JP3250169B2 - バイポーラトランジスタとして構成される第１スイツチング素子を有するスイツチ - Google Patents
バイポーラトランジスタとして構成される第１スイツチング素子を有するスイツチInfo
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- JP3250169B2 JP3250169B2 JP11622995A JP11622995A JP3250169B2 JP 3250169 B2 JP3250169 B2 JP 3250169B2 JP 11622995 A JP11622995 A JP 11622995A JP 11622995 A JP11622995 A JP 11622995A JP 3250169 B2 JP3250169 B2 JP 3250169B2
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- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/10—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H11/00—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result
- H02H11/002—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result in case of inverted polarity or connection; with switching for obtaining correct connection
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/567—Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は請求項１の前提部分にあ
げた種類のスイツチに関する。
げた種類のスイツチに関する。
【０００２】
【従来の技術】駆動可能なこのようなスイツチでもつ
て、通常第１回路部分がスイツチング可能に第２回路部
分に接続される。例えば第１回路部分が電流源を有する
場合、この電流源は、必要ならスイツチの駆動によつて
第２回路部分に接続することができる。スイツチのスイ
ツチング素子としてのバイポーラトランジスタは、通常
順方向で作動する。バイポーラトランジスタは、（逆方
向で）反転動作するとき、そのコレクタ・エミツタ間電
圧がコレクタ・エミツタ間降伏電圧を超えないかぎりで
のみ、確実にスイツチングされる。そのコレクタ・エミ
ツタ間電圧がこの値を超えるや、バイポーラトランジス
タが降伏する。その結果かなりの漏れ電流がバイポーラ
トランジスタを介して第１回路部分に導出されることが
あり、そこで望ましくない一時的機能障害を、又は永続
的機能障害も引き起こすことになる。
て、通常第１回路部分がスイツチング可能に第２回路部
分に接続される。例えば第１回路部分が電流源を有する
場合、この電流源は、必要ならスイツチの駆動によつて
第２回路部分に接続することができる。スイツチのスイ
ツチング素子としてのバイポーラトランジスタは、通常
順方向で作動する。バイポーラトランジスタは、（逆方
向で）反転動作するとき、そのコレクタ・エミツタ間電
圧がコレクタ・エミツタ間降伏電圧を超えないかぎりで
のみ、確実にスイツチングされる。そのコレクタ・エミ
ツタ間電圧がこの値を超えるや、バイポーラトランジス
タが降伏する。その結果かなりの漏れ電流がバイポーラ
トランジスタを介して第１回路部分に導出されることが
あり、そこで望ましくない一時的機能障害を、又は永続
的機能障害も引き起こすことになる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、単純
な構造と、逆方向で動作して高い絶縁耐力とを有する、
最初にあげたスイツチを提供することである。
な構造と、逆方向で動作して高い絶縁耐力とを有する、
最初にあげたスイツチを提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この課題は、本発明によ
れば請求項１の特徴部分によつて解決される。有利な構
成及び展開は従属請求項から明らかとなる。
れば請求項１の特徴部分によつて解決される。有利な構
成及び展開は従属請求項から明らかとなる。
【０００５】第１回路部分を第２回路部分に接続する本
発明によるスイツチは、第１スイツチング素子−−バイ
ポーラトランジスタ、好ましくはｎｐｎトランジスタ−
−と第２スイツチング素子−−スイツチングトランジス
タ、好ましくはＭＯＳトランジスタ−−とを有する。バ
イポーラトランジスタのベースはスイツチングトランジ
スタの第１スイツチング端子に接続され、バイポーラト
ランジスタのコレクタはスイツチングトランジスタの第
２スイツチング端子に接続されている。スイツチングト
ランジスタの制御端子は制御信号源に接続され、好まし
くはバイポーラトランジスタのエミツタを介して、この
エミツタに接続された第２回路部分の入力端に接続され
ている。スイツチングトランジスタの制御端子とバイポ
ーラトランジスタのエミツタとの接続は、好ましくは減
結合抵抗器を介して行われる。バイポーラトランジスタ
が反転動作するや−−これはｎｐｎトランジスタの場
合、エミツタ電位がコレクタ電位を超える場合である−
−、スイツチングトランジスタが導通となる。バイポー
ラトランジスタのベースとコレクタはこうして互いに低
抵抗で接続される。この低抵抗接続によつて、コレクタ
・エミツタ間降伏電圧を実質的にベース・エミツタ間降
伏電圧によつて決めることが達成される。この降伏電圧
は、ベースを接続していないバイポーラトランジスタの
コレクタ・エミツタ間降伏電圧よりも高く、反転動作の
ときその許容最大コレクタ・エミツタ間電圧が高まる。
発明によるスイツチは、第１スイツチング素子−−バイ
ポーラトランジスタ、好ましくはｎｐｎトランジスタ−
−と第２スイツチング素子−−スイツチングトランジス
タ、好ましくはＭＯＳトランジスタ−−とを有する。バ
イポーラトランジスタのベースはスイツチングトランジ
スタの第１スイツチング端子に接続され、バイポーラト
ランジスタのコレクタはスイツチングトランジスタの第
２スイツチング端子に接続されている。スイツチングト
ランジスタの制御端子は制御信号源に接続され、好まし
くはバイポーラトランジスタのエミツタを介して、この
エミツタに接続された第２回路部分の入力端に接続され
ている。スイツチングトランジスタの制御端子とバイポ
ーラトランジスタのエミツタとの接続は、好ましくは減
結合抵抗器を介して行われる。バイポーラトランジスタ
が反転動作するや−−これはｎｐｎトランジスタの場
合、エミツタ電位がコレクタ電位を超える場合である−
−、スイツチングトランジスタが導通となる。バイポー
ラトランジスタのベースとコレクタはこうして互いに低
抵抗で接続される。この低抵抗接続によつて、コレクタ
・エミツタ間降伏電圧を実質的にベース・エミツタ間降
伏電圧によつて決めることが達成される。この降伏電圧
は、ベースを接続していないバイポーラトランジスタの
コレクタ・エミツタ間降伏電圧よりも高く、反転動作の
ときその許容最大コレクタ・エミツタ間電圧が高まる。
【０００６】スイツチのスイツチングトランジスタがＭ
ＯＳトランジスタとして実施されると、このために好ま
しくは、高電圧ＮＭＯＳトランジスタが使用される。こ
のような高電圧ＮＭＯＳトランジスタは、少なくともそ
のドレイン電極が従来のＭＯＳトランジスタの電圧制限
を受けない。
ＯＳトランジスタとして実施されると、このために好ま
しくは、高電圧ＮＭＯＳトランジスタが使用される。こ
のような高電圧ＮＭＯＳトランジスタは、少なくともそ
のドレイン電極が従来のＭＯＳトランジスタの電圧制限
を受けない。
【０００７】ＭＯＳトランジスタの場合、場合によつて
はゲート電極を過度に強い電圧から保護する必要があ
る。この保護は、好ましくはゲート電極に接続されるツ
エナーダイオードによつて行われ、このダイオードはＭ
ＯＳトランジスタの動作にとつて許されない値にゲート
電位が上昇するのを防止する。ゲート電位とエミツタ電
位との減結合は、特にツエナーダイオードが導通の場合
に望ましいが、好ましくはＭＯＳトランジスタのゲート
電極とバイポーラトランジスタのエミツタ電極との間に
設けられる減結合抵抗器で行われる。
はゲート電極を過度に強い電圧から保護する必要があ
る。この保護は、好ましくはゲート電極に接続されるツ
エナーダイオードによつて行われ、このダイオードはＭ
ＯＳトランジスタの動作にとつて許されない値にゲート
電位が上昇するのを防止する。ゲート電位とエミツタ電
位との減結合は、特にツエナーダイオードが導通の場合
に望ましいが、好ましくはＭＯＳトランジスタのゲート
電極とバイポーラトランジスタのエミツタ電極との間に
設けられる減結合抵抗器で行われる。
【０００８】その単純な構造に基づいて、本発明による
スイツチはスペースを節約して安価に１つのＩＣに一体
化することができる。
スイツチはスペースを節約して安価に１つのＩＣに一体
化することができる。
【０００９】このスイツチは、バイポーラトランジスタ
の反転動作のときに高いコレクタ・エミツタ間電圧が現
れることのある所ではどこでも利用することができる。
の反転動作のときに高いコレクタ・エミツタ間電圧が現
れることのある所ではどこでも利用することができる。
【００１０】
【実施例】以下図１及び図２に基づいて本発明が詳しく
説明される。
説明される。
【００１１】第１スイツチング素子ＳＥ１と第２スイツ
チング素子ＳＥ２とを有するだけの本発明によるスイツ
チ１の配置が図１から明らかとなる。第１スイツチング
素子ＳＥ１はｎｐｎトランジスタとして実施されるバイ
ポーラトランジスタＴ１０、第２スイツチング素子ＳＥ
２はＭＯＳトランジスタＭ１０と称される高電圧ＮＭＯ
Ｓトランジスタとして構成されたスイツチングトランジ
スタＭ１０である。ＭＯＳトランジスタＭ１０のドレイ
ン電極とバイポーラトランジスタＴ１０のコレクタ電極
がスイツチ１の第１接続点Ｎ１に接続されている。ＭＯ
ＳトランジスタＭ１０ゲート電極とバイポーラトランジ
スタＴ１０のエミツタがスイツチ１の第２接続点Ｎ２に
接触している。ＭＯＳトランジスタＭ１０のソース電極
とバイポーラトランジスタＴ１０のベース電極がスイツ
チ１の第３接続点Ｎ３に接続されている。
チング素子ＳＥ２とを有するだけの本発明によるスイツ
チ１の配置が図１から明らかとなる。第１スイツチング
素子ＳＥ１はｎｐｎトランジスタとして実施されるバイ
ポーラトランジスタＴ１０、第２スイツチング素子ＳＥ
２はＭＯＳトランジスタＭ１０と称される高電圧ＮＭＯ
Ｓトランジスタとして構成されたスイツチングトランジ
スタＭ１０である。ＭＯＳトランジスタＭ１０のドレイ
ン電極とバイポーラトランジスタＴ１０のコレクタ電極
がスイツチ１の第１接続点Ｎ１に接続されている。ＭＯ
ＳトランジスタＭ１０ゲート電極とバイポーラトランジ
スタＴ１０のエミツタがスイツチ１の第２接続点Ｎ２に
接触している。ＭＯＳトランジスタＭ１０のソース電極
とバイポーラトランジスタＴ１０のベース電極がスイツ
チ１の第３接続点Ｎ３に接続されている。
【００１２】順方向動作のときＭＯＳトランジスタＭ１
０は機能していない。それはそのゲート電位がエミツタ
電位に、即ち最も低い電位に接続されているので遮断さ
れている。
０は機能していない。それはそのゲート電位がエミツタ
電位に、即ち最も低い電位に接続されているので遮断さ
れている。
【００１３】遮断状態のとき、即ちバイポーラトランジ
スタＴ１０の遮断時、回路部分が第１、第２接続点Ｎ
１，Ｎ２に接続されているので、接続点Ｎ２で降下する
電圧Ｕ２は接続点Ｎ１に印加される電圧Ｕ１の値を超え
ることができる。この場合バイポーラトランジスタＴ１
０は反転動作中であり、ＭＯＳトランジスタＭ１０は導
通状態にある。従つてバイポーラトランジスタＴ１０の
コレクタとエミツタは互いに低抵抗で接続されている。
この理由から、バイポーラトランジスタＴ１０のコレク
タ・エミツタ間降伏電圧の値は、実質的にそのベース・
エミツタ・ダイオードの降伏電圧によつて決まる。
スタＴ１０の遮断時、回路部分が第１、第２接続点Ｎ
１，Ｎ２に接続されているので、接続点Ｎ２で降下する
電圧Ｕ２は接続点Ｎ１に印加される電圧Ｕ１の値を超え
ることができる。この場合バイポーラトランジスタＴ１
０は反転動作中であり、ＭＯＳトランジスタＭ１０は導
通状態にある。従つてバイポーラトランジスタＴ１０の
コレクタとエミツタは互いに低抵抗で接続されている。
この理由から、バイポーラトランジスタＴ１０のコレク
タ・エミツタ間降伏電圧の値は、実質的にそのベース・
エミツタ・ダイオードの降伏電圧によつて決まる。
【００１４】図２はスイツチ１と、これに接続されて電
流増倍器２として実施される第１回路部分とを示す。ス
イツチ１は接続点Ｎ１を介して電流増倍器２の出力端Ａ
と接続され、又接続点Ｎ３を介して電流増倍器２の制御
出力端Ｓｔと接続されている。スイツチ１の接続点Ｎ２
は図２に図示しない第２回路部分に接続されており、こ
の回路部分が電流増倍器の出力端Ａに現れる電流を吸収
する。電流増倍器２の接続点Ｎ４が制御端子として構成
されており、この制御端子を介してスイツチ１の接続点
Ｎ１に供給される電流−−増倍電流ＫＩｓｔ−−が調整
される。増倍電流ＫＩｓｔは、接続点Ｎ４から取り出さ
れる制御電流Ｉｓｔに比例している。接続点Ｎ５は電源
に接続される電源端子であり、接続点Ｎ６は電流増倍器
２の動作点を調整するのに役立つ別の制御端子である。
流増倍器２として実施される第１回路部分とを示す。ス
イツチ１は接続点Ｎ１を介して電流増倍器２の出力端Ａ
と接続され、又接続点Ｎ３を介して電流増倍器２の制御
出力端Ｓｔと接続されている。スイツチ１の接続点Ｎ２
は図２に図示しない第２回路部分に接続されており、こ
の回路部分が電流増倍器の出力端Ａに現れる電流を吸収
する。電流増倍器２の接続点Ｎ４が制御端子として構成
されており、この制御端子を介してスイツチ１の接続点
Ｎ１に供給される電流−−増倍電流ＫＩｓｔ−−が調整
される。増倍電流ＫＩｓｔは、接続点Ｎ４から取り出さ
れる制御電流Ｉｓｔに比例している。接続点Ｎ５は電源
に接続される電源端子であり、接続点Ｎ６は電流増倍器
２の動作点を調整するのに役立つ別の制御端子である。
【００１５】図２のスイツチ１は図１のスイツチ１の別
の構成である。ＭＯＳトランジスタＭ１０のゲート電極
はツエナーダイオードＤＺ１０のカソードに接続されて
いる。こうしてゲート電位はＭＯＳトランジスタの動作
にとつて許容される値に制限される。ＭＯＳトランジス
タＭ１０のゲート電極とバイポーラトランジスタＴ１０
のエミツタ電極との間に設けられる減結合抵抗器Ｒ１０
でもつてＭＯＳトランジスタＭ１０のゲート電位はバイ
ポーラトランジスタＴ１０のエミツタ電位から、即ち電
圧Ｕ２から減結合される。バイポーラトランジスタＴ１
０のベースとエミツタは、ダイオードとして設けられる
トランジスタＴ１１及びこれと直列に設けられるブリー
ダ抵抗器Ｒ１１を介して互いに接続されている。
の構成である。ＭＯＳトランジスタＭ１０のゲート電極
はツエナーダイオードＤＺ１０のカソードに接続されて
いる。こうしてゲート電位はＭＯＳトランジスタの動作
にとつて許容される値に制限される。ＭＯＳトランジス
タＭ１０のゲート電極とバイポーラトランジスタＴ１０
のエミツタ電極との間に設けられる減結合抵抗器Ｒ１０
でもつてＭＯＳトランジスタＭ１０のゲート電位はバイ
ポーラトランジスタＴ１０のエミツタ電位から、即ち電
圧Ｕ２から減結合される。バイポーラトランジスタＴ１
０のベースとエミツタは、ダイオードとして設けられる
トランジスタＴ１１及びこれと直列に設けられるブリー
ダ抵抗器Ｒ１１を介して互いに接続されている。
【００１６】電流増倍器２が２つのカレントミラーＳＰ
１，ＳＰ２を有する。基準電流ＩＲ０は、接続点Ｎ６で
トランジスタＴ２０のベースに供給される電流を介して
変更可能である。カレントミラーＳＰ１のミラー電流シ
ンクとして設けられるｎｐｎトランジスタＴ２１がこの
基準電流を吸収する。本件の場合両方の抵抗器Ｒ２５，
Ｒ３２が同じ大きさの抵抗器であり、又ミラー電流源と
して設けられる両方のトランジスタＴ２４，Ｔ２７が同
種のｎｐｎトランジスタであるので、供給される両方の
−−以下で静止電流ＩＲ１，ＩＲ２と称する−−電流は
同じ大きさであり、かつ基準電流ＩＲ０に比例してい
る。カレントミラーＳＰ２のミラー電流シンクとして設
けられるｐｎｐトランジスタＴ２３が静止電流ＩＲ１を
吸取する。ｐｎｐトランジスタＴ２６はカレントミラー
ＳＰ２のミラー電流源として実施されている。それから
供給される電流−−ミラー電流ＩＲ３−−は静止電流Ｉ
Ｒ１に比例している。接続点Ｎ４から制御電流Ｉｓｔが
取り出されない限り、即ち抵抗器Ｒ２９，Ｒ３０で形成
される分圧器が負荷されない限り、このカレントミラー
ＳＰ２の比例係数−−ミラー比−−は１である。この分
圧器が負荷されるや、換言するなら制御電流Ｉｓｔが零
より大きくなるや、トランジスタＴ２６のエミツタ電位
が変化する。その結果カレントミラーＳＰ２のミラー比
は、従つてミラー電流ＩＲ３も低下する。その結果ミラ
ー電流ＩＲ３が両方の同じ大きさの静止電流ＩＲ２，Ｉ
Ｒ１よりも小さくなつているので、ｐｎｐトランジスタ
Ｔ２８からベース電流ＩＲ２〜ＩＲ３が抵抗器Ｒ３１に
流れることができる。これによつて導通となつたトラン
ジスタＴ２８は、次にｐｎｐトランジスタＴ３０のベー
ス電流を吸収し、これにより導通となり、電流増倍器の
制御出力端Ｓｔを介してバイポーラトランジスタＴ１０
にベース電流を供給する。こうしてこのバイポーラトラ
ンジスタも導通状態に移行し、抵抗器Ｒ２３，Ｒ２４で
形成されて電流増倍器２の出力端Ａに接続された分圧器
を負荷する。その結課トランジスタＴ２３のエミツタ電
位が低電圧の方に移動して、カレントミラーＳＰ２のカ
レントミラー比を拡大する。この帰還で形成される制御
ループに基づいて、分圧器Ｒ２３，Ｒ２４から流れ出る
増倍電流ＫＩｓｔは制御電流Ｉｓｔに比例した値とな
る。比例係数は抵抗器Ｒ２３，Ｒ２４，Ｒ２９，Ｒ３０
の選定される抵抗値に依存する。トランジスタＴ２６の
ベース及びコレクタに接続されるコンデンサＣ２０は制
御ループの振動傾向を抑制するのに役立つ。
１，ＳＰ２を有する。基準電流ＩＲ０は、接続点Ｎ６で
トランジスタＴ２０のベースに供給される電流を介して
変更可能である。カレントミラーＳＰ１のミラー電流シ
ンクとして設けられるｎｐｎトランジスタＴ２１がこの
基準電流を吸収する。本件の場合両方の抵抗器Ｒ２５，
Ｒ３２が同じ大きさの抵抗器であり、又ミラー電流源と
して設けられる両方のトランジスタＴ２４，Ｔ２７が同
種のｎｐｎトランジスタであるので、供給される両方の
−−以下で静止電流ＩＲ１，ＩＲ２と称する−−電流は
同じ大きさであり、かつ基準電流ＩＲ０に比例してい
る。カレントミラーＳＰ２のミラー電流シンクとして設
けられるｐｎｐトランジスタＴ２３が静止電流ＩＲ１を
吸取する。ｐｎｐトランジスタＴ２６はカレントミラー
ＳＰ２のミラー電流源として実施されている。それから
供給される電流−−ミラー電流ＩＲ３−−は静止電流Ｉ
Ｒ１に比例している。接続点Ｎ４から制御電流Ｉｓｔが
取り出されない限り、即ち抵抗器Ｒ２９，Ｒ３０で形成
される分圧器が負荷されない限り、このカレントミラー
ＳＰ２の比例係数−−ミラー比−−は１である。この分
圧器が負荷されるや、換言するなら制御電流Ｉｓｔが零
より大きくなるや、トランジスタＴ２６のエミツタ電位
が変化する。その結果カレントミラーＳＰ２のミラー比
は、従つてミラー電流ＩＲ３も低下する。その結果ミラ
ー電流ＩＲ３が両方の同じ大きさの静止電流ＩＲ２，Ｉ
Ｒ１よりも小さくなつているので、ｐｎｐトランジスタ
Ｔ２８からベース電流ＩＲ２〜ＩＲ３が抵抗器Ｒ３１に
流れることができる。これによつて導通となつたトラン
ジスタＴ２８は、次にｐｎｐトランジスタＴ３０のベー
ス電流を吸収し、これにより導通となり、電流増倍器の
制御出力端Ｓｔを介してバイポーラトランジスタＴ１０
にベース電流を供給する。こうしてこのバイポーラトラ
ンジスタも導通状態に移行し、抵抗器Ｒ２３，Ｒ２４で
形成されて電流増倍器２の出力端Ａに接続された分圧器
を負荷する。その結課トランジスタＴ２３のエミツタ電
位が低電圧の方に移動して、カレントミラーＳＰ２のカ
レントミラー比を拡大する。この帰還で形成される制御
ループに基づいて、分圧器Ｒ２３，Ｒ２４から流れ出る
増倍電流ＫＩｓｔは制御電流Ｉｓｔに比例した値とな
る。比例係数は抵抗器Ｒ２３，Ｒ２４，Ｒ２９，Ｒ３０
の選定される抵抗値に依存する。トランジスタＴ２６の
ベース及びコレクタに接続されるコンデンサＣ２０は制
御ループの振動傾向を抑制するのに役立つ。
【００１７】接続点Ｎ２に接続される第２回路部分に基
づいてこの接続点から増倍電流ＫＩｓｔが流れ出ること
ができない場合、トランジスタＴ３０のコレクタ・エミ
ツタ間電圧は、抵抗器Ｒ３１で低下する電圧とほぼ同じ
大きさの最小値となる。トランジスタＴ３０のコレクタ
電位は、従つて両方のｐｎｐトランジスタＴ２９，Ｔ３
１のエミツタ電位もこれによつて上昇し、これによつて
トランジスタＴ２９，Ｔ３１が導通となる。その結果ｎ
ｐｎトランジスタＴ３２もベニス電流を受け取つて、そ
れ自身が導通となり、増倍電流ＫＩｓｔを吸取して接地
される。こうして接続点Ｎ５に接続されるべき電源の負
荷が接続点Ｎ２から流れ出る電流に依存して変化するこ
とのないように確保される。このことが必要となるの
は、特に電源が、同時に負荷の変化で信号の変化も帰結
するような信号源である場合である。
づいてこの接続点から増倍電流ＫＩｓｔが流れ出ること
ができない場合、トランジスタＴ３０のコレクタ・エミ
ツタ間電圧は、抵抗器Ｒ３１で低下する電圧とほぼ同じ
大きさの最小値となる。トランジスタＴ３０のコレクタ
電位は、従つて両方のｐｎｐトランジスタＴ２９，Ｔ３
１のエミツタ電位もこれによつて上昇し、これによつて
トランジスタＴ２９，Ｔ３１が導通となる。その結果ｎ
ｐｎトランジスタＴ３２もベニス電流を受け取つて、そ
れ自身が導通となり、増倍電流ＫＩｓｔを吸取して接地
される。こうして接続点Ｎ５に接続されるべき電源の負
荷が接続点Ｎ２から流れ出る電流に依存して変化するこ
とのないように確保される。このことが必要となるの
は、特に電源が、同時に負荷の変化で信号の変化も帰結
するような信号源である場合である。
【図１】第１実施例を示す。
【図２】別の実施例を示す。
１ スイツチ Ｍ１０ スイツチングトランジスタ Ｎ１ 第１接続点 Ｎ２ 第２接続点 Ｎ３ 第３接続点 ＳＥ１ 第１スイツチング素子 ＳＥ２ 第２スイツチング素子 Ｔ１０ バイポーラトランジスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ユルゲン・シユナーベル ドイツ連邦共和国ラインガルテン・エツ ピンゲル・シユトラーセ107 (72)発明者 ヘンリク・グツチユ ドイツ連邦共和国ハイルブロン・ケルテ ンシユトラーセ６ (56)参考文献 特開 昭64−8719（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−2157（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−5115（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−5727（ＪＰ，Ｕ) 特表 平６−500210（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03K 17/00 - 17/70
Claims (9)
- 【請求項１】 スイツチ（１）であつて、 −バイポーラトランジスタ（Ｔ１０）として構成される
第１スイツチング素子（ＳＥ１）と、 −第１スイツチング端子を形成し、バイポーラトランジ
スタ（Ｔ１０）のコレクタに接続されかつ第１回路部分
の出力端が接続されている第１接続点（Ｎ１）と、 −第２スイツチング端子を形成し、バイポーラトランジ
スタ（Ｔ１０）のエミツタに接続されかつ第２回路部分
の入力端が接続されている第２接続点（Ｎ２）と、 −制御端子を形成し、バイポーラトランジスタ（Ｔ１
０）のベースに接続されかつスイツチ（１）を駆動する
ことのできる第３接続点（Ｎ３）とを備えたものにおい
て、スイツチングトランジスタ（Ｍ１０）として構成さ
れて２つのスイツチング端子と１つの制御端子とを備え
た第２スイツチング素子（ＳＥ２）を更に有し、 −第２スイツチング素子（ＳＥ２）の第１スイツチング
端子がバイポーラトランジスタ（Ｔ１０）のコレクタに
接続されており、 −第２スイツチング素子（ＳＥ２）の第２スイツチング
端子がバイポーラトランジスタ（Ｔ１０）のベースに接
続されており、 −第２スイツチング素子（ＳＥ２）が、その制御端子に
接続される制御信号源を介して、スイツチ（１）の逆方
向動作のとき、即ちバイポーラトランジスタ（Ｔ１０）
の反転動作のときに導通となるように、駆動されること
を特徴とするスイツチ。 - 【請求項２】 スイツチングトランジスタ（Ｍ１０）の
制御端子がバイポーラトランジスタ（Ｔ１０）のエミツ
タに及び制御信号源として構成される第２回路部分に接
続されていることを特徴とする、請求項１に記載のスイ
ツチ。 - 【請求項３】 スイツチングトランジスタ（Ｍ１０）の
制御端子が減結合抵抗器（Ｒ１０）を介してバイポーラ
トランジスタ（Ｔ１０）のエミツタに接続されているこ
とを特徴とする、請求項２に記載のスイツチ。 - 【請求項４】 バイポーラトランジスタ（Ｔ１０）のベ
ースとエミツタが、ダイオードとして設けられるトラン
ジスタ（Ｔ１１）とこれに直列に設けられるブリーダ抵
抗器（Ｒ１１）とを介して互いに接続されていることを
特徴とする、請求項１ないし３の１つに記載のスイツ
チ。 - 【請求項５】 バイポーラトランジスタ（Ｔ１０）がｎ
ｐｎトランジスタとして構成されていることを特徴とす
る、請求項１ないし４の１つに記載のスイツチ。 - 【請求項６】 第２スイツチング素子（ＳＥ２）がＭＯ
Ｓトランジスタ（Ｍ１０）として構成されており、その
ドレイン電極が第１スイツチング端子を、ゲート電極が
制御端子を、又ソース電極が第２スイツチング端子を形
成することを特徴とする、請求項１ないし５の１つに記
載のスイツチ。 - 【請求項７】 ＭＯＳトランジスタ（Ｍ１０）のゲート
電位の電位を制限するために、そのゲート電極にツエナ
ーダイオード（ＤＺ１０）が接続されていることを特徴
とする、請求項６に記載のスイツチ。 - 【請求項８】 ＭＯＳトランジスタ（Ｍ１０）がＮＭＯ
Ｓトランジスタとして構成されていることを特徴とす
る、請求項６又は７に記載のスイツチ。 - 【請求項９】 ＮＭＯＳトランジスタ（Ｍ１０）が高電
圧ＮＭＯＳトランジスタとして構成されていることを特
徴とする、請求項８に記載のスイツチ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4412274.8 | 1994-04-09 | ||
| DE4412274A DE4412274C1 (de) | 1994-04-09 | 1994-04-09 | Schalter mit einem als Bipolartransistor ausgebildeten ersten Schaltelement |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0884059A JPH0884059A (ja) | 1996-03-26 |
| JP3250169B2 true JP3250169B2 (ja) | 2002-01-28 |
Family
ID=6515005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11622995A Expired - Fee Related JP3250169B2 (ja) | 1994-04-09 | 1995-04-06 | バイポーラトランジスタとして構成される第１スイツチング素子を有するスイツチ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5565810A (ja) |
| EP (1) | EP0676846B1 (ja) |
| JP (1) | JP3250169B2 (ja) |
| DE (2) | DE4412274C1 (ja) |
| TW (1) | TW260842B (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0764365A2 (en) * | 1995-04-10 | 1997-03-26 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Level-shifting circuit and high-side driver including such a level-shifting circuit |
