JP3238326B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光装置に関し、
特に発光波長に対し透明な基板上に半導体発光層を有す
るチップと、これをモールドした樹脂成型体から構成さ
れる発光装置に関する。
特に発光波長に対し透明な基板上に半導体発光層を有す
るチップと、これをモールドした樹脂成型体から構成さ
れる発光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】表示ランプとして応用されることの多い
発光ダイオードは、発光波長に対し透明な樹脂成型体中
にチップをモールドしている。
発光ダイオードは、発光波長に対し透明な樹脂成型体中
にチップをモールドしている。
【0003】図8に、従来の発光ダイオードの構成の一
例を示す。同図に示すように、チップ104は、基板1
10と基板上に形成される半導体発光層111およびそ
の上に形成される電極112a、112bで構成され
る。チップ104は、一方のリード101bの端部に接
着剤103を用いてダイボンディングされている。
例を示す。同図に示すように、チップ104は、基板1
10と基板上に形成される半導体発光層111およびそ
の上に形成される電極112a、112bで構成され
る。チップ104は、一方のリード101bの端部に接
着剤103を用いてダイボンディングされている。
【0004】通常、半導体発光層111は、導電型がp
型の半導体層(p層)と導電型がn型の半導体層(n
層)の積層からなるpn接合層を有する。上層となる一
方の導伝型の半導体層の一部はエッチング除去され、基
板表面に、p層、n層の各表面が露出し、この上に電極
112a、112bが形成される。各電極はボンディン
グワイヤ105a、105bによって外部への引き出し
電極であるリード101a、101bにそれぞれ接続さ
れる。さらに上記リード101a、101bの端部、チ
ップ104、およびボンディングワイヤ105a、10
5bは透明な樹脂成型体106中にモールドされる。
型の半導体層(p層)と導電型がn型の半導体層(n
層)の積層からなるpn接合層を有する。上層となる一
方の導伝型の半導体層の一部はエッチング除去され、基
板表面に、p層、n層の各表面が露出し、この上に電極
112a、112bが形成される。各電極はボンディン
グワイヤ105a、105bによって外部への引き出し
電極であるリード101a、101bにそれぞれ接続さ
れる。さらに上記リード101a、101bの端部、チ
ップ104、およびボンディングワイヤ105a、10
5bは透明な樹脂成型体106中にモールドされる。
【0005】図8に示すように、通常の発光ダイオード
は、半導体発光層が形成されている基板表面側を発光面
とし、図中矢印αで示す基板の上部方向に進行する光を
出力光として用いている。樹脂成型体106は、図に示
すように光の出力方向の外形が曲面状になっており、出
力光を集光する効果を有している。
は、半導体発光層が形成されている基板表面側を発光面
とし、図中矢印αで示す基板の上部方向に進行する光を
出力光として用いている。樹脂成型体106は、図に示
すように光の出力方向の外形が曲面状になっており、出
力光を集光する効果を有している。
【0006】半導体発光層111で発せられる光の進行
方向は基板上部方向に限らず基板横方向、下方向も存在
する。そこで、これらの光を効率的に用いる為に、同図
中に示すように、チップ104の外周囲に反射鏡102
を備える試みもなされている。反射鏡102は、半導体
発光層111から基板の横方向、および下方向に漏れる
光をすり鉢状の内壁面で反射し、図中上向き方向の出力
光に変えている。
方向は基板上部方向に限らず基板横方向、下方向も存在
する。そこで、これらの光を効率的に用いる為に、同図
中に示すように、チップ104の外周囲に反射鏡102
を備える試みもなされている。反射鏡102は、半導体
発光層111から基板の横方向、および下方向に漏れる
光をすり鉢状の内壁面で反射し、図中上向き方向の出力
光に変えている。
【0007】発光ダイオードから発せられる光の波長
は、用いられる半導体発光層の材質によって可視域から
赤外域まで複数の波長が存在する。例えば半導体発光層
としてガリウム砒素(GaAs)系材料を用いる発光ダ
イオードは赤色領域の光を、窒化ガリウム(GaN)系
材料を用いる発光ダイオードは青色領域の光を出力す
る。
は、用いられる半導体発光層の材質によって可視域から
赤外域まで複数の波長が存在する。例えば半導体発光層
としてガリウム砒素(GaAs)系材料を用いる発光ダ
イオードは赤色領域の光を、窒化ガリウム(GaN)系
材料を用いる発光ダイオードは青色領域の光を出力す
る。
【0008】これらの半導体発光層は、一般にエピタキ
シャル成長法を用いて形成されるので、半導体発光層の
種類により、使用する基板の種類が限定される。例え
ば、半導体発光層としてGaAsを用いる場合は、基板
もGaAs系の材料が用いられる。半導体発光層がGa
Nの場合は、サファイア基板を用いることが多い。
シャル成長法を用いて形成されるので、半導体発光層の
種類により、使用する基板の種類が限定される。例え
ば、半導体発光層としてGaAsを用いる場合は、基板
もGaAs系の材料が用いられる。半導体発光層がGa
Nの場合は、サファイア基板を用いることが多い。
【0009】図8に示した従来例の発光装置では、基板
表面にp層、n層に対応する2つの電極を形成している
が、導電性を有するGaAs等の基板を用いる場合は、
基板自体を一方の電極として用いることも可能である。
こうすれば基板表面に形成する電極の数を減らすことが
できる。
表面にp層、n層に対応する2つの電極を形成している
が、導電性を有するGaAs等の基板を用いる場合は、
基板自体を一方の電極として用いることも可能である。
こうすれば基板表面に形成する電極の数を減らすことが
できる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】図8に示すような従来
の発光装置の構成では、半導体発光層より基板上部方向
に発せられる出力光は、基板表面に形成されている電極
およびこの電極に接続されているボンディングワイヤに
よって遮光される。基板がサファイアのような絶縁性材
料を用いる場合は、基板自体を電極として用いることが
できないので、半導体発光層上にp層、n層に接続され
る電極を形成しなければならず、これらの遮光物の存在
により実効的な発光出力が低下する。
の発光装置の構成では、半導体発光層より基板上部方向
に発せられる出力光は、基板表面に形成されている電極
およびこの電極に接続されているボンディングワイヤに
よって遮光される。基板がサファイアのような絶縁性材
料を用いる場合は、基板自体を電極として用いることが
できないので、半導体発光層上にp層、n層に接続され
る電極を形成しなければならず、これらの遮光物の存在
により実効的な発光出力が低下する。
