」における出力の
高レベルから低レベルへの遷移のスルー・レートを決定
するであろう。

【００１９】接続点「Ｃ」の電圧が減少する時、トラン
ジスタＭ３は「オン」になることを開始する。このこと
により、トランジスタＭ１、Ｍ３、およびＭ６を通して
電流が流れることが可能になり、そして接続点「Ｄ」の
電圧が増大を開始する。接続点「Ｄ」の電圧が増大する
時、トランジスタＭ９は「オン」になることを開始し、
そして出力の電圧、すなわち、接続点「出力」の電圧、
が減少を開始する。接続点「出力」はトランジスタＭ４
のゲートに接続され、そしてこの接続により、トランジ
スタＭ３とトランジスタＭ４とで構成される差動対に対
するフィードバックが得られる。もし接続点「出力」の
電圧が接続点「Ｃ」の電圧放電速度よりも速く減少する
ならば、接続点「出力」が接続点「Ｃ」よりも低い電圧
にあるという状況が急速に達成される。このことによ
り、トランジスタＭ４は「オン」になることを開始し、
そしてトランジスタＭ３を流れる電流はトランジスタＭ
４を流れる電流の分だけ減少するであろう。トランジス
タＭ３を流れる電流が減少することにより、接続点
「Ｄ」の電圧の増大速度が小さくなる。このことはトラ
ンジスタＭ９が「オン」になる速度を変調し、したがっ
て、出力の電圧、すなわち、接続点「出力」の電圧、が
減少する速度を小さくする。この負フィードバック機構
により、出力の電圧の減少速度がコンデンサＣ１の両端
を放電する電圧の減少速度に正比例する、ことが確実に
得られる。

【００２０】図２Ａに示された回路設計の１つの重要な
特徴は、遷移相の前の安定状態の期間中、接続点「Ｃ」
の電圧は、トランジスタＭ２の接続により、接続点「出
力」の出力電圧にほぼ等しいことである。この特徴によ
り、フィードバック路の応答時間が出力負荷バイアス電
圧Ｖ_LOADに独立に保持される、ことが確実に得られる。

【００２１】この回路設計のまた別の重要な特徴は、ト
ランジスタＭ６およびトランジスタＭ７のゲートが、接
続点「Ｃ」に接続されたトランジスタＭ３のゲートに接
続されることである。差動対設計に用いられる従来の方
式は、トランジスタＭ６およびトランジスタＭ７のゲー
トを制御された電圧源に接続することである。けれど
も、この方法は直流電力消費の大きい回路を必要とする
であろう。トランジスタＭ６のゲートおよびトランジス
タＭ７のゲートを接続点「Ｃ」に接続することにより、
遷移相の期間中だけの能動バイアス作用が得られ、そし
て直流電力消費を回避することができる。さらに、接続
点「Ｃ」の電圧が減少する時、トランジスタＭ３の臨界
初期「オン」期間中、接続点「Ｄ」の電圧増大は動的に
大きくなる。この降下は、処理工程の変動による回路の
伝搬時間変動を最小にする。

【００２２】出力の高レベルから低レベルへの遷移相の
後の最終的低電圧安定状態において、接続点「Ｃ」の電
圧はトランジスタＭ６およびトランジスタＭ７の閾値電
圧如何に放電し、したがって、トランジスタＭ６および
Ｍ７は「オフ」である。トランジスタＭ１、Ｍ３および
Ｍ４は「オン」状態のままであり、そして接続点「Ｄ」
はＶ_DDにほぼ等しい電圧にまで上昇する。トランジスタ
Ｍ９は、接続点「出力」の電圧が０．５ボルトより小さ
い場合、非飽和状態で「オン」状態である。トランジス
タＭ６およびＭ７はトランジスタＭ５によってクランプ
・オフされるから、差動対トランジスタＭ３およびＭ４
を通して電流は流れなく、このことにより、待機状態電
力消費は最小になる。

【００２３】接続点「入力」がスイッチされて高レベル
状態に戻る時、接続点「Ａ」は論理低レベルに戻り、お
よび接続点「Ｂ」は論理高レベルに戻る。トランジスタ
Ｍ１は「オフ」になり、そしてそのソース電流の供給を
停止することにより、差動対Ｍ３およびＭ４を直ちにデ
ィスエーブルする。トランジスタＭ８が「オン」にな
り、そしてこのことはトランジスタＭ９を「オフ」にす
ることを開始する。接続点「出力」の電圧は、外部負荷
のＲＣ時定数によって決定される速さで、増大を開始す
る。トランジスタＭ９は「オフ」になり、そしてトラン
ジスタＭ２は「オン」になり、それにより接続点「Ｃ」
は増大を開始することができ、したがって、接続点
「Ｃ」の電圧は接続点「出力」の電圧に追随するであろ
う。

【００２４】トランジスタＭ５により、コンデンサＣ１
の放電速度を制御する機構が得られる。トランジスタＭ
５の寸法と閾値電圧を選定することにより、設計者は、
入力での遷移に応答して、コンデンサＣ１をどの位の速
度で放電するかを決定することができる。トランジスタ
Ｍ５およびコンデンサＣ１が多数個の抵抗器素子および
静電容量素子で置き換えられたまた別の実施例では、コ
ンデンサＣ１の放電速度をさらに最適化することがで
き、それにより、入力の遷移からトランジスタＭ９がオ
ンになるまでの伝搬遅延時間を小さくすることができ
る。

