JP3246364B2 - シンクロトロン型加速器及びそれを用いた医療用装置 - Google Patents

シンクロトロン型加速器及びそれを用いた医療用装置

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JP3246364B2
JP3246364B2 JP32248396A JP32248396A JP3246364B2 JP 3246364 B2 JP3246364 B2 JP 3246364B2 JP 32248396 A JP32248396 A JP 32248396A JP 32248396 A JP32248396 A JP 32248396A JP 3246364 B2 JP3246364 B2 JP 3246364B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、シンクロトロン
型加速器と、シンクロトロン型加速器から出射された荷
電粒子ビームを癌治療や患部の診断に使用する医療用装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来における医療用のシンクロトロンに
関してはProc. of the 8th Symposiumon Accelerator S
cience and Technology, 1991, Saitama,Japan の４１
４ページのFig. ３に記載されている。
【０００３】図５に従来のシンクロトロン型加速器を示
す。出射に当たっては、共鳴励起用多極電磁石１１を励
磁することにより荷電粒子ビームのベータトロン振動に
共鳴を発生させて、ベータトロン振動の振動振幅を増加
させる。振動振幅が増加した荷電粒子ビームは、直線部
に並べられた静電偏向器１０１と出射用偏向電磁石１０
２により治療室１０１０へ出射される。
【０００４】図６に静電偏向器１０１を示す。電極１０
３１，１０３２に電源１３１から高電圧を印加し、水平
方向の電界を発生させる。振動振幅が増加して電極１０
３１と１０３２の間に入った荷電粒子ビームは、この水
平方向の電界で偏向され、出射ビーム輸送系に入り、出
射される。電極１０３１と電極１０３２の間に入らなか
った荷電粒子は、そのまま、加速器を周回する。そし
て、再び静電偏向器101で振動振幅を増加し、電極間に
到達すれば出射される。
【０００５】図７に出射用偏電磁石１０２を示す。コイ
ル１０４１，１０４２に電源１３１から電流が供給され
ると、コイル１０４１，１０４２間に鉛直方向の磁場が
発生する。この鉛直方向の磁場により、ビームをさらに
偏向され、ビーム輸送系へ出射される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】静電偏向器１０１にお
いて、電極１０３１の端面に衝突した荷電粒子ビームは
失われるから、ビーム損失を最小限にするために、電極
１０３１を薄くする必要がある。しかし、静電型の偏向
器の場合、電界強度を９０kV／cm以上にすることが困難
で、荷電粒子ビームを十分に偏向することができない。
【０００７】出射用偏電磁石１０２は、コイルの発熱を
抑えるために、コイル１０４１を厚くしている。しか
し、コイル１０４１に荷電粒子ビームが衝突するので、
ビーム損失が多くなる。
【０００８】図８に示すような、上流側に静電偏向器１
０１を設置し、下流側に出射用偏電磁石１０２を設置し
ている従来のシンクロトロンにおいては、静電偏向器１
０１で荷電粒子ビームを十分に偏向し、かつ、出射用偏
電磁石１０２でビーム損失を減らすために、静電偏向器
１０１および出射用偏電磁石１０２を荷電粒子ビーム進
行方向に長い構造にしている。しかしその結果、シンク
ロトロンは大型化する。
【０００９】本発明の目的は、ビーム損失を減少して、
荷電粒子ビームの出射効率の高いシンクロトロン型加速
器及びそれを用いた医療用装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の第１の特徴は、荷電粒子ビームの周回軌道に配置さ
れた偏向電磁石と、前記周回軌道に配置された４極発散
電磁石及び４極収束電磁石と、前記周回軌道に配置さ
れ、周回する荷電粒子ビームに高周波電磁界を印加する
ことにより荷電粒子ビームのベータトロン振動振幅を増
加させて共鳴の安定限界を超えさせる高周波印加装置
と、前記周回軌道に配置され、前記高周波印加装置によ
って共鳴の安定限界を超えさせられた荷電粒子ビームを
