JP3223718B2 - マスクデータの作成方法 - Google Patents
マスクデータの作成方法Info
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Description
ラフィ技術に関するものである。
その加工ルールは転写する光の波長に迫りつつある。そ
れに伴い光近接効果による設計寸法と加工寸法の差は無
視できなくなってきた。そのため、一度作ったマスクを
修正する必要が生じ、時間的にもコスト的にも負担にな
っている。近年、工程の複雑化によるマスク枚数の増加
やマスクサイズの大型化によるマスク価格の上昇に伴
い、益々その問題は大きくなっている。
マスク修正方法の一例について説明する。
ャートを示すものである。図32において、1は設計デ
ータで、2は設計データから作られたマスクで、3はそ
のマスクで露光した加工パターンであり、4はその加工
データである。22は加工データ4によってフィードバ
ックされたマスクであり、33は設計どうりに加工され
たパターンである。
ついて、以下その動作について説明する。まずLSIの
チップを設計するために各レイヤーの設計データ1がC
AD上で作成される。次にそのデータから実際にパター
ンに転写するためのマスク2が作られる。そのマスク2
を用いてウエハ上のチップにパターンが転写される。そ
の転写されたパターン3の寸法データ4を計測し、設計
された寸法と異なる箇所のデータ部分を所望の寸法にな
る様に改善し、再び新たなマスク22を作成する。
うな構成では、転写されたパターンデータを計測する時
間や、新たなマスクを作成する時間、またその費用は増
大し、製品開発に大きな負担を生じるという問題点を有
していた。
作られた時点で、予め所望の寸法値が得られない箇所を
つきとめ、そのデータを修正したマスクを作成するため
のマスクデータ作成方法を提供するものである。
め本発明では、マスク設計データをマスクデータ入力部
に入力する工程と、前記入力されたマスク設計データか
らゲート配線パタンと活性化領域とが重なり合う部分を
ゲートパタンとして抽出する工程と、前記ゲートパタン
からゲートエッジを抽出する工程と、 前記ゲートパタ
ンの前記ゲートエッジ近傍における光強度値を計算する
工程と、前記光強度値に基づいて近接効果によるゲート
線幅の寸法シフト量を計算する工程と、前記寸法シフト
量が所定の値よりも大きいゲートパタンを抽出する工程
と、前記寸法シフト量が所定の値よりも大きいゲートパ
タンに対して、前記寸法シフト量に基づいて前記ゲート
パタンのゲート線幅の修正量を規定し、前記規定された
ゲート線幅の修正量に基づいて前記ゲートパタンの線幅
を修正し、ゲート配線パタンのマスクデータを作成する
マスクデータの作成方法とする。また、マスク設計デー
タをマスクデータ入力部に入力する工程と、前記入力さ
れたマスク設計データからゲート配線パタンと活性化領
域とが重なり合う部分をゲートパタンとして抽出する工
程と、前記ゲートパタンからゲートエッジを抽出する工
程と、前記ゲートエッジ上での光強度値を計算する工程
と、前記ゲートエッジ上での光強度値を所定の閾値との
差が所定の値よりも小さいときはゲート配線パタンのマ
スクデータを出力し、前記ゲートエッジ上での光強度を
所定の閾値との差が所定の値よりも大きいときはゲート
配線パタンのマスクデータを修正する工程を備え、前記
ゲート配線パタンのマスクデータの修正は、前記ゲート
エッジ上での光強度と前記閾値との差が所定の値よりも
小さくなるまで前記ゲートパタンの線幅の修正を行い、
その後、修正したゲート配線パタンのマスクデータを出
力するマスクデータの作成方法とする。
シフト量に相当する寸法を各ゲート毎に修正することが
可能となり、ゲート線幅のバラツキを抑制したLSI用
のマスクデータが作成出来る。また本発明は上記の構成
により、隣接するゲートパタン同士の寸法シフト量を同
時に考慮することにより、高密度なゲートパタンを有す
るLSIに対してもゲート線幅のバラツキを抑制したマ
スクデータが作成出来る。
検証装置の構成について、図面を参照しながら説明す
る。
クデータ検証装置の構成を示すものである。図1におい
て102はマスクデータ入力部、103は検査領域抽出
部、104は光強度計算部、105は形状計算部、10
