JP3222185U

JP3222185U - Packaged device

Info

Publication number: JP3222185U
Application number: JP2019000728U
Authority: JP
Inventors: ワイキットチョン
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2019-02-28
Filing date: 2019-02-28
Publication date: 2019-07-18
Anticipated expiration: 2029-02-28

Abstract

【課題】製造にかかるコスト、ウェーハの破損の可能性及び製造にかかる所要時間を抑制することができるパッケージデバイスを提供すること。【解決手段】パッケージデバイス１は、デバイス６の表面にパッドが設けられたデバイスチップ２と、デバイスチップ２の裏面９とデバイスチップ２の外側面１０とを封止したモールド樹脂３と、を備える。デバイス６は、ダイオードである。デバイスチップ２は、基板４の表面５に格子状の分割予定ラインと分割予定ラインに区画された各領域にデバイス６が形成されたウェーハの表面５に表面保護テープを貼着し、ウェーハを裏面側から分割予定ラインに沿って切断した後、ウェーハの裏面９側をモールド樹脂３で封止し、裏面側に他のテープを貼着しかつ表面保護テープを剥がした後、表面５側からモールド樹脂３が分割されて製造される。【選択図】図１An object of the present invention is to provide a package device capable of suppressing the cost for manufacturing, the possibility of breakage of a wafer, and the time required for manufacturing. A package device (1) includes a device chip (2) having a pad provided on the surface of a device (6), and a mold resin (3) sealing a back surface (9) of the device chip (2) and an outer surface (10) of the device chip (2). . Device 6 is a diode. In the device chip 2, a surface protection tape is attached to the front surface 5 of the wafer on which the device 6 is formed in each area divided into the grid division planned line and the division plan line on the front surface 5 of the substrate 4. After cutting from the side along the dividing line, the back surface 9 side of the wafer is sealed with the mold resin 3, another tape is attached to the back surface, and the surface protection tape is peeled off. The resin 3 is divided and manufactured. [Selected figure] Figure 1

Description

本考案は、パッケージデバイスに関する。 The present invention relates to a packaged device.

従来から、ウェーハが個々に個片化されるなどして製造されるパッケージデバイスが用いられている（例えば、特許文献１参照）。この種のパッケージデバイスは、少なくとも表面及び全ての外側面がモールド樹脂で封止されることがある。 Conventionally, a package device manufactured by dividing a wafer into pieces individually is used (see, for example, Patent Document 1). In this type of package device, at least the surface and all the outer surfaces may be sealed with a mold resin.

前述した種類のパッケージデバイスを製造する際には、表面にデバイスが形成されたウェーハに表面側から分割予定ラインに沿って切削溝を形成し、表面側をモールド樹脂で封止する。その後、表面側のモールド樹脂にテープを貼着した後、裏面側から切削溝内のモールド樹脂が露出するまで、裏面側を研削し、表面側のテープを耐熱性を有するテープに貼り換える。その後、裏面側をモールド樹脂で封止し、裏面側を封止したモールド樹脂に更に他のテープを貼着し、表面側のテープを剥がして、表面側から分割予定ラインに沿って切削溝内で露出したモールド樹脂を切削する。 When manufacturing a package device of the type described above, a cutting groove is formed along a planned dividing line from the surface side on a wafer on the surface of which a device is formed, and the surface side is sealed with a mold resin. Thereafter, a tape is attached to the mold resin on the front surface side, and then the rear surface side is ground until the mold resin in the cutting groove is exposed from the rear surface side, and the tape on the front surface side is attached to a heat resistant tape. Thereafter, the back side is sealed with a mold resin, and another tape is attached to the mold resin sealed on the back side, the tape on the front side is peeled off, and the inside of the cutting groove along the planned dividing line from the front side. Cut the mold resin exposed in.

特開２０１９−９１７６号公報JP 2019-9176 A

前述したパッケージデバイスは、製造される際に、最初にモールド樹脂に貼着されるテープ、表面側に貼り換えられる耐熱性を有するテープ及び裏面側を封止したモールド樹脂に貼着されるテープの合計３枚のテープを貼着する必要が生じて、テープの貼着に係るコストが高騰する傾向であった。また、前述したパッケージデバイスは、３枚のテープを貼着する必要が生じるので、製造するために、前述したように合計８工程が必要となり、ウェーハが破損する可能性が高まるとともに製造に係る工数が増加する傾向であった。さらに、パッケージデバイスは、製造するために、前述したように合計８工程が必要となるので、テープが剥がれる虞があった。 The package device mentioned above is a tape to be first attached to a mold resin, a tape having heat resistance to be reapplied to the surface side, and a tape to be attached to a mold resin sealing the back side when manufactured. It was necessary to stick a total of three tapes, and the cost for sticking the tapes tended to rise. Moreover, since the package device mentioned above needs to stick three sheets of tapes, in order to manufacture, a total of eight processes are needed as mentioned above, and while the possibility that a wafer may be damaged increases, the man-hours concerning manufacture Tended to increase. Furthermore, since the package device requires a total of eight steps as described above to manufacture, the tape may be peeled off.