偏向する第１出射用偏向器と、前記第１出射用偏向器と
対で用いられ、前記周回軌道に配置されて前記第１出射
用偏向器によって偏向された荷電粒子ビームを出射する
第２出射用偏向器とを備え、前記第１出射用偏向器の下
流側に前記偏向電磁石と前記第２出射用偏向器がこの順
に配置され、前記第１出射用偏向器の下流側に配置され
た前記偏向電磁石は前記第１出射用偏向器によって偏向
された荷電粒子ビームを前記第２出射用偏向器の方向に
偏向することにある。この第１の特徴によれば、偏向電
磁石は、荷電粒子ビームが加速器を周回するのを保つと
ともに、第１出射用偏向器で偏向された荷電粒子ビーム
を第２出射用偏向器の方向にさらに偏向する。第１出射
用偏向器で偏向された荷電粒子ビームは、偏向電磁石で
十分に偏向されて第２出射用偏向器に入るので、第２出
射用偏向器に衝突せずに出射される。一方、第１出射用
偏向器で偏向されなかった荷電粒子ビームは、偏向電磁
石における偏向が小さいので、第２出射用偏向器に入ら
ずに加速器を周回する。このように、荷電粒子ビームが
第２出射用偏向器に衝突することを防止できるので、ビ
ーム損失が減少し、出射効率を高くすることができる。
また、第１出射用偏向器で偏向された荷電粒子ビームは
偏向電磁石において十分に偏向されるので、荷電粒子ビ
ームの進行方向に短い構造の第１出射用偏向器および第
２出射用偏向器を用いることができ、さらに、第１出射
用偏向器および第２出射用偏向器を同じ直線部に設置し
なくてよい。従って、シンクロトロン型加速器を小型化
できる。
【００１１】本発明の第２の特徴は、荷電粒子ビームの
周回軌道に配置された偏向電磁石と、前記周回軌道に配
置された４極発散電磁石及び４極収束電磁石と、前記周
回軌道に配置され、周回する荷電粒子ビームに高周波電
磁界を印加することにより荷電粒子ビームのベータトロ
ン振動振幅を増加させて共鳴の安定限界を超えさせる高
周波印加装置と、前記周回軌道に配置され、前記高周波
印加装置によって共鳴の安定限界を超えさせられた荷電
粒子ビームを偏向する第１出射用偏向器と、前記第１出
射用偏向器と対で用いられ、前記周回軌道に配置されて
前記第１出射用偏向器によって偏向された荷電粒子ビー
ムを出射する第２出射用偏向器とを備え、前記第１出射
用偏向器の下流側に前記４極発散電磁石と前記第２出射
用偏向器がこの順に配置され、前記第１出射用偏向器の
下流側に配置された前記４極発散電磁石は前記第１出射
用偏向器によって偏向された荷電粒子ビームを前記第２
出射用偏向器の方向に偏向することにある。
【００１２】この第２の特徴によれば、４極発散電磁石
は、荷電粒子ビームが加速器を周回するのを保つととも
に、第１出射用偏向器で偏向された荷電粒子ビームを第
２出射用偏向器の方向にさらに偏向する。第１出射用偏
向器で偏向された荷電粒子ビームは、４極発散電磁石で
十分に偏向されて第２出射用偏向器に入るので、第２出
射用偏向器に衝突せずに出射される。一方、第１出射用
偏向器で偏向されなかった荷電粒子ビームは、４極発散
電磁石における偏向が小さいので、第２出射用偏向器に
入らずに加速器を周回する。このように、荷電粒子ビー
ムが第２出射用偏向器に衝突することを防止できるの
で、ビーム損失が減少し、出射効率を高くすることがで
きる。また、第１出射用偏向器で偏向された荷電粒子ビ
ームは４極発散電磁石において十分に偏向されるので、
荷電粒子ビームの進行方向に短い構造の第１出射用偏向
器および第２出射用偏向器を用いることができ、シンク
ロトロン型加速器を小型化できる。
【００１３】好ましくは、前記４極発散電磁石，前記４
極収束電磁石，前記偏向電磁石，前記第１出射用偏向器
及び前記第２出射用偏向器のそれぞれに電界又は磁界を
発生させるための電力を供給する電源と、前記高周波印
加装置が荷電粒子ビームに高周波電磁界を印加している
ときに前記電界又は前記磁界の大きさがほぼ一定となる
ように前記電源を制御する制御手段とを備える。これに
よれば、荷電粒子ビームが出射されている間に、第２出
射用偏向器に入る荷電粒子ビームの軌道はほぼ変わらな
いので、ぼほ一定の出射角をもつ出射ビームが得られ
る。従って、出射ビームが第２出射用偏向器やビームダ
クトなどに衝突して失われるのを防ぐことができるの
で、ビーム損失がより減少し、出射効率をより高くする
ことができる。
【００１４】また、好ましくは、荷電粒子ビームの周回
軌道に配置された偏向電磁石と、前記周回軌道に配置さ
れた４極発散電磁石及び４極収束電磁石と、前記周回軌
