JP3226352B2 - スプリアス周波数の抑制装置及び抑制方法 - Google Patents
スプリアス周波数の抑制装置及び抑制方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般にはソリッドステ
ート送信機のＣ級コモン・ベース（ベース接地）トラン
ジスタ増幅器に関し、更に詳しくは、送信機からの無線
周波数（ＲＦ）パルス出力のスプリアス周波数成分を制
御する装置および方法に関する。
ート送信機のＣ級コモン・ベース（ベース接地）トラン
ジスタ増幅器に関し、更に詳しくは、送信機からの無線
周波数（ＲＦ）パルス出力のスプリアス周波数成分を制
御する装置および方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】縦続接続されたＣ級ベース接地トランジ
スタ増幅器のスプリアス周波数成分の抑制は、John C.S
cottに対して1990年 5月22日に発行され本発明の譲受人
に譲渡された米国特許第 4928072号に説明されている。
この特許に説明されている回路は、各Ｃ級増幅段のエミ
ッタとグランドとの間にコンデンサとシャント・ダイオ
ードとを直列に備えており、パルス立下り時間を遅延さ
せることによって、寄生リンギングに起因するスプリア
ス周波数を除去する。
スタ増幅器のスプリアス周波数成分の抑制は、John C.S
cottに対して1990年 5月22日に発行され本発明の譲受人
に譲渡された米国特許第 4928072号に説明されている。
この特許に説明されている回路は、各Ｃ級増幅段のエミ
ッタとグランドとの間にコンデンサとシャント・ダイオ
ードとを直列に備えており、パルス立下り時間を遅延さ
せることによって、寄生リンギングに起因するスプリア
ス周波数を除去する。
【０００３】Ｃ級ベース接地増幅器は、特にＵＨＦから
Ｓ周波帯のＲＦ信号の電力段のための構成として最も広
範に用いられている。それは、他（Ａ級、ＡＢ級など）
の動作モードよりも効率的であり、それに対応するエミ
ッタ接地よりも高い利得と安定性を与える。例示のＣ級
ベース接地トランジスタ増幅器は、入力端子としてのエ
ミッタ電極と、出力電極としてのコレクタと、典型的に
はグランドである基準電圧に結合されたベース電極とを
有するＮＰＮトランジスタを含む。この構成において、
コレクタ電極は、エミッタ電極に対して正にバイアスさ
れる。
Ｓ周波帯のＲＦ信号の電力段のための構成として最も広
範に用いられている。それは、他（Ａ級、ＡＢ級など）
の動作モードよりも効率的であり、それに対応するエミ
ッタ接地よりも高い利得と安定性を与える。例示のＣ級
ベース接地トランジスタ増幅器は、入力端子としてのエ
ミッタ電極と、出力電極としてのコレクタと、典型的に
はグランドである基準電圧に結合されたベース電極とを
有するＮＰＮトランジスタを含む。この構成において、
コレクタ電極は、エミッタ電極に対して正にバイアスさ
れる。
【０００４】この増幅器の動作は、Scott 特許に以下の
ように説明されている。入力信号の負の半サイクルの間
に、ベース・エミッタ接合は順方向にバイアスされる。
負の電圧がベース・エミッタ電圧降下を超えた後で、ト
ランジスタが導通して、コレクタ電流を流す。この電流
は、出力信号の負の半サイクルを形成する。入力信号の
正の半サイクルの間には、ベース・エミッタ接合は逆方
向にバイアスされ、トランジスタはオフになる。この時
間の間に、トランジスタのコレクタ回路に蓄積されたエ
ネルギは負荷において消費され、出力信号の正の半サイ
クルを形成する。トランジスタはＲＦサイクルの１８０
度未満で導通となるので、これは非常に効率的な動作モ
ードである。不運にも、またこれは、最悪の出力スペク
トルを生じるモードでもある。
ように説明されている。入力信号の負の半サイクルの間
に、ベース・エミッタ接合は順方向にバイアスされる。
負の電圧がベース・エミッタ電圧降下を超えた後で、ト
ランジスタが導通して、コレクタ電流を流す。この電流
は、出力信号の負の半サイクルを形成する。入力信号の
正の半サイクルの間には、ベース・エミッタ接合は逆方
向にバイアスされ、トランジスタはオフになる。この時
間の間に、トランジスタのコレクタ回路に蓄積されたエ
ネルギは負荷において消費され、出力信号の正の半サイ
クルを形成する。トランジスタはＲＦサイクルの１８０
度未満で導通となるので、これは非常に効率的な動作モ
ードである。不運にも、またこれは、最悪の出力スペク
トルを生じるモードでもある。
【０００５】Ｃ級ベース接地増幅器の通常動作の間に、
エミッタから流出する電流は、ベース・エミッタ接合の
自己バイアスに起因する小さな直流成分を有する。この
直流成分は、ＲＦ信号がトランジスタ入力に存在すると
きは常にエミッタ・バイアス・リターンを通ってグラン
ドに流れる。エミッタ・バイアス・リターンは一定量の
固有（ｉｎｈｅｒｅｎｔ）インダクタンスを有している
ので、ＲＦパルスの間にエネルギが蓄積される。ＲＦパ
ルスの終わりで、このエネルギは、トランジスタの入力
端子において放電する。この誘導放電はトランジスタの
ベース領域に正孔を射出し、それによってトランジスタ
を、トランジスタのインダクタンスと入力寄生とに関し
て一定の時間によって決定される期間中導通状態に保
つ。
エミッタから流出する電流は、ベース・エミッタ接合の
自己バイアスに起因する小さな直流成分を有する。この
直流成分は、ＲＦ信号がトランジスタ入力に存在すると
きは常にエミッタ・バイアス・リターンを通ってグラン
ドに流れる。エミッタ・バイアス・リターンは一定量の
固有（ｉｎｈｅｒｅｎｔ）インダクタンスを有している
ので、ＲＦパルスの間にエネルギが蓄積される。ＲＦパ
ルスの終わりで、このエネルギは、トランジスタの入力
端子において放電する。この誘導放電はトランジスタの
ベース領域に正孔を射出し、それによってトランジスタ
を、トランジスタのインダクタンスと入力寄生とに関し
て一定の時間によって決定される期間中導通状態に保
