JP3238326B2 - 発光装置 - Google Patents
発光装置Info
- Publication number
- JP3238326B2 JP3238326B2 JP18770396A JP18770396A JP3238326B2 JP 3238326 B2 JP3238326 B2 JP 3238326B2 JP 18770396 A JP18770396 A JP 18770396A JP 18770396 A JP18770396 A JP 18770396A JP 3238326 B2 JP3238326 B2 JP 3238326B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting layer
- semiconductor light
- substrate
- leads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 97
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 87
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 60
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 11
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 2
- 229910001258 titanium gold Inorganic materials 0.000 description 2
- YPSXFMHXRZAGTG-UHFFFAOYSA-N 4-methoxy-2-[2-(5-methoxy-2-nitrosophenyl)ethyl]-1-nitrosobenzene Chemical compound COC1=CC=C(N=O)C(CCC=2C(=CC=C(OC)C=2)N=O)=C1 YPSXFMHXRZAGTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNKMCMOJCDFGFT-UHFFFAOYSA-N gold titanium Chemical compound [Ti].[Au] ZNKMCMOJCDFGFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N magnesium;cyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Mg+2].C1C=CC=[C-]1.C1C=CC=[C-]1 QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光装置に関し、
特に発光波長に対し透明な基板上に半導体発光層を有す
るチップと、これをモールドした樹脂成型体から構成さ
れる発光装置に関する。
特に発光波長に対し透明な基板上に半導体発光層を有す
るチップと、これをモールドした樹脂成型体から構成さ
れる発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】表示ランプとして応用されることの多い
発光ダイオードは、発光波長に対し透明な樹脂成型体中
にチップをモールドしている。
発光ダイオードは、発光波長に対し透明な樹脂成型体中
にチップをモールドしている。
【０００３】図８に、従来の発光ダイオードの構成の一
例を示す。同図に示すように、チップ１０４は、基板１
１０と基板上に形成される半導体発光層１１１およびそ
の上に形成される電極１１２ａ、１１２ｂで構成され
る。チップ１０４は、一方のリード１０１ｂの端部に接
着剤１０３を用いてダイボンディングされている。
例を示す。同図に示すように、チップ１０４は、基板１
１０と基板上に形成される半導体発光層１１１およびそ
の上に形成される電極１１２ａ、１１２ｂで構成され
る。チップ１０４は、一方のリード１０１ｂの端部に接
着剤１０３を用いてダイボンディングされている。
【０００４】通常、半導体発光層１１１は、導電型がｐ
型の半導体層（ｐ層）と導電型がｎ型の半導体層（ｎ
層）の積層からなるｐｎ接合層を有する。上層となる一
方の導伝型の半導体層の一部はエッチング除去され、基
板表面に、ｐ層、ｎ層の各表面が露出し、この上に電極
１１２ａ、１１２ｂが形成される。各電極はボンディン
グワイヤ１０５ａ、１０５ｂによって外部への引き出し
電極であるリード１０１ａ、１０１ｂにそれぞれ接続さ
れる。さらに上記リード１０１ａ、１０１ｂの端部、チ
ップ１０４、およびボンディングワイヤ１０５ａ、１０
５ｂは透明な樹脂成型体１０６中にモールドされる。
型の半導体層（ｐ層）と導電型がｎ型の半導体層（ｎ
層）の積層からなるｐｎ接合層を有する。上層となる一
方の導伝型の半導体層の一部はエッチング除去され、基
板表面に、ｐ層、ｎ層の各表面が露出し、この上に電極
１１２ａ、１１２ｂが形成される。各電極はボンディン
グワイヤ１０５ａ、１０５ｂによって外部への引き出し
電極であるリード１０１ａ、１０１ｂにそれぞれ接続さ
れる。さらに上記リード１０１ａ、１０１ｂの端部、チ
ップ１０４、およびボンディングワイヤ１０５ａ、１０
５ｂは透明な樹脂成型体１０６中にモールドされる。
【０００５】図８に示すように、通常の発光ダイオード
は、半導体発光層が形成されている基板表面側を発光面
とし、図中矢印αで示す基板の上部方向に進行する光を
出力光として用いている。樹脂成型体１０６は、図に示
すように光の出力方向の外形が曲面状になっており、出
力光を集光する効果を有している。
は、半導体発光層が形成されている基板表面側を発光面
とし、図中矢印αで示す基板の上部方向に進行する光を
出力光として用いている。樹脂成型体１０６は、図に示
すように光の出力方向の外形が曲面状になっており、出
力光を集光する効果を有している。
【０００６】半導体発光層１１１で発せられる光の進行
方向は基板上部方向に限らず基板横方向、下方向も存在
する。そこで、これらの光を効率的に用いる為に、同図
中に示すように、チップ１０４の外周囲に反射鏡１０２
を備える試みもなされている。反射鏡１０２は、半導体
発光層１１１から基板の横方向、および下方向に漏れる
光をすり鉢状の内壁面で反射し、図中上向き方向の出力
光に変えている。
方向は基板上部方向に限らず基板横方向、下方向も存在
する。そこで、これらの光を効率的に用いる為に、同図
中に示すように、チップ１０４の外周囲に反射鏡１０２
を備える試みもなされている。反射鏡１０２は、半導体
発光層１１１から基板の横方向、および下方向に漏れる
光をすり鉢状の内壁面で反射し、図中上向き方向の出力
光に変えている。
【０００７】発光ダイオードから発せられる光の波長
は、用いられる半導体発光層の材質によって可視域から
赤外域まで複数の波長が存在する。例えば半導体発光層
としてガリウム砒素（ＧａＡｓ）系材料を用いる発光ダ
イオードは赤色領域の光を、窒化ガリウム（ＧａＮ）系
材料を用いる発光ダイオードは青色領域の光を出力す
る。
は、用いられる半導体発光層の材質によって可視域から
赤外域まで複数の波長が存在する。例えば半導体発光層
としてガリウム砒素（ＧａＡｓ）系材料を用いる発光ダ
イオードは赤色領域の光を、窒化ガリウム（ＧａＮ）系
材料を用いる発光ダイオードは青色領域の光を出力す
る。
【０００８】これらの半導体発光層は、一般にエピタキ
シャル成長法を用いて形成されるので、半導体発光層の
種類により、使用する基板の種類が限定される。例え
ば、半導体発光層としてＧａＡｓを用いる場合は、基板
もＧａＡｓ系の材料が用いられる。半導体発光層がＧａ
Ｎの場合は、サファイア基板を用いることが多い。
シャル成長法を用いて形成されるので、半導体発光層の