道に配置され、周回する荷電粒子ビームに高周波電磁界
を印加することにより荷電粒子ビームのベータトロン振
動振幅を増加させて共鳴の安定限界を超えさせる高周波
印加装置と、前記周回軌道に配置され、前記高周波印加
装置によって共鳴の安定限界を超えさせられた荷電粒子
ビームを偏向する第１出射用偏向器と、前記第１出射用
偏向器と対で用いられ、前記周回軌道に配置されて前記
第１出射用偏向器によって偏向された荷電粒子ビームを
出射する第２出射用偏向器とを備えたシンクロトロン型
加速器と、前記第２出射用偏向器により出射された荷電
粒子ビームを輸送する出射ビーム輸送系と、前記出射ビ
ーム輸送系によって輸送された荷電粒子ビームを患者に
照射する照射装置とを備え、前記第１出射用偏向器の下
流側に前記偏向電磁石と前記第２出射用偏向器がこの順
に配置され、前記第１出射用偏向器の下流側に配置され
た前記偏向電磁石は前記第１出射用偏向器によって偏向
された荷電粒子ビームを前記第２出射用偏向器の方向に
偏向する。これによれば、シンクロトロン型加速器から
高い出射効率で荷電粒子ビームが出射されるので、患者
に照射するために必要な照射量を短い照射時間で得るこ
とができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
（実施例１）本発明の第１の実施例であるシンクロトロ
ン型の加速器１００を図１を用いて説明する。
【００１６】本実施例の加速器１００は、前段加速器９
８から低エネルギーの荷電粒子ビームを加速器１００に
入射し、加速後、荷電粒子ビームのベータトロン振動の
共鳴を利用して治療室１０１０へ出射するものである。
【００１７】加速器１００は、共鳴の安定限界を定める
４極収束電磁石１４５，４極発散電磁石１４４や共鳴励
起用多極電磁石１１，ベータトロン振動を増加して共鳴
の安定限界を越えさせるためのビームの出射用の高周波
印加装置１２０，出射用の静電偏向器１０１及び出射用
偏向電磁石１０２を備える。静電偏向器１０１と出射用
偏向電磁石１０２の間には、２つの４極発散電磁石１４
４と偏向電磁石１４６を設置する。偏向電磁石１４６は
２つの４極発散電磁石１４４間に設置される。４極収束
電磁石１４５は水平方向および垂直方向に収束作用を持
ち、４極発散電磁石１４４は、水平方向に発散作用，垂
直方向に収束作用を持つ。４極発散電磁石１４４に励起
されている水平方向の発散磁場は、荷電粒子ビームの中
心軌道からの水平方向変位が大きいほど、水平方向外側
への発散力が大きい。ちょうど、凹レンズの中心からず
れて入射した光がより外側に偏向されるのと同じであ
る。従って、中心軌道の水平方向内側を通る荷電粒子ビ
ームは、４極発散電磁石１４４でより内側に偏向され、
中心軌道の水平方外側を通る荷電粒子ビームは、４極発
散電磁石１４４でより外側に偏向される。
【００１８】制御装置１３０は、４極収束電磁石１４
５，４極発散電磁石１４４，共鳴励起用多極電磁石１
１，高周波印加装置１２０，静電偏向器１０１，出射用
偏向電磁石１０２および偏向電磁石１４６にそれぞれ接
続された電源１３１を制御して加速器１００の運転を行
うものである。
【００１９】次に、加速器１００の運転方法を説明す
る。
【００２０】前段加速器９８から加速器１００に荷電粒
子ビームが入射されると、制御装置１３０は、電源１３
１を制御して高周波加速空胴１４８から荷電粒子ビーム
にエネルギーを与える。制御装置１３０は、荷電粒子ビ
ームにエネルギーを与えながら、電源１３１を制御して
偏向電磁石１４６，４極収束電磁石１４５、および４極
発散電磁石１４４の磁場強度をそれぞれ増加させて必要
エネルギーまで加速する。
【００２１】荷電粒子ビームが必要エネルギーまで加速
されると、制御装置１３０は電源１３１を制御して４極
収束電磁石１４５，４極発散電磁石１４４を励磁し、荷
電粒子ビームのベータトロン振動数を予め設定された適
切な値に設定する。これと同時に、制御装置１３０は電
源１３１を制御して共鳴励起用多極電磁石１１を励磁
し、共鳴の安定限界を予め設定された値に定める。
【００２２】次に、制御装置１３０は、出射用高周波電
源１６６を制御して高周波印加装置１２０に高周波電磁
界を発生させると同じに、電源１３１を制御して、静電
偏向器１０１の隔壁電極１０３１と電極１０３２の間に
水平方向の静電界を発生させ、出射用偏向電磁石１０２
の隔壁コイル１０４１，コイル１０４２間に鉛直方向の
磁場を発生させる。そして、制御装置１３０は、４極収
束電磁石１４５，４極発散電磁石１４４および共鳴励起