【００２５】図２Ｂは、３つの典型的な出力負荷に対
し、図２Ａに示された回路の高レベルから低レベルへの
出力遷移特性のグラフを示す。この回路は負荷を補償
し、そしてこの３つの場合に対する遷移時間は基本的に
は同じであることに注意されたい。図示された約２０ナ
ノ秒の遷移時間は、小型コンピュータ装置インタフェー
ス・バス、すなわち、ＳＣＳＩバス、について設計され
た装置での応用に対して選定されたものである。周知の
設計技術を用いて要求された応答を得るために、ユーザ
は、トランジスタの寸法とコンデンサＣ１の静電容量値
を設計することにより、任意の装置に対し適切な遷移時
間を選定することができる。

【００２６】図３は、本発明を実施する出力バッファで
あって、プッシュ・プル出力バッファまたは全領域出力
バッファを実施する。図３の回路は、図２の回路のすべ
ての素子を有すると共に、プッシュ・プル回路１９をさ
らに有する。開放ドレイン方式が使用されない応用で
は、この実施例により、制御されたスルー・レート降下
時間でもって、バスを低レベルに駆動し、および、バス
上の負荷とプッシュ・プル回路１９とによって決定され
る立上がり時間でもって、バスを高レベルに駆動する、
回路が得られる。

【００２７】図５は、図２Ａおよび図３に示されたトラ
ンジスタＭ５に対するまた別の設計を示す。図２Ａおよ
び図３のトランジスタＭ５は、特性の改良のために、図
４に示されているように接続されたトランジスタＭ５、
Ｍ５Ａ、Ｍ５Ｂ、Ｍ５ＣおよびＭ５Ｄで置き換えること
ができる。

【００２８】トランジスタＭ５と直列に接続されたトラ
ンジスタＭ５Ａにより、接続点Ｃの放電目標電圧は、ト
ランジスタＭ５Ａの「オン」電圧だけ上昇する。典型的
なＣＭＯＳ処理工程では、トランジスタＭ５Ａの「オ
ン」電圧は約０．９Ｖである。接続点Ｃの電圧に対しこ
の電圧を選定することにより、トランジスタＭ９がオン
である臨界期間中、トランジスタＭ６およびトランジス
タＭ７（図２Ａまたは図３を見よ）がオフにならないこ
とが確実に得られる。トランジスタＭ５Ｃが、トランジ
スタＭ５Ｂと接続点Ｄとの間に接続される。トランジス
タＭ５Ｃが動作することにより、接続点Ｄの電圧がトラ
ンジスタＭ９がオンになる電圧よりも０．９Ｖ高い時、
トランジスタＭ５Ｂをオンにする。この構成体により、
トランジスタＭ９に対するオン期間が完了した後、トラ
ンジスタＭ６およびＭ７をオフにする装置が得られる。

【００２９】図５は、図２Ａおよび図３に示されたトラ
ンジスタＭ８に対するまた別の設計を示す。図５に示さ
れているように、回路の特性を改良するために、トラン
ジスタＭ８はさらにトランジスタＭ８Ａおよびトランジ
スタＭ８Ｂに接続することができる。

【００３０】トランジスタＭ８ＡはトランジスタＭ８Ｂ
と直列に接続される。動作の際には、このことにより、
Ｖ_DDの高電圧レベルからトランジスタＭ１およびトラン
ジスタＭ３（図２Ａを見よ）のオン状態電圧を差し引い
た電圧より、図２ＡのトランジスタＭ９の閾値電圧に接
近する電圧レベルへ、接続点「Ｄ」の電圧が急速に遷移
する装置が得られる。トランジスタＭ８Ａの重要な特性
は、接続点「Ｄ」の電圧がトランジスタＭ９の閾値電圧
に接近する時、トランジスタＭ８Ａの体積効果により、
その「オン」状態抵抗値が増加することである。トラン
ジスタＭ８ＡとトランジスタＭ８Ｂの直列接続体にトラ
ンジスタＭ８が並列に接続され、それにより、接続点
「Ｄ」に対する弱い２次的プルダウン構造体が得られ
る。トランジスタＭ８、Ｍ８ＡおよびＭ８Ｂの全体で、
接続点「Ｄ」の電圧の高レベルから低レベルへの遷移の
形状を整える装置が得られ、それにより、トランジスタ
Ｍ９のゲートの電圧が制御されて、トランジスタＭ９は
ゆっくりとオフになる。接続点「Ｄ」はトランジスタＭ
９の閾値電圧に急速に近付くが、しかし、トランジスタ
Ｍ９のオフ状態期間中ゆっくり遷移するように、接続点
「Ｄ」の電圧の整形が実行される。この回路により、設
計者は、出力接続点（図２Ａの「出力」）の低レベルか
ら高レベルへの遷移を制御することができ、したがっ
て、同様に高レベルから低レベルへの遷移を遅くするこ
とができる。