種類により、使用する基板の種類が限定される。例え
ば、半導体発光層としてＧａＡｓを用いる場合は、基板
もＧａＡｓ系の材料が用いられる。半導体発光層がＧａ
Ｎの場合は、サファイア基板を用いることが多い。
【０００９】図８に示した従来例の発光装置では、基板
表面にｐ層、ｎ層に対応する２つの電極を形成している
が、導電性を有するＧａＡｓ等の基板を用いる場合は、
基板自体を一方の電極として用いることも可能である。
こうすれば基板表面に形成する電極の数を減らすことが
できる。
表面にｐ層、ｎ層に対応する２つの電極を形成している
が、導電性を有するＧａＡｓ等の基板を用いる場合は、
基板自体を一方の電極として用いることも可能である。
こうすれば基板表面に形成する電極の数を減らすことが
できる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図８に示すような従来
の発光装置の構成では、半導体発光層より基板上部方向
に発せられる出力光は、基板表面に形成されている電極
およびこの電極に接続されているボンディングワイヤに
よって遮光される。基板がサファイアのような絶縁性材
料を用いる場合は、基板自体を電極として用いることが
できないので、半導体発光層上にｐ層、ｎ層に接続され
る電極を形成しなければならず、これらの遮光物の存在
により実効的な発光出力が低下する。
の発光装置の構成では、半導体発光層より基板上部方向
に発せられる出力光は、基板表面に形成されている電極
およびこの電極に接続されているボンディングワイヤに
よって遮光される。基板がサファイアのような絶縁性材
料を用いる場合は、基板自体を電極として用いることが
できないので、半導体発光層上にｐ層、ｎ層に接続され
る電極を形成しなければならず、これらの遮光物の存在
により実効的な発光出力が低下する。
【００１１】また、半導体発光層での発光は、熱の発生
を伴う。発光効率を維持する為にはこの熱を放熱できる
構造を有することが望まれる。一般に、ＧａＡｓ基板の
ように、導電性を有する基板は熱伝導性もよいので、半
導体発光層で発生した熱は、基板を介してリードに流れ
る。即ち、基板とリードがヒートシンクの役割を果た
す。
を伴う。発光効率を維持する為にはこの熱を放熱できる
構造を有することが望まれる。一般に、ＧａＡｓ基板の
ように、導電性を有する基板は熱伝導性もよいので、半
導体発光層で発生した熱は、基板を介してリードに流れ
る。即ち、基板とリードがヒートシンクの役割を果た
す。
【００１２】しかし、サファイア基板のように、絶縁性
の基板は一般に熱伝導性が悪いため、基板とリードがヒ
ートシンクとしての機能を果たしにくい。
の基板は一般に熱伝導性が悪いため、基板とリードがヒ
ートシンクとしての機能を果たしにくい。
【００１３】本発明の目的は、実効的な発光出力を改善
できる構成を有する発光装置を提供することである。
できる構成を有する発光装置を提供することである。
【００１４】本発明の別の目的は、ヒートシンク機能を
補充する構造を有する発光装置を提供することである。
補充する構造を有する発光装置を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の発光装置の第１
の特徴は、半導体発光層と、前記半導体発光層の発光波
長に対し透明であり、表面に前記半導体発光層が形成さ
れた基板と、前記半導体発光層上に形成された少なくと
も１の電極と、一対のリードと、前記基板および前記一
対のリードの端部が、前記発光波長に対し透明な樹脂材
でダイボンディングされた平坦な端面を有し、前記半導
体発光層から前記基板裏面方向に進行する出力光と同一
方向に凸な外形を有し、前記発光波長に対し透明な第１
樹脂成型体と、一方の端部を前記半導体発光層上の前記
電極に、他方の端部を前記一対のリードにそれぞれ接続
したボンディングワイヤと、前記一対のリードの一部、
前記基板、前記半導体発光層、および前記ボンディング
ワイヤをモールドする第２樹脂成型体とを有することで
ある。
の特徴は、半導体発光層と、前記半導体発光層の発光波
長に対し透明であり、表面に前記半導体発光層が形成さ
れた基板と、前記半導体発光層上に形成された少なくと
も１の電極と、一対のリードと、前記基板および前記一
対のリードの端部が、前記発光波長に対し透明な樹脂材
でダイボンディングされた平坦な端面を有し、前記半導
体発光層から前記基板裏面方向に進行する出力光と同一
方向に凸な外形を有し、前記発光波長に対し透明な第１
樹脂成型体と、一方の端部を前記半導体発光層上の前記
電極に、他方の端部を前記一対のリードにそれぞれ接続
したボンディングワイヤと、前記一対のリードの一部、
前記基板、前記半導体発光層、および前記ボンディング
ワイヤをモールドする第２樹脂成型体とを有することで
ある。
【００１６】上記第１の特徴により、出力光の進行方向
には電極やボンディングワイヤ等の遮光物がないため、
実効的な出力光の強度を上げることができる。また、半
導体発光層上の電極の接続は、ワイヤボンディング法に
よって行う為、確実な接続が得られる。
には電極やボンディングワイヤ等の遮光物がないため、
実効的な出力光の強度を上げることができる。また、半
導体発光層上の電極の接続は、ワイヤボンディング法に
よって行う為、確実な接続が得られる。
【００１７】本発明の発光装置の第２の特徴は、半導体
発光層と、前記半導体発光層の発光波長に対し透明であ
り、表面に前記半導体発光層が形成された基板と、前記
半導体発光層上に形成される少なくとも１の電極と、一
対のリードと、前記基板および前記一対のリードの端部
が、前記発光波長に対し透明な樹脂材で表面に接着固定
された前記発光波長に対し透明な基材と、一方の端部を
前記半導体発光層上の前記電極に、他方の端部を前記リ
ードにそれぞれ接続したボンディングワイヤと、前記リ
ードの一部、前記基板、前記半導体発光層、前記基材お
よび前記ボンディングワイヤをモールドするとともに、
前記半導体発光層より前記基板裏面方向に進行する出力
光と同一方向に凸な外形を有する樹脂成型体とを有する
ことである。
発光層と、前記半導体発光層の発光波長に対し透明であ
り、表面に前記半導体発光層が形成された基板と、前記
半導体発光層上に形成される少なくとも１の電極と、一
対のリードと、前記基板および前記一対のリードの端部
が、前記発光波長に対し透明な樹脂材で表面に接着固定
された前記発光波長に対し透明な基材と、一方の端部を
前記半導体発光層上の前記電極に、他方の端部を前記リ
ードにそれぞれ接続したボンディングワイヤと、前記リ
ードの一部、前記基板、前記半導体発光層、前記基材お
よび前記ボンディングワイヤをモールドするとともに、
前記半導体発光層より前記基板裏面方向に進行する出力
光と同一方向に凸な外形を有する樹脂成型体とを有する
ことである。
【００１８】上記第２の特徴により、出力光の進行方向
には電極やボンディングワイヤ等の遮光物がないため、
実効的な出力光の強度を上げることができる。また、半
導体発光層上の電極の接続は、ワイヤボンディング法に
よって行う為、確実な接続が得られる。さらに、基材上
に半導体発光層を有する基板と、リードの端部を予めダ
イボンディングすることができるので、１回の工程で樹
脂モールドとレンズ効果を有する樹脂成型体を形成でき
る。
には電極やボンディングワイヤ等の遮光物がないため、
実効的な出力光の強度を上げることができる。また、半
導体発光層上の電極の接続は、ワイヤボンディング法に
よって行う為、確実な接続が得られる。さらに、基材上
に半導体発光層を有する基板と、リードの端部を予めダ
イボンディングすることができるので、１回の工程で樹
脂モールドとレンズ効果を有する樹脂成型体を形成でき
る。
【００１９】本発明の発光装置の第３の特徴は、半導体
発光層がｎ型の導電型を有する窒化ガリウム系半導体層
とｐ型の導電型を有する窒化ガリウム系半導体層の積層
