JP3234677B2 - ラテラル型フォトトライアック - Google Patents
ラテラル型フォトトライアックInfo
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 64
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 18
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
- H01L29/747—Bidirectional devices, e.g. triacs
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、転流特性の向上、高耐
圧化および高品質化を達成したラテラル型フォトトライ
アックに関するものである。
圧化および高品質化を達成したラテラル型フォトトライ
アックに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】斯かるこの種のラテラル型フォトトライ
アックは、一部を除去した平面構造を示す図５および図
５のＢ−Ｂ線で切断した断面構造を示す図６のような構
成になっている。即ち、シリコンのＮ型基板（１）の表
面の一方側に、Ｎ型のカソード拡散領域（Ｋ１）とこれ
を包囲するＰ型のＰゲート拡散領域（Ｐ１）及びこれら
から離間した位置にＰ型のアノード拡散領域（Ａ１）が
形成されている。一方、シリコンのＮ型基板（１）の表
面の他方側に、Ｎ型のカソード拡散領域（Ｋ２）とこれ
を包囲するＰ型のＰゲート拡散領域（Ｐ２）及びこれら
から離間した位置にＰ型のアノード拡散領域（Ａ１）
が、一方側とは対称位置に配して形成されている。
アックは、一部を除去した平面構造を示す図５および図
５のＢ−Ｂ線で切断した断面構造を示す図６のような構
成になっている。即ち、シリコンのＮ型基板（１）の表
面の一方側に、Ｎ型のカソード拡散領域（Ｋ１）とこれ
を包囲するＰ型のＰゲート拡散領域（Ｐ１）及びこれら
から離間した位置にＰ型のアノード拡散領域（Ａ１）が
形成されている。一方、シリコンのＮ型基板（１）の表
面の他方側に、Ｎ型のカソード拡散領域（Ｋ２）とこれ
を包囲するＰ型のＰゲート拡散領域（Ｐ２）及びこれら
から離間した位置にＰ型のアノード拡散領域（Ａ１）
が、一方側とは対称位置に配して形成されている。
【０００３】そして、端子（Ｔ１）がＡｌ電極兼Ａｌ配
線（７）を通じアノード拡散領域（Ａ１）とカソード拡
散領域（Ｋ２）に接続され、端子（Ｔ２）がＡｌ電極兼
Ａｌ配線（７）を通じアノード拡散領域（Ａ２）とカソ
ード拡散領域（Ｋ１）に接続されている。各アノード拡
散領域（Ａ１），（Ａ２）にはゲート抵抗（Ｒ１），
（Ｒ２）が延設され、Ｎ型基板（１）の表面周端にチャ
ンネルストッパー（３）形成されている。また、Ｎ型基
板（１）の裏面には、、カソード拡散領域（Ｋ１），
（Ｋ２）と同時に形成される同じ濃度のＮ型拡散領域
（２）が、全面にわたり形成されている。カソード拡散
領域（Ｋ１），（Ｋ２）及びＮ型拡散領域（２）の表面
濃度は５×１０20ｃｍ-3以上で、Ｎ型基板（１）の濃度
は、一般に１０ 13〜１０15ｃｍ-3である。このＮ型基板
（１）の裏面にＮ型拡散領域（２）を形成する目的は、
フォトダイオードとしての光感度ＩPDを向上させ、フォ
トトライアックの点弧のための光感度を向上させるため
である。
線（７）を通じアノード拡散領域（Ａ１）とカソード拡
散領域（Ｋ２）に接続され、端子（Ｔ２）がＡｌ電極兼
Ａｌ配線（７）を通じアノード拡散領域（Ａ２）とカソ
ード拡散領域（Ｋ１）に接続されている。各アノード拡
散領域（Ａ１），（Ａ２）にはゲート抵抗（Ｒ１），
（Ｒ２）が延設され、Ｎ型基板（１）の表面周端にチャ
ンネルストッパー（３）形成されている。また、Ｎ型基
板（１）の裏面には、、カソード拡散領域（Ｋ１），
（Ｋ２）と同時に形成される同じ濃度のＮ型拡散領域
（２）が、全面にわたり形成されている。カソード拡散
領域（Ｋ１），（Ｋ２）及びＮ型拡散領域（２）の表面
濃度は５×１０20ｃｍ-3以上で、Ｎ型基板（１）の濃度
は、一般に１０ 13〜１０15ｃｍ-3である。このＮ型基板
（１）の裏面にＮ型拡散領域（２）を形成する目的は、
フォトダイオードとしての光感度ＩPDを向上させ、フォ
トトライアックの点弧のための光感度を向上させるため
である。
【０００４】この理由は、Ｎ型基板（１）の裏面に高濃
度のＮ型拡散領域（２）即ちＮ+ 層を形成すると、Ｎ型
基板（１）の少数キャリアのライフタイムが大きくなる
ためである。つまり、このＮ+ 層が無いと、少数キャリ
アがＮ型基板（１）の裏面で再結合し易いが、Ｎ+ 層が
あると反射するため、等価的ライフタイムが大きくな
る。従って光感度ＩPDも大きくなる。これは一般にＢＳ
Ｆ効果と呼称されている。また、パシベーション膜とし
てシリコン酸化膜（４）を使用し、且つＡｌオーバレイ
構造により約６００Ｖの耐圧を得ている。尚、各図の破
線矢印は第１及び第２のチャンネルｃｈ１，ｃｈ２の電
流の流れを示している。
度のＮ型拡散領域（２）即ちＮ+ 層を形成すると、Ｎ型
基板（１）の少数キャリアのライフタイムが大きくなる
ためである。つまり、このＮ+ 層が無いと、少数キャリ
アがＮ型基板（１）の裏面で再結合し易いが、Ｎ+ 層が
あると反射するため、等価的ライフタイムが大きくな
る。従って光感度ＩPDも大きくなる。これは一般にＢＳ
Ｆ効果と呼称されている。また、パシベーション膜とし
てシリコン酸化膜（４）を使用し、且つＡｌオーバレイ
構造により約６００Ｖの耐圧を得ている。尚、各図の破
線矢印は第１及び第２のチャンネルｃｈ１，ｃｈ２の電
流の流れを示している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】然し乍ら、従来のラテ
ラル型フォトトライアックには以下のような主として二
つの問題がある。先ず、第１の問題として、従来構造に
は正孔のライフタイムが長いことに起因して転流特性が
悪いという欠点がある。例えば、アノード拡散領域（Ａ
１）、Ｎ型基板（１）、Ｐゲート拡散領域（Ｐ１）、カ
ソード拡散領域（Ｋ１）からなる第１のチャンネルｃｈ
１が導通していた交流の半サイクル後、アノード拡散領
域（Ｋ２）、Ｎ型基板（１）、Ｐゲート拡散領域（Ｐ
２）およびカソード拡散領域（Ｋ２）からなる第２のチ
ャンネルｃｈ２に印加される電圧の立ち上がりが急な場
合、光の入射がない場合でも、余剰の正孔によって第２
のチャンネルｃｈ２が導通してしまう。
ラル型フォトトライアックには以下のような主として二
つの問題がある。先ず、第１の問題として、従来構造に
は正孔のライフタイムが長いことに起因して転流特性が
悪いという欠点がある。例えば、アノード拡散領域（Ａ
１）、Ｎ型基板（１）、Ｐゲート拡散領域（Ｐ１）、カ
ソード拡散領域（Ｋ１）からなる第１のチャンネルｃｈ
１が導通していた交流の半サイクル後、アノード拡散領
域（Ｋ２）、Ｎ型基板（１）、Ｐゲート拡散領域（Ｐ
２）およびカソード拡散領域（Ｋ２）からなる第２のチ
ャンネルｃｈ２に印加される電圧の立ち上がりが急な場
合、光の入射がない場合でも、余剰の正孔によって第２
のチャンネルｃｈ２が導通してしまう。
【０００６】尚、仮にＮ型基板（１）の裏面のＮ型拡散
領域（２）を除外すると、前述のＢＳＦ効果が無いこと
から転流特性が向上する反面、フォトダイオードの光感
度が低下する欠点が生じ、この双方の特性を共に向上さ
せることができない。
領域（２）を除外すると、前述のＢＳＦ効果が無いこと
から転流特性が向上する反面、フォトダイオードの光感
度が低下する欠点が生じ、この双方の特性を共に向上さ
せることができない。
【０００７】次に、第２の問題として、従来では、高耐
圧化を得ることを目的としてパシベーション膜としてシ
リコン酸化膜（４）を使用し、且つＡｌオーバレイ構造
にする手段を採用しているが、当該トライアックをアッ
センブリした製品を長期間使用している際に、パッケー
ジのモールド樹脂等がエージング等により正に帯電する
と、耐圧が上昇し、この耐圧が上昇すること自体は特に
問題はないが、参考のために示した図４のように、破線
で図示する空乏層が延びる先にピンホール等による異常
拡散（ＡＫ）が存在すると、前述の外部電荷の影響でパ
ンチスルーして耐圧劣化を起こし、信頼性上の不良が発
生する。
圧化を得ることを目的としてパシベーション膜としてシ
リコン酸化膜（４）を使用し、且つＡｌオーバレイ構造
にする手段を採用しているが、当該トライアックをアッ
センブリした製品を長期間使用している際に、パッケー
ジのモールド樹脂等がエージング等により正に帯電する
と、耐圧が上昇し、この耐圧が上昇すること自体は特に
問題はないが、参考のために示した図４のように、破線
で図示する空乏層が延びる先にピンホール等による異常
拡散（ＡＫ）が存在すると、前述の外部電荷の影響でパ
ンチスルーして耐圧劣化を起こし、信頼性上の不良が発
生する。
【０００８】そこで本発明は、転流特性の向上、高耐圧
化および高品質化を達成したラテラル型フォトトライア
ックを提供することを技術的課題とするものである。
化および高品質化を達成したラテラル型フォトトライア
ックを提供することを技術的課題とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記した各課
題を達成するための技術的手段として、ラテラル型フォ
トトライアックを次のように構成した。即ち、プレーナ
型の半導体チップであるラテラル型フォトトライアック
において、各Ｐゲート拡散領域とこれらに対しそれぞれ
他方側の各アノード拡散領域とを各々組み合わせた各箇
所の周囲に、リング状のＰ型拡散領域がそれぞれ形成さ
れ、各Ｐゲート拡散領域と基板との接合部である主接合
部から前記Ｐ型拡散領域の内側までのチップ表面に、第
１のシリコン酸化膜と酸素ドープ多結晶シリコン膜から
なるパシベーション膜が連続的に配設されているととも
に、前記Ｐ型拡散領域の外側のチップ表面に、前記酸素
ドープ多結晶シリコン膜と第２のシリコン酸化膜からな
るパシベーション膜が連続的に配設されていることを特
徴として構成されている。
題を達成するための技術的手段として、ラテラル型フォ
トトライアックを次のように構成した。即ち、プレーナ
型の半導体チップであるラテラル型フォトトライアック
において、各Ｐゲート拡散領域とこれらに対しそれぞれ
他方側の各アノード拡散領域とを各々組み合わせた各箇
所の周囲に、リング状のＰ型拡散領域がそれぞれ形成さ
れ、各Ｐゲート拡散領域と基板との接合部である主接合
部から前記Ｐ型拡散領域の内側までのチップ表面に、第
１のシリコン酸化膜と酸素ドープ多結晶シリコン膜から
なるパシベーション膜が連続的に配設されているととも
に、前記Ｐ型拡散領域の外側のチップ表面に、前記酸素
ドープ多結晶シリコン膜と第２のシリコン酸化膜からな
るパシベーション膜が連続的に配設されていることを特
徴として構成されている。
【００１０】
【作用】チャンネル間のチップ表面が、酸素ドープ多結
晶シリコン酸化膜とシリコン酸化膜からなるパシベーシ
ョン膜で形成されているため、この領域におけるキャリ
アライフタイムが著しく低下することにより転流特性が
格段に向上する。また、パシベーション膜として使用し
ている酸素ドープ多結晶シリコン膜にリーク電流が流れ
ることにより電荷が蓄積されないため、パッケージのモ
ールド樹脂等の帯電による外部電荷の影響を受けず、長
期間の使用に際しても耐圧が安定して高品質化を図れ
る。
晶シリコン酸化膜とシリコン酸化膜からなるパシベーシ
ョン膜で形成されているため、この領域におけるキャリ
アライフタイムが著しく低下することにより転流特性が
格段に向上する。また、パシベーション膜として使用し
ている酸素ドープ多結晶シリコン膜にリーク電流が流れ
ることにより電荷が蓄積されないため、パッケージのモ
ールド樹脂等の帯電による外部電荷の影響を受けず、長
期間の使用に際しても耐圧が安定して高品質化を図れ
る。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の好適な一実施例について図面
を参照しながら詳述する。図１は本発明の一実施例の一
部を除去した平面構造、図２は図１のＡ−Ａ線で切断し
た断面構造をそれぞれ示し、これらの図において図５お
よび図６と同一若しくは同等のものには同一の符号を付
してその説明を省略する。そして、特徴とする点は、各
Ｐゲート拡散領域（Ｐ1 ），（Ｐ２）とこれらに対しそ
れぞれ他方側の各アノード拡散領域（Ａ２），（Ａ１）
とを各々組み合わせた各箇所の周囲に、リング状のＰ型
拡散領域（Ｐ３），（Ｐ４）がそれぞれ形成され、各Ｐ
ゲート拡散領域（Ｐ1 ），（Ｐ２）とＮ型基板１との接
合部である主接合部（８）から各Ｐ型拡散領域（Ｐ
３），（Ｐ４）の内側までのチップ表面に、第１のシリ
コン酸化膜（４ａ）と酸素ドープ多結晶シリコン膜
（５）からなるパシベーション膜が連続的に配設されて
いるとともに、各Ｐ型拡散領域（Ｐ３），（Ｐ４）の外
側のチップ表面に、前記酸素ドープ多結晶シリコン膜
（５）と第２のシリコン酸化膜（４ｂ）からなるパシベ
ーション膜が連続的に配設された構成である。
を参照しながら詳述する。図１は本発明の一実施例の一
部を除去した平面構造、図２は図１のＡ−Ａ線で切断し
た断面構造をそれぞれ示し、これらの図において図５お
よび図６と同一若しくは同等のものには同一の符号を付
してその説明を省略する。そして、特徴とする点は、各
Ｐゲート拡散領域（Ｐ1 ），（Ｐ２）とこれらに対しそ
れぞれ他方側の各アノード拡散領域（Ａ２），（Ａ１）
とを各々組み合わせた各箇所の周囲に、リング状のＰ型
拡散領域（Ｐ３），（Ｐ４）がそれぞれ形成され、各Ｐ
ゲート拡散領域（Ｐ1 ），（Ｐ２）とＮ型基板１との接
合部である主接合部（８）から各Ｐ型拡散領域（Ｐ
３），（Ｐ４）の内側までのチップ表面に、第１のシリ
コン酸化膜（４ａ）と酸素ドープ多結晶シリコン膜
（５）からなるパシベーション膜が連続的に配設されて
いるとともに、各Ｐ型拡散領域（Ｐ３），（Ｐ４）の外
側のチップ表面に、前記酸素ドープ多結晶シリコン膜
（５）と第２のシリコン酸化膜（４ｂ）からなるパシベ
ーション膜が連続的に配設された構成である。
【００１２】次に、この実施例の構成をその製造手順に
基づいて説明する。Ｎ型基板（１）の表面に、アノード
拡散領域（Ａ１），（Ａ２）と、Ｐゲート拡散領域（Ｐ
１），（Ｐ２）と、リング状のＰ型拡散領域（Ｐ３），
（Ｐ４）とを、ボロンを不純物として同時に形成する。
基づいて説明する。Ｎ型基板（１）の表面に、アノード
拡散領域（Ａ１），（Ａ２）と、Ｐゲート拡散領域（Ｐ
１），（Ｐ２）と、リング状のＰ型拡散領域（Ｐ３），
（Ｐ４）とを、ボロンを不純物として同時に形成する。
【００１３】続いて、ゲート抵抗（Ｒ１），（Ｒ２）
を、ボロンを不純物として形成した後に、Ｐゲート拡散
領域（Ｐ１），（Ｐ２）の各々の表面の一部、チップ周
囲およびＮ型基板（１）の裏面にそれぞれ、カソード拡
散領域（Ｋ１），（Ｋ２）、チャンネルストッパー
（３）およびＮ型拡散領域（２）を同時に形成する。次
に、上述の各部分の上に第１のシリコン酸化膜（４ａ）
を形成した後に、この第１のシリコン酸化膜（４ａ）に
おけるチャンネル間およびフィールド部分をエッチング
し、そのエッチング部分に、酸素ドープ多結晶シリコン
膜（５）と、シリコンナイトライド膜（６）と、ノンド
ープＣ．Ｖ．Ｄ法による第２のシリコン酸化膜（４ｂ）
とを順次形成する。尚、シリコンナイトライド膜（６）
は耐湿性の向上を目的として形成されている。Ａｌ電極
兼Ａｌ配線（７）は、Ｎ型基板（１）の表面に蒸着され
たＡｌ膜を選択エッチングして形成する。
を、ボロンを不純物として形成した後に、Ｐゲート拡散
領域（Ｐ１），（Ｐ２）の各々の表面の一部、チップ周
囲およびＮ型基板（１）の裏面にそれぞれ、カソード拡
散領域（Ｋ１），（Ｋ２）、チャンネルストッパー
（３）およびＮ型拡散領域（２）を同時に形成する。次
に、上述の各部分の上に第１のシリコン酸化膜（４ａ）
を形成した後に、この第１のシリコン酸化膜（４ａ）に
おけるチャンネル間およびフィールド部分をエッチング
し、そのエッチング部分に、酸素ドープ多結晶シリコン
膜（５）と、シリコンナイトライド膜（６）と、ノンド
ープＣ．Ｖ．Ｄ法による第２のシリコン酸化膜（４ｂ）
とを順次形成する。尚、シリコンナイトライド膜（６）
は耐湿性の向上を目的として形成されている。Ａｌ電極
兼Ａｌ配線（７）は、Ｎ型基板（１）の表面に蒸着され
たＡｌ膜を選択エッチングして形成する。
【００１４】上述のＮ型基板（１）の不純物濃度は、１
０13〜１０15ｃｍ3 のものを使用する。酸素ドープ多結
晶シリコン膜（５）は、酸素濃度が１０〜４０％で、厚
さを１０００〜１００００Åとし、また、シリコンナイ
トライド膜（６）は厚さを１０００〜５０００Åとし、
何れも気相成長法により形成する。
０13〜１０15ｃｍ3 のものを使用する。酸素ドープ多結
晶シリコン膜（５）は、酸素濃度が１０〜４０％で、厚
さを１０００〜１００００Åとし、また、シリコンナイ
トライド膜（６）は厚さを１０００〜５０００Åとし、
何れも気相成長法により形成する。
【００１５】この実施例のフォトトライアックは、チャ
ンネル間のチップ表面が、酸素ドープ多結晶シリコン酸
化膜（５）と第２のシリコン酸化膜（４ｂ）からなるパ
シベーション膜で形成されているため、この領域におけ
るキャリアライフタイムが、ラテラルｈFEの値で約１桁
程度と著しく低下し、従って転流特性が格段に向上す
る。尚、この実施例において、主接合部（８）からリン
グ状のＰ型拡散領域（Ｐ３），（Ｐ４）までのチップ表
面を第１のシリコン酸化膜（４ａ）と酸素ドープ多結晶
シリコン膜（５）で形成している理由は、アノードとカ
ソード間に順バイアスが印加されたオフ状態時に、Ｐゲ
ート拡散領域（Ｐ１），（Ｐ２）とＮ型基板（１）から
なるＰＮ接合部には、表面の酸素ドープ多結晶シリコン
膜（５）を通過するオーミック電流と表面準位による生
成電流が無視できない程度に発生し、このリーク電流
（１０μＡ程度）が１００℃前後の高温環境下でＰＮＰ
Ｎ構造の正帰還作用による自己暴走に至って誤動作する
のを防止する目的で、前述のパシベーション膜構造とし
て生成電流を低減させるためである。尚、オーミック電
流の発生は問題とならない程度のオーダである。
ンネル間のチップ表面が、酸素ドープ多結晶シリコン酸
化膜（５）と第２のシリコン酸化膜（４ｂ）からなるパ
シベーション膜で形成されているため、この領域におけ
るキャリアライフタイムが、ラテラルｈFEの値で約１桁
程度と著しく低下し、従って転流特性が格段に向上す
る。尚、この実施例において、主接合部（８）からリン
グ状のＰ型拡散領域（Ｐ３），（Ｐ４）までのチップ表
面を第１のシリコン酸化膜（４ａ）と酸素ドープ多結晶
シリコン膜（５）で形成している理由は、アノードとカ
ソード間に順バイアスが印加されたオフ状態時に、Ｐゲ
ート拡散領域（Ｐ１），（Ｐ２）とＮ型基板（１）から
なるＰＮ接合部には、表面の酸素ドープ多結晶シリコン
膜（５）を通過するオーミック電流と表面準位による生
成電流が無視できない程度に発生し、このリーク電流
（１０μＡ程度）が１００℃前後の高温環境下でＰＮＰ
Ｎ構造の正帰還作用による自己暴走に至って誤動作する
のを防止する目的で、前述のパシベーション膜構造とし
て生成電流を低減させるためである。尚、オーミック電
流の発生は問題とならない程度のオーダである。
【００１６】また、パシベーション膜として使用してい
る酸素ドープ多結晶シリコン膜（５）にリーク電流が流
れることにより電荷が蓄積されないため、パッケージの
モールド樹脂の帯電等による外部電荷の影響を受けず、
製品組み込み後の長期間使用の際のエージングで耐圧が
変化しない。そのため、耐圧テストで良品と判定された
ものは、参考のために示した図３に示すように、仮にピ
ンホール等による異常拡散（ＡＫ）がフィールド部に存
在しても耐圧変動しないため、空乏層が安定して長期間
の使用で耐圧劣化する信頼性上の不良は発生しない。即
ち、耐圧が安定化して高品質化を図れる。更に、このよ
うなパシベーション膜の構造により、８００Ｖ以上の高
耐圧化も可能となる。
る酸素ドープ多結晶シリコン膜（５）にリーク電流が流
れることにより電荷が蓄積されないため、パッケージの
モールド樹脂の帯電等による外部電荷の影響を受けず、
製品組み込み後の長期間使用の際のエージングで耐圧が
変化しない。そのため、耐圧テストで良品と判定された
ものは、参考のために示した図３に示すように、仮にピ
ンホール等による異常拡散（ＡＫ）がフィールド部に存
在しても耐圧変動しないため、空乏層が安定して長期間
の使用で耐圧劣化する信頼性上の不良は発生しない。即
ち、耐圧が安定化して高品質化を図れる。更に、このよ
うなパシベーション膜の構造により、８００Ｖ以上の高
耐圧化も可能となる。
【００１７】
【発明の効果】以上のように本発明のラテラル型フォト
トライアックによると、各Ｐゲート拡散領域とこれらに
対しそれぞれ他方側の各アノード拡散領域とを各々組み
合わせた各箇所の周囲に、リング状のＰ型拡散領域がそ
れぞれ形成され、各Ｐゲート拡散領域と基板との接合部
である主接合部から前記Ｐ型拡散領域の内側までのチッ
プ表面に、第１のシリコン酸化膜と酸素ドープ多結晶シ
リコン膜からなるパシベーション膜が連続的に配設され
ているとともに、前記Ｐ型拡散領域の外側のチップ表面
に、前記酸素ドープ多結晶シリコン膜と第２のシリコン
酸化膜からなるパシベーション膜が連続的に配設された
構成としたので、チャンネル間のチップ表面が、酸素ド
ープ多結晶シリコン酸化膜とシリコン酸化膜からなるパ
シベーション膜で形成されているため、この領域におけ
るキャリアライフタイムが著しく低下して転流特性が格
段に向上する。
トライアックによると、各Ｐゲート拡散領域とこれらに
対しそれぞれ他方側の各アノード拡散領域とを各々組み
合わせた各箇所の周囲に、リング状のＰ型拡散領域がそ
れぞれ形成され、各Ｐゲート拡散領域と基板との接合部
である主接合部から前記Ｐ型拡散領域の内側までのチッ
プ表面に、第１のシリコン酸化膜と酸素ドープ多結晶シ
リコン膜からなるパシベーション膜が連続的に配設され
ているとともに、前記Ｐ型拡散領域の外側のチップ表面
に、前記酸素ドープ多結晶シリコン膜と第２のシリコン
酸化膜からなるパシベーション膜が連続的に配設された
構成としたので、チャンネル間のチップ表面が、酸素ド
ープ多結晶シリコン酸化膜とシリコン酸化膜からなるパ
シベーション膜で形成されているため、この領域におけ
るキャリアライフタイムが著しく低下して転流特性が格
段に向上する。
【００１８】また、パシベーション膜として使用してい
る酸素ドープ多結晶シリコン膜にリーク電流が流れるこ
とにより電荷が蓄積されないため、パッケージのモール
ド樹脂の帯電等による外部電荷の影響を受けず、耐圧が
安定化して高品質化を図れるとともに高耐圧化を達成で
きる。
る酸素ドープ多結晶シリコン膜にリーク電流が流れるこ
とにより電荷が蓄積されないため、パッケージのモール
ド樹脂の帯電等による外部電荷の影響を受けず、耐圧が
安定化して高品質化を図れるとともに高耐圧化を達成で
きる。
【図１】本発明の一実施例の一部除去した概略平面図で
ある。
ある。
【図２】図１のＡ−Ａ線切断概略断面図である。
【図３】同上、耐圧安定化を説明するための参考図であ
る。
る。
【図４】従来のフォトトライアックの耐圧不安定を説明
するための参考図である。
するための参考図である。
【図５】従来のフォトトライアックの一部除去した概略
平面図である。
平面図である。
【図６】図６のＢ−Ｂ線切断概略断面図である。
Ｐ１，Ｐ２ Ｐゲート拡散領域 Ａ１，Ａ２ アノード拡散領域 Ｐ３，Ｐ４ リング状のＰ型拡散領域４ａ 第１のシリコン酸化膜 ４ｂ 第２のシリコン酸化膜 ５ 酸素ドープ多結晶シリコン膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−304675（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−72564（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−22173（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−162570（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−249370（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−291563（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−222172（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 29/747 H01L 29/74
Claims (1)
- 【請求項１】 プレーナ型の半導体チップであるラテラ
ル型フォトトライアックにおいて、各Ｐゲート拡散領域
とこれらに対しそれぞれ他方側の各アノード拡散領域と
を各々組み合わせた各箇所の周囲に、リング状のＰ型拡
散領域がそれぞれ形成され、各Ｐゲート拡散領域と基板
との接合部である主接合部から前記Ｐ型拡散領域の内側
までのチップ表面に、第１のシリコン酸化膜と酸素ドー
プ多結晶シリコン膜からなるパシベーション膜が連続的
に配設されているとともに、前記Ｐ型拡散領域の外側の
チップ表面に、前記酸素ドープ多結晶シリコン膜と第２
のシリコン酸化膜からなるパシベーション膜が連続的に
配設されていることを特徴とするラテラル型フォトトラ
イアック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13589693A JP3234677B2 (ja) | 1993-06-07 | 1993-06-07 | ラテラル型フォトトライアック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13589693A JP3234677B2 (ja) | 1993-06-07 | 1993-06-07 | ラテラル型フォトトライアック |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06350077A JPH06350077A (ja) | 1994-12-22 |
| JP3234677B2 true JP3234677B2 (ja) | 2001-12-04 |
Family
ID=15162352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13589693A Expired - Fee Related JP3234677B2 (ja) | 1993-06-07 | 1993-06-07 | ラテラル型フォトトライアック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3234677B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4065825B2 (ja) | 2002-12-10 | 2008-03-26 | シャープ株式会社 | 双方向フォトサイリスタチップ、光点弧カプラ、および、ソリッドステートリレー |
| JP4065772B2 (ja) | 2002-12-18 | 2008-03-26 | シャープ株式会社 | 双方向フォトサイリスタチップ |
| JP4855691B2 (ja) * | 2005-02-17 | 2012-01-18 | シャープ株式会社 | 双方向フォトサイリスタチップ |
-
1993
- 1993-06-07 JP JP13589693A patent/JP3234677B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06350077A (ja) | 1994-12-22 |
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