JP3220523B2 - Ｘ線マスク - Google Patents
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、Ｘ線リソグラフィー
を行うためのＸ線マスクに関するものである。
を行うためのＸ線マスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、例えばSemiconductor World 19
91 5月号（第107-111 頁）に示されたＸ線マスクの断面
図であり、図において、１はシリコン（Ｓｉ）基板、２
はシリコン基板１の両面に成膜されたＸ線を透過するメ
ンブレン（membrane；膜）、３は半導体の微細パターン
３ａが描画されたＸ線吸収体、４は高剛性の支持枠、５
はエッチングマスクである。ここで、シリコン基板１お
よびメンブレン２の厚さは、それぞれ約２mmおよび２μ
ｍである。またメンブレン２はＸ線透過率のよい軽元素
からつくり、他方Ｘ線吸収体３はタングステン（Ｗ）、
タンタル(Ta)等の重金属から形成する。エッチングマス
ク５は二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）等から製造する。
91 5月号（第107-111 頁）に示されたＸ線マスクの断面
図であり、図において、１はシリコン（Ｓｉ）基板、２
はシリコン基板１の両面に成膜されたＸ線を透過するメ
ンブレン（membrane；膜）、３は半導体の微細パターン
３ａが描画されたＸ線吸収体、４は高剛性の支持枠、５
はエッチングマスクである。ここで、シリコン基板１お
よびメンブレン２の厚さは、それぞれ約２mmおよび２μ
ｍである。またメンブレン２はＸ線透過率のよい軽元素
からつくり、他方Ｘ線吸収体３はタングステン（Ｗ）、
タンタル(Ta)等の重金属から形成する。エッチングマス
ク５は二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）等から製造する。
【０００３】このＸ線マスクは、Ｘ線リソグラフィー時
に、露光材を塗布したシリコンウエハと近接してこれに
平行に設置される。そして、シンクロトロン（ＳＲ）放
射光源等からこのＸ線マスクにＸ線を照射すると、Ｘ線
吸収体３はＸ線を吸収し、メンブレン２はＸ線を透過す
るため、微細パターン３ａを先の露光材を塗布したシリ
コンウエハ上に転写することができる。
に、露光材を塗布したシリコンウエハと近接してこれに
平行に設置される。そして、シンクロトロン（ＳＲ）放
射光源等からこのＸ線マスクにＸ線を照射すると、Ｘ線
吸収体３はＸ線を吸収し、メンブレン２はＸ線を透過す
るため、微細パターン３ａを先の露光材を塗布したシリ
コンウエハ上に転写することができる。
【０００４】ところで、Ｘ線吸収体３の微細パターン３
ａを形成する場合は、現在二つのプロセスが用いられて
いる。一つはアディティブプロセス（additive proces
s）で上述のタングステンを選択成長させたり、あるい
は金をめっきしたりする。もう一つはサブトラクティブ
プロセス（subtractive process)で、スパッタ法により
一様に堆積させたタンタルあるいはタングステンのＸ線
吸収体薄膜をドライエッチング技術によりパターニング
する。
ａを形成する場合は、現在二つのプロセスが用いられて
いる。一つはアディティブプロセス（additive proces
s）で上述のタングステンを選択成長させたり、あるい
は金をめっきしたりする。もう一つはサブトラクティブ
プロセス（subtractive process)で、スパッタ法により
一様に堆積させたタンタルあるいはタングステンのＸ線
吸収体薄膜をドライエッチング技術によりパターニング
する。
【０００５】ドライ加工をするサブトラクティブプロセ
スは、めっき法等を用いるアディティブプロセスに比
べ、微細パターンの形成能力にすぐれているが、Ｘ線マ
スクの位置精度の向上に有利な低応力吸収体パターンの
形成に関しては、アディティブプロセスに劣る。
スは、めっき法等を用いるアディティブプロセスに比
べ、微細パターンの形成能力にすぐれているが、Ｘ線マ
スクの位置精度の向上に有利な低応力吸収体パターンの
形成に関しては、アディティブプロセスに劣る。
【０００６】すなわち、サブトラクティブプロセスのよ
うに堆積によって薄膜を形成する場合には、その堆積方
法によらず、一般に内部応力が存在する。そうすると、
Ｘ線マスクではメンブレン２およびＸ線吸収体３の薄膜
の応力が相互に作用して、形成済みの微細パターン３ａ
の位置を変位させてしまう。これらの薄膜が有する応力
の影響はシリコン基板１が厚いときはほとんど問題にな
らないが、シリコン基板１が薄膜化され、基板１の剛性
が低下するときには薄膜応力の緩和に伴って基板１に変
形を生じさせる。
うに堆積によって薄膜を形成する場合には、その堆積方
法によらず、一般に内部応力が存在する。そうすると、
Ｘ線マスクではメンブレン２およびＸ線吸収体３の薄膜