であり、前記基板がサファイアであることである。
発光層がｎ型の導電型を有する窒化ガリウム系半導体層
とｐ型の導電型を有する窒化ガリウム系半導体層の積層
であり、前記基板がサファイアであることである。
【００２０】上記第３の特徴により、実効的な出力強度
がより高く、電気的信頼性がより高い青色発光ダイオー
ドを提供できる。
がより高く、電気的信頼性がより高い青色発光ダイオー
ドを提供できる。
【００２１】本発明の発光装置の第４の特徴は、前記半
導体発光層の外周囲に、前記発光波長の光を反射する反
射鏡を備えることである。
導体発光層の外周囲に、前記発光波長の光を反射する反
射鏡を備えることである。
【００２２】上記第４の特徴により、半導体発光層から
横方向等に漏れる光を上記反射鏡によって、半導体発光
層から基板裏面方向に向かう出力光の進行方向と平行な
進行方向を有する光に変換することができ、実質的な出
力光の強度をさらに上げることができる。
横方向等に漏れる光を上記反射鏡によって、半導体発光
層から基板裏面方向に向かう出力光の進行方向と平行な
進行方向を有する光に変換することができ、実質的な出
力光の強度をさらに上げることができる。
【００２３】本発明の発光装置の第５の特徴は、前記ボ
ンディングワイヤの少なくともいずれか１の径が２５μ
ｍより太く、５０μｍ以下であることである。
ンディングワイヤの少なくともいずれか１の径が２５μ
ｍより太く、５０μｍ以下であることである。
【００２４】上記第５の特徴により、半導体発光層で発
生する熱に対するボンディングワイヤの有する放熱効果
を増大させることができる。なお、ボンディングワイヤ
の径を５０μｍ以下とすることで、ボンディング時にチ
ップにかかる負担を抑制できる。
生する熱に対するボンディングワイヤの有する放熱効果
を増大させることができる。なお、ボンディングワイヤ
の径を５０μｍ以下とすることで、ボンディング時にチ
ップにかかる負担を抑制できる。
【００２５】本発明の発光装置の第６の特徴は、半導体
発光層上の１の電極と前記一対のリードの一方とを接続
する前記ボンディングワイヤの数が複数本であることで
ある。
発光層上の１の電極と前記一対のリードの一方とを接続
する前記ボンディングワイヤの数が複数本であることで
ある。
【００２６】上記第６の特徴により、半導体発光層で発
生する熱に対するボンディングワイヤの有する放熱効果
を増大させることができる。
生する熱に対するボンディングワイヤの有する放熱効果
を増大させることができる。
【００２７】本発明の発光装置の第７の特徴は、反射鏡
が、前記リードと同じ材質で形成されていることであ
る。
が、前記リードと同じ材質で形成されていることであ
る。
【００２８】上記第７の特徴により、リードと反射鏡が
一体となったリードフレームを製造工程で用いることが
できる。
一体となったリードフレームを製造工程で用いることが
できる。
【００２９】
【００３０】
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。
て、図面を参照して説明する。
【００３２】まず、第１の実施の形態の発光装置につい
て図１を参照して説明する。
て図１を参照して説明する。
【００３３】図１に示す発光装置は、基板としていずれ
も上述のサファイア基板のように発光波長に対しほぼ透
明なものを用いており、半導体発光層から基板裏面方向
に向かう光を出力光として利用している。これに伴い、
基板裏面側に図中下側に凸の略砲弾状の形状を有する第
１樹脂成形体を備えている。
も上述のサファイア基板のように発光波長に対しほぼ透
明なものを用いており、半導体発光層から基板裏面方向
に向かう光を出力光として利用している。これに伴い、
基板裏面側に図中下側に凸の略砲弾状の形状を有する第
１樹脂成形体を備えている。
【００３４】図１中に示すチップ１６は、サファイア等
の可視域で透明な基板１１上に、ｎ型の導電型を有する
半導体層（ｎ層）１２とｐ型の導電型を有する半導体層
（ｐ層）１３のｐｎ接合からなる半導体発光層を有す
る。これらの半導体層としては、例えば青色の光を発光
する窒化ガリウム系半導体層等を用いることができる。
の可視域で透明な基板１１上に、ｎ型の導電型を有する
半導体層（ｎ層）１２とｐ型の導電型を有する半導体層
（ｐ層）１３のｐｎ接合からなる半導体発光層を有す
る。これらの半導体層としては、例えば青色の光を発光
する窒化ガリウム系半導体層等を用いることができる。
【００３５】上層のｐ層１３は一部エッチング除去さ
れ、下層のｎ層１２の一部が基板表面に露出している。
ｐ層１３の表面には電極１５、ｎ層１２の露出面には電
極１４が形成される。
れ、下層のｎ層１２の一部が基板表面に露出している。
ｐ層１３の表面には電極１５、ｎ層１２の露出面には電
極１４が形成される。
【００３６】第１樹脂成形体２１は平坦な端面Ｓ１を有
しており、チップ１６はこの平坦な端面Ｓ１上に透明樹
脂接着材２２を用いてダイボンディングされる。同一端
面Ｓ１上には、透明樹脂接着材２２を用いて、２本の外
部引き出し電極であるリード２３ａ、２３ｂも接着固定
される。半導体発光層上の電極１４、１５は、ボンディ
ングワイヤ２５ａ、２５ｂによって、リード２３ａ、２
３ｂに電気的に接続される。
しており、チップ１６はこの平坦な端面Ｓ１上に透明樹
脂接着材２２を用いてダイボンディングされる。同一端
面Ｓ１上には、透明樹脂接着材２２を用いて、２本の外
部引き出し電極であるリード２３ａ、２３ｂも接着固定
される。半導体発光層上の電極１４、１５は、ボンディ
ングワイヤ２５ａ、２５ｂによって、リード２３ａ、２
３ｂに電気的に接続される。
【００３７】チップ１６の外周囲には、ランプシェード
形状の反射鏡２４が備えられる。この反射鏡２４は、半
導体発光層から図中横方向もしくは上方に発せられる光
を内壁で反射し、図中下方へ進行する光に変換する。こ
の反射鏡２４は、同図に示すように、リード２３ｂに連
続して形成されていてもよい。
形状の反射鏡２４が備えられる。この反射鏡２４は、半
導体発光層から図中横方向もしくは上方に発せられる光
を内壁で反射し、図中下方へ進行する光に変換する。こ
の反射鏡２４は、同図に示すように、リード２３ｂに連
続して形成されていてもよい。
【００３８】ボンディングワイヤ２５ａ、２５ｂにより
リード２３ａ、２３ｂに電気的に接続されたチップ１６
は、その周囲を第２樹脂成形体３１によってモールドさ
れる。
リード２３ａ、２３ｂに電気的に接続されたチップ１６
は、その周囲を第２樹脂成形体３１によってモールドさ
れる。
【００３９】２本のリード２３ａ、２３ｂは、ボンディ
ングワイヤ２５ａ、２５ｂとの接続部の近傍で端面Ｓ１
に対し垂直方向に折り曲げられているため、第２樹脂成
形体３１の外部には、端面Ｓ１に対しほぼ垂直方向の２
本のリード２３ａ、２３ｂが取り出される。
ングワイヤ２５ａ、２５ｂとの接続部の近傍で端面Ｓ１
に対し垂直方向に折り曲げられているため、第２樹脂成
形体３１の外部には、端面Ｓ１に対しほぼ垂直方向の２
本のリード２３ａ、２３ｂが取り出される。
【００４０】この第１の実施の形態における発光装置で
は、半導体発光層より基板裏面方向に発せられた光が、
発光波長に対し透明な基板を通過し基板裏面より出力さ
れる。さらに基板裏面より出力された光は、透明樹脂接
着材２２を介し、第１樹脂成形体２１を通過し外部に出
力される。第１樹脂成形体２１の外形形状によるレンズ
効果により、出力光は端面Ｓ１に対し垂直な方向に集光
される。
は、半導体発光層より基板裏面方向に発せられた光が、
発光波長に対し透明な基板を通過し基板裏面より出力さ
れる。さらに基板裏面より出力された光は、透明樹脂接
着材２２を介し、第１樹脂成形体２１を通過し外部に出
力される。第１樹脂成形体２１の外形形状によるレンズ
効果により、出力光は端面Ｓ１に対し垂直な方向に集光
される。
【００４１】基板裏面には基板表面のように発光波長を