6は現像溶解速度計算部、107は検査部、108は警
告箇所抽出部、109は表示部である。
ータ検証装置の動作方法のフローチャートである。
本実施例におけるマスクデータ検証方法について説明す
る。
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次に検査領域抽出部103によりマスクデータ入力
部102より入力されたマスクデータからの検査領域を
抽出する。次に光強度計算部104により検査領域抽出
部103で抽出された検査領域での光強度分布を計算す
る。次に現像溶解速度計算部106により、レジストの
現像溶解速度分布の計算を行なう。次に形状計算部10
5により光強度分布と現像溶解速度分布を結合すること
によりリソグラフィ工程における加工形状を計算する。
次に検査部107により、形状計算部105で計算され
た加工形状のリソグラフィ工程におけるマージンを検査
する。次に警告箇所抽出部108により、検査部107
でリソグラフィ工程におけるマージンが規定を満足した
部分を抽出する。最後に表示部109により警告箇所抽
出部108で抽出された部分を警告箇所としてCRT等に
表示してマスクデータ検証装置の動作を終了する。
布と現像溶解速度分布を結合することによりリソグラフ
ィ工程におけるマージンを設計データから評価し、LSI
の品質の劣化を設計データの段階で発見し、設計変更に
より修正されたマスクデータを作成することが可能とな
る。
マスクデータ作成装置の構成について、図面を参照しな
がら説明する。
クデータ作成装置の構成を示すものである。
部、203は検査領域抽出部、204は光強度計算部、
205は形状計算部、206は現像溶解速度計算部、2
07は検査部であり、以上の構成は図1に示す第1の実
施例の構成と同様なものである。
データ修正部と209のマスクデータ出力部をを設けた
点である。
ータ作成装置の動作方法のフローチャートである。
本実施例におけるマスクデータ作成方法について説明す
る。
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次に検査領域抽出部203によりマスクデータ入力
部202より入力されたマスクデータからの検査領域を
抽出する。次に光強度計算部204により検査領域抽出
部で抽出された検査領域での光強度分布を計算する。次
に現像溶解速度計算部206により、レジストの現像溶
解速度分布の計算を行なう。次に形状計算部205によ
り光強度分布と現像溶解速度分布を結合することにより
リソグラフィ工程における加工形状を計算する。次に検
査部207により、形状計算部205で計算された加工
形状のリソグラフィ工程におけるマージンを検査し、リ
ソグラフィ工程におけるマージンが規定を満足しない部
分を抽出する。以上の動作は第1の実施例と同様であ
る。
ソグラフィ工程におけるマージンが規定を満足しない部
分をその規定を満足するように修正する。次に再び形状
計算部205により新たに修正されたマスクデータに対
してリソグラフィ工程における加工形状を計算し、以下
検査部207とマスクデータ修正部208による修正を
全てのパタンにおいてリソグラフィ工程におけるマージ
ンが規定を満足するまで繰り返す。最後に全てのパター
ンにおいてリソグラフィ工程におけるマージンが規定を
満足すれば、マスクデータ出力部209により修正され
たマスクデータを出力することによりマスクデータ検証
装置の動作を終了する。
フィ工程におけるマージンを設計データから評価し、さ
らにリソグラフィ工程におけるマージンが規定を満足し
ない部分をその規定を満足するまで修正することによ
り、LSIの品質の劣化が修正されたマスクデータを作成
することが可能となる。
マスクデータ検証装置の構成について、図面を参照しな
がら説明する。
クデータ検証装置の構成を示すものであり、本実施例は
特に寸法規定が重要なゲートに着目したマスクデータ検
証装置である。
部、303はゲート領域抽出部、304はゲートエッジ
抽出部、305は各ゲート線幅の寸法シフト計算部、3
08は警告箇抽出部、309は表示部である。
ータ検証装置の動作方法のフローチャートである。
作及び、本実施例におけるマスクデータ検証方法につい
て図5〜図8を用いて説明する。
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次にゲート領域抽出部303によりマスクデータ入
力部302より入力されたマスクデータのゲート配線パ
タン311と活性化領域312の重なりからゲートパタ
ン313を抽出する。次にゲートエッジ抽出部304に
よりゲート領域抽出部303で抽出されたゲートパタン
でゲート長の対辺となるゲートエッジ314を抽出す
る。次に各ゲート線幅の寸法シフト量評価部により、マ
スクデータ入力部302からゲート配線パタン311を
入力し、ゲートエッジ抽出部304からゲートエッジ3
14を入力し、ゲートエッジ近傍における光強度を計算
し、その光強度値より近接効果による寸法シフト量を評
価する。
両側に0.1〜0.2μm離れた評価点315を設定し、それ
ぞれの評価点での光強度分布316を計算し、この3点
での光強度分布の傾きより、臨界解像強度となる閾値3
17から寸法シフト量318を計算する方法がある。
ータ入力部302からゲート配線パタン311を入力
し、各ゲート線幅の寸法シフト量評価部305からゲー
ト線幅の寸法シフト量318を入力し、寸法シフト量が
所定の値より大きい場合319を抽出する。最後に表示
部309により警告箇所抽出部308で抽出された部分
319を警告箇所としてCRT等に表示してマスクデータ
検証装置の動作を終了する。
ッジを抽出し、その近傍の光強度を計算するだけでゲー
ト線幅の寸法シフトが評価できるので、近接効果による
ゲート線幅のバラツキによるLSIの品質の劣化を設計デ
ータの状態で発見し、設計変更によりゲート線幅のバラ
ツキを抑制するように修正されたゲート配線のマスクデ
ータを作成することが可能となる。
マスクデータ作成装置の構成について、図面を参照しな
がら説明する。
クデータ作成装置の構成を示すものである。
部、403はゲート領域抽出部、404はゲートエッジ
抽出部、405は各ゲート線幅の寸法シフト計算部であ
り、以上は図5に示した第3の実施例におけるマスクデ
ータ作成装置の構成と同様なものである。
量規定部と408のマスクデータ修正部と409のマス
クデータ出力部を設けた点である。
データ作成装置の動作方法のフローチャートである。
装置の動作及び、本実施例におけるゲート配線マスクデ
ータの作成方法について、図9〜図12を用いて説明す
る。
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次にゲート領域抽出部403によりマスクデータ入
力部402より入力されたマスクデータのゲート配線パ
タンと活性化領域の重なりからゲートパタンを抽出す
る。次にゲートエッジ抽出部404によりゲート領域抽
出部403で抽出されたゲートパタンでゲート長の対辺
となるゲートエッジを抽出する。次に各ゲート線幅の寸
法シフト量評価部405により、マスクデータ入力部4
02からゲート配線パタンを入力し、ゲートエッジ抽出
部404からゲートエッジを入力し、ゲートエッジ近傍
における光強度を計算し、その光強度値より近接効果に
よる寸法シフト量を評価する。以上の動作は第3の実施
例と同様である。
フト量評価部で計算された寸法シフト量に基づいて各ゲ
ートパタンエッジ部毎に修正量を規定する。ここでは各
ゲートパタンエッジ部毎の修正量をゲートエッジと線幅
パラメータ419によって規定している。例えば、ゲー
ト線幅を0.1μm太くするように修正する場合はゲートエ
ッジに線幅パラメータ+0.1を与える。また、逆にゲー
ト線幅を0.1μm細くするように修正する場合はゲートエ
ッジに線幅パラメータ−0.1を与える。
量規定部406で設定されたゲート線幅修正量に基づい
て修正されたゲート配線のマスクデータを作成する。こ
こでは、まずゲートエッジ414と線幅パラメータ41
9より、ゲートエッジ部を中心として線幅パラメータで
規定された値の2倍の幅を持ったゲート線幅修正図形4
20を作成する。次に線幅パラメータがプラスの値をも
つゲート線幅修正図形はゲート配線のマスクデータに加
算し、マイナスの値をもつゲート線幅修正図形はゲート
配線のマスクデータから引き去ることにより修正された
ゲート配線のマスクデータ421を作成している。最後
にマスクデータ出力部409により、修正されたマスク
データを出力することによりマスクデータ作成装置の動
作を終了する。
による線幅修正量規定部とマスクデータ修正部を設定す
ることにより、近接効果によるゲート線幅のバラツキを
抑制するように修正されたゲート配線のマスクデータを
作成することが可能となる。
光強度を計算し、その光強度値より近接効果による寸法
シフト量を評価したが、光強度計算と現像溶解速度計算
を用いて寸法シフト量を評価しもよい。
ついて図面を参照しながら説明する。
スクデータ作成装置の構成を示すものである。
部、503はゲート領域抽出部、504はゲートエッジ
抽出部、505は各ゲート線幅の寸法シフト計算部、5
09はマスクデータ出力部であり、以上は図9に示す第
4の実施例の構成と同様なものである。図9と異なるの
は507の波形エッジ図形作成部を406の線幅修正量
規定部の代わりに設けた点であり、508のマスクデー
タ修正部はそれに対応したものとなる。
る線幅を実際のマスクデータの線幅を変更する代わり
に、波形エッジ図形の波形のピッチを変更することによ
り調整する機能を備えたものとなる。
データ作成装置の動作方法のフローチャートである。
装置の動作及び、本実施例におけるゲート配線マスクデ
ータの作成方法について、図13〜図16を用いて説明
する。
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次にゲート領域抽出部503によりマスクデータ入
力部502より入力されたマスクデータのゲート配線パ
タンと活性化領域の重なりからゲートパタンを抽出す
る。次にゲートエッジ抽出部504によりゲート領域抽
出部503で抽出されたゲートパタンでゲート長の対辺
となるゲートエッジを抽出する。次に各ゲート線幅の寸
法シフト量評価部505により、マスクデータ入力部5
02からゲート配線パタンを入力し、ゲートエッジ抽出
部504からゲートエッジを入力し、ゲートエッジ近傍
における光強度を計算し、その光強度値より近接効果に
よる寸法シフト量を評価する。以上の動作は上記の第4
の実施例と同様である。
法シフト量評価部505で計算された寸法シフト量に基
づいて各ゲートパタンを波形エッジ図形521に変形
し、その波形エッジを表すパラメータを設定する。
ィ工程で形成される線幅寸法の関係は、図17に示すよ
うに、リソグラフィ工程で形成される線幅は波形エッジ
図形のピッチ幅を変更することによっても修正できる。
図17において、522は波形エッジの振幅の寸法Dw
であり、523は波形エッジのピッチ幅Pwであり、5
24は波形エッジの山部分の寸法Owである。ここで
は、1例として0.4μmの線幅Wを持った波形エッジ図形
で波形エッジの振幅の寸法Dwを0.05μm、波形エッジ
の山部分の寸法Owを0.2μmとして固定したときに、波
形エッジのピッチ幅Pwを0.20μmから0.25μmまで変化
させたときの光強度から計算される線幅寸法を525に
示してある。ただし、計算条件は光源はi線で干渉度は
0.6で開口数は0.5である。
05μm程度(実際には5倍マスクを用いれば0.25μm)の
寸法制御で作成出来るピッチ図形を用いて、リソグラフ
ィ工程で出来上がるパタンに対して0.01μm程度の寸法
修正が可能である。
際には5倍マスクを用いれば0.05μm)の寸法を制御す
るためには、非常に高価なマスクを作成する必要がある
が、波形エッジ図形を用いる方法では、高価なマスクを
使用しなくても十分な効果を得ることができる。
エッジ図形作成部507で作成された波形エッジ図形が
ゲートパタンとなるように修正されたゲート配線のマス
クデータ521を作成する。最後にマスクデータ出力部
509により、修正されたマスクデータを出力すること
によりマスクデータ作成装置の動作を終了する。
スクを使用せずに近接効果によるゲート線幅のバラツキ
を抑制するように修正されたゲート配線のマスクデータ
を作成することが可能となる。
調整は波形エッジのピッチ幅を変化させて行なったが、
波形エッジの山部分の寸法あるいは波形エッジの振幅の
寸法をそれぞれ単独あるいは組み合わせて変化させても
よい。
光強度を計算し、その光強度値より近接効果による寸法
シフト量を評価したが、光強度計算と現像溶解速度計算
を用いて寸法シフト量を評価してもよい。
ついて図面を参照しながら説明する。
スクデータ作成装置の構成を示すものである。
部、603はゲート領域抽出部、604はゲートエッジ
抽出部、605は各ゲート線幅の寸法シフト計算部、6
09はマスクデータ出力部であり、以上は図9に示す第
4の実施例の構成と同様なものである。
7の平行補助パタン作成部を406の線幅修正量規定部
の代わりに設けた点であり、608のマスクデータ修正
部はそれに対応したものとなる。
ンを直接変更する代わりに、ゲート領域となるマスクパ
タンに対して平行な補助パタンを追加することにより、
パタンの疎密による近接効果を抑制する機能を備えたも
のとなる。
データ作成装置の動作方法のフローチャートである。
成装置の動作及び、本実施例におけるゲート配線マスク
データの作成方法について、図18〜図21を用いて説
明する。
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次にゲート領域抽出部603によりマスクデータ入
力部602より入力されたマスクデータのゲート配線パ
タンと活性化領域の重なりからゲートパタンを抽出す
る。次にゲートエッジ抽出部604によりゲート領域抽
出部603で抽出されたゲートパタンでゲート長の対辺
となるゲートエッジを抽出する。次に各ゲート線幅の寸
法シフト量評価部605により、マスクデータ入力部6
02からゲート配線パタンを入力し、ゲートエッジ抽出
部604からゲートエッジを入力し、ゲートエッジ近傍
における光強度を計算し、その光強度値より近接効果に
よる寸法シフト量を評価する。以上の動作は第4の実施
例と同様である。
法シフト量評価部605で計算された寸法シフト量に基
づいてゲート領域となるマスクパタンに対して平行な補
助パタン619を作成する。平行補助パタンを付加した
場合にリソグラフィ工程で形成される線幅寸法の関係は
図22に示されるように、リソグラフィ工程で形成され
る線幅は平行補助パタンを付加することによっても修正
できる。次にマスクデータ修正部608により修正され
たゲート配線のマスクデータ621を作成する。最後に
マスクデータ出力部609により、修正されたマスクデ
ータを出力することによりマスクデータ作成装置の動作
を終了する。
域となるマスクパタンに対して平行な補助パタンを追加
することにより、ゲート線幅のバラツキを抑制するよう
に修正されたゲート配線のマスクデータを作成すること
が可能となる。
光強度を計算し、その光強度値より近接効果による寸法
シフト量を評価したが、光強度計算と現像溶解速度計算
を用いて寸法シフト量を評価してもよい。
法、実施例4の線幅パラメータの方法、実施例5の波形
エッジ図形の方法の複数の方法を組み合わせてもよい。
ついて図面を参照しながら説明する。
スクデータ作成装置の構成を示すものである。
部、703はゲート領域抽出部、704はゲートエッジ
抽出部、707は線幅修正量規定部、708はマスクデ
ータ修正部、709はマスクデータ出力部であり、以上
は図9に示す第4の実施例の構成と同様なものである。
5の各ゲート線幅の寸法シフト計算部の代わりに705
のゲートエッジ上での光強度計算部と706の判定部を
設けた点である。これにより、個々のゲート線幅をほぼ
同一の精度で修正できる機能を備えたものとなる。
データ作成装置の動作方法のフローチャートである。
成装置の動作及び、本実施例におけるゲート配線マスク
データの作成方法について説明する。
所定の設計装置により設計されたマスクデータを入力す
る。次にゲート領域抽出部703によりマスクデータ入
力部702より入力されたマスクデータのゲート配線パ
タンと活性化領域の重なりからゲートパタンを抽出す
る。次にゲートエッジ抽出部704によりゲート領域抽
出部703で抽出されたゲートパタンでゲート長の対辺
となるゲートエッジを抽出する。以上の動作は第4の実
施例と同様である。
によりゲートエッジ上での光強度を計算する。これは、
ゲートエッジ上に幾つかの評価点を設定し、その点での
光強度を計算するだけである。次に判定部706により
ゲートエッジ上の光強度計算部で計算されたゲートエッ
ジ上での光強度を所定の閾値と比較し、それぞれの光強
度と閾値の差が所定の値より小さいか否かを判定する。
このとき、その差が所定の値より小さい場合はマスクデ
ータ出力部に移り処理を終了するが、小さくない場合は
線幅修正量規定部707に移る。線幅修正量規定部70
7ではゲートエッジ上の光強度と所定の閾値との差に比
例した線幅修正値を設定する。すなわち、リソグラフィ
工程においてポジ型レジストを用いる場合はおいては、
光強度が閾値より大きいときはゲート線幅修正量におい
てゲート線幅が太くなるように修正量を変更する。光強
度が閾値より小さいときはゲート線幅修正量においてゲ
ート線幅が細くなるように修正量を変更する。ただし、
リソグラフィ工程においてネガ型レジストを用いる場合
においては、その逆となる。修正量の規定の方法は第2
の実施例と同様にゲートエッジデータと線幅パラメータ
で表せばよい。さらに、線幅修正量規定後はマスクデー
タ修正部により修正されたゲート配線のマスクデータを
作成する。修正されたゲート配線のマスクデータの作成
方法は第4の実施例と同様である。さらに、その後は再
びゲートエッジ上の光強度計算部により前記マスクデー
タ修正部で作成された修正されたゲート配線のマスクデ
ータを用いてゲートエッジ上での光強度を計算する。こ
れらの判定部からゲートエッジ上の光強度計算部までの
操作を各ゲートエッジ上の光強度と所定の閾値との差が
所定の値より小さくなるまで繰り返す。
うゲートの線幅を同時に正確に修正でき、ゲートが密集
した構成を有するLSIに有効な修正されたゲート配線の
マスクデータを作成することが可能となる。
に示した波形エッジ図形を用いてもよい。
を用いた場合におけるマスクデータ作成装置の構成を示
すものである。また、図26は波形エッジ図形を用いた
場合におけるマスクデータ作成装置の動作方法のフロー
チャートを示す図である。
ートが密集した構成を有するLSIに対しても個々のゲー
ト線幅をより正確に修正できる。
行補助パタンを用いてもよい。図27は本実施例におい
て平行補助パタンを用いた場合におけるマスクデータ作
成装置の構成を示すものである。これにより線幅の太い
ゲートは細くなり全体として線幅のバラツキが抑えられ
る。図28は補助パターンを配置するパラメータとそれ
によって孤立の線幅がどのように変化するかを、シミュ
レーションと実験値によって調べたものである。パラメ
ータWとS1を調整する事によって線幅がコントロール
できることがわかる。図29は平行補助パタンを用いた
場合におけるマスクデータ作成装置の動作方法のフロー
チャートを示す図である。
法、実施例5の波形エッジ図形の方法、実施例6の平行
補助パタンの方法の複数の方法を組み合わせてもよい。
および図31を参照しながら説明する。
ャートである。図31はこれら一連の処理の簡略図であ
る。まずゲートの設計データを入力する。次にそのデー
タを所定の量だけ拡大リサイズしたマスクデータ1を作
成する。再び所定の量だけ縮小リサイズすると、所定の
量の半分以下の間隔を持つゲート及びゲート配線はつな
がって1つになる(図31(b))。次にそのマスクデ
ータ1を補助パターンの幅Wと補助パターンとゲートと
の間隔S1だけリサイズしたマスクデータ2を作成す
る。次に同じくマスクデータ1を補助パターンとゲート
間隔S1だけ拡大リサイズしたマスクデータ3を作成す
る。マスクデータ2からマスクデータ3を引く論理処理
を行うとマスクデータ1の周辺に補助パターンができる
マスクデータ4ができる(図31(c))。次にそのマ
スクデータ4と活性領域とのアンド処理を行えば活性領
域上に補助パターンが形成されるマスクデータ5ができ
る。最後に設計データとマスクデータ5を合わせれば平
行補助パターンのマスクが形成される(図31
(d))。
幅寸法のバラツキを抑制するように修正されたマスクデ
ータを作成することができる。また隣接し合うゲートの
線幅を同時に正確に修正でき、ゲートが密集した構成を
有するLSIに有効な修正されたゲート配線のマスクデー
タを作成することができる。
装置の構成図
ーチャート
装置の構成図
ーチャート
装置の構成図
ーチャート
ンを示す図
ンの拡大図
装置の構成図
ローチャート
タンを示す図
タンの拡大図
成装置の構成図
ローチャート
タンを示す図
タンの拡大図
果を示す図
成装置の構成図
ローチャート
タンを示す図
タンの拡大図
果を示す図
成装置の構成図
ローチャート
形エッジ図形を用いた場合の構成図
ジ図形を用いた場合のフローチャート
行補助パタンを用いた場合の構成図
パタンを用いた場合のフローチャート
法のフローチャート
入力部 103,203 検査領域抽出部 303,403,503,603,703,713,723 ゲート領域抽出部 104,204 光強度計算部 304,404,504,604,704,714,724 ゲートエッジ抽出部 105,205 形状計算部 305,405,505,605 各ゲートの線幅の寸法シフト量計算
部 705,715,725 ゲートエッジ上の光強度計算部 106,206 現像溶解速度計算部 406 線幅修正量規定部 706,716,726 判定部 107,207 検査部 507,717 波形エッジ図形作成部 607,727 平行補助パターン作成部 707 線幅修正量規定部 108,308 警告箇所抽出部 208,408,508,608,708,718,728 マスクデータ修正部 109,309 表示部 209,409,509,609,709,719,729 マスクデータ出力部 210,410,510,610,710,720,730 マスクデータ 311,411,511,611,911 ゲート配線パターン 312,412,512,612,812,912 活性領域 313,413,513,613,813 ゲートパターン 314,414,514,614 ゲートエッジ 315,415,515,615 評価点 316,416,516,616 評価点での光強度分布 317,417,517,617 臨海解像度となるしきい値 318,418,518,618 寸法シフト量 319 警告箇所抽出部 419 線幅パラメータ 619 平行な補助パターン 420 ゲート修正図形 421,521,621 修正されたゲート配線のマスクデータ 522 波形エッジの振幅の寸法Dw 523 波形エッジのピッチ幅Pw 524 波形エッジの山部分の寸法Ow 525 波形エッジのPwを振った時の線幅 826 平行補助パターンの幅W 827 平行補助パターンとゲートの間隔S1
Claims (2)
- 【請求項1】 マスク設計データをマスクデータ入力部
に入力する工程と、 前記入力されたマスク設計データからゲート配線パタン
と活性化領域とが重なり合う部分をゲートパタンとして
抽出する工程と、 前記ゲートパタンからゲートエッジを抽出する工程と、 前記ゲートパタンの前記ゲートエッジ近傍における光強
度値を計算する工程と、 前記光強度値に基づいて近接効果によるゲート線幅の寸
法シフト量を計算する工程と、 前記寸法シフト量が所定の値よりも大きいゲートパタン
を抽出する工程と、 前記寸法シフト量が所定の値よりも大きいゲートパタン
に対して、前記寸法シフト量に基づいて前記ゲートパタ
ンのゲート線幅の修正量を規定し、前記規定されたゲー
ト線幅の修正量に基づいて前記ゲートパタンの線幅を修
正し、ゲート配線パタンのマスクデータを作成するマス
クデータの作成方法。 - 【請求項2】 マスク設計データをマスクデータ入力部
に入力する工程と、 前記入力されたマスク設計データからゲート配線パタン
と活性化領域とが重なり合う部分をゲートパタンとして
抽出する工程と、 前記ゲートパタンからゲートエッジを抽出する工程と、 前記ゲートエッジ上での光強度値を計算する工程と、 前記ゲートエッジ上での光強度値を所定の閾値との差が
所定の値よりも小さいときはゲート配線パタンのマスク
データを出力し、 前記ゲートエッジ上での光強度を所定の閾値との差が所
定の値よりも大きいときはゲート配線パタンのマスクデ
ータを修正する工程を備え、 前記ゲート配線パタンのマスクデータの修正は、前記ゲ
ートエッジ上での光強度と前記閾値との差が所定の値よ
りも小さくなるまで前記ゲートパタンの線幅の修正を行
い、その後、修正したゲート配線パタンのマスクデータ
を出力するマスクデータの作成方法。
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- 1994-09-07 JP JP21368194A patent/JP3223718B2/ja not_active Expired - Fee Related
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