【００３１】図６は、ＳＣＳＩ装置のような開放ドレイ
ン・バス装置に用いられる入力／出力バッファを実行す
る、本発明の第３の実施例を示す。入力接続点「入力」
は反転器２１に接続され、そして反転器２１は反転器２
３に接続され、それにより、回路内のスイッチング波形
が得られる。トランジスタＭ３およびトランジスタＭ４
はまた、入力／出力接続点「Ｉ／Ｏ」に接続された差動
対を構成する。トランジスタＭ９により、出力接続点に
対するプルダウン路が得られる。反転器２９および反転
器３１が接続され、それにより、「Ｉ／Ｏ」接続点に等
しくかつこの集積回路の中で用いられる、非反転出力が
得られる。ゲート２５および２７が配置され、それによ
り、接続点「Ｉ／Ｏ」に接続された「ＳＲ」ラッチが得
られる。トランジスタＭ８Ａ、Ｍ８Ｂ、Ｍ８およびＭ８
Ｃにより、トランジスタＭ９に対するターン・オフ作用
およびクランピング作用が得られる。トランジスタＭ９
のゲートのオン電圧を制御するために、トランジスタＭ
６、Ｍ７およびＭ５Ａ、Ｍ５Ｂ、Ｍ５Ｃ、Ｍ５Ｄがコン
デンサＣ１に接続される。バス負荷は、負荷回路３３に
よって表される。負荷回路３３は、抵抗器Ｒ_LOADと、コ
ンデンサＣ_LOADと、バス端子電圧Ｖ_LOADとを有する。

【００３２】動作の際には、図６の回路は図２の回路と
全く同様に動作し、トランジスタＭ９のターン・オン特
性およびターン・オフ特性の制御を改良するために図４
および図５の増強回路が付加される。トランジスタＭ８
Ｃに接続されたＯＲゲート２５およびＯＲゲート２７に
よって構成されるＳＲラッチにより、出力接続点「Ｉ／
Ｏ」の高レベル電圧をトランジスタＭ９のゲートにフィ
ードバックする装置によって、トランジスタＭ９のゲー
トに雑音免除性がさらに付加的に得られる。出力接続点
の高レベル電圧が極めて高い値に到達する時、トランジ
スタＭ９のゲートはさらにクランプ・ダウンされ、それ
により、出力の雑音がトランジスタＭ９を「オフ」状態
から離れることがないように、ＳＲラッチが設計され
る。

【００３３】図７は、応用論理装置４１および出力バッ
ファ４３を有する集積回路を示す。この応用論理装置は
ユーザによって指定される。この応用論理装置は、ＡＳ
ＩＣ設計ツール、標準的セル・ライブラリを用いて作成
することができ、またはユーザにより特に設計すること
ができる。Ｉ／Ｏバッファ４３のおのおのは、図６に示
された回路を用いて実施することができる。このＩＣ
は、多重駆動装置バス、例えば、ＳＣＳＩバスを用い
て、他のＩＣに接続することができる。このようにして
得られた装置は優れた信号雑音減少特性を示し、一方、
装置の全体的電力使用量が小さいために、漏洩レベルの
待機電力を維持する。

【００３４】前記において、少数個の好ましい実施例が
説明された。本発明は、前記で説明されなかったけれど
も、しかし請求項の範囲内に含まれる実施例を、すべて
包含するものであることを断っておく。

【００３５】中間回路またはその他を通しての内部接続
および外部接続は、オーム的接続、静電容量的接続、直
接接続または間接接続であることができる。シリコン、
ヒ化ガリウム、または他の電子材料群の個別部品または
完全に集積化された回路で作成することができ、また
は、光学的または他の技術に基づく形式および実施例で
作成することができる。本発明の種々の実施例はハード
ウエア、ソフトウエア、またはマイクロコード化された
ファームウエアに用いることができる、またはそれらで
実施することができる。

【００３６】本発明が例示された実施例に基づいて説明
されたけれども、前記説明は本発明が前記実施例に限定
されることを意味するものではない。前記に例示された
実施例の種々の変更実施例およびそれらを組み合わせた
実施例、および本発明の他の実施例の可能であること
は、前記説明を参照すれば、当業者にはすぐに分かるで
あろう。したがって、請求項はこのような変更実施例お
よびこのような他の実施例をすべて包含するものであ
る。

【００３７】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 (1) 第１論理レベルを表す第１電圧源と、および第２
論理レベルを表す第２電圧源と、制御端子に接続された
入力を有する駆動トランジスタと、前記駆動トランジス
タの第１導電端子に接続された出力であって、前記駆動
トランジスタの第２導電端子が前記第２電圧源に接続さ
れた、前記出力と、 前記入力に接続され、かつ、前記
第１電圧源に接続され、かつさらに、前記駆動トランジ
スタの前記制御端子に接続された、スルー・レート制御
回路とを有し、かつ、前記入力の電圧遷移に応答して前
記出力に電圧遷移を得るように動作することが可能であ
り、かつ、前記スルー・レート制御回路が前記出力の電
圧遷移を制御して前記遷移が予め定められた速さで起こ
るように動作することが可能である、改良された雑音減
少特性と電力特性とを有するバッファ回路。

【００３８】(2) 第１項に記載されたバッファ回路に
おいて、前記スルー・レート制御回路が前記出力に選択
的に接続され、かつさらに、前記駆動トランジスタの前
記制御端子に選択的に接続された、コンデンサと、前記
コンデンサに接続され、かつさらに、前記入力に接続さ
れた、制御回路とを有し、前記コンデンサが前記出力の
一定の電圧レベルまで選択的に充電されおよびまたは前
記第２電圧源に選択的に放電されるように動作すること
が可能であり、その際、前記駆動トランジスタの前記制
御端子の前記電圧が前記コンデンサの前記電圧に逆比例
し、したがって、前記駆動トランジスタの前記導電路が
前記入力の電圧レベル遷移に応答して活性になる速さが
前記コンデンサの予め定められた放電速度に比例する、
前記バッファ回路。