【0011】また、半導体発光層での発光は、熱の発生
を伴う。発光効率を維持する為にはこの熱を放熱できる
構造を有することが望まれる。一般に、GaAs基板の
ように、導電性を有する基板は熱伝導性もよいので、半
導体発光層で発生した熱は、基板を介してリードに流れ
る。即ち、基板とリードがヒートシンクの役割を果た
す。
を伴う。発光効率を維持する為にはこの熱を放熱できる
構造を有することが望まれる。一般に、GaAs基板の
ように、導電性を有する基板は熱伝導性もよいので、半
導体発光層で発生した熱は、基板を介してリードに流れ
る。即ち、基板とリードがヒートシンクの役割を果た
す。
【0012】しかし、サファイア基板のように、絶縁性
の基板は一般に熱伝導性が悪いため、基板とリードがヒ
ートシンクとしての機能を果たしにくい。
の基板は一般に熱伝導性が悪いため、基板とリードがヒ
ートシンクとしての機能を果たしにくい。
【0013】本発明の目的は、実効的な発光出力を改善
できる構成を有する発光装置を提供することである。
できる構成を有する発光装置を提供することである。
【0014】本発明の別の目的は、ヒートシンク機能を
補充する構造を有する発光装置を提供することである。
補充する構造を有する発光装置を提供することである。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明の発光装置の第1
の特徴は、半導体発光層と、前記半導体発光層の発光波
長に対し透明であり、表面に前記半導体発光層が形成さ
れた基板と、前記半導体発光層上に形成された少なくと
も1の電極と、一対のリードと、前記基板および前記一
対のリードの端部が、前記発光波長に対し透明な樹脂材
でダイボンディングされた平坦な端面を有し、前記半導
体発光層から前記基板裏面方向に進行する出力光と同一
方向に凸な外形を有し、前記発光波長に対し透明な第1
樹脂成型体と、一方の端部を前記半導体発光層上の前記
電極に、他方の端部を前記一対のリードにそれぞれ接続
したボンディングワイヤと、前記一対のリードの一部、
前記基板、前記半導体発光層、および前記ボンディング
ワイヤをモールドする第2樹脂成型体とを有することで
ある。
の特徴は、半導体発光層と、前記半導体発光層の発光波
長に対し透明であり、表面に前記半導体発光層が形成さ
れた基板と、前記半導体発光層上に形成された少なくと
も1の電極と、一対のリードと、前記基板および前記一
対のリードの端部が、前記発光波長に対し透明な樹脂材
でダイボンディングされた平坦な端面を有し、前記半導
体発光層から前記基板裏面方向に進行する出力光と同一
方向に凸な外形を有し、前記発光波長に対し透明な第1
樹脂成型体と、一方の端部を前記半導体発光層上の前記
電極に、他方の端部を前記一対のリードにそれぞれ接続
したボンディングワイヤと、前記一対のリードの一部、
前記基板、前記半導体発光層、および前記ボンディング
ワイヤをモールドする第2樹脂成型体とを有することで
ある。
【0016】上記第1の特徴により、出力光の進行方向
には電極やボンディングワイヤ等の遮光物がないため、
実効的な出力光の強度を上げることができる。また、半
導体発光層上の電極の接続は、ワイヤボンディング法に
よって行う為、確実な接続が得られる。
には電極やボンディングワイヤ等の遮光物がないため、
実効的な出力光の強度を上げることができる。また、半
導体発光層上の電極の接続は、ワイヤボンディング法に
よって行う為、確実な接続が得られる。
【0017】本発明の発光装置の第2の特徴は、半導体
発光層と、前記半導体発光層の発光波長に対し透明であ
り、表面に前記半導体発光層が形成された基板と、前記
半導体発光層上に形成される少なくとも1の電極と、一
対のリードと、前記基板および前記一対のリードの端部
が、前記発光波長に対し透明な樹脂材で表面に接着固定
された前記発光波長に対し透明な基材と、一方の端部を
前記半導体発光層上の前記電極に、他方の端部を前記リ
ードにそれぞれ接続したボンディングワイヤと、前記リ
ードの一部、前記基板、前記半導体発光層、前記基材お
よび前記ボンディングワイヤをモールドするとともに、
前記半導体発光層より前記基板裏面方向に進行する出力
光と同一方向に凸な外形を有する樹脂成型体とを有する
ことである。
発光層と、前記半導体発光層の発光波長に対し透明であ
り、表面に前記半導体発光層が形成された基板と、前記
半導体発光層上に形成される少なくとも1の電極と、一
対のリードと、前記基板および前記一対のリードの端部
が、前記発光波長に対し透明な樹脂材で表面に接着固定
された前記発光波長に対し透明な基材と、一方の端部を
前記半導体発光層上の前記電極に、他方の端部を前記リ
ードにそれぞれ接続したボンディングワイヤと、前記リ
ードの一部、前記基板、前記半導体発光層、前記基材お
よび前記ボンディングワイヤをモールドするとともに、
前記半導体発光層より前記基板裏面方向に進行する出力
光と同一方向に凸な外形を有する樹脂成型体とを有する
ことである。
【0018】上記第2の特徴により、出力光の進行方向
には電極やボンディングワイヤ等の遮光物がないため、
実効的な出力光の強度を上げることができる。また、半
導体発光層上の電極の接続は、ワイヤボンディング法に
よって行う為、確実な接続が得られる。さらに、基材上
に半導体発光層を有する基板と、リードの端部を予めダ
イボンディングすることができるので、1回の工程で樹
脂モールドとレンズ効果を有する樹脂成型体を形成でき
る。
には電極やボンディングワイヤ等の遮光物がないため、
実効的な出力光の強度を上げることができる。また、半
導体発光層上の電極の接続は、ワイヤボンディング法に
よって行う為、確実な接続が得られる。さらに、基材上
に半導体発光層を有する基板と、リードの端部を予めダ
イボンディングすることができるので、1回の工程で樹
脂モールドとレンズ効果を有する樹脂成型体を形成でき
る。
【0019】本発明の発光装置の第3の特徴は、半導体
発光層がn型の導電型を有する窒化ガリウム系半導体層
とp型の導電型を有する窒化ガリウム系半導体層の積層
であり、前記基板がサファイアであることである。
発光層がn型の導電型を有する窒化ガリウム系半導体層
とp型の導電型を有する窒化ガリウム系半導体層の積層
であり、前記基板がサファイアであることである。
【0020】上記第3の特徴により、実効的な出力強度
がより高く、電気的信頼性がより高い青色発光ダイオー
ドを提供できる。
がより高く、電気的信頼性がより高い青色発光ダイオー
ドを提供できる。
【0021】本発明の発光装置の第4の特徴は、前記半
導体発光層の外周囲に、前記発光波長の光を反射する反
射鏡を備えることである。
導体発光層の外周囲に、前記発光波長の光を反射する反
射鏡を備えることである。
【0022】上記第4の特徴により、半導体発光層から
横方向等に漏れる光を上記反射鏡によって、半導体発光
層から基板裏面方向に向かう出力光の進行方向と平行な