用多極電磁石１１に供給されるの電流をほぼ一定に保
ち、共鳴が発生する安定限界を一定に保つ。
【００２３】高周波印加装置１２０から荷電粒子ビーム
に高周波電磁界が印加されると、荷電粒子ビームのベー
タトロン振動振幅は徐々に増加し共鳴の安定限界を超え
る。共鳴の安定限界を越えた荷電粒子ビームは、ベータ
トロン振動振幅を急激に増加する。ベータトロン振動振
幅が増加して静電偏向器１０１の隔壁電極１０３１と電
極１０３２の間に入った荷電粒子ビームは、隔壁電極１
０３１と電極１０３２の間の電界によって、加速器１０
０の中心軌道の水平方向外側に偏向される。
【００２４】静電偏向器１０１で偏向された荷電粒子ビ
ームは、下流の４極発散電磁石144によって、さらに水
平方向外側に偏向される。４極発散電磁石１４４で水平
方向外側に偏向された荷電粒子ビームは、次の偏向電磁
石１４６を通過する過程でさらに水平方向外側に偏向さ
れる。偏向電磁石１４６を通過した荷電粒子ビームは、
下流の４極発散電磁石１４４でさらに水平方向外側に偏
向される。下流の４極発散電磁石１４４で偏向された荷
電粒子ビームは、隔壁コイル１０４１に衝突せずに隔壁
コイル１０４１，コイル１０４２間を通って出射用偏向
電磁石１０２で輸送系の方向に偏向されて、出射され
る。
【００２５】また、出射中に共鳴の安定限界が一定に保
たれるので、隔壁電極１０３１と電極１０３２の間に入
るビームの軌道は変わらずに、一定の出射角をもつ出射
ビームが得られる。従って、出射ビームが隔壁コイル１
０４１やビームダクトなどに衝突して失われるのを防ぐ
ことができる。
【００２６】静電偏向器１０１の隔壁電極１０３１と電
極１０３２の間に入らなかった荷電粒子ビームは、中心
軌道からの水平方向変位が小さいために４極発散電磁石
144および偏向電磁石１４６における偏向が小さく、出
射用偏向電磁石１０２で隔壁コイル１０４１には達しな
い。そして、再び加速器１００を周回して高周波印加装
置１２０から高周波電磁界を印加される。
【００２７】従って、出射ビームが隔壁コイル１０４１
やビームダクトなどに衝突して失われるのを防ぐことが
できるので、出射効率を高くすることができる。例え
ば、静電偏向器１０１の電界強度を８０kV／cm、長さ１
ｍとし、出射用偏向電磁石102の磁場強度を１Ｔ、長さ
を１ｍとして、かつ、熱的な余裕を十分持つ隔壁コイル
１０４１を使った場合、従来のように、直線部に並べて
使うと、ビーム損失が５０％以上生じるが、本実施例で
は、ビーム損失は１０％以下である。
【００２８】また、荷電粒子ビームは偏向電磁石１４６
および４極発散電磁石１４４において十分に偏向される
ので、荷電粒子ビームの進行方向に従来よりも短い構造
の静電偏向器１０１および出射用偏向電磁石１０２を用
いることができ、さらに、静電偏向器１０１および出射
用偏向電磁石１０２を同じ直線部に設置しなくてよいの
で、加速器１００を小型化できる。
【００２９】また、荷電粒子ビームは偏向電磁石１４６
および４極発散電磁石１４４において十分に偏向される
ので、発生する電界強度が小さい静電偏向器１０１を用
いることができる。また、出射用偏向電磁石１０２に供
給される電流値も小さくて良いので、隔壁コイル１０４
１の発熱を抑えることができる。
【００３０】また、図１の偏向電磁石１４６を、図２に
示すように２つの偏向電磁石１４６に分け、その間に４
極収束電磁石１４５を設けてもよい。静電偏向器１０１
および出射用偏向電磁石１０２の間には、４極発散電磁
石１４４以外に４極収束電磁石１４５を設けているが、
４極発散電磁石１４４を４極収束電磁石１４５よりも多
く設けるとよい。
【００３１】（実施例２）次に、本発明の第２の実施例
のシンクロトロン型加速器を図３に示す。
【００３２】本実施例では、水平方向に発散作用を持つ
偏向電磁石１４７と高周波加速空胴１４８を使用する。
【００３３】偏向電磁石１４７は、図４に示すように径
方向外側ほど磁極１４７Ａの間隔が大きくなる構造をも
ち、電源１３１からコイル１４７Ｂに電流が供給される
と、荷電粒子ビームは偏向され、かつ、水平方向に発散
するものである。
【００３４】静電偏向器１０１で水平方向外側に偏向さ
れた荷電粒子ビームは、偏向電磁石１４７でさらに外側
へ偏向され、下流の出射用偏向電磁石１０２から出射用
ビーム輸送系へ出射される。
【００３５】本実施例によれば、第１の実施例よりも４
極発散磁石の数を減らすことができるので、第１の実施
例よりも加速器１００をさらに小型化することができ