本考案は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、製造にかかるコスト、ウェーハの破損の可能性及び製造にかかる所要時間を抑制することができるパッケージデバイスを提供することである。 The present invention has been made in view of such problems, and an object thereof is to provide a package device capable of suppressing the cost for manufacturing, the possibility of breakage of a wafer, and the time required for manufacturing. is there.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本考案のパッケージデバイスは、デバイスの表面にパッドが設けられたデバイスチップと、デバイスチップの裏面とデバイスチップの外側面とを封止したモールド樹脂と、を備えることを特徴とする。 In order to solve the problems described above and achieve the object, the package device of the present invention is a mold in which a device chip having a pad provided on the surface of the device, and a back surface of the device chip and an outer surface of the device chip are sealed. And a resin.

前記パッケージデバイスにおいて、前記デバイスは、ダイオードでも良い。 In the package device, the device may be a diode.

前記パッケージデバイスにおいて、基板の表面に格子状の分割予定ラインと該分割予定ラインに区画された各領域にデバイスが形成されたウェーハの該表面に表面保護テープを貼着し、該ウェーハを裏面側から分割予定ラインに沿って切断した後、該ウェーハの裏面側をモールド樹脂で封止し、該裏面側に他のテープを貼着しかつ該表面保護テープを剥がした後、該表面側からモールド樹脂が分割されて製造されても良い。 In the package device, a surface protection tape is attached to the surface of the wafer on which devices are formed in each of the areas divided by the grid-like planned dividing lines and the planned dividing lines on the surface of the substrate, and the wafer is on the back side The wafer is cut along the dividing line, the back side of the wafer is sealed with a mold resin, another tape is attached to the back side, and the surface protection tape is peeled off, and then the mold is cut from the front side. The resin may be divided and manufactured.

本考案のパッケージデバイスは、製造に係るコスト、ウェーハの破損の可能性及び製造にかかる所要時間を抑制することができるという効果を奏する。 The package device of the present invention is effective in that the cost for manufacturing, the possibility of breakage of a wafer, and the time required for manufacturing can be suppressed.

図１は、実施形態１に係るパッケージデバイスの一例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an example of a package device according to the first embodiment. 図２は、図１に示されたパッケージデバイスのデバイスの表面の要部を拡大して示す断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of an essential part of the surface of the device of the package device shown in FIG. 図３は、図１に示されたパッケージデバイスに製造されるウェーハの一例を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing an example of a wafer manufactured in the package device shown in FIG. 図４は、図１に示されたパッケージデバイスを製造するパッケージデバイスの製造方法の流れを示すフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart showing a flow of a method of manufacturing a package device for manufacturing the package device shown in FIG. 図５は、図４に示されたパッケージデバイスの製造方法の表面保護テープ貼着ステップを模式的に示す要部の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of an essential part schematically showing a surface protection tape attaching step of the method of manufacturing the package device shown in FIG. 4. 図６は、図４に示されたパッケージデバイスの製造方法の切断ステップのアライメントを遂行する状態を模式的に示す要部の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of the main part schematically showing the state of performing the alignment of the cutting step of the method of manufacturing the package device shown in FIG. 4. 図７は、図４に示されたパッケージデバイスの製造方法の切断ステップの分割予定ラインを切断する状態を模式的に示す要部の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of main parts schematically showing a state in which the dividing line of the cutting step of the manufacturing method of the package device shown in FIG. 4 is cut. 図８は、図４に示されたパッケージデバイスの製造方法の研削ステップを模式的に示す要部の断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of main parts schematically showing a grinding step of the method of manufacturing the package device shown in FIG. 4. 図９は、図４に示されたパッケージデバイスの製造方法のモールドステップ後を模式的に示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing after the molding step of the method of manufacturing the package device shown in FIG. 4. 図１０は、図４に示されたパッケージデバイスの製造方法のテープ貼着ステップを模式的に示す要部の断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view of an essential part schematically showing a tape attaching step of the method of manufacturing the package device shown in FIG. 4. 図１１は、図４に示されたパッケージデバイスの製造方法のモールド樹脂切断ステップのデバイスチップ間のモールド樹脂を切断する状態を模式的に示す要部の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of main parts schematically showing a state in which the mold resin between the device chips is cut in the mold resin cutting step of the method of manufacturing the package device shown in FIG. 4.

本考案を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本考案が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本考案の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 A mode (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. Further, the components described below include those which can be easily conceived by those skilled in the art and those which are substantially the same. Furthermore, the configurations described below can be combined as appropriate. In addition, various omissions, substitutions, or modifications of the configuration can be made without departing from the scope of the present invention.

〔実施形態１〕
本考案の実施形態１に係るパッケージデバイスを図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るパッケージデバイスの一例を示す斜視図である。図２は、図１に示されたパッケージデバイスのデバイスの表面の要部を拡大して示す断面図である。図３は、図１に示されたパッケージデバイスに製造されるウェーハの一例を示す斜視図である。 Embodiment 1
A package device according to a first embodiment of the present invention will be described based on the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing an example of a package device according to the first embodiment. FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of an essential part of the surface of the device of the package device shown in FIG. FIG. 3 is a perspective view showing an example of a wafer manufactured in the package device shown in FIG.

実施形態１に係るパッケージデバイス１は、図１に示すように、デバイスチップ２と、モールド樹脂３とを備える。デバイスチップ２は、図２に示すように、基板４と、基板４の表面５に形成されたデバイス６とを備える。実施形態１では、デバイス６は、所謂半導体ダイオードであるが、本考案では、半導体ダイオードに限定されない。 The package device 1 according to the first embodiment includes a device chip 2 and a mold resin 3 as shown in FIG. The device chip 2 includes a substrate 4 and devices 6 formed on the surface 5 of the substrate 4 as shown in FIG. In the first embodiment, the device 6 is a so-called semiconductor diode, but the present invention is not limited to the semiconductor diode.

また、デバイスチップ２は、図２に示すように、デバイス６の表面に図示しない基板に接続するためのパッド７を複数備える。パッド７は、導電性の金属により構成されている。実施形態１において、パッド７は、デバイス６の表面の殆どの部分に設けられており、デバイス６の表面の殆どを覆っている。実施形態１において、パッド７は、図２に示すように、厚みが２０μｍ以上でかつ５０μｍ以下の半田ペースト８により覆われている。デバイスチップ２は、図３に示すウェーハ２０が所定の厚みまで薄化されかつ分割予定ライン２１に沿って分割されるなどして製造される。実施形態１では、デバイスチップ２の平面形状は、四角形である。 Further, as shown in FIG. 2, the device chip 2 includes a plurality of pads 7 for connection to a substrate (not shown) on the surface of the device 6. The pad 7 is made of a conductive metal. In the first embodiment, the pad 7 is provided on most of the surface of the device 6 and covers most of the surface of the device 6. In the first embodiment, as shown in FIG. 2, the pad 7 is covered with the solder paste 8 having a thickness of 20 μm or more and 50 μm or less. The device chip 2 is manufactured by thinning the wafer 20 shown in FIG. 3 to a predetermined thickness and dividing it along the dividing lines 21. In the first embodiment, the planar shape of the device chip 2 is a square.

モールド樹脂３は、絶縁性を有する合成樹脂により構成され、デバイスチップ２の基板４のデバイス６が設けられた表面５の裏側の裏面９と、表面５と裏面９とに連なる外側面１０とを被覆して、裏面９及び外側面１０を封止している。実施形態では、モールド樹脂３は、全ての外側面１０を封止している。 The mold resin 3 is made of insulating synthetic resin, and the back surface 9 on the back side of the surface 5 on which the device 6 of the substrate 4 of the device chip 2 is provided, and the outside surface 10 connected to the surface 5 and back surface 9 The cover 9 seals the back surface 9 and the outer surface 10. In the embodiment, the mold resin 3 seals all the outer side surfaces 10.

前述した構成のデバイスチップ２は、デバイス６の表面の殆どがパッド７により覆われ、パッド７が半田ペースト８により覆われているので、デバイス６の表面をモールド樹脂３で被覆する必要が無いものである。 In the device chip 2 having the above-described configuration, the surface of the device 6 need not be covered with the mold resin 3 because most of the surface of the device 6 is covered with the pad 7 and the pad 7 is covered with the solder paste 8 It is.

前述した構成のパッケージデバイス１は、図３に示すウェーハ２０がデバイスチップ２に分割され、デバイスチップ２の基板４の裏面９及び外側面１０をモールド樹脂３で封止して製造される。デバイスチップ２に製造されるウェーハ２０は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基板４とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。なお、ウェーハ２０の説明において、デバイスチップ２と共通する部分には、同一符号を付して説明する。ウェーハ２０は、図３に示すように、基板４の表面５に格子状の分割予定ライン２１と、分割予定ライン２１に区画された各領域にデバイス６が形成されている。 The package device 1 configured as described above is manufactured by dividing the wafer 20 shown in FIG. 3 into the device chip 2 and sealing the back surface 9 and the outer surface 10 of the substrate 4 of the device chip 2 with the mold resin 3. The wafer 20 manufactured in the device chip 2 is a disk-shaped semiconductor wafer or an optical device wafer using silicon, sapphire, or gallium arsenide as the substrate 4. In the description of the wafer 20, the parts common to the device chip 2 will be described with the same reference numerals. In the wafer 20, as shown in FIG. 3, the device 6 is formed in each of the areas divided into the grid-like planned division lines 21 and the planned division lines 21 on the surface 5 of the substrate 4.

次に、本明細書は、図１に示されたパッケージデバイス１を製造するパッケージデバイスの製造方法を説明する。図４は、図１に示されたパッケージデバイスを製造するパッケージデバイスの製造方法の流れを示すフローチャートである。 Next, the present specification describes a method of manufacturing a packaged device for manufacturing the packaged device 1 shown in FIG. FIG. 4 is a flowchart showing a flow of a method of manufacturing a package device for manufacturing the package device shown in FIG.

パッケージデバイスの製造方法は、ウェーハ２０を分割予定ライン２１に沿って個々のデバイスチップ２に分割するとともに、デバイスチップ２の裏面９及び外側面１０をモールド樹脂３で封止して、パッケージデバイス１を製造する方法である。パッケージデバイスの製造方法は、図４に示すように、表面保護テープ貼着ステップＳＴ１と、切断ステップＳＴ２と、研削ステップＳＴ３と、モールドステップＳＴ４と、テープ貼着ステップＳＴ５と、モールド樹脂切断ステップＳＴ６とを備える。 In the method of manufacturing the package device, the wafer 20 is divided into individual device chips 2 along the dividing lines 21 and the back surface 9 and the outer surface 10 of the device chip 2 are sealed with the mold resin 3 to form the package device 1 How to make As shown in FIG. 4, the method of manufacturing the package device includes a surface protection tape attaching step ST1, a cutting step ST2, a grinding step ST3, a mold step ST4, a tape attaching step ST5, and a mold resin cutting step ST6. And

（表面保護テープ貼着ステップ）
図５は、図４に示されたパッケージデバイスの製造方法の表面保護テープ貼着ステップを模式的に示す要部の断面図である。表面保護テープ貼着ステップＳＴ１は、ウェーハ２０の表面５側に保護部材である表面保護テープ３１を貼着するステップである。 (Surface protection tape sticking step)
FIG. 5 is a cross-sectional view of an essential part schematically showing a surface protection tape attaching step of the method of manufacturing the package device shown in FIG. 4. The surface protection tape sticking step ST1 is a step of sticking a surface protection tape 31 which is a protection member on the surface 5 side of the wafer 20.

実施形態１において、表面保護テープ貼着ステップＳＴ１では、図５に示すように、マウンタ３０が表面保護テープ３１をウェーハ２０に押し付けるローラー３２を表面５に沿って移動させて、表面保護テープ３１をウェーハ２０の表面５に貼着する。実施形態１では、表面保護テープ３１は、絶縁性と可撓性を有する合成樹脂で構成された基材層と、基材層に積層された粘着層とを備えた耐熱性のテープであって、例えば、モールドステップＳＴ４においてモールド樹脂３を封止する際の１２５℃の温度に耐えることができ、モールドステップＳＴ４において支障を生じない。表面保護テープ３１は、テープ貼着ステップＳＴ５において１７０℃以上の温度でウェーハ２０から剥がすことができる。また、表面保護テープ３１の粘着層は、高い粘着性を有し、基材層及び粘着層は、高い衝撃吸収性を有する。また、粘着層は、液状タイプの化合物であるため高い衝撃吸収性を有し、特にモールドステップＳＴ４において分割後のデバイスチップ２に作用する衝撃を抑制でき、デバイスチップ２の位置ずれを抑制できる。パッケージデバイスの製造方法は、ウェーハ２０の表面５に表面保護テープ３１を貼着すると、切断ステップＳＴ２に進む。 In the first embodiment, in the surface protection tape sticking step ST1, as shown in FIG. 5, the mounter 30 moves the roller 32 which presses the surface protection tape 31 against the wafer 20 along the surface 5, and the surface protection tape 31 is It is attached to the surface 5 of the wafer 20. In the first embodiment, the surface protection tape 31 is a heat resistant tape provided with a base material layer made of a synthetic resin having an insulating property and flexibility, and an adhesive layer laminated on the base material layer. For example, it can withstand the temperature of 125 ° C. at the time of sealing the mold resin 3 in the mold step ST4, and no trouble occurs in the mold step ST4. The surface protection tape 31 can be peeled off from the wafer 20 at a temperature of 170 ° C. or more in the tape bonding step ST5. Moreover, the adhesive layer of the surface protection tape 31 has high adhesiveness, and the base material layer and the adhesive layer have high impact absorption. Further, since the adhesive layer is a liquid type compound, it has high shock absorption, and in particular, it is possible to suppress an impact acting on the device chip 2 after division in the mold step ST4, and to suppress positional deviation of the device chip 2. In the method of manufacturing the package device, when the surface protection tape 31 is attached to the surface 5 of the wafer 20, the process proceeds to a cutting step ST2.

（切断ステップ）
図６は、図４に示されたパッケージデバイスの製造方法の切断ステップのアライメントを遂行する状態を模式的に示す要部の断面図である。図７は、図４に示されたパッケージデバイスの製造方法の切断ステップの分割予定ラインを切断する状態を模式的に示す要部の断面図である。切断ステップＳＴ２は、ウェーハ２０を裏面９側から分割予定ライン２１に沿って切断するステップである。 (Cutting step)
FIG. 6 is a cross-sectional view of the main part schematically showing the state of performing the alignment of the cutting step of the method of manufacturing the package device shown in FIG. 4. FIG. 7 is a cross-sectional view of main parts schematically showing a state in which the dividing line of the cutting step of the manufacturing method of the package device shown in FIG. 4 is cut. The cutting step ST2 is a step of cutting the wafer 20 from the back surface 9 side along the dividing lines 21.

実施形態１において、切断ステップＳＴ２では、切削装置４０が表面保護テープ３１を介してウェーハ２０の基板４の表面５側をチャックテーブル４１の保持面４２に吸引保持する。切断ステップＳＴ２では、切削装置４０が、図６に示すように、光源４３がウェーハ２０の裏面９側に光４４を照射し、赤外線カメラ４５がウェーハ２０を裏面９側から撮像して、分割予定ライン２１を検出する。切断ステップＳＴ２では、切削装置４０が、切削ブレード４６と分割予定ライン２１とを位置決めするアライメントを遂行した後、チャックテーブル４１と切削ブレード４６とを分割予定ライン２１に沿って相対的に移動させながら、図７に示すように、切削ブレード４６をウェーハ２０に切り込ませて、切削ブレード４６で分割予定ライン２１を切削（切断）して、ウェーハ２０を個々のデバイスチップ２に分割する。 In the first embodiment, the cutting device 40 sucks and holds the front surface 5 side of the substrate 4 of the wafer 20 on the holding surface 42 of the chuck table 41 via the surface protection tape 31 in the cutting step ST2. In the cutting step ST2, as shown in FIG. 6, the cutting apparatus 40 irradiates the light 44 to the back surface 9 side of the wafer 20, and the infrared camera 45 images the wafer 20 from the back surface 9 side to be divided. Line 21 is detected. In the cutting step ST2, after the cutting device 40 performs alignment for positioning the cutting blade 46 and the planned dividing line 21, the chuck table 41 and the cutting blade 46 are relatively moved along the planned dividing line 21. As shown in FIG. 7, the cutting blade 46 is cut into the wafer 20 and the dividing line 21 is cut (cut) by the cutting blade 46 to divide the wafer 20 into individual device chips 2.

切断ステップＳＴ２では、全ての分割予定ライン２１に沿ってウェーハ２０を切断して、個々のデバイスチップ２に分割すると、切削ブレード４６による切削、チャックテーブル４１の吸引保持を解除して、研削ステップＳＴ３に進む。 In the cutting step ST2, the wafer 20 is cut along all planned dividing lines 21 and divided into individual device chips 2. Then, cutting by the cutting blade 46 and suction holding of the chuck table 41 are released, and the grinding step ST3 is performed. Go to

（研削ステップ）
図８は、図４に示されたパッケージデバイスの製造方法の研削ステップを模式的に示す要部の断面図である。研削ステップＳＴ３は、モールドステップＳＴ４の前に、ウェーハ２０即ち個々に分割されたデバイスチップ２の基板４の裏面９を研削するステップである。 (Grinding step)
FIG. 8 is a cross-sectional view of main parts schematically showing a grinding step of the method of manufacturing the package device shown in FIG. 4. The grinding step ST3 is a step of grinding the wafer 20, that is, the back surface 9 of the substrate 4 of the individually divided device chips 2 before the molding step ST4.

実施形態１において、研削ステップＳＴ３では、研削装置５０が、チャックテーブル５１の保持面５２に表面保護テープ３１を介してウェーハ２０即ち個々に分割されたデバイスチップ２の基板４の表面５側を吸引保持する。研削ステップＳＴ３では、図８に示すように、スピンドル５３により研削用の研削ホイール５４を回転しかつチャックテーブル５１を軸心回りに回転させ、図示しない研削液ノズルから研削液を供給しつつ、研削ホイール５４の研削砥石５５を個々のデバイスチップ２の基板４の裏面９に当接させてチャックテーブル５１に所定の送り速度で近づけて、研削砥石５５でデバイスチップ２の裏面９を研削する。 In the first embodiment, in the grinding step ST 3, the grinding device 50 sucks the wafer 5, ie, the surface 5 side of the substrate 4 of the individually divided device chips 2 on the holding surface 52 of the chuck table 51 via the surface protection tape 31. Hold. In the grinding step ST3, as shown in FIG. 8, the grinding wheel 54 for grinding is rotated by the spindle 53, and the chuck table 51 is rotated about its axis to supply grinding liquid from a grinding liquid nozzle (not shown). The grinding wheel 55 of the wheel 54 is brought into contact with the back surface 9 of the substrate 4 of each device chip 2 and brought close to the chuck table 51 at a predetermined feed rate, and the back surface 9 of the device chip 2 is ground by the grinding wheel 55.

研削ステップＳＴ３では、所定の厚さになるまで、ウェーハ２０即ちデバイスチップ２を研削する。実施形態１において、パッケージデバイスの製造方法は、所定の厚さまでウェーハ２０即ちデバイスチップ２を研削するとモールドステップＳＴ４に進む。 In the grinding step ST3, the wafer 20, that is, the device chip 2 is ground to a predetermined thickness. In the first embodiment, when the wafer 20, that is, the device chip 2 is ground to a predetermined thickness, the method of manufacturing the package device proceeds to a mold step ST4.

（モールドステップ）
図９は、図４に示されたパッケージデバイスの製造方法のモールドステップ後を模式的に示す断面図である。モールドステップＳＴ４は、ウェーハ２０即ち個々に分割されたデバイスチップ２の裏面９側をモールド樹脂３で封止するステップである。 (Mold step)
FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing after the molding step of the method of manufacturing the package device shown in FIG. 4. The molding step ST4 is a step of sealing the wafer 20, that is, the back surface 9 side of the individually divided device chips 2 with the molding resin 3.

モールドステップＳＴ４では、図９に示すように、表面保護テープ３１に貼着されたウェーハ２０即ちデバイスチップ２の裏面９をモールド樹脂３で封止するとともに、互いに隣り合うデバイスチップ２間即ちデバイスチップ２の外側面１０をモールド樹脂３で封止する。実施形態１では、１２５℃に加熱されたモールド樹脂３でデバイスチップ２を封止する。実施形態１において、パッケージデバイスの製造方法は、モールド樹脂３でウェーハ２０即ちデバイスチップ２を封止するとテープ貼着ステップＳＴ５に進む。 In the molding step ST4, as shown in FIG. 9, the wafer 20 attached to the surface protection tape 31, ie, the back surface 9 of the device chip 2 is sealed with the molding resin 3 and the device chips 2 adjacent to each other, ie, the device chip The outer surface 10 of 2 is sealed with a mold resin 3. In the first embodiment, the device chip 2 is sealed with the mold resin 3 heated to 125 ° C. In the first embodiment, when the wafer 20, that is, the device chip 2 is sealed with the mold resin 3, the method of manufacturing the package device proceeds to a tape sticking step ST5.

（テープ貼着ステップ）
図１０は、図４に示されたパッケージデバイスの製造方法のテープ貼着ステップを模式的に示す要部の断面図である。テープ貼着ステップＳＴ５は、ウェーハ２０即ちデバイスチップ２の裏面９側に他のテープ６１を貼着しかつ表面保護テープ３１を表面５側から剥がすステップである。 (Tape sticking step)
FIG. 10 is a cross-sectional view of an essential part schematically showing a tape attaching step of the method of manufacturing the package device shown in FIG. 4. The tape attaching step ST5 is a step of attaching another tape 61 to the back surface 9 side of the wafer 20, that is, the device chip 2 and peeling the surface protection tape 31 from the surface 5 side.

実施形態１において、テープ貼着ステップＳＴ５では、１７０℃以上にしてウェーハから表面保護テープ３１を剥がすとともに、図１０に示すように、マウンタ６０がテープ６１をウェーハ２０に押し付けるローラー６２を表面５に沿って移動させて、テープ６１をウェーハ２０即ちデバイスチップ２の裏面９側のモールド樹脂３に貼着する。実施形態１では、テープ６１は、絶縁性と可撓性を有する合成樹脂で構成された基材層と、基材層に積層された粘着層とを備えている。パッケージデバイスの製造方法は、ウェーハ２０即ちデバイスチップ２の裏面９側にテープ６１を貼着すると、モールド樹脂切断ステップＳＴ６に進む。 In the first embodiment, in the tape bonding step ST5, the surface protection tape 31 is peeled off from the wafer at 170 ° C. or higher, and the mounter 60 presses the tape 61 against the wafer 20 as shown in FIG. The tape 61 is moved along and bonded to the wafer 20, that is, the mold resin 3 on the back surface 9 side of the device chip 2. In the first embodiment, the tape 61 includes a base material layer made of a synthetic resin having an insulating property and flexibility, and an adhesive layer laminated on the base material layer. In the method of manufacturing the package device, when the tape 61 is attached to the wafer 20, that is, the back surface 9 side of the device chip 2, the process proceeds to a mold resin cutting step ST6.

（モールド樹脂切断ステップ）
図１１は、図４に示されたパッケージデバイスの製造方法のモールド樹脂切断ステップのデバイスチップ間のモールド樹脂を切断する状態を模式的に示す要部の断面図である。モールド樹脂切断ステップＳＴ６は、ウェーハ２０の表面５側からデバイスチップ２間のモールド樹脂３を切断するステップである。 (Mold resin cutting step)
FIG. 11 is a cross-sectional view of main parts schematically showing a state in which the mold resin between the device chips is cut in the mold resin cutting step of the method of manufacturing the package device shown in FIG. 4. The mold resin cutting step ST6 is a step of cutting the mold resin 3 between the device chips 2 from the surface 5 side of the wafer 20.

実施形態１において、モールド樹脂切断ステップＳＴ６では、切削装置７０がテープ６１を介してウェーハ２０即ちデバイスチップ２の基板４の裏面９側をチャックテーブル７１の保持面７２に吸引保持する。モールド樹脂切断ステップＳＴ６では、切削装置７０が、撮像ユニットでウェーハ２０を表面５側から撮像して、デバイスチップ２間のモールド樹脂３即ち分割予定ライン２１を検出する。モールド樹脂切断ステップＳＴ６では、切削装置７０が、切削ブレード７６と分割予定ライン２１とを位置決めするアライメントを遂行した後、チャックテーブル４１と切削ブレード７６とを分割予定ライン２１に沿って相対的に移動させながら、図１１に示すように、切削ブレード７６をテープ６１まで切り込ませて、切削ブレード７６で分割予定ライン２１即ちデバイスチップ２間のモールド樹脂３を切削（切断）して、ウェーハ２０を個々のパッケージデバイス１に分割する。なお、モールド樹脂切断ステップＳＴ６で用いられる切削ブレード７６の厚みは、切断ステップＳＴ２で用いられる切削ブレード４６の厚みより薄い。 In the first embodiment, in the mold resin cutting step ST6, the cutting device 70 sucks and holds the wafer 20, that is, the back surface 9 side of the substrate 4 of the device chip 2 via the tape 61 on the holding surface 72 of the chuck table 71. In the mold resin cutting step ST6, the cutting device 70 images the wafer 20 from the surface 5 side with the imaging unit, and detects the mold resin 3 between the device chips 2, that is, the dividing lines 21. In the mold resin cutting step ST6, after the cutting device 70 performs alignment for positioning the cutting blade 76 and the planned dividing line 21, the chuck table 41 and the cutting blade 76 are relatively moved along the planned dividing line 21. While cutting, as shown in FIG. 11, the cutting blade 76 is cut into the tape 61 and the cutting resin 76 cuts (cuts) the mold resin 3 between the dividing lines 21, that is, the device chips 2 to cut the wafer 20. Divide into individual package devices 1. The thickness of the cutting blade 76 used in the mold resin cutting step ST6 is thinner than the thickness of the cutting blade 46 used in the cutting step ST2.

モールド樹脂切断ステップＳＴ６では、全ての分割予定ライン２１に沿ってウェーハ２０を切断して、個々のパッケージデバイス１に分割すると終了する。パッケージデバイス１は、周知のピッカーによりテープ６１からピックアップされる。こうして、パッケージデバイス１は、基板４の表面５に格子状の分割予定ライン２１と分割予定ライン２１に区画された各領域にデバイス６が形成されたウェーハ２０の表面５に表面保護テープ３１を貼着し、ウェーハ２０を裏面９側から分割予定ライン２１に沿って切断した後、ウェーハ２０の裏面９側をモールド樹脂３で封止し、裏面９側に他のテープ６１を貼着しかつ表面保護テープ３１を剥がした後、表面５側からモールド樹脂３が分割されて製造される。 In the mold resin cutting step ST6, the wafer 20 is cut along all the dividing lines 21 and divided into individual package devices 1, which is the end. The package device 1 is picked up from the tape 61 by a known picker. Thus, the package device 1 applies the surface protection tape 31 to the surface 5 of the wafer 20 in which the device 6 is formed in each of the areas divided into the grid division lines 21 and the division lines 21 on the surface 5 of the substrate 4. Then, the wafer 20 is cut along the dividing line 21 from the back surface 9 side, then the back surface 9 side of the wafer 20 is sealed with the mold resin 3 and another tape 61 is attached to the back surface 9 side After peeling off the protective tape 31, the mold resin 3 is divided and manufactured from the surface 5 side.

以上説明した実施形態１に係るパッケージデバイス１は、デバイスチップ２の表面５側をモールド樹脂３で封止していないために、モールドステップＳＴ４前に表面５側に表面保護テープ３１を貼着し、モールドステップＳＴ４後にデバイスチップ２間のモールド樹脂３を切断する前にモールド樹脂３に他のテープ６１を貼着することで、製造されることができる。その結果、パッケージデバイス１は、製造にかかるテープ３１，６１の枚数を抑制でき、製造に係るコストを抑制することができる。 In the package device 1 according to the first embodiment described above, since the surface 5 side of the device chip 2 is not sealed with the mold resin 3, the surface protection tape 31 is attached to the surface 5 side before the molding step ST4. After the molding step ST4, before the mold resin 3 between the device chips 2 is cut, another tape 61 can be attached to the mold resin 3 to be manufactured. As a result, the package device 1 can suppress the number of tapes 31 and 61 required for manufacturing, and can suppress the cost for manufacturing.

また、実施形態１に係るパッケージデバイス１は、デバイスチップ２の表面５側をモールド樹脂３で封止していなく、モールドステップＳＴ４前に表面５側に表面保護テープ３１を貼着し、モールドステップＳＴ４後にデバイスチップ２間のモールド樹脂３を切断する前にモールド樹脂３に他のテープ６１を貼着することで製造できるので、製造に係る工程（ステップ）を抑制することができる。その結果、パッケージデバイス１は、製造時のウェーハの破損の可能性及び製造にかかる所要時間を抑制することができる。 In the package device 1 according to the first embodiment, the surface 5 side of the device chip 2 is not sealed with the mold resin 3, and the surface protection tape 31 is attached to the surface 5 side before the molding step ST4. Since it can manufacture by sticking other tape 61 on mold resin 3 before cutting mold resin 3 between device chips 2 after ST4, a process (step) concerning manufacture can be controlled. As a result, the package device 1 can suppress the possibility of breakage of the wafer at the time of manufacture and the time required for the manufacture.

よって、実施形態１に係るパッケージデバイス１は、製造に係るコスト、ウェーハの破損の可能性及び製造にかかる所要時間を抑制することができるという効果を奏する。また、パッケージデバイス１は、製造に係る工程（ステップ）を抑制することができるので、テープ３１，６１が剥がれることを抑制することができる。 Therefore, the package device 1 according to the first embodiment has the effect of being able to suppress the cost for manufacturing, the possibility of breakage of the wafer, and the required time for manufacturing. Moreover, since the package device 1 can suppress the process (step) which concerns on manufacture, it can suppress that the tapes 31 and 61 peel.

また、実施形態１に係るパッケージデバイス１は、モールドステップＳＴ４前に表面５側に貼着される表面保護テープ３１が１２５℃の温度に耐える耐熱性のテープであって、粘着層が、液状タイプの化合物であるため高い衝撃吸収性と高い粘着性を有し、基材層及び粘着層が高い衝撃吸収性を有する。このために、パッケージデバイス１は、モールドステップＳＴ４において、モールド樹脂の充填成形時の分割されたデバイスチップ２への衝撃を抑制でき、デバイスチップ２の位置ずれを抑制することができる。 In addition, the package device 1 according to the first embodiment is a heat-resistant tape in which the surface protection tape 31 attached to the surface 5 before the molding step ST4 withstands a temperature of 125 ° C., and the adhesive layer is a liquid type. The compound of the present invention has high impact absorption and high adhesiveness, and the base material layer and the adhesive layer have high impact absorption. For this reason, in the molding step ST4, the package device 1 can suppress the impact on the divided device chip 2 at the time of the filling and molding of the molding resin, and can suppress the positional deviation of the device chip 2.

なお、本考案は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本考案の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。 The present invention is not limited to the above embodiment. That is, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.

１パッケージデバイス
２デバイスチップ
３モールド樹脂
４基板
５表面
６デバイス
７パッド
９裏面
１０外側面
２０ウェーハ
２１分割予定ライン
３１表面保護テープ
６１他のテープ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 package device 2 device chip 3 mold resin 4 board | substrate 5 surface 6 device 7 pad 9 back surface 10 outer surface 20 wafer 21 division planned line 31 surface protection tape 61 other tape

前記パッケージデバイスにおいて、前記パッドは、半田ペーストにより覆われても良い。 In the package device, the pad may be covered with solder paste .

Claims

デバイスの表面にパッドが設けられたデバイスチップと、
デバイスチップの裏面とデバイスチップの外側面とを封止したモールド樹脂と、
を備えることを特徴とするパッケージデバイス。 A device chip with pads provided on the surface of the device;
Mold resin that seals the back surface of the device chip and the outer surface of the device chip;
A packaged device comprising:

前記デバイスは、ダイオードであることを特徴とする請求項１に記載のパッケージデバイス。 The packaged device of claim 1, wherein the device is a diode.

基板の表面に格子状の分割予定ラインと該分割予定ラインに区画された各領域にデバイスが形成されたウェーハの該表面に表面保護テープを貼着し、該ウェーハを裏面側から分割予定ラインに沿って切断した後、該ウェーハの裏面側をモールド樹脂で封止し、該裏面側に他のテープを貼着しかつ該表面保護テープを剥がした後、該表面側からモールド樹脂が分割されて製造されることを特徴とする請求項１に記載のパッケージデバイス。 A surface protection tape is attached to the surface of the wafer on which devices are formed in the grid-like planned dividing lines and the respective areas partitioned by the planned dividing lines on the front surface of the substrate, and the wafer is made to the planned dividing lines from the back side. After cutting along the side, the back side of the wafer is sealed with a mold resin, another tape is attached to the back side, and the surface protection tape is peeled off, and then the mold resin is divided from the front side The packaged device of claim 1, wherein the packaged device is manufactured.