| DE19914466C1 (de) * | 1999-03-30 | 2000-09-14 | Siemens Ag | Treiberstufe zum Schalten einer Last |
| DE10100344A1 (de) * | 2001-01-05 | 2002-07-25 | Infineon Technologies Ag | Integrierte Schaltung und Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung |
| US7897947B2 (en) | 2007-07-13 | 2011-03-01 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source having a droplet stream produced using a modulated disturbance wave |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3955103A (en) * | 1975-02-12 | 1976-05-04 | National Semiconductor Corporation | Analog switch |
| US4867101A (en) * | 1986-07-10 | 1989-09-19 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Apparatus for producing magnetic recording medium |
| JPS648719A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Nec Corp | Semiconductor integrated circuit |
| US5134323A (en) * | 1990-08-03 | 1992-07-28 | Congdon James E | Three terminal noninverting transistor switch |
-
1994
- 1994-04-09 DE DE4412274A patent/DE4412274C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-03-08 TW TW084102179A patent/TW260842B/zh active
- 1995-04-04 DE DE59502555T patent/DE59502555D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-04-04 EP EP95104994A patent/EP0676846B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-04-06 JP JP11622995A patent/JP3250169B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-04-07 US US08/418,475 patent/US5565810A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4412274C1 (de) | 1995-05-04 |
| DE59502555D1 (de) | 1998-07-23 |
| US5565810A (en) | 1996-10-15 |
| TW260842B (en) | 1995-10-21 |
| EP0676846A2 (de) | 1995-10-11 |
| JPH0884059A (ja) | 1996-03-26 |
| EP0676846A3 (de) | 1996-06-12 |
| EP0676846B1 (de) | 1998-06-17 |
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