つ。
【０００６】トランジスタは、この過渡期間の間はバイ
アスされているので、存在する任意の正帰還経路が許容
され、スプリアス振動またはリンギングを生じる。この
振動が、出力スペクトルに、スプリアス周波数成分とし
て現れる。この周波数成分は、図５で示されるように、
出力スペクトル・プロファイルの縁における比較的幅の
広いピークとして現れる。この成分の多くの振幅は、示
されるように、典型的には高出力レーダ送信機での使用
のために通常指定される許容レベルを超える可能性があ
る。一例として、今日用いられているほとんどの高出力
レーダ・システムは、すべてのスプリアス成分が、１ｋ
Ｈｚの帯域幅における搬送波（キャリア）の周波数振幅
（ｄＢｃ）よりも７０〜９０ｄＢ下であることを要求す
る。
アスされているので、存在する任意の正帰還経路が許容
され、スプリアス振動またはリンギングを生じる。この
振動が、出力スペクトルに、スプリアス周波数成分とし
て現れる。この周波数成分は、図５で示されるように、
出力スペクトル・プロファイルの縁における比較的幅の
広いピークとして現れる。この成分の多くの振幅は、示
されるように、典型的には高出力レーダ送信機での使用
のために通常指定される許容レベルを超える可能性があ
る。一例として、今日用いられているほとんどの高出力
レーダ・システムは、すべてのスプリアス成分が、１ｋ
Ｈｚの帯域幅における搬送波（キャリア）の周波数振幅
（ｄＢｃ）よりも７０〜９０ｄＢ下であることを要求す
る。
【０００７】高出力レーダ・システムのソリッドステー
ト送信機は、出力段において、数百または数千のＣ級ト
ランジスタ増幅器を使用しており、それにより、数百数
千のScott のスプリアス周波数抑制回路を必要としてい
る。その結果として、レーダ・システムの大きさ、重
量、電力、コスト、信頼性などに影響を与えるかなりの
付加的な電子装置が要求される。
ト送信機は、出力段において、数百または数千のＣ級ト
ランジスタ増幅器を使用しており、それにより、数百数
千のScott のスプリアス周波数抑制回路を必要としてい
る。その結果として、レーダ・システムの大きさ、重
量、電力、コスト、信頼性などに影響を与えるかなりの
付加的な電子装置が要求される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、レーダ・システムにおける送信機などの送信装
置の増幅手段において発生するスプリアス周波数を抑制
することである。
目的は、レーダ・システムにおける送信機などの送信装
置の増幅手段において発生するスプリアス周波数を抑制
することである。
【０００９】また、本発明の目的は、最少の付加的な電
子的ハードウェアを用いて、スプリアス周波数を抑制す
ることである。
子的ハードウェアを用いて、スプリアス周波数を抑制す
ることである。
【００１０】また、本発明の目的は、増幅手段に結合し
たＲＦパルスの立下り時間を制御することによりスプリ
アス周波数を抑制することである。
たＲＦパルスの立下り時間を制御することによりスプリ
アス周波数を抑制することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】ＲＦパルスのソースと、
ＲＦパルスを増幅する手段と、ＲＦパルスのソースとＲ
Ｆパルスの増幅手段との間に結合され増幅手段において
発生するスプリアス周波数を抑制する手段とを含む組み
合わせによって、これらの目的及びその他の目的が解決
される。スプリアス周波数抑制手段は、更に、ＲＦパル
スの立下り時間を制御する手段を備える。
ＲＦパルスを増幅する手段と、ＲＦパルスのソースとＲ
Ｆパルスの増幅手段との間に結合され増幅手段において
発生するスプリアス周波数を抑制する手段とを含む組み
合わせによって、これらの目的及びその他の目的が解決
される。スプリアス周波数抑制手段は、更に、ＲＦパル
スの立下り時間を制御する手段を備える。
【００１２】第１のポートは入力ポートであり第２のポ
ートは出力ポートである４つのポートを有する方向性結
合器を備え、この方向性結合器の入力ポートにはＲＦ入
力パルスが与えられ、また、この方向性結合器の第３の
ポートと第４のポートに結合し制御信号に従ってＲＦ入
力パルスを減衰する手段と、その減衰手段に結合し制御
信号を発生する手段とを備えるスプリアス周波数抑制装
置によって、これらの目的は更に達成される。方向性結
合器は、３ｄＢ、９０゜のハイブリッドを含む。減衰手
段は、制御信号に従ってＲＦ入力パルスの減衰量を制御
するＰＩＮダイオード・ネットワーク手段を備える。Ｐ
ＩＮダイオード・ネットワーク手段は、制御信号に従っ
てＲＦ入力パルスの立下り時間を変化させる。制御信号
発生手段は、ＰＩＮダイオード・ネットワーク手段にバ
イアス電流を発生するパルス形成手段を備える。パルス
形成（整形）手段は、プリトリガ入力信号に応答してト
リガ信号のパルス幅を調整する手段と、その調整手段に
結合して電圧傾斜信号を発生する手段と、その電圧傾斜
信号発生手段に結合してＰＩＮダイオード・ネットワー
ク手段にバイアス電流を発生する手段とを備える。
ートは出力ポートである４つのポートを有する方向性結
合器を備え、この方向性結合器の入力ポートにはＲＦ入
力パルスが与えられ、また、この方向性結合器の第３の
ポートと第４のポートに結合し制御信号に従ってＲＦ入
力パルスを減衰する手段と、その減衰手段に結合し制御
信号を発生する手段とを備えるスプリアス周波数抑制装
置によって、これらの目的は更に達成される。方向性結
合器は、３ｄＢ、９０゜のハイブリッドを含む。減衰手
段は、制御信号に従ってＲＦ入力パルスの減衰量を制御
するＰＩＮダイオード・ネットワーク手段を備える。Ｐ
ＩＮダイオード・ネットワーク手段は、制御信号に従っ
てＲＦ入力パルスの立下り時間を変化させる。制御信号
発生手段は、ＰＩＮダイオード・ネットワーク手段にバ
イアス電流を発生するパルス形成手段を備える。パルス
形成（整形）手段は、プリトリガ入力信号に応答してト