遮光する電極やボンディングワイヤは存在しないため、
半導体発光層で発せられた下方向に向かう光は、光強度
をほぼ維持したまま第１樹脂成型体２１より外部に出力
される。
遮光する電極やボンディングワイヤは存在しないため、
半導体発光層で発せられた下方向に向かう光は、光強度
をほぼ維持したまま第１樹脂成型体２１より外部に出力
される。
【００４２】次に、第２の実施の形態の発光装置につい
て図２を参照して説明する。
て図２を参照して説明する。
【００４３】第１の実施の形態の場合と同様に、半導体
発光層から基板裏面に向かう光を出力光として利用す
る。第１の実施の態様に示す構成と異なる点は、半導体
発光層を有するチップ５４とリード５２ａ、５２ｂが透
明な板状基材５１上に接着固定されている点である。さ
らに、樹脂成型体が第１樹脂成型体と第２樹脂成型体と
に分かれず、一体型である点である。
発光層から基板裏面に向かう光を出力光として利用す
る。第１の実施の態様に示す構成と異なる点は、半導体
発光層を有するチップ５４とリード５２ａ、５２ｂが透
明な板状基材５１上に接着固定されている点である。さ
らに、樹脂成型体が第１樹脂成型体と第２樹脂成型体と
に分かれず、一体型である点である。
【００４４】図２に示すように、透明な板状基材５１上
にチップ５４とリード５２ａ、５２ｂを透明樹脂接着材
５８で接着固定され、さらにチップ５４上の電極は、ボ
ンディングワイヤ５５ａ、５５ｂで接続される。また、
チップ５４の周囲には、反射鏡５３が備えられている。
にチップ５４とリード５２ａ、５２ｂを透明樹脂接着材
５８で接着固定され、さらにチップ５４上の電極は、ボ
ンディングワイヤ５５ａ、５５ｂで接続される。また、
チップ５４の周囲には、反射鏡５３が備えられている。
【００４５】この第２の実施の形態における発光装置に
おいても、基板が発光波長に対し透明なので、半導体発
光層より基板裏面方向に発せられた光は、基板を通過し
基板裏面より出力される。基板裏面には基板表面のよう
に発光波長を遮光する電極やボンディングワイヤが存在
しないため、半導体発光層で発せられ、図中下方向に向
かう出力光は、光強度をほぼ維持したまま基板裏面より
出力される。
おいても、基板が発光波長に対し透明なので、半導体発
光層より基板裏面方向に発せられた光は、基板を通過し
基板裏面より出力される。基板裏面には基板表面のよう
に発光波長を遮光する電極やボンディングワイヤが存在
しないため、半導体発光層で発せられ、図中下方向に向
かう出力光は、光強度をほぼ維持したまま基板裏面より
出力される。
【００４６】さらに基板裏面より出力された光は、透明
樹脂接着材５８を介し、透明な板状基材５１と樹脂成形
体５７を通過し外部に出力される。光出力方向の樹脂成
形体５７の外形は、曲面を有しており、この形状による
レンズ効果により、出力光は透明な板状基材５１の面Ｓ
１に対し垂直な方向に集光される。
樹脂接着材５８を介し、透明な板状基材５１と樹脂成形
体５７を通過し外部に出力される。光出力方向の樹脂成
形体５７の外形は、曲面を有しており、この形状による
レンズ効果により、出力光は透明な板状基材５１の面Ｓ
１に対し垂直な方向に集光される。
【００４７】
【実施例】上述した第１の実施の形態の具体的な実施例
について説明する。ここでは、窒化ガリウム系半導体層
を半導体発光層とし、基板としてサファイアを用いる青
色発光ダイオードの作製方法を例にとって説明する。
について説明する。ここでは、窒化ガリウム系半導体層
を半導体発光層とし、基板としてサファイアを用いる青
色発光ダイオードの作製方法を例にとって説明する。
【００４８】まず、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）を参照し
て、チップの作製工程について説明する。
て、チップの作製工程について説明する。
【００４９】図３（Ａ）に示すように、厚み約２００μ
ｍのサファイア（Ａｌ2Ｏ3）基板上に、ＭＯＣＶＤ（ME
TAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION）法を用
いて、約４μｍのｎ型の窒化ガリウム（ｎ−ＧａＮ）層
１２と約１μｍのｐ型の窒化ガリウム（ｐ−ＧａＮ）層
１３をエピタキシャル成長させる。
ｍのサファイア（Ａｌ2Ｏ3）基板上に、ＭＯＣＶＤ（ME
TAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION）法を用
いて、約４μｍのｎ型の窒化ガリウム（ｎ−ＧａＮ）層
１２と約１μｍのｐ型の窒化ガリウム（ｐ−ＧａＮ）層
１３をエピタキシャル成長させる。
【００５０】このエピタキシャル成長条件は、雰囲気圧
力を常圧とし、基板温度を８００℃〜１０００℃、反応
ガスとして、トリメチルガリウム（Ｇａ（ＣＨ3）3）と
アンモニア（ＮＨ3）、キャリアガスとして水素（Ｈ2）
と窒素（Ｎ2）の混合ガスを用いる。
力を常圧とし、基板温度を８００℃〜１０００℃、反応
ガスとして、トリメチルガリウム（Ｇａ（ＣＨ3）3）と
アンモニア（ＮＨ3）、キャリアガスとして水素（Ｈ2）
と窒素（Ｎ2）の混合ガスを用いる。
【００５１】ｎ型ドーピングガスとしてはモノシラン
（ＳｉＨ4）、ｐ型ドーピングガスとしてはビスシクロ
ペンタディエニールマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）等を用
いる。ｎ−ＧａＮ層１２とｐ−ＧａＮ層１３は、途中ド
ーピングガスを変更することにより、同一チャンバ内で
連続して形成することができる。
（ＳｉＨ4）、ｐ型ドーピングガスとしてはビスシクロ
ペンタディエニールマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）等を用
いる。ｎ−ＧａＮ層１２とｐ−ＧａＮ層１３は、途中ド
ーピングガスを変更することにより、同一チャンバ内で
連続して形成することができる。
【００５２】図３（Ｂ）に示すように、ｐ−ＧａＮ層１
３の一部をエッチング除去し、ｎ−ＧａＮ層１２の露出
面を形成する。この工程では、例えばＳｉＯ2膜をエッ
チングマスクとして、Ｃｌ2とＢＣｌ2の混合ガスをエッ
チングガスとして用い、ｐ−ＧａＮ層１３をドライエッ
チングすればよい。エッチング後、不要となったエッチ
ングマスクはエッチング除去する。
３の一部をエッチング除去し、ｎ−ＧａＮ層１２の露出
面を形成する。この工程では、例えばＳｉＯ2膜をエッ
チングマスクとして、Ｃｌ2とＢＣｌ2の混合ガスをエッ
チングガスとして用い、ｐ−ＧａＮ層１３をドライエッ
チングすればよい。エッチング後、不要となったエッチ
ングマスクはエッチング除去する。
【００５３】図３（Ｃ）に示すように、ｐ−ＧａＮ層１
３表面上、およびｎ−ＧａＮ層１２露出面上にそれぞ
れ、スパッタリング法を用いて、電極１５と電極１４を
形成する。電極１５としてはニッケル金（ＮｉＡｕ）
膜、電極１４としてはチタン金（ＴｉＡｕ）膜等を形成
する。
３表面上、およびｎ−ＧａＮ層１２露出面上にそれぞ
れ、スパッタリング法を用いて、電極１５と電極１４を
形成する。電極１５としてはニッケル金（ＮｉＡｕ）
膜、電極１４としてはチタン金（ＴｉＡｕ）膜等を形成
する。
【００５４】電極１４、１５を形成した後、ウエハをチ
ップごとに分離して、チップ１６を得る。チップの形状
は、一辺約３００μｍの矩形とする。
ップごとに分離して、チップ１６を得る。チップの形状
は、一辺約３００μｍの矩形とする。
【００５５】つぎに、図４（Ａ）に示すように、透明な
第１樹脂成型体２１を形成する。この工程において、第
１樹脂成型体２１は、２液性のエポキシ樹脂を型材に流
し込み、常温で固化させることにより得られる。同図に
示すように、第１樹脂成型体２１は、一方に平坦な端面
Ｓ１を有し、他方に略砲弾形状の外形を有する。
第１樹脂成型体２１を形成する。この工程において、第