進行方向を有する光に変換することができ、実質的な出
力光の強度をさらに上げることができる。
横方向等に漏れる光を上記反射鏡によって、半導体発光
層から基板裏面方向に向かう出力光の進行方向と平行な
進行方向を有する光に変換することができ、実質的な出
力光の強度をさらに上げることができる。
【0023】本発明の発光装置の第5の特徴は、前記ボ
ンディングワイヤの少なくともいずれか1の径が25μ
mより太く、50μm以下であることである。
ンディングワイヤの少なくともいずれか1の径が25μ
mより太く、50μm以下であることである。
【0024】上記第5の特徴により、半導体発光層で発
生する熱に対するボンディングワイヤの有する放熱効果
を増大させることができる。なお、ボンディングワイヤ
の径を50μm以下とすることで、ボンディング時にチ
ップにかかる負担を抑制できる。
生する熱に対するボンディングワイヤの有する放熱効果
を増大させることができる。なお、ボンディングワイヤ
の径を50μm以下とすることで、ボンディング時にチ
ップにかかる負担を抑制できる。
【0025】本発明の発光装置の第6の特徴は、半導体
発光層上の1の電極と前記一対のリードの一方とを接続
する前記ボンディングワイヤの数が複数本であることで
ある。
発光層上の1の電極と前記一対のリードの一方とを接続
する前記ボンディングワイヤの数が複数本であることで
ある。
【0026】上記第6の特徴により、半導体発光層で発
生する熱に対するボンディングワイヤの有する放熱効果
を増大させることができる。
生する熱に対するボンディングワイヤの有する放熱効果
を増大させることができる。
【0027】本発明の発光装置の第7の特徴は、反射鏡
が、前記リードと同じ材質で形成されていることであ
る。
が、前記リードと同じ材質で形成されていることであ
る。
【0028】上記第7の特徴により、リードと反射鏡が
一体となったリードフレームを製造工程で用いることが
できる。
一体となったリードフレームを製造工程で用いることが
できる。
【0029】
【0030】
【0031】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。
て、図面を参照して説明する。
【0032】まず、第1の実施の形態の発光装置につい
て図1を参照して説明する。
て図1を参照して説明する。
【0033】図1に示す発光装置は、基板としていずれ
も上述のサファイア基板のように発光波長に対しほぼ透
明なものを用いており、半導体発光層から基板裏面方向
に向かう光を出力光として利用している。これに伴い、
基板裏面側に図中下側に凸の略砲弾状の形状を有する第
1樹脂成形体を備えている。
も上述のサファイア基板のように発光波長に対しほぼ透
明なものを用いており、半導体発光層から基板裏面方向
に向かう光を出力光として利用している。これに伴い、
基板裏面側に図中下側に凸の略砲弾状の形状を有する第
1樹脂成形体を備えている。
【0034】図1中に示すチップ16は、サファイア等
の可視域で透明な基板11上に、n型の導電型を有する
半導体層(n層)12とp型の導電型を有する半導体層
(p層)13のpn接合からなる半導体発光層を有す
る。これらの半導体層としては、例えば青色の光を発光
する窒化ガリウム系半導体層等を用いることができる。
の可視域で透明な基板11上に、n型の導電型を有する
半導体層(n層)12とp型の導電型を有する半導体層
(p層)13のpn接合からなる半導体発光層を有す
る。これらの半導体層としては、例えば青色の光を発光
する窒化ガリウム系半導体層等を用いることができる。
【0035】上層のp層13は一部エッチング除去さ
れ、下層のn層12の一部が基板表面に露出している。
p層13の表面には電極15、n層12の露出面には電
極14が形成される。
れ、下層のn層12の一部が基板表面に露出している。
p層13の表面には電極15、n層12の露出面には電
極14が形成される。
【0036】第1樹脂成形体21は平坦な端面S1を有
しており、チップ16はこの平坦な端面S1上に透明樹
脂接着材22を用いてダイボンディングされる。同一端
面S1上には、透明樹脂接着材22を用いて、2本の外
部引き出し電極であるリード23a、23bも接着固定
される。半導体発光層上の電極14、15は、ボンディ
ングワイヤ25a、25bによって、リード23a、2
3bに電気的に接続される。
しており、チップ16はこの平坦な端面S1上に透明樹
脂接着材22を用いてダイボンディングされる。同一端
面S1上には、透明樹脂接着材22を用いて、2本の外
部引き出し電極であるリード23a、23bも接着固定
される。半導体発光層上の電極14、15は、ボンディ
ングワイヤ25a、25bによって、リード23a、2
3bに電気的に接続される。
【0037】チップ16の外周囲には、ランプシェード
形状の反射鏡24が備えられる。この反射鏡24は、半
導体発光層から図中横方向もしくは上方に発せられる光
を内壁で反射し、図中下方へ進行する光に変換する。こ
の反射鏡24は、同図に示すように、リード23bに連
続して形成されていてもよい。
形状の反射鏡24が備えられる。この反射鏡24は、半
導体発光層から図中横方向もしくは上方に発せられる光
を内壁で反射し、図中下方へ進行する光に変換する。こ
の反射鏡24は、同図に示すように、リード23bに連
続して形成されていてもよい。
【0038】ボンディングワイヤ25a、25bにより
リード23a、23bに電気的に接続されたチップ16
は、その周囲を第2樹脂成形体31によってモールドさ
れる。
リード23a、23bに電気的に接続されたチップ16
は、その周囲を第2樹脂成形体31によってモールドさ
れる。
【0039】2本のリード23a、23bは、ボンディ
ングワイヤ25a、25bとの接続部の近傍で端面S1
に対し垂直方向に折り曲げられているため、第2樹脂成
形体31の外部には、端面S1に対しほぼ垂直方向の2
本のリード23a、23bが取り出される。
ングワイヤ25a、25bとの接続部の近傍で端面S1
に対し垂直方向に折り曲げられているため、第2樹脂成
形体31の外部には、端面S1に対しほぼ垂直方向の2
本のリード23a、23bが取り出される。
【0040】この第1の実施の形態における発光装置で
は、半導体発光層より基板裏面方向に発せられた光が、
発光波長に対し透明な基板を通過し基板裏面より出力さ
れる。さらに基板裏面より出力された光は、透明樹脂接
着材22を介し、第1樹脂成形体21を通過し外部に出
力される。第1樹脂成形体21の外形形状によるレンズ
効果により、出力光は端面S1に対し垂直な方向に集光
される。
は、半導体発光層より基板裏面方向に発せられた光が、
発光波長に対し透明な基板を通過し基板裏面より出力さ
れる。さらに基板裏面より出力された光は、透明樹脂接
着材22を介し、第1樹脂成形体21を通過し外部に出
力される。第1樹脂成形体21の外形形状によるレンズ
効果により、出力光は端面S1に対し垂直な方向に集光