る。
【００３６】上述した第１または第２の実施例のシンク
ロトロン型加速器を医療用照射装置に用いれば、高い出
射効率で出射ビームが得られるから、患者に必要な荷電
粒子ビームの照射量が短い照射時間で達成できる。従っ
て、照射時間を短くすることができ、患者１人当たりの
１回の治療時間も短くすることができる。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、ビーム損失が減少し、
出射効率を高くすることができる。また、シンクロトロ
ン型加速器を小型化できる。
【００３８】
【００３９】
【００４０】
【００４１】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示す図。
【図２】２つの偏向電磁石１４６の間に４極収束電磁石
１４５を設けた加速器１００を示す図。
【図３】本発明の第２の実施例を示す図。
【図４】水平方向に発散作用を持つ偏向電磁石１４７を
示す図。
【図５】従来のシンクロトロン型加速器の概略構成図。
【図６】出射用の静電偏向器１０１を示す図。
【図７】出射用偏向電磁石１０２を示す図。
【符号の説明】
１１…共鳴励起用多極電磁石、９８…前段加速器、１０
０…加速器、１０１…静電偏向器、１０２…出射用偏向
電磁石、１２０…高周波印加装置、１３０…制御装置、
１３１…電源、１４４…４極発散電磁石、１４５…４極
収束電磁石、１４６…偏向電磁石、１４７…偏向電磁
石、１４８…高周波加速空胴、１０１０…治療室、１０
３１…隔壁電極、１０３２…電極、１０４１…隔壁コイ
ル、1042…コイル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平10−106800（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−263200（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−111199（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−258900（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−109499（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−198397（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−182800（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05H 13/04 A61N 5/10 H05H 7/04

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】荷電粒子ビームの周回軌道に配置された偏
    向電磁石と、前記周回軌道に配置された４極発散電磁石
    及び４極収束電磁石と、前記周回軌道に配置され、周回
    する荷電粒子ビームに高周波電磁界を印加することによ
    り荷電粒子ビームのベータトロン振動振幅を増加させて
    共鳴の安定限界を超えさせる高周波印加装置と、前記周
    回軌道に配置され、前記高周波印加装置によって共鳴の
    安定限界を超えさせられた荷電粒子ビームを偏向する第
    １出射用偏向器と、前記第１出射用偏向器と対で用いら
    れ、前記周回軌道に配置されて前記第１出射用偏向器に
    よって偏向された荷電粒子ビームを出射する第２出射用
    偏向器とを備え、 前記第１出射用偏向器の下流側に前記偏向電磁石と前記
    第２出射用偏向器がこの順に配置され、前記第１出射用
    偏向器の下流側に配置された前記偏向電磁石は前記第１
    出射用偏向器によって偏向された荷電粒子ビームを前記
    第２出射用偏向器の方向に偏向する ことを特徴とするシ
    ンクロトロン型加速器。
  2. 【請求項２】前記第１出射用偏向器の下流側で、かつ前
    記第２出射用偏向器の上流側に前記４極発散電磁石が配
    置されることを特徴とする請求項１記載のシンクロトロ
    ン型加速器。
  3. 【請求項３】荷電粒子ビームの周回軌道に配置された偏
    向電磁石と、前記周回軌道に配置された４極発散電磁石
    及び４極収束電磁石と、前記周回軌道に配置され、周回
