JP3250768B2 - Method for forming diamond-like carbon film, method for manufacturing magnetic head, and method for manufacturing magnetic disk - Google Patents
Method for forming diamond-like carbon film, method for manufacturing magnetic head, and method for manufacturing magnetic diskInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ダイヤモンド状炭素膜
（以下、ＤＬＣ膜という、ＤＬＣ：DiamondLike Carbon
）の形成方法に関するもので、特に磁気ヘッドや磁気
ディスクなどを保護するのに好適なＤＬＣ膜の形成方
法、および表面にダイヤモンド状炭素膜を有する磁気ヘ
ッドならびに磁気ディスクの製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a diamond-like carbon film (hereinafter referred to as DLC film, DLC: DiamondLike Carbon).
In particular, the present invention relates to a method for forming a DLC film suitable for protecting a magnetic head and a magnetic disk, and a method for manufacturing a magnetic head and a magnetic disk having a diamond-like carbon film on the surface.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般にＤＬＣ膜は、高硬度でかつ低摩擦
係数を有するため、例えば磁気ヘッドや磁気ディスクな
どの表面を保護するための保護膜として注目されてい
る。例えば固定磁気ディスク装置では、小型化・大容量
化・低コスト化が一段と進められ、磁気記録媒体を高密
度に使うことが必須となってきているため、磁気ディス
クに対する磁気ヘッドの浮上量がより小さくなり、その
結果、磁気ヘッドと磁気ディスクとの衝突や擦過が増加
して、これらの表面に表面破壊（以下、クラッシュとい
う）が生じ易くなっている。2. Description of the Related Art In general, DLC films have attracted attention as protective films for protecting the surfaces of magnetic heads and magnetic disks, for example, because of their high hardness and low coefficient of friction. For example, in fixed magnetic disk drives, miniaturization, large capacity, and low cost have been further advanced, and it has become essential to use magnetic recording media at high density. As a result, the collision and abrasion between the magnetic head and the magnetic disk increase, and surface destruction (hereinafter referred to as crash) on these surfaces is likely to occur.
【０００３】最近では、このクラッシュなどの問題を回
避することを目的として、磁気ヘッドや磁気ディスクの
表面を保護するための保護膜を設置するようになってき
たのに伴い、特に高硬度を有するＤＬＣ膜を実現すべ
く、各種成膜方法における成膜条件などの研究開発が盛
んに行われている。Recently, in order to avoid such a problem as a crash, a protective film for protecting the surface of a magnetic head or a magnetic disk has been provided. In order to realize a DLC film, research and development on film forming conditions and the like in various film forming methods are actively performed.
【０００４】従来のＤＬＣ膜の成膜方法としては、例え
ばＥＣＲ−ＣＶＤ（:Electron Cy--clotron Resonance
− Chemical Vapor Deposition）による成膜方法、プ
ラズマＣＶＤによる成膜方法、あるいはＤＣマグネトロ
ンスパッタリングによる成膜方法などがある。As a conventional method of forming a DLC film, for example, ECR-CVD (Electron Cy--clotron Resonance)
Chemical Vapor Deposition), a film forming method by plasma CVD, a film forming method by DC magnetron sputtering, and the like.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＥＣＲ
−ＣＶＤによる成膜方法ではＤＬＣ膜の硬度がせいぜい
９０ＧＰａ程度、またプラズマＣＶＤによる成膜方法で
はＤＬＣ膜の硬度がせいぜい１００〜１４０ＧＰａであ
り、いずれの成膜方法でも磁気ヘッドや磁気ディスクを
保護するのに十分な硬度を有するＤＬＣ膜を実現できな
い。さらに、これらのＣＶＤによる成膜方法は、いずれ
も複雑で高価な装置を必要とし、その上成膜装置のチャ
ンバ−内の汚れをクリーニングするなどのメンテナンス
を頻繁に行わなければならない、という問題がある。SUMMARY OF THE INVENTION However, ECR
The hardness of the DLC film is at most about 90 GPa in the film forming method by CVD, and the hardness of the DLC film is at most 100 to 140 GPa in the film forming method by plasma CVD. However, a DLC film having sufficient hardness cannot be realized. Furthermore, these CVD film forming methods all require complicated and expensive apparatuses, and furthermore, frequent maintenance such as cleaning of dirt in a chamber of the film forming apparatus is required. is there.
【０００６】一方、ＤＣマグネトロンスパッタリングに
よる成膜方法は、量産性や装置のメンテナンスの簡便性
などの点で優れていることからＤＬＣ膜の成膜方法とし
て注目され、成膜条件などの検討が盛んに行われている
が、この成膜方法で実現できるＤＬＣ膜の硬度がせいぜ
い１３０ＧＰａ程度であり、磁気ヘッド等を保護するの
に十分な硬度が得られていない、という問題がある。On the other hand, a film forming method by DC magnetron sputtering has been attracting attention as a method of forming a DLC film because of its excellent mass productivity and easy maintenance of the apparatus. However, there is a problem that the hardness of the DLC film that can be realized by this film forming method is at most about 130 GPa, and sufficient hardness to protect a magnetic head or the like is not obtained.
【０００７】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、量産性に優れ、かつ磁気ヘッドや磁気ディスク
などの保護膜として好適なＤＬＣ膜の形成方法を提供す
ること、および耐摩耗性・耐衝撃性に優れた磁気ヘッド
ならびに磁気ディスクの製造方法を提供することを目的
とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a method of forming a DLC film which is excellent in mass productivity and is suitable as a protective film for a magnetic head, a magnetic disk, and the like. It is an object of the present invention to provide a magnetic head and a method of manufacturing a magnetic disk having excellent resistance and impact resistance.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、請求項１に記載の本発明によるＤＬＣ膜の形
成方法は、成膜室内のカソード上にグラファイトからな
るターゲットを設置し、前記カソードと対向して配設さ
れた基板ホルダ上に被処理物を設置して、ＤＣマグネト
ロンスパッタ法により、前記被処理物の表面に硬度が１
４０ＧＰａ以上であるダイヤモンド状炭素膜を形成する
にあたり、ガス組成を、水素ガスと不活性ガスとからな
る混合ガスに対する水素ガスのモル比を０．０５〜０．
１の範囲にあるようにするとともに、接地電圧に対する
前記基板ホルダの電圧を−３０〜−８０Ｖとなるように
したことを特徴とする。In order to achieve the above object, a method of forming a DLC film according to the first aspect of the present invention includes the steps of: placing a target made of graphite on a cathode in a film forming chamber; An object to be processed is placed on a substrate holder disposed opposite to the cathode, and the surface of the object to be processed has a hardness of 1 by DC magnetron sputtering.