リガ信号のパルス幅を調整する手段と、その調整手段に
結合して電圧傾斜信号を発生する手段と、その電圧傾斜
信号発生手段に結合してＰＩＮダイオード・ネットワー
ク手段にバイアス電流を発生する手段とを備える。
【００１３】更に目的は、ＲＦパルスのソースを提供す
るステップと、ＲＦパルスを増幅手段で増幅するステッ
プと、その増幅手段で発生するスプリアス周波数をＲＦ
パルスのソースと増幅手段との間に抑制手段を結合する
ことによって抑制するステップとから成る送信機におけ
るスプリアス周波数を抑制する方法によって達成され
る。スプリアス周波数を抑制するステップは、ＲＦパル
スの立下り時間を制御するステップを含む。
るステップと、ＲＦパルスを増幅手段で増幅するステッ
プと、その増幅手段で発生するスプリアス周波数をＲＦ
パルスのソースと増幅手段との間に抑制手段を結合する
ことによって抑制するステップとから成る送信機におけ
るスプリアス周波数を抑制する方法によって達成され
る。スプリアス周波数を抑制するステップは、ＲＦパル
スの立下り時間を制御するステップを含む。
【００１４】更に目的は、第１のポートは入力ポートで
あり第２のポートは出力ポートである４つのポートを有
する方向性結合器にＲＦ入力パルスを与えるステップ
と、方向性結合器の第３及び第４のポートに結合した手
段によって制御信号に従いＲＦ入力パルスを減衰するス
テップと、その減衰手段に結合した手段によって制御信
号を発生するステップとから成るスプリアス周波数を抑
制する方法によって達成される。ＲＦ入力パルスを減衰
するステップは、制御信号に従ってＲＦ入力パルスの減
衰量を制御するＰＩＮダイオード・ネットワーク手段を
提供するステップを含む。減衰量を制御するＰＩＮダイ
オード・ネットワーク手段を提供するステップは、制御
信号に従ってＲＦ入力パルスの立下り時間を変化させる
ステップを更に含む。制御信号を発生するステップは、
ＰＩＮダイオード・ネットワーク手段にバイアス電流を
発生するパルス形成手段を用いるステップを含む。パル
ス形成手段によってバイアス電流を発生するステップ
は、プリトリガ入力信号に応答してトリガ信号のパルス
幅を調整するステップと、トリガ信号に応答して電圧傾
斜信号を発生するステップと、その電圧傾斜信号発生手
段に結合した電流ソース手段によってＰＩＮダイオード
・ネットワーク手段にバイアス電流を発生するステップ
とを含む。
あり第２のポートは出力ポートである４つのポートを有
する方向性結合器にＲＦ入力パルスを与えるステップ
と、方向性結合器の第３及び第４のポートに結合した手
段によって制御信号に従いＲＦ入力パルスを減衰するス
テップと、その減衰手段に結合した手段によって制御信
号を発生するステップとから成るスプリアス周波数を抑
制する方法によって達成される。ＲＦ入力パルスを減衰
するステップは、制御信号に従ってＲＦ入力パルスの減
衰量を制御するＰＩＮダイオード・ネットワーク手段を
提供するステップを含む。減衰量を制御するＰＩＮダイ
オード・ネットワーク手段を提供するステップは、制御
信号に従ってＲＦ入力パルスの立下り時間を変化させる
ステップを更に含む。制御信号を発生するステップは、
ＰＩＮダイオード・ネットワーク手段にバイアス電流を
発生するパルス形成手段を用いるステップを含む。パル
ス形成手段によってバイアス電流を発生するステップ
は、プリトリガ入力信号に応答してトリガ信号のパルス
幅を調整するステップと、トリガ信号に応答して電圧傾
斜信号を発生するステップと、その電圧傾斜信号発生手
段に結合した電流ソース手段によってＰＩＮダイオード
・ネットワーク手段にバイアス電流を発生するステップ
とを含む。
【００１５】
【実施例】図１では、プリドライバ８と、スプリアス周
波数抑制器１０と、ドライバ増幅段１１とから構成され
る送信機７の簡略化されたブロック図が示されている。
無線周波数（ＲＦi）信号がＲＦiを増幅するプリドライ
バ８に供給され、プリドライバの出力であるＲＦＩＮ
が、制御されたＲＦＯＵＴ信号を発生するスプリアス周
波数抑制器１０に供給される。ＲＦＯＵＴ信号は、ドラ
イバ増幅段１１に供給され、そこでスプリアス・スペク
トルが発生する。しかし、送信機７のフロントエンドに
位置するスプリアス周波数抑制器１０は、ＲＦ波形を制
御して、ドライバ増幅段１１におけるスプリアス・スペ
クトルの発生を防止する。
波数抑制器１０と、ドライバ増幅段１１とから構成され
る送信機７の簡略化されたブロック図が示されている。
無線周波数（ＲＦi）信号がＲＦiを増幅するプリドライ
バ８に供給され、プリドライバの出力であるＲＦＩＮ
が、制御されたＲＦＯＵＴ信号を発生するスプリアス周
波数抑制器１０に供給される。ＲＦＯＵＴ信号は、ドラ
イバ増幅段１１に供給され、そこでスプリアス・スペク
トルが発生する。しかし、送信機７のフロントエンドに
位置するスプリアス周波数抑制器１０は、ＲＦ波形を制
御して、ドライバ増幅段１１におけるスプリアス・スペ
クトルの発生を防止する。
【００１６】図２には、例えばレーダ・システムにおけ
るソリッドステート送信機７のＣ級増幅器で典型的には
発生するスプリアス周波数を抑制または制御するスプリ
アス周波数抑制器１０の回路図が示されている。スプリ
アス周波数の抑制は、ドライバ増幅段１１に供給される
ＲＦパルス（ＲＦＯＵＴ）の立下り時間を制御すること
で達成される。スプリアス周波数抑制器１０は、ＰＩＮ
ダイオード・バイアス電流（ＩBIAS）を発生するパルス
形成（整形）器１２を有する。ＰＩＮダイオード・バイ
アス電流（ＩBIAS）は、ＲＦセクション２３の回路内の
ＰＩＮダイオード３４、３６に供給される。ＰＩＮダイ
オード３４、３６を通るバイアス電流を制御することで
ＲＦ減衰が制御され、ＲＦパルスの形状は、ＰＩＮダイ
オード・バイアス電流（ＩBIAS）によって直接に制御さ
れる。
るソリッドステート送信機７のＣ級増幅器で典型的には
発生するスプリアス周波数を抑制または制御するスプリ
アス周波数抑制器１０の回路図が示されている。スプリ