１樹脂成型体２１は、２液性のエポキシ樹脂を型材に流
し込み、常温で固化させることにより得られる。同図に
示すように、第１樹脂成型体２１は、一方に平坦な端面
Ｓ１を有し、他方に略砲弾形状の外形を有する。
【００５６】図４（Ａ）に示すように、端面Ｓ１上に、
この第１樹脂成型体２１と同質なエポキシ樹脂からなる
透明樹脂接着材２２を塗布し、チップ１６をこの透明樹
脂接着材２２を用いて、第１樹脂成型体の端面Ｓ１上に
ダイボンディングする。
この第１樹脂成型体２１と同質なエポキシ樹脂からなる
透明樹脂接着材２２を塗布し、チップ１６をこの透明樹
脂接着材２２を用いて、第１樹脂成型体の端面Ｓ１上に
ダイボンディングする。
【００５７】図４（Ｂ）に示すように、第１樹脂成型体
２１の端面Ｓ１上に、透明樹脂接着材２２を用いてリー
ド２３ａと２３ｂを接着固定する。リード２３ｂは、そ
の端部にランプシェード形状の反射鏡２４を備えてお
り、チップ１６に反射鏡２４をかぶせるように装着し、
チップ１６の外周囲をこの反射鏡２４でおおう。
２１の端面Ｓ１上に、透明樹脂接着材２２を用いてリー
ド２３ａと２３ｂを接着固定する。リード２３ｂは、そ
の端部にランプシェード形状の反射鏡２４を備えてお
り、チップ１６に反射鏡２４をかぶせるように装着し、
チップ１６の外周囲をこの反射鏡２４でおおう。
【００５８】従来の反射鏡は、図８を参照するとわかる
ように、すり鉢状の形状をしているが、本実施例で用い
る反射鏡２４は、出力光の進行方向が図８の従来型と逆
なことから、すり鉢状ではなく、上部の径が狭く、下部
の径が広いランプシェード型の形状とする。半導体発光
層から横方向等に漏れる光を反射鏡内壁で受けるため、
反射鏡の高さは、チップの高さよりやや高く設定する。
ように、すり鉢状の形状をしているが、本実施例で用い
る反射鏡２４は、出力光の進行方向が図８の従来型と逆
なことから、すり鉢状ではなく、上部の径が狭く、下部
の径が広いランプシェード型の形状とする。半導体発光
層から横方向等に漏れる光を反射鏡内壁で受けるため、
反射鏡の高さは、チップの高さよりやや高く設定する。
【００５９】図５（Ａ）に示すように、ボンディングワ
イヤ２５ａ、２５ｂで半導体発光層上の電極１４と１５
をリード２３ａ、２３ｂに電気的に接続する。
イヤ２５ａ、２５ｂで半導体発光層上の電極１４と１５
をリード２３ａ、２３ｂに電気的に接続する。
【００６０】通常用いられるボンディングワイヤは２５
μｍ径の金（Ａｕ）が多いが、ここでは、少なくともｐ
ｎ接合層の上部に接続する一方のボンディングワイヤ２
５ｂは４０μｍの径のＡｕのボンディングワイヤとす
る。
μｍ径の金（Ａｕ）が多いが、ここでは、少なくともｐ
ｎ接合層の上部に接続する一方のボンディングワイヤ２
５ｂは４０μｍの径のＡｕのボンディングワイヤとす
る。
【００６１】なお、チップ上にワイヤをボンディングす
る際には、ワイヤ先端のボールをつぶす圧力が必要とな
る。ワイヤ径が太い程、この時必要とされる圧力は大き
くなる。よって、ボンディング時にチップにかかる負担
を制限するためには、５０μｍ以下のボンディングワイ
ヤを用いることが望まれる。
る際には、ワイヤ先端のボールをつぶす圧力が必要とな
る。ワイヤ径が太い程、この時必要とされる圧力は大き
くなる。よって、ボンディング時にチップにかかる負担
を制限するためには、５０μｍ以下のボンディングワイ
ヤを用いることが望まれる。
【００６２】図５（Ｂ）を参照して、後続する工程につ
いて説明する。第１樹脂成型体２１の端面Ｓ１上に装着
された２本のリード２３ａ、２３ｂを、第１樹脂成型体
２１の外周囲内で端面Ｓ１に対し垂直な方向に折り曲げ
る。この後、同図に示すような、プラスチック性の型材
４１に、第１樹脂成型体２１を沈める。第１樹脂成型体
の端面Ｓ１上のボンディングワイヤ部分が十分に沈む高
さまで第１樹脂成型体と同一材料のエポキシ樹脂で埋め
る。エポキシ樹脂が固化した後、型材４１から外せば、
図１に示した第１の実施の態様の発光装置を得ることが
できる。
いて説明する。第１樹脂成型体２１の端面Ｓ１上に装着
された２本のリード２３ａ、２３ｂを、第１樹脂成型体
２１の外周囲内で端面Ｓ１に対し垂直な方向に折り曲げ
る。この後、同図に示すような、プラスチック性の型材
４１に、第１樹脂成型体２１を沈める。第１樹脂成型体
の端面Ｓ１上のボンディングワイヤ部分が十分に沈む高
さまで第１樹脂成型体と同一材料のエポキシ樹脂で埋め
る。エポキシ樹脂が固化した後、型材４１から外せば、
図１に示した第１の実施の態様の発光装置を得ることが
できる。
【００６３】次に、図６（Ａ）および図６（Ｂ）を参照
し、上述した第２の実施の形態に対応する具体的な実施
例について説明する。ここでも、窒化ガリウム系半導体
層を半導体発光層とし、基板としてサファイアを用いる
青色発光ダイオードの作製方法を例にとって説明する。
し、上述した第２の実施の形態に対応する具体的な実施
例について説明する。ここでも、窒化ガリウム系半導体
層を半導体発光層とし、基板としてサファイアを用いる
青色発光ダイオードの作製方法を例にとって説明する。
【００６４】図６（Ａ）に示すように、チップ５４は、
上述した実施例１と同様な方法を用いて作製し、透明な
板状基材５１上に実施例１で用いたものと同様な透明樹
脂接着材（図示せず）を用いて接着固定する。
上述した実施例１と同様な方法を用いて作製し、透明な
板状基材５１上に実施例１で用いたものと同様な透明樹
脂接着材（図示せず）を用いて接着固定する。
【００６５】ここで用いる透明な板状基材５１は、後の
工程でチップ５４をモールドする樹脂成型体と同じエポ
キシ樹脂からなる基材でも、サファイア基材でもよい。
発光波長に対し、透明な基材であればよい。透明な板状
基材５１の大きさは特に限定されない。基材上にチップ
５４とリードを搭載できるサイズであればよい。
工程でチップ５４をモールドする樹脂成型体と同じエポ
キシ樹脂からなる基材でも、サファイア基材でもよい。
発光波長に対し、透明な基材であればよい。透明な板状
基材５１の大きさは特に限定されない。基材上にチップ
５４とリードを搭載できるサイズであればよい。
【００６６】チップ５４の外周囲には、反射鏡５３と２
本のリード５２ａと５２ｂを備える。チップと同様に透
明樹脂接着材（図示せず）を用いて透明な板状基材５１
上に接着固定する。チップ５４上の電極とリードは、ボ
ンディングワイヤ５５ａ〜５５ｃで電気的に接続され
る。なお、図６（Ａ）に示すように、ｐｎ接合層上に形
成される一方の電極と一方のリードの接続に、複数のボ
ンディングワイヤ５５ｂ、５５ｃを用いてもよい。
本のリード５２ａと５２ｂを備える。チップと同様に透
明樹脂接着材（図示せず）を用いて透明な板状基材５１
上に接着固定する。チップ５４上の電極とリードは、ボ
ンディングワイヤ５５ａ〜５５ｃで電気的に接続され
る。なお、図６（Ａ）に示すように、ｐｎ接合層上に形
成される一方の電極と一方のリードの接続に、複数のボ
ンディングワイヤ５５ｂ、５５ｃを用いてもよい。
【００６７】この後、リード５２ａと５２ｂを透明な板
状基材５１の基材面に対し垂直方向に折り曲げる。
状基材５１の基材面に対し垂直方向に折り曲げる。
【００６８】図６（Ｂ）に示すように、液状のエポキシ
樹脂が入れられたプラスチック性型材５６に、接着固定
されていない側のリードの端部を上方にして、ボンディ
ングワイヤ部分が十分に沈む深さまで透明な板状基材５
１を沈める。なお、板状基材に予め液状エポキシ樹脂を
つけて十分表面をなじませた後、沈めれば、泡の発生を
防ぐことができる。
樹脂が入れられたプラスチック性型材５６に、接着固定
されていない側のリードの端部を上方にして、ボンディ
ングワイヤ部分が十分に沈む深さまで透明な板状基材５
１を沈める。なお、板状基材に予め液状エポキシ樹脂を
つけて十分表面をなじませた後、沈めれば、泡の発生を
防ぐことができる。