In forming a diamond-like carbon film having a pressure of 40 GPa or more , the gas composition is set to a molar ratio of hydrogen gas to a mixed gas of hydrogen gas and inert gas of 0.05 to 0.1 mol / l.
1, and the voltage of the substrate holder with respect to the ground voltage is -30 to -80 V.
【０００９】請求項２に記載の本発明による磁気ヘッド
の製造方法は、ＤＣマグネトロンスパッタ法により磁気
ヘッドの表面に１００〜２５０Åの膜厚のダイヤモンド
状炭素膜を形成するにあたり、成膜室内のカソード上に
グラファイトからなるターゲットを設置し、前記カソー
ドに対向して配設された基板ホルダ上に磁気ヘッドを設
置して、ガス組成を、水素ガスと不活性ガスとからなる
混合ガスに対する水素ガスのモル比を０．０５〜０．１
の範囲にあるようにするとともに、接地電圧に対する前
記基板ホルダの電圧を−３０〜−８０Ｖとなるようにし
たことを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a magnetic head according to the present invention, which comprises forming a diamond-like carbon film having a thickness of 100 to 250 ° on the surface of a magnetic head by DC magnetron sputtering. A target made of graphite is placed on the top, and a magnetic head is placed on a substrate holder provided opposite to the cathode, and the gas composition is adjusted to a value of hydrogen gas relative to a mixed gas consisting of hydrogen gas and an inert gas. Molar ratio 0.05-0.1
And the voltage of the substrate holder with respect to the ground voltage is -30 to -80 V.
【００１０】また、請求項３に記載の本発明による磁気
ディスクの製造方法は、ＤＣマグネトロンスパッタ法に
より磁気ディスクの表面に１００〜２５０Åの膜厚のダ
イヤモンド状炭素膜を形成するにあたり、成膜室内のカ
ソード上にグラファイトからなるターゲットを設置し、
前記カソードに対向して配設された基板ホルダ上に磁気
ディスクを設置して、ガス組成を、水素ガスと不活性ガ
スとからなる混合ガスに対する水素ガスのモル比を０．
０５〜０．１の範囲にあるようにするとともに、接地電
圧に対する前記基板ホルダの電圧を−３０〜−８０Ｖと
なるようにしたことを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, in the method of manufacturing a magnetic disk, a diamond-like carbon film having a thickness of 100 to 250 ° is formed on the surface of the magnetic disk by DC magnetron sputtering. At this time, a target made of graphite was installed on the cathode in the film formation chamber,
A magnetic disk was placed on a substrate holder disposed opposite to the cathode, and the gas composition was adjusted so that the molar ratio of hydrogen gas to a mixed gas of hydrogen gas and inert gas was 0.1%.
The voltage of the substrate holder with respect to the ground voltage is set to -30 to -80 V while being in the range of 0.5 to 0.1.
【００１１】すなわち本発明は、磁気ヘッドや磁気ディ
スクの保護膜として１００〜２５０Åの膜厚であって
も、十分な耐久性を有する高硬度なＤＬＣ膜の形成方法
を、量産性に優れたＤＣマグネトロンスパッタ法に基づ
いて確立する必要がある、という観点で鋭意研究した結
果創案された。That is, the present invention provides a protective film for a magnetic head or a magnetic disk having a thickness of 100 to 250 °.
Also, a method for forming a high hardness DLC film having a sufficient durability, it is necessary to establish on the basis of the excellent DC magnetron sputtering productivity, it was invented result of intensive research in terms of.
【００１２】本発明者らは、ＤＣマグネトロンスパッタ
法で成膜されるＤＬＣ膜の硬度が、接地電圧に対する基
板ホルダの電圧（以下、ＤＣバイアス電圧という）によ
り変化すること、およびスパッタガスに添加する水素ガ
スの添加量により変化すること、の２点に着目した。そ
して、このＤＣバイアス電圧、および水素ガスの添加量
がＤＬＣ膜の硬度に与えるそれぞれのよい影響を生かし
て、より高い硬度のＤＬＣ膜の形成条件を探すべく実験
・研究した結果、ガス組成を、水素ガスと不活性ガスと
からなる混合ガス（以下、混合ガスという）に対する水
素ガスのモル比を０．０５〜０．１の範囲とし、かつＤ
Ｃバイアス電圧を−３０〜−８０Ｖとなるように設定し
た場合、１４０ＧＰａ以上の硬度を有するＤＬＣ膜が得
られることが分かった。The present inventors have found that the hardness of a DLC film formed by a DC magnetron sputtering method varies depending on the voltage of a substrate holder with respect to a ground voltage (hereinafter, referred to as a DC bias voltage) and is added to a sputtering gas. Attention was paid to two points, that it changes depending on the amount of hydrogen gas added. The DC bias voltage and the amount of hydrogen gas added to the hardness of the DLC film make use of their respective good effects, and as a result of conducting experiments and research to find conditions for forming a DLC film having a higher hardness, the gas composition was determined as follows: The molar ratio of hydrogen gas to a mixed gas (hereinafter, referred to as a mixed gas) composed of hydrogen gas and an inert gas is in the range of 0.05 to 0.1, and D
When the C bias voltage was set to be −30 to −80 V, it was found that a DLC film having a hardness of 140 GPa or more was obtained.
【００１３】本発明によるＤＬＣ膜の形成方法、および
磁気ヘッドならびに磁気ディスクの製造方法では、不活
性ガスとしてＡｒが適しているが、この他Ｈｅ、Ｎｅ、
Ｋｒなどのガスを用いてもよい。また、ガス組成は、混
合ガスに対する水素ガスのモル比が、０．０５〜０．１
であることが望ましい。この範囲では、プラズマ中に活
性なＨ＊がより多く生成されることにより、プラズマ状
態がダイヤモンドの生成条件に近い状態となるととも
に、前記Ｈ＊が被処理物表面に形成されるＤＬＣ膜を衝
撃してこの表面からグラファイト結合であるＳＰ２結合
を選択的にエッチング・除去するため、ＤＬＣ膜中では
ＳＰ２に対するＳＰ３結合の割合が高くなり、より高い
硬度のＤＬＣ膜が形成される。ここでＳＰ３結合はダイ
ヤモンド結合といわれるものである。また、混合ガスに
対する水素ガスのモル比が０．０５未満になると、プラ
ズマ状態がダイヤモンドの生成条件から大きくずれるの
で、ＤＬＣ膜中ではＳＰ３結合に対するＳＰ２結合の割
合が多くなり、またプラズマ中の活性なＨ＊が少なくな
ることからこのＳＰ２結合がエッチングされずに残存す
るため、ＤＬＣ膜の硬度が低下する。水素ガスのモル比
が０．１を超えると、ＤＬＣ膜中に占めるポリマー系の
ＣとＨの結合の割合が急増してＤＬＣ膜の硬度が低下す
る。In the method for forming a DLC film and the method for manufacturing a magnetic head and a magnetic disk according to the present invention, Ar is suitable as the inert gas.