アス周波数の抑制は、ドライバ増幅段１１に供給される
ＲＦパルス（ＲＦＯＵＴ）の立下り時間を制御すること
で達成される。スプリアス周波数抑制器１０は、ＰＩＮ
ダイオード・バイアス電流（ＩBIAS）を発生するパルス
形成（整形）器１２を有する。ＰＩＮダイオード・バイ
アス電流（ＩBIAS）は、ＲＦセクション２３の回路内の
ＰＩＮダイオード３４、３６に供給される。ＰＩＮダイ
オード３４、３６を通るバイアス電流を制御することで
ＲＦ減衰が制御され、ＲＦパルスの形状は、ＰＩＮダイ
オード・バイアス電流（ＩBIAS）によって直接に制御さ
れる。
【００１７】ＲＦセクション２３は、ＰＩＮダイオード
３４、３６にシャント接続した直角ハイブリッド整合減
衰器である。それは、ポート１、２、３、４を有する３
ｄＢ、９０゜のハイブリッドを含んでいる。ポート３、
４は、直流ブロック（阻止）・コンデンサＣ１ ２６お
よびＣ２ ２８をそれぞれ介して、シャント接続された
ＰＩＮダイオードＤ１ ３４およびＤ２ ３６に結合され
ている。直列のインダクタＬ１ ３０およびＬ２ ３２
は、ＲＦをバイアス信号入力（ＩBIAS）から分離させて
おり、Ｃ１ ２６とＤ１ ３４およびＣ２ ２８とＤ２ ３
６のそれぞれの接続点の間に接続されている。ＰＩＮダ
イオード・バイアス電流（ＩBIAS）がＬ１とＬ２との接
続点においてＲＦセクション２３に供給される。コンデ
ンサＣ３ ３８が、 Ｌ１とＬ２とのＩBIAS接続点に接続
され、直列ライン上のＲＦ信号をフィルタする。負荷ネ
ットワークＺ１４２は、 Ｄ１ ３４に接続した直流ブロ
ック・コンデンサＣ４と直列に接続されており、負荷ネ
ットワークＺ２４６は、Ｄ２３６に接続した直流ブロッ
ク・コンデンサＣ５と直列に接続されている。
３４、３６にシャント接続した直角ハイブリッド整合減
衰器である。それは、ポート１、２、３、４を有する３
ｄＢ、９０゜のハイブリッドを含んでいる。ポート３、
４は、直流ブロック（阻止）・コンデンサＣ１ ２６お
よびＣ２ ２８をそれぞれ介して、シャント接続された
ＰＩＮダイオードＤ１ ３４およびＤ２ ３６に結合され
ている。直列のインダクタＬ１ ３０およびＬ２ ３２
は、ＲＦをバイアス信号入力（ＩBIAS）から分離させて
おり、Ｃ１ ２６とＤ１ ３４およびＣ２ ２８とＤ２ ３
６のそれぞれの接続点の間に接続されている。ＰＩＮダ
イオード・バイアス電流（ＩBIAS）がＬ１とＬ２との接
続点においてＲＦセクション２３に供給される。コンデ
ンサＣ３ ３８が、 Ｌ１とＬ２とのＩBIAS接続点に接続
され、直列ライン上のＲＦ信号をフィルタする。負荷ネ
ットワークＺ１４２は、 Ｄ１ ３４に接続した直流ブロ
ック・コンデンサＣ４と直列に接続されており、負荷ネ
ットワークＺ２４６は、Ｄ２３６に接続した直流ブロッ
ク・コンデンサＣ５と直列に接続されている。
【００１８】更に図２において、ＲＦＩＮ信号は、ポー
ト１において３ｄＢ、９０゜のハイブリッド２４に入力
される。この信号の振幅は、等しく分けられて、ポート
３とポート４とから、ポート４での信号が９０゜位相が
遅れて出力される。ダイオードＤ１ ３４とＤ２ ３６と
は、大きく順方向にバイアスされている場合には、非常
に低い直列抵抗を有し、ＲＳは、ほぼ０Ωであり、短絡
回路のように振る舞う。この短絡状態では、３ｄＢ、９
０゜のハイブリッドからのすべてのＲＦ信号は、ダイオ
ードで反射されて、３ｄＢ、９０゜のハイブリッドのポ
ート３とポート４とに戻る。これら２つの反射した信号
は、位相が進み、ポート２からＲＦＯＵＴ信号として出
力される。ポート１においては、そのような反射した信
号は、１８０゜位相がずれていて完全に打ち消し合う。
損失の全くない相反システムの理想的な条件の下では、
ＲＦＯＵＴポートでの信号の電力は、ＲＦＩＮポートの
電力と等しいはずである。ダイオードＤ１ ３４とＤ２
３６とが非常に弱い電流でバイアスされているとすれ
ば、たとえば、ＲＳ＞１０００Ωであれば、開放回路と
同等である。この条件では、すべてのＲＦ信号は、負荷
Ｚ１４２とＺ２４６とで消費される。ダイオードのバイ
アスが変化し、したがってＲＳが変化する場合には、ダ
イオードは、理想的な短絡回路状態と理想的な開放回路
状態の間で動作する。そのような動作によって、ＲＦ信
号のあるパーセンテージが反射することを許容され、他
方で、残存する信号電力は、負荷Ｚ１４２とＺ２４６と
で消費される。したがって、反射した信号とＲＦＯＵＴ
信号との振幅は、ＲＦＩＮ信号よりも低い。ダイオード
Ｄ１、Ｄ２への適切なＰＩＮダイオード・バイアス電流
（ＩBIAS）を選択することで、広い範囲の減衰レベルが
可能になる。バイアス電流（ＩBIAS）の形状を制御する
ことで、結果的にＲＦ信号減衰の方法によるパルス形成
となるＲＦ出力信号（ＲＦＯＵＴ）の振幅の制御が可能
となる。
ト１において３ｄＢ、９０゜のハイブリッド２４に入力
される。この信号の振幅は、等しく分けられて、ポート
３とポート４とから、ポート４での信号が９０゜位相が
遅れて出力される。ダイオードＤ１ ３４とＤ２ ３６と
は、大きく順方向にバイアスされている場合には、非常
に低い直列抵抗を有し、ＲＳは、ほぼ０Ωであり、短絡
回路のように振る舞う。この短絡状態では、３ｄＢ、９
０゜のハイブリッドからのすべてのＲＦ信号は、ダイオ
ードで反射されて、３ｄＢ、９０゜のハイブリッドのポ
ート３とポート４とに戻る。これら２つの反射した信号
は、位相が進み、ポート２からＲＦＯＵＴ信号として出
力される。ポート１においては、そのような反射した信
号は、１８０゜位相がずれていて完全に打ち消し合う。
損失の全くない相反システムの理想的な条件の下では、
ＲＦＯＵＴポートでの信号の電力は、ＲＦＩＮポートの
電力と等しいはずである。ダイオードＤ１ ３４とＤ２
３６とが非常に弱い電流でバイアスされているとすれ
ば、たとえば、ＲＳ＞１０００Ωであれば、開放回路と
同等である。この条件では、すべてのＲＦ信号は、負荷
Ｚ１４２とＺ２４６とで消費される。ダイオードのバイ
アスが変化し、したがってＲＳが変化する場合には、ダ