【００６９】エポキシ樹脂は、２液性であり常温で一定
時間維持することにより固化できる。固化後、型材５６
から外せば、図２に示した第２の実施の態様の発光装置
を得られる。
時間維持することにより固化できる。固化後、型材５６
から外せば、図２に示した第２の実施の態様の発光装置
を得られる。
【００７０】図７（Ａ）、図７（Ｂ）は、上述した実施
例の発光装置を作製する為に用いるリードフレームの構
成例を示す図である。リードフレームの材料は、一般に
銅（Ｃｕ）に鉛錫系ハンダをコーティングしたものが多
い。これらの材料は、可視域の発光波長に対し反射効果
を有するため、同質の材料で反射鏡を形成することがで
きる。よって、リードフレーム中に反射鏡とリードとを
一体加工することが可能である。
例の発光装置を作製する為に用いるリードフレームの構
成例を示す図である。リードフレームの材料は、一般に
銅（Ｃｕ）に鉛錫系ハンダをコーティングしたものが多
い。これらの材料は、可視域の発光波長に対し反射効果
を有するため、同質の材料で反射鏡を形成することがで
きる。よって、リードフレーム中に反射鏡とリードとを
一体加工することが可能である。
【００７１】図７（Ａ）は、上述の実施例１の発光装置
の作製に使用するリードフレームの構成例を示す。各チ
ップが有する一対のリードが、同一直線状に形成されて
おり、図中左側のリードの端部にランプシェード状に立
体加工した反射鏡を備えている。
の作製に使用するリードフレームの構成例を示す。各チ
ップが有する一対のリードが、同一直線状に形成されて
おり、図中左側のリードの端部にランプシェード状に立
体加工した反射鏡を備えている。
【００７２】尚、同図に示すように、折り曲げ位置にあ
たるリードの巾を狭くしておけば、折り曲げを容易に行
うことができる。
たるリードの巾を狭くしておけば、折り曲げを容易に行
うことができる。
【００７３】一方図７（Ｂ）は、上述の実施例２の発光
装置の作製に使用するリードフレームの構成例を示す。
各チップが有する一対のリードが、並列に形成されてお
り、一方のリードの端部に反射鏡を備える。
装置の作製に使用するリードフレームの構成例を示す。
各チップが有する一対のリードが、並列に形成されてお
り、一方のリードの端部に反射鏡を備える。
【００７４】実施例１、実施例２に示す発光装置によれ
ば、半導体発光層より基板裏面方向に進行する光を出力
光として用いているので、出力光の進行方向に電極やボ
ンディングワイヤ等の遮光物がなく、図８で示すような
従来型の発光装置に較べ、約２倍の強度の出力光を得る
ことができる。
ば、半導体発光層より基板裏面方向に進行する光を出力
光として用いているので、出力光の進行方向に電極やボ
ンディングワイヤ等の遮光物がなく、図８で示すような
従来型の発光装置に較べ、約２倍の強度の出力光を得る
ことができる。
【００７５】上述の実施例１、実施例２は、いずれもワ
イヤボンディング法を用いて発光層上の電極とリードを
電気的に接続しているが、接続方法としては、ワイヤボ
ンディング法以外にも、発光層上とリード上の双方に半
田バンプを形成し、上下で半田バンプを押圧接触させる
方法等がある。
イヤボンディング法を用いて発光層上の電極とリードを
電気的に接続しているが、接続方法としては、ワイヤボ
ンディング法以外にも、発光層上とリード上の双方に半
田バンプを形成し、上下で半田バンプを押圧接触させる
方法等がある。
【００７６】しかし、一般的に半田バンプによる接続方
法は、接触部双方のバンプの表面が酸化しやすく良好な
電気的接続状態を維持しにくい。また、モールド樹脂と
半田バンプとの熱膨張率の相違から接触部のはがれが生
じることも多く、接続の信頼性に欠ける。これに対し、
上述した実施例で使用するワイヤボンディング法による
電極の接続は、確実な接続が維持できる。また、作業中
に目視で接続状態を確認できる点でも好ましい。
法は、接触部双方のバンプの表面が酸化しやすく良好な
電気的接続状態を維持しにくい。また、モールド樹脂と
半田バンプとの熱膨張率の相違から接触部のはがれが生
じることも多く、接続の信頼性に欠ける。これに対し、
上述した実施例で使用するワイヤボンディング法による
電極の接続は、確実な接続が維持できる。また、作業中
に目視で接続状態を確認できる点でも好ましい。
【００７７】また、実施例１では、ボンディングワイヤ
巾として通常より太い径のものを用いているが、これは
次のような効果をもたらす。
巾として通常より太い径のものを用いているが、これは
次のような効果をもたらす。
【００７８】半導体発光層での発光は同時に発熱を伴う
ことが多い。基板の熱伝導性が高く、基板がリードに接
続されている場合は、基板とリードがヒートシンクとし
て機能するが、上述の実施例のように熱伝導性の低いサ
ファイア基板を用いる場合は、ヒートシンク効果は期待
できない。
ことが多い。基板の熱伝導性が高く、基板がリードに接
続されている場合は、基板とリードがヒートシンクとし
て機能するが、上述の実施例のように熱伝導性の低いサ
ファイア基板を用いる場合は、ヒートシンク効果は期待
できない。
【００７９】一方、半導体発光層上の電極に接続される
ボンディングワイヤは、熱伝導性が高い為、半導体発光
層で発生する熱をボンディングワイヤを介してリードに
逃すことができる。通常のワイヤ径では、この効果は小
さいが、ワイヤの径を太くすることで、ボンディングワ
イヤとリードによるヒートシンク効果を高めることがで
きる。
ボンディングワイヤは、熱伝導性が高い為、半導体発光
層で発生する熱をボンディングワイヤを介してリードに
逃すことができる。通常のワイヤ径では、この効果は小
さいが、ワイヤの径を太くすることで、ボンディングワ
イヤとリードによるヒートシンク効果を高めることがで
きる。
【００８０】また、基板上部より出力光を得る従来の構
成では、ボンディングワイヤの径を太くすることは、遮
光部分を増やすことになり好ましくないが、実施例１の
構成では、基板裏面より出力光を取り出すのでこのよう
な問題はない。実施例２で示した複数本のボンディング
ワイヤの使用は、太いボンディングワイヤを用いた場合
と同様な効果をもたらす。
成では、ボンディングワイヤの径を太くすることは、遮
光部分を増やすことになり好ましくないが、実施例１の
構成では、基板裏面より出力光を取り出すのでこのよう
な問題はない。実施例２で示した複数本のボンディング
ワイヤの使用は、太いボンディングワイヤを用いた場合
と同様な効果をもたらす。
【００８１】以上、実施例に沿って本発明を説明した
が、本発明は、これらに制限されるものではない。上述
の実施例においては、半導体発光層として、ＧａＮを用
いているが、この他にも発光波長に対し透明な基板を使
用できる半導体発光層なら応用できる。例えば、ガリウ
ムリン（ＧａＰ）やジンクセレン（ＺｎＳｅ）、ガリウ
ムアルミニウム砒素（ＧａＡｌＡｓ）といった材料を用
いることもできる。
が、本発明は、これらに制限されるものではない。上述
の実施例においては、半導体発光層として、ＧａＮを用
いているが、この他にも発光波長に対し透明な基板を使
用できる半導体発光層なら応用できる。例えば、ガリウ
ムリン（ＧａＰ）やジンクセレン（ＺｎＳｅ）、ガリウ
ムアルミニウム砒素（ＧａＡｌＡｓ）といった材料を用
いることもできる。
【００８２】実施例では、１半導体発光層を有する単一
チップを樹脂モールドした発光ダイオードの例を示して
いるが、これ以外にも、１チップ上、即ち同一基板上に
互いに異なる波長の光を発光する複数の半導体発光層を
モノリシックに形成したものや、互いに異なる波長の光
を発光する半導体発光層を有する複数のチップを樹脂モ
ールドした発光ダイオードにも応用できる。
チップを樹脂モールドした発光ダイオードの例を示して
いるが、これ以外にも、１チップ上、即ち同一基板上に
互いに異なる波長の光を発光する複数の半導体発光層を