    する荷電粒子ビームに高周波電磁界を印加することによ
    り荷電粒子ビームのベータトロン振動振幅を増加させて
    共鳴の安定限界を超えさせる高周波印加装置と、前記周
    回軌道に配置され、前記高周波印加装置によって共鳴の
    安定限界を超えさせられた荷電粒子ビームを偏向する第
    １出射用偏向器と、前記第１出射用偏向器と対で用いら
    れ、前記周回軌道に配置されて前記第１出射用偏向器に
    よって偏向された荷電粒子ビームを出射する第２出射用
    偏向器とを備え、 前記第１出射用偏向器の下流側に前記４極発散電磁石と
    前記第２出射用偏向器がこの順に配置され、前記第１出
    射用偏向器の下流側に配置された前記４極発散 電磁石は
    前記第１出射用偏向器によって偏向された荷電粒子ビー
    ムを前記第２出射用偏向器の方向に偏向する ことを特徴
    とするシンクロトロン型加速器。
  4. 【請求項４】前記４極発散電磁石、前記４極収束電磁
    石、前記偏向電磁石、前記第１出射用偏向器及び前記第
    ２出射用偏向器のそれぞれに電界又は磁界を発生させる
    ための電力を供給する電源と、前記高周波印加装置が荷
    電粒子ビームに高周波電磁界を印加しているときに前記
    電界又は前記磁界の大きさがほぼ一定となるように前記
    電源を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする請
    求項１乃至３のいずれかに記載のシンクロトロン型加速
    器。
  5. 【請求項５】荷電粒子ビームの周回軌道に配置された偏
    向電磁石と、前記周回軌道に配置された４極発散電磁石
    及び４極収束電磁石と、前記周回軌道に配置され、周回
    する荷電粒子ビームに高周波電磁界を印加することによ
    り荷電粒子ビームのベータトロン振動振幅を増加させて
    共鳴の安定限界を超えさせる高周波印加装置と、前記周
    回軌道に配置され、前記高周波印加装置によって共鳴の
    安定限界を超えさせられた荷電粒子ビームを偏向する第
    １出射用偏向器と、前記第１出射用偏向器と対で用いら
    れ、前記周回軌道に配置されて前記第１出射用偏向器に
    よって偏向された荷電粒子ビームを出射する第２出射用
    偏向器とを備えたシンクロトロン型加速器と、 前記第２出射用偏向器により出射された荷電粒子ビーム
    を輸送する出射ビーム輸送系と、 前記出射ビーム輸送系によって輸送された荷電粒子ビー
    ムを患者に照射する照射装置とを備え、 前記第１出射用偏向器の下流側に前記偏向電磁石と前記
    第２出射用偏向器がこの順に配置され、前記第１出射用
    偏向器の下流側に配置された前記偏向電磁石は前記第１
    出射用偏向器によって偏向された荷電粒子ビームを前記
    第２出射用偏向器の方向に偏向する ことを特徴とする医
    療用装置。
  6. 【請求項６】 荷電粒子ビームの周回軌道に配置された偏
    向電磁石と、前記周回軌道に配置さ れた４極発散電磁石
    及び４極収束電磁石と、前記周回軌道に配置され、周回
    する荷電粒子ビームに高周波電磁界を印加することによ
    り荷電粒子ビームのベータトロン振動振幅を増加させて
    共鳴の安定限界を超えさせる高周波印加装置と、前記周
    回軌道に配置され、前記高周波印加装置によって共鳴の
    安定限界を超えさせられた荷電粒子ビームを偏向する第
    １出射用偏向器と、前記第１出射用偏向器と対で用いら
    れ、前記周回軌道に配置されて前記第１出射用偏向器に
    よって偏向された荷電粒子ビームを出射する第２出射用
    偏向器とを備えたシンクロトロン型加速器と、 前記第２出射用偏向器により出射された荷電粒子ビーム
    を輸送する出射ビーム輸送系と、 前記出射ビーム輸送系によって輸送された荷電粒子ビー
    ムを患者に照射する照射装置とを備え、 前記第１出射用偏向器の下流側に前記４極発散電磁石と
    前記第２出射用偏向器がこの順に配置され、前記第１出
    射用偏向器の下流側に配置された前記４極発散電磁石は
    前記第１出射用偏向器によって偏向された荷電粒子ビー
    ムを前記第２出射用偏向器の方向に偏向することを特徴
    とする医療用装置。
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