イオードは、理想的な短絡回路状態と理想的な開放回路
状態の間で動作する。そのような動作によって、ＲＦ信
号のあるパーセンテージが反射することを許容され、他
方で、残存する信号電力は、負荷Ｚ１４２とＺ２４６と
で消費される。したがって、反射した信号とＲＦＯＵＴ
信号との振幅は、ＲＦＩＮ信号よりも低い。ダイオード
Ｄ１、Ｄ２への適切なＰＩＮダイオード・バイアス電流
（ＩBIAS）を選択することで、広い範囲の減衰レベルが
可能になる。バイアス電流（ＩBIAS）の形状を制御する
ことで、結果的にＲＦ信号減衰の方法によるパルス形成
となるＲＦ出力信号（ＲＦＯＵＴ）の振幅の制御が可能
となる。
【００１９】更に図２において、パルス形成器１２は、
プリトリガ発生器１４と、電圧傾斜発生器２０と、ＰＩ
Ｎダイオード・バイアス電流（ＩBIAS）を発生する電圧
制御電流源２２とから成る。プリトリガ発生器へのプリ
トリガ入力信号によってＰＴ信号が発生され、その前縁
は、電圧傾斜発生器２０を始動させる。電圧傾斜発生器
２０からのＶRAMP信号は、ＰＩＮダイオード３４、３６
にＩBIAS信号を発生する電圧制御電流源に結合されてい
る。プリトリガ発生器１４内の単安定１６は、ＰＩＮダ
イオード３４、３６への電流バイアス（ＩBIAS）パルス
幅を制御する。ＩBIASの後縁は、結果として、ＰＩＮダ
イオード３４、３６の間の直列抵抗（ＲS）を増加さ
せ、それは減衰を増加させ、ＲＦパルス（ＲＦＯＵＴ）
の立下り時間を制御する。スプリアス周波数抑制器１０
のＲＦセクション２３は、低い損失状態で（たとえば、
ＲSが非常に小さい）また有限の抵抗値の間でＰＩＮダ
イオード３４、３６電流制御抵抗特性を使用する。ＰＩ
Ｎダイオード３４、３６の直列抵抗（ＲS）の関数とし
ての減衰は、
プリトリガ発生器１４と、電圧傾斜発生器２０と、ＰＩ
Ｎダイオード・バイアス電流（ＩBIAS）を発生する電圧
制御電流源２２とから成る。プリトリガ発生器へのプリ
トリガ入力信号によってＰＴ信号が発生され、その前縁
は、電圧傾斜発生器２０を始動させる。電圧傾斜発生器
２０からのＶRAMP信号は、ＰＩＮダイオード３４、３６
にＩBIAS信号を発生する電圧制御電流源に結合されてい
る。プリトリガ発生器１４内の単安定１６は、ＰＩＮダ
イオード３４、３６への電流バイアス（ＩBIAS）パルス
幅を制御する。ＩBIASの後縁は、結果として、ＰＩＮダ
イオード３４、３６の間の直列抵抗（ＲS）を増加さ
せ、それは減衰を増加させ、ＲＦパルス（ＲＦＯＵＴ）
の立下り時間を制御する。スプリアス周波数抑制器１０
のＲＦセクション２３は、低い損失状態で（たとえば、
ＲSが非常に小さい）また有限の抵抗値の間でＰＩＮダ
イオード３４、３６電流制御抵抗特性を使用する。ＰＩ
Ｎダイオード３４、３６の直列抵抗（ＲS）の関数とし
ての減衰は、
【数１】 Ａ＝２０ｌｏｇ（１＋２ＲS／
Ｚ0）-1 ｄＢ ただし、Ｚ0＝Ｚ1＝Ｚ2 表１は、この実施例のＲＦセクション２３のＰＩＮダイ
オード３４、３６に用いられる、米国マサチューセッツ
州バーリントンのＭ／Ａ−ＣＯＭ社の製造による型番Ｍ
Ａ４Ｐ６０４−１３１などのシャント接続ＰＩＮダイオ
ードの直列抵抗（ＲS）と、順方向電流（ＩBIAS）と、
順方向電圧（Ｖｆ）と、減衰（Ａ）との関係を表してい
る。このＭ／Ａ−ＣＯＭ社のダイオードは、シリコンチ
ップ・ダイオードであり、最大接合キャパシタンスは１
００Ｖで０．３０ｐＦである。そのようなダイオードの
熱抵抗は１５゜Ｃ／Ｗである。
Ｚ0）-1 ｄＢ ただし、Ｚ0＝Ｚ1＝Ｚ2 表１は、この実施例のＲＦセクション２３のＰＩＮダイ
オード３４、３６に用いられる、米国マサチューセッツ
州バーリントンのＭ／Ａ−ＣＯＭ社の製造による型番Ｍ
Ａ４Ｐ６０４−１３１などのシャント接続ＰＩＮダイオ
ードの直列抵抗（ＲS）と、順方向電流（ＩBIAS）と、
順方向電圧（Ｖｆ）と、減衰（Ａ）との関係を表してい
る。このＭ／Ａ−ＣＯＭ社のダイオードは、シリコンチ
ップ・ダイオードであり、最大接合キャパシタンスは１
００Ｖで０．３０ｐＦである。そのようなダイオードの
熱抵抗は１５゜Ｃ／Ｗである。
【００２０】
【表１】 表 １ ＲS（Ω） ＩBIAS（ｍＡ） Ｖf（Ｖ） Ａ（ｄＢ） ０．５ １００ ０．９２ ０．２ ５ ３ ０．６８ １．５８ １０ １ ０．６２ ２．９２ ５０ ０．３０ ０．５２ ９．５４ １００ ０．１０ ０．４８ １３．９７ ５００ ０．０２ ０．４０ ２６．４４ １０００ ０．０１ ０．３６ ３２．２５ パルス形成器１２は、ＲＦパルスの終端における２マイ
クロ秒のノミナル・ウィンドーに亘って１００ｍａから
０．３ｍａまで順方向電流ダイオード・バイアスを減少
させ、０ｄＢ〜１０ｄＢの減衰スロープを与える。これ
により、効果的にＲＦパルスの立下り時間を２マイクロ
秒ノミナルまで遅らせ、送信機７出力（ＲＦ０）におけ
るスプリアス周波数を抑制する。
クロ秒のノミナル・ウィンドーに亘って１００ｍａから
０．３ｍａまで順方向電流ダイオード・バイアスを減少
させ、０ｄＢ〜１０ｄＢの減衰スロープを与える。これ
により、効果的にＲＦパルスの立下り時間を２マイクロ
秒ノミナルまで遅らせ、送信機７出力（ＲＦ０）におけ
るスプリアス周波数を抑制する。
【００２１】次に図３において、電圧制御電流源２２の
回路図が示されており、制御電圧ＩBIASを発生する電流
源を形成するトランジスタ５２のベースに結合された増
幅器５０を含んでいる。この回路は、当業者には、グラ
ンドされた負荷をドライブすることができるものとして
知られており、その出力は、Ｒ２＝Ｒ４、Ｒ１＝Ｒ３、
Ｒ２≧１００Ｒ５であれば、負荷インピーダンスと独立
である。この条件の下では、
回路図が示されており、制御電圧ＩBIASを発生する電流
源を形成するトランジスタ５２のベースに結合された増
幅器５０を含んでいる。この回路は、当業者には、グラ
ンドされた負荷をドライブすることができるものとして
知られており、その出力は、Ｒ２＝Ｒ４、Ｒ１＝Ｒ３、