の応力が相互に作用して、形成済みの微細パターン３ａ
の位置を変位させてしまう。これらの薄膜が有する応力
の影響はシリコン基板１が厚いときはほとんど問題にな
らないが、シリコン基板１が薄膜化され、基板１の剛性
が低下するときには薄膜応力の緩和に伴って基板１に変
形を生じさせる。
【０００７】そこで、Ｘ線マスク用のメンブレン材料と
しては、従来からＸ線透過率が高く、しかも高剛性であ
る炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ケイ素（ＳｉＮ）が用い
られてきたが、近年さらに高剛性な材料として結晶ダイ
ヤモンドの利用が検討されている。
しては、従来からＸ線透過率が高く、しかも高剛性であ
る炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ケイ素（ＳｉＮ）が用い
られてきたが、近年さらに高剛性な材料として結晶ダイ
ヤモンドの利用が検討されている。
【０００８】ダイヤモンドの薄膜はヤング率が大きく高
剛性であるため、Ｘ線吸収体３をエッチング除去した場
合、またＳＲ光の照射によりＸ線吸収体膜の応力が変化
した場合にも微細パターン３ａの位置ずれ（歪み）が生
じにくく、Ｘ線マスクの位置精度を高めることができる
という特長がある。
剛性であるため、Ｘ線吸収体３をエッチング除去した場
合、またＳＲ光の照射によりＸ線吸収体膜の応力が変化
した場合にも微細パターン３ａの位置ずれ（歪み）が生
じにくく、Ｘ線マスクの位置精度を高めることができる
という特長がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来のダイヤモンド薄
膜は絶縁膜であるので、電子ビーム（ＥＢ）等でパター
ンの描画や回路パターンの検査を行ったり、ＳＲ露光を
行う場合、局所的なチャージアップが生じて不鮮明なパ
ターン像や歪みのあるパターン像となったり、極端な場
合にはＥＢ像が得られなくなったりする。このため、寸
法精度の高い描画・検査やＸ線リソグラフィーが行いに
くいという問題点があった。
膜は絶縁膜であるので、電子ビーム（ＥＢ）等でパター
ンの描画や回路パターンの検査を行ったり、ＳＲ露光を
行う場合、局所的なチャージアップが生じて不鮮明なパ
ターン像や歪みのあるパターン像となったり、極端な場
合にはＥＢ像が得られなくなったりする。このため、寸
法精度の高い描画・検査やＸ線リソグラフィーが行いに
くいという問題点があった。
【００１０】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、高剛性のメンブレンを有しなが
ら、上述の絶縁性ダイヤモンド薄膜に伴うパターン像の
歪み等が生じないＸ線マスクを提供することを目的とす
る。
ためになされたもので、高剛性のメンブレンを有しなが
ら、上述の絶縁性ダイヤモンド薄膜に伴うパターン像の
歪み等が生じないＸ線マスクを提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明に係るＸ線マス
クは、シリコン基板上へのダイヤモンド膜形成時に、メ
タンに対するジボランの混合比を３％以上１０％未満と
することにより、ホウ素を含有しかつ抵抗率が10 -1 Ω・
ｃｍ以下であるダイヤモンド膜を含むＸ線透過性のメン
ブレンと，メンブレン上に所定のパターンに沿って設け
られたＸ線吸収体と，を備える。
クは、シリコン基板上へのダイヤモンド膜形成時に、メ
タンに対するジボランの混合比を３％以上１０％未満と
することにより、ホウ素を含有しかつ抵抗率が10 -1 Ω・
ｃｍ以下であるダイヤモンド膜を含むＸ線透過性のメン
ブレンと，メンブレン上に所定のパターンに沿って設け
られたＸ線吸収体と，を備える。
【００１２】
【作用】この発明におけるＸ線マスクは、メンブレンが
ダイヤモンド微結晶からなるため高剛性を有し、かつこ
のダイヤモンド微結晶には導電性が付与されており、さ
らに反射防止膜が導電性であるため、回路検査用に電子
ビームを当てたときも、アースの効果によってチャージ
アップを生じることがなく鮮明なパターン像を得ること
ができる。また、Ｘ線露光用にＳＲ光を照射したとき
も、Ｘ線吸収体から出てくる二次電子を安定に外部へ逃
がすことができるので、パターンの歪みを生じることも
ない。
ダイヤモンド微結晶からなるため高剛性を有し、かつこ
のダイヤモンド微結晶には導電性が付与されており、さ
らに反射防止膜が導電性であるため、回路検査用に電子
ビームを当てたときも、アースの効果によってチャージ
アップを生じることがなく鮮明なパターン像を得ること
ができる。また、Ｘ線露光用にＳＲ光を照射したとき
も、Ｘ線吸収体から出てくる二次電子を安定に外部へ逃
がすことができるので、パターンの歪みを生じることも
ない。
【００１３】
【実施例】実施例１． 以下、この発明を図について説明する。図１において、
１，３，３ａ，４および５は、先の図４に示したものと
同じである。そして６は、ホウ素（導電性不純物）を添
加したダイヤモンド微結晶からなるメンブレン、７はメ
ンブレン６の上（Ｘ線入射側）に形成される反射防止膜
である。メンブレン６はダイヤモンドを主要な材料とす
るが、ホウ素を含有するため導電性となる。また、反射
防止膜７はスパッタ成膜等で形成されるＳｉＮ膜などを
用いるが、メンブレン６と同様十分な導電性を有するも
のにする。
１，３，３ａ，４および５は、先の図４に示したものと
同じである。そして６は、ホウ素（導電性不純物）を添
加したダイヤモンド微結晶からなるメンブレン、７はメ
ンブレン６の上（Ｘ線入射側）に形成される反射防止膜
である。メンブレン６はダイヤモンドを主要な材料とす
るが、ホウ素を含有するため導電性となる。また、反射
防止膜７はスパッタ成膜等で形成されるＳｉＮ膜などを
用いるが、メンブレン６と同様十分な導電性を有するも
のにする。
【００１４】図１のＸ線マスクにおける微細パターン３
ａを電子ビームで検査する場合には、電子ビームがそれ
ぞれ導電性のＸ線吸収体３→反射防止膜７→メンブレン
６→シリコン基板１→支持枠４を経由してアースされる
ため、従来のＸ線マスクにみられたような局所的なチャ
ージアップは生じず、鮮明なパターン像を得ることがで
きる。また、ＳＲ光を照射してＸ線露光を行う際にも、
Ｘ線吸収体３から出てくる二次電子を安定に外部へ逃が
すことができるため、パターンの歪みを生じることもな
い。
ａを電子ビームで検査する場合には、電子ビームがそれ
ぞれ導電性のＸ線吸収体３→反射防止膜７→メンブレン
６→シリコン基板１→支持枠４を経由してアースされる
ため、従来のＸ線マスクにみられたような局所的なチャ
ージアップは生じず、鮮明なパターン像を得ることがで
きる。また、ＳＲ光を照射してＸ線露光を行う際にも、
Ｘ線吸収体３から出てくる二次電子を安定に外部へ逃が
すことができるため、パターンの歪みを生じることもな
い。
【００１５】次に、図１のＸ線マスクに用いるメンブレ
ン６の製造方法を説明する。図２は、メンブレン６を成
膜するためのダイヤモンド膜合成装置の構成図である。
このダイヤモンド膜合成装置は、マイクロ波放電法と称
される成膜方法を利用する。図において、１０は反応チ
ャンバ、１１は反応チャンバ内に設置される石英管、１
２は石英管１１の上方に設けられる原料供給孔、１３は
石英管１１の下方に設けられる排気孔、１４は石英管１
１内に設けられるシリコン基板１のホルダ、１５はマイ
クロ波電源、１６はスライド可能なマイクロ波反射板で
ある。石英管１１内は真空排気装置（図示せず）により
所定圧力に保たれている。
ン６の製造方法を説明する。図２は、メンブレン６を成
膜するためのダイヤモンド膜合成装置の構成図である。
このダイヤモンド膜合成装置は、マイクロ波放電法と称
される成膜方法を利用する。図において、１０は反応チ
ャンバ、１１は反応チャンバ内に設置される石英管、１
２は石英管１１の上方に設けられる原料供給孔、１３は
石英管１１の下方に設けられる排気孔、１４は石英管１
１内に設けられるシリコン基板１のホルダ、１５はマイ
クロ波電源、１６はスライド可能なマイクロ波反射板で
ある。石英管１１内は真空排気装置（図示せず）により
所定圧力に保たれている。
【００１６】この装置においては、ダイヤモンド膜形成
のための原料ガス（炭素源）として、通常メタンガス
（ＣＨ4）と水素ガス（Ｈ2）の混合気を用い、混合比
（ＣＨ4／Ｈ2）は、０．２〜１０％（すなわち、ＣＨ4
／Ｈ2の体積比が０．００２〜０．１０）程度に設定す
る。なお、炭素源は、他の炭化水素ガスやアルコール類
でもよい。
のための原料ガス（炭素源）として、通常メタンガス
（ＣＨ4）と水素ガス（Ｈ2）の混合気を用い、混合比
（ＣＨ4／Ｈ2）は、０．２〜１０％（すなわち、ＣＨ4
／Ｈ2の体積比が０．００２〜０．１０）程度に設定す
る。なお、炭素源は、他の炭化水素ガスやアルコール類
でもよい。
【００１７】さて、このダイヤモンド膜合成装置におい
て、マイクロ波電源１５をＯＮにし、周波数２．４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波を石英管１１内に供給すると、ホルダ
１４の直上でマイクロ波放電が生じ、シリコン基板１は
イオン衝撃により７００〜９００℃程度まで昇温する。
その後、原料供給孔１２から原料ガスを供給すると、原
料ガスはマイクロ波放電により分解され、ＣＨ3 ラジカ
ルやＨ原子が生じて、シリコン基板１の表面にダイヤモ
ンド微結晶からなる膜が形成される。
て、マイクロ波電源１５をＯＮにし、周波数２．４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波を石英管１１内に供給すると、ホルダ
１４の直上でマイクロ波放電が生じ、シリコン基板１は
イオン衝撃により７００〜９００℃程度まで昇温する。
その後、原料供給孔１２から原料ガスを供給すると、原
料ガスはマイクロ波放電により分解され、ＣＨ3 ラジカ
ルやＨ原子が生じて、シリコン基板１の表面にダイヤモ
ンド微結晶からなる膜が形成される。
【００１８】なお、メンブレン６は、こうして形成され
るダイヤモンド膜中にさらにホウ素（導電性不純物）を
ドーピングして完成するが、導電性不純物の添加は、原
料ガス中にこの導電性不純物を含むガスを混合すること
により、達成される。そこで、上記混合気等にホウ素を
含むジボランガス（Ｂ2Ｈ6）を添加した場合におけるダ
イヤモンド膜の抵抗率の変化を図３に示す。混合ガス中
のホウ素濃度が２％の場合は抵抗率は１Ω・ｃｍ以上と
高い値を示すが、ホウ素濃度（Ｂ2Ｈ6／ＣＨ4）の上昇
に伴って抵抗率は小さくなり、特にホウ素濃度が３％
（Ｂ2Ｈ6／ＣＨ4の体積比が０．０３）以上のときには1
0 -1 Ω・ｃｍ以下と実用上十分な小さい値となることが
分かる。ただし、このホウ素の濃度は１０％（Ｂ2Ｈ6／
ＣＨ4の体積比が０．１０）以上になると、メンブレン
６中にＢ4Ｃが生成するため好ましくない。
るダイヤモンド膜中にさらにホウ素（導電性不純物）を
ドーピングして完成するが、導電性不純物の添加は、原
料ガス中にこの導電性不純物を含むガスを混合すること
により、達成される。そこで、上記混合気等にホウ素を
含むジボランガス（Ｂ2Ｈ6）を添加した場合におけるダ
イヤモンド膜の抵抗率の変化を図３に示す。混合ガス中
のホウ素濃度が２％の場合は抵抗率は１Ω・ｃｍ以上と
高い値を示すが、ホウ素濃度（Ｂ2Ｈ6／ＣＨ4）の上昇
に伴って抵抗率は小さくなり、特にホウ素濃度が３％
（Ｂ2Ｈ6／ＣＨ4の体積比が０．０３）以上のときには1
0 -1 Ω・ｃｍ以下と実用上十分な小さい値となることが
分かる。ただし、このホウ素の濃度は１０％（Ｂ2Ｈ6／
ＣＨ4の体積比が０．１０）以上になると、メンブレン
６中にＢ4Ｃが生成するため好ましくない。
【００１９】なお本実施例ではマイクロ波放電法により
ホウ素を含有するメンブレンを成膜する方法について示
したが、成膜方法はこの方法に限るものではなく、アー
クを用いた放電、熱フィラメント法、アセチレン炎を用
いた方法など種々のダイヤモンド形成法を用いてダイヤ
モンド膜中にホウ素を含有させることができるならば、
本実施例と同様の導電性で高剛性のメンブレンを得るこ
とができる。また導電性不純物を含む添加ガスもＢ2 Ｈ
6 に限るものではなく、Ｂ2 Ｏ3 やホウ素を含む有機材
料、およびリン（Ｐ）やヒ素(As)等の導電性不純物を用
いて、比抵抗を下げることもできる。その他、ダイヤモ
ンド膜の成膜後、Ｂ+ やＰ+ 等の不純物イオンビームを
ダイヤモンド膜中に照射しても本実施例と同様のメンブ
レンを得ることができる。
ホウ素を含有するメンブレンを成膜する方法について示
したが、成膜方法はこの方法に限るものではなく、アー
クを用いた放電、熱フィラメント法、アセチレン炎を用
いた方法など種々のダイヤモンド形成法を用いてダイヤ
モンド膜中にホウ素を含有させることができるならば、
本実施例と同様の導電性で高剛性のメンブレンを得るこ
とができる。また導電性不純物を含む添加ガスもＢ2 Ｈ
6 に限るものではなく、Ｂ2 Ｏ3 やホウ素を含む有機材
料、およびリン（Ｐ）やヒ素(As)等の導電性不純物を用
いて、比抵抗を下げることもできる。その他、ダイヤモ
ンド膜の成膜後、Ｂ+ やＰ+ 等の不純物イオンビームを
ダイヤモンド膜中に照射しても本実施例と同様のメンブ
レンを得ることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、高剛
性でかつ導電性のメンブレンと、導電性の反射防止膜と
を備えたＸ線マスクが得られるため、応力の影響による
微細パターンの変位がなく、かつ電子ビームによるパタ
ーンの描画・回路検査時やＸ線リソグラフィー時にも、
局所的なチャージアップによるパターン像の歪み・鮮明
度の低下が生じない。
性でかつ導電性のメンブレンと、導電性の反射防止膜と
を備えたＸ線マスクが得られるため、応力の影響による
微細パターンの変位がなく、かつ電子ビームによるパタ
ーンの描画・回路検査時やＸ線リソグラフィー時にも、
局所的なチャージアップによるパターン像の歪み・鮮明
度の低下が生じない。
【図１】この発明の一実施例によるＸ線マスクの断面図
である。
である。
【図２】図１のＸ線マスクに用いるメンブレンを製造す
るダイヤモンド膜合成装置の構成図である。
るダイヤモンド膜合成装置の構成図である。
【図３】図１のＸ線マスクに用いるメンブレンにおける
ホウ素濃度と比抵抗の関係を示すグラフ図である。
ホウ素濃度と比抵抗の関係を示すグラフ図である。
【図４】従来のＸ線マスクの断面図である。
３ Ｘ線吸収体 ６ メンブレン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山下 博明 埼玉県大宮市北袋町１−297 三菱マテ リアル株式会社 中央研究所内 (72)発明者 松井 安次 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 中央研究所内 (72)発明者 丸本 健二 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 中央研究所内 (72)発明者 矢部 秀毅 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 中央研究所内 (56)参考文献 特開 平４−107810（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−135117（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−199098（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 シリコン基板上へのダイヤモンド膜形成
時に、メタンに対するジボランの混合比を３％以上１０
％未満とすることにより、ホウ素を含有しかつ抵抗率が
10 -1 Ω・ｃｍ以下である前記ダイヤモンド膜を含むＸ線
透過性のメンブレンと，前記メンブレン上に所定のパタ
ーンに沿って設けられたＸ線吸収体と，を備えることを
特徴とするＸ線マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18374092A JP3220523B2 (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | Ｘ線マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18374092A JP3220523B2 (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | Ｘ線マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629193A JPH0629193A (ja) | 1994-02-04 |
| JP3220523B2 true JP3220523B2 (ja) | 2001-10-22 |
Family
ID=16141150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18374092A Expired - Fee Related JP3220523B2 (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | Ｘ線マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3220523B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5985493A (en) * | 1998-04-08 | 1999-11-16 | Lucent Technologies Inc. | Membrane mask for projection lithography |
| JP3990519B2 (ja) | 1999-09-30 | 2007-10-17 | 富士通株式会社 | ファンユニット |
| JP2003321296A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ダイヤモンド膜及びその製造方法 |
| CN110050126B (zh) * | 2017-03-31 | 2021-05-07 | 三菱电机株式会社 | 工业用设备 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS623257A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-09 | Toshiba Corp | マスクパタ−ンの形成方法およびこれに使用するマスク基板 |
| JPH02241019A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-25 | Canon Inc | Ｘ線マスクブランクス、ｘ線マスク構造体、ｘ線露光装置及びｘ線露光方法 |
| JP3171590B2 (ja) * | 1990-08-28 | 2001-05-28 | 住友電気工業株式会社 | Ｘ線マスクとその製造方法 |
| JP2924146B2 (ja) * | 1990-09-21 | 1999-07-26 | 凸版印刷株式会社 | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-07-10 JP JP18374092A patent/JP3220523B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0629193A (ja) | 1994-02-04 |
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