される。
【0041】基板裏面には基板表面のように発光波長を
遮光する電極やボンディングワイヤは存在しないため、
半導体発光層で発せられた下方向に向かう光は、光強度
をほぼ維持したまま第1樹脂成型体21より外部に出力
される。
遮光する電極やボンディングワイヤは存在しないため、
半導体発光層で発せられた下方向に向かう光は、光強度
をほぼ維持したまま第1樹脂成型体21より外部に出力
される。
【0042】次に、第2の実施の形態の発光装置につい
て図2を参照して説明する。
て図2を参照して説明する。
【0043】第1の実施の形態の場合と同様に、半導体
発光層から基板裏面に向かう光を出力光として利用す
る。第1の実施の態様に示す構成と異なる点は、半導体
発光層を有するチップ54とリード52a、52bが透
明な板状基材51上に接着固定されている点である。さ
らに、樹脂成型体が第1樹脂成型体と第2樹脂成型体と
に分かれず、一体型である点である。
発光層から基板裏面に向かう光を出力光として利用す
る。第1の実施の態様に示す構成と異なる点は、半導体
発光層を有するチップ54とリード52a、52bが透
明な板状基材51上に接着固定されている点である。さ
らに、樹脂成型体が第1樹脂成型体と第2樹脂成型体と
に分かれず、一体型である点である。
【0044】図2に示すように、透明な板状基材51上
にチップ54とリード52a、52bを透明樹脂接着材
58で接着固定され、さらにチップ54上の電極は、ボ
ンディングワイヤ55a、55bで接続される。また、
チップ54の周囲には、反射鏡53が備えられている。
にチップ54とリード52a、52bを透明樹脂接着材
58で接着固定され、さらにチップ54上の電極は、ボ
ンディングワイヤ55a、55bで接続される。また、
チップ54の周囲には、反射鏡53が備えられている。
【0045】この第2の実施の形態における発光装置に
おいても、基板が発光波長に対し透明なので、半導体発
光層より基板裏面方向に発せられた光は、基板を通過し
基板裏面より出力される。基板裏面には基板表面のよう
に発光波長を遮光する電極やボンディングワイヤが存在
しないため、半導体発光層で発せられ、図中下方向に向
かう出力光は、光強度をほぼ維持したまま基板裏面より
出力される。
おいても、基板が発光波長に対し透明なので、半導体発
光層より基板裏面方向に発せられた光は、基板を通過し
基板裏面より出力される。基板裏面には基板表面のよう
に発光波長を遮光する電極やボンディングワイヤが存在
しないため、半導体発光層で発せられ、図中下方向に向
かう出力光は、光強度をほぼ維持したまま基板裏面より
出力される。
【0046】さらに基板裏面より出力された光は、透明
樹脂接着材58を介し、透明な板状基材51と樹脂成形
体57を通過し外部に出力される。光出力方向の樹脂成
形体57の外形は、曲面を有しており、この形状による
レンズ効果により、出力光は透明な板状基材51の面S
1に対し垂直な方向に集光される。
樹脂接着材58を介し、透明な板状基材51と樹脂成形
体57を通過し外部に出力される。光出力方向の樹脂成
形体57の外形は、曲面を有しており、この形状による
レンズ効果により、出力光は透明な板状基材51の面S
1に対し垂直な方向に集光される。
【0047】
【実施例】上述した第1の実施の形態の具体的な実施例
について説明する。ここでは、窒化ガリウム系半導体層
を半導体発光層とし、基板としてサファイアを用いる青
色発光ダイオードの作製方法を例にとって説明する。
について説明する。ここでは、窒化ガリウム系半導体層
を半導体発光層とし、基板としてサファイアを用いる青
色発光ダイオードの作製方法を例にとって説明する。
【0048】まず、図3(A)〜図3(C)を参照し
て、チップの作製工程について説明する。
て、チップの作製工程について説明する。
【0049】図3(A)に示すように、厚み約200μ
mのサファイア(Al2O3)基板上に、MOCVD(ME
TAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION)法を用
いて、約4μmのn型の窒化ガリウム(n−GaN)層
12と約1μmのp型の窒化ガリウム(p−GaN)層
13をエピタキシャル成長させる。
mのサファイア(Al2O3)基板上に、MOCVD(ME
TAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION)法を用
いて、約4μmのn型の窒化ガリウム(n−GaN)層
12と約1μmのp型の窒化ガリウム(p−GaN)層
13をエピタキシャル成長させる。
【0050】このエピタキシャル成長条件は、雰囲気圧
力を常圧とし、基板温度を800℃〜1000℃、反応
ガスとして、トリメチルガリウム(Ga(CH3)3)と
アンモニア(NH3)、キャリアガスとして水素(H2)
と窒素(N2)の混合ガスを用いる。
力を常圧とし、基板温度を800℃〜1000℃、反応
ガスとして、トリメチルガリウム(Ga(CH3)3)と
アンモニア(NH3)、キャリアガスとして水素(H2)
と窒素(N2)の混合ガスを用いる。
【0051】n型ドーピングガスとしてはモノシラン
(SiH4)、p型ドーピングガスとしてはビスシクロ
ペンタディエニールマグネシウム(Cp2Mg)等を用
いる。n−GaN層12とp−GaN層13は、途中ド
ーピングガスを変更することにより、同一チャンバ内で
連続して形成することができる。
(SiH4)、p型ドーピングガスとしてはビスシクロ
ペンタディエニールマグネシウム(Cp2Mg)等を用
いる。n−GaN層12とp−GaN層13は、途中ド
ーピングガスを変更することにより、同一チャンバ内で
連続して形成することができる。
【0052】図3(B)に示すように、p−GaN層1
3の一部をエッチング除去し、n−GaN層12の露出
面を形成する。この工程では、例えばSiO2膜をエッ
チングマスクとして、Cl2とBCl2の混合ガスをエッ
チングガスとして用い、p−GaN層13をドライエッ
チングすればよい。エッチング後、不要となったエッチ
ングマスクはエッチング除去する。
3の一部をエッチング除去し、n−GaN層12の露出
面を形成する。この工程では、例えばSiO2膜をエッ
チングマスクとして、Cl2とBCl2の混合ガスをエッ
チングガスとして用い、p−GaN層13をドライエッ
チングすればよい。エッチング後、不要となったエッチ
ングマスクはエッチング除去する。
【0053】図3(C)に示すように、p−GaN層1
3表面上、およびn−GaN層12露出面上にそれぞ
れ、スパッタリング法を用いて、電極15と電極14を
形成する。電極15としてはニッケル金(NiAu)
膜、電極14としてはチタン金(TiAu)膜等を形成
する。
3表面上、およびn−GaN層12露出面上にそれぞ
れ、スパッタリング法を用いて、電極15と電極14を
形成する。電極15としてはニッケル金(NiAu)
膜、電極14としてはチタン金(TiAu)膜等を形成