Ｒ２≧１００Ｒ５であれば、負荷インピーダンスと独立
である。この条件の下では、
【数２】 ＩBIAS＝ＶRAMP｛Ｒ２／（Ｒ１
×Ｒ５）｝ この実施例では、ＩBIAS＝５０．２７ｍａ／Ｖである。
電圧傾斜発生器２０の出力が、４．３Ｖの場合には、Ｐ
ＩＮダイオード・バイアス電流（ＩBIAS）は、典型的に
は、２１６．２ｍａまたは、各ダイオードにつき１０
８．１ｍａである。
×Ｒ５）｝ この実施例では、ＩBIAS＝５０．２７ｍａ／Ｖである。
電圧傾斜発生器２０の出力が、４．３Ｖの場合には、Ｐ
ＩＮダイオード・バイアス電流（ＩBIAS）は、典型的に
は、２１６．２ｍａまたは、各ダイオードにつき１０
８．１ｍａである。
【００２２】次に図４では本発明の理解に有用なタイミ
ング図が示されている。図１に示したこの実施例の送信
機７において、１マイクロ秒と１００マイクロ秒の両方
のＲＦ０出力のパルス幅が、特定のレーダ・システム・
アプリケーションに基づいて送信される。しかし、他の
パルス幅も、レーダ・システムの要求によって等しく適
している。パルス形成器１２のプリトリガ発生器１４へ
のプリトリガ入力は、送信機７へのＲＦｉ入力パルスの
前に９．５マイクロ秒生じて、パルス形成器１２の電流
バイアスＩBIASタイミングを設定する。送信機７に提供
されるＲＦｉ入力パルスは、図４に示されているよう
に、それぞれ、３マイクロ秒と１０２マイクロ秒であ
る。送信機７へのＲＦｉパルス幅入力は、必要なＲＦ０
出力パルス幅よりも２マイクロ秒長く、それによりスプ
リアス周波数抑制器１０は、ＲＦＯＵＴパルスに２マイ
クロ秒の立下り時間を生じる。この遅い立下り時間によ
り、送信機７のＲＦ０出力におけるスプリアス・スペク
トルは除去される。パルス形成器１２のＰＩＮダイオー
ド・バイアス電流（ＩBIAS）出力は、ＰＴ信号を発生す
るプリトリガ入力の始動によって付勢される。Ｉ
BIASは、制御されたパルス幅に対する全振幅まで上昇す
る。電流バイアスＩBIASは、そして、２マイクロ秒で直
線的に０ｍＡまで減少する。パルス幅と電流傾斜の勾配
は、プリトリガ発生器１４と、電圧傾斜発生器２０と、
パルス形成器１２の電圧制御電流源２２とによって制御
される。パルス幅と電流傾斜の勾配は共に調整可能であ
って、スプリアス周波数抑制器１０は、多くの異なった
ＲＦパルス幅で、また、他のシステム・パラメータを用
いた応用で使用できる。スプリアス周波数抑制器１０か
らのＲＦＯＵＴパルスは、２マイクロ秒の遅い立下り時
間と共に、１マイクロ秒と１００マイクロ秒とを示す。
ＰＩＮダイオード・バイアス電流（ＩBIAS）が減少する
ときには、減衰は増加し、従って、遅い立下り時間を生
じることには注意すべきである。この結果、Ｃ級増幅の
いくつかの増幅段の後で送信機７からの消滅していない
ＲＦ０出力パルスが生じる。ＲＦ０出力パルスは、１マ
イクロ秒と１００マイクロ秒の長さであり、立下り時間
は速い。送信機７からのＲＦ０出力パルスは、一周期分
遅れ、この実施例では図４に示したように０．５マイク
ロ秒である。この遅延は、各Ｃ級ドライバ増幅段１１が
連続してオンして、それに応じてパルス幅は短縮され
て、立上りおよび立下り時間は、Scott 発明（米国特許
第４９２８０７２）においてもそうであったように速く
なる。別の送信機での応用実施例では、より多くの縦続
した増幅段があることで、そのような増幅段の縦続した
連鎖内にもう１つのスプリアス周波数抑制器を加えるこ
とが望まれる。
ング図が示されている。図１に示したこの実施例の送信
機７において、１マイクロ秒と１００マイクロ秒の両方
のＲＦ０出力のパルス幅が、特定のレーダ・システム・
アプリケーションに基づいて送信される。しかし、他の
パルス幅も、レーダ・システムの要求によって等しく適
している。パルス形成器１２のプリトリガ発生器１４へ
のプリトリガ入力は、送信機７へのＲＦｉ入力パルスの
前に９．５マイクロ秒生じて、パルス形成器１２の電流
バイアスＩBIASタイミングを設定する。送信機７に提供
されるＲＦｉ入力パルスは、図４に示されているよう
に、それぞれ、３マイクロ秒と１０２マイクロ秒であ
る。送信機７へのＲＦｉパルス幅入力は、必要なＲＦ０
出力パルス幅よりも２マイクロ秒長く、それによりスプ
リアス周波数抑制器１０は、ＲＦＯＵＴパルスに２マイ
クロ秒の立下り時間を生じる。この遅い立下り時間によ
り、送信機７のＲＦ０出力におけるスプリアス・スペク
トルは除去される。パルス形成器１２のＰＩＮダイオー
ド・バイアス電流（ＩBIAS）出力は、ＰＴ信号を発生す
るプリトリガ入力の始動によって付勢される。Ｉ
BIASは、制御されたパルス幅に対する全振幅まで上昇す
る。電流バイアスＩBIASは、そして、２マイクロ秒で直
線的に０ｍＡまで減少する。パルス幅と電流傾斜の勾配
は、プリトリガ発生器１４と、電圧傾斜発生器２０と、
パルス形成器１２の電圧制御電流源２２とによって制御
される。パルス幅と電流傾斜の勾配は共に調整可能であ
って、スプリアス周波数抑制器１０は、多くの異なった
ＲＦパルス幅で、また、他のシステム・パラメータを用
いた応用で使用できる。スプリアス周波数抑制器１０か
らのＲＦＯＵＴパルスは、２マイクロ秒の遅い立下り時
間と共に、１マイクロ秒と１００マイクロ秒とを示す。
ＰＩＮダイオード・バイアス電流（ＩBIAS）が減少する
ときには、減衰は増加し、従って、遅い立下り時間を生
じることには注意すべきである。この結果、Ｃ級増幅の
いくつかの増幅段の後で送信機７からの消滅していない
ＲＦ０出力パルスが生じる。ＲＦ０出力パルスは、１マ
イクロ秒と１００マイクロ秒の長さであり、立下り時間
は速い。送信機７からのＲＦ０出力パルスは、一周期分
遅れ、この実施例では図４に示したように０．５マイク
ロ秒である。この遅延は、各Ｃ級ドライバ増幅段１１が
連続してオンして、それに応じてパルス幅は短縮され
て、立上りおよび立下り時間は、Scott 発明（米国特許
第４９２８０７２）においてもそうであったように速く
なる。別の送信機での応用実施例では、より多くの縦続
した増幅段があることで、そのような増幅段の縦続した
連鎖内にもう１つのスプリアス周波数抑制器を加えるこ
とが望まれる。
【００２３】次に図５においては、スプリアス周波数抑
制器１０を使用しないレーダ送信機出力ＲＦ０の周波数
スペクトルが示されている。スプリアス振動が周波数ス
ペクトルの６０ｄＢにおいて、搬送波の周波数振幅より
下に見られる。従来技術の項目で見たように、今日用い
られているほとんどの高出力レーダ・システムでは、す
べてのスプリアス成分は、１ｋＨｚの帯域幅の搬送波周
波数振幅より７０〜９０ｄＢ下にあることが要求され
る。図６においては、レーダ送信機出力ＲＦ０の周波数
スペクトルが、本発明のスプリアス周波数抑制器１０を
備えた送信機７について示されている。このスペクトル
を図５のスペクトルと比較すると、本発明を用いること
で、搬送波の周波数成分すべてが少なくとも搬送波のレ
ベルよりも８０ｄＢ下になっており、著しい改善が見ら
れる。
制器１０を使用しないレーダ送信機出力ＲＦ０の周波数
スペクトルが示されている。スプリアス振動が周波数ス
ペクトルの６０ｄＢにおいて、搬送波の周波数振幅より
下に見られる。従来技術の項目で見たように、今日用い
られているほとんどの高出力レーダ・システムでは、す
べてのスプリアス成分は、１ｋＨｚの帯域幅の搬送波周
波数振幅より７０〜９０ｄＢ下にあることが要求され
る。図６においては、レーダ送信機出力ＲＦ０の周波数
スペクトルが、本発明のスプリアス周波数抑制器１０を
備えた送信機７について示されている。このスペクトル
を図５のスペクトルと比較すると、本発明を用いること
で、搬送波の周波数成分すべてが少なくとも搬送波のレ
ベルよりも８０ｄＢ下になっており、著しい改善が見ら
れる。
【００２４】以上で好適実施例の説明を終わる。しか
し、当業者にとっては、本発明の発明的概念から離れる
ことなく多くの変更や改良が自明であろう。たとえば、
レーダ・システムでの応用のいくつかでは、２つ以上の
スプリアス周波数抑制器１０を増幅段の縦続した連鎖に
おいて用いられ得る。従って、本発明の範囲は、特許請
求の範囲によってのみ、限界付けられることが意図され
ている。
し、当業者にとっては、本発明の発明的概念から離れる
ことなく多くの変更や改良が自明であろう。たとえば、
レーダ・システムでの応用のいくつかでは、２つ以上の
スプリアス周波数抑制器１０を増幅段の縦続した連鎖に
おいて用いられ得る。従って、本発明の範囲は、特許請
求の範囲によってのみ、限界付けられることが意図され
ている。
【図１】本発明のスプリアス周波数抑制器を含む送信機
の簡略化されたブロック図である。
の簡略化されたブロック図である。
【図２】本発明のスプリアス周波数抑制回路のブロック
図と回路図との組み合わせである。
図と回路図との組み合わせである。
【図３】図２に示された電圧を制御された電流ソースの
回路図である。
回路図である。
【図４】本発明の理解に有用なタイミング図である。
【図５】スプリアス周波数抑制回路のない、図１に示さ
れたレーダ送信機ＲＦ０出力の周波数スペクトルであ
る。
れたレーダ送信機ＲＦ０出力の周波数スペクトルであ
る。
【図６】送信機が本発明のスプリアス周波数抑制回路を
用いた場合の、図１に示されたレーダ送信機ＲＦ０出力
の周波数スペクトルである。
用いた場合の、図１に示されたレーダ送信機ＲＦ０出力
の周波数スペクトルである。
７ 送信機 ８ プリドライバ １０ スプリアス周波数抑制器 １１ ドライバ増幅段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ピーター・アール・ドレイク アメリカ合衆国マサチューセッツ州 01772，サウスボロ，ガリソン・レーン ２ (72)発明者 フィリップ・アール・メリル アメリカ合衆国ニューハンプシャー州 03063，ナシュア，ピアモント・ストリ ート ８ (56)参考文献 特開 昭57−67868（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−262203（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−256882（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−35317（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−184413（ＪＰ，Ａ) 実開 平５−23614（ＪＰ，Ｕ) 米国特許4928072（ＵＳ，Ａ) 米国特許3673492（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01S 7/00 - 7/42 H03F 3/20 - 3/24 H04B 1/10
Claims (21)
- 【請求項１】 ＲＦパルスを提供する手段と、 前記ＲＦパルスを増幅する手段と、 前記ＲＦパルス提供手段と前記ＲＦパルス増幅手段との
間に結合され、前記増幅手段で発生されるスプリアス周
波数を抑制する手段と、 を備えたスプリアス周波数抑制装置であって、前記抑制
手段が、 第１のポートが入力ポートであり第２のポートが出力ポ
ートである４つのポートを有し、前記入力ポートには前
記供給手段から前記ＲＦパルスが与えられる方向性結合
器と、 前記方向性結合器の第３のポートと第４のポートに結合
され制御信号に従って前記ＲＦパルスを減衰させる手段
と、 前記減衰手段に結合され前記制御信号を発生する手段
と、 を備えたスプリアス周波数抑制装置。 - 【請求項２】 前記方向性結合器が、３ｄＢ、９０°の
ハイブリッドを含む請求項１記載のスプリアス周波数抑
制装置。 - 【請求項３】 前記減衰手段が、前記制御信号に従って
前記ＲＦパルスの減衰量を制御するPＩNダイオード・ネ
ットワーク手段を備えた請求項１記載のスプリアス周波
数抑制装置。 - 【請求項４】 前記ＰＩＮダイオード・ネットワーク手