【００３９】(3) 第２項に記載された制御回路におい
て、前記出力端子から接続されたフィードバック路を備
えたスルー・レート補償回路をさらに有し、かつ、前記
補償回路が動作することにより、前記制御端子の前記電
圧が前記入力の電圧レベル遷移に応答して増大する速さ
が前記出力の電圧レベル遷移の速さに反比例してさらに
補償される、前記制御回路。

【００４０】(4) 第３項に記載された制御回路におい
て、前記スルー・レート補償回路が、差動対として接続
された１対のトランジスタを有し、かつ、前記トランジ
スタ対の中の第１トランジスタが前記出力からの前記フ
ィードバック路に接続された制御端子を有し、かつ、前
記差動対のトランジスタのおのおのが前記第１電圧源に
接続されたその第１導電端子および第２導電端子の１つ
を有し、前記トランジスタ対の中の前記第１トランジス
タの前記第２導電端子が第３トランジスタの導電路を通
して前記第２電圧源に接続され、前記トランジスタ対の
中の前記第２トランジスタの前記第２導電端子が、前記
駆動トランジスタの前記制御端子に接続され、かつ、第
４トランジスタの導電路を通して前記第２電圧源にさら
に接続され、前記第３トランジスタおよび前記第４トラ
ンジスタの制御端子が、コンデンサを通して前記第２電
圧源に接続され、かつ、前記コンデンサに並列に接続さ
れた第５トランジスタを通して前記第２電圧源にさらに
接続され、かつ、前記駆動トランジスタの導電路が活性
でない時、前記コンデンサが前記出力にさらに接続され
および前記出力の電圧にまで充電され、かつ、前記入力
での遷移に応答して前記コンデンサが予め定められた速
さで第５トランジスタを通して放電することを開始し、
かつ、前記駆動トランジスタの前記制御端子での電圧変
化の速さが前記コンデンサの放電の速さに比例し、か
つ、前記出力での遷移の速さが前記コンデンサの放電の
前記速さに比例するように、動作することが可能であ
る、前記制御回路。

【００４１】(5) 第１項に記載されたバッファ回路に
おいて、前記出力端子に接続され、かつ、前記出力にそ
の値を反映する信号を得るためにさらに接続され、か
つ、入力／出力性能を得るように動作することができ
る、第２出力をさらに有する、前記バッファ回路。

【００４２】(6) 第１項に記載されたバッファ回路に
おいて、前記駆動トランジスタの前記制御端子に接続さ
れ、かつ、前記入力の電圧レベルの遷移に応答して前記
制御端子電圧の減少の速さを制御しそれにより、前記駆
動トランジスタが予め定められた方式で導電状態から非
導電状態に遷移するように動作することが可能である、
クランピング回路をさらに有する、前記バッファ回路。

【００４３】(7) 入力端子と、第１論理値を表す第１
電圧と、出力端子と第２論理値を表す第２電圧との間に
接続され、かつ、制御端子を有する、駆動トランジスタ
と、前記入力に接続され、かつ、前記駆動トランジスタ
の前記制御端子に接続された、スルー・レート制御回路
と、前記出力に接続され、かつ、前記駆動トランジスタ
の前記制御端子に接続された、スルー・レート補償回路
とを有し、かつ、前記出力に制御された遷移速度を有す
るバッファが得られるように動作することが可能であ
り、かつ、高論理レベルを表す電圧から低論理レベルを
表す電圧への前記出力の遷移が前記入力での電圧遷移に
応答して起こり、かつ、前記遷移の速さが前記スルー・
レート制御回路によって設定された速さによって制御さ
れ、かつ、前記遷移の速さが前記スルー・レート補償回
路によりさらに決定され、それにより、前記出力での電
圧レベル遷移が前記スルー・レート制御回路の予め定め
られた速さに比例しかつさらに前記スルー・レート補償
回路により制御される、改良された雑音減少特性および
電力特性を有するＣＭＯＳ出力バッファ。

【００４４】(8) 第７項に記載されたＣＭＯＳ出力バ
ッファにおいて、前記スルー・レート制御回路が前記第
１電圧源に接続され、かつ、前記駆動トランジスタの前
記制御端子に接続され、かつ、前記入力に接続された制
御端子を有する、第１導電形の第１ＭＯＳトランジスタ
と、前記駆動トランジスタの前記制御端子に接続され、
かつ、前記第２電圧源にさらに接続された、第２導電形
の第１ＭＯＳトランジスタと、前記第１ＭＯＳトランジ
スタの前記制御端子と前記第２電圧源との間に接続さ
れ、かつ、前記出力に選択的に接続されたまたはその代
わりに前記第２電圧源に接続された第１ＭＯＳトランジ
スタに接続された、コンデンサとを有し、かつ、前記入
力が第１電圧レベルにある時、前記コンデンサが前記出
力に接続されかつ前記出力での電圧レベルにまで充電さ
れるように動作することが可能であり、かつ、前記入力
での第１電圧レベルへの遷移に応答して前記コンデンサ
が第２ＭＯＳトランジスタを通して放電し、かつ、前記
第２ＭＯＳトランジスタを通しての前記コンデンサの放
電速度がいつ前記駆動トランジスタの前記制御端子がタ
ーン・オン電圧に到達したかを決定し、したがって、前
記出力での前記電圧レベル遷移速度が前記第２ＭＯＳト
ランジスタを通しての前記コンデンサの放電の前記予め
定められた速度に比例する、前記ＣＭＯＳ出力バッフ
ァ。