A gas such as Kr may be used. The gas composition is such that the molar ratio of hydrogen gas to mixed gas is 0.05 to 0.1.
It is desirable that In this range, more active H * is generated in the plasma, so that the plasma state is close to the diamond generation conditions, and the H * impacts the DLC film formed on the surface of the workpiece. to to selectively etch and remove SP 2 bond is graphite bond from the surface, the higher the proportion of the SP3 bond for SP2 in DLC film, the higher the hardness of the DLC film is formed. Here SP 3 bond is what is referred to as the diamond bonding. Also, the molar ratio of hydrogen gas to the mixed gas is less than 0.05, since a plasma state deviates greatly from generation condition of the diamond, the more the ratio of SP2 bonds to SP3 bonds in the DLC film, also in the plasma Since the active H * decreases, the SP2 bond remains without being etched, and the hardness of the DLC film decreases. If the molar ratio of the hydrogen gas exceeds 0.1, the ratio of the bond between the polymer C and H in the DLC film increases rapidly, and the hardness of the DLC film decreases.
【００１４】一方、ＤＣバイアス電圧は−３０〜−８０
Ｖに設定するのが望ましい。ＤＣバイアス電圧が−３０
Ｖ未満の場合には、プラズマ中のＡｒ+ が基板ホルダ側
に引き出されてＤＬＣ膜を衝撃するエネルギーが低いの
で、ＤＬＣ膜の表面からＳＰ2 結合を選択的に除去する
には至らず、したがってＤＬＣ膜中に占めるＳＰ2 結合
の割合が低くならないことから、ＤＬＣ膜の硬度が低く
なる。また、ＤＣバイアス電圧が−８０Ｖを越えると、
プラズマ中のＡｒ+ がＤＬＣ膜を衝撃するエネルギーが
極めて大きくなるので、ＤＬＣ膜表面からＳＰ2 結合を
エッチング除去するとともに、ＳＰ3 結合をも破壊した
りエッチングすることになるため、ＤＬＣ膜の硬度が低
くなる。On the other hand, the DC bias voltage is between -30 and -80.
It is desirable to set to V. DC bias voltage is -30
If the voltage is less than V, Ar + in the plasma is extracted to the substrate holder side and the energy for impacting the DLC film is low, so that it is not possible to selectively remove the SP2 bond from the surface of the DLC film. Since the ratio of SP2 bonds in the film does not decrease, the hardness of the DLC film decreases. When the DC bias voltage exceeds -80 V,
Since the energy of Ar + in the plasma impacting the DLC film becomes extremely large, SP2 bonds are etched away from the surface of the DLC film, and SP3 bonds are also destroyed or etched, so that the hardness of the DLC film is low. Become.
【００１５】[0015]
【作用】本発明によるＤＬＣ膜の形成方法、および磁気
ヘッドならびに磁気ディスクの製造方法では、ガス組成
を、混合ガスに対する水素ガスのモル比を０．０５〜
０．１の範囲にあるようにするとともに、ＤＣバイアス
電圧を−３０〜−８０Ｖとなるようにしたので、ＤＬＣ
膜中においてＳＰ3 結合のＳＰ2 結合に対するＳＰ3 の
割合を大きくすることができるため、１４０ＧＰａ以上
の硬度のＤＬＣ膜を形成することができ、特に磁気ヘッ
ドや磁気ディスクなどを保護するのに好適なＤＬＣ膜を
形成することができる。In the method of forming a DLC film and the method of manufacturing a magnetic head and a magnetic disk according to the present invention, the gas composition is adjusted so that the molar ratio of the hydrogen gas to the mixed gas is from 0.05 to 0.05.
0.1 and the DC bias voltage was set to -30 to -80 V.
Since the ratio of SP3 bond to SP2 bond in the film can be increased, a DLC film having a hardness of 140 GPa or more can be formed, and in particular, a DLC film suitable for protecting a magnetic head, a magnetic disk, and the like. Can be formed.
【００１６】[0016]
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１７】（実施例１）本発明によるＤＬＣ膜の形成
方法を図１に基づいて説明する。図１は、ＤＬＣ膜を形
成するのに用いる成膜装置の一例を示す概略断面図であ
る。図１において、１は成膜室、２は成膜室１内に設け
られたカソード、３はカソード２に負の電圧を印加する
ためのＤＣ電源、４はカソード２上に配置されたグラフ
ァイトからなるターゲット、５はカソード２に対向する
ように配設された基板ホルダ、６は基板ホルダ５にＤＣ
バイアス電圧を印加するためのＤＣバイアス電源、７は
基板ホルダ５に設置された被処理物、８は図示しないガ
ス供給源からスパッタガスを成膜室１内に導入するため
のガス導入管、９は図示しない排気装置に接続された排
気管である。Embodiment 1 A method for forming a DLC film according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of a film forming apparatus used for forming a DLC film. In FIG. 1, 1 is a film forming chamber, 2 is a cathode provided in the film forming chamber 1, 3 is a DC power supply for applying a negative voltage to the cathode 2, and 4 is a graphite power source disposed on the cathode 2. Target 5, a substrate holder disposed so as to face the cathode 2, and 6 a DC
A DC bias power supply for applying a bias voltage; 7, an object to be processed set on the substrate holder 5; 8, a gas introduction pipe for introducing a sputtering gas from a gas supply source (not shown) into the film forming chamber 1; Denotes an exhaust pipe connected to an exhaust device (not shown).
【００１８】ここで、カソード２には、この表面近傍に
磁界を印加するためのマグネット（図示せず）が内蔵さ
れており、基板ホルダ５には、ＤＣバイアス電源６によ
り所望の大きさのＤＣバイアス電圧を印加することがで
きる。また、スパッタガスは水素ガスとＡｒガスとから
なる混合ガスであり、図示しないガス供給源において混
合ガスに対する水素ガスのモル比を所望の値に設定され
た後、ガス導入管を介して成膜室内に導入される。Here, the cathode 2 has a magnet (not shown) for applying a magnetic field in the vicinity of the surface thereof, and the substrate holder 5 has a DC bias power supply 6 for supplying a DC power of a desired size. A bias voltage can be applied. The sputtering gas is a mixed gas of a hydrogen gas and an Ar gas. After a molar ratio of the hydrogen gas to the mixed gas is set to a desired value in a gas supply source (not shown), the film is formed through a gas introduction pipe. It is introduced indoors.
【００１９】次に本発明によるＤＬＣ膜の形成方法につ
いて説明する。まず、被処理物７として、表面が平滑な
直径３インチのＳｉウエハーを基板ホルダ５に設置し、
カソード２にはグラファイトからなるターゲット４を設
置する。ここでターゲット４とＳｉウエハーとの距離は
５０ｍｍとし、基板ホルダ５は室温とする。次に成膜室
１内を図示しない排気装置にて排気した後、スパッタガ
スとして水素ガスとＡｒガスとからなる混合ガスを成膜
室１内に導入し、次いでＤＣバイアス電源６から−３０
〜−８０ＶのＤＣバイアス電圧を基板ホルダ５に印加す
るとともに、ＤＣ電源から３００Ｗの電力を投入し、成
膜室１内にプラズマを発生させることによりターゲット
４をスパッタして、Ｓｉウエハー上にＤＬＣ膜を１００
０Åの厚さにて形成する。このときの混合ガスに対する
水素ガスのモル比は、０．０５〜０．１の範囲とする。Next, a method of forming a DLC film according to the present invention will be described. First, an Si wafer having a smooth surface and a diameter of 3 inches is placed on the substrate holder 5 as the object 7 to be processed.
A target 4 made of graphite is provided on the cathode 2. Here, the distance between the target 4 and the Si wafer is 50 mm, and the substrate holder 5 is at room temperature. Next, after the inside of the film forming chamber 1 is evacuated by an exhaust device (not shown), a mixed gas of a hydrogen gas and an Ar gas is introduced into the film forming chamber 1 as a sputtering gas.
A DC bias voltage of -80 V is applied to the substrate holder 5 and a power of 300 W is supplied from a DC power source to generate plasma in the film forming chamber 1 to sputter the target 4 to form a DLC on the Si wafer. 100 membranes
It is formed with a thickness of 0 mm . At this time, the molar ratio of the hydrogen gas to the mixed gas is in the range of 0.05 to 0.1.
【００２０】このようにして得られたＤＬＣ膜の硬度を
薄膜硬度計（ＮＥＣ社製、ＭＨＡ−４００）により測定
した結果を表１に示す。Table 1 shows the results obtained by measuring the hardness of the DLC film thus obtained with a thin film hardness tester (MHA-400, manufactured by NEC Corporation).
【００２１】[0021]
【表１】 [Table 1]
【００２２】なお表中の各欄に記載された３つの数字
は、表の左側に示した混合ガスに対する水素ガスのモル
比と、表の上側に示したＤＣバイアス電圧との組み合わ
せによる成膜条件下で得られたＤＬＣ膜の硬度を示すも
のである。これら３つの数字は、左側の数字が測定値の
最小値、真ん中の数字が測定値の平均値、右側の数字が
測定値の最大値をあらわす。The three figures described in each column of the table represent film forming conditions based on a combination of the molar ratio of hydrogen gas to the mixed gas shown on the left side of the table and the DC bias voltage shown on the upper side of the table. It shows the hardness of the DLC film obtained below. As for these three numbers, the number on the left represents the minimum value of the measured value, the middle number represents the average value of the measured values, and the number on the right represents the maximum value of the measured values.
【００２３】この表から理解できるように、ＤＣマグネ
トロンスパッタ法によりＤＬＣ膜を成膜するにあたり、
カソード２上にグラファイトからなるターゲット４を設
置し、前記カソード２と対向して配設された基板ホルダ
５上に被処理物７を設置して、ガス組成を、水素ガスと
Ａｒガスとからなる混合ガスに対する水素ガスのモル比
を０．０５〜０．１の範囲にあるようにするとともに、
基板ホルダ５に印加するＤＣバイアス電圧を−３０〜−
８０Ｖとなるようにしたため、硬度が１４０〜１７５Ｇ
ＰａのＤＬＣ膜を形成することができる。As can be understood from this table, in forming a DLC film by DC magnetron sputtering,
A target 4 made of graphite is placed on the cathode 2, and a workpiece 7 is placed on a substrate holder 5 arranged opposite to the cathode 2. The gas composition is made up of hydrogen gas and Ar gas. While the molar ratio of the hydrogen gas to the mixed gas is in the range of 0.05 to 0.1,
The DC bias voltage applied to the substrate holder 5 is -30 to-
Since it was set at 80V, hardness 140 to 175 G
A DLC film of Pa can be formed.
【００２４】次に、本発明により成膜されたＤＬＣ膜が
より高い硬度を有することについて、図２ないし図５に
基づいて考察する。図２は、ＤＣバイアス電圧（Ｖ）と
ＤＬＣ膜の成膜温度（Å／ｍｉｎ）との関係を示す説明
図である。図２において、縦軸はＤＬＣ膜の成膜速度、
横軸はＤＣバイアス電圧を示す。なお、ここでは、スパ
ッタガスとしてＡｒガスのみを用いており、ＤＣバイア
ス電圧を０〜−４００Ｖとし、ＤＣ電源による投入電力
を３００ＷとしてＤＬＣ膜を成膜した。Next, the fact that the DLC film formed according to the present invention has higher hardness will be discussed with reference to FIGS. FIG. 2 is an explanatory diagram showing the relationship between the DC bias voltage (V) and the film formation temperature ( Å / min) of the DLC film. In FIG. 2, the vertical axis represents the DLC film deposition rate,
The horizontal axis shows the DC bias voltage. Note that here, only the Ar gas was used as the sputtering gas, the DC bias voltage was 0 to -400 V, and the power supplied by the DC power supply was 300 W to form the DLC film.
【００２５】図２から、ＤＣバイアス電圧が０〜−１５
０Ｖの範囲では、Ａｒ+ がＤＣバイアス電圧の大きさに
応じた運動エネルギーを持って基板ホルダ５の側に引き
出され、さらにＤＬＣ膜を衝撃してエッチングするた
め、ＤＣバイアス電圧を負の値として大きくするにつれ
て成膜速度が小さくなることがわかる。また、ＤＣバイ
アス電圧が−１５０Ｖを越えると、Ａｒ+ が持つ運動エ
ネルギーがさらに大きくなりＳｉ基板の表面をもエッチ
ングする。したがって、基板ホルダ５に印加する電圧を
過度に大きくするとよくないことがわかる。FIG. 2 shows that the DC bias voltage is 0 to -15.
In the range of 0 V, Ar + is pulled out to the substrate holder 5 side with kinetic energy corresponding to the magnitude of the DC bias voltage, and further, the DLC film is bombarded and etched, so that the DC bias voltage is set to a negative value. It can be seen that the film forming rate decreases as the value increases. When the DC bias voltage exceeds -150 V, the kinetic energy of Ar + becomes larger, and the surface of the Si substrate is also etched. Therefore, it is understood that it is not good to make the voltage applied to the substrate holder 5 excessively high.
【００２６】図３は、ＤＣバイアス電圧（Ｖ）とＤＬＣ
膜の硬度（ＧＰａ）との関係を示す説明図である。図３
において、縦軸はＤＬＣ膜の硬度、横軸はＤＣバイアス
電圧を示す。なお、ここでは、スパッタガスとしてＡｒ
ガスのみを用いており、ＤＣバイアス電圧を０〜８０Ｖ
とし、ＤＣ電源による投入電力を３００Ｗとして、１０
００ÅのＤＬＣ膜を成膜した。FIG. 3 shows DC bias voltage (V) and DLC
It is explanatory drawing which shows the relationship with the hardness (GPa) of a film. FIG.
In the graph, the vertical axis shows the hardness of the DLC film, and the horizontal axis shows the DC bias voltage. Here, Ar gas is used as a sputtering gas.
Only gas is used, DC bias voltage is 0-80V
And the input power from the DC power supply is 300 W, and 10
A DLC film having a thickness of 00 ° was formed.
【００２７】図３から、ＤＣバイアス電圧が約−５０Ｖ
のときにＤＬＣ膜の硬度が最大値を示すことがわかる。
これは、ＤＣバイアス電圧が０〜−５０Ｖの範囲では、
Ａｒ+ がＤＣバイアス電圧の大きさに応じた運動エネル
ギーを持って基板ホルダ５の側に引き出され、さらにＤ
ＬＣ膜を衝撃することによって、ＤＬＣ膜を構成するダ
イヤモンド結合であるＳＰ3 結合とグラファイト結合で
あるＳＰ2 結合のうちＳＰ2 結合を選択的に除去するの
で、ＤＬＣ膜中に占めるＳＰ2 結合に対するＳＰ3 結合
の割合が増してＤＬＣ膜の硬度が上昇するものと考えら
れる。また、ＤＣバイアス電圧が−５０Ｖを越えると、
Ａｒ+ が持つ運動エネルギーがさらに大きくなってＤＬ
Ｃ膜を衝撃してＳＰ3 結合を破壊あるいはエッチングし
てＤＬＣ膜の硬度を低下させるものと思われる。FIG. 3 shows that the DC bias voltage is about -50 V
It can be seen that the hardness of the DLC film shows the maximum value at the time.
This is because when the DC bias voltage is in the range of 0 to -50 V,
Ar + is pulled out to the substrate holder 5 side with kinetic energy corresponding to the magnitude of the DC bias voltage, and further D +
By impacting the LC film, the SP2 bond is selectively removed from the SP3 bond, which is a diamond bond, and the SP2 bond, which is a graphite bond, constituting the DLC film. Therefore, the ratio of the SP3 bond to the SP2 bond in the DLC film. It is considered that the hardness of the DLC film increases due to the increase in the hardness. When the DC bias voltage exceeds -50 V,
The kinetic energy of Ar + becomes larger and DL
It is considered that the impact of the C film breaks or etches the SP3 bond, thereby lowering the hardness of the DLC film.
【００２８】図４は、混合ガスに対する水素ガスのモル
比とＤＬＣ膜の硬度（ＧＰａ）との関係を示す説明図で
ある。図４において、縦軸はＤＬＣ膜の硬度、横軸は混
合ガスに対する水素ガスのモル比を示す。なお、ここで
は、混合ガスに対する水素ガスのモル比を０〜０．３の
範囲に設定し、ＤＣバイアス電圧をゼロとし、ＤＣ電源
による投入電力を３００Ｗとして、１０００ＡのＤＬＣ
膜を成膜した。FIG. 4 is an explanatory diagram showing the relationship between the molar ratio of hydrogen gas to mixed gas and the hardness (GPa) of the DLC film. In FIG. 4, the vertical axis indicates the hardness of the DLC film, and the horizontal axis indicates the molar ratio of the hydrogen gas to the mixed gas. Here, the molar ratio of the hydrogen gas to the mixed gas is set in the range of 0 to 0.3, the DC bias voltage is set to zero, the power supplied by the DC power supply is set to 300 W, and the DLC of 1000 A is set.
A film was formed.
【００２９】図４から、混合ガスに対する水素ガスのモ
ル比が約０．１付近で、ＤＬＣ膜の硬度が最大値約１３
５ＧＰａを示すことがわかる。これは、水素ガスのモル
比が０〜０．１の範囲では、水素ガスがプラズマ中で活
性化されて活性種（Ｈ* ）を生じて、プラズマ状態を高
温・高圧の状態に変化させてダイヤモンドの生成条件に
より近づけるとともに、活性種となったＨ* などがプラ
ズマに晒されたＤＬＣ膜の表面に入射・衝撃をして、グ
ラファイト結合であるＳＰ2 結合を選択的にエッチング
することにより、ＤＬＣ膜中ではＳＰ2結合に対するＳ
Ｐ3 結合の割合を上昇させるのではないかと考えられ
る。また、水素ガスのモル比が０．１を越えると、プラ
ズマ中の水素の濃度が高くなるため、ＤＬＣ膜中に水素
が入り込んでポリマ−系のＣとＨの結合の割合を急増さ
せ、ＤＬＣ膜の硬度が低下するものと考えられる。FIG. 4 shows that when the molar ratio of hydrogen gas to mixed gas is about 0.1, the hardness of the DLC film is about 13
It turns out that it shows 5 GPa. This is because when the molar ratio of the hydrogen gas is in the range of 0 to 0.1, the hydrogen gas is activated in the plasma to generate active species (H * ), and the plasma state is changed to a high-temperature high-pressure state. In addition to making the conditions closer to the diamond formation conditions, the active species such as H * are incident on and impacted on the surface of the DLC film exposed to the plasma, thereby selectively etching the SP2 bonds, which are graphite bonds. S for SP2 binding in the membrane
It is thought that the ratio of P3 bond may be increased. On the other hand, if the molar ratio of hydrogen gas exceeds 0.1, the concentration of hydrogen in the plasma increases, so that hydrogen enters the DLC film to rapidly increase the ratio of the bond between polymer C and H, thereby increasing the DLC. It is considered that the hardness of the film decreases.
【００３０】さらに図５は、基板ホルダにＤＣバイアス
電圧を印加しながらＤＬＣ膜を成膜したときの、混合ガ
スに対する水素ガスのモル比とＤＬＣ膜の硬度（ＧＰ
ａ）との関係を示す説明図である。図５において、縦軸
はＤＬＣ膜の硬度、横軸は混合ガスに対する水素ガスの
モル比を示す。なお、ここでは、混合ガスに対する水素
ガスのモル比を０〜０．３とし、ＤＣバイアス電圧を−
５０Ｖとし、ＤＣ電源による投入電力を３００Ｗとし
て、１０００ÅのＤＬＣ膜を成膜した。FIG. 5 shows the molar ratio of hydrogen gas to mixed gas and the hardness of the DLC film (GP) when the DLC film was formed while applying a DC bias voltage to the substrate holder.
It is explanatory drawing which shows the relationship with a). In FIG. 5, the vertical axis shows the hardness of the DLC film, and the horizontal axis shows the molar ratio of hydrogen gas to mixed gas. Here, the molar ratio of the hydrogen gas to the mixed gas is 0 to 0.3, and the DC bias voltage is-
And 50 V, the input power by the DC power source as 300 W, was deposited DLC film of 1000 Å.
【００３１】図５から、水素ガスのモル比が０．１付近
でＤＬＣ膜の硬度が最大値約１７５ＧＰａを示し、０．
１を越えると次第に低下することがわかる。これは、図
４から考察される前記ポリマー系のＣとＨの結合のＤＬ
Ｃ膜中に占める割合が増大することによるものと考えら
れる。このようにして得られるＤＬＣ膜の構造をＴＥＭ
観察及び電子線回析により調べたところ、非常に均質な
アモルファスであることがわかった。FIG. 5 shows that when the molar ratio of the hydrogen gas is around 0.1, the hardness of the DLC film shows the maximum value of about 175 GPa.
It can be seen that when it exceeds 1, it gradually decreases. This is the DL of C and H bonds of the polymer system discussed from FIG.
This is considered to be due to an increase in the proportion of the C film. The structure of the DLC film obtained in this way was
As a result of observation and electron beam diffraction, it was found to be very homogeneous amorphous.
【００３２】図５によれば、ＤＣバイアス電圧を−５０
Ｖとし、混合ガスに対する水素ガスのモル比を０．０５
〜０．１としてＤＬＣ膜を形成すると、ＤＣマグネトロ
ンスパッタ法では得られない高硬度である１４０ＧＰａ
以上の硬度が得られることが分かる。According to FIG. 5, the DC bias voltage is -50.
V and the molar ratio of hydrogen gas to mixed gas is 0.05
When a DLC film is formed with a thickness of 0.1, a high hardness of 140 GPa that cannot be obtained by the DC magnetron sputtering method.
It can be seen that the above hardness can be obtained.
【００３３】以上説明したように、本発明によるＤＬＣ
膜の形成方法は、単にガス組成を、混合ガスに対する水
素ガスのモル比を０．０５〜０．１の範囲としただけで
は成りたたず、また単にバイアス電圧を−３０〜−８０
Ｖに設定しただけでも成りたたないことは言うまでもな
い。すなわち本発明は、ガス組成を、混合ガスに対する
水素ガスのモル比を０．０５〜０．１の範囲にすると同
時に、バイアス電圧を−３０〜−８０Ｖに設定した条件
下で、初めて良好な結果が得られるものとなる。As described above, the DLC according to the present invention
The method of forming the film cannot be achieved simply by setting the gas composition to a molar ratio of hydrogen gas to the mixed gas in the range of 0.05 to 0.1, and simply increasing the bias voltage to -30 to -80.
Needless to say, setting it to V does not help. That is, according to the present invention, a good result is obtained for the first time under the condition that the gas composition is set such that the molar ratio of hydrogen gas to the mixed gas is in the range of 0.05 to 0.1 and the bias voltage is set to -30 to -80 V. Is obtained.
【００３４】（実施例２） 本発明の磁気ヘッドの製造方法は、実施例１における被
処理物６として磁気ヘッドを用いた点を除けば、実施例
１に示す構成の方法と同様である。図６に、本発明によ
り製造された磁気ヘッドの要部断面図を示す。図６にお
いて、１０は磁気ヘッド、１１は非磁性セラミックス、
１２と１３はフェライトなどからなる高透磁率磁性体、
１４と１５は接着層、１６はギャップ、１７はコイル、
１８は磁気ヘッド１０のヘッド部に形成されたＤＬＣ膜
である。ここで、ＤＬＣ膜を１００〜２５０Åとした。Embodiment 2 The method of manufacturing a magnetic head according to the present invention is the same as the method of Embodiment 1 except that a magnetic head is used as the processing target 6 in Embodiment 1. FIG. 6 is a sectional view of a main part of a magnetic head manufactured according to the present invention. In FIG. 6, 10 is a magnetic head, 11 is a non-magnetic ceramic,
12 and 13 are high-permeability magnetic bodies made of ferrite or the like,
14 and 15 are adhesive layers, 16 is a gap, 17 is a coil,
Reference numeral 18 denotes a DLC film formed on the head of the magnetic head 10. Here, and the DLC film as a 100~250 Å.
【００３５】このようにして得られた磁気ヘッドを用い
てＣＳＳ試験（ＣＳＳ：ContactStart and Stop）を行
ったところ、起動トルク（ｇ・ｃｍ）の上昇は全くみら
れず、またヘッドの表面に擦過等のキズの発生もなかっ
た。以上のように、本発明の磁気ヘッドの製造方法によ
れば、極めて薄いＤＬＣ膜を保護膜としても十分な耐摩
耗性、耐衝撃性を有する磁気ヘッドを提供することがで
きるので、今後、固定ディスク装置において磁気ヘッド
と磁気ディスクのギャップをさらに狭くすることが要求
されても、それらの時代的要請に対して十分対応でき
る。また、本実施例では、磁気ディスクとして浮掲型磁
気ヘッドの例を示したが、例えば、磁気テープ用に用い
られるＶＴＲ用磁気ヘッドなどにも好適に用いられるの
は勿論である。When a CSS test (CSS: Contact Start and Stop) was performed using the magnetic head thus obtained, no increase in the starting torque (g · cm) was observed, and the head surface was rubbed. There were no scratches. As described above, according to the method of manufacturing a magnetic head of the present invention, a magnetic head having sufficient wear resistance and impact resistance can be provided even when an extremely thin DLC film is used as a protective film. Even if the gap between the magnetic head and the magnetic disk is required to be further narrowed in the disk device, it is possible to sufficiently cope with those demands. Further, in this embodiment, the example of the floating type magnetic head is shown as the magnetic disk. However, it is needless to say that the magnetic disk is suitably used for a VTR magnetic head used for a magnetic tape, for example.
【００３６】（実施例３）本発明の磁気ディスクの製造
方法は、実施例２における磁気ヘッド１０の代わりに固
定磁気ディスクを用いた点を除けば、実施例２と同様で
ある。(Embodiment 3) A method of manufacturing a magnetic disk according to the present invention is the same as that of Embodiment 2 except that a fixed magnetic disk is used in place of the magnetic head 10 in Embodiment 2.
【００３７】したがって、本発明の磁気ディスクの製造
方法によれば、極めて薄いＤＬＣ膜を保護膜としても十
分な耐摩耗性・耐衝撃性を有する磁気ディスクを提供す
ることができるので、今後固定ディスク装置において磁
気ヘッドと磁気ディスクのギャップをさらに狭くするこ
とが要求されても、それらの時代的要請に対して十分対
応できる。Therefore, according to the method of manufacturing a magnetic disk of the present invention, it is possible to provide a magnetic disk having sufficient wear resistance and impact resistance even when an extremely thin DLC film is used as a protective film. Even if the gap between the magnetic head and the magnetic disk is required to be further narrowed in the apparatus, it is possible to sufficiently cope with those demands.
【００３８】[0038]
【発明の効果】本発明によるＤＬＣ膜の形成方法は、成
膜室内のカソード上にグラファイトからなるターゲット
を設置し、前記カソードに対向して配設された基板ホル
ダ上に被処理物を設置して、ＤＣマグネトロンスパッタ
法によりこれらの表面に硬度が１４０ＧＰａ以上のＤＬ
Ｃ膜を形成するにあたり、ガス組成を、水素ガスと不活
性ガスとからなる混合ガスに対する水素ガスのモル比を
０．０５〜０．１の範囲にあるようにするとともに、接
地電圧に対する前記基板ホルダの電圧を−３０〜−８０
Ｖとなるようにしたことを特徴とする。このような１４
０ＧＰａ以上である非常に高い硬度であるダイヤモンド
状炭素膜を、磁気ヘッドや磁気ディスクの保護膜とする
とき、保護膜の膜厚が非常に薄くても、耐摩耗性、耐衝
撃性に優れた磁気ヘッドならびに磁気ディスクとするこ
とができる。According to the method of forming a DLC film of the present invention, a target made of graphite is set on a cathode in a film forming chamber, and an object to be processed is set on a substrate holder arranged opposite to the cathode. Then, a surface having a hardness of 140 GPa or more is applied to these surfaces by DC magnetron sputtering.
In forming the C film, the gas composition is adjusted so that the molar ratio of the hydrogen gas to the mixed gas of the hydrogen gas and the inert gas is in the range of 0.05 to 0.1 and the substrate with respect to the ground voltage. Holder voltage is -30 to -80
Characterized in that set to be V. 14 like this
Diamond with very high hardness of 0 GPa or more
Carbon film as a protective film for magnetic heads and magnetic disks
Sometimes, even if the thickness of the protective film is very thin,
A magnetic head and a magnetic disk having excellent impact characteristics can be obtained.
【００３９】また、本発明による磁気ヘッドならびに磁
気ディスクの製造方法は、前記ＤＬＣ膜の形成方法と同
様の成膜条件を採用しているので、保護膜として１００
〜２５０Å程度の極めて薄いＤＬＣ膜を形成できるた
め、固定磁気ディスク装置の高記録出力化、高記録密度
化に伴い磁気ヘッドの磁気ディスクからの浮上量が小さ
く、磁気ヘッドと磁気ディスクの間隔が狭いとき、保護
膜によるスペーシングロスを削減して、且つ耐摩耗性・
耐衝撃性に優れた磁気ヘッドならびに磁気ディスクの製
造方法を提供することができる。The method of manufacturing a magnetic head and a magnetic disk according to the present invention employs the same film forming conditions as the above-described method of forming a DLC film.
Because it can form an extremely thin DLC film of about to 250 DEG Å, higher recording output of the fixed magnetic disk apparatus, a high recording density
Flying height of the magnetic head from the magnetic disk
Protection when the distance between the magnetic head and the magnetic disk is small.
Reduces spacing loss due to film ,
A method of manufacturing a magnetic head and a magnetic disk having excellent impact resistance can be provided.
【図１】本発明によるＤＬＣ膜の形成方法を説明するの
に用いる成膜装置の一例を示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a film forming apparatus used for explaining a method of forming a DLC film according to the present invention.
【図２】ＤＣバイアス電圧とＤＬＣ膜の成膜速度との関
係を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a relationship between a DC bias voltage and a deposition rate of a DLC film.
【図３】ＤＣバイアス電圧とＤＬＣ膜の硬度との関係を
示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a relationship between a DC bias voltage and the hardness of a DLC film.
【図４】混合ガスに対する水素ガスのモル比とＤＬＣ膜
の硬度との関係を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a relationship between a molar ratio of a hydrogen gas to a mixed gas and hardness of a DLC film.