モノリシックに形成したものや、互いに異なる波長の光
を発光する半導体発光層を有する複数のチップを樹脂モ
ールドした発光ダイオードにも応用できる。
【００８３】この他、種々の変更、改良、組み合わせ等
が可能なことは当業者に自明であろう。
が可能なことは当業者に自明であろう。
【００８４】
【発明の効果】本発明の発光装置によれば、半導体発光
層から基板裏面方向に進行する光を出力光として用いる
ことができる。光の進行方向には電極やボンディングワ
イヤ等の遮光物がないため、実効的な光出力を上げるこ
とができる。また、半導体発光層上の電極の接続は、ワ
イヤボンディン法によって行う為、確実な接続が得られ
る。
層から基板裏面方向に進行する光を出力光として用いる
ことができる。光の進行方向には電極やボンディングワ
イヤ等の遮光物がないため、実効的な光出力を上げるこ
とができる。また、半導体発光層上の電極の接続は、ワ
イヤボンディン法によって行う為、確実な接続が得られ
る。
【００８５】また、基材上に半導体発光層を有する基板
と、リードの端部を予め接着固定すれば、１回の工程で
樹脂モールドができる。
と、リードの端部を予め接着固定すれば、１回の工程で
樹脂モールドができる。
【００８６】本発明の発光装置の構成においては、半導
体発光層上に形成する電極や電気的接続の為のボンディ
ングワイヤが遮光物とならないので、ワイヤの径を太く
したり、複数にしたりすることもできる。電気的接続を
確実に得ることができるとともに、ボンディングワイヤ
の有するヒートシンク効果を増大させることができる。
体発光層上に形成する電極や電気的接続の為のボンディ
ングワイヤが遮光物とならないので、ワイヤの径を太く
したり、複数にしたりすることもできる。電気的接続を
確実に得ることができるとともに、ボンディングワイヤ
の有するヒートシンク効果を増大させることができる。
【図１】本発明の第１の実施の態様である発光装置の断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の第２の実施の態様である発光装置の断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の第１の実施例におけるチップの作製工
程を説明する為の各工程におけるチップの断面図であ
る。
程を説明する為の各工程におけるチップの断面図であ
る。
【図４】本発明の第１の実施例における発光装置の製造
工程を説明する為の各工程における装置の断面図であ
る。
工程を説明する為の各工程における装置の断面図であ
る。
【図５】本発明の第１の実施例における発光装置の製造
工程を説明する為の各工程における装置の断面図であ
る。
工程を説明する為の各工程における装置の断面図であ
る。
【図６】本発明の第２の実施例における発光装置の製造
工程を説明する為の装置の斜視図および断面図である。
工程を説明する為の装置の斜視図および断面図である。
【図７】本発明の実施例に用いるリードフレームの構成
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図８】従来の発光装置の構成を示す装置の断面図であ
る。
る。
１１・・・基板 １２・・・ｎ層 １３・・・ｐ層 １４、１５・・・電極 １６、５４・・・チップ ２１・・・第１樹脂成型体 ２２、５８・・・透明樹脂接着材 ２３ａ、２３ｂ、５２ａ、５２ｂ・・・リード ２４、５３・・・反射鏡 ２５ａ、２５ｂ、５５ａ、５５ｂ、５５ｃ・・・ボンデ
ィングワイヤ ３１・・・第２樹脂成型体 ５１・・・板状基材 ５７・・・樹脂成型体
ィングワイヤ ３１・・・第２樹脂成型体 ５１・・・板状基材 ５７・・・樹脂成型体
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体発光層と、 前記半導体発光層上の発光波長に対し透明であり、表面
に前記半導体発光層が形成された基板と、 前記半導体発光層上に形成された少なくとも１の電極
と、 一対のリードと、 前記基板および前記一対のリードの端部が、前記発光波
長に対し透明な樹脂材で接着固定された平坦な端面を有
し、前記半導体発光層から前記基板裏面方向に進行する
出力光と同一方向に凸な外形を有し、前記発光波長に対
し透明な第１樹脂成型体と、 一方の端部を前記半導体発光層上の前記電極に、他方の
端部を前記一対のリードに接続したボンディングワイヤ
と、 前記一対のリードの一部、前記基板、前記半導体発光
層、および前記ワイヤをモールドする第２樹脂成型体と
を有する発光装置。 - 【請求項２】 半導体発光層と、 前記半導体発光層の発光波長に対し透明であり、表面に
前記半導体発光層が形成された基板と、 前記半導体発光層上に形成される少なくとも１の電極
と、 一対のリードと、 前記基板および前記一対のリードの端部が、前記発光波
長に対し透明な樹脂材で表面に接着固定された前記発光
波長に対し透明な基材と、 一方の端部を前記半導体発光層上の前記電極に、他方の
端部を前記一対のリードにそれぞれ接続したボンディン
グワイヤと、 前記リードの一部、前記基板、前記半導体発光層、前記
基材および前記ボンディングワイヤをモールドするとと
もに、前記半導体発光層より前記基板裏面方向に進行す
る出力光と同一な方向に凸な外形を有する樹脂成型体と
を有する発光装置。 - 【請求項３】 前記半導体発光層が、ｎ型の導電型を有
する窒化ガリウム系半導体層とｐ型の導電型を有する窒
化ガリウム系半導体層の積層であり、 前記基板がサファイアである請求項１または請求項２に
記載の発光装置。 - 【請求項４】 前記半導体発光層の外周囲に、前記発光
波長の光を反射する反射鏡を備えることを特徴とする請
求項１から請求項３のいずれか１に記載の発光装置。 - 【請求項５】 前記ボンディングワイヤの少なくともい
ずれか１の径が２５μｍより太く、５０μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１に
記載の発光装置。 - 【請求項６】 前記半導体発光層上の１の電極と前記一
対のリードの一方とを接続する前記ボンディングワイヤ
の数が複数本であることを特徴とする請求項１から請求
項４のいずれか１に記載の発光装置。 - 【請求項７】 前記反射鏡が、前記リードと同じ材質で
形成されていることを特徴とする請求項１から請求項６
のいずれか１に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18770396A JP3238326B2 (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18770396A JP3238326B2 (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1032351A JPH1032351A (ja) | 1998-02-03 |
| JP3238326B2 true JP3238326B2 (ja) | 2001-12-10 |
Family
ID=16210691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18770396A Expired - Fee Related JP3238326B2 (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3238326B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011142097A1 (ja) | 2010-05-13 | 2011-11-17 | パナソニック株式会社 | 実装用基板及びその製造方法、発光モジュール並びに照明装置 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3785820B2 (ja) | 1998-08-03 | 2006-06-14 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