【００４５】(9) 第７項に記載されたＣＭＯＳ出力バ
ッファにおいて、前記スルー・レート補償回路が第２導
電形の第１ＭＯＳトランジスタに直列に接続された第１
導電形の第１ＭＯＳトランジスタを有し、かつ、直列接
続されたトランジスタの前記対が前記第１電圧源と前記
第２電圧源との間に接続され、かつ、前記第１導電形の
前記第１ＭＯＳトランジスタの制御端子が前記出力端子
に接続された、第１ＣＭＯＳゲートと、前記第２導電形
の第２ＭＯＳトランジスタに直列に接続された前記第１
導電形の第２ＭＯＳトランジスタを有し、かつ、直列接
続されたトランジスタの前記対が前記第１電圧源と前記
第２電圧源との間に接続され、かつ、前記第３ＭＯＳト
ランジスタの制御端子が前記入力端子での値を反映する
接続点に接続された、第２ＣＭＯＳゲートとを有し、か
つ、前記第２ＣＭＯＳゲートを通して流れる電流が前記
第１ＣＭＯＳゲートを通して流れる電流だけ減少するよ
うに動作することが可能であり、したがって、前記駆動
トランジスタの制御端子での電圧増大速度が前記出力で
の電圧レベル遷移の速さに逆比例する、前記ＣＭＯＳ出
力バッファ。

【００４６】(10) 第７項に記載されたＣＭＯＳバッフ
ァにおいて、前記入力に接続され、かつ、前記駆動トラ
ンジスタの制御端子に接続され、かつ、前記入力での遷
移に応答して前記駆動トランジスタのターン・オフ特性
を制御するように動作することが可能であり、それによ
り、前記第２論理電圧から前記第１論理電圧への前記出
力での遷移が予め定められた速さで起こる、クランピン
グ回路をさらに有する、前記ＣＭＯＳバッファ。

【００４７】(11) 第１０項に記載されたクランピング
回路において、第１導電形のＭＯＳトランジスタが、前
記駆動トランジスタの制御端子と前記第２電圧源との間
に接続された導電路と、前記入力端子に接続された制御
端子とを有し、かつ、前記入力での遷移に応答して前記
駆動トランジスタの制御端子を前記第２電圧源に接続す
るように動作することが可能である、前記クランピング
回路。

【００４８】(12) 第１０項に記載されたクランピング
回路において、そのゲートおよびドレインが共通に接続
され、かつ、前記駆動トランジスタの制御端子に接続さ
れた第１導電端子を有する、第１導電形の第１ＭＯＳト
ランジスタと、第２形の第２導電端子と前記第２電圧源
との間に直列に接続され、かつ、前記入力端子での値を
反映する接続点に接続された制御端子を有する、第２導
電形の第１ＭＯＳトランジスタと、前記駆動トランジス
タの制御端子と前記第２電圧源との間に接続された導電
路を有し、かつ、前記入力端子での値を反映する接続点
に接続された制御端子を有する、前記第２導電形の第２
ＭＯＳトランジスタとを有し、かつ、前記駆動トランジ
スタの制御端子の電圧の前記第１電圧レベルから前記第
２電圧レベルへの遷移を制御するように動作することが
でき、それにより、前記駆動トランジスタの制御端子の
電圧が前記駆動トランジスタの閾値電圧に急速に接近し
そしてそれから前記駆動トランジスタの閾値を通ってゆ
っくりと減少し、そして前記駆動トランジスタが予め定
められた速さでオフになる、前記クランピング回路。

【００４９】(13) 第７項に記載されたＣＭＯＳバッフ
ァにおいて、前記出力端子と前記第１電圧源との間に接
続され、かつ、前記駆動トランジスタが能動でない時前
記出力の電圧が前記第１電圧源の電圧レベルまで増加さ
せるように動作することができる、プルアップ回路をさ
らに有する、前記ＣＭＯＳバッファ。

【００５０】(14) 第１３項に記載されたプルアップ回
路において、受動的抵抗器を有する、前記プルアップ回
路。

【００５１】(15) 第１３項に記載されたプルアップ回
路において、前記入力端子での遷移に応答して前記出力
端子を前記第１電圧源に接続するように動作することが
可能な回路をさらに有する、前記プルアップ回路。

【００５２】(16) 第１５項に記載されたプルアップ回
路において、前記第１電圧源と前記出力端子との間に接
続された導電路と、前記入力での電圧レベルを反映する
接続点に接続された制御端子と、を備えたＭＯＳトラン
ジスタをさらに有する、前記プルアップ回路。

【００５３】(17) 第１論理レベルを表す第１電圧源を
備える段階と、第２論理レベルを表す第２電圧源を備え
る段階と、出力端子と前記第２電圧源との間に接続さ
れ、かつ、入力端子に接続された制御端子を有する、駆
動トランジスタを備える段階と、制御回路に接続された
コンデンサを備える段階であって、前記制御回路の動作
により前記コンデンサを前記出力端子に選択的に接続す
ることが可能であり、およびまた、前記制御端子での電
圧増大の速さを制御するように動作することが可能であ
る、前記コンデンサを備える段階と、前記出力にさらに
接続され、かつ、前記制御端子での電圧増大の速さを制
御するように動作することが可能である、フィードバッ
ク補償回路を備える段階とを有し、かつ、前記入力での
電圧レベルの遷移に応答して前記駆動トランジスタを動
作させ、それにより、前記制御端子での電圧レベルが前
記入力での遷移に応答して前記コンデンサの放電速度に
比例する速さで遷移し、前記制御端子での電圧レベルの
増大する速さがまた前記フィードバック補償回路を備え
る結果として前記出力での電圧の減少速度に逆比例し、
したがって、前記駆動トランジスタが予め定められた方
式で導電状態になることができる、改良された雑音減少
特性と待機電力特性を有する出力バッファを実施する方
法。

【００５４】(18) 第１７項に記載されたバッファを実
施する方法において、前記駆動トランジスタの前記制御
端子に接続されたクランピング回路を備える段階、をさ
らに有する前記方法。

【００５５】(19) 第１８項に記載された方法におい
て、前記駆動トランジスタの前記制御端子に接続され
た、第１プルダウン・トランジスタを備える段階と、直
列に接続された２個のトランジスタを有し、かつ、前記
第１プルダウン・トランジスタに並列に接続された、第
２プルダウン回路を備える段階と、前記第１プルダウン
・トランジスタおよび前記第２プルダウン回路を前記電
圧値を反映する接続点に接続する段階と、前記第１プル
ダウン・トランジスタおよび前記第２プルダウン回路を
動作させる段階であって、それにより、前記入力での遷
移に応答して前記第２プルダウン回路が動作することに
より前記駆動トランジスタの前記制御端子の電圧を前記
駆動トランジスタの閾値電圧の近くの電圧に急速遷移さ
せ、かつ、前記第２プルダウン・トランジスタが動作す
ることにより前記駆動トランジスタの前記制御端子を前
記駆動トランジスタのターン・オフ領域を通して予め定
められた速度で遷移させる、前記第１プルダウン・トラ
ンジスタおよび前記第２プルダウン回路を動作させる前
記段階と、をさらに有する前記方法。

【００５６】(20) ユーザが定める機能を実施し、か
つ、出力信号を有する、応用論理回路と、スルー・レー
ト制御出力駆動回路を有し、かつ、前記出力信号に接続
された入力およびこの集積回路の出力ピンに接続された
出力を有する、バッファ回路と、を有する、改良された
雑音特性と電力特性を有する集積回路。

【００５７】(21) 第２０項に記載された集積回路にお
いて、前記バッファ回路構成体が入力端子と、第１論理
値を表す第１電圧と、第２論理値を表す第２電圧と出力
端子との間に接続され、かつ、制御端子を有する、駆動
トランジスタと、前記入力に接続され、かつ、前記駆動
トランジスタの前記制御端子に接続された、スルー・レ
ート制御回路と、前記出力および前記駆動トランジスタ
の前記制御端子に接続された、スルー・レート補償回路
と、をおのおのが有する複数個のバッファ回路を備え、
かつ、制御された遷移速度を有するバッファが前記出力
に得られるように動作し、かつ、前記第１論理レベルか
ら前記第２論理レベルへの前記出力の遷移が前記入力で
の電圧遷移に応答して起こり、かつ、前記遷移の速度が
前記スルー・レート制御回路によって設定された速度に
よって制御され、かつ、前記速度がさらに前記スルー・
レート補償回路によって決定され、それにより、前記出
力での電圧レベル遷移の速度が前記スルー・レート制御
回路の前記予め定められた速度に比例しかつ前記スルー
・レート補償回路によってさらに制御される、前記集積
回路。

【００５８】(22) 第２１項に記載されたバッファ回路
において、前記スルー・レート制御回路が前記第１電圧
源に接続され、かつ、前記駆動トランジスタの前記制御
端子に接続され、かつ、前記入力に接続された制御端子
を有する、第１導電形の第１ＭＯＳトランジスタと、前
記駆動トランジスタの前記制御端子に接続され、かつさ
らに、前記第２電圧源に接続された、第２導電形の第１
ＭＯＳトランジスタと、前記第１ＭＯＳトランジスタと
前記第２電圧源との間に接続され、かつ、前記出力に選
択的に接続されまたは前記第２電圧源に接続される第２
ＭＯＳトランジスタに接続された、コンデンサとを有
し、かつ、前記入力が第１電圧レベルにある時、前記コ
ンデンサが前記出力に接続されかつ前記出力の電圧レベ
ルまで充電され、かつ、前記入力が第２電圧レベルに遷
移するのに応答して前記コンデンサが前記第２ＭＯＳト
ランジスタを通して放電し、かつ、前記第２ＭＯＳトラ
ンジスタを通しての前記コンデンサの放電速度が前記駆
動トランジスタのターン・オン電圧領域を通して前記駆
動トランジスタの前記制御端子が遷移する速さを決定す
るように動作することが可能である、前記バッファ回
路。

【００５９】(23) 第２１項に記載されたバッファ回路
において、前記スルー・レート補償回路が第２導電形の
第１ＭＯＳトランジスタに直列に接続された第１導電形
の第１ＭＯＳトランジスタを有し、かつ、直列に接続さ
れたトランジスタの前記対が前記第１電圧源と前記第２
電圧源との間に接続され、かつ、前記第１導電形の前記
第１ＭＯＳトランジスタの制御端子が前記出力端子に接
続された、第１ＣＭＯＳゲートと、前記第２導電形の前
記第２ＭＯＳトランジスタに直列に接続された前記第１
導電形の第２ＭＯＳトランジスタを有し、かつ、直列に
接続されたトランジスタの前記対が前記第１電圧源と前
記第２電圧源との間に接続され、かつ、前記第１ＭＯＳ
トランジスタに並列に接続され、かつ、第３ＭＯＳトラ
ンジスタの制御端子が前記入力端子での値を反映した接
続点に接続された、第２ＣＭＯＳゲートとを有し、か
つ、前記第２ＣＭＯＳゲートを通して流れる電流が前記
第１ＣＭＯＳゲートを通して流れる電流だけ減少し、し
たがって、前記駆動トランジスタの前記制御端子での電
圧の増大の速さが前記出力での電圧レベルの遷移速度に
逆比例する、ように動作することが可能な、前記バッフ
ァ回路。

【００６０】(24) 第２１項に記載されたバッファ回路
において、バッファのおのおのがさらに前記入力に接続
され、かつ、前記駆動トランジスタの前記制御端子に接
続され、かつ、前記入力での遷移に応答して前記駆動ト
ランジスタのターン・オフ特性を制御するように動作す
ることが可能であり、それにより、前記第２電圧レベル
から前記第１電圧レベルへ戻る遷移が予め定められた速
さで起こる、クランピング回路を有する、前記バッファ
回路。

【００６１】(25) 第２４項に記載されたクランピング
回路において、前記駆動トランジスタの前記制御端子と
前記第２電圧源との間に接続された導電路を有し、か
つ、前記入力端子に接続された前記制御端子を有し、か
つ、前記入力での遷移に応答して前記駆動トランジスタ
の前記制御端子を前記第２電圧源に接続するように動作
することが可能である、第１導電形のＭＯＳトランジス
タを有する、前記クランピング回路。

【００６２】(26) 第２５項に記載されたクランピング
回路において、共通に接続されたそのゲートおよびドレ
インを有し、かつ、前記駆動トランジスタの前記制御端
子に接続された第１導電端子を有する、第１導電形の第
１ＭＯＳトランジスタと、第２形の第２導電端子と前記
第２電圧源との間に直列に接続され、かつ、前記入力端
子での値を反映する接続点に接続された制御端子を有す
る、第２導電形の第１ＭＯＳトランジスタと、前記駆動
トランジスタの前記制御端子と前記第２電圧源との間に
接続された導電路を有し、かつ、前記入力端子での値を
反映する接続点に接続された制御端子を有する、第２導
電形の第２ＭＯＳトランジスタを有し、かつ、前記駆動
トランジスタの前記制御端子の電圧が第１電圧レベルか
ら第２電圧レベルへの遷移を制御するように動作するこ
とが可能であり、それにより、前記駆動トランジスタの
前記制御端子の前記電圧が前記駆動トランジスタの閾値
に急速に接近し、かつそれから、前記駆動トランジスタ
の前記閾値を通ってゆっくりと減少し前記駆動トランジ
スタを予め定められた速さでオフにする、前記クランピ
ング回路。

【００６３】(27) 第２１項に記載されたバッファ回路
において、バッファのおのおのがさらに前記出力端子と
前記第１電圧源との間に接続され、かつ、前記駆動トラ
ンジスタが能動でない時前記出力の電圧を前記第１電圧
源の電圧レベルまで増大させるように動作することが可
能な、プルアップ回路有する、前記バッファ回路。

【００６４】(28) 第２７項に記載されたプルアップ回
路において、受動抵抗器素子を有する、前記プルアップ
回路。

【００６５】(29) 第２７項に記載されたプルアップ回
路において、前記入力端子での遷移に応答して前記出力
端子を前記第１電圧源に接続するように動作することが
可能な回路をさらに有する、前記プルアップ回路。

【００６６】(30) 第１５項に記載されたプルアップ回
路において、前記第１電圧源と前記出力端子との間に接
続された導電路と、前記入力での電圧レベルを反映する
接続点に接続された制御端子とを備えた、ＭＯＳトラン
ジスタをさらに有する、前記プルアップ回路。

【００６７】(31) 前記出力に制御されたスルー・レー
トを有し、かつ、前記スルー・レート制御を達成するの
に付加的待機電力を使用しない、ＣＭＯＳバッファを物
理的に実現する回路のための方法と装置が開示される。
前記出力からのフィードバック路が差動対を構成するト
ランジスタＭ６、Ｍ７に接続され、前記トランジスタＭ
６、Ｍ７はコンデンサＣ１にさらに接続される。コンデ
ンサＣ１の放電速度および前記回路内のトランジスタの
寸法の選定が、前記フィードバック路と共に用いられ
て、前記出力の高レベルから低レベルへの遷移および低
レベルから高レベルへの遷移を制御する。本発明の回路
により、標準的ディジタルＣＭＯＳ技術を用いた優れた
オン・チップ特性と優れたバス信号雑音特性とを有して
バスを駆動し、かつ、優れた待機電力特性と優れた活性
電力特性を有する、バッファを、設計者が構成すること
ができる。開放ドレイン・バッファおよびプルアップ・
バッファが開示される。この回路を実施する、入力／出
力に接続された応用論理装置を実施する集積回路と出力
バッファが、開示される。他の実施例もまた開示され
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】先行技術による典型的なＣＭＯＳバッファ回路
の図であって、Ａはこの回路の概要図、Ｂは３つの異な
る負荷静電容量値に対するＡ図に示された先行技術によ
るバッファの高レベルから低レベルへの出力遷移の図。

【図２】本発明のスルー・レート制御回路を実施する開
放ドレイン出力バッファの図であって、Ａはこの回路の
概要図、Ｂは３つの異なる負荷静電容量値に対するＡ図
に示された出力バッファの出力の高レベルから低レベル
への遷移の図。

【図３】開放ドレイン駆動装置とプルアップ回路を備え
た出力バッファを有する好ましい第２実施例の概要図。

【図４】図２および図３に示されたトランジスタＭ５に
対するまた別の設計を示す概要図。

【図５】図２および図３に示されたトランジスタＭ８に
対するまた別の設計を示す概要図。

【図６】開放ドレイン駆動装置を有し、かつ、本発明の
制御されたスルー・レート回を実施する、入力／出力バ
ッファを示す概要図。

【図７】図６に示された入力／出力バッファを用いて作
成されるバッファを実施する集積回路のブロック線図。

【符号の説明】

Ｖ_DD 第１電圧源 Ｖ_SS 第２電圧源 駆動トランジスタ スルー・レート制御回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H03K 17/00 - 17/70

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 入力端子と、 第１論理値を表す第１電圧と、 出力端子と第２論理値を表す第２電圧との間に接続さ
   れ、制御端子を有する駆動トランジスタと、 前記入力端子と前記駆動トランジスタの制御端子との間
   に接続されたスルー・レート制御回路であって、当該ス
   ルー・レート制御回路は： 第１電圧源と、前記駆動トランジスタの制御端子に接続
   され、前記入力端子に接続された制御端子を有する第１
   導電型の第１ＭＯＳトランジスタと、 前記駆動トランジスタの制御端子と、さらに第２電圧源
   とに接続された第２導電型の第１ＭＯＳトランジスタ
   と、 前記第２導電型の第１ＭＯＳトランジスタの制御端子と
   前記第２電圧源との間に結合されて、選択的に前記出力
   に接続し、または前記第２電圧源に接続された第２導電
   型の第２のＭＯＳトランジスタに交互に接続されるコン
   デンサとを備え、 前記入力端子が第１電圧レベルの時に、前記コンデンサ
   は前記出力に接続されて当該出力の電圧レベルにチャー
   ジされ、第２電圧レベルへの遷移に応答して前記第２の
   ＭＯＳトランジスタを通して放電して、前記駆動トラン
   ジスタの前記制御端子がターン・オン電圧に到達する時
   点を決定し、前記出力での電圧レベル遷移率は前記第２
   のＭＯＳトランジスタを通じた前記コンデンサの所定の
   放電率に比例するように動作する、スルー・レート制御
   回路と、 前記出力と前記駆動トランジスタの制御端子とに接続さ
   れたスルー・レート補償回路と、を備え、 前記出力に制御された遷移率のバッファーを設け、前記
   入力端子での電圧遷移に応答して前記出力端子でのハイ
   ・ロジック・レベルを表す電圧からロー・ロジック・レ
   ベルを表す電圧までの遷移が起こり、当該遷移の率は前
   記スルー・レート制御回路で設定された率で制御され、
   前記出力端子での電圧レベル遷移は前記スルー・レート
   制御回路の所定の率に比例し、さらに前記スルー・レー
   ト補償回路で制御されるよう動作する、 ことを特徴とする改良された雑音減少特性および待機電
   力特性を有するＣＭＯＳ出主力バッファ。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のＣＭＯＳバッファであ
   って、さらに、前記入力端子と前記駆動トランジスタの
   制御端子とに接続され、前記入力端子の遷移に応答して
   前記駆動トランジスタのターン・オフ特性を制御し、前
   記第２論理電圧レベルから前記第１論理電圧レベルへの
   前記出力端子での遷移が所定の率で起こるよう動作する
   ことを特徴とするＣＭＯＳバッファ。
3. 【請求項３】 改良された雑音減少特性と待機電力特性
   とを有する出力バッファを実施する方法であって、 第１論理レベルを表す第１電圧源を供給し、 第２論理レベルを表す第２電圧源を供給し、 出力端子と前記第２電圧源との間に接続され、さらに入
   力端子に接続された制御端子とを有する駆動トランジス
   タを供給し、 制御回路に接続されたコンデンサを供給し、当該制御回
   路は前記コンデンサを前記出力端子、及び前記制御端子
   での電圧増加率を制御する回路に交互に接続し、 前記出力端子に接続されたフィードバック補償回路を供
   給し、当該フィードバック補償回路は前記制御端子での
   電圧増加率を制御し、および、 前記入力端子での電圧レベルの遷移に応答して前記駆動
   トランジスタを駆動し、前記制御端子での電圧レベルが
   前記コンデンサの放電率に比例した率で前記入力端子で
   の遷移に応答して遷移し、前記制御端子での電圧増加率
   が前記フィードバック補償回路の結果として前記出力端
   子での電圧減少率に反比例し、こうして駆動トランジス
   タは所定の態様で導通状態となることを特徴とする方
   法。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の方法であって、さら
   に、前記駆動トランジスタの前記制御端子に接続された
   クランプ回路を供給することを特徴とする方法。