段が、前記制御信号に従って前記ＲＦパルスの立下り時
間を変化させる請求項３記載のスプリアス周波数抑制装
置。 - 【請求項５】 前記制御信号発生手段が、前記ＰＩＮダ
イオード・ネットワーク手段のためのバイアス電流を発
生するパルス整形手段を備えた請求項３記載のスプリア
ス周波数抑制装置。 - 【請求項６】 前記パルス整形手段が、 プリトリガ入力信号に応答してトリガ信号のパルス幅を
調整する手段と、 前記調整手段に結合され電圧傾斜信号を発生する手段
と、 前記電圧傾斜信号発生手段に結合され前記ＰＩＮダイオ
ード・ネットワーク手段のための前記バイアス電流を発
生する手段と、 を備えた請求項５記載のスプリアス周波数抑制装置。 - 【請求項７】 第１のポートが入力ポートであり第２の
ポートが出力ポートである４つのポートを有し、前記入
力ポートにはＲＦ入力パルスが与えられる方向性結合器
と、 前記方向性結合器の第３のポートと第４のポートに結合
され制御信号に従って前記ＲＦ入力パルスを減衰させる
手段と、 前記減衰手段に結合され前記制御信号を発生する手段
と、 を備えたスプリアス周波数抑制装置。 - 【請求項８】 前記方向性結合器が、３ｄＢ、９０°の
ハイブリッドを含む請求項７記載のスプリアス周波数抑
制装置。 - 【請求項９】 前記減衰手段が、前記制御信号に従って
前記ＲＦ入力パルスの減衰量を制御するＰＩＮダイオー
ド・ネットワーク手段を備えた請求項７記載のスプリア
ス周波数抑制装置。 - 【請求項１０】 前記ＰＩＮダイオード・ネットワーク
手段が、前記制御信号に従って前記ＲＦ入力パルスの立
下り時間を変化させる請求項９記載のスプリアス周波数
抑制装置。 - 【請求項１１】 前記制御信号発生手段が、前記ＰＩＮ
ダイオード・ネットワーク手段のためのバイアス電流を
発生するパルス整形手段を備えた請求項９記載のスプリ
アス周波数抑制装置。 - 【請求項１２】 前記パルス整形手段が、 プリトリガ入力信号に応答してトリガ信号のパルス幅を
調整する手段と、 前記調整手段に結合され電圧傾斜信号を発生する手段
と、 前記電圧傾斜信号発生手段に結合され前記ＰＩＮダイオ
ード・ネットワーク手段のための前記バイアス電流を発
生する手段と、 を備えた請求項１１記載のスプリアス周波数抑制装置。 - 【請求項１３】 ＲＦパルス源を提供するステップと、 前記ＲＦパルスを複数の増幅段で増幅するステップと、 前記ＲＦパルス源と前記増幅段との間に抑制手段を結合
することによって、前記増幅段で発生されるスプリアス
周波数を抑制するステップと、 を含む、送信機におけるスプリアス周波数抑制方法であ
って、前記抑制ステップが、 前記ＲＦパルスを、第２のポートが出力ポートである４
ポートの方向性結合器の入力第１ポートに提供するステ
ップと、 前記方向性結合器の第３のポートと第４のポートに結合
された手段によって、制御信号に従い前記ＲＦパルスを
減衰させるステップと、 前記減衰手段に結合された手段によって前記制御信号を
発生するステップと、を含む方法。 - 【請求項１４】 前記ＲＦパルスを減衰させる前記ステ
ップが、前記制御信号に従って、前記ＲＦパルスの減衰
量を制御するＰＩＮダイオード・ネットワーク手段を提
供するステップを含む請求項１３記載の方法。 - 【請求項１５】 前記減衰量を制御する前記ＰＩＮダイ
オード・ネットワーク手段を提供する前記ステップが、
前記制御信号に従って前記ＲＦパルスの立下り時間を変
化させるステップを更に含む請求項１４記載の方法。 - 【請求項１６】 ＲＦ入力パルスを、第１のポートが入
力ポートであり第２のポートが出力ポートである４つの
ポートを有する方向性結合器に提供するステップと、 前記方向性結合器の第３のポートと第４のポートに結合
された手段によって、制御信号に従い前記ＲＦ入力パル
スを減衰させるステップと、 前記減衰手段に結合された手段によって前記制御信号を
発生するステップと、を含むスプリアス周波数抑制方
法。 - 【請求項１７】 前記方向性結合器が、３ｄＢ、９０°
のハイブリッドを含む請求項１６記載の方法。 - 【請求項１８】 前記ＲＦ入力パルスを減衰させる前記
ステップが、前記制御信号に従って、前記ＲＦ入力パル
スの減衰量を制御するＰＩＮダイオード・ネットワーク
手段を提供するステップを含む請求項１６記載の方法。 - 【請求項１９】 前記減衰量を制御する前記ＰＩＮダイ
オード・ネットワーク手段を提供する前記ステップが、
前記制御信号に従って前記ＲＦ入力パルスの立下り時間
を変化させるステップを更に含む請求項１８記載の方
法。 - 【請求項２０】 前記制御信号を発生する前記ステップ
が、前記ＰＩＮダイオード・ネットワーク手段のための
バイアス電流を発生するパルス整形手段を用いるステッ
プを含む請求項１８記載の方法。 - 【請求項２１】 前記パルス整形手段によって前記バイ
アス電流を発生する前記ステップが、 プリトリガ入力信号に応答してトリガ信号のパルス幅を
調整するステップと、 前記トリガ信号に応答して電圧傾斜信号を発生するステ
ップと、 前記電圧傾斜信号発生手段に結合された電流源手段によ
って、前記ＰＩＮダイオード・ネットワーク手段のため
の前記バイアス電流を発生するステップと、 を含む請求項２０記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US81250491A | 1991-12-20 | 1991-12-20 | |
| US812504 | 1991-12-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05249225A JPH05249225A (ja) | 1993-09-28 |
| JP3226352B2 true JP3226352B2 (ja) | 2001-11-05 |
Family
ID=25209778
Family Applications (1)
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