する。
【0054】電極14、15を形成した後、ウエハをチ
ップごとに分離して、チップ16を得る。チップの形状
は、一辺約300μmの矩形とする。
ップごとに分離して、チップ16を得る。チップの形状
は、一辺約300μmの矩形とする。
【0055】つぎに、図4(A)に示すように、透明な
第1樹脂成型体21を形成する。この工程において、第
1樹脂成型体21は、2液性のエポキシ樹脂を型材に流
し込み、常温で固化させることにより得られる。同図に
示すように、第1樹脂成型体21は、一方に平坦な端面
S1を有し、他方に略砲弾形状の外形を有する。
第1樹脂成型体21を形成する。この工程において、第
1樹脂成型体21は、2液性のエポキシ樹脂を型材に流
し込み、常温で固化させることにより得られる。同図に
示すように、第1樹脂成型体21は、一方に平坦な端面
S1を有し、他方に略砲弾形状の外形を有する。
【0056】図4(A)に示すように、端面S1上に、
この第1樹脂成型体21と同質なエポキシ樹脂からなる
透明樹脂接着材22を塗布し、チップ16をこの透明樹
脂接着材22を用いて、第1樹脂成型体の端面S1上に
ダイボンディングする。
この第1樹脂成型体21と同質なエポキシ樹脂からなる
透明樹脂接着材22を塗布し、チップ16をこの透明樹
脂接着材22を用いて、第1樹脂成型体の端面S1上に
ダイボンディングする。
【0057】図4(B)に示すように、第1樹脂成型体
21の端面S1上に、透明樹脂接着材22を用いてリー
ド23aと23bを接着固定する。リード23bは、そ
の端部にランプシェード形状の反射鏡24を備えてお
り、チップ16に反射鏡24をかぶせるように装着し、
チップ16の外周囲をこの反射鏡24でおおう。
21の端面S1上に、透明樹脂接着材22を用いてリー
ド23aと23bを接着固定する。リード23bは、そ
の端部にランプシェード形状の反射鏡24を備えてお
り、チップ16に反射鏡24をかぶせるように装着し、
チップ16の外周囲をこの反射鏡24でおおう。
【0058】従来の反射鏡は、図8を参照するとわかる
ように、すり鉢状の形状をしているが、本実施例で用い
る反射鏡24は、出力光の進行方向が図8の従来型と逆
なことから、すり鉢状ではなく、上部の径が狭く、下部
の径が広いランプシェード型の形状とする。半導体発光
層から横方向等に漏れる光を反射鏡内壁で受けるため、
反射鏡の高さは、チップの高さよりやや高く設定する。
ように、すり鉢状の形状をしているが、本実施例で用い
る反射鏡24は、出力光の進行方向が図8の従来型と逆
なことから、すり鉢状ではなく、上部の径が狭く、下部
の径が広いランプシェード型の形状とする。半導体発光
層から横方向等に漏れる光を反射鏡内壁で受けるため、
反射鏡の高さは、チップの高さよりやや高く設定する。
【0059】図5(A)に示すように、ボンディングワ
イヤ25a、25bで半導体発光層上の電極14と15
をリード23a、23bに電気的に接続する。
イヤ25a、25bで半導体発光層上の電極14と15
をリード23a、23bに電気的に接続する。
【0060】通常用いられるボンディングワイヤは25
μm径の金(Au)が多いが、ここでは、少なくともp
n接合層の上部に接続する一方のボンディングワイヤ2
5bは40μmの径のAuのボンディングワイヤとす
る。
μm径の金(Au)が多いが、ここでは、少なくともp
n接合層の上部に接続する一方のボンディングワイヤ2
5bは40μmの径のAuのボンディングワイヤとす
る。
【0061】なお、チップ上にワイヤをボンディングす
る際には、ワイヤ先端のボールをつぶす圧力が必要とな
る。ワイヤ径が太い程、この時必要とされる圧力は大き
くなる。よって、ボンディング時にチップにかかる負担
を制限するためには、50μm以下のボンディングワイ
ヤを用いることが望まれる。
る際には、ワイヤ先端のボールをつぶす圧力が必要とな
る。ワイヤ径が太い程、この時必要とされる圧力は大き
くなる。よって、ボンディング時にチップにかかる負担
を制限するためには、50μm以下のボンディングワイ
ヤを用いることが望まれる。
【0062】図5(B)を参照して、後続する工程につ
いて説明する。第1樹脂成型体21の端面S1上に装着
された2本のリード23a、23bを、第1樹脂成型体
21の外周囲内で端面S1に対し垂直な方向に折り曲げ
る。この後、同図に示すような、プラスチック性の型材
41に、第1樹脂成型体21を沈める。第1樹脂成型体
の端面S1上のボンディングワイヤ部分が十分に沈む高
さまで第1樹脂成型体と同一材料のエポキシ樹脂で埋め
る。エポキシ樹脂が固化した後、型材41から外せば、
図1に示した第1の実施の態様の発光装置を得ることが
できる。
いて説明する。第1樹脂成型体21の端面S1上に装着
された2本のリード23a、23bを、第1樹脂成型体
21の外周囲内で端面S1に対し垂直な方向に折り曲げ
る。この後、同図に示すような、プラスチック性の型材
41に、第1樹脂成型体21を沈める。第1樹脂成型体
の端面S1上のボンディングワイヤ部分が十分に沈む高
さまで第1樹脂成型体と同一材料のエポキシ樹脂で埋め
る。エポキシ樹脂が固化した後、型材41から外せば、
図1に示した第1の実施の態様の発光装置を得ることが
できる。
【0063】次に、図6(A)および図6(B)を参照
し、上述した第2の実施の形態に対応する具体的な実施
例について説明する。ここでも、窒化ガリウム系半導体
層を半導体発光層とし、基板としてサファイアを用いる
青色発光ダイオードの作製方法を例にとって説明する。
し、上述した第2の実施の形態に対応する具体的な実施
例について説明する。ここでも、窒化ガリウム系半導体
層を半導体発光層とし、基板としてサファイアを用いる
青色発光ダイオードの作製方法を例にとって説明する。
【0064】図6(A)に示すように、チップ54は、
上述した実施例1と同様な方法を用いて作製し、透明な
板状基材51上に実施例1で用いたものと同様な透明樹
脂接着材(図示せず)を用いて接着固定する。
上述した実施例1と同様な方法を用いて作製し、透明な
板状基材51上に実施例1で用いたものと同様な透明樹
脂接着材(図示せず)を用いて接着固定する。
【0065】ここで用いる透明な板状基材51は、後の
工程でチップ54をモールドする樹脂成型体と同じエポ
キシ樹脂からなる基材でも、サファイア基材でもよい。
発光波長に対し、透明な基材であればよい。透明な板状
基材51の大きさは特に限定されない。基材上にチップ
54とリードを搭載できるサイズであればよい。
工程でチップ54をモールドする樹脂成型体と同じエポ
キシ樹脂からなる基材でも、サファイア基材でもよい。
発光波長に対し、透明な基材であればよい。透明な板状
基材51の大きさは特に限定されない。基材上にチップ
54とリードを搭載できるサイズであればよい。
【0066】チップ54の外周囲には、反射鏡53と2
本のリード52aと52bを備える。チップと同様に透
明樹脂接着材(図示せず)を用いて透明な板状基材51
上に接着固定する。チップ54上の電極とリードは、ボ
ンディングワイヤ55a〜55cで電気的に接続され
る。なお、図6(A)に示すように、pn接合層上に形
成される一方の電極と一方のリードの接続に、複数のボ
ンディングワイヤ55b、55cを用いてもよい。
本のリード52aと52bを備える。チップと同様に透
明樹脂接着材(図示せず)を用いて透明な板状基材51
上に接着固定する。チップ54上の電極とリードは、ボ
ンディングワイヤ55a〜55cで電気的に接続され
る。なお、図6(A)に示すように、pn接合層上に形
成される一方の電極と一方のリードの接続に、複数のボ
ンディングワイヤ55b、55cを用いてもよい。
【0067】この後、リード52aと52bを透明な板
状基材51の基材面に対し垂直方向に折り曲げる。
状基材51の基材面に対し垂直方向に折り曲げる。
【0068】図6(B)に示すように、液状のエポキシ
樹脂が入れられたプラスチック性型材56に、接着固定
されていない側のリードの端部を上方にして、ボンディ
ングワイヤ部分が十分に沈む深さまで透明な板状基材5
1を沈める。なお、板状基材に予め液状エポキシ樹脂を
つけて十分表面をなじませた後、沈めれば、泡の発生を
防ぐことができる。
樹脂が入れられたプラスチック性型材56に、接着固定
されていない側のリードの端部を上方にして、ボンディ
ングワイヤ部分が十分に沈む深さまで透明な板状基材5
1を沈める。なお、板状基材に予め液状エポキシ樹脂を
つけて十分表面をなじませた後、沈めれば、泡の発生を
防ぐことができる。
【0069】エポキシ樹脂は、2液性であり常温で一定
時間維持することにより固化できる。固化後、型材56
から外せば、図2に示した第2の実施の態様の発光装置
を得られる。
時間維持することにより固化できる。固化後、型材56
から外せば、図2に示した第2の実施の態様の発光装置
を得られる。
【0070】図7(A)、図7(B)は、上述した実施
例の発光装置を作製する為に用いるリードフレームの構
成例を示す図である。リードフレームの材料は、一般に
銅(Cu)に鉛錫系ハンダをコーティングしたものが多
い。これらの材料は、可視域の発光波長に対し反射効果
を有するため、同質の材料で反射鏡を形成することがで
きる。よって、リードフレーム中に反射鏡とリードとを
一体加工することが可能である。
例の発光装置を作製する為に用いるリードフレームの構
成例を示す図である。リードフレームの材料は、一般に
銅(Cu)に鉛錫系ハンダをコーティングしたものが多
い。これらの材料は、可視域の発光波長に対し反射効果
を有するため、同質の材料で反射鏡を形成することがで
きる。よって、リードフレーム中に反射鏡とリードとを
一体加工することが可能である。
【0071】図7(A)は、上述の実施例1の発光装置
の作製に使用するリードフレームの構成例を示す。各チ
ップが有する一対のリードが、同一直線状に形成されて
おり、図中左側のリードの端部にランプシェード状に立
体加工した反射鏡を備えている。
の作製に使用するリードフレームの構成例を示す。各チ
ップが有する一対のリードが、同一直線状に形成されて
おり、図中左側のリードの端部にランプシェード状に立
体加工した反射鏡を備えている。
【0072】尚、同図に示すように、折り曲げ位置にあ
たるリードの巾を狭くしておけば、折り曲げを容易に行
うことができる。
たるリードの巾を狭くしておけば、折り曲げを容易に行
うことができる。
【0073】一方図7(B)は、上述の実施例2の発光
装置の作製に使用するリードフレームの構成例を示す。
各チップが有する一対のリードが、並列に形成されてお
り、一方のリードの端部に反射鏡を備える。
装置の作製に使用するリードフレームの構成例を示す。
各チップが有する一対のリードが、並列に形成されてお
り、一方のリードの端部に反射鏡を備える。
【0074】実施例1、実施例2に示す発光装置によれ
ば、半導体発光層より基板裏面方向に進行する光を出力
光として用いているので、出力光の進行方向に電極やボ
ンディングワイヤ等の遮光物がなく、図8で示すような
従来型の発光装置に較べ、約2倍の強度の出力光を得る
ことができる。
ば、半導体発光層より基板裏面方向に進行する光を出力
光として用いているので、出力光の進行方向に電極やボ
ンディングワイヤ等の遮光物がなく、図8で示すような
従来型の発光装置に較べ、約2倍の強度の出力光を得る
ことができる。
【0075】上述の実施例1、実施例2は、いずれもワ
イヤボンディング法を用いて発光層上の電極とリードを
電気的に接続しているが、接続方法としては、ワイヤボ
ンディング法以外にも、発光層上とリード上の双方に半
田バンプを形成し、上下で半田バンプを押圧接触させる
方法等がある。
イヤボンディング法を用いて発光層上の電極とリードを
電気的に接続しているが、接続方法としては、ワイヤボ
ンディング法以外にも、発光層上とリード上の双方に半
田バンプを形成し、上下で半田バンプを押圧接触させる
方法等がある。
【0076】しかし、一般的に半田バンプによる接続方
法は、接触部双方のバンプの表面が酸化しやすく良好な
電気的接続状態を維持しにくい。また、モールド樹脂と
半田バンプとの熱膨張率の相違から接触部のはがれが生
じることも多く、接続の信頼性に欠ける。これに対し、
上述した実施例で使用するワイヤボンディング法による
電極の接続は、確実な接続が維持できる。また、作業中
に目視で接続状態を確認できる点でも好ましい。
法は、接触部双方のバンプの表面が酸化しやすく良好な
電気的接続状態を維持しにくい。また、モールド樹脂と
半田バンプとの熱膨張率の相違から接触部のはがれが生
じることも多く、接続の信頼性に欠ける。これに対し、
上述した実施例で使用するワイヤボンディング法による
電極の接続は、確実な接続が維持できる。また、作業中
に目視で接続状態を確認できる点でも好ましい。
【0077】また、実施例1では、ボンディングワイヤ
巾として通常より太い径のものを用いているが、これは
次のような効果をもたらす。
巾として通常より太い径のものを用いているが、これは
次のような効果をもたらす。
【0078】半導体発光層での発光は同時に発熱を伴う
ことが多い。基板の熱伝導性が高く、基板がリードに接
続されている場合は、基板とリードがヒートシンクとし
て機能するが、上述の実施例のように熱伝導性の低いサ
ファイア基板を用いる場合は、ヒートシンク効果は期待
できない。
ことが多い。基板の熱伝導性が高く、基板がリードに接
続されている場合は、基板とリードがヒートシンクとし
て機能するが、上述の実施例のように熱伝導性の低いサ
ファイア基板を用いる場合は、ヒートシンク効果は期待
できない。
【0079】一方、半導体発光層上の電極に接続される
ボンディングワイヤは、熱伝導性が高い為、半導体発光
層で発生する熱をボンディングワイヤを介してリードに
逃すことができる。通常のワイヤ径では、この効果は小
さいが、ワイヤの径を太くすることで、ボンディングワ