| JP2002141556A (ja) | 2000-09-12 | 2002-05-17 | Lumileds Lighting Us Llc | 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード |
| JP2002124705A (ja) * | 2000-10-17 | 2002-04-26 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオードとその製造方法 |
| AU2003266938A1 (en) * | 2002-09-30 | 2004-04-19 | Thanner Development A/S | Marking light device for life preservers and survival crafts |
| JP2004158557A (ja) * | 2002-11-05 | 2004-06-03 | Shurai Kagi Kofun Yugenkoshi | 類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ |
| CN100454588C (zh) * | 2003-11-06 | 2009-01-21 | 夏普株式会社 | 光学器件外壳结构 |
| JP2005159296A (ja) | 2003-11-06 | 2005-06-16 | Sharp Corp | オプトデバイスのパッケージ構造 |
| JP2007311626A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Fujikura Ltd | 光源装置 |
| JP5067631B2 (ja) * | 2008-09-22 | 2012-11-07 | 東芝ライテック株式会社 | 照明装置 |
| DE102016106270A1 (de) * | 2016-04-06 | 2017-10-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Herstellung eines halbleiterbauelements |
| CN111699552B (zh) * | 2018-02-08 | 2023-08-15 | 株式会社村田制作所 | 高频模块 |
| US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
| US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
-
1996
- 1996-07-17 JP JP18770396A patent/JP3238326B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011142097A1 (ja) | 2010-05-13 | 2011-11-17 | パナソニック株式会社 | 実装用基板及びその製造方法、発光モジュール並びに照明装置 |
| EP2804227A1 (en) | 2010-05-13 | 2014-11-19 | Panasonic Corporation | Mounting substrate and manufacturing method thereof, light-emitting module and illumination device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1032351A (ja) | 1998-02-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101002111B1 (ko) | 발광 장치 및 그 제조 방법 | |
| US7977686B2 (en) | Chip-scale methods for packaging light emitting devices and chip-scale packaged light emitting devices | |
| EP1774598B1 (en) | Chip-scale methods for packaging light emitting devices and chip-scale packaged light emitting devices | |
| US6838704B2 (en) | Light emitting diode and method of making the same | |
| EP1258929B1 (en) | Semiconductor LED flip-chip having low refractive index underfill | |
| JP6280142B2 (ja) | 発光デバイス用キャリア | |
| US20040188696A1 (en) | LED power package | |
| US20140203320A1 (en) | Composite high reflectivity layer | |
| CN107210341B (zh) | Led以及制造方法 | |
| US20060049423A1 (en) | Light-emitting device | |
| US20020123164A1 (en) | Light emitting diodes including modifications for light extraction and manufacturing methods therefor | |
| JP3238326B2 (ja) | 発光装置 | |
| US9583681B2 (en) | Light emitter device packages, modules and methods | |
| KR20140125521A (ko) | 반도체 발광소자 | |
| US20100224890A1 (en) | Light emitting diode chip with electrical insulation element | |
| JPH06177429A (ja) | 青色ｌｅｄ素子 | |
| TWI335114B (en) | Optimized contact design for thermosonic bonding of flip-chip devices | |
| US20190140145A1 (en) | Light-Emitting Device and Method for Manufacturing a Light-Emitting Device | |
| JP2001094158A (ja) | Ｌｅｄランプ | |
| US20240047606A1 (en) | Wafer level fabrication for multiple chip light-emitting devices | |
| JP2003008080A (ja) | 発光又は受光装置 | |
| KR20130075815A (ko) | 발광 소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081005 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081005 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091005 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |