JP3226352B2 - スプリアス周波数の抑制装置及び抑制方法 - Google Patents
スプリアス周波数の抑制装置及び抑制方法Info
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Description
ート送信機のC級コモン・ベース(ベース接地)トラン
ジスタ増幅器に関し、更に詳しくは、送信機からの無線
周波数(RF)パルス出力のスプリアス周波数成分を制
御する装置および方法に関する。
スタ増幅器のスプリアス周波数成分の抑制は、John C.S
cottに対して1990年 5月22日に発行され本発明の譲受人
に譲渡された米国特許第 4928072号に説明されている。
この特許に説明されている回路は、各C級増幅段のエミ
ッタとグランドとの間にコンデンサとシャント・ダイオ
ードとを直列に備えており、パルス立下り時間を遅延さ
せることによって、寄生リンギングに起因するスプリア
ス周波数を除去する。
S周波帯のRF信号の電力段のための構成として最も広
範に用いられている。それは、他(A級、AB級など)
の動作モードよりも効率的であり、それに対応するエミ
ッタ接地よりも高い利得と安定性を与える。例示のC級
ベース接地トランジスタ増幅器は、入力端子としてのエ
ミッタ電極と、出力電極としてのコレクタと、典型的に
はグランドである基準電圧に結合されたベース電極とを
有するNPNトランジスタを含む。この構成において、
コレクタ電極は、エミッタ電極に対して正にバイアスさ
れる。
ように説明されている。入力信号の負の半サイクルの間
に、ベース・エミッタ接合は順方向にバイアスされる。
負の電圧がベース・エミッタ電圧降下を超えた後で、ト
ランジスタが導通して、コレクタ電流を流す。この電流
は、出力信号の負の半サイクルを形成する。入力信号の
正の半サイクルの間には、ベース・エミッタ接合は逆方
向にバイアスされ、トランジスタはオフになる。この時
間の間に、トランジスタのコレクタ回路に蓄積されたエ
ネルギは負荷において消費され、出力信号の正の半サイ
クルを形成する。トランジスタはRFサイクルの180
度未満で導通となるので、これは非常に効率的な動作モ
ードである。不運にも、またこれは、最悪の出力スペク
トルを生じるモードでもある。
エミッタから流出する電流は、ベース・エミッタ接合の
自己バイアスに起因する小さな直流成分を有する。この
直流成分は、RF信号がトランジスタ入力に存在すると
きは常にエミッタ・バイアス・リターンを通ってグラン
ドに流れる。エミッタ・バイアス・リターンは一定量の
固有(inherent)インダクタンスを有している
ので、RFパルスの間にエネルギが蓄積される。RFパ
ルスの終わりで、このエネルギは、トランジスタの入力
端子において放電する。この誘導放電はトランジスタの
ベース領域に正孔を射出し、それによってトランジスタ
を、トランジスタのインダクタンスと入力寄生とに関し
て一定の時間によって決定される期間中導通状態に保
つ。
アスされているので、存在する任意の正帰還経路が許容
され、スプリアス振動またはリンギングを生じる。この
振動が、出力スペクトルに、スプリアス周波数成分とし
て現れる。この周波数成分は、図5で示されるように、
出力スペクトル・プロファイルの縁における比較的幅の
広いピークとして現れる。この成分の多くの振幅は、示
されるように、典型的には高出力レーダ送信機での使用
のために通常指定される許容レベルを超える可能性があ
る。一例として、今日用いられているほとんどの高出力
レーダ・システムは、すべてのスプリアス成分が、1k
Hzの帯域幅における搬送波(キャリア)の周波数振幅
(dBc)よりも70〜90dB下であることを要求す
る。
ト送信機は、出力段において、数百または数千のC級ト
ランジスタ増幅器を使用しており、それにより、数百数
千のScott のスプリアス周波数抑制回路を必要としてい
る。その結果として、レーダ・システムの大きさ、重
量、電力、コスト、信頼性などに影響を与えるかなりの
付加的な電子装置が要求される。
目的は、レーダ・システムにおける送信機などの送信装
置の増幅手段において発生するスプリアス周波数を抑制
することである。
子的ハードウェアを用いて、スプリアス周波数を抑制す
ることである。
たRFパルスの立下り時間を制御することによりスプリ
アス周波数を抑制することである。
RFパルスを増幅する手段と、RFパルスのソースとR
Fパルスの増幅手段との間に結合され増幅手段において
発生するスプリアス周波数を抑制する手段とを含む組み
合わせによって、これらの目的及びその他の目的が解決
される。スプリアス周波数抑制手段は、更に、RFパル
スの立下り時間を制御する手段を備える。
ートは出力ポートである4つのポートを有する方向性結
合器を備え、この方向性結合器の入力ポートにはRF入
力パルスが与えられ、また、この方向性結合器の第3の
ポートと第4のポートに結合し制御信号に従ってRF入
力パルスを減衰する手段と、その減衰手段に結合し制御
信号を発生する手段とを備えるスプリアス周波数抑制装
置によって、これらの目的は更に達成される。方向性結
合器は、3dB、90゜のハイブリッドを含む。減衰手
段は、制御信号に従ってRF入力パルスの減衰量を制御
するPINダイオード・ネットワーク手段を備える。P
INダイオード・ネットワーク手段は、制御信号に従っ
てRF入力パルスの立下り時間を変化させる。制御信号
発生手段は、PINダイオード・ネットワーク手段にバ
イアス電流を発生するパルス形成手段を備える。パルス
形成(整形)手段は、プリトリガ入力信号に応答してト
リガ信号のパルス幅を調整する手段と、その調整手段に
結合して電圧傾斜信号を発生する手段と、その電圧傾斜
信号発生手段に結合してPINダイオード・ネットワー
ク手段にバイアス電流を発生する手段とを備える。
るステップと、RFパルスを増幅手段で増幅するステッ
プと、その増幅手段で発生するスプリアス周波数をRF
パルスのソースと増幅手段との間に抑制手段を結合する
ことによって抑制するステップとから成る送信機におけ
るスプリアス周波数を抑制する方法によって達成され
る。スプリアス周波数を抑制するステップは、RFパル
スの立下り時間を制御するステップを含む。
あり第2のポートは出力ポートである4つのポートを有
する方向性結合器にRF入力パルスを与えるステップ
と、方向性結合器の第3及び第4のポートに結合した手
段によって制御信号に従いRF入力パルスを減衰するス
テップと、その減衰手段に結合した手段によって制御信
号を発生するステップとから成るスプリアス周波数を抑
制する方法によって達成される。RF入力パルスを減衰
するステップは、制御信号に従ってRF入力パルスの減
衰量を制御するPINダイオード・ネットワーク手段を
提供するステップを含む。減衰量を制御するPINダイ
オード・ネットワーク手段を提供するステップは、制御
信号に従ってRF入力パルスの立下り時間を変化させる
ステップを更に含む。制御信号を発生するステップは、
PINダイオード・ネットワーク手段にバイアス電流を
発生するパルス形成手段を用いるステップを含む。パル
ス形成手段によってバイアス電流を発生するステップ
は、プリトリガ入力信号に応答してトリガ信号のパルス
幅を調整するステップと、トリガ信号に応答して電圧傾
斜信号を発生するステップと、その電圧傾斜信号発生手
段に結合した電流ソース手段によってPINダイオード
・ネットワーク手段にバイアス電流を発生するステップ
とを含む。
波数抑制器10と、ドライバ増幅段11とから構成され
る送信機7の簡略化されたブロック図が示されている。
無線周波数(RFi)信号がRFiを増幅するプリドライ
バ8に供給され、プリドライバの出力であるRFIN
が、制御されたRFOUT信号を発生するスプリアス周
波数抑制器10に供給される。RFOUT信号は、ドラ
イバ増幅段11に供給され、そこでスプリアス・スペク
トルが発生する。しかし、送信機7のフロントエンドに
位置するスプリアス周波数抑制器10は、RF波形を制
御して、ドライバ増幅段11におけるスプリアス・スペ
クトルの発生を防止する。
るソリッドステート送信機7のC級増幅器で典型的には
発生するスプリアス周波数を抑制または制御するスプリ
アス周波数抑制器10の回路図が示されている。スプリ
アス周波数の抑制は、ドライバ増幅段11に供給される
RFパルス(RFOUT)の立下り時間を制御すること
で達成される。スプリアス周波数抑制器10は、PIN
ダイオード・バイアス電流(IBIAS)を発生するパルス
形成(整形)器12を有する。PINダイオード・バイ
アス電流(IBIAS)は、RFセクション23の回路内の
PINダイオード34、36に供給される。PINダイ
オード34、36を通るバイアス電流を制御することで
RF減衰が制御され、RFパルスの形状は、PINダイ
オード・バイアス電流(IBIAS)によって直接に制御さ
れる。
34、36にシャント接続した直角ハイブリッド整合減
衰器である。それは、ポート1、2、3、4を有する3
dB、90゜のハイブリッドを含んでいる。ポート3、
4は、直流ブロック(阻止)・コンデンサC1 26お
よびC2 28をそれぞれ介して、シャント接続された
PINダイオードD1 34およびD2 36に結合され
ている。直列のインダクタL1 30およびL2 32
は、RFをバイアス信号入力(IBIAS)から分離させて
おり、C1 26とD1 34およびC2 28とD2 3
6のそれぞれの接続点の間に接続されている。PINダ
イオード・バイアス電流(IBIAS)がL1とL2との接
続点においてRFセクション23に供給される。コンデ
ンサC3 38が、 L1とL2とのIBIAS接続点に接続
され、直列ライン上のRF信号をフィルタする。負荷ネ
ットワークZ142は、 D1 34に接続した直流ブロ
ック・コンデンサC4と直列に接続されており、負荷ネ
ットワークZ246は、D236に接続した直流ブロッ
ク・コンデンサC5と直列に接続されている。
ト1において3dB、90゜のハイブリッド24に入力
される。この信号の振幅は、等しく分けられて、ポート
3とポート4とから、ポート4での信号が90゜位相が
遅れて出力される。ダイオードD1 34とD2 36と
は、大きく順方向にバイアスされている場合には、非常
に低い直列抵抗を有し、RSは、ほぼ0Ωであり、短絡
回路のように振る舞う。この短絡状態では、3dB、9
0゜のハイブリッドからのすべてのRF信号は、ダイオ
ードで反射されて、3dB、90゜のハイブリッドのポ
ート3とポート4とに戻る。これら2つの反射した信号
は、位相が進み、ポート2からRFOUT信号として出
力される。ポート1においては、そのような反射した信
号は、180゜位相がずれていて完全に打ち消し合う。
損失の全くない相反システムの理想的な条件の下では、
RFOUTポートでの信号の電力は、RFINポートの
電力と等しいはずである。ダイオードD1 34とD2
36とが非常に弱い電流でバイアスされているとすれ
ば、たとえば、RS>1000Ωであれば、開放回路と
同等である。この条件では、すべてのRF信号は、負荷
Z142とZ246とで消費される。ダイオードのバイ
アスが変化し、したがってRSが変化する場合には、ダ
イオードは、理想的な短絡回路状態と理想的な開放回路
状態の間で動作する。そのような動作によって、RF信
号のあるパーセンテージが反射することを許容され、他
方で、残存する信号電力は、負荷Z142とZ246と
で消費される。したがって、反射した信号とRFOUT
信号との振幅は、RFIN信号よりも低い。ダイオード
D1、D2への適切なPINダイオード・バイアス電流
(IBIAS)を選択することで、広い範囲の減衰レベルが
可能になる。バイアス電流(IBIAS)の形状を制御する
ことで、結果的にRF信号減衰の方法によるパルス形成
となるRF出力信号(RFOUT)の振幅の制御が可能
となる。
プリトリガ発生器14と、電圧傾斜発生器20と、PI
Nダイオード・バイアス電流(IBIAS)を発生する電圧
制御電流源22とから成る。プリトリガ発生器へのプリ
トリガ入力信号によってPT信号が発生され、その前縁
は、電圧傾斜発生器20を始動させる。電圧傾斜発生器
20からのVRAMP信号は、PINダイオード34、36
にIBIAS信号を発生する電圧制御電流源に結合されてい
る。プリトリガ発生器14内の単安定16は、PINダ
イオード34、36への電流バイアス(IBIAS)パルス
幅を制御する。IBIASの後縁は、結果として、PINダ
イオード34、36の間の直列抵抗(RS)を増加さ
せ、それは減衰を増加させ、RFパルス(RFOUT)
の立下り時間を制御する。スプリアス周波数抑制器10
のRFセクション23は、低い損失状態で(たとえば、
RSが非常に小さい)また有限の抵抗値の間でPINダ
イオード34、36電流制御抵抗特性を使用する。PI
Nダイオード34、36の直列抵抗(RS)の関数とし
ての減衰は、
Z0)-1 dB ただし、Z0=Z1=Z2 表1は、この実施例のRFセクション23のPINダイ
オード34、36に用いられる、米国マサチューセッツ
州バーリントンのM/A−COM社の製造による型番M
A4P604−131などのシャント接続PINダイオ
ードの直列抵抗(RS)と、順方向電流(IBIAS)と、
順方向電圧(Vf)と、減衰(A)との関係を表してい
る。このM/A−COM社のダイオードは、シリコンチ
ップ・ダイオードであり、最大接合キャパシタンスは1
00Vで0.30pFである。そのようなダイオードの
熱抵抗は15゜C/Wである。
クロ秒のノミナル・ウィンドーに亘って100maから
0.3maまで順方向電流ダイオード・バイアスを減少
させ、0dB〜10dBの減衰スロープを与える。これ
により、効果的にRFパルスの立下り時間を2マイクロ
秒ノミナルまで遅らせ、送信機7出力(RF0)におけ
るスプリアス周波数を抑制する。
回路図が示されており、制御電圧IBIASを発生する電流
源を形成するトランジスタ52のベースに結合された増
幅器50を含んでいる。この回路は、当業者には、グラ
ンドされた負荷をドライブすることができるものとして
知られており、その出力は、R2=R4、R1=R3、
R2≧100R5であれば、負荷インピーダンスと独立
である。この条件の下では、
×R5)} この実施例では、IBIAS=50.27ma/Vである。
電圧傾斜発生器20の出力が、4.3Vの場合には、P
INダイオード・バイアス電流(IBIAS)は、典型的に
は、216.2maまたは、各ダイオードにつき10
8.1maである。
ング図が示されている。図1に示したこの実施例の送信
機7において、1マイクロ秒と100マイクロ秒の両方
のRF0出力のパルス幅が、特定のレーダ・システム・
アプリケーションに基づいて送信される。しかし、他の
パルス幅も、レーダ・システムの要求によって等しく適
している。パルス形成器12のプリトリガ発生器14へ
のプリトリガ入力は、送信機7へのRFi入力パルスの
前に9.5マイクロ秒生じて、パルス形成器12の電流
バイアスIBIASタイミングを設定する。送信機7に提供
されるRFi入力パルスは、図4に示されているよう
に、それぞれ、3マイクロ秒と102マイクロ秒であ
る。送信機7へのRFiパルス幅入力は、必要なRF0
出力パルス幅よりも2マイクロ秒長く、それによりスプ
リアス周波数抑制器10は、RFOUTパルスに2マイ
クロ秒の立下り時間を生じる。この遅い立下り時間によ
り、送信機7のRF0出力におけるスプリアス・スペク
トルは除去される。パルス形成器12のPINダイオー
ド・バイアス電流(IBIAS)出力は、PT信号を発生す
るプリトリガ入力の始動によって付勢される。I
BIASは、制御されたパルス幅に対する全振幅まで上昇す
る。電流バイアスIBIASは、そして、2マイクロ秒で直
線的に0mAまで減少する。パルス幅と電流傾斜の勾配
は、プリトリガ発生器14と、電圧傾斜発生器20と、
パルス形成器12の電圧制御電流源22とによって制御
される。パルス幅と電流傾斜の勾配は共に調整可能であ
って、スプリアス周波数抑制器10は、多くの異なった
RFパルス幅で、また、他のシステム・パラメータを用
いた応用で使用できる。スプリアス周波数抑制器10か
らのRFOUTパルスは、2マイクロ秒の遅い立下り時
間と共に、1マイクロ秒と100マイクロ秒とを示す。
PINダイオード・バイアス電流(IBIAS)が減少する
ときには、減衰は増加し、従って、遅い立下り時間を生
じることには注意すべきである。この結果、C級増幅の
いくつかの増幅段の後で送信機7からの消滅していない
RF0出力パルスが生じる。RF0出力パルスは、1マ
イクロ秒と100マイクロ秒の長さであり、立下り時間
は速い。送信機7からのRF0出力パルスは、一周期分
遅れ、この実施例では図4に示したように0.5マイク
ロ秒である。この遅延は、各C級ドライバ増幅段11が
連続してオンして、それに応じてパルス幅は短縮され
て、立上りおよび立下り時間は、Scott 発明(米国特許
第4928072)においてもそうであったように速く
なる。別の送信機での応用実施例では、より多くの縦続
した増幅段があることで、そのような増幅段の縦続した
連鎖内にもう1つのスプリアス周波数抑制器を加えるこ
とが望まれる。
制器10を使用しないレーダ送信機出力RF0の周波数
スペクトルが示されている。スプリアス振動が周波数ス
ペクトルの60dBにおいて、搬送波の周波数振幅より
下に見られる。従来技術の項目で見たように、今日用い
られているほとんどの高出力レーダ・システムでは、す
べてのスプリアス成分は、1kHzの帯域幅の搬送波周
波数振幅より70〜90dB下にあることが要求され
る。図6においては、レーダ送信機出力RF0の周波数
スペクトルが、本発明のスプリアス周波数抑制器10を
備えた送信機7について示されている。このスペクトル
を図5のスペクトルと比較すると、本発明を用いること
で、搬送波の周波数成分すべてが少なくとも搬送波のレ
ベルよりも80dB下になっており、著しい改善が見ら
れる。
し、当業者にとっては、本発明の発明的概念から離れる
ことなく多くの変更や改良が自明であろう。たとえば、
レーダ・システムでの応用のいくつかでは、2つ以上の
スプリアス周波数抑制器10を増幅段の縦続した連鎖に
おいて用いられ得る。従って、本発明の範囲は、特許請
求の範囲によってのみ、限界付けられることが意図され
ている。
の簡略化されたブロック図である。
図と回路図との組み合わせである。
回路図である。
れたレーダ送信機RF0出力の周波数スペクトルであ
る。
用いた場合の、図1に示されたレーダ送信機RF0出力
の周波数スペクトルである。
Claims (21)
- 【請求項1】 RFパルスを提供する手段と、 前記RFパルスを増幅する手段と、 前記RFパルス提供手段と前記RFパルス増幅手段との
間に結合され、前記増幅手段で発生されるスプリアス周
波数を抑制する手段と、 を備えたスプリアス周波数抑制装置であって、前記抑制
手段が、 第1のポートが入力ポートであり第2のポートが出力ポ
ートである4つのポートを有し、前記入力ポートには前
記供給手段から前記RFパルスが与えられる方向性結合
器と、 前記方向性結合器の第3のポートと第4のポートに結合
され制御信号に従って前記RFパルスを減衰させる手段
と、 前記減衰手段に結合され前記制御信号を発生する手段
と、 を備えたスプリアス周波数抑制装置。 - 【請求項2】 前記方向性結合器が、3dB、90°の
ハイブリッドを含む請求項1記載のスプリアス周波数抑
制装置。 - 【請求項3】 前記減衰手段が、前記制御信号に従って
前記RFパルスの減衰量を制御するPINダイオード・ネ
ットワーク手段を備えた請求項1記載のスプリアス周波
数抑制装置。 - 【請求項4】 前記PINダイオード・ネットワーク手
段が、前記制御信号に従って前記RFパルスの立下り時
間を変化させる請求項3記載のスプリアス周波数抑制装
置。 - 【請求項5】 前記制御信号発生手段が、前記PINダ
イオード・ネットワーク手段のためのバイアス電流を発
生するパルス整形手段を備えた請求項3記載のスプリア
ス周波数抑制装置。 - 【請求項6】 前記パルス整形手段が、 プリトリガ入力信号に応答してトリガ信号のパルス幅を
調整する手段と、 前記調整手段に結合され電圧傾斜信号を発生する手段
と、 前記電圧傾斜信号発生手段に結合され前記PINダイオ
ード・ネットワーク手段のための前記バイアス電流を発
生する手段と、 を備えた請求項5記載のスプリアス周波数抑制装置。 - 【請求項7】 第1のポートが入力ポートであり第2の
ポートが出力ポートである4つのポートを有し、前記入
力ポートにはRF入力パルスが与えられる方向性結合器
と、 前記方向性結合器の第3のポートと第4のポートに結合
され制御信号に従って前記RF入力パルスを減衰させる
手段と、 前記減衰手段に結合され前記制御信号を発生する手段
と、 を備えたスプリアス周波数抑制装置。 - 【請求項8】 前記方向性結合器が、3dB、90°の
ハイブリッドを含む請求項7記載のスプリアス周波数抑
制装置。 - 【請求項9】 前記減衰手段が、前記制御信号に従って
前記RF入力パルスの減衰量を制御するPINダイオー
ド・ネットワーク手段を備えた請求項7記載のスプリア
ス周波数抑制装置。 - 【請求項10】 前記PINダイオード・ネットワーク
手段が、前記制御信号に従って前記RF入力パルスの立
下り時間を変化させる請求項9記載のスプリアス周波数
抑制装置。 - 【請求項11】 前記制御信号発生手段が、前記PIN
ダイオード・ネットワーク手段のためのバイアス電流を
発生するパルス整形手段を備えた請求項9記載のスプリ
アス周波数抑制装置。 - 【請求項12】 前記パルス整形手段が、 プリトリガ入力信号に応答してトリガ信号のパルス幅を
調整する手段と、 前記調整手段に結合され電圧傾斜信号を発生する手段
と、 前記電圧傾斜信号発生手段に結合され前記PINダイオ
ード・ネットワーク手段のための前記バイアス電流を発
生する手段と、 を備えた請求項11記載のスプリアス周波数抑制装置。 - 【請求項13】 RFパルス源を提供するステップと、 前記RFパルスを複数の増幅段で増幅するステップと、 前記RFパルス源と前記増幅段との間に抑制手段を結合
することによって、前記増幅段で発生されるスプリアス
周波数を抑制するステップと、 を含む、送信機におけるスプリアス周波数抑制方法であ
って、前記抑制ステップが、 前記RFパルスを、第2のポートが出力ポートである4
ポートの方向性結合器の入力第1ポートに提供するステ
ップと、 前記方向性結合器の第3のポートと第4のポートに結合
された手段によって、制御信号に従い前記RFパルスを
減衰させるステップと、 前記減衰手段に結合された手段によって前記制御信号を
発生するステップと、を含む方法。 - 【請求項14】 前記RFパルスを減衰させる前記ステ
ップが、前記制御信号に従って、前記RFパルスの減衰
量を制御するPINダイオード・ネットワーク手段を提
供するステップを含む請求項13記載の方法。 - 【請求項15】 前記減衰量を制御する前記PINダイ
オード・ネットワーク手段を提供する前記ステップが、
前記制御信号に従って前記RFパルスの立下り時間を変
化させるステップを更に含む請求項14記載の方法。 - 【請求項16】 RF入力パルスを、第1のポートが入
力ポートであり第2のポートが出力ポートである4つの
ポートを有する方向性結合器に提供するステップと、 前記方向性結合器の第3のポートと第4のポートに結合
された手段によって、制御信号に従い前記RF入力パル
スを減衰させるステップと、 前記減衰手段に結合された手段によって前記制御信号を
発生するステップと、を含むスプリアス周波数抑制方
法。 - 【請求項17】 前記方向性結合器が、3dB、90°
のハイブリッドを含む請求項16記載の方法。 - 【請求項18】 前記RF入力パルスを減衰させる前記
ステップが、前記制御信号に従って、前記RF入力パル
スの減衰量を制御するPINダイオード・ネットワーク
手段を提供するステップを含む請求項16記載の方法。 - 【請求項19】 前記減衰量を制御する前記PINダイ
オード・ネットワーク手段を提供する前記ステップが、
前記制御信号に従って前記RF入力パルスの立下り時間
を変化させるステップを更に含む請求項18記載の方
法。 - 【請求項20】 前記制御信号を発生する前記ステップ
が、前記PINダイオード・ネットワーク手段のための
バイアス電流を発生するパルス整形手段を用いるステッ
プを含む請求項18記載の方法。 - 【請求項21】 前記パルス整形手段によって前記バイ
アス電流を発生する前記ステップが、 プリトリガ入力信号に応答してトリガ信号のパルス幅を
調整するステップと、 前記トリガ信号に応答して電圧傾斜信号を発生するステ
ップと、 前記電圧傾斜信号発生手段に結合された電流源手段によ
って、前記PINダイオード・ネットワーク手段のため
の前記バイアス電流を発生するステップと、 を含む請求項20記載の方法。
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