イヤとリードによるヒートシンク効果を高めることがで
きる。
ボンディングワイヤは、熱伝導性が高い為、半導体発光
層で発生する熱をボンディングワイヤを介してリードに
逃すことができる。通常のワイヤ径では、この効果は小
さいが、ワイヤの径を太くすることで、ボンディングワ
イヤとリードによるヒートシンク効果を高めることがで
きる。
【0080】また、基板上部より出力光を得る従来の構
成では、ボンディングワイヤの径を太くすることは、遮
光部分を増やすことになり好ましくないが、実施例1の
構成では、基板裏面より出力光を取り出すのでこのよう
な問題はない。実施例2で示した複数本のボンディング
ワイヤの使用は、太いボンディングワイヤを用いた場合
と同様な効果をもたらす。
成では、ボンディングワイヤの径を太くすることは、遮
光部分を増やすことになり好ましくないが、実施例1の
構成では、基板裏面より出力光を取り出すのでこのよう
な問題はない。実施例2で示した複数本のボンディング
ワイヤの使用は、太いボンディングワイヤを用いた場合
と同様な効果をもたらす。
【0081】以上、実施例に沿って本発明を説明した
が、本発明は、これらに制限されるものではない。上述
の実施例においては、半導体発光層として、GaNを用
いているが、この他にも発光波長に対し透明な基板を使
用できる半導体発光層なら応用できる。例えば、ガリウ
ムリン(GaP)やジンクセレン(ZnSe)、ガリウ
ムアルミニウム砒素(GaAlAs)といった材料を用
いることもできる。
が、本発明は、これらに制限されるものではない。上述
の実施例においては、半導体発光層として、GaNを用
いているが、この他にも発光波長に対し透明な基板を使
用できる半導体発光層なら応用できる。例えば、ガリウ
ムリン(GaP)やジンクセレン(ZnSe)、ガリウ
ムアルミニウム砒素(GaAlAs)といった材料を用
いることもできる。
【0082】実施例では、1半導体発光層を有する単一
チップを樹脂モールドした発光ダイオードの例を示して
いるが、これ以外にも、1チップ上、即ち同一基板上に
互いに異なる波長の光を発光する複数の半導体発光層を
モノリシックに形成したものや、互いに異なる波長の光
を発光する半導体発光層を有する複数のチップを樹脂モ
ールドした発光ダイオードにも応用できる。
チップを樹脂モールドした発光ダイオードの例を示して
いるが、これ以外にも、1チップ上、即ち同一基板上に
互いに異なる波長の光を発光する複数の半導体発光層を
モノリシックに形成したものや、互いに異なる波長の光
を発光する半導体発光層を有する複数のチップを樹脂モ
ールドした発光ダイオードにも応用できる。
【0083】この他、種々の変更、改良、組み合わせ等
が可能なことは当業者に自明であろう。
が可能なことは当業者に自明であろう。
【0084】
【発明の効果】本発明の発光装置によれば、半導体発光
層から基板裏面方向に進行する光を出力光として用いる
ことができる。光の進行方向には電極やボンディングワ
イヤ等の遮光物がないため、実効的な光出力を上げるこ
とができる。また、半導体発光層上の電極の接続は、ワ
イヤボンディン法によって行う為、確実な接続が得られ
る。
層から基板裏面方向に進行する光を出力光として用いる
ことができる。光の進行方向には電極やボンディングワ
イヤ等の遮光物がないため、実効的な光出力を上げるこ
とができる。また、半導体発光層上の電極の接続は、ワ
イヤボンディン法によって行う為、確実な接続が得られ
る。
【0085】また、基材上に半導体発光層を有する基板
と、リードの端部を予め接着固定すれば、1回の工程で
樹脂モールドができる。
と、リードの端部を予め接着固定すれば、1回の工程で
樹脂モールドができる。
【0086】本発明の発光装置の構成においては、半導
体発光層上に形成する電極や電気的接続の為のボンディ
ングワイヤが遮光物とならないので、ワイヤの径を太く
したり、複数にしたりすることもできる。電気的接続を
確実に得ることができるとともに、ボンディングワイヤ
の有するヒートシンク効果を増大させることができる。
体発光層上に形成する電極や電気的接続の為のボンディ
ングワイヤが遮光物とならないので、ワイヤの径を太く
したり、複数にしたりすることもできる。電気的接続を
確実に得ることができるとともに、ボンディングワイヤ
の有するヒートシンク効果を増大させることができる。
【図1】本発明の第1の実施の態様である発光装置の断
面図である。
面図である。
【図2】本発明の第2の実施の態様である発光装置の断
面図である。
面図である。
【図3】本発明の第1の実施例におけるチップの作製工
程を説明する為の各工程におけるチップの断面図であ
る。
程を説明する為の各工程におけるチップの断面図であ
る。
【図4】本発明の第1の実施例における発光装置の製造
工程を説明する為の各工程における装置の断面図であ
る。
工程を説明する為の各工程における装置の断面図であ
る。
【図5】本発明の第1の実施例における発光装置の製造
工程を説明する為の各工程における装置の断面図であ
る。
工程を説明する為の各工程における装置の断面図であ
る。
【図6】本発明の第2の実施例における発光装置の製造
工程を説明する為の装置の斜視図および断面図である。
工程を説明する為の装置の斜視図および断面図である。
【図7】本発明の実施例に用いるリードフレームの構成
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図8】従来の発光装置の構成を示す装置の断面図であ
る。
る。
11・・・基板 12・・・n層 13・・・p層 14、15・・・電極 16、54・・・チップ 21・・・第1樹脂成型体 22、58・・・透明樹脂接着材 23a、23b、52a、52b・・・リード 24、53・・・反射鏡 25a、25b、55a、55b、55c・・・ボンデ
ィングワイヤ 31・・・第2樹脂成型体 51・・・板状基材 57・・・樹脂成型体
ィングワイヤ 31・・・第2樹脂成型体 51・・・板状基材 57・・・樹脂成型体
Claims (7)
- 【請求項1】 半導体発光層と、 前記半導体発光層上の発光波長に対し透明であり、表面
に前記半導体発光層が形成された基板と、 前記半導体発光層上に形成された少なくとも1の電極
と、 一対のリードと、 前記基板および前記一対のリードの端部が、前記発光波
長に対し透明な樹脂材で接着固定された平坦な端面を有
し、前記半導体発光層から前記基板裏面方向に進行する
出力光と同一方向に凸な外形を有し、前記発光波長に対
し透明な第1樹脂成型体と、 一方の端部を前記半導体発光層上の前記電極に、他方の
端部を前記一対のリードに接続したボンディングワイヤ
と、 前記一対のリードの一部、前記基板、前記半導体発光
層、および前記ワイヤをモールドする第2樹脂成型体と
を有する発光装置。 - 【請求項2】 半導体発光層と、 前記半導体発光層の発光波長に対し透明であり、表面に
前記半導体発光層が形成された基板と、 前記半導体発光層上に形成される少なくとも1の電極