【図５】基板ホルダにＤＣバイアス電圧を印加しながら
ＤＬＣ膜を成膜したときの、混合ガスに対する水素ガス
のモル比とＤＬＣ膜の硬度との関係を示す説明図であ
る。FIG. 5 is an explanatory diagram showing the relationship between the molar ratio of hydrogen gas to a mixed gas and the hardness of a DLC film when a DLC film is formed while applying a DC bias voltage to a substrate holder.
【図６】本発明の磁気ヘッドの製造方法により作られた
磁気ヘッドの要部断面図である。FIG. 6 is a sectional view of a main part of a magnetic head manufactured by the method of manufacturing a magnetic head according to the present invention.
１ 成膜室 ２ カソード ３ ＤＣ電源 ４ ターゲット ５ 基板ホルダ ６ ＤＣバイアス電源 ７ 被処理物 ８ ガス導入管 ９ 排気管 １０ 磁気ヘッド １１ 非磁性セラミックス １２、１３ 高透磁率磁性体 １４、１５ 接着層 １６ ギャップ １７ コイル １８ ＤＬＣ膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Film-forming chamber 2 Cathode 3 DC power supply 4 Target 5 Substrate holder 6 DC bias power supply 7 Processing object 8 Gas introduction pipe 9 Exhaust pipe 10 Magnetic head 11 Non-magnetic ceramics 12, 13 High permeability magnetic body 14, 15 Adhesive layer 16 Gap 17 Coil 18 DLC film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｃ３０Ｂ 29/04 Ｃ３０Ｂ 29/04 Ｍ Ｇ１１Ｂ 5/127 Ｇ１１Ｂ 5/127 Ｆ 5/84 5/84 Ｂ (56)参考文献 特開 平２−80558（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−80555（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−6198（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−85354（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−298097（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58 C30B 1/00 - 35/00 C01B 31/02 101 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI C30B 29/04 C30B 29/04 M G11B 5/127 G11B 5/127 F 5/84 5/84 B (56) References JP JP-A-2-80558 (JP, A) JP-A-2-80555 (JP, A) JP-A-61-6198 (JP, A) JP-A-2-85354 (JP, A) JP-A 1-298097 (JP) , A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) C23C 14/00-14/58 C30B 1/00-35/00 C01B 31/02 101
Claims (3)
らなるターゲットを設置し、前記カソードに対向して配
設された基板ホルダ上に被処理物を設置して、ＤＣマグ
ネトロンスパッタ法により前記被処理物の表面に硬度が
１４０ＧＰａ以上であるダイヤモンド状炭素膜を形成す
るにあたり、ガス組成を、水素ガスと不活性ガスとから
なる混合ガスに対する水素ガスのモル比を０．０５〜
０．１の範囲にあるようにするとともに、接地電圧に対
する前記基板ホルダの電圧を−３０〜−８０Ｖとなるよ
うにしたことを特徴とするダイヤモンド状炭素膜の形成
方法。1. A target made of graphite is installed on a cathode in a film forming chamber, and an object to be processed is installed on a substrate holder arranged to face the cathode, and the object is processed by DC magnetron sputtering. Hardness on the surface of the object
In forming the diamond-like carbon film having a pressure of 140 GPa or more , the gas composition is adjusted so that the molar ratio of the hydrogen gas to the mixed gas of the hydrogen gas and the inert gas is 0.05 to
A method for forming a diamond-like carbon film, wherein the voltage is in the range of 0.1 and the voltage of the substrate holder with respect to the ground voltage is -30 to -80 V.
ヘッドの表面に１００〜２５０Åの膜厚のダイヤモンド
状炭素膜を形成するにあたり、成膜室内のカソード上に
グラファイトからなるターゲットを設置し、前記カソー
ドに対向して配設された基板ホルダ上に磁気ヘッドを設
置して、ガス組成を、水素ガスと不活性ガスとからなる
混合ガスに対する水素ガスのモル比を０．０５〜０．１
の範囲にあるようにするとともに、接地電圧に対する前
記基板ホルダの電圧を−３０〜−８０Ｖとなるようにし
たことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。2. When forming a diamond-like carbon film having a thickness of 100 to 250 ° on the surface of a magnetic head by a DC magnetron sputtering method, a target made of graphite is placed on a cathode in a film forming chamber and opposed to the cathode. A magnetic head is placed on the substrate holder arranged in such a manner that the gas composition is adjusted to a molar ratio of hydrogen gas to a mixed gas of hydrogen gas and inert gas of 0.05 to 0.1.
Wherein the voltage of the substrate holder with respect to the ground voltage is -30 to -80 V.
ディスクの表面に１００〜２５０Åの膜厚のダイヤモン
ド状炭素膜を形成するにあたり、成膜室内のカソード上
にグラファイトからなるターゲットを設置し、前記カソ
ードに対向して配設された基板ホルダ上に磁気ディスク
を設置して、ガス組成を、水素ガスと不活性ガスとから
なる混合ガスに対する水素ガスのモル比を０．０５〜
０．１の範囲にあるようにするとともに、接地電圧に対
する前記基板ホルダの電圧を−３０〜−８０Ｖとなるよ
うにしたことを特徴とする磁気ディスクの製造方法。3. When forming a diamond-like carbon film having a thickness of 100 to 250 ° on the surface of a magnetic disk by DC magnetron sputtering, a target made of graphite is placed on a cathode in a film forming chamber. Placing a magnetic disk on a substrate holder disposed opposite to the cathode, and adjusting the gas composition to a molar ratio of hydrogen gas to a mixed gas of hydrogen gas and an inert gas of 0.05 to 0.05;
A method for manufacturing a magnetic disk, wherein the voltage of the substrate holder with respect to the ground voltage is -30 to -80 V while being within a range of 0.1.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP26560193A JP3250768B2 (en) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | Method for forming diamond-like carbon film, method for manufacturing magnetic head, and method for manufacturing magnetic disk |
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| JP3250768B2 true JP3250768B2 (en) | 2002-01-28 |
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|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| EP1565929B1 (en) * | 2002-11-29 | 2007-10-10 | OC Oerlikon Balzers AG | Method for the plasma treatment of surfaces under vacuum |
| CN103663437B (en) * | 2014-01-10 | 2016-01-06 | 青岛华高能源科技有限公司 | Magnetron sputtering technique is utilized to prepare graphene quantum dot |
| RU2740591C1 (en) * | 2020-05-27 | 2021-01-15 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ростовский государственный университет путей сообщения" (ФГБОУ ВО РГУПС) | Method of obtaining multilayer wear-resistant diamond-like coatings |
-
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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