と、 一対のリードと、 前記基板および前記一対のリードの端部が、前記発光波
長に対し透明な樹脂材で表面に接着固定された前記発光
波長に対し透明な基材と、 一方の端部を前記半導体発光層上の前記電極に、他方の
端部を前記一対のリードにそれぞれ接続したボンディン
グワイヤと、 前記リードの一部、前記基板、前記半導体発光層、前記
基材および前記ボンディングワイヤをモールドするとと
もに、前記半導体発光層より前記基板裏面方向に進行す
る出力光と同一な方向に凸な外形を有する樹脂成型体と
を有する発光装置。 - 【請求項3】 前記半導体発光層が、n型の導電型を有
する窒化ガリウム系半導体層とp型の導電型を有する窒
化ガリウム系半導体層の積層であり、 前記基板がサファイアである請求項1または請求項2に
記載の発光装置。 - 【請求項4】 前記半導体発光層の外周囲に、前記発光
波長の光を反射する反射鏡を備えることを特徴とする請
求項1から請求項3のいずれか1に記載の発光装置。 - 【請求項5】 前記ボンディングワイヤの少なくともい
ずれか1の径が25μmより太く、50μm以下である
ことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1に
記載の発光装置。 - 【請求項6】 前記半導体発光層上の1の電極と前記一
対のリードの一方とを接続する前記ボンディングワイヤ
の数が複数本であることを特徴とする請求項1から請求
項4のいずれか1に記載の発光装置。 - 【請求項7】 前記反射鏡が、前記リードと同じ材質で
形成されていることを特徴とする請求項1から請求項6
のいずれか1に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18770396A JP3238326B2 (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18770396A JP3238326B2 (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1032351A JPH1032351A (ja) | 1998-02-03 |
JP3238326B2 true JP3238326B2 (ja) | 2001-12-10 |
Family
ID=16210691
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18770396A Expired - Fee Related JP3238326B2 (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3238326B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011142097A1 (ja) | 2010-05-13 | 2011-11-17 | パナソニック株式会社 | 実装用基板及びその製造方法、発光モジュール並びに照明装置 |
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---|---|---|---|---|
JP3785820B2 (ja) | 1998-08-03 | 2006-06-14 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP2002141556A (ja) | 2000-09-12 | 2002-05-17 | Lumileds Lighting Us Llc | 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード |
JP2002124705A (ja) * | 2000-10-17 | 2002-04-26 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオードとその製造方法 |
AU2003266938A1 (en) * | 2002-09-30 | 2004-04-19 | Thanner Development A/S | Marking light device for life preservers and survival crafts |
JP2004158557A (ja) * | 2002-11-05 | 2004-06-03 | Shurai Kagi Kofun Yugenkoshi | 類似フリップチップ型の発光ダイオード装置パッケージ |
CN100454588C (zh) * | 2003-11-06 | 2009-01-21 | 夏普株式会社 | 光学器件外壳结构 |
JP2005159296A (ja) | 2003-11-06 | 2005-06-16 | Sharp Corp | オプトデバイスのパッケージ構造 |
JP2007311626A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Fujikura Ltd | 光源装置 |
JP5067631B2 (ja) * | 2008-09-22 | 2012-11-07 | 東芝ライテック株式会社 | 照明装置 |
DE102016106270A1 (de) * | 2016-04-06 | 2017-10-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Herstellung eines halbleiterbauelements |
CN111699552B (zh) * | 2018-02-08 | 2023-08-15 | 株式会社村田制作所 | 高频模块 |
US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
-
1996
- 1996-07-17 JP JP18770396A patent/JP3238326B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2011142097A1 (ja) | 2010-05-13 | 2011-11-17 | パナソニック株式会社 | 実装用基板及びその製造方法、発光モジュール並びに照明装置 |
EP2804227A1 (en) | 2010-05-13 | 2014-11-19 | Panasonic Corporation | Mounting substrate and manufacturing method thereof, light-emitting module and illumination device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1032351A (ja) | 1